Bao Cao To 6 PBL2

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
BÁO CÁO ĐỒ ÁN
THIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TỬ
Đề tài: Thiết kế mạch khuếch đại OTL vi sai
Giáo viên hướng dẫn : Ts. Huỳnh Thanh Tùng

: Ks. Lê Hồng Nam
Sinh viên thực hiện : Nguyễn Văn Tấn -106200036

: Trần Văn Tú – 106200043
Tổ :6
Lớp học phần : 20.38A
Lớp sinh hoạt : 20DT1
Đà Nẵng, ngày 27 tháng 12 năm 2022

ĐỒ ÁN KTMĐT OTL Vi Sai GVHD: TS. Huỳnh Thanh Tùng
KS. Lê Hồng Nam
Trường Đại Học Bách Khoa
Khoa Điện Tử - Viễn Thông
PHIẾU ĐÁNH GIÁ QUÁ TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN MÔN HỌC

Tên đồ án : Kỹ Thuật Mạch Điện Tử
STT Họ và tên Lớp Mã số sinh viên
1 Nguyễn Văn Tấn 20DT1 106200036
2 Trần Văn Tú 20DT1 106200043
Nhóm HP : 20.38A
Người hướng dẫn: TS. Huỳnh Thanh Tùng
:KS. Lê Hồng Nam
Tên đề tài : Thiết kế mạch khuếch đại OTL vi sai
Thông số thiết kế :
Loại mạch : OTL.
Ngõ vào : Vi sai
Công suất : 15W.
Điện áp vào : 700mV.
Trở kháng loa : 4Ω.
Trở kháng vào : 250KΩ.
Méo phi tuyến : 0.3%.
Phân công công việc
Lý thuyết: Chương 1,2,3

Tính toán: tầng thúc & công suất
Mô phỏng: tầng thúc & công suất
Nguyễn Văn Tấn
Vẽ PCB và thi công mạch: tầng thúc &
công suất
Thi công mạch nguồn
Lý thuyết: Chương 1,2,3
Tính toán: tầng ngõ vào vi sai
Trần Văn Tú Mô phỏng: tầng ngõ vào vi sai
Vẽ PCB và thi công mạch: tầng ngõ
vào vi sai
*Ý kiến của người hướng dẫn Đà Nẵng, ngày 27 tháng 12 năm

2022
…………………………………………………… Người hướng dẫn
……………………………………………………
……………………………………………………
……………………………………………………
2
KS. Lê Hồng Nam
Lời Nói Đầu
Bản báo cáo này trình bày chi tiết về quá trình thiết kế mạch khuếch đại OTL
vi sai, sử dụng BJT và các kỹ thuật bao gồm. Mục tiêu mà sinh viên thực hiện phải
hướng đến là hiểu rõ, phân tích các vấn đề và giải quyết chúng trong quá trình thiết
kế. Ứng dụng linh hoạt các kiến thức đã học trên giảng đường, đồng thời có tuy duy
đổi mới, tìm kiếm và học hỏi từ các nguồn khác nhau. Biết và sử dụng được các thiết
bị đo đạc và các dụng cụ thực hành với mạch điện tử. Sau khi hoàn thành đồ án, nhìn
ra được tính ứng dụng của môn học và cho phép bản thân mở rộng, phát triển hơn
nữa dựa trên nền tảng kiến thức mà môn học cung cấp.
Nhóm thực hiện chân thành cảm ơn đến thầy Huỳnh Thanh Tùng và Lê Hồng
Nam đã cho nhóm những lời khuyên và chỉ dẫn tận tình. Xin cám ơn đến các thầy cô
trong khoa Điện tử - Viễn thông đã trang bị đầy đủ những kiến thức và kỹ năng, cũng
như những tài liệu quý giá để nhóm có thể hoàn thành đồ án một cách tốt nhất.
Đặc biệt hơn cả, cám ơn các bậc sinh thành, đã tạo cơ hội và niềm tin để nhóm
có thể hoàn thành đồ án môn học này.
3
KS. Lê Hồng Nam
MỤC LỤC
Lời Nói Đầu ................................................................................................................3
CHƯƠNG 1: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ ......................................................6
1. Mở đầu chương ..................................................................................................6
1.1. Phân cực BJT: ....................................................................................................... 6
1.1.1.Phân cực cố định................................................................................................... 6
1.1.2. Phân cực hồi tiếp Emitter ................................................................................ 7
1.1.3. Phân cực bằng cầu phân áp.............................................................................. 7
1.1.4. Phân cực hồi tiếp Collector ............................................................................. 8
1.2. Các cách mắc BJT................................................................................................. 9
1.2.2. Mắc E chung .................................................................................................... 9
1.2.3. Mắc C chung.................................................................................................. 10
1.2.4. Mắc B chung.................................................................................................. 11
CHƯƠNG 2: KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP ..............................................................14
2.2 Phân loại hồi tiếp................................................................................................. 14
2.2.1 Theo tác dụng khuếch đại .............................................................................. 14
2.2.2 Theo dạng tín hiệu hồi tiếp ............................................................................ 14
2.2.3 Theo cách ghép với tín hiệu vào .................................................................... 14
2.3 Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp ........................................................... 16
2.4 Tác dụng hồi tiếp lên mạch khuếch đại ............................................................ 17
2.4.1 Hồi tiếp âm .................................................................................................... 17
2.4.2 Hồi tiếp dương ............................................................................................... 17
2.5 Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại ....................................................... 17
2.5.1 Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transistor .............................. 17
2.5.2 Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transistor .................................. 18
2.5.3 Hồi tiếp âm điện áp trong mạch C chung ...................................................... 18
2.5.4 Hồi tiếp âm DC toàn mạch trong các mạch liên lạc trực tiếp ........................ 18
2.5.5 Hồi tiếp âm AC toàn mạch ......................................................................... 18
CHƯƠNG 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ........................................................19
3.1 Mở đầu chương ........................................................................................................ 19
3.2 Các loại mạch khuếch đại ....................................................................................... 19
3.2.1 Mạch khuếch đại chế độ A ................................................................................. 19
3.2.2 Mạch khuếch đại chế độ B ................................................................................. 21
3.2.3 Mạch khuếch đại chế độ AB .............................................................................. 23
3.3 Mạch khuếch đại Darlington .................................................................................. 25
3.4 Mạch bảo vệ ............................................................................................................. 26
4
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 4 : TÍNH TOÁN....................................................................................28
4.1 Điện áp nguồn cung cấp .......................................................................................... 28
4.2 Tính toán tầng thúc & công suất ............................................................................ 29
4.2.1 Tính toán chọn R1,R2............................................................................................. 29
4.2.2 Chọn cặp QB1 QB2 : .............................................................................................. 30
4.2.3 Tính chọn R3, R4 ................................................................................................... 32
4.2.4 Tính chọn cặp Q4, Q3 : .......................................................................................... 33
4.2.5 Tính tầng lái:........................................................................................................... 34
4.2.6 Tính chọn D1, D2, D3, RV3................................................................................... 35
4.2.7 Tính toán transistor Q11 làm nguồn dòng: ............................................................. 36
4.2.8 Tính chọn BJT thúc Q7: ......................................................................................... 37
4.3 Tính toán tần nhận tín hiệu vào ............................................................................. 38
4.4 Tính chọn trở kháng vào: ....................................................................................... 41
4.5. Mạch bảo vệ quá tải ............................................................................................... 41
4.5.1. Trường hợp quá tải: ........................................................................................... 41
4.5.2. Trường hợp ngắn mạch tải: ............................................................................... 42
4.5.3. Tính mạch bảo vệ Q5, Q6: ................................................................................ 42
4.6 Tính các tụ: .......................................................................................................... 44
4.7. Mạch cân bằng trở kháng loa ................................................................................ 46
4.8 Kiểm tra độ méo phi tuyến: .................................................................................... 47
4.9 Linh kiện sử dụng .................................................................................................... 47
CHƯƠNG 5: KIỂM TRA MẠCH KHUẾCH ĐẠI ..............................................49
5.1 Mở đầu chương ........................................................................................................ 49
5.2 Kiểm tra mạch khuếch đại mô phỏng.................................................................... 49
5.2.1 Kiểm tra mạch khi không có tín hiệu vào...................................................... 49
5.2.2 Kiểm tra khi mạch có tín hiệu ngõ vào.......................................................... 53
5.2.3 Kiểm tra tổng thể mạch khi có tín hiệu ngõ vào............................................ 56
5.3 Kiểm tra mạch khuếch đại ................................................................................. 57
5.3.1 Kiểm tra mạch khi không có tín hiệu ngõ vào............................................... 57
5.3.2 Kiểm tra mạch khi có tín hiệu ngõ vào.......................................................... 61
5.3.3 Kiểm tra tổng thể mạch ................................................................................. 62
5.4 Nhận xét mạch khuếch đại đã thi công ............................................................. 64
5.5 Kết luận chương .................................................................................................. 64
KẾT LUẬN: .............................................................................................................65
CHƯƠNG 6: DATASHEET ...................................................................................66
5
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 1: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
1. Mở đầu chương
Mạch khuếch đại là một mạch có thể tạo ra và khuếch đại tín hiệu đầu vào.
Khuếch đại tín hiệu nhỏ là có thể khuếch đại được tín hiệu ngõ vào tương đối nhỏ
thành tín hiệu đầu ra lớn. Có nhiều loại hoặc phân loại mạch khuếch đại khác nhau.
Trong chương này chúng ta sẽ đi tìm hiểu về các loại mạch khuếch đại, các cách
phân cực cho BJT, các cách mắc BJT, ưu nhược điểm và ứng dụng của chúng.
1.1. Phân cực BJT:

Phụ thuộc vào phân cực cho 2 tiếp giáp, BJT có 4 vùng hoạt động:
- Vùng ngắt: cả 2 tiếp giáp B-E và B-C phân cực ngược.
- Vùng bão hoà: cả 2 tiếp giáp B-E và B-C phân cực thuận.
- Vùng tích cực thuận: tiếp giáp B-E phân cực thuận, còn tiếp giáp B-C phân
cực ngược.
- Vùng tích cực đảo: tiếp giáp B-E phân cực ngược, còn tiếp giáp B-C phân
cực thuận.
Vùng tích cực đảo ít được dùng nên thuật ngữ “vùng tích cực” được mặc định
để chỉ cho vùng tích cực thuận.
1.1.1.Phân cực cố định
Mạch phân cực cố định được cho như hình sau:
Phân tích mạch:

𝑉 −𝑉
- 𝐼𝐵 = 𝐶𝐶 𝐵𝐸
𝑅𝐵
- Trong vùng tích cực thì 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
- 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
Ưu điểm: dòng ra lớn, dễ thiết kế
6
KS. Lê Hồng Nam
Nhược điểm: không ổn định khi nhiệt độ thay đổi. Khi nhiệt độ thay đổi thì các giá
trị như 𝛽 , 𝐼𝐶𝐸𝑂 và 𝑉𝐶𝐸 sẽ thay đổi, dẫn đến các giá trị dòng và áp của điểm làm việc
Q thay đổi theo. Như vậy điểm làm việc Q sẽ không ổn định khi nhiệt độ thay đổi.
Ứng dụng: sử dụng ở tầng công suất
1.1.2. Phân cực hồi tiếp Emitter
Mạch phân cực hồi tiếp Emitter được cho như hình sau:
Phân tích mạch:

𝑉 −𝑉
- 𝐼𝐵 = 𝐶𝐶 𝐵𝐸
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
- 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
- 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
Tính ổn định nhiệt:
- Khi nhiệt độ tăng, dòng 𝐼𝐶 , 𝐼𝐸 tăng
- Dòng 𝐼𝐸 tăng, dẫn đến sụt áp trên 𝑅𝐸 tăng. Do 𝑉𝐶𝐶 không đổi nên thành phân
sụt áp trên 𝑅𝐵 phải giảm, dẫn đến 𝐼𝐵 giảm, kéo theo 𝐼𝐶 giảm.
- Như vậy, nhờ cơ chế hồi tiếp được thực hiện thông qua điện trở 𝑅𝐸 , sự thay
đổi ở ngõ ra được đưa về lại ngõ vào. Qua đó, điều chỉnh dòng 𝐼𝐵 để ổn định dòng 𝐼𝐶 ,
đồng nghĩa với ổn định điểm làm việc
Ưu điểm: ổn định điểm làm việc hơn phân cực cố định.
Nhược điểm: tuy ổn định hơn phân cực cố định nhưng điểm làm việc vẫn còn phụ
thuộc nhiều vào 𝛽
Ứng dụng: sử dụng ở tầng công suất
1.1.3. Phân cực bằng cầu phân áp

Mạch phân cực bằng cầu phân áp được cho như hình sau:
7
KS. Lê Hồng Nam
Phân tích mạch:

𝑅2
- 𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 +𝑅2
- 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸
Ưu điểm: mạch phụ thuộc rất ít vào hệ số 𝛽
Nhược điểm: tính toán và thiết kế phức tạp
Ứng dụng: sử dụng cho tầng ngõ vào.
1.1.4. Phân cực hồi tiếp Collector
Mạch phân cực hồi tiếp Collector được cho như hình sau:
Phân tích mạch:

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
- 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
8
KS. Lê Hồng Nam
- 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
Ưu điểm: độ ổn định nhiệt của mạch phân cực hồi tiếp Collector tốt hơn
phân cực cố định và phân cực hồi tiếp Emitter.
Nhược điểm: Vẫn còn phụ thuộc vào hệ số 𝛽
Ứng dụng: sử dụng ở tầng công suất lớn
1.1.5. Kết luận
Như vậy, với cách phân cực cố định, dòng ra lớn nên thường được ứng dụng trong
các tầng công suất lớn. Với cách phân cực hồi tiếp cực Emitter, có điện trở hồi tiếp
Re nên tăng độ ổn định của mạch hơn. Còn với phân cực bằng cầu phân áp, nhờ vào
ưu điểm là việc xác định điểm làm việc tĩnh Q ít phụ thuộc β mà thường được sử dụng
phổ biến trong các mạch khuếch đại. Phân cực hồi tiếp dòng Collector thì mang lại
khả năng hồi tiếp tốt hơn hồi tiếp cực E.
1.2. Các cách mắc BJT

1.2.2. Mắc E chung
Sơ đồ mạch:
Sơ đồ tương đương xoay chiều
9
KS. Lê Hồng Nam
- Hệ số khuếch đại công suất: 𝐴𝑝 = 𝐴𝑉 . 𝐴𝑖

𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 𝑅𝐿 với 𝑅𝑖𝑛 = 𝑅1 //𝑅2 //𝑟𝜋
𝑅𝑖 +𝑅𝑖𝑛
𝑅𝑖𝑛 +𝑅𝐼
- Hệ số khuếch đại dòng: 𝐴𝑖 = 𝐴𝑣
𝑅3
- 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑟𝑜 //𝑅𝐶
- Tín hiệu vào và ra ngược pha nhau
- Ưu điểm: khuếch đại cả áp và dòng
- Hệ số khuếch đại chưa cao
- Ứng dụng: sử dụng ở tầng ngõ vào và tầng thúc
1.2.3. Mắc C chung

Sơ đồ mạch:
Sơ đồ mạch tương đương xoay chiều:
10
KS. Lê Hồng Nam
- Hệ số khuếch đại điện áp:

- Rin = 𝑟𝜋. (1 + 𝑔𝑚.𝑅𝐿) // Rb
- Hệ số khuếch đại dòng:

- Hệ số khuếch đại công suất: Ap = Av . Ai
-
- Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính
. (1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿)
- Tín hiệu vào và ra đồng pha.
- Ưu điểm: Hệ số khuếch đại dòng cao, xử lí tín hiệu vào lớn.
- Nhược điểm: Hệ số khuếch đại áp xấp xỉ bằng 1.
- Ứng dụng: Sử dụng trong các tầng yêu cầu dòng ra cao, tầng công suất
1.2.4. Mắc B chung

Sơ đồ mạch
11
KS. Lê Hồng Nam
Sơ đồ mạch tương đương xoay chiều:
1
- 𝑅𝑖𝑛 = //𝑅6
𝑔𝑚
𝑔𝑚 𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 =
𝑅𝐼 + 𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại dòng:

- Hệ số khuếch đại công suất: Ap = Av . Ai
- 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑖𝑐 // R3
- 𝑅𝑖𝑐 = 𝑟0. (1 + 𝑔𝑚 .(𝑅𝐼//R6))
- Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính

- Tín hiệu vào và ra đồng pha.
- Ưu điểm: Hệ số khuếch đại áp lớn, trở kháng vào mạch lớn.
- Nhược điểm: Không khuếch đại dòng.
- Ứng dụng: Sử dụng trong các mạch yêu cầu áp ra cao.
12
KS. Lê Hồng Nam
Như vậy, đối với các cách mắc BJT, cách mắc EC đem lại khả năng khuếch
đại cả áp và dòng nhưng hệ số khuếch đại chỉ ở mức trung bình. Cách mắc CC
mang lại hệ số khuếch đại dòng lớn nhưng lại không khuếch đại áp. Cách mắc
BC thì ngược lại với cách mắc CC.
*Tổng kết:
Trong chương vừa rồi, chúng ta đã tìm hiểu được về các cách phân cực và các
cách mắc thông dụng của BJT cùng với ưu nhược điểm và ứng dụng của chúng
trong thực tế. Nhưng để cải thiện độ ổn định của mạch thì như thế là chưa đủ.
Vì vậy, chương sau sẽ làm rõ một trong những thành phần giúp cải thiện độ ổn
định cũng như nâng cao hệ số khuếch đại của mạch, đó chính là Hồi Tiếp.
13
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 2: KHUẾCH ĐẠI HỒI TIẾP
2.1 Mở đầu chương
Hồi tiếp là lấy một phần hay toàn bộ tín hiệu ngõ ra (điện áp hoặc dòng điện)
được đưa về trở lại ngõ vào để ổn định hoạt động của mạch. Hồi tiếp là công cụ vô
cùng hữu ích trong rất nhiều ứng dụng, đặc biệt trong hệ thống điều khiển. Hệ thống
điều khiển bao gồm tất cả các mạch điện ở đó ngõ ra được sử dụng để điều khiển
hoặc hiệu chỉnh ngõ vào, từ đó lại cung cấp một ngõ ra như mong muốn. Trong
chương này, chúng ta sẽ đi tìm hiểu về các loại mạch hồi tiếp.
2.2 Phân loại hồi tiếp
2.2.1 Theo tác dụng khuếch đại
- Hồi tiếp âm: là hồi tiếp mà tín hiệu ra đưa về ngược pha tín hiệu vào.
+ Ưu điểm:
Ổn định hàm truyền. Sự thay đổi giá trị hàm truyền chủ yếu do
sự thay đổi các thông số của transistor sẽ giảm khi có hồi tiếp âm đây
chính là ưu điểm chính của hồi tiếp âm.
Mở rộng băng thông
Giảm nhiễu. Hồi tiếp âm làm tăng tỉ số nén tín hiệu trên nhiễu.
Giảm méo. Khi transistor làm việc không tuyến tính, méo sẽ
xuất hiện trong tín hiệu ngõ ra, đặc biệt tại những mạch có biên độ tín
hiệu ngõ ra lớn.
+ Nhược điểm:
Giảm hệ số khuếch đại
Giảm độ lợi
Có thể mạch không ổn định (sinh ra dao động) tại tần số cao.
+ Ứng dụng: Sử dụng trong các mạch khuếch đại
- Hồi tiêp dương: là hồi tiếp mà tín hiệu đưa về cùng pha với tín hiệu
vào.
+ Ưu điểm:
Tăng hệ số khuếch đại.
Giảm tổng trở vào
+ Nhược điểm:
Mất tính ổn định của mạch.
Tăng độ nhiễu của mạch
Làm tăng độ méo của mạch.
+ Ứng dụng: Sử dụng trong các mạch dao động.
2.2.2 Theo dạng tín hiệu hồi tiếp
- Hồi tiếp điện áp: lấy điện áp ra, tạo điện áp hồi tiếp đưa về lại đầu vào.
- Hồi tiếp dòng: lấy dòng ra tạo hồi tiếp, đưa về lại đầu vào
2.2.3 Theo cách ghép với tín hiệu vào
- Hồi tiếp song song là khi lấy áp (dòng) đầu vào mắc song song với áp
(dòng) hồi tiếp
- Hồi tiếp dòng điện song song
Hệ số khuếch đại dòng hở:
14
KS. Lê Hồng Nam
𝐼𝑂
𝐴𝑖 =
𝐼𝜀
Hệ số hồi tiếp
𝐼𝑓𝑏
𝛽𝑖 =
𝐼𝑂
Hệ số khuếch đại vòng kín
𝐼𝑂
𝐴𝑖𝐹 =
𝐼𝑖
- Hồi tiếp điện áp song song

𝑉𝑂
𝐴𝑖 =
𝐼𝜀
𝐼𝑓𝑏
𝛽𝑔 =
𝑉𝑂
𝑉𝑂
𝐴𝑖𝐹 =
𝐼𝑖
- Hồi tiếp nối tiếp là khi áp (dòng) đầu vào mắc nối tiếp với áp (dòng)
hồi tiếp
- Hồi tiếp điện áp nối tiếp

𝑉𝑂
𝐴𝑖 =
𝑉𝜀
𝑉𝑓𝑏
𝛽𝑣 =
𝑉𝑂
𝑉𝑂
𝐴𝑖𝐹 =
𝑉𝑖
- Hồi tiếp dòng điện nối tiếp
𝐼𝑂
𝐴𝑔 =
𝑉𝜀
𝑉𝑓𝑏
𝛽𝑧 =
𝐼𝑂
𝐼𝑂
𝐴𝑔𝐹 =
𝑉𝑖
- Sơ đồ khối của các mạch khuếch đại có hồi tiếp
15
KS. Lê Hồng Nam
(a) Hồi tiếp điện áp nối tiếp

(b) Hồi tiếp điện áp song song
(c) Hồi tiếp dòng điện nối tiếp
(d) Hồi tiếp dòng điện song song
2.3 Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp
- Khi không có hồi tiếp thì 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾. 𝐾𝑛

- Khi có hồi tiếp thì 𝐾′𝑡𝑝 = 𝐾𝑛 . 𝐾′
𝐾
- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp 𝐾 ′ =
1+𝐾.𝐾ℎ𝑡
𝐾 .𝐾
- Hệ số khuếch đại toàn phần 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾𝑛 . 𝐾 ′ = 𝑛
𝑔
- |𝑔| < 1 𝑡ℎì |𝐾′| > |𝐾|: 𝐻ồ𝑖 𝑡𝑖ế𝑝 𝑑ươ𝑛𝑔
- |𝑔| > 1 𝑡ℎì |𝐾′| < |𝐾|: 𝐻ồ𝑖 𝑡𝑖ế𝑝 â𝑚
- Nhận xét:
Một hệ thống khép kín có hệ số khuếch đại vòng rất lớn, K’ hầu như
không phụ thuộc vào tính chất của mạch mà chỉ phụ thuộc vào tính chất
16
KS. Lê Hồng Nam
của mạch hồi tiếp. Vì vậy, muốn xây dựng bộ khuếch đại chính xác, phải
dùng linh kiện chính xác trong khâu hồi tiếp (điện trở).
Hàm truyền toàn phần giảm đi g lần. Như vậy hồi tiếp âm làm
giảm hệ số khuếch đại của mạch
2.4 Tác dụng hồi tiếp lên mạch khuếch đại

2.4.1 Hồi tiếp âm
- Đối với hệ số khuếch đại: Giảm hệ số khuếch đại.
- Đối với độ ổn định: Tăng độ ổn định.
- Đối với nhiễu: Giảm tác dụng ngõ vào Giảm nhiễu. - Méo: Giảm
méo.
- Đối với tổng trở vào: Hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng tổng trở vào. Hồi
tiếp âm song song làm giảm tổng trở vào.
- Đối với tổng trở ra: Hồi tiếp âm điện áp làm giảm tổng trở ra. Hồi tiếp
âm dòng điện làm tăng tổng trở ra.
2.4.2 Hồi tiếp dương

- Đối với hệ số khuếch đại: Tăng hệ số khuếch đại.
- Đối với độ ổn định: Giảm độ ổn định. - Đối với nhiễu: Tăng hệ số
khuếch đại - Tăng nhiễu.
- Méo: Tăng độ méo dạng.
- Đối với tổng trở vào: Hồi tiếp dương nối tiếp làm giảm tổng trở vào.
Hồi tiếp dương song song làm tăng tổng trở vào.
- Đối với tổng trở ra: Hồi tiếp dương điện áp làm tăng tổng trở ra. Hồi
tiếp dương dòng điện làm giảm tổng trở ra.
2.5 Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại

2.5.1 Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transistor
17
KS. Lê Hồng Nam
- Điện trở Re thực chất là điện trở lấy tín hiệu dòng. Dòng qua Rc và Rt
sẽ thể hiện qua Re, tạo nên sụt áp trên Re. Đây là mạch hồi tiếp dòng,
có tín hiệu áp hồi tiếp tỉ lệ dòng ngõ ra. Điện áp này thàm thay đổi Vbe
của BJT nên xem như hồi tiếp nối tiếp.
2.5.2 Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transistor
- Điện trở Rb lấy từ cực C làm hình thành 1 vòng hồi tiếp điện áp. - Điện
áp là 1 phần của điện áp tải, đưa vào cực B của BJT, làm rẽ mạch dòng
cực B, vì vậy đây là hồi tiếp áp song song.
2.5.3 Hồi tiếp âm điện áp trong mạch C chung
- Toàn bộ điện áp ra trên tải đưa về cực E làm thay đổi Vbe → Hồi tiếp điện
áp nối tiếp.
2.5.4 Hồi tiếp âm DC toàn mạch trong các mạch liên lạc trực tiếp
- Nhằm mục đích ổn định tín hiệu DC của mạch, đảm bảo điểm làm việc
tĩnh.
2.5.5 Hồi tiếp âm AC toàn mạch
- Ổn định độ lợi trong 1 miền nhất định, giảm nhiễu và tăng độ ổn định.
2.6. Tổng kết:

Như vậy, ngoài hồi tiếp âm và dương là 2 loại hồi tiếp thông dụng, hồi
tiếp còn được phân loại thành hồi tiếp dòng, áp, nối tiếp, song song.
Trong đó, nhờ khả năng tăng độ ổn định mà hồi tiếp âm được ứng dụng
rộng rãi trong mạch khuếch đại. Đối với hồi tiếp dương, nhờ khả năng
tăng hệ số khuếch đại mà được ứng dụng nhiều trong các mạch dao động.
18
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
Trong chương này, chúng ta sẽ đi tìm hiểu về các loại mạch khuếch đại công
suất. Mạch khuếch đại công suất thường được sử dụng để năng công suất tín hiệu
lên cao trước khi đưa ra tải, thường sử dụng cho tải có điện trở thấp. Công suất ra có
thể từ vài trăm mW đến vài trăm W. Như vậy mạch công suất làm việc với biên độ
tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương đương tín hiệu nhỏ để
khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng phương pháp đồ thị.
3.2 Các loại mạch khuếch đại
Tuỳ theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch
đại công suất công suất ra thành các loại chính như sau:
- Khuếch đại công suất chế độ A: Là mạch khuếch đại mà transistor có điểm
làm việc Q nằm trong vùng khuếch đại và nó dẫn trong toàn bộ chu kì của
tín hiệu ngõ vào.
- Khuếch đại công suất chế độ B: Là mạch khuếch đại mà transistor có
điểm làm việc Q nằm trong vùng tắt do đó transistor chỉ dẫn trong một
bán kì của tín hiệu ngõ vào (Transistor hoạt động hơn một nữa chu kỳ -
dương hoặc âm - của tín hiệu ngõ vào).
- Khuếch đại công suất chế độ AB: Là mạch khuếch đại mà transistor có
điểm làm việc Q nằm trong vùng khuếch đại gần vùng tắt do đó
transistor dẫn hơn một bán kì và ít hơn một chu kì của tín hiệu ngõ
vào.
3.2.1 Mạch khuếch đại chế độ A
- Tín hiệu ra của chế độ A
19
KS. Lê Hồng Nam
- Đặc tuyến
Tín hiệu ra khuếch đại tuyến tính

- Hiệu suất của mạch khuếch đại chế độ A
Hiệu suất của mạch khuếch đại được định nghĩa như sau
𝑃𝑂(𝐴𝐶)
𝜂% = . 100%
𝑃𝑖(𝐷𝐶)
Ta có
𝑉
𝑉𝐶𝐶 . 𝐶𝐶 2
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶
𝑃𝑂(𝐴𝐶)𝑚𝑎𝑥 = =
8 8𝑅𝐶
2
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝑃𝑖(𝐷𝐶)𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 . =
2𝑅𝐶 2𝑅𝐶
Suy ra
2
𝑉𝐶𝐶
𝑃𝑂(𝐴𝐶) 8𝑅
𝜂% = . 100% = 2𝐶 .100% = 25%
𝑃𝑖(𝐷𝐶) 𝑉𝐶𝐶
2𝑅𝐶
- Ưu điểm: Tín hiệu ra không bị xén không bị biến dạng
- Nhược điểm: Hiệu suất thấp(25%).
20
KS. Lê Hồng Nam
- Ứng dụng: sử dụng ở tầng ngõ vào, nguồn dòng, tầng thúc.
3.2.2 Mạch khuếch đại chế độ B
- Tín hiệu ra của chế độ B
- Đặc tính
21
KS. Lê Hồng Nam
Chế độ B chỉ làm việc ở nữa chu kỳ tín hiệu
- Hiệu suất của mạch khuếch đại chế độ B
𝑃𝑂(𝐴𝐶)
𝜂% = . 100%
𝑃𝑖(𝐷𝐶)
𝑉𝐿(𝑝)
Vì: 𝐼(𝑝) =
𝑅𝐿
𝜋 𝑉𝐿(𝑝)
Nên: 𝜂% = . . 100%
4 𝑉𝐶𝐶
Giá trị tối đa của 𝑉𝐿(𝑝) là 𝑉𝐶𝐶 nên hiệu suất tối đa là:
𝜋
𝜂% = . 100% = 78,54%
4
Để mạch hoạt động ở toàn chu kỳ thì ta lắp mạch theo chế độ đẩy kéo:
22
KS. Lê Hồng Nam
Nhưng tín hiệu ra của mạch sẽ bị méo xuyên tâm
- Ưu điểm: Hiệu suất lớn ≈ 78%

- Nhược điểm: Chỉ khuếch đại ở nữa chu kì. Khi mắc đẩy kéo thì tín hiệu bị
méo xuyên tâm, mạch hoạt động không ổn định.
3.2.3 Mạch khuếch đại chế độ AB
- Ta có thể sử méo trong mạch khuếch đại chế độ B trong khi vẫn cải thiện
được hiệu suất bằng cách kết hợp mạch chế độ A và chế độ B.
23
KS. Lê Hồng Nam
𝑉𝐺 /2 có thể giữ cho hai transistor hoạt động đồng thời với tín hiệu vào.
- Tín hiệu ngõ ra của mạch khuếch đại chế độ AB
- Đặc tuyến
24
KS. Lê Hồng Nam
- Ưu điểm: Hiệu suất cao, tín hiệu ra được bảo toàn.

- Nhược điểm: Chi phí thiết kế và sản xuất lớn.
- Ứng dụng: Sử dụng ở tầng khuếch đại công suất.
3.3 Mạch khuếch đại Darlington
- Mạch Darlington hoạt động tương tự như một BJT, nhưng hệ số khuếch đại
dòng điện bằng tích 2 lần hệ số khuếch đại của 2 BJT thành phần.
- Ta có:
𝑖𝐶 𝑖𝐶2 + 𝑖𝐶1 𝑖𝐶2 𝑖𝐶1 𝑖𝐵1
𝛽𝛴 = = = + .
𝑖̇𝐵 𝑖̇𝐵2 𝑖̇𝐵2 𝑖̇𝐵1 𝑖̇𝐵2
= 𝛽2 + 𝛽1 (𝛽2 + 1) = 𝛽1 + 𝛽2 + 𝛽1 𝛽2 ≈ 𝛽1 𝛽2
- Vậy hệ số khuếch đại: 𝛽𝛴 = 𝛽1 𝛽2
25
KS. Lê Hồng Nam
3.4 Mạch bảo vệ
- Khi tải bị ngắn mạch (chập mạch), dòng tăng lên rất lớn làm BJT bị phả hủy.
Q2 bảo vệ chống ngắn mạch tải RL. Ở chế độ khuếch đại, điện áp R được
chọn <0.5V nên Q2 tắt. Khi tải ngắn mạch thì điện áp trên R được chọn
<0.5V nên Q2 tắt. Khi tải ngắn mạch thì điện áp trên R tăng rất lớn làm Q2
dẫn bão hòa => VceQ2 ≈ 0 => VceQ1 ≈ 0 làm cho BJT Q1 tắt
Tổng kết:
- Mạch khuếch đại có 3 chế độ: chế độ A, chế độ B, chế độ AB. Mỗi chế độ
đều có các ưu điểm nhược điểm khác nhau và các ứng dụng của chúng. Chế
độ AB được chọn dùng cho tầng suất đại công suất. Chế độ A được còn
dùng cho tầng ngõ vào và tầng thúc.
26
KS. Lê Hồng Nam
27
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 4 : TÍNH TOÁN

4.1 Điện áp nguồn cung cấp
-Để đảm bảo năng lượng cung cấp cho mạch hoạt đông ổn đinh theo yêu cầu thì
điện áp nguồn phải bằng 2 lần điện áp trên loa, chọn hệ sô sử dụng nguồn là 0.8 .
Theo yêu cầu ta có :
2
2 𝑉𝐿ℎ𝑑 𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 . 𝐼𝐿ℎ𝑑 = =
𝑅𝐿 2𝑅𝐿
⇒ 𝑉𝐿 = √2𝑃𝐿 𝑅𝐿 = √2.15.4 = 10.95(𝑉)
𝑉𝐿 10,95
⇒ 𝐼𝐿 = = = 2.738(𝐴)
𝑅𝐿 4
2𝑉𝐿 2.10.95
Do vậy: 𝑉𝐶𝐶 = = = 27.38(𝑉)
0,8 0,8
 Ta chọn nguồn là Vcc = 30V
Công suất nguồn cung cấp
𝐼 2.738
𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐿 = 55 = 26.14(𝑊)
𝜋 𝜋
Hiệu suất của mạch:
𝑷 𝟏𝟓
𝜼= 𝑳 = . 𝟏𝟎𝟎% = 𝟓𝟕. 𝟑𝟕%
𝑷𝑪𝑪 26.14
28
KS. Lê Hồng Nam
4.2 Tính toán tầng thúc & công suất
4.2.1 Tính toán chọn R1,R2
Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng 20 ÷ 50𝑚𝐴.
Ở đây ta chọn: 𝐼𝐸𝑄 = 𝐼𝐸𝑄1 = 𝐼𝐸𝑄2 = 50𝑚𝐴.
Dòng đỉnh qua QB1 QB2 là:
𝐼𝐸1𝑝 = 𝐼𝐸2𝑝 = 0,05 + 2.738 = 2.788 (𝐴)
29
KS. Lê Hồng Nam
R1, R2 có tác dụng cân bằng dòng , ổn định nhiệt nên phải có công suất lớn :
Để tránh hao phí ta chọn :
𝑉𝑅1 1 𝑉𝐿 10.95
≥ => 𝑉𝑅1 ≥ = = 0.548 (𝑉)
𝑉𝐿 20 20 20
𝑉𝑅6 0.548
=> 𝑅1 = 𝑅2 = = = 0.196Ω
𝐼𝐸1𝑝 2.788
1 2
Công suất trở R1, R2 : 𝑃𝑅1 = 𝑃𝑅2 = . 𝑅1. 𝐼𝐿ℎ𝑑
2
1
= . 0,196. 2.7882
4
= 0.38 𝑊
Ta chọn trở R1, R2 là 0,22 Ω / 5W
4.2.2 Chọn cặp QB1 QB2 :
𝐼𝐿
Công suất nguồn cung cấp : 𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝑇𝐵 = 𝑉𝐶𝐶
𝜋
2 1
Công suất loa: 𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 𝐼𝐿ℎ𝑑 = 𝑅 𝐼2
2 𝐿 𝐿
1
Công suất tiêu tán của R1, R2: 𝑃𝑅 = 2𝑃𝑅1 = 𝑅1 𝐼𝐿2
2
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT QB1, QB2 là :
𝑉 𝐼 1 1
𝑃𝑡𝑡 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝐿 − 𝑃𝑅 = 𝐶𝐶 𝐿 − 𝑅𝐿 𝐼𝐿2 − 𝑅1 𝐼𝐿2
𝜋 2 2
Công suất tiêu tán của một BJT là:
𝑃𝑡𝑡 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿 1
𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 = 𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵2 = = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
2 2𝜋 4
Công suất tiêu tán cực đại của 1 BJT là lấy đạo hàm 𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 theo 𝐼𝐿 cho bằng 0 :
𝑑𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 𝑉𝐶𝐶 1
= − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿 = 0
d𝐼𝐿 2𝜋 2
𝑉𝐶𝐶 30
=> 𝐼𝐿 = = = 2.26 𝐴
𝜋(𝑅𝐿 + 𝑅1 ) 3,14(4 + 0,22)
𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿0 1
=> 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥 = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
𝑄𝐵1 2𝜋 4
30.2,26 1
= − (4 + 0,22). 2,262 = 5,4𝑊
2.3,14 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên QB1 :
𝑉𝐶𝐶 30
𝑃𝐷𝐶/𝑄𝐵1 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄𝐵1 . 𝐼𝐶/𝑄𝐵1 ≈ 𝐼𝐸𝑄 = . 0,05 = 0,75𝑊
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên QB1 là:
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄𝐵1 = 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄𝐵1 + 𝑃𝐷𝐶/𝑄𝐵1 = 5.4 + 0.75 = 6,15𝑊
Vì QB1, QB2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn QB1, QB2 thỏa mãn điều kiện (2-3 lần)
𝐼𝐶 > 𝐼𝐸1𝑝 = 2,788𝐴
30
KS. Lê Hồng Nam
𝑉𝐶𝐸0 > 𝑉𝐶𝐶 = 30 𝑉
𝑃𝐶 > (2 ÷ 3)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = (2 ÷ 3). 6,15 = 12,3 ÷ 18,45(𝑊)
• Tra cứu Datasheet ta chọn 2SD718 và 2SB688

2SD718
2SB688
31
KS. Lê Hồng Nam
4.2.3 Tính chọn R3, R4

Ta chọn:
𝛽𝑄𝐵1 = 𝛽𝑄𝐵1 = 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 55
Dòng Base tĩnh của QB1 :

𝐼𝐸𝑄/𝑄𝐵1 0,05
𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 = = = 0,89𝑚𝐴
1 + 𝛽1 1 + 55
Dòng Base cực đạI của 𝑄1 :
𝐼𝐸𝑝/𝑄𝐵1 2.788
𝐼𝐵𝑄𝑝/𝑄𝐵1 = = = 50𝑚𝐴
1 + 𝛽1 1 + 55
𝐼𝐵𝑄 = 0.89𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑝 = 50𝑚𝐴
Vậy:
𝑉𝐵1𝑀𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄𝐵1 + 𝑉𝑅1 0,6 + 0.05.0,22
𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) = = = = 686,5Ω
𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 0,89. 10−3
𝑉𝐵1𝑀𝑝 − 𝑉𝐵1𝑀𝑄 (𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄𝐵1 + 𝑉𝑅1𝑝 ) − (𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄𝐵1 + 𝑉𝑅1 )
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = =
𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1
(0,89 + 0,22.2.788) − (0,6 + 0,05.0,22)
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = 18,17 Ω
(50 − 0,89). 10−3
32
KS. Lê Hồng Nam
Vậy: 18,17Ω ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 686,5 Ω
Chọn R3 = R4= 220 Ω
4.2.4 Tính chọn cặp Q4, Q3 :

𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄𝐵1 +𝑉𝑅6 0,6+0,05.0,22
- Dòng tĩnh qua R3 : 𝐼𝑅3𝑄 = = = 2,77𝑚𝐴
𝑅3 220
𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄𝐵1 +𝑉𝑅6𝑝 0,8+2,788.0,22
Dòng cực đại qua R3 : 𝐼𝑅3𝑄 = = = 6,423 𝑚𝐴
𝑅17 220
- Dòng emitter qua Q4 : 𝐼𝐸𝑄/𝑄4 = 𝐼𝑅3𝑄 + 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 = 2.77 + 0.89 = 3,66𝑚𝐴
𝐼𝐸𝑝/𝑄4 = 𝐼𝑅3𝑝 + 𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 = 6.423 + 50 = 56,423 𝑚𝐴
Khi đó trở kháng xoay chiều từ cực B QB1:

𝑉𝐵1𝑝 − 𝑉𝐵1𝑄 0,86 + 0,22.2,788 − 0,6 − 0,05.0,22
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = = 16,38 Ω
𝐼𝐸𝑝/𝑄4 − 𝐼𝐸𝑄/𝑄4 (56,423 − 3,66). 10−3
So sánh với 𝑍𝐵1𝑎𝑐 tính ở trước là ta thấy khi thêm R3, R4 vào thì sai khác không đáng
kể.
Như vậy, tải xoay chiều của Q4 là:
𝑍𝑡/𝑄4 = 𝑍𝐵1(𝑎𝑐) + (1 + 𝛽). 𝑅𝐿 = 16.38 + (1 + 55). 4 = 240,38 Ω
Để tìm được Q4, Q3 ta tìm công suất tiêu tán lớn nhất của chúng. Gọi 𝐼𝐸2 là biên độ
dòng AC chạy qua Q4, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho Q4 :
𝐼𝐸2
𝐼𝑡𝑏/𝑄2 =
𝜋
Công suất nguồn cung cấp cho Q4:
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸2
𝑃𝐶𝐶/𝑄4 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝑡𝑏/𝑄4 =
𝜋
Công suất cung cấp cho tải của Q4 :
2
1 𝜋 1 2
𝑃𝑡/𝑄4 = 𝑍𝑡/𝑄4 . 𝐼𝐸2 = 𝑍𝑡/𝑄4 . ∫ (𝐼𝐸2 . 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡)2 𝑑𝜔𝑡 = 𝐼𝐸2 . 𝑍𝑡/𝑄4
2𝜋 0 4
Công suất tiêu tán xoay chiều trên Q4 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸2 1 2
𝑃𝑡𝑡/𝑄4 = 𝑃𝐶𝐶/𝑄4 − 𝑃 𝑡 = − 𝐼𝐸2 . 𝑍𝑡/𝑄4
𝑄4 𝜋 4
Lấy đạo hàm theo 𝐼𝐸3𝑀 và cho 𝑃𝑡𝑡/𝑄4 = 0 ta được:
2𝑉𝐶𝐶 2.30
𝐼𝐸20 = = = 0,079 𝐴
𝜋. 𝑍𝑡/𝑄4 3,14.240,38
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều trên rơi trên Q4 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸20 1 2 30.0,079 1
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄4 = − 𝐼𝐸2 . 𝑍 𝑡 = − . 240,38. 0,0792 = 0,378𝑊
𝜋 4 𝑄4 3,14 4
33
KS. Lê Hồng Nam
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q4 :
𝑉𝐶𝐶 30
𝑃𝑑𝑐/𝑄4 = . 𝐼𝐸𝑄/𝑄4 = . 3,66. 10−3 = 0,0549 𝑊
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q4 :
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑑𝑐/𝑄4 + 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄4 = 0,0549 + 0,378 = 0,4329
Vậy chọn Q3, Q4 là cặp bổ phụ thỏa mãn điều kiện sau:
𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑝/𝑄2 = 55,21 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸0 > 𝑉𝐶𝐶 = 30 𝑉
𝑃𝐶 > (2 ÷ 3)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄4 = (2 ÷ 3). 0,4329 = 0.8658 ÷ 1.2987(𝑊)
• Tra cứu Datasheet ta chọn TIP41C và TIP42C :
TIP41C
TIP42C
4.2.5 Tính tầng lái:
Để tính toán tầng lái ta chọn 𝛽𝑄2 = 75

𝐼𝐸𝑝/𝑄2 56,423
=> 𝐼𝐵2𝑝 = = = 0,74 𝑚𝐴
1 + 𝛽𝑄2 1 + 75
𝐼𝐸𝑄/𝑄2 3,66
=> 𝐼𝐵2𝑄 = = = 0,048 𝑚𝐴
1 + 𝛽𝑄2 1 + 75
34
KS. Lê Hồng Nam
4.2.6 Tính chọn D1, D2, D3, RV3
Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho các cặp BJT
khuyếch đại công suất thì các tổ hợp này phải làm việc ở chế độ AB. Vì vậy, ta dùng
D1, D2, D3, RV3 để tạo ra áp ban đầu cho các BJT để khi có tín hiệu vào thì các BJT
khuyếch đại công suất dẫn ngay.
Chọn D1, D2, D4 : là loại D1N4007.
Để QB1, QB2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50mA thì điện áp trên tiếp giáp BE của các
tổ hợp BJT ở chế độ tĩnh là 0,6V.
Ta có: 𝑉𝐴𝐵 = 𝑉𝐵𝐸𝑄3 + 𝑉𝐵𝐸𝑄𝐵1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄𝐵2 + 𝑉𝐵𝐸𝑄4 + 𝑉𝑅1 + 𝑉𝑅2
= 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,05.0,22 + 0,05.0,22 = 2,422𝑉
Ta chọn :
𝐼𝐶𝑄9 = 10 𝑚𝐴 và dùng Diode để ổn định áp phân cực cho tầng lái.
Như vậy, ba diode D1, D2, D3 và RV3 đảm bảo cho QB1, QB2 và Q3, Q4 làm việc ở
chế độ AB, tức là 𝑉𝐴𝐵 = 2,422 𝑉 ngay khi có tín hiệu vào.
Lợi dụng tính chất ghim áp của diode ( dòng qua diode tăng nhưng áp đặt lên diode hầu
như không đổi. Muốn được như vậy ta chọn sao cho điểm làm việc nằm trong đoạn
tuyến tính nhất(đoạn thẳng)).
𝑉 −3𝑉 2,422−3.0,7
Lúc này: 𝑅𝑉3 = 𝐴𝐵 𝐷 = −3
= 32.2Ω
𝐼𝐶𝑄9 10.10
Chọn RV =100R.sau đó hiệu chỉnh lại.
35
KS. Lê Hồng Nam
4.2.7 Tính toán transistor Q11 làm nguồn dòng:
- Q11 tạo dòng điện ổn định phân cực cho Q7 và ổn định điểm làm việc của cho hai
cặp Dalington ở tầng khuyếch đại công suất. Do nội trở nguồn dòng ở chế độ xoay
chiều lớn nên tăng hệ số khuyếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng với trở kháng
vào lớn của 2 cặp Dalington làm nâng cao hiệu suất của mạch.
- Dòng collector qua Q: 𝐼𝐶𝑄11 = 𝐼𝐶𝑄7 = 10 𝑚𝐴
- Chọn D4 D5 là diode D1N4007 .
Dòng qua hai diode là dòng phân áp cho Q11.
Chọn dòng phân áp 𝐼𝑝𝑎 = 10𝑚𝐴.Lúc này 𝑉𝐷 = 0,7𝑉.
𝑉𝑅8 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 30 − 0,7 − 0,7 = 28,6 𝑉
𝑉𝑅8 28,6
=> 𝑅8 = = = 2860 Ω
𝐼𝑝𝑎 10. 10−3
Chọn R8 = 2,2 𝑘Ω
𝑉𝐷4 +𝑉𝐷5 −𝑉𝐶𝐵 0,7+0,7−0,6
Tính chọn RV1: 𝑅𝑉4 = = = 80 Ω
𝐼𝐶𝑄1 10.10−3
• Chọn VR4 = 200 Ω sau đó tinh chỉnh lại.
Do Q11 hoạt động chế độ A được dùng làm nguồn dòng nên công suất tiêu tán lớn
nhất của nó là công suất tiêu tán tĩnh.
Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q9 là:
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸/𝑄11 = − 𝑉𝑅1 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄3 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄𝐵1 − 𝑉𝑅1
2
30
= − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 0,05.0,22
2
= 12,989 𝑉
=> 𝑃𝐷𝐶/𝑄11 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄11 . 𝐼𝐶𝑄11 = 12,989.3,2. 10−3 = 0,041
Vậy ta chọn Q9 thỏa các điều kiện sau:
𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑄9 = 3,2 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸/𝑄11 = 12,989 𝑉
𝑃𝐶 > 𝑃𝐷𝐶/𝑄11 = 0,041 𝑊
• Tra cứu Datasheet ta chọn Q11 2SA1013:
36
KS. Lê Hồng Nam
4.2.8 Tính chọn BJT thúc Q7:

Transistor Q7 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc và
đảo pha cho tầng công suất. Q7 được chọn làm việc ở chế độ A. Q7 có tải lớn nên hệ
số khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc của Q7 sao cho khi không có tín hiệu
vào điện thế vào cực E của 𝑄𝐵1, 𝑄𝐵2 ≈ 0, lúc này sụt áp trên tải ≈0.
Trở kháng tải của Q7 :
𝑍𝑡/𝑄7 = 𝑅𝐶0/𝑄1 // (𝑟𝑏𝑒2 + (1 + 𝛽2 ). 𝑍𝑡/𝑄2 )
với
𝑉𝑇
𝑍𝑡/𝑄7 = 𝑟𝑏𝑒2 + (1 + 𝛽2 ). 𝑍𝑡/𝑄2 = 𝛽2 + (1 + 𝛽2 ). 𝑍𝑡/𝑄2
𝐼𝐸𝑄/𝑄2
25
= 75. + (1 + 75). 238,4 = 18,63 𝐾Ω
3,67
Do đó: 𝑍𝑡/𝑄7 = 18,63 𝐾Ω vì 𝑅𝐶0/𝑄1 ≫ 18,63 𝐾Ω
Vì Q7 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà và gây ra méo tín hiệu, do
đó cần phải mắc hồi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc . Điện
trở R5, R6 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R6 còn làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC
cho Q7.
Do Q7 làm việc chế độ A, ta có thể chọn trước điện áp tĩnh trên điện trở hồi tiếp một
chiều R5, R6 là 0,9V.
Ta có: 𝑉𝑅5 + 𝑉𝑅6 = 0,9𝑉
𝑅5 𝑉𝑅5
=
𝑅6 𝑉𝑅6
Để tránh hồi tiếp âm quá nhiều làm giảm hệ số khuyếch đại của Q6, ta chọn R6 > R5.
𝐼𝐶𝑄1 = 𝐼𝐶𝑄7 = 8𝑚𝐴
𝑉𝑅5 + 𝑉𝑅6 0,9

=> 𝑅5 + 𝑅6 = = = 112,5 Ω
𝐼𝐶𝑄5 8. 10−3
𝑹𝟔 = 𝟔𝟐 Ω
Chọn {
𝑹𝟓 = 𝟒𝟕 Ω
Với hai giá trị này của trở thì áp rơi trên hai điện trở này là:
𝑉𝑅5𝑅6 = (𝑅5 + 𝑅6). 𝐼𝐶𝑄5 = (62 + 47). 8. 10−3 = 0,872𝑉
37
KS. Lê Hồng Nam
Điện thế trên cực C, E của Q7:
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = − 𝑉𝑉𝑅1 − 𝑉𝐸𝐵/𝑄4 − 𝑉𝐸𝐵/𝑄2 − 𝑉𝑅5𝑅6
2
30
= − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 0,872𝑉 = 12,128𝑉
2
Công suất tiêu tán tĩnh của Q7:
𝑃𝐷𝐶/𝑄7 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄7 . 𝐼𝐶𝑄7 = 12,128.8. 10−3 = 0,09𝑊
Vì Q7 làm việc ở chế độ A nên:
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄7 = 𝑃𝐷𝐶/𝑄7 = 0,09𝑊
Từ những tính toán trên ta chọn Q6 phải thỏa những điều kiện sau:
𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄7 = 8 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐶 = 30 𝑉
𝑃𝐶 > 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄7 = 0,09 𝑊
• Tra cứu Datasheet ta chọn Q7 2SC2383:
4.3 Tính toán tần nhận tín hiệu vào
38
KS. Lê Hồng Nam
Tính R7, R9
Chọn 𝛽𝑄7 = 180
𝐼𝐶𝑄7 10.10−3
=> 𝐼𝐵𝑄7 = = = 55,5 𝜇𝐴
𝛽𝑄7 150
Chọn: 𝐼𝐶𝑄7 = 10. 𝐼𝐵𝑄7 = 0,555 𝑚𝐴
Ta có : 𝐼𝑅7 = 𝐼𝐶𝑄7 − 𝐼𝐵𝑄7 = 0,555. 10−3 − 55,55. 10−6 = 0,49 𝑚𝐴

𝑉𝑅7 = 𝑉𝐵𝐸/𝑄6 + 𝑉𝑅5𝑅6 = 0,6 + 0,9 = 1,5𝑉
𝑉𝑅7 1,5
=> 𝑅7 = = = 3061 Ω
𝐼𝑅7 0,49. 10−3
Chọn R7,R9=3k
39
KS. Lê Hồng Nam
Mà 𝐼𝐸𝑄8 = 2. 𝐼𝐶𝑄7 = 2.0,555 𝑚𝐴 = 1,11 𝑚𝐴
Áp dụng KVL:
𝑉𝐷7 + 𝑉𝐷8 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄8 1,4 − 0,6
=> 𝑅𝑉4 = = = 720 Ω
𝐼𝐸𝑄8 1,11. 10−3
Chọn 𝐼𝐷8 = 10 mA
𝐼𝐸𝑄8 1,11.10−3
𝐼𝐵𝑄8 = = = 18,5 𝜇𝐴
𝛽𝑄8 60
30 − 𝑉𝐷7 − 𝑉𝐷8 30 − 0,7 − 0,7

=> 𝑅13 = = = 2865 Ω
𝐼𝐷8 − 𝐼𝐵𝑄8 8. 10−3 − 10,67. 10−6
Chọn R13=2.2k
Công suất tiêu tán tĩnh của Q7 :

𝑃𝐷𝐶/𝑄7 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄7 . 𝐼𝐶𝑄7 = 26,2.0,555. 10−3 = 14,5 𝑚𝑊
𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄8 = 0,555 𝑚𝐴

𝑃𝐶 > 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄8 = 14,5𝑚𝑊
• Ta chọn Q8, 2SA1013:
Ta có:
𝑉𝐶𝐸/𝑄9 = 30 − 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄8 = 30 − 26,2 − 0,6 = 13,2 𝑉
𝑃𝐷𝐶/𝑄9 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄9 . 𝐼𝐶𝑄9 = 13,2.1,11. 10−3 = 14,652 𝑚𝑊
𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄9 = 1,11 𝑚𝐴

𝑃𝐶 > 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄9 = 14,652 𝑚𝑊
• Ta chọn Q9 2SA1013:
40
KS. Lê Hồng Nam
4.4 Tính chọn trở kháng vào:
Để mạch hoạt động thì VBQ6 = VBQ7 = 15 ÷ 17V

Chọn 𝐼𝑅14 = 32 𝑚𝐴
30 − 15
=> 𝑅14 = = 468 𝑘Ω
𝐼𝑅14
Chọn R14 = 470 KΩ

𝑅14.𝑅15 470.103 .𝑅15
Ta có : 𝑍𝑖𝑛 = = = 250 𝐾Ω
𝑅14+𝑅15 470.103 +𝑅15
=> 𝑅15 = 510 𝐾Ω
Chọn R15 = 510 KΩ
Ta có : 𝑃𝑡𝑡𝐷𝐶/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 . 𝐼𝐶𝑄6 = 10.0,32. 10−3 = 7,467 𝑚𝑊

4.5. Mạch bảo vệ quá tải
4.5.1. Trường hợp quá tải:
Mạch quá tải khi Vin > 500(mV)
🡪 𝑉𝐿 > 12,65(𝑉 )
* Trường hợp quá tải lớn nhất khi Q1, Q2 xấp xĩ dẫn bão hoà
𝑉𝐶𝐶 30
𝑉𝐴 = 𝑉𝐿 = = = 15 (𝑉 )
2 2
𝑉 15
Dòng đỉnh qua tải: 𝐼′ 𝐿 = 𝐿 = = 3.75 (𝐴)
𝑅𝐿 4
1 2 𝐼𝐿 2 𝑉𝐿 2 𝑉𝐿 2 152
Công suất loa: 𝑃𝐿= . 𝐼𝐿ℎ𝑑 . 𝑅𝐿 = . 𝑅𝐿 = 𝑅𝐿 . = = = 28.125(𝑊 )
2 2 2𝑅𝐿 2 2𝑅𝐿 2.4
Công suất nguồn cung cấp:
𝐼′ 𝐿 3.75
𝑃𝐶𝐶= 𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝑇𝐵 = 35. = 30. = 35,7 (𝑊 )
𝜋 𝜋
Công suất tiêu tán trên điện trở R1, R2:
2
1 ′ 2 1 𝐼′ 𝐿 1
𝑃𝑅1= 𝑃𝑅2= . 𝐼 𝐿ℎ𝑑 . 𝑅1 = . . 𝑅2 = . 2.752 . 0,22 = 0.77 (𝑊 )
2 2 2 4
Do R1, R2 là 0,22 Ω/5W → R1, R2 không bị đánh thủng.
41
KS. Lê Hồng Nam
* Công suất tiêu tán trên BJT Q1,Q2 :
2𝑃𝐶 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝑅1 − 𝑃𝑅2 − 𝑃𝐿 = 26,14 − 2.0,38 − 15 = 10,38(𝑊 )
→ Q1,Q2 hoạt động bình thường.
4.5.2. Trường hợp ngắn mạch tải:

Khi ngắn mạch tải: 𝑅1 , 𝑅2 là tải của mạch.
Trường hợp nặng nhất là khi máy đang làm việc bình thường thì ngắn mạch tải,
áp xoay chiều cực đại lần lượt đặt lên 𝑅1 , 𝑅2 . Dòng qua 𝑅1 , 𝑅2 là:
𝑉𝐿 10.95
𝐼𝑅1= 𝐼𝑅2= = = 24,88 (𝐴)
2𝑅1 2.0,22
* Công suất tiêu tán trên 𝑅1 , 𝑅2 :

𝑃𝑅1= 𝑃𝑅2= 𝐼𝑅1 2 . 𝑅1 = 24,882 . 0,22 = 136 (𝑊 )
* Công suất do nguồn cung cấp:
𝐼𝐿 𝑉𝐶𝐶 𝑉 30.10,95
𝑃𝐶𝐶= 𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝑇𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 = . = = 475(𝑊)
𝜋 𝜋 𝑅1 𝜋. 0,22
* Công suất trên BJT 𝑄1 :
𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝑅1 − 𝑃𝑅2 475 − 2.136
𝑃𝐶= = = 101,5(𝑊 ) > 65(𝑊 )
2 2
→ Các BJT 𝑄1 và 𝑄2 sẽ bị đánh thủng.
→ 𝑃𝑅1 = 𝑃𝑅2 = 136 (𝑊 ) → 𝑅1 , 𝑅2 cũng bị đánh thủng.
4.5.3. Tính mạch bảo vệ Q5, Q6:
Bình thường, mạch bảo vệ 𝑄5 , 𝑄6 ngắt khi mạch khuếch đại công suất làm
việc, không ảnh hưởng đến hoạt động của mạch.
Khi ngắn mạch, dòng qua 𝑅1 , 𝑅2 tăng làm 𝑄5 , 𝑄6 dẫn, dòng 𝐼𝐶𝑄5 , 𝐼𝐶𝑄6 tăng
→𝐼𝐵3 , 𝐼𝐵4 giảm
Dòng đỉnh qua 𝑄1 và 𝑄2 là 2.26A
→ chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động :
𝐼′𝐸1𝑃 = 2.26 + 10%. 2.26 = 2.48𝐴
𝑉′𝑅1 = 𝑅1. 𝐼′𝐸1𝑃 = 2,48.2,788 = 6,9𝑉
* Chọn 𝐼𝐶𝑄5 = 𝐼𝐶𝑄6 = 1𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸8 = 𝑉𝐵𝐸3 + 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉’𝑅1 = 0,6 + 0,6 + 0,548 = 1,748𝑉
𝑃𝑡𝑡𝐷𝐶 = 𝑉𝐶𝐸5 . 𝐼𝐶5 = 1,75.1 = 1,75𝑚𝑊
* Chọn 𝑄5 , 𝑄6 thoả:
𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑄5 = 1𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑜 > 2𝑉𝐶𝐸8 = 3.49𝑉
𝑃𝑐 > 𝑃𝑡𝑡𝛴 , thường chọn 𝑃𝑐 > 2𝑃𝑡𝑡𝛴 = 3,49𝑚𝑊
Sau khi tra cứu ta chọn được đó là
Chọn 𝑄8 là 2SC1815, 𝑄9 là 2SA1015
2SC1815
42
KS. Lê Hồng Nam
2SA1015
43
KS. Lê Hồng Nam
𝐼𝐶𝑄5
𝐼𝐵𝑄5 = = 0,01𝑚𝐴
𝛽𝑚𝑖𝑛
* Chọn 𝐼𝑅15 >> 𝐼𝐵𝑄5
𝐼𝑅15 = 10. 𝐼𝐵𝑄5 = 10.0,01 = 0,1 (𝑚𝐴)
* Ở chế độ làm việc bình thường 𝑉𝐿𝑃 = 10.95(𝑉 ); 𝑉𝑅1𝑃 = 0,6(𝑉 )
* Để 𝑄5 , 𝑄6 ngắt mạch được tốt → Chọn 𝑉𝐵𝐸𝑄5 = 𝑉𝐵𝐸𝑄6 = 0,4𝑚𝐴
𝑉 0,6
𝑅15 + 𝑅17 = 𝑅1𝑃 = −3
= 6 𝑘Ω
𝐼𝑅15 0,1.10
𝑉𝐵𝐸𝑄8 0,4
𝑅17 = = = 4 𝑘𝛺
𝐼𝑅15 0,1.10−3
Chọn 𝑅17 = 3,9 𝑘𝛺
𝑅15 = 6 − 3.9 = 2.1 𝑘𝛺
Chọn 𝑅15 = 𝑅16 = 2,2𝑘𝛺 ;
𝑅17 = 𝑅18 = 3,9𝑘𝛺
𝑄5 , 𝑄6 , dẫn bão hoà khi 𝑉𝐵𝐸5 = 𝑉𝐵𝐸6 = 0,7V
𝑉 (𝑅 +𝑅 ) 0,7.6
𝑉𝑅1𝑃 = 𝐵𝐸5 15 17 = = 1.07𝑉
𝑅17 3,9
𝑉𝑅1𝑃 10.7
𝐼𝑅1 = = = 4,9𝐴
𝑅1 0,22
→ Khi dòng tăng lên 4,9 (A) thì mạch bảo vệ làm việc.
4.6 Tính các tụ:

- Tính tụ C1:
44
KS. Lê Hồng Nam
Ta chọn tụ C1 sao cho ở tầng số thấp nhất thì sụt áp trên tụ rất nhỏ so với
sụt áp trên loa để không ảnh hưởng đến tín hiệu ra trên loa.
1
Ta chọn 𝑋𝐶 = 𝑅𝐿
10
1 1 1
𝑋𝐶1 = = 𝑅𝐿 = 4 = 0,4𝛺
2𝜋.𝑓min𝐶1 10 10
1
⇒ 𝐶1 = = 6634𝜇𝐹
2.3,14.0,03.103 .0,4
Chọn C1 = 10000 𝝁𝑭
- Tính tụ C3: C3 là tụ liên lac ngõ vào nên để sụt áp trên tụ không ảnh
hưởng đến tín hiệu vào và chất lượng của mạch ta chọn tụ C3 sao cho
1
𝑋𝐶3 = 𝑍𝑖𝑛 = 12,5 𝑘
20
1 1
⇒ 𝐶3 = = = 0,42𝜇𝐹
2𝜋.𝑓min .Xc 2.3,14.0,03.103 .12,5.103
Chọn tụ C3 = 0,47 𝝁𝑭
-Tính tụ C4: C4 thoát xoay chiều cho cầu hồi tiếp VR5, R12. Chọn C3 sao
cho tỉ số hồi tiếp chỉ phụ thuộc vào VR5, R12 và sụt áp xoay chiều
trên C3 nhỏ hơn nhiều so với VR5.
1
Chọn 𝑋𝐶3 = 𝑅𝐿
10
1 1 1 1
𝑋𝐶3 = = 𝑉𝑅3 = . 693 = 69,3𝛺 ⇒ 𝐶1 =
2𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 𝐶3 10 10 2𝜋. 50.69,3
= 45,9𝜇𝐹
Chọn C4 = 100 𝝁F/50V
- Tính tụ C7:
Tụ C7 cùng với R16 tạo thành mạch lọc thông thấp lọc nhiễu (hài bậc
cao) từ nguồn để tránh hồi tiếp về tạo thành dao động tự kích.
1
𝑋𝐶8 = 𝑅16
10
10 10
⇒ 𝐶7 = = = 33,17𝜇𝐹
2𝜋.𝑓min.𝑅16 2.3,14.0,03.103 .1,6.103
Chọn tụ C7 = 33 𝝁𝑭
- Tính tụ C5 :
1
𝑋𝐶5 = (𝑅5 + 𝑅6 )
10
10 10
⇒ 𝐶5 = = = 330𝑢𝐹
2𝜋.𝑓min.(𝑅5 +𝑅6 ) 2.3,14.0,03.103 .109
Chọn tụ C5 = 330 𝝁𝑭
- Tính tụ 𝐶10 , 𝐶11
45
KS. Lê Hồng Nam
1
𝑋𝐶7 = 𝑅7
10
10 10
⇒ 𝐶10 = = = 10,61𝜇𝐹
2𝜋.𝑓max .𝑅23 2.3,14.15.103 .10
Chọn tụ C10 = 𝑪𝟏𝟏 =10 𝒖𝑭

- Tính tụ C6 :
1
𝑋𝐶7 = 𝑅17
10
10
⇒ 𝐶6 = = 0,47𝑛
2.3,14.15.103 .4.7
Chọn tụ C6 = 𝟎, 𝟒𝟕𝒏𝑭
4.7. Mạch cân bằng trở kháng loa
Cấu tạo của loa bao gồm một cuộn cảm và một điện trở có Z L = RL + j L. Như vậy
trở kháng loa phụ thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng lớn dẫn đến méo
tín hiệu. Mạch lọc Zobel là mạch ổn định trở kháng loa không đổi ở tần số cao. C mắc
nối tiếp với R và tất cả mắc song song với tải 𝑅𝐿 . Ở tần số cao tụ ngắn mạch giảm tải
ngõ ra tức là XL , XC 𝑅𝐿 không đổi.
1
Ta có: 𝑍𝐿 = (𝑅17 + // (𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿 ) )
𝐽𝜔𝐶
1 𝑅 𝐿
(𝑅17 + ) . (𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿 ) 𝑅17 . 𝑅𝐿 + 𝑅17 . 𝐽𝜔𝐿 + 𝐿 +
𝐽𝜔𝐶 𝐽𝜔𝐶 𝐶
= =
1 1
(𝑅17 + ) + (𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿 ) 𝑅17 + + 𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿
𝐽𝜔𝐶 𝐽𝜔𝐶
Để không phụ thuộc vào tần số thì 𝑍𝐿 = 𝑅𝐿
𝑅𝐿 𝐿
⇒ 𝑅17 . 𝑅𝐿 + 𝑅17 . 𝐽𝜔𝐿 + +
𝐽𝜔𝐶 𝐶
𝑅𝐿
= 𝑅17 . 𝑅𝐿 + + 𝑅𝐿 2 + 𝐽𝜔𝐿. 𝑅𝐿
𝐽𝜔𝐶
𝐿
⇒ = 𝑅𝐿 2 và 𝑅17 . 𝐽𝜔𝐿 = 𝐽𝜔𝐿. 𝑅𝐿 => 𝑅17 = 𝑅𝐿 = 4Ω
𝐶
Vì L của loa thường nhỏ ≈ 0,1𝜇𝐻

𝐿 0,1.10−6
⇒ 𝐶6 = = = 6,25𝑛𝑝
𝑅𝐿 2 42
Chọn C6 = 10nF
Ở tần số cao, tụ ngắn mạch, công suất trên R5 lớn nhưng không cần công suất chịu
đựng của R5 lớn vì nếu có thì đó cũng là những xung hẹp, biên độ nhỏ. Nên chọn R17 >
RL ⇒ trở kháng tải không đổi ⇒ chọn R17 = 4,7Ω
46
KS. Lê Hồng Nam
4.8 Kiểm tra độ méo phi tuyến:
Trong mạch hầu hết các linh kiện làm việc ở chế độ A chỉ có cặp
𝑄1 , 𝑄2 làm việc ở chế độ AB nên độ méo phi tuyến toàn mạch phụ thuộc
chủ yếu ở 𝑄1 , 𝑄2 .
Giả sử tín hiệu vào là hình sin và 𝑉𝑖𝑛 = 0,5𝑉. Lúc này điện áp đặt lên
tiếp giáp BE của 𝑄1 :𝑉𝐵𝐸1 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸1𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛 𝜔 𝑡
Trong đó: 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 0,6𝑉
𝑉𝐵𝐸𝑚 = 𝑉𝐵𝐸𝑝 − 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 1 − 0,6 = 0,4𝑉
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
Gọi 𝐼𝐶0 là dòng rỉ của 𝑄1 , 𝑄2 .𝐼𝐶 = 𝐼𝐶0 𝑒 𝑉𝑇 = 𝐼𝐶0 𝑒 𝑉𝑇 𝑒 𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
Khai triễn 𝑦 = 𝑒 𝑉𝑇 theo chuỗI Taylor:
𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝑦 =1+ 𝑠𝑖𝑛 𝜔 𝑡 + ( ) 𝑠𝑖𝑛2 ( 𝜔𝑡)+. . . ..
𝑉𝑇 2 𝑉𝑇
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại hài bậc cao và biến
1−𝑐𝑜𝑠(2𝜔𝑡)
đổi 𝑠𝑖𝑛2 ( 𝜔𝑡) = ta được:
2
2
1 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝑦 =1+ + 𝑠𝑖𝑛( 𝜔𝑡) − ( ) 𝑐𝑜𝑠( 2𝜔𝑡)
4 𝑉𝑇2 𝑉𝑇 4 𝑉𝑇
√∑𝑛 2
𝑖=2 𝐼𝑖𝑚
Theo định nghĩa méo phi tuyến: 𝛾 =
𝐼1𝑚
Trong đó : 𝐼1𝑚 : thành phần dòng cơ bản.
𝐼𝑖𝑚 : biên độ hài.
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:
𝑉2
𝐵𝐸𝑚
𝐼2𝑚 4𝑉2
𝑇 𝑉𝐵𝐸𝑚
𝛾= = 𝑉𝐵𝐸𝑚 =
𝐼1𝑚 4𝑉𝑇
𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 0,4
Khi chưa có hồi tiếp: 𝛾 = = =4
4𝑉𝑇 4.0,025
𝛾
Khi có hồi tiếp: 𝛾′ =
(1+𝑔𝑚 𝑅𝐿 )𝑔
g: độ sâu hồi tiếp: 𝑔 = 128,01
𝛽 𝐼 50𝑚𝐴
𝑔𝑚 hỗ dẫn: 𝑔𝑚 = 𝑄1 = 𝐸1𝑄 =
𝑟𝑏𝑒/𝑄1 𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝛾 4
𝛾′ = = 50 = 0,18% < 0,3%
(1+𝑔𝑚 𝑅𝐿 )𝑔 (1+ .8)128,01
25
Đáp ứng yêu cầu bài toán
4.9 Linh kiện sử dụng
47
KS. Lê Hồng Nam
Điện trở Biến trở Tụ Diode BJT
R1 0,22 RV1 200 C1 10000uF D1 1N4007 Q1 2SD718
R2 0,22 RV2 100 C3 0.47uF D2 1N4007 Q2 2SB688

R3 220 RV3 500 D3 1N4007 Q3 TIP41
R4 220 RV4 1k C4 100uF D4 1N4007 Q4 TIP42
R5 47 RV6 20k C5 330uF D5 1N4007 Q5 2SC1815
R6 62 C6 0.47nF D7 1N4007 Q6 2SA1015

R7 3k C7 33uF D8 1N4007 Q7 2SC2383
R8 2.2k C10 10uF Q8 2SA1013
R9 3k C11 10uF Q9 2SA1013
R10 2.2k Q10 2SA1013

R11 2.2k Q11 2SA1013
R12 250k
R13 2.7k
R14 470k
R15 510k
R16 200
R17 4.7
R18 3.9k
R19 3.9k
R20 2.2k
R21 2.2k
48
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 5: KIỂM TRA MẠCH KHUẾCH ĐẠI

- Mạch OTL vi sai được mô phỏng trên phần mềm PROTEUS để kiểm tra ở chế
độ tĩnh và chế độ AC. Mạch được chia làm 2 tầng (Tầng visai và tầng thúc+công suất)
để đo và kiểm tra từng tầng.
- Mạch in được sử dụng trên phần mềm ALTIUM
5.2 Kiểm tra mạch khuếch đại mô phỏng

5.2.1 Kiểm tra mạch khi không có tín hiệu vào
A, Tầng ngõ vào
- Hình ảnh
- Nhận xét
+ Nguồn cung cấp là 31,5V
49
KS. Lê Hồng Nam
+ 𝑉𝐵𝐸 = 0,67𝑉 nằm chính giữa giá trị điện áp min = 0,65V, max =
0,83V
+ 𝑉𝐶𝐸 = 9𝑉 nằm chính giữa giá trị điện áp min = 0,3V, max = 17,7V
+ Vậy giá trị đo được ở trên đủ điều kiện để BJT làm việc ở chế độ A
Q9 𝑉𝐵𝐸 = 0,69𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 11,5𝑉
Q8 𝑉𝐵𝐸 = 0,67𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 12,6𝑉
Q7 𝑉𝐵𝐸 = 0,67𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 13𝑉
B, Tầng thúc và tầng công suất
- Hình ảnh tầng thúc
50
KS. Lê Hồng Nam
- Nhận xét
- Q7:
- 𝑉𝐵𝐸 = 0,71𝑉 nằm chính giữa giá trị điện áp min = 0,65V, max = 0,83V
- 𝑉𝐶𝐸 = 13,95𝑉 nằm chính giữa giá trị điện áp min = 0,3V, max = 27,6V
- Vậy giá trị đo được ở trên đủ điều kiện để BJT làm việc ở chế độ A
51
KS. Lê Hồng Nam
Q7 𝑉𝐵𝐸 = 0,71𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 13,3𝑉
Q11 𝑉𝐵𝐸 = 0,74𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 12,5𝑉
- Hình ảnh tầng công suất
TIP41 𝑉𝐵𝐸 = 0,59𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 13,7𝑉
TIP42 𝑉𝐵𝐸 = 0,59𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 14,8𝑉
52
KS. Lê Hồng Nam
Vậy với giá trị đo được như trên BJT đủ điều kiện phân cực tĩnh để BJT hoạt động ở
chế độ AB
5.2.2 Kiểm tra khi mạch có tín hiệu ngõ vào
A, Tầng ngõ vào
- Hình ảnh
- Nhận xét
+ Tín hiệu cung cấp Vpp là 350mA
+ Tín hiệu ra là 1,09
+ Hệ số khuếch đại của tầng vi sai là xấp xỉ 3 lần
+ Tín hiệu ngõ ra ngược pha với tín hiệu ngõ vào
+ Tín hiệu ngõ ra không bị méo và không bị xén

- Tầng thúc
Hình ảnh
53
KS. Lê Hồng Nam
- Nhận xét
+ Tín hiệu ngõ ra có biên độ là 12,05V
+ Tín hiệu ngõ vào có biên độ là 0,35V
+ Hệ số khuếch đại xấp xỉ 34,4 lần
- Tầng công suất

Hình ảnh
54
KS. Lê Hồng Nam
- Nhận xét
+ Hệ số khuếch đại xấp xỉ 30,1 lần
- Tầng công suất

Hình ảnh
55
KS. Lê Hồng Nam
5.2.3 Kiểm tra tổng thể mạch khi có tín hiệu ngõ vào
- Sơ đồ mạch tổng thể
- Kết quả mô phỏng khi cấp tín hiệu vào
56
KS. Lê Hồng Nam
- Nhận xét
+ Tín hiệu ngõ ra cùng và với tín hiệu ngõ vào
+ Hệ số khuếch đại của mạch là xấp xỉ 31 lần
5.3 Kiểm tra mạch khuếch đại

5.3.1 Kiểm tra mạch khi không có tín hiệu ngõ vào
A, Tầng ngõ vào
57
KS. Lê Hồng Nam
58
KS. Lê Hồng Nam
Q10 𝑉𝐸𝐵 = 0,622𝑉 𝑉𝐸𝐶 = 10,99𝑉
Q8 𝑉𝐸𝐵 = 0,606𝑉 𝑉𝐸𝐶 = 12,72𝑉
Q9 𝑉𝐸𝐵 = 0,609𝑉 𝑉𝐸𝐶 = 13,27𝑉
VR1k = 521 Ω
VR500 = 255 Ω
VR20k = 7,92𝑘 Ω
Điện áp trung điểm: 15,25V
59
KS. Lê Hồng Nam
60
KS. Lê Hồng Nam
Q7 𝑉𝐵𝐸 = 0,638𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 12,51𝑉
Q10 𝑉𝐵𝐸 = 0,637𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 14,32𝑉
TIP41 𝑉𝐵𝐸 = 0,584𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 15,71𝑉
TIP42 𝑉𝐵𝐸 = 0,579𝑉 𝑉𝐶𝐸 = 14,65𝑉
VR100 = 23,7 Ω
VR200 = 93,2 Ω
Điện áp trung điểm: 15,23V
5.3.2 Kiểm tra mạch khi có tín hiệu ngõ vào

A, Tầng ngõ vào
61
KS. Lê Hồng Nam
+ Nhận xét
Cung cấp tín hiệu sin ngõ vào Vpp = 632mV

Tín hiệu ngõ ra hình sin Vpp = 2,16V
Hệ số khuếch đại xấp xỉ 3,4 lần
Dạng sóng ngõ ra không bị méo không bị xén và ngược pha với tín hiệu ngõ vào
Phù hợp với lý thuyết
Nhận xét
Tín hiệu ngõ vào cung cấp Vpp = 12mV

Tín hiệu ngõ ra là Vpp = 11,1V
Tín hiệu ngõ ra không bị méo không bị xén và ngược pha với tín hiệu vào.
5.3.3 Kiểm tra tổng thể mạch
62
KS. Lê Hồng Nam
Nhận xét
Cung cấp tín hiệu ngõ vào Vpp = 720mV

Tín hiệu ngõ ra có dạng sóng sin Vpp = 24V
Tín hiệu ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ ra.
Hệ số khuếch đại xấp xỉ 33,3 lần
Tín hiệu ngõ ra không bị xén không bị méo
Phù hợp với lý thuyết
63
KS. Lê Hồng Nam
5.4 Nhận xét mạch khuếch đại đã thi công
- Trong quá trình thi công mạch có nhiều sai sót dẫn đến việc đo đạt gặp khó khăn.
Linh kiện thực tế sai số so với mô phỏng. Mạch thực tế có sai số so với tính toán nhưng
không đáng kể.
5.5 Kết luận chương
Mạch OTL vi sai được chia thành 2 tầng là tầng vi sai và tầng thúc + công suất.
Mạch được thi công và đo kiểm tra ở 2 chế độ 1 chiều và xoay chiều.
Đối với 1 chiều: đo chế độ làm việc của các BJT khuếch đại.
Đối với xoay chiều: cung cấp tín hiệu ngõ vào sóng sin để đo tín hiệu ngõ ra ở
mỗi tầng.
Hệ số khuếch đại của mạch xấp xỉ 33,3 lần
Tín hiệu ngõ ra không bị xén và không bị méo
64
KS. Lê Hồng Nam
KẾT LUẬN:
Kết quả đạt được
Qua quá trình làm việc miệt mài, với sự giúp đỡ nhiệt tình của thầy Lê Hồng
Nam và thầy Huỳnh Thanh Tùng , nhóm đã đạt được những kết quả sau:
Thiết kế và chế tạo được mạch khuếch đại công suất âm tần OTL-15W có khả năng sử
dụng rộng rãi.
Đạt được những mục tiêu và yêu cầu ban đầu.
Vận dụng được nhiều kiến thức về khuếch đại công suất trong quá trình thi công.
Tìm hiểu được nhiều mẫu có thể sử dụng sau này.
Khả năng tìm tài liệu trên mạng.
Khả năng làm việc theo nhóm.
Những thuận lợi và khó khăn
Thuận lợi
• Nhờ những trang thiết bị của nhà trường, đã tạo điều kiện thuận lợi cho nhóm
trong quá trình tìm kiếm tài liệu trên mạng, cũng như trong quá trình thiết kế, thi
công và đo đạt mạch.
• Được sự hướng dẫn tận tình của thầy Lê Hồng Nam và thầy Huỳnh Thanh Tùng
trong suốt thời gian qua.
• Sử dụng các thiết bị đo đạc tại phòng thí nghiệm để kiểm tra sản phẩm.
Khó khăn
• Nhóm gặp nhiều khó khăn trong việc tìm tài liệu (khả năng sử dụng tiếng Anh
của nhóm còn hạn chế với những tài liệu nước ngoài).
• Mất nhiều thời gian trong quá trình thiết kế do phải lựa chọn nhiều phương án
nhằm đáp ứng yêu cầu đề ra ban đầu. Tuy nhiên vẫn còn nhiều chỗ chưa được
như ý muốn.
• Gặp khó khăn trong việc tìm kiếm linh kiện cho phù hợp với tính toán
• Hạn chế về mặt thời gian
65
KS. Lê Hồng Nam
CHƯƠNG 6: DATASHEET
66
KS. Lê Hồng Nam
67
KS. Lê Hồng Nam
68
KS. Lê Hồng Nam
69
KS. Lê Hồng Nam
70
KS. Lê Hồng Nam
71
KS. Lê Hồng Nam
72
KS. Lê Hồng Nam
73
KS. Lê Hồng Nam
74
KS. Lê Hồng Nam
75
KS. Lê Hồng Nam
TÀI LIỆU THAM KHẢO

1. Giáo trình lý thuyết mạch 1 và slide bài giảng thầy Tăng Anh Tuấn Đại Học Bách
Khoa Đà Nẵng.
2. Giáo trinh lý thuyết mạch 2 và slide bài giảng thầy Võ Tuấn Minh Đại Học Bách
Khoa Đà Nẵng.
3. slide bài giảng kỹ thuật mạch điện tử thầy Tăng Anh Tuấn Đại Học Bách Khoa
Đà Nẵng.
4. Sách kỹ thuật điện tử- Đỗ Xuân Thụ (chủ biên).
5. các website tham khảo:
Zobel network – Wikipedia:
https://en.wikipedia.org/wiki/Zobel_network#Zobel_networks_and_loudspeaker_d
rivers
Understanding, Calculating, and Measuring Total Harmonic Distortion (THD) –

All about circuit – by David Williams:
https://www.allaboutcircuits.com/technical-articles/the-importance-of-total-
harmonic-distortion
76

Bao Cao To 6 PBL2

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bao Cao To 6 PBL2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

Giáo viên hướng dẫn : Ts. Huỳnh Thanh Tùng

Sinh viên thực hiện : Nguyễn Văn Tấn -106200036

Lớp học phần : 20.38A

Lớp sinh hoạt : 20DT1

Đà Nẵng, ngày 27 tháng 12 năm 2022

PHIẾU ĐÁNH GIÁ QUÁ TRÌNH THỰC HIỆN ĐỒ ÁN MÔN HỌC

Phân công công việc

Lý thuyết: Chương 1,2,3

*Ý kiến của người hướng dẫn Đà Nẵng, ngày 27 tháng 12 năm

Lời Nói Đầu

1.1. Phân cực BJT:

Phân tích mạch:

Ưu điểm: dòng ra lớn, dễ thiết kế

Phân tích mạch:

1.1.3. Phân cực bằng cầu phân áp

Phân tích mạch:

Phân tích mạch:

1.2. Các cách mắc BJT

Sơ đồ tương đương xoay chiều

- Hệ số khuếch đại công suất: 𝐴𝑝 = 𝐴𝑉 . 𝐴𝑖

1.2.3. Mắc C chung

Sơ đồ mạch tương đương xoay chiều:

- Hệ số khuếch đại điện áp:

- Hệ số khuếch đại dòng:

1.2.4. Mắc B chung

Sơ đồ mạch tương đương xoay chiều:

- Hệ số khuếch đại dòng:

- Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính

Hệ số khuếch đại dòng hở:

Hệ số khuếch đại dòng hở:

Hệ số khuếch đại dòng hở:

(a) Hồi tiếp điện áp nối tiếp

2.3 Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp

- Khi không có hồi tiếp thì 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾. 𝐾𝑛

2.4 Tác dụng hồi tiếp lên mạch khuếch đại

2.4.2 Hồi tiếp dương

2.5 Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại

2.5.2 Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transistor

2.6. Tổng kết:

- Tín hiệu ra của chế độ A

Tín hiệu ra khuếch đại tuyến tính

3.2.2 Mạch khuếch đại chế độ B

- Tín hiệu ra của chế độ B

Chế độ B chỉ làm việc ở nữa chu kỳ tín hiệu

- Hiệu suất của mạch khuếch đại chế độ B

Nhưng tín hiệu ra của mạch sẽ bị méo xuyên tâm

- Ưu điểm: Hiệu suất lớn ≈ 78%

- Tín hiệu ngõ ra của mạch khuếch đại chế độ AB

- Ưu điểm: Hiệu suất cao, tín hiệu ra được bảo toàn.

3.3 Mạch khuếch đại Darlington

CHƯƠNG 4 : TÍNH TOÁN

4.2 Tính toán tầng thúc & công suất

4.2.1 Tính toán chọn R1,R2

• Tra cứu Datasheet ta chọn 2SD718 và 2SB688

4.2.3 Tính chọn R3, R4

Dòng Base tĩnh của QB1 :

4.2.4 Tính chọn cặp Q4, Q3 :

- Dòng emitter qua Q4 : 𝐼𝐸𝑄/𝑄4 = 𝐼𝑅3𝑄 + 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 = 2.77 + 0.89 = 3,66𝑚𝐴

𝐼𝐸𝑝/𝑄4 = 𝐼𝑅3𝑝 + 𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 = 6.423 + 50 = 56,423 𝑚𝐴

Khi đó trở kháng xoay chiều từ cực B QB1: