Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

BỘ CÔNG THƯƠNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC
KHOA ĐIỀU KHIỂN VÀ TỰ ĐỘNG HÓA
--------🙣🕮🙡--------

ĐỒ ÁN MÔN HỌC ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

Đề Tài : Thiết kế bộ nghịch lưu bộ nguồn cho lò tôi thép .

Giảng viên hướng dẫn: Lê Quốc Dũng

Sinh viên thực hiện: Phan Hữu Nghị
Mã sinh viên: 20810430266
Ngành: Công nghệ kỹ thuật điều khiển và Tự động hóa
Chuyên ngành: CNKTDK
Lớp: D15CNKTDK
Năm học: 2023-2024

Hà Nội, tháng 12 năm 2023

1
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN MÔN HỌC

Họ tên sinh viên: Phan Hữu Nghị

Mã số sinh viên: 20810430266 Lớp: D15CNKTDK
Chuyên ngành: Tự Động Hóa Và Điều Khiển Thiết Bị Điện Công Nghiệp.
1. Tên đề tài đồ án:
Thiết kế bộ nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha sơ đồ cầu cho lò tôi thép.

2. Các số liệu và dữ liệu ban đầu:

• Nguồn cấp: 1 chiều
• Sử dụng van MOSFET.
• Sử dụng phương pháp điều khiển nghịch lưu đơn giản
Yêu cầu:
• Điện áp tải 3x450V, 1000Hz.
• Công suất tải tối đa: 115kVA

Hà Nội, Ngày 19 Tháng 12 Năm 2023

Giảng Viên Hướng Dẫn

Mục lục

Lời nói đầu. ............................................................................................................ 7

2
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ BỘ NGHỊCH LƯU ....................................... 8

1.1: Giới thiệu chung ........................................................................................8

1.1.1: Khái niệm ............................................................................................8

1.1.2 Phân loại nghịch lưu. ...........................................................................8

1.1.3: Van bán dẫn có thể sửa dụng trong nghịch lưu............................... 8

1.1.4: Ứng dụng của nghịch lưu. ..................................................................8

1.2: Giới thiệu về van MOSFET ......................................................................9

1.2.1: Cấu tạo của MOSFET ........................................................................9

1.2.2 Cách phân cực cho mosfet. ............................................................... 10

1.2.3: Đặc Tính Voltage -Ampe (VI) của Mosfet. ....................................11

1.2.4: Điều kiện mở và khoá van ............................................................... 12

1.3: Phân tích sơ đồ nghịc lưu đọc lập nguồn áp ba pha............................. 12

1.3.1: Sơ đồ mạch lực ..................................................................................12

1.3.2: Nguyên tắc điều khiển mở van. .......................................................13

1.3.3: Các biểu thức tính toán. ...................................................................17

1.3.4: Tụ điện một chiều. ............................................................................18

1.3.5: Bộ lọc đầu ra. ....................................................................................18

1.3.6: Cải thiện điện áp ra cho nghịch lưu độc lập điện áp .....................19

1.4: Giới thiệu lò tôi thép và công nghệ tôi thép………………………………20

1.4.1: Khái niệm………………………………………………..…….…...21

1.4.2: Ứng dụng và ưu nhược điểm……………………………..….……23

1.4.3: Tính chất công nghệ……………………………….…….…………24

CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH LỰC. ................................... 24

CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN. ........................................... 28

3.1 Cấu trúc điều khiển nghịch lưu. .............................................................. 28

3
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

3.2 Tính toán các khâu trong mạch điều khiển. ...........................................29

3.2.1 Phát xung chủ đạo. ............................................................................29

3.2.2 Khâu chi tần dùng flip-flop ............................................................... 30

3.2.3 Khâu tạo trễ........................................................................................33

3.3.4: Khâu khuếch đại xung. ....................................................................34

CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG KIỂM CHỨNG. ................................................... 35

4.1 Giới thiệu phần mềm mô phỏng PSIM ...................................................35

4.2 Sơ đồ toàn mạch. .......................................................................................36

4.3. Kết Quả mô phỏng. ..................................................................................37

4.3.1 Khâu Phát xung chủ đạo. ..................................................................37

4.3.2: Khâu phân phối xung. ......................................................................37

4.3.3 Khâu khuếch đại xung.......................................................................39

4.3.4 Khâu tạo trễ mở. ................................................................................40

4.3.5: Dạng điện áp ra trên tải. ..................................................................41

KẾT LUẬN .......................................................................................................... 42

TÀI LIỆU THAM KHẢO .................................................................................. 43

DANH SÁCH BẢNG BIỂU HÌNH VẼ.

Danh sách hình vẽ trong bài Trang

4
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 1.1: Ứng dụng của nghịch lưu trong thực tế 9

Hình 1.2: Ký hiệu van mosfet 10

Hình 1.3: Cách phân cực cho mostfet 11

Hình 1.4: Đường đặc tính Volt -Ampe của Mosfet. 12

Hình 1.5: Sơ đồ nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha 13

Hình 1.6: Luật điều khiển nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha. 14

Hình1.7: Điện áp ra trên tải 15

Hình1.8: Sơ đồ thay thế 16

Hình1.9: Sơ đồ thay thế 17

Hình1.10: Sơ đồ thay thế 17

Hình 1.11: Sự phụ thuộc hệ số sóng hài vào tham số ε 19

Hình 1.12. Các bộ lọc tần cho nghịch lưu độc lập điện áp 19

Hình 2.1: Sơ đồ nghịch lưu nguồn áp ba pha sơ đồ cầu 22

Hình 3.1: Cấu trúc điều khiển nghịch lưu 26

Hình 3.2: Sơ đồ cấu trúc chung cho điều khiển nghịch lưu đơn giản 26

Hình 3.3: khâu phát xung chủ đạo 26

Hình 3.4 Khâu phân phối xung cho nghịch lưu độc lập 28

Hình 3.5: bảng trạng thái 29

Hình 3.6: Sơ đồ cấu tạo bộ JK 29

5
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 3.7: Phân phối xung cho nghịch lưu độc lập điện áp 3 pha ⅄= 29
1800

Hình 3.8: Khâu tạo trễ mở van 30

Hình 3.9 khâu khuếch đại xung 31

Hình 4.1: Giao diện màn hình phần mềm Psim 32

Hình 4.2: Sơ đồ mạch lực nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha 33

Hình 4.3: Dạng xung của khâu phát xung chủ đạo 34

Hình 4.4: khâu phân phối xung 34-35

Hình 4.5 Khâu khuếch đạu xung 36

Hình 4.6: Khâu tạo trễ mở 37

Hình 4.7: Dạng điện áp ra trên tải 38

6
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Lời nói đầu.

Điện tử công suất là lĩnh vực kỹ thuật hiện đại, nghiên cứu ứng dụng của các linh
kiện bán dẫn công suất làm việc ở chố độ chuyển mạch và quá trình biến đổi điện năng.

Ngày này, không chỉ riêng gì các nước phát triển ngay cả ở nước ta các thiết bị
bán dẫn đã và đang thâm nhập vào các ngành công nghiệp và trong lĩnh vự sinh hoạt.
Các xí nghiệp, nhà máy như xi măng, thủy điện, giấy, dệt, sợi, đóng tàu…đang sử dụng
ngày càng nhiều những thành tựu của công nghiệp điện tử nói chung và điện tử công
suất nói riêng. Đó là mình chứng cho sự phát triển của ngành công nghiệp này.

Với mục tiêu công nghiệp hóa hiện đại hóa đất nước, ngày càng có nhiều xí
nghiệp mới, dây chuyền mới sử dụng kỹ thuật cao đòi hỏi cán bộ kỹ thuật và kỹ sư điện
những kiến thức về điện tử công suất. Cũng với lý do đó, trong học kỳ này em được
nhận đồ án môn học điện tử công suất với đề tài: “Thiết kế bộ nghịch lưu bộ nguồn
cho lò tôi thép ”.

Với hướng dẫn của thầy …Lê Quốc Dũng…, em đã tiến hành nghiên cứu và thiết
kế đồ án. Trong quá trình thực hiện đề tài do khả năng và kiến thức thực tế có hạn nên
không thể tránh khỏi thiếu sót về mặt thực tiễn , kính mong thầy cô đóng góp ý kiến để
đồ án của chúng em hoàn thiện hơn.

Em xin chân thành cảm ơn!

7
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ BỘ NGHỊCH LƯU

1.1: Giới thiệu chung

1.1.1: Khái niệm

Nghịch lưu (DC/AC) là một thiết bị dùng để chuyển đổi điện áp một chiều (Direct
current -DC) sang điện áp xoay chiều (Alternative current AC), Tần số và Điện áp có
thể thay đổi được.

1.1.2 Phân loại nghịch lưu.

• Dựa theo đặc tính của nguồn đầu vào: Chia làm hai loại là nghịch lưu nguồn áp
và nghịch lưu nguồn dòng.
• Phân loại dựa theo sơ đồ đấu nối mạch nghịch lưu. Ví dụ như nghịch lưu cầu 1
pha, hoặc nghịch lưu cầu ba pha.
• Nghịch lưu cộng hưởng

Nguồn dòng là nguồn có dòng điện ra không đổi theo tải và tính chất của tải. Để
tạo ra nguồn dòng thì chỉ cần nối nguồn DC với điện cảm đủ lớn.

Nguồn áp là nguồn có điện áp không đổi theo tính chất tải . Để tạo ra nguồn áp thì
cần mắc song song với nguồn DC một tụ điện đủ lớn.

Có nhiều cách để phân loại nghịch lưu. Nhưng ba cách trên đây là phổ biến hơn cả.

1.1.3: Van bán dẫn có thể sửa dụng trong nghịch lưu.

Thông thường các van bán dẫn sửa dụng trong nghịch lưu là các van điều khiển
hoàn toàn.

Đối với nghịch lưu nguồn áp có thể dùng: Dùng transistor, Mosfet, IGBT.

Đối với nghịch lưu nguồn dòng có thể dung: IGBT, Thyristor.

1.1.4: Ứng dụng của nghịch lưu.

• Ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực năng lượng tái tạo. Như trong hệ thống pin mặt
trời, tubin điện gió ,….
• Trong lĩnh vực xe điện (Electric vehicle). Như xe điện Vinfast, texla ….
8
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Ví dụ:

Nhìn vào ví dụ bên dưới (hình1.1) thấy rằng nghịch lưu được ứng dụng trong xe
điện. Nguồn cung cấp cho nghịch lưu là nguồn ắc quy một chiều. Động cơ sửa dụng để
truyền động bánh xe là động cơ không đồng bộ xoay chiều ba pha. Muốn sửa dụng
nguồn ắc quy cấp cho động cơ thì thông qua bộ nghịch lưu để chuyển từ điện áp 1 chiều
ắc quy sang điện áp sửa dụng trong động cơ.

Hình1.1: Ứng dụng của nghịch lưu trong thực tế

1.2: Giới thiệu về van MOSFET

1.2.1: Cấu tạo của MOSFET

Mosfet là tên viết tắt của Metal oxide semiconductor field effect transistor là
phần tử điều khiển hoàn toàn và dùng áp để điều khiển.

Ký hiệu:

9
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình1.2 Ký hiệu van mosfet

Cấu trúc van mosfet bao gồm ba cực:

• D- Cực máng
• S- Cực nguồn (cực S là nối giữa cực S và cực B). Thông thường sẽ không thấy
cực B vì đã nối chung với cực S của mosfet
• G- Cực điều khiển

Cực gốc (S) nối với lớp P và cực máng(D) nối với lớp N vì vậy trong trường hợp
bình thường không có kênh dẫn giữa D và S.

Cực gate (G) nằm cách ly hoàn toàn trong một lớp Oxide kim loại có điện trở suất
rất lớn. Nhìn trên cấu trúc mặt cắt, có thể thấy chúng cách ly hoàn toàn với cấu cực S và
D. Khi đặt điện áp dương vào cực G đến một mức độ nào đó gọi là điện áp ngưỡng. các
lỗ P bị đẩy ra, đồng thời hút các điện tích được hút đến, tạo ra một kênh dẫn giữa S và
D. Dòng điện có thể đi qua lớp bán dẫn này. Chính vì vậy còn gọi Mosfet với tên gọi
khác là Transistor hiệu ứng trường có cổng cách ly.

1.2.2 Cách phân cực cho mosfet.

Hình1.3 là cách thức phân cực cho mosfet. Mosfet có hai loại là kênh p và kênh n.

Cách thức phân cực cụ thể trong hình 1.3

10
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 1.3: Cách phân cực cho mostfet

1.2.3: Đặc Tính Voltage -Ampe (VI) của Mosfet.

Hình 1.4 Đường đặc tính Volt -Ampe của Mosfet.

11
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Nhìn trên đường đặc tính voltage -Ampe của mostfet có thể thấy đặc tính của
chúng gồm ba vùng

1. Cutoff-mode -vùng nghịch: nghĩa là Vgs nhỏ hơn Vth thì Id =0. Lúc này Mosfet
đang đóng. Vth là điện áp đóng của mosfet.
2. Linear active- vùng tích cực: Vgs > Vth và Vds <Vgs -Vth thì mosfet dẫn dòng
chạy từ cổng drain đến source.
3. Vùng Saturation – vùng bão hoà: Lúc này mosfet làm việc ở chế độ khuếch đại
Trong điện tử công suất chỉ nghiên cứu ở hai vùng đó là cutoff-mode và
saturation, tức là vùng đóng và vùng mở của mosfet, Nó tương đương với một
khoá điện nhưng đóng cắt ở tần số cao.

1.2.4: Điều kiện mở và khoá van

Điều kiện mở lý tưởng: Ugs >0 và Uds >0. Nghĩa là nối cực dương vào chân G và cực
âm vào chân S đồng thời nối cực dương vào D lúc này Mosfet sẽ mở ra cho dòng năng
lượng chảy từ cực D về cực S.

Điều kiện Khoá van lý tưởng: Khi Uds > 0, để khoá van cho Ugs <0 thì van khoá lại.

Điều kiện mở thực tế:

Ugs >= (5-15v)

Điều kiện khoá thực tế:

Ugs <= -(5-15v)

1.3: Phân tích sơ đồ nghịc lưu đọc lập nguồn áp ba pha

1.3.1: Sơ đồ mạch lực

Sửa dụng van Mosfet

12
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 1.5 Sơ đồ nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha

Các phần tử có trong mạch lực:

• T1 T3 T5 T4 T6 T2: là các van MOSFET.

• D1 D3 D5 D4 D6 D2: là các diode.
• Nguồn một chiều DC
• Tải ba pha đối xứng nối sao
• Tụ điện C bảo vệ nguồn áp, và tiếp nhận công suất phản kháng trả về từ tải. Tụ
C phải có dung lượng đủ lớn để đảm bảo nguồn cung cấp cho nghịch lưu là nguồn
áp.

1.3.2: Nguyên tắc điều khiển mở van.

• Các cặp van T1 và T4 mở ngược nhau 180 độ, tạo điện áp pha A. Nghĩa là T1 và
T4 không được mở cùng nhau.
• Các cặp van T3 và T6 mở ngược nhau 180 độ, tạo điện áp pha B. Nghĩa là T3 và
T6 không được mở cùng nhau.
• Các cặp van T2 và T5 mở ngược nhau 180 độ, tạo điện áp pha C. Nghĩa là T2 và
T5 không được mở cùng nhau.
• Chú ý: Trường hợp nếu mở các cặp van có độ ngược nhau 180 độ cùng nhau thì
sẽ gây nên ngắn mạch nguồn áp.

13
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

• T1, T3, T5 Mở lệch nhau 120. Nghĩa là góc mở T3 chậm pha hơn so với T1 là
120 độ, và T5 mở chậm pha hơn với T3 120 độ. Mở như vậy sẽ tạo ra được
điện áp ba pha đối xứng.

Hình 1.6 Luật điều khiển nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha.

14
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình1.7: Điện áp ra trên tải

Phân tích.

Đối với van lý tưởng đóng mở thì:

• Nguồn có nội trở nhỏ vô cùng và dẫn điện theo hai chiều.

Van động lực cơ bản T1 T2 T3 T4 T5 T6 làm việc dẫn điện theo góc ⅄= 1800

Za = Zb = Zc.

• Các diode D1 D2 D3 D4 D5 D6 có chức năng hoàn năng lượng phản kháng từ

tải về nguồn.

Để đảm bảo tạo ra điện áp ba pha đối xứng cần tuân thủ theo luật dẫn điều khiển
nghịch lưu hình1.6.

• T1 và T4 lệch nhau 1800 tạo điện áp pha a.

• T2 và T5 điện lệch nhau 1800 tạo áp pha b.
• T3 và Y6 điện lệch nhau 1800 tạo áp pha c.

15
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

• Các pha a b c lệch nhau 1200 .

Trong khoảng từ 0 – t1 thấy ba van T1 T6 và T5 đang cùng dẫn (Hình1.6)

Sơ đồ thay thế:

Hình1.8: Sơ đồ thay thế

Vì Za = Zb = Zc mà Za lại song song với Zc nên có tổng trở thay thế Zk. Theo
sơ đồ cầu phân áp thấy điện áp pha B = -2/3E (có dấu âm là theo chiều dòng điện
ra)

Điện áp trên hai pha A và C bằng nhau (E/3)

Trong khoảng từ t1 – t2 thấy ba van T1 T6 và T2 đang cùng dẫn (Hình1.6)

Sơ đồ thay thế:

Hình1.9: Sơ đồ thay thế

Tương tự cách phân tích dùng cầu phân áp, có thể dễ dang xắc định được: Ua =
2/3E , Ub=Uc = -E/3.

Trong khoảng từ t2 – t3 thấy ba van T1 T3 và T2 đang cùng dẫn (Hình1.6)

16
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Sơ đồ thay thế:

Hình1.10: Sơ đồ thay thế

Tương tự cách phân tích dùng cầu phân áp, có thể dễ dang xắc định được: Uc = -
2/3E, Ua=Ub = E/3.

1.3.3: Các biểu thức tính toán.

Các biểu thức điện áp tức thời trên các pha của tải -Thành phần bậc 1.
2
Ua(t) = 𝐸sin⁡(𝜔𝑡)
3

(1.1)
2
Ub (t) = 𝐸sin⁡(𝜔𝑡 − 120) (1.2)
3

2
UC(t) = 𝐸sin⁡(𝜔𝑡 − 240) (1.3)
3

Giá trị hiệu dụng điện áp pha tải – Thành phần bậc 1.

√2
Upha = 𝐸 (1.4)
3

Phân tích dạng điện áp trên tải Ut ra chuỗi có

4𝐸 sin(2𝑘−1)𝜔𝑡
𝑈𝑡= ∑∞
𝑘=1 (1.5)
𝜋 2𝑘−1

Nếu chỉ lấy sóng điều hoà cơ bản thì tương ứng với k=1
4𝐸
Ut⁡=⁡ . sin 𝜔𝑡 = 1.273Esin(𝜃) = U1m. sin(𝜃) (1.6)
𝜋

Đồng thời phương trình dòng điện tức thời qua tải là:

17
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

I1m= √2.It (1.7)

Với Xt=𝜔𝐿𝑡⁡; φ=arctan (Xt/Rt)

Giá trị dòng trung bình qua van diode

𝐼1𝑚
Id = ⁡(1- cosφ) (1.8)
2𝜋

Giá trị dòng trung bình qua van Mosfet

𝐼1𝑚
Imosfet = ⁡(1+cosφ) (1.9)
2𝜋

1.3.4: Tụ điện một chiều.

Nếu nguồn một chiều là chỉnh lưu, cần mắc tụ điện để nhận năng lượng từ điện
cảm tải trả về khi hệ số cosφ  0,528 trị số tụ điện này có giá trị lớn nhất bằng:

E E EL
Cmax = (2ln 2 − 1)  0.13  = 0.13 2 t
3Rt U c Rt U c Rt U c (1.10)

Nếu lấy theo thông thường ∆Uc= 0.1E; có biểu thức đơn giản

Lt
Cmax = 1.3
Rt2 (1.11)

1.3.5: Bộ lọc đầu ra.

Hình 1.11. Sự phụ thuộc hệ số sóng hài vào tham số 𝜀

18
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Về nguyên tắc, bộ lọc thụ động chỉ có thể là các phần tử đấu nối tiếp hay song
song tải với các tổng trở Znt và Z// như hình 1.15.a. Từ đây có thể thấy nguyên lý chung
để thực hiện lọc là:

Phần tử mắc nối tiếp với tải (hình 1.15.b) hình thành một bộ chia áp theo tỉ lệ
tương quan tổng trở giữa chúng, tổng trở nào lớn thì điện áp trên nó cũng lớn, bởi vậy
cần:

Với tần số sóng hài cơ bản mong muốn Znt << Ztải, và tốt nhất Znt =0 (cộng
hưởng), lúc đó toàn bộ sóng cơ bản được đưa ra tải hông tổn thất ở khâu lọc.

Với các thành phần bậc cao thì ngược lại Znt >> Ztải để điện áp với các tần số này
rơi chủ yếu ở Znt tức là được giữ lại ở khâu lọc.

Với phần tử mắc song song với tải (hình 1.15.c) hình thành một bộ chia dòng
theo tỉ lệ tương quan giữa chúng, tổng trở nào càng nhỏ thì dòng chính rẽ nhánh qua nó
càng nhiều.

a. Lọc 2 mắt cộng hưởng b. Lọc 1 mắt cộng hưởng nối tiếp c. Lọc LC

Hình 1.12. Các bộ lọc tần cho nghịch lưu độc lập điện áp

1.3.6: Cải thiện điện áp ra cho nghịch lưu độc lập điện áp
Các phương pháp cải thiện điện áp ra:

Điện áp sau mạch van của nghịch lưu độc lập điện áp nhìn chung có dạng xung
mà trong đó chỉ có một phần sóng hài cơ bản là hình sin với tần số mong muốn. Nếu
phải không có đòi hỏi về dạng áp ra hình sin sẽ không cần quan tâm kỹ lưỡng đến bộ
lọc. Dùng bộ lọc tần số thụ động. Đây chính là khối lập đầu ra đã trong đó có xảy ra các
nhược điểm cơ bản của bộ luật này.

Phương pháp cộng điện áp nhiều nghịch lưu độc lập với góc pha lệch nhau hoặc
tần số khác nhau.

19
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Phương pháp điều chế PWM: điều chế hình sin (SPWM), và điều chế vector
(SVPWM).

Khâu lọc chặn tần số sóng mang:

Như đã thấy trong phổ sóng hải thì biên độ lớn nhất là bậc tương ứng tần số sóng
mang, tần số này lại thường lớn nên gây ảnh hưởng mạnh đến tài, đặc biệt với động cơ
điện có thể gây quá áp tại đầu cực động cơ có khả năng đánh thủng cách điện làm hỏng
động cơ. Để chống hiện tượng này phải triệt sóng hài này bằng khẩu lọc chặn tấn hình
4.21%, thực chất đây là mắt lọc cộng hưởng song song với tần số:

1
f= (1.12)
2π Lch Cch

Mô đun tổng trở ở tần số cơ bản có trị số bằng:

ωLch
Z= (1.13)
ω Lch Cch − 1
2

• Tính sụt áp cho phép trên điện cảm Lịch ở tần số cơ bản
• Xác định điện cảm La
• Tính tụ điện theo
• Kiểm tra tổng trở ở tần số cơ bản
Phương pháp tính toán:
1. Khâu lọc chặn tần LchCch
2. Khâu lọc RLC như sau:
• Tính điện cảm L theo độ đập mạch dòng điện cho phép.

0,125.E
L=
Δi L f m (1.14)
Trong đó fm là tần số sóng mang (tần số chuyển mạch van).

• Tính điện dung C theo điều kiện chống dao động với điện cảm tải(Lₜ)

1
C
2πf t L t
(1.15)

20
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Trong đó ft là tần số hoạt động của mạch điều khiển, thường lấy cỡ 1kHz (tương
ứng độ tác động của mạch điều khiển là 1 ms).
• Tính điện trở R theo điều kiện dập

L
R=2
C (1.16)

1.4: Giới thiệu lò tôi thép và công nghệ tôi thép

1.4.1: Khái niệm

Lò tôi thép là thiết bị biến đổi điện năng thành nhiệt năng dựa vào hiện tượng cảm ứng
điện từ trong dòng điện cao tần.

1.4.2: Ứng dụng và ưu nhược điểm

21
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

1.4.3: Tính chất công nghệ

22
Khoa điều khiển và tự động hoá
Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

23
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH LỰC.

Thiết kế mạch lực:

Sơ đồ nghịch lưu áp ba pha.

Van lực Mosfet

Tải thuần trở

Mạch bảo vệ RC

Hình2.1: Sơ đồ nghịch lưu nguồn áp ba pha sơ đồ cầu

Sơ đồ gồm:

• Nguồn 1 chiều cấp cho mạch nghịch lưu

• 6 van động lực MOSFET S1, S2, S3, S4, S5, S6 để đóng cắt.
• Các diot D1, D2, D3, D4, D5, D6 để trả công suất phản kháng của tải về lưới để
tránh được hiện tượng quá áp ở đầu nguồn.
• Tụ C7 để lọc san bằng điện áp và vừa là nơi chứa công suất phản kháng trao đổi
với tải qua các điot ngược.
• Mạch bảo vệ xung điện áp R và C
• Tải trở cảm

Tính toán chọn các van Diode và Mosfet trong mạch lực xuất phát từ yêu cầu của công
suất lớn nhất mà nghịch lưu làm việc:

Yêu cầu thiết kế:

• Điện áp tải 3x450V, 10000Hz.

24
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

• Công suất tải tối đa: 115KW.

Tổng trở tải với tần số cơ bản là 10000hz, tương ứng với tần số góc ω =2.π.f=628.318
Rad/s.

Công suất tối đa ra tải là 115kw.

Pt =√3Ud.id .cos(φ). (1.17)

Trong đó cos( ⁡φ) là góc lệch pha giữa điện áp và dòng điện Pt = 10.103 và chọn theo
TCVN về hệ số công suất chọn cos( ⁡φ) = 1 . tải là thuần trở .

Thay số liệu vào công thức (1.17) được: Id = 16,88 (A)

Mặt khác có giá trị hiệu dụng điện áp tải – Thành phần sóng hài bậc 1.
Ut 380 Ut 380
Ut = 0.9.E.  E = =⁡ = 422.1⁡(V) và Zt = = = 14.44 (Ω)
0.9 0.9 It 16.88

Mặt khác có Zt =⁡√R2 + (ωl)2 Giả sử điện cảm L= 1mH => R= 14.44 Ω.
U1m
U1m = 1.273E = 1,273.422,3 = 537.6V. U1 = = 380(v).
√2

628,318.10−3 U1 380
φ = arctag⁡⁡ = 2.4980 . I1 = =⁡ = 26.315⁡(A)
14.4 Z 14.44

I1M = √2⁡I1 = √2. 26.3 = 37.216(A)

I1m
Giá trị dòng qua van Diode: Id = ⁡(1- cosφ) = 5.9A
2π

I1m
Giá trị dòng qua van Transistor: Itr = ⁡(1+ cosφ) = 11.9A
2π

Transitor: Với chế độ hoạt động van phải chịu dòng là 11.9A và điện áp 380V nên
chọn van có dòng cỡ 15A và điện áp cỡ 500V

Điot: van chịu dòng là 5.9 A nhưng điện áp phải chịu vẫn là 380V nên có thể chọn điot
cỡ < 10A và cấp điện áp 600V.

Bảng thông số chọn van diot:

Kí hiệu I(A) Ungm(V)

BYX98 10 800V

25
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Bảng thông số chọn van transitor:

Kí hiệu ICmax (A) PCmax (V) UCe.max (V)

BUV36 15 90 800

Tính toán tụ điện một chiều trong nghịch lưu điện áp:

Tụ điện C7 có nhiệm vụ:

Làm phẳng điện áp đầu ra tại nguồn E

Nhận năng lượng trả về từ điện cảm khi diot dẫn dòng vì chỉnh lưu không cho dòng đảo
chiều lại.

Trị số tụ điện phụ thuộc vào điện áp 1 chiều

Nếu lấy độ đập mạch theo thông lệ là 10% thì giá trị lớn nhất của tụ điện cần mắc ở đầu
vào nghịch lưu độc lập điện áp là:
0,3.𝐸𝜏 0,3.𝐸𝜏 𝐿𝑡 10.10−2
𝐶𝑚𝑎𝑥 = = = 3. = 3. = 0.012F
∆𝐶.𝑅𝑡 0,1.𝐸.𝑅𝑡 𝑅 𝑡2 52

Tính toán mạch bảo vệ van:

𝑈𝑛𝑔.𝑚𝑎𝑥𝐿𝑉 800
k= = = 2.1
𝑈2𝑚𝑎𝑥 380
Tra đồ thị (1.22 trang 49 sách hướng dẫn điện tử công suất) với k = 2,1 có:

Chọn R =12  ; C= 20nF

26
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Bảng liệt kê các thiết bị mạch lực đã chọn:

TT Tên thiết bị Số lượng Thông số

1 BUV36 6 ICmax (A)=15A, PCmax (V)=175, UCe.max

(V)

2 BYX98 6 I(A)= 10A, Ungm(V) = 800V

3 Tụ C 7 C7 = 0,012F, C1-C6=20nF

4 Điện trở R 6 R=12 

27
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN.

3.1 Cấu trúc điều khiển nghịch lưu.

Hình 3.1 Cấu trúc điều khiển nghịch lưu.

Sơ đồ cấu trúc điều khiển nghịch lưu đơn giản hình 3.1 gồm các khâu với chức
năng cụ thể là:

• Phát xung chủ đạo, để nhằm tạo tín hiều đồng bộ cho toàn bộ hệ thống và có tần
số tỉ lệ với sóng hài cơ bản của điện áp ra tải.
• Bộ phận phân phối xung, nhằm phân phối xung vào từng van lực riêng biệt theo
đúng thứ tự của van.
• Khâu xắc định khoảng dẫn van thực hiện theo phương pháp điều khiển cụ thể.
• Bộ khuếch đại xung nhằm tạo ra công suất đủ lớn để mở van lực.
Sơ đồ cấu trúc điều khiển nghịch lưu đơn giản

Hình 3.2 Sơ đồ cấu trúc chung cho điều khiển nghịch lưu đơn giản

28
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

3.2 Tính toán các khâu trong mạch điều khiển.

3.2.1 Phát xung chủ đạo.

Hình 3.3 Khâu phát xung chủ đạo

Đầu ra của OA1 là dao động điện áp xung chữ nhật, đầu ra của OA2 là điện áp
răng cưa có hình tam giác cân.

OA1 là mạch lật kiểu trigo Schmit do đó đầu ra chỉ có hai trạng thái tối đa tương
ứng hai giá trị cực đại +-Um. Nếu dùng cụm hai điôt ổn áp đấu nối tiếp Dz1, Dz2 thì
Um=(UDz+0.7)V nếu không dùng thì như thông thường Um=Ubh của OA.Có thể dùng
xung tam giác hai cực tính thành một cực tính nếu sử dụng thêm mạch dịch điện áp bằng
cụm điện điện trở treo R4,R5

Điện áp ở hai đầu Ura1 được dịch đi một giá trị là:

U rc / 4 + E / R5 (3.1)
U ra =
1/ R4 + 1/ R 5

Điều kiện để răng cưa tam giác trở thành một cực tính

−U m E R U (3.2)
+ = 0 -> 4 = m
R4 R5 R5 E

Tính toán khâu phát xung(Ufx) và khâu điện áp răng cưa(Urc)

Chọn điện áp nguồn E=+-15V và sử dụng diot ổn áp nối tiếp đối đầu với Uoa=12V,có
điện đầu ra OA1 cực đại
29
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Um=Uoa+Udz=12+0,7=12,7V (3.3)

Khoảng thời gian một nửa chu kì điện áp răng cưa phải biến thiên được giá trị bằng
hai lần biên độ điện áp tam giác Ung ở bài này sẽ là 2x10=20 V.Do đó thể hiện sự biến
thiên điện áp này rút ra:

Um T (3.4)
= 2U ng
CR1 2

Tính toán răng cưa hai cực tính với biến độ +-5V

(3.5)

Thay số vào có với tần số ra tải là 100hz thì T = 1/100 = 0.01s

12.7
Thay số liệu vào công thư 3.5. CR1 = . 0.01 = 0.00635(𝑠)
4.5

Chọn C = 20nF
0.00635
R1 = = 317.5(𝑘𝛺)
20.10−9

Chọn R1=318k để hiệu chỉnh tần số băm xung.

R3 U ng 5 (3.6)
= = = 0,394
R2 U m 12, 7

Có R2=10k thì R3=3,94k. tuy nhiên chọn R2=10k và R3=5k để bảm bảo biên độ xung
tam giác.

Chọn R4=5k để điều chỉnh điện áp dịch xung tam giác sao cho điểm thấp nhất là lớn hơn
không và có biên độ khoảng 10V.

3.2.2 Khâu chi tần dùng flip-flop

Khâu chia tần dùng flip-flop là khâu phía sau khâu phát xung chủ đạo

30
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 3.4 Khâu phân phối xung cho nghịch lưu độc lập.

Bảng trạng thái của mạch J-K

Cấu tạo của Triger
Clock J K Qn+1 Cấu tạo của mạch J-K:

- Mạch trigo J-K được cấu tạo từ những phần

0 0 Qn
tử logic NAND

- Đầu vào kích hoạt là khối xung clock.

0 1 1
Đầu ra là Q và Q đảo.

1 0 0

1 1 Đảo Qn

Hình 3.5 Bảng trạng thái J-K . Hình 3.6 Sơ đồ cấu tạo bộ JK.

31
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 3.7 Phân phối xung cho nghịch lưu độc lập điện áp ba pha ⅄= 1800

Tr1 = Q1; T4 = Q1; T3 = Q2; T6 = Q2; T5 = Q3; T2 = Q3;

Hình 3.8 Phân phối xung cho nghịch lưu độc lập điện áp ba pha ⅄= 1200

32
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

3.2.3 Khâu tạo trễ.

Hình 3.9 Khâu tạo trễ mở

Bộ tạo trễ có tác dụng chống ngắn mạch xuyên thông giữa hai van thẳng hàng
khi chúng chuyển trạng thái, được thực hiện nhờ 2 phần tử logic L1, L2 với nhóm R, C,
D.

Ở đây sử dụng phương pháp nạp tụ C thông qua điện trở R đưa vào tới cổng vào
logic L loại có ngưỡng trigo schmit, thời gian trễ gần bằng 0,7RC. Điện áp vào bằng 0,
tụ C phóng tắt qua diot D nên độ trễ là không đáng kể.Thực tế thời gian trễ nằm trong
khoảng 1,3us đến 10us tùy loại van lực và tần số làm việc của mạch.

Do nguồn E luôn > 5V nên dùng IC họ CMOS, chọn 3 phần tử này trong cùng 1
chip IC loại CD493 hoặc CD4584

Chọn C3 =10nF

0, 7.t x 0, 7.60.10−6 (3.8)

R= = = 4,3k 
C 10.10−9

Vậy chọn R theo chuẩn chế tạo R = 5k 

33
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

3.3.4: Khâu khuếch đại xung.

Hình 3.10 Khâu khuếch đại xung.

Khâu khuếch đại sử dụng driver M57915L có cách ly quang, điện trở R cũng để
hạn chế dòng qua điot phát quang.Với M57915 yêu cầu dòng điện cho diot quang là
7mA, nên biểu thức tính điện trở hạn chế là:

E − U bh − U DLED 2 E − 4 (3.9)
R 8= =
I LED 7.10−3

E = 12V

2E − 4 (3.10)
R10 = = 2,86k 
7.10−3

R11: 300 

R12: 500  , R13: 800 

34
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG KIỂM CHỨNG.

4.1 Giới thiệu phần mềm mô phỏng PSIM

Phần mềm được sử dụng để mô phỏng ở đây là phần mềm PSIM. PSIM là phần
mềm mô phỏng được thiết kế đặc biệt để mô phỏng các mạch điện tử công suất, các hệ
truyền động điện. Thư viện của PSIM rất phong phú và đa dạng cùng với khả năng mô
phỏng nhanh, giao diện thân thiện, dễ sử dụng và phân tích dạng sóng tốt, PSIM là công
cụ mô phỏng mạnh mẽ cho việc phân tích các bộ biến đổi điện tử công suất, thiết kế
vòng điều khiển kín, và nghiên cứu các hệ thống truyền động điện.

Hình 4.1 Giao diện màn hình phần mền Psim

Phần trên cùng là thanh chuẩn (Standard) gồm File, Edit, View, Subcircuit, Element,
Simulate, Option, Window, Help. Mọi thao tác trong PSIM đều có thể thực hiện được
từ thanh chuẩn này.

Thanh dưới bao gồm các công cụ hay dùng, cơ bản như New, Save, Open, … và các
lệnh thường dùng như Wire (nối dây), Zoom, Run Simulation (chạy mô phỏng) …

Thanh dưới cùng là các linh kiện thường dùng như điện trở, cuộn cảm, tụ điện,
thyristor…

Sau khi mô phỏng xong mạch lực và mạch điều khiển, vào Simulate ≫ Simulation
Control. Một cái biểu tượng đồng hồ hiện ra, đặt vào một vị trí tùy ý trong trang vẽ, một
35
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

hộp thoại hiện ra. Time Step là bước thời gian tính toán, Total Time là tổng thời gian
bạn muốn chương trình chạy mô phỏng, đơn vị đều là giây. Đó là 2 thông số quan trọng
nhất. Việc đặt Time Step và Total Time cần phù hợp với từng mạch. Time Step càng
nhở mô phỏng càng chính xác và đường đồ thị càng mịn, tuy nhiên nếu chọn Time Step
quá nhỏ và Total Time quá lớn thì thời gian chạy sẽ lâu. Chọn xong thông số mô phỏng,
các bạn chạy mô phỏng bằng cách: Simulate ≫ Run Simulation.

Chương trình PSIM Simulation sẽ chạy và sau đó SIMVIEW cũng tự động chạy và
cửa sổ của chương trình SIMVIEW hiện ra. Nếu không hiện ra, các bạn vào Simulate
≫ Run SIMVIEW. Cửa sổ SIMVIEW hiện ra với 1 hộp thoại, trong hộp thoại có các
đại lượng có thể hiển thị, các bạn muốn hiển thị đồ thị nào thì chọn đại lượng đó và ấn
Add, sau đó OK. Tên các đại lượng sẽ để mặc định, các bạn nên đặt lại tên theo ý mình
để dễ theo dõi bằng cách click đúp và đặt lại tên phần tử trong PSIM Schematic. Cần
lưu ý là, các đại lượng này có giá trị rất khác nhau, nếu hiển thị cùng trên một hệ trục
tọa độ thì có thể sẽ không nhìn thấy được đồ thị các đại lượng nhỏ, để quan sát đầy đủ,
các bạn hãy hiển thị các đồ thị trong các hệ khác nhau bằng cách: Screen ≫ Add Screen.
Muốn thêm hay bớt đồ thị của screen nào, các bạn click chuột vào khu vực screen đó,
một dấu màu đỏ sẽ hiện ra góc trên bên phải của screen, đánh dấu rằng screen đó được
chọn, sau đó dùng lệnh Screen ≫ Add/Delete Curve.
4.2 Sơ đồ toàn mạch.

Hình 4.2 Sơ đồ mạch lực nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha.
36
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

4.3. Kết Quả mô phỏng.

4.3.1 Khâu Phát xung chủ đạo.

Hình 4.3 Dạng xung của khâu phát xung chủ đạo

4.3.2: Khâu phân phối xung.

37
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Hình 4.4 Khâu phân phối xung.

38
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

4.3.3 Khâu khuếch đại xung.

Hình 4.5 khâu khuếch đại xung

39
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

4.3.4 Khâu tạo trễ mở.

Hình 4.6 khâu tạo trễ mở.

40
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

4.3.5: Dạng điện áp ra trên tải.

Hình 4.7a.

Hình 4.7b

Hình 4.7a,b dạng điện áp ra trên tải.

41
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

Nhận xét kết quả mô phỏng.

Kết quả điện áp đầu ra nhận được trên tải hoàn toàn phù hợp với nghiên cứu lý thuyết,
dạng điện áp trên tải là dạng bậc thang.

KẾT LUẬN

- Sử dụng thành thạo phần mềm mô phỏng PSIM

- Tìm hiểu cấu tạo, nguyên lý hoạt động của mạch nghịch lưu độc lập nguồn áp 3 pha

- Hiểu phương pháp điều khiển nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha

- Thiết kế mạch điều khiển nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha

- Mô phỏng mạch nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha bằng phần mềm PSIM

Tuy nhiên, do thời gian có hạn nên chúng em chưa thể hoàn thành phần cứng của
mạch điều khiển này và một số kết quả mô phỏng chỉ mang tính tương đối so với lý
thuyết đã học. Vì vậy chúng em rất mong nhận được sự góp ý của thầy cô và các bạn
để bài báo cáo này có thể hoàn thiện hơn nữa.

42
Khoa điều khiển và tự động hoá
 Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Hướng dẫn thiết kế điện tử công suất: Phạm Quốc Hải Nhà xuất bản Khoa học và
kỹ thuật Hà Nội, 2009.

[2] Điện tử công suất: Võ Minh Chính(chủ biên), Phạm Quốc Hải, Trần Trọng Minh
Nhà xuất bản Khoa học và kỹ thuật

[3] Điện tử công suất lý thuyết, thiết kế, ứng dụng: Lê Văn Doanh Nhà xuất bản Khoa
học Kỹ thuật.

[4] Điện tử công suất: Nguyễn Bính. Nhà xuất bản Giáo dục, 2000.

43
Khoa điều khiển và tự động hoá
Trường Đại Học Điện Lực – Electric Power University

44
Khoa điều khiển và tự động hoá