C5.Khuếch đại công suất

Chương 5 - Mạch khuếch đại công suất
➢ 1. Định nghĩa và phân loại mạch KĐCS

2. Mạch khuếch đại lớp A
3. Mạch khuếch đại đẩy - kéo lớp B
4. Khuếch đại đẩy - kéo lớp AB
Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 1

1. Định nghĩa, ứng dụng và phân loại MKĐCS
• Mạch khuếch đại công suất (Power amplifiers) có tác dụng cấp một
công suất lớn cho tải.
• Một số đặc tính cơ bản của mạch khuếch đại công suất
▪ Trở kháng ra nhỏ.
▪ Công suất tiêu tán trong mạch nhỏ.
▪ Có khả năng cấp dòng hoặc áp lớn cho tải.
▪ THD (total harmonic distortion) nhỏ.
• Trong chương này tập trung khảo sát mạch khuếch đại công suất
dùng BJT.

• Đặc điểm của một BJT công suất
▪ Hệ số khuếch đại dòng nhỏ.
▪ Áp - dòng và công suất ngõ ra lớn.
▪ Băng thông nhỏ.
• Bảng bên là thông số

của BJT thường và 2
BJT công suất thông
dụng.

• Công suất tức thời tiêu thụ bởi BJT
pQ = vCEiC + vBEiB  vCEiC
• Công suất trung bình
1
P =  v CE iC dt
TT
• Khi BJT hoạt động ở chế độ DC
P = VCEIC
• Khi thiết kế mạch công suất, cần đảm bảo P < PT, với PT là công suất
cực đại của BJT (maximum rated power).

• Ví dụ: cho mạch BJT như hình với VCC =
24V, RL = 8.
• DCLL: VCE = VCC - ICRL
• Công suất:
P = VCEIC = (VCC - ICRL)IC = VCCIC -IC2RL
• ICmax = 3A, VCEmax = 24V.
• Công suất cực đại: PT = 18W khi IC = 1.5A,
VCE = 12V.
• Khi thiết kế: chọn BJT có công suất lớn
hơn 18W, dòng lớn hơn 3A, áp lớn hơn
24V. Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 5
• Phân loại mạch khuếch đại công suất
• a. Lớp A
• b. Lớp B
• c. Lớp AB
• d. Lớp C

• Phân loại mạch khuếch đại công suất
• Mạch khuếch đại lớp A tương tự như các mạch khuếch đại đã phân
tích ở chương 1, tuy nhiên ở đây tập trung vào tính toán công suất.
Nhược điểm của mạch khuếch đại lớp A là hiệu suất truyền công
suất thấp.
• Mạch khuếch đại lớp B và lớp AB thường thiết kế theo cặp, sao
cho mỗi transistor dẫn trong nữa chu kỳ và tắt trong nữa chu kỳ
còn lại, và gọi là khuếch đại đẩy kéo (push-pull).
• Mạch khuếch đại lớp C ít được sử dụng và không phân tích ở
chương này.

1. Định nghĩa và phân loại mạch KĐCS

➢ 2. Mạch khuếch đại lớp A

- Giả sử VCEQ = VCC/2, bỏ qua
VCEsat, dòng ic có biên độ cực
đại IP = ICQ  VP = VCC/2:
iC = ICQ + Ip sint
VCC
v CE = − Vp sint
2
VCC ICQ
pQ = v CE .iC = (1 − sin2 t)
2
(bỏ qua công suất cực B).

- Hiệu suất
signal load power (PL )
=
supply power (PS )
• PL: công suất AC trung bình trên tải.
• PS: công suất trung bình của nguồn cung cấp.
 VPIP VCC ICQ
PL max = =
 2 4  max = 25%
 PS = VCC ICQ
- Mạch khuếch đại lớp A có hiệu suất thấp (thực tế  < 20%), chỉ sử
dụng khi cần công suất nhỏ.
Ví dụ: Cho mạch khuếch đại, BJT có
 = 100, VCEsat = 0.2V, các tụ có giá trị
rất lớn. Tính công suất trung bình
cực đại trên tải RL và hiệu suất của
mạch.
Gợi ý:
ICQ = 1.92mA, xác định biên độ cực
đại của ic, từ đó xác định biên độ
cực đại của io, vo  ...

• Mạch khuếch đại lớp A với cuộn dây
(Inductively Coupled Amplifier)
- Giả sử L >> RL, RE rất bé, bỏ qua VCEsat.
- Khi max-swing:
VCC
ICQ  ; VCEQ  VCC
RL
- Biên độ dòng tải cực đại = ICQ.

• Mạch khuếch đại lớp A với cuộn dây
(Inductively Coupled Amplifier)
- Tính toán các công suất trung bình
 1 2 1 VCC2
PL max = ICQ RL =
 2 2 RL  max = 50%
 PS = VCC ICQ

- Công dụng của cuộn dây ở đây là tạo
điện áp ngõ ra dao động với giá trị đỉnh
lớn hơn VCC (xem lại dao động áp ngõ
ra nếu không dùng cuộn dây?).
• Mạch khuếch đại lớp A với biến áp
(Transformer Coupled Amplifier)
- Thực tế khó thiết kế mạch với cuộn
dây, nên sử dụng biến áp.
- Giả sử biến áp lý tưởng với hệ số biến
áp a = v1/v2, RE rất bé, bỏ qua VCEsat.
v1 2 v2  RDC = RE
=a = a RL = RL '  
2
ic iL RAC = RL '
→ tính toán tương tự mạch với cuộn
dây, thay RL bằng RL'.
• Mạch khuếch đại lớp A với biến áp
(Transformer Coupled Amplifier)
- Tính toán các công suất trung bình
 1
PL max = VCC ICQ
 2  max = 50%
PS = VCC ICQ

Ví dụ: VCC = 12V, RE = 20, RL = 8, R1 =
2.3k, R2 = 1.75k,  = 40 và VBEon = 0.7V.
a. Xác định ICQ.
b. Xác định tỉ số biến áp thể tải nhận công
suất cực đại.
c. Xác định công suất tải cực đại.
d. Sử dụng kết quả câu c. và bỏ qua công
suất trên cực B, tính hiệu suất.

• Mạch khuếch đại lớp A ghép CC với
biến áp
- Giả sử biến áp lý tưởng với hệ số biến
áp a, RE rất bé, bỏ qua VCEsat.
ve 2 vo  RDC  0
=a = a RL = RL '  
2
ie io RAC = RL '

• Mạch khuếch đại lớp A ghép CC với
biến áp
- Công suất trung bình trên tải:
2
V
1 p
PL =
2 RL
với Vp là biên độ áp trên tải.
VCC VCC2
Vp max =  PL = 2
a 2a RL
 max = 50%

Ví dụ: Mạch CC với biến áp lý tưởng,  =
100, VBEon = 0.7V.
a. Thiết kế mạch để có độ lợi dòng Ai = io/ii
= 80.
b. Nếu biên độ dòng xoay chiều cực E
bằng 0.9ICQ, xác định công suất trên tải và
hiệu suất của mạch.


➢ 3. Mạch khuếch đại đẩy - kéo lớp B

- Mạch khuếch đại lớp B chỉ dẫn trong nữa chu
kỳ, nên sử dụng một cặp đẩy kéo để tạo vo đầy
đủ 2 nữa chu kỳ, theo nguyên tắc sau:
▪ Khi vi > 0, A dẫn, B tắt
▪ Khi vi < 0, B dẫn, A tắt


- Thực tế thì mạch đẩy - kéo lớp B thường tạo
ra điện áp vo bị méo dạng, ví dụ xét cặp đẩy
kéo BJT, với VBEon khoảng 0.6V, khi đó vo
bằng 0 với -0.6V < vi < 0.6V.
- Khoảng -0.6V < vi < 0.6V gọi là deadband, và
khoảng deadband này tạo ra hiện tượng méo
dạng xuyên tâm (crossover distortion).


- Để đơn giản trong việc khảo sát hiệu suất
mạch đẩy kéo lớp B, giả sử VBEon = 0V, khi đó
áp trên tải có dạng:
vo = Vpsint
với giá trị cực đại của Vp là VCC.
- Công suất tức thời tiêu tán trên Qn:
pQn = vCEn.iCn
 Vp
 sint; 0  t  
với vCEn = VCC - Vpsint và iCn =  RL
 0;   t  2
- Qn: chỉ tiêu thụ công suất trong
nữa chu kỳ 0  t < :
 Vp 
pQn = (VCC − Vp sint ) sint 
 RL 
- Từ đó tính được công suất trung
bình: VCC Vp Vp2
PQn = −
RL 4RL
- Do đối xứng nên PQp = PQn.

- Chứng minh được công suất
trung bình cực đại
VCC2 2VCC
PQnmax = 2 khi Vp =
 RL 
Công suất này dùng để thiết

kế lựa chọn linh kiện cho mạch
khuếch đại.

- Công suất trung bình trên tải: V
1 p
2
PL =
2 RL
- Do mỗi nguồn cung cấp chỉ cấp dòng trong nữa chu kỳ sin, nên dòng
trung bình và công suất trung bình mỗi nguồn cung cấp sẽ là
Vp  Vp 
I=  PS+ = PS− = VCC  
- Hiệu suất: RL  RL 
PL  Vp 
= = .  max = = 78.5%
PS+ + PS− 4 VCC 4
(lưu ý Vpmax = VCC)
- Thực tế thì hiệu suất cực đại sẽ thấp hơn, do VCEsat và hiện tượng méo
dạng xuyên tâm.

➢ 4. Khuếch đại đẩy - kéo lớp AB

- Sử dụng hai nguồn VBB/2 để loại bỏ hiện
tượng méo dạng xuyên tâm.
- Khi vI = 0 thì vBEn = vEBp = VBB/2 nên
VBB
iCn = iCp = ISe 2 VT
- Khi tăng vI, vBEn tăng và vo cũng tăng, khi đó

Qn có vai trò như mạch CC và cấp dòng cho
tải:
 VBB
v o = v I + − v BEn
 2
iCn = iL + iCp
- Nếu vo tăng  iCn tăng  vBEn tăng  vEBp
giảm  iCp giảm, cụ thể:
vBEn + vEBp = VBB
 iCn   iCp   ICQ 
 VT ln  + VT ln  = 2VT ln 
 IS   IS   IS 
 iCn iCp = ICQ
2


- Trong thực tế nếu sử dụng hai nguồn DC
VBB/2 để phân cực thì BJT dễ bị quá nhiệt,
nên thường sử dụng 2 diode để phân cực.
Ví dụ: với mạch hình bên, biết VCC = 12V, RL =
50, ICQ = 2mA,BJT có  = 50, VBEon = 0.7V,
VCEsat = 0.2V, IS = 10-14A, diode có IS = 10-13A, VD1
= VD2 = 0.7V và ID(min) = 1mA để đảm bảo
diode dẫn.
a. Tính hiệu suất cực đại của mạch và công
suất tiêu tán trên mỗi BJT.
b. Tính R1, R2.
Giải:
a. Biên độ áp cực đại trên tải:
vopmax = VCC - VCEsat = 12 - 0.2 = 11.8V
Biên độ dòng tải cực đại:
vop max
iop max = = 236mA
RL
Công suất cực đại trên tải:
iop max vop max
PL max  = 1.39W
2

Giải:
a. Công suất nguồn DC cung cấp khi công
suất trên tải là cực đại:
2iop max VCC
PS  + ICQ VCC = 1.83W

PL max
 max = = 76.1%
PS
Nhận xét: hiệu suất cực đại giảm đôi chút do
có xét đến VCEsat và tồn tại ICQ > 0.

Giải:
a. Công suất trên mỗi BJT:
PS − PL max
PQ = = 220mW
2

Giải:
b. Dòng qua R1:
ICQ + io
IR = ID 1 + iBN = ID 1 +
1+ 
Có thể xem áp trên các diode không đổi nên
IR gần như không đổi, do đó có thể tính R1, R2
bằng dòng IDmin và iopmax:
VCC − VD 1 ( = VD2 = VBB / 2)
R1 = R2  = 1.99k
ID min + (ICQ + iop max ) /(1 +  )

Phân cực với diode và nguồn dòng IBias:
Ví dụ: Thiết kế mạch khuếch đại lớp AB như

hình với RL = 8, sao cho công suất trung
bình trên tải là 5W, biên độ áp trên tải không
vượt quá 80% VCC, và dòng bé nhất qua diode
là 5mA. Biết BJT có n = p = 75, ISQ = 10-13A,
diode có ISD = 3.10-14A.

Giải: Gọi vop là biên độ áp trên tải, khi đó
2
vop
PL = = 5W  vop = 8.94V
2RL
Áp nguồn cung cấp:
vop
VCC = = 11.2V
0.8
Biên độ dòng cực E của Qn:
vop
iEnp  iLp = = 1.12 A
RL

Giải:
Biên độ dòng cực B của Qn:
iEnp
iBnp = = 14.7mA
1 + 75
Với yêu cầu dòng qua diode tối thiểu 5mA,
nên chọn IBias = 20mA.
Để tính ICQ, xét vi = 0  ID1 = ID2  IBias (bỏ qua
dòng cực B của 2 BJT).
VBB = VD1 + VD2

Giải:
ID
VBB = 2VT ln = 1.416V
ISD
Dòng phân cực:
VBB 1.416
−13
ICQ = ISQe 2 VT
= 10 e 2 ( 0.026 )
= 67mA
Câu hỏi: tính hiệu suất của mạch trong

trường hợp này? (57.2%)

Một số cách phân cực khác:
VBE Multiplier:
VBE 1  R1 
IR = ; VBB = IR (R1 + R2 ) = VBE 1  1 + 
R2  R2 
Từ đó lựa chọn R1, R2 để có VBB mong muốn.
Mặt khác, có thể xem IBias  IR1 + IC1 và
 IC 1 
VBE 1 = VT ln 
 IS 1 
nên có thể tính giá trị IBias cần thiết.

Một số cách phân cực khác:
Sử dụng Transistor đệm (buffer transistors):

- Sử dụng mạch này trong trường hợp vi có
công suất nhỏ nhưng mong muốn ngõ ra vo
có công suất lớn.

Sử dụng các BJT ghép Darlington:

Sử dụng các BJT ghép Darlington:
- Chọn các BJT Q1,Q2, Q4 và Q5

giống nhau, Q3 có   1.
- Mạch có tác dụng khuếch đại
công suất lớn (khi nguồn vi có
công suất nhỏ) đồng thời khuếch
đại điện áp.

C5.Khuếch đại công suất

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

C5.Khuếch đại công suất

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 5 - Mạch khuếch đại công suất

➢ 1. Định nghĩa và phân loại mạch KĐCS

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 1

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 2

• Bảng bên là thông số

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 3

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 4

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 6

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 7

1. Định nghĩa và phân loại mạch KĐCS

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 8

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 9

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 11

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 12

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 15

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 16

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 17

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 18

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 19

1. Định nghĩa và phân loại mạch KĐCS

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 20

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 21

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 22

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 23

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 24

- Do đối xứng nên PQp = PQn.

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 26

Công suất này dùng để thiết

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 27

1. Định nghĩa và phân loại mạch KĐCS

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 29

iCn = iCp = ISe 2 VT

- Khi tăng vI, vBEn tăng và vo cũng tăng, khi đó

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 31

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 32

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 34

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 35

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 36

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 37

Ví dụ: Thiết kế mạch khuếch đại lớp AB như

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 38

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 39

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 40

Câu hỏi: tính hiệu suất của mạch trong

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 41

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 42

Sử dụng Transistor đệm (buffer transistors):

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 43

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 44

- Chọn các BJT Q1,Q2, Q4 và Q5

Nguyễn Phước Bảo Duy - HCMUT 45

You might also like