C2 Vat Lieu Ban Dan Diode

Diode chỉnh lưu Diode ổn áp LEDs Diode biến dung
Diode công suất Cầu chỉnh lưu Diode đường hầm SMD diodes
Diode Schottky LED hồng ngoại Diode quang Diode Laser

BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
Mục tiêu
Học xong chương này người học có thể:

 Giải thích được tính chất điện của vật
liệu bán dẫn tinh khiết, bán dẫn tạp chất
loại P, loại N.
 Mô tả được cấu tạo, nguyên lý hoạt động, đặc
tuyến và ứng dụng của các loại diode.
 Nhận dạng, đo kiểm, xác định chân cực và đánh
giá được chất lượng của các loại diode.
 Biết tra cứu datasheets linh kiện và sử dụng được
các loại diode để lắp đặt các mạch ứng dụng đơn
giản: chỉnh lưu, ổn áp, mạch xung.
Nội dung
1. Vật liệu bán dẫn
1.Khái niệm chung
2.Bán dẫn thuần
3.Bán dẫn tạp chất
4.Tiếp giáp PN
2. Diode
1.Cấu tạo, ký hiệu, phân loại
2.Đặc tuyến VA và các thông số đặc tính của diode.
3.Mô hình diode
4.Ứng dụng diode
5.Diode Zener
3. Các loại diode khác
4. Kiểm tra và đo thử Diode
2.1. VẬT LIỆU BÁN DẪN
2.1. Khái niệm chung

• Chất bán dẫn (Semiconductor) là chất có điện trở suất
trung bình nằm giữa chất dẫn điện (kim loại) và chất
cách điện (điện môi):
- Chất dẫn điện có điện trở suất  = 10-6 ÷ 10-4 m

- Chất bán dẫn có điện trở suất  = 10-4 ÷ 10+4 m
- Chất cách điện có điện trở suất  = 10+4 ÷ 10+10m

• Đặc điểm nổi bật:
– Điện trở suất của chất bán dẫn phụ thuộc rất nhiều vào nhiệt độ,
điện trở suất giảm khi nhiệt độ tăng.
– Điện trở suất phụ thuộc vào chất pha tạp, nồng độ tạp chất, ánh
sáng chiếu vào, thế năng ion hoá ….
• Các chất bán dẫn được sử dụng rộng rãi:
Silicon (Si),Germanium (Ge) và (GaAs).
• e- trong nguyên tử có thể có năng
lượng nằm trong miền 1 (miền
W
hóa trị) hoặc miền 2 (miền dẫn),
 • e- không thể có năng lượng thuộc
Miền dẫn
miền 3 (miền cấm).
wc
 W Sự phân bố trạng thái năng lượng

Miền cấm
của e- , bề rộng của miền cấm W
wv quyết định tính chất điện của vật
 rắn
Miền hóa trị
w = wc - wv
1. Khái niệm chung
W W W W
  
 Miền dẫn Miền dẫn
Miền dẫn Miền dẫn
Miền cấm W 5 – 10eV 0,2 – 0,5eV

W
 

Miền hóa trị Miền hóa trị  Miền hóa trị
Miền hóa trị
a) Kim lọai – vật dẫn b) Điện môi c) Bán dẫn
W – bề rộng vùng cấm
1. Khái niệm chung
• Bề rộng vùng cấm được đặc trưng bằng năng lượng cần
thiết để giải phóng e- khỏi liên kết hóa trị (năng lượng ion
hóa).
• Bề rộng vùng cấm càng lớn thì năng lượng cần thiết để
chuyển e- từ miền hóa trị sang miền dẫn càng lớn. Ở điều
kiện bình thường (nhiệt độ phòng 300K):
– Ge: W = 0,72eV
– Si: W = 1,12eV.
• Việc giải phóng e- hóa trị có thể do nhiều nguyên

nhân khác nhau: nhiệt độ, điện trường, bức xạ.
2. Bán dẫn thuần
2.1.Khái niệm.
• Bán dẫn thuần (tinh khiết) có cấu trúc mạng tinh thể, trong
đó liên kết giữa các nguyên tử được thực hiện nhờ các
electron hóa trị nằm ở lớp vỏ ngòai cùng của nguyên tử.
• Đối với các chất bán dẫn Ge, Si lớp vỏ ngòai cùng có 4 e-.
Khi tạo thành mạng tinh thể, mỗi nguyên tử sẽ góp 2e- với
các nguyên tử xung quanh để tạo thành mạng liên kết
đồng hóa trị.
Mô hình mạng tinh thể Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Các e- liên kết

đồng hóa trị
Si Si Si
Si Si Si
Periodic Table
Periodic Table
Mô hình nguyên tử Si
Si28
14
Pieces of Silicon
Pieces of Silicon
Mô hình nguyên tử Ge
Ge 73
32
Mô hình các nguyên tử Si và Ge
Ge73
28 32
14Si
Các electron hóa trị
Mô hình các nguyên tử Si và Ge (Nhóm IV)
2.2.Quá trình tạo cặp “e- - lỗ (+)”
 Ở độ 0 tuyệt đối (0K) trong bán dẫn thuần không có hạt tải
điện tự do. Các e- hóa trị nằm trong liên kết đồng hóa trị
của mạng tinh thể.
 Khi nhiệt độ T>0K, chuyển động nhiệt (dao động) có thể
dẫn tới làm đứt gãy liên kết hóa trị ở một số nút mạng tinh
thể, e- được giải phóng khỏi liên kết trở thành tự do và trở
thành e- dẫn.
 Tại nơi e- được giải phóng, xuất hiện lỗ trống (+) tương
đương hạt tải điện dương.
Hình thành cặp “ e- - lỗ (+)”
Cơ chế tạo cặp “e- - lỗ trống”
Lỗ trống (+)
e- bứt khỏi liên kết (Hole)
(Free Electron)
14 n 14 n
14 p 14 p
n=1 n=2 n=3 n=1 n=2 n=3
 Si 
Si 
Nguyên tử Si Ion dương Si+
Cặp “Electron (e-) – Lỗ trống (+)” tạo thành

Si Si Si Si
Free
Electron
hole
Si Si Si Si
Si Si Si Si
 Nhiệt độ càng cao số e- được giải phóng càng nhiều,
cùng với việc tạo ra nhiều cặp “e- - lỗ (+)”.
 Do chuyển động nhiệt, các electron tự do lại có thể bị

các lỗ (+) bắt lại khi đi ngang qua và xảy ra quá trình tái
hợp “e- + lỗ”, kết quả hủy cặp.
 Ở nhiệt độ xác định xảy ra sự cân bằng động giữa quá

trình tạo cặp và quá trình tái hợp hủy cặp.
 Ở trạng thái cân bằng động thiết lập một giá trị mật độ
trung bình electron dẫn n0 và mật độ lỗ trống p0.
• Lý thuyết lượng tử về chất rắn cho thấy mật độ electron

dẫn (n0 ) và mật độ lỗ trống p0 tăng theo nhiệt độ theo
hàm mũ:
W W
 
n0  N C e kT ; p0  NV e kT
NC , NV – mật độ hiệu ứng các trạng thái lượng tử trong

miền dẫn và miền hóa trị
k = 1,38.10-23J/độ - hằng số Boltzmant
T – nhiệt độ tuyệt đối (K)
W – Bề rộng vùng cấm
Bảng giá trị NC và NV của các chất Ge, Si, GaAs ở 300K
Mật độ hiệu dụng

các trạng thái lượng Ge Si GaAs
tử (ở 300K)
Nc (cm-3) 1,02.1019 2,82.1019 4,35.1017
NV(cm-3) 5,65.1018 1,83.1019 7,57.1018
Mật độ trung bình hạt tải điện riêng trong bán dẫn
W

n0 p0  N C NV e kT  2
ni
Chú ý !
• Trong bán dẫn thuần, mỗi e- được giải phóng luôn kèm theo xuất
hiện một lỗ trống (+), hay một cặp “e- - lỗ (+)” được hình thành.
• Như vậy, mật độ e- dẫn ni = mật độ lỗ (+) pi,
W

ni  pi  N C NV e 2kT
Mật độ hạt dẫn

Ge Si GaAs
(300K)
ni (cm-3) 2,4.1013 1,45.1010 1,3.107
Nhận xét: Ở 300K, ni =1,45.1010/cm3 ( Si), 2,4.1013 /cm3 ( Ge)

nhưng rất nhỏ so với mật độ nguyên tử trong mạng tinh thể
~ 5.1022/cm3, nên chất bán dẫn thuần dẫn điện rất yếu.
2.3. Dòng điện trong chất bán dẫn
Dòng điện trong chất bán dẫn gồm 2

thành phần:
– Dòng điện trôi (drift current)
– Dòng điện khuếch tán (diffusion current)
1. Dòng điện khuếch tán (diffusion current):
Do chênh lệch nồng độ hạt dẫn ở các vùng khác nhau
trong khối chất. Khi đó hạt dẫn sẽ chuyển từ nơi có nồng
độ cao xuống nơi có nồng độ thấp. Hiện tượng này mang
tính chất thống kê:
dp
Mật độ dòng lỗ trống: J p  e.D p
dx
Mật độ dòng điện tử:
dn
J n  e.Dn
dx
Với dn/dx và dp/dx là gradien nồng độ của điện tử và lỗ trống
Dp, Dn là hệ số khuếch tán của lỗ trống và điện tử
1. Dòng điện khuếch tán (diffusion current): Trong

đó hệ số khuếch tán D và độ linh động  quan hệ với
nhau theo hệ thức:
D p Dn
  VT
 p n
kT
i VT 
vôù gọi là điện thế nhiệt (VT = 26mV tại T = 300K)
e
Hệ số khuếch tán D
Ge Si
(cm2/s)
Dn 99 34
Dp 47 13
2. Dòng điện trôi (drift current)

Là dòng điện xuất hiện khi đặt điện trường vào hai đầu bán dẫn, lực
trường làm các hạt chuyển động định hướng. Electron và lỗ chuyển
dịch ngược chiều nhau. Dòng tổng sẽ là:
j = jn + jp= (n + p)E = E
Trong đó  = (n.n + p p).e – độ dẫn điện (conductivity)

riêng của bán dẫn, n , p – độ linh động của các e- và lỗ (+)
Độ linh động (ở 300K) Ge Si GaAs

n (cm2/V-s) 3900 1400 8800
p (cm2/V-s) 1900 450 400
electron hole
Si Si Si Si Si
Si Si E Si Si Si
Si Si Si Si Si
Current I
Electron di chuyển ngược chiều điện trường Dòng điện I

Lỗ (+) di chuyển cùng chiều điện trường
3. Bán dẫn tạp chất
• Bán dẫn tạp chất là bán dẫn mà trong

mạng tinh thể ở một số nút mạng được
thay thế bởi nguyên tử của một
nguyên tố khác.
• Quá trình pha tạp làm cho tính chất
của vật liệu thay đổi rất nhiều tuỳ vào
chất pha tạp và nồng độ của chất đó.
Mức độ pha tạp được tính bằng đơn vị
ppm (đơn vị phần triệu)
3. Bán dẫn tạp chất
• Khi pha tạp nồng độ của điện tử và lỗ

trống không còn cân bằng nữa.
• Nếu bán dẫn có hạt tải điện chủ yếu là
điện tử thì người ta gọi đó bán dẫn loại
N (negative) và nếu hạt tải điện chủ
yếu là lỗ trống thì gọi là bán dẫn loại P
(positive).
3.1. Bán dẫn N (Negative)
Ví dụ: Pha tạp chất Sb (nhóm V) vào Si (nhóm IV)

e- thừa dễ dàng
Si bứt khỏi liên kết
trở thành tự do
Si Sb Si
Nguyên tử Sn thay
thế vị trí nguyên tử
Si Si trong mạng
Mỗi e- tự do xuất hiện không kèm theo lỗ (+) nên hạt tải
điện đa số trong bán dẫn là electron, bán dẫn được gọi là
bán dẫn N (Negative)
Khi pha tạp chất nhóm V vào bán dẫn thuần.

Ví dụ: pha tạp chất As, P, Sb (nhóm V) vào Si (nhóm IV)
• Nguyên tử tạp chất có 5 điện tử hoá trị ở lớp

ngoài cùng nên nó sẽ dùng 4 điện tử cho 4 liên kết
cộng hoá trị với 4 nguyên tử Si ở bên cạnh.
• Điện tử thứ 5 thừa ra và có liên kết rất yếu với
hạt nhân nguyên tử tạp chất nên dễ dàng được giải
phóng khi chỉ cần cung cấp một năng lượng rất
nhỏ (khoảng 0,05 eV đối với Si).
• Khi tách khỏi nguyên tử thì điện tử thứ 5 sẽ

trở thành điện tử tự do và nguyên tử tạp chất trở
thành ion dương cố định. Tạp chất thêm vào gọi
là tạp chất cho (donor).
• Mỗi e- tự do xuất hiện không kèm theo lỗ
(+) nên hạt tải điện đa số trong bán dẫn là
electron, bán dẫn được gọi là bán dẫn N
(Negative)
3.2. Bán dẫn lọai P (Positive)
Ví dụ: pha tạp chất B (nhóm III) vào Ge (nhóm IV)
Nguyên tử Ge trở
thành Ion (+)
Nguyên tử B thay Ge Ge
thế vị trí nguyên tử
Ge trong mạng
Ge B Ge Lỗ trống được lấp

bằng e- hóa trị của
nguyên tử bên cạnh
nhảy sang chiếm chỗ
Ge
Việc xuất hiện ion dương không kèm theo e- tự do, kết quả hạt tải điện đa
số trong bán dẫn là các iôn (+), bán dẫn gọi là bán dẫn P (Positive)
3.2. Bán dẫn lọai P (Positive)
• Hình thành khi pha tạp nguyên tố nhóm III vào bán dẫn thuần.
• Ví dụ: pha Ga, In, B (nhóm III) vào Ge (nhóm IV)
• Nguyên tử tạp chất có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng nhưng phải thiết
lập 4 mối liên kết cộng hoá trị với 4 nguyên tử Ge bên cạnh. Do
đó mối liên kết thứ 4 này sẽ có một lỗ trống. Các điện tử bên cạnh
sẽ dễ dàng nhảy sang để lấp đầy vào lỗ trống này và nguyên tử
tạp chất sẽ trở thành ion âm còn nguyên tử có điện tử vừa rời đi
trở thành ion dương cố định. Tạp chất thêm vào gọi là tạp chất
nhận (acceptor).
• Việc xuất hiện ion dương không kèm theo e- tự do, kết quả
hạt tải điện đa số trong bán dẫn là các iôn (+), bán dẫn gọi là
bán dẫn P (Positive)
4. Tiếp giáp P-N
4.1. Sự hình thành tiếp giáp P-N
P N
Lỗ trống (+) Electron
• Bán dẫn lọai P hạt tải điện đa số là lỗ trống (+), bán dẫn N
hạt tải điện đa số là electron.
• Tiếp giáp P-N được hình thành khi ghép 2 miếng bán dẫn lọai
P và N với nhau. Hiệu ứng điện trên chuyển tiếp giữa 2 bán dẫn
là cơ sở của nhiều loại linh kiện bán dẫn: Diode, Transistor, …
- +
- +
- +
- +
- +
 P E N

+
kT N A N D
VB
VB  ln
e n 2i
+
 x
• Độ lớn hiệu thế tiếp xúc chính bằng chiều cao hàng rào thế VB có giá trị
với Ge: VB = 0,2 – 0,3V; với Si: VB = 0,6 – 0,7V.
• Với các hợp chất của Gallium như GaAs, GaP, GaAsP, VB thay đổi từ 1,2 V
đến 1,8V. Thường người ta lấy trị trung bình là 1,6 Volt.
4. Tiếp giáp P-N
• Thế hiệu tiếp xúc VB cản trở sự khuếch tán của các hạt tải
điện đa số qua tiếp giáp, dòng khuếch tán rất nhỏ đến mức
chỉ tương đương dòng nhiệt Id  Is. Do vậy:
I P  N  Id  I s  0
• Các hạt mang cơ bản khi khuếch tán gặp nhau tại miền
tiếp giáp sẽ tái hợp và dẫn đến tạo ra một lớp nghèo các
động tử mang mà nó có độ dẫn điện riêng nhỏ, gọi là miền
nghèo hay miền khóa.
- +
- +
- +
- +
- +
d
Bề dày của miền điện kép còn gọi là miền nghèo (depletion
region) phụ thuộc vào mật độ các nguyên tử tạp chất donor
và acceptor theo biểu thức:
2 0 VB  1 1 
d   
e  ND N A 
ND, NA - mật độ các nguyên tử donor và acceptor
 - Hằng số điện môi của tinh thể
0 = 8,85.10-12 F/m – hằng số điện
VB – Hiệu điện thế tiếp xúc
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
4.2.1. Phân cực nghịch
V
- +
P Ei N
ES
 d x
+
VB
V’ V’ = VB + V
V

Khi phân cực nghịch tiếp giáp P-N bằng nguồn áp V. Điện trường của nguồn
ES cùng chiều điện trường Ei. Điện trường tổng đẩy các hạt tải điện đa số làm
tăng bề dày của miền điện tiếp giáp. Qua mạch chỉ có dòng nhiệt rất nhỏ
4.2.2. Phân cực thuận P-N
V
+ -
IF
P Ei N
E
S
 x
V’ V’ = VB -
VB
V
V
Khi phân cực thuận tiếp giáp P-N bằng nguồn áp V. Điện trường của
nguồn ES ngược chiều điện trường Ei. Điện trường tổng gia tốc các hạt
tải điện đa số làm giảm bề dày của miền tiếp giáp. Chiều cao hàng rào
thế giảm mạnh V’ = VB - V. Qua tiếp giáp có dòng thuận If
a). Chưa phân cực (không có dòng, độ rộng của vùng nghèo không đổi)
b). Phân cực thuận nhỏ hơn điện áp ngưỡng (dòng thuận rất nhỏ, vùng
nghèo thu hẹp dần)
c). Phân cực thuận ở mức ngưỡng (dòng thuận lớn, vùng nghèo biến mất)
d). Phân cực ngược (không có dòng, vùng nghèo rộng ra)
4.2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp P-N
• Dòng qua chuyển tiếp P-N theo lý thuyết:
 eV 
I P  N  I sat  e kT  1
 
Ở nhiệt độ phòng 270C hay 300K, ta có:
kT 1, 38.1023 .300
VT    19
; 26mV
e 1 , 6.10
 V 
I p n  I sat  e 26 mV  1 
 
 
I(mA)
 eV

I p n  I sat e kT
 1
 
V ma h n cực thuận
V VV
sat A
h n cực nghịch

Đặc tuyến V-A ứng với 3 loại bán dẫn Ge, Si và GaAs
II. Diode bán dẫn
2.1. Cấu tạo và phân loai Diode bán dẫn.
Diode bán dẫn được cấu tạo từ một tiếp giáp P-N . Cấu tạo và ký hiệu
quy ước của Diode chỉ ra trên hình vẽ. Đầu dây nối từ bán dẫn P ra gọi
là Anode (viết tắt là A), còn đầu dây nối từ bán dẫn N ra gọi là
Cathode (viết tắt là K).
P N
A (Anode) K (Cathode)
Vạch dấu K
A K
2.1. Cấu tạo và phân loai Diode bán dẫn.
Theo cấu tạo: có 2 loại Diode tiếp mặt và Diode tiếp điểm
 Các diode tiếp mặt: Có diện tích lớp tiếp giáp bề mặt P-N lớn, tạo
ra bằng các phương pháp: nóng chảy (hợp kim), phương pháp khuếch
tán, phương pháp mạ epitaxi,.. cho dòng điện định mức khá lớn
(khoảng vài trăm miliampe đến vài trăm ampe), điện áp ngược đạt đến
vài trăm volt, thường dùng để chỉnh lưu.
Các diode tiếp điểm: Tạo ra bằng phương pháp khuếch tán xung.
Một xung dòng lớn chạy qua tiếp xúc giữa một mũi nhọn kim loại gắn
trên bề mặt của một tấm Ge hoặc Si loại N. Nhiệt lượng lớn tỏa ra tại
tiếp xúc làm nóng chảy mũi kim loại làm cho các nguyên tử kim loại
khuếch tán vào bán dẫn tạo ra một vi miền bán cầu có đặc tính dẫn
điện loại P.
Do tiết diện tiếp xúc rất bé nên dòng điện định mức cho phép nhỏ (cỡ
vài chục miliampe), điện áp ngược không vượt quá vài chục volt. Điện
dung tiếp xúc bé nên thích hợp cho tần số cao, tách sóng.
2.1. Cấu tạo và phân loai Diode bán dẫn
Theo công dụng, chức năng: có các loại diode

sau:
Diode chỉnh lưu
Diode tách sóng (cao tần),
Diode ổn áp (Zener)
Diode Schottky
Diode biến dung (varicap)
Diode phát quang (LED)
Photo Diode
Diode hồng ngoại
Diode LASER, ….
Hình dạng một số loại Diode
Diode chỉnh lưu Diode ổn áp LEDs Diode biến dung
Diode công suất Cầu chỉnh lưu Diode đường hầm SMD diodes
Diode Schottky LED hồng ngoại Diode quang Diode Laser

Rectifying Diodes Signal Diodes
Diode SMT
(surface mounting diode)
Diode Bridge
Hình dạng một số lọai Diode
Diode Bridge
LED – Light Emitting Diodes
Diode trên mạch điện tử
Ký hiệu một số lọai Diode
(a) (b) (c) (d)
(e) () (g) (h)

Fig. 3.2: Diode symbols: a - standard diode, d - Zener, c - LED, c, d - photo,
e - capacitive f - tunnel, g - Schottky, h - breakdown
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA
DIODE
I(mA)
V ma h n cực thuận
V VV
sat A
h n cực nghịch

2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
1. Điện trở DC (với dòng một chiều):

Còn gọi là điện trở tĩnh của diode. Tại mỗi điểm phân cực trên
đặc tuyến của Diode ta có:
- Điện trở thuận VAK

RF 
ID Q
Rất nhỏ, vài  đến vài chục 
- Điện trở nghịch: VAK

RR 
ID
Rất lớn ~ M 
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
2. Điện trở AC (với dòng xoay chiều):

 Còn gọi là điện trở động hay điện trở vi phân khi có sự biến thiên
các giá trị dòng và áp quanh điểm phân cực.
 Độ lớn của điện trở động rd có giá trị bằng độ dốc đặc tuyến tại
điểm phân cực tĩnh:
dV 26(mV )
rd  ()
dI I (mA)
DIODE
3. Hệ số chỉnh lưu k
Hệ số chỉnh lưu là thông số đặc trưng cho độ phi tuyến
của diode và xác định bằng biểu thức sau:
IF R0 R
k  , khi U AK  1V
I 0 sat R0 F
DIODE
4. Điện dung của diode (điện dung tiếp giáp P-N):

Phân bố lớp điện tích trái dấu trên tiếp giáp P-N giống như sự tích điện trên
hai bản của một tụ điện có một điện dung tương đương Cp-n. Giá trị có thể
tính theo công thức điện dung của tụ điện phẳng:
 0 S p  n
C0 
d p n
Trong đó Sp-n và dp-n lần lượt là diện tích và bề rộng miền tiếp giáp P-N
Bề rộng của lớp tiếp giáp phụ thuộc vào chiều và độ lớn điện áp phân cực VAK,
Trong mạch phân cực Diode có điện dung tương đương CD là:
VB
C D  C0
VB  VAK
VB – Thế hiệu tiếp xúc (~0,3V – Ge; 0,7V – Si)
DIODE
4. Điện dung của diode (điện dung tiếp giáp P-N):
CD = Cpn + Ckt
Cpn là điện dung tích điện của chuyển tiếp P – N;
Ckt là điện dung khuếch tán của chuyển tiếp P – N.
+ Điện dung chuyển tiếp Cpn
Giá trị Cpn phụ thuộc vào điện áp ngược đặt lên chuyển tiếp và được xác định theo
công thức:
VB
C pn  C0
VB  VAK
+ Điện dung khuếch tán Ckt
Giá trị điện dung khuếch tán tỷ lệ thuận với dòng thuận IF. Dòng này càng lớn,
số điện tích lưu trong chuyển tiếp P - N càng lớn và do đó giá trị Ckt càng lớn.
Một cách gần đúng:
e  eV 
C kt  exp    
kT  kT 
DIODE
4. Điện dung của Diode (điện dung tiếp giáp P-N):
Chú ý:
- Cả 2 đại lượng Cpn và Ckt đều gây ảnh hưởng lớn tới
đặc tính tần số và đặc tính quá độ của diode, đặc biệt là ở
miền tần số cao.
- Ở tần thấp điện dung có thể coi như không đáng kể
nhưng ở miền tần số cao dung kháng giảm nên diode sẽ bị
nối tắt.
- Người ta giảm điện dung bằng cách giảm diện tích
tiếp xúc, do vậy diode cao tần phải có tiết diện tiếp xúc bé
dùng diode tiếp điểm còn diode chỉnh lưu cần có mặt tiếp
xúc lớn để tăng khả năng chịu tải nên phải dùng diode tiếp
mặt.
DIODE
5. Các tham số giới hạn:

Đảm bảo cho diode làm việc bình thường trong giới
hạn cho phép. Vượt quá giá trị này diode sẽ bị hỏng.
- Điện áp ngược cực đại : VRmax

- Dòng thuận cực đại : IFmax
- Công suất tiêu tán cực đại : Pmax
- Dòng điện nghịch bão hòa : IS
- Tần số cực đại : fmax.
DIODE
• Ví dụ: Một vài tham số giới hạn của diode
III. Mô hình diode
3.1. Sơ đồ tương đương khi diode phân cực thuận

+ Khi điện áp trong mạch lớn hơn nhiều điện áp
ngưỡng: VAK >> V (V ~ 0,6V với Si và 0,2V với Ge).
Lúc này coi diode như một khoá điện tử ở trạng thái
đóng và đặc tuyến V-A coi như trường hợp ngắn mạch.
I
I I
A K A K
VD ~ 0 0 VAK
VAK >> V
Diode như một khóa điện tử đóng
3.1. Sơ đồ tương đương khi diode phân cực thuận
+ Khi điện áp VAK đúng bằng thế ngưỡng V . Đặc tuyến V-A
là một đường thẳng song song với trục I tại V và diode
được coi như một nguồn điện áp lý tưởng.
+ Sụt áp 2 đầu diode đúng bằng thế ngưỡng V
VD = V I
I I
A K A K
VD = 0.6V VAK
VAK = V VD = 0.6V
Diode được coi là nguồn điện áp lý tưởng.

+ Thực tế diode có một điện trở thuận RF. Lúc này diode
được coi như một nguồn điện áp thực. Điện áp thuận trên
diode lúc này bằng :
VAK = V + IFRF
I
I IQ Q
I
A K A RF K
V VAK
VQ
V IFRF
Diode như một nguồn điện áp thực
3.2. Sơ đồ tương đương ở chế độ tín hiệu nhỏ tần số thấp
I I
A K A RF K
R I
E/R
u IQ + i
UQ + u Q2
+ IQ
Q
Q1
E
E VQ VAK
Diode coi như một phần tử tuyến tính
3.2. Sơ đồ tương đương ở chế độ tín hiệu nhỏ tần số thấp
- Ở chế độ tĩnh diode làm việc với nguồn một chiều E, còn
chế độ động diode làm việc với nguồn xoay chiều u~.
- Trong chế độ tĩnh diode là một phần tử phi tuyến vì điểm
làm việc Q có thể di chuyển theo các giá trị khác nhau trên
đặc tuyến Von-ampe.
- Trong chế độ động với sự biến thiên của tín hiệu nhỏ tần
thấp, điểm làm việc Q chỉ dịch chuyển trên đoạn nhỏ Q1Q2.
có thể xem như tuyến tính. Do đó, diode được coi là một
phần tử tuyến tính và điện trở động của diode được tính:
dV 26(mV )
rd  ()
dI I Q (mA)
3.3. Sơ đồ tương đương khi diode phân cực ngược
Diode coi như một khóa điện tử mở
Khi bị phân cực ngược (VAK<0) diode ngắt không cho

dòng đi qua, do đó có thể coi như một khóa điện tử mở:
I
VAK<0 D
A K A K
0 VAK
Diode coi như một khóa điện tử mở:
Diode xem như một nguồn dòng lý tưởng
Khi đặt một điện áp ngược nằm trong khoảng cho phép
(nhỏ hơn điện áp đánh thủng) lên diode, dòng qua diode lúc
này là dòng ngược bão hoà có giá trị gần như không đổi Is
nên có thể coi nó như một nguồn dòng lý tưởng.
I = -I0sat I = -I0sat
A K A K
VAK  VBrack
Sơ đồ tương đương như một nguồn dòng lý tưởng
+ Sơ đồ tương đương như một tụ điện ở chế độ tín hiệu nhỏ

Lớp chuyển tiếp P-N của diode khi bị phân cực ngược có thể coi như
một tụ điện với giá trị điện dung tiếp giáp Cpn.
Cpn có trị số biến thiên theo điện áp ngược đặt lên diode theo quy luật:
VB  0 S pn
C pn  C0 i C0 
; vôù
VB  VAK d pn
Tuy nhiên, khi điện áp thuận đảo cực thì cũng làm xuất hiện điện dung
khuếch tán Ckt . So với điện dung khuếch tán Ckt thì Cpn nhỏ hơn từ 100
tới 1000 lần Cpn
K A K
VAK <0
IV. Ứng dụng Diode
Các diode chỉnh lưu:

- Chỉnh lưu nửa chu kỳ
- Chỉnh lưu cả chu kỳ:
a) Mạch dùng hai diode

b) Mạch dùng cầu diode
- Chỉnh lưu tạo 2 nguồn (+)(-) đối xứng
- Chỉnh lưu bội áp
a) Sơ đồ chỉnh lưu nhân đôi điện áp
- Kiểu Schenbel
- Kiểu Latour
b) Sơ đồ chỉnh lưu nhân 3
c) Sơ đồ chỉnh lưu nhân n
1. Chỉnh lưu nửa chu kỳ
D
u1 u2 R
i2 = id d
u2
O
 2
Ud 
i
id = i2
O
 
uD
O

Ung.max
- Dòng chỉnh lưu cũng là dòng thứ cấp của MBA. Nếu bỏ qua
trở và kháng cuộn dây thứ cấp MBA (ra = 0, La = 0) ta có:
 2U 2
 sin khi 0    
id  i2   Rd

0 khi     2
- Điện áp chỉnh lưu:
 2U 2sin khi 0    
ud  id Rd  
0 khi     2
- Giá trị trung bình của điện áp chỉnh lưu
2 
1 1 2
Ud 
2 0 ud d  2 0 2U 2 sin d   U 2  0,45U 2
- Giá trị trung bình của dòng chỉnh lưu:
Ud 2U 2 U2
Id    0, 45
Rd  Rd Rd
- Giá trị cực đại của điện áp ngược đặt lên diode:
U ng .max  2U 2
2. Chỉnh lưu cả chu kỳ
• D1 Vdc
1 2 A
v
4 v1 v2
VAC D2 Rt
5 6 C
B 0  2
4
t
a) Mạch dùng hai diode

vd
A
1
1 3 D2
D4 D1 0  4
2 t
Vac 4 - + 2
2 4 id
D3 D1
D2 Rt
C
0  2 4
3
3 t
b) Mạch dùng cầu diode
3. Chỉnh lưu tạo 2 nguồn đối xứng
1
1 2 D2
D4 D1
4 4 - + 2
VAC +Vcc
5 6 C1
D3 D1
D2
3
C2
- Vcc
Hình 2.37. Hình dáng một số cầu chỉnh lưu
4. Chỉnh lưu bội áp
C1 D2 A D1
1 3 D2 D1
u1 u2 - +
Vac C1Rt
u1 u2 Rt
D1 C2 - +
2 4 C2 + - C1
C3 Vo = 2Vac
a) b) D2 C2
a) b)
Sơ đồ chỉnh lưu nhân đôi điện áp

a) Kiểu Schenbel
b) Kiểu Latour
C1 D2
u1 u2
D1 C2
Rd U1
C3
D3
a) sơ đồ chỉnh lưu nhân 3
b) Sơ đồ chỉnh lưu nhân n
U2m 2U2m
A + B + E
- -
C3
C1
D2
D1 D4
Rd U1 U2 D3
C2 C4
+ - + -
C D G
2U2m 2U2m
V. Các loại diode khác
1. Diode cao tần
 Diode cao tần là loại tiếp điểm có kích thước bé, có ký
hiệu giống như diode chỉnh lưu nhưng có công suất nhỏ,
điện dung tương đương rất bé, có thể làm việc đến tần số
hàng trăm MHz.
 Diode cao tần được dùng làm phần tử tách sóng cao
tần,nhân tần, trộn tần, hoặc dùng làm phần tử ghim, xén,
hạn biên tín hiệu.
1. Diode cao tần
Bảng tham số một số diode cao tần
Dòng
Điện áp Dòng
Công ngược thuận tại
ngược
Tên gọi Vật liệu suất tiêu đo tại
cực đại V=1V
tán (W) điện áp
(V) (mA)
(A/V)
1N461 Si 0,2 30 0,50/25 15
1N461A Si 0,2 30 0,50/25 100
1N462 Si 0,2 70 0,50/60 5
1N463 Si 0,2 175 0,50/175 5
1N463A Si 0,2 175 0,50/175 100
1N914 Si 0,25 100 25/20 10
2. Diode Zener
 Diode zener cũng được cấu tạo từ một chuyển tiếp P-N,
nhưng khác với Diode thông thường là các bán dẫn P và N
là loại pha tạp nhiều; do đó mật độ các hạt tải điện trong
chúng cao hơn nhiều lần và điều đó dẫn tới bề dày miền
chuyển tiếp mỏng hơn so với Diode thường.
 Ký hiệu quy ước của Diode zener trên sơ đồ chỉ ra trên
hình vẽ.
2. Diode Zener
IF ( mA)
80
60
40
Điện áp ổn định VZ 6 4 2
0 .4 0 .8 1. 2 V AK (V)
1
2 I Zmin Dòng nhỏ nhất cho phép ổn định
Vùng Zener 3
làm việc IR
ổn định 4
I Zmax Dòng lớn nhất cho phép ổn định

Đường công suất P max
giới hạn
Đặc tuyến V-A của Zener

2. Diode Zener
Các tham số kỹ thuật cơ bản của Zener là :
1. Điện áp ổn định Vz.
Là giá trị điện áp phân cực ngược đặt lên Diode mà tại đó
xảy ra hiện tượng đánh thủng. Đây chính là điện áp ổn định
của Zener mà nó được ứng dụng vào mục đích ổn định
điện áp.
2. Dòng điện cực đại Izmax và dòng điện cực tiểu cho
phép Izmin. Là các giá trị giới hạn khoảng làm việc ổn định
của Diode Zener. Trong đó dòng Izmax được xác định từ
công suất tiêu tán cho phép lớn nhất Pzmaz và Vz :
pmax
I z max 
Vz
2. Diode Zener
dV z
3. Điện trở động rz: rz 
dI z
Chính là độ dốc của của đặc tuyến tại điểm làm việc
Vz
4. Điện trở tĩnh Rz: Rz 
Iz
5. Hệ số ổn định Z: Là tỷ số giữa độ biến thiên tương đối của
dòng điện qua Diode và độ biến đổi tương của điện áp rơi trên Diode
do dòng này gây ra. Với các Diode Si thường có Z  100
dI z
Iz Rz
Z 
dVz rz
Vz
2. Diode Zener
6. Hệ số nhiệt độ của điện áp ổn định T
Là sự biến đổi tương đối của điện áp Zener khi nhiệt độ thay đổi 10C.
1 dVz
T 
Vz dT Iz  const
Hệ số này bằng hệ số nhiệt độ của điện áp đánh thủng tiếp giáp P-N.
Sự phụ thuộc của điện áp ổn định vào nhiệt độ có thể dùng đẳng thức:
Vz  Vz 0 1   T (T  T0 )
Trong đó Vz0 là điện áp ổn định của Diode ở nhiệt độ T0
2. Diode Zener
Tham số của một số Zener
Tên gọi Vật liệu Công suất Điện áp ổn Dòng Điện trở
tiêu tán cực định VZ (V) ngược danh động (Ohm)
đại (W) định (mA)
1N702 Si 0,25 2,6 5 60
1N703 Si 0,25 3,4 5 55
1N706 Si 0,25 5,8 5 20
1N707A Si 0,25 8 5 10
1N708 Si 0,25 5,6 25 3,6
1N711A Si 0,25 7,5 25 5,3
1N714 Si 0,25 10 12 8
1N758 Si 0,40 10 20 12
1N1525 Si 1,00 13 13 5,4
2. Diode Zener
Ví dụ 1. Cho sơ đồ mạch ổn áp đơn giản như hình vẽ. Biết RS = 300,

Rt = 1200. Hãy xác định phạm vi thay đổi cho phép của điện áp vào
Vs để có điện áp ổn định trên tải là 10V.
Chọn diode Zener có Vz = 10V. Lấy 1N758 (Pmax= 0,4W)

-Dòng lớn nhất cho phép:
Izmax = Pzmax/Vz = 0,4/10=0,04A = 40mA
-Dòng tải: It = Vt /Rt = 10V/1,2k = 8,3mA
2. Diode Zener
Từ sổ tay linh kiện ta có đặc tuyến V-A của diode 1N758 như hình vẽ bên.
Đoạn làm việc ổn định có thể chọn:
Izmin  10mA
Izmax  40mA
Áp dụng ĐL Ôm ta có:
Vsmin = IzminRs + Vz = (Izmin+ It)Rs + Vz
= (10 + 8,3).10-3.300 + 10 = 15,5V
Vsmax = IzmaxRs + Vz = (Izmax+ It)Rs + Vz
= (40 + 8,3).10-3.300 + 10 = 15,5V = 24,5 V
Đk để mạch làm việc ổn định là điện áp vào phải giới hạn trong khoảng:
15,5 V < Vs < 24,5V
2. Diode Zener
Ví dụ 2. Cho mạch ổn áp đơn giản sau. Biết Vs =30V = const. Vz = 15V,
Izmaz= 65mA (diode 1N1525), Rs = 200. Xác định phạm vi thay đổi của tải
Rt sao cho điện áp trên tải luôn ổn định ở mức 15V
• Hướng dẫn
Vz
Rt min  Rs  200
Vs  Vz
Vs  Vz
Is   75mA
Rs
Vt
It min  I s  I z max  10mA Rt max   1500
I t min
( Rt min  200 )  R  ( Rt max  1500 )
3. Diode biến dung (Varicap)
 Diode biến dung được cấu tạo từ một chuyển tiếp P-N,
nhưng khác với Diode thông thường là các bán dẫn P và N
được pha tạp một cách đặc biệt để tạo ra hiệu ứng điện
dung chuyển tiếp P-N.
 Ký hiệu Varicap như hình vẽ.
A K
2.5. Diode biến dung (Varicap)
 Đặc tính điện dung của chuyển tiếp P-N được ứng dụng
khi phân cực nghịch. Lúc này bề rộng vùng điện tích không
gian (vùng nghèo) mở rộng làm cho điện dung tiếp giáp
giảm. Giá trị Cpn phụ thuộc vào điện áp ngược đặt lên
chuyển tiếp và được xác định theo công thức:
VB  0 S p  n
C pn  C0 Với C0 
VB  VAK d p n
 Giá trị Cpn còn phụ thuộc vào tình trạng phân bố tạp chất ở
ở hai bên tiếp giáp. Đồ thị phụ thuộc C(V) chỉ ra trên hình
vẽ cùng với biến đổi tạp chất: (a) đột biến, (b) biến đổi
chậm.
Sự thay đổi mật độ tạp chất
P
+
N Na – Mật độ aceptor
+ Nd – Mật độ donor
Na
a)
Nd Thay đổi đổi đột ngột
b) Na Nd
Thay đổi chậm
O
C (pF)
200
Cmax
(a) Mật độ tạp chất biến thiên chậm
100
(b) Mật độ tạp chất biến thiên độ ngột a
Cmin
-50 -40 -30 -20 -10

U (V)
Đặc trưng C(V)
C C
Cmax
Biến thiên của điện dung Varicap
Cmin
Ungmax U
t
u(t)
Điện áp điều khiển
Đặc trưng C(V) và nguyên lý điều khiển
t ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH

BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ
Các tham số của Varicap:

1) Giá trị danh định:
C được đo ở điều kiện xác định (áp ngược Vng, tần số f,
nhiệt độ môi trường T,…)
1) Hệ số biến đổi: Tỷ số điện dung đo ở 2 giá trị điện áp
ngược khác nhau:
Kc = C1 / C2
1) Hệ số phẩm chất Q: Đặc trưng cho tỷ số công suất tín
hiệu hữu ích lấy ra trên varicap và công suất tiêu hao trên
nó. Q phụ thuộc vào tần số, điện dung hàng rào, điện trở
ngược vùng nghèo.
Tần số f ứng với Q = 1 gọi là tần số giới hạn.
Bảng một số varicap thường gặp
Điện dung của varicap diode (pF) đo ở
Điện áp đánh
Vng=4V, f = 1MHz, Ta=200C
Tên gọi thủng khi
IS = 10A Cmin C Cmax
1N5139 60 V 6,1 pF 6,8 pF 7,5 pF

1N5139A 60 V 6,5 pF 6,8 pF 7,1 pF
1N51441A 60 V 11,4 pF 12 pF 12,6 pF
1N5144 60 V 19,8 pF 22 pF 24,2 pF
MV1866D 60 V 9,0 pF 10 pF 11 pF
MV1878 60 V 42,3 pF 47 pF 51,7 pF
MV2115 30 V 90 pF 100 pF 110 pF
MV1666 15 V 297 pF 330 pF 362 pF
Ứng dụng - Điều biến tần số.
4. Diode tunel
 Diode tunel (đường hầm) là diode xây dựng trên cơ sở

bán dẫn suy biến P-N có hiệu ứng đặc biệt do sự pha tạp
với nồng độ tạp chất rất cao (~1019nguyên tử/cm3, tạo ra
tiếp giáp có bề dày rất mỏng ~0,01m, điện trường tiếp
giáp đạt tới ~106V/cm.
 Ký hiệu quy ước và đặc tuyến V-A của Diode tunel như
hình vẽ. Đoạn đặc tuyến âm (dòng giảm khi điện áp phân
cực tăng) là đặc trưng quan trọng nhất của Diode tunel.
 Giải thích dạng đặc tuyến của Diode dựa vào lý thuyết
vùng năng lượng của chất bán dẫn suy biến (pha tạp với
nồng độ rất cao).
(Sinh viên đọc thêm trong TLTK)
4. Diode tunel
I
P + N+
+
+
a)
A
Ip C
Wc
W
WV
WFn
WFp
B Wc
IV
W
Vp b) WV
0 VV V
R
Đặc tuyến V-A của Diode Tunel Giản đồ vùng năng lượng ở trạng thái
cân bằng
p p
p
p p WF
WF WF WF WF
WF
WF 
n
WF  n WF 
n n
n
V=0 V>0 V>0
ID ID
IT ID
IT IT
IT = 0
I
p
A
WF Ip C p WF
WF
E n
WF  
D
n
V<0 IV
B
IT 0 Vp VV V ID
Đặc tuyến V-A của Diode Tunel
4. Diode tunel
Tham số một vài Diode tunel
Điện dung tương
Tên gọi Vp (mV) Ip (mA) VV (mV) IV (mA)
đương (pF)
1N3712 65 1 335 0,18 10

1N3713 65 1 330 0,14 5
1N3720 70 22 350 4,8 150
 Do đặc tuyến V-A có đoạn điện trở âm nên nó được dùng cho
các mạch tạo dao động, mạch khuếch đại ở dải tần số rất lớn
(GHz), các bộ chuyển mạch tốc độ cao.
 Máy thu vệ tinh Intelsat V đã sử dụng bộ khuếch đại diode
đường hầm (TDA) trong dải tần số từ 14 GHz đến 15,5 GHz
5. LED (Light Emitting Diode)
• LED – Diode phát quang là dụng cụ bán dẫn hoạt động

dựa trên nguyên tắc khi phân cực tiếp giáp bán dẫn PN
sẽ bức xạ ra quang năng do năng lượng được giải phóng
trong quá trình tái hợp điện tử – lỗ trống tại miền tiếp giáp.
a) b)
A
Cấu tạo (a) và ký hiệu LED (b)
K
LED – Light Emitting Diodes
Các thông số kỹ thuật của LED

– Điện áp phân cực: 1,6 – 3,0 V tùy thuộc màu
– Dòng làm việc: 10 – 30 mA
Các đặc điểm cơ bản của LED là
 Thời gian đáp ứng rất nhanh (cỡ ns)
 Phổ ánh sáng (màu sắc) xác định
 Kích thước nhỏ, độ bền cơ học cao, tuổi thọ lớn có
thể tới 105 giờ.
 Tiêu thụ công suất nhỏ (mW)
 Quang thông thấp (chỉ cỡ mW) và nhạy với nhiệt độ.
Hình 2. 57. Nguyên lý làm việc của LED
Mạch dùng LED Đơn
• Mạch chỉ thị dùng LED đơn

• Các tham số kỹ thuật của LED:
- Điện áp phân cực: 1,6 – 3,0 V tùy thuộc màu
- Dòng làm việc: 10 – 30 mA
R
VDC VD -VDC VD
ID
ID
a (b)
VDC  VD
R
ID
LED 7 ĐOẠN
(a)
a) (b)
b)
Common Cathode R/H Decimal point Common Anode R/H Decimal point
(c)
c) (d)
d)
a a a a a a a a a a
f b f b f b f b f b f b f b f b f b f b
g g g g g g g g g g
e c e c e c e c e c e c e c e c e c e c
d DP d DP d DP d DP d DP d DP d DP d DP d DP d DP
Hình 2.61. Sơ đồ nguyên lý các LED m u
2
1 3
R G
G R G
R
Y
1 2
1 2 3 1 2 1 3
2 3
(a) LED 2 màu 2 chân (b) LED m u (c) LED m u
mắc ngược nhau ch n K chung ch n chung
2
1 3 4
R G B R G B
1 4
1
1 3 4 2
2
(d) LED 3 màu 4 chân A chung (e) LED 3 màu 4 chân K chung
7. Photo diode
• Photo diode là một diode bán dẫn có thể hoạt động ở 2
chế độ: chế độ quang – ganvanic như một pin quang điện
và chế độ photo diode khi mắc với nguồn ngoài.
A
nn
R R
pp
E
B
- +
a) b) c)
a) CấuHình
trúc 8-9. a) Cấudiode;
của photo trúc của photođộ
b) Chế diode;
photo - ganvanic;
b) Chế độ photo-ganvanic;
c) Chế độ photo - diode
c) Chế độ photo diode.
7. Photo diode
Chế độ photo-ganvanic
• Khi không có mắc nguồn điện áp ngoài. Nếu được chiếu

sáng 2 đầu photo diode sẽ có một hiệu điện thế U và qua
tải R sẽ có dòng:
U  eU 
I   I   I osat  e kT  1
R  
 
Trong đó Iosat – dòng nhiệt; I – dòng quang điện.
KIỂM TRA NHANH
Si
Cho mạch điện sau. Xác định dòng phân cực tĩnh qua diode
IDQ:
A. 43 mA
B. 4.3 mA
C. 5 mA
D. 10mA
Ge
Cho mạch điện sau. Xác định dòng phân cực tĩnh
qua diode IDQ:
A. 4.7 mA
B. 4.3 mA
C. 47 mA
D. 43 mA
D (Si)
+
E C
12V R 0.47F
2.7k
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định dòng điện
trong mạch.
A. 4.18 mA
B. 0 mA
C. 4.33 mA
D. 4.7 mA
D (Si)
+
E C
12V R 0.47F
2.7k
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định điện áp

hai đầu tụ điện C:
A. 12 V
B. 11.3 V
C. 11.7 V
D. 0 V
Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định sụt áp trên điện trở
tải RL:
A. 12 V
B. 10.6V
C. 11 V
D. 10 V
Vi R1 D (Si)
V0
12V
2.7k R2
2.2k
Cho mạch điện sau. Coi diode là lý tưởng. Xác định V0 :

A. 5.39 V
B. 5.07 V
C. 11.3 V
D. 11.7 V
V1=12V R1 D (Si)
V0
4.7k R2
2.2k
V2 = -5V
Cho mạch điện dùng diode Si như hình vẽ. Xác định điện áp
ra Vo
A. V0 = 2 V
B. V0 = -2,99V
C. V0 = 5,197 V
D. V0 = 0,197 V
Thực hành đo kiểm tra diode
1N4001
30 20 10
50
0 0 5
0 1 2 1
1 K 20
2 K 500 0
∞
 0 
K A
Dây đỏ
Hướng dẫn: YX-960TR

20k/V DC 9k/V
AC
9k/V DC 250V
UP
OFF1000
250 ACV 
Dây đen
25
10
X10K
X1K
X100
2.5A
X10
X1
_
+
 Bật thang đo ôm về vị trí X1. Kẹp que đo vào hai đầu diode, sau đó
đảo chiều que đo, quan sát kim đồng hồ trong hai trường hợp sẽ thấy
một lần kim đồng hồ lên (phân cực thuận), một lần kim đồng hồ không
lên (phân cực nghịch).
 Kim đồng hồ lên: anode nối với que đen (cực (+) pin đồng hồ),
cathode nối với que đỏ (cực (-) pin đồng hồ).
 Nếu cả hai lần đo kim đều không lên, diode bị đứt hoặc cháy.
 Nếu cả hai lần đo kim đều về 0, diode bị chập (thủng tiếp giáp).
Thực hành đo kiểm tra diode
2.3.2. Đo kiểm tra LED, LED 7 đoạn

Cách kiểm tra LED cũng giống như khi kiểm tra diode. LED
hay diode phát quang khi được phân cực thuận sẽ sáng, ngược lại
phân cực nghịch thì không sáng. Do vậy dùng nguồn pin của ôm
kế khi đo điện trở của LED cũng dễ dàng xác định được chân cực
của nó.
Chú ý: Để LED sáng rõ nên chọn thang đo X1 để có dòng lớn
nhất
CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP CHƯƠNG 2
Trang (122-125)
B1 – B8: Câu hỏi lý thuyết
B9 – B15: Bài tập

C2 Vat Lieu Ban Dan Diode

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

C2 Vat Lieu Ban Dan Diode

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Diode chỉnh lưu Diode ổn áp LEDs Diode biến dung

Diode Schottky LED hồng ngoại Diode quang Diode Laser

Học xong chương này người học có thể:

2.1. Khái niệm chung

- Chất dẫn điện có điện trở suất  = 10-6 ÷ 10-4 m

2.1. Khái niệm chung

• Các chất bán dẫn được sử dụng rộng rãi:

Silicon (Si),Germanium (Ge) và (GaAs).

 W Sự phân bố trạng thái năng lượng

Miền cấm W 5 – 10eV 0,2 – 0,5eV

a) Kim lọai – vật dẫn b) Điện môi c) Bán dẫn

W – bề rộng vùng cấm

• Việc giải phóng e- hóa trị có thể do nhiều nguyên

Si Si Si Các e- liên kết

Các electron hóa trị

Hình thành cặp “ e- - lỗ (+)”

Nguyên tử Si Ion dương Si+

Cặp “Electron (e-) – Lỗ trống (+)” tạo thành

 Do chuyển động nhiệt, các electron tự do lại có thể bị

 Ở nhiệt độ xác định xảy ra sự cân bằng động giữa quá

• Lý thuyết lượng tử về chất rắn cho thấy mật độ electron

NC , NV – mật độ hiệu ứng các trạng thái lượng tử trong

Mật độ hiệu dụng

Nc (cm-3) 1,02.1019 2,82.1019 4,35.1017

NV(cm-3) 5,65.1018 1,83.1019 7,57.1018

Mật độ hạt dẫn

ni (cm-3) 2,4.1013 1,45.1010 1,3.107

Nhận xét: Ở 300K, ni =1,45.1010/cm3 ( Si), 2,4.1013 /cm3 ( Ge)

Dòng điện trong chất bán dẫn gồm 2

1. Dòng điện khuếch tán (diffusion current): Trong

2. Dòng điện trôi (drift current)

j = jn + jp= (n + p)E = E

Trong đó  = (n.n + p p).e – độ dẫn điện (conductivity)

Độ linh động (ở 300K) Ge Si GaAs

Electron di chuyển ngược chiều điện trường Dòng điện I

• Bán dẫn tạp chất là bán dẫn mà trong

• Khi pha tạp nồng độ của điện tử và lỗ

Ví dụ: Pha tạp chất Sb (nhóm V) vào Si (nhóm IV)

Khi pha tạp chất nhóm V vào bán dẫn thuần.

• Nguyên tử tạp chất có 5 điện tử hoá trị ở lớp

• Khi tách khỏi nguyên tử thì điện tử thứ 5 sẽ

Ge B Ge Lỗ trống được lấp

Lỗ trống (+) Electron

Theo công dụng, chức năng: có các loại diode

Diode chỉnh lưu Diode ổn áp LEDs Diode biến dung

Diode Schottky LED hồng ngoại Diode quang Diode Laser

(a) (b) (c) (d)

(e) () (g) (h)

1. Điện trở DC (với dòng một chiều):

- Điện trở thuận VAK

Rất nhỏ, vài  đến vài chục 

- Điện trở nghịch: VAK

2. Điện trở AC (với dòng xoay chiều):

4. Điện dung của diode (điện dung tiếp giáp P-N):

VB – Thế hiệu tiếp xúc (~0,3V – Ge; 0,7V – Si)

4. Điện dung của Diode (điện dung tiếp giáp P-N):

5. Các tham số giới hạn:

- Điện áp ngược cực đại : VRmax

• Ví dụ: Một vài tham số giới hạn của diode

3.1. Sơ đồ tương đương khi diode phân cực thuận

Diode như một khóa điện tử đóng

Diode được coi là nguồn điện áp lý tưởng.

Diode như một nguồn điện áp thực