TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG

Các thông số của MOSFET được dùng chung cho các bài tập sau.

Triode region: vùng tuyến tính

Saturation region: vùng bão hòa
Cut-off region: vùng ngắt
* Một số chỗ ghi bằng tiếng Việt không dấu/tiếng Anh do phần mềm gõ công thức không
hỗ trợ tiếng Việt.

1. Tính dòng máng 𝑖 chạy qua NMOS đối với (a) VGS = 0, (b) 1 V, (c) 2 V, và (d) 3 V. Biết
VDS = 0.3 V, W = 6 m, L = 0.5 m, VT N = 0.80 V, và K = 200 𝜇𝐴/V2. (e) Tính giá trị hằng
số hỗ dẫn Kn?
Giải:
a  0  0.8V  I D  0
(b) VGS - VTN  0.2V , VDS  0.3V  Vùng bão hòa(saturation region)

ID 
K n' W
VGS  VTN 2   200 A2  6m 1  0.82  48.0 A
2 L  2 V  0.5m 
(c) VGS - VTN  1.2V , VDS  0.3V  vùng tuyên tính (triode / linear region)
W V   A  6m  0.3 
I D  K n' VGS  VTN  DS VDS   200 2   2  0.8  0.3  378 A
L 2   V  0.5m  2 
(d ) VGS - VTN  2.2V , VDS  0.25V  vùng tuyên tính (triode / linear region)
W V   A  6m  0.25 
I D  K n' VGS  VTN  DS VDS   200 2   3  0.8  0.25  1.04 mA
L 2   V  0.5m  2 
 A  6m 
e K n  K n' W   200 2 
mA
  2.00 2
L  V  0.5m  V
----------------------------------------------------------
2. Hãy xác định cực nguồn, cực máng, cực cửa, và cực đế cho MOSFET ở H.1. Tính
độ lớn dòng 𝐼. (Lưu ý: chiều của dòng 𝐼 cho trên mạch có thể không đúng với
chiều dòng điện thực tế).
 H.1.
Giải:

(a)
VGS  VG  VS  5V VDS  VD  VS  0.2V ®Triode region operation
W V    A  10   0.2 
I  I D  K n' VGS  VTN  DS VDS  100 2    5  0.70   0.2  +840  A
L 2   V  1   2 
(b) Ta thấy, điện áp tại cực dưới (0 V) cao hơn điện áp tại cực ở trên (-0.2 V) nên
dòng qua kênh sẽ chạy từ dưới lên. Theo quy ước, dòng qua NMOS chạy từ cực
máng sang nguồn nên trong trường hợp này cực bên dưới là cực máng và cực bên
trên là cực nguồn. Chiều dòng điện thực tế sẽ ngược chiều cho trước trên mạch.
VGS  VG VS  5   0.2  5.2V VDS  VD VS  0  0.2   0.2V  Triode region operation
  A  10  0.2 
I  I S   100 2    5.2  0.70   0.2  880  A
 V   1  2 
Lưu ý rằng: tiếp giáp nguồn và đế phân cực thuận bởi điện áp 0.2 𝑉. Tuy nhiện, điện
áp này thấp hơn điện áp ngưỡng của tiếp giáp pn (khoảng 0.7 𝑉) nên xem như dòng
cực đế rất nhỏ, không gây ảnh hưởng đến hoạt động của MOSFET, tức là bỏ qua
hiệu ứng thân đế.
----------------------------------------------------------
3. (a) Thiết kế MOSFET (tính W) để 𝐾 = 4𝑚𝐴/𝑉 nếu 𝐿 = 0.5 𝜇𝑚 (xem bảng tham
số). (b) Lặp lại với 𝐾 = 800𝑚𝐴/𝑉 .
Giải:

----------------------------------------------------------
4. Tính điện trở của kênh 𝑅 với 𝑊 ⁄𝐿 = 100/1. Biết:
 (a) 𝑉 = 5 𝑉, 𝑉 = 0.65 𝑉
(b) 𝑉 = 2.5 𝑉, 𝑉 = 0.50 𝑉
Giải:
1 1
a Ron  W
  23.0 
6  100 
K n' VGS  VTN  100x10  5  0.65
L  1 
1
b Ron   50.0 
6  100 
100x10  2.5  0.50
 1 
----------------------------------------------------------
5. Đặc tuyến ra 𝑖 (𝑣 ) của NMOS được cho ở hình vẽ. Hãy xác định giá trị 𝐾 va
𝑉 của NMOS này. Đây là MOSFET kênh cảm ứng hay MOSFET kênh đặt sẵn?
Tính tỉ số W/L của NMOS này.

H.2.
Giải:
Lấy 2 giá trị 𝐼 bất kỳ trong vùng bão hòa. Ví dụ: 395 𝜇𝐴 và 140 𝜇𝐴 tương ứng
với các đường đặc tuyến 𝑉 = 4𝑉 và 𝑉 = 3 𝑉.
Kn Kn
395  A  4  VTN 2 and 140  A  3  VTN 2
2 2
Giải hệ phương trình, ta có:
A
129 2
395 4  VTN  A
2
W V  1.29
  VTN  1.53 V  K n  129 2 
140 3  VTN 2
V L 100 A 1
2
V
Từ đồ thị đặc tuyến, ta thấy 𝑉 có giá trị nhỏ hơn 2 𝑉 (lưu ý đường đặc tuyến
tương ứng với 𝑉 = 2 𝑉). Do 𝑉 > 0 nên đây là MOSFET kênh cảm ứng. Lập luận
này phù hợp với kết quả tính toán 𝑉 = 1.53 𝑉.
----------------------------------------------------------
6. Hãy vẽ thêm các đường đặc tuyến tương ứng với 𝑉 = 3.5 𝑉 và 𝑉 = 4.5 𝑉 vào
đồ thị đặc tuyến ở H.2. Tính giá trị dòng máng bão hòa 𝑖 và điện áp bão hòa
giữa cực D và S 𝑣 ?
Giải:
Sử dụng các giá trị tính được ở câu 5 để vẽ thêm các đường đặc tuyền tương ứng
với 𝑉 = 3.5 𝑉 và 𝑉 = 4.5 𝑉.

129  A
2 
3.5V 1.53V   250  A
2
I DSAT 
2 V
VDSAT  3.5 1.53  1.97 V

129  A
2 
4.5V 1.53V   568  A
2
I DSAT 
2 V
VDSAT  3.5 1.53  2.97 V
----------------------------------------------------------
7. Tính dòng máng 𝑖 qua NMOS đối với (a) 𝑉 = 0 𝑉, (b) 𝑉 = 1 𝑉, (c) 𝑉 = 2 𝑉,
(d) 𝑉 = 3 𝑉. Biết 𝑉 = 3.3 𝑉, 𝑊 = 5 𝜇𝑚, 𝐿 = 0.5 𝜇𝑚, 𝑉 = 1 𝑉, và 𝐾 =
375 𝜇𝐴/𝑉 . Tính giá trị 𝐾 . Kiểm tra giải thuyết NMOS hoạt động trong vùng bão
hòa.
Giải:
a  For VGS  0, VGS  VTN and I D  0 b  For VGS  1V , VGS  VTN and I D  0
c VGS  VTN  2 - 1  1V and VDS  3.3 V  VDS  VGS  VTN   vung bao hoa
375 A  5m  W A  5m  mA
2  1 V 2  1.88 mA | K n  K n'
2
ID  
2 
 375 2    3.75 2 -
2 V  0.5um  L V  0.5um  V
d VGS  VTN  3 - 1  2 V and VDS  3.3  VDS  VGS  VTN   vung bao hoa
375 A  5m 
3  1 V 2  7.50 mA
2
ID  
2 
2 V  0.5m 
---------------------------------------------------------
 8. Xác định vùng hoạt động và dòng máng của NMOS với 𝐾 = 200 𝜇𝐴/𝑉 ,
𝑊 ⁄𝐿 = 10⁄1, 𝑉 = 0.75 𝑉, và:
(a) 𝑉 = 2 𝑉 và 𝑉 = 2.5 𝑉
(b) 𝑉 = 2 𝑉 và 𝑉 = 0.2 𝑉
(c) 𝑉 = 0 𝑉 và 𝑉 = 4 𝑉
Giải:
(a) VGS - VTN = 2 - 0.75 = 1.25 V and VDS = 2.5 V.

VDS > VGS - VTN nên transistor hoạt động trong vùng bão hòa.

ID 
K n' W
VGS  VTN 2   200 A2  10 2  0.752  1.56 mA
2 L  2 V  1 

(b) VGS - VTN = 2 - 0.75 = 1.25 V and VDS = 0.2 V.

VDS < VGS - VTN nên transistor hoạt động trong vùng tuyến tính.

W V   A 10  0.2 
ID  K n' VGS  VTN  DS VDS  200 2  2  0.75  0.2  460 A
L 2   V  1  2 

(c) VGS < VTN nên transistor hoạt động trong vùng ngắt và ID = 0.

----------------------------------------------------------
9. Xác định vùng hoạt động và dòng máng của NMOS với 𝐾 = 400 𝜇𝐴/𝑉 và
𝑉 = 0.7 𝑉, và:
(a) 𝑉 = 3.3 𝑉 và 𝑉 = 3.3 𝑉
(b) 𝑉 = 0 𝑉 và 𝑉 = 3.3 𝑉
(c) 𝑉 = 2 𝑉 và 𝑉 = 2 𝑉
(d) 𝑉 = 1.5 𝑉 và 𝑉 = 0.5 𝑉
(e) 𝑉 = 2 𝑉 và 𝑉 = −0.5 𝑉
(f) 𝑉 = 3 𝑉 và 𝑉 = −3 𝑉
Giải:
(a) VGS - VTN = 2.6 V, VDS = 3.3 V. VDS > VGS - VTN  Vùng bão hòa

(b) VGS < VTN  Vùng ngắt

(c) VGS - VTN = 1.3 V, VDS = 2 V. VDS > VGS - VTN  Vùng bão hòa

(d) VGS - VTN = 0.8 V, VDS = 0.5 V. VDS < VGS - VTN  Vùng tuyến tính

(e) Do 𝑉 âm nên vị trí của cực nguồn và cực máng sẽ hoán đổi cho nhau để đảm bảo chiều quy ước của
NMOS chạy từ cực máng sang nguồn. Chọn cực máng làm nút tham chiếu (𝑉 = 0𝑉), tương tự như ở
H.1b. Ta có, VGS = 2 - (-0.5) = 2.5 V, VGS - VTN = 2.5 – 0.7 = 1.8 V, và VDS = 0.5 V  vùng tuyến tính.
Tiếp giáp giữa cực máng và đế được phân cực thuận bởi điện áp 0.5 V.
(f) Do 𝑉 âm nên vị trí của cực nguồn và cực máng sẽ hoán đổi cho nhau để đảm bảo chiều quy ước của
NMOS chạy từ cực máng sang nguồn. Như vậy cực máng và đế sẽ nối với nhau thay vì cực nguồn và đế.
Chọn cực máng làm nút tham chiếu (𝑉 = 0𝑉), tương tự như ở H.1b. Ta có, VGS = 3 - (-3) = 6 V, VGS -
VTN = 6 – 0.7 = 5.3 V, và VDS = 3 V  vùng tuyến tính, tuy nhiên tiếp giáp giữa cực nguồn và đế được
phân cực thuận bởi điện áp lớn 𝑉 = 𝑉 = 3 𝑉 nên sẽ dẫn dòng lớn nên transistor có thể bị hỏng.
Kết luận: Trong datasheet của các MOSFET đều quy định trước chức năng các chân (S, D, B, G), do đó
khi sử dụng nên đặt các điện áp phù hợp với quy ước (𝑣 , 𝑣 , 𝑣 đều dương đối với NMOS) để đảm bảo
MOSFET hoạt động bình thường.

----------------------------------------------------------
10. (a) Hãy xác định các cực S, D, G, B của NMOS trong mạch sau (H.3). Giả sử 𝑉 >
0.
(b) Lặp lại câu (a) với 𝑉 < 0.
(c) Hãy chỉ ra vấn đề gặp phải khi 𝑉 < 0.

H.3
Giải:
(a)

(b) Hoán đổi vị trí cực D và S.

(c) Tiếp giáp pn giữa các cực B-D được phân cực thuận nên sẽ ảnh hưởng đến hoạt động của MOSFET.

----------------------------------------------------------
11. Tính hệ số hỗ dẫn 𝑔 của NMOS với 𝑉 = 2 𝑉 và 3𝑉, và 𝑉 = 3.3 𝑉. Biết 𝑊 =
20 𝜇𝑚, 𝐿 = 1 𝜇𝑚, 𝑉 = 0.7 𝑉 và 𝐾 = 250 . Kiểm tra giả thuyết NMOS hoạt
động trong vùng bão hòa.
Giải:
(a) VDS = 3.3V, VGS – VTN = 1.3 V; VDS > VGS - VTN  vùng bão hòa.

 A  20 m 
gm  K n VGS VTN   250    2  0.7  6.50 mS
V 2  1 m 

(b) VDS = 3.3V, VGS – VTN = 2.6 V; VDS > VGS - VTN  vùng bão hòa.

 A  20 m 
gm  K n VGS VTN   250    3.3 0.7 13.0 mS
V 2  1 m 

----------------------------------------------------------
12. Lặp lại câu 11 với 𝑉 = 2 𝑉 và 3 𝑉, và 𝑉 = 1 𝑉.
Giải:

Hệ số hỗ dẫn trong vùng tuyến tính:

(a) VDS = 1 V, VGS – VTN = 1.3 V; VDS < VGS - VTN  vùng tuyến tính.

(b) Tương tự, VDS = 1 V, VGS – VTN = 2.6 V; VDS < VGS - VTN  vùng tuyến tính.

 A  20 m   A  20 m 
 a gm  K nVDS  250   1V  5 mS  b gm  250   1V  5 mS
V 2  1 m  V 2  1 m 

----------------------------------------------------------
 Hiệu ứng điều chế kênh
13. (a)Tính dòng máng của NMOS với 𝐾 = 250 𝜇𝐴/𝑉 , 𝑉 = 0.75 𝑉, 𝜆 =
0.02 𝑉 , 𝑉 = 5 𝑉, 𝑉 = 6𝑉.
(b) Lặp lại câu (a) với 𝜆 = 0.
Giải:
VDS > VGS - VTN  bão hòa.

Kn 250  A
VGS VTN  1+ lVDS   2 
5  0.75 1+ 0.02  6   2.53 mA
2 2
(a) I D 
2 2 V
K 250  A
(b) I D  n VGS VTN   2 
5  0.75  2.26 mA
2 2

2 2 V
----------------------------------------------------------

Hiệu ứng điều chế kênh

14. (a) Tính dòng máng của transistor ở H.4 với 𝜆 = 0.
(b) Lặp lại câu (a) với 𝜆 = 0.05 𝑉 .
(c) Lặp lại câu (a) với W/L=25/1.

H.4.
Giải:
(a) Theo sơ đồ mạch thì điện áp cực máng và cực cửa bằng nhau. Do đó, MOSFET thỏa mãn điều kiện
hoạt động trong vùng bão hòa 𝑣 > 𝑣 − 𝑉 .

12V  VGS 100 x10 6  10  A

  2 VGS  0.75V 
2
IR  ID  
10 
5
2  1 V
12.5VGS2  17.8VGS  4.97  0
VGS  0.266V , 1.214V  VGS  1.214 V vi phai lon hon dien ap nguong VTN  0.75V
12  1.214 100 x10 6  10  A
   2 1.214  0.75V   108 A
2
ID  5
 108 A Checking :
10 2  1 V

12V VGS 1000x10 6 A

2  GS
V  0.75V  1+ 0.05VGS 
2
(b) 
10 
5
2 V
Kết quả: VGS = 1.201 V and ID = 108 A. Có thể thấy rằng kết quả không có sự khác biệt nhiều so với
trường hợp không xét đến hiệu ứng điều chế kênh (câu a). Do đó, trong tính toán tay (không có sự trợ
giúp của máy tinh), ta thường bỏ qua hiệu ứng điều chế kênh.
(c)

12V  VGS 100x106  25  A

  2 VGS  0.75V 
2
IR  ID  
10 
5
2  1 V
62.5VGS2  91.75VGS + 11.16  0
VGS  0.446V , 1.046V  VGS  1.046 V .
12  1.046 100x106  25  A
 110 A   2 1.046  0.75V   110 A
2
ID  Checking : I D 
105 2  1 V
Kiểm tra: Có thể thấy rằng dòng không thể vượt quá 12V/100k = 120 A.

----------------------------------------------------------
15. (a) Tính dòng 𝐼 trong mạch cho ở H.4 với 𝑉 = 10 𝑉 và 𝜆 = 0. Cả hai transistor
có W/L=10/1.
(b) Lặp lại câu (a) với W/L=20/1.
(c) Lặp lại câu (a) với 𝜆 = 0.05 V .

H.4.
Giải:
(a) Vì VDS = VGS và VTN > 0 đối với cả 2 transistor, nên cả 2 đều hoạt động trong vùng bão hòa.

K n' W '

Vì vậy I D1  VGS 1  VTN 2 và I D 2  K n W VGS 2  VTN 2 .

2 L 2 L

Từ sơ đồ mạch, ta có ID2 phải bằng ID1 vì IG = 0 đối với mỗi MOSFET:

K n' W '
I  I D1  I D 2 hay VGS 1  VTN 2  K n W VGS 2  VTN 2 , suy ra VGS1 = VGS2. Sử dụng KVL:
2 L 2 L
VDD  VDS1 + VDS 2  VGS1 + VGS 2  2VGS 2
VDD
VGS1  VGS 2   5V
2
K n' W 100 A 10
VGS1  VTN   5  0.75 V 2  9.03 mA
2 2
I 2
2 L 2 V 1

(b) Khi tăng độ rộng kênh lên gấp đôi thì dòng sẽ tăng gấp đôi (lưu ý phương trình cuối cùng ở câu a) nên
I = 18.1 mA.

(c) Ta có,

Vì VGS = VDS đối với cả 2 transistor nên

and ID1 = ID2 = I

K n' W K n' W
VGS1  VTN  1 + lVGS1  VGS 2  VTN  1 + lVGS2 
2 2

2 L 2 L
Suy ra VGS1 = VGS2 = VDD/2 = 5V.

K n' W 100  A 10
VGS1 VTN  1+ lVDS    5  0.75 V 2 1+ .05 5  11.3 mA
2 2
I 2
2 L 2 V 1
----------------------------------------------------------
16. (a) Tìm điểm làm việc của D-MOSFET trong mạch cho ở H.5a với 𝑉 = −2 𝑉.
(b) Lặp lại câu (a) với 𝑅 = 50 𝑘Ω và W/L=20/1.
(c) Lặp lại câu (a) và (b) với mạch cho ở H.5b.

H.5.
Giải:
(a) Giả sử MOSFET bão hòa, ta có

100x106  10  10  0
  2  2.00 mA nhung I D bi gioi han boi I D   100 A
2
ID 
2 1 100k

Do đó, giả thuyết là sau nên transistor phải làm việc trong vùng tuyến tính.

* Lưu ý: các công thức của D-MOSFET giống như E-MOSFET (tương ứng theo
loại kênh), chỉ khác nhau ở điện áp ngưỡng.
10V  VDS  10  V 
 104   0   2  DS VDS
10 
5
 1  2 
10  VDS  50VDS 4  VDS  và VDS  0.0504V .
 0.0504  10V  VDS
I D  103  2  0.0504  99.5 A Checking :  99.5 A
 2  105 

(b) Với R = 50 k và W/L = 20/1,

10V  VDS  V 
 2 x10 3  0   2   DS VDS
5 x10 
4
 2 
10  VDS  50VDS 4  VDS , giong voi cau (a).
 0.0504  10V  VDS
I D  2 x10 3  2  0.0504  199 A Checking :  199 A
 2  5 x10 4 

(c) Đối với mạch cho ở H.5b, cực máng và nguồn đảo bị trí cho nhau do nguồn cấp âm (đảm bảo 𝑣 dương
để dòng chạy từ cực máng sang nguồn) và chiều dòng điện cũng phải đảo ngược lại. Lúc này, VDS = VGS
và do đây là D-MOSFET nên sẽ hoạt động trong vùng tuyến tính.

10V  VDS  V 
 1000 x10 6 VDS   2   DS VDS
10 
5
 2 
10  VDS  50VDS 4 + VDS  suy ra VDS  0.04915V .
 0.04915  10V  VDS
I D  10 3  0.04915   2   0.04915  99.5 A Checking :  99.5 A
 2  10 5 
(d) Đối với mạch cho ở H.5b, cực máng và nguồn đảo bị trí cho nhau do nguồn cấp âm (đảm bảo 𝑣 dương
để dòng chạy từ cực máng sang nguồn) và chiều dòng điện cũng phải đảo ngược lại. Lúc này, VDS = VGS
và do đây là D-MOSFET nên sẽ hoạt động trong vùng tuyến tính.

10V  VDS  V 
 2000 x10 6 VDS   2  DS VDS
5 x10 
4
 2 
10  VDS  50VDS 4 + VDS  giong voi cau (c). VDS  0.04915V .
 0.04915  10V  VDS
I D  2 x10 3  0.04915   2  0.04915  199 A Checking :  199 A
 2  5 x10 4 

* Lưu ý rằng mạch cho ở H.5b có vấn đề. Nếu biểu diễn transistor bằng ký hiệu 4 chân thay vì 3 chân thì
ta có các tiếp giáp giữa cực nguồn và đế sẽ được phân cực thuận, ảnh hưởng đến hoạt động của MOSFET.

----------------------------------------------------------
Hiệu ứng thân đế
17. Lặp lại câu 7 với 𝑣 = 1.25 𝑉. Xem bảng ở trang 1 để có các thông số khác.
Giải:

 
VTN  0.75 + 0.75 1.25 + 0.6  0.6  1.19V
(a) VGS  VTN so the transistor is cut off, and I D  0.
(b) VGS  VTN so the transistor is cut off, and I D  0.
(c) VGS  VTN  2  1.19  0.81V  VDS  3.3 V  Saturation region
375 x10 6  5 
2  1.19  1.23 mA
2
ID  
2  0.5 
(d ) VGS  VTN  3  1.19  1.81V  VDS  3.3 V  Saturation region
375 x10 6  5 
3  1.19  6.14 mA
2
ID  
2  0.5 
W  5  mA
(e) K n  K n'  375 x106    3.75 2
L  0.5  V

----------------------------------------------------------
PMOS
18. Đặc tuyến ra của PMOS được cho ở H.6. Tính giá trị 𝐾 và 𝑉 . Đây là PMOS kênh
cảm ứng hay kênh đặt sẵn? Tính tỉ số W/L.
 H.6
Giải:
Điểm thắt kênh và điện áp ngưỡng có thể được xác định trực tiếp từ đặc tuyến. Đối với đặc tuyến tương
ứng với VGS = -3 V, điểm thắt kênh đầu tiên xảy ra tại cực máng và tương ứng với giá trị 𝑉 = −2.5 𝑉
trên đặc tuyến. Biết rằng, điện áp 𝑉 tại điểm thắt kênh đầu tiên được xác định bằng công thức 𝑣 =
𝑉 − 𝑉 . Do đó, ta có VTP = 2.5 - 3 = - 0.5 V.

Tương tự như vậy, ta có thể xác định 𝑉 bằng cách sử dụng thông tin từ các đặc tuyến khác. Ví dụ: từ
đặc tuyến tương ứng với VGS = -5 V ta có VTP = 4.5 - 5 = - 0.5 V.

Cách khác để xác định 𝑉 như sau. Chọn 2 điểm trong vùng bão hòa trên các đặc tuyến khác nhau. Ví
dụ: ID = 1.25 mA đối với đặc tuyến của VGS = -3 V và ID = 4.05 mA đối với đặc tuyến của VGS = -5 V:

I D1 V  VTP  or
 GS 1
1 . 25

 3  VTP 
ID2 V GS 2  VTP  4 . 05  5  VTP 
Suy ra VTP : 0 . 8VTP   0 . 4V and VTP   0 .500 V .
A
400 2
2ID 2 1 .25 mA  mA W Kp V  10
Tìm K p : K p    0 . 400 2 |  ' 
V GS  VTP   3 + 0 .5 
2 2
V L Kp A
40 2 1
V

----------------------------------------------------------
PMOS
19. (a) Xác định các cực S, D, G, B đối với mạch cho ở H.7a. Giả sử 𝑉 = 10 𝑉.
(b) Lặp lại câu (a) với mạch cho ở H.7b.
 H.7
Giải:

(a) (b)

----------------------------------------------------------
PMOS
20. Xác định vùng hoạt động và dòng máng của PMOS với W/L=20/1 và 𝑉 = 0 𝑉, và
(a) 𝑉 = −1.1 𝑉 và 𝑉 = −0.2 𝑉.
(b) 𝑉 = −1.3 𝑉 và 𝑉 = −0.2 𝑉.
(c) Lặp lại câu (a) và (b) với 𝑉 = 1 𝑉.
Giải:
(a) VGS  VTP  1.1 + 0.75  0.35 V | VDS  0.2 V  Triode region
40A  20    0.2 0.2  40.0 A
ID  2    1.1   0.75 
V  1  2 
(b) VGS  VTP  1.3 + 0.75  0.55V | VDS  0.2V  Triode region
40A  20    0.2 0.2  72.0 A
ID  2    1.3   0.75 
V  1  2 
   
(c) VTP   0.75 + .5 1 + .6  0.6  0.995V
VGS  VTP  1.1   0.995  0.105V | VDS  0.2V  saturation region
1  40 A  20 
I D   2   1.1 + 0.995  4.41 A
2

2  V  1 
(d ) VGS  VTP  1.3 + 0.995  0.305V | VDS  0.2V  triode region
40 A  20    0.2  0.2  32.8 A
ID  2    1.3   0.995 
V  1  2 

----------------------------------------------------------
21. (a) Xác định điểm làm việc tĩnh Q của MOSFET trong mạch cho ở H.8. Biết 𝑅 =
100𝑘Ω, 𝑅 = 22𝑘Ω, 𝑅 = 24𝑘Ω, 𝑅 = 12𝑘Ω và 𝑉 = 10 𝑉. Giả sử 𝑉 = 1 𝑉,
𝛾 = 0, và W/L=7/1.
(b) Lặp lại câu (a) với W/L=14/1.

H.8.
Giải:
100k
a  Direct approach : VEQ  10V  3.13V | Assume saturation
100k + 220k
 100 x10 6  7 
3.13  VGS + 24 x10 3 I D  VGS + 24 x10 3   VGS  12
 2  1 
8.4VGS2  15.8VGS + 5.27  0  VGS  1.45 V and I D  70.3 A
VDS  10  36 x10 3 I D  7.47 V | VDS  VGS  VTN Saturation is correct.
Checking : VEQ  24 x10 3 I D + VGS  3.13 V which is correct.
Q - point : 70.3 A, 7.47 V 
 b  Assume saturation
 10  4  14 
3.13  VGS + 24 x10 3 I D  VGS + 24 x10 3   VGS  12
 2  1 
16.8VGS2  32.6VGS + 13.67  0  VGS  1.33 V and I D  75.3 A
VDS  10  36 x10 3 I D  7.29 V | VDS  VGS  VTN Saturation is correct.
Checking : VGG  24 x10 3 I D + VGS  3.14 V which is correct.
Q - point : 73.5 A, 7.29 V 

----------------------------------------------------------
22. Vẽ đường tải đối với mạch cho ở H.9a trên đồ thị đặc tuyến ở H.9b và xác định điểm
làm việc Q. Xác định vùng hoạt động. Biết:
(a) 𝑉 = 4 𝑉
(b) 𝑉 = 5 𝑉 và giá trị điện trở là 8.3 𝑘Ω

H.9. (a) (b)

Giải:
(a) Phương trình đường tải: 𝑉 = 𝐼 × 6.8𝑘Ω + 𝑉

4V
VDS  0, I D   0.588mA.
6.8k
I D  0,VDS  4V .

Ta có, VGS = 4V. Dựa trên đồ thị, ta có MOSFET hoạt động trong vùng tuyến tính dưới điểm thắt
kênh, và tạo độ điểm làm việc (350 A, 1.7V). [Q-Point “4.81”].

5V
VDS  0, I D   0.602mA.
(b) 8.3k
I D  0,VDS  5V .

Ta có, VGS = 5V. Dựa trên đồ thị, ta có MOSFET hoạt động trong vùng tuyến tính dưới điểm thắt
kênh, và tạo độ điểm làm việc (450 A, 1.25 V). [Q-Point “4.82”]
 ----------------------------------------------------------
23. Vẽ đường tải đối với mạch cho ở H.10a trên đồ thị đặc tuyến ở H.10b và xác định
điểm làm việc Q. Xác định vùng hoạt động. Biết:
(a) 𝑉 = 6 𝑉
(b) 𝑉 = 8 𝑉

H.10. (a) (b)

Giải:
(a) Do lớp o-xít cách điện nên 𝐼 = 0. Do đó, 2 điện trở 150𝑘Ω mắc nối tiếp. Suy ra:

VDD
VGS   3V | 6  10 4 I D +V DS | VDS  0, I D  0.6mA | I D  0, VDS  6V
2
Điểm Q: (140 A, 4.6V) trong vùng bão hòa. [Q-point “4.83”.]

VDD
(b) VGS   4V | 8  10 4 I D +V DS | VDS  6, I D  0.2mA | VDS  0, I D  0.8mA
2
Điểm Q: (390 A, 4.1 V) trong vùng bão hòa. [Q-point “4.84”.]
 ----------------------------------------------------------
24. (a) Xác định điểm làm việc tĩnh đối với mạch cho ở H.11a với 𝑉 = 12 𝑉.
(b) Xác định điểm làm việc tĩnh đối với mạch cho ở H.11b với 𝑉 = 12 𝑉.

H.11.
Giải:
(a) Do điện áp tại cực máng và cực cửa bằng nhau nên MOSFET hoạt động ở vùng bão hòa (xem
lại điều kiện MOSFET hoạt động trong vùng bão hòa).
KVL,
100 x10  6  20  A 
  2 VGS  0.75V 
2
VGS  12  10 5 I D and ID 
2  1  V 
100VGS2  149VGS + 44.25  0  VGS  1.08V , 0.409V  VGS  1.08 V
100 x10 6  20  A 
  2 1.08  0.75V 
2
| ID 
2  1  V 
12  1.08
I D  109 A | Checking : I D   109 A | Q - Point : 109 A,1.08 V 
10 5
 7
(b) KVL, VDS = 10 IG +VGS. Vì IG = 0, nên VGS = VDS. Do VTN = 0.75 V > 0, nên MOSFET
hoạt động trong vùng bão hòa.

Chọn VGS bằng 0.933 V vì 0.564 V thấp hơn điện áp ngưỡng.

and VDS = VGS

Q-Point: (33.5 A, 0.933 V) Checking: ID = (12-0.933)V/330k = 33.5 A.

----------------------------------------------------------
25. (a) Xác định dòng 𝐼 trong mạch cho ở H.12. Biết 𝑉 = 5 𝑉, 𝛾 = 0, 𝑉 = 1 𝑉, và
cả 2 transistor đều có tỉ số W/L=20/1.
(b) Lặp lại câu (a) với 𝑉 = 10 𝑉.

(c) Lặp lại câu (a) với 𝛾 = 0.5 √𝑉.

H.12.
Giải:
(a) Theo cách mắc, cả hai transistor đều bão hòa.

K n1 K
I D1  VGS 1  VTN 1 2 và I D 2  n 2 VGS 2  VTN 2 2
2 2
 Vì 2 transistor giống nhau, nên từ ID1 = ID2 suy ra VGS1 = VGS2 = VDD/2 = 2.5V.

100x106  20 
 2.5 1 = 2.25 mA
2
ID1  ID 2 
2 1

(b) Tương tự, VGS1 = VGS2 = VDD/2 = 5V.

100x106  20 
 5 1 =16.0 mA
2
ID1  ID 2 
2 1 .
(c) Do hiệu ứng thân đế nên điện áp ngưỡng của 2 transistor khác nhau. Dòng máng qua 2 transistor
vẫn bằng nhau.

2ID 2ID
VGS1  VTN1 + ; VGS 2  VTN 2 + ; VGS1 + VGS 2  5V .
Kn Kn
VTN1 = 1V 
VTN 2  1+ 0.5 VGS1 + 0.6  0.6 
Kết hợp lại, ta có

 
5 - 2VGS1  0.5 VGS1 + 0.6  0.6  0  VGS1  2.27V ; VGS 2  5  VGS1  2.73V
100x106  20 
 2.27  1  1.61 mA.
2
I D 2 = I D1 
2 1

Checking:VTN 2  1 + 0.5 2.27 + 0.6  0.6  1.46V 
6
100x10  20 
 2.73  1.46  1.61 mA.
2
I D2 =
2 1

----------------------------------------------------------
26. Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch cho ở H.13. Biết 𝑅 = 10 𝑘Ω,
𝑉 = 1 𝑉, W/L=4/1.

H.13.
Giải:
 Giả sử transistor hoạt động trong vùng tuyến tính. (Có thể giả sử transistor làm việc trong vùng
bão hòa. Tuy nhiên, kết quả sẽ không thỏa mãn điều kiện hoạt động trong vùng bão hòa. Tiếp
theo, ta phải thay đổi giả thuyết và tính toán lại).

VGS  10  2 x104 I D | VDS  10  3x104 I D

A  4  10  3x104 I D 
I D  100  10  2 x10 I D  1 
V 2  1 
4

2

 10  3x104 I D 

1.5x108 I D2  1.725 x105 I D + 40  0  I D  322A
 
VDS  10  3x104 3.22 x10 4  0.340V | Q - Pt : 322 A, 0.340 V 

Kiểm tra giả thuyết:

VGS  VTN  2.56V  VDS

Vậy giả thuyết là đúng.

Kiểm tra tính đúng đắn của tính toán: dòng 𝐼 của điểm làm việc được đối chiếu với dòng chạy
qua các điện trở (lưu ý dòng chạy vào cực cửa bằng 0).

10  0.34
Checking : I D  V  322A
30k
----------------------------------------------------------
27. Xác định điểm làm việc của PMOS trong mạch cho ở H.14a và H.14b. Biết 𝑅 =
75 𝑘Ω, 𝑉 = −15 𝑉, W/L=1/1.

H.14.
Giải:
(a) Theo cách mắc, transistor bão hòa.
VGS  VDD + ID R  15 + 75000ID
4 x105  1
 15 + 75000ID + 0.75  153 A
2
ID 
2  1
VGS  15 + 75000ID  3.525V
VDS  VGS  3.525V | Q - point : 153 A,3.53 V 
 (b) Ta có VGS = -15 V. Đây là điện áp lớn nên nhiều khả năng transistor hoạt động trong vùng
tuyến tính. Giả sử transistor hoạt động trong vùng tuyến tính.

Kiểm tra vùng hoạt động: VDS  0.347V  VGS  VTP  15 + 0.75  14.25V

Giả thuyết là đúng.

----------------------------------------------------------
28. (a) Xác định dòng 𝐼 và điện áp 𝑉 trong mạch cho ở H.15a. Biết W/L=20/1 đối với
cả 2 transistor, 𝑉 = 10 𝑉.
(b) Lặp lại câu (a) với W/L=80/1.
(c) Lặp lại câu (a) và (b) đối với mạch cho ở H.15b.

H.15.

Giải:
(a ) I DP  I DN , va ca 2 transistor deu bao hoa. 10  -VGSP + VGSN
1  40 A  20  1  100 A  20 
 2   10 + VGSN + 0.75     VGSN  0.75
2 2
2
2  V  1  2 V  1 
9.25  VGSN   2.5 VGSN  0.75  VGSN  4.04 V | VGSP  5.96 V
I DP  I DN  10.8 mA | VO  VGSN  4.04 V
(b) Tinh toan tuong tu, ta co : I DP  I DN  43.2 mA
 c  Vi dong cuc cua bang 0, VDS  VGS va NMOS bao hoa.
Tuy nhien, VSGP  10 V , nen PMOS nhieu kha nang hoat dong trong vung tuyen tinh do co gia tri lon.
VDSP  -10 + VGSN . Suy ra,
 40 A  20   10 + VGSN  1  100 A  20 
 10 + VGSN     VGSN  0.75
2
 2    10 + 0.75  2
 V  1  2  2  V  1 
Suy ra : 3.5VGSN  4.25VGSN  83.6  0
2

1  100 A  20 
 5.70  0.75  24.5 mA
2
VGSN  5.70 V , VDSP  4.30 V , I DN  
2  V 2  1 
 40 A  20   4.30 
Checking : I DP   2    10 + 0.75   4.30   24.4 mA
 V  1  2 
(d ) Tinh toan tuong tu, ta co : I DP  I DN  98.0 mA
----------------------------------------------------------
29. Cho JFET trong mạch cho ở H.16 với 𝐼 = 500 𝜇𝐴 và 𝑉 = −3 𝑉. Tìm điểm làm
việc của JFET đối với:
(a) 𝑅 = 0, 𝑉 = 5 𝑉.
(b) 𝑅 = 0, 𝑉 = 0.25 𝑉.
(c) 𝑅 = 8.2 𝑘Ω, 𝑉 = 5 𝑉.

H.16.
Giải:
a  R = 0, VGS  0, VDS  5V , VGS  VP  VP  3V  Saturation Region.
I D  I DSS  500A, VDS  5V | Q - point : 500 A, 5.00 V 
 2 2
 V    8200I DS 
(c) Gia su lam viec trong vung bao hoa | VGS = -8200I D | I D  I DSS 1  GS   5 x104 1  
 VP   3 
7.471x106 I D2  7.467x103 I D + 1  0 | Suy ra : I D  159.3 A, 840.3 A
5V
I D  159 A since I D   610 A. | VDS  5  8200I D  3.696V | Q - point : 159 A, 3.70 V 
8.2k
Checking saturation :VGS  VP  8200I D   3  1.70V | VDS  3.70V - Ok.