ĐHBK TP HCM–KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ

BỘ MÔN ĐIỆN TỬ
GV: HỒ TRUNG MỸ

HƯỚNG DẪN ÔN TẬP KIỂM TRA GIỮA HỌC KỲ

MÔN HỌC: DỤNG CỤ BÁN DẪN
HỌC KỲ 1 – NĂM HỌC 2010-2011
Chú ý:
 Đề kiểm tra trắc nghiệm gồm có 20–30 câu với thời gian làm bài là 50 phút.
 Đề kiểm tra không cho sử dụng tài liệu
 Nội dung: gồm 3 chương 2, 3, và 4.

Trọng tâm của các chương như sau:

Chương 2. Dải năng lượng và nồng độ hạt dẫn ở điều kiện cân bằng
1. Phân loại vật liệu theo điện dẫn suất (hay điện trở suất) và khe năng lượng.
2. Sự hình thành dải năng lượng. Khái niệm dải dẫn, dải hóa trị và dải cấm. Khe năng lượng EG.
3. Phân biệt bán dẫn nguyên tố và bán dẫn hỗn hợp (phức hợp).
4. Chất bán dẫn dùng trong dụng cụ bán dẫn thường dùng loại bán dẫn có cấu trúc tinh thể gì?
5. Chất bán dẫn hỗn hợp thường dùng cho các dụng cụ gì?
6. Các nguyên tố bán dẫn thường nằm ở đâu trong bảng phân loại tuần hoàn (nhóm mấy)?
7. Thế nào gọi là bán dẫn trực tiếp, bán dẫn gián tiếp. Cho thí dụ loại bán dẫn nào là trực tiếp, gián tiếp?
8. Chất bán dẫn có (các) liên kết nào trong các liên kết sau: kim loại, ion, đồng hóa trị, và van der Waals?
9. Bán dẫn nội tại và bán dẫn có pha tạp chất.
10. Đặc tính của phân bố Fermi-Dirac. Khi nhiệt độ tăng thì đặc tính này thay đổi như thế nào?
11. Mức (năng lượng) Fermi EF trong chất rắn: EF nằm ở đâu trong chất dẫn đện, bán dẫn và cách điện?
12. Phân bố Botlzmann: nồng độ điện tử n và nồng độ lỗ p ở cân bằng nhiệt
n  NC . exp(–(EC–EF)/kT) với EC – EF  2kT
p  NV . exp(–(EF–EV)/kT) với EC – EF  2kT
13. Nồng độ hạt dẫn nội tại ni
 Eg 
ni  N C NV .exp   
 2kT 
Khi nhiệt độ thay đổi thì ni bị ảnh hưởng như thế nào?
 Khi nhiệt độ tăng ?
 Khi nhiệt độ là 0 K?
14. Thế nào chất donor, acceptor? Trong bảng phân loại tuần hoàn, nếu ta dùng bán dẫn thuộc nhóm IV thì các
chất donor và acceptor thuộc các nhóm nào? Các mức năng lượng donor ED và acceptor EA nằm ở đâu
trong giản đồ năng lượng của chất bán dẫn?
15. Sự hình thành bán dẫn loại N, loại P. Hạt dẫn đa số và hạt dẫn thiểu số. Định luật tác động khối lượng của
chất bán dẫn (nội tại và có pha tạp chất) ở cân bằng nhiệt: n.p = ni2
16. Vị trí mức Fermi EF thay đổi như thế nào trong giản đồ dải năng lượng khi tăng nồng độ tạp chất trong bán
dẫn loại N, và loại P?
17. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn loại N ở cân bằng nhiệt (nếu ND >> ni) nn  ND và pn = ?
18. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn loại P ở cân bằng nhiệt (nếu NA >> ni) pp  NA và np = ?
19. Bán dẫn có bổ chính (còn được gọi là bán dẫn bù) ở cân bằng nhiệt (xét nồng độ tạp chất >>ni):
(Ký hiệu NA là nồng độ tạp chất acceptor và ND là nồng độ tạp chất Donor.)
 Với bán dẫn loại N (ND > NA), ta có nồng độ hạt dẫn đa số nn và nồng độ hạt dẫn thiểu số pn:
1 n2 ni2
nn  .  N D  N A  ( N D  N A ) 2  4ni2  và pn  i ; nếu N D  N A  ni  nn  N D  N A và pn 
2   nn ND  N A
 Với bán dẫn loại P (NA > ND), ta có nồng độ hạt dẫn đa số pp và nồng độ hạt dẫn thiểu số np:
1 n2 ni2
p p  .  N A  N D  ( N A  N D ) 2  4ni2  và n p  i ; nếu N A  N D  ni  p p  N A  N D và n p 
2   pp N A  ND
CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 1/12

Chương 3. Các hiện tượng vận chuyển hạt dẫn
1. Chuyển động trôi và khuếch tán trong bán dẫn. Vận tốc trôi của hạt dẫn. Quan hệ giữa độ linh động của điện
tử và độ linh động của lỗ trong cùng chất bán dẫn?
2. Công thức vận tốc trôi chỉ đúng trong trường hợp nào?
3. Các cơ chế tán xạ nào ảnh hưởng đến độ linh động của hạt dẫn và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của các cơ chế
này như thế nào?
4. Hiệu ứng Hall là gì?
5. Quan hệ Einstein: cho thấy sự tương quan của hiện tượng khuếch tán và hiện tượng trôi của hạt dẫn
Hệ số khuếch tán điện tử Hệ số khuếch tán lỗ Dạng tổng quát
 kT   kT  D
Dn    n Dp    p  VT
 q   q  
6. Định nghĩa cùa thế Fermi. Làm sao xác định được loại bán dẫn dựa trên thế Fermi?
7. Độ dẫn điện  của bán dẫn (giả sử bán dẫn nếu có pha tạp chất thì được phân bố đều):
   n   p  qn n  qp p  1/ 
với độ dẫn điện do điện tử n (= qn n ) và độ dẫn điện do lỗ p (= qp  p ).
8. Ảnh hưởng của nồng độ tạp chất lên điện trở suất của bán dẫn như thế nào?
9. Sự sinh cặp điện tử-lỗ trong bán dẫn thường gặp do các tác động nào?
10. Sự tái hợp trực tiếp thường xảy ra với bán dẫn loại nào? Thí dụ : Si và GaAs thì loại bán dẫn nào có xảy ra tái
hợp trực tiếp?
11. Ánh sáng phải năng lượng bao nhiêu mới có thể tạo nên cặp điện tử-lỗ khi ta chiếu ánh sáng vào bán dẫn có
khe năng lượng là Eg?
12. Khi có hiện tượng tái hợp trong bán dẫn trực tiếp có khe năng lượng là Eg thì ánh sáng sinh ra có bước sóng
bao nhiêu?
13. Ý nghĩa của phương trình liên tục?

Chương 4. Chuyển tiếp PN

1. Chuyển tiếp PN
 Kể tên 4 bước chính trong quá trình planar để chế tạo chuyển tiếp PN.
 Định nghĩa của tiếp xúc PN loại bước (step), loại biến đổi đều (graded)
 Sự tạo thành chuyển tiếp PN:

Hình 4.1 (a) Các bán dẫn (được pha tạp chất đều) loại P và N trước khi tạo thành chuyển tiếp.
(b) Điện trường trong miền nghèo (depletion region) và giản đồ dải năng lượng của chuyển tiếp p-n ở điều kiện
cân bằng nhiệt.

 Tiếp xúc PN chưa có phân cực (với chuyển tiếp bước)

o sự hình thành miền nghèo-chuyển động của hạt dẫn?
CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 2/12

 o miền nghèo, miền trung hòa.
o thế nội khuếch tán Vbi (hay  B ) hay rào thế
kT  NDNA   nn 0   pp 0 
Vbi ln  2   VT ln    VT ln  
q  ni   np 0   pn 0 
o miền điện tích không gian (miền nghèo)
N AW P  N DW N
1 2 SVbi  1 1 
Vbi  EmW và W  WP  WN    
2 q  N A ND 
với Em là điện trường cực đại tại giao tiếp của P và N, W là bề rộng miền nghèo của chuyển tiếp PN, WP là
bề rộng miền nghèo bên bán dẫn P và WN là bề rộng miền nghèo bên bán dẫn N, và s là hằng số điện môi
của bán dẫn

Hình 4.2 Tiếp xúc PN chưa có phân cực

Hình 4.3 Các phân cực có thể có ở chuyển tiếp PN

 Tiếp xúc PN được phân cực thuận (forward bias) (với chuyển tiếp bước)
o Phân cực thuận? (thế tại P > thế tại N).
o Khi phân cực thuận tăng thì : miền nghèo giảm và điện trở miền nghèo giảm.
2 S (Vbi  VF )  1 1 
W    với VF>0 là điện áp thuận trên diode
q  N A ND 
o Dòng điện thuận do các thành phần hạt dẫn nào tạo thành, đa số hay thiểu số?
o Phương trình dòng điện qua tiếp xúcCuuDuongThanCong.com
PN được phân cực thuận:
HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 3/12
 
IF  I 0 eVA /VT  1 
với I0 là dòng điện bão hòa ngược và khi nhiệt độ tăng thì I0 tăng.

 Tiếp xúc PN ở phân cực ngược (reverse bias) (với chuyển tiếp bước)
o Phân cực ngược? (thế tại P < thế tại N).
o Dòng điện ngược: IR  I0 (khi nhiệt độ tăng thì I0 tăng)
o Bề rộng miền nghèo tăng lên (với điện áp ngược VR > 0, điện áp đặt vào diode là VA= –VR)
2 S (Vbi  VR )  1 1 
W   
q  N A ND 

 Dòng điện sinh tái hợp

Dòng điện tái hợp thắng thế ở phân cực thuận thấp và dòng điện khuếch tán thắng thế ở phân cực thuận cao
hơn.

IF  I 0 eVA /VT  1 
với  là hệ số lý tưởng (hệ số phát xạ) có trị từ 1 đến 2 tùy theo vật liệu chế tạo, thí dụ với Ge là 1, với Si là 1.1
hoặc từ 1.2 đến 2

Hình 4.4 Dòng diode ( ln I = f(V) ) ở phân cực thuận

(Với e=điện tích điện tử; kB=hằng số Boltzmann; rS= điện trở khối)).

o xem hình 4.4 các độ dốc khác nhau do cái gì ảnh hưởng?
o tác động của  đến đặc tuyến I-V như thế nào?

 Điện trở vật liệu khối RS


I F  I 0 e(VA  I F RS )/VT  1
tác động của RS đến đặc tuyến I-V như thế nào?

 Điện dung tiếp xúc PN

o với phân cực ngược (VA= –VR < 0): hình thành điện dung miền nghèo.
Điện dung miền nghèo trên một đơn vị diện tích mặt cắt ngang Cdep (F/cm2):
CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 4/12

 S 2 S (Vbi  VR )  1 1 
Cdep  với W    
W q  N A ND 
khi áp ngược VR tăng thì Cdep giảm và ngược lại. Người ta ứng dụng hiệu ứng này để chế tạo diode biến
dung (varicap hay varactor).
o với phân cực thuận: hình thành điện dung khuếch tán. Cdiff : điện dung khuếch tán trên một đơn vị diện
tích mặt cắt ngang.
 Đánh thủng tiếp xúc PN (xảy ra khi áp phân cực ngược đủ lớn) có 3 loại:
o Đánh thủng do nhiệt: với nhiệt độ thường thì không ảnh hưởng.
o Đánh thủng thác lũ (nhân thác lũ): do ion hóa va chạm khi hạt dẫn chuyển động trong điện trường và
quá trình này làm tăng thêm hạt dẫn tự do rất nhanh. Đánh thủng thác lũ có hệ số nhiệt dương.
o Đánh thủng hiệu ứng Zener (hay đường hầm): do hiệu ứng đường hầm và đánh thủng này có hệ số
nhiệt âm.
 Nhận biết đánh thủng thác lũ và Zener qua điện áp đánh thủng VBR:
thường thì VBR < 4 V là đánh thủng Zener; VBR > 6V là đánh thủng thác lũ ; 4V  VBR  6V được thiết kế sử
dụng cả hai loại đánh thủng thác lũ và Zener.

2. Diode chuyển tiếp PN

 Xem hình 7-1, 7-3 và 7-5.Các công thức (7-4), (7-5) (trong giáo trình cũ DCLKDT)
 Ảnh hưởng của  và RS lên đặc tuyến diode như thế nào?
khi có  > 1, RS > 0 thì đường cong mới so với cũ (RS=0 và =1) như thế nào?
 Ảnh hưởng của nhiệt độ lên đặc tuyến của diode:
o ở phần phân cực thuận: nhiệt độ tăng thì đường cong dịch về trái so với cũ.
o ở phần phân cực ngược: nhiệt độ tăng thì tùy theo loại đánh thủng thác lũ
và/hay Zener mà dịch về trái hay phải hay ít thay đổi so với đường cong cũ.
 Điện dung chuyển tiếp PN
o với phân cực ngược: có điện dung tiếp xúc CJ [F] (J=junction=tiếp xúc)
 A
CJ  A.Cdep  S
W
với A: diện tích mặt cắt ngang; S hằng số điện môi bán dẫn; W: bề rộng miền nghèo.

I D T
o với phân cực thuận: có điện dung khuếch tán CD [F]: CD 
VT
với T là thời gian đi qua diode (còn gọi là thời gian chuyển tiếp [T=transit])

Hình 4.5 Điện dung của diode chuyển tiếp PN với phân cực ngược VA = –VR ( chú ý : V0=Vbi)
o Khi xét mô hình tín hiệu nhỏ cho diode thì lúc nào dùng điện dung tiếp xúc, lúc nào dùng điện dung
khuếch tán
 Điện trở động rD và điện trở tĩnh RD của diode
dVD VT VT kT
o Điện trở động rD (còn gọi là điện trở AC) rD     (ở T=300oK thì rD  0.025V/ID)
dID ID IQ qIQ
với VD, ID là áp và dòng qua diode, IQ là ID ở điểm làm việc Q.
o Điện trở tĩnh RD (còn gọi là điện trở DC): RD=VD/ID=VQ/IQ
CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 5/12

 Các mô hình diode:
Xem mô hình diode lý tưởng và mô hình sụt áp hằng (chú ý VON  V)
 Mô hình DC
Mô hình Phương trình Sơ đồ tương đương Đặc tuyến
(FB=phân cực thuận (A=Anode; K=Cathode)
RB=phân cực ngược)
Lý tưởng

Sụt áp
hằng

VON còn được gọi là V

Sụt áp
hằng với
RF

 Mô hình AC

Hình 4.6 Diode với tín hiệu nhỏ

 Mô hình diode tín hiệu nhỏ với tần số thấp:
Phân cực với VDQ < VON VDQ > VON
Mạch tương đương

rr điện trở ngược > 10 M với rd là điện trở AC của diode

Chú ý với tần số cao thì có thêm điện dung song song.
 Đáp ứng quá độ:
o Thời gian hồi phục ngược tr (hay trr) = ts + tf cho thấy đặc tính gì của diode?
o Yếu tố gì làm cho có thời gian hồi phục ngược và cách khắc phục?

3. Các loại diode khác

o Diode chỉnh lưu: diode tiếp xúc PN thông thường
- chỉnh lưu: cho dòng điện đi qua 1 chiều (từ anode sang cathode)
CuuDuongThanCong.com
- thường thì có điện áp đánh thủng lớn.
HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 6/12
 o Diode ổn áp (còn gọi là diode Zener)
- Sử dụng hiệu ứng đánh thủng Zener và/hoặc hiệu ứng đánh thủng thác lũ.
- Xem lại ảnh hưởng của nhiệt độ? Với điện áp đánh thủng VBR= –VZ (với VZ>0) thì TCVZ < 0 với
đánh thủng Zener và TCVZ >0 với đánh thủng thác lũ.
o Diode biến dung (varicap hay varactor)
- ứng dụng điện dung tiếp xúc CJ=f(VR), khi VR tăng thì CJ giảm. Chú ý là - sử dụng varicap với phân
cực ngược.

Hình 4.7 Mô hình diode Zener với phân cực ngược VR > VZ0
o Diode Schottky
- tạo từ tiếp xúc M-S (M=Metal=kim loại và S=Semiconductor=bán dẫn), thí dụ M là platinum và S là
bán dẫn loại N hình thành diode Schottky với Anode bên M và cathode bên S.
- Hãy kể thêm các kim loại khác ngoài Platinum?
- có rào thế nhỏ ( ~ từ 0.2V  0.3V)
- hoạt động tắt/dẫn ở tốc độ chuyển mạch cao.
4. Các ứng dụng của diode
 Mạch chỉnh lưu: bán kỳ, toàn sóng, và chỉnh lưu. Sơ đồ và các công thức
 Mạch lọc sóng gợn bằng tụ. Cách tính tụ với các mạch chỉnh lưu đi với mạch lọc.
 Mạch xén dùng diode thường và Zener.
 Mạch ổn áp dùng diode Zener.
 ...

CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 7/12

Bài tập
Các hằng số được sử dụng trong các câu hỏi: Trích bảng phân loại tuần hoàn:
k = hằng số Boltzman=8.62 x 10-5 eV/oK  Nhóm 3: B, Al, Ga, In
-19
q = 1.6 x 10 C (điện tích điện tử)  Nhóm 4: C, Si, Ge, Sn, Pb
S = 11.9 x 8.85 x 10-14 F/cm (hằng số điện môi bán dẫn Si)  Nhóm 5: N, P, As, Sb
VT = kT/q = 0.025V ở T=300oK
ni =1010/cm3 ở T=300oK (bán dẫn Si)
Chú ý:
 ĐS là viết tắt của “đáp số”.
 Qui ước:
o Với diode nếu không cho trị số của  thì hiểu ngầm  = 1.
o Không ghi nhiệt độ đang xét thì T=300oK.
o Mô hình sụt áp hằng của diode Si có VON = V = 0.7V
1. Với vật liệu bán dẫn có 4 điện tử hóa trị thì chất donor được pha vào để tạo bán dẫn loại N có số điện tử hóa
trị là:
a) 3 b) 4 c) 5
d) 6 e) cả 4 ĐS trên đều sai
2. Trong giản đồ năng lượng của bán dẫn loại N thì mức năng lượng ED nằm trong dãi cấm và nằm:
a) giửa dãi cấm b) gần EC c) gần EV
d) ở (EC +EV)/4 e) cả 4 ĐS trên đều sai
3. Trong bán dẫn loại N chỉ có một loại tạp chất donor. Khi tăng nồng độ tạp chất donor thì thế Fermi F sẽ:
a) âm hơn b) không đổi c) dương hơn
d) bằng 0 e) cả 4 ĐS trên đều sai
4. Công thức đặc trưng cho mọi chất bán dẫn ở trạng thái cân bằng nhiệt:
a) n = ni – pi b) np = ni2 c) np = ni + pi
d) n – p = ni + pi e) cả 4 ĐS trên đều sai
5. Một bán dẫn được pha tạp chất với nồng độ N >> ni và tất cả các tạp chất đều bị ion hóa. Người ta thấy bán
dẫn lúc này có các nồng độ p = N và n=ni2/N. Như vậy tạp chất là:
a) donor b) acceptor c) cách điện
d) dẫn điện e) cả 4 ĐS trên đều sai
6. Một mẫu bán dẫn Si được pha tạp chất với nồng độ 2 x 1015/cm3 nguyên tử Ga và nồng độ 1016/cm3 nguyên
tử As. Khi đó nồng độ điện tử n và nồng độ lỗ p (đơn vị là cm-3):
a) n=8x1015 và p=(1/8)x105 b) n=(1/7)x1015 và p=7x105 c) n=1016 và p=104
4 16
d) n=10 và p=10 e) cả 4 ĐS trên đều sai
7. Một mẫu bán dẫn Si được pha vào tạp chất B (Boron) với nồng độ 2.5 x 1013/cm3 và tạp chất As với nồng độ
1013/cm3. Khi đó vật liệu là bán dẫn:
a) loại P với p=1.5x1013/cm3 b) loại P với p=1.5x107/cm3 c) loại N với n=1.5x1013/cm3
7 3
d) loại N với n=1.5x10 /cm e) cả 4 ĐS trên đều sai
8. Một chuyển tiếp P-N (loại bước) có NA= 1017cm-3 và ND =1015cm-3. Khi đó tỉ số WP/WN với tiếp xúc P-N khi
chưa được phân cực là:
a) 0.1 b) 0.01 c) 10
d) 100 e) cả 4 ĐS trên đều sai
9. Người ta áp đặt điện trường E=5x103V/cm vào mẫu Si loại P (với NA=1017/cm3) thì thấy điện tử có vận tốc
trôi là 6x106cm/s. Khi đó trong bán dẫn này hệ số khuếch tán Dn là:
a) Dn = 35cm2/s b) Dn = 30cm2/s c) Dn = 25cm2/s
2
d) Dn = 20cm /s e) cả 4 ĐS trên đều sai
10. Với bán dẫn trực tiếp GaAs có khe năng lượng Eg = 1.42eV, khi có hiện tượng tái hợp điện tử-lỗ thì nó sẽ
sinh ra photon có bước sóng  là:
a) 820 nm b) 853 nm c) 873 nm
d) 956 nm e) cả 4 ĐS trên đều sai
11. Một diode có pha tạp chất NA=1017cm-3 bên P và ND=1015cm-3 bên N, biết ni= 1010cm-3. Diode này có các giá
trị p p và pn (đơn vị cm-3) là
a) pp = 1017 và pn =1015 b) pp = 1015 và pn =105 c) pp = 1017 và pn =102
17 5
d) pp = 10 và pn =10 e) cả 4 ĐSCuuDuongThanCong.com
trên đều sai

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 8/12

12. Thế Fermi của bán dẫn loại N có giá trị:
a) = 0 b) > 0 c) < 0
d) = (EC +EV)/2 e) cả 4 ĐS trên đều sai
13. Một chuyển tiếp P-N (loại bước) có NA= 1017cm-3 và ND =1015cm-3. Khi đó rào thế Vbi ở 27oC (biết ni =
1010cm-3 ) là:
a) 0.69 V b) 0.66 V c) 0.63V
d) 0.60 V e) cả 4 ĐS trên đều sai
14. Một chuyển tiếp PN Si có dòng điện bão hòa ngược I0 = 1.8 x10-12 A. Giả sử rằng =1.2 và RS=0, tìm dòng
điện trong tiếp xúc này khi điện áp phân cực thuận là 0.6V và nhiệt độ là 27oC:
a) 1.11 mA b) 1.03 mA c) 0.95 mA
d) 0.87 mA e) cả 4 ĐS trên đều sai
15. Một phiến bán dẫn Si được pha tạp chất thành bán dẫn loại P có NA=1015/cm3. Ở T  0oK, nồng độ điện tử và
nồng độ lỗ ở đkcb là bao nhiêu?
16. Một bán dẫn được pha tạp chất với nồng độ N >> ni và tất cả các tạp chất đều bị ion hóa. Người ta thấy bán
dẫn lúc này có các nồng độ n = N và p=ni2/N. Tạp chất là chất donor hay acceptor? Giải thích.
17. Nồng độ điện tử của miếng bán dẫn được giữ ở 300oK trong đkcb là 105/cm3. Khi đó nồng độ lỗ là bao nhiêu?
(biết Si có ni=1010/cm3 ở T=300oK)
18. Xác định nồng độ điện tử và lỗ ở đkcb trong bán dẫn Si được pha tạp chất đều dưới các điều kiện sau: (biết Si
có ni=1010/cm3 ở T=300oK)
a) T = 300oK, NA << ND, ND=1015/cm3.
b) T = 300oK, NA >> ND, NA=1016/cm3.
c) T = 300oK, NA = 9 x 1015/cm3, ND=1016/cm3.
19. Xét một mẫu Ge có 3 x 1015/cm3 nguyên tử Ga. Xác định các đại lượng sau ở nhiệt độ phòng cho mẫu này:
(biết Ge có ni= 2 x 1013/cm3 ở 300oK)
a) Loại hạt dẫn đa số.
b) Nồng độ hạt dẫn đa số.
c) Nồng độ hạt dẫn thiểu số.
d) Độ dẫn điện.
20. Lặp lại câu trên giả sử là ngoài 3 x 1015/cm3 nguyên tử Ga , cũng có 1016/cm3 nguyên tử As trong mẫu này.
21. Một mẫu Si loại P (với NA=1017/cm3) được giữ ở 300oK. Khi áp đặt điện trường E=5x103V/cm thì điện tử có
vận tốc trôi là 4x106cm/s. Hãy tìm điện trở suất của mẫu này. (biết µn = 800 cm2/Vs và µp = 330 cm2/Vs)
22. Hãy tìm biểu thức xác định điện trở của một thanh bán dẫn có chiều dài L, chiều cao H, chiều rộng W và độ
dẫn điện  (  được biểu diễn qua nồng độ n và p)

23. Tìm điện trở của thanh bán dẫn Si loại N có pha tạp chất donor ND=1016/cm3 và có kích thước L= 200m, H=
10m và W=10m.(biết Si có ni=1010/cm3 ở T=300oK).
24. Một thanh bán dẫn Si loại N có pha tạp chất donor ND=1017/cm3 và có kích thước L=200m, H=10m và
W=10m. Bán dẫn Si có ni=1010/cm3 và µn = 1450 cm2/Vs ở T=300 oK, khi đó thanh này có điện trở xấp xỉ là:
(giả sử ta cho nồng độ hạt dẫn thiểu số = 0)
a) 750  b) 780  c) 822 
d) 862  e) cả 4 ĐS trên đều sai
25. Diode nào sau đây mà khi sử dụng người ta phải phân cực ngược cho nó:
a) Chỉnh lưu b) Schottky c) LED
d) Zener e) cả 4 ĐS trên đều sai
26. Một chuyển tiếp P-N (loại bước) có NA= 1017cm-3 và ND =1015cm-3. Khi đó bề rộng miền nghèo W khi nó
được phân cực ngược VR=5V là:
a) 0.275 m b) 0.300 m c) 0.325 m
d) 0.350 m e) cả 4 ĐS trên đều sai
CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 9/12

27. Một diode ổn áp có điện áp đánh thủng VBR= –X1 Volt (X1 >0), khi nhiệt độ tăng thì VBR= –X2 Volt
(0<X2<X1). Từ đó ta suy ra diode này ổn áp dựa trên cơ chế đánh thủng:
a) thác lũ b) đường hầm c) do nhiệt
d) thác lũ và nhiệt e) cả 4 ĐS trên đều sai
28. Trong một mạch có diode, người ta thấy điện trở AC là rD = 2.5 , điểm tĩnh Q của diode này là: (biết dòng
bão hòa ngược I0 = 1.8 x10-12 A)
a) ID=10mA và VD=0.56V b) ID=12mA và VD=0.65V c) ID=10mA và VD=0.70V
d) ID=12mA và VD=0.56V e) cả 4 ĐS trên đều sai
29. Trong hình sau các diode được phân cực:
a)D1 thuận; D2 thuận b) D1 thuận; D2 ngược c) D1 ngược; D2 ngược
d)D1 ngược; D2 thuận e) cả 4 ĐS trên đều sai

30. Trong mô hình AC của một diode, người ta thấy điện trở rD = 5 , khi đó điện dung khuếch tán CD của diode
này là (biết thời gian đi qua diode là T=10 ns):
a) 2 nF b) 4 nF c) 6 nF
b) 8 nF e) cả 4 ĐS trên đều sai
31. Một diode biến dung có điện dung miền nghèo khi chưa phân cực là CJ0=100pF, ta muốn có CJ = 50pF thì
dùng điện áp ngược VR (sụt áp đặt trên diode VD = –VR) là: (biết thế nội khuếch tán Vbi=0.7V)
a) 3.5 V b) 3.1 V c) 2.5 V
d) 2.1 V e) cả 4 ĐS trên đều sai
32. Xác định xem diode nào được phân cực thuận hay phân cực ngược trong các hình BT.1 và BT.2

Hình BT.1 HìnhBT.2

33. Cho mạch ở hình BT.3, giả sử VON=0.7V với diode Si và VON=0.3V với diode Ge. Áp dụng mô hình diode sụt
áp hằng, hãy tìm dòng điện I khi:
a) Cả hai diode D1 và D2 là diode Si.
b) D1 loại Si và D2 là loại Ge.

Hình BT.3 Hình BT.4 Hình BT.5

34. Với mạch hình BT.4, hãy tính I, VR và VD với mô hình diode:
a) lý tưởng
b) sụt áp hằng với VON=0.7V
c) đầy đủ với rF=50 và VON=0.7V
35. Cho mạch ở hình BT.5, hãy tìm dòng điện qua diode D1 và dòng điện qua D2, giả sử dùng mô hình diode sụt
áp hằng với VON=0.7V.
36. Hãy tìm IX và VX (điện thế so với điện thế đất) ở 2 trường hợp của mạch ở hình BT.6 với mô hình sụt áp hằng
có VON=V = 0.6V.

CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 10/12

 a) b)
Hình BT.6 Hình BT.7 Hình BT.8
37.Hãy xác định các tham số trong mạch IA và IB (hình BT.7) nếu VA có các giá trị: +2V, +1V, 0V, –0.1V, –1V
với: a)Vγ=0 ; b) Vγ=0.7V
38. Một mạch ổn áp đơn giản được cho ở hình BT.8. Dòng điện tải IL thay đổi trong tầm:10mA..20mA. Tính R để
diode zener vẫn ở trong miền ổn định (giả sử Izmax=20mA) khi điện áp vào VS thay đổi trong tầm:10V..12V. iode
Zener có VZ= 6V và rZ=10Ω.
39. Cho mạch ổn áp ở hình BT.9 với VS = 6V, R=20 và Zener có VZ=5V, IZmin=10mA và IZmax=40mA. Để cho
mạch vẫn còn ổn áp thì điện trở tải RL phải thuộc dải giá trị:
a) 25 < RL < 500 b) 125 < RL < 500 c) 125 < RL < 750
d) 25 < RL < 1500 e) cả 4 ĐS trên đều sai
40. Cho mạch ổn áp ở hình BT.9 với VS = 6.3V, R=12 và Zener có VZ=4.8V, IZmin=5mA và IZmax=100mA. Để
cho mạch vẫn còn ổn áp thì dòng IL qua RL phải thuộc dải giá trị:
a) 5mA < IL < 130mA b) 10mA < IL < 110mA c) 25mA < IL < 120mA
d) 25mA < IL < 150mA e) cả 4 ĐS trên đều sai
41. Cho mạch ở hình BT.10, dùng mô hình diode sụt áp hằng để xác định IX và VX trong mạch
a) IX =2.15mA và VX =4.3V b) IX =2.5mA và VX =5V c) IX = 0mA và VX = –4V
d) IX =2.65mA và VX =5.3V e) cả 4 ĐS trên đều sai
42. Cho mạch ở hình BT.11, dùng mô hình diode sụt áp hằng để xác định IX và VX trong mạch
a) IX =0.86mA và VX =5V b) IX =0mA và VX =5V c) IX = 0.36mA và VX = 0V
d) IX =0mA và VX = –1.2V e) cả 4 ĐS trên đều sai

BT.9 BT.10 BT.11

43. Tìm điện trở suất của bán dẫn thuần Si ở 300K biết µn=1300 cm2/Vs và µp=500 cm2/Vs.
44. Một thanh Si thuần có tiết diện ngang là 2.5 x 10-4m2 , nồng độ điện tử là 1.5 x 1016/cm3. Thanh Si này có
chiều dài bao nhiêu để cho khi có sụt áp 9V trên nó thì dòng điện qua thanh này là 1.2mA (giả sử µn=0.14
m2/Vs và µp=0.05m2/Vs.
45. Sụt áp trên diode Si ở nhiệt độ phòng 300K là 0.71V khi có dòng 2.5mA chạy qua nó. Nếu điện áp tăng lên
0.8V thì dòng diode mới là bao nhiêu? Biết diode này có  =2.
46. Một diode làm việc ở 300K có sụt áp là 0.4V và dòng qua nó là 10 mA. Khi sụt áp này được đổi thành 0.42V
thì dòng diode tăng gấp đôi. Tính giá trị dòng bão hòa ngược và  của diode.
CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 11/12

47. Dòng bão hòa ngược I0 của diode Si là 3 nA ở 27oC, biết dòng I0 tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng thêm 10oC và
diode có  =2. Hãy tìm:
a) Dòng bão hòa ngược ở 82oC.
b) Dòng điện thuận ở 82oC nếu sụt áp thuận trên nó là 0.25V.
48. Xác định nồng độ n và p của mẫu bán dẫn Ge ở 300K, biết mẫu này được pha tạp chất donor với nồng độ là 2
x 1014/cm3 và nồng độ acceptor là3 x 1014/cm3 . Đây là bán dẫn P hay N? (Ge có nồng độ hạt dẫn nội tại thỏa
ni2 = 6.25 x 1026/cm3)
49. Tìm các nồng độ n và p của bán dẫn Ge loại P ở 300K, biết Ge có ni=2.5 x 1013/cm3, độ dẫn điện của mẫu này
là 100 S/cm và µp=500 cm2/Vs

CuuDuongThanCong.com

HDOT (Kiểm tra giữa HK AY1011-S1)-DCBD–Trang 12/12