Các khái niệm cơ bản

Các khái niệm cơ bản

Mạch một pha với dòng, áp dạng sin
Mạch ba pha cân bằng (dòng, áp dạng sin)
Cuộn dây L – Tụ điện C
ứng dụng của ĐTCS
Linh kiện điện tử công suất

Diode
Linh kiện điện tử công suất

Diode
C¸c th«ng sè c¬ b¶n cña mét diode
1. Dßng ®iÖn thuËn I D : Gi¸ trÞ trung binh cña dßng
®iÖn cho phÐp ch¹y qua diode theo chiÒu thuËn I D
đ©y lµ gi¸ trÞ lùa chän diode cho øng dông thùc tÕ
2. ĐiÖn ¸p ng­îc U Ng.max: Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p ng­îc lín
nhÊt mµ diode cã thÓ chÞu dùng ®­îc. Lu«n lùa
chän:
UAK < U Nguoc max
3. Thêi gian phôc håi tr : thêi gian chuyÓn m¹ch ®Ó
ph©n chia diode th­êng, c¾t nhanh vµ cùc nhanh
( micro gi©y) vµ ®iÖn tÝch phôc håi Qr cÇn ®­a ra
khái cÊu tróc ®Ó diode kho¸
Linh kiện điện tử công suất
Thyristor (SCR)

Ø Thyristor ( T ) cã 3 líp tiÕp gi¸p J1, J2 vµ J3 vµ 3 cùc A, K vµ cùc ®iÒu khiÓn G

Ø ĐÆc tÝnh V-A cña T cã 2 phÇn : ThuËn n»m t¹i gãc 1/4 I víi U AK > 0 cßn
ng­îc n»m t¹i III cã U AK < 0.
Ø Khi kh«ng cã dßng ®iÒu khiÓn I G = 0 thi ph¶i tang U AK ®Õn mét gi¸ trÞ lín T
míi më. Lóc ®ã T coi nh­ bÞ ®¸nh thñng.
Ø Khi cã dßng ®iÒu khiÓn I G >0 lóc ®ã T sÏ chuyÓn m¹ch. Tuú thuéc vµo ®é lín
cña I G mµ T sÏ më sím hay muén.
Linh kiện điện tử công suất
Thyristor (SCR)
Më vµ kho¸ thyristor
T ®­îc më víi hai ®iÒu kiÖn:
+ U AK > 0,
+ Xung dßng ®iÖn ®­a vµo cùc G
Ø Khi T ®· më, nÕu tån t¹i I DT duy tri thi T tiÕp tôc dÉn, kh«ng cÇn t¸c ®éng dßng ®iÒu khiÓn :
Ø Cã thÓ ®/k më T b»ng xung dßng cã ®é réng xung nhÊt ®Þnh.
T kho¸:
I < I DT duy tri.
T chØ kho¸ hoµn toµn khi cã U AK < 0
Linh kiện điện tử công suất
Thyristor (SCR)
Linh kiện điện tử công suất
Thyristor (SCR)
Linh kiện điện tử công suất
Thyristor (SCR)

C¸c th«ng sè c¬ b¶n cña thyristor

1. Dßng I V: Dßng trung binh cho phÐp ch¹y qua T
Khi lùa chän chó ý:
+ Lµm m¸t tù nhiªn: Dßng sö dông cho phÐp:
I = 1/3 I V
+ Lµm m¸t c­ìng bøc b»ng qu¹t giã: Dßng sö dông cho phÐp:
I = 2/3 I V
+ Lµm m¸t c­ìng bøc b»ng n­íc : Dßng sö dông cho phÐp:
I=IV
Linh kiện điện tử công suất
Thyristor (SCR)

2. ĐiÖn ¸p ng­îc cho phÐp lín nhÊt, U Ng.max

Lùa chän U Ng.max = (1,2 ®Õn 1,5) U sö dông thùc tÕ trong m¹ch
3. Thêi gian phôc håi:
Thêi gian dµnh cho qu¸ trinh kho¸ t = (1,5 ®Õn 2) t r
4. Tèc ®é tang ®iÖn ¸p cho phÐp dU/dt ( V/ micro gi©y)
+ Víi T tÇn sè thÊp dU/dt = 50 ®Õn 200 V/ micro gi©y
+ Víi T tÇn sè cao dU/dt = 500 ®Õn 2000 V/ micro gi©y
5. Đé tang dßng cho phÐp dI/ dt ( A/ micro gi©y)

+ Víi T tÇn sè thÊp dI/dt = 50 ®Õn 200 A/ micro gi©y

+ Víi T tÇn sè cao dI/dt = 500 ®Õn 2000 A/ micro gi©y
Linh kiện điện tử công suất
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

Dalinhtơn BT
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

Cấu trúc gồm 3 lớp bán dẫn npn hoặc pnp tạo nên 2 tiếp giáp pn, vì dòng chạy trong 2 lớp
tiếp giáp gồm cả hai loại điện tích âm và dương nên mới được gọi là bipolar
( hai cực tính)
Thực chất đây là phần tử khuếch đại I C   .I B
song trong điện tử công suất chỉ sử dụng như một phần tử khoá. Khi mở phải thoả mãn đ/k:
IC
IB 
Hay: 
IC
I B  k bh
Trong đó: 

k  1,2  1,5
Khi đó transistor sẽ
bh
ở chế độ bão hoà, điện áp:
U EC = 1 – 1,5 V
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

Output characteristic IC = f ( UCE) Thông số biến thiên là dòng IB.

Đặc tính vẽ với các giá trị khác nhau của IB trong vùng 1.
Đặc tính UCE = U – R.IC.
Điểm cắt nhau là điểm làm việc.
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

Ø Vùng nghịch với IB = 0. Transistor ở chế độ ngắt, dòng IC0 có giá trị không đáng kể.
Cần hạn chế điện áp ngược trên UBE vì khả năng chịu điện áp ngược trên Emitor
khá nhỏ.
Ø Vùng bão hoà nằm giữa đường giới hạn a với giới hạn bão hoà b. Điểm làm việc
nằm trong vùng bão hoà, transistor sẽ đóng (điểm ĐÓNG), dòng IC dẫn và điện thế
UCE đạt giá trị UCESAT gọi là điện thế bão hoà ( transistor bão hoà).
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

Đặc tính động:

Thời gian đóng T. on trong khoảng vài miligiây. Thời
gian T. off kéo dài hơn vượt quá 10 miligiây.
Hệ quả không tốt của đóng ngắt quá độ là tạo nên
công suất tổn hao không cần thiết.
Công suất tổn hao làm giới hạn dãy tần số hoạt động
của transistor
Thực chất của chế độ đóng ngắt chính là sự chuyển đổi
điểm làm việc thông qua vùng tích cực từ điểm ĐÓNG
đến điểm NGẮT.
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

Hệ số khuếch đại tĩnh của dòng:

IC
hFE 
IB

Các transistor công suất lớn hệ số khuếch đại tĩnh chỉ

khoảng 10 – 20 . Để tăng HS KĐ người ta mắc dạng
Darlington. Bất lợi của darlington là thời gian đóng tăng
lên, tần số đóng ngắt bị giảm. Thường các sơ đồ này có
thời gian trễ từ vài trăm nano giây đến vài micro giây.
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

25
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

26
Linh kiện điện tử công suất
BJT (Bipolar Junction Transistor)

27
Linh kiện điện tử công suất
MOSFET

• MOSFET được điều khiển bằng điện áp với dòng điều khiển rất nhỏ.
• MOSFET có hai loại pnp và npn.
• MOSFET đòi hỏi công suất tiêu thụ ở mạch cổng kích thấp, tốc độ đóng ngắt nhanh và tổn hao cho đóng
ngắt thấp.
• Tuy nhiên, MOSFET có điện trở khi dẫn lớn nên tổn hao trong quá trình làm việc lại cao nên không thể
phát triển thành linh kiện điện tử công suất lớn
Linh kiện điện tử công suất
MOSFET

• MOSFET ở trạng thái ngắt khi điện áp cổng thấp hơn giá trị UGS.
• Để MOSFET ở trạng thái đóng, điện áp cổng phải tác dụng liên tục.
• Thời gian đóng ngắt rất nhỏ từ vài ns( nano giây) đến vài trăm ns phụ
thuộc vào linh kiện
• Điện trở trong của M khi dẫn Ron thay đổi phụ thuộc vào khả năng chịu áp
của linh kiện
Linh kiện điện tử công suất

MOSFET

Mạch kích sử dụng gồm 2 transistor npn và pnp.

Ø Khi điện áp U1 ở mức cao Q1 dẫn,Q2 khoá làm M dẫn.
Ø Khi điện áp U1 thấp, Q1 khoá, Q2 dẫn làm các diện tích trên mạch cổng được giải
phóng, M ngắt điện.
Ø Tín hiệu U1 có thể lấy từ mạch collector mở( open collector TTL) và đóng vai trò mạch
đệm ( buffer). Giảm thời gian kích đóng ton sử dụng mạch a/
Linh kiện điện tử công suất
MOSFET

M gần như không cần bảo vệ. Có thể sử dụng RC mắc thêm ở cửa ra.
Linh kiện điện tử công suất
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

Ø T th­êng ®­îc kho¸ l¹i mét c¸ch tù nhiªn theo ®iÖn ¸p l­íi.
Ø M¹ch mét chiÒu, cùc tÝnh ®iÖn ¸p kh«ng ®æi trong suèt qu¸ tr×nh lµm viÖc T
kh«ng kho¸ tù nhiªn ®­îc, ph¶i sö dông c¸c m¹ch kho¸ c­ìng bøc phøc t¹p
Ø GTO kho¸ ®­îc b»ng cùc ®iÒu khiÓn

Cùc ®iÒu khiÓn cã dßng ®Ó më GTO theo h­íng ®i vµo – Dßng ®i ra ®Ó di chuyÓn c¸c ®iÖn
tÝch ra khái cÊu tróc b¸n dÉn, ®Ó kho¸ .
Linh kiện điện tử công suất
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

Ø Dòng duy trì ở GTO cao hơn T do cấu trúc khác nhau.
Ø Khi GTO đã dẫn thì dòng điều khiển không còn ý nghĩa: như vậy có thể dùng xung ngắn,
công suất nhỏ.
Linh kiện điện tử công suất
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

Ø Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng dòng xung kích
thich dài, GTO chịu du/dt và di/dt kém nên cần phải
Mạch điều khiển GTO giới hạn một trị số an toàn. Tụ điện trữ năng lượng
khi cần thiết, diode cắt bớt xung gai. Cầu chì chống
ngắn mạch.
Linh kiện điện tử công suất
GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
Linh kiện điện tử công suất
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT mang hai ưu điểm:

+ Đóng cắt nhanh của MOSFET,
+ Chịu tải lớn của transistor thường.
Đặc điểm:
+ Điều khiển được bằng điện áp: Công suất y/c nhỏ,
+ Cấu trúc giống một transistor pnp với dòng Bazơ
được điều khiển bởi một MOSFET
Linh kiện điện tử công suất
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Linh kiện điện tử công suất
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Đặc tính đóng cắt của IGBT

Do cấu trúc p-n-p nên điện áp thuận UCE trong chế độ dẫn dòng
thấp hơn so với MOSFET, nhưng thời gian đóng cắt chậm đặc biệt
khi khoá.

Dòng qua IGBT gồm 2 thành phần:

+ I1 dòng qua MOSFET
+ I2 dòng qua transistor
Dòng I1 khoá nhanh, I2 không thể suy giảm nhanh do điện tích tích
luỹ tại lớp n -
38
Linh kiện điện tử công suất
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Yêu cầu đối với tín hiệu điều khiển IGBT

IGBT mở bằng tín hiệu điện áp : Điện áp phải có mặt liên tục
trên cực điều khiển G và E để xác định chế độ mở, khoá.
Ø Tín hiệu mở có biên độ UGE, tín hiệu khoá có biên độ - UGE
cung cấp qua điện trở RG.
Ø Mạch GE được bảo vệ bởi ổn áp +/- 18V

39
Linh kiện điện tử công suất
MCT (MOS-Controlled Thyristor)
Linh kiện điện tử công suất
Linh kiện điện tử công suất

Khả năng đóng ngắt của các khóa bán dẫn thông dụng
Khả năng tải & đóng cắt của các linh kiện ĐTCS hiện nay