Trường Đại Học Bách Khoa ĐỀ THI MÔN KỸ THUẬT SIÊU CAO TẦN

Khoa Điện - Điện Tử

Bộ Môn Viễn Thông Ngày thi: 29-5-2015
Thời gian: 90 phút
Sinh viên không được sử dụng tài liệu và được sử dụng đồ thị Smith.

Câu 1:
Để đo trở kháng của tải, người ta nối tải với đường dây
truyền sóng không suy hao 50 như hình vẽ. Sau khi RS=50
cấp tín hiệu cao tần ở tần số 3GHz, trên đường dây L = 12cm
xuất hiện sóng đứng với điện áp hiệu dụng tại bụng
Z0=50 
sóng và nút sóng là : Vmax  8V , Vmin  2V . Bụng sóng VS ZL
gần tải nhất với khoảng cách dbs  1cm . Khoảng cách
giữa bụng sóng và nút sóng liền kề là 2cm .
a. Tính vận tốc truyền sóng của đường dây truyền sóng
b. Tính tỉ số sóng đứng điện áp VSWR, và dùng đồ Smith để tính trở kháng tải và hệ số phản xạ tại tải.
c. Khoảng cách từ tải đến nguồn là 12cm. Tính và viết biểu thức điện áp tổng trên tải và điện áp nguồn
Vs theo thời gian biết điện áp nguồn có pha là 0o.
d. Nếu đường dây tuyền sóng ở hình trên có hệ số tổn hao là 5 dB/m, điện áp nguồn và trở kháng tải là
không đổi, hãy tính công suất tại ngõ vào của đường dây và công suất trên tải theo dBm.

Câu 2:
Một mạch khuếch đại được thiết kế sử dụng một transistor MOSFET có các thông số [S] ở tần số 2.4 GHz
như sau (Z0 = 50): S11 = 0.4162o, S12 = 0.0450o, S21 = 660o, S22 = 0.34−40o. (Các câu hỏi sau
là độc lập nhau)
a. Transistor trên được nối trực tiếp vào một nguồn cao tần có nội trở nguồn là 25 , biên độ điện áp
hở mạch là 100mV và tải ZL = 25 + j25. Hãy xác định hệ số phản xạ ngõ vào, độ lợi GT và công
suất trên tải trong trường hợp này.
b. Transistor trên được sử dụng để thiết kế một mạch khuếch đại nhiễu thấp. Người ta chứng minh
được rằng để đạt được hệ số nhiễu thấp nhất S phải được chọn là 0.5-120o. Hãy xác định hệ số
phản xạ tải sao cho mạch khuếch đại nhiễu thấp có hệ số khuếch đại GT là lớn nhất có thể có. Tính
GT trong trường hợp này.
c. Mạch khuếch đại được thiết kế sao độ lợi cực đại GT là cực đại. Xác định trở kháng nguồn và tải
trong trường hợp này. Tính giá trị GT cực đại này.
d. Hãy thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào và ngõ ra cho mạch khuếch đại ở câu b dùng các
đường dây truyền sóng. (SV cần nộp đồ thị smitrh cho câu này).

Sinh viên chọn một trong hai câu sau:

Câu 3a:
Một transistor siêu cao tần hoạt động ở chế độ tín hiệu nhỏ có sơ đồ tương đương như hình bên dưới. Trở
kháng chuẩn hóa ở cửa 1 và cửa 2 là Zo = 50 .
ri Lo
10 j20

+ Ci rO
Cửa 1 gmvp 80 Cửa 2
vp -j20
gm =0.5S
-
(xem tiếp trang sau . . .)
Trang 1
a. Hãy xác định ma trận tán xạ của transistor.
b. Ngõ vào của transistor được nối với một nguồn siêu cao tần có nội trở 50  và công suất ra cực đại 30
dBm. Ngõ ra của transistor được nối với tải ZL = 50 . Từ ma trận tán xạ tìm được ở câu a, hãy xác
định công suất ngõ vào của transistor và công suất trên tải ZL.

Câu 3b: Dùng mạch dây chêm đôi có khoảng cách  8 để phối hợp trở kháng cho tải Z L  100  j50 
về trở kháng 50 . Mạch phối hợp trở kháng như hình vẽ. Đường dây chêm l1 hở mạch ; l2 ngắn mạch.
Dùng đồ thị Smith xác định các chiều dài đoạn dây chêm để phối hợp trở kháng cho tải Z L . Lưu ý chọn 1
nghiệm ứng với chiều dài đoạn dây chêm l1 là ngắn nhất. Các đoạn dây đều có trở kháng 50 .
8

R0  50 Z L  100  j50

l2 Hở l1
mạch

-------------------------------------------------------- Hết.-------------------------------------------

Một số công thức sinh viên có thể tham khảo:

P s 1  S 1  L
GT  L  21
2
 2
 2
; S 
B1  B12  4 C1
2

; L 
B2  B22  4 C2
2

1  S in 1  s22L
2 2
Pavs 2C1 2C2

  s11s22  s12s21
B1  1  s11  s22   ; C1  s11  s22
2 2 2


B2  1  s22  s11   ; C2  s22  s11
2 2 2

s12s21 L s s 
in  s11  ; out  s22  12 21 S
1  s22  L 1  s1S
---------------------------------------------------------------------------------------------
Cán bộ tổng hợp đề thi BM Viễn Thông

Huỳnh Phú Minh Cường

Trang 2