1.Nguyên tố nào sau đây được dùng để sản xuất bán dẫn đơn chất?

(2.5 Points)
Oxy
Chì
Silic (silicon)
Kẽm
2.Về tính chất dẫn điện ở nhiệt độ thường, nhận định nào sau đây là đúng?
(2.5 Points)
Chất bán dẫn dẫn điện kém hơn chất cách điện
Không có phương án nào đúng
Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất cách điện
Chất bán dẫn dẫn điện tốt hơn chất dẫn điện
3.Mỗi nguyên tử silicon có:
(2.5 Points)
4 điện tử lớp ngoài cùng
6 điện tử lớp ngoài cùng
3 điện tử lớp ngoài cùng
2 điện tử lớp ngoài cùng
4.Trong mỗi liên kết cộng hóa trị, mỗi nguyên tử silic của bán dẫn thuần góp bao nhiêu
điện tử cho liên kết chung?
(2.5 Points)
5
1
7
3
5.Bán dẫn loại N có thể được tạo ra bằng cách pha tạp thêm nguyên tố thuộc nhóm nào
trong bảng tuần hoàn Mendeleev vào mạng tinh thể bán dẫn thuần?
(2.5 Points)
IV (4)
V (5)
III (3)
II (2)
6.Bán dẫn loại P có đặc điểm gì khác với bán dẫn thuần?
(2.5 Points)
Thiếu một điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm III (nhóm 3) ở trong một liên kết cộng hóa
trị
Tạp chất cung cấp điện tử tự do sẵn có
Không khác bán dẫn thuần
Có một điện tử lớp ngoài cùng của tạp chất nhóm V (nhóm 5) không tham gia vào liên kết cộng hóa trị
nào
7.Trong bán dẫn loại N, hạt dẫn đa số là hạt gì?
(2.5 Points)
Ion dương
Không có hạt dẫn nào là đa số
Điện tử
Lỗ trống
8.Trong quá trình sinh ra điện tử và lỗ trống bên trong mạng tinh thể bán dẫn thuần, số
lượng hạt dẫn loại nào nhiều hơn?
(2.5 Points)
Số lượng điện tử và lỗ trống là bằng nhau
Điện tử nhiều hơn lỗ trống
Chỉ có điện tử hoặc lỗ trống được sinh ra
Lỗ trống nhiều hơn điện tử
9.Dòng điện khuếch tán là dòng của các các hạt dẫn trong điều kiện:
(2.5 Points)
 Có dòng điện ngoài chạy qua khối bán dẫn
Có sự chênh lệch về kích thước giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau
Có điện trường ngoài đặt vào khối bán dẫn
Có sự chênh lệch về nồng độ hạt dẫn giữa hai khối bán dẫn được ghép tiếp xúc với nhau
10.Mỗi chiếc diode loại đơn giản nhất có bao nhiêu chân?
(2.5 Points)
6
1
4
2
11.Trong diode, hạt dẫn đa số là:
(2.5 Points)
Mật độ điện tử và mật độ lỗ trống là bằng nhau tại mọi điểm trong diode
Điện tử
Lỗ trống
Điện tử bên bán dẫn loại N lỗ trống bên bán dẫn loại P
12.Điện áp tiếp xúc tại vùng nghèo của diode chế tạo bằng silic là xấp xỉ:
(2.5 Points)
0.3 V
0.7 V
1.5V
1.2 V
13.Khi không có điện trường ngoài, dòng điện trong diode bằng 0 là do nguyên nhân nào?
(2.5 Points)
Mật độ các loại hạt dẫn ở hai bên tiếp giáp đã cân bằng nên không còn dòng khuếch tán
Dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau và triệt tiêu lẫn nhau
Các phương án đều sai
Điện tử tự do đã kết hợp hết với lỗ trống
14.Khi diode được phân cực ngược, phát biểu nào sau đây là đúng?
(2.5 Points)
Dòng khuếch tán và dòng trôi cùng tăng
Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng nhưng nhanh chóng đạt bão hòa
Dòng khuếch tán tăng mạnh còn dòng trôi giảm
Dòng khuếch tán giảm còn dòng trôi tăng mạnh
15.Dòng trôi (drift current) trong diode là dòng của:
(2.5 Points)
Hạt dẫn đa số
Lỗ trống
Hạt dẫn thiểu số
Điện tử
16.Khi một diode silic được phân cực thuận, dòng điện trong diode tăng mạnh khi điện áp
thuận bắt đầu vượt qua:
(2.5 Points)
0.3 V
0.7 V
1.7V
1.3 V
17.Đặc tuyến vôn-ampe của diode gồm những vùng nào?
(2.5 Points)
Phân cực thuận, phân cực ngược, vùng đánh thủng do nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, vùng Zener (đánh thủng do điện), vùng đánh thủng do nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, vùng quá dòng, vùng quá nhiệt
Phân cực thuận, phân cực ngược, vùng Zener (đánh thủng do điện), vùng quá dòng
18.Tên ba mô hình tương đương tần số thấp của diode là:
(2.5 Points)
 Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa nhiều đoạn phức tạp
Lý tưởng, gần lý tưởng, và thực tế
Lý tưởng, phi tuyến hóa từng đoạn đơn giản, và phi tuyến hóa từng đoạn (đầy đủ)
Lý tưởng, tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản, và tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)
19.Bản chất sự di chuyển của lỗ trống trong điện trường là sự di chuyển của:
(2.5 Points)
Lỗ trống không di chuyển được
Điện tử tự do nhưng theo chiều ngược lại
Ion âm
Một điện tử trong liên kết hóa trị
20.Tại sao lại có hiện tượng nghèo hạt dẫn tại vùng tiếp giáp?
(2.5 Points)
Sự khuếch tán của hạt dẫn đa số tại vùng tiếp giáp từ hai miền bán dẫn sang phía bên kia khiến
mất dần các hạt dẫn
Do dòng trôi của các hạt dẫn trong điện trường
Không có phương án nào đúng
Lỗi trong quá trình sản xuất
21.Giải thích nào dưới đây là giải thích đúng nhất về nội trở xoay chiều của diode?
(2.5 Points)
Là lượng biến thiên nội trở của diode khi diode chuyển từ phân cực thuận sang ngược.
Là nội trở của diode khi có điện áp đặt vào hai đầu diode
Là lượng biến thiên nội trở của diode khi làm việc với tín hiệu xoay chiều
Là lượng biến thiên nội trở của diode theo thời gian
22.Cho mạch điện gồm một nguồn điện cấp cho một diode D đấu nối tiếp với một điện trở
R. Gọi Un là điện áp của nguồn, Ud là điện áp mở và Rd là nội trở của diode. Sơ đồ tuyến
tính hóa từng đoạn đơn giản của diode nên được áp dụng trong trường hợp nào?
(2.5 Points)
Un tương đương Ud và R rất lớn so với Rd
Un tương đương Ud và R tương đương Rd
Un rất lớn so với Ud và R tương đương Rd
Un rất lớn so với Ud và R rất lớn so với Rd
23.Một diode lý tưởng hoạt động giống như:
(2.5 Points)
Một điện trở
Một công tắc
Một tụ điện
Một tụ điện
24.Cho một diode với các thông số sau: Is = 1 nA; m = 1; và Ut = 25 mV. Khi Ud = 0.4 V,
dòng điện chảy qua diode là xấp xỉ:
(2.5 Points)
14 mA
6.2 mA
3 mA
8.9 mA
25.Cho một diode với các thông số sau: Ud = 0.8 V; Is = 1 nA; Id = 20 mA; và Ut = 25 mV.
Nội trở một chiều của diode là:
(2.5 Points)
60 Ω
30 Ω
20 Ω
40 Ω
26.Một transistor tiếp xúc lưỡng cực có cấu trúc gồm 3 tiếp giáp PN. Phát biểu này đúng
hay sai?
(2.5 Points)
Sai
 Đúng
27.Dòng điện emitter là tổng của dòng điện collector và dòng điện base. Phát biểu này
đúng hay sai?
(2.5 Points)
Đúng
Sai
28.Dòng điện base của BJT là rất nhỏ so với dòng điện collector và dòng điện emitter. Phát
biểu này đúng hay sai?
(2.5 Points)
Đúng
Sai
29.Trong một BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là:
(2.5 Points)
không phương án nào đúng
0.3 V nếu BJT được chế tạo từ Ge và 0.7 V nếu BJT được chế tạo từ Si
0.7 V với mọi vật liệu
0.3 V với mọi vật liệu
30.Khi tiếp xúc BE của BJT phân cực thuận, độ rộng vùng nghèo hạt dẫn của tiếp xúc này
sẽ:
(2.5 Points)
Tăng lên
Không đổi
Giảm đi
31.Đối với một BJT, nếu dòng điện collector bằng 0.95 lần dòng điện emitter thì α bằng:
(2.5 Points)
20
0.95
1.05
0.05
32.Có thể dùng đặc tuyến ra của BJT mắc theo mô hình E chung (CE) để giải thích cho đặc
tuyến ra của nó mắc theo mô hình nào dưới đây?
(2.5 Points)
C chung (CC)
B chung (CB)
C chung (CC) và B chung (CB)
33.BJT có điểm làm việc tĩnh (một chiều) phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh nhất khi được phân
cực theo cách nào trong số sau đây?
(2.5 Points)
Phân cực emitter
Phân cực base
Phân cực bằng hồi tiếp collector
Phân cực bằng phân áp
34.Trong một BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền emitter có đặc điểm:
(2.5 Points)
Có kích thước lớn nhất
Có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có nồng độ pha tạp trung bình
35.Trong một BJT thông thường, so với hai miền còn lại, miền base có đặc điểm:
(2.5 Points)
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Có kích thước lớn nhất và có nồng độ pha tạp lớn nhất
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp trung bình
Mỏng nhất và có nồng độ pha tạp nhỏ nhất
36.Dòng điện emitter của một BJT được tạo ra do:
(2.5 Points)
Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Tiếp xúc BE được phân cực ngược, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi một phần
nhỏ chuyển sang C
Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn thiểu số từ miền E khuếch tán sang miền B và C
Tiếp xúc BE được phân cực thuận, các hạt dẫn đa số từ miền E khuếch tán sang miền B rồi phần
lớn chuyển sang C
37.Một BJT đang hoạt động ở chế độ khuếch đại. Khi nhiệt độ của BJT tăng hoặc giảm,
tham số bị thay đổi theo là:
(2.5 Points)
Ic
Ube
β, Ube và Ic 
β
38.Một BJT được làm từ silic, có β = 150, đang ở trong mạch điện. Nếu vì một lý do nào đó
mà β tăng lên, dòng collector sẽ:
(2.5 Points)
Tăng lên
Không đổi
Giảm đi
39.Khi BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại, có thể coi βac và βdc là gần bằng nhau. Phát
biểu này đúng hay sai?
(2.5 Points)
Đúng
Sai
40.Trong một BJT loại NPN, các miền được tạo nên từ bán dẫn loại N là:

(2.5 Points)
Base và emitter
Base
Base và collector
Emitter và collector