NGUYỄN ĐỨC CHIÉN (Chủ biên)

NGUYẺN VĂN HIÉU

CÔNG NGHỆ CHÉ TẠO ■ ■

MẠCH VI ĐIỆN Tử
■ ■

(Xuất bản lần thứ hai, có sửa chừa và bô sung)

NHÀ XUẤT BẢN BÁCH KHOA - HÀ NỘI

ỉản quyền thuộc về trường Đại học Bách Khoa Hà Nội.

/lọi hình thức xuất bàn, sao chép mà không có sự cho phép bằng văn bàn cúa
rường là vi phạm pháp luật.

Mã số: 22 - 2014/CXB/70 - 80/BKHN

B iên m ục trên xuất bản phẩm của T hư viện Q uốc gia V iệt N am

guyễn Đức Chiến

Công nghệ chế tạo mạch vi điện từ / Nguyễn Đức Chiến (ch.b.), Nguyễn
ãn Hiếu. - Xuất bản lần thứ 2, có sửa chữa, bổ sung. - H. : Bách khoa Hà Nội
314. - 268tr. : hình vẽ, bảng ; 24cm
Thư mục: tr. 226-227
ISBN 9786049116551

1. Côna nghệ ch ế tạo 2. Mạch vi điện tử

621.3815 -d c 2 3
B K F 0041p-CIP
 LỜI NÓI ĐẦU

T ừ khi ba nhà bác học ở B ell Labs là Shockley, Bardeen và Brattain phát minh
ra transistor năm 1947 kỹ thuật điện tử đã có những bước nhảy vọt, làm bùng nồ cuộc
cách m ạng thõng tin, làm thay đối thế giới trong những thập kỷ cuối thế kỷ X X . Từ
những m ạch điện tử sử dụng các linh kiện rời rạc với những chức năng đơn giản, độ tin
cậy thấp, người ta đã chế tạo được những mạch tích hợp đầu tiên với chức nãng ngày
càng phức tạp và độ tin cậy ngày càng cao, giá thành ngày càng rẻ. Từ những mạch
tích hợp với chi vài transistor và vài điện trờ trên một chip, giờ đây người ta đã có thể
chế tạo hàng chục triệu đến hàng trăm triệu transistor trên m ột chip diện tích vài cm 2.
Từ những m ạch điện tử với linh kiện cơ bàn là transistor kích thước vài m ilim et đến
hàng trăm m icrom et, người ta đã giảm thiểu kích thước linh kiện xuốn g còn m ột vài
m icrom et, làm xuất hiện điện tử m icro hay còn gọi là vi điện từ (m icroelectronics).
Dần dần các kỹ thuật hiện đại cho phép giảm kích thước tối thiều cùa transistor xuống
dưới m icrom et và những năm gần đây, chiều dài kênh của transistor M O SFE T được rút
xuốn g chì còn vài chục nanom et, xuất hiện mạch điện từ nano (nanoclectronics). Như
vậy, lời tiên đoán của m ột trong hai nhà sáng [ập ra hãng Intel nổi tiến g là Gordon
M oorc năm 1965 rằng mật độ tích hợp mạch điện từ tâng gấp đôi sau m ỗi 18 tháng,
được biết đến dưới tcn gọi định luật M oore, đã thành hiện thực trong suốt hơn 4 0 năm
qua. Xu thế này được dự đoán là còn tiếp tục đúng cho đến khoảng năm 2020.

Mạch tích hợp (Integrated Circuits - IC) hay m ạch vi điện từ, hay đơn gián hơn
là vi mạch tuy chi được chế tạo à một số nước tiên tiến, bởi các hăng điện từ lớn,
nhung hiện đang được dùng khắp nơi trẽn thế giới. Vi m ạch có mặt ở trong hầu hết các
thiết bị điện tư, từ những thiết bị dân dụng bình thường nhất như đồ chơi, đ ồ n e hồ, đến
những thiết bị chuyên dụng cao cấp như m áy bay, tên lừa, tàu vũ trụ. Tất nhiên, một
lĩnh vực vừa là kết quả, vừa là đ ộn g lực và vừa là công cụ pliát triển của công nghệ vi
íiệ n tư là m áy tính, kể cả nhữne loại m áy tính đơn giản đến các siêu m áy tính hiện nay.

V iệt N am , vào cuối năm 2013 với 90 triệu dân không phái là ngoại lệ. s ố máy
:ính điện thoại di động và các phương tiện thông tin khác tăng tnrớng hàng chục phần
xăm m ỗi năm là băng chứ ng cúa v iệc sử dụng vô cùng rộng rãi các m ạch vi điện tứ.
về c ô n s ngh ệ chê tạo, trước đây chúng ta có m ột vài cơ sờ nghiên cứu và sàn xuất
hoạt động trong lĩnh vực này nhung chi ờ quy mô hết sức nhỏ bé. Gần đây, với sự đầu
tư của một số hãng điện từ lớn như Intel, Fujitsu, Canon, Foxconn..., chấc chăn công
nghệ vi điện tử trong nước sẽ phát triển. Vi vậy, nhu cầu đào tạo nhân lực trinh độ cao
về lĩnh vực này sẽ càng trớ nên cấp bách.
Giáo trình Công nghệ chế tạo linh kiện bán dẫn và mạch vi điện tứ đã được
giảng dạy ờ trướng Đại học Bách Khoa Hà Nội từ cuối những năm 1970 cúa thế kỷ
trước đặc biệt là sau khi có Phòng thí nghiệm Vi điện tử MOS do Hà Lan viện trợ năm
1977. Từ đó đến nay, giáo trinh liên tục được giảng dạy cho sinh viên ngành Vật lý kỹ
thuật và gần đây cho cả ngành Điện tứ - Viễn thông của trường. Giáo trình này thường
được dạy sau các giáo trinh như Vật lý linh kiện bán dẫn hay c ấ u kiện điện từ. Vi vậy,
nội dung giáo trinh chỉ liên quan đến các khâu công nghệ chù yếu trong quy trinh ché
tạo mạch vi điện từ, mà không đi sâu phân tích nguyên lý hoạt động của các linh kiện
cụ thể, trừ một số linh kiện đặc biệt, hoặc vì lý do cần thiết để hiểu rõ hơn khâu công
nghệ nào đó. Tuy một trong hai tác giá đã có hơn 30 năm kinh nghiệm giàng dạy và
nghiên cứu về công nghệ vi điện tử, nhưng, như đã nói ờ trên, đây là lĩnh vực thay đồi
vô cùng nhanh chóng, nên không khỏi có những kỹ thuật mới nhất chưa được cập nhật
trong tài liệu. Mặt khác, trong quá trình biên soạn, tác giá có sử dụng nhiều tài liệu
tiếng Anh của các tác giả nước ngoài, có nhiều thuật ngữ mới trong tiếng Việt chưa có.
Khi đó phải dịch nghĩa, tạm thời có ghi cả từ nguyên gốc tiếng Anh, đề bạn đọc tiện
theo dõi. Trong phần lớn các trường hợp khác, tác giả sử dụng Từ điển Vật lý Anh Việt
của Đặng Mộng Lân và Ngô Quốc Quýnh, Nhà xuất bàn Khoa học và Kỹ thuật, 1992
và Từ điển Vật lý và Công nghệ cao Anh - Việt & Việt - Anh do Vũ Đình Cự chú biên,
Nhà xuất bàn Khoa học và Kỹ thuật, 2001.
Cuốn sách Công nghệ chế tạo mạch vi điện từ do Nhà xuất bàn Bách Khoa - Hà
Nội in lân đâu năm 2007 đã được đông đảo bạn đọc là cán bộ, sinh viên đón nhận nhiệt
tình và được phát hành hết trong thời gian ngắn. Trên cơ sờ tiếp thu những đóng góp
của bạn đọc và các ý kiến của Hội đồng thẩm định, lần này sách được xuất bàn lần thú
hai với nội dung cập nhật đề dùng làm là giáo trinh chính thức cùa Trường Đại học
Bách Khoa Hà Nội.

Giáo trinh có thể dùng cho sinh viên các ngành Vật lý kỹ thuật, Điện từ - Viễr
thông, Khoa học và công nghệ vật liệu cùa các trường đại học. Sách cũne sẽ !à tài liệi
tham khảo có ích cho các nhà khoa học, các kỹ sư, các nghiên cứu sinh muốn tìm hiềi
sâu hoặc sử dụng một hay một vài khâu công nghệ trong quy trinh chế tạo mạch vi điệt
từ hiện đại.
Các tác già xin chân thành cảm ơn GS. TS. Nguyễn Năng Định. Khoa Vật 1'
kỹ thuật và Công nghệ nano, trường Đại học Công nghệ, Đại học Quốc sia Hà Nội
PGS. TS. Phó Thị N gu yệt Hằng, PGS. TS. N guyễn Hữu Lâm, PGS. TS. Lê Tuấn và
PGS. TS. Đ ặng Đ ức V ượng, V iện Vật lý kỹ thuật, TS. N gu yên V ũ Thăng, V iẹn Điẹn
lừ — V iễn thòng, trường Đ ại học Bách Khoa Hà N ội đã đ ọc bản thảo, trao đôi và đóng
g óp nhiều ý kiến quý báu.
Các tác già cũng xin được bày tỏ lòng biêt ơn đên G S. TS. Phùng H ô, GS. TSKH.
Thân Đ ứ c H iền và c ố G S. TSK H . N gu yễn Phú Thùy đã luôn khuyến khích, động viên;
đặc biệt cám ơn các đồng nghiệp PGS. TS. Phạm Thành H uy, T S. M ai Anh Tuấn và
ThS. N gu yễn Văn Toán đã hỗ trợ rất hiệu quà trong khâu chế bàn và các khâu kỹ thuật
khác đ ể hoàn thành cuốn sách.
C uốn sách chắc chắn không tránh khói những thiếu sót. M ọi góp ý xin gừi về
N h à xuất bàn B ách K hoa - Hà N ộ i hoặc trực tiếp ch o tác giá theo địa chi:

B ộ m ôn V ật liệu đ iện tử, V iện V ật lý kỹ thuật, T rường Đ ạ i h ọc B ách K hoa

Hà N ộ i, S ố 1, Đ ại c ồ V iệt, Hà N ộ i.

Các tác giả

GS. TS. N gu yễn Đ ứ c Chiến
PG S. TS. N gu yễn Văn H iếu

5
 MỤC LỤC

L Ờ IN Ó IĐ Ằ U ................................................................................................................................. 3

CHƯƠNG 1. NHẬP MÔN CÓNG NGHỆCHẾ TẠO MẠCH VI ĐIỆN TỬ .................. 11

1.1. Công nghệ vi điện từ qua một ví dụ đơn g iả n ................................................... 12
1.2. Các công đoạn công nghệ chính k h ác ................................................................ 1.5

CHƯƠNG 2. VẬT LIỆU BÁN DÀ N ................................................................................ 17

2.1. Giản đè pha và độ hòa tan rắn (độ hòa tan giới h ạ n ).....................................17
2.2. Tinh thể học và cấu trúc tinh t h ẻ ...........................................................................20
2.3. Khuyết tật tinh th ề ...................................................................................................... 22
2.4. Phương pháp nuôi tinh thể Czochralski..............................................................27
2.5. Nuôi cáy GaAs bằng phương pháp Bridgm an.................................................31
2.6. Kỹ thuật nóng chảy vùng (float zo n e ).................................................................. 32
2.7. Chế tạo phiến và các đặc trưng của phiến.........................................................34
Bài tập ...................................................................................................................................37

CHƯƠNG 3. KHUẾCH T Á N ........................................................................................... 39

3.1. Phương trinh khuếch tán Fick trường hợp một chiều.....................................40
3.2. Các mô hình khuếch tán nguyên t ừ .....................................................................41
3.3. Nghiệm giải tích của định luật Fick...................................................................... 46
3.4. Các hiệu chỉnh cho lý thuyết đơn g iả n ............................................................... 48
3.5. Hệ số khuếch tán cùa các tạp chất thông d ụ n g .............................................. 49
3.6. Profile khuếch tán (phân bố nồng độ tạ p )......................................................... 53
3.7. Khuếch tán trong S i0 2............................................................................................. 60
3.8. Các hệ khuếch tá n .....................................................................................................61
3.9. Chương trinh mô phỏng profile khuếchtán S U P R E M ................................... 63
Bài tập....................................................................................................................................... 66

CHƯƠNG 4. OXY HÓA NHIỆT........................................................................................ 68

4.1. Mô hình oxy hóa Deal - G ro ve.............................................................................. 68
4.2. Hệ số tốc độ tuyến tính và parabol......................................................................... 71
4.3. Chế độ oxy hóa ban đầu.......................................................................................... 74
4.4. Cấu trúc của S i0 2 ...................................................................................................... 75
4.5. Đ ặc trưng o x id e ..........................................................................................................76
4.6. Hiệu ứng tạp chắt trong quá trình oxy h óa.........................................................80
 4 .7 . T h iế t bị oxy h ó a ................................................................................................................ 81
4 .8 . M ô phỏng oxy hóa bằng S U P R E M ........................................................................... 82
Bài tậ p ............................................................................................................................................ 84

CHƯƠNG 5. CÀY IO N ...............................................................................................86

5 .1 . T h iế t bị c áy ion ...................................................................................................................87
5 .2 . P h ân bố tạp c h á t...............................................................................................................88
5 .3 . C ơ chế dừng io n ...............................................................................................................89
5 .4 . H iệu ứng kênh (c h a n n e lin g )........................................................................................ 92
5 .5 . H iệu ứng m át trật tự và ủ n hiệt................................................................................... 93
5 .5 .1 . M ấ t trậ t t ự ..............................................................................................................93
5 .5 .2 . ủ n h iệ t .................................................................................................................... 95
5 .6 . C á c quá trinh liên quan đến cấy io n ......................................................................... 96
5 .6 .1 . C ấ y io n n h iề u lầ n ................................................................................................ 96
5 .6 .2. M ặ t n ạ d ù n g c h o c ấ y i o n .................................................................................96
5 .6 .3 . T ạ o n g u ồ n k h u ế c h tá n và đ iề u k h iể n đ iệ n á p n g ư ỡ n g .......................97
5 .6 .4 . C h ế tạ o c á c c h u y ể n tiế p n ô n g .......................................................................97
5 .6 .5 . L ớ p đ iệ n m ô i c h ô n ( b u r r ie d ) .......................................................................... 97
5.7 . Profile tạp tính bằng S U P R E M ................................................................................... 98
Bài t ậ p .............................................................................................................................................. 99

CHƯƠNG 6. x ừ LÝ NHIỆT NHANH.......................................................................100

6.1. Bức xạ vật x á m , trao đổi nhiệt và hấp thụ q u a n g ..............................................101
6 .2 . C á c nguồn q uang học có cường độ c a o .............................................................. 103
6.3 . Đ o nhiệt đ ộ ........................................................................................................................ 104
6.4 . H o ạt hóa tạp ch ất bằng xử lý nhiệt n hanh ............................................................107
6.5 . C h ế tạo lớp điện môi bằng xử lý nhiệt n h a n h ..................................................... 108
6.6. T ạ o tiếp xúc bằng hợp chất của silic và kim lo ạ i.............................................. 109
Bài tậ p ............................................................................................................................................ 110

CHƯƠNG 7. KHÁC VÀ ĂN MÒN.............................................................................111

7 .1 . Q u a n g k h ắ c ........................................................................................................................111
7 . 1.1. P h ò n g s ạ c h ......................................................................................................... 111
7 .1.2. C á c th iế t b ị c h iế u s á n g ...................................................................................114
7.1 .3. M ặ t n ạ ( m a s k ) .................................................................................................... 117
7 .1 .4 . C h ắ t c ả m q u a n g ................................................................................................119

7 . 1.5. Q u á trìn h tru y ề n h ìn h ả n h ............................................................................. 121

7 .1 .6. C á c k ỹ th u ậ t tă n g đ ộ p h â n g iả i................................................................. 124

 7.2. Các phương pháp khắc thế hệ s a u ..................................................................125
7.2.1. K hắc bằng chùm điện t ử ........................................................................125
7.2.2. K hắc bằng tia tử ng o ại xa (E x tre m e -U ltra v io le t)............................. 128
7.2.3. K hắc bằng tia X ........................................................................................ 129
7.2.4. K hắc bằng chùm tia io n ..........................................................................130
7.2.5. So sánh các p hư ơ ng pháp k h ắ c ......................................................... 131
7.3. Tẩm thực (ăn mòn) hóa ướt.............................................................................. 131
7.3.1. Tầm thực s ilic ........................................................................................... 132
7.3.2. Tẩm thực dioxide s ilic ............................................................................. 134
7.3.3. Tẩm thực silic nitride và silie đa tinh thề ............................................ 134
7.3.4. Tẳm thực n h ô m ........................................................................................136
7.3.5. Tẩm thực G a A s ........................................................................................136
7.4. Tẩm thực k h ô .........................................................................................................136
7.4.1. M ột số kiến thức cơ bản về p la s m a ...................................................137
7.4.2. Cơ chế tẩm thực, chẩn đoán plasma, điều khiển điềm kết th ú c ....... 139
7.4.3. Các k ỹ th u ật và thiết b ị tẩm thự c pla sm a p h ả n ứ n g ......................141
7.4.4. Hệ tẩm thự c ion p hản ứ ng (R IE ).........................................................142
7.4.5. ứ n g dụng của tẩm thực plasm a p hản ứ n g .......................................145
7.5. Các hệ thống vi cơ điện tử (M E M S )................................................................ 150
7.5.1. Vi c ơ k h ố i....................................................................................................150
7.5.2. Vi c ơ bề m ặ t ...............................................................................................151
7.5.3. K ỹ th u ậ t U G A ............................................................................................ 152
Bài tậ p ............................................................................................................................... 154

CHƯƠNG 8. CÁC PHƯƠNG PHÁP VẬT LÝ TẠO MÀNG MỎNG:

BAY HƠI VÀ PHÚN X Ạ ...................................................................... 156
8.1. Bay hơi chân không............................................................................................. 157
8.1.1. Thăng hoa và bay h ơ i..............................................................................158
8.1.2. Tốc độ kế t tủ a ............................................................................................ 159
8.1.3. P hủ bậc th a n g ...........................................................................................161
8.1.4. Các k ỹ thuật đ ố t chén n u n g ..................................................................162
8.1.5. M àng m ỏng đa thành p h ầ n ................................................................... 164
8.2. Phún xạ (sputtering).............................................................................................165
8.2.1. Vật lý quá trinh phún x ạ .........................................................................166
8.2.2. TÓC độ kế t tủa và hiệu su ấ t phún x ạ .................................................. 1 6 7
8.2.3. Phún xạ plasm a m ật độ c a o ................................................................. 168
8.2.4. P hún xạ các vật liệu đặc b iệ t ............................................................... 169