Professional Documents
Culture Documents
Hoàng Thanh Tú
MỤC LỤC
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ NGHỊCH LƯU VÀ BIẾN TẦN ..................... 4
1.1 TỔNG QUAN VỀ NGHỊCH LƯU VÀ BIẾN TẦN ............................... 4
1.1.1 Bộ nghịch lưu ...................................................................................... 4
1.1.2 Bộ biến tần ........................................................................................... 5
1.1.2.1 Biến tần gián tiếp.......................................................................... 6
1.1.2.2 Biến tần trực tiếp .......................................................................... 8
1.2 BỘ NGHỊCH LƯU ĐỘC LẬP ĐIỆN ÁP MỘT PHA ............................... 9
1.2.1 Nguyên lý hoạt động và các tham số cơ bản ....................................... 9
1.2.2 Tụ lọc đầu vào trong nghịch lưu điện áp. ..................................... 13
CHƯƠNG 2: TÍNH CHỌN MẠCH ĐỘNG LỰC.............................................. 14
2.1 SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ MẠCH ĐỘNG LỰC ........................................... 14
2.2 ĐỀ XUẤT PHƯƠNG ÁN CẢI THIỆN ĐIỆN ÁP ĐẦU RA ................ 15
2.2.1 Điều chế PWM cho nghịch lưu điện áp một pha .............................. 15
2.2.1.1 Điều chế PWM hình sin hai cực tính ......................................... 16
2.2.1.2 Điều chế PWM hình sin một cực tính ........................................ 17
2.2.1.3 Chọn phương án điều chế SWPM .............................................. 18
2.2.2 Chọn thiết bị bán dẫn đóng cắt .......................................................... 18
2.3 THIẾT KẾ MẠCH ĐỘNG LỰC ........................................................... 20
2.3.1 Tính toán bộ nghịch lưu..................................................................... 20
2.3.1.1 Chon hệ số điều biến tần số........................................................ 20
2.3.1.2 Chon hệ số điều biến biên độ ..................................................... 21
2.3.1.3 Tính toán điện áp chịu đựng yêu cầu của IGBT ........................ 21
2.3.1.4 Tính toán dòng điện cần thiết để chọn IGBT ............................. 22
2.3.1.5 Chọn IGBT ................................................................................. 22
2.3.1.6 Tản nhiệt cho IGBT.................................................................... 23
2.3.2 Tính toán diode chỉnh lưu và bộ lọc nguồn ....................................... 24
2.3.2.1 Bộ lọc đầu vào một chiều cho nghịch lưu .................................. 24
2.3.2.2 Tính chọn diode chỉnh lưu ......................................................... 24
2.3.2.3 Bảo vệ quá điện áp cho các Diode chỉnh lưu ............................. 25
2.3.3 Tính chọn máy biến áp .................................................................. 26
2.3.4 Tính toán bộ lọc tần số đầu ra nghịch lưu ..................................... 26
2.3.5 Bảo vệ quá dòng cho bộ biến tần .................................................. 27
CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN ............................................... 28
3.1 CẤU TRÚC MẠCH ĐIỀU KHIỂN ....................................................... 28
3.2 TÍNH TOÁN MẠCH ĐIỀU KHIỂN ..................................................... 28
3.2.1 Khâu tạo sóng sin .......................................................................... 28
3.2.2 Khâu tạo sóng mang tam giác ....................................................... 30
3.2.3 Khâu nghịch đảo sóng sin ............................................................. 31
3.2.4 Khâu so sánh tạo xung .................................................................. 32
3.2.5 Khâu đảo xung điều khiển ............................................................ 32
3.2.6 Khâu cách ly và khếch đại ............................................................ 32
3.2.7 Thiết kế nguồn nuôi cho mạch điều khiển. ................................... 34
CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG DẠNG SÓNG ĐẦU RA VỚI CÁC LOẠI TẢI
BẰNG MATLAB SIMULINK ........................................................................... 36
4.1 Sơ đồ mạch mô phỏng ............................................................................ 36
4.2 Kết quả mô phỏng với tải R-L đèn tuýp................................................. 37
4.3 Kết quả mô phỏng với tải R bếp điện..................................................... 41
4.4 Kết quả mô phỏng với tải động cơ ......................................................... 43
4.5 Kết quả mô phỏng với tải mạ điện R-C-E............................................. 46
PDC PAC
NLĐL
̴
f=0 f≠0
E Uac
̴ Tải
NLĐL điện áp
2 NLĐL dòng điện: cho phép biến nguồn dòng một chiều thành nguồn dòng
điện xoay chiều.
PDC PAC
NLĐL
̴
f=0 f≠0
I Iac
̴ Tải
3 NLĐL cộng hưởng: có đặc điểm khi hoạt động luôn hình thành một mạch
vòng dao động cộng hưởng RLC.
Tải của NLĐL lả thiết bị điện xoay chiều có thể là một pha hay ba pha,
do đó NLĐL cũng được chế tạo hai dạng NLĐL một pha và NLĐL ba pha.
Van bán dẫn sử dụng trong NLĐL phụ thuộc loại nghịch lưu:
Với NLĐL điện áp, van hoạt động dưới tác động của sức điện động
một chiều E, điều này tương tự như van trong băm xung một chiều, vì vậy
thích hợp phải là van điêu khiên hoàn toàn: các loại transistor BT,
MOSFET, IGBT hay GTO.
Với NLĐL dòng điện và NLĐL cộng hưởng, do tính chất mạch cho
phép ứng dụng tốt van bán điều khiển thyristor nên chúng thường được
dùng.
PAC PDC
BIẾN TẦN
Cấu trúc thông dụng của biến tần gián tiếp như hình, qua đây ta thấy để tạo
ra nguồn xoay chiều tần số khác với đầu vào phải tiến hành hai quá trình biến
đổi năng lượng; chỉnh lưu biến năng lượng xoay chiều về một chiều, sau đó là
nghịch lưu để biến đổi ngược lại. Biến tần này còn được gọi là biến tần cỏ khâu
trung gian một chiều theo sơ đồ cẩu trúc biến đổi năng lượng. Việc sử dụng
NLĐL làm bộ biến đổi tần số đầu ra cho phép biến tần loại này cỏ khả năng
thay đổi tẩn số trong phạm vi rộng và độc lập, đây là ưu điểm chủ yếu đem đến
ứng dụng rất rộng rãi cùa nó trong thực tế hiện nay. Nhược điểm cơ bản của
biến tần gián tiếp là hiệu suất không thật cao do chính quá trình biến đổi năng
lượng hai lần.
Khối chỉnh lưu trong biến tần gián tiếp có thế là chỉnh lưu điều khiển
hay không điều khiến tuỳ thuộc vào loại nghịch lưu độc lập được dùng và
công suất tải.
a. Biến tần gián tiếp sử dụng nghịch lưu độc lập điện áp:
đòi hỏi nguồn một chiều có độ đập mạch nhỏ và ổn định, vì vậy thường
dùng chỉnh lưu điốt với khâu lọc một chiều kiểu C hoặc lọc LC và cỏ cấu trúc
như hình, chỉnh lưu điều khiển ít dùng do độ đập mạch điện áp xấu đi nhiều
(tăng mạnh) khi điều chỉnh giảm điện áp một chiều.
PAC PDC P DC
LỌC MỘT
PDC
NGHỊCH LƯU
PAC
CHỈNH LƯU
CHIỀU ĐỘC LẬP LỌC TẦN SỐ
Với cấu trúc này, mạch điều khiển chỉ tác động duy nhất vào khối nghịch
lưu độc lập điện áp để đảm bảo cả yêu cầu về tần số và điện áp ra tải, do
đó mạch điều khiển khá phức tạp. Với tải công suất trung bình và lớn phải
dùng chinh lưu cầu nhiều pha: m2=6,12 ... để vừa giảm hệ số đập mạch và
không cần tụ lọc lớn, vừa cải thiện đáng kể hệ số méo của dòng điện tiêu
thụ từ lưới xoay chiều.
Với tải công suất không lớn, nhiệm vụ điều chỉnh và ổn định điện áp ra có
thể thông qua điều khiển diện áp một chiều bằng cách đưa thêm vào bộ
băm xung một chiều sau chỉnh lưu điôt và lọc. Đôi khi băm xung một
chiều còn dùng đế tăng điện áp (băm xung kiểu song song) cho trường
hợp nguồn xoay chiều thấp hơn giá trị cần có
b. Biến tần gián tiếp sử dụng nghịch lưu độc lập dòng điện:
đòi hỏi nguồn dòng một chiều, trong khi đó sau chỉnh lưu chỉ cho phép
nhận được điện áp chứ không phải dòng, vì vậy để chuyển đổi thành
nguồn dòng buộc phải thực hiện đồng thời hai biện pháp:
Sử dụng lọc điện cảm với giá trị lớn để làm độ đập mạch dòng
điện nhỏ, tương ứng dòng không đổi tức là có nguồn dòng. Tuy
nhiên điện cảm lọc không cho phép ổn định và điểu chỉnh dòng
ra, do đó cần biện pháp thứ hai.
Dùng chỉnh lưu điều khiển để tự động điều chỉnh điện áp chỉnh
lưu theo các biến động tải và nguồn bằng hệ thống kín với phản
hồi dòng điện để đảm bảo vừa điểu chỉnh dòng theo yêu cầu
công nghệ, vừa ổn định dòng chống các biến động này.
m2
Như vậy biến tần dùng nghịch lưu dòng điện có cấu trúc như trên
hình. Trạng thái không tải với nguồn dòng là cấm (trạng thái sự cố)
nên biến tần này chỉ được hoạt động khi đà nối tải.
c. Biến tần gián tiếp sử dụng nghịch lưu độc lập cộng hưởng:
có thể hoạt động với nguồn áp hay nguồn dòng nhưng nói chung
thường sử dụng chỉnh lưu điều khiển. NLĐL cộng hưởng hay ứng
dụng cho thiết bị gia nhiệt tần số nên thường chỉ sử dụng loại một pha.
1.1.2.2 Biến tần trực tiếp
Biến tần trực tiếp dùng nguyên tắc sau:
• Dùng hai bộ chỉnh lưu cùng loại, đầu ra đấu ngược cực tính.
• Mỗi bộ chỉnh lưu đảm nhận một dấu của điện áp ra và cho hai bộ
chạy lần lượt sẽ tạo thành điện áp hai dấu (xoay chiều) ở đầu ra.
Sử dụng nguyên tắc này sẽ đạt hiệu suất cao vì không cần biến đổi năng lượng
hai lần, tuy nhiên loại này có một số nhược điểm như: tần số ra phụ thuộc tần số
nguồn; điều chỉnh tần số trơn khá khỏ khăn, số lượng van lớn, nếu muốn đạt chỉ
tiêu chất lượng tốt như biến tần gián tiếp thì toàn hệ thống (cả lực và điều khiển)
đều phức tạp.
NLĐL và biến tần được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như cung cấp
điện, các hệ điều khiển tốc độ động cơ điện xoay chiều, truyền tải điện năng
HVDC, luyện kim, các bộ biến đối cho các nguồn năng lượng mới.
Các van hoạt động theo cặp T1, T2 và T3,T4; hai cặp van dẫn khoảng thời
gian như nhau và bằng một nửa chu kỳ của điện áp ra. Điện áp ra có dạng
xung chữ nhật với giá trị ±E. Điện áp ra này thoả mãn các điều kiện của
một điện áp xoay chiều tuần hoàn là:
• Điện áp ra có hai dấu dương và âm;
• Giá trị trung bình bằng không;
• Sau một nửa chu kỳ có giá trị bằng nhau nhưng ngược dấu:
u(t) = - u(t + T/2);
• Sau một chu kỳ lặp lại trạng thái: u (t) = u(t + T).
Tuy nhiên điện áp này không phải hình sin, ngoài thành phần cơ bản u, i
có chu kỳ bằng chu kỳ điều khiển còn có các sóng hài bậc cao.
Biểu thức chung của sóng hài
∞
4E sin(2𝑘 − 1) 𝜔𝑡
𝑢(𝑡) = ∑ (1.1)
𝜋 2𝑘 − 1
𝑘=1
Như vậy để có điện áp hình sin cần chọn ra, lọc ra tần số mong muốn do
đó đầu ra của NLĐL điện áp có bộ lọc tần số. Để đánh giá dạng điện áp ra
khác đi (méo) so với hình sin mong muốn cần sử dụng các tham số sau:
1. Hệ số sóng hài bậc k , là tỉ số giữa trị số hiệu dụng sóng hài bậc k
với sóng hài cơ bản:
U𝑘 U
HF𝑘 = = 𝑘𝑚 (1.2)
U1 U1𝑚
U𝑘 HF𝑘
DF𝑘 = = (1.3)
𝑘 2 U1 𝑘2
3. Hệ sổ méo (Distortion Factor):
∞
1 U𝑘
DF= √ ∑ ( 2 )2 (1.4)
U1 𝑘
𝑘=2,3…
Ảnh hưởng lớn nhất đến dạng sin của điện áp ra là sóng hải gần nhất với sóng
cơ bản, vì vậy trong phân tích thường chú ý chủ yếu đến sóng hài bậc thấp nhất
này, gọi là LOH (Lowest - Order Harmonic). Các sóng hài cỏ biên độ nhỏ hơn
3% biên độ sóng hài cơ bản (HFk < 0,03) được bỏ qua không xét đến ngay
cả với LOH, lúc đó coi điện áp ra là hinh sin hoàn chỉnh không méo.
Việc phân tích tính toán qui luật dòng điện chính xác có thể thực hiện,
song sẽ cho các biểu thức phức tạp, do đó thực tế thường đơn giản hoá, ở NLĐL
điện áp sử dụng phương pháp “sóng hài cơ bản”. Trong phương pháp này coi
rằng điện áp ra chỉ chửa một thành phần cơ bản bậc một (u1) và do đó nó là hình
sin hoàn chỉnh, nhờ vậy có thề giải mạch theo cách Giải: mạch điện hình sin
quen thuộc. Theo (1.1) có điện áp cơ bản với k =1:
4E
u1 (𝑡) = sin 𝜔𝑡 = 1,273E sin 𝜃 = U1m sin 𝜃 (1.6)
𝜋
Dưới tác động của điện áp này dòng tải cũng biến thiên hình sin với qui luật:
U1𝑚
i𝑡 (𝑡) = I𝑚 sin(𝜔𝑡 − 𝜑) = sin(𝜃 − 𝜑)
z
𝜔L
(1.7)
2
trong đó: 𝑧 = √R 𝑡 + (𝜔L𝑡 )2 , 𝜑= tan−1 ( 𝑡)
R𝑡
π 2π
𝜃𝑘
𝜑
Dạng biến thiên của điện áp ra, dòng ra thực và theo phương pháp sóng hài cơ bản
Dạng biến thiên của điện áp ra, dòng ra thực và theo phương pháp sóng hài cơ
bản trình bày trên hình, qua đó có thể thấy điểm dòng điện thực qua điểm không
cũng gần với trường hợp khi coi dòng điện là hình sin. Từ đây dễ dàng xác định
được dòng trung bình qua các van, các transistor dẫn dòng như nhau và các điôt
cũng vậy:
1 𝜃𝑘 I1𝑚
I𝐷 = ∫ −I𝑚 sin(𝜃 − 𝜑)𝑑𝜃 = (1 − cos 𝜑)
2𝜋 0 2𝜋
(1.8)
1 𝜋 I1𝑚
I𝑇 = ∫ I𝑚 sin(𝜃 − 𝜑)𝑑𝜃 = (1 + cos 𝜑)
2𝜋 𝜃𝑘 2𝜋
L𝑡
Trong đó 𝜏 hằng số thời gian mạch tải 𝜏=
R𝑡
E.τ E.τ
∆UC = k Cmax = 0,3
C.R 𝑡 C.R 𝑡
và nếu lấy độ đập mạch theo thông lệ là 10% thì giá trị lớn nhất của tụ điện cần
mắc ở đầu vào nghịch lưu độc lập điện áp là:
0,3Eτ 0,3Eτ 𝜏 L𝑡
Cmax = = =3 =3 2
∆CR 𝑡 0,1ER 𝑡 R𝑡 R𝑡
Trong đó
1. Khối biến áp lực: dùng máy biến áp 1 pha có tác dụng chuyển điện áp của
lưới điện xoay chiều sang điện áp thích hợp với tải, cách ly điện áp lưới.
2. Khối chỉnh lưu: Ta chọn khối chỉnh lưu cầu 1 pha dùng Diode
3. Khối lọc đầu vào: Làm phẳng điện áp đầu ra tạo nguồn E và nhận năng lượng
trả về từ điện cảm tải khi các điôt dẫn dòng, vì chỉnh lưu không cho dòng đảo
chiều lại.
4. Khối nghịch lưu: sử dụng nghịch lưu độc lập điện áp một pha, sơ đồ cầu.
5. Khối lọc đầu ra: có tác dụng lọc lấy sóng hài cơ bản, tăng chất lượng điện áp
đặt lên tải.
6. Tải
số lớn. Tần số thông thường lớn hơn khoản 15 lần tần số định mức đầu ra của bộ
nghịch lưu.
T1,T2
Ura
T3,T4
Hình 2.3 minh họa phương pháp điều chế hình sin hai cực tính sử dụng xung
tam giác tần số cao (gọi là sóng mang – carrier) được so sánh với điện áp hình
sin (gọi là sóng điều chế - modulation), điểm cắt nhau giữa 2 điện áp này là
điểm chuyển đổi trạng thái của 2 cặp van cho nhau. Điện áp ra không chỉ còn
hai xung chữ nhật với điện áp +E hay –E mà là một dãy xung có độ rộng biến
thiên theo qui luật của sóng điều chế hình sin. Điện áp ra ở mỗi nửa chu kỳ luôn
tồn tại cả hai dấu ±E nên được gọi là điều chế hai cực tính.
T1
T4
T3
T2
Ura
Để điều chế 1 cực tính có nhiều cách mà một trong số đó thể hiện ở hình 2.3.
Van của một cặp không đóng/ngắt đồng thời mà đổi nhau. thời điểm chuyển đổi
trạng thái giữa hai nhóm cũng khác nhau nhưng vẫn dựa theo nguyên tắc
SPWM.
Theo đồ thị ta thấy
• Điện áp ra bằng không khi T1 dẫn cùng T3 hoặc T2 dẫn cùng T4.
• Ở nửa chu kỳ đầu có những giai đoạn T1 dẫn cùng T2 sẽ có điện áp ra
bằng +E.
• Ở nửa chu kỳ sau khi T3 dẫn cùng T4 sẽ có điện áp ra bằng –E.
Trong cách này cần tạo hai hình sin ngược pha nhau và chỉ một xung tam giác
cao tần hoặc có thể làm ngược lại: chỉ dùng một sóng điều chế hình sin và hai
xung tam giác ngược pha nhau.
Một cách khác để nhận được điện áp môt cực tính là chỉ dùng một hình sin,
nhưng xung tam giác được dịch chuyển để luôn cùng dấu với điện áp hình sin.
xung điện áp ra của BJT khá lớn, nguyên nhân chính do tụ kí sinh trên van nhỏ
nên cho phép van chuyển mạch nhanh.
Nhược điểm chủ yếu của BJT là công suất mạch điều khiển. Các BJT công suất
lớn thường có hệ số khuyếch đại nhỏ, cỡ trên dưới 10 lần. Điều này đông nghĩa
với công suất mạch điều khiển bằng 1/10 công suất mạch động lực nếu ta sử
dụng khuyếch đại trực tiếp. Công suất mạch điều khiển có thể giảm được nếu ta
sử dụng mạch Dalington cho tầng khuyếch đại cuối cùng, tuy vậy sẽ gây ra một
vấn đề đó là trễ điều khiển khi chuyển mạch tần số lớn.
- Tổn hao và làm mát BJT
Như đã phân tích, tổn hao trong BJT khá lớn do nó được điều khiển bằng dòng-
áp. Do tổn hao khá lớn nên các mạch dùng BJT thường có công suất nhỏ, cỡ vài
trăm oát. Việc sử dụng ở tần số cao hơn có thể làm được xong không kinh tế
trong điều khiển và làm mát van.
Những vấn đề cơ bản về MOSFET
- Dải công suất của MOSFET
Công nghệ MOSFET ra đời đã cải tiến được những nhược điểm trong điều
khiển BJT. Điểu khiển đóng mở MOSFET là điều khiển bằng điện áp đặt lên hai
cực, cực cổng (G - Gate) và cực nguồn (S - Source). Việc điều khiển bằng điện
áp đã làm giảm được kích thước và tổn hao trong mạch điều khiển và dẫn tới
khả năng tích hợp thành vi mạch.
Do sử dụng hiệu ứng trường nên MOSFET cho phép tần số chuyển mạch khá
lớn, có thể đến 100kHz. Độ tuyến tính của điện áp cao do tụ kí sinh trên van
nhỏ.
Tuy vậy công suất của MOSFET không cao, khả năng làm việc ở điện áp cao
không bằng được BJT. Các MOSFET công suất lớn thường có điện áp làm việc
dưới 1kV và dòng điện cỡ vài chục Ampe.
- Tổn hao và làm mát MOSFET
MOSFET là van bán dẫn có tổn hao nhỏ nhất trong tất cả các van bán dẫn có thể
sử dụng ở chế độ đóng cắt. Do sử dụng chuyển mạch bằng hiệu ứng trường nên
quá trình chuyển mạch gây ra tổn hao nhỏ. Đi liền với đó là việc làm mát cho
MOSFET tương đối đơn giản, có thể sử dụng hiệu suất dòng cao mà vẫn có thể
đảm bảo điều kiện làm mát. Do vậy khi dải công suất cỡ vài trăm oat thi ta nên
sử dụng MOSFET làm phần tử đóng cắt.
Tần số chuyển mạch van 𝑓𝑤𝑠 càng lớn độ méo hài càng giảm, tuy nhiên tần
số này bị hạn chế bởi khả năng đóng/cắt của van lực, mặt khác tổn thất chuyển
mạch và nhiễu cao tần trong công nghiệp cũng tăng nhanh theo 𝑓𝑤𝑠 . Vì vậy thiết
bị công suất có tần số điều chế thường dưới 10kHz.
Ta chọn 𝒎𝒇 = 40
Khi đó tần số chuyển mạch lớn nhất của van bán dẫn trong bộ nghịch lưu là:
𝑓𝑚𝑎𝑥 = 40.100 = 4000 𝐻𝑧
Tần số chuyển mạch nhỏ nhất của van bán dẫn trong bộ nghịch lưu:
𝑓𝑚𝑖𝑛 = 40.10 = 400 𝐻𝑧
2.3.1.3 Tính toán điện áp chịu đựng yêu cầu của IGBT
Theo kết quả tính toán bằng Matlab với 𝑚𝑎 = 0.85 có tỉ lệ U1/E ≈ 0.7353
Từ đó ta tính được điện áp nguồn một chiều cần cho bộ nghịch lưu:
220
E= = 299.19 V
0.7353
Ta lấy giá trị E = 300V
Trên thực tế có một phần điện áp rơi trên van IGBT và bộ lọc đầu ra nhưng ta
xét đến các giá trị này sau khi chọn IGBT
Đặc điểm đóng cắt của các van bán dẫn trong chế độ nghịch lưu là không phải
chịu điện áp ngược đặt lên van, do vậy quá trình chọn van có thể chọn hệ số an
toàn về áp thấp hơn khi chọn hệ số an toàn về áp khi chọn van cho chỉnh
lưu. Chọn hệ số an toàn về điện áp cho van bán dẫn là 2. Do vậy ta có điện áp
chịu đựng yêu cầu của van bán dẫn có giá trị bằng:
UV = 300.2 = 600V
2.3.1.4 Tính toán dòng điện cần thiết để chọn IGBT
Công suất của bộ nghịch lưu P=3kW
Dòng điện sóng cơ bản trong chế độ làm việc:
P 3000
IV = = = 13,64 A
U 220
Chọn hệ số dự trữ dòng điện là: Ki = 3,2
Dòng điện yêu cầu chọn IGBT:
Ivan = 3,2.13,64 = 43,65 A
Vậy ta có chỉ tiêu chọn van bán dẫn :
Ivan ≥ 43,65 A
Uvan ≥ 600 V
2.3.1.5 Chọn IGBT
Với công nghệ sản suất bán dẫn ngày nay thì các van bán dẫn có thể được tích
hợp trên một phần tử. Do đó ta chọn 4 van được tích hợp sẵn trên 1 phần tử:
Chọn IGBT : F4-50R12KS4
Chọn loại cánh tản nhiệt có 13 cánh, kích thước mỗi cánh
a.b=13.13 (cm x cm)
Tổng diện tích tản nhiệt của cánh:
S = 13 . 2 . 13 . 13 = 4400 (cm2) = 0,44 (m2)
- Tính điện cảm L theo độ đập mạch dòng điện cho phép, ở đây chọn
ΔIL =2A tần số sóng mang tương ứng khi bộ nghịch lưu hoạt động ở tần số
50Hz là 2000Hz
0,125.E 0,125. 300
L= = = 9,375. 10−3 H
ΔIL . fm 2.2000
Chọn L = 10 mH
- Tính điện dung C theo điều kiện chống giao động với điện cảm tải ở đây
chọn Lt = 5 mH
1 1
C≤ 2
= 2 −3
= 5. 10−6 = 5 μF
(2𝜋ft ) . Lt (2𝜋. 1000) . 5. 10
Chọn C = 4,7 μF
- Tính điện trở theo điều kiện đập:
L 10. 10−3
R = 2√ = √ = 92,25Ω
C 4,7. 10−6
Sụt áp trên bộ lọc sẽ thay đổi theo tần số ra của bộ nghịch lưu. Hệ số điều biến
biên độ ma sẽ được điều chỉnh để giữ điện áp trên tải không đổi.
2.3.5 Bảo vệ quá dòng cho bộ biến tần
- Dòng tải định mức của bộ biến tần là 13,6A. Ta chọn cầu chì 18A mắc ở đầu
ra tải của bộ biến tần.
- Dòng định mức phía sơ cấp của máy biến áp là 24A ta chọn cầu chì 30A và
CB 30A cho đầu vào của MBA
R2 = 200Ω, R4 = 10kΩ
C3 = 1µF
Chọn giá trị R3 theo firuge 3: ta chọn biên độ
sóng sin ra là 1V tra trên đồ thị (Hình 3.4) ta
chọn được R3 = 16kΩ
Từ datasheet của XR2206 ta có:
1
𝑓 =
RC
với R = R1+P1
C = C1 ta chọn C1 = 1 µF Hình 3.4 Biên độ sóng ra theo R3
Hình 3.5 Mạch tạo sóng mang tam giác dùng IC XR2206
Điều chỉnh biên độ sóng mang tam giác bởi P3:
Ta cần biên độ sóng ra từ 1V đến 6V. Từ đồ thị Hình 3.4 ta cần giá trị P3 từ
16kΩ đến 100kΩ. Để không bị quá điều chế làm giảm chất lượng điện áp ra
chọn P3 sao cho giá trị không được dưới 16kΩ. Ta dùng R7 = 16kΩ; P3 = 84kΩ
- Ứng với biên độ 1V hệ số điều biến biên độ là lớn nhất 𝑚𝑎 = 1
- Ứng với biên độ 6V hệ số điều biến biên độ là nhỏ nhất 𝑚𝑎 = 0.167
U0
Usin
Uss
Hình 3.8 Dạng sóng điện áp đầu vào và đầu ra khâu so sánh
Chọn R9 = R10 = 10 kΩ.
3.2.5 Khâu đảo xung điều khiển
Khâu này tạo xung điều khiển ngược với Uss .
Ta sử dụng IC 74ls04 với 6 cổng NOT.
dẫn có những bước phát triển nhảy vọt, chế tạo các phần tử opto dạng IC rất
thuận tiện cho mạch điều khiển. tuy nhiên do dòng điện tải của nó chỉ chịu được
vài chục mili Ampe nên không đủ công suất để mở van lực. vì vậy phải có tầng
khuếch đại.
Trên thị trường có nhiều loại Driver chuyên dùng để khuếch đại xung IGBT như
OptoA3120, OptoM57958L. trong phạm vi đồ án, ta sử dụng driver M57958L.
M57958L là một mạch ghép tích hợp được thiết kế để điều khiển IGBT lực. Nó
có 6 chân chức năng. Chân 1 được nối với điện áp so sánh. Chân 2 nối với
nguồn 15V. Chân 5 nối đất. Chân 6 và chân 8 nối với nhau bằng 2 tụ điện C5,
C6. Giữa C5 và C6 được nối đất. chân 7 nối ra IGBT.
Chức năng các linh kiện trong mạch:
- R20 để biến điện áp thành dòng điện tại đầu cực B của Q1.
- D5 để xén điện áp âm của Uss.
- Q1 có chức năng như 1 công tắc. khi cực B có dòng điện dương thì Q1 dẫn.
khi cực B không có dòng thì Q1 khóa
- C5,C6 là tụ lọc điện áp xoay chiều.
- R21 là điện trở hạn chế dòng phóng nạp của tụ điện giữa 2 cực GE..
- D6,D7 dùng để ghim áp cho mạch điều khiển trách hiện tượng dội áp làm
hỏng IGBT
Chọn R20= 10kΩ ; C5=C6=47µF; R21= 6,8Ω; UD6= UD7 = 18V
Hình 3.11 Dạng sóng điện áp của khâu cách ly và khếch đại
Nguyên lý hoạt động của khâu cách ly và khuếch đại
+) Giả sử nửa chu kì đầu của Uss là điện áp dương. Khi đó có dòng đi qua R20
vào cực B của Q1 làm cho Q1 dẫn. Đoạn mạch từ nguồn +15V tại điểm 2 thành
mạch kín. Có dòng điện chạy từ nguồn +15V qua điện trở, Diode phát quang và
Q1 về mass. Khi đó Diode phát quang sẽ tạo tín hiệu ánh sáng qua với Diode
bên đối điện. Diode này dẫn tạo thành mạch kín. Làm cho BJT NPN dẫn. Điện
áp tại cực B của MOSFET là -10V. cực S của MOSFET cũng bằng -10V. Làm
cho MOSFET khóa. Khi MOSFET khóa, 2 con BJT tầng trên sẽ dẫn, 2 con BJT
tầng dưới sẽ khóa. Cuối cùng thì điện áp tại cực G của IGBT là +15V ( lý
tưởng). làm cho IGBT mở.
+) Trong thời gian nửa chu kì sau của Uss là điện áp âm. Do có Diode D5 làm
cho cực B có điện áp bằng 0. Khi đó Q1 khóa, không có dòng đi qua R20. Đoạn
mạch từ nguồn +15V tại điểm 2 thành mạch hở. Diode nhận tín hiệu quang sẽ
khóa. Làm cho BJT NPN khóa lại. Điện áp tại cực B của MOSFET là 0V. cực S
của MOSFET cũng bằng -10V. Làm cho MOSFET mở. Khi MOSFET ở, 2 con
BJT tầng trên sẽ khóa, 2 con BJT tầng dưới sẽ dẫn. điện áp tại cực G của IGBT
là -10V ( lý tưởng). làm cho IGBT khóa.
Máy biến áp cho phần cách ly yêu cầu thấp hơn ta chọn điện áp định mức thứ
cấp 18V. Dòng thứ cấp định mức 0.5A
CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG DẠNG SÓNG ĐẦU RA VỚI CÁC LOẠI TẢI
BẰNG MATLAB SIMULINK