BaoCao Final

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA Độc lập – Tự do – Hạnh phúc

KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
PHIẾU ĐÁNH GIÁ QUÁ TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN MÔN HỌC

Tên đồ án: PBL2 - Mạch điện tử
STT Họ và tên Lớp Mã số sinh viên Ngành

1 Nguyễn Việt Hùng 20KTMT1 106200229 Kỹ thuật máy tính
2 Ngô Xuân Sỹ 20KTMT1 106200244 Kỹ thuật máy tính
3 Nguyễn Du 20KTMT2 106200256 Kỹ thuật máy tính
Nhóm học phần: 21Nh44A

Giàng viên hướng dẫn: PGS.TS. Nguyễn Văn Tuấn
Tên đề tài: Thiết kế và thi công mạch khuếch đại công suất âm tần.
Thông số thiết kế:
- Loại mạch: OCL - Ngõ vào: vi sai
- Điện áp vào cực đại: 0.6V - Điện trở loa: 8Ω
- Công suất ra: 30W - Điện trở vào: 250kΩ
- Băng thông: 0.03–15(kHz) - Méo phi tuyến: 0.15%
Quá trình thực hiện đồ án:
Đánh giá của
STT Ngày Nội dung
GVHD
1 23/8/2023 Giao đề tài Đạt yêu cầu
Hoàn thành tính toán

2 1/10/2023 Đạt yêu cầu
Mô phỏng
3 8/10/2023 Thi công mạch Đạt yêu cầu
Kiểm tra và chạy thử nghiệm

4 22/10/2023 Đạt yêu cầu
Hoàn thành báo cáo
Đà Nẵng, ngày … tháng … năm 2023

Giảng viên hướng dẫn
Mch khuch i OCL ngõ vào vi sai GVHD: Nguyễn Văn Tuấn
PSG.TS. Nguyễn Văn Tuấn

LỜI MỞ ĐẦU
Công nghệ thời 4.0 đã có những bước nhảy vọt đáng kể, và ngành Điện tử & Viễn
thông luôn là mũi nhọn tiên phong trong lĩnh vực mới này. Mọi thứ đều bắt đầu từ những
điều đơn giản nhất, tuy thế giới đã chế tạo ra những vi mạch tích hợp với các bóng bán
dẫn có kích thước hàng nanomet, nhưng chúng ta, những sinh viên mới vào nghề, cần
phải hiểu sâu nguyên lý hoạt động, quy trình tạo ra sản phẩm, thì việc thiết kế một mạch
điện từ từ những linh kiện cơ bản là điều cần thiết.
Một tiến sĩ từng nói: “Nguyên lý có thể không khó, nhưng để tạo ra sản phẩm là cả
một quá trình nghiên cứu, và chúng ta phải thật sự nắm vững nó thì sản phẩm đó mới
thuộc về chúng ta”. Việc thiết kế một sản phẩm là mạch loa giúp sinh viên thật sự hiểu
được một linh kiện hoạt động như thế nào, chúng kết nối thành một hệ thống ra sao, và
quan trọng nhất là những vấn đề chỉ xuất hiện khi bắt tay thực hiện buộc chúng ta phải
tìm hiểu thêm những điều không có trong sách vở.
Để hoàn thành đồ án môn học này trước hết chúng em xin gửi đến quý Thầy (Cô)
trong Khoa Điện tử - Viễn thông, Trường Đại học Bách Khoa- Đại học Đà Nẵng lời cảm
ơn chân thành.
Đặc biệt, chúng em xin gửi đến thầy Nguyễn Văn Tuấn người đã tận tình hướng dẫn,
giúp đỡ chúng em hoàn thành học phần này lời cảm ơn sâu sắc nhất.
Chúng em xin chân thành cảm ơn Ban Lãnh đạo, các thầy cô Khoa Điện tử - Viễn
thông đã tạo điều kiện thuận lợi cho chúng em được tìm hiểu các kiến thức thực tế cũng
như hướng chúng em sử dụng các trang thiết bị trong quá thực hành thi công đồ án.
Qua quá trình học tập và nghiên cứu đồ án này đã mang lại những kiến thức bổ ích
và những kinh nghiệm quý giá.
Vì kiến thức bản thân còn hạn chế, trong quá trình học tập, nghiên cứu, hoàn thiện đồ án
này chúng em không tránh khỏi những sai sót, chúng em mong nhận được những lời đánh
giá sâu sắc để củng cố và hoàn thiện kiến thức hơn
Xin chân thành cảm ơn

Sinh viên nhóm 1 – 21.44A
Nhóm 1 – 21.44A 2
NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
...............................................................................................................................................
Nhóm 1 – 21.44A 3
Mục lục
Nhóm 1 – 21.44A 4
DANH MỤC HÌNH ẢNH
Nhóm 1 – 21.44A 5
DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT
Nhóm 1 – 21.44A 6
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ DIODE
1.1. Tổng quan:

1.1.1. Khái niệm:
- Diode bán dẫn (gọi tắt là diode) là một loại linh kiện bán dẫn chỉ cho phép dòng
điện đi qua nó theo một chiều mà không theo chiều ngược lại.
- Có nhiều loại diode bán dẫn, như diode chỉnh lưu thông thường, diode Zener, LED.
Chúng đều có nguyên lý cấu tạo chung là một khối bán dẫn loại P ghép với một
khối bán dẫn loại N và được nối với 2 chân ra là anode và cathode.
- Diode là linh kiện bán dẫn đầu tiên. Khả năng chỉnh lưu của tinh thể được nhà vật
lý người Đức Ferdinand Braun phát hiện năm 1874. Diode bán dẫn đầu tiên được
phát triển vào khoảng năm 1906 được làm từ các tinh thể khoáng vật như galena.
Ngày nay hầu hết các diode được làm từ silic, nhưng các chất bán dẫn khác như
selen hoặc germani thỉnh thoảng cũng được sử dụng.
1.1.2. Cấu tạo:
- Tiếp giáp pn được tạo nên bằng cách ghép hai mẫu bán dẫn pha tạp loại n và p lại
với nhau.
- Vùng tiếp xúc giữa hai loại bán dẫn loại n và p được gọi là tiếp giáp (junction)
- Vùng p được gọi là anode; vùng n được gọi là cathode
Nhóm 1 – 21.44A 7
Hình 1.1. Cấu tạo Diode

1.2. Nguyên lý hoạt động:
1.2.1. Trạng thái cân bằng:
- Trạng thái cân bằng đạt được khi không có nguồn điện áp ngoài đặt vào hai cực
của diode.
- Mật độ lỗ trống trong vùng p rất lớn, trong khi, mật độ lỗ trống trong vùng n nhỏ
hơn rất nhiều lần.
- Tương tự, mật độ điện tử trong vùng n rất lớn, trong khi, mật độ điện tử trong vùng
p nhỏ hơn rất nhiều lần.
 tồn tại sự chênh lệch nồng độ điện tử, lỗ trống giữa 2 vùng bán dẫn p và n.
- Sự chênh lệch nồng độ dẫn đến sự hình thành dòng khuếch tán:
o Các lỗ trống khuếch tán từ vùng p sang vùng n.
o Các điện tử khuếch tán từ vùng n sang vùng p.
- Khi lỗ trống khuếch tán khỏi vùng p, chúng để lại các ion âm của nguyên tử nhận
cố định trong mạng tinh thể.
- Tương tự, khi điện tử khuếch tán khỏi vùng n, chúng để lại các ion dương của
nguyên tử cho cố định trong mạng tinh thể.
Hình 1.2. Trạng thái cân bằng của diode.
Nhóm 1 – 21.44A 8
- Điện áp tiếp xúc ở trạng thái cân bằng khoảng 0.7V đối với diode làm bằng bán
dẫn Si và khoảng 0.3V đối với diode làm bằng bán dẫn Ge.
- Xung quanh tiếp giáp, hình thành nên vùng chứa các ion âm và dương của nguyên
tử nhận và nguyên tử cho. Trong vùng này thiếu các hạt tải điện (điện tử tự do và
lỗ trống) nên được gọi là vùng nghèo (depletion region).
- Trong vùng nghèo, tồn tại một điện trường hướng từ khối ion dương của nguyên tử
cho sang khối ion âm của nguyên tử nhận. Điện trường này được gọi là điện trường
tiếp xúc điện hay trường tiếp trong (built-in electric field).
- Điện trường tiếp xúc Etx có tác dụng cản trở dòng khuếch tán của lỗ trống từ vùng
p sang vùng n và của điện tử từ vùng n sang vùng p.
- Dòng khuếch tán tăng => Etx tăng => cản trở dòng khuếch tán.
- Như vậy, quá trình sẽ tiếp diễn đến lúc diode đạt được trạng thái cân bằng động,
tương ứng với không có dòng khuếch tán chạy qua tiếp giáp, và các tính chất tĩnh
điện ( Etx , độ rộng vùng nghèo, …) xem như ổn định.
1.2.2. Phân cực ngược:
- Cực dương của nguồn nối với cathode (bán dẫn loại p), còn cực âm nối với anode
(bán dẫn loại n).
Hình 1.3. Phân cực ngược diode.
Nhóm 1 – 21.44A 9
- Điện áp phân cực ngược tạo ra trong vùng nghèo điện trường Eng cùng chiều với
điện trường tiếp xúc Etx .
- Khi tăng điện áp phân cực ngược v D thì Eng tăng, và kết hợp với Etx làm tăng điện
trường trong vùng nghèo. Do đó, tăng sự cản trở dòng khuếch tán, khiến cho
không có dòng chạy qua diode.
- Trong thực tế, tồn tại một dòng rất nhỏ chạy qua diode trong điều kiện phân cực
ngược. Dòng này được gọi dòng bão hòa ngược I S (reverse saturation current).
- Nguyên nhân sinh ra dòng ngược bão hòa là do các hạt tải điện thiểu số (điện tử
trong vùng p và lỗ trống trong vùng n) khi dịch chuyển vào vùng nghèo sẽ được
điện trường trong vùng này ( Etx + Eng) kéo đi và sinh ra dòng.
- Do các hạt tải điện thiểu số chỉ được sinh ra do tác dụng nhiệt nên số lượng rất nhỏ
(ở điều kiện nhiệt độ bình thường). Do đó, dòng I S có độ lớn rất nhỏ (cỡ µA) và
nhanh chóng đạt giá trị bão hòa (không đổi).
- Dòng I S thường được bỏ qua. Tuy nhiên, khi diode hoạt động trong dải nhiệt rộng
thì dòng I S sẽ thay đổi lớn và cần được xét đến.
1.2.3. Phân cực thuận:
- Cực dương của nguồn nối với anode (bán dẫn loại p), còn cực âm nối với cathode
(bán dẫn loại n).
Hình 1.4. Phân cực thuận diode.
Nhóm 1 – 21.44A 10
- Điện áp phân cực thuận tạo ra trong vùng nghèo điện trường Eng ngược chiều với
điện trường tiếp xúc Etx .
- Khi tăng điện áp phân cực thuận v D thì Eng tăng và triệt tiêu dần Etx , và tạo điều
kiện cho dòng khuếch tán chạy qua tiếp giáp và sinh ra dòng chạy qua diode.
- Dòng qua diode thực sự đáng kể, tương ứng với diode dẫn điện, khi Etx bị triệt tiêu
hoàn toàn, tương ứng với điện áp phân cực thuận v D lớn hơn hoặc bằng thế năng
tiếp xúc ϕ J .
1.2.4. Hiện tượng đánh thủng:
- Hiện tượng đánh thủng (reverse breakdown): khi điện áp phân cực ngược vượt qua
một ngưỡng nào đó, dòng qua diode sẽ tăng đột biến và đốt cháy diode, trong khi
điện áp trên diode gần như không phụ thuộc vào dòng qua diode.
- Ngưỡng điện áp tại đó xảy ra hiện tượng đánh thủng được gọi là điện áp đánh
thủng V BV (breakdown voltage).
1.3. Đặc tuyến Volt – Ampe:
- Đặc tuyến i-v của diode thể hiện mối quan hệ giữa dòng và điện áp trên diode
- Đặc tuyến i-v của diode được phân thành 3 vùng:
o Phân cực thuận khi v D > 0V
o Phân cực ngược khi v D < 0V
o Đánh thủng khi v D <V BV <0 V
Hình 1.5. Đặc tuyến i-v của diode.
Nhóm 1 – 21.44A 11
- Vùng phân cực thuận:

o Dòng qua diode được xem là đáng kể, tương ứng với diode dẫn, khi điện áp
trên diode lớn hơn điện áp ngưỡng V F.
o Điện áp ngưỡngV F đối với diode Ge, Si lần lượt là 0.3V và 0.7V
o Khi điện áp phân cực thuận nhỏ hơn điện áp ngưỡng, chỉ có dòng rất nhỏ
chạy qua diode, và diode xem như không dẫn (ngắt)
o Khi diode dẫn, điện áp trên diode gần như không đổi, và bằng điện áp
ngưỡng V F.
- Vùng phân cực ngược:
o Tồn tại dòng bão hòa ngược I S rất nhỏ chạy qua diode theo chiều từ cathode
sang anode.
- Vùng đánh thủng
o Khi điện áp phân cực ngược vượt qua mức điện áp đánh thủng V BV , dòng
qua diode tăng đột biến, trong khi điện áp trên diode gần như không đổi
Nhóm 1 – 21.44A 12
CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ TRANSISTOR LƯỠNG CỰC – BJT
1.4. Tổng quan về BJT:

1.4.1. Khái niệm:
Transistor lưỡng cực nối, viết tắt theo tiếng Anh là BJT (Bipolar junction
transistor) là loại linh kiện bán dẫn có cấu trúc 2 tiếp xúc của 3 khối chất bán dẫn
có đặc tính dẫn điện khác nhau. Từ ba khối có ba điện cực nối ra. Ở giữa là cực
nền (base) ký hiệu B, hai bên là cực phát (emitter) ký hiệu E, và cực thu (collector)
ký hiệu C. Đây là một linh kiện vô cùng quan trọng và có nhiều ứng dụng trong kỹ
thuật điện tử.
1.4.2. Cấu tạo và phân loại:
- Transistor gồm 3 lớp bán dẫn loại P và loại N ghép lại với nhau. Do đó có hai loại
transistor là NPN và PNP tương ứng với 2 cách sắp xếp 3 lớp bán dẫn trên.
Nhóm 1 – 21.44A 13
Hình 2.1. Cấu tạo BJT.

- Xét trên phương diện cấu tạo, transistor tương đương với 2 diode.
- Như hình vẽ, transistor có 3 cực là B (Base), C (Collector) và E (Emitter) tương
ứng với 3 lớp bán dẫn. Sự phân hóa thành 3 cực này là do đặc tính vật lý của 3 lớp
bán dẫn là khác nhau.
- Nồng độ pha tạp của các miền là hoàn toàn khác nhau:
o Miền Emitter có nồng độ pha tạp lớn nhất 1019 ÷ 10 21 nguyên tử.
o Miền Base có nồng độ pha tạp thấp nhất. Nồng độ pha tạp miền Base càng
thấp càng lợi về hệ số truyền đạt.
o Miền Collector có nồng độ pha tạp trung bình 1013 ÷ 1015 nguyên tử.
- Do có sự phân bố như vậy sẽ hình thành các lớp chuyển tiếp P- N gần nhau.
o Chuyển tiếp Emitter (JE) giữa miền E- B.
o Chuyển tiếp Collector (JC) giữa miền C- B.
1.5. Nguyên lý hoạt động:
- Xét BJT npn làm ví dụ, ta có sơ đồ hoạt động sau:
Hình 2.2. Sơ đồ hoạt động BJT npn.
Nhóm 1 – 21.44A 14
- Nguồn E1(có sức điện động một vài Volt) làm cho chuyển tiếp J E phân cực thuận.
Nguồn E2 (thường cỡ 5V – 20V) làm cho chuyển tiếp collector J C phân cực
nghịch. E1 và E2 được gọi là các nguồn điện áp phân cực. R Evà RC là các điện trở
phân cực.
- Khi chưa cấp nguồn tại các tiếp giáp P-N, do có sự chênh lệch về nồng độ pha giữa
các miền nên sinh ra các hiện tượng khuếch tán (sự khuếch tán của các hạt điện
tích (điện tử và lỗ trống) nên bên trong nó hình thành hai tiếp giáp J E và J C cân
bằng động. Khi có nguồn E2, chuyển tiếp J C bị phân cực nghịch thì có dòng I CBo
chạy từ N sang P (chiều của lỗ trống). Dòng I CBo nhỏ cỡ 0,01 đến 0,1µA.
- Khi có nguồn E1 thì J E được phân cực thuận nên các điện tử ở miền N dễ dàng
khuếch tán qua miền P. Đồng thời lỗ trống ở miền P khuếch tán qua miền N. Trên
đường khuếch tán chúng tái hợp lại với nhau.
- Do nồng độ lỗ trống của miền P rất ít nên chỉ có một số điện tử được tái hợp, số
còn lại di chuyển đến J C . Do J C được phân cực nghịch nên các điện tử từ miền P dễ
dàng di chuyển qua J C đến miền C tạo nên dòng I C có chiều từ N đến P.
- Do nồng độ lỗ trống của miền P rất ít nên chỉ có một số điện tử được tái hợp, số
còn lại di chuyển đến J C . Do J C được phân cực nghịch nên các điện tử từ miền P dễ
dàng di chuyển qua J C đến miền C tạo nên dòng I C có chiều từ N đến P.
- Ta có quan hệ: I B + I C + I CBo =I E
I E tỷ lệ với số điện tử ở miền E phát xạ (đi vào) miền B.
I B tỷ lệ với số điện tử tái hợp trong miền B.
I C tỷ lệ với số điện tử từ miền E đến miền C.
- Gọi 𝛼 là hệ số truyền đạt dòng điện của BJT, 𝛽 là hệ số khuếch đại dòng điện của
IC IC
BJT: α = <1 ; β=
IE IB
- Thông thường I CBo rất nhỏ nên I B + I C =I E
α
- Suy ra: β=
α+1
Nhóm 1 – 21.44A 15
- Bốn chế độ hoạt động của transistor là:

o Bảo hòa (Saturation) — Transistor hoạt động giống như ngắn mạch. Dòng
điện chảy tự do từ cực thu đến cực phát.
o Ngắt/Ngưng dẫn (Cut-off) — Transistor hoạt động giống như hở mạch.
Không có dòng điện chảy từ cực thu đến cực phát.
o Tích cực/Khuếch đại (Active) — Dòng điện từ cực thu đến cực phát tỷ lệ
thuận với dòng điện chạy vào cực nền.
o Tích cực ngược (Reverse-Active) — Giống như chế độ khuếch đại, dòng
điện tỷ lệ với dòng cực gốc, nhưng theo chiều ngược lại. Dòng điện chảy từ
cực phát đến cực thu.
- Để xác định chế độ hoạt động của một transistor, chúng ta cần xem xét các điện áp
trên ba chân của transistor và chúng liên quan với nhau như thế nào. Các điện áp
giữa cực gốc và cực phát (V BE) và giữa cực nền với cực thu ( V BC) sẽ thiết lập chế
độ hoạt động của transistor:
Hình 2.3. Quan hệ giữa các điện áp trong các chế độ phân cực của BJT
Nhóm 1 – 21.44A 16
1.5.1. Chế độ bão hòa (Saturation):

- Bảo hòa là chế độ dẫn của một transistor. Transistor hoạt động ở chế độ bảo hòa
giống như ngắn mạch giữa cực thu và cực phát.
Hình 2.4. Nguyên lý hoạt động chế độ bão hòa của BJT.
- Ở chế độ này J E và J C đều phân cực thuận.
IC
- Điều kiện để BJT dẫn bão hòa là: I B ≥
β min
1.5.2. Chế độ ngắt/ ngưng dẫn (Cut-off):
- Chế độ ngắt hay ngưng dẫn là ngược lại với chế độ bão hòa. Transistor ở chế độ
ngưng dẫn là tắt – không có dòng điện chạy qua cực thu, và do đó không có dòng
điện qua cực phát. Nó gần giống như một mạch mở.
Nhóm 1 – 21.44A 17
Hình 2.5. Nguyên lý hoạt động chế độ ngắt của BJT.

- Tiếp giáp J E và J C phân cực ngược. Ở chế độ này BJT được dùng như một khoá
điện tử. Do tiếp giáp J E và J C phân cực ngược nên chỉ có dòng phân cực ngược
(dòng rò) rất nhỏ. Nên xem như không có dòng chảy qua các tiếp giáp. Ở chế độ
này BJT tắt.
- Điều kiện để BJT tắt là J E phân cực ngược, tương ứng V BE ≤ 0
1.5.3. Chế độ tích cực/ khuếch đại (Active):
- Ở chế độ này J C phân cực ngược và J E phân cực thuận. - Tiếp giáp J E phân cực
thuận nên hàng rào thế đối với các hạt dẫn đa số giảm, electron chuyển từ E sang B
và lỗ trống dời từ B sang E. Do bề dày miền B rất nhỏ nên phần lớn điện tử từ
miền E sang đều tập trung tại tiếp giáp J C tạo ra dòng I E rất lớn. Một phần điện tử từ
miền E sang miền B được tai hợp tạo thanh dòng I B. Tiếp giáp J C được phân cực
ngược nên kéo các hạt dẫn tiểu số ở vùng B là điện tử (do B là loại p) sang vùng C
tạo nên dòng I C. Như vậy dòng I E gồm hai thành phần là dòng I Bvà I C.
Nhóm 1 – 21.44A 18
Hình 2.6. Nguyên lý hoạt động chế độ khuếch đại của BJT.
- Do nồng độ pha tạp của miền B rất nhỏ so với miền E, nên dòng I E rất lớn so với
I Bcho nên có thể xem I E ≈ I C.
- Chế độ này sử dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật mạch tương tự.
- Mối quan hệ giữa các dòng điện: I E =I C + I B
IC
- Hệ thức truyền đạt dòng điện: α =
IE
IC
- Hệ số khuếch đại dòng điện: β=
IB
1.5.4. Chế độ tích cực ngược (Reverse- Active):
- Giống như chế độ bão hòa ngược lại với chế độ ngưng dẫn, chế độ tích cực ngược
ngược lại với chế độ khuếch đại. Một transistor hoạt động ở chế độ tích cực ngược
dẫn điện, thậm chí khuếch đại, nhưng dòng điện chạy theo hướng ngược lại, từ cực
phát đến cực thu. Nhược điểm của chế độ tích cực ngược là β ( β R trong trường hợp
này) nhỏ hơn nhiều.
Nhóm 1 – 21.44A 19
- Để làm cho transistor hoạt động ở chế độ tích cực ngược, điện thế cực phát phải
lớn hơn cực gốc và điện thế cực gốc phải lớn hơn điện thế cực thu ( V BE< 0 và V BC > 0
): V C <V B <V E
1.5.5. Kết luận:
- BJT PNP hoạt động rất giống với BJT NPN – chúng cũng có bốn chế độ hoạt động
nhưng tất cả mọi thứ đều bị đảo ngược lại.
Quan hệ điện áp BJT npn BJT pnp

V E <V B < V C Tích cực Ngược
V E <V B > V C Bão hòa Ngắt
V E >V B < V C Ngắt Bão hòa
V E >V B > V C Ngược Tích cực
Bảng 2.1. Chế độ hoạt động của BJT npn và pnp.
1.6. Sơ đồ kết nối BJT:
Như đã biết, BJT có 3 điện cực: Emitter, Base, Collector. Tuỳ theo việc chọn điện
cực nào làm nhánh chung cho mạch vào và mạch ra mà có 3 sơ đồ cơ bản sau:
1.6.1. Mạch B chung (Common Base- BC):
- Trong mạch này, cực E của BJT đóng vai trò là đầu vào, cực C là đầu ra và cực B
được nối với đất hoặc "chung", do đó có tên như vậy.
Hình 2.7. Sơ đồ mạch mắc kiểu B chung.
Nhóm 1 – 21.44A 20
1.6.2. Mạch C chung (Common Collector- CC):

- Trong mạch này, cực B của BJT đóng vai trò là đầu vào, cực E là đầu ra và cực C
chung cho cả hai.
Hình 2.7. Sơ đồ mạch mắc kiểu C chung.
1.6.3. Mạch E chung (Common Emitter- CE):

- Trong mạch này, cực B của BJT đóng vai trò là đầu vào, cực C là đầu ra và cực E
là chung cho cả hai.
Hình 2.8. Sơ đồ mạch mắc kiểu E chung

1.7. Kết luận chương:
Nhóm 1 – 21.44A 21
Nội dung chương 2 là tìm hiểu tổng quan về BJT, khái niệm, cấu tạo, phân loại và
các chế độ hoạt động cùng với một số sơ đồ mắc BJT thông dụng. Để BJT hoạt
động theo thiết kế cần phân cực cho BJT hoạt động đúng chế độ mong mong
muốn, đó là nội dung của chương tiếp theo: Khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Nhóm 1 – 21.44A 22
CHƯƠNG 3: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
1.8. Mở đầu chương:

- Để cho BJT hoạt động đúng với điểm làm việc mà chúng ta đề ra, chúng ta phải
phân cực chính xác cho BJT đó.
- Phân cực Transistor là quá trình thiết lập điện áp hoạt động một chiều của
Transistor hoặc điều kiện dòng điện ở mức chính xác để bất kỳ tín hiệu đầu vào AC
nào có thể được khuếch đại chính xác bởi Transistor.
- Đối với mỗi cách mắc BJT sẽ có những ưu nhược điểm khác nhau để ứng dụng tùy
vào nhu cầu của người sử dụng. Trong chương này, chúng ta sẽ tìm hiểu về các
cách phân cực cho BJT, các cách mắc BJT thường gặp, ưu nhược điểm và các ứng
dụng của chúng trong thực tế.
1.9. Phân cực BJT:
-
Ta biết BJT có thể hoạt động trong 3 vùng:
o Vùng khuếch đại với tiếp giáp B-C phân cực nghịch và B-E phân cực thuận.
o Vùng bão hoà với tiếp giáp B-E và B-C phân cực thuận.
o Vùng ngưng với tiếp giáp B-E phân cực nghịch.
-
Phương pháp chung để giải các mạch phân cực gồm 3 bước:
o Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định dòng điện ngõ vàoVùng bão
hoà với tiếp giáp B-E và B-C phân cực thuận
o Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ liên hệ: I C =β I B
o Bước 3: Dùng mạch ngõ ra để tìm các thông số còn lại.
-
Các cách phân cực BJT:
o Phân cực cố định
o Phân cực hồi tiếp cực Emitter
o Phân cực bằng cầu phân áp
o Phân cực hồi tiếp Collector
Nhóm 1 – 21.44A 23
o Mạch vi sai
1.9.1. Phân cực cố định:
-
Là mạch gồm một BJT NPN, 2 điện trở R B, RC , và một nguồn một chiều V CC .
Hình 3.1. Nguyên lý phân cực cố định của BJT

-
Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực:
-
KVL cho mạch ngõ vào: V CC −I B R B −V BE−I E R E =0 với V BE=0.7
-
Ta có: I E =( β +1)I B
V CC−V BE
 I B=
R B + ( β+ 1 ) ⋅ R E
-
Dòng: I C =β I B
-
Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra: V CE + I C RC −V CC=0
 V CE =V CC −I C RC
-
Điểm làm việc Q=( I ¿ ¿ B , I C , V CE )¿ được thể hiện trên đồ thị là giao điểm của
đường đặc tuyến và đường tải.
Nhóm 1 – 21.44A 24
Hình 3.2. Đồ thị đường đặc tuyến và đường tải mạch phân cực cố định.
-
Vị trí điểm Q trong vùng bão hòa thể hiện điện áp V CE ≤ V CE SAT , trong đó V CE SAT có
giá trị rất nhỏ (khoảng vài trăm mV).
-
Để BJT hoạt động trong vùng bão hòa:
I CSAT
 I B ≥ I BSAT = hoặc β I B=I CSAT
β
-
Kết luận: Đối với mạch phân cực cố định, để BJT chuyển từ vùng tích cực
sang làm việc trong vùng bão hòa:
o Nếu giữ mạch ngõ ra không đổi, tức V CC, RC và IC SAT không đổi, ta cần phải
giảm RB nhằm tăng IB sao cho I B ≥ I B SAT .
o Nếu giữ mạch ngõ vào không đổi, tức R B và IB không đổi, ta cần phải tăng
RC nhằm giảm IC SAT sao cho βI B ≥ I C SAT .
-
Ứng dụng: Dùng cho mạch khuếch đại chế độ A, role…
1.9.2. Phân cực hồi tiếp cực Emitter:
-
Ta thêm R E vào cực E của mạch cố định, điện trở R Elàm nhiệm vụ hồi tiếp, đưa tín
hiệu ngõ ra trở lại ngỏ vào để ổn định điểm làm việc Q.
Nhóm 1 – 21.44A 25
Hình 3.3. Nguyên lý phân cực hồi tiếp cực Emitter.
-
Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực.
-
Áp dụng KVL cho mạch ngõ vào: V CC −I B R B −V BE−I E R E =0 với V BE=0.7
-
V CC−V BE
 I B=
R B +(β +1)R E
-
Dòng: I C =β I B
-
Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra:
 V CC −I C RC −V CE −I E RE =0
- I E ≈ I C để thuận tiện cho việc tính toán
-
Điện áp: V CE =V CC −I C ( RC + R E )
-
Điểm làm việc Q=(I ¿ ¿ B , I C , V CE )¿.
-
Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng một đồ thị thì giao điểm
đường tải và dược đặc tuyến xác định bởi IBQ chính là điểm Q
Nhóm 1 – 21.44A 26
Hình 3.4. Đồ thị đường đặc tuyến và đường tải

mạch phân cực hồi tiếp Emitter.
-
Vùng bão hoà: V CE =0 V
V CC
-
Dòng Collector bão hòa: I CSAT =
RC+ RE
-
Kết luận:
o Mạch phân cực hồi tiếp Emittor đã khắc phục được nhược điểm của mạch
phân cực cố định là không ổn định khi nhiệt độ thay đổi. Khi nhiệt đội thay
đổi, các giá trị như β, ICEQ, và VBE sẽ thay đổi, dẫn đên các giá trị dòng và
điện áp của điểm Q sẽ thay đổi theo. Như vậy điểm Q sẽ không được số
định khi nhiệt độ thay đổi.
o Nhờ cơ chế hồi tiếp được thực hiện thông qua điện trở R E, sự thay đổi ở ngõ
ra được đưa trở lại ngõ vào. Qua đó, điều chỉnh dòng I B để ổn định dòng IC,
đồng nghĩa với ổn định điểm làm việc Q.
-
Ứng dụng: Role, mạch hồi tiếp…
1.9.3. Phân cực bằng cầu phân áp:
-
Mạch phân cực bằng phân áp là mạch sử dụng phân áp từ cực Base thông qua hai
điện trở R1 và R2 để ổn định điểm làm việc.
Nhóm 1 – 21.44A 27
Hình 3.5. Phân cực bằng cầu phân áp

-
Có hai phương pháp để phân tích mạch phân cực bằng phân áp:
o Phương pháp chính xác: Được áp dụng với tất cả các mạch phân cực bằng
phân áp.
Áp dụng Thevenin:
R 1 R2 R1
 R EQ= ; V EQ= V
R1 + R2 R1 + R2 CC
Hình 3.6. Mạch tương đương Thevenin
Nhóm 1 – 21.44A 28
Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực.

Áp dụng KLV cho mạch ngõ vào:
 V EQ−I B R EQ−V BE−I E R E=0 với V BE =0.7
V EQ−V BE
 I B=
R EQ +( β+1)R E
Dòng: I C =β I B
Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra:
 V CC −I C RC −V CE −I E RE =0
I E ≈ I C để thuận tiện cho việc tính toán
Điện áp: V CE =V CC −I C (RC + R E)
o Phương pháp gần đúng: Chỉ áp dụng trong các trường hợp cụ thể.
Điện trở RE được nhìn thẳng từ ngõ vào với hệ số khuếch đại (β+1). Khi
đó, mạch ngõ vào có thể được biểu diễn lại như hình dưới:
Hình 3.7. Phương pháp gần đúng.

Nếu Ri= ( β+1 ) R E ≈ β R E ≫ R2, thì dòng IB chạy qua Ri nhỏ hơn rất hiều lần
so với dòng I2 chạy qua R2. Do đó, ta có thể xem I 1 ≈ I2, tức là 2 điện trở
R1 và R2 mắc nối tiếp.
Ri ≈ βR E ≥ 10 R2được xem là Ri ≫ R E.
Nhóm 1 – 21.44A 29
R2
 V B= V
R 1+ R 2 CC
Điện áp tại cực E so với mass: V E=V B−V BE=V B−0.7
Ta cho I E ≈ I C để thuận tiện cho việc tính toán
Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra để xác định: V CE =V CC −I C (RC + R E).

Trong các phương trình nêu trên không có mặt hệ số β và I B không được
tính.
Do đó điểm Q không phụ thuộc vào β.
-
Phân tích đường tải:
o Do mạch phân cực bằng phân áp sau khi biến đổi tương đương Thevenin sẽ
có dạng mạch tương tự mạch phân cực hồi tiếp Emittor. Do đó, phương
trình đường tải được xác định bởi mạch ngõ ra:
 V CE =V CC −I C (RC + R E)(*)
o Phương trình (*) có đồ thị là đường thẳng với các biến V CE và IC. Đồ thị
đường tải đi qua 2 điểm:
V CC
 V CE =0=¿ I C =
R C+ R E
 I C =0=¿ V CE =V CC
o Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng một đồ thị thì
giao điểm giữa đường tải và đường đặc tuyến xác định bởi I BQ chính là điểm
Q cần tìm.
Nhóm 1 – 21.44A 30
Hình 3.8. Phân tích trên đường tải

o Phân tích trong vùng bão hòa:
 Trong vùng bão hòa: V CE =0
V CC
 I Csat=
RC + R E
-
Kết luận: Ưu điểm là ít phụ thuộc vào β.
-
Ứng dụng: mạch khuếch đại công suất lớn, mạch vi sai…
1.9.4. Phân cực hồi tiếp cực Collector:

-
Mạch phân cực hồi tiếp Collector là mạch sử dụng hồi tiếp từ cực Collector thông
qua điện trở RF để ổn định điểm làm việc.
-
Trong điểm Q vào còn phụ thuộc vào hệ số β, nhưng độ ổn định nhiệt của mạch
phân cực hồi tiếp Collector tới hai mạch phân cực cố định và phân cực hồi tiếp
Emittor.
Nhóm 1 – 21.44A 31
Hình 3.9. Phân cực hồi tiếp cực Collector

-
Áp dụng KVL cho mạch ngõ vào: V CC −I ' C RC −I B R F−V BE−I E R E =0
-
Ta có: I ' C =I C + I B, do I C ≫ I Bnên I ' C ≈ I C =β I B, ngoài ra I E ≈ I C.
 Suy ra V CC −β I B R C −I B R F −V BE−β I B R E=0
V cc −V BE
 I B=
R F + β (RC + R E )
-
Dòng I C =β I B
V CC−V BE
-
Lưu ý: nếu β ( R C + R E ) ≫ R F , chỉ , tức là IC ổn định đối với khoảng thay đổi
RC + R E
lớn của β
-
Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra: V CC −I C RC −V CE −I E RE =0
 V CE ≈ V CC −I C (RC + R E )
-
Phương trình đường tải được xác định bởi mạch ngõ ra:
 V CE ≈ V CC −I C (RC + R E ) (*)
-
Phương trình (*) có đồ thị là đường thẳng với các biến V CE và IC. Đồ thị đường tải
đi qua 2 điểm:
V CC
 V CE =0=¿ I C =
R C+ R E
 I C =0=¿ V CE =V CC
Nhóm 1 – 21.44A 32
-
Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng một đồ thị thì giao điểm
giữa đường thẳng tải và đường đặc tuyến xác định bởi IBQ chính là điểm Q cần tìm.
Hình 3.10. Đồ thị đường đặc tuyến và đường tải

mạch phân cực hồi tiếp cực Collector
-
Trong vùng bão hòa:
 V CE =0 V
V CC

I Csat =
RC + R E
-
Mạch phân cực hồi tiếp Collector là cách phân cực cải thiện độ ồn định cho hoạt
động của BJT.
-
Ứng dụng: Mạch hồi tiếp, role, ……
1.9.5. Mạch vi sai:

-
Là mạch khuếch đại điện tử. Thực hiện khuếch đại tín hiệu điện theo sự khác biệt
giữa hai điện áp ngõ vào, và ngăn chặn bất kỳ điện áp chung nào tồn tại ởcả hai
ngõ đó. Nó có sự kết hợp của hai phần tử gồm khuếch đại không đảo với tín hiệu
ngõ vào V +¿ ¿ −¿ ¿
¿ và khuếch đại đảo với tín hiệu ngõ vào V ¿ và cho ra tín hiệu ngõ ra
là Vout chỉ phụ thuộc vào độ chênh lệch của hai ngõ vào nói trên.
- V out =A ¿ với A là độ khuếch đại của bộ khuếch.
Nhóm 1 – 21.44A 33
-
Sơ đồ mạch:
Hình 3.11. Sơ đồ mạch vi sai

-
Dòng điện tại các cực bằng nhau
 I C 1=I C 2=I C , I E 1=I E 2 =I E , I B 1=I B 2=I B
V EE−V BE β I
 I E= , I C= I E , I B= C
2 R EE β+1 β
 V C 1=V C 2=V CC−I C R C , V CE 1=V CE 2
-
Tín hiệu ngõ vào được đừa về 0, các cực phát được nối lại với nhau.
 V oD =V C 1−V C 2=0 V , V BE 1=V BE 2=V BE
-
Nếu các BJT là phù hợp: V C 1=V C 2=V C
Nhóm 1 – 21.44A 34
Hình 3.12. Sơ đồ mạch xoay chiều

-
Các hệ số:
o Add: hệ số khuếch đại vi sai.
o Acd: hệ số chuyển đổi từ chế độ chung sang chế độ vi sai.
o Acc: hệ số khuếch đại chế độ chung.
o Adc: hệ số chuyển đổi từ chế độ vi sai sang chế độ chung.
-
Sử dụng phương pháp xếp chồng:
V c1 +V c 2
 V od =V C 1−V C 2 ; V oc ;
2
V
[ ][ A A V
 V od = Add Acd V id
oc dc cc ic
][ ]
-
Đối với mạch khuếch đại đối xứng lý tưởng, Acd = A dc =0
V
[ ][ A 0 V
 V od = 0dd A V id
oc cc ic
][ ]
-
Tín hiệu ngõ vào thuần vi sai thì sẽ cho tín hiệu ngõ ra thuần vi sai và ngược lại
-
Hệ số khuếch đại vi sai:
Nhóm 1 – 21.44A 35
Hình 3.13. Sơ đồ mạch vi sai

V od
o Ngõ ra cân bằng: V od =V C 1−V C 2 ; A dd= =−g m RC
V id
V c1 −g m R C V c 2 gm RC
o Ngõ ra đơn: Add 1= = ; A dd 2= =
V id 2 V id 2
V id V id
o Trở kháng vào: I b 1=I b 2= =≫ Rid = =2 r π
2. r π Ib 1
o Trở kháng ra tương ứng với ngõ ra cân bằng: Rod =2(RC ∨¿ r 0)
o Trở kháng ra tương ứng với ngõ ra đơn: Rod =(R C ∨¿ r 0 )
-
Hệ số khuếch đại đồng pha và trở kháng vào, ra:
Nhóm 1 – 21.44A 36
Hình 3.14. Mạch vi sai chế độ làm việc AC
o Cả hai nhánh của mạch khuếch đại vi sai là đối xứng với nhau. Vì vậy dòng
điện tại các cực và điện áp cực C là giống nhau. Đặc tính của cặp vi sai ngõ
vào ở chế độ đồng pha là tương tự với mạch khuêch đại E chung (hoặc S
chung) với điện trở lớn ở cực E (hoặc S).
v ic
 i b=
r π +2(β ¿¿ 0+1)R EE ¿
o Hệ số khuếch đại đồng pha:
|
v −gm RC
 Acc = oc =
1+ 2 g m R EE
v ic v id =0
-
Hệ số nén tín hiệu tín hiệu đồng pha (CMRR): CMRR biểu thị khả năng giảm/nén
nhiễu của mạch khuếch đại vi sai
o Đối với tín hiệu ngõ ra cân bằng:
Nhóm 1 – 21.44A 37

CMRR=
| | A dd
Acc
≈
gm Rc
gm Rc
=1+2 gm REE ≈ 2 g m R EE
1+2 gm R EE
o Đối với tín hiệu ngõ ra đơn:
| || |
A dd gm R c
A dm 2 2 1
 CMRR= = ≈ = + gm R EE ≈ gm R EE
A cm A cc gm R c 2
1+2 g m R EE
o Kết luận:
 Để đạt CMRR cao, RE lớn và gm, tuy nhiên, RE lớn sẽ làm giảm gm.
 Để đạt CMRR cao, RE lớn và gm, tuy nhiên, RE lớn sẽ làm giảm gm
-
Thay RE bằng một nguồn dòng sử dụng BJT hoặc MOSFET
Hình 3.15. Nguồn dòng dùng BJT/ MOSFET

o Có thể tăng trở kháng ngõ ra của nguồn dòng bằng cách đặt một điện trở
mắc nối tiếp với cực E hoặc cực S của transistor
o Đối với BJT:
[
 Rout =r 0 1+
β0 RE
R 1∨¿ R2 +r π + R E ]
o Đối với MOSFET:
 Rout =r 0 (1+ gm RS )
Nhóm 1 – 21.44A 38
1.10. Sơ đồ mắc BJT:

1.10.1. Mắc E chung (Common Emitter - CE):
Hình 3.16. Sơ đồ mắc CE
Hình 3.17. Sơ đồ mắc CE ở chế độ AC
-
Hệ số khuếch đại điện áp tại cực C so với cực B:
Nhóm 1 – 21.44A 39
v ce −gm v be R L
A vt = = =−gm R L
v be v be
-
Hệ số khuếch đại toàn mạch:
A v =−gm RL
[ R B∨¿ r π
R I +( R B ∨¿ r π ) ]
-
Trở kháng vào:
R¿ =R1 /¿ R2 /¿ r π
-
Trở kháng ra:
Rout =RC /¿ r 0=R 0 , giả sử (r 0 ≫ R c )
-
Hệ số khuếch đại dòng:
RI + R¿
Ai= A v
R3
-
Hệ số khuếch đại công suất:
A p =A i . A v
-
Điều kiện để Vi hoạt động tuyến tính:
R I+ R ¿
V i ≤0.005
R¿
-
Tín hiệu vào ra ngược pha nhau.
-
Ứng dụng: Sử dụng làm tầng đầu vào của mạch khuếch đại công suất.
1.10.2. Mắc C chung (Common Collector - CC):
Nhóm 1 – 21.44A 40
Hình 3.18. Sơ đồ mắc CC
Hình 3.19. Sơ đồ mắc CC ở chế độ AC

-
Hệ số khuếch đại điện áp:
gm . RL . R¿
A v=
(1+ gm R L )(R I + R ¿ )
-
Hệ số khuếch đại toàn mạch:
A v =−gm RL
[ R B∨¿ r π
R I +( R B ∨¿ r π ) ]
-
Trở kháng vào:
R¿ =r π (1+ g m R L )/¿ RB
-
Trở kháng ra:
Rout =
( 1 R I /¿ Rb
gm
+
β +1
/¿ R E
)
-
R I + R¿
Ai= A v
R7
-
A p =A i . A v
-
Nhóm 1 – 21.44A 41
R I+ R ¿
V i ≤0.005 (1+ gm RL )
R¿
-
Tín hiệu vào ra đồng pha nhau.
-
Ưu điểm: Hệ số khuếch đại dòng cao.
-
Ứng dụng: Sử dụng trong tầng yêu cầu dòng ra cao, trong mạch công suất.
1.10.3. Mắc B chung (Common Base – CB):
Hình 3.20. Sơ đồ mắc CB
Hình 3.21. Sơ đồ mắc CB chế độ AC

-
Hệ số khuếch đại điện áp:
gm R L R ¿
A v=
(R I + R ¿ )
-
Trở kháng vào:
Nhóm 1 – 21.44A 42
R¿ =
( g1 )/¿ R
m
6
-
Trở kháng ra:
Rout =Ric /¿ R3
-
R I + R¿
Ai= A v
R7
-
A p =A v . A i
-
R I +(R 6 /¿ R iE)
v i ≤ 0.005
R6 /¿ RiE
-
Tín hiệu vào ra cùng pha nhau
-
Ưu điểm: Hệ số khuếch đại áp cao
-
Nhược điểm: Không khuếch đại dòng
-
Ứng dụng: Sử dụng trong tầng yêu cầu áp ra cao, trong mạch công suất
-
Trong chương vừa rồi, chúng ta đã tìm hiểu được về các cách phân cực và các cách
mắc thông dụng cùng với ưu nhược điểm và ứng dụng của BJT trong thực tế.
o Cách mắc CE đem lại khả năng khuếch đại cả áp và dòng nhưng hệ số
khuếch đại chỉ ở mức trung bình.
o Cách mắc CC mang lại hệ số khuếch đại dòng lớn nhưng lại không khuếch
đại áp.
o Cách mắc CB thì ngược lại với cách mắc CC.
-
Nhưng để cải thiện độ ổn định của mạch thì như thế là chưa đủ. Vì vậy, chương sau
sẽ làm rõ một trong những thành phần giúp cải thiện độ ổn định cũng như nâng cao
hệ số khuếch đại của mạch, đó chính là Hồi Tiếp.
CHƯƠNG 4: HỒI TIẾP
Nhóm 1 – 21.44A 43
1.12. Khái niệm cơ bản về hồi tiếp:

-
Mạch hồi tiếp được sử dụng trong tất cả các hệ thống khuếch đại. Harold Black,
một kỹ sư điện tử làm việc tại công ty điện phía tây đã phát minh ra mạch khuếch
đại có hồi tiếp vào năm 1928 trong khi đi tìm cách để ổn định độ lợi của mạch
khuếch đại sử dụng trong mạch lặp điện thọai. Trong hệ thống hồi tiếp, tín hiệu hồi
tiếp được lấy từ ngỏ ra và tỉ lệ với tín hiệu ngỏ ra được đưa ngược trở về ngỏ vào
và kết hợp với tín hiệu ngỏ vào để tạo ra đáp ứng hệ thống mong muốn. Một mạch
hồi tiếp được sử dụng có tính toán để đạt được độ ổn định mong muốn. Tuy nhiên,
hồi tiếp có thể xảy ra không định trước và lúc đó đáp ứng hệ thống không mong
muốn có thể bị tạo ra.
-
Hồi tiếp có hai lọai: hồi tiếp dương và hồi tiếp âm.
o Hồi tiếp âm là mạch có tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu ngỏ vào và
vậy làm giảm tín hiệu ngỏ vào của mạch. Hồi tiếp âm có khuynh hướng duy
trì độ ổn định của hệ số khuếch đại của mạch chống lại sự thay đổi của các
thông số transistor do nhiệt độ, điện áp nguồn cung cấp.
o Hồi tiếp dương là mạch có tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu ngỏ vào và
vậy làm tăng tín hiệu ngỏ vào của mạch. Hồi tiếp dương được sử dụng thiết
kế trong các mạch dao động và trong một số ứng dụng khác.
1.13. Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp:
Hình 4.1 Lưu đồ hồi tiếp.
Nhóm 1 – 21.44A 44
- Khi không có hồi tiếp thì: K tp =K ⋅ K n

- Khi có hồi tiếp thì: K 'tp= K n . K '
Xr K
- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp: K '= Xv = 1+ K . K
ht
Kn . K
- Hệ số khuếch đại toàn phần: K tp =K n . K '=
g
| g| < 1 thì | K ' | > | K |: Hồi tiếp dương
| g| > 1 thì | K ' | < | K |: Hồi tiếp âm
1.14. Phân loại hồi tiếp:
Có nhiều lọai mạch hồi tiếp nhưng về cơ bản có thể phân ra làm bốn lọai hồi tiếp
dựa vào các đặc điểm sau:
o Tín hiệu hồi tiếp (điện áp hay dòng điện).
o Cách mắc tín hiệu với ngỏ vào (nối tiếp hay song song).
1.14.1. Hồi tiếp điện áp nối tiếp (khuếch đại điện áp):
Hình 4.2. Hồi tiếp điện áp nối tiếp
- Ổn định tín hiệu điện áp ngỏ ra theo điện áp ngỏ vào, ổn định hàm truyền là hệ số
khuếch đại điện áp.
v0
- Hệ số khuếch đại vòng hở: A v =
vε
v fb
- Hệ số hồi tiếp: β v =
v0
Nhóm 1 – 21.44A 45
v0
- Hệ số khuếch đại vòng kín: A vF =
vi
1.14.2. Hồi tiếp dòng điện song song (khuếch đại dòng điện):
Hình 4.3. Hồi tiếp dòng điện song song

- Ổn định tín hiệu dòng điện ngỏ ra theo dòng điện ngỏ vào, ổn định hàm truyền là
hệ số khuếch đại dòng điện.
I0
- Hệ số khuếch đại vòng hở: Ai=
Iε
I fb
- Hệ số hồi tiếp: β i=
I0
I0
- Hệ số khuếch đại vòng kín: AiF =
Ii
1.14.3. Hồi tiếp dòng điện nối tiếp (khuếch đại truyền dẫn):
Nhóm 1 – 21.44A 46
Hình 4.4. Hồi tiếp dòng điện nối tiếp.

- Ổn định tín hiệu dòng điện ngỏ ra theo điện áp ngỏ vào, ổn định hàm truyền là hệ
số khuếch đại truyền dẫn.
I0
- Hệ số khuếch đại vòng hở: A g=
Vε
V fb
- Hệ số hồi tiếp: β z =
I0
I0
- Hệ số khuếch đại vòng kín: A gF=
Vi
1.14.4. Hồi tiếp điện áp song song (khuếch đại truyền trở):
- Ổn định tín hiệu điện áp ngỏ ra theo dòng điện ngỏ vào, ổn định hàm truyền là hệ
số khuếch đại truyền trở.
V0
- Hệ số khuếch đại vòng hở: A z=
Iε
I fb
- Hệ số hồi tiếp: β g =
V0
V0
- Hệ số khuếch đại vòng kín: A zF=
Ii
1.15. Ứng dụng của hồi tiếp trong mạch khuếch đại:
1.15.1. Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transistor:
Hình 4.5. Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transistor
Nhóm 1 – 21.44A 47
-
Điện trở Re thực chất là điện trở lấy tín hiệu dòng. Dòng qua Rc và Rt sẽ thể hiện
qua Re , tạo nên sụt áp trên Re . Đây là mạch hồi tiếp dòng, có tín hiệu áp hồi tiếp tỉ
lệ dòng ngõ ra. Điện áp này thàm thay đổi V be của BJT nên xem như hồi tiếp nối
tiếp.
1.15.2. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transistor:
Hình 4.6. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transistor
-
Điện trở R E trong mạch khuếch đại CE thực chất là một điện trở lấy tín hiệu dòng.
-
Dòng điện qua RC và qua R tải sẽ thể hiện qua R E, và tạo nên một sụt áp trên R E.
Vậy đây là mạch hồi tiếp dòng điện, có tín hiệu điện áp hồi tiếp tỉ lệ với dòng ngõ
ra.
1.15.3. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch C chung:
-
Toàn bộ điện áp đầu ra của tải (V E) được đưa về cực E làm thay đổi điện áp V BE.
Như vậy đây là hồi tiếp điện áp nối tiếp.
1.15.4. Hồi tiếp âm DC toàn mạch trong các mạch liên lạc trực tiếp:
-
Nhằm mục đích ổn định tín hiệu DC của mạch, đảm bảo trạng thái tĩnh của tất cả
các transistor trong mạch.
1.15.5. Hồi tiếp âm AC toàn mạch:
Nhóm 1 – 21.44A 48
-
Ổn định độ lợi của toàn mạch trong 1 miền nhất định, giảm nhiễu và tăng độ ổn
định.
1.16. Tác dụng của mạch hồi tiếp lên mạch khuếch đại:
1.16.1. Hồi tiếp âm: lấy tín hiệu ngõ ra về để làm giảm bớt ảnh hưởng của ngõ vào.
-
Đối với hệ số khuếch đại: Hồi tiếp âm làm giảm tác dụng của tín hiệu vào, nên nó
cũng làm giảm hệ số khuếch đại của mạch.
-
Đối với độ ổn định: Vì giảm hệ số khuếch đại nên hồi tiếp âm làm tăng độ ổn định
của mạch.
-
Đối với nhiễu: Hồi tiếp âm làm giảm tác dụng của ngõ vào, nên đồng thời cũng
làm giảm tác dụng của nhiễu.
-
Đối với độ méo dạng: Hồi tiếp âm làm giảm độ méo của mạch khuếch đại.
-
Đối với tổng trở vào:
o Hồi tiếp âm nối tiếp sẽ làm giảm dòng điện của tín hiệu vào, nên nó sẽ làm
tăng tổng trở vào.
o Trong khi hồi tiếp âm song song sẽ rẽ mạch làm tăng dòng điện tín hiệu,
nên nó làm giảm tổng trở vào.
-
Đối với tổng trở ra:
o Hồi tiếp âm điện áp sẽ làm điện áp ổn định hơn, nên giảm tổng trở ra.
o Trong khi hồi tiếp âm dòng điện sẽ làm ổn định dòng điện hơn, nên sẽ làm
tăng tổng trở ra.
-
Đối với sự thay đổi của tín hiệu:
o Hồi tiếp âm vi phân sẽ làm giảm các thay đổi của ngõ ra, giữ cho ngõ ra ít
thay đổi theo ngõ vào. Vì thế nó làm cho mạch có tính tích phân.
o Ngược lại hồi tiếp tích phân sẽ giảm các thay đổi chậm chạp mà cho phép
khuếch đại các thay đổi nhanh, nên toàn mạch sẽ có tính chất của mạch vi
phân.
Nhóm 1 – 21.44A 49
1.16.2. Hồi tiếp dương: lấy tín hiệu ngõ ra về để làm tăng thêm ảnh hưởng của ngõ
vào.
-
Đối với hệ số khuếch đại: Hồi tiếp dương làm tăng tác dụng của tín hiệu vào, nên
nó cũng làm tăng hệ số khuếch đại của mạch. Mạch khuếch đại công suất OCL ngõ
vào vi
-
Đối với độ ổn định: Vì tăng hệ số khuếch đại nên hồi tiếp dương làm giảm độ ổn
định của mạch.
-
Đối với nhiễu: Hồi tiếp dương làm tăng tác dụng của ngõ vào, nên đồng thời cũng
làm tăng tác dụng của nhiễu.
-
Đối với độ méo dạng: Hồi tiếp dương làm tăng độ méo của mạch khuếch đại.
-
Đối với tổng trở vào:
o
Hồi tiếp dương nối tiếp sẽ làm tăng dòng điện của tín hiệu vào, nên nó sẽ
làm giảm tổng trở vào.
o
Trong khi hồi tiếp dương song song sẽ rẽ mạch làm giảm dòng điện tín hiệu,
nên nó làm giảm tổng trở vào.
-
Đối với tổng trở ra:
o
Hồi tiếp dương điện áp sẽ làm điện áp ít ổn định hơn, nên tăng tổng trở ra,
o
Trong khi hồi tiếp dương dòng điện sẽ làm dòng điện ít ổn định hơn, nên sẽ
làm giảm tổng trở ra.
-
Đối với sự thay đổi của tín hiệu:
o
Hồi tiếp dương vi phân sẽ làm tăng các thay đổi của ngõ ra, giữ cho ngõ ra
thay đổi theo những thay đổi của ngõ vào. Vì thế nó làm cho mạch có tính
vi phân.
o
Ngược lại hồi tiếp dương tích phân sẽ làm các thay đổi chậm chạp tác dụng
tăng lên theo tín hiệu vào, nên toàn mạch sẽ có tính chất của mạch tích
phân.
Nhóm 1 – 21.44A 50
Như vậy, Hồi tiếp là một phương pháp lấy tín hiệu ngõ ra của một hệ thống nào đó,
và đưa ngược trở lại đầu vào của chính nó, để góp phần thay đổi, không chế hoặc điều
khiển đầu vào.
Nhóm 1 – 21.44A 51
CHƯƠNG 5: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
1.18. Mở đầu chương:

-
Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích
tải. Công suất ra có thể từ vài trăm mW đến vài trăm W. Như vậy mạch công suất
làm việc với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương
đương tín hiệu nhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng
phương pháp đồ thị. Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân
mạch khuếch đại công suất ra thành các loại chính như sau:
-
Khuếch đại công suất loại A: Tín hiệu được khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa
là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến tính trong toàn bộ chu kỳ 3600 của tín hiệu ngõ vào
(Transistor hoạt động cả hai bán kỳ của tín hiệu ngõ vào).
-
Khuếch đại công suất loại AB: Transistor được phân cực ở gần vùng ngưng. Tín
hiệu ngõ ra thay đổi hơn một nữa chu kỳ của tín hiệu vào (Transistor hoạt động
hơn một nữa chu kỳ - dương hoặc âm - của tín hiệu ngõ vào).
-
Khuếch đại công suất loại B: Transistor được phân cực tại V BE=0 (vùng ngưng).
Chỉ một nữa chu kỳ âm hoặc dương
-
của tín hiệu ngõ vào được khuếch đại. - Khuếch đại công suất loại C: Transistor
được phân cực trong vùng ngưng để chỉ một phần nhỏ hơn nữa chu kỳ của tín hiệu
ngõ vào được khuếch đại. Mạch này thường được dùng khuếch đại công suất ở tần
số cao với tải cộng hưởng và trong các ứng dụng đặc biệt.
Nhóm 1 – 21.44A 52
Hình 5.1. Dạng sóng i C của mạch khuếch đại công suất
(a) Chế độ A (b) Chế độ B

(c) Chế độ AB (d) Chế độ C
1.19. Mạch khuếch đại chế độ A:
Hình 5.2 Mạch khuếch đại chế độ A
Nhóm 1 – 21.44A 53
1.19.1. Nguyên tắc hoạt động và đặc tuyến:
Hình 5.3. Đặc tuyến mạch khuếch đại chế độ A
-
Dòng điện và điện áp đầu vào tồn tại 3600 trong 1 chu kỳ của tín hiệu vào.
-
Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào I B/V CE của transistor, mạch khuếch đại chế độ A
có điểm làm việc tĩnh Q ở khoảng giữa của đặc tuyến và có V BE = 0,65 (V) đến 0,7
(V) và V BE=0,2 đến 0,25 (V) (loại Gr). Khi transistor nhận được tín hiệu xoay
chiều ở cực B thì dòng I B sẽ thay đổi theo tín hiệu xoay chiều.
-
Phân tích đặc tuyến ngõ ra I C/V CE của transistor, mạch khuếch đại chế độ A có
điểm hoạt động tĩnh Q ở giữa đường tải và V CE=V CC . Khi dòng điện I B bị thay đổi
theo tín hiệu xoay chiều sẽ làm cho dòng điện I C bị thay đổi và kéo theo điện áp
V CE cũng thay đổi.
Nhóm 1 – 21.44A 54
-
Các đặc điểm của chế độ A:
o
Khuếch đại trung thực tín hiệu xoay chiều (khuếch đại cả hai bán kì tín hiệu
xoay chiều hình sin).
o
Dùng cho mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Hình 5.4. Điểm làm việc Q của mạch khuếch đại chế độ A.
- Dòng điện và điện áp đầu vào tồn tại 3600 trong 1 chu kỳ của tín hiệu vào.
- Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào I B/V CE của transistor, mạch khuếch đại chế độ A
có điểm làm việc tĩnh Q ở khoảng giữa của đặc tuyến và có V BE = 0,65 (V) đến 0,7
(V) và V BE=0,2 đến 0,25 (V) (loại Gr). Khi transistor nhận được tín hiệu xoay
chiều ở cực B thì dòng I B sẽ thay đổi theo tín hiệu xoay chiều. - Phân tích đặc
tuyến ngõ ra I C/V CE của transistor, mạch khuếch đại chế độ A có điểm hoạt động
tĩnh Q ở giữa đường tải và V CE =V CC . Khi dòng điện IB bị thay đổi theo tín hiệu
xoay chiều sẽ làm cho dòng điện I C bị thay đổi và kéo theo điện áp V CE cũng thay
đổi.
-
Các đặc điểm của chế độ A:
o Khuếch đại trung thực tín hiệu xoay chiều (khuếch đại cả hai bán kì tín hiệu
xoay chiều hình sin).
o Dùng cho mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Nhóm 1 – 21.44A 55
1.19.2. Hiệu suất:
Hình 5.5. Hiệu suất mạch khuếch đại chế độ A.
( ( ) )
T T
1 1 v
¿ PCC = ∫ ❑ ( I SS V SS + I DS V DD ) dt= ∫ ❑ I SS V SS + I SS + out V DD dt
T 0 T 0 RL
( )
T
1 V sin ⁡ωt
¿=
T 0
∫ ❑ I SS V SS + I SS V DD + DD
RL
V DD dt
¿=I SS V SS + I SS V DD+ 0=I SS ( V SS+V DD ) =I LP 2 V DD =2 V DD I LP
I LP ( R L I LP )
2
2 I LP
P L=R L I RMS =R L = I LP =V DD
2 2 2
I LP
V DD
PL 2 1
η= = = =25 %
PCC 2 V DD I LP 4
1.19.3. Ưu điểm – nhược điểm:

-
Ưu điểm: Tín hiệu ra hoàn toàn giống với tín hiệu ngõ vào.
-
Nhược điểm:
o
Hiệu suất thấp ≈ 25%
o
Tiêu hao nhiệt lớn.
1.19.4. Ứng dụng:
Nhóm 1 – 21.44A 56
- Mạch khuyếch đại ở chế độ A được sử dụng trong các mạch trung gian như
khuyếch đại cao tần, khuyếch đại trung tần, tiền khuyếch đại.
1.20. Mạch khuếch đại chế độ B:
1.20.1. Nguyên tắc hoạt động và đặc tuyến:
Hình 5.6. Mạch khuếch đại chế độ B
- Mạch khuếch đại chế độ B: Mạch chỉ hoạt động trong nửa chu kì của tín hiệu
 hiệu suất được cải thiện
- Nguyên tắc hoạt động:
o Khi V ¿ dương: M1 dẫn; M2 tắt; I DS 1 nạp V out
o Khi V ¿ âm: M1 tắt; M2 dẫn; I DS 2 xả V out
Nhóm 1 – 21.44A 57
Hình 5.7. Đặc tuyến mạch khuếch đại chế độ B

- Dòng điện và điện áp ra tồn tại trong 1 nửa chu kỳ của tín hiệu vào.
- Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào V BE / I B thì mạch khuếch đại chế độ B có điểm
hoạt động tĩnh Q nằm ở điểm V BE =0 nên I B =0 và I C =0. Khi transistor nhận được
tín hiệu xoay chiều ở cực B thì chỉ có một nửa chu ký được khuếch đại, V i làm
phân cực thuận mối nối V BE và I B tăng lên, còn một bán kỳ làm giảm phân cực mối
nối BE xuống vùng ngưng dẫn nên không được khuếch đại.
- Phân tích đặc tuyến tren ngõ ra I C/V CE thì mạch khuếch đại chế độ B có điểm hoạt
động tĩnh Q nằm trên đường biên giữa vùng khuếch đại và vùng ngưng dẫn V CE=
V CC .Khi dòng điện I B tăng theo tín hiệu xoay chiều thì dong I C cũng tăng lên và
làm cho điện áp V CE giảm xuống . Ở ngõ ra cũng chỉ có một bán kỳ được khuếch
đại.
- Các đặc điểm của khuếch đại chế độ B:
o Khi không có tín hiệu thì transistor không dẫn.
o Mỗi transistor chỉ dẫn 1 bán kỳ nên muốn có đủ chu kỳ thì phải dùng 2
transistor để khuếch đại luân phiên.
o Dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn.
Nhóm 1 – 21.44A 58
o Hiệu suất cao do công suất tiêu hao điện nhỏ.

o Tín hiệu ra bị méo xuyên tâm.
1.20.2. Hiệu suất:

- 1 MOSFET:
I LP ( R L I LP )
2
2 V DD I LP
¿ P L=R L I RMS =R L = I LP =
2 2 2
T T
( )
2 2 2
1 1 1 V DD sin ⁡ωt V DD V DD I LP
¿ PCC = ∫ ❑ ( I L V DD ) dt= ∫ ❑ V DD dt= =
2 T 0 T 0 RL π RL π
Nhóm 1 – 21.44A 59
- 2 MOSFET:
2 V DD I LP
PCC =
π
 Hiệu suất của mạch khuếch đại công suất chế độ B sử dụng 2 Transistor mắc
đẩy kéo:
V DD I LP
PL 2 π
η= = = =78 ,5 %
PCC 2V DD I LP 4
π
Hình 5.8. Chế độ đẩy kéo

1.20.3. Ưu điểm - nhược điểm:
- Ưu điểm:
o Hiệu suất mạch cao (≈78%).
o Ở chế độ tĩnh sẽ không tiêu thụ dòng do nguồn cung cấp nếu không có tổn
hao trên transistor
- Nhược điểm:
o Dải tần hẹp, mạch cồng kềnh, yêu cầu tính đối xứng cao, giá thành cao.
o Méo xuyên tâm lớn khi tín hiệu vào nhỏ
1.21. Mạch khuếch đại chế độ AB:
Nhóm 1 – 21.44A 60
- Ta có thể sửa lại vấn đề méo trong mạch loại B nhưng vẫn cải thiện hiệu suất bằng
cách kết hợp 2 loại A và B.
Hình 5.9. Mạch khuếch đại chế độ AB
Hình 5.10. Đặc tuyến chế độ AB

- Trên đặc tuyến ngõ vào điểm làm việc tĩnh Q ở giữa hạng A và B (chế độ A và B).
Khi transistor nhận được tín hiệu xoay chiều ở cực B thì bán kỳ âm được rơi vào
vùng dưới VY transistor không dẫn và không có tín hiệu ra.
- Trên đặc tuyến ngõ ra điểm làm việc tĩnh Q nằm trong vùng gần ngưng dẫn nên
V CE ≈ V CC . Ở điểm làm việc tĩnh chỉ có bán kỳ dương của tín hiệu được khuếch đại
Nhóm 1 – 21.44A 61
vì làm dòng I C tăng lên. Tín hiệu ra bị đảo pha so với tín hiệu ngõ vào nên chỉ có
bán kỳ âm của tín hiệu ở ngõ ra.
- Đặc điểm của mạch khuếch đại chế độ AB:
o Khi không có tín hiệu thì các dòng I B, I C có giá trị rất nhỏ so với chế độ A
o Mỗi transistor chỉ khuếch đại một bán kỳ
o Hiệu suất cao do công suất tiêu thụ điện nhỏ.
o Tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm.
- Khác với chế độ B, 2 cực B của BJT không nối trực tiếp với nhau mà được đặt
điện áp 1 chiều V cc .
- Ưu điểm:
o Hiệu suất cao, bảo toàn tín hiệu.
o Hệ số sử dụng BJT cao
o Tín hiệu ngõ ra ít bị méo dạng hơn ở lớp B
- Nhược điểm:
o Các tầng khuếch đại công suất được thiết kế làm việc ở chế độ AB, điểm
làm việc của chế độ AB nằm giữa chế độ A và chế độ B.
1.22. Mạch khuếch đại công suất OCL:
Nhóm 1 – 21.44A 62
Hình 5.11. Mạch khuếch đại công suất OCL

- Mạch khắc phục nhược điểm của OTL, không gây méo ở tần số thấp do không có
tụ C. Nhược điểm là gây quá tải dòng nên mạch OCL thường có mạch bảo vệ.
- Ở nửa chu kì dương của V i, Vb3 tăng => Q3 dẫn => Vc3 giảm => Q1 tắt, Q2 dẫn.
Do đó I C 2 chạy theo hướng Mass => R E 2 => Q2 => -V CC .
- Ở nửa chu kì âm của V i, Vb3 giảm => Q3 tắt => Vc3 tăng => Q1 dẫn, Q2 tắt. Do
đó I C 1 chạy theo hướng V CC => Q1 => R E 1=> Mass.
1.23. Mạch khuếch đại Darlington:
Hình 5.12. Mạch Khuếch đại Darlington

- I E 1=I B 2
Nhóm 1 – 21.44A 63
- Ở chế độ tĩnh:
¿ I E 1=( 1+ β 1 ) ⋅ I B 1
¿ I E 2= ( 1+ β 2) ⋅ I B 2= ( 1+ β2 ) ⋅ I E 1 =( 1+ β 2) ⋅ ( 1+ β 1 ) ⋅ I B 1
¿ I E 2=β 1 ⋅ β 2 ⋅ I B 1=β ⋅ I B 1
 Vậy hệ số khuếch đại dòng của mạch: β=β 1 ⋅ β2

1.24. Mạch bù trở kháng Zobell:
- Mạch Zobell là mạch bù trở kháng loa ở tần số cao do loa có tính cảm L nên trở
kháng loa tăng theo tần số, làm tín hiệu ra không ổn định. Khi tần số tăng thì Z L
tăng, khi đó ZC = 1 𝑗𝜔𝐶 sẽ giảm, do đó Ztđ = ZL // ZC sẽ không đổi.
- Trở kháng loa được xác định:
( R+
jωC )
1
⋅(RL+ jωL)
(
Z td = R+
1
jωC ) /¿ (RL+ jωL)=
R+
1
+ RL+ jωL
jωC
- Để Ztd không phụ thuộc vào tần số thì Ztd = RL:
RL=¿
( R+
jωC )
1
⋅( RL+ jωL)
1
R+ + RL+ jωL
jωC
RL2 RL L
¿ jwL ⋅ RL+ R L + + R ⋅ RL=R ⋅ RL+ RjwL+ +
jωC jωC C
{ {
2 L
R L + RRL= + R ⋅ RL L
C C=
⇒∧ ⇒ R L2
RL RL
jwL ⋅ RL+ =R ⋅ jwL+ R=RL
jωC jωC
1.25. Nguồn dòng:
Hình 5.13. Nguồn dòng
Nhóm 1 – 21.44A 64
Hình 5.14. Đặc tuyến của nguồn dòng
- Dòng điện đi qua nguồn dòng lí tưởng là độc lập với điện áp đặt trên các cực và trở
kháng ngõ ra là rất lớn. - Trong nguồn dòng điện tử, dòng điện phụ thuộc vào điện
áp đặt trên các cực và chúng có trở kháng đầu ra hữu hạn.
 Nguồn dòng sử dụng Transistor đơn hoạt động ở góc phần tư thứ nhất cho trở
kháng ra rất lớn.
Nhóm 1 – 21.44A 65
Qua chương này, ta đã hiểu được cơ sở lí thuyết của các mạch khuếch đại, các
chế độ liên quan đến mạch OCLvi sai.
Nhóm 1 – 21.44A 66

BaoCao Final

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

BaoCao Final

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA Độc lập – Tự do – Hạnh phúc

PHIẾU ĐÁNH GIÁ QUÁ TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN MÔN HỌC

STT Họ và tên Lớp Mã số sinh viên Ngành

Nhóm học phần: 21Nh44A

Hoàn thành tính toán

3 8/10/2023 Thi công mạch Đạt yêu cầu

Kiểm tra và chạy thử nghiệm

Đà Nẵng, ngày … tháng … năm 2023

PSG.TS. Nguyễn Văn Tuấn

Xin chân thành cảm ơn

NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN

DANH MỤC HÌNH ẢNH

DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ DIODE

1.1. Tổng quan:

Hình 1.1. Cấu tạo Diode

Hình 1.2. Trạng thái cân bằng của diode.

Hình 1.3. Phân cực ngược diode.

Hình 1.4. Phân cực thuận diode.

Hình 1.5. Đặc tuyến i-v của diode.

- Vùng phân cực thuận:

CHƯƠNG 2: TỔNG QUAN VỀ TRANSISTOR LƯỠNG CỰC – BJT

1.4. Tổng quan về BJT:

Hình 2.1. Cấu tạo BJT.

Hình 2.2. Sơ đồ hoạt động BJT npn.

- Bốn chế độ hoạt động của transistor là:

1.5.1. Chế độ bão hòa (Saturation):

Hình 2.5. Nguyên lý hoạt động chế độ ngắt của BJT.

Quan hệ điện áp BJT npn BJT pnp

Hình 2.7. Sơ đồ mạch mắc kiểu B chung.

1.6.2. Mạch C chung (Common Collector- CC):

Hình 2.7. Sơ đồ mạch mắc kiểu C chung.

1.6.3. Mạch E chung (Common Emitter- CE):

Hình 2.8. Sơ đồ mạch mắc kiểu E chung

CHƯƠNG 3: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

1.8. Mở đầu chương:

Hình 3.1. Nguyên lý phân cực cố định của BJT

Hình 3.3. Nguyên lý phân cực hồi tiếp cực Emitter.

Hình 3.4. Đồ thị đường đặc tuyến và đường tải

Hình 3.5. Phân cực bằng cầu phân áp

Hình 3.6. Mạch tương đương Thevenin

Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực.

Điện áp: V CE =V CC −I C (RC + R E)

Hình 3.7. Phương pháp gần đúng.

Ta cho I E ≈ I C để thuận tiện cho việc tính toán

Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra để xác định: V CE =V CC −I C (RC + R E).

Hình 3.8. Phân tích trên đường tải

1.9.4. Phân cực hồi tiếp cực Collector:

Hình 3.9. Phân cực hồi tiếp cực Collector

Hình 3.10. Đồ thị đường đặc tuyến và đường tải

1.9.5. Mạch vi sai:

Hình 3.11. Sơ đồ mạch vi sai

Hình 3.12. Sơ đồ mạch xoay chiều

Hình 3.13. Sơ đồ mạch vi sai

Hình 3.14. Mạch vi sai chế độ làm việc AC

Hình 3.15. Nguồn dòng dùng BJT/ MOSFET

1.10. Sơ đồ mắc BJT:

Hình 3.16. Sơ đồ mắc CE

Hình 3.17. Sơ đồ mắc CE ở chế độ AC

1.10.2. Mắc C chung (Common Collector - CC):

Hình 3.18. Sơ đồ mắc CC

Hình 3.19. Sơ đồ mắc CC ở chế độ AC

Hình 3.20. Sơ đồ mắc CB