Bài tập ch 4 Mạch phân cực FET

4.1. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h.1)

có thông số sau : IDSS = 1,65mA, Vpo = 2V .
Tính :
1. Tính điện thế phân cực VGS theo điều
kiện VGS + Vpo = 0,63.
2. Tính dòng thoát ID.
3. Tính hệ số truyen dẫn gm.
Giải:
1. Tính VGS: Vp = VGS + Vpo
VGS = 0,63V – Vpo = 0,63 – 2 = - 1,37V
2. Tính dòng thoát:
2
 V 
 1
GS
I D  I DSS  
 V GSOFF  H.1

 
2
1,37V
 1, 65 1  0, 685   0,15mA
2
 1, 65mA 1 
2V
3,Tính hệ số truyền dẫn :

 V GS  2 I DSS  V GS 
g m  g mo 1   1  
 V GSOFF  V GSOFF  V GSOFF 
2 1, 65mA   1,37V 
 1    1, 65mA / V 1  0, 685   1, 65mA / V  0,315   0,52mA / V
2V  2V 

hay : gm = 0,52 mS
4.2. Cho mạch khuếch đại JFET 2N5458 ( H.2)
JFET có các thông số : IDSS = 2mA – 9mA
gm = gfs = 1500 – 5000  S và dòng rĩ cực
cỗng IGSS = 1nA.
1. Tính trị số VGS.
2. Tính điện thế VDS trong 2 giới hạn của
IDSS cho ở trên.
3. Tính độ lợi điện thế Av trong 3 giới hạn
Của IDSS ở trên.

Giải: H.2

1. Tính VGS :
VGS = VG – VS = RGIGSS – 0 = 100M  ( 1nA) = 0,1V= 0V

2. Tính VDS :
Khi IDSS = 2mA cho : Do VGS =0V  I D I DSS = 2mA

VDS = VDD – RD ID = 20V- 2k  (2mA) = 16V

Khi IDSS = 9mA cho : Do VGS = 0V  I D I DSS = 9mA

1
 VDS = VDD – RD ID = 20V- 2k  (9mA) = 2V

3.Độ lợi thế:

Với: gm = 1500  S = 1,5mS  Av = - gm RD = 1,5mS ( 2k  ) = - 3

gm = 5500  S = 5,5mS  Av = - gm RD = 5,5mS ( 2k  ) = - 11

4.3. Cho mạch khuếch đại JFET kênh n ( h.3) .

JFET có IDSS = 4mA; Vpo = 5V,
rds = 10k 
1. Tính điện thế phân cực VGDQ
để có IDQ = 1mA.
2. Tính RS và VDS.

Giải:
1. Tính VGS:
2
 V 
 1
GS
I D  I DSS  
 V GSOFF  H.3

 
2

1mA  4mA 1  V GS 
5V

 
2
1 1  V GS  V GS 1
 1  V GS   1     1 
4 5V 2  5V  5 2

 1  7,5V  7,5  5V  Vpo ( khong )

V GS  5    1 
 2  2,5V  2,5V  5V  Vpo ( chon )

Nhớ : VGSOFF = - Vpo

Vậy chọn : VGS = - 2,5V

2. Tính Rs và VDS :
V GS   R S I D  2,5V 
2,5V
RS   2,5k 
1,5mA
V DS  V DD   R D  R S  I D  12V   3,9  2,5  k  1mA   12  6, 4  5, 6V

4.4. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở bài 4.3. JFET có : Vpo = 2V; IDSS = 1,65mA;
phân cực tại VGS = - 0,62V; VDD = 24V. Tính :
1. Trị số dòng thoát ID.
2. Tính trị số RS.
Giải:
1 ID = 0,8mA
2 RS = 800 

4.5*. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS như ở h.4 nhưng với các trị số sau:
VDD = + 22V; RG = 1M  ; RD = 2,7k  ; RS = 500  ; các tụ liên lạc và tụ phân dòng có trị số
lớn xem như nối tắt ở chế độ ac. JFET có IDSS = 10mA; VGSOFF = -Vpo = -4V.

2
 1. Vẽ đặc tuyến truyền.
2. Vẽ đường phân cực và xác định điểm tĩnh điều hành Q. ID ( mA)
Giải: 10
1. Vẽ đặc tuyến truyền :
Trước hết cho VGS lần lượt có trị -1V; D
-2V; -3V rồi tính trị ID tương ứng 6

Q 3,3
2

VGS(V) -4 -3 -2 -1 0
1,7

-Cho VGS = - 2 V , tính được: H.4

2
 V GS 
I D  I DSS 1   
 V GSOFF 
 2 
2

  10mA 1  0,5  
2
 10mA 1 
 4 
 2,5mA
-Cho VGS = - 1V :
2
 V GS 
I D  I DSS 1   
 V GSOFF 
 1 
2

 10mA 1    10mA 1  0, 25  
2

 4 
 5, 6mA
- Cho VGS = - 3V :
2
 V GS 
I D  I DSS 1   
 V GSOFF 
 3 
2

 10mA 1    10mA 1  0, 75  
2

 4 
 0, 625mA
Vẽ được đặc tuyến truyền ( h.4)
2. Vẽ đường phân cực:
Ta có phương trình đường phân cực VGS = - RS ID hay:
V GS
ID  
RS
là đường thẳng đi qua điểm gốc vá có hệ số độ dốc bằng – 1/500  , có thể vẽ
nhanh bằng cách thiết lập bảng biến thiên sau:

VGS(V) 0 -1 -2 -3 -4

ID (mA) 0 0,2 4 6 10,8

3
 Vẽ chung với đặc tuyến truyền ở h,4 . Giao điểm của 2 đường cho trị số điểm tĩnh
điều hành Q :
VGS = - 1,7V
IDQ = - 3,3mA
Còn lại trị số VDSQ tính được:
VDSQ = VDD – ( RD + RS ) ID = 22V – ( 2,7 + 0,5)k  ( 3,3mA) =
= 22V – 10,56V = 11,44V
4.6*. Cho mạch khuếch đại CS JFET tự phân cực như h.3 nhưng với VCC = +22V; RG =
1M  ; RD = 3,6k  ; RS = 0,75k  . JFET có: IDSS = 12mA; VGSOFF = -Vpo = -4V. Tính:
1. Tri số điểm tĩnh điều hành Q.
Giải:
1. Tính trị số điểm Q
Vì không biết cùng 1 lúc 2 trị số VGS và ID nên ta có thể giải bằng phương pháp
tìm giao điểm của đặc tuyến truyền và đường phân cực
Tuy nhiên , sau đây ta xét cách giải bằng giải phương trình bậc 2 để tính dòng I D.
Từ phương trình :
2
 V GS 
I D  I DSS 1   (1)
 V GSOFF 
và :
VGS = - RSID (2)
Thay (2) vào (1) :
2
 RS I D    R S I D  2R S I D  
2 2
I D  I DSS 1   I DSS  1  
 V GSOFF   V GSOFF V GSOFF 
2

 V GSOFF 
2
2 2
RS I D   I D  V GSOFF R S
2    V GSOFF  0
2

 I DSS 
x  ID
a  R 2S
có dạng phương trình bậc 2 : ax2+ bx + c =0 với :  V
2

b    2 V GSOFF R S  GSOFF 
 I DSS 
c  V GSOFF
2
 V 2po

Giải phương trình cho ta nghiệm :

b  b 2  4ac
ID 
2a
Thay các trị số linh kiện vào tính được:
a   0, 75k     750   562.500
2 2

 42 
b    2  4   750   3 
 6000  1334  7334
 12.10 
c  4  16
2

 7334   4  562500 16   4217,5  4218

2
  b 2  4ac 
  7334   4218 1A  IDSS ( khong )
ID  
2  562500  2, 77mA  I DSS ( chon )

4
 vậy chọn : ID = 2,8mA 
VGS = - RSID = - 0,75k  (2,8mA) = -2,1V
Tính VDS :
VDS = VDD – ( RD + RS)ID = 22V – ( 3,6 + 0,75)k  ( 2,8mA) =
= 22V – 12,18 = 9,8V
4.7*. Làm lại bài tập 4.6* với các trị số sau: VDD = 20V; RD = 2,4k  ; RS = 680  ; RG =
3,3M  . JFET có : IDSS = 10 mA ; VGSOFF = -Vpo = - 4V.
Đáp số :
Tính điểm Q: 12,45mA > IDSS( không chọn)
IDQ =
2,78mA < IDSS ( chọn)
VGSQ = - 1,9V
VDSQ = 11,43V
4.8. Cho mạch khuếch đại JFET như h. 5 .
JFET có : IDSS = 10 mA ; IGSS = 0 A.
VGSOFF = -Vpo = - 4V; Vi = 20mV
Tính trị điểm Q.
Đáp số :
Tính trị Q.
VGG = VGS + RGIGSS = VGS
VGS = VGG = - 1V
2
 V GS 
I D  I DSS 1   
 V GSOFF 
 1 
2

 10mA 1    10mA 1  0, 25  
2

 4 
 5, 6mA
V DS  V DD  R D I D  15V  1,5k   5, 6mA 
 15V  8, 4V  6, 6V
Hình 5

4.9 Cho mạch khuếch đại CS (h.7) . JFET được phân cực có IDQ = 2,5mA gm = 3mS ;
rd = 100k  . Tính trị VGSQ, VDSQ.

Giải:
1. Tính VGSQ, VDSQ
R2 1
VG  V DD  24V  4V
R1  R 2 5, 6  1
VS = RSID = 2,7k  (2,5mA) = 6,75V H.7
VGSQ = VG – VS = 4V – 6,75V = - 2,75V
VDSQ = VDD – ( RD + RS ) ID =
= 24V – ( 2,7+2,7)k  (2,5mA) =
= 24V – 13,5V = 10,5V Hình 7

4.10*. Cho mạch khuếch đại JFET ráp CS ( h.8).

JFET có:Vpo = 4V; IDSS= 12mA;
rd = 25k  tại ID = 12mA. Tính:
1. Trị số điểm tĩnh điều hành Q.
Giải :

5
 1. Tính trị điểm Q
R2
VG  V DD 
R1  R 2
0, 6
 20V  6V
1, 4  0, 6
V S  R S I D  2, 7.10 I D
3

V GS  V G  V S  6V  2, 7.10 I D
3

Thay vào biểu thức tính ID : H.8

2 2
 V GS   6V  2, 7.103 I D 

I D I DSS  1    12 mA 1   
 V GSOFF   4V 
2
 3 2, 7.103 I D 
 
2
3 3
 12.10 1     12.10 2,5  0, 675.10 I D
3

 2 4 

 
 12.103  2,5   2  2,5  0, 675103 I D  0, 675103 I D   
2 2


 12.103 6, 25  3,375.103 I D  0, 4556.106 I 2D  
Sắp xếp lại ta có phương trình bậc 2 của ID:
 1 
0, 4556.106 I 2D   3,375.103   I D  6, 26  0
 12.103 
Chia tất cả cho 0,4556 ta được:
 
106 I 2D  7,59.103 I D  13, 7  0
Do dòng thoát ID có trị vào khoãng mA ( 10-3 A ) và I 2D có trị ( 10-6A) nên phương trình
trên có thể rút gọn thành :
I D  7,59I D  13,7  0
2

Giải được:

 7,59   4 13, 7 
2
7,59  2,96mA
ID  
2 4, 63mA
vì cả 3 kết qủa đều < IDSS nên ta cần xét thêm trị VGS để chọn trị nào cho
V GS  V GSOFF :
Với: ID = - 2,96mA  VGS = 6V – 2,7 103(2,96. 10-3) = 6V – 1,992 = -2V
ID = - 4,63mA  VGS = 6V – 2,7 103(4,63. 10-3) = 6V – 12,5 = -6,5V
Do 6,5V > 4V , nên ta chọn kết qủa :
VGS = - 2V và ID = 2,96mA

Tính :
VDS = VDD – ( RD + RS ) ID = 20V-( 2,7 + 2,7).103 (2,96. 10-3) =
= 20V – 15,984V = 4V.

4.11. Cho mạch khuếch đại ráp CS như ở h.8 với có R1 = 1M  , R2 =470k  RS = 680  ,
RD = 1,2k  , VDD = 30V. Tại điểm tĩnh điều hành , JFET có các thông số sau : IDSS
= 11mA và Vpo = 2V. Tính :
1. Trị số điểm tĩnh Q.
Đáp số:

6
 1. Giải phương trình bậc 2 cho IDQ có 2 trị số là 4,8 mA và 9,5mA. Suy ra có 2 trị VGSQ
là : 2.58V -0,680k  ( 4,8mA) = - 0,684V > VGSOFF = - 2V và 2,58V -(0,68k 
)(9,5mA) = - 3,88V < VGSOFF . Do đó chọn :
IDQ = 4,5 mA
VGSQ = - 0,684V
Suy ra : VDSQ = 20,98V

4.12. Đặc tính kỹ thuật của MOSFET loại tăng , cho biết ID = 9mA tại VGS = 8V; VTH = 1V.
1. Tính trị số k.
2. Tính dòng thoát ID.tại trị số phân cực VGS = 3V
Giải :
1. Tính k
ID 9mA
k   0,18mA / V 2
V GS  V TH  8V  1V 
2 2

2. Tính dòng ID:

ID = (0,18 mA/V2 )(3 – 1)2 = 0,72 mA.

4.13. Cho mạch khuếch đại MOSFET loại hiếm ráp cực nguồn chung theo h. 9.
FET có IDSS = 10mA; Vpo = 3, 5V. Tính trị số phân cực DC.
Giải:
Tính trị phân cực
RGIG +VGS = 0
VGS = 0V
Nên :
ID = IDSS ( 1- 0 )2 = IDSS = 10mA
Và:
VDS = VDD – RDID
= 24V – 10mA ( 1,5k)
= 9V

Hình 9

4.14. Cho mạch khuếch đại MOSFET loại hiếm n-DMOSFET như H.10. DMOSFET có
thông số : IDSS = 6mA ; Vop = 3V; yos = 0,05mS, IS = 5,5mA
Tính trị số phân cực Q.

Giải:
H.
H.10
Tính VGS , VDS
R2 10
VG  V CC  18V  1,5V
R1  R 2 110  10

VS = RSID = 0,3k  ( 5,5mA ) = 165V

VGS = VG – VS = 1,5V – 1,65V = 0,15V

7
 VDS = VDD – (RD + RS )ID = 18V – ( 1,8k  + 0,3k  ) ( 1,93mA) =
= 18V – 11,55V= 12,78V

4.15. Cho mạch khuếch đại n-EMOSFET như h. 11 . MOSFET có: ID(ON) = 5mA; tại VGS ( ON)
= 10V; VTH = 4V ; gm = 5,5 mS.
Tính trị số điểm tĩnh Q.
Giải:
Tính trị điểm Q:
I D (ON )
k 
V GS (ON )  V TH 
2

5mA
k
10V  4V 
2
H.11
 0,139mA / V 2

Điện thế phân cực:

Hình 10

R2 33
VG  V DD  15V  6,19V
R1  R 2 47  33
V S  0V
V GS  V G  V S  6,19V  0V  6,19V
Dòng ID:
2
 2

I D  k V GS  V TH   0,139 mA / V  6,19V  4V   0,667mA
2

Điện thế VDS :

VDS = VDD – RDID = 15V – 3,3k( 0,667mA) = 12,8V

4.16. Cho mạch khuếch đại N-EMOSFET

ráp CS như h. 12. MOSFET có thông số:
k = 0,25 mA/V2 ; VTH = 2V; rd = 75k  ,
được phân cực tại ID =1,93 mA.
1. Tính VGS, VDS.

Giải:
1.Tính VGS, VDS
R2
VG  V DD 
R1  R 2
22
 18V  5, 74V
47  22
VS = RSID = 0,5k  ( 1,93mA ) = 0,965V H.12
VGS = VG – VS = 5,74 =- 0,965V = 4,775V
VDS = VDD – (RD + RS )ID = 18V – ( 2,2k  + 0,5k  ) ( 1,93mA) = 12,78V
Nhận xét: Do có :
V DS  V GS  V TH
12,78  2,78V
nên N-EMOSFET hoạt động trong vùng tác động.

8
4.17. Cho mạch khuếch đại N-EMOSFET ( 2N 4351 ) theo h.12 với VDD = 40V; R1 = 22  ;
R2 = 18M  ; RD = 3k  ; RS = 0,82k  . MOSFET có VTH = 5V; ID(ON) = 3mA tại
VGS(ON) = 10V . Tính trị số điểm Q.

Giải:
1.Tính trị điểm Q.
Vì ta không biết được cả 2 trị ID và VGS cùng 1 lúc nên ta phải hoặc dùng các giải
bằng cách tìm giao điểm của đặc tuyến truyền – đường phân cực hoăc bằng cách giại
phương trình bậc 2 của ID ( xem lại giáo trình ).
Dưới đây ta áp dụng cách giải phương trình bậc 2 vì quen thuộc và chính xác hơn.
Ta có :
ID = k ( VGS – VTH )2 .
VGS = VG – VS
Thay vào ta được:

I D  k V G  R S I D   V TH  
2

Khai triển và sắp xếp lại ta phương trình bậc 2 theo ID :

 1 
R S I D   2 R S V GS  V TH    I D  V GS  V TH   0
2 2 2

 2k 
Có dạng phương trình :
ax2 + bx +c = 0
Với :
a  R 2S
 1 
b    2 V G  V TH  R S 
 2k 
c  V G  V TH 
2

Giải được :
b  b 2  4ac
ID 
2a
Công thức trên vẫn áp dụng đúng cho MOSFET kênh p với VG và VTH là các giá trị
tuyệt đối .
Áp dụng vào mạch trên ta tính được:
I D (ON ) 3mA
k   0,12mA / V 2
V GS (ON )  V TH  10V  5V 
2 2

a = ( 820)2 = 672400
b = -[2( 18 – 5)(820) + ( 1 / 0,12.10-3 )] = -2[ 10660+4167] = - 29654
c = ( 18 – 5 )2 = 169

  29654   4  672400 169   20611

2

Giải được:
29564  20611 6, 275mA
ID  
2  672400  37,37 mA
Suy ra:
Với ID = 6,275mA  VGS = VG – RSID= 18V – (829)(6,725mA) =

9
 = 18V – 5,1455V = 12, 855V > VTH.
Với ID = 37,37mA  VGS = VG – RSID= 18V – (829)(37,37mA) =
= 18V – 30,65V = -12,64V < VTH
Vậy chọn : IDQ = 6,275mA
VGSQ = 12,855V
Và :
VDSQ = VDD – ( RD + RS)ID =
= 18V- ( 0,82+3)3 ( 6,27510-3 = 18V – 23,97V =
= 16,03V

Chú ý: 30 ID ( mA)
Khi giải bằng đặc tuyến
truyền : ID = k( VGS – VTH)2 21,95 N
và đường phân cực:
V GS V DD
ID   10
RS RS
6,7 IDQ Q
Giao điểm cho ta trị Q M VGS (V)
0 5 10 12,5 15 20
VTN VGSQ
4.16.Cho mạch khuếch đại N-EMOSFET
ráp CS phân cực hồi tiếp ( h.13 ).
MOSFET có thông số VTH = 2,5V;
k = 0,3 mA/V2 ; yos = 20  S; VGS = 5V.
Tính trị số điểm tĩnh Q.
Giải:
1. Tính ID và VDS :
I D  k V GS  V TH  
2

 0,3mA / V 2  5  2,5  
2
H.13
 1,875mA
V DS  V DD   R D  R S  I D  12V  4k 1,875mA  4,5V

  g m  r d R D   1,5mS  4 50  k  
VO
AV 
Vi
 1,5mS  3, 7k    5,55
Z i  R G  10M 
Z O   r d R D    4k  50k    3, 7k 
'

10