Baocaoda 0057

Đồ án môn học mạch điện tử GVHD: Ths.
Trần Thái Anh Âu
ĐỒ ÁN MẠCH ĐIỆN TỬ
I. Mục tiêu
1.1 Mục tiêu chung:
- Sinh viên nắm được quy trình thiết kế mạch điện tử ứng dụng.
- Sinh viên rèn luyện kỹ năng phân tích, thiết kế, thi công mạch điện tử.
1.2 Mục tiêu cụ thể:
- Kiến thức: nắm vững nguyên lý hoạt động của mạch dao động
- Kỹ năng: phân tích và thiết kế mạch, mô phỏng mạch bằng các phần miềm mô
phỏng, xây dựng mạch phần cứng.
- Thái độ: lên lớp đúng giờ, hoàn thành các phần đồ án đúng giờ, có thái độ tích
cực chủ động và tinh thần hợp tác khi làm việc nhóm.
II. Nội dung đồ án:“Thiết kế mạch điều khiển chỉnh lưu cầu 1 pha”
Sản phẩm của đồ án bao gồm bản thuyết minh và mạch thực tế.
Bản thuyết minh gồm các phần sau:
Chương I: Nguyên lý hoạt động của mạch
Chương II: Thiết kế mạch nguyên lý và mô phỏng mạch.
Chương III: Tính chọn linh kiện sử dụng trong mạch.
Chương IV: Chế tạo mạch thực tế.
III. Tài liệu tham khảo
[1] Bài giảng mạch điện tử - TS.Lê Quốc Huy.
[2] Giáo trình Điện tử công suất – Trần Văn Thịnh (Nhà xuất bản Khoa học và Kỹ
thuật 2009).
Đà Nẵng, ngày….tháng….năm 2015

Giáo viên hướng dẫn
Trần Thái Anh Âu
Kiểm tra tiến độ thực hiện đồ án của sinh viên:
Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 1

Đồ án môn học mạch điện tử GVHD: Ths. Trần Thái Anh Âu
MỤC LỤC
MỤC LỤC ................................................................................................................................. 2

MỞ ĐẦU .................................................................................................................................... 3
CHƯƠNG 1. ỨNG DỤNG VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MẠCH ............................ 4
1.1. Ứng dụng của mạch điều khiển chỉnh lưu cầu 1 pha. .................................................. 4
1.1.1. Yêu cầu của mạch điều khiển. ............................................................................... 4
1.1.2. Nhiệm vụ của mạch điều khiển.............................................................................. 4
1.2. Nguyên lý chung của mạch điều khiển. ........................................................................ 5
CHƯƠNG 2. THIẾT KẾ MẠCH NGUYÊN LÝ ........................................................................ 7
2.1. SƠ ĐỒ KHỐI ĐIỀU KHIỂN THYRISTOR .................................................................. 7
2.2. Nguyên lý hoạt động của từng khâu trong mạch. ......................................................... 8
2.2.1. Nguyên lý hoạt động khâu đồng pha. .................................................................... 8
2.2.2. Nguyên lý khâu so sánh ....................................................................................... 10
2.2.3. Nguyên lý hoạt động khâu tạo xung chùm. ......................................................... 11
2.2.4. Nguyên lý hoạt động khâu khuếch đại................................................................. 12
2.3. Sơ đồ mạch điều khiển. ............................................................................................... 13
............................................................................................................................................... 14
............................................................................................................................................... 14
............................................................................................................................................... 14
CHƯƠNG 3. TÍNH CHỌN LINH KIỆN SỬ DỤNG TRONG MẠCH .................................... 16
3.1. GIỚI THIỆU CÁC LINH KIỆN TRONG MẠCH. ...................................................... 16
3.1.1. ĐIỆN TRỞ ........................................................................................................... 16
3.1.2. Biến trở ................................................................................................................ 17
3.1.3. Tụ điện ................................................................................................................. 17
3.1.4. Diode .................................................................................................................... 17
3.1.5. TRANSISTOR ..................................................................................................... 19
3.1.6. OPAMP ................................................................................................................ 20
3.2. TÍNH TOÁN VÀ CHỌN LINH KIỆN TRONG MẠCH ............................................... 21
3.2.1. Tính máy biến áp xung. ....................................................................................... 22
3.2.2. Tính khâu khuếch đại xung .................................................................................. 24
3.2.3. Chọn cổng AND .................................................................................................. 25
3.2.4. Chọn tụ 𝐶3 𝑣à 𝑅9 ................................................................................................ 26
3.2.5. Tính chọn bộ tạo xung chùm. .............................................................................. 26
3.2.6. Tính chọn tầng so sánh. ....................................................................................... 27
3.2.7. Tính chọn khâu đồng pha..................................................................................... 28
3.2.8. Tạo nguồn nuôi .................................................................................................... 28
3.2.9. Tính toán máy biến áp nguồn nuôi và đồng pha .................................................. 29
3.2.10. Chọn các diode cho bộ chỉnh lưu nguồn nuôi: .................................................. 32
3.3. CHẠY MÔ PHỎNG MẠCH........................................................................................ 33
CHƯƠNG 4. CHẾ TẠO MẠCH THỰC TẾ PHÂN TÍCH YÊU CẦU .......ERROR! BOOKMARK NOT
DEFINED.

4.1. THIẾT KẾ MẠCH IN.....................................................Error! Bookmark not defined.
MỞ ĐẦU
Điện năng là một nguồn năng lượng chiếm vị trí quan trọng trong đời sống
sản suất. Năng lượng này hầu như là năng lượng điện xoay chiều. Trong khi đó
năng lượng điệu một chiều không kém phần quan trọng như:
+ Truyền điện cho động cơ điện một chiều
+ Cung cấp cho các mạch điện tử, sạc acquy.
Vì vậy, cần biến đổi năng lượng điện xoay chiều thành năng lượng điện
một chiều, để làm được điều này, ta dùng các bộ chỉnh lưu.
Chỉnh lưu là biến đổi điện áp xoay chiều thành điện áp một chiều, nghĩa là
biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều trên tải. Sự biến đổi đó
được thực hiện nhờ các thiết bị bán dẫn. Chỉ cho dòng điện đi qua theo một
chiều nhất định như: Diod, Tiristor…
Có 2 loại chỉnh lưu:
+ Chỉnh lưu không điều khiển (Diod): Không thay đổi được điện áp trên tải.
+ Chỉnh lưu có điều khiển (Tiristor): Thay đổi được điện áp trên tải.
Ở đây, ta chỉ xét về bộ chỉnh lưu cầu một pha có điều khiển.

CHƯƠNG 1. ỨNG DỤNG VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MẠCH
1.1. ỨNG DỤNG CỦA MẠCH ĐIỀU KHIỂN CHỈNH LƯU CẦU 1 PHA.
1.1.1. Yêu cầu của mạch điều khiển.
Mạch điều khiển là khâu rất quan trọng trong bộ biến đổi thyristor vì nó
đóng vai trò chủ đạo quan trọng trong việc quyết định chất lượng và độ tin cậy
của bộ biến đổi.
Yêu cầu của mạch điều khiển có thế tóm tắt trong 6 điểm chính sau:
 Độ rộng xung điều khiển
 Độ lớn xung điều khiển
 Yêu cầu về độ dốc của răng
 Sự đối xứng của xung trong các kênh điều khiển
 Yêu cầu về độ tin cậy:
Điện trở kênh điều khiển phải nhỏ để Thyristor không tự mở khi
dòng rò tăng. Xung điều khiển ít phụ thuộc vào giao động nhiệt độ, dao động
điện áp nguồn. Cần khử được nhiều cảm ứng để tránh mở nhầm.
Yêu cầu về lắp ráp và vận hành:
 Thiết bị thay thế dễ lắp ráp và điều chỉnh.

 Mỗi khối có khả năng làm việc độc lập cao.
1.1.2. Nhiệm vụ của mạch điều khiển.

Mạch điều khiển có nhiệm vụ tạo ra các xung ở vào những thời điểm mong
muốn để mở các van động lực của bộ chỉnh lưu.
Thyristor chỉ mở cho dòng điện chạy qua khi có điện áp dương đặt trên anốt và
có xung áp dương đặt vào cực điều khiển không còn tác dụng gì nữa.
Chức năng của mạch điều khiển:
+ Điều chỉnh được vị trí xung điều khiển trong phạm vi nửa chu kỳ dương của
điện áp đặt trên anot – katot của thyristor.

+ Tạo ra được các xung đủ điều kiện mở thyristor, độ rộng xung
tx < 10µs. Biểu thức độ rộng xung:
𝐼𝑑𝑡
𝑡𝑥 = 𝑑𝑖
𝑑𝑡
Trong đó: Idt là dòng điện duy trì của thyristor.
di/dt là tốc độ tăng trưởng của dòng tải.
Đối tượng cần điều chỉnh được đặc trưng bởi đại lượng điều khiển là góc 𝛼.
1.2. NGUYÊN LÝ CHUNG CỦA MẠCH ĐIỀU KHIỂN.

Mạch điều khiển thyristor có thể phân loại theo nhiều cách. Song các mạch điều
khiển đều dựa theo nguyên lý thay đổi góc pha và theo đó ta có 2 nguyên lý khống chế
ngang và khống chế đứng.
Khống chế ngang là phương pháp tạo góc 𝛼 thay đổi bằng cách dịch chuyển
điện áp sang hình sin theo phương ngang so với điện áp tựa.
 Nhược điểm của phương pháp này là góc 𝛼 phụ thuộc vào dạng điện áp và
tần số lưới, do đó độ chính xác của góc điều khiển thấp.
 Khống chế đứng là phương pháp tạo góc 𝛼 thay đổi bằng cách dịch chuyển
điện áp chủ đạo theo phương thẳng đứng so với điện áp tựa.
 Phương pháp này có độ chính xác cao và khoảng điều khiển rộng (0-180o)
 Có 2 phương pháp điều khiển thẳng đứng là: tuyến tính và arccos:
 NGUYÊN TẮC ĐIỀU KHIỂN THẲNG ĐỨNG TUYẾN TÍNH:
Theo nguyên tắc này người ta thường dùng hai điện áp:
 Điện áp đồng bộ Us, đồng bộ với điện áp đặt trên anod – catod của thyristor,
thường đặt vào đầu đảo của khâu so sánh.
 Điện áp điều khiển Uđk, là điện áp một chiều , có thể điều chỉnh được biên
độ. Thường đặt vào đầu không đảo của khâu so sánh .

Do vậy hiệu điện thế đầu vào của khâu so sánh là:
Ud = Uđk – Us
Khi Us = Uđk thì khâu so sánh lật trạng thái, ta nhận được sường xuống của
điện áp đầu ra của khâu so sánh. Sườn xuống này thông qua đa hài một trạng thái
bền ổn định tạo ra xung điều khiển.
Us
Uđk
-Usm
-Us
Uđk
ωt
π 2
α α π
Hình 1.1
Như vậy bằng cách làm biến đổi Uđk, ta có thể điều chỉnh được thời điểm
xuất hiện xung ra, tức là điều chỉnh góc α.
Giữa α và Uđk có quan hệ sau:
𝑈đ𝑘
𝛼=𝜋
𝑈𝑠𝑚𝑎𝑥
Người ta lấy Uđk max = Us max
 NGUYÊN TẮC ĐIỀU KHIỂN THẲNG ĐỨNG ARCCOS:

Theo nguyên tắc này người ta dùng hai điện áp:

 Điện áp đồng bộ Us vượt trước UAK = Um Sinωt của thyristor một góc
2
 Us = Um Cosωt.
 Điện áp điều khiển Uđk là điện áp một chiều, có thể điều chỉnh được biên độ
theo hai chiều dương và âm. Nếu đặt Us vào cổng đảo và Uđk vào cổng
không đảo của khâu so sánh thì:

Khi Us = Uđk , ta sẽ nhận được một xung rất mảnh ở đầu ra của khâu so sánh
khi khâu này lật trạng thái.
Um Cosα = Uđk ;
U cm
Do đó α = arcos( ) ;
Um
Khi Ucm = Um thì α = 0 ;

Khi Ucm = 0 thì α = ;
2
Khi Ucm = - Um thì α = π ;
Hình 1.2
Như vậy , khi điều chỉnh Ucm từ trị Ucm = +Um , đến trị Ucm = -Um ta có
thể điều chỉnh được góc α từ 0 đến α .
Nguyên tắc điều khiển thẳng đứng “arccos” được sử dụng trong các thiết
bị chỉnh lưu đòi hỏi chất lượng cao.
Ta chọn phương pháp điều khiển thẳng đứng tuyến tính.
CHƯƠNG 2. THIẾT KẾ MẠCH NGUYÊN LÝ
2.1. SƠ ĐỒ KHỐI ĐIỀU KHIỂN THYRISTOR

Để thực hiện được ý đồ đã nêu trong phần nguyên lý điều khiển ở trên, mạch
điều khiển bao gồm 3 khâu cơ bản:

Đồng pha
Uđk So sánh Tạo xung
Hình 2.1 Sơ đồ khối điều khiển Thyristor.
 NHIỆM VỤ CỦA CÁC KHÂU TRONG HÌNH TRÊN NHƯ SAU:
 Khâu đồng pha:
Tạo điện áp tựa URC (thường gặp là điện áp dạng răng cưa tuyến tính) trùng pha
với điện áp anod của Thyristor.
 Khâu so sánh:
So sánh giữa điện áp tựa URC với điện áp điều khiển Uđk, tìm thời điểm hai điện
áp này bằng nhau thì phát xung ở đầu ra để gửi sang tầng khuếch đại.
 Khâu tạo xung:
Tạo xung phù hợp để mở thyristor. Xung để mở thyristor có yêu cầu: sườn trước
dốc thẳng đứng để đảm bảo yêu cầu thyristor mở tức thời khi có xung điều khiển
(thường gặp loại xung này là xung kim hoặc xung chữ nhật), đủ độ rộng với độ rộng
xung lớn hơn thời gian mở của thyristor, đủ công suất, cách ly giữa mạch điều khiển
với mạch động lực (nếu điện áp động lực quá lớn).
2.2. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TỪNG KHÂU TRONG MẠCH.

2.2.1. Nguyên lý hoạt động khâu đồng pha.
Dùng khuếch đại thuật toán:

Tr1
R2
C1
+12
A R1
D1
B R3 -12
+ _
u1 A1 C
A2
-
+
-12 Ura
+12
Hình 2.2 Sơ đồ khâu đồng pha
Sóng UA có dạng hình sin.

Điện trở R1 để hạn chế dòng điện đi vào khuếch đại thuật toán A1.
 Xét nửa chu kì dương của UA:
Khi vA > 0 thì op-am A1 có v+ > v- (v-=0 do nối đất) nên ta có: vB = vsat
 Xét nửa chu kì âm của UA:
Khi vA < 0 thì op-am A1 có v+ < v- (v-=0 do nối đất) nên ta có: vB = -
vsat
Khi đó ta có dạng sóng của UB.
 Khi vB > 0 thì diode D1 dẫn, transistor Tr1 không dẫn, ta xét mạch tích phân
gồm: biến trở R3 , tụ C1 và op-am A2, lúc đó:
1 𝑡
𝑣𝐶 = − ∫0 𝑣𝐵 𝑑𝑡
𝑅3 𝐶1
𝑣𝐵 𝑡 𝑣𝐵
Vì vB không đổi trong khi vB > 0 nên: 𝑣𝐶 = − ∫0 𝑑𝑡 = − 𝑅 𝑡
𝑅3 𝐶1 3 𝐶1
 Khi vB < 0 thì diode D1 không dẫn, transistor Tr1 dẫn, vòng mạch gồm
transistor Tr1 và tụ C1 có tác dụng triệt tiêu phần âm của vB nên vC = 0.
Ta có dạng sóng URC.

Hình 2.3 Dạng sóng của UA, UB, UC.
2.2.2. Nguyên lý khâu so sánh

Dùng khuếch đại thuật toán:
Hình 2.4 Sơ đồ khâu so sánh
Trong op-am A3 ta có: v- = vRC + vDK ; v+ = 0 (nối đất).
Khi vRC > -vDK ⇔ vRC + vDK > 0 ⇔ v- > v+ ⇒ vD = - vsat.
Khi vRC < -vDK ⇔ vRC + vDK < 0 ⇔ v- < v+ ⇒ vD = vsat.

Hình 2.5 Dạng sóng UA, UB, UC, UD.
2.2.3. Nguyên lý hoạt động khâu tạo xung chùm.

Đối với sơ một đồ mạch, để giảm dòng công suất cho tầng khếch đại và tăng số
lượng cho xung kích mở, nhằm đảm bảo cho thyristor mở một cách chắc chắn, người ta
hay phát xung chùm cho các thyristor. Nguyên tắc phát xung chùm là trước khi vào
tầng khếch đại, ta đưa chèn thêm một cổng AND (&) với tín hiệu vào nhận từ tầng so
sánh và từ bộ phát xung chùm như hình vẽ.
Ngõ ra của cổng AND chỉ ở mức cao khi tất cả các ngõ vào đều ở mức cao. Sau
khi qua cổng AND, ta được UF
Từ so sánh
Tới khếch đại
Từ chùm xung AND
Hình 2.6 Sơ đồ phối hợp tạo xung chùm
Hình 2.7 Sơ đồ tạo xung chùm đa hài bằng khuếch đại thuật toán.
Giả sử lúc đầu vo = vE = vsat

𝑣𝑠𝑎𝑡 ∗𝑅6
⇒ 𝑣+ = và cùng lúc đó tụ C2 nạp điện theo phương trình:
𝑅6 +𝑅7
−𝑡
𝑣𝐶2𝑞đ (t) = 𝑘𝑣𝑠𝑎𝑡 (1 − 𝑒 𝑅8 𝐶 2 )
𝑣𝐶2𝑞đ (t) (hay v-) tăng cho đến khi 𝑣 − > = 𝑣+
𝑅6 +𝑅7
⇒ 𝑣𝑜 = −𝑣𝑠𝑎𝑡 ⇒ 𝑣 + = − và lúc này tụ C2 xả điện theo phương trình:
𝑅6 +𝑅7
−𝑡
𝑣𝐶2𝑞đ (t) = −𝑘𝑣𝑠𝑎𝑡 ∗ 𝑒 𝑅8𝐶2
𝑣𝐶2𝑞đ (t) (hay v-) giảm cho đến khi 𝑣 − < − = 𝑣+
𝑅6 +𝑅7
⇒ 𝑣𝑜 = 𝑣𝑠𝑎𝑡 ⇒ 𝑣 + = và lúc này tụ C2 lại nạp điện.
𝑅6 +𝑅7
Quá trình nạp và xả tiếp nối luân phiên như vậy tạo nên chùm xung đa hài UE.
Hình 2.8 Dạng sóng UE
2.2.4. Nguyên lý hoạt động khâu khuếch đại

+E
BAX
D3
C3 Tr2
uv R9 D2
Hình 2.9 Sơ đồ khâu khuếch đại
Với nhiệm vụ tạo xung phù hợp để mở thyristor như đã nêu ở trên, tầng
khuếch đại cuối cùng thường được thiết kế bằng transistor công suất như hình
vẽ. Để có xung dạng kim gửi đến thyristor, ta dùng biến áp xung (BAX), để có
thể khuếch đại công suất ta dùng Tr2, diode D2 và D3 bảo vệ Tr2 và cuộn dây sơ
cấp BAX khi Tr2 khóa đột ngột.
Trong thực tế xung điều khiển chỉ cần có độ rộng bé (cỡ khoảng 10 đến
200 𝜇𝑠), mà thời gian mở thông các transistor công suất dài (tối đa tới một nửa
chu kì _ 0.01 s), làm cho công suất tỏa nhiệt dư của transistor quá lớn và kích
thước dây quấn sơ cấp BAX lớn. Để giảm nhỏ công suất tỏa nhiệt Tr và kích
thước dây sơ cấp BAX, ta có thể thêm tụ nối tầng C3. Theo sơ đồ này, Tr2 chỉ mở
cho dòng điện chạy qua trong khoảng thời gian nạp tụ, nên dòng điện hiệu dụng
của chúng bé hơn nhiều lần.
2.3. SƠ ĐỒ MẠCH ĐIỀU KHIỂN.

14
GVHD: Ths. Trần Thái Anh Âu
R8
_
A
+ E
R7
C2 +E
R6 T1
BAX D4 R0
Tr1
R2 D3
C2 D5
R1
A D1 R3 _ C3
+ urc R4 _
A A2
Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1

u1 _ 1 A3 AND Tr2
B + C
Đồ án môn học mạch điện tử
R5 F
+ D
MBA Udk R9 D2
Hình 2.10
Sơ đồ nguyên lý mạch điều khiển
Hoạt động của mạch điều khiển ở hình vẽ được giải thích như sau:
Điện áp vào tại điểm A (UA) có dạng hình sin, trùng pha với anod của
thyristor, qua khuếch đại thuật toán A1 cho ta chuổi xung chữ nhật đối xứng UB.
Phần điện áp dương của điện áp chữ nhật UB qua điode D1 tới A2 tích phân thành
điện áp tựa Urc. Phần áp âm của điện áp UB làm mở thông Tranzitor Tr1, kết quả
là A2 bị ngắn mạch ( Với Urc = 0 ) trong vùng UB âm. Trên đầu ra của A2 ta có
chuổi điện áp răng cưa Urc gián đoạn.
Điện áp Urc được so sánh với điện áp điều khiển Uđk tại đầu vào của A3.
Tổng đại số Urc + Uđk quyết định dấu điện áp đầu ra của khếch đại thuật toán A3.
Trong khoảng thời gian từ 0 → t1 với Uđk > Urc , điện áp UD âm. Trong khoảng t1
→ t2, điện áp Uđk và Urc đổi ngược lại, làm cho UD lật lên dương. Các khoảng
thời gian tiếp theo giải thích điện áp UD tương tự.
Mạch đa hài tạo xung chùm A4 cho ta chuổi xung tần số cao, với điện áp
UE trên hình vẽ. Dao động đa hài có tần số hàng chục kHz, ở đây chỉ mô tả định
tính.
Hai tín hiệu UD và UE cùng được đưa tới khâu “AND ” hai cổng vào. Khi
đồng thời có cả hai tín hiệu dương UD , UE (Trong các khoảng t1 → t2 , t4 → t5)
ta sẽ có xung UF làm mở thông các Tranzitor, kết quả là ta nhận được chuổi xung
nhọn Xdk trên biến áp xung, để đưa tới mở thyristor T.
Điện áp Ud sẽ suất hiện trên tải từ thời điểm có xung điều khiển đầu tiên,
tại các thời điểm t2 , t4 trong chuổi xung điều khiển, của mổi chu kỳ điện áp
nguồn cấp, cho tới cuối bán kỳ điện áp dương anôt.
Hiện nay đã có nhiều hãng chế tạo các vi xử lý chuyên dụng để điều khiển
các thyristor rất tiện lợi. Tuy nhiên những linh kiện loại này chưa được phổ biến
trên thị trường.

CHƯƠNG 3. TÍNH CHỌN LINH KIỆN SỬ DỤNG TRONG MẠCH
3.1. GIỚI THIỆU CÁC LINH KIỆN TRONG MẠCH.

3.1.1. ĐIỆN TRỞ
 Khái niệm:
 Điện trở là sự cản trở dòng điện của một vật dẫn điện, nếu có vật dẫn
điện tốt thì điện trở nhỏ và ngược lại, vật cách điện có điện trở cực lớn .
 Điện trở dây dẫn là sự phụ thuộc vào chất liệu và tiết diện của dây dẫn
được tính theo công thức:
𝜌𝐿
𝑅=
𝑆
Trong đó: R là điện trở có đơn vị là Omh (Ω)
L là chiều dài của dây
S là tiết diện của dây dẫn
 Điện trở thực tế và trong các mạch điện tử:

Hình dáng và kí hiệu: Trong thực tế điện trở là một loại linh kiện điện tử
không phân cực nó là một linh kiện quan trọng trong các mạch điện tử , chúng được
làm từ hợp chất của cacbon và kim loại và được pha theo tỉ lệ mà tạo ra các con điện
trở có điện dung khác nhau.
Hình 3.1 Hình dạng của điên trở trong mạch điện tử

Hình 3.2 Ký hiệu điện trở
3.1.2. Biến trở

Biến trở là điện trở có thể thay đổi được các giá trị và có kí hiệu là VR có
hình dạng
Hình 3.3 Hình dạng và kí hiệu biến trở
3.1.3. Tụ điện
Tụ điện là một linh kiện thụ động và được sử dụng rất rộng rãi trong các mạch
điện tử, được sử dụng trong các mạch lọc nguồn, lọc nhiểu, mạch truyền tín hiệu, mạch
xoay chiều, mạch dao động …
Khái niệm: Tụ điện là linh kiện cản trở và phóng nạp khi cần thiết và được đặc
trưng bởi dung kháng phụ thuộc vào tần số điện áp:
𝟏
XC =
𝟐𝝅𝒇𝑪
Kí hiệu của tụ ddien trong sơ đồ nguyên lí là:
Hình 3.4 Ký hiệu tụ điện
3.1.4. Diode

Diode được cấu tạo từ 2 lớp bán dẫn tiếp xúc với nhau . Diode có 2 cực là Anot
và Ktot . Nó chỉ cho dòng điện đi theo một chiều từ Anot (A) sang Ktot (K) và nó
được coi như là van môt chiều trong mạch điện và được ứng dụng rộng rãi trong các
máy thu thanh truyền hình, mạch chỉnh lưu, ổn định điện áp .
 Tiếp giáp P - N và Cấu tạo của Diode bán dẫn.
 Khi đã có được hai chất bán dẫn là P và N, nếu ghép hai chất bán dẫn
theo
một tiếp giáp P - N ta được một Diode, tiếp giáp P -N có đặc điểm:
 Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuyếch
tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một lớp Ion
trung hoà về điện => lớp Ion này tạo thành miền cách điện giữa
hai chất bán dẫn.
Hình 3.5 Cấu tạo diode bán dẫn
Hình 3.6 Ký hiệu và hình dáng của Diode bán dẫn
 Ứng dụng của Diode bán dẫn.

Do tính chất dẫn điện một chiều nên Diode thường được sử dụng trong các
mạch chỉnh lưu nguồn xoay chiều thành một chiều, các mạch tách sóng, mạch gim áp
phân cực cho transistor hoạt động. trong mạch chỉnh lưu Diode có thể được tích hợp
thành Diode cầu.
3.1.5. TRANSISTOR
Là linh kiện điện tử được cấu tạo từ các chất bán dẫn dùng để khuếch đại tín
hiệu
Cấu tạo: Gồm 3 lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp P-N.
Nếu ghép thep thứ tự PNP ta có tran si trỏ thuân,nếu ghép theo thứ tự NPN ta có
Transitor nghịch. Về phương diện cấu tạo transitor tương đương với hai Diode có dấu
ngược chiều nhau.
Hình 3.7 Cấu tạo Transistor
Ba lớp đó được chia thành 3 cực: lớp giữa gọi là cực gốc kí hiệu là B (Base),
còn hai lớp bên ngoài nối thành cực phát Evà cực thu là C .Cực B rất mỏng và có nồng
độ tạp chất thấp, còn vùng bán dẫn E và C có bán dẫn xùng loại (N hay P) nhưng có
nồng độ tạp chất khác nhau nên ko thể hoán vị được. Transitor hoạt động như là một

khóa điện tử trong đó B là cực điều khiển. Dòng EC phụ thuộc hoàn toàn vào điện áp
đưa vào B.
Kí hiệu trong các sơ đồ

nguyên lý:
Hình 3.7 Hình dạng và kí hiệu của Transitor
Trong các mạch điện tử thì có hình dạng sau:
Hình 3.8 Hình dạng transitor
3.1.6. OPAMP
Đây là một vi mạch tương tự rất thông dụng do trong Op-Amps được tích hợp
một số ưu điểm sau:
Hai ngõ vào đảo và không đảo cho phép Op-Amps khuếch đại được nguồn tín
hiệu có tính đối xứng (các nguồn phát tín hiệu biến thiên chậm như nhiệt độ, ánh sáng,
độ ẩm, mực chất lỏng, phản ứng hoá-điện, dòng điện sinh học ... thường là nguồn có
tính đối xứng)
Ngõ ra chỉ khuếch đại sự sai lệch giữa hai tín hiệu ngõ vào nên Op-Amps có độ
miễn nhiễu rất cao vì khi tín hiệu nhiễu đến hai ngõ vào cùng lúc sẽ không thể xuất

hiện ở ngõ ra. Cũng vì lý do này Op-Amps có khả năng khuếch đại tín hiệu có tần số
rất thấp, xem như tín hiệu một chiều.
Hệ số khuếch đại của Op-Amps rất lớn do đó cho phép Op-Amps khuếch đại cả
những tín hiệu với biên độ chỉ vài chục mico Volt.
Do các mạch khuếch đại vi sai trong Op-Amps được chế tạo trên cùng một
phiến do đó độ ổn định nhiệt rất cao.
Điện áp phân cực ngõ vào và ngõ ra bằng không khi không có tín hiệu, do đó dễ
dàng trong việc chuẩn hoá khi lắp ghép giữa các khối (module hoá).
Tổng trở ngõ vào của Op-Amps rất lớn, cho phép mạch khuếch đại những
nguồn tín hiệu có công suất bé.
Tổng trở ngõ ra thấp, cho phép Op-Amps cung cấp dòng tốt cho phụ tải.
Băng thông rất rộng, cho phép Op-Amps làm việc tốt với nhiều dạng nguồn tín
hiệu khác nhau . . . Tuy nhiên cũng như các vi mạch khác, Op-Amps không thể làm
việc ổn định khi làm việc với tần số và công suất cao.
 Hình dạng và kí hiệu của Op-Amp:
Trong sơ đồ mạch điện:
Hình 3.9 ki hiệu Op- Amp
Trong các mạch điện tử thì nó có hình dạng sau:
Hình 3.10 Hinh dạng Op- Amp
3.2. TÍNH TOÁN VÀ CHỌN LINH KIỆN TRONG MẠCH

Mạch điều khiển được tính xuất phát từ yêu cầu mở Thyristor, do đó ta có các
thông số cơ bản để tính mạch điều khiển:
 Điện áp điều khiển Thyristor: 𝑈đ𝑘 = 3.0 𝑉
 Dòng điện điều khiển Thyristor: 𝐼đ𝑘 = 𝐼𝑔 = 0.1 𝐴
 Thời gian mở Thyristor: 𝑡𝑚 = 80 𝜇𝑠.
 Độ rộng xung điều khiển: 𝑡𝑥 = 167 𝜇𝑠.
 Tần số xung điều khiển: 𝑓𝑥 = 3𝑘𝐻𝑧
 Độ mất đối xứng cho phép: ∆𝛼 = 30
 Điện áp nuôi mạch điều khiển: U = ±12 𝑉
 Mức sụt biên độ xung: 𝑠𝑥 = 0.15
3.2.1. Tính máy biến áp xung.

Chọn vật liệu làm lõi là sắt ferit HM, lõi có dạng hình xuyến làm việc trên một
phần đặc tính của từ hóa có ∆𝐵 = 0.3𝑇; ∆𝐻 = 30 A/m không có khe hở không khí.
+ Tỉ số biến áp xung: thường m = 2 ÷ 3, chọn m = 3
+ Điện áp thứ cấp của MBA xung: 𝑈2 = 𝑈đ𝑘 = 3 𝑉
+ Điện áp đặt lên cuộn sơ cấp MBA áp xung: 𝑈1 = 𝑚𝑈2 = 3 ∗ 3 = 9 𝑉
+ Dòng điện thứ cấp máy biến áp xung: I2 = Iđk = 0.1 A
+ Dòng điện sơ cấp của MBA xung:
𝐼2 0.1
𝐼1 = = = 0.033
𝑚 3
+ Độ từ thẩm trung bình tương đối của lõi sắt:
∆𝐵 0.3
𝜇𝑡𝑏 = = = 8. 103
𝜇0 . ∆𝐻 1,25.10−6 .30
Trong đó 𝜇0 = 1.25 ∗ 10−6 (H/m) là độ từ thẩm của không khí.

Thể tích của lõi thép cần có:
μtb .𝜇0 .𝑡𝑥 .𝑠𝑥 .𝑈1 .𝐼1

𝑉 = 𝑄. 𝑙 =
∆𝐵2
Thay số:
8.103 .1,25.10−6 .167.10−6 .0,15 .9. 0,0333

𝑉= = 0,834. 10−6 (𝑚3 ) = 0,834 (𝑐𝑚3 )
0.32
Chọn được mạch từ có thể tích V = 1.4 𝑐𝑚3 và kích thước cụ thể như sau:
a = 4,5 mm ; b = 6 mm ; Q = 0,27 cm2 = 27 mm2 ; d = 12 mm ; D = 21 mm.
Chiều dài trung bình mạch từ: l = 5,2 cm.
Hình 3.11 Hình chiếu lõi máy biến áp xung
 Số vòng dây sơ cấp máy biến áp xung:

Theo định luật cảm ứng điện từ
𝑑𝐵 ∆𝐵
𝑈1 = 𝑊1 . 𝑄. = 𝑊1 . 𝑄.
𝑑𝑡 𝑡𝑥
𝑈1 .𝑡𝑥 9.167.10−6
𝑊1 = = = 186 (vòng)
∆𝐵.𝑄 0,3.27.10−6
 Số vòng dây thứ cấp:

𝑊1 186
𝑊2 = = = 62 (vòng)
𝑚 3
 Tiết diện dây quấn thứ cấp:

𝐼1 33,3.10−3
𝑆1 = = = 0.0056 (𝑚𝑚2 )
𝐽1 6
Chọn mật độ dòng điện J1 = 6 A/mm2
+ Đường kính dây quấn sơ cấp:
4𝑆1 4.0,0056
𝑑1 = √ =√ = 0.084 (𝑚𝑚)
𝜋 𝜋
Chọn 𝑑 = 0.1 (𝑚𝑚)
+ Tiết diện dây quấn thứ cấp:

𝐼2 0.1
𝑆2 = = = 0.025 (𝑚𝑚2 )
𝐽2 4
Chọn mật độ dòng điện J2 = 4 A/mm2
 Đường kính dây quấn thứ cấp:

4𝑆2 4.0,025
𝑑1 = √ =√ = 0.178 (𝑚𝑚)
𝜋 𝜋
Chọn dây có đường kính d2 = 0,18 mm.
 Kiểm tra hệ số lấp đầy:

𝑆1 𝑊1 +𝑆2 𝑊2 𝑑12 𝑊1 +𝑑22 𝑊2 0,12 .186+0,182 .62
𝐾𝑙đ = 𝑑2
= = = 0.03
(𝜋+ 𝑑 122
4
3.2.2. Tính khâu khuếch đại xung

Chọn tranzitor công suất Tr2 loại 2SC1815 làm việc ở chế độ xung, có các thông
số sau:
Tranzitor loại NPN, vật liệu bán dẫn là Si.
+ Điện áp giữa colectơ và bazơ khi hở mạch emitơ: 𝑈𝐶𝐵𝑂 = 40 (𝑉 )

 Điện áp giữa emitơ và bazơ khi hở mạch colecto: 𝑈𝐸𝐵𝑂 = 4 (𝑉 )

+ Dòng điện lớn nhất mà colectơ có thể chịu được: 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 500 (𝑚𝐴)
+ Công suất tiêu tán ở colectơ: 𝑃𝑐 = 1.7 (𝑊 )
+ Nhiệt độ lớn nhất ở mặt tiếp giáp: 𝑇1 = 1750 𝐶
+ Hệ số khuếch đại: 𝛽 = 50
+ Dòng làm việc của colectơ: 𝐼𝑐3 = 𝐼1 = 33.3 (𝑚𝐴)
𝐼𝑐3 33,3
+ Dòng làm việc của bazơ: 𝐼𝐵3 = = = 0,66 (𝑚𝐴)
𝛽 50
Ta thấy rằng với loại Thyristor đã chọn có công suất điều khiển khá bé:
𝑈đ𝑘 = 3 (𝑉 ) 𝐼đ𝑘 = 0.1 (𝐴)nên dòng colectơ – bazơ của transistor Tr3 khá bé,
trong trường hợp này ta có thể không cần transistor Tr2 mà vẫn có đủ công suất điều
khiển Transistor.
Chọn nguồn cấp cho biến áp xung E = +12 (V), với nguồn E = 12 (V) ta phải
mắc thêm điện trở 𝑅10 nối tiếp với cực Emitơ của 𝑇𝑟3 , 𝑅1 :
𝐸−𝑈1 12−9
𝑅10 = = ≈ 90 (Ω)
𝐼1 33,3.10−3
Tất cả các Diode trong mạch điều khiển đều dùng loại 1N4007 có tham số:
+ Dòng điện định mức: 𝐼đ𝑚 = 50 (µ𝐴)
+ Điện áp ngược lớn nhất: 𝑈𝑁 = 700 (𝑉 )
+ Điện áp để cho Diode mở thông: 𝑈𝑚 = 1 (𝑉 )
3.2.3. Chọn cổng AND

Ta chọn IC 74HC08 họ 74xx. Mỗi IC 74HC08 có 4 cổng AND.
Các thông số của cổng AND là:
+ Nguồn nuôi IC: 𝑉𝑐𝑐 = 2 ÷ 6 𝑉, 𝑡𝑎 𝑐ℎọ𝑛 𝑉𝑐𝑐 = 12𝑉
+ Nhiệt độ làm việc: 𝑇𝑙𝑣 = −400 𝐶 ÷ 800 𝐶
+ Điện áp ứng với mức logic ‘1’: 2 ÷ 4.5 𝑉
+ Dòng điện: I < 1 mA

+ Công suất tiêu thụ: P = 2,5 (nW/1 cổng).
Hình 3.13 Sơ đồ chân IC74HC08
3.2.4. Chọn tụ 𝑪𝟑 𝒗à 𝑹𝟗
Điện trở R9 dùng để hạn chế dòng điện đưa vào bazơ của transistor Tr3,
chọn R9 thỏa mãn điều kiện:
𝑈 4,5
𝑅9 ≥ = = 6,757 (kΩ)
𝐼𝐵3 0,66. 10−3
Chọn 𝑅9 = 6.8 𝑘Ω
Chọn 𝐶3 𝑠𝑎𝑜 𝑐ℎ𝑜 𝐶3 ∗ 𝑅9 ≤ 𝑡𝑥
𝑡𝑥 167
=> 𝐶3 ≤ = = 0,024(𝜇𝐹)
𝑅9 6.8∗103
Chọn 𝐶3 = 22n𝐹
3.2.5. Tính chọn bộ tạo xung chùm.

Mỗi kênh điều khiển phải dùng 4 khuếch đại thuật toán, do đó ta chọn IC loại
TL084 do hãng Texas Instrument chế tạo, mỗi IC này có 4 khuếch đại thuật toán.
Thông số của TL084:
+ Điện áp nguồn nuôi: 𝑉𝑐𝑐 = ± 18𝑉 chọn Vcc = ± 12𝑉
+ Hiệu điện thế giữa hai đầu vào: ± 30𝑉
+ Nhiệt độ làm việc: T = -25 ÷ 850 𝐶

+ Công suất tiêu thụ: P = 0.68 W

+ Tổng trở đầu vào: 𝑅𝑖𝑛 = 106 MΩ
+ Dòng điện đầu ra: 𝐼𝑟𝑎 = 30 𝑝𝐴
+ Dòng điện đầu vào: 𝐼𝑣 = 1 𝑚𝐴
𝑑𝑢
+ Tốc độ biến thiên điện áp cho phép: = 13 (𝑉/𝜇𝑠)
𝑑𝑡
Hình 3.14 Sơ đồ chân IC TL084

1
Mạch tạo xung chùm có tần số f = = 3 kHz, hay chu kỳ của xung
2𝑡𝑥
chùm:
1
𝑇 = = 334 𝜇𝑠.
𝑓
𝑅6
Ta có: 𝑇 = 2𝑅8 𝐶2 . 𝑙𝑛(1 + 2 )
𝑅7
Chọn: 𝑅6 = 𝑅7 = 33 𝑘Ω 𝑡ℎì 𝑇 = 2,2. 𝑅8 . 𝐶2 = 334 𝜇𝑠
Vậy ta có: 𝑅8 . 𝐶2 = 151,8 𝜇𝑠.
Chọn tụ 𝐶2 = 0,1 𝜇𝐹 𝑐ó đ𝑖ệ𝑛 á𝑝 𝑈 = 16𝑉 ⇒ 𝑅8 = 1.518 𝑘Ω
Để thuận tiện cho việc điều chỉnh khi lắp mạch, ta chọn 𝑅8 là biến trở 2
𝑘Ω.
3.2.6. Tính chọn tầng so sánh.

Mỗi kênh điều khiển có 1 khuếch đại thuật toán đóng vai trò tầng so sánh ta
chọn loại IC TL084 như trên.
𝑈𝑣 12
Chọn 𝑅4 = 𝑅5 > = = 12 𝑘Ω
𝐼𝑣 1.10−3
Trong đó nếu nguồn nuôi 𝑉𝑐𝑐 = ±12 𝑉, thì điện áp vào A3 là 𝑈𝑣 = 12𝑉. Dòng
điện vào được hạn chế để Ilv < 1 mA.

12
Do đó ta chọn R4 = R5 =15 kΩ, khi đó dòng điện vào A3: 𝐼𝑣𝑚𝑎𝑥 = =
15.103
0.8 𝑚𝐴
3.2.7. Tính chọn khâu đồng pha
Điện áp tựa được hình thành do sự nạp của tụ C1. Mặt khác để bảo đảm điện
áp tựa có trong nửa chu kì điện áp lưới là tuyến tính và các đường răng cưa có đỉnh
nhọn tại cuối các bán kì thì hằng số thời gian tụ nạp được Trc chọn cỡ khoảng (0,003 ÷
0,005)s.
Ta chọn: Trc= R3.C1=0,005 s Chọn tụ C1=0,1 𝜇𝐹 thì điện trở
𝑇𝑟 0,005
𝑅3 = = −6
= 50. 103 Ω = 50 𝑘Ω
𝐶1 0,1.10
Để thuận tiện cho việc điều chỉnh khi lắp ráp mạch, R3 thường được chọn là
biến trở lớn hơn 50 𝑘Ω để điều chỉnh.
Chọn Tranzitor Tr1 loại A564 có các thông số:
+ Tranzitor loại PNP làm bằng Si.
+ Điện áp giữa Emitor và Bazơ khi hở mạch emitơ: UCBO = 25 V
+ Điện áp giữa Emitor và Bazơ khi hở mạch collector: UBEO = 7 V
+ Dòng điện lớn nhất ở collector có thể chịu đựng: ICmax = 100mA
+ Nhiệt độ lớn nhất ở mặt tiếp giáp: TCP=150oC
+ Hệ số khếch đại: β=250
𝑰𝑪 𝟏𝟎𝟎
+ Dòng cực đại của Bazơ: IB3= = =0,4 A
𝜷 𝟐𝟓𝟎
+ Điện trở R2 để hạn chế dòng điện đi vào bazơ transistor Tr1 chọn như sau:
Chọn R2 thỏa mãn điều kiện:
𝑼𝑵.𝒎𝒂𝒙 𝟏𝟐
𝑹𝟐 ≥ ≈ = 𝟑𝟎 𝒌𝛀
𝑰𝑩 𝟎,𝟒.𝟏𝟎−𝟑
+ Chọn R2= 30 k𝛀
+ Chọn điện áp đồng pha: UA = 9 V
Điện trở R1 để hạn chế dòng điện đi vào khuếch đại thuật toán A1, thường chọn
R1 sao cho dòng vào khuếch đại thuật toán Iv < 1mA.
𝑼𝑨 𝟗
Do đó R1 ≥ = = 9 kΩ
𝑰𝒗 𝟏.𝟏𝟎−𝟑
+ Chọn R1=10 k𝛀
3.2.8. Tạo nguồn nuôi

Ta cần nguồn ± 12 V để cấp cho máy biến áp xung nuôi IC và 4 khuếch đại
thuật toán.
Hình 3.15 Sơ đồ tạo nguồn nuôi
Ta dùng mạch chỉnh lưu cầu 1 pha dùng điốt, điện áp thứ cấp máy biến áp
nguồn nuôi: U2= 9 V
Để ổn định điện áp ra của nguồn ta dùng 2 vi mạch ổn áp 7812 và 7912, các
thông số chung của vi mạch này như sau:
+ Điện áp đầu vào: UV = 7 ÷ 35 V
+ Điện áp đầu ra:
Ura= 12V với IC 7812
Ura= -12V với IC 7912
+ Dòng điện đầu ra: Ira = 0 ÷ 1 A
Tụ điện C4, C5 dùng để lọc thành phần sóng hài bậc cao.
+ Chọn: C4 = C5= C6 =C7 = 470 µF; Uv = 35 V
3.2.9. Tính toán máy biến áp nguồn nuôi và đồng pha

Ta thiết kế máy biến áp dùng cho cả 3 việc tạo điện áp đồng pha và tạo nguồn
nuôi. Chọn kiểu máy biến áp 1 pha 1 trụ, trên trụ có 3 cuộn dây: 1 cuộn sơ cấp và 2
cuộn thứ cấp
+ Điện áp lấy ra ở thứ cấp máy biến áp làm điện áp đồng pha, lấy ra thứ cấp làm
nguồn nuôi: U2 = U2đp = UN =9 (V)

+ Dòng điện thứ cấp máy biến áp đồng pha: I2đp =1 (mA)
+ Công suất nguồn nuôi cấp cho biến áp xung:
Pđp= 6.I2dp.U2dp =6.9.1.10-3= 0.054 (W)
+ Công suất tiêu thụ của 6 IC TL084 sử dụng làm khuếch đại thuật toán, ta chọn
2 IC TL084 để tạo 6 cổng AND.
P8IC = 8.PIC = 8. 0,68 = 5.12 (W)
+ Công suất biến áp xung cấp cho cực điều khiển Thyristor:
Px= 6.Uđk.Iđk=6.3.0,1 = 1,8 (W).
+ Công suất sử dụng cho việc tạo nguồn nuôi:
PN =Pđp+ P8IC+Px
PN = 0,056 + 5,12 + 1,8 = 6,976 (W)
+ Công suất của máy biến áp có kể đến 5% tổn thất trong máy:
S= 1,05. (Pdp + PN) = 1,05. (0,054 + 6,976) = 7,38 (VA)
+ Dòng điện thứ cấp máy biến áp:
S 7,38
I2 = = = 0.137 (A)
6.𝑈2 6.9
+ Dòng điện sơ cấp máy biến áp:
S 7,38
I2 = = = 0.0112 (A)
3.𝑈1 3.220
+ Tiết diện trụ của MBA được tính theo công thức kinh nghiệm:
𝑆 7,38
QT = kQ.√ = 6.√ =1,33 (cm2)
𝑚.𝑓 3.50
Trong đó: kQ= 6 là hệ số phụ thuộc phương thức làm mát.
m=3 là số trụ của MBA.

f = 50 Hz là tần số điện áp lưới.
Ta chọn lõi thép hình chữ E, có độ từ cảm B=1T có kích thước như hình vẽ
Hình 3. 16 Lõi thép chữ E
Chuẩn hóa thiết diện trụ ta có: Qfe = 1,63 cm2

Kích thước mạch từ lá thép dày 𝛿 = 0,5 mm
Số lượng lá thép: 68 lá ; a = 12 mm ; b = 16 mm ; h = 30 mm.
Hệ số ép chặt ke = 0,85.
+ Chọn mật độ từ cảm B = 1 T ở trong trụ, ta có số vòng dây sơ cấp:
𝑈1 220
W1= = = 6080 (vòng)
4.44𝑓.𝐵.𝑄𝑓𝑒 4,44.50.1.1,63.10−4
+ Chọn mật độ dòng điện J1=J2 = 2.75 A/mm2

+ Ta có tiết diện dây quấn sơ cấp:
𝑆 7.83
S1= = = 0.0043 (mm3)
3.𝑈1. 𝐽1 3.220.2,75
+ Đường kính dây quấn sơ cấp:
4𝑆1 4.0,0043
𝑑1 = √ =√ = 0.074 𝑚𝑚
𝜋 3,14
+ Chọn d1 = 0,1 mm để đảm bảo độ bền cơ.

+ Đường kính có thể cách điện: dlcd = 0,12 mm.
+ Số vòng dây quấn thứ cấp:
𝑈2 9
W2 = W1. = 6080. = 249 (vòng)
𝑈1 220

+ Ta có tiết diện dây quấn thứ cấp:

𝑆 7,83
S2 = = = 0,053 (mm2)
6.𝑈2 .𝐽2 6.9.2,75
+ Đường kính dây quấn thứ cấp:
4𝑆2 4.0,053
𝑑2 = √ =√ = 0.26 𝑚𝑚
𝜋 3,14
+ Chuẩn hóa đường kính: d2 = 0,26 mm.

+ Đường kính có thể đến cách điện: d2cd = 0,31 mm
+ Chọn hệ số lấp đầy: kld = 0,7.
𝜋 2 2
(𝑑 𝑊 +𝑑2𝑐𝑑. 𝑊1 )
4 1𝑐𝑑. 1
Với: 𝑘𝑙𝑑 =
𝑐.ℎ
+ Chiều rộng cửa sổ:

𝜋 2 2 2.𝜋
(𝑑 𝑊 +𝑑2𝑐𝑑. 𝑊1 ) (0,122 .6080 + 0,312 .249)
4 1𝑐𝑑. 1 4
c = = = 8,3 𝑚𝑚
𝑘𝑙𝑑 .ℎ 0,7.30
Chọn c = 12 mm.
+ Chiều dài mạch từ: L = 2c + 3a = 2.12 +3.12 = 60 mm
+ Chiều cao mạch từ: H = 2a + h =2.12 + 30 = 54 mm
3.2.10. Chọn các diode cho bộ chỉnh lưu nguồn nuôi:
+ Dòng điện hiệu dụng qua diode:
𝐈𝟐 𝟎,𝟏𝟑𝟕
IDhd = = = 0,099 (A)
√𝟐 √𝟐
+ Điện áp ngược lớn nhất mà diode phải chịu:

UNmax = √𝟔 .U2= √𝟔. 9 = 22 (V)
+ Chọn diode có dòng định mức:
Iđm ≥ Ki.IDhd = 10.0,099 = 1 (A) (Ki = 10_hệ số dự trữ dòng điện)
+ Chọn diode có điện áp ngược lớn nhất:
UDng-max = Ku. Ung-max = 2.22 = 44 (V) (Ku = 2 hệ số dự trữ điện áp)
Chọn diode loại: KII208A có các thông số sau:
+ Dòng điện định mức: Iđm = 1,5 A.
+ Điện áp ngược cực đại của diode: UN = 100 V.

3.3. CHẠY MÔ PHỎNG MẠCH
Hình 3.17 Hình mô phỏng

Dạng điện áp của các khâu trong mạch
 Ua
 Ub
 Uc và Uđk

 Khi Uđk= -11v
Ta thấy Uđk không cắt Uc nên Ud có dạng đường thẳng
 Khi Uđk= -3v

 Khi Uđk= -5v
Ta thấy khi thay đổi Uđk thì góc mở 𝛼 cũng thay đổi

Baocaoda 0057

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Baocaoda 0057

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Đồ án môn học mạch điện tử GVHD: Ths.

Trần Thái Anh Âu

Đà Nẵng, ngày….tháng….năm 2015

Trần Thái Anh Âu

Kiểm tra tiến độ thực hiện đồ án của sinh viên:

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 1

MỤC LỤC ................................................................................................................................. 2

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 2

4.1. THIẾT KẾ MẠCH IN.....................................................Error! Bookmark not defined.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 3

CHƯƠNG 1. ỨNG DỤNG VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MẠCH

 Thiết bị thay thế dễ lắp ráp và điều chỉnh.

1.1.2. Nhiệm vụ của mạch điều khiển.

Chức năng của mạch điều khiển:

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 4

+ Tạo ra được các xung đủ điều kiện mở thyristor, độ rộng xung

tx < 10µs. Biểu thức độ rộng xung:

Trong đó: Idt là dòng điện duy trì của thyristor.

di/dt là tốc độ tăng trưởng của dòng tải.

1.2. NGUYÊN LÝ CHUNG CỦA MẠCH ĐIỀU KHIỂN.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 5

Người ta lấy Uđk max = Us max

 NGUYÊN TẮC ĐIỀU KHIỂN THẲNG ĐỨNG ARCCOS:

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 6

CHƯƠNG 2. THIẾT KẾ MẠCH NGUYÊN LÝ

2.1. SƠ ĐỒ KHỐI ĐIỀU KHIỂN THYRISTOR

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 7

Uđk So sánh Tạo xung

Hình 2.1 Sơ đồ khối điều khiển Thyristor.

 NHIỆM VỤ CỦA CÁC KHÂU TRONG HÌNH TRÊN NHƯ SAU:

 Khâu đồng pha:

 Khâu tạo xung:

2.2. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TỪNG KHÂU TRONG MẠCH.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 8

Hình 2.2 Sơ đồ khâu đồng pha

Sóng UA có dạng hình sin.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 9

Hình 2.3 Dạng sóng của UA, UB, UC.

2.2.2. Nguyên lý khâu so sánh

Hình 2.4 Sơ đồ khâu so sánh

Trong op-am A3 ta có: v- = vRC + vDK ; v+ = 0 (nối đất).

Khi vRC > -vDK ⇔ vRC + vDK > 0 ⇔ v- > v+ ⇒ vD = - vsat.

Khi vRC < -vDK ⇔ vRC + vDK < 0 ⇔ v- < v+ ⇒ vD = vsat.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 10

Hình 2.5 Dạng sóng UA, UB, UC, UD.

2.2.3. Nguyên lý hoạt động khâu tạo xung chùm.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 11

Hình 2.8 Dạng sóng UE

2.2.4. Nguyên lý hoạt động khâu khuếch đại

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 12

Hình 2.9 Sơ đồ khâu khuếch đại

2.3. SƠ ĐỒ MẠCH ĐIỀU KHIỂN.

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 13

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 15

CHƯƠNG 3. TÍNH CHỌN LINH KIỆN SỬ DỤNG TRONG MẠCH

3.1. GIỚI THIỆU CÁC LINH KIỆN TRONG MẠCH.

Trong đó: R là điện trở có đơn vị là Omh (Ω)

L là chiều dài của dây

S là tiết diện của dây dẫn

 Điện trở thực tế và trong các mạch điện tử:

Hoàng Minh Tuấn - Lớp 14TDH1 16

Hình 3.2 Ký hiệu điện trở