4.

4MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG JFET

4.4.1 Một số vấn đề khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET
a. Khái quát chung
Khuếch đại dùng FET có hệ số khuếch đại điện áp tốt với đặc trưng trở kháng vào
lớn. Chúng cũng được sử dụng trong các sơ đồ có tiêu hao năng lượng thấp với dải
tần số thích hợp và kích thước, trọng lượng nhỏ. Cả hai loại JFET và MOSFET kênh
dẫn có sẵn đều được thiết kế dễ dàng. Tuy nhiên mạch dùng MOSFET kênh dẫn có
sẵn có trở kháng vào cao hơn so với sơ đồ sử dụng FET tương ứng.
Trong khi ở BJT dòng điện đầu ra (dòng collector) được điều khiển bằng dòng
điện đầu vào (dòng base), thì ở FET dòng điện đầu ra (dòng cực máng) lại được điều
khiển bằng điện áp vào (điện áp cực cổng). Nói chung BJT là một linh kiện được điều
khiển bằng một dòng điện và FET là một linh kiện được điều khiển bằng điện áp. Ở
cả hai trường hợp, chú ý rằng dòng điện là đại lượng biến thiên được điều khiển. Do
FET có đặc trưng là trở kháng vào lớn nên các sơ đồ tương đương ở chế độ xoay
chiều dù sao cũng đơn giản hơn so với BJT.
Trong khi hệ số đặc trưng cho chế độ khuếch đại của BJT là  thì FET là độ hỗ
dẫn gm
FET có thể được sử dụng như một bộ khuếch đại tuyến tính hoặc một linh kiện số
trong các mạch logic. Thực tế MOSFET kênh cảm ứng xuất hiện khá phổ biến trong
các mạch số, đặc biệt là trong các mạch CMOS yêu cầu lượng tiêu thụ rất thấp.
Cũng như BJT, các thông số đặc trưng cho sự khuếch đại của FET được phân tích
trong chương này là hệ số khuếch đại điện áp, trở kháng vào và trở kháng ra.
b. Mô hình của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ
Trong chế độ tín hiệu nhỏ, một tính chất của FET được ứng dụng là dùng điện áp
đặt giữa cực cổng và cực nguồn để điều khiển dòng điện chạy từ cực máng về cực
nguồn (dòng điện trong kênh dẫn)
Ta biết rằng ở chế độ tĩnh, điện áp U GS điều khiển dòng một chiều ID thông qua
quan hệ được biễu diễn theo phương trình Shockley:
2
 U 
I D  I DSS 1  GS 
 UP 
Khi thay đổi điện áp UGS sẽ làm thay đổi dòng cực máng I D, độ thay đổi này được
đặc trưng bởi độ hỗ dẫn gm:
I D
gm 
U GS
c. Cách xác định gm bằng phương pháp hình học
 Xét đặc tuyến truyền đạt trên hình H4-24, ta thấy rằng g m chính là độ dốc của đặc
tuyến truyền đạt tại điểm làm việc. Đó là:
y I D
gm  m  
x U GS
Trên đường cong đặc tuyến truyền đạt, rõ ràng là độ dốc của nó (chính là gm) tăng
lên khi điểm làm việc thay đổi từ điểm UP đến IDSS hay nói cách khác, khi UGS tăng
dần từ 0V thì độ lớn của gm cũng tăng lên. Để xác định gm từ đặc tuyến truyền đạt.
trước hết ta vẽ đường đặc tuyến truyền đạt sau đó xác định một số điểm trên đặc tuyến
từ đó xác định gm các điểm đã lựa chọn.

ID
IDSS

I D
U GS UGS(V)
UP
H4-23 Xác định gm nhờ đặc tuyến truyền đạt

d. Tính gm bằng biểu thức toán học

Phương pháp dùng đặc tuyến truyền đạt để xác định g m có ưu điểm là trực quan,
đơn giản nhưng thường cho giá trị không chính xác một cách tuyệt đối. Vì vậy người
ta có thể xác định gm từ các biểu thức toán học dựa vào tính chất: đạo hàm tại một
điểm chính là độ dốc (hệ số góc) của tiếp tuyến tại điểm đó.
I D dI D
gm   tại điểm làm việc Q như vậy ta có thể suy ra:
U GS dU GS
 2

gm 
dI D  I 1  U GS 
   2 I 1  U GS   d  1 . dU GS 
DSS   
dU GS  DSS  UP    U P   dU GS U P dU GS 
 
2 I DSS  U GS 
gm  1  
UP  UP 
Ở đây U biểu thị giá trị gm luôn luôn dương. Từ công thức tính g m trên ta thấy
P

gm đạt giá trị lớn nhất khi UGS = 0v khi đó:

2 I DSS ( T )
gm0 
UP
gm0 biểu thị giá trị của gm tại điểm có UGS = 0V
Từ đó ta có:
  U 
g m  g mo 1  GS 
 UP 
e. Trở kháng vào ZV của FET
Trở kháng vào của FET là rất lớn và có thể coi gần đúng nó là trở ở cửa vào của
một hở mạch.
ZV (FET )  

Với JFET, ZV  109  , còn đối với MOSFET thì ZV  1012  1015 
f. Trở kháng ra Zr của FET
Trở kháng ra của FET thường được biễu diễn với tham số đặc trưng là dẫn nạp ra
y0S (o là biễu thị đầu ra output, s biểu thị lấy ra ở cực nguồn) đơn vị của yos là S
1
Z r ( FET )  rd 
yos
Trở kháng ra được xác định trên đặc tuyến H4-24 nó là độ dốc của đặc tuyến so
với đường nằm ngang tại điểm làm việc, đặc tuyến càng nằm ngang thì trở kháng ra
càng lớn. Ta có:
U DS
rd  UUS  const
I D
Điện trở máng rd biểu thị sự ảnh hưởng của điện áp cực máng U DS tới dòng điện
cực máng ID khi điện áp trên cực cổng không thay đổi. Như vậy, điện trở máng r d
chính là trở kháng ra của FET ở chế độ xoay chiều trên cực máng.

ID

8 UGS=0V
7
6
5
4 UGS=-1V
3
2
1
U DS UGS=-2V
UDS
H4-24 Xác định trở kháng ra
g. Mạch tương đương của FET ở chế độ xoay chiều
Ở sơ đồ tương đương của FET, sự điều khiển của điện áp U GS tới dòng ID được
biểu thị bằng nguồn dòng gm.UGS được nối giữa cực D và cực S chiều của nguồn dòng
này là chiều từ D đến S, nó thiết lập một sự đảo pha 1800 giữa điện áp đầu vào và điện
áp đầu ra khi FET làm việc
 G D
UGS rd
gmUGS
S S
H4-26 Sơ đồ tương đương của FET

Trở kháng vào được chỉ ra bằng hở mạch ở cửa vào và trở kháng ra chính là điện
trở rd giữa máng và nguồn.Trong những trường hợp khi r d không được nhắc đến (Giả
sử đủ lớn tương ứng với hở mạch) thì sơ đồ tương đương sẽ đơn giản sẽ là một nguồn
dòng mà độ lớn của nó được điều khiển bằng điện áp UGS và tham số gm
4.4.2Sơ đồ mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mạch phân cực cố định
a. Sơ đồ nguyên lý +UDD

RD
C2
C1 UR
UV
RG
-
UGG
+

H4-27 Sơ đồ nguyên lý mạch KĐ tín hiệu nhỏ - mạch phân cự cố định

b. Sơ đồ tương đương
G D

UV gmUGS Ur
RG rd RD
ZV Zra
S

H4-28 Sơ đồ tương đương của mạch

c. Các phương trình xác định thông số xoay chiều
Trở kháng vào ZV
ZV = R G
Trở kháng ra Zr
Trở kháng ra của mạch được xác định khi cho ngắn mạch đầu vào. Khi U V = 0V
thì UGS = 0V. kết quả là gm.UGS = 0V, do đó nguồn dòng được coi như hở mạch
Trở kháng ra lúc này sẽ là:
Zr = RD//rd
Hệ số khuếch đại điện áp
Từ sơ đồ tương đương ta có;
 U r   g mU GS ( rd // RD )
UV = UGS
 U r  g mUV ( rd // RD )
Ur
 Ku    g m ( rd // RD )
UV
U
Nếu rd  10RD  K u  U   g m RD
r

Giá trị âm của biểu thức tính hệ số khuếch đại chỉ rõ rằng điện áp vào và điện áp ra
ngược pha nhau.
4.4.3Sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET sơ đồ tự phân cực
a. Sơ đồ nguyên lý
UDD
ID

RD C2

UV C1 UR
IDSS
UP

RG RS
CS

H4-29 Sơ đồ tự phân cực của JFET

b. Sơ đồ tương đương và công thức xác định thông số xoay chiều khi có tụ CS

G D

UV gmUGS Ur
RG rd RD
ZV Zra
S

H4-30 Sơ đồ tương đương của mạch JFET tự phân cực

Ta thầy sơ đồ tương đương của mạch tự phân cực và mạch phân cực cố định
giống nhau nên công thức tính toán các thông số xoay chiều như mạch phân cực cố
định
Trở kháng vào ZV
ZV = R G
Trở kháng ra Zr
Zr = RD//rd
 Hệ số khuếch đại điện áp
U r   g mU GS ( rd // RD )
c. Sơ đồ tương đương và công thức tính thông số xoay chiều khi không có tụ CS

G D
gmUGS
UV rd Ur
S RD
ZV RG Zra
RS

H4-31 Sơ đồ tương đương khi không có tụ CS

Trở kháng vào ZV
Dựa vào điều kiện hở mạch giữa cực G và đầu ra thì đầu vào còn lại như sau:
ZV = R G
Trở kháng ra
U I R
Với Z r  I U 0   I
r D D
V
r r

Theo định luật Kirchhoff : Ir = gm.UGS + Ird -ID

Mà U r  U r  U GS
d

U r  U GS
 I r  gmU GS   I D Với UGS = -(ID + Ir)RS.
rd
1 Ir
 I r  ( g m  )( I D  I r ) RS  d  I D
rd rd
RS RS
 I D (1  g m RS  
rd rd
 Ir 
R
1  g m RS  S
rd
RS
1  g m RS 
rd
 Zr  RD
R R
1  gm RS  S  D
rd rd
Hệ số khuếch đại điện áp
Từ sơ đồ tương đương ứng dụng định luật Kirchhoff ở mạch ra ta có:
UGS = UV - IDRS
Điện áp đặt trên điện trở rd là: U r  U r  U R và nếu gọi dòng điện chạy qua điện trở
d S

rd là I’ thì:
 U r  U RS
I'
rd
U r  U RS I D RD  I D RS
I D  g mU GS   g m (UV  I D RS ) 
rd rd
gmUV U
 ID   r
RD  RS RD do Ur = -IDRD
1  gm RS 
rd
Ur g m . RD
 Ku  
UV 1  g m RS  ( RS  RD ) / rd

4.4.4Sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mạch phân áp
a. Sơ đồ nguyên lý

UDD
ID
R1 RD C2

UV C1 UR
IDSS
UP
R2
RS
CS

H4-32 Sơ đồ nguyên lý của mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET sơ đồ phân áp

b. Sơ đồ tương đương và công thức xác định các thông số xoay chiều khi có tụ CS
G D

UV gmUGS Ur
R2 rd RD
R1
ZV Zra
S

H4-33 Sơ đồ tương đương của mạch JFET mạch phân áp

Trở kháng vào ZV

Từ sơ đồ tương đương ta có R1 và R2 được mắc song song với hở mạch tương ứng
của JFET, kết quả là
 R1.R2
ZV  R1 // R2 
R2  R2
Trở kháng ra Zr
Cho UV = 0V sẽ có gmUGS = 0 nên
rd .RC
Z r  rd // RC 
rd  RC
Hệ số khuếch đại điện áp Ku
Từ sơ đồ tương đương ta có:
UGS = UV và U r   g mU GS ( rd // RD )
Ur r .R
Ku    gm . d D
UV rd  RD
c. Sơ đồ tương đương và công thức xác định các thông số xoay chiều khi không
có tụ CS
G D
gmUGS
UV rd Ur
S RD
ZV R1 R2 Zra
RS

H4-31 Sơ đồ tương đương khi không có tụ CS

Trở kháng vào ZV

Dựa vào điều kiện hở mạch giữa cực G và đầu ra thì đầu vào còn lại như sau:
ZV = R G
Trở kháng ra
U I R
Với Z r  I U 0   I
r D D
V
r r

Theo định luật Kirchhoff : Ir = gm.UGS + Ird -ID

Mà U r  U r  U GS
d

U r  U GS
 I r  gmU GS   I D Với UGS = -(ID + Ir)RS.
rd
1 Ir
 I r  ( g m  )( I D  I r ) RS  d  I D
rd rd
RS RS
 I D (1  g m RS  
rd rd
 Ir 
R
1  g m RS  S
rd
 RS
1  g m RS 
rd
 Zr  RD
R R
1  gm RS  S  D
rd rd
Hệ số khuếch đại điện áp
Từ sơ đồ tương đương ứng dụng định luật Kirchhoff ở mạch ra ta có:
UGS = UV - IDRS
Điện áp đặt trên điện trở rd là: U r  U r  U R và nếu gọi dòng điện chạy qua điện trở
d S

rd là I’ thì:
U r  U RS
I'
rd
U r  U RS I D RD  I D RS
I D  g mU GS   g m (UV  I D RS ) 
rd rd
gmUV U
 ID   r
R  RS RD do Ur = -IDRD
1  gm RS  D
rd
Ur g m . RD
 Ku  
UV 1  g m RS  ( RS  RD ) / rd

4.4.5Sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mạch OD (Mạch lặp cực
nguồn)
a. Sơ đồ nguyên lý +U DD
ID

UV C1
IDSS
UP
UR
RG RS C2

H4-35 Sơ đồ nguyên lý mạch mắc OD

b. Sơ đồ tương đương
Tương đương sơ đồ lặp cực emitter của BJT là sơ đồ lặp cực nguồn của JFET như
hình H4-35. Chú ý rằng tín hiệu ra lấy trên cực nguồn và khi nguồn cung cấp được
thay thế bằng ngắn mạch tương ứng cực máng nối đất và vì thế gọi là mạch cực máng
chung .
 Thay mạch tương đương JFET nguồn điều khiển và trở kháng ra của JFET nối đất
tại điểm cuối và nối với RS tại điểm kia, với Ur đặt trên RS. Với gmUGS, RS, rd được nối
với nhau và nối với đất nên ta có thể được nối song song. Vì vậy sơ đồ tương đương
có thể được vẽ lại như hình H4-36. Nguồn dòng sẽ có chiều ngược lại nhưng U GS thì
vẫn đặt giữa G và S.

G D
gmUGS
UV rd
R2 S
ZV
RS Zra Ur

H4-36 Sơ đồ tương đương của mạch mắc OD

c. Các công thức tính thông số xoay chiều
Trở kháng vào Zv
ZV = RG
Trở kháng ra ZR
Trở kháng ra được tính khi ngắn mạch đầu vào, khi ngắn mạch đầu vào UV = 0 thì cực
G coi như nối đất như hình H4-38, thực tế thì U GS và Ur được nối song song Ur = -UGS
sơ đồ tương đương của mạch có thể được xem như hình sau:
S Ir
- +
Ird IRd Ur
rd RS
gmUGS Zr
+
-

H4-37 Sơ đồ tương đương khi ngắn mạch đầu vào

Áp dụng định luật Kirchhoff về dòng điện ta có:
Ur Ur
I r  g mU GS  I rd  I RS  
rd RS
Ur Ur
 Ir   g mU GS   gm   U r 
1 1 1 1
 
rd RS rd RS
Ur
 Ir 
1 1
  gm
rd RS
 Ur 1
 Zr  
1 1
Ir   g m Đây là biểu thức 3 điện trở mắc song song
rd RS
1
Z r  rd // RS //
gm
Hệ số khuếch đại điện áp Ku
Từ sơ đồ tương đương điện áp ra được xác định:
U r  g m .U GS ( rd // RS ) mà UGS = UV - Ur
 U r  g m (UV  U r )( rd // RS ) hay
U r  g mUV ( rd // RS )  U r ( rd // RS )
Ur g m ( rd // RS )
 Ku  
UV 1  g m ( rd // RS )
Từ công thức tính hệ số khuếch đại điện áp ta thấy K u>0 do đó ta kết luận điện áp
vào và điện áp ra cùng pha. Mặt khác KU  1 , tức là U r  U V , vì vậy mạch được gọi
mạch lặp
4.4.6Sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mạch OG
a. Sơ đồ nguyên lý
UDD

RD C1
UR
IDSS
UP
UV
RS C2

H4-38 Sơ đồ nguyên lý mạch mắc OG

b. Sơ đồ tương đương
Sơ đồ cuối cùng của JFET được phân tích chi tiết là sơ đồ cổng chung như hình
H4-39, tương tự như sơ đồ base chung ở BJT. Sơ đồ trên được thay thế bằng sơ đồ
tương đương như hình H4-40. Chú ý rằng yêu cầu nguồn điều khiển g mUGS được nối
từ D đến S với rd mắc song song, sự cách ly độc lập giữa mạch ra và mạch vào rõ ràng
đã bị mất đi khi cực G được nối đất. Hơn nữa, điện trở được nối giữa cực vào không
còn là RG nhưng là điện trở RS giữa cực S và đất. Cho rằng vị trí của điện áp điều
khiển UGS thực sự xuất hiện trực tiếp đặt trên
rd R S

S D
+ +
ZV R gmUGS
Z’r RD Z r
UV
S Z’V Ur
G
- -
H4-39 Sơ đồ tương đương mạch OG
 c. Công thức tính các thông số xoay chiều của mạch
- Trở kháng vào ZV
Để tính trở kháng vào trước hết ta tính Z’ v trên sơ đồ tương đương và Z V được coi
như Z’v và RS mắc song song. Và để tính Z’v ta vẽ lại mạch vào với U’ = -UGS

I’
S+ +
a
Ir
Z’V gmUG rd

Theo định luật Kirchhoff taU’có:

d
S
I’ RD
U ' U rd  I '.RD  0  U rd  U '  I '. RD
G-
Áp dụng định luật Kirchhoff
H4-40 Sơcho nút ađương
đồ tương ta có:tính Z’
v
I ' g m .U GS  I rd
 I '  I rd  g mU GS  U ' I ' RD  / rd  g m.U GS hay
U ' I ' RD
I'   g m ( U ' )
rd rd
U ' I ' RD
I'   gm   U '
rd rd
 R  1 
 I ' 1  D   U '   g m 
 rd   rd 
R
1 D
U' rd
 Z 'V   hay
I' g  1
m
rd
U ' rd  RD
Z 'V  
U 1  g m .rd
Do đó ZV = RS//Z’V
 r  RD 
ZV  RS //  d 
 1  g m rd 
Nếu rd  10RS
 RD
1
R 1 rd
 D  1; và  g m
rd rd 1
gm 
rd
RD
1
rd 1
 Z 'V  
1 gm
gm 
rd
1
 ZV  RS //
gm
- Trở kháng ra
Với UV = 0V ở hình H4-40 sẽ coi như ngắn mạch R S và UGS nối đất  gm .U GS  0
lúc này trở kháng ra của mạch sẽ là
Zr = RD//rd
Nếu rd  10RD  Z r  RD
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku
Từ sơ đồ tương đương ta dễ dàng có:
UV =-UGS và Ur = Ir.RD
Điện áp đặt trên rd là U r  U r  UVd

U r  UV
Và I rd 
rd
Áp dụng định luật Kirchhoff cho nút b ta có:
I rd  I D  g m .U GS  0  U r  UV
UV  U r
 ID   g m .UV mà U r  I D .RD
rd
RD
g m .RD 
Ur rd RD
 Ku   Nêu rd  10RD Thì 0
UV RD rd
1
rd
 K u  g m RD
Do Ku >0 nên pha của điện áp vào và điện áp ra là đồng pha

4.10 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ SỬ DỤNG MOSFET KÊNH DẪN
CÓ SẴN (D-MOSFET=Depletion MOSFET)

Thực tế cho thấy công thức Shockley được áp dụng cho MOSFET kênh dẫn có sẵn
cũng cho ra công thức tương tự đối với gm
Các mạch khuếch đại và mạch tương đương cũng như công thức tính tham số xoay
chiều của MOSFET kênh dẫn có sẵn hoàn toàn giống như các mạch JFET đã xét ở
trên. Sự khác nhau duy nhất giữa JFET và D-MOSFET là điện áp của điểm làm việc
UGSQ có thể dương đối với loại kênh dẫn N và âm cho kênh dẫn loại P.

4.11 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ SỬ DỤNG MOSFET KÊNH DẪN
KHÔNG CÓ SẴN (E-MOSFET = Enhancement MOSFET)

4.11.1 Các vấn đề chung về khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng MOSFET kênh dẫn
không có sẵn
MOSFET kênh cảm ứng có mạch tương đương được vẽ như hình H4-41. Cho hở
mạch cực G và kênh dẫn DS và một nguồn dòng từ D về có độ lớn phụ thuộc vào điện
áp giữa G và S

+
UGS gmUGS rd
-

H4-42 Sơ đồ tương đương của MOSFET kênh dẫn cảm ứng

Đối với E-MOSFET, mối liên hệ giữa dòng ra và điện áp điều khiển được xác
định:
I D  k U GS  U GSth 
2

I
Với gm vẫn dược xác định bởi công thức gm  U ta có thể lấy nguồn từ phương
r

GS

trình truyền dẫn để tính gm cũng như điểm làm việc:

dI D d d
k U GS  U GSth   k U GS  U GSth  2
2
gm  
dU GS dU GS dU GS
 g m  2k U GS  U GSth 
Nhắc lại là hằng số k được xác định từ điểm làm việc đặc trưng. Ở các trường hợp
cụ thể khác, việc phân tích chế độ xoay chiều cũng giống như sơ đồ đối với JFET hay
D-MOSFET. Chú ý ràng đối với E-MOSFET thì sự phân cực cũng chỉ giới hạn ở một
số cách đặc trưng
4.11.2 Mạch hồi tiếp từ cực máng
a. Sơ đồ nguyên lý UDD

RD
RG
UR
D
C1 C2
UV
G
S

H4-43 Phân cực hồi tiếp từ cực máng

 b. Sơ đồ tương đương
Sơ đồ cực máng E-MOSFET được chỉ ra ở hình H4-43. Nhắc lại từ tính toán chế
độ tĩnh rằng RF có thể được thay thế bởi một ngắn mạch tương đương khi I G = 0 và do
đó URG = 0V, tuy nhiên, ở chế độ xoay chiều nó cung cấp một trở kháng quan trọng
giữa Ur và UV. Mặt khác, cực ra và vào được nối trực tiếp và Ur = UV . Sơ đồ tương
đương vẽ lại ở hình H1-44

RF
G D
IV
UV gmUGS Ur
rd RD
ZV Zra
S

H-44 Sơ đồ tương đương mạch hồi tiếp từ cực máng

c.Công thức tính các thông số xoay chiều của mạch

- Trở kháng vào ZV
Áp dụng định luật Kirchhoff cho nút D ta có
Ur
IV  g mU GS  và U GS  UV
rd // RD
Ur
 IV  g mUV   U r   rd // RD  IV  g mUV 
rd // RD
UV  U r
Với IV   UV   rd // RD  IV  g mUV   / RF
RF
 IV .RF  UV   rd // RD  IV   rd // RD  g mUV
 UV 1  g m  rd // RD    IV  RF  rd // RD 
UV R  r // RD
 ZV   F d
IV 1  g m  rd // RD 
- Trở kháng ra
Khi UV=0V thì ta có UGS = 0V; gmUGS = 0mA Với phần ngắn mạch từ cổng tới
nguồn ta có sơ đồ H4-45
RF

Ur
UV=UGS=0V gmUGS=0mA rd RD Zr
 Từ sơ đồ tương đương ta có trở kháng ra của mạch là:
Zr = RF//rd//RD
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku:
Áp dụng định luật Kirchhoff cho nút D ta có:
Ir
IV  g mU GS 
rd // RD
UV  U r
Mà U GS  UV và IV  RF
1 1 1
 Ur  (  )UV  UV (  gm )
rd // RC RF RF
1
 gm
Ur RF
 Ku  
UV 1 1

rd // RD RF
1 1 1
Nhưng r // R  R  r // R // R
d D F d D F

 K u   g m  rd // RD // RF 
4.11.3 Mạch phân áp cho MOSFET kênh dẫn không có sẵn
a. Sơ đồ nguyên lý

UDD

R1 RD C2
UR
C1 UGSth
UV k

R2 RS CS

H4-46 Sơ đồ phân áp cho MOSFET kênh dẫn không có sẵn

 b. Sơ đồ tương đương và công thức xác định thông số xoay chiều khi có tụ CS
G D

UV gmUGS Ur
R1 rd RD
R2
ZV Zra
S

H4-47 Sơ đồ tương đương của mạch khi có tụ CS

Trở kháng vào ZV

Từ sơ đồ tương đương ta có
R1.R2
ZV  R1 // R2 
R2  R2
Trở kháng ra Zr
rd .RC
Z r  rd // RC 
rd  RC
Hệ số khuếch đại điện áp Ku
Từ sơ đồ tương đương ta có:
UGS = UV và U r   g mU GS ( rd // RD )
Ur r .R
Ku    gm . d D
UV rd  RD
c. Sơ đồ tương đương và công thức xác định thông số xoay chiều khi không có tụ
CS G D
gmUGS
UV rd Ur
S RD
ZV R1 R2 Zra
RS

Trở kháng vào ZH4-38

V
Sơ đồ tương đương khi không có tụ CS
Dựa vào điều kiện hở mạch giữa cực G và đầu ra thì đầu vào còn lại như sau:
ZV = R G
Trở kháng ra
U I R
Với Z r  I U 0   I
r D D
V
r r

Theo định luật Kirchhoff : Ir = gm.UGS + Ird -ID

 Mà U r  U r  U GS
d

U r  U GS
 I r  gmU GS   I D Với UGS = -(ID + Ir)RS.
rd
1 Ir
 I r  ( g m  )( I D  I r ) RS  d  I D
rd rd
RS RS
 I D (1  g m RS  
rd rd
 Ir 
R
1  g m RS  S
rd
RS
1  g m RS 
rd
 Zr  RD
R R
1  gm RS  S  D
rd rd
Hệ số khuếch đại điện áp
Từ sơ đồ tương đương ứng dụng định luật Kirchhoff ở mạch ra ta có:
UGS = UV - IDRS
Điện áp đặt trên điện trở rd là: U r  U r  U R và nếu gọi dòng điện chạy qua điện trở
d S

rd là I’ thì:
U r  U RS
I'
rd
U r  U RS I D RD  I D RS
I D  g mU GS   g m (UV  I D RS ) 
rd rd
gmUV U
 ID   r
R  RS RD do Ur = -IDRD
1  gm RS  D
rd
Ur g m . RD
 Ku  
UV 1  g m RS  ( RS  RD ) / rd