Chuong 2

Chương 2 - Mạch khuếch đại liên tầng
 1. Mạch khuếch đại dùng BJT

2. Mạch khuếch đại dùng FET
3. Mạch ghép Cascade
4. Mạch ghép Cascode
5. Mạch ghép Darlington
6. Mạch ghép vi sai
Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 1
1. Mạch khuếch đại dùng BJT
• BJT - Bipolar Junction Transistor

- Việc cần làm đầu tiên khi phân tích mạch BJT là xác định trạng thái hoạt
động của BJT (active mode, saturation or cutoff).
Mode EBJ CBJ Mô tả
Cutoff Reverse Reverse Không có dòng điện ở các cực
Active Forward Reverse Khuếch đại dòng
Saturation Forward Forward Trạng thái bão hòa

Ví dụ 2.1.1: Cho mạch BJT như hình,  = 100, VCEsat = 0.2V.
a. Tính các dòng và áp trong mạch.
Mạch hoạt động ở trạng thái nào?
b. Tính lại câu a. với điện áp ở cực B là 6V.
c. Tính lại câu a. với cực B nối đất.

Đáp án:
a. active mode
VE = 3.3V, IE = 1mA; IC = 0.99mA, VC = 5.3V; IB = 0.01mA.
b. bão hòa
VE = 5.3V, IE = 1.6mA; VC = VE + VCEsat = 5.5V, IC = 0.96mA; IB = 0.64mA.
c. cutoff
VB = VE = 0, IC = IB = IE = 0, VC = 10V.

Ví dụ 2.1.2: Cho mạch BJT như hình,  = 100, VECsat = 0.2V.
Mạch hoạt động ở trạng thái nào?
b. Tính giá trị lớn nhất của RC để mạch vẫn hoạt động
ở active mode.

Đáp án:
a. active mode
VE = 0.7V, IE = 4.65mA; IC = 4.6mA, VC = -5.4V; IB = 0.05mA.
b. RCmax  2.26K.

Ví dụ 2.1.3: Cho mạch BJT như hình,  = 30, VECsat = 0.2V.
Tính các dòng và áp trong mạch.

Đáp án:
Saturation
VE = VB + 0.7V; VC = VB +0.7 - 0.2 = VB + 0.5
IE = ... = 4.3 - VB
IB = ... = 0.1VB
IC = ... = 0.1VB + 0.55
IE = IB + IC  VB  3.13V
 ....
forced  2.8
Ví dụ 2.1.4: Cho mạch BJT như hình,  = 100.
b. Tính lại IC khi  = 50 (giảm 50%).

Đáp án:
a. Sử dụng mạch tương đương Thevenin tại cực B
IE = 1.29mA
IB = 0.0128mA
IC = 1.28mA
VB = 4.57V
VC = 8.6V
VE = 3.87V
b. IC = 1.15mA (giảm 10%)

Tính các dòng và áp trong mạch.

Đáp án: Q1 và Q2 đều ở active mode

Một số khái niệm:
- Điểm làm việc tĩnh (quiescent point or Q-point): là cặp giá trị dòng IC và
áp VCE tính được từ mạch DC, thường ký hiệu là (ICQ; VCEQ).
- Mạch phân cực (biasing circuit): là mạch được thiết kế sao cho BJT có
điểm làm việc tĩnh mong muốn.
- Phương trình đường tải DC (DC loadline - DCLL): là phương trình IC =
f(VCE) (phân tích ở chế độ DC).
- Phương trình đường tải AC (AC loadline - ACLL): là phương trình iC =
f(vCE) (phân tích ở chế độ xếp chồng DC và AC, sẽ nói đến ở phần sau).

- Một trong những ứng dụng của BJT là làm mạch khuếch đại, khi đó cần
thiết kế sao cho BJT hoạt động ở active mode.
v BE
v CE  VCC  RC iC  VCC  RC ISe VT
Lưu ý quy ước viết:

v BE (t)  VBE  v be (t)
v TOTAL (t)  VDC  v ac (t)

- Để thực hiện mạch khuếch đại, trước hết thiết kế mạch phân cực sao
cho điểm làm việc tĩnh nằm ở vùng active.

Thành phần tín hiệu

xoay chiều (đủ nhỏ)
được khuếch đại.
Thành phần nguồn

DC quyết định điểm
làm việc tĩnh

Biên độ cực đại của tín hiệu ngõ ra:
- Xét mạch hình bên, đã phân tích ở slide trước.
Biên độ cực đại của vce:
v ce max  minVCC  VCEQ ; VCEQ  VCEsat 
Nếu xét dòng ic:
v ce  VCC  VCEQ VCEQ  VCEsat 
ic    ic max  min ; 
RC  RC RC 
 VCEQ  VCEsat 
 ic max  minICQ ; 
 RC 
Điều kiện dao động cực đại (max-swing):
- Ta thấy để vce có thể đạt giá trị cực đại thì
VCC  VCEQ  VCEQ  VCEsat
hoặc
ICQRC  VCEQ  VCEsat
- Trong trường hợp tổng quát, thì điều kiện để
đạt max-swing là điểm làm việc tĩnh phải nằm
“chính giữa” đường tải AC (lưu ý xét đến VCEsat).

Trong trường hợp tổng quát, để tìm biên
độ dòng iC cực đại thì:
- Xác định điểm làm việc tĩnh (ICQ, VCEQ).
- Xác định ACLL: do i c = -v ce /R AC (chỉ xét
thành phần AC), nên
1
iC  ICQ   (v CE  VCEQ )
RAC
1  VCEQ 
 iC   v CE   ICQ   : ACLL
RAC  R AC 

- Trường hợp (ICQ, VCEQ) đã biết, thì biên
độ dòng iC cực đại là
 VCEQ  VCEsat 
iC  minICQ , 
max
 RAC 
- Trường hợp cần xác định (ICQ, VCEQ) để
đạt max-swing, thì
VCEQ  VCEsat
ICQ 
RAC
VCEQ  VCEsat
Khi đó iC max  ICQ 
RAC

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT:
Mô hình Hybrid - :

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT:
Mô hình T:

Xác định độ lợi áp Av = vo/vi.

Lời giải:
- Bước 1: Phân tích DC.

Lời giải:
- Bước 2: Phân tích AC bằng mô hình tương đương tín hiệu nhỏ.
g m  92mA / V
r  1.09K
vo
Av   3V / V
vi

Các tụ có giá trị rất lớn.
Xác định độ lợi áp Av = vo/vi.
Một số lưu ý:
i. Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của BJT
loại pnp hoàn toàn giống loại npn.
ii. Khi tụ có giá trị lớn thì có thể xem như
có trở kháng bằng 0 khi xét chế độ AC.

Lời giải:
- Bước 1: Phân tích DC.

Lời giải:
- Bước 2: Phân tích AC bằng mô hình tương đương tín hiệu nhỏ.
g m  36.8mA / V
re  27.2
vo
Av   183.3V / V
vi

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ nếu xét đến hiệu ứng Early:
Mô hình Hybrid - : V A VA
ro  
I'C IC

Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ nếu xét đến hiệu ứng Early:
Mô hình T:

Mạch khuếch đại ghép E chung (Common-Emitter - CE)
- Là mạch khi xét ở chế độ AC có dạng:
- Ở đây tạm thời bỏ qua phần phân tích DC.

Mạch khuếch đại ghép E chung (Common-Emitter - CE)
- Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:
Rin  r ; Ro  RC // ro  RC
vo vo r
Av    g m (RC // ro )   g mRC ; Gv   g m (RC // ro )
vi v sig r  Rsig
Ví dụ 2.1.8: Cho mạch khuếch đại CE như hình, xác định:
- Độ lợi áp Av = vo/vi.
- Trở kháng vào Ri.
- Trở kháng ra Ro.
vo
(ro vô cùng lớn)
vi Ro
Đáp án:
-360; 1.37K; 6.8k Ri

Mạch khuếch đại ghép E chung với điện trở cực E
Rin  r  (1   )Re
Ro  RC // ro  RC
vo g m (RC // ro )
Av   
vi 1  Re / re
g mRC

1  Re / re
- Ở đây tạm thời bỏ qua phần phân tích DC.  .RC

r  (1   )Re
Ví dụ 2.1.9: Cho mạch khuếch đại EC như hình, xác định:
- Trở kháng ra Ro.
trong 2 TH: có CE và không có CE.
vi
Đáp án: Ro vo
Ri
-105; 2.88K; 2.1k
-3.24; 8.47K; 2.1k
Mạch khuếch đại ghép B chung (Common-Base - CB)

Mạch khuếch đại ghép B chung (Common-Base - CB)
Rin  re ; Ro  RC
vo
Av   g mRC
vi
vo re
Gv   g mRC
v sig re  Rsig

5. Các mạch khuếch đại cơ bản
Ví dụ 2.1.10: Cho mạch khuếch đại CB như hình, xác định:
- Điện trở re.
vi vo
- Trở kháng ra Ro. Ri Ro
Đáp án:
19.2; 260;19.2; 5k

Mạch khuếch đại ghép C chung (Common Collector - CC or Emitter
Follower - EF)

Ví dụ 2.1.11: Cho mạch khuếch đại CC như hình, xác định:
- Điện trở re.
- Trở kháng ra Ro. vi
vo
Đáp án:
12.12; 0.996; 132.7K; 12.12
Ri
Ro
Mạch khuếch đại ghép C chung (Common Collector - CC or Emitter
Follower - EF)
(xem ro rất lớn -> bỏ qua).
Rin  (   1)(re  RL ); Ro  re
vo RL
Av  
vi re  RL


 2. Mạch khuếch đại dùng FET
FET - Field-Effect Transistor
FET gồm 2 loại chính:
- JFET: Junction FET
- MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor FET
Trong phần này chúng ta chỉ khảo sát MOSFET, trường hợp JFET có thể
áp dụng tương tự.
- Ký hiệu của NMOS:
Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Đặc tuyến iD-vDS:

Các vùng hoạt động của NMOS:
 vGS < Vtn: cutoff, iD = 0.
 vGS = Vtn + vOV: triode hoặc bão hòa
- Triode: vDS < vOV, khi đó:

 1   1 2 
iD  k n  v OV  v DS v DS  k n (v GS  VTn )v DS  v DS 
 2   2 
- Bão hòa: vDS  vOV, khi đó:
1 1
iD  k nv OV  k n v GS  Vtn 2
2
2 2
Đặc tuyến iD-vGS:
- Khi sử dụng MOSFET làm mạch
khuếch đại, thì cần phân cực sao cho
MOSFET hoạt động ở vùng bão hòa,
khi đó iD sẽ phụ thuộc vào vGS:
1 1
iD  k nv OV  k n v GS  Vtn 2
2
2 2
- Đây là hàm phi tuyến, tuy nhiên
nếu vGS thay đổi trong phạm vi nhỏ thì
có thể xem như tuyến tính.
Ký hiệu của PMOS:
Các đặc tính dòng áp tương tự NMOS với chiều đảo ngược.

Đặt tuyến iD-vSD:

- Tương tự như BJT, khi khảo sát mạch phân cực DC thì ta chỉ xét
mạch với các điện áp DC, với các tụ điện là hở mạch và ngắn mạch các
nguồn áp AC (nếu có).
- Trong các ví dụ, bài tập, nếu không có ghi chú gì thêm thì xem VA =
 (nghĩa là ro = ).
- Các nguồn là DC nên:
• NMOS: VOV = VGS - Vtn
• PMOS: |VOV| = VSG - |Vtp|

Ví dụ 2.2.1: NMOS với kn = 1mA/V2, Vtn = 1V
Xác định điện áp tại các cực của NMOS.
Đáp án:
VG = 5V
Giả sử NMOS ở saturation region
ID = 0.5mA
VS = 3V
VD = 7V
-> giả thiết là hợp lý.
3. Mạch phân cực
Ví dụ 2.2.2: PMOS với kp = 1mA/V2, Vtp = -1V
Tính các R để VD = 3V, ID = 0.5mA.
Tính giá trị lớn nhất của RD để PMOS hoạt
động ở saturation region.
Đáp án:
|VOV|= 1V, VG = 3V, RD = 6k.
RDmax = 8k.

- Khi thiết kế mạch khuếch đại dùng FET, cần đảm bảo FET hoạt
động ở vùng bão hòa (saturation region).
- Dòng iD sẽ phụ thuộc vào điện áp vGS.
- Sự phụ thuộc là không tuyến tính, tuy nhiên nếu xét trong một
vùng nhỏ thì mối quan hệ này có thể xem như tuyến tính.

- Xét mạch NMOS như hình, hoạt động ở saturation region
1
iD  k n v GS  Vt 2
2
1
 v DS  VDD  k nRD v GS  Vt 2
2
- Tại điểm biên B:
2k nRD VDD  1  1
VGS B  Vt 
k nRD

- Điểm làm việc tĩnh Q phải ở trên đoạn AB (saturation region), với
tọa độ (VGS, VDS):
1
VDS  VDD  k nRD VGS  Vt 2

- Điểm làm việc tĩnh Q phải ở trên đoạn AB (saturation region), với
tọa độ (VGS, VDS):
1
VDS  VDD  k nRD VGS  Vt 2
2
- Khuếch đại tín hiệu nhỏ:
vGS(t) = VGS + vgs(t)

- Hệ số khuếch đại áp
dvDS
Av   k n (VGS  Vt )RD
dv GS v GS  VGS
 k n VOV RD
- Lưu ý rằng:
1
ID  k n VOV
2
2
2ID RD
 AV  
VOV
- Cần nhớ rằng đây không phải công thức
tổng quát để áp dụng cho mọi bài toán.
Bây giờ ta sẽ khảo sát điều kiện để có thể xem sự khuếch đại là
tuyến tính.
1 1 1
v GS  VGS  v gs  iD  k n (VGS  v gs  Vt )  k n (VGS  Vt )  k n (VGS  Vt )v gs  k nv 2gs
2 2
2 2 2
Để có thể xem sự khuếch đại là tuyến tính thì

1
k nv 2gs  k n (VGS  Vt )v gs  v gs  2(VGS  Vt )  2VOV
2
1
Khi đó: iD  k n (VGS  Vt ) 2  k n (VGS  Vt )v gs  ID  id
2
id  k n (VGS  Vt )v gs

Dẫn nạp AC:
id
g m  k n (VGS  Vt )  k n VOV
v gs
Do: vDS = VDD - RD(ID + id) = VDS - RDid
Thành phần xoay chiều
vds = - idRD = -gmvgsRD
Hệ số khuếch đại áp:
vds
Av    g mRD
v gs


Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của NMOS:
| VA |
ro 
ID
2ID
g m  k nVOV 
VOV
Lưu ý: đối với PMOS thì tính toán tương tự NMOS, tuy nhiên phải
sử dụng |VGS|, |Vt|, |VOV|, |VA| và thay kn bằng kp.

Ví dụ 2.2.3: Cho mạch khuếch đại như hình, với Vt = 1.5V, kn = 0.25mA/V2,
VA = 50V, các tụ có giá trị rất lớn.
Xác định độ lợi áp Av và các trở kháng
vào, ra của mạch.
Xác định biên độ cực đại của vi sao cho
NMOS vẫn hoạt động trong vùng bão
hòa.

Giải:
Phân tích mạch ở DC:
ID = 1.06mA
VGS = 4.4V = VDS
VOV = 2.9V
gm = 0.725mA/V
ro = 47k

1
Giải: 1
g mRG
Phân tích mạch ở AC: AV   g m (RL // RD // ro ) R // R // r   g m (RL // RD // ro )
RG 1  L D o
Rin   2.33M RG
1  g m (RL // RD // ro )
Ro  RL // RD // ro  4.52k
Biên độ vi cực đại: 0.35V

Mạch khuếch đại S chung (Common Source - CS)
Là mạch có sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ như sau:

Ví dụ 2.2.4: Với mạch khuếch đại như hình, với
Vt = 0.8V, kn = 0.85mA/V2,  = 1/VA = 0.02V-1.
a. Xác định các điện trở để
IDQ = 0.1mA, VDSQ = 5.5V.
b. Xác định độ lợi áp tín hiệu nhỏ Av.

Đáp án:
a. RS = 37.15k, RD = 7.85k.
gm = 0.412mA/V.
b. Av = -2.7

Ví dụ 2.2.5: Với mạch khuếch đại như hình, với
Vtp = -2V, RD = RL = 10k, VA = .
a. Xác định kp và RS để VSDQ = 6V.
b. Xác định IDQ và Av.

Đáp án:
a. Có thể chọn RS = 10k,
khi đó kp = 0.4mA/V2.
b. IDQ = 0.2mA
Av = -2.0.

Mạch khuếch đại S chung với điện trở cực S

Ví dụ 2.2.6: NMOS có VA = , Vt = 0.8V, kn =
2mA/V2.
a. Xác định IDQ và VDSQ.
b. Xác định độ lợi áp Av.

Ví dụ 2.2.6: NMOS có VA = , Vt = 0.8V, kn =
2mA/V2.
a. Xác định IDQ và VDSQ.
b. Xác định độ lợi áp Av.
Đáp án:
a. IDQ = 0.494mA, VDSQ = 6.3V.
b. Av = -5.78.

Mạch khuếch đại G chung (Common Gate - CG)

Ví dụ 2.2.7: NMOS có VA = , Vt = 1V, kn = 2mA/V2, V+ = 5V, V- =-5V, RG =
100k, RD = 4k, RL = 10k, RSi = 50k, IQ = 1mA, vi(t) = 5sint V.
a. Xác định điểm làm việc tĩnh
b. Xác định vo(t).

Ví dụ 2.2.7: NMOS có VA = , Vt = 1V, kn = 2mA/V2, V+ = 5V, V- =-5V, RG =
100k, RD = 4k, RL = 10k, RSi = 50k, IQ = 1mA, vi(t) = 5sint V.
a. Xác định điểm làm việc tĩnh
b. Xác định vo(t).
Đáp án:
a. VGSQ = 2V.
b. vo(t) = 0.283sint (V).

Mạch khuếch đại D chung (Common Drain - CD)

Ví dụ 2.2.8: NMOS có VA = 1/ = 1/0.015 (V),
V t = 0.8V, k n = 2mA/V 2 , V DD = 10V, R si =
200, R1 + R2 = 400k.
a. Thiết kế mạch để IDQ = 1.5mA, VDSQ = 5V.
b. Tính độ lợi áp Av.

Ví dụ 2.2.8: NMOS có VA = 1/ = 1/0.015 (V),
V t = 0.8V, k n = 2mA/V 2 , V DD = 10V, R si =
200, R1 + R2 = 400k.
a. Thiết kế mạch để IDQ = 1.5mA, VDSQ = 5V.
b. Tính độ lợi áp Av.
Đáp án:
a. R1 = 119k, R2 = 281k.
b. Av = 0.884.

Ví dụ 2.2.9: PMOS có VA = , Vt = -2V, kp =
1.57mA/V2, VDD = 20V, Rsi = 4k, RS = 4k,
R1 = 644k, R2 = 290k.
a. Xác định các giá trị dòng áp ở DC.
b. Tính độ lợi áp Av, trở kháng vào Ri.
Đáp án:
a. IDQ = 2.5mA, VSGQ = 10V.
b. Av = 0.9, Ri = 200k.


 3. Mạch ghép Cascade
- Là mạch gồm nhiều mạch khuếch đại nối tiếp nhau.
- Ngõ ra của mạch khuếch đại này là ngõ vào của mạch khuếch đại tiếp
theo.

Ví dụ 2.3.1: Mạch cascade CE-CE như hình.
Bỏ qua ro (ro = ),  = 150.
Xác định Av = vo/vs, Ri, Ro.

Sơ đồ tương đương tính hiệu nhỏ:
vo
vs
vo Ri
Av   g m 1 g m2 (RC 1 // r 2 )(RC 2 // RL )
vs Ri  Rs
Ri  R1 // R2 // r 1 ; Ro  RC 2
Lưu ý: Nếu không muốn sử dụng gm thì có thể sử dụng .

Ví dụ 2.3.2: Mạch cascade CE-CC như hình,  = 125, VBE = 0.7V.
Bỏ qua ro (ro = ).
a. Xác định điểm làm việc tĩnh của Q1, Q2.
b. Xác định Av = vo/vs, Ri, Ro.
Đáp án:
a. ICQ1=0.364mA, VCEQ1= 7.92V
ICQ2=4.82mA, VCEQ2=2.71V
b. Av = -17.7; Ri = 4,76k, Ro = 36.6.
Ví dụ 2.3.3: Mạch cascade CS-CD như hình.
kn1=0.5mA/V2, kn2=0.2mA/V2,
Vtn1=Vtn2=1.2V, 1=2=0 (ro=).
ID1=0.2mA, ID2=0.5mA.
Xác định Av=vo/vi, Ri, Ro.

Đáp án:
Av  6.14
RS 2
Ri  R1 // R2 ; Ro   1.32k
1  RS 2 g m 2


 4. Mạch ghép Cascode
- Là mạch ghép từ 1 mạch khuếch đại CE và
một mạch khuếch đại CB (hoặc 1 mạch CS và
một mạch CG).
- Tín hiệu vào cấp cho mạch CE, tín hiệu ra lấy
từ mạch CB.
- Ưu điểm lớn nhất của mạch là có đáp ứng
tần số tốt hơn các kiểu mạch ghép khác,
cũng như tốt hơn mạch khuếch đại đơn tầng.

Xét chế độ DC:
- Có thể giả sử IR1  IR2  IR3, từ đó tính được
VB1 và VB2.
- Tính được
VB 1  VBE 1
IE 1 
RE
và IE1  IC1 = IE2  IC2.
Từ đó tính được tất cả các đại lượng DC khác.

Xét chế độ AC: sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ như hình.

Ví dụ 2.4.1: Mạch cascode, với hai BJT giống
nhau có  = 100, VCC = 9V, RL = 10k.
a. Tính toán các điện trở còn lại để mạch có:
VCE1 = VCE2 = 2.5V
VRE = 0.7V
IC1  IC2  1mA
IR1  IR2  IR3  0.1mA vs
b. Xác định độ lợi áp Av = vo/vs.

Đáp án:
a. ....
b. Av = -94.5
vs

Ví dụ 2.4.2: Mạch cascode dùng NMOS:
VT1 = VT2 = 0.8V, kn1 = kn2 = 6mA/V2, 1 = 2 = 0.
a. Tính IDQ, VDSQ1 và VDSQ2.
b. Xác định Av = vo/vi.

Đáp án:
a. Tính IDQ = 0.471mA, VDSQ1 = 2.5V và VDSQ2 = 1.61V.
b. Av = -5.94.
vo
vi


 5. Mạch ghép Darlington
- Là mạch dùng 2 BJT kết nối như hình.
- Có thể xem như tương đương với 1 BJT có
 = 12
khi khảo sát chế độ AC.

Ví dụ 2.5.1: Mạch khuếch đại Darlington,
với 2 BJT giống nhau có  = 100.
a. Xác định điểm làm việc tĩnh của 2 BJT.
b. Xác định độ lợi áp và các trở kháng vào
ra.

Đáp án:
a. IC1 = 13A, IC2 = 1.32mA, VCE1 = 5.1V, VCE2 =
5.8V.
b. Av = -55.2, Ri = 74.3k, Ro = 2.2k.


 6. Mạch ghép vi sai
- Là mạch gồm 2 BJT hoàn toàn giống nhau,
kết nối như hình bên.
- Nguồn dòng cực E xem như nguồn dòng
lý tưởng, với trở kháng  .
- Có thể sử dụng RE thay cho nguồn dòng,
nhưng ở đây tập trung phân tích trường
hợp sử dụng nguồn dòng, trường hợp sử
dụng RE sinh viên tự phân tích, thông qua
một số bài tập ở cuối chương.

- Xét trường hợp v B1 = v B2 = V CM . Do 2 BJT
hoàn toàn giống nhau nên dễ dàng xác định
các giá trị dòng áp như hình.
- Trong trường hợp này, nếu thay đổi giá trị
VCM nhưng vẫn đủ để duy trì cho 2 BJT hoạt
động trong vùng tích cực, thì các đại lượng
dòng - áp ở cực C duy trì không đổi, và
không phụ thuộc vào VCM.

- Xét trường hợp v B1 = 1V,
vB2 = 0 và trường hợp vB1 =
-1V, vB2 = 0, ta thấy điện áp
cực C thay đổi khi sự chênh
lệch giữa hai điện áp ngõ
vào thay đổi.

- Nếu chênh lệch áp ngõ vào là vi đủ nhỏ, thì
dòng điện cực E của 2 BJT lần lượt là I/2I,
với I tỉ lệ vi.
- Khi đó áp tại cực C của 2 BJT sẽ chênh nhau
một lượng 2I.RC, có nghĩa là cũng tỉ lệ với
vi.

- Trường hợp tổng quát, bỏ qua hiệu ứng
Early:
IS ( v B 1 v E ) / VT IS ( v B 2 v E ) / VT iE 1
iE 1  e ; iE 2  e   e ( vB 1 vB 2 ) / VT
  iE 2
 iE 1 1
 i  i  1  e ( vB 2 vB 1 ) / VT
  E1 E2
i 1
 E2 
 iE 1  iE 2 1  e ( vB 1 vB 2 ) / VT
Do iE1 + iE2 = I và đặt vB1 - vB2 = vid:
 I
iE 1  1  e vid / VT

I
 iE 2  Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT
 1  e vid / VT
- Xấp xĩ   1, khi đó nếu v id
đủ nhỏ thì có thể điều khiển
dòng i C gần như tuyến tính
theo vid.

Phân tích mạch tín hiệu nhỏ:
- Điện áp ngõ vào của 2 BJT là:
v id
v 1,2  VCM 
2
Lưu ý:
• CM: common mode
• d: differential mode
v id
I Ie 2 VT
iC 1  v
 v id v id
 id 
1 e VT
e 2 VT
e 2 VT

Giả sử vid << 2VT:
 v id 
I 1  
 2VT 
iC 1 
v id v id
1  1
2VT 2VT
I I v id I v id
    gm
2 2VT 2 2 2
Tương tự:
I v id
iC 2   g m
2 2
Độ lợi áp vi sai (Differential Voltage Gain):
 v id  v id
 i C 1  IC 1  g m 2  v C 1  (VCC  IC RC )  g mRC 2  VC 1  v c 1
 
v id v id
iC 2  IC 1  g m v C 2  (VCC  IC RC )  g mRC  VC 2  v c 2
 2  2
v od v c 2  v c 1
Ad    g mRC
v id v id

- Do 2 BJT được phân cực hoàn toàn giống nhau
nên có thể tách thành 2 mạch khuếch đại CE.
- Nếu chỉ xét riêng ngõ ra của một BJT, giả sử
Q1, khi đó:
vo1 g m RC // ro  
Ad    RC // ro 
v id 2 2r
g mRC 
  RC
2 2r

- Trường hợp nguồn dòng có nội trở REE < , bài
toán sẽ phức tạp hơn nhiều:
 v id  r   v id  
 1  ( 1   )R     2  
 RC  2  EE   
vo1    
r  r
2 
 (1   )REE 
- Tuy nhiên do thông thường (1+)REE >> r, nên
trường hợp này vẫn có thể xấp xĩ
vo1 g mRC 
Ad     RC
v id 2 2r

Độ lợi mode chung (Common-Mode Gain): ngõ vào
v1 = v2 = vicm
- Nếu mạch vi sai phân cực với nguồn dòng I lý
tưởng (trở kháng = ) như ở phần trước thì Acm =
0 (ngõ ra của mỗi BJT chỉ có thành phần DC,
không có thành phần AC).
- Thực tế thì nguồn dòng có nội trở REE < , nên có
mạch tương đương AC như hình.

- Do tính đối xứng, có thể tách thành 2
mạch độc lập.
- Trường hợp này, nếu xét:
vocm = vc2 - vc1 = o
thì hệ số khuếch đại cũng bằng 0, tuy
nhiên để xem xét kỹ hơn, ta tính độ lợi
vicm vicm
riêng cho từng BJT.

vicm
vicm
- Độ lợi mode chung (common mode gain):

vo  RC
Acm  
v icm r  (   1)2REE

Tỉ số nén (triệt) tín hiệu đồng pha CMRR (Common-Mode Rejection
Ratio):
| Ad | | Ad |
CMRR  ; CMRR dB  20 log 10
| Acm | | Acm |
Một số nhận xét:
- Nếu mạch vi sai phân cực bằng nguồn dòng lý tưởng thì CMRR  .
- Thực tế thì nguồn dòng không lý tưởng: CMRR < .
- Có thể phân cực mạch vi sai dùng điện trở RE chứ không nhất thiết
phải dùng nguồn dòng, tuy nhiên CMRR sẽ bị giảm đáng kể.

Trường hợp hai ngõ vào v1 và v2 bất kỳ:
Khi đó, đặt:  vd
 v id  v 1  v 2

v 1  v icm 

v  v 1  v 2   2
vd
 icm 2 v 2  v icm 
 2
Do đang xét mạch ở vùng (gần như) tuyến tính, nên có thể áp dụng
phương pháp xếp chồng, bằng cách xét lần lượt:
- Mode vi sai: v1 = vd/2; v2 = -vd/2, tính được Ad = vo1/vd.
- Mode chung: v1 = v2 = vicm, tính được Acm = v01/vicm.
Xếp chồng: vo1 = Advd + Acmvicm.
Nếu ngõ ra lấy ở vo2 thì cũng làm tương tự.
Ví dụ 2.6.1: Cho mạch vi sai như hình với:
V+ = 10V, V- = -10V, IQ = 0.8mA, RC = 12k.
BJT có  = 100, VA = , VT = 26mV.
Nguồn dòng có nội trở R0 (hay REE) = 25k.
Xét ngõ ra tại vC2, tính Ad, Acm, CMRR.

Đáp án:
ICQ2 = IQ/2 = 0.4mA.
r = 6500.
��
�� ≈ = 92.3
2��
��
�� =−
�� + (� + 1)2��
=− 0.237
�� = 389
�� = 51.8��

Ví dụ 2.6.2: Cho mạch vi sai như hình, R E =
66k.
 = 100, VA = , VT = 26mV.
a. Tính toán các giá trị phân cực DC.
b. Tính Ad, Acm và CMRR với ngõ ra vo2.

Đáp án:
a. Do tính đối xứng: ICQ1 = ICQ2 .....
10  0.7
IB 1  IB 2   0.70 A
500  2  101  66000
IC 1  IC 2  70 A
Từ đó tính được các giá trị DC khác.

26mV
r 1  r 2   37.1k
0.75 A

Đáp án:
b.
 RC
Ad   66 .5
2( r  RB )
 RC
Acm    0.374
r  RB  (   1)2 REE
CMRR  189 .84
CMRR dB  45 .56 dB

Chuong 2

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong 2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 2 - Mạch khuếch đại liên tầng

 1. Mạch khuếch đại dùng BJT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 2

Cutoff Reverse Reverse Không có dòng điện ở các cực

Active Forward Reverse Khuếch đại dòng

Saturation Forward Forward Trạng thái bão hòa

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 3

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 4

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 5

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 6

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 7

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 8

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 10

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 11

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 12

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 13

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 14

v CE  VCC  RC iC  VCC  RC ISe VT

Lưu ý quy ước viết:

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 15

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 16

Thành phần tín hiệu

Thành phần nguồn

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 17

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 19

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 20

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 21

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 22

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 23

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 24

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 25

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 26

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 27

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 28

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 29

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 30

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 31

- Ở đây tạm thời bỏ qua phần phân tích DC.

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 32

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 34

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 37

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 38

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 39

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 40

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 42

1. Mạch khuếch đại dùng BJT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

 vGS = Vtn + vOV: triode hoặc bão hòa

- Triode: vDS < vOV, khi đó:

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Để có thể xem sự khuếch đại là tuyến tính thì

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT