9/20/2018

GS Nguyễn Đức Chiến

Viện Vật lý Kỹ thuật
ĐH Bách khoa Hà Nội

PH3190
VẬT LÝ & LINH KIỆN BÁN DẪN
• Khối lượng: 3(2-1-0-6)
Lý thuyết: 30 tiết
Bài tập: 15 tiết
• Nhiệm vụ của sinh viên:
Dự lớp: đầy đủ theo quy chế
Bài tập: hoàn thành các bài tập của học phần
• Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70)
Điểm quá trình: trọng số 0.30
Bài tập làm đầy đủ
Kiểm tra giữa kỳ
Thi cuối kỳ (tự luận): trọng số 0.70

1
 9/20/2018

PH3190
VẬT LÝ & LINH KIỆN BÁN DẪN
• CHƯƠNG I. VÙNG NĂNG LƯỢNG VÀ NỒNG ĐỘ HẠT DẪN
TRONG VẬT LIỆU BÁN DẪN
• CHƯƠNG II. CÁC HIỆN TƯỢNG VẬN CHUYỂN TRONG BÁN
DẪN
• CHƯƠNG III. CHUYỂN TIẾP P-N
• CHƯƠNG IV. TRANSISTOR LƯỠNG CỰC VÀ CÁC LINH KIỆN
LIÊN QUAN
• CHƯƠNG V. TIẾP XÚC KIM LOẠI-BÁN DẪN: DIODE SCHOTTKY
• CHƯƠNG VI. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG VỚI CHUYỂN
TIẾP P-N-JFET
• CHƯƠNG VII. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG VỚI HÀNG
RÀO SCHOTTKY-MESFET
• CHƯƠNG VIII. MOSFET VÀ CÁC LINH KIỆN LIÊN QUAN
• CHƯƠNG IX. DIODE VI SÓNG, CÁC LINH KIỆN HIỆU ỨNG
LƯỢNG TỬ VÀ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ NÓNG
• CHƯƠNG X. CÁC LINH KIỆN QUANG TỬ

Tài liệu tham khảo

• S.M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and
Technology, 2nd Ed., 2002
• Phùng Hồ, Phan Quốc Phô, Vật lý bán dẫn, NXB
KHKT, 2001.
• Võ Thạch Sơn, Vật lý linh kiện bán dẫn, NXB
KHKT, 1993.
• Nguyễn Đức Chiến, Nguyễn Văn Hiếu, Công
nghệ chế tạo mạch Vi điện tử, 2007, 2014
• Internet: Semiconductor devices

2
 9/20/2018

Các phần tử linh kiện cơ bản

(1) Tiếp xúc kim loại-bán dẫn; (2) Chuyển tiếp p-n; (3)
Tiếp xúc dị thể; (4) Cấu trúc kim loại-oxide-bán dẫn

Các linh kiện bán dẫn chính

Năm Tên linh kiện Người phát minh

3
 9/20/2018

Các linh kiện bán dẫn chính

Năm Tên linh kiện Người phát minh

1947: phát minh transistor

William Shockley, John Bardeen và Walter Brattain tại

Bell Labs phát minh transistor lưỡng cực năm 1947

4
 9/20/2018

Ch. I. Vùng năng lượng và nồng

độ hạt dẫn trong vật liệu bán dẫn
1.1 Các vật liệu bán dẫn
1.2 Cấu trúc tinh thể của bán dẫn
1.3 Kỹ thuật cơ bản nuôi tinh thể bán dẫn
1.4 Liên kết hóa trị
1.5 Vùng năng lượng
1.6 Nồng độ hạt dẫn thuần
1.7 Donors và acceptors

1.1 Vật liệu bán dẫn

Bán dẫn là các vật liệu có tính dẫn điện nằm giữa vật
dẫn điện và vật cách điện.
Thí dụ: Silicon (Si) và Germanium (Ge)

Hãy cho thí dụ về vật liệu dẫn điện và vật liệu cách
điện!

Khác biệt về độ dẫn

5
 9/20/2018

1.1 Vật liệu bán dẫn

• Bán dẫn nguyên tố – Si và Ge (nhóm IV)
• Bán dẫn hợp chất – hợp chất nguyên tố nhóm III và
nhóm V, nhóm II và nhóm VI. (hợp chất hai nguyên)
• Có cả các hợp chất 3 nguyên (GaAsP) và 4 nguyên
(InGaAsP).

Semiconductor
materials

6
 9/20/2018

1.1 Vật liệu bán dẫn

• Tính chất điện và quang đa dạng của bán dẫn giúp
người kỹ sư có thể linh hoạt trong thiết kế các chức
năng điện tử hay quang điện tử.
• Ge được sử dụng nhiều thời gian đầu để chế tạo các
transistor và diode.
• Si được sử dụng cho phần lớn các loại chỉnh lưu,
transistor và nhất là các mạch tích hợp (IC).
• Các bán dẫn hợp chất được sử dụng rộng rãi trong
các linh kiện cao tần và quang điện tử.
• Các t/c điện và quang của bán dẫn phụ thuộc mạnh
vào nồng độ tạp chất.

1.2 Cấu trúc chất rắn

Đặc trưng vật rắn tinh thể: các nguyên tử được sắp xếp
một cách tuần hoàn. Nghĩa là: một sự sắp xếp cơ sở
được lặp lại trong toàn bộ vật rắn, tinh thể giống hệt
nhau ở các điểm tương đương.
Không phải vật rắn nào cũng là tinh thể; một số hoàn
toàn không có cấu trúc tuần hoàn (vật rắn vô định hình),
một số bao gồm nhiều vùng nhỏ đơn tinh thể (vật rắn đa
tinh thể).

Sự sắp xếp tuần hoàn nguyên tử trong tinh thể gọi là mạng tinh thể;
mạng tinh thể chứa thể tích gọi là ô cơ sở, ô cơ sở là đặc trưng cho
toàn bộ mạng và lặp lại đều đặn trong tinh thể

7
 9/20/2018

1.2 Cấu trúc chất rắn

Ô cơ sở của các cấu trúc mạng lập phương
• Mạng lập phương:

Lập phương đơn Lập phương tâm khối Lập phương tâm mặt
giản (sc) (bcc) (fcc)

Ô cơ sở kim cương với 4 nguyên tử lân cận

Cấu trúc cơ sở của nhiều bán dẫn quan
trọng là mạng kim cương, trong đó có Si và
Ge. Các hợp chất III-V có cấu trúc zincblende
là mạng kim cương nhưng với các nguyên tố
lần lượt chiếm các vị trí lân cận. Mạng kim
cương có thể coi là cấu trúc fcc thêm một
nguyên tử ở khoảng a/4+b/4+c/4 cách mỗi
nguyên tử của mạng fcc.

1.2 Cấu trúc chất rắn

Mỗi nguyên tử trong
mạng kim cương liên kết
cộng hóa trị với 4 nguyên
tử lân cận, tạo thành tứ
diện. Mạng này có thể
hình thành từ hai mạng
lập phương fcc dịch
chuyển theo đường chéo
Mạng kim cương của Si và Ge
hình lập phương lớn một
khoảng ¼ đường chéo.

Cấu trúc zinc-blende của GaAs và InP

8
 9/20/2018

1.2 Cấu trúc chất rắn

Ký hiệu Ý nghĩa
Chỉ số Miller
(hkl) Mặt tinh thể
{hkl} Các mặt tương đương
[hkl] Hướng tinh thể
<hkl> Các hướng tương đương

h: inverse x-intercept of plane

k: inverse y-intercept of plane
l: inverse z-intercept of plane

Các mặt tinh thể

_
Mặt (632) Mặt (001) Mặt (221)

9
 9/20/2018

Các mặt tinh thể

1.3 Kỹ thuật cơ bản nuôi đơn

tinh thể bán dẫn
Vật liệu ban đầu là cát (SiO2) độ sạch tương đối, trộn với
hỗn hợp chứa C cho xảy ra phản ứng:
SiC + SiO2 -> Si (rắn) + SiO (khí) + CO(khí)

Si rắn nhận được có độ tinh khiết ~ 98% cho phản ứng với
HCl
Si (rắn) + 3HCl (khí) -> SiHCl3 (khí) + H2 (khí)

Phân ly khí SiHCl3 dùng dòng điện trong môi trường có điều
khiển -> nhận Si đa tinh thể siêu tinh khiết
SiHCl3 (khí) + H2 (khí) -> Si (rắn) + 3HCl (khí)

Si đa tinh thể nhận được dùng để nuôi đơn tinh thể

10
 9/20/2018

1.3 Kỹ thuật cơ bản nuôi đơn

tinh thể bán dẫn

• Kỹ thuật Czochralski
dùng nuôi đơn tinh thể
Si
• Tinh thể mầm được
quay và kéo chậm từ nồi
chứa Si nóng chảy
• Cần điều khiển quá trình
nuôi để có được đơn
tinh thể có độ tinh khiết
và kích thước mong
muốn.

1.3 Kỹ thuật cơ bản nuôi tinh thể

bán dẫn

11
 9/20/2018

• Tháng 1/2007, cả Intel và IBM cùng công bố đã xử lý được vấn đề tiêu

hao điện năng, giúp kéo dài định luật Moore thêm khoảng hai thế hệ
chip nữa, tức cho phép sản xuất bóng bán dẫn 22 nm. Đây được coi là
"sự thay đổi lớn nhất trong thiết kế transistor bốn thập kỷ qua".

Phiến (wafer) 45 nm thử nghiệm. Ảnh: Intel.

1.4 Liên kết cộng hóa trị

Nguyên tử Si Tinh thể Si

12
 9/20/2018

1.4 Liên kết cộng hóa trị

Si: 4 electron ở lớp ngoài cùng tạo liên kết với 4

nguyên tử lân cận: liên kết cộng hóa trị.

1.5 Lý thuyết vùng năng lượng

• Các mức năng lượng của ng tử H cách
biệt theo mô hình Bohr:

mo – khối lượng điện tử tự do (9,1 x 10-31 kg)

q – điện tích điện tử (1,6 x 10-19 C)
ɛo – hằng số điện môi chân không (8,85 x 10-12 F/m)
h – hằng số Planck (6,62 x 10-34 J.s)
n – số lượng tử chính

• Trạng thái năng lượng thứ nhất (mức cơ bản), n = 1, EH = -13,6 eV

• Trạng thái kích thích thứ nhất, n = 2, EH = -3,4 eV
• Với số lượng tử n ≥ 2, các mức năng lượng bị tách

13
 9/20/2018

1.5 Lý thuyết vùng năng lượng

• Chất rắn hình thành khi các nguyên tử riêng biệt tiến lại gần nhau.
• Xét tổ hợp 2 nguyên tử. Nếu các ng tử cách xa nhau, không có
tương tác, các mức năng lượng giữ nguyên trong mỗi ng tử.

n=3 n=3

n=2 n=2

n=1 n=1

Atom 1 Atom 2

• Khi các nguyên tử xích gần nhau các hàm sóng điện tử phủ nhau và
các mức năng lượng sẽ dịch chuyển tương đối giữa chúng.

n=3 n=3 n=3

n=2 n=2 n=2

n=1 n=1 n=1

Atom 1 Atom 2 Atom 1 + 2

1.5 Lý thuyết vùng năng lượng

Khoảng cách cân bằng giữa
các nguyên tử trong tinh thể.

6 mức cho phép

cùng năng
lượng

2 mức cho phép

cùng năng
lượng

a
Khoảng cách giữa các nguyên tử →

Tách trạng thái suy biến thành vùng Sơ đồ biểu diễn một nguyên tử
các mức năng lượng cho phép. silic.

14
 9/20/2018

1.5 Lý thuyết vùng năng lượng

• Hình bên: sơ đồ biểu diễn sự

hình thành tinh thể Si từ N
nguyên tử riêng biệt.
• Khoảng cách giữa các nguyên
tử giảm, các lớp vỏ 3s và 3p Ec
của N nguyên tử Si sẽ tương
tác và phủ nhau.
Ev
• Ở trạng thái cân bằng, các vùng
năng lượng lại tách ra:
4 trạng thái lượng tử/ ng tử
(vùng hóa trị)
4 trạng thái lượng tử/ ng tử
(vùng dẫn).
Sự tạo thành vùng năng lượng
trong tinh thể silic.

• Chất rắn bao gồm hàng triệu n=3

nguyên tử gần nhau trong mạng →
các mức năng lượng sẽ tạo thành
n=2
các vùng (band=dải) cách nhau bởi
khe năng lượng (energy gap).
n=1

• Vật dẫn điện:

– Nếu chúng ta sử dụng hết tất cả
Vùng dẫn, được
electrons hiện có mà vùng chỉ điền đầy một nửa
được điền đầy một nửa, chất bởi các electron
rắn dẫn điện tốt. Vùng điền đầy
một nửa gọi là vùng dẫn Vùng hóa trị,
điền đẩy bởi
(conduction band). các electron

• Vật cách điện:

– Nếu vùng cao nhất được điền Vùng dẫn hoàn
toàn trống
đầy electron và vùng tiếp theo
hoàn toàn trống với khe năng Khe năng lượng lớn
lượng lớn giữa hai vùng, vật liệu
là chất cách điện. Vùng cao nhất Vùng hóa trị,
điền đầy electron là vùng hóa trị điền đầy bởi
(valence band), còn vùng phía các electron
trên trống hoàn toàn gọi là vùng
dẫn.

15
 9/20/2018

Các vật liệu bán

dẫn

Vật liệu bán dẫn:

• Một số vật liệu có vùng hóa trị điền đầy như
Vùng dẫn trống
vật cách điện nhưng có khe năng lượng nhỏ
hơn.
• Tại nhiệt độ 0 tuyệt đối, vật liệu giống như Khe năng lượng nhỏ

chất cách điện, nhưng ở T phòng, một số

electron có đủ năng lượng để nhảy lên vùng Vùng hóa trị,
điền đầy bởi
dẫn. Khi đó các electrons có thể chuyển electrons
động dễ dàng dưới tác động điện trường.
Đây là vật liệu bán dẫn thuần (intrinsic
semiconductor). Ở 0K – không dẫn

Vùng dẫn với

một số electrons

Vậy các vật liệu này ở đâu trong

Vùng hóa trị bảng tuần hoàn các nguyên tố?
cao nhất giờ
thiếu một số
electrons

Ở T phòng – độ dẫn nhất định

16
 9/20/2018

Khe năng lượng - Band gap energy

n=3 n=3

n=2 n=2

n=1 n=1

Atom 1 Atom 2

Các mức năng lượng riêng rẽ của các

nguyên tử cách xa nhau.

Khe năng lượng hay chiều rộng vùng

Bức tranh thông thường các vùng
năng lượng tại 0 K của các vật liệu
khác nhau.
cấm, là năng lượng cần thiết để làm đứt
một liên kết trong bán dẫn để giải phóng
1 e- lên vùng dẫn và tạo một h+ trong
vùng hóa trị. Eg của chất cách điện ≥ 5-6
eV, còn của kim loại ~ 0 eV (1
eV=1.6x10-19 J).

Biểu đồ Năng lượng-Xung lượng

• Năng lượng của điện tử tự do

được cho bởi

p – xung lượng, mo – khối lượng

e tự do

• Khối lượng hiệu dụng mn

Đường parabol sự phụ thuộc năng

lượng (E) vào xung lượng (p)

• Đường parabol hẹp hơn ứng với mn nhỏ

hơn

• Khối lượng hiệu dụng của lỗ trống mn = mp

17
 9/20/2018

Biểu đồ Năng lượng-Xung lượng

• Hình bên: đường cong năng lượng-

xung lượng đơn giản hóa của một bán
dẫn với:
- khối lượng hiệu dụng của điện tử
mn = 0,25mo trong vùng dẫn
- khối lượng hiệu dụng của h+ trong
vùng hóa trị mp = mo

• Năng lượng e theo chiều dưới lên

• Năng lượng h theo chiều trên xuống

• Khoảng cách giữa 2 parabol tạp p = 0 là

chiều rộng vùng cấm Eg. Giản đồ năng lượng-xung lượng
của một bán dẫn với mn = 0,25 mo
• Thực tế giản đồ năng lượng-xung lượng và mp = mo.
của Si và GaAs phức tạp hơn.

Biểu đồ Năng lượng-Xung lượng

• Với Si, max trong vùng hóa trị (VB)

tại p = 0, nhưng min trong vùng dẫn
(CB) tại p = pc (theo hướng [100])

• Trong Si: khi e- chuyển từ điểm max

(VB) lên điểm min (CB) cần thiết:
thay đổi năng lượng (≥ Eg) + thay đổi
xung lượng (≥ pc)

• Trong GaAs: không cần thay đổi

xung lượng
Cấu trúc vùng năng lượng của Si và
• Si: vùng cấm xiên Ga As. (○) là h+ trong VB và (●) là e-
• GaAs: vùng cấm thẳng trong CB.

18
 9/20/2018

Biểu đồ Năng lượng-Xung lượng

• GaAs – parabol CB rất hẹp, sử dụng công thức của mn có thể dự đoán
khối lượng hiệu dụng của e nhỏ (mn = 0,063 mo).

• Với Si, parabol CB rộng hơn, mn lớn hơn (mn = 0,19 mo).

• Sự khác nhau giữa cấu trúc vùng cấm thẳng và vùng cấm xiên rất quan
trọng ứng dụng chế tạo LED và laser bán dẫn. Chúng ta sẽ nghiên cứu
vấn đề này trong chương Các linh kiện quang tử.

Điện tử và lỗ trống - Electrons and Holes

Si và Ge các nguyên tố hóa trị 4 – mỗi nguyên tử Si (Ge) có 4 điện tử hóa trị
trong ma trân tinh thể

T = 0 K tất cả electrons liên kết
trong các liên kết cộng hóa trị
→ không có hạt dẫn.
T > 0 thăng giáng nhiệt có thể bứt
electron khỏi liên kết, tạo ra cặp điện
tử-lỗ trống
Cả điện tử và lỗ trống đều có thể
chuyển động trong tinh thể → dẫn điện.

19
 9/20/2018

Electrons and Holes

T > 0 một số điện tử trong vùng hóa trị

Cặp điện tử-lỗ trống trong bán dẫn. Ec là
đáy vùng dẫn và Ev là đỉnh vùng hóa trị.
nhận năng lượng đủ để nhảy qua vùng
cấm lên vùng dẫn.
Kết quả: trong vùng dẫn có một số điện
tử, còn trong vùng hóa trị có một số
trạng thái.
Trạng thái trống trong vùng hóa trị được
gọi là lỗ trống (hole).
Trường hợp này ta có cặp điện tử-lỗ
trống electron-hole pair (EHP).

Cấu trúc mạng tinh thể Si

T = 0K, tất Điện tử tự do
cả điện tử - - - -
liên kết Chỗ trống
chặt với các - Si -- Si -- Si - - Si - do e để lại.
nguyên tử - - - - Tổng điện
lân cận  - - - - -tích trong
không có - Si -- Si --
-+- Si - - Si Si =- 0  lỗ
Si
dòng - - - - - -trống phải
- - - -- tích điện
dương
- Si - - Si - - Si - - Si - - Si -
- - - - -
- - - - -
- Si - - Si - - Si -+- Si -
- - - -
-
- Si -
- Dùng chung điện tử
với 4 ng tử hang
Cung cấp năng lượng nhiệt (ngay cả T xóm  8 electrons
phòng) làm đứt một số liên kết, và điện ở lớp vỏ ngoài cùng
tử trở thành tự do, dẫn điện

20
 9/20/2018

Vật liệu thuần - Intrinsic Material

Tinh thể bán dẫn hoàn hảo không chứa tạp chất và khuyết tật mạng được gọi
là bán dẫn thuần (intrinsic semiconductor).

At T=0 K – T>0
No charge carriers Hình thành các cặp điện tử-lỗ trống
Valence band is filled with electrons
Trong vật liệu thuần chỉ có cặp điện
Conduction band is empty
tử-lỗ trống là các hạt tải

Vì các điện tử và lỗ trống sinh ra theo

cặp, nồng độ e trong vùng dẫn, n
(electron/cm3) bằng nồng độ lỗ trống
trong vùng hóa trị, p (holes/cm3).
Nồng độ hạt dẫn thuần ký hiệu là ni.
Với vật liệu thuần n = p = ni

Các cặp điện tử-lỗ trống trong mô hình liên kết

cộng hóa trị của tinh thể silic.

Nồng độ hạt dẫn thuần

• Để tính nồng độ e (cm-3) ta tính mật độ e trong khoảng năng lượng dE.
Mật độ n(E) là tích của mật độ trạng thái N(E), khoảng năng lượng dE và
xác suất chiếm khoảng năng lượng F(E). Nồng độ e trong CB là tích phân
N(E)F(E)dE từ đáy CB (lấy Ec = 0) đến đỉnh CB Etop:

• Hàm phân bố Fermi-Dirac

n: cm-3 ; N(E): cm-3.eV-1, k: hằng số Boltzmann ~ 1,38 x 10-23 J/K, T: Kelvin

EF – năng lượng mức Fermi – năng lượng tại đó xác suất điền đầy (chiếm)
bởi e là đúng 1/2.

21
 9/20/2018

Mức Fermi
Electrons trong chất rắn tuân theo thống Các điều kiện khi xem xét ở
đây:
kê Fermi - Dirac:
1
f (E )  1. Các e là giống nhau, không
1  exp ( E  E F ) / kT  biệt được,

k là hằng số Boltzmann 2. Bản chất sóng của e,

k=8.62ּ10-5 eV/K=1.38 10-23 J/K. 3. Nguyên lý loại trừ Pauli.

f(E) được gọi là hàm phân bố Fermi-Dirac cho biết xác suất trạng thái năng lượng cho
phép E sẽ bị chiếm bới e ở nhiệt độ tuyệt đối T.
EF được gọi là mức Fermi , là đại lượng quan trọng trong việc phân tích tính chất của
vật liệu bán dẫn. Với năng lượng E = EF xác suất chiếm

1 1
f ( E F )  1  exp( E F  E F ) / kT  
1

11 2
Đây chính là xác suất e chiếm mức Fermi.

Nồng độ hạt dẫn thuần

Hàm phân bố Fermi-Dirac cho các T khác nhau

22
 9/20/2018

Nồng độ hạt dẫn thuần

Với năng lượng 3kT trên hoặc dưới mức Fermi, ta có

 3kT số hạng mũ > 20, và < 3kT – số hạng mũ < 0,05.

 Tại (E – EF) < 3kT: đây là xác suất h+ chiếm trạng thái E.

Nồng độ hạt dẫn thuần

Bán dẫn thuần. (a) Giản đồ vùng năng lượng. (b) Mật độ trạng thái.
(c) Hàm phân bố Fermi. (d) Nồng độ hạt dẫn.

• N(E) = (E)1/2 với khối lượng hiệu dụng cho trước

• EF nằm ở giữa vùng cấm.

23
 9/20/2018

Nồng độ hạt dẫn thuần

Mật độ trạng thái N(E) được xác định

Thay vào các b/t trên nhận được

Với Si X = 12, với GaAs X = 2

• NC và NV là mật độ trạng thái hiệu dụng trong CB và VB

• Tại nhiệt độ phòng, T = 300K
Mật độ hiệu dụng Si GaAs

Nồng độ hạt dẫn thuần

Nồng độ hạt dẫn thuần nhận được thông
qua định luật tác động khối lượng (mass
action law)

trong đó Eg = Ec - Ev

Tại 300K: Nồng độ hạt dẫn thuần trong Si và

GaAs phụ thuộc nghich đảo nhiệt độ.
ni ≈ 1 x 1010 cm-3 Si
ni ≈ 2.5 x 106 cm-3 GaAs

24
 9/20/2018

Nồng độ hạt dẫn thuần

Donor và acceptor
Khi pha tạp tinh thể có thể bị thay đổi, sẽ có nhiều e- hơn hoặc nhiều h+ hơn. Như vậy
có 2 loại bán dẫn pha tạp, loại n (chủ yếu e-) và loại p (chủ yếu h+). Bán dẫn pha tạp
ngoại sẽ có nồng độ hạt dẫn cân bằng n0 và po khác với nồng độ hạt dẫn thuần ni.

Khi pha tạp hoặc tồn tại

Tạp donor (ng tố nhóm khuyết tật mạng, sẽ xuất hiện
V): P, Sb, As thêm các mức năng lượng,
Tạp acceptor (ng tố thường là trong vùng cấm.
nhóm III): B, Al, Ga, In

Tổng số electron
III – Al – 13
Vùng hóa trị và vùng dẫn của Si có IV – Si – 14
thêm các mức năng lượng tạp chất
trong vùng cấm. V- P - 15

25
 9/20/2018

Vật liệu pha tạp – nhượng (cho) electron

Tạp chất nhóm V tạo thêm mức năng
Vật liệu loại n lượng gần đáy vùng dẫn của Ge hay Si.
Mức này bị điền đẩy bởi các e- tại 0 K,
và chỉ cần một nhiệt năng rất nhỏ có thể
kích thích các e- này lên vùng dẫn. Ở
khoảng 50-100 K hầu hết các e- trên
mức năng lượng tạp đều được “cho” lên
vùng dẫn. Mức tạp chất này gọi là mức
donor, các tạp chất nhóm V trong Ge và
Si là tạp donor. Từ hình vẽ ta thấy vật
liệu pha tạp donor có thể có nồng độ lớn
các e- trong vùng dẫn ngay ở nhiệt độ
thấp, khi nồng độ hạt dẫn thuần còn rất
nhỏ. Như vậy, khi bán dẫn pha tạp donor
Nhượng e- từ mức donor với nồng độ lớn, ta có n0>>(ni,p0) ở nhiệt
lên vùng dẫn độ phòng. Đây là vật liệu loại n.

Vật liệu pha tạp – nhận electron

Vật liệu loại P
Mức acceptor nhận electrons
từ vùng hóa trị, hình thành lỗ
trống.
Các nguyên tử nhóm III (B, Al, Ga,
và In) tạo các mức tạp chất gần đỉnh
vùng hóa trị. Các mức này trống
không có e- ở 0 K. Ở nhiệt độ thấp,
năng lượng nhiệt đủ để kích thích e-
từ vùng hóa trị lên mức tạp chất, để
lại lỗ trống trong vùng dẫn. Vì mức
tạp “nhận” e- từ vùng hóa trị nên
được gọi là mức acceptor, tạp nhóm
III là tạp acceptor trong Ge và Si.
Pha tạp acceptor bán dẫn có thể có
nồng độ lỗ trống p0 lớn hơn nhiều
nồng độ e- trong vùng dẫn n0 (vật
liệu loại p).

26
 9/20/2018

Donor và acceptors trong mô hình liên kết

cộng hóa trị
Donor và acceptor trong mô
hình liên kết hóa trị của Si.
Nguyên tử Sb (nhóm V) trong mạng
Si có 4 e hóa trị để tạo liên kết cộng
hóa trị với 4 ng tử Si lân cận, còn dư
1 e, e này liên kết lỏng lẻo với ng tử
Sb. Một nhiệt năng nhỏ có thể làm
đứt liên kết vè e trở thành tự do,
tham gia vào qt dẫn. Việc này tương
đương việc kích thích e từ mức
donor lên CB.
Tương tự, tạp Al nhóm III chỉ có 3
e hóa trị góp vào liên kết cộng hóa
trị, để lại 1 liên kết không hoàn
chỉnh. Với một nhiệt năng nhỏ, e ở
nguyên tử khác có thể đến thay thế
vào vị trí thiếu.

Giản đồ năng lượng, mật độ trạng thái, phân bố Fermi-

Dirac, và nồng độ hạt dẫn tại cân bằng nhiệt

Bán dẫn thuần

Bán dẫn loại n

Bán dẫn loại p

27
 9/20/2018

Bán dẫn không suy biến

• Nếu mức Fermi ở dưới đáy CB hoặc trên đỉnh VB ít nhất 3kT, thì bán dẫn
gọi là không suy biến.
• Ion hóa hoàn toàn tạp chất: khi năng lượng nhiệt đủ để ion hóa tất cả các
tạp donor hay acceptor nông và cung cấp số lượng tương ứng e- hay h+
vào vùng dẫn hay vùng hóa trị.
• Dưới điều kiện ion hóa hoàn toàn
n = ND và p = NA
ND là nồng độ donor, NA là nồng độ acceptor

Bán dẫn không suy biến

EC – EF = kT ln (NC/ND)
EF – EV = kT ln (NV/NA)

• Nồng độ pha tạp ND hay NA càng lớn, khoảng cách giữa EF với EC hay EV
càng nhỏ, tức là EF càng tiến sát đến EC hoặc EV.

• Biểu diễn nồng độ điện tử và lỗ trống qua nồng độ hạt dẫn thuần ni và mức
Fermi trong bán dẫn thuần Ei:

n = ni exp [(EF – Ei)/kT]

p = ni exp [(Ei – EF)/kT]

n x p = n i2

Định luật tác động khối lượng đúng cho cả bán dẫn thuần và bán dẫn pha
tạp.

28
 9/20/2018

Bán dẫn không suy biến

• Nếu pha cả 2 loại tạp chất, tạp chất nào nồng độ lớn hơn sẽ quyết định loại
dẫn của bán dẫn. Điều kiện trung hòa điện tích khi tạp bị ion hóa hoàn toàn:

n + NA = p + ND

• Thông thường giá trị tuyệt đối nồng độ tạp |ND – NA| >> ni, nên có thể viết

nn ≈ ND – NA nếu ND > NA
pp ≈ NA – NA nếu NA > ND

Bán dẫn không suy biến

• Hình dưới: nồng độ e- trong Si phụ thuộc nhiệt độ với ND = 1015 cm-3.
• Khi T thấp năng lượng nhiệt không đủ để ion hóa hoàn toàn tạp donor, một
số e- bị “đông cứng” ở mức donor nên nồng độ e- nhỏ hơn ND.
• Khi T tăng xảy ra ion hóa hoàn toàn, nn = ND. T tăng tiếp nn gần như không
thay đổi trong khoảng nhiệt độ lớn. Vùng này là vùng tạp chất.
• Nếu tiếp tục tăng T, sẽ đến lúc nồng độ hạt dẫn thuần ni ~ ND, tiếp đó bán
dẫn lại trở thành bán dẫn riêng.

29
 9/20/2018

Độ dẫn của bán dẫn thuần và bán dẫn pha tạp

  nq

n 0 p 0  ni2

For Si n = 0.135 m2/Vs, p = 0.048 m2/Vs;

for Ge n = 0.39 m2/Vs, p = 0.19 m2/Vs.

Độ dẫn của bán dẫn pha tạp

Typical carrier densities in intrinsic & extrinsic semiconductors
Si at 300K, intrinsic carrier density ni = 1.5 x 1016/m3
Extrinsic Si doped with As → typical concentration 1021atoms/m3:
Majority carriers n0 = 1021 e/m3 ; Mass action law: ni2 = n0p0
Minority carriers: p0 = (1.5×1016)2/1021 = 2.25 x 1011 holes/m3
Conductivity:
Majority carriers: n = 1021x0.135x1.6x10-19 (e/m3 ) (m2 /Vs) (As C) =0.216 ( cm)-1
Minority carriers: p = 2.25x10-11 x 0.048 x1.6x10-19 = 0.173x10-10 ( cm)-1
Conductivity total total = n + p  0.216 ( cm)-1
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

30
 9/20/2018

Tổng kết
Bán dẫn thuần

Bán dẫn pha tạp n 0 p0  ni2

n-type p-type

n0  ni exp( EF  Ei ) / kT  p0  ni exp( Ei  EF ) / kT 

31