MÔN HỌC

ĐIỆN TỬ THÔNG TIN

>>

BÀI 3.
MẠCH DAO ĐỘNG
Giảng viên: Ts. Nguyễn Trọng Hải
Email: nt.hai75@hutech.edu.vn
Điện thoại: 0913.728234

Tài liệu học tập: Điện tử thông tin-Lưu Hành tại HUTECH
 ĐIỀU KIỆN DAO ĐỘNG
Hệ số khuếch đại

VIN   A 
A VOUT
V V A

V A
Hệ số hồi tiếp Avf  OUT  V
VIN 1   AV
   

 AV   1
Điều kiện dao động  A
 1
V 
 A   B  k 2
 DAO ĐỘNG LC DÙNG BJT
X1 + X2 + X3=0
C
Khuếch đại E chung
Z3 
V 
V i( t ).Z1 X1
 
A CE
  A 
 BE
 
V 
V
V

VCE i( t ).Z 2 X2
B BE
i(t) Z2
X1   X1 
AV   AV  A V  
Z1 X2  X1  X 3 
Khuếch đại B chung
V V X X1
E 
A V  BC  A V   BE   1 
V V X 3 X1  X 2
BE BC

Kết luận : X1 , X2 cùng dấu , X3 khác dấu

X1,X2: cuộn dây L1, L2 → X3 tụ điện C: Dao động Hartley

X1,X2: tụ điện C1, C2 → X3 cuộn dây L: Dao động Colpits
MẠCH DAO ĐỘNG 3 ĐIỂM ĐIỆN CẢM ( HARTLEY )
Dao động Hartley loại EC
VCC

Rb2
Cb
L1

Rb1 C
Re Ce L2
 • Chế độ DC • Chế độ AC
Chọn VCC  0,5VCEmax h fe
AV =  RCE
ICQ = 5 – 10 mA hie
VE RCE = Rtd1 // Rtd2
RE =
I CQ 2 2
1 Rtd 1  L1   n1 
RB = h fe R E      
10 Rtd  L1  L2   n1  n2 
1
XCB < ( R B // hie ) 2 2
10 Rtd 2  L1   n1 
     
  RB  Rtd  L2   n2 
XCE <  RE //   hib 

  h fe 
X2 L2 n2
1    
XCC < RCE X1 L1 n1
10
Kiểm tra lại nếu AV.   1 : Mạch dao động
Ví dụ 1

Thiết kế mạch dao động Hartley với

VCC = 12 V ; f0 = 1 MHz ; C = 100 pF;

Q = 80 ; hfe =100 ; n2 / n1 = 1 / 50

Ví dụ 2

Thiết kế mạch dao động Hartley với

f0 = 2 MHz ; Q = 100 ; C = 10 pF;

BJT có fT=350Mhz; hfe =50 ; Cb’c = 1pF;

Cb’e = 100 pF; Pcmax=2W; VCEmax=40V; ICQ=5mA;
VE=0,25VCC
 Dao động Hartley loại BC
Cc
VOUT

Ce L1
C
Re L2

Cb Rb1 Rb2 )]
VCC

VBE L2 R CB L1  L 2
  AV  RCB = Rtd // [( RE // hie ).( )]
VBC L1  L2 h ib L2

Ví dụ 3. Lặp lại ví dụ 3 với mạch BC và f0=1Mhz

 DAO ĐỘNG 3 ĐIỂM COLPITS
Mạch EC
VBE C1
Lch  
VCE C2
VCC

Rb2 C h fe
Cb AV   RCE
C1 hie
E L
Rb1 Ce
Re C2 RCE = Rtd1 // Rtd2

B
2
 C1C 2 
2   2
Rtd 2  C2  Rtd 1  C1  C 2    C 2 
   
 C1  C C 
( R BB // hie )  C1  Rtd  1 2 
 
 
 Ví dụ 4

Thiết kế mạch dao động Colpits với

f0 = 5 MHz ; L = 1uH; Q = 80 ;

BJT có fT= 3,5Ghz; hfe =100 ; Cb’c = 2pF;

Cb’e = 80 pF; Icmax= 1A; VCEmax=40V
 Mạch BC
Cc
VOUT
C

C1
E L
C2
Re
Cb Rb Rb
B VCC
1 2

C1C 2
RCB = Rtd1 // Rtd
V BE C ntC 2 C1  C 2 C1
  1  
V BC C2 C2 C1  C 2
Rtd 1 C2

h fb R CB hie // RE C1C 2
AV  R CB 
h ib h ib C1  C 2
 MẠCH DAO ĐỘNG 3 ĐIỂM CLAPP
Mach EC 1 1 1 1
  
C td C1 C 2 C 0
Lch
VCC Chọn C0 << C1 , C2

Rb2 C
1
Cb C td  C0 0 
C1 LC 0
L
E
Rb1 Ce VBE C1
Re C2 C0    n
VCE C2
B
h fe
AV   R CE
h ie
2 2 2
Rtd 1  C td   C0  Rtd 2  C2  1
       
   2 RCE = Rtd1 // Rtd2
Rtd  C1   C1  R BB // hie  C1  n
 Ví dụ 5

Thiết kế mạch dao động Clapp với

a) f0 = 1 MHz ; L = 10uH; Q = 100 ;

BJT có
fT= 350Mhz; hfe =100 ; Cb’c = 10pF;
Cb’e = 200 pF; Icmax= 1A; VCEmax=40V

b) Lặp lại nếu f0=5Mhz

 MẠCH DAO ĐỘNG DỊCH PHA RC
VCC

Rb2 Rc
RC
AV  
C C C B h ie
C  RE
h fe
R R Rb1
Re
 A  180 0
3
 
 
V V V V R 1
  B  B D E   
VC V D V E VC  1  1  5a 2  ja (6  a 2 )
R 
 jC 

1 a (6  a 2 )
    arctg
(1  5a 2 ) 2  a 2 (6  a 2 ) 2 1  5a 2
 Điều kiện dao động
 k  1
Điều kiện pha  A    k 2 mà   0
   180
 A  180
0

1 1 1
  1800  a 2  6   6  0    
0 RC 6 RC 29

Điều kiện biên độ AV   1  AV  29

Ví dụ 6.

Thiết kế mạch dao động dịch pha RC với

f0 = 1 KHz ; R = 1 K

BJT có thông số giống ví dụ trước

 MẠCH DAO ĐỘNG CẦU WIEN
Rf

RI
Rf
AV  1 
VOUT RI

A  0
R2 C2 R C1
1

V 1
 
Vout R C  1 
1  1  2  j  R1C 2  
R2 C1  R2 C1 

1
1 R1C 2 
 R2 C1
 R1 C2  
2
2
   arctg
1  R1 C 2
1      R 1C 2   1 
 R 2 C1    R C
2 1 R2 C1
 Nếu C1 = C2 = C; R1 = R2 = R

1 a  1/ a 1
     a
1 3  RC
9  (  a2 )
a

Điều kiện dao động

1 1
Điều kiện pha  A  B  0    0  a  1      
2
RC 3

Điều kiện biên độ AV   1  AV  3

Ví dụ 7.

Thiết kế mạch dao động cầu Wien với

f0 = 1 KHz ; R1 = R2 = R ; C1 = C2 = C
 DAO ĐỘNG THẠCH ANH
Sơ đồ tương đương của thạch anh

Lq = LTA : lớn (mH)

Lq Cq = CTA = 0,01 – 0,1 pF

Cp Cq
rq nhỏ, trong tính toán rq = 0
rq
Cp = 10 -100 pF
Trở kháng tương đương của thạch anh
 1  1
 j L q  
 j  C  j C  2
Lq Cq  1
Zq   q  p
j  jX q
1 1 (C p  C q )   L q C p C q
3
j L q  
j C q j  C p

1
 L q Cq  1  0  q 
2
Tần số cộng hưởng riêng
L q Cq

[C p  Cq  2 L q Cq C p ]  0

C p  Cq 1 Cq
p    q 1 
Lq C q C p Cp Cp
Lq C q
C p  Cq
Sự biến đổi của Xq theo tần số

jXq

Xq>0
Ltd

q p 

Xq<0 Xq<0
Ctd Ctd
 Mạch dao động thạch anh
Lch
VCC

Rb2 C
Cb
C1
E Ltd
Rb1 Ce
Re C2

Để trở thành mạch dao động Colpits

→ Thạch anh phải tương đương với cuộn cảm Ltđ

→  q  0   p
 p  q
→ Khi thiết kế chọn 0 
2
 Ví dụ 8

Thiết kế dao động thạch anh với:

Cq = 0,1 p ; Cp = 10 p ; f0 = 10 MHz ; Q = 100

BJT có:

fT = 4 GHz ; hfe = 100 ; Cb’e = 200 p ; Cb’c = 20 p ;

Cc’e = 50 p; VCEmax = 20 V.
 MẠCH DAO ĐỘNG DÙNG LỌC T

Vout R 1  R 2
VOUT AV  
V R2
R1
R A  0
C R2
C

R
V a 2  1  j 2a 1
  2 a
Vout a  1  j 3a  RC

(a 2  1) 2  4a 2 a(1  a 2 )
     arctg 2
(a 2  1) 2  9a 2 (a  1) 2  6a 2
 Điều kiện dao động

Điều kiện pha  A  B  k .2    0

1 2
 a 2  1  0   
RC 3
3
Điều kiện biên độ AV   1  AV 
2

Ví dụ 9.

Thiết kế mạch dao động cầu T với f0 = 10 KHz

 Bài tập

Câu 1:

Thiết kế bộ dao động Colpits, cộng hưởng tại tần số

f0=10MHz, phẩm chất riêng của khung cộng hưởng Q0=100;
L=1µH, transistor có: fT=350 MHz, hfe=100; Cb’c=1pF;
Cb’e=100pF; Pcmax=2W; VCEOmax=40V; maxic=1A, cho
CCE=5pF.

Câu 2:

Thiết kế bộ dao động Colpits có giả thiết như sau: PL = 100

mW; tần số làm việc: f0 = 10 MHz , hệ số phẩm chất riêng
của khung cộng hưởng:Q0=50 với transistor có: fT=3,5GHz,
r’be = 500Ω; hfe = 100; Cb’c = 1pF; Cb’e=100pF; Pcmax = 2W;
VCEOmax = 40V; maxic = 1A trong hai trường hợp = 900 và
= 600.
 Bài tập
Câu 3:
Thiết kế bộ dao động Clapp có giả thiết như câu 1

Câu 4:
Thiết kế bộ dao động Clapp với giả thiết như câu 2 nhưng
cộng hưởng tại tần số f0 = 100 MHz.

Câu 5:
Thiết kế bộ dao động thạch anh với giả thiết như câu 1
(nhưng không cho biết L), Cq = 0,1pF; Cp =10pF.

Câu 6:
Thiết kế bộ dao động thạc anh với giả thiết như câu
2(nhưng không cho biết L), Cq = 0,1pF; Cp =10pF.
 Bài tập

Câu 7:

Thiết kế bộ dao động cầu Wien có tần số dao động

f0=1KHz; R = 1kΩ.

Câu 8:

Thiết kế bộ dao động cầu T có f0 = 1KHz; R = 1K Ω.

Câu 9:

Thiết kế bộ dao động 3 mạch lọc RC với với f0 1kHz;

R=1KΩ.
 Bài thuyết trình nhóm
Các nhóm truy cập trang web:
https://www.elprocus.com/ và www.google.com
Dùng chức năng search tìm hiểu các mạch dao động sau và
các ứng dụng của nó

•Armstrong Oscillator
Nhóm 1:
•Wien Bridge Oscillator
•Crystal Oscillator
Nhóm 2:
•Robinson Oscillator
•Dynatron Oscillator
Nhóm 3:
•Tri-Tet Oscillator
•Optoelectronic Oscillator
Nhóm 4: •Meissner Oscillator

•Phase Shift Oscillator

Nhóm 5:
•Cross-Coupled Oscillator