Chương 4

KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

4.1NHỮNG VẤN ĐỀ CƠ BẢN CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
DÙNG BJT
4.1.1 Phương pháp phân tích
Các kiểu phân cực đã được giới thiệu ở chương 3 sẽ được sử dụng để phân tích tín
hiệu xoay chiều nhỏ. Các mạch được phân tích sau đây là những mạch điện thực tế
thường được sử dụng. Để phân tích bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT người ta
thường dùng sơ đồ tương đương để phân tích. Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín
hiệu xoay chiều cần chú ý hai điểm sau:
- Thiết lập tất cả các nguồn cung cấp một chiều ở mức điện thế 0V. Điện
trở của nguồn cung cấp một chiều đối với thành phần xoay chiều là rất nhỏ có thể bỏ
qua (Ngắn mạch nguồn cung cấp)
- Dung kháng của tụ điện là rất bé so với tần số của tín hiệu nên khi phân
tích cũng có thể bỏ qua (Ngắn mạch tất cả các tụ điện)
4.1.2 Sơ đồ tương đương của BJT
a. Mạch CB (OB)
Trên hình H4-1 là sơ đồ của cách mắc CB của transistor lưỡng hạt loại N-P-N. Do
transistor được tạo thành bởi hai tiếp giáp P-N vì vậy có thể coi tiếp giáp P-N giữa
cực Bvà E là một diode. Ngoài ra vì I C   . I E nên giữa cực B và cực C được thay
bằng một nguồn dòng có giá trị là  . I E . Với sự thay thế đó ta có thể vẽ được sơ đồ
tương đương như hình H4-2
IE IC IE IC
E C E C
D1
IB
B B B B
H4-1 Cách mắc CB H4-2 Sơ đồ tương đương
Khi transistor được phân cực hoạt động ở vùng tích cực thì tiếp giáp emitter phân
cực thuận, khi đó diode D1 (trong sơ đồ tưong đương) tương đương với một điện trở
có giá trị bằng điện trở thuận của diode, điện trở này được ký hiệu là re và được tính
UT
theo công thức re 
IE
Với UT là điện thế nhiệt, ở nhiệt độ bình thường UT = 26mV do đó :
26mV
re  IE IC
IE C
E

re

B B
H4-3 Sơ đồ tương đương của cách mắc CB
 Như vậy sơ đồ tương đương của cách mắc CB được vẽ lại như sơ đồ H4-3. Với sơ
đồ tương đương của hình H4-3 ta có thể tính được trở kháng vào và trở kháng ra của
mạch CB như sau:
ZV = re
Giá trị của re rất nhỏ, tối đa là 50 
Trở kháng ra được tính khi cho tín hiệu vào bằng không, vì thế I E = 0 nên
I C   . I E  0 , nghĩa là đầu ra của mạch H4-3 hở mạch, do đó
Zr  
Thực tế, trở kháng ra của mạch CB cỡ vài M
b. Sơ đồ tương đương của mạch CE
Tương tự cách mắc CB, ta có thể vẽ được sơ đồ tương đương của mạch CE như
hình H4-4
C
C IC
IC
IB IB
B B
IE re IE
E E E E

H4-4 Sơ đồ cách mắc và sơ đồ tương đương của mạch CE

Theo sơ đồ trên ta có:
U V U BE  .I B .re
ZV      .re
IV IB IB
Ở sơ đồ tương đương không xác định được trở kháng ra, thực tế trở kháng ra
được xác định theo độ dốc của đường đặc tuyến ra ở hình H4-5.
Giả sử trở kháng ra của mạch CE là Zr = r0.
Với trở kháng vào là  .re ta có thể vẽ lại sơ đồ tương đương như hình H4-6
IC
Độ dốc
(mA)
IB IC
B C

re I C   .I E
r0
IB E E

0 UCE H4-6 Sơ đồ tương đương của cách mắc CE

H4-5 Xác định r0 của mạch CE
(V)

c. Sơ đồ tương đương của mạch CC

 Tương tự như cách mắc CE, ta sẽ có sơ đồ tương đương của mạch CE và sơ đồ
tương đương này sẽ được vẽ trong các mạch cụ thể ở phần sau.

4.2 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT MẠCH PHÂN CỰC
CỐ ĐỊNH
4.2.1 Sơ đồ nguyên lý

+UCC
RB RC Ir

U IV C2 Ur
V C1
ZV Zr

H4-7 Mạch phân cực cố định mắc emitter chung

Sơ đồ nguyên lý như hình H4-7 .

Tín hiệu vào UV được đưa đến cực B của transistor trong khi đầu ra Ur lấy từ cực C.
Dễ dàng nhận ra dòng iV là dòng nguồn không phải dòng cực B, trong khi dòng ra Ir lại
là dòng cực C.
Với tín hiệu xoay chiều có thể vẽ lại như hình H4-8
4.2.2Sơ đồ tương đương

IV IB IC
U IV Ir Ur
RC Ir
 .I B
V
Zr U RB Ur
RB re RC
ZV V ZV r0 Zr

H4-8 Sơ đồ H4-7 khi nối tắt nguồn cung cấp H4-9 Sơ đồ tương đương
và Đây
tụ là mạch mắc theo kiểu CE nên sơ đồ tương đương như hình H4-9
Chú ý rằng: Các hệ số  , r0 , re được tra từ bảng các thông số kỹ thuật hoặc đặc tuyến
ra. Như vậy  , r0 , re coi như đã biết
4.2.3Các phương trình tính toán
Trở kháng vào của mạch ZV
ZV  RB // re
Trở kháng ra Zra
Z r  RC // r0
Hệ số khuếch đại điện áp:
 Ur
KU  , Trong đó:
UV
U r   I B ( RC // r0 )
U V  I B  re
U r  I B  RC // r0   R // r 
 KU    C 0
UV I B re re
Hệ số khuếch đại dòng điện
Theo định luật phân dòng đầu ra và đầu vào
( r0 )( I B ) I r
Ir   r  0 Với
r0  RC I B r0  RC
( RB )( IV ) I RB
IB   B 
RB  re IV RB  re
Kết quả :
I r  I r  I B   r0   RB  RB r0
Ki          
IV  I B  IV   r0  RC  RB  re   r0  RC  RB  re 
Trong phương trình xác định hệ số khuếch đại điện áp không thấy  , tuy nhiên
giá trị của  được dùng để xác định r e, dấu trừ thể hiện điện áp ra ngược pha với điện
áp vào
Quan hệ giữa Ku và Ki được thể hiện qua công thức sau:
ZV
Ki   K u
RC
4.3 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT MẠCH PHÂN ÁP
4.3.1 Sơ đồ nguyên lý

Ir +UCC
R1 RC

UV IV Ura
C2
C1
R2 Zr
ZV
R C
E E
H4-10 Sơ đồ Mạch phân áp

4.3.2 Sơ đồ tương đương

IV IB IC
Ir
UV R2 R1
re  .I B r0 RC
Ur
ZV Zr

R’
H4-11 Sơ đồ tương đương của mạch phân
 áp

Chú ý rằng trong sơ đồ tương đương không có điện trở RE là do dung kháng của tụ
CE là rất bé nên có có thể coi là đã ngắn mạch thành phần xoay chiều trên điện trở RE
4.3.3 Phương trình tính toán các thông số xoay chiều
- Trở kháng vào ZV.
Từ sơ đồ tương đương ta có thể dễ dàng nhận thấy:
R '.re
ZV  R ' // re 
R ' re
R .R
Với R'  R1 // R2  R  R
1 2

1 2

- Trở kháng ra Zr
RC .r0
Z r  RC // r0 
RC  r0
Nếu r0  10 RC  Z r  RC
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku
Ta có: U r  (  . I B ). RC // r0 
UV U 
Vì IB   U r     V  RC // r0 
 .re   .re 
U r RC // r0
 Ku   
UV re
- Hệ số khuếch đại dòng điện Ki
Sơ đồ tương đương hình H4-11giống hoàn toàn sơ đồ tương đương hình H4-9 chỉ
có khác là thay điện trở RB bằng điện trở R’ = R1//R2 vì vậy phân tích tương tự ta có
hệ số khuếch đại dòng điện Ki
Ir  .R '.r0
Ki  
IV ( r0  RC )( R '  .re )
Quan hệ giữa Ku và Ki
ZV
Ki   K u .
RC
4.4MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT MẠCH PHÂN CỰC
ỔN ĐỊNH CỰC EMITTER
 4.4.1 Sơ đồ nguyên lý

+UCC
RB RC Ir

IV C2 Ura
UV
C1
IE Zr
ZV RE

H4-12 Sơ đồ phân cực cố định emitter

4.4.2 Sơ đồ tương đương

IV B IB C
Ir
UV re  .I B
Ur
RB RC Zr
I E  1    I B
ZV ZB
E

H4-13 Sơ đồ tương đương

Sơ đồ này có điện trở cực Emitter nên không thể bỏ qua được đối với thành phần
tín hiệu xoay chiều. Vì vậy có sơ đồ tương đương trong hình H4-13. trên sơ đồ tương
đương so với sơ đồ tương đường mạch trước không có thành phần điện trở r 0. Vì khi
có thêm r0 thì việc phân tích mạch rất phức tạp. Nên trong thực tế hầu hết các trường
hợp có thể bỏ qua
4.4.3 Phương trình tính toán các tham số xoay chiều
- Trở kháng vào ZV
Áp dụng định luật Kirchhoff với đầu vào của mạch tương đương hình H4-13 ta có:
UV  I B . .re  I E .RE
UV  I B . .re  (1   ). I B .RE
UV
ZB    .re  (1   ). RE
IB
Do  lớn hơn rất nhiều so với 1 nên phương trình trên có thể được rút gọn
Z B   .re   .RE   ( re  RE ) Mặt khác thường thì RE>>re nên
Z B   .RE
 Trở kháng vào của mạch sẽ là:
ZV = ZB//RB
- Trở kháng ra: Với UV = 0V, IB = 0 và  . I B  0 , từ sơ đồ tương đương H4-13 có
thể thay thế bằng một mạch tương đương hở mạch. Kết quả là:
Zr = RC
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku
UV
IB 
ZB
U 
U r   I r RC    . I B .RC     V  RC
 ZB 
Ur RC
Nên Ku  U    Z Thay thế Z B   ( re  RE ) ta có:
V B

Ur RC
Ku  
UV re  RE
Lấy xấp xỉ Z B   .RE ta có:
Ur R
Ku   C
UV RE
- Hệ số khuếch đại dòng điện:
Giá trị của RB thường chọn gần với ZB nên cho phép xấp xỉ IB = IV. Theo luật phân
dòng với mạch vào ta có kết quả:
RB . IV IB RB
IB  nên 
RB  Z B IV RB  ZV
Ir
Hơn nữa 
IB
I I I R
Do đó Ki  I  I . I   . R  Z
r r B B

V B V B B

- Quan hệ giữa Ku và Ki
Zr
Ki   K u
RC

4.5MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT MẮC OC

+UCC
4.5.1 Sơ đồ nguyên lý RB

IV
UV
C2
C1
Ura
ZV Ir
RE Zr

H4-14 Mắc collector chung

 Khi đầu ra được lấy trên emitter của transistor như hình H4-14. Sơ đồ được mắc
collector chung. Điện áp ra luôn nhỏ hơn tín hiệu vào chút ít bởi vì tiêu hao trên cực
E, do đó Ku  1 . Không giống điện áp cực C điện áp cực E luôn cùng pha với U V và
Ur  Uv
Với trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ, sơ đồ này thường được sử dụng để
phối hợp trở kháng. Bỏ qua ảnh hưởng của r0 ta vẽ được mạch tương đương như hình
H4-15. Ảnh hưởng của r0 sẽ xét sau
4.5.2 Sơ đồ tương đương

IV B C

re  .I B
UV
ZV RB
ZB Ur
E
Ir Zr
I E  1    I B
H4-15 Sơ đồ tương đương
4.5.3 Các thông số xoay chiều
- Trở kháng vào
Trở kháng vào của mạch được xác định như các mạch trước
ZV = RB//ZB trong đó
Z B   .re  (1   ) RE  RE
- Trở kháng ra
Trở kháng ra được xác định qua phương trình dòng IB
UV
IB 
ZB
 UV (   1)UV UV
I E  (   1). I B  (   1)  
Z B  .re  (1   ) RE  . re
 RE
 1
Do   1 nên
UV
IE 
re  RE
Với dòng IE được xác định theo công thức trên ta có thể vẽ được mạch như hình
H4-16 r e

IE
UV Zr
RE Ur

H4-16 Xác định Zr

Trở kháng ra được xác định khi UV = 0 nên ta có:

Zr = RE//re
Vì RE thường lớn hơn re rất nhiều nên:
Z r  re

- Hệ số khuếch đại điện áp Ku

RE .UV
Ur 
RE  re
U R
Do đó Ku  U  R  r
r E

V E e

R
Vì RE thường lớn hơn re nên R  r  1 do đó
E

E e

Ur
Ku  1
UV
Hệ số khuếch đại dòng điện
R .I I R
Ta có I B  R  Z nên I  R  Z
B V B B

B B V B B

I
Và: I r   I E  (   1) I B nên I  (   1)
r

I I I R
Do đó: Ki  I  I . I  (   1) R  Z
r r B B

V B V B B

Quan hệ giữa Ki và Ku
ZV
Ki   K u
RE
Xét ảnh hưởng của r0
 - Trở kháng vào ZV
Khi có điện trở r0 lúc này r0 mắc song song với điện trở RE lúc này ta có:
(   1) RE
Z B   .re 
R
1 E
r0
R
Nếu điều kiện r0  10RE được thỏa mãn thì có thể coi 1  r  1 vì vậy:
E

Z B  re  (1   ) RE   ( re  RE )
- Trở kháng ra Zr
re
Z r  r0 // RE //
(   1)
Coi   1    Z r  r0 // RE // re và vì r0>>re nên
Zr = RE//re
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku
RE
(1   )
ZB
Ku 
RE
1
ro
Nếu điều kiện r0 >10.RE được thỏa mãn và coi   1   ta có:
 .RE
Ku  nhưng Z B   ( re  RE ) do đó
ZB
 . RE RE
Ku  
 ( RE  re ) re  RE