ĐHBK TP HCM–KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ

BỘ MÔN ĐIỆN TỬ
GV: Hồ Trung Mỹ
Hướng dẫn ôn thi LT môn Vật lý bán dẫn – HK182
Chú ý: Đề thi trắc nghiệm (không cho sử dụng tài liệu) với tổng số câu tối thiểu là 50 và số đề từ 4 đến 8

Chương 4. Chuyển tiếp PN

· Chuyển tiếp PN
o Kể tên 4 bước chính trong quá trình planar để chế tạo chuyển tiếp PN. Tác dụng của lớp SiO2 là gì?
o Định nghĩa của chuyển tiếp PN loại bước (step), loại biến đổi đều (graded)
o Sự tạo thành chuyển tiếp PN:

Hình 4.1 (a) Các bán dẫn (được

pha tạp chất đều) loại P và N
trước khi tạo thành chuyển tiếp.
(b) Điện trường trong miền nghèo
(depletion region) và giản đồ dải
năng lượng của chuyển tiếp p-n ở
điều kiện cân bằng nhiệt

· Chuyển tiếp PN chưa có phân cực (với chuyển tiếp bước) (chuyển tiếp PN ở điều kiện cân bằng)
o sự hình thành miền nghèo-chuyển động của hạt dẫn?
o miền nghèo, miền trung hòa.
Thế nội khuếch tán Vbi (hay f B ) hay rào thế Miền điện tích không gian (miền nghèo)
NAWP = NDWN
kT æ NDNA ö æ nn 0 ö æ pp 0 ö
Vbi = ln ç ÷ = VT ln ç ÷ = VT ln ç ÷ 1
q çè ni ÷ø è np 0 ø Vbi = EmW
2
è pn 0 ø 2
Chú ý: Em là điện trường cực đại tại giao
2e SVbi æ 1 1 ö
tiếp của P và N, W là bề rộng miền nghèo của W = WP + WN = ç + ÷
chuyển tiếp PN, WP (còn gọi là xp) là bề rộng q è N A ND ø
miền nghèo bên bán dẫn P và WN (còn gọi là qN DWN qN AWP
xn) là bề rộng miền nghèo bên bán dẫn N, và Em = =
eS eS
es là hằng số điện môi của bán dẫn.

Các phân cực có thể có ở chuyển tiếp PN

Làm sao nhận biết chuyền tiếp PN đang ở tình trạng: không phân cực, phân cực thuận, hay phân cực
ngược? (dựa vào VA = VP – VN, với VP là điện thế tại P [anode] và VN là điện thế tại N [cathode])
· Chuyển tiếp PN được phân cực thuận (forward bias) (với chuyển tiếp bước)
o Phân cực thuận? (VP > VN).
o Khi phân cực thuận tăng thì : miền nghèo giảm và điện trở miền nghèo giảm.
2e S (Vbi - VF ) æ 1 1 ö
W= ç + ÷ với Vbi > VF > 0 là điện áp thuận trên diode
q è A
N N D ø

o Dòng điện thuận do các thành phần hạt dẫn nào tạo thành, đa số hay thiểu số?
o Phương trình dòng điện qua chuyển tiếp PN được phân cực thuận:
( )
IF = I 0 eVA /VT - 1

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 1/14
 với I0 (còn được gọi là IS) là dòng điện bão hòa ngược và khi nhiệt độ tăng thì I0 tăng.

(a) Chuyển tiếp PN với phân cực thuận (b) Chuyển tiếp PN với phân cực ngược

· Chuyển tiếp PN ở phân cực ngược (reverse bias) (với chuyển tiếp bước)
o Phân cực ngược? (VP < VN)..
o Dòng điện ngược: IR » I0 (khi nhiệt độ tăng thì I 0 tăng)
o Bề rộng miền nghèo tăng lên
(với điện áp ngượcVR: VBR (điện áp đánh thủng) > VR > 0, điện áp đặt vào diode là VA= –VR < 0)
2e S (Vbi + VR ) æ 1 1 ö
W= ç + ÷
q è NA ND ø
· Dòng điện sinh tái hợp
Dòng điện tái hợp thắng thế ở phân cực thuận thấp và dòng điện khuếch tán thắng thế ở phân cực thuận cao
hơn.
(
IF = I 0 eVA /hVT - 1 )
với h là hệ số lý tưởng (hệ số phát xạ) có trị từ 1 đến 2 tùy theo vật liệu chế tạo, thí dụ với Ge là 1, với Si là 1.1
hoặc từ 1.2 đến 2
o xem hình 4.4 các độ dốc khác nhau do cái gì ảnh hưởng?
o tác động của h đến đặc tuyến I-V như thế nào?

Hình 4.4 Dòng diode dạng

semilog ( ln I = f(V) ) ở phân cực
thuận
(Với e=điện tích điện tử; kB=hằng
số Boltzmann; rS= điện trở khối)).

· Điện trở vật liệu khối RS

(
I F = I 0 e (V A - I F RS )/VT - 1)
tác động của RS đến đặc tuyến I-V như thế nào?
· Điện dung miền nghèo của chuyển tiếp PN
Xét chuyển tiếp PN với phân cực ngược (VA= –VR < 0): hình thành điện dung miền nghèo.
Điện dung miền nghèo trên một đơn vị diện tích mặt cắt ngang Cdep (F/cm2) (còn gọi là Cj):
eS 2e S (Vbi + VR ) æ 1 1 ö
Cdep = với W = ç + ÷
W q è NA ND ø
khi áp ngược VR tăng thì Cdep giảm và ngược lại. Người ta ứng dụng hiệu ứng này để chế tạo diode biến
dung (varicap hay varactor).

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 2/14
· Các mô hình diode: (chưa kể đến vùng đánh thủng)

· Mô hình diode tín hiệu nhỏ với tần số thấp:

Phân cực với VDQ < VON VDQ ³ VON

Mạch tương đương

rr điện trở ngược > 10 MW với rd là điện trở AC của diode

Chú ý: Với tần số cao thì có thêm điện dung khuếch tán CD song song với điện trở.

· Điện trở động rD và điện trở tĩnh RD của diode

o Điện trở động rD hay rd (còn gọi là điện trở AC)
dVD VT VT kT
rD = = = = (ở T=300oK thì rD » 0.025V/ID)
dID ID IQ qIQ
với VD, ID là áp và dòng qua diode, IQ là ID ở điểm làm việc Q.
o Điện trở tĩnh RD (còn gọi là điện trở DC): RD=VD/ID=VQ/IQ

· Điện dung chuyển tiếp PN

o với phân cực ngược: có điện dung chuyển tiếp CJ [F] (J = junction=chuyển tiếp) )
e A
CJ = AC
. dep = S
W
với A: diện tích mặt cắt ngang; eS hằng số điện môi bán dẫn; W: bề rộng miền nghèo.

Hình 4.6 Điện dung của diode chuyển tiếp PN với phân cực ngược VA = –VR (Chú ý : V0 = Vbi)
HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 3/14
 I Dt T
o với phân cực thuận: có điện dung khuếch tán CD [F]: CD @
VT
với tT là thời gian đi qua diode (còn gọi là thời gian chuyển tiếp [T=transit])

· Chuyển tiếp kim loại-bán dẫn (MS)

o dễ chế tạo, ứng dụng làm chuyển tiếp chỉnh lưu tốc độ cao (diode Schottky) và tiếp xúc Ohm.
o Đặc tính điện (I-V)
Ø Chỉnh lưu (rào Schottky º S)
Ø Không chỉnh lưu (tiếp xúc Ohm º O)
o Chọn lựa kim loại và bán dẫn để có đặc tính điện mong muốn
Công thoát qf (eV) là hiệu số của mức năng
lượng chân không (Evac) và mức Fermi EF.
(Công thoát f (V) = (Evac – EF)/q )
Ø fm : công thoát của kim loại
Ø fn : công thoát của bán dẫn N
Ø fp : công thoát của bán dẫn P

· Các loại diode khác

o Diode chỉnh lưu: diode tiếp xúc PN thông thường
- chỉnh lưu: cho dòng điện đi qua 1 chiều (từ anode sang cathode)
- thường thì có điện áp đánh thủng lớn.
o Diode ổn áp (còn gọi là diode Zener)
- Sử dụng hiệu ứng đánh thủng Zener và/hoặc hiệu ứng đánh thủng thác lũ.
- Xem lại ảnh hưởng của nhiệt độ? Với điện áp đánh thủng VBR= –VZ (với VZ>0) thì TCVZ < 0 với
đánh thủng Zener và TCVZ > 0 với đánh thủng thác lũ.
o Diode biến dung (varicap hay varactor)
- ứng dụng điện dung tiếp xúc CJ = f(VR), khi VR tăng thì CJ giảm (phân cực ngược VA = –VR < 0)
(xem hình 4.6).

Hình 4.7 Mô hình diode Zener với phân cực ngược VR > VZ0
o Diode Schottky
- tạo từ chuyển tiếp M-S (M=Metal=kim loại và S=Semiconductor=bán dẫn) có tính chỉnh lưu, thí
dụ M là platinum và S là bán dẫn loại N hình thành diode Schottky với Anode bên M và cathode bên
S.
- Hãy kể thêm các kim loại khác ngoài Platinum?
- có rào thế nhỏ ( ~ từ 0.2V đến 0.3V)
- hoạt động tắt/dẫn ở tốc độ chuyển mạch cao.
· Các ứng dụng của diode
o Mạch chỉnh lưu: bán kỳ, toàn sóng, và chỉnh lưu. Sơ đồ và các công thức
o Mạch lọc sóng gợn bằng tụ. Cách tính tụ với các mạch chỉnh lưu đi với mạch lọc.
o Mạch xén dùng diode thường và Zener.
o Mạch ổn áp dùng diode Zener.
o ...

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 4/14
Chương 5. BJT (TRANSISTOR TIẾP XÚC LƯỠNG CỰC)
· Tại sao có tên gọi lưỡng cực? tiếp xúc (hay chuyển tiếp hay mối nối)?
· Cấu tạo BJT loại NPN và loại PNP.Ký hiệu jE, jC. Nồng độ tạp chất của các miền?

Hình 5.1 Ký hiệu của hai loại BJT: (a) PNP và (b) NPN.
· Ở ký hiệu BJT thì mũi tên ở cực E có ý nghĩa gì?
· Các dòng điện trong BJT ở chế độ tích cực [thuận]:

· Dòng điện rĩ (rò) ICBO (dòng từ C đến B với E hở mạch) và ICEO (dòng từ C đến E với B hở mạch) trong
BJT (nhiệt độ tăng dẫn đến dòng rĩ tăng)
o cấu hình CB: IC = aIE + ICBO
o cấu hình CE: IC = bIB + ICEO với ICEO = ICBO/(1-a)
· Hệ số vận chuyển miền nền B, hiệu suất cực phát gE? Chúng phụ thuộc như thế nào với các tham số của
BJT (nồng độ tạp chất, bề rộng miền nền)?
BJT tốt có B, gE tiến gần tới 1.
o Hiệu suất cực phát gE
I EP p D W
g e » 1- = 1 - e0 E B
I EN nb 0 DB LE
với pe0 = ni2/NDE ; nb0 = ni2/NAB ; WB = bề rộng miền nền
DE = hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E = Dp
DB = hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B = Dn
LE = chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E = Lp

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 5/14
 Thay các biểu thức trên vào ge , ta có dạng biểu diễn khác của ge như sau:

N AB D p WB
g e » 1-
N DE Dn Lp
o Hệ số vận chuyển miền nền B
2
1 æW ö
B » 1 - ç Bn ÷
2 è LB ø
với WBn= bề rộng miền nền phần trung hòa » WB
LB = chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B = Ln
· độ lợi dòng điện cực nền chung a = B.gE = IC/IE
· độ lợi dòng điện cực phát chung b = a / (1– a ) = IC/IB
o b cao cần: tốc độ tái hợp thấp ở miền nền và thời gian chuyển tiếp (đi qua) ngắn ở miền nền
o b phụ thuộc vào IC và nhiệt độ.
o b DC : bdc = IC/IB với IC, IB là dòng DC
o b AC: bac = DIC/DIB với DIC, DIB là sự thay đổi của IC, IB do dòng tín hiệu AC

· Các chế độ làm việc (chế độ hoạt động) của BJT và đặc điểm của chúng:

Chú ý:
o Với BJT NPN Si thì VON = 0.7V, VBEsat = 0.7–0.8V, và VCEsat » 0.2V.
o bR là b ở chế độ tích cực ngược.
o SV tự suy ra cách nhận biết với BJT PNP.
· Mô hình tín hiệu lớn của BJT (TD: xét BJT Si loại NPN)

a) Tích cực b) Bão hòa c) Tắt

(hay Tích cực (VBE,sat=0.7V à 0.8V)
thuận)
Hình 5.2 Mô hình tín hiệu lớn của BJT SI loại NPN trong các chế độ hoạt động khác nhau

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 6/14
· Các cấu hình mắc BJT: (Như 1 mạng 4 cực với: Bên trái là mạch vào và Bên phải là mạch ra)

a) CB = Common Base = B chung b) CE=Common Emitter=E chung c) CC=Common collector=C chung

Hình 5.3 Các cách mắc BJT NPN trong mạch
Hãy nêu đặc điểm của các cách mắc với ứng dụng khóa điện tử và mạch khuếch đại?

· Phương trình các dòng điện trong BJT NPN ở chế độ tích cực thuận:
Dòng [điện ở cực] thu IC Dòng [điện ở cực] nền IB Dòng [điện ở cực] phát IE
æ VBE
ö VBE
IC IS
VBE
I IC IS
VBE

IC = I S ç e VT
- 1÷ » I S e VT
= b I B = a IE IB = = e VT
= E IE = = e VT
= ( b + 1) I B
ç ÷ b b b +1 a a
è ø
qAE Dn ni2
với IS là dòng bão hòa: I S =
N AWBn
trong đó AE là diện tích mặt cắt ngang tại miền phát, NA là nồng độ tạp chất Acceptor tại miền nền và WBn là bề
rộng phần trung hòa trong miền nền.

· Các đặc tuyến dòng-áp (I-V)của BJT

a) Đặc tuyến vào b) Đặc tuyến ra

Hình 5.4 Các đặc tuyến vào và ra của BJT NPN mắc CE

· Ảnh hưởng của nhiệt độ đến các đặc tuyến của BJT (TD với BJT NPN)

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 7/14
· Điều chế miền nền: Xét BJT NPN phân cực ở chế độ tích cực [thuận] (khuếch đại), nếu VCE tăng Þ bề
rộng hiệu dụng của miền nền giảm Þ dòng IC tăng. Nghĩa là bề rộng miền nền bị thay đổi (điều chế) khi
điện áp VCE thay đổi.
· Điện áp Early VA: giá trị điện áp tại điểm nằm trên trục hoành mà mọi đường cong IC theo VCE (ở phần
khuếch đại) đều đi qua điểm này.
Độ dốc tại điểm làm việc Q:
dIC ICQ ICQ
= » (nếu VA >> VCEQ)
dVCE VCEQ + VA VA

Khi đó dòng IC:

æ VCE ö
VBE

IC = I S e VT
ç1 + ÷
è V A ø

· Điện áp đánh thủng BVCBO , BVCEO

o CB: BVCBO (điện áp đánh thủng giữa C và B khi hở mạch E) không bị ảnh hưởng bởi IE.
o CE: BVCEO bị ảnh hưởng bởi IB (IB tăng thì BVCEO giảm)

Hình 5.5 Một thí dụ về đánh thủng ở BJT

· Khóa điện tử dùng BJT : Khóa mở với BJT tắt (OFF) – Khóa đóng với BJT bão hòa (ON)

a) Khóa điện tử dùng BJT NPN b) Khóa điện tử dùng BJT PNP
v Do điện tích chứa tại JC khi bão hòa nên giảm tốc độ chuyển mạch của BJT khi chuyển từ bão hòa sang
tắt. VP
· Transistor Schottky:
Cấu tạo Mạch tương đương Ký hiệu Đặc điểm
· Giảm điện tích chứa
tại JC khi BJT bão hòa
vì diode Schottky có
VON nhỏ hơn VON của
chuyển tiếp PN.
· Tăng tốc độ chuyển
mạch

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 8/14
· Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT (tần số trung bình)

(a) Mô hình p (mắc CE)

(b) Mô hình T (nếu không bỏ qua ro được thì sẽ có điện trở ro nối từ C đến E)

· Mô hình tần số cao của BJT ở chế độ tích cực: (Cp = Cbe, Cm = Cbc)

Tần số cắt fT (khi đó bac =1)

1 gm
fT = fa = » b0 f b =
2pt ec 2p ( Cp + Cm )
với t ec là thời gian điện tử đi từ E đến C với BJT NPN mắc CB ở chế độ tích cực, fa và f b là các tần số mà ở
đó aac và bac giảm đi 2 so với trị số ở tần số thấp, và b 0 (»bdc=hFE) là giá trị của bac ở tần số thấp.

· Mô hình tham số h. Các tham số h cho BJT cấu hình CE:

¶vBE v V V
hie º rp º rbe º = be = b ac re' = b T » b T
¶iB VCE ib vCE =0 I EQ ICQ
¶iC i
h fe º b ac º = c = g m hie
¶iB VCE ib vCE =0
I 1
g m = CQ = '
VT re
1 ¶vCE v VA + VCEQ VA
rc º rO º º = ce = » (nếu VA >> VCEQ)
hoe ¶iC IB ic iB = 0 I CQ I CQ
Chú ý: bdc = hFE = IC/IB ; bac = hfe = ic/ib (ở tần số thấp và trung bình: bac » bdc=b)

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 9/14
· Gương dòng điện (Current mirror)
Mạch Điều kiện để là nguồn dòng Phương trình
Dòng hằng qua tải:
1. Q1 và Q2 có đặc tính giống nhau I
2. Q1 (được mắc như diode) và Q2 I OUT = R
2
luôn ở chế độ tích cực thuận (dẫn 1+
b
đến có giới hạn với điện trở tải RL)
(Iout » IR nếu b >> 1)
Chú ý: VCC và VEE > 0 với dòng chuẩn IR:
VCC + VEE - VBE
IR =
R
Giới hạn của tải RL là
VCC + VEE - VCE , sat
0 £ RL <
I OUT

· Thyristor: là dụng cụ công suất quan trọng, được thiết kế để xử lý điện áp cao và dòng điện lớn.
o Diode 4 lớp p-n-p-n
Cấu tạo Đặc tuyến dòng-áp của diode p-n-p-n

o SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Cấu tạo của SCR Ký hiệu Đặc tuyến dòng-áp của SCR

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 10/14
Chương 7. MOSFET
· Giới thiệu
Ø MOSFET có cách lý giữa cổng và kênh dẫn bằng lớp cách điện, thành phần cơ bản là kim loại (M = Metal) là
Al hay polysilicon (n+ hoặc p+), lớp cách điện SiO2 (O = Oxide), và bán dẫn (S = semiconductor).
Ø Các tên gọi khác của MOSFET là MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor), IGFET (Insulated Gate FET).
Ø Nguyên tắc hoạt động của FET là dòng hạt dẫn từ nguồn điện máng được điều khiển bằng điện áp cổng hay
điện trường cổng. Điện trường này làm cảm ứng điện tích trong bán dẫn ở giao tiếp bán dẫn-oxide.

· Cấu trúc của MOSFET

MOSFET loại giàu MOSFET loại nghèo
(còn gọi là MOSFET kênh dẫn chưa lắp sẵn) (còn gọi là MOSFET kênh dẫn lắp sẵn)

Ký hiệu của EMOS:

N-EMOS P-EMOS

· Mô tả định tính hoạt động của N-EMOS

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 11/14
· Các chế độ phân cực cho tụ MOS trong N-EMOS
Có 3 chế độ phân cực quan trọng cho tụ MOS:
o Tích lũy lỗ (Hole Accumulation): khi phân cực âm giữa kim loại và bán dẫn (VGS < VFB < 0, VFB là
điện áp dải phẳng), tại giao tiếp giữa bán dẫn và cách điện sẽ có tích lũy lỗ.
o Nghèo (Depletion): khi phân cực dương giữa kim loại và bán dẫn (VFB < VGS < VTN, VTN > 0), tại
giao tiếp giữa bán dẫn và cách điện sẽ các lỗ bị đẩy xuống dưới hình thành miền nghèo.
o Đảo ngược (Inversion): khi phân cực dương giá trị đủ lớn giữa kim loại và bán dẫn (VGS > VTN),
các điện tử được hút vào miền gần giao tiếp giữa bán dẫn và chất cách điện, do đó hình thành nên kênh
dẫn điện tử (kênh N) trong bán dẫn P.

· Cấu trúc N-EMOS

Vật liệu dùng cho bản cực dẫn điện thường dùng Silicon đa tinh thể được pha tạp chất rất nhiều (còn được gọi
là polysilicon hay polySi hay poly). Vật liệu cách điện thông thường là SiO2. Để tối thiểu hóa dòng điện giữa
miền thân và miền S(source)/D(drain) người ta thường nối miền thân với cực nguồn.

· Sự tạo thành kênh dẫn trong N-EMOS

Sự tạo thành kênh dẫn N Sự ảnh hưởng của chiều dài kênh dẫn L và
chiều rộng kênh dẫn W

· MOSFET được gọi là MOSFET kênh ngắn khi

L < 1mm, trong IC người ta thường dùng
MOSFET kênh ngắn.
· MOSFET được gọi là MOSFET kênh dài khi
L > 1mm

· Các miền hoạt động của N-EMOS với VGS > VTN
Miền tuyến tính (miền Ohm hay miền triode) Miền bão hòa (hay miền tích cực)
(VDS < VDS,sat=VGS–VTN) (VDS ³ VDS,sat=VGS–VTN)
· Ở cạnh miền bão hòa VDS=VDS,sat

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 12/14
 Khi VDS nhỏ (có thể hoán đổi D và S) thì có thể xem · Ở miền bão hòa VDS ³ VDS,sat
như điện trở được điều khiển bằng áp (VGS3> VGS2>
VGS1>VTN)

Khi VDS tăng, điểm nghẹt di chuyển về phía cực nguồn

· Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của N-EMOS

Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến ra

BVDSS= điện áp đánh thủng giữa DS khi ngắn mạch ở cổng

Các phương trình dòng điện máng ID trong N-EMOS
· VGS £ VTN : miền tắt Þ ID=0
· VGS > VTN : (VDS,sat = VGS – VTN )
o 0 < VDS < VDS,sat : miền tuyến tính (còn gọi là miền Ohm, miền điện trở hay miền triode)
Wé 2
VDS ù
I D = mnCox ê(VGS - VTN ) VDS -
Lë 2 úû
với mn là độ linh động điện tử và Cox là điện dung lớp cách điện trên 1 đơn vị diện tích.
Nếu VDS = 2 (VGS - VTN ) thì ID là hàm tuyến tính theo VDS : (có thể hoán đổi D và S)
W
I D = m n Cox (VGS - VTN )VDS
L
1
Khi đó MOSFET tương đương với điện trở RDS (RON hay RDS,ON): RDS =
W
mn Cox(VGS - VTN )
L
1 W
o VDS ³ VDS,sat = VGS –VTN : miền bão hòa (còn gọi là miền tích cực) với I D = m n Cox (VGS - VTN )
2

2 L

Người ta thường ứng dụng miền tắt và tuyến tính cho MOSFET làm khóa điện tử, và miền bão hòa cho MOSFET
làm phần tử khuếch đại tín hiệu hoặc làm nguồn dòng.
· Một số đặc tính không lý tưởng của MOSFET (Xét N-EMOS ở miền bão hòa)
o Điều chế chiều dài kênh dẫn: tương tự hiệu ứng Early trong BJT, khi tăng VDS thì điểm nghẹt dịch chuyển
về miền nguồn, dẫn đến chiều dài kênh dẫn hiệu dụng nhỏ hơn hay dòng ID tăng lên. Khi đó phương
trình dòng điện máng có dạng
1 W 1
I D = m n Cox (VGS - VTN ) (1 + lVDS ) với l =
2
và VA là điện áp Early
2 L VA
o Hiệu ứng thân: khi tăng VSB làm điện áp ngưỡng VTN tăng Þ ảnh hưởng đặc tuyến I-V.
HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 13/14
 o Ảnh hưởng của nhiệt độ: khi T tăng Þ VTN và độ linh động giảm Þ dòng ID giảm
o Sự bão hòa vận tốc: khi kích thước transistor giảm, độ dày làm oxide mỏng hơn Þ vận tốc điện tử bão
1 W
hòa và lúc phương trình dòng ID: I D = m n Cox (VGS - VTN ) với a=1à 2, tùy theo công nghệ.
a

2 L
· Mô hình tín hiệu lớn của N-EMOS (dùng để phân tích tổng quát hay tính điểm tĩnh)

· Mô hình tín hiệu nhỏ của N-EMOS (khi N-EMOS làm việc ở miền bão hòa và vgs < 0.2 (VGS - VTN ) )
Mô hình p Mô hình T Tần số cao

Hỗ dẫn gm:
dI D id W
gm = = = m nCox (VGS - VTN )
dVGS v gs L gm
Tần số cắt fT =
Q

Điện trở ra ro: 2p ( C gs + C gd )

¶VDS vds VA + VDSQ VA
ro = = = »
¶I D Q
id I DQ I DQ
o Các cách mắc MOSFET: CS, CD và CG.
o Các ứng dụng tiêu biểu của MOSFET là khóa analog, điện trở được điều khiển bằng áp, nguồn dòng và
phần tử khuếch đại tín hiệu trong mạch khuếch đại.
· Tóm tắt quan hệ dòng-áp của MOSFET
NMOS PMOS
Miền tắt (VGS £ VTN): ID = 0 Miền tắt (VGS ³ VTP): ID = 0
Miền triode (VGS > VTN và 0 £ VDS < VDS,sat) Miền triode (VGS < VTP và 0 ³ VDS > VDS,sat)
é V2 ù W é V2 ù W
I D = K n ê(VGS - VTN ) VDS - DS ú với K n = m n Cox I D = K p ê(VGS - VTP ) VDS - DS ú với K p = m p Cox
ë 2 û L ë 2 û L
Miền bão hòa (VGS > VTN và VDS ³ VDS,sat) Miền bão hòa (VGS < VTP và VDS £ VDS,sat)
K Kp
I D = n (VGS - VTN ) (VGS - VTP )
2
ID =
2

2 2
g m = K n (VGSQ - VTN ) = 2 K n I DQ g m = - K p (VGSQ - VTP ) = 2 K p I DQ
Điểm chuyển tiếp VDS,sat = VGS – VTN Điểm chuyển tiếp VDS,sat = VGS – VTP
Loại giàu: VTN > 0 Loại giàu: VTP < 0
Loại nghèo: VTN < 0 Loại nghèo: VTP > 0

HD ôn thi-VLBD-HK182–Trang 14/14