BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRẦN CẨM LINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

-------------------------------------

LUẬN VĂN THẠC SĨ KỸ THUẬT

M¹ng vµ hÖ thèng ®IÖn

NGÀNH: MẠNG VÀ HỆ THỐNG ĐIỆN

MẠCH ĐO HIỆN TƯỢNG PHÓNG ĐIỆN CỤC BỘ

(PARTIAL DISCHARGE)-THIẾT KẾ BỘ ANALYSER HIỂN
THỊ TRÊN MÀN HÌNH TINH THỂ LỎNG

TRẦN CẨM LINH

2005 - 2007

Hµ néi HÀ NỘI-2008
2008
 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
-------------------------------------

LUẬN VĂN THẠC SĨ KỸ THUẬT

MẠCH ĐO HIỆN TƯỢNG PHÓNG ĐIỆN CỤC BỘ

(PARTIAL DISCHARGE)-THIẾT KẾ BỘ ANALYSER HIỂN
THỊ TRÊN MÀN HÌNH TINH THẾ LỎNG

NGÀNH: MẠNG VÀ HỆ THỐNG ĐIỆN

MÃ SỐ: ………

TRẦN CẨM LINH

Người hướng dẫn khoa học: TS. TRẦN VĂN TỚP

 LỜI NÓI ĐẦU

Trong các thiết bị làm việc với điện áp cao thì phóng điện là một hiện tượng
phổ biến và trong đó phóng điện cục bộ (partial discharge) là một dạng xảy ra
thường xuyên nhất. Hiện tượng này phản ánh tình trạng làm việc xấu của thiết bị
hoặc hệ thống, nó là nguyên nhân làm cho tình trạng ngày càng trầm trọng hơn gây
tổn thất cho thiết bị trong hệ thống (cáp, máy phát điện, transformer, các lớp cách
điện...) Trường hợp nặng nề có thế dẫn đến phá hỏng thiết bị, nguy hiểm đến tính
mạng con người.
Để đảm bảo vận hành an toàn, hiện nay các bộ đo hiện tượng phóng điện cục
bộ (PD) đã được thiết kế nhằm mục đích phát hiện, mô tả hiện tượng phóng điện cục
bộ sớm nhất đưa ra thông báo kịp thời để con người có thể tiến hành bảo dưỡng thay
thế tránh các hư hại về kinh tế
Trên cơ sở tín hiệu phóng điện cục bộ đã được nhận biết thông qua phương
pháp đo trực tiếp, em tiếp tục xây dựng mô hình một dụng cụ đo hiện tượng phóng
điện cục bộ trong phòng thí nghiệm, có thể hiển thị kết quả đo trên màn hình tinh thể
lỏng, thông báo số lần phóng điện, đưa ra tín hiệu cảnh báo tại LED, đồng thời đưa
kết quả thu thập được tới cổng MAX 232 giao diện với máy tính.
Em xin được bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến các thày, cô bộ môn Hệ thống
điện và Phòng thí nghiệm Cao áp và Vật liệu đã hết sức giúp đỡ, tạo điều kiện vể
cơ sở vật chất và thời gian cho em trong suốt thời gian dài thực hiện đề tài này.
Em cũng xin chân thành cảm ơn TS. Trần Văn Tớp, người đã theo dõi, nắm
bắt từng bước phát triển của đồ án này và tận tình hướng dẫn, chỉ bảo, động viên em
hoàn thành đề tài một cách tốt nhất.
Em xin chân thành cảm ơn!
Sinh viên

Trần Cẩm Linh

 MỤC LỤC

Chương I: Giới thiệu hiện tượng phóng điện cục bộ

1.1 Khái niệm về phóng điện cục bộ.................................................... 1

1.2. Nguyên nhân................................................................................. 2
1.3. Dòng điện...................................................................................... 3
1.4. Tác hại của hiện tượng hiện tượng phóng điện cục bộ................. 4
1.5. Phân loại các dạng phóng điện cục bộ.......................................... 6
1.6. Các phương pháp đo và phát hiện hiện tượng phóng điện cục bộ 7
Chương II: Cách điện và thiết bị đo hiện tượng phóng điện cục bộ hiện nay
2.1. Cách điện và vai trò cách điện............................................................. 18
2.2. Một số thiết bị đo PD thực tế............................................................... 19
Chương III: Thiết kế dụng cụ đo hiện tượng phóng điện cục bộ
3.1. Giới thiệu chung................................................................................... 24
3.2. Detector- Sơ đồ nguyên lý và các thiết bị............................................ 25
3.2.1 Nguồn điện áp và dây nối mạch 25
3.2.2 Bộ lọc tần số............................................................................. 26
3.2.3 Bộ phân áp................................................................................ 27
3.2.4 Bộ lấy tín hiệu........................................................................... 27
3.2.5 Bộ khuếch đại............................................................................ 29
3.3. Thiết kế bộ Analyser đơn giản............................................................. 33
3.3.1. Sơ đồ khối................................................................................. 33

3 3 2 Các
3.3.3. Mạchphần chi tiết
nguyên lý hoàn chỉnh...................................................... 34
60
3.3.4. Sơ đồ mạch in............................................................................ 61
3.3.5. Mạch in hoàn chỉnh................................................................... 65
3.3.6 Biến áp nguồn............................................................................ 66
Chương IV: Sơ đồ thuật toán và chương trình chạy trên chip VXL
4.1. Sơ đồ thuật toán............................................................................. 67
4.2. Code chương trình......................................................................... 72
Kết luận................................................................................................ 86
Tài liệu tham khảo................................................................................ 87

Luận văn tốt nghiệp 2008 Trần Cẩm Linh

 1

CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU HIỆN TƯỢNG PHÓNG ĐIỆN CỤC BỘ

1.1. Khái niệm về Phóng điện cục bộ (Partial discharge)

Phóng điện cục bộ (Partial discharge - PD) trong môi trường cách điện là
phóng điện trong một bộ phận của vật liệu cách điện dưới tác dụng của điện
trường. Cường độ điện trường tập trung tại một phần cách điện yếu của vật liệu
cách điện (thường là do khiếm khuyết của vật liệu hay công nghệ chế tạo gây ra
sự không đồng nhất của sản phẩm).
Khi đặt vật liệu cách điện vào trong một điện trường, phần cách điện yếu là
nơi tạo ra một điện trường tập trung cao hơn những vùng khác giống như điện
trường ở 2 má của một tụ điện hay như khe hở giữa 2 điện cực (xem hình 1.1)

Hình 1.1: Phóng điện tại bọt khí trong vật liệu cách điện ∆Uc là cường
độ điện trường dọc theo bọt khí

Mặc dù các phần còn lại của vật liệu cách điện có thể chịu được cường độ
điện trường đặt vào nhưng do tính không đồng nhất, điện trường tập trung tại bộ
phận cách điện yếu và khi nó vượt quá giá trị tới hạn nào đó thì lập tức cách điện
ở khu vực yếu này bị phá huỷ do phóng điện giống như sự đánh thủng tụ điện do
quá điện áp. Sự phóng điện này gọi là phóng điện cục bộ.
 2

Như vậy, phóng điện cục bộ là một quá trình phóng điện xảy ra trong một
phần cách điện, nó không tạo kênh nối giữa hai điện cực

1.2. Nguyên nhân

- Hiện tượng phóng điện cục bộ (PD) xuất hiện trong điều kiện làm việc
bình thường của thiết bị điện áp cao, nơi mà điều kiện cách điện bị yếu đi vì lý do
tuổi thọ hay quá nhiệt, sự tấn công của các phản ứng hóa học. Đôi khi, hiện tượng
phóng điện cục bộ xuất hiện do lỗi sản xuất hay thiết kế ở thiết bị mới, do sự
không đồng nhất trong vật liệu cách điện, hay ở ranh giới giữa hai loại vật liệu
cách điện khác nhau..v.v
Trong quá trình vận hành, bên trong cách điện của máy điện có thể xuất
hiện các vết rạn nứt, các lỗ trống nhỏ chứa không khí, trong dầu biến áp thường
xuất hiện các bọt khí. Đây là những chố yếu về cách điện rất dễ xảy ra hiện tượng
phóng điện cục bộ. Nguyên nhân là do hằng số điện môi của chất khí bé hơn so
với hằng số điện môi của các chất cách điện chính và trị số cường độ điện trường
tại những nơi này lớn hơn so với trị số cường độ điện trường chính của máy điện,
quá trình ion hóa trong các lỗ trống có thể xuất hiện sớm ngay cả ở điện áp làm
việc và gây nên phóng điện cục bộ trong cách điện.
Hiện tượng phóng điện cục bộ được mô tả đơn giản hóa bằng mạch tương
đương như hình vẽ 2. Ca là điện dung của toàn bộ khối vật liệu cách điện, Cc là
điện dung của lỗ bọt khí và Cb là điện dung của vật liệu cách điện nối nối tiếp với
Cc.
 3

Hình 1.2: Mạch tương đương mô tả hiện tượng phóng điện trong
bọt khí

Khi điện áp dọc theo C c tăng đủ lớn đến mức tới hạn, lập tức có sự phóng
điện trong bọt khí, tương tự trường hợp Cc phóng điện và điện áp dọc theo bọt khí
triệt tiêu trong khoảng thời gian từ 1 đến 1000 ns. Quan hệ giữa biên độ phóng
điện hay năng lượng phóng điện toàn phần q và điện áp Uc như sau:
Q = Cb x Uc
Sự phóng điện này tạo ra một xung dòng điện và gây ra thành phần điện áp
biến đổi nhanh. Sự thay đổi này có thể đo được bằng bộ đo điện áp kiểu điện dung
(capacitive voltage divider) và máy biến áp xung.

1.3. Dòng điện

Hiện tượng phóng điện cục bộ xảy ra rất nhanh, tạo ra các xung dòng
điện có tần số cao, gây ra nhiễu cao tần cho nguồn cung cấp. Nhưng do điện áp
nguồn là tín hiệu có cường độ lớn hơn nhiều so với điện áp phóng điện này nên sự
phóng điện này thông thường bị dập tắt (khi phóng điện thì lỗ thủng bị phá huỷ
dẫn điện,

Hình 1.4: Phóng điện cục bộ để lại sự thay đổi trên bề mặt cách điện.
 4

Khi điện trường tại đây bị triệt tiêu thì lỗ hổng lại tái xuất hiện), khi cường
độ điện trường tiếp tục tăng lên đến một mức nào đó thì phóng điện cục bộ tiếp
tục xảy ra. Quá trình này lặp đi lặp lại trong vật liệu cách điện, có thể phát triển
thành cây điện hoặc làm rạn bề mặt cho đến khi vật liệu bị yếu đi và hỏng.

a) b)
Hình 1.5: Hiện tượng cây điện.
a) Hiện tượng cây điện; b) Trên vật liệu cách điện là giấy

1.4.Tác hại của hiện tượng phóng điện cục bộ

- Hiện tượng phóng điện cục bộ là nguyên nhân gây ảnh hưởng trực tiếp
đến tình trạng lão hóa của cách điện trong các thiết bị điện.
Sự phóng điện cục bộ tuy không dẫn đến hư hỏng cách điện ngay lập tức
nhưng nó ảnh hưởng đến môi trường cách điện như sau:
- Có sự bắn phá do các ion trong vật liệu cách điện gây ra phát nhiệt cục bộ
có thể dẫn đến sự thay đổi và suy giảm đặc tính hoá học của vật liệu cách điện.
Trong trường hợp xấu, điểm phóng điện cục bộ lan rộng dẫn đến phá huỷ dần vật
liệu cách điện theo thời gian.
 5

Hình 1.6 : Sự thoái hóa trên giấy cách điện khi có hiện tượng phóng điện
cục bộ
- Sự thay đổi các đặc tính hoá học ảnh hưởng đến các thành phần hoá học,
làm tăng tốc độ già hoá của vật liệu. Mặt khác phóng điện cục bộ cũng có thể ảnh
hưởng xấu đến các bộ phận khác của thiết bị.

Hình 1.7 : Phóng điện cục bộ gây ảnh hưởng đến các bộ phận khác.
- Phóng điện cục bộ gây ra điện trường cao quanh vùng phóng điện có thể
dẫn đến phóng điện thứ phát (do tạo ra môi trường dẫn điện xung quanh chỗ
phóng điện làm suy yếu tính chất cách điện của điện môi)
 6

Hình 1.8 : Hiện tượng PD làm hỏng bộ phận trong máy phát điện.
Hiện tượng này cũng làm xấu các đặc tính điện của vật liệu cách điện và
làm tăng tổn hao, tăng nhiệt độ, giảm tuổi thọ của thiết bị.
Trường hợp phóng điện cục bộ có cường độ lớn có thể dẫn đến phá hỏng
thiết bị do suy giảm hoặc phá huỷ cách điện.

1.5.Phân loại các dạng phóng điện cục bộ

+ Phóng điện cục bộ xảy ra bên trong vật liệu cách điện:
Đây là dạng phóng điện xảy ra ở các lỗ trống trong chất điện môi. Trong quá trình
hành, so chịu các rung động cơ học, do tác động của nhiệt độ và điện áp mà các lỗ
trống xuất hiện ngày càng nhiều và tăng dần về kích thước.Thông thường chất
điện môi trong các lỗ trống không khí có hằng số điện môi ~1, giá trị này thấp
hơn hằng số điện môi của vật liệu cách điện. Mặt khác, vì là không khí nên độ bền
cách điện của lỗ trống thấp hơn so với chất cách điện chính vật liệu cách điện.
Trong trường hợp lỗ trống có dạng hình phẳng và cường độ điện trường trên lỗ
trống bằng ε lần cường độ điện trường đặt lên vật liệu cách điện ( ε là hằng số
điện môi của chất cách điện chính trong vật liệu cách điện)Nếu lỗ trống có dạng
3ε
hình cầu thì cường độ điện trường đặt lên lỗ trống bằng lần cường độ điện
1 + 2ε
trường đặt lên vật liệu cách điện, khi hằng số điện môi ε có giá trị tương đối lớn
(2 ε >>1) thì cường độ điện trường đặt lên điện môi gấp 1,5 lần cường độ điện
trường đặt lên vật liệu cách điện. . Như vậy, cường độ điện trường đặt lên lỗ trống
thường có trị số lớn hơn so với trị số điện trường đặt lên vật liệu cách điện. Vì thế,
 7

phóng điện trong lỗ trống sẽ xảy ra trước tiên, đó là hiện tượng phóng điện cục bộ
bên trong
+ Phóng điện cục bộ xảy ra ở lớp không khí trên bề mặt cách điện:
Trường hợp này thường xảy ra ở các sứ xuyên, cuối đường dây cáp, phần nhô ra
của cuộn dây trong máy phát, phần tiếp giáp giữa điện cực và bề mặt chất cách
điện không được kín, tồn tại một khe hở không khí giữa chúng. Khi cường độ
điện trường giữa điện cực và bề mặt chất cách điện đạt đến giá trị cường độ phóng
điện chọc thủng thì sẽ xuất hiện phóng điện cục bộ ở khe hở.

Hình 1.9: Đo hiện tượng phóng điện cục bộ tại chỗ tiếp giáp các điện cực
+ Phóng điện vầng quang:
Thường xuất hiện ở những điểm nhọn hay nơi sắc cạnh cảu điện cực ở điện áp
cao, đặt biệt xung quanh các đường dây tải điện cao áp. Phóng điện thường xảy ra
sớm hơn và thường xuyên hơn khi điện áp trên điện cực mũi nhọn ở nửa chu kỳ
âm.
1.6 Các phương pháp đo và phát hiện hiện tượng phóng điện cục bộ
Sự xuất hiện của hiện tượng phóng điện cục bộ trong vật liệu cách điện
(của thiết bị điện) đi kèm theo các hiện tượng như:
- Phát ra ánh sáng hoặc tia cực tím (UV)
- Các sản phẩm khí (NOx hay Ôzôn)
- Tiếng ồn có thể nghe thấy
- Bước đầu mất điện trên hệ thống
- Phát ra nhiệt
 8

- Sự ăn mòn cơ học trên vật liệu cách điện khi bị ion hóa
- Phát ra từ trường gây nhiễu
Về nguyên tắc thì bất cứ khả năng nhận biết được hiện tượng nào đi kèm
của PD là nhận biết được có phóng điện cục bộ. Vì vậy, người ta tạm chia các
phương pháp đo hiện tượng PD ra làm 2 kiểu chính:

1.6.1. Các phương pháp đo không điện

+ Phương pháp âm thanh (được sử dụng rộng rãi):

Sóng siêu âm:
Đây là dạng sóng từ 20kHz đến 100kHz nằm ngoài vùng giới hạn nghe của
con người. Sử dụng sóng siêu âm để phát hiện hiện tượng phóng điện cục bộ,
phóng lửa, phát hồ quang. Thông thường, người ta hay sử dụng khoảng sóng âm
từ 20kHz-30kHz để phát hiện hiện tượng phóng điện cục bộ.
Sóng siêu âm có thể xuyên qua các vật cản, đi qua các khoảng không gian
hẹp. Các thiết bị sử dụng sóng siêu âm có thể phát hiện khi máy móc đang sử
dụng (online) và không phải di chuyển vỏ bảo vệ, đo đạc kiểm tra bên ngoài thiết
bị. Thông thường, các thiết bị này dùng kiểm tra các mảng trên hệ thống điện
đang vận hành như chuyển mạch, transformer, cáp điện...

Hình 1.10 : Mạch đo hiện tượng PD bằng sóng siêu âm

 9

Mạch đo phóng điện cục bộ đơn giản: Phát tín hiệu siêu âm xuyên qua thiết
bị, thu về sóng phản hồi, khi có hiện tượng phóng điện cục bộ tạo ra thay đổi
trong tín hiệu phản hồi, tín hiệu siêu âm thu được chuyển đổi thành tín hiệu điện
áp. Tín hiệu này được khuyếch đại và chuyển qua hiển thị trên Oscillocope hoặc
được điều chỉnh lại trong vùng nghe của con người (20-5000Hz) đưa ra tai nghe .
Hoặc các tín hiệu đó tiếp tục được chuyển đổi sang tín hiệu số và đưa lên
máy tính xử lý bằng phần mềm thu thập, mô tả được hiện tượng phóng điện cục
bộ dưới dạng đồ thị 2D,3D

Đo PD bằng âm thanh (acoustic):

Nguyên lý nhận biết âm thanh của hiện tượng PD là thu nhận các sóng
được phát ra bởi quá trình phóng điện tại phần khiếm khuyết của vật liệu cách
điện. Khi hiện tượng xuất hiện giống như một “tiếng nổ nhỏ” dạng sóng cơ khí và
được truyền qua phần cách điện. Khi đó âm thanh được thu về và đưa ra hiển thị
dưới dạng đột biến của các sóng trên Oscillocoe hoặc màn hình máy tính

Hình 1.11 : Đo hiện tượng PD bằng âm thanh

Tuy nhiên, phương pháp này thường bị ảnh hưởng bởi tiếng ồn, gây nhiễu
và sai số đo.
+ Phương pháp quang học:
Khi có phóng điện cục bộ, kèm theo phát ra ánh sáng (với quá trình ion hoá
khác nhau cho chùm tia ánh sáng khác nhau). Chùm tia này được chuyển đổi
thành các thông tin về mức năng lượng của quá trình phóng.
 10

Tùy thuộc vào bề mặt của chất cách điện ( các thành phần hóa học như
không khí, SF6, dầu) và các hệ số như: áp suất, nhiệt độ... thì chùm tia này có thể
nằm trong vùng ánh sáng từ tia hồng ngoại đến tia cực tím.
Ánh sáng phát ra được chuyển đổi thành tín hiệu điện (thông qua các loại
sensor quang-điện) và khuếch đại để xem trên Oscillocope hoặc chuyển đổi thành
tín hiệu số, thu thập trên máy tính phân tích,đánh giá đưa ra cảnh báo.

Hình 1.12 : Đo phong điện cục bộ bằng phương pháp quang học.
Nếu như phần ánh sáng nằm trong vỏ bọc, không thoát ra ngoài người ta có
thể sử dụng các máy chụp để phát hiện vùng ánh sáng.
+ Phương pháp hóa học:
Khi có hiện tượng phóng điện cục bộ xuất hiện trong các vật liệu hoặc trên
bề mặt vật liệu cách điện sẽ xuất hiện các phản ứng hóa học kèm theo các chất
hóa học mới tạo thành nên người ta sử dụng các thiết bị phân tích hóa học để nhận
biết và ước đoán được sự suy giảm do PD gây nên
Các chất cách điện dạng lỏng thường xuất hiện các bọt (bong bóng) dẫn tới
phóng điện, khi đó xuất hiện các chất như NOx và ozone. Tính toán hàm lượng
ozon có thể ước lượng khả năng phóng điện của hiện tượng phóng điện cục bộ

1.6.2. Phương pháp đo điện:

Phương pháp đo điện dựa trên việc đo đạc dòng điện phóng giữa hai cực
của vật liệu được đặt làm thí nghiệm khi có hiện tượng phóng điện cục bộ.
Phương pháp này được đo đạc theo sơ đồ đơn giản sau
 11
Z
Oscilloco

Cc

V C
Z

Hình 1.13 : Mạch đo hiện tượng phóng điện cục bộ đơn giản
Mạch này bao gồm:
+Nguồn Vg
+ Trở kháng Z hoạt động như một bộ lọc tín hiệu nguồn
+ Tụ Ct, mắc song song với Cc và điện trở đo lường Zm
Tín hiệu dòng điện sinh ra do hiện tượng phóng điện cục bộ được chuyển
đổi thành tín hiệu điện áp bởi điện trở đo lường/ điện áp rơi trên điện trở (dòng
chuyển đổi thành điện áp) và sau đó được đo bằng oscillocope.
Mạch đo này xuất phát từ mạch đo cơ bản dưới đây:
.

Hình 1.14:Mạch đo PD cơ bản bằng phương pháp đo điện

 12

Mạch đơn giản trên có thể mô tả như sau: Vật liệu mẫu (dùng để kiểm tra )
được đặt ở 2 điểm A,B nối song song với 1 tụ điện Cc. Khi có phóng điện cục bộ
thì dòng điện tạo mạch vòng với tần số cao. Quá trình phóng điện cục bộ thí
nghiệm được tạo nên bởi Ct và Cc, tách ra khỏi nguồn bởi điện trở kháng Z
Trong một khoảng thời gian rất ngắn, ngoài dòng vòng i(t) thì còn có ic và
it lớn hơn nhiều và có pha vuông góc với i(t), như vậy dòng PD so với dòng của
nguồn là nhỏ. Dòng trên hai tụ Cc và Ct có thể xác định được nhưng có cực khác
nhau. Có thể đo dòng PD bằng phương pháp trực tiếp (sử dụng RC hoặc RLC)
hoặc phương pháp cân bằng (chuyển đổi từ xung dòng sang xung áp )
Phương pháp đo sử dụng mạch cân bằng:
Các xung dòng điện trong dây dẫn được chuyển thành xung điện áp ở mạch
lấy tín hiệu, tín hiệu này sẽ được khuyếch đại để quan sát, bằng cách sử dụng
mạch cân bằng loại bỏ nhiễu gây ra bởi phóng điện trong dây dẫn

Máy biến Khuếch

~ Cầu CB Schering Hiển
tăng áp đại
thị

Hình 1.15: Phương pháp đo bằng cầu cân bằng Schering

Phương pháp đo trực tiếp:
 Sử dụng mạch RC (trong phần thiết kế mạch Detector)

b
Z ∆V a
c

U~ k

C R

Hình 1.16: Phương pháp đo trực tiếp bằng mạch RC

 13

c: Điện dung của lỗ trống

b: Điện dung phần nối tiếp lỗ trống
a: Phần điện dung còn lại của vật mẫu mắc song song với (b+c)
Z: Bộ lọc các thành phần hài bậc cao từ nguồn cao áp, đảm bảo sóng điện
áp từ nguồn chỉ là 50Hz
Điện dung của vật mẫu có giá trị nhỏ hơn so với giá trị của C, vì thế điện
áp nguồn gần như đặt hoàn toàn lên vật mẫu, điện áp đặt lên RC rất nhỏ có thể bỏ
qua
Giả sử điện áp nguồn hình sin dạng U = U.sin ( ω t) thì điện áp đặt lên khối
abc cũng là U. Điện áp đặt lên khe hở có trị số:
b
UC = U
b +c
Khi giá trị này vượt quá trị số điện áp phóng điện chọc thủng lỗ trống, hiện
tượng phóng điện cục bộ bên trong vật mẫu sẽ xảy ra. Khi đó, khe hở sẽ bị nối tắt
bởi điện trở của kênh dẫn phóng điện và gây nên sụt áp ∆ V. Thời gian sụt áp diễn
ra vô cùng ngắn, cỡ nanô giây, có thể coi là tức thời, tức là sẽ xuất hiện một sung
điện áp ∆ V. Sơ đồ các phần tử khi xảy ra phóng điện như sau:

b
∆V a
c

C R

Hình1.17: Sơ đồ mạch khi xảy ra phóng điện

 14

Xung điện áp này gây nên biến đổi điện áp trên tất cả các phần tử trong
mạch. Đối với mạch RC, biến đổi điện áp này có thể sử dụng biến đổi Laplace để
tính với sơ đồ tương đương:
1/pb

1/pa
∆V
R

1/pC 1/pk
Hình1.18: Sơ đồ Laplace tương đương

Tổng trở mạch RC:

1
R
pC R
ZRC = =
1 1 + p. RC
+R
pC

Tổng trở cả mạch:

1 1  1 1
Z= 
 // R + 
// +
pC pk  pa pb

Từ đó xác định được điện áp rơi trên RC là:

∆ V.bkR
VRC =
pR( ka + Ca + Ck + kb + Cb ) + a + k + b

Như đã đề cập ở trên, điện tích q 1 di chuyển qua lỗ trống khi xảy ra phóng
điện là một đại lượng không xác định được, khi ta nối vật liệu cách điện với các
phần tử mạch ngoài k và RC thì khi xảy ra phóng điện trong vật liệu cách điện sẽ
gây nên một sự sụt áp trên vật liệu cách điện, do đó cũng gây nên sụt áp trên tụ k
làm xuất hiện điện tích q di chuyển trong mạch.
q = b. ∆V
Như vậy, ta có:
 15

q 1
VRC = .
C + a + b + C (a + b ) / k 1
p+
ak kb + Cb
R(C + + )
a +k a+k
Nhưng vì a>>b nên a+b≈a. Do đó, công thức trên sẽ có dạng:
q 1
VRC ≈ .
a (1+ C / k ) + C 1
p+
ak
R(C + )
a +k
Biến đổi ngược Laplace của công thức trên, ta có dạng sóng rơi trên RC:
q q
V= exp( −t / τ ) hay V = exp( −t / τ ) = v'. exp(−t / τ )
(1 + C / k )a + C C tot

Trong đó:
Ctot = (1+C/k)a+C
q: Điện tích phóng điện gây nene xung q = b. ∆V
ak
τ : Hằng số của thời gian xung, τ = R( + C) = R.m
a+k
ak
m= +C
a+k
Từ biểu thức trên, ta đi đến một số nhận xét sau:
- Biên độ v’ của V tỉ lệ với độ lớn điện tích q của xung phóng điện và hoàn
toàn không phụ thuộc vào giá trị của R. Chỉ có dạng sóng điện áp sẽ phụ thuộc
vào R. Nếu R càng nhỏ thì hằng số thời gian τ càng nhỏ, đỉnh sóng càng nhọn.
- Nếu a lớn (a>>C và k) thì biên độ v’≈ q/a.
- Cũng có thể thấy rằng nếu tỉ số C/k càng lớn thì v’ sẽ càng nhỏ, trong
những trường hợp chung thì có thể lấy k=a.
Xung áp này sẽ được đưa vào bộ khuyếch đại, tuy nhiên trước khi vào bộ
khuyếch đại thì xung sẽ được thay đổi dạng cho đỡ dốc hơn, vì dạng xung V có
đỉnh rát dốc làm cho mạch khuyếch đại cũng như mạch đo không phản ứng kịp,
có thể dẫn đến làm sai lệch tín hiệu. Do đó, bộ khuyếch đại được chọn phải có dải
tần lớn hơn tần số xung fx(fx=1/2 πRm . Để thực hiện điều đó, ta cho tín hiệu qua
một mạch như sau:
 16

R
V
C U

Hình 1.19 : Sơ đồ mạch khi đưa tín hiệu vào mạch khuếch đại
Việc tính toán điện áp U trước khi đưa vào bộ khuếch đại dựa vào biến đổi
Laplace:
1 / pC 1 1/α v'
U ( p) = Vp =
R1 + 1 / pC1 1/ α + p 1/ τ + p

v' τ  1 1 
U ( p) = 
1 / α + p − 1 / τ + p 

α −τ  

Sử dụng biến đổi Laplace ngược ta có:

v 'τ
U (t ) = [exp(−t / α ) − exp( −t / τ ) ]
α −τ
Biên độ u’ của U được xác định bằng cách giải phương trình đạo hàm của
U theo t:
q
u ' = ξ v' = ξ
Ctot
α /(α −τ )
τ 
Trong đó, ξ = 
 
α 

+ Mạch đo PD hiển thị trên Oscillocope: Dòng điện rơi trên trở kháng đo
và tín hiệu được khuếch đại, hiển thị
 17

Hình 1.20: Đo xung điện PD hiển thị trên Oscillocope

+ Bộ Detector đơn giản:

Hình 1.21: Hệ thống đo tín hiệu PD đơn giản

Kết luận: Tóm lại, phóng điện cục bộ là hiện tượng xảy ra ở hầu hết các
thiết bị cao áp, nếu quá trình xảy ra trong thời gian dài thì phần cách điện sẽ lão
hóa và bị phá hủy nhanh hơn, ảnh hưởng đến độ tin cậy của thiết bị điện. Do vậy,
rất cần thiết phải có các thiết bị đo đánh giá để kịp thời ngăn chặn các sự cố cũng
như bảo dưỡng thay thế kịp thời tránh những tổn hao đáng tiếc.
 18

CHƯƠNG 2 : CÁCH ĐIỆN VÀ THIẾT BỊ ĐO

HIỆN TƯỢNG PHÓNG ĐIỆN CỤC BỘ

2.1. Cách điện và vai trò của cách điện:

Vật liệu cách điện (hay chất cách điện) là vật liệu dùng để thực hiện việc
cách ly về điện giữa các phần mang điện với nhau và giữa phần mang điện với
phần không mang điện. Chất cách điện là các chất dẫn điện kém, có điện trở suất
rất lớn (khoảng 106 - 10 15 Ωm). Vật liệu cách điện có thể ở dạng rắn, lỏng hay
khí. Các loại vật liệu cách điện gồm có: cách điện rắn (ví dụ: gỗ, nhựa, vỏ bọc dây
điện), cách điện lỏng (ví dụ: dầu máy biến áp) cách điện khí (không khí, khí SF6).
Đặc trưng chính của vật liệu cách điện :
Đối với các chất cách điện là chất điện môi, các đặc trưng như điện trở
suất, độ thẩm điện môi (hằng số điện môi), tổn hao điện môi, độ bền điện môi
(điện áp đánh thủng cách điện) được quan tâm khi chế tạo các thiết bị cách điện.
Yếu tố quan trọng để đánh giá một vật liệu cách điện là cường độ điện
trường đánh thủng. Khi cường độ điện trường đặt lên vật liệu vượt quá giá trị này
thì sẽ xuất hiện sự phóng điện, phá hủy vật liệu và vật liệu mất đi đặc tính cách
điện vốn có. Cường độ điện trường đánh thủng cũng là yếu tố quan trọng nhất để
lựa chọn cách điện cho các ứng dụng.
Trong bất cứ một hệ thống điện nào từ đơn giản cho đến phức tạp sử dụng
cách điện như một tính tất yếu đảm bảo an toàn cho thiết bị, con người.
Trong quá trình vận hành, cách điện có thể bị suy giảm do chịu các ứng
suất cơ học bị lão hóa do nhiệt, điện và các hiện tượng phóng điện, do môi trường
làm ảnh hưởng đến sự làm việc của thiết bị, trong trường hợp nặng nề có thể ảnh
hưởng đến toàn bộ hệ thống . Do vậy, để đảm bảo các thiết bị vận hành an toàn,
tin cậy và kinh tế cần có các phương pháp kiểm tra cách điện, từ đó đưa ra các
thông số về tình trạng hiện tại của cách điện để có kế hoạch bảo dưỡng hay thay
thế. Một trong những phương pháp kiểm tra là sử dụng phương pháp chuẩn đoán
bằng phương pháp đo phóng điện cục bộ (hay thiết bị đo PD)
 19

2.2. Một số thiết bị đo PD thực tế hiện nay:

Đo đạc và lưu trữ đặc tính của hiện tượng phóng điện cục bộ (PD) nhằm
giám sát trạng thái cách điện trong thiết bị (hoặc hệ thống) điện hiện nay được sử
dụng rất rộng rãi. Kiểm tra PD không những thế còn cung cấp thông tin quan
trọng về tuổi thọ của cách điện, rất hữu ích cho việc chuẩn đoán và đánh giá tính
nguyên trạng của thiết bị.
Các thiết bị đo PD hết sức đa dạng, tùy theo điện áp, điều kiện làm việc
cũng như cấu tạo của đối tượng được đo mà có các thiết bị riêng áp dụng cho từng
chủng loại đảm bảo an toàn, cung cấp đầy đủ thông tin.
a, Đo hiện tượng PD trên cáp điện:

Bộ định
Detector Analyser
vị

Hình 2.1 : Đo hiện tượng phóng điện cục bộ trên cáp điện
Hiện tượng phóng điện cục bộ xảy ra trong các lỗ trống khí của vật liệu
cách điện và phá hỏng từng lớp. Do vậy, xác định được vị trí của điểm phóng điện
cục bộ là rất quan trọng khi kiểm định chất lượng của cáp. Sử dụng phương pháp
sóng di chuyển để phát hiện điểm có hiện tượng phóng điện cục bộ. (Bộ định vị
thu thập thông tin và xác định vị trí, PD detector nhận xung, lọc đưa ra kết quả đo,
bộ phân tích hiển thị, đưa ra các cảnh báo)
 20

Khi có hiện tượng phóng điện cục bộ, cáp điện có vai trò như đường dẫn
sóng để các xung lan truyền. Từ điểm phóng điện, xung sẽ truyền theo hai hướng,
một là xung trực tiếp và một là xung phản hồi, và chính xung phản hồi này xác
định được vị trí của điểm phóng điện cục bộ.
Trên thực tế, xung phản hồi thường bị nhiễu hoặc bị yếu đi nên người ta
thường dùng thêm một bộ tiếp sóng để nhận được xung phản hồi tại đầu xa của
cáp.

Xung trực tiếp

Xung phản hồi

Vị trí có hiện
Thiết bị đo tượng PD

Hình 2.2 : Đo hiện tượng phóng điện cục bộ trên cáp điện lực.
b, Đo hiện tượng PD trong máy phát điện:

Hình 2.3 : Đo hiện tượng phong điện cục bộ trong máy điện : đo PD tại
bushing, đo PD tại phần đệm và đo PD tại điểm cuối của cuộn dây
- Thông thường , người ta hay sử dụng phương pháp đo bằng sóng siêu âm
hoặc âm thanh đối với các thiết bị dạng này để tránh tháo dỡ hay lắp đặt thiết bị
 21

quá phức tạp. Các bộ đo chỉ cần để bên ngoài và được tiến hành đo, đưa ra kết
quả phân tích, và cuối cùng cho đánh giá về lớp cách điện.
Cũng có thể sử dụng phương pháp đo điện để xác định được hình dáng và
định vị được vị trí của hiện tượng phóng điện cục bộ. Trên các bộ đo và phân tích
thế hệ mới, tại các điểm có hiện tượng phóng điện cục bộ máy tính có thể mô tả
trên không gian 2D, 3D về các lỗ hổng, trống trong vật liệu cách điện
c, Đo hiện tượng PD tại Transformer

Hình 2.4:Đo hiện tượng phóng điện cục bộ Transformer .

Transformer là thành phần quan trọng trong hệ thống điện, chúng hoạt
động trong các điều kiện khác nhau.Transformer có giá thành khá lớn và sử dụng
nhiều trong hệ thống điện.
Sử dụng phương pháp đo bằng sóng âm để phát hiện hiện tượng phóng
điện cục bộ, giám sát được hiện tượng phóng điện cục bộ.
 22

d, Đo hiện tượng PD trong mô tơ:

Hình 2.5 : Đo phóng điện cục bộ trong mô tơ

Trong mô tơ hay các cuộn dây có thể dùng phương pháp đo bằng âm thanh
hoặc sóng siêu âm để kiểm tra độ bền cách điện và phát hiện hiện tượng phóng
điện cục bộ.

+ Đo PD tại GIS:

Hình 2.6 : Đo phóng điện cục bộ tại GIS

Dùng sóng âm VHF/UHF để nhận biết hiện tượng phóng điện cục bộ tại
GIS.Chùm tia thu về có thể mô tả vị trí của điểm phóng điện cục bộ
 23

+ Đo PD tại các đầu cực máy điện:

Hình 2.6 : Đo phóng điện cục bộ tại các đầu cực

Sử dụng sóng UHF để đo hiện tượng phóng điện cục bộ ở các đầu cực.
 24

CHƯƠNG 3 : THIẾT KẾ MẠCH ĐO HIỆN TƯỢNG

PHÓNG ĐIỆN CỤC BỘ

3.1. GIỚI THIỆU CHUNG

Trên thực tế với một thiết bị đo PD, các dữ liệu được tập hợp tạo thành
bảng hoặc biểu đồ 2D, 3D hiển thị một cách rõ ràng cho người sử dụng. Thậm
chí, các thiết bị đo còn có thể đưa ra các mức độ cảnh báo khác nhau tùy theo giá
trị đo được. Ví dụ : bình thường, phóng điện gây ra tác hại, phóng điện có thể phá
hủy cách điện .., .dựa vào sự tính toán, đánh giá giá trị PD trên cơ sở dữ liệu đã
được thu thập của vật liệu điện nhất định.
Tuy nhiên, trong giới hạn của phòng thí nghiệm nhà trường, ta có thể thiết
kế mạch đo hiện tượng phóng điện cục bộ đơn giản, nhằm mục đích đánh giá, so
sánh giữa giá trị lý thuyết và giá trị đo thực tế.
Sơ đồ khối của một thiết bị đo hiện tượng phóng điện cục bộ đơn giản

Display
Detector Analyser

Computer

Hình 3.1 : Sơ đồ khối của mạch đo hiện tượng phóng điện cục bộ
Bộ phận detector có nhiệm vụ nhận biết hiện tượng phóng điện cục bộ trên
vật liệu, chuyển đổi thành các tín hiệu ban đầu. Tại thiết bị đo này, phần detector
có chức năng đo trực tiếp xung phóng điện từ mẫu thí nghiệm (mô hình thay thế
hoặc mẫu cách điện thực) đưa ra đầu khuyếch đại
Bộ Analyser nhận tín hiệu đo của Detector trị tuyệt đối hoá, nhận đỉnh,
ngưỡng, số hoá thông qua ADC (được điều khiển từ phần vi xử lý) rồi đưa qua
hiển thị
Phần thông tin có thể tiếp tục được mở rộng nhờ có cổng nối RS232 vào
máy tính
Phần hiển thị: Hiển thị bằng màn hình tinh thể lỏng giá trị đo được
 25

3.2. DETECTOR-SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ VÀ CÁC THIẾT BỊ

(Phần detector này do sinh viên Hoàng Trung Kiên HTĐ3-K48 đã thiết kế
trong đồ án tốt nghiệp/TS. Phạm Hồng Thịnh hướng dẫn, em xin trình bày sơ qua)
Sơ đồ nguyên lý mạch đo:
Trong sơ đồ đã bao gồm một số thiết bị như bộ lọc tần số cao đầu vào, bộ
phân áp, bộ khuyếch đại:

M FA

U~ K

TH K Tín hiệu

Hình 3.2 : Sơ đồ nguyên lý mạch đo.

Trong đó:
LT: Bộ lọc tần số cao
k: Tụ nối
M: Mẫu thí nghiệm
TH: Bộ lấy tín hiệu
FA: bộ phân áp
KĐ: Bộ khuyếch đại
3.2.1. Nguồn điện áp và dây nối vào mạch.
Khi cần điện áp lớn thì sử dụng máy biến áp. Máy biến áp đảm bảo không
xảy ra hiện tượng phóng điện cục bộ ở đầu ra cũng như trong cuộn dây.
Trong những trường hợp thử nghiệm không cần điện áp cao thì sử dụng
nguồn điện áp với đầu ra có thể điều chỉnh, linh hoạt và thuận tiện cho việc thao
tác.
Các dây nối có khả năng chống nhiễu cao, đảm bảo không xảy ra phóng
điện cục bộ.
 26

Các dây nối trong mạch phần cao áp dùng ống nhôm. Còn dây nối phần hạ
áp dùng dây mềm.
3.2.2. Bộ lọc tần số
Để đảm bảo kết quả đo không bị nhiễu, ta cần phải loại bỏ (hạn chế) nhiễu,
đảm bảo nguồn cao áp đưa vào hầu như chỉ còn tần số 50Hz. Bộ lọc sử dụng là bộ
lọc tần số thấp.
Ngoài ra, sử dụng bộ lọc sẽ tạo dạng sóng hình sin, thuận lợi cho việc quan
sát thời điểm xảy ra phóng điện cũng như số xung phóng điện trong 1 chu kỳ.
Sơ đồ nguyên lý mạch lọc tần thấp:

U
C
tần số cắt

f0
a, Sơ đồ nguyên lý b, Đồ thị bode của mạch lọc tần số thấp
Hình 3.3: Mạch lọc tần số thấp
Mạch lọc tần số thấp có tác dụng lọc dải tần từ 0- ω 0 là tần số cắt. Tại đó,
U
biên độ điện áp ra là (với U là biên độ điện áp nguồn) Đối với tần số
1 + (ωRC) 2

càng cao thì độ suy giảm càng mạnh.

Áp dụng mô hình này vào sơ đồ thí nghiệm ta có thể tận dụng được tụ k
trong vai trò của C, đồng thời các thành phần điện dung đằng sau cũng tham gia
vào mạch lọc tần số.
Mức suy giảm điện aps ở tần số cắt là 2 . Khi tần số cắt nhỏ hơn 50 Hz thì
mức suy giảm điện áp ở tần số 50 Hz là tương đối lớn, như vậy R sẽ chịu điện áp
rơi trên nó rất lớn. Còn nếu tần số cắt lớn hơn 50Hz thì mức chênh lệch sẽ bớt
nhưng kém hiệu quả trong việc giảm thành phần sóng hài bậc cao.
 27

Để tăng hiệu quả lọc ta dùng hai tầng lọc:

R1 R2

U C k+a

Hình 3.4 : Bộ lọc tần số.

3.2.3. Bộ phân áp.
Để xác định điện áp đặt lên cách điện, ta dùng bộ phân áp vì không thể đo
trực tiếp giá trị điện áp cao. Bộ phân áp sẽ sử dụng 2 tụ điện mắc nối tiếp (C2 và
C3). Bộ phân áp được mắc song song với mẫu thí nghiệm. Để bộ phân áp không
ảnh hưởng đến thông số chung của toàn mạch, ta sẽ dùng 1 tụ điện có điện dung
rất nhỏ cỡ pF, tụ còn lại cỡ nF.
Vậy với điện áp đặt lên mẫu thí nghiệm là U2 thì điện áp đo ở đầu phân áp:
C2
U C3 =U 2
C 2 +C3

Do đó, giá trị điện áp đặt lên mẫu có thể tính thông qua điện áp đo được ở
đầu phân áp ra qua biểu thức:
C 2 +C3
UC2 =U 3
C2

Với các thông số chọn (giá trị trên tụ) thì thay vào biểu thức ta tính được
giá trị điện áp đặt trên mẫu U2

3.2.4 Bộ lấy tín hiệu

Bộ lấy tín hiệu là một điện trở R. Với cách chọn này thì mô hình mạch đơn
giản và lấy được xung phóng điện cục bộ.
Sơ đồ thay thế Lapace tính toán giá trị điện áp trên R:
 28
1
pb

A
1
pa

∆U 1
p pk
R
E
C B
R1 1
pC1

Hình 3.5:Sơ đồ thay thế Laplace khi khe hở bị nối tắt

Tổng trở Laplace đoạn CB:
1  1 
ZCB ( p) = // 
R1 + 
pk  pC1 


Tổng trở Laplace trên EB:

1
Z EB ( p) = // ( R1 + Z CB ( p) )
pa

Tổng trở Laplace đoạn AE

1
Z AE ( p ) = + Z EB / ( p )
pb

1 p2 RR1 C1 k + p( R1 C1 + kR + RC11 ) +1
Z AE ( p ) = + 3
pb p RR1 C1 ka + p2 ( R1 C1 a + kRa + R C 1 a + R1 C1k ) + p (k + C 1 a )

1 p2 ( RR1 C1 k (a + b ) + p (R1 C1 ( a + b) + kR (a + b ) + RC1 (a + b )) + k + C 1 + a + b

Z AE = .
pb p3 RR1 C1 ka + p2 ( R1 C1 a + kRa + R C 1 a + R1 C1 k) + p(k + C 1 a )

Vì a>>b nên a+b~a do đó

1
Z AE ( p ) ≈ Từ đó ta có dòng điện qua b:
pb

∆U
I b ( p) = pb = ∆U .b
p
 29

Điện áp rơi trên R

I b ( p) Z EB ( p)
U R ( p) = .R
R + Z cb ( p)

Biến đổi điện áp ngược ta nhận thấy trong khoảng thời gian rất nhỏ thì giá
trị thu được của U R xấp xỉ với giá trị tính toán khi bỏ qua R1 và C1 trong sơ đồ
Do đó, có thể coi dạng tín hiệu không thay đổi khi có thêm bộ lọc
3.2.5 Bộ khuyếch đại
Các tín hiệu đo được rất nhỏ, khó khăn cho quá trình hiển thị và xem thông
số, nên việc khuếch đại tín hiệu là rất cần thiết.
Toàn bộ phần khuếch đại được đặt trong hộp nhôm nối đất để chống nhiễu
không mong muốn từ bên ngoài
Bên cạnh đó, dùng thêm một bộ lọc tần sao cho tín hiệu đi vào bộ khuếch
đại chỉ còn là tín hiệu phóng điện cục bộ
a, Bộ lọc tín hiệu 50 Hz:

C1
U1
R2 C2 U2

Hình 3.6: Sơ đồ nguyên lý bộ lọc tín hiệu 50Hz

U5

Hình 3.7 :Dạng tín hiệu xung phóng điện cục bộ sau khi qua bộ lọc
b,Bộ phận thay đổi dạng tín hiệu
Sau khi loại bỏ tín hiệu điện áp tần số 50Hz thì ta sẽ còn thành phần hàm
mũ của xung phóng điện cục bộ. Thành phần này sẽ không khuếch dại được với
độ chính xác cao, đặc biệt sẽ không đảm bảo được biên độ tín hiệu đầu ra với lý
 30

do một trong những đại lượng cần quan tâm của bộ khuếch đại là tốc độ đáp ứng
(V/ µs , đại lượng này là có giới hạn trong khi dạng hàm mũ để khuếch đại được
thì về nguyên tắc tốc độ đó phải là vô cùng, điều này làm cho bộ khuếch đại hoạt
động không chính xác. Do đó phải thay đổi dạng tín hiệu.

R4
U5
C6 U6

Hình 3.8: Bộ thay đổi dạng sóng

Dạng tín hiệu sau khi thay đổi dạng sóng như sau:

U6

Hình 3.9: Tín hiệu sau khi đã được thay đổi dạng sóng
Như vậy, tín hiệu sau khi đã biến đổi sẽ có giá trị đỉnh chậm sau tín hiệu
ban đầu 1 khoảng thời gian sao cho bộ khuếch đại có thể làm việc được.
Sử dụng ICTL084 cho bộ khuyếch đại.
 31

Có thể tổng hợp sơ đồ mạch chính như sau:

R1 R2

b
C2
a
c C3

U~ C4
C1 k R4

R3 C5
R
C6

pre-amp

R5 R6

Hình 3.10 : Sơ đồ nguyên lý mạch Detector xung PD

 32

b) Tổng hợp các kết quả đo khi thay đổi mẫu thí nghiệm :
Điện áp U đỉnh (Um)
Sai lệch
Dạng mẫu phóng, (V) Tính toán KQ thực tế
C thay thế 500 7.91 7.5 0.41
1.79 1.75 0.04
11.86 12.5 -0.64
2.69 2.5 0.19
7.91 7.5 0.41
1.79 1.5 0.29
250 3.96 4.25 -0.29
0.89 1 -0.11
1.78 2 -0.22
5.93 5 0.93
1.34 1.25 0.09
2.68 2.5 0.18
750 2.5 2.68 -0.18
4 4.02 -0.02
(V) SL Sau KĐ Note
Cực epoxi 3000 0,1
phíp sợi 4000 2 tấm 0,4
thủy tinh 5000 1,5
3000 0,0075
4000 3 tấm 0,2
5000 0,5

3000 0,1
4000 4 tấm 0,15
5000 0,3
 33

• Kết luận:
- Điện áp ra của khuếch đại từ 0-10V
- Xung điện áp khi có phóng điện cục bộ xuất hiện nhanh từ 10 -6 đến 10-8 s
- Sai số của giá trị đỉnh giữa lý thuyết và thực tế không nhiều
- Thực hiện được trên một số vật liệu cách điện nhất định để so sánh giữa lý
thuyết và thực tế
3.3. THIẾT KẾ BỘ ANALYSER ĐƠN GIẢN
Hiển thị kết quả đo trên màn hình tinh thể lỏng, (có thể thay đổi vài chế
độ bằng key), có tín hiệu đèn nháy báo hiệu khi xuất hiện quá trình phóng điện
cục bộ.
3.3.1, Sơ đồ khối của Analyser

Display

SO (LCD)
Threshold
From
Detector 12
pre-amp Absolute ADC MCU
Value 12bit
Peak EO
Detector
Vin Keyboard

Polarity
Detector

Hình 3.11 : Sơ đồ khối của Analyser. (SOC – Start of Conversion; EOC –

End of Conversion; Vi – Pulse height in Volts)

Hệ thống bao gồm :

+ Pre-amp: Điện áp đo được từ bộ Detector

 34

+ Absolute Value Detector : Mạch trị tuyệt đối hóa giá trị của tín hiệu ra
của bộ Detector, chuyển phần tín hiệu âm thành tín hiệu dương để phù hợp với
đầu vào của ADC
+ Peak detector: Nhận tín hiệu và giữ lại xung đỉnh (Giá trị max của điện
áp)
+ Threshold Detector & Polarity Detector: Phần nhận biết ngưỡng và cực
của tín hiệu (dấu giá trị đo)
+ ADC 12 bít tốc độ nhanh : Chuyển đổi tín hiệu từ analog sang tín hiệu số
dưới dạng nối tiếp
+MCU: Phần vi xử lý: Được lập trình để điều khiển ADC, LED, hiển thị ra
màn hình tinh thể lỏng, xuất dữ liệu ra cổng RS232, nhận tín hiệu từ các keyboard
3.3.2, Các phần thiết kế chi tiết:
+ Absolute Value Detector:

Hình 3.12 : Sơ đồ nguyên lý bộ tuyệt đối hóa giá trị xung PD

Bộ Absolute Value Detector thực chất là bộ chỉnh lưu chính xác, tạo xung
dương ở đầu ra. Bộ khuếch đại thuật toán có nhiệm vụ lặp tín hiệu, tránh điện áp
rơi trên D1,D2.(~0,7 V).
 35

Nếu tín hiệu ra từ Detector chỉ khoảng ≤0,7 V thì cũng không bị mất

(a) (b)
Tín hiệu trước (a) và sau (b) bộ Absolute Value Detector
Hình3.13: Tín hiệu vào và ra bộ Absolute Value Detector
Tín hiệu ra là tín hiệu có giá trị lớn hơn không.

Các IC sử dụng trong mạch:

a) b)
Hình 3.14 : Các IC sử dụng trong mạch : a) TL084 dạng chíp 14 chân ;
b) Diot 1N4148

Hình 3.15 :Sơ đồ chân của khuếch đại thuật toán TL084(dip14 chân)
 36

TL084 có 4 con khuyếch đại thuật toán trong 1 dip:

+ Chân 4: +Vcc/ Nguồn nuôi +12V
+ Chân 11: -Vcc/ Nguồn nuôi -12V
TT Chân Mô tả TT Chân Mô tả
Con thứ nhất 1 Ra Con thứ ba 8 Ra
UA 2 Vào- UC 9 Vào-
3 Vào+ 10 Vào+
Con thứ hai 5 Vào+ Con thứ tư 12 Vào+
UB 6 Vào- UD 13 Vào-
7 Ra 14 Ra

Dip TL084 bao gồm 4 con khuyếch đại trong phần này sử dụng B và D (2
và 4)
 Kết quả trên mạch đã thiết kế:
*Tín hiệu đầu vào âm
Với tín hiệu đầu vào:-2,5 V (1) Đầu ra: +2.48V

(Chụp lại trên Ocsillocope số)

1: Tín hiệu vào 2: Tín hiệu ra
Hình 3.16: Tín hiệu đầu ra của bộ Absolute Value Detector khi giá trị đầu
vào là giá trị âm
* Tín hiệu đầu vào dương
 37

Với tín hiệu đầu vào: +1,49 V (1) Đầu ra: +1,5V (2)

Hình 3.17: Tín hiệu đầu ra của bộ Absolute Value Detector khi giá trị đầu
vào là giá trị dương
Nhận xét: Tín hiệu đầu ra đã được trị tuyệt đối hóa và không bị điện áp rơi
trên Diot, sai lệch không đáng kể
+ Peak detector:
 38

Hình 3.18 : Bộ giữ đỉnh xung (giữ lại giá trị max)
Sau khi được chuyển thành tín hiệu +, phần mạch này giữ lại giá trị đỉnh
(giá trị lớn nhất của xung) cho đến khi MCU có tín hiệu yêu cầu reset. Giá trị đỉnh
được nạp vào tụ C10, khi có tín hiệu reset sẽ thúc đẩy quá trình xả tự nhiên của tụ
nhanh hơn để tiến hành lần đo mới/ mở FET thông đất để xả tụ.

lưu lại nhờ tụ

xả tụ

(a) (b)
Tín hiệu trước (a) và sau (b) bộ Peak detector
Hình 3.19: Tín hiệu trước và sau bộ Peak Detector (giữ đỉnh xung)
* Sơ đồ chân các linh kiện khác :

Hình 3.20 : Sơ đồ chân của tranzito MPSA42/TO

 Kết quả trên mạch đã thiết kế:

*Xung nhận được từ Detector là xung âm được trị tuyệt đối hóa qua
Absolute Value Detector thành giá trị dương :
Đầu vào:2,51 V (Xung đinh)
Đầu ra 1,1 V
 39

Hình 3.21: Tín hiệu đầu ra của bộ Peak Detector khi nhận được xung âm
đã được trị tuyệt đối hóa
*Xung nhận được từ Detector là xung dương :
Đầu vào:1,45V Đầu ra 760mV

Hình 3.22: Tín hiệu đầu ra của bộ Peak Detector khi nhận được xụng
dương
 40

Nhận xét: Dù Pre-amp (tín hiệu đầu vào) là âm hay dương thì giá trị đầu ra
vẫn là giá trị dương phù hợp với dải điện áp của AD7895
* TL084 được dùng chung Absolute Value Detector và Peak detector trong
1 dip gồm 4 con đã được giới thiệu ở phần trên.(sử dụng con 3 và con 1)

Hình 3.23 : Sơ đồ nguyên lý hai khối biến đổi giá trị xung PD
Đầu ra của 2 khối, giá trị điện áp đỉnh được đưa vào chân 2 (Vin) của
AD7895 để biến đổi thành tín hiệu số 12 bit trước khi đưa vào vi xử lý.
+ Threshold Detector & Polarity Detector:
Phần mạch này xác định dấu + (–) cho giá trị đo được hiển thị ra màn hình
tinh thể lỏng, xác định thời điểm đọc giá trị điện áp đã được số hóa từ AD vào
MCU thông qua giao diện nối tiếp

Hình 3.24 :Sơ đồ nguyên lý mạch tạo dấu và ngắt cho MCU
 41

Đầu ra của bộ Threshold Detector & Polarity Detector được đưa vào chân
12 và chân 13 của MCU (hai chân INT0-INT1)
Mạch phân áp từ +12 V và -12V tạo ra điện áp so sánh ở con U8 khoảng
0,3V. Nếu điện áp quá 0,3 V thì đầu ra thay đổi trạng thái chuyển từ 5V xuống 0V
Tương tự nếu điện áp tại con 9 <-0,3 V thì đầu ra chuyển trạng thái từ 0-5V

+0,3 V Tín hiệu vào U8

-0,3V
Tín hiệu vào U9
U8
5V

U9
5V

Hình3.25: Đầu vào và đầu ra của bộ so sánh điện áp L311

Các IC sử dụng trong mạch:
LM311: So sánh điện áp

Hình 3.26 : Sơ đồ chân linh kiện của LM311

Hoạt động:
 42

- Với điện áp cung cấp +5 V

- Dòng vào 150nA max khi quá nhiệt
- Dải điện áp vào khác nhau:±30V
- Điện áp tiêu thụ:135mW tại ±15V
- Dòng ra:50mA
Mô tả chân linh kiện:
Chân Mô tả
1 Đất
2 Vào +
3 Vào -
4 V-
5 Cân bằng
6 Cân bằng/nhấp nháy
7 Tín hiệu ra
8 V+
 Kết quả trên mạch thiết kế:
* Tín hiệu đầu vào âm :-2,5V (1) Đầu ra 5,07 V(2)

Hình 3.27: Tín hiệu đầu vào âm và ra mức 5 của U9 của bộ Threshold
Detector & Polarity Detector
 43

* Với tín hiệu đầu vào dương: +1,5V (1) Đầu ra:0V (2)

Hình 3.28: Tín hiệu đầu vào và ra của U8 của bộ Threshold Detector &
Polarity Detector
+ADC: Chuyển đổi giá trị đỉnh của xung thành tín hiệu số :

Hình 3.29: Sơ đồ nguyên lý AD7895.

 44

Hình 3.30: Sơ đồ chân AD7895

Đặc điểm:
+ Là loại chuyển đổi ADC 12 bít với thời gian rất nhanh (3μs)
+ Loại chip 8 chân
+ Điện áp cung cấp +5V
+ Tốc độ cao, dễ sử dụng, giao diện nối tiếp
+ Đầu vào có thể thay đổi trong khoảng 0-10V
+ Điện trở đầu vào lớn
+ Công suất tiêu thụ nhỏ
Bảng 3.1 : Mô tả chân của AD7895
TT Chân Mô tả
1 REF IN Điện áp chuẩn để so sánh đầu vào với chuẩn,lượng tử hóa
2 VIN Tín hiệu điện áp analog đầu vào
3 GND Nối đất
4 SCLK Xung nhịp đầu vào
5 SDATA Dữ liệu đầu ra nối tiếp, các bít được nhận biết bằng sườn
xuống của xung nhịp (Từ xung thứ 4-đến xung 16)
6 BUSY Quá trình chuyển đổi đang thực hiện trong chip AD
7 CONVST Bắt đầu chuyển đổi
8 VDD Nguồn nuôi
 45

AD7895 hoạt động tại Mode 1, liên tục biến đổi tín hiệu đưa tới MCU xử
lý
Xung nhịp SCLK nhận từ chân 8 của MCU (pin SCK)
Sau khi chuyển đổi các bít dữ liệu từ chân 5: SDATA được đưa vào chân 7
(MISO) của chíp vi xử lý trước khi hiển thị ra led (vào giao diện SPI để đọc dữ
liệu vào VXL)
Các bit khác như BUSY (Chân 6) vào chân 15 của MCU ( pin PD5) nhận
trạng thái chuyển đổi của AD
CONVST (chân 7) vào chân 33 của MCU (pin AD6)
Cơ chế hoạt động của AD7895:

Hình 3.31 : Sơ đồ chuyển đổi dữ liệu của AD7895 theo mode 1

Mode 1: lấy mẫu với tốc độ cao

Tại sườn xuống của CONVST bắt đầu quá trình chuyển đổi, BUSY chuyển
trạng thái, khi BUSY chuyển sang trạng thái thấp, tín hiệu mới cho quá trình
chuyển đổi bắt đầu, quá trình này bao gồm 16 xung clock và độ rộng phụ thuộc
vào tần số clock. Ở tốc độ nhanh nhất (tần số xung clock 15MHz,+5V) thì quá
trình đọc lên tới 1,1µs
 46

Hình 3.32 : Sơ đồ chuyển đổi dữ liệu của AD7895 theo mode 2

Mode 2: Tự động sleep sau khi chuyển đổi
Khi CONVST chuyển đổi trạng thái thì tại sườn xuống của nó BUSY
chuyển trạng thái, tiếp theo, tại sườn xuống của BUSY thì quá trình chuyển đổi
bắt đầu diễn ra trong vòng 16 xung clock, dữ liệu vẫn có thể đọc cho tới khi có
xung chuyển đổi mới của BUSY.
AD7895 có 3 tín hiệu:
+SCLK: serial clock input: Lựa chọn AD, cho xung nhịp để bắt đầu hoạt
động
+SDATA: serial data ouput: tín hiệu ra nối tiếp
+ BUSY:Conversion status ouput: Trạng thái chuyển đổi của đầu ra
Ba chân này làm cho quá trình sử dụng dễ dàng hơn khi tạo giao diện với
các chíp vi xử lý, thanh ghi dịch.

Hình 3.33 : Chuyển đổi dữ liệu theo xung nhịp

SCLK cung cấp xung nhịp cho giao diện nối tiếp, sau 4 xung đầu bằng 0
thì quá trình chuyển đổi bắt đầu và bít data 11 sẽ bắt đầu ở sườn xuống của xung
nhịp thứ 4, kết thúc với bit data 0 ở sườn xuống của xung nhịp 16, lúc này chân
SDATA chuyển trạng thái (disable)
 47

Giao diện đơn giảnvới họ VXL 8XXX:

Hình 3.34 : Giao diện với họ vi xử lý 8XXXX

Họ vi xử lý 8x được thiết kế Mod 0 là mode dùng cho giao diện nối tiếp.Sơ
đồ trên cho ta biết kiểu kết nối đơn giản nhất của AD và chíp vi xử lý họ 8XXX
Tín hiệu BUSY thông báo cho chip VXL chip A/D đang trong quá trình
chuyển đổi tín hiệu để tạo ngắt tại VXL
Ngược lại một tín hiệu từ chân khác của VXL sẽ tạo ra xung lựa chọn AD
khi có tín hiệu ra ở mức thấp

LM431
Tạo áp chuẩn

Hình 3.35: LM431- Dùng tạo điện áp chuẩn cho ADC

Điện áp chuẩn được tạo ra để so sánh các giá trị đầu vào với giá trị chuẩn,
từ đó đưa ra giá trị lượng tử hóa tạo các bít đầu ra
 48

Hình 3.36 : Sơ đồ chân của LM431

+MCU:

Hình 3.37 : Sơ đồ nguyên lý của MCU ATmega 8515

Bộ VXL được lập trình nhận giữ liệu từ ADC, đếm số lần phát xung từ
Detector, nhận dấu của giá trị đo được, đưa kết quả ra màn hình LCD, phát xung
cảnh báo có phóng điện cục bộ ra đèn Led.
Mô tả đặc điểm của chip vi xử lý:
- Tốc độ cao, công suất tiêu thụ nhỏ
 49

- 32 x 8 thanh ghi làm việc với mục đích chung

- 8KByte của bộ nhớ Flash
-512 Byte EEPROM
- 512 Byte SRAM
- 64Kbyte bộ nhớ ngoài lựa chọn
- Khóa chương trình bảo vệ phần mềm
- Timer Watchdog trên chip
- So sánh analog trên chip
- Một timer/counter 8 bit
- Một timer/counter 16 bit
- Chương trình nối tiếp USART
- Master/Slave SPI cho giao diện nối tiếp
- Bật nguồn khi reset lại và nhận lại chương trình khi sụt áp
- Hiệu chỉnh RC trong
- Ngắt nguồn trong và ngoài
- Có 3 mode sleep: Idle, Power-down, standby
- 35 đường I/O
- 40 chân

Hình 3.38: Sơ đồ chân của chip VXL ATmega8515

 50

Hình 3.39 : Sơ đồ khối cấu tạo bên trong chíp vi xử lý ATmega8515

Mô tả chân của chíp vi xử lý:
+ Vcc: Nguồn cấp
+ GND: Đất
+ RESET: MCU sẽ bị reset lại toàn bộ trạng thái bao gồm nguồn, watchdog
khi pin này ở mức thấp (RESET ngoài)
 51

+ XTAL1: vào cho xung nhịp trong mạch và chuyển tới phần tạo dao động
+ XTAL 2: Ra từ phần tạo dao động
+ Cổng A (PA7-PA0):Cổng vào/ ra ở trạng thái điện trở treo, khi được sử
dụng thì sẽ chuyển trạng thái sang mức thấp. Các chân sẽ ở trạng thái thứ 3 khi có
tín hiệu reset .
TT Chân Mô tả
PA7 AD7 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA6 AD6 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA5 AD5 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA4 AD4 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA3 AD3 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA2 AD2 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA1 AD1 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PA0 AD0 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )

+ Cổng B (PB7-PB0):Cổng vào/ ra ở trạng thái điện trở treo, khi được sử
dụng thì sẽ chuyển trạng thái sang mức thấp. Các chân sẽ ở trạng thái thứ 3 khi có
tín hiệu reset .
TT Chân Mô tả
PB7 SCK (SPI Bus Serial Clock)
PB6 MISO (SPI Bus Master Input/Slave Output)
PB5 MOSI (SPI Bus Master Output/Slave Input)
PB4 SS (SPI Slave Select Input)
PB3 AIN1 (Analog Comparator Negative Input)

PB2 AIN0 (Analog Comparator Positive Input)

PB1 T1 (Timer/Counter1 External Counter Input)
PB0 T0 (Timer/Counter0 External Counter Input)
OC0 (Timer/Counter0 Output Compare Match Output)
 52

+ Cổng C: Cổng C (PC7-PC0):Cổng vào/ ra ở trạng thái điện trở treo, khi
được sử dụng thì sẽ chuyển trạng thái sang mức thấp. Các chân sẽ ở trạng thái thứ
3 khi có tín hiệu reset .
TT Chân Mô tả
PC7 AD15 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài)
PC6 AD14 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài)
PC5 AD13 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài)
PC4 AD12 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài)
PC3 AD11 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài)
PC2 AD10 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài)
PC1 AD9 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )
PC0 AD8 (Địa chỉ bộ nhớ ngoài hay bít dữ liệu )

+Cổng D:
TT Chân Mô tả
PD7 RD (Read Strobe to External Memory)
PD6 WR (Write Strobe to External Memory)
PD5 OC1A (Timer/Counter1 Output Compare A Match Output)
PD4 XCK (USART External Clock Input/Output)
PD3 INT1 (External Interrupt 1 Input)
PD2 INT0 (External Interrupt 0 Input)
PD1 TXD (USART Output Pin)
PD0 RXD (USART Input Pin)
+ Cổng E:

TT Chân Mô tả
PE2 OC1B (Timer/Counter1 Output Compare B Match Output)
PE1 ALE (Address Latch Enable to External Memory)
PE0 ICP (Timer/Counter1 Input Capture Pin)
INT2 (External Interrupt 2 Input)
 53

Hình 3.40 : Giao diện nối tiếp SPI

o Ba đường chuyển đổi dữ liệu đồng thời
o Quá trình hoạt động Master hoặc Slave
o Bit LSB trước hoặc MSB trước
o Có cờ ngắt khi kết thúc chuyển đổi
o Cờ bảo vệ xung đột dữ liệu khi ghi
o Đánh thức mode Idle
o Gấp đôi tốc độ trong Mode Master SPI
Hệ thống bao gồm 2 thanh ghi dịch, và nguồn phát xung nhịp chính
(Master generator). Khi chân SS ở mức thấp (=0) thì giao diện SPI Master khởi
đầu chu trình truyền dữ liệu. Master và Slave chuẩn bị dữ liệu để gửi tới những
thanh ghi dịch riêng của chúng, và phần phát xung chính cần đến xung nhịp trên
đường SCK để tiến hành trao đổi dữ liệu. Dữ liệu luôn dịch từ Master sang Slave
trong chế độ Master Out-Slave in, MOSI, line và từ Slave sang Master trong chế
 54

độ Master in – Slave Out, MISO, line. Sau mỗi gói dữ liệu, Master và Slave xác
định lại mức đồng bộ , chân SS ở trạng thái cao (=1)
Khi được định dạng là Master thì giao diện SPI không tự động điều khiển
SS, nó được người sử dụng đặt bằng phần mềm trước khi bắt đầu. Sau khi đặt
xong, viết 1 byte vào thanh ghi dữ liệu SPI để bắt đầu phát xung nhịp SPI và phần
cứng dịch 8 bít vào trong Slave. Sau khi dịch được một byte thì phần phát xung
nhịp dừng, kết thúc quá trình bằng cách đặt cờ Tranmission Flag (SPIF).Nếu có
yêu cầu ngắt (bằng cách đặt bit Interrupt Enable bit (SPIE) trong thanh ghi điều
khiển SPI) thì quá trình sẽ tạm dừng. Master có thể sẽ dịch byte kế tiếp bằng cách
viết vào thanh ghi dữ liệu SPI (SPDR) hoặc kết thúc bằng cách chuyển trạng thái
SS lên mức cao, byte cuối cùng chuyển đến sẽ được chứa trong thanh ghi đệm để
sử dụng sau đó.
Khi được đặt ở Slave, giao diện SPI sẽ giữ nguyên trạng thái nếu chân SS ở
mức cao. Trong trường hợp này, phần mềm vẫn có thể cập nhật nội dung của
thanh ghi dữ liệu cho đến khi chân SS chuyển xuống mức thấp (=0).

Chức năng của chân SS (Slave Select):

Slave Mode : Khi giao diện SPI được định dạng là Slave, thì chân SS là
chân vào. Khi Slave Select ở mức thấp, SPI được kích hoạt và MISO trở thành
một đầu ra do người sử dụng định dạng.Tất cả các chân khác đều là đầu vào. Khi
Slave Select ở mức cao, các chân vẫn là đầu vào, SPI treo (không nhận dữ liệu).
Chân Slave Select được sử dụng để đồng bộ hoá bít Slave với xung nhịp
chính. Khi Slave Select ở mức cao, SPI Slave ngay lập tức reset lại quá trình gửi
và nhận logic và để dữ liệu lại trong thanh ghi dịch
Master Mode :Người sử dụng có thể xác định trực tiếp trên chân Slave
Select, Slave Select được đặt như một phần vào (trạng thái cao) .
Thanh ghi điều khiển SPI:
 55

+Bit 7- SPIE: Cho phép ngắt SPI, nếu bít này được đặt
+ Bit 6-SPE: cho phép SPI hoạt động nếu bít này là 1
+ Bit 5-DORD: Data Order: Khi bit này bằng 1 thì bit thấp nhất (LSB)
được chuyển đổi trước, ngược lại bằng 0 thì bít cao nhất được chuyển đổi (MSB)
+ Bit 4-MSTR: Lựa chọn Master/Slave : nếu là 1 thì là Master SPI mode,
ngược lại là 0 thì Slave SPI mode
+ Bit 3-CPOL: Clock Polarity: Khi bit này là 1, dùng sườn lên của SCK,
khi bit này = 0 thì dùng sườn xuống SCK (bắt đầu 1 xung nhịp)

+ Bit 2-CPHA:Clock Phase Lấy mẫu theo sườn lên hoặc sườn xuống của
SCK (kết thúc 1 xung nhịp)

+ Bit 1,0:SPI Clock Rate: Lựa chọn SCK và tần số dao động

Thanh ghi trạng thái SPI: SPSR

 56

Bit 7-SPIF: Cờ ngắt SPI, khi quá trình chuyển đổi hoàn thành thì cờ này
được đặt
Bit 6-WCOL: Cờ này được đặt trong suốt quá trình chuyển đổi dữ liệu
Bit5-1:Bit dự trữ
Bit0-SPI2X: Tốc độ SPI theo SCK
Thanh ghi dữ liệu SPI: SPDR

Thanh ghi đọc/ viết sử dụng chuyển dữ liệu giữa thanh ghi File và thanh
ghi dịch
+ Mạch hiển thị:

Hình 3.41 :Sơ đồ nguyên lý mạch hiển thị LCD

 57

Cổng C của MCU dùng để điểu khiển LCD:

RS - 21 PC0 5 RD - 22 PC1 6 EN - 23 PC2 11 D4 - 25 PC4
12 D5 - 26 PC5 13 D6 - 27 PC6 14 D7 - 28 PC7
2 +5V- 40 VCC 3 VLC 4
Trên thực tế, ta chỉ sử dụng Key 4 để làm nút reset lại quá trình đo và đếm
số lần phóng điện.
+Cổng giao diện với máy tính: Chuyển thông tin trong MCU từ 2 đường dữ
liệu chân 10/11 thành TxPC và RxPC theo chuẩn, qua cổng chín chân (tiêu chuẩn)
giao tiếp với máy tính.

Hình 3.42 : Sơ đồ nguyên lý cổng giao diện với máy tính

Hình 3.43 :Sơ đồ chân của MAX232

 58

+ Nguồn nuôi bo mạch:

Nguồn ±12 V nuôi TL084 và LM311 và +5 V nuôi chíp vi xử lý và ADC:

LM7812: tác dụng ổn áp cấp đầu ra là + 12 V

Hình 3.44 : Sơ đồ nguyên lý mạch chỉnh lưu nguồn

LM7805: Điện áp đầu ra là +5 V

Hình 3.45 :Sơ đồ chân của LM7805

LM7912: Cấp điện áp ra -12V
Sau khi chỉnh lưu: Điện áp ra là nguồn 1 chiều nên nhấp nháy liên tục. Sử
dụng các loại ổn áp và tụ lọc dạng điện áp sẽ là hằng số cung cấp nguồn nuôi ổn
định cho bo mạch
 59

a,Điện áp vào b,Điện áp sau chỉnh lưu c,Dùng ổn áp và tụ lọc

cầu
Hình 3.46: Điện áp nguồn nuôi sau chỉnh lưu và sử dụng các bộ ổn áp
 60

3.3.3. Mạch nguyên lý hoàn chỉnh

Hình 3.47 : Sơ đồ mạch nguyên lý bộ Analyser hoàn chỉnh

 61

3.3.4. Sơ đồ bố trí linh kiện của bo mạch:

Hình 3.48 : Sơ đồ chân linh kiện (mạch in)

Các ký hiệu trên bản vẽ:
- U1: Chíp vi xử lý ATmega8515
- U2: IC MAX232
- U3: ADC AD7895
 62

- U4: IC TL084
- U5:IC LM431
-U6: LM7812:Ổn áp, cung cấp +12 V cho bo mạch
-U7:LM7805: Ổn áp, cung cấp +5V nuôi phần vi xử lý
-U8: LM311: Bộ so sánh
-U9: LM311: Bộ so sánh
-U10:LM7912: Ổn áp, cung cấp -12 V cho bo mạch
-J1: Cổng giao tiếp với máy tính
-J2: Cổng cho màn hình tinh thể lỏng
-J3: Cổng nhận tín hiệu vào từ bộ Detector
-J4: Nguồn ±12VAC
-J5: Cổng mở rộng
-K0-K4: là các nút bấm để thay đổi chế độ
-LED1-LED2: Các led hiển thị
-Ci: Các tụ lọc
- Di: Các đi ôt
-Ri: Các điện trở
-XTAL: Đồng hồ tinh thể thạch anh
- Programer: Đổ chương trình từ máy tính xuống vi xử lý
 63

Mạch in: mặt dưới

Hình 3.49 : Sơ đồ mạch in

 64

Mạch in: mặt trên

Hình 3.50 : Sơ đồ mạch in

 65

3.3.5. Mạch in hoàn chỉnh

Hình 3.51: Mạch in hoàn chỉnh sau khi đã thử nghiệm

 66

3.3.6. Biến áp nguồn xoay chiều (220V/12V)

Hình 3.52: Biến áp nguồn (đưa nguồn xoay chiều 220V/50Hz vào nuôi bo mạch)
 67

CHƯƠNG 4: SƠ ĐỒ THUẬT TOÁN VÀ CHƯƠNG TRÌNH

4.1. Sơ đồ thuật toán chương trình

START / RESET

SETUP μP
REGISTERS
/
INIT VARIABLES

KEYBOARD
SCAN ROUTINE

N ENABLE
READ ADC ?

READ ADC

DISPLAY
LCD & LED
ROUTINE

RESET
PEAK-HOLD

Hình 4.1: Lưu đồ thuật toán chương trình chính

Giải thích:
 68

Bắt đầu chương trình:

+ Đặt chế độ cho các thanh ghi,cổng trong máy tính
+ Kiểm tra có lệnh từ keyboard bên ngoài hay không (nếu bấm phím reset thì đếm
lại số lần phóng điện, bắt đầu đo lại, nếu không chương trình tiếp tục)
+ Đọc tín hiệu từ AD khi có tín hiệu từ bộ Threshold Detector & Polarity Detector
(từ 2 chân INT0 và INT1), nếu không quay lại, nếu có bắt đầu đọc thông tin từ
ADC. Đọc 8 bít cao trước, sau đó đọc 4 bít thấp/*Vì thanh ghi dịch của giao diện
nối tiếp SPI chỉ có 8 bít/
+ ADC hoạt động tại mode 1/*chế độ lấy mẫu tốc độ cao/-xem trang 39
+ Chuyển giá trị điện áp sang mV /*Để hiển thị cho rõ vì giá trị đo nhỏ/
+Giá trị của ADC được đọc vào và liên tục so sánh cho đến khi giá trị sau nhỏ
hơn giá trị trước/*Đây là đỉnh của xung/ dừng lấy tín hiệu
+ Hiển thị kết quả trên màn hình tinh thể lỏng.
+ Đưa ra tín hiệu cảnh báo tại Led màu đỏ .
+ Dừng quá trình đọc đưa ra tín hiệu reset bộ Peak detector .
+ Quay trở lại chu trình cũ
 69

POS ( NEG )
PULSE DETECT
INTERRUPT

ENABLE
READ ADC

INCREASE
PULSE
COUNTER

RETURN

Hình 4.2: Lưu đồ thuật toán chương trình ngắt

Giải thích: Nếu nhận được tín hiệu từ bộ Threshold Detector & Polarity
Detector (được định nghĩa là INT0 và INT1) thì cho phép đọc dữ liệu từ AD vào,
tăng một lần đếm xung phóng điện cục bộ lên.
 70

READ ADC
ROUNTINE

CONVERT START
(CONVST_PIN = 0)

Y
BUSY_PIN
IS HIGH?

SHIFT_IN DATA
FROM SDATA_PIN

RETURN

Hình 4.3: Lưu đồ thuật toán chương trình đọc ADC

Giải thích:
Đọc dữ liệu từ ADC: Kiểm tra chân trạng thái chuyển đổi của ADC7895,
ADC đã bắt đầu chuyển đổi giá trị =0 , tiếp tục kiểm tra chân trạng thái BUSY
chân này không ở trạng thái cao, dữ liệu bắt đầu được chuyển đổi. Đưa dữ liệu
vào thanh ghi dịch trong giao diện nối tiếp SPI thông qua chân MISO (Master in-
Slave Out) /* ở đây MCU là Master và ADC là Slave/Nếu chân BUSY vẫn ở
trạng thái cao quay lại chờ
Kết thúc quá trình chuyển đổi quay lại từ đầu
 71

KEYBOARD
SCAN ROUTINE

N
RESET BUTTON
PRESS ?

RESET & DISPLAY

PULSE
COUNTER

RETURN

Hình 4.4: Lưu đồ thuật toán chương trình bàn phím

Giải thích:
Bắt đầu: Nút reset có được bấm không? Nếu có, reset lại màn hình hiển thị
và xung đếm số lần phóng, nếu không, quay lại chờ.
Kết thúc chu trình , quay trở lại
 72

4.2. Code chương trình:

/*****************************************************
This program was produced by the
CodeWizardAVR V2.03.4 Standard
Automatic Program Generator
© Copyright 1998-2008 Pavel Haiduc, HP InfoTech s.r.l.
http://www.hpinfotech.com

Project : Peak-Hold Detector

Version : 1.0
Date :
Author :
Company :
Comments:

Chip type : ATmega8515

Program type : Application
Clock frequency : 8.000000 MHz
Memory model : Small
External RAM size : 0
Data Stack size : 128
*****************************************************/

/*
Digital Peak-Hold Detector using an
Analog Devices AD7895 ADC
connected to an AT90mega8515
using the SPI bus
 73

Chip: AT90mega8515
Memory Model: SMALL
Data Stack Size: 128 bytes
Clock frequency: 8MHz

AD7895 connections to the ATmega8515

[AD7895] [ATmega8515 DIP40]

1 Vin
2 Vref=2.5V
3 AGND - 20 GND
4 SCLK - 8 SCK
5 SDATA - 7 MISO
6 DGND - 20 GND
7 CONVST- 2 PA6
8 BUSY - 1 PD5

Use an 2x16 alphanumeric LCD connected

to PORTC as follows:

[LCD] [ATmega8515 DIP40]

1 GND- 20 GND
2 +5V- 40 VCC
3 VLC
4 RS - 21 PC0
5 RD - 22 PC1
6 EN - 23 PC2
 74

11 D4 - 25 PC4
12 D5 - 26 PC5
13 D6 - 27 PC6
14 D7 - 28 PC7 */

#asm
.equ __lcd_port=0x15
#endasm

#include <lcd.h> // LCD driver routines

#include <spi.h> // SPI driver routine
#include <mega8515.h>
#include <stdio.h>
#include <delay.h>

#define ON 0
#define OFF 1
/* AD7895 reference voltage [mV] */
#define VREF 7405L

/* AD7895 control signals PORTB bit allocation */

#define ADC_BUSY PIND.5
#define NCONVST PORTA.6
#define CLK PORTB.7

/**********************/
#define RESET_BUTTON PINB.3
#define RESET_HOLD PORTA.7
 75

#define UP_BUTTON PINB.4

#define DOWN_BUTTON PINB.2
#define LED_PIN PORTD.7

/* LCD display buffer */

char lcd_buffer[20];

/* ADC variables */
char read_adc_enable=1;
unsigned PeakCounter=0;
unsigned result;
unsigned result_temp;
unsigned int TimeCounter=0;

// External Interrupt 0 service routine

interrupt [EXT_INT0] void ext_int0_isr(void)
{
// Place your code here
read_adc_enable = 1;
PeakCounter++;
}

// External Interrupt 1 service routine

interrupt [EXT_INT1] void ext_int1_isr(void)
{
// Place your code here
read_adc_enable = 2;
PeakCounter++;
}
 76

// Timer 1 overflow interrupt service routine

interrupt [TIM1_OVF] void timer1_ovf_isr(void)
{
// Reinitialize Timer 1 value
TCNT1H=0xFF;
TCNT1L=0xFA;
// Place your code here
if(TimeCounter>=65535){
PORTD.0=1;
PORTD.1=1;
TimeCounter = 0;
}
else{
PORTD.0=0;
PORTD.1=0;
TimeCounter++;
}
}

#define RXB8 1
#define TXB8 0
#define UPE 2
#define OVR 3
#define FE 4
#define UDRE 5
#define RXC 7

#define FRAMING_ERROR (1<<FE)

#define PARITY_ERROR (1<<UPE)
#define DATA_OVERRUN (1<<OVR)
 77

#define DATA_REGISTER_EMPTY (1<<UDRE)

#define RX_COMPLETE (1<<RXC)

// USART Receiver buffer

#define RX_BUFFER_SIZE 8
char rx_buffer[RX_BUFFER_SIZE];

#if RX_BUFFER_SIZE<256
unsigned char rx_wr_index,rx_rd_index,rx_counter;
#else
unsigned int rx_wr_index,rx_rd_index,rx_counter;
#endif

// This flag is set on USART Receiver buffer overflow

bit rx_buffer_overflow;

// USART Receiver interrupt service routine

interrupt [USART_RXC] void usart_rx_isr(void)
{
char status,data;
status=UCSRA;
data=UDR;
if ((status & (FRAMING_ERROR | PARITY_ERROR |
DATA_OVERRUN))==0)
{
rx_buffer[rx_wr_index]=data;
if (++rx_wr_index == RX_BUFFER_SIZE) rx_wr_index=0;
if (++rx_counter == RX_BUFFER_SIZE)
{
rx_counter=0;
 78

rx_buffer_overflow=1;
};
};
}

#ifndef _DEBUG_TERMINAL_IO_
// Get a character from the USART Receiver buffer
#define _ALTERNATE_GETCHAR_
#pragma used+
char getchar(void)
{
char data;
while (rx_counter==0);
data=rx_buffer[rx_rd_index];
if (++rx_rd_index == RX_BUFFER_SIZE) rx_rd_index=0;
#asm("cli")
--rx_counter;
#asm("sei")
return data;
}
#pragma used-
#endif

unsigned read_adc(void)/(Đọc dữ liệu từ ADC)

{
unsigned result;
/* start conversion in mode 1, (high sampling performance) */
NCONVST=0;
//delay_ms(100);
NCONVST=1;
 79

/* wait for the conversion to complete */

while (ADC_BUSY);
/* read the MSB using SPI */
result=(unsigned) spi(0)<<8;
/* read the LSB using SPI and combine with MSB */
result|=spi(0);
/* calculate the voltage in [mV] */
result=(unsigned) (((unsigned long) result*VREF)/4096L);
/* return the measured voltage */
return result;
}

void main(void)
{
// Declare your local variables here

// Input/Output Ports initialization

// Port A initialization
/* initialize PORTA
PA.6 output to AD7895 /CONVST
*/
// Func7=Out Func6=Out Func5=In Func4=In Func3=In Func2=In
Func1=In Func0=In
// State7=1 State6=1 State5=T State4=T State3=T State2=T State1=T
State0=T
PORTA=0xC0;
DDRA=0xC0;

/* initialize PORTB
 80

PB.2 & PB.3 inputs

PB.4 output (SPI /SS pin)
PB.5 input
PB.6 input (SPI MISO)
PB.7 output to AD7895 SCLK */

// Port B initialization
// Func7=Out Func6=In Func5=Out Func4=In Func3=In Func2=In
Func1=In Func0=In
// State7=0 State6=T State5=0 State4=P State3=P State2=P State1=P
State0=P
PORTB=0x1F;
DDRB=0xA0;

// Port C initialization
// Func7=Out Func6=Out Func5=Out Func4=Out Func3=Out Func2=Out
Func1=Out Func0=Out
// State7=0 State6=0 State5=0 State4=0 State3=0 State2=0 State1=0
State0=0
PORTC=0x00;
DDRC=0xFF;

// Port D initialization
/* initialize PORTD
PD.0 input from AD7895 BUSY
*/
// Port D initialization
// Func7=Out Func6=In Func5=In Func4=Out Func3=In Func2=In
Func1=Out Func0=Out
 81

// State7=1 State6=T State5=T State4=1 State3=T State2=T State1=0

State0=0
PORTD=0x90;
DDRD=0x93;

// Port E initialization
// Func2=In Func1=In Func0=In
// State2=T State1=T State0=T
PORTE=0x00;
DDRE=0x00;

// Timer/Counter 0 initialization
// Clock source: System Clock
// Clock value: Timer 0 Stopped
// Mode: Normal top=FFh
// OC0 output: Disconnected
TCCR0=0x00;
TCNT0=0x00;
OCR0=0x00;

// Timer/Counter 1 initialization
// Clock source: System Clock
// Clock value: 1000.000 kHz
// Mode: Normal top=FFFFh
// OC1A output: Discon.
// OC1B output: Discon.
// Noise Canceler: Off
// Input Capture on Falling Edge
// Timer 1 Overflow Interrupt: On
 82

// Input Capture Interrupt: Off

// Compare A Match Interrupt: Off
// Compare B Match Interrupt: Off
TCCR1A=0x00;
TCCR1B=0x02;
TCNT1H=0xFC;
TCNT1L=0x17;
ICR1H=0x00;
ICR1L=0x00;
OCR1AH=0x00;
OCR1AL=0x00;
OCR1BH=0x00;
OCR1BL=0x00;

// External Interrupt(s) initialization

// INT0: On
// INT0 Mode: Falling Edge
// INT1: On
// INT1 Mode: Rising Edge
// INT2: Off
GICR|=0xC0;
MCUCR=0x0E;
EMCUCR=0x00;
GIFR=0xC0;

// Timer(s)/Counter(s) Interrupt(s) initialization

TIMSK=0x80;

// USART initialization
// Communication Parameters: 8 Data, 1 Stop, No Parity
 83

// USART Receiver: On
// USART Transmitter: On
// USART Mode: Asynchronous
// USART Baud Rate: 9600
/*
UCSRA=0x00;
UCSRB=0x98;
UCSRC=0x86;
UBRRH=0x00;
UBRRL=0x33;
*/
// Analog Comparator initialization
// Analog Comparator: Off
// Analog Comparator Input Capture by Timer/Counter 1: Off
ACSR=0x80;

/* initialize the SPI in master mode (đặt xung SCK bằng tần số của máy
tính/4)
no interrupts, MSB first, clock phase negative
SCK low when idle, clock phase=0
SCK=fxtal/4 */
SPCR=0x54;
SPSR=0x00;
/* the AD7895 will work in mode 1 (high sampling performance)
/CONVST=1, SCLK=0 */
NCONVST=1;
CLK = 0;

/* initialize the LCD */

lcd_init(20);
 84

lcd_putsf("PEAK-HOLD DETECTOR\nDHBK-HN 2008");

delay_ms(1000);
//lcd_clear();

// Global enable interrupts

#asm("sei")

/* read and display the ADC input voltage */

while (1){
if(!RESET_BUTTON){
PeakCounter=0;
sprintf(lcd_buffer,"N_Peak=%4u
Time",PeakCounter);
lcd_gotoxy(0,3);
lcd_puts(lcd_buffer);
}
if(read_adc_enable){
if(read_adc_enable==1){
result=read_adc();
while(result_temp<result){
result_temp=result;
result=read_adc();
}
RESET_HOLD = 1;
read_adc_enable=0;
result_temp=0;
lcd_clear();
lcd_putsf("PEAK-HOLD DETECTOR\nDHBK-HN 2008");
 85

sprintf(lcd_buffer,"U_Peak=%4d mV",result);
}
if(read_adc_enable==2){
result=read_adc();
while(result_temp<result){
result_temp=result;
result=read_adc();
}
RESET_HOLD = 1;
read_adc_enable=0;
result_temp=0;
lcd_clear();
lcd_putsf("PEAK-HOLD DETECTOR\nDHBK-HN 2008");

sprintf(lcd_buffer,"U_Peak=%4d mV",-result);
}
LED_PIN=ON;
lcd_gotoxy(0,2);
lcd_puts(lcd_buffer);
sprintf(lcd_buffer,"N_Peak=%-u Pulses",PeakCounter);
lcd_gotoxy(0,3);
lcd_puts(lcd_buffer);
}
else{
LED_PIN=OFF;
RESET_HOLD = 0;
}
};
}
 86

KẾT LUẬN:

- Các tín hiệu đo hiện tượng phóng điện cục bộ được hiển thị bằng số (đỉnh
xung), có thể so sánh với các kết quả tính toán trên lý thuyết
- Có thể hiển thị số lần phóng trong khoảng thời gian nhất định và tự động
reset lại trạng thái tiến hành đo mới khi có quá trình phóng mới
- Hiểu được bản chất của các loại dụng cụ đo hiện tượng phóng điện cục bộ
- Có thể mở rộng được thêm bằng cách tập hợp được dữ liệu trên máy tính
để đưa ra các cảnh báo khi phóng điện cục bộ nằm trong khoảng nguy hiểm
đối với vật liệu

HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỒ ÁN

- Viết thêm phần mềm thu thập dữ liệu thông qua cổng nối tiếp với máy tính
- Thông qua dữ liệu thu thập được có thể mô tả (pattern) được hiện tượng
phóng điện trên vật liệu cách điện
- Với phần analyser đơn giản này có thể biến đổi để đo được các hiện tượng
khác như vầng quang… thông qua tạo lập mạch đo có phần tín hiệu ra từ 0-
10V
 87

TÀI LIỆU THAM KHẢO

1. Trần Văn Tớp, “Bài giảng kỹ thuật cao áp”.

2. Phạm Thượng Hàn – Nguyễn Trọng Quế - Nguyễn Văn Hòa, “Kỹ thuật
đo lường các đại lượng vật lý”, NXB Giáo dục, 2003.

3. Võ Viết Đạn, “Giáo trình kỹ thuật điện cao áp”, Đại học Bách khoa Hà
Nội, 1972.

4. Hoàng Trung Kiên- Hướng dẫn TS.Phạm Hồng Thịnh”Thiết kế và phát

triển hệ thống chuẩn đoán cách điện bằng phương pháp đo phóng điện
cục bộ trực tiếp”5/2008

5. H. 0. Mota F. H. Vasconcelos, A Partial Discharge Data Acquisition

System Based on Programmable Digital Oscilloscopes, Departamento
de Engenharia Elttrica, Universidade Federal de Minas Gerais, Belo
Horizonte, MG, Brazil)-Nguồn IEEE

6. M. Muhr, R. Schwarz, Partial discharge measurement as a Diagnostic

Tool for HV-Equipments, Institute of High Voltage Engineering and
System Management, Graz University of Technology, Inffeldgasse 18,
8010 Graz, Austria- Nguồn IEEE.

7. Senthil Kumar-India, Design of partial discharge analyser for true

compatibility and resolution extention, Nguồn IEEE

8. J.M. PANG&SEAH PTE, Detecting Partial Discharge with Ultrasonic

Measurement, Nguồn IEEE

9. S. Senthil Kumar, M.N Narayanachar ans R.S Nema, Partial discharge

pulse sequence analyser-a new representation of Partial discharge
data, Department of High Voltage Engineering, Indian Institute of
Science- Bangalorr 560012, India.
 88

10. S. Senthil Kumar Recent trend in Partial Discharge Measurement and

Analysis, Department of High Voltage Engineering, Indian Institute of
Science- Bangalorr 560012, India -Nguồn IEEE.

11. Chien-Yi Chen, Cheng-ChiTai, Ju-Chu Hsieh, Ching-Chau Su,Jiann-

Fuh Chen Comparison and analysis of on-line partial discharge
measurment methods, Department of Electrical Engineering, National
Cheng Kung University, Tainan, Taiwan, R.O.C.

12. IEC 76 – 3 – Part 3: Insulation levels and dielectric tests.

13. ABB ETI – Raleigh, North Carolina, USA: Computerized Partial

discharge System.

14. S. Senthil Kumar Design of partial discharge analyser for true

compatibility and resolution extension Department of High Voltage Engineering,
Indian Institute of Science- Bangalorr 560012, India -Nguồn IEEE

15.Qingguo Chen, Yonghong Wang, Xinlao Wei The UHF Method for
Measurement of Partial Discharge School of Electrical and Electronic
Engineering, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150040,
China- Nguồn IEEE
16. S. Senthil Kumar Pulse sequences studies on PD datab Department of
High Voltage Engineering, Indian Institute of Science- Bangalorr 560012, India -
Nguồn IEEE
17.Rainer Patsch and Farhad Berton Pulse-Sequence-Analysis - Chances to
Characterize Defects Institute of Materials & Diagnostics in Electrical
Engineering University of Siegen, Germany
18.Yicheng Wang New Method for Measuring Statistical Distributions of
Partial Discharge Pulses National Institute of Standards and Technology,
Gaithersburg, MD 20899-0001

19. //www.datasheetcatalog.com/Toàn bộ linh kiện trong đồ án