Sự phụ thuộc nhiệt dộ của độ dẫn và nồng độ hạt tải

Độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn đặc biệt nhạy với kiểu và nồng
độ tạp chất, đặc biệt là nhiệt độ
 Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn
Sự thêm vào chất chủ một lượng nhỏ tạp chất cũng làm tăng
mạnh độ dẫn
Với hinh 8.14 thể hiện sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện
với Si và Si pha tạp ở 2 mức độ là 0,0013 và 0,0052%. Từ hình
vẽ ta thấy độ dẫn của mẫu bán dẫn thuần tăng với sự tăng nhiệt
độ
Sự phụ thuộc độ dẫn tinh khiết vào nhiệt độ tuyệt đối T gần
Eg
đúng : ln℺ = C - 2 kT
 Sự phụ thuộc nồng độ hạt tải vào nhiệt độ đối với bán dẫn
tinh khiết giống như đối với sự phụ thuộc nhiệt độ của độ
dẫn:
Eg
In n = ln p = C’ - 2 kT
−Eg
Theo biểu thức trên độ nghiêng của phần đường thẳng bằng 2k
hay Eg có thể được xác định:
Δln p
Eg = -2k Δ¿ ¿

Từ hình 8.14 và 8.15 nhận xét rằng năng lượng nhiệt độ ở các
nhiệt độ dưới 800 K đủ để tạo ra kích thích nhưng lại chưa đủ để
kích thích được nhiều điện tử từ vùng cấm và độ dẫn tạp chất
vượt xa độ dẫn của vật liệu bán dẫn thuần.
Hình 8.14
  Về ảnh hưởng của hàm lượng axepto B đối với các tính
chất của Si có thể nhận xét rằng, trước hết, các độ dẫn của
bán dẫn tạp chất và nồng độ dẫn bão hòa cũng như nồng độ
lỗ trống đều lớn hơn ở vật liệu có hàm lượng B cao (hình
8.14, 8.15); bời vì có mặt nhiều nguyên tử B hơn thì số lỗ
trống được sinh ra từ chúng càng nhiều hơn
Nhiệt độ bắt đầu thể hiện tính chất thuần sẽ được nâng
cao khi hàm lượng pha tạp tăng lên.
 VD
Nếu độ dẫn ở nhiệt độ phòng [25° C(298K)] của Ge thuần là 2,2
(Ωm)^2, xác định độ dẫn điện của chúng ở 150° C(423 K )
Giải
Trước hết, xác định giá trị hằng số C ở nhiệt độ phòng sau đó
tính giá trị C ở nhiệt độ 150. Từ bảng 8.2, giá trị của Eg đối với
Ge là 0,67 eV , vì vậy :
Eg 0,67
C = lnσ + 2 kT = ln(2,2)+ 2. ( 8,62.10−5 ) .298
=13,83 tại 150 °C
EG 0,67
Lnσ =∁− 2 kT =13,83− 2. ( 8,62.10 −5
) .298
=4,64

hay σ =103,8 ( Ωm )2