BÀI 8.

PHÂN CỰC CHO FET

8.1 Giới thiệu chung

Mục đích của các phương pháp phân cực (hay cấp nguồn) là lựa chọn giá
trị điện áp U GS sao cho dòng cực máng I D đạt được giá trị như mong muốn hoặc
có điểm làm việc tĩnh Q phù hợp. Đối với JFET, có ba phương pháp phân cực là:
phân cực cố định, tự phân cực và phân cực kiểu phân áp. Đối với DMOSFET,
thường phân cực theo kiểu phân áp và hồi tiếp âm điện áp. Còn đối với
EMOSFET, thường phân cực theo hồi tiếp âm điện áp.

8.2. Mạch phân cực cố định

+ UDD
Do IG≈0, nên U G= -UGG
RD
US = 0 D
G
UGS = -U GG

Thay U GS = -UGG vào phương RG S

trình đặc tuyến truyền đạt UVGG
GG

2
 U GS 
I D  I DSS 1   Hình 8.1: Sơ đồ phân cực cố định cho nJFET
 U GS ( off ) 
 
Ta được:

2
  U GG 
I D  I DSS 1  
 U  (8.1)
 GS ( off ) 
UDS = UD = UDD – I D RD (8.2)

Điểm làm việc tĩnh Q trong mạch phân cực cố định:

Phương pháp cơ bản để thiết lập điểm làm việc tĩnh Q cho JFET là xác định
ID tương ứng với giá trị U GS. Xác định giá trị U GS và I D có thể sử dụng phương
pháp đồ thị hoặc phương pháp đại số sử dụng phương trình shockley khi biết I DSS
và U GS(off) .
 Phương pháp đồ thị để xác
định điểm làm việc tĩnh trong sơ đồ I D(mA)

phân cực: I DSS

Vẽ đường đặc tuyến truyền

đạt dựa trên các tham số đặc trưng
của JFET.
I DQ
Xác định đường tải tĩnh theo
phương trình sau:

UG= -VGG 0
UP U GSQ = -UGG U GS(V)

Giao điểm của đường tải tĩnh Hình 8.2: Đường tải tĩnh và điểm làm việc
và đặc tuyến truyền đạt chính là tĩnh của mạch phân cực cố định
điểm làm việc tĩnh Q (hình 8.2).

Ví dụ 8.1: Mạch điện hình 8.1 có: UDD=16V ; R G =1MΩ ; R D = 2kΩ; I DSS =
10mA; UP= -8V; UGG= 2V. Tính UGS, ID, UDS.

Giải
UGS = - UGG = - 2V
ID = IDSS ( 1 - UGS /UP )2 = 10. [1 - ( - 2V)/( - 8V)]2 mA = 5,625 mA.
UDS = UDD - IDRD = 16V - (5,625 mA).(2 k) = 4,75V

8.3. Mạch tự phân cực

+UDD
Do IG≈0, nên UG= 0
RD

D ID US = I D.RS
G
UGS = - ID.RS (8.3)

RG S Thay phương trình đặc tuyến

truyền đạt (4.1) vào (4.10), ta được:
RS
2
 U GS 
U GS  I DSS 1   .R S
 U  (8.4)
 P 
Hình 8.3. Mạch tự phân cực nJFET
Giải phương trình (8.4) với điều
kiện U GS>VP ta tìm được U GS.

Từ (8.3) ta có:
 UD = V DD – IDRD (8.5)

U S = I DR S

UDS = VDD – ID(RD + RS) (8.6)

Điểm làm việc tĩnh Q trong mạch tự phân cực:

Phương pháp đồ thị để xác định điểm làm việc tĩnh trong sơ đồ tự phân
cực:

Vẽ đường đặc tuyến truyền đạt

dựa trên các tham số đặc trưng của
JFET.

Xác định đường tải tĩnh theo

các bước sau:

Phương trình đường tải tĩnh:

UGS = - IDRS

- Khi I D = 0 → U GS = 0V

- Khi I D = IDSS/2 → UGS = - IDSSRS/2.

Nối hai điểm đã xác định ở trên thu

được đường tải tĩnh của mạch. Hình 8.4. Đường tải tĩnh và điểm làm việc
tĩnh của mạch tự phân cực nJFET
Giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến truyền đạt chính là điểm làm
việc tĩnh Q (hình 8.4).

Ví dụ 8.2: Mạch điện hình 4.18 có: UDD = 20V ; R G =1MΩ; RD = 3,3kΩ; R S =
1kΩ; IDSS = 8mA; UP = -6V.
a) Tính UGS, ID, UDS.
b) Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh.
Giải
a) Ta có: UG = 0V
US = U RS = ISRS = I DRS
UGS = UG – US = 0- IDRS = -IDRS với ID = IDSS(1- UGS/UP)2
Ta có :
 UGS = -IDSS(1- UGS/UP)2 .RS = -8.10-3.(1+ U GS/6)2.103
Giải phương trình với điều ID(mA)
kiện U GS> (-6V), ta được :
UGS = - 2,6V
ID = -UGS/RS= 2,6 mA, 8

UDS = UDD - ID (RS + RD )

= 20V - (2,6 mA ). (1k +
3,3k) Q
= 8,82V IDQ= 2,6mA

b) Phương trình đường tải

UGS(V)
tĩnh: UGS = -IDRS
-6 UGSQ = - 2,6V 0
Chọn I D = 0  UGS = 0V.
Hình 8.5: Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
Chọn I D =2mA UGS = -2V. ví dụ 8.2

Nối 2 điểm trên ta được đường tải tĩnh.

Tọa độ điểm làm việc Q (U GS; ID) = Q(-2,6V; 2,6mA)

8.4. Phân cực phân áp

Sơ đồ phân áp được biểu diễn trên hình 8.5:

+ Điện áp trên cực nguồn:

RD U DD
R1 US = IDRS

Điện áp trên cực cửa:

I DSS; U P

R1 RS

(8.7)

Hình 8.6. Sơ đồ phân cực

Giải hệ phương trình 8.1 và 8.7, với
phân áp
điều kiện U GS>UP, ta được I D và U GS.

UDS = UDD – ID(RD + RS )

Tương tự như sơ đồ tự phân cực, sơ đồ cấp nguồn kiểu phân áp cũng có thể
sử dụng phương pháp đồ thị để xác định điểm làm việc tĩnh Q dựa trên đường tải
tĩnh và đặc tuyến truyền đạt của JFET. Trong sơ đồ cấp nguồn này, phương trình
đường tải tĩnh là phương trình (8.7).

Khi I D = 0 → U GS = UG

U G  U GS UG
Khi U GS = 0 → ID   (8.8)
RS RS

Giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến truyền đạt là điểm làm việc tĩnh
Q.(Hình 4.22)

Hình 8.7. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh của sơ đồ phân cực kiểu phân áp

Ví dụ 8.3: Mạch điện hình 8.7

ID(mA)
có: UDD=16V, R1=2,1MΩ, R2=
270kΩ, R D = 2,4kΩ, R S = 1,5kΩ,
IDSS = 8mA, UP = -4V.
8
a) Tính UGS, ID, UDS.
b) Vẽ đường tải tĩnh và xác định
điểm làm việc tĩnh.
Q
Giải ID = 2,4mA
a) Ta có:
ID = 1,21mA
R2 U DD
UG =
(R1  R2 ) UP 0
UGS = - 1,8V UG = 1,82V
(270k)(16V)
= = 1,28V
(2,1M  0, 27M)
Hình 8.8. Đường tải tĩnh và điểm làm việc
UGS = UG – IDRS tĩnh của cho ví dụ 8.3
 Áp dụng công thức Shockley :
ID (mA)
ID = IDSS(1- UGS/UP )2 ta có:
UGS = UG – IDSS.( 1- UGS/UP)2 . RS
IDSS
= 1,28V – 8.10-3 .(1+
UGS/4)2 .1,5.103
IDQ Q
Giải phương trình trên với điều
kiện U GS> (-4V), ta được :
UGS = -1,8V  ID =2,4mA
0 U UGSQ UDD UGS(V)
UD = UDD - IDRD = 16 - 2,4.2,4 Th

= 10,24V Hình 8.10: Điểm làm việc tĩnh của sơ đồ

US = IDRS = (2,4mA).(1,5k) phân cực hồi tiếp âm điện áp

= 3,6V
UDS = UDD – ID(RD + RS) = 16 – 2,4 (2,4 + 1,5) = 6,64V
Phương trình đường tải tĩnh
UGS = UG - IDRS
Khi ID = 0 mA → UGS = + 1,28V
Khi U GS = 0 V → ID = 1,28/1,5 = 1,21 mA.
Ta xác định được đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh hình 8.8. Điểm làm
việc tĩnh có tọa độ:
Q(ID = 2,4 mA ,U GS = - 1,8V).

8.5. Phân cực hồi tiếp âm điện áp +U D

Sơ đồ phân cực được biểu diễn trên hình 8.9

RD
Điện áp trên cực nguồn: U S = 0 RF

Điện áp trên cực cửa: U G = U D

UGS = UDS = U DD – IDRD (8.9)

Thay phương trình đặc tuyến truyền đạt vào 8.9 ta

được:
Hình 8.9. Sơ đồ phân cực
UGS = UDD – K(UGS – UT) .RD 2
(8.10) hồi tiếp âm điện áp

Giải phương trình (8.10) với điều kiện U GS>UT ta tìm được U GS
 U DD  U GS
Từ 8.9 ta được: I D 
RD

Phương pháp đồ thị để xác định điểm làm việc tĩnh:

Tương tự như sơ đồ phân cực phân áp, sơ đồ cấp nguồn kiểu hồi tiếp âm
điện áp cũng có thể sử dụng phương pháp đồ thị để xác định điểm làm việc tĩnh Q
dựa trên đường tải tĩnh và đặc tuyến truyền đạt của FET. Trong sơ đồ cấp nguồn
này, phương trình đường tải tĩnh là phương trình (8.9):

Khi I D = 0 → UGS = VDD

Khi U GS  0  I D  VDD  U GS  VDD (8.11)

RD RD
Giao điểm của đường tải tĩnh và đặc tuyến truyền đạt là điểm làm việc tĩnh
Q- hình 4.25.

Ví dụ 8.4: Mạch điện hình 4.24 có: UDD = 12V, R F = 10MΩ, R D = 2kΩ,
ID(on) =6mA, U GS(on)= 8V, UGS(Th) = 3V:
a) Tính UGS, ID.
b) Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh.

Giải
I D(on)
a) k = = 0,24  10 - 3 A/V 2
(U GS(on)  U GS(Th) )2

UGS = UDD - IDRD = UGS = VDD – k(UGS –

UGS(Th) )2.RD ID (mA)

Giải phương trình trên với điều kiện

UGS> (3V), ta tìm được U GS và I D. 6

b)
* Cho UGS = 6V ( giữa 3V và 8V) 2,75 Q

ID = 0,24  10 - 3 (6V - 3V)2 = 2,16 mA

* Cho UGS = 10V (> U GS (Th) )
0 3 6,4 12
UGS(V)
ID = 0,24  10 -3
(10V – 3V)
= 11,76 mA. Hình 8.11: Điểm làm việc tĩnh ví dụ 8.4
* Đường tải tĩnh:
UGS = UDD - IDRD = 12V - ID(2k)
ID=0 → U GS = UDD = 12V
 U DD 12V
UGS = 0V →I D = = = 6mA
RD 2k

Ta vẽ được đường tải tĩnh, đường tải này cắt đặc tính truyền đạt tại điểm Q, Q
chính là điểm làm việc tĩnh (hình 8.11), với: Q ( I D = 2,75 mA, U GS = 6,4V).