Chương 2: Mạch khuếch đại siêu cao tần

I. Mô hình mạch khuếch đại. Hệ số truyền đạt công suất

II. Phối hợp trở kháng vào - ra của mạch khuếch đại
III. Sự ổn định của mạch khuếch đại
IV. Mô hình transistor đơn hướng
V. Nhiễu trong mạch khuếch đại siêu cao tần
VI. Mạch khuếch đại dải rộng
VII. Mạch dao động siêu cao tần

1
 I. Mô hình mạch khuếch đại. Hệ số truyền đạt công suất

1. Mô hình mạch khuếch đại:

Nguồn I1’ I1 I2 I2’ Tải

a’1 a1 a2 a’2
Phần tử
Z1 khuếch đại
U1’ =U1 U2 =U2’ Z2
E
[S], R0
b’ 1 b1 b2 b’ 2

1 '
S11 S'22 2

• Mạch KĐSCT gồm: 2 mạng một cửa + 1 mạng hai cửa

• a1  b1 , b1  a1 , a 2  b 2 , b 2  a 2
' ' ' '

U1  U1' , U 2  U '2 , I1  I1' , I 2  I '2

2
 2. Hệ số truyền đạt công suất

 Hệ số truyền đạt công suất GT (gain of power transfer):

Công suất tín hiệu tiêu thụ trên tải Z 2

GT =
Công suất tín hiệu tối đa mà nguồn (E, Z 1) có thể cung cấp

 Công suất tín hiệu tiêu thụ trên tải Z2 :

P2 
2

1 ' 2
 1
  1

| a 2 |  | b '2 |2  | b 2 |2  | a 2 |2  | b 2 |2 1 | 2 |2
2 2


 Công suất tối đa nguồn (E,Z1) có thể cung cấp:

| E |2
P1max 
8 Re( Z1 )
3
 2. Hệ số truyền đạt công suất (tt)

 Hệ số truyền đạt công suất GT :

P2
GT 
P1max

 GT 
 
| S 21 |2 1 | 1 |2 1 | 2 |2  (Xem CM trong sách)
1  1S11 1  2S 22   12S12S 21 2

 Nhận xét:
 GT phụ thuộc vào [S], Z1, Z2
 Nếu | 1 |, | 2 | 1  G T  0
Điều này xảy ra khi Z1 , Z2  0, , jX  phi thực tế
Nếu Z1  Z2  R 0  1  2  0  G T | S21 |  chỉ phụ thuộc vào
2

phần tử khuếch đại
 Nếu Z1≠R0 (hoặc Z2≠R0 ) thì GT còn phụ thuộc vào 1 (hoặc 2 ).
Khi đó GT có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn | S21 |2

4
 2. Hệ số truyền đạt công suất (tt)

 Gọi S’11: hệ số phản xạ nhìn vào cửa 1, S’22: hệ số phản xạ nhìn vào
cửa 2
 Khi đó: S '  Z in  R 0  b1 , S '

Z out  R 0 b 2

Z in  R 0 Z out  R 0
11 22
a1 a2
 Ta có: b1  S11a 1  S12a 2 (1)

b 2  S21a 1  S22a 2 ( 2)
a   b
 2 2 2 (3)
a2 S 21
Từ ( 2), (3)   S 21a 1  S 22a 2  a 2  a1 ( 4)
2 1
 S 22
2
S 21
(1), ( 4)  b1  S11a 1  S12   a1
1
 S 22
2
S S S12S21

'
S11  S11  12 21 Tương tự: S'22  S22 
1 1
 S22  S11
2 1
5
 2. Hệ số truyền đạt công suất (tt)

 Khi đó:

| S 21 |2 (1 | 1 |2 )(1 | 2 |2 ) | S 21 |2 (1 | 1 |2 )(1 | 2 |2 )

GT  
' 2 2
1  S  1  2S 22
2
1  1S11  1  2S'22
2
1 11

 Nếu đặt:   S11S 22  S12S 21

| S 21 |2 (1 | 1 |2 )(1 | 2 |2 )
 GT 
1  1S11  2S 22  12
2

6
 II. Phối hợp trở kháng vào - ra của mạch khuếch đại

[S], R0

Z1
Zin Zout Z2
E

Z1  R 0 Zin  R 0 Zout  R 0 Z2  R 0
1  '
S11  S'22  2 
Z1  R 0 Zin  R 0 Zout  R 0 Z2  R 0

 Nếu Z1 = Z2 = R0  GT = |S21|2 ≠ GTmax

 GT  GTmax  Có phối hợp trở kháng vào - ra đồng thời

 Z in  Z1

 Z out  Z2

 S’11, S’22 : hệ số phản xạ tại cửa vào và ra của bộ khuếch đại

7
 II. Phối hợp trở kháng vào - ra của mạch khuếch đại (tt)

 Khi có PHTK vào - ra đồng thời:

 S12S21
S11   1
*
(1)
1
  S22
Zin  Z1 S11
'
 1*  2
   '  
Zout  Z2 S22  2* S  S12S21  * (2)
 22 1 2

  S11
 1

 Giải HPT (1, 2)  1, 2  Z1, Z2

* *
S S
 Từ (1)  1  S11
*
 12 21 (3)
1
 S*

2*
22

 Thế (2) vào (3):

S11  S*

22 1
2
 | | 2
 | S11 | 2
 | S22 |2
1 1 S*
11  *

S22  0 (4)
8
 II. Phối hợp trở kháng vào - ra của mạch khuếch đại (tt)

 Với   S11S 22  S12S 21

 Đặt A 1  C 1*  S11   S *22 ,  B 1 |  | 2  | S11 | 2  | S 22 | 2  1

 Từ (4)  A 112  B 11  C 1  0 ()

 Giải PT () :   B 12  4 A 1C 1  B 12  4 | A 1 | 2

B1  B12  4 | A 1 |2
  , 
1
'
1
''

2A1

C1 A1*
 Nhận xét:   
1
'
 1
''
 | 1' |  | 1'' | 1
A1 A1

9
 II. Phối hợp trở kháng vào - ra của mạch khuếch đại (tt)

  B12  4 | A1 |2  1 |  |2  | S11 |2  | S22 |2   4 | S12 |2 | S21 |2

2
 Ta có:

1 |  |2  | S11 |2  | S 22 |2
 Đặt: K
2 | S12 |  | S 21 |

   B 12  4 | A 1 | 2  4 ( K 2  1) | S12 | 2 | S 21 | 2

 Nếu |K| < 1   < 0

 1’ và 1’’ có tử số là liên hiệp phức của nhau
 | 1’| = | 1’’| 
 | 1 || 1 | 1
' ''

mà | 1’| . | 1’’| = 1 
 Z1  0 (nối tắt)
  Z1   (hở mạch)  3 đk này là phi thực tế

 Z1  jX 1 (thuần kháng)
 Trường hợp này không thể PHTK vào - ra đồng thời
 II. Phối hợp trở kháng vào - ra của mạch khuếch đại (tt)

 Nếu |K| = 1   = 0  1’ = 1’’

 |1’| = |1’’| = 1  phi thực tế
 Trường hợp này không thể PHTK vào - ra đồng thời

 Nếu |K| > 1   > 0

 có 2 nghiệm phân biệt 1’ và 1’’
mà | 1’| . | 1’’| = 1
 có một nghiệm lớn hơn 1 và một nghiệm nhỏ hơn 1 (chọn nghiệm
nhỏ hơn 1)
 Trường hợp này có thể thực hiện PHTK vào - ra đồng thời
 K > 1: có 2 trường hợp:
 || < 1: ổn định vô điều kiện
 || > 1: ổn định có điều kiện
 K < -1: mạch không ổn định

Giải tương tự với trường hợp 2

 III. Sự ổn định của mạch khuếch đại

[S], R0

Z1
Zin Zout Z2
E

Z1  R 0 Zin  R 0 Zout  R 0 Z2  R 0
1  '
S11  S'22  2 
Z1  R 0 Zin  R 0 Zout  R 0 Z2  R 0

 Zin có điện trở âm  Mạch có khả năng tự kích dao động ngõ vào 
mạch bất ổn
 Zin có điện trở âm  |S’11|> 1
 Khảo sát:
 |S’11 |< 1  ổn định
 |S’11| = 1  biên giới giữa ổn định và bất ổn
 |S’11| > 1  bất ổn
 III. Sự ổn định của mạch khuếch đại (tt)

 Điều kiện ổn định ngõ vào: |S’11| < 1

 Xét tại biên giới ổn định và bất ổn: |S’11| = 1

S12S21
 '
| S11 | S11  1
1
 S22
2
| S11 |2 1
 | 2 | 
2 2
| S22 |  |  |
2 2

Re S22  S11 2 
*
 
| S22 |2  |  |2
()

 PT vòng tròn mặt phẳng phức (tâm , bán kính R) có dạng:
|  | 2  2 Re(  *  )  R 2  |  | 2
 PT (*) có dạng vòng tròn trong mp phức 2 có (tâm 2, bán kính R2):

 S*22  *S11
 2 
 | S 22 | 2
 |  | 2


R 2  | S12 || S21 |
 | S | 2
 |  | 2
 22
 III. Sự ổn định của mạch khuếch đại (tt)

 Tương tự: vòng tròn 1 sao cho |S’22| = 1 Im 2

là vòng tròn trong mặt phẳng phức 1 với: Bất ổn |S’11|=1

 *
S11  *S22
1 
 | S11 | 2
 |  | 2 2
mp 2
 20
R2
R 1  | S12 || S21 |
 | S | 2
 |  | 2
 11
0 Re 2
Ổn định
 Tại tâm đồ thị Smith: Z2 = R0 (2 = 0)
 |S’11| = |S11| < 1
 tại tâm đồ thị Smith (2 = 0) ổn
định
 Để mạch ổn định vô điều kiện:
 ||2| - R2| > 1
Vòng tròn mp 2 bao hết hoặc nằm ngoài đồ thị Smith
III. Sự ổn định của mạch khuếch đại (tt)
Các trường hợp:
Im 2
Im 2
Bất ổn

2 Ổn định
mp 2 mp 2
R2
2
Ổn định

0 Re 2 0 Re 2
R2

Bất ổn

Im 2 Im 2

mp 2

2 mp 2
R2

Ổn định Ổn định
2

0 Re 2 0 Re 2
R2

Luôn ổn định Luôn ổn định

 IV. Mô hình transistor đơn hướng
Đơn hướng(unilateral)
 S12 = 0
Z1 [S], R0
»0
S11 S12 Z2
[S] = E
S21 S22 S12 = 0

1 '
S11 S'22 2
S12S 21

'
S11  S11   S11 (không phụ thuộc vào tải Z2)
1
 S 22
2
S12S 21
S  S 22 
'
22  S 22 (không phụ thuộc vào tải Z1)
1
 S11
1
| S 21 |2 (1 | 1 |2 )(1 | 2 |2 ) (1 | 1 |2 ) (1 | 2 |2 )
 GT   G TU   | S 21 | 2

1  1S11 1  2S 22
2 2
' 2
1  S  1  2S 22
2
1 11

G1 G0 G2
 IV. Mô hình transistor đơn hướng (tt)

 GTU = G0 .G1 . G2

 Với:
 G 0 | S 21 |2 : hệ số truyền đạt công suất của riêng phần tử khuếch đại
(1 | 1 |2 ) : hệ số phụ thuộc vào mối quan hệ giữa trở kháng nguồn
 G1 
1  1S11 Z1 (hoặc 1) với trở kháng vào (hệ số phản xạ cửa vào
2

S11) của phần tử khuếch đại

(1 | 2 |2 )
G2  : hệ số phụ thuộc vào mối quan hệ giữa trở kháng tải Z2
1  2S 22
2
(hoặc 2) với trở kháng ra (hệ số phản xạ cửa ra S22) của
phần tử khuếch đại

GTU(dB) = G0(dB) + G1(dB) + G2(dB)

 IV. Mô hình transistor đơn hướng (tt)

1. PHTK đồng thời vào - ra

1 |  |2  | S11 |2  | S 22 |2
K
2 | S12 |  | S 21 |

Vì S12  0 nên K  . Do đó, luôn luôn có thể PHTK vào - ra đồng thời
1
 PHTK vào: S11'  1*  S11  1*  G1  G1max 
1  S11
2

1
 PHTK ra: S 22'  2*  S 22  2*  G2  G2 max 
1  S 22
2

1 1
 GTUmax= G1max  G0  G2 max  GTU max  S 21
2

1  S11 1  S 22
2 2

 GTUmax(dB) = G1max(dB) + G0(dB) + G2max(dB)

 IV. Mô hình transistor đơn hướng (tt)

2. Tính ổn định vào - ra


 11  S11  1
'
S  S11
' S

11
 '
S 22  S 22  S 22'  S 22  1

 Mạch luôn ổn định ngõ vào và ngõ ra
 IV. Mô hình transistor đơn hướng (tt)

3. Các đường đẳng G1 và G2

(1 | 1 |2 )
G1  (*)
1  1S11
2

 Cần tìm 1 sao cho G1 > G10 cho trước

 Coi G1 là thông số hằng số  Tìm các giá trị của 1 sao cho G1 = const
1  G1
Re S111  
G1
1  2
2
PT (*) trở thành:
1  G1 S11 1  G1 S11
2 2

PT vòng tròn mặt phẳng phức:   2 Re     R  

2 * 2 2

 G1

 G1  S *
11

2
 1 G 1 S 11
 Quỹ tích 1 là vòng tròn 

R 
1  G 1 1  S11
2
 
 G1
1  G1 S11
2

 IV. Mô hình transistor đơn hướng (tt)

3. Các đường đẳng G1 và G2 (tt)

 
Như vậy, cho G1 các giá trị   G , RG khác nhau  mỗi đường tròn
1 1
là 1 đường đẳng G1
Im 2

 G1 = 0: đường đẳng G1 là vòng

tròn đơn vị G1max
S11*

 G1 = G1max: đường đẳng G1 là 1 G10

điểm tại S11*

0 Re 2
 arg(  G1 ) chỉ phụ thuộc vào arg( S11 )
 Tâm  G1 là quỹ tích đoạn thẳng nối từ G1 = 0

điểm S11* đến gốc tọa độ

 Giải tương tự cho G2

 V. Nhiễu trong mạch khuếch đại SCT

 Nhiễu đầu vào: bản thân nguồn tín hiệu đặt ở đầu vào cũng có 1
lượng nhiễu, được đánh giá bằng tỷ số Sin/Nin
 Nhiễu đầu ra: gồm nhiễu đầu vào, nhiễu nhiệt NT của phần tử
khuếch đại
S out Sin S out Sin Chất lượng tín hiệu giảm
 
N out N in  NT N out N in khi qua bộ khuếch đại

 Định nghĩa: Hệ số nhiễu (noise figure) của bộ KĐ:

S in
N in
F
S out
N out

Sin / N in N in  NT NT
 F   1
Sin / N in  NT  N in N in
 V. Nhiễu trong mạch khuếch đại SCT (tt)

v
- + Phần
Phần tử
Z1 Z1 tử
KĐ với Z2 i Z KĐ Z2
nhiễu
vs vs không
nhiệt NT
nhiễu

Rn G p 2
F  1 
R1 R1
 
R1  X 1  2 RC GP  X C GP
2 X1
R1
Z C  RC  jX C
Với 

v  Z C i
 F ngoài phụ thuộc vào Rn, GP, RC, XC của phần tử KĐ, còn phụ
thuộc vào Z1 = R1 + jX1
 Với 1 phần tử KĐ đã xác định trước, có thể lựa chọn Z1 đạt đến 1
giá trị tối ưu Zopt nào đó gọi là trở kháng nguồn tối ưu để hệ số nhiễu
F đạt cực tiểu Fmin.
 V. Nhiễu trong mạch khuếch đại SCT (tt)

 Xác định Fmin :

 F 
 R  0  opt 
Rn
 2
 1 R X Rn
 
C
  G , X

P C
 F X  X GP
0
 X 1  opt C

 Rn 
 Fmin  1  2GP  RC   XC 
2

 GP 
Z opt  R0
 Z opt  Ropt  jX opt  opt 
Z opt  R0
2
Rn 1  opt  F  Fmin
 F  Fmin 4 

R0 1   2 1  
1  opt
2 (**)  F = Fmin khi 1 = opt
hay Z1 = Zopt
 V. Nhiễu trong mạch khuếch đại SCT (tt)

 Xác định Z1 (1) khi F = const:

 Không phải lúc nào cũng chọn được Z1 = Zopt , vì Z1 còn chịu sự
ràng buộc của yêu cầu PHTK, tính ổn định.
 Phải có sự tương nhượng để chọn giá trị F chấp nhận được  từ
đó suy ra Z1  giải PT (**) với ẩn số là 1 và F = const.

F  Fmin 2
 Đặt M   1  opt thay vào PT (**):
Rn
4
R0
2
M  opt
1 
2 2
1 M

Re opt  1 
*
 1 M
 PT vòng tròn mặt phẳng phức:   2 Re     R  
2 * 2 2
 V. Nhiễu trong mạch khuếch đại SCT (tt)

 Quỹ tích 1 là vòng tròn M , RM 

 opt
 M 
 1 M

 
M 2  M 1  opt
2

 RM 
 1 M

 Khi F thay đổi, ta có họ đường

tròn đẳng F
 F = Fmin  M = 0  vòng
tròn là 1 điểm (opt)
 F    M    đường
đẳng F là vòng tròn đơn vị
 Tìm mạch KĐ sao cho GT  GT0
và F  F0 ?
 VI. Mạch khuếch đại dải rộng

 Sinh viên tự đọc và tìm hiểu trong giáo trình

 VII. Mạch dao động siêu cao tần

 Sinh viên tự đọc và tìm hiểu trong giáo trình