Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT

Baøi 6: TRANSISTOR (tt)

B: PHAÂN CÖÏC BJT

Nhö ñaõ bieát transistor phaûi ñöôïc phaân cöïc ñeå hoaït ñoäng nhö moät boä khueách ñaïi. Muïc
ñích cuûa phaân cöïc DC laø ñeå thieát laäp giaù trò doøng vaø aùp cuûa transistor khoâng ñoåi ñöôïc goïi laø
ñieåm hoaït ñoäng DC hay ñieåm laøm vieäc tónh.

I. Muïc ñích cuûa phaân cöïc:

Ñieåm hoaït ñoäng phaûi ñöôïc xaùc ñònh sao cho tín hieäu AC taïi ngoõ vaøo phaûi ñöôïc khueách
ñaïi vaø taùi taïo chính xaùc taïi ngoõ ra. Phaân cöïc khoâng thích hôïp seõ gaây ra meùo daïng tín hieäu ôû
ngoõ ra.

Khueách ñaïi tuyeán tính  phaân cöïc thích hôïp

Phaân cöïc ngoõ ra bò meùo ñieåm tónh quaù gaàn ñieåm thaét

Phaân cöïc ngoõ ra bò meùo ñieåm tónh quaù gaàn ñieåm baõo hoøa

II. Ñieåm laøm vieäc tónh:

Ñieåm laøm vieäc tónh hay coøn goïi laø ñieåm Q (Quiescence point).
1. Phaân tích ñoà thò:
Transistor ñöôïc phaân cöïc vôùi VCC vaø VBB ñeå ñònh giaù trò cho IB, IC, IE vaø VCE. Ñöôøng ñaëc
tuyeán collector cho transistor nhö hình veõ vaø chuùng ta seõ duøng hình aûnh naøy ñeå minh hoïa aûnh
höôûng cuûa phaân cöïc DC. Ñeå thöïc hieän ñieàu naøy chuùng ta seõ thay ñoåi giaù trò IB vaø quan saùt söï
thay ñoåi cuûa IC vaø VCE.

RC
IC 200Ω
2

RB
1
VCC
10KΩ
VBB IE 0 ÷ 10V
β = 100
3

0 ÷ 5V

53
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT

IC DC load line
(mA)
50
Q2 400μA
40
30 Q1 300μA
20 Q3
200μA

2 4 6 10 VCE(V)

Ta thay ñoåi VBB ñeå IB = 300μA  IC = 30mA vaø VCE = 4V  Q1

IB = 400μA  IC = 40mA vaø VCE = 2V  Q2
IB = 200μA  IC = 20mA vaø VCE = 6V  Q3

2. Ñöôøng taûi DC: (DC load line)

Löu yù raèng khi IB taêng leân thì IC taêng leân vaø VCE giaûm xuoáng. Khi IB giaûm thì IC giaûm vaø
VCE taêng leân. Vì theá, khi VBB thay ñoåi, ñieåm tónh Q cuûa transistor di chuyeån theo ñöôøng thaúng
goïi laø ñöôøng taûi DC.
 Khi VCE = VCC = 10V, transistor taét bôûi vì IB vaø IC =0. Thöïc teá coù moät doøng ngöôïc
ICBO raát nhoû neân VCE < 10V.
V
 Khi IC = 50mA, transistor baõo hoøa bôûi vì IC ñaït cöïc ñaïi, VCE =0 vaø I C  CC . Thöïc
RC
teá coù 1 ñieän aùp raát nhoû VCE(sat) # 0 vì theá IC < 50mA.
3. Hoaït ñoäng tuyeán tính cuûa transistor:
Vuøng doïc theo ñöôøng taûi bao goàm taát caû caùc ñieåm giöõa vuøng caét vaø vuøng baõo hoøa ñöôïc
goïi laø vuøng tuyeán tính. Transistor hoaït ñoäng trong vuøng naøy, ñieän aùp ngoõ ra laø söï taùi taïo tuyeán
tính cuûa ñieän aùp ngoõ vaøo.

+10V IC
A
RC 200Ω ICQ Q
B
2

RB VCE
1

10KΩ
vi VCEQ
3

3.7V

54
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT
4. Meùo daïng ngoõ ra:
Tuøy thuoäc vaøo vò trí cuûa ñieåm Q treân IBQ
ñöôøng taûi maø bieân ñoä cuûa tín hieäu ngoõ ra bò
Baõo hoøa IC
giôùi haïn. Tín hieäu ngoõ ra bò giôùi haïn do nhieàu
nguyeân nhaân: bieân ñoä tín hieäu vaøo, vò trí A
ñieåm Q…Ta seõ xem xeùt töøng tröôøng hôïp cuï ICQ Q
theå: B
VCE
VCEQ

Moät phaàn tín hieäu ngoõ vaøo laùi transistor vaøo vuøng baõo hoøa neân bieân ñoä ngoõ ra bò neùn
(meùo).
IC IBQ

A
ICQ Q
VCE
0 VCEQ B

taét

Moät phaàn tín hieäu vaøo laùi transistor vaøo vuøng taét neân tín hieäu ngoõ ra bò xeùn (meùo).

IC IBQ
Baõo hoøa

ICQ
Q
VCEQ VCE
Taét

55
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT
Do bieân ñoä tín hieäu vaøo quaù lôùn neân transistor bò laùi vaøo vuøng taét vaø vuøng baõo hoøa. Khi
ñænh döông bò xeùn, transistor bò laùi vaøo vuøng taét nhöng khoâng baõo hoøa. Khi ñænh aâm bò xeùn,
transistor bò laùi vaøo vuøng baõo hoøa nhöng khoâng bò taét.
Ví duï: Xaùc ñònh ñieåm Q vaø bieân ñoä ñænh cöïc ñaïi cuûa IB.
+20V
IC
RC 300Ω 66.7mA
Q IC(peak) = 66.7-37.2
RB 37.2mA
2 =29.5mA
1

10V 50KΩ
0 8.84V 20V VCE
3

ÑS:
IB = 186μA.
IC = 37.2mA.
VCE = 8.84V
IC(off) = 0
V 20
I C  sat   CE   66.7 mA
RC 30
I C ( peak )
I b ( peak )   147.5A


III. Phaân cöïc ñònh doøng IB: (Phaân cöïc Base)

Trong phaàn tröôùc ta ñaõ bieát nguoàn VBB ñöôïc duøng ñeå phaân cöïc moái noái BE. Trong thöïc teá
ngöôøi ta söû duïng nguoàn VCC laøm nguoàn phaân cöïc nhö laø moät nguoàn phaân cöïc rieâng.
VVCC
CC

Ta coù: VRB  VCC  VBE  I B .RB

RC
V  VBE
 I B  CC
RB RB
2

vaø I C   .I B (1) 1

VCE  VCC  I C .RC  VCC   .I B .RC (2)

3

Chuù yù:
 Trong phöông trình (1) vaø (2) ñeàu coù chöùa heä soá β. Ñieàu naøy khoâng thuaän lôïi vì söï
thay ñoåi cuûa β seõ daãn ñeán IC vaø VCE thay ñoåi theo, do ñoù laøm thay ñoåi ñieåm tónh
cuûa transistor vaø laøm cho maïch phaân cöïc naøy phuï thuoäc vaøo β. V CC
VCC
 Ñieåm tónh Q coù theå bò aûnh höôûng bôûi söï thay ñoåi cuûa VBE vaø ICBO
(doøng ngöôïc ñi qua moái noái BC).
V  VBE RC
I B  CC ICBO
RB
2

56 VBBVCC 1

ICBO.RB
3
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT
Khi nhieät ñoä taêng leân thì VBE giaûm  IB
taêng leân. Ñeå loaïi boû aûnh höôûng naøy thì choïn
VCC >> VBE. Doøng ICBO coù aûnh höôûng laøm taêng
ñieän aùp phaân cöïc vì noù taïo moät ñieän aùp rôi treân
RB.
Hieän nay, haàu heát caùc transistor coù ICBO raát nhoû (nA) vaø coù theå boû qua aûnh höôûng cuûa noù
neáu VBB >> ICBO.RB

IV. Phaân cöïc Emitter:

Loaïi maïch phaân cöïc naøy duøng caû hai nguoàn aâm vaø nguoàn döông. Khi ñoù VB  0V vaø
nguoàn aâm –VEE phaân cöïc thuaän moái noái BE.
Ta coù:
VB  0V
VE  VBE
VE  VEE
IE 
RE
IC  I E
+V CC
VCC
VC  VCC  I C .RC
VCE  VC  VE
RC
Ví duï 1:
2 VC
Ta coù VE  VBE  0.7V RB 1

V  VEE 9.3 VB
IE  E   1.86mA
RE 5K VE
3

IC  I E RE
VC  VCC  I C .RC  8.14V
VCC
VCE  VC  VE  8.84V -VEE
Ví duï 2: +10V
VCC
Maïch nhö hình treân, vôùi:
RB =100KΩ, RC = 680Ω, RE = 3.3KΩ 1K
VCC = +15V, VEE = -15V VC
2

50K
1

OÅn ñònh phaân cöïc Emitter: VB

VE
3

Ta coù: I B .RB  VBE  I E .RE  VEE

5K
IE
Vôùi IB 

VCC
R  -10V
 I E  B  RE   VEE  VBE
  

57
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT
VEE  VBE
 IE  (1)
R
RE  B

RB VEE  VBE
neáu RE  thì (1)  I E 
 RE
VEE
Hôn nöõa, neáu VEE >>VBE thì I E  .
RE
Keát luaän:
RB
Neáu RE  vaø VEE >>VBE thì IE seõ khoâng phuï thuoäc vaøo β vaø VBE, IE khoâng ñoåi thì

ñieåm tónh Q seõ khoâng ñoåi. Vì theá phaân cöïc emitter cung caáp moät ñieåm phaân cöïc oån ñònh 1
caùch hôïp lyù.
Ví duï:
Khi nhieät ñoä thay ñoåi, transistor coù thoâng soá thay ñoåi nhö sau:
β = 50 ñeán 100 +20V
VCC
VBE = 0.6V ñeán 0.7V
Xaùc ñònh ñieåm tónh Q. 5K
 Khi β = 50 vaø VBE = 0.6V VC

2
I E  I C  1.892mA 10K
1

VCE = 11.24V VB
 Khi β = 100 vaø VBE = 0.7V VE
I E  I C  1.921mA 10 3

K
VCE = 10.995V
Ví duï: VCC
-20V
β = 20 ñeán 75. VBE = 0.75V ñeán 0.59V
VCC = ± 10V. Xaùc ñònh ñieåm tónh Q. - VVCC
CC

RC

RB
3

Phaân cöïc emitter cho transistor PNP:

1

Ñoái vôùi transistor loaïi PNP thì phaân cöïc coù RE

maïch nhö hình veõ. Sô ñoà maïch gioáng nhö ñoái vôùi
NPN, chæ khaùc chieàu doøng ñieän vaø cöïc cuûa nguoàn
cung caáp. VCC
VCC

V. Phaân cöïc kieåu phaân aùp:

58
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT

VCC

IB + I2 VCC Ñieän trôû

VCC
RC
Neáu doønR g1 I B  I R thì maïch phaân cöïc nhö hình b). Neáu doøng IB ñuû lôùtöông
2
n ñeå so saùnh vôùi I2
thì phaûi xeùt ñieän trôûIngoõ vaøo DC RIN nhìn vaøoRcöï R1y raèng RIN maéc ñöông
c B. Ta thaá song song vôùi R2.

2
B 1
nhìn vaøo
Tìm RIN:A 1
A
I2 cöïc B
VA
RIN  R2 R2
3
IB
R2 RE RIN
maø V A  VB ( Base )  VBE  I E .RE
Giaû söû raèng VBE <<IE.RE  VB  I E .RE   .RE .I B
Hình a. Hình b. Hình c.
 .R E .I B
 RIN    .R E
IB
Keát luaän: RIN   .RE

Phaân tích maïch phaân cöïc kieåu phaân aùp:

Ta coù: VCC

R2 //(  RE )
VB   VCC
R1  R2 //(  RE )
R1 RC
R2
Neáu β.RE>>R2 thì VB   VCC
R2  R1 VC
2
VE  VB  VBE VB 1

VE VE
 IE 
3

RE R2 RE
IC  I E
VC  VCC  I C .RC
VCE  VC  VE  VCC  I E RC  RE 
Ví duï:
Xaùc ñònh VCE vaø IC, bieát β = 100.

1
Neáu R2  . .RE thì R2 //(  .RE )  R2
10 VCC

Ta coù: RIN = βRE = 100x 500 = 50KΩ.

1 R1
R2  5 K  RIN RC
10 10KΩ 1KΩ
VC
2

R2
VB   VCC  3.33V
R2  R1 VB 1

VE  VB  VBE  2.63V VE
3

R2 RE
500Ω
5KΩ
59
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT
VE
 IE   5.26mA  I C
RE
VCE  VC  VE  VCC  I E RC  RE   2.11V

OÅn ñònh phaân cöïc kieåu phaân aùp:

VCC VCC

Hình a. Hình b.
RC
RC

R1 RTH

2
2

A1 +VTHVCC 1
VCC

R2

3
3

RE
RE

Duøng bieán ñoåi töông ñöông Thevenin:

RT  R1 // R2
R2
VCC
VCC
VT   VCC
R1  R2
RE
R2 1KΩ
töø hình b) ta tính ñöôïc:
10KΩ
VT  I B .RT  VBE  I E .RE
1

2
IE
vôùi IB 
 R1
3

RC
 R  20KΩ 2KΩ
 VT  I E  RE  T   VBE
  
V  VBE
 IE  T
R
RE  T

RT VT  VBE
neáu RE  thì  I E  .
 RE
Ví duï:
Transistor coù β = 150. Tìm ñieåm tónh Q.

ÑS:
VB = 6.67V

60
Phaàn II: Lyù Thuyeát Baùn Daãn C6: Transistor BJT
VE = 7.37V
IE = IC = 2.63mA
VEC = 2.11V

VI. Phaân cöïc hoài tieáp Collector: VCC

Phaân cöïc daïng naøy raát oån ñònh vì ít bò aûnh

höôûng bôûi β. RC
β taêng theo nhieät ñoä, IC taêng leân
RB
 VC  VCC  I C .RC giaûm. Maø VC giaûm thì doøng IB seõ

2
giaûm theo vaø IC cuõng giaûm. Keát quaû laø maïch coù 1

khuynh höôùng duy trì giaù trò oån ñònh cuûa IC giöõ cho
ñieåm Q coá ñònh.

3
Phaân tích maïch:
VC  VBE
IB 
RB
maø VC  VCC  I C RC
vaø I C  I B VCC

VCC  VBE
 IC 
R
RC  B RC
 RB
10KΩ
Ví duï: Tính IC vaø VCE: 100KΩ
2

Bieát transistor coù β = 100. 1

Tính ñieåm tónh Q cuûa maïch.

3

ÑS:
IC = 0.845mA
VCE = 1.55V

61