TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

BÁO CÁO ĐỒ ÁN CHUYÊN NGÀNH VIỄN THÔNG

ĐỀ TÀI: THIẾT KẾ BỘ CHIA CÔNG SUẤT 1x2

THAY ĐỔI ĐƯỢC DỰA TRÊN BỘ GIAO THOA
ĐA MODE VÀ BỘ DỊCH PHA

GVHD : PGS.TS NGUYỄN TẤN HƯNG

SVTH : NguyễnThanh Quốc
Lớp : 17DT1
MSSV : 106170048

Đà Nẵng, 05/2021

1
 TÓM TẮT

Tên đề tài: “THIẾT KẾ BỘ CHIA CÔNG SUẤT 1x2 THAY ĐỔI ĐƯỢC DỰA
TRÊN BỘ GIAO THOA ĐA MODE VÀ BỘ DỊCH PHA”
Sinh viên thực hiện: Nguyễn Thanh Quốc
Sinh viên lớp: 17DT1 Số thẻ sinh viên: 106170048
Nội dung của Đồ án chuyên ngành bao gồm 3 chương:
Chương 1: Tổng quan về ống dẫn sóng quang học
Chương 2: Một số mạch tích hợp quang tử cơ bản
Chương 3: Thiết kế bộ chia công suất 1x2 thay đổi được dựa trên bộ giao thoa
đa mode và bộ dịch pha

2
 LỜI NÓI ĐẦU

Em xin chân thành cảm ơn thầy PGS. TS Nguyễn Tấn Hưng và Th.S Hồ Đức
Tâm Linh đã tận tình chỉ dạy, quan tâm, nhiệt tình hướng dẫn để em có thể hoàn
thành tốt đồ án này.
Ngoài ra, chúng em cũng xin chân thành cảm ơn các thầy cô trong khoa Điện tử
- Viễn thông trường Đại học Bách Khoa - Đại học Đà Nẵng cũng như các anh chị, các
bạn đã cung cấp cho chúng em những kiến thức, tài liệu tham khảo trong suốt thời
gian làm đồ án này.

Đà Nẵng, ngày … tháng… năm 2021

Sinh viên thực hiện

Nguyễn Thanh Quốc

3
 MỤC LỤC

TÓM TẮT.....................................................................................................................2
LỜI NÓI ĐẦU...............................................................................................................3
DANH SÁCH BẢN VẼ VÀ HÌNH
VẼ........................................................................5DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU
VÀ CHỮ VIẾT TẮT................................................6
Chương 1. TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC............................7
1.1. Giới thiệu chương..................................................................................................7
1.2. Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng................................................................7
1.3. Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng............................................................9
1.3.1. Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học điện môi..................................................9
1.3.2. Ống dẫn sóng silicon trên nền vật liệu cách điện...............................................10
1.4. Các loại ống dẫn sóng dạng kênh dẫn đối xứng................................................11
1.4.1. Ống dẫn sóng Buried channel.............................................................................11
1.4.2. Ống dẫn sóng Strip-loaded.................................................................................12
1.4.3. Ống dẫn sóng ridge.............................................................................................12
1.4.4. Ống dẫn sóng Rid...............................................................................................12
1.4.5. Ống dẫn sóng Diffused.......................................................................................13
1.5. Kết luận chương...................................................................................................13
Chương 2. MỘT SỐ MẠCH TÍCH HỢP QUANG TỬ CƠ BẢN..........................14
2.1. Giới thiệu chương................................................................................................14
2.2. Tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI........................................................14
2.3. Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI và phương pháp phân tích truyền
mode.............................................................................................................................15
2.4. Tổng quan về các loại giao thoa.........................................................................17
2.4.1. Giao thoa tổng quát -GI......................................................................................18
2.4.2. Giao thoa hạn chế -RI.........................................................................................19
2.4.3 Mối quan hệ pha giữa đầu vào thứ r và đầu ra thứ s...........................................23
2.6. Bộ dịch pha (Phase Shift)....................................................................................24
2.7. Kết luận chương...................................................................................................24
Chương 3. THIẾT KẾ BỘ CHIA CÔNG SUẤT 1x2 THAY ĐỔI ĐƯỢC DỰA
TRÊN BỘ GIAO THOA ĐA MODE VÀ BỘ DỊCH PHA.....................................25
3.1. Giới thiệu chương................................................................................................25
4
3.2. Thiết kế thiết bị....................................................................................................25
3.2.1. Mô tả tổng quát...................................................................................................25
3.2.2. Nguyên lý hoạt động...........................................................................................26
3.2.3. kết quả và nhận xét.............................................................................................28
3.3. Kết luận chương...................................................................................................31
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ
TÀI………………………………...31
TÀI LIỆU THAM KHẢO..........................................................................................32

DANH SÁCH CÁC BẢNG VÀ HÌNH VẼ

Bảng 2. 1. Tóm tắt các đặc điểm của các trường hợp giao thoa tổng quát, theo cặp và
đối xứng........................................................................................................................25
Bảng 2. 2. Biểu diễn pha đầu ra của MMI 2x2 theo cổng vào.....................................26

Bảng 3. 1. Độ lệch pha ∆ϕ thay đổi theo chiều dài Lp..................................................30

Hình 1. 1. Mô hình trường quang của một vài ống dẫn sóng thường sử dụng...............9
Hình 1. 2. (a) Ống dẫn sóng phẳng (b) Ống dẫn sóng không phẳng............................10
Hình 1. 3. (a) Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc (b) Ống dẫn sóng chiết suất biến đổi
dần................................................................................................................................10
Hình 1. 4. Ống dẫn sóng Silicon trên nền vật liệu cách điện........................................11
Hình 1. 5. Ống dẫn sóng Buried channel......................................................................12
Hình 1. 6. Ống dẫn sóng Strip-loaded..........................................................................12
Hình 1. 7. Ống dẫn sóng ridge......................................................................................13
Hình 1. 8. Ống dẫn sóng Rid........................................................................................13
Hình 1. 9. Ống dẫn sóng Diffused................................................................................14

Hình 2. 1. Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode N×M theo hình chiếu bằng.............17
Hình 2. 2. Hình vẽ hai chiều của một ống dẫn sóng đa mode step-index....................18
Hình 2. 3. Khảo sát trường hợp giao thoa tổng quát.....................................................21
Hình 2. 4. Ống dẫn sóng đa mode hiển thị trường đầu vào Ψ(y,0) và vị trí các đơn ảnh,
đa ảnh............................................................................................................................21
Hình 2. 5. Khảo sát trường hợp giao thoa theo cặp......................................................23
Hình 2. 6. Sơ đồ của một bộ chia hoặc kết hợp quang 1:N dựa trên cấu trúc giao thoa
đối xứng........................................................................................................................24

5
Hình 2. 7. Khảo sát trường hợp giao thoa đối xứng.....................................................24
Hình 2. 8. Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode NxM theo hình chiếu bằng.............25
Hình 2. 9. Bộ dịch pha (phase shift).............................................................................26

Hình 3. 1. Mô hình thiết kế bộ chia công suất sử dụng hai bộ giao thoa đa mode kết
hợp MMI 1x2 và MMI 2x2..........................................................................................27
Hình 3. 2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của bộ giao thoa đa mode MMI...............28
Hình 3. 3. Mô phỏng BPM với giải pháp EIM của bộ chia công suất dựa trên giao thao
đa mode và bộ dịch pha tại bước sóng 1550nm, 11 tỷ lệ chia công suất đặc biệt khác
nhau..............................................................................................................................32
Hình 3. 4. Kết quả mô phỏng bằng phương pháp BPM phụ thuộc vào chiều dài bộ
dịch pha Lp....................................................................................................................33
Hình 3. 5. Kết quả khảo sát hiệu suất truyền của bộ chia công suất dựa trên giao thao
đa mode và bộ dịch pha................................................................................................33
DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
⃗
E Véc tơ cường độ điện trường
⃗
H Véc tơ cường độ từ trường
⃗
D Véc tơ cảm ứng điện
⃗
B Véc tơ cảm ứng từ
⃗
Jd Véc tơ mật độ dòng điện
⃗
ρtd Véc tơ mật độ điện tích
μo Hằng số độ từ thẩm tuyệt đối
ε0 Hằng số độ điện thẩm tuyệt đối
εr Hằng số điện môi tương đối
μr Hệ số từ thẩm tương đối
∇ Toán tử nabla (Hamilton)
2
∇ Toán tử Laplace
ix Véc tơ đơn vị trên trục x
iy Véc tơ đơn vị trên trục y
iz Véc tơ đơn vị trên trục z
⃗
A Từ thế véc tơ
⃗
P Véc tơ pointing
γ Độ dẫn điện của môi trường truyền dẫn

6
 k0 Số sóng trong không gian tự do
W MMI Độ rộng của bộ MMI
L MMI Chiều dài của bộ MMI
W¿ Độ rộng đầu vào của bộ mạch Zehnder
L¿ Chiều dài phần đế ống dẫn sóng
W tp Độ rộng phần ống dẫn sóng hình nêm
Ltp Chiều dài phần ống dẫn sóng hình nêm
W ps Độ rộng của bộ dịch pha
L ps Chiều dài của bộ dịch pha
n Si Chỉ số khúc xạ của Silic
n SiO 2
Chỉ số khúc xạ của Silic đioxit
nr Hệ số chiết suất (hiệu dụng) lõi
nc Hệ số chiết suất (hiệu dụng) vỏ
λ Bước sóng không gian tự do
n Hệ số chiết suất
βv Hằng số truyền của mode thứ v
We Độ rộng hiệu dụng bộ ghép đa mode
Hệ số mũ chỉ trạng thái phân cực, σ =0 với mode TE
σ
vàσ =1 với mode TM
Lπ Nửa chiều dài phách giữa hai mode bậc thấp nhất
ψ () Trường quang truyền trong ống dẫn sóng
v Số thứ tự mode trong cơ chế giao thoa đa mode
cv Hệ số kích thích mode bậc thứ v
Biểu thị bản chất định kỳ của hình ảnh dọc theo ống
p
dẫn sóng đa mode
L Khoảng cách có các ảnh.
mod Phép toán lấy phần dư
LPS Chiều dài của Phase Shift
W PS Chiều rộng trung tâm của Phase Shift
∆Φ Độ chênh lệch pha tạo ra bởi Phase Shift

CHỮ VIẾT TẮT

7
 MMI Multimode Interference Giao thoa đa mode
Wavelength Division Ghép kênh phân chia theo
WDM
Multiplexing bước sóng
Ghép kênh phân chia theo
MDM Mode Division Multiplexing
mode
Polarization Division Ghép kênh phân chia phân
PDM
Multiplexing cực
SOI Silicon On Insulator Silicon trên nền cách điện
TE Transverse Electric Điện trường ngang
TM Transverse Magnetic Từ trường ngang
TEM Transverse Electromagnetic Điện từ ngang
Phương pháp phân tích
MPA Mode Propagation Method
truyền mode

LỜI MỞ ĐẦU
Sự ra đời và phát triển của internet đã mang lại nhiều lợi ích to lớn, nhu cầu xử lý
và lưu trữ thông tin cho con người. Công nghệ 4.0 là xu hướng hiện thời trong việc tự
động hóa và trao đổi thông tin, cùng với sự bùng nổ của các dich vụ số liệu dặc biệt là
dịch truyền tải trực tiếp qua internet như truyền hình trực tiếp, stream,… đòi hỏi nhu
cầu băng thông phát triển để đáp ứng cho nhu cầu của khách hàng. Với sự phát triển
nhanh chóng của lưu lượng truy cập Internet, một số công nghệ ghép kênh được đưa
vào sử dụng, bao gồm cả ghép kênh theo bước sóng quang –WDM (wavelength
division multiplexing), ghép kênh phân cực -PDM (polarization division multiplexing
) và ghép kênh phân chia theo mode –MDM (mode division multiplexing), đã được
đề xuất để mở rộng hơn nữa khả năng truyền tải [1,2]. Trong đó công nghệ ghép kênh
phân chia theo mode –MDM đã thu hút được sự chú ý ngày càng tăng [3-5], được
nghiên cứu để gia tăng dung lượng lên gấp số lần mode. Công nghê MDM được đưa
vào sử dụng trong truyền thông quang trên chip [6] để thay thế các chip điện nhằm
tăng tốc độ truyền tải, phù hợp với khả năng đáp ứng các công nghê phát triển hiện
nay.
Trước đây các bộ chia công suất thường được thực hiện trên các thiết bị lớn,
không thể đáp ứng một cách khách quan trong công nghệ ngày nay, giải pháp thiết kế
bộ chia công suất với kích thước nhỏ hơn nhiều và có những điểm ưu việt hơn. Bộ
chia công suất và bộ ghép là các khối xây dựng cơ bản và quan trọng để hình thành

8
nên mạch tích hợp quang tử (PIC). Trong các phương pháp triển khai tích hợp quang
học được báo cáo [7-9], giao thoa đa mode MMI được xem là vượt trội hơn hẳn vì
chúng dễ thiết kế và chế tạo, không yêu cầu các công cụ có độ chính xác cao (chi phí
rất đắt) và chúng có thể được thiết kế chính xác dựa trên các mô hình phân tích [7].
Ngoài ra những đặc điểm được xem là ưu điểm của MMI như băng thông hoạt động
tương đối rộng [13,14], suy hao thấp [15], dung sai chế tạo lớn và mật độ tích hợp cao
[16]. Độ dài của một bộ chia công suất dựa trên MMI phụ thuộc vào độ dài phách L.
Trước đây, đã có những đề xuất áp dụng MMI 2x2 làm thiết bị chung để phân chia
nguồn tuy nhiên chúng không thể đạt được bất kì tỷ lệ chia mong muốn nào, chỉ có 5
tỉ lệ chia đặc biệt được tìm hiểu, cụ thể là 15/85, 28/72, 50/50, 72/28 và 85/15
[18,19]. Nhiều giải pháp được đưa ra để khắc phục điều này [19-24], hiệu ứng quang
điện [19], thiết kế với độ nghiêng phù hợp [20], thiết kế hình con bướm [21], cắt giảm
[22], hình ba chiều [23], dùng hai MMI 2x2 kết nối bởi hai ống dẫn sóng có cùng độ
dài và khác chiều rộng [24].
Tiếp tục nghiên cứu dựa trên những báo cáo và kết quả thực nghiệm trước đó
[10-12],[19-24], chúng tôi đã nghiên cứu và đề xuất cho ra một bộ chia công suất
quang sử dụng 2 bộ giao thoa đa mode MMI 1x2 và MMI 2x2 kết hợp với một bộ
dịch pha trên nền vật liệu SOI (silicon on insulator). Ưu điểm của giải pháp là đưa ra
thiết kế dễ hơn (dung sai chế tạo lớn), kích thước nhỏ gọn và đạt suy hao rất thấp. Sử
dụng phương pháp truyền chùm –BPM (beam propagation method) [17] để phân tích
và mô phỏng, bằng cách thay đổi giá trị chiều dài của bộ dịch pha, kết quả chúng tôi
thu được bất kì tỷ lệ chia mong muốn, trong đó chúng tôi đã khảo sát 11 tỷ lệ chia
công suất đặc biệt khác nhau với hiệu suất đạt được từ 97-98% tùy theo từng tỷ lệ
chia.

9
 Chương 1. TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC
1.1. Giới thiệu chương
Trong chương này tôi sẽ trình bày tổng quan về ống dẫn sóng quang học. Nội
dung chương gồm các phần:
• Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng.
• Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng.
• Ống dẫn sóng dạng kênh đối xứng.
1.2. Cơ sở truyền sóng trong ống dẫn sóng
Chúng ta biết rằng về mặt quang sóng thì ánh sáng là một loại sóng điện từ, là
sóng ngang, do vậy truyền sóng trong môi trường sóng tuân theo hệ phương trình
Maxwell [14]:
−∂ ⃗
B
∇×⃗
E= (1.1)
∂t

∂⃗
D ⃗
∇×⃗
H= +Jd (1.2)
∂t
∇ .⃗
D =⃗
ρtd (1.3)
∇ .⃗
B=0 (1.4)
Ở đây, ⃗
E là véc tơ cường độ điện trường, ⃗
H là véc tơ cường độ từ trường, ⃗
D là
véc tơ cảm ứng điện và ⃗B là véc tơ cảm ứng từ, ⃗
J d là véc tơ mật độ dòng điện, ⃗
ρtd là
các véc tơ mật độ điện tích.
Theo nguyên lý toán tử, chúng ta có đẳng thức:
∇ .(∇ × ⃗
A )=0 (1.5)
Với ⃗
A là từ thế véc tơ.
Véc tơ pointing ⃗P được định nghĩa là một tích có hướng sau:
⃗
P= ⃗
E×⃗
H (1.6)
Để ý rằng, các tính chất quang học và vật liệu truyền sóng trong môi trường
đẳng hướng, chúng ta có các giả thiết như sau:
Không có điện tích tự do hoặc các nguồn dòng: ρtd =0 , ⃗
J d= ⃗0.
Vật liệu không có từ tính: hệ số từ thẩm tương đối bằng 1.
Cường độ trường là đủ nhỏ để quan hệ giữa cảm ứng điện D và cường độ điện
trường E là tuyến tính.
Ta lại có các quan hệ giữa các đại lượng sau:
⃗
D=ε r ε 0 ⃗
E (1.7)

10
 ⃗
B=μr μ 0 ⃗
H (1.8)
⃗
J d =γ ⃗
E (1.9)
Ở đây, ε r và μr lần lượt là hằng số điện môi tương đối và hệ số từ thẩm tương
đối, ε 0 và μ0 lần lượt là các hằng số độ điện thẩm tuyệt đối và độ từ thẩm tuyệt đối
(trong chân không) có giá trị: ε 0=8.854187817 ×10−12 F /m và μ0=4 π ×10−7 H /m , σ là
điện dẫn xuất. γ là độ dẫn điện của môi trường dẫn.
Sử dụng các phép biến đổi toán học cho các toán tử véc tơ, từ năm phương trình
đầu tiên kết hợp với đẳng thức:
∇ ×( ∇ × ⃗
A )=∇ ( ∇ . ⃗
A )−∇ ⃗
2
A (1.10)
Với: ⃗
Grad A=∇ A , ¿ ⃗
A=∇ ⃗
. A, Rot ⃗
A =∇ × ⃗
A.
Và không có điện trường ngoài và môi trường truyền sóng không dẫn điện ( γ =0
) cũng như không có từ tính, chúng ta có thể thu gọn được các phương trình của hệ
Maxwell là:
2
⃗
2
∇ E⃗ − ε r ε 0 μr μ 0 ∂ E =0 (1.11)
2
∂ t
2
⃗
2
∇ H⃗ − ε r ε 0 μr μ0 ∂ H =0 (1.12)
2
∂ t
Chú ý rằng ta có: μr =1. Với trường điện từ là những sóng điện dao động điều
hoà phụ thuộc thời gian, chúng ta có thể viết trong hệ toạ độ Decartes:
⃗
E =⃗
E( x, y ,z)e
jωt
(1.13)
⃗
H=⃗
H ( x , y, z) e
jωt
(1.14)
Thế vào các phương trình (1.11) và (1.12), chúng ta thu được:
E + ( k 2− jω μ 0 ) ⃗
∇2 ⃗ E=0 (1.15)
H + ( k 2− jω ε r ε 0) ⃗
∇2 ⃗ H =0 (1.16)

Với k =
2
√
2π ε 2π
=
λ0 ε 0 λ0
n là biên độ véc tơ sóng, n=
ε
ε0 √
với n là hệ số chiết suất, ∇

và ∇ lần lượt là các toán tử nabla (Hamilton) và toán tử Laplace, xác định như sau:

(
∇= i x
∂
,i
∂
,i
∂
∂ x y ∂ y z ∂z ) (1.17)

2 2 2
2 ∂ ∂ ∂
∇= 2
+ 2+ 2 (1.18)
∂ x ∂ y ∂z
Với i x ,i y , i z lần lượt là các véc tơ đơn vị trên trục x , y , z của hệ toạ độ Decartes.

11
 Trong không gian 2 chiều, xét mặt phẳng xy thì phương trình điện trường viết
là:
2
∂ E ∂ E
2
(
+ 2 + ( n ( x , y ) k 0− β ) E=0
2 2 2
2
∂x ∂ y 1.19)
Đây là phương trình Helmholtz.
Chúng ta phân loại dựa trên các mode phân cực dựa trên đặc tính của các thành
phần trường theo chiều dọc:
- Một trường theo mode phân cực TE hay gọi là mode TE có E z=0 và H z ≠ 0 .
- Một trường theo mode phân cực TM hay gọi là mode TM có H z=0 và E z ≠0 .
- Một trường có phân cực điện từ ngang TEM hay gọi là mode TEM có E z=0 và
H z=0 . Ống dẫn sóng điện môi trong hỗ trợ mode TEM.
- Mode lai (Hybrid mode) là mode mà có đồng thời E z ≠0 và H z ≠ 0 . Hybrid
mode không xuất hiện trong planar waveguide nhưng tồn tại trong ống dẫn
sóng không phẳng nonplanar waveguide (ví dụ như ống dẫn sóng ridge/rib…)
hay sợi quang.

Hình 1. 1. Mô hình trường quang của một vài ống dẫn sóng thường sử dụng.

1.3. Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng

1.3.1. Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học điện môi
Cấu trúc cơ bản của ống dẫn sóng quang học điện môi bao gồm một môi trường
quang học với chiết suất cao được mở rộng theo chiều dọc, được gọi là lớp lõi (core),
phủ xung quanh bởi môi trường có hệ số chiết suất thấp, được gọi là lớp bao phủ, lớp
bao phủ trên (lớp phủ) và dưới (lớp nền) lần lượt được gọi là cover và substrate.

12
 Tính chất của ống dẫn sóng quang học được xác định bởi hằng số điện môi (hệ
số chiết suất) mà độc lập theo hướng truyền. Có hai kiểu ống dẫn sóng quang học cơ
bản là: ống dẫn sóng không phẳng (nonplanar waveguide) và ống dẫn sóng phẳng
(planar waveguide). Ống dẫn sóng phẳng bắt giữ ánh sáng chỉ trong một hướng ngang
và hệ số chiết suất chỉ phụ thuộc một hướng, n(x). Ống dẫn sóng không phẳng bắt giữ
ánh sáng theo hai hướng ngang với chiết suất n(x, y) và dẫn sóng ánh sáng theo
phương z. Các ứng dụng chủ yếu của ống dẫn sóng là các ống dẫn sóng dạng kênh
truyền (channel waveguide) và sợi quang (optical fiber).

Hình 1. 2. (a) Ống dẫn sóng phẳng (b) Ống dẫn sóng không phẳng

Một ống dẫn sóng có hệ số chiết suất thay đổi đột ngột tại giao diện giữa các lớp
lõi và lớp bao phủ gọi là ống dẫn sóng chiết suất phân bậc. Ngược lại, nếu hệ số chiết
suất thay đổi từ lõi đến lớp bao phủ được gọi là ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần,
được mô tả ở hình 1.3.

Hình 1. 3. (a) Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc (b) Ống dẫn sóng chiết suất biến đổi
dần

1.3.2. Ống dẫn sóng silicon trên nền vật liệu cách điện

13
 Hình 1. 4. Ống dẫn sóng Silicon trên nền vật liệu cách điện.

Ống dẫn sóng mà lõi được chế tạo từ tinh thể Silic (Si) gọi là ống dẫn sóng Silic
(Silicon Waveguide).
Lớp vỏ của ống dẫn sóng thường được chế tạo từ điện môi với lớp cách điện là
thuỷ tinh Silic (silic – SiO2). Ống dẫn sóng trên nền vật liệu Silicon và chất cách điện
như vậy gọi là ống dẫn sóng SOI (silicon on insulator).
Trong ống dẫn sóng SOI, sự tương phản lớn giữa hệ số chiết suất giữa lớp lõi và
lớp bao phủ cho phép bắt giữ ánh sáng tốt (phản xạ toàn phần).
1.4. Các loại ống dẫn sóng dạng kênh dẫn đối xứng
Trong thực tế, hầu hết ống dẫn sóng được sử dụng trong các thiết bị ứng dụng là
ống dẫn sóng không phẳng. Đối với ống dẫn sóng không phẳng, chiết suất n(x, y) là
hàm phụ thuộc cả hai trục toạ độ là x và y. Ống dẫn sóng không phẳng có rất nhiều
loại khác nhau mà được phân biệt bởi các đặc điểm nổi bật của chiết suất n(x, y) của
chúng. Trong ống dẫn sóng không phẳng có một nhóm gọi là ống dẫn sóng dạng kênh
dẫn sóng gồm các loại như ống dẫn sóng buried channel, ống dẫn sóng strip-loaded,
ống dẫn sóng ridge, ống dẫn sóng rib, và ống dẫn sóng tán xạ.
1.4.1. Ống dẫn sóng Buried channel

14
 Hình 1. 5. Ống dẫn sóng Buried channel.

Ống dẫn sóng buried channel có lõi dẫn sóng chiết suất cao được bao phủ trong
môi trường có chiết suất thấp. Lõi của nó có thể có bất kỳ hình dạng nào nhưng hình
dạng được dùng nhiều nhất là hình chữ nhật như hình 1.5.
1.4.2. Ống dẫn sóng Strip-loaded

Hình 1. 6. Ống dẫn sóng Strip-loaded

Ống dẫn sóng Strip-loaded là ống dẫn sóng có chứa một ống dẫn sóng phẳng ở
trên cùng, bắt giữ ánh sáng theo trục x, với dải điện môi có chiết suất n3 < n1 hoặc một
dải kim loại để dễ dàng bắt giữ ánh sáng theo hướng y, được thấy trong hình 1.6. Lõi
ống dẫn sóng dạng này nằm trong vùng chiết suất n1 , có chiều rộng bằng chiều rộng
ống dẫn sóng strip-loaded.
1.4.3. Ống dẫn sóng ridge

15
 Hình 1. 7. Ống dẫn sóng ridge

Ống dẫn sóng ridge, có cấu trúc tương tự Strip-loaded, tuy nhiên nó chỉ cấu tạo
từ hai lớp, với lớp ở trên là lõi có chiết suất cao, có hình dạng như hình 1.7. Ống dẫn
sóng ridge bắt giữ ánh sáng tốt vì nó được bao quanh bởi ba mặt không khí có chiết
suất thấp.

1.4.4. Ống dẫn sóng Rid

Hình 1. 8. Ống dẫn sóng Rid

Ống dẫn sóng Rid có cấu trúc tương tự như ống dẫn sóng strip hay ridge nhưng
strip có chiết suất lõi và lớp phẳng có cùng chiết suất cao và là một phần của lõi sóng.
1.4.5. Ống dẫn sóng Diffused

16
 Hình 1. 9. Ống dẫn sóng Diffused

Được hình thành bằng cách tạo ra một vùng có chiết suất cao trong lớp nền
thông qua khuếch tán của các tạp chất, như ống dẫn sóng LiNbO 3 với lõi là chất
khuếch tán Ti. Do quá trình khuếch tán, các biên của lõi trong lớp nền không được
xác định rõ ràng. Tuy nhiên, ống dẫn sóng diffused cũng có độ dày d được xác định
bởi độ sâu khuếch tán các tạp chất theo hướng x và chiều rộng w được xác định bằng
các tạp chất phân bố theo hướng y.
Mộ đặc tính khác biệt của ống dẫn sóng điện môi không phẳng so với ống dẫn
sóng phẳng là ống dẫn sóng không phẳng có hỗ trợ chế độ lai (hybrid modes) kết hợp
với các mode TE và TM trong khi một ống dẫn sóng phẳng chỉ hỗ trợ mode TE và
TM. Ống dẫn sóng điện môi không phẳng thường không có các giải pháp phân tích
cho các đặc tính truyền dẫn của chúng. Các phương pháp xấp xỉ như phương pháp
truyền chùm tia (beam propagation method) tồn tại để phân tích ống dẫn sóng như
vậy. Ở đây, chúng ta quan tâm đến việc có được các giải pháp gần đúng cung cấp các
đặc tính của mode mà không có phương pháp phân tích số.
1.5. Kết luận chương
Qua chương này chúng ta hiểu được cấu trúc cơ bản của ống dẫn sóng gồm 3
lớp cơ bản (lớp lõi, lớp nền và lớp phủ). Tính chất của ống dẫn sóng quang học được
xác định bởi hằng số điện môi độc lập theo hướng truyền. Các lý thuyết cơ bản về cơ
sở truyền sóng. Tuỳ thuộc vào sự thay đổi chiết suất của từng lớp mà ống dẫn sóng
được phân loại thành ống dẫn sóng chiết suất phân bậc và ống dẫn sóng chiết suất
biến đổi dần. Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc có chiết suất thay đổi đột ngột giữa
các lớp trong khi ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần có chiết suất thay đổi dần từ lõi
đến lớp bao phủ. Hầu hết ống dẫn sóng được sử dụng trong các thiết bị ứng dụng là
ống dẫn sóng không phẳng. Ống dẫn sóng Ridge Waveguide có thể được sử dụng để
kết hợp trở kháng vì chúng làm giảm trở kháng đặc tính của ống dẫn sóng, chúng
cung cấp băng thông cao hơn so với các ống dẫn sóng thông thường và khả năng bắt

17
giữ ánh sáng tốt do nó được bao quanh bởi 3 mặt không khí có chiết suất thấp. Trong
đồ án này tôi sẽ tiến hành mô phỏng ống dẫn sóng dạng rib/ridge.
Chương 2. MỘT SỐ MẠCH TÍCH HỢP QUANG TỬ CƠ BẢN
2.1. Giới thiệu chương
Trong chương này tôi sẽ trình bày một số mạch tích hợp quang tử cơ bản được
sử dụng để tạo nên bộ chia công suất hai cổng ra như mục tiêu ban đầu của đồ án:
tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI và bộ dịch pha. Từ đây làm cơ sở để thiết kế
bộ chia công suất hai cổng ra dựa trên giao thoa đa mode và bộ dịch pha.
2.2. Tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI
Giao thoa đa mode là hiện tượng ảnh tự chụp, một đặc tính của các ống dẫn
sóng đa mode. Theo đó một trường đầu vào được tái tạo trong một hoặc nhiều ảnh tại
các khoảng cách có tính chất chu kỳ dọc theo hướng truyền của ống dẫn sóng. Hiện
tượng vật lý tự chụp ảnh theo chu kỳ của một đối tượng bằng sự giao thoa kết hợp của
sóng ánh sáng được mô tả lần đầu tiên bởi Talbot et.al vào năm 1836. Các ống dẫn
sóng tự hội tụ với hệ số chiết suất biến đổi đều có thể tạo ra các ảnh thực theo chu kỳ
của một đối tượng. Tuy nhiên, lần đầu tiên khả năng thu được ảnh tự chụp trong các
ống dẫn sóng vuông nhỏ hệ số đồng nhất được tìm ra trong thí nghiệm của Bryngdahl
vào năm 1973 bằng cách sử dụng phương pháp quang hình (ray optics). Sau này
Ulrich giải thích chi tiết sâu hơn về mặt lý thuyết và trình bày ứng dụng thực tế của
nó trong quang tích hợp.
Bộ giao thoa đa mode (MMI coupler) có cơ sở dựa trên hiện tượng tự chụp ảnh
(self-imaging), một đặc tính của ống dẫn sóng đa mode. Theo đó một trường đầu vào
được tái tạo trong một hoặc nhiều ảnh tại các khoảng cách có tính chất chu kỳ dọc
theo hướng truyền của ống dẫn sóng. Cấu trúc đang nhanh chóng được sử dụng phổ
biến và ứng dụng như các bộ tách ghép công suất trong các thiết bị chuyển mạch độc
lập phân cực, các bộ thu quang học đa pha vòng laser bán dẫn.
Bộ giao thoa đa mode hỗ trợ cơ chế giao thoa của nhiều mode được kích thích
khi dẫn truyền trong ống dẫn sóng. Ngoài ra, bộ giao thoa đa mode giải quyết được
vấn đề băng thông rộng, độ phụ thuộc phân cực thấp, tổn hao thấp hơn 0.5 dB, kích
thước nhỏ để giảm chi phí sản xuất của các thiết bị định tuyến, ghép nối tín hiệu.
2.3. Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI và phương pháp phân tích truyền
mode
Phương pháp phân tích truyền mode – MPA (Mode Propagation Method) được
hiểu về mặt lý thuyết là để mô tả hiện tượng giao thoa đa mode trong ống dẫn sóng.
Phương pháp này đầu tiên đưa vào một trường đầu vào, sau đó nó sẽ kích thích cơ
18
chế giao thoa và tự chụp ảnh trong miền ống dẫn sóng đa mode, truyền các mode
được dẫn, tính toán trường đầu ra bằng tái kết hợp các trường được truyền.
Cấu trúc trung tâm của thiết bị MMI là một ống dẫn sóng được thiết kế để hỗ trợ
một số lượng lớn các mode (thường là lớn hơn 3). Để phát ánh sáng vào trong và thu
hồi ánh sáng từ ống dẫn sóng truy nhập (access waveguide) được bố trí tại các điểm
đầu vào và kết thúc của ống dẫn sóng đa mode (các ống dẫn sóng truy nhập thường là
chỉ hỗ trợ đơn mode). Các thiết bị này thường được gọi là bộ ghép MMI N×M, trong
đó N và M là số lượng ống dẫn sóng đầu vào và đầu ra tương ứng. Ống dẫn sóng ba
chiều với phương pháp phân tích truyền mode được kết hợp tính toán với bằng các
phương pháp phân tử hữu hạn hoặc sai phân hữu hạn. Thường các ống dẫn sóng đa
mode có chiều theo chiều ngang (transverse) lớn hơn nhiều so với chiều dày (lateral).

Hình 2. 1. Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode N×M theo hình chiếu bằng

Hình 2.1 thể hiện một ống dẫn sóng hai chiều với độ rộng W MMI , hệ số chiết suất
(hiệu dụng) lõi nr , và hệ số chiết suất (hiệu dụng) vỏ là n c. Ống dẫn sóng hỗ trợ m
mode ngang với số mode tại bước sóng không gian tự do. Quan hệ giữa số sóng
ngang k xv và hằng số truyền β v của mode thứ v có quan hệ với hệ số chiết suất lõi của
ống dẫn sóng dạng sườn (rib/ridge waveguide) bởi phương trình tán sắc [15]:
2 2 2 2
k xv + β v =k 0 nr (2.1)

Với k 0 là số sóng trong không gian tự do và được xác định bởi:

2π
k 0= (2.2)
λ
Điều kiện hình thành sóng đứng:

19
 W ev k xv =(v+ 1)π (2.3)
Ở đây, độ rộng hiệu dụng được cho bởi [15]:

( )( )
2σ
λ0 nc −(1/ 2)
W ev ≈ W e=W MMI +
π nr
(n 2r −n2c ) (2.4)

Hình 2. 2. Hình vẽ hai chiều của một ống dẫn sóng đa mode step-index

(ảnh bên trái là góc nhìn một bên (trái) và ảnh bên phải là góc nhìn từ trên
xuống)
Với σ =0 cho mode phân cực TE và σ =1 cho mode phân cực TM.
Bằng cách sử dụng xấp xỉ hàm Taylor bậc hai với điều kiện: k 2xv ≪ k 20 n2r , hằng số
truyền β v có thể được rút gọn từ phương trình (1.1) và (1.2) là:
2
(v +1) πλ
β v =k 0 nr− (2.5)
4 nr W 2e
Do đó, hằng số truyền trong một ống dẫn sóng đa mode chiết suất phân bậc cho
thấy sự phụ thuộc bình phương với số mode v.
Ta định nghĩa Lπ là nửa chiều dài phách (half-beat length) giữa 2 mode bậc thấp
nhất sẽ được tính với công thức:
2
π 4 nr W e
Lπ = ≈ (2.6)
β 0−β 1 3 λ0
Khoảng cách giữa các hằng số truyền mode viết lại là:
v (v+ 2) π
( β 0−β v )¿ (2.7)
3 Lπ
Bằng cách giả thiết rằng MMI có ít nhất một ít mode được dẫn và các mode phát
xạ của phần MMI không được kích thích, trường đầu vào ψ (x , 0) là phổ hẹp đủ để
không kích thích các mode không được dẫn, ta có thể khai triển được theo các thành
phần của các mode được dẫn trong vùng đa mode:

20
 ψ ( x , 0 ) =∑ c v ψ v ( x) (2.8)
v

Với ψ v (x ) là phân bố mode bậc thứ v và c v là hệ số kích thích mode bậc thứ v ,
cho bởi tích phân chồng chất sau:

cv=
∫ ψ (x , 0)φ v (x) dx
(2.9)
√∫ φ 2v ( x)dx
Trường ψ ( x , z ) truyền dọc theo trục z có thể được xem như là sự siêu xếp chồng
của tất cả các mode được dẫn, nghĩa là:
m−1
ψ ( x , z )= ∑ c v φ v ( x ) [ j(ωt−β v z )] (2.10)
v=0

Lấy pha của mode cơ sở (bậc 0) là nhân tử chung ra bên ngoài của tổng, tách nó
và giả thiết rằng thành phần phụ thuộc ẩn, trườngψ ( x , z ) trở thành:
m−1
ψ ( x , z )= ∑ c v φ v ( x ) [ j(β 0−β v )z ] (2.11)
v=0

Bằng cách thế hằng số truyền từ phương trình (3.7) vào phương trình trên ta
được:

[ ]
m−1
v (v+ 2) π
ψ ( x , z )= ∑ c v φ v ( x ) exp j z (2.12)
v=0 3 Lπ

Dạng của trường sóng ψ ( x , z=L ) và cuối cùng kiểu của ảnh được tạo sẽ đuợc
xác định bởi hệ số kích thích c v và đặc tính của nhân tử pha mode:

exp j
[ v (v +2)π
3 Lπ
L
] (2.13)

Có thể thấy rằng: dưới một khoảng cách chu kỳ, trường ψ ( x , L ) sẽ được tái tạo
lại trường đầu vào ψ ( x , 0 ) .
2.4. Tổng quan về các loại giao thoa
Có các loại giao thoa sau:
- Giao thoa tổng quát (General interference - GI): là giao thoa độc lập với kích
thích mode.
- Giao thoa hạn chế (Restricted interference - RI): là do sự kích thích mode chắc
chắn tại một số vị trí mode xác định đơn lẻ.
Các tính chất sau đây sẽ được sử dụng trong việc đối chiếu:

21
 v ( v+ 2 ) ch ẵ n v ớ i v ch ẵ n , v ( v +2 ) l ẻ v ớ i v lẻ (2.14)
ψ v (−x )=ψ v ( x ) khi v chẵn , ψ v (−x )=−ψ v ( x ) khi v lẻ (2.15)
2.4.1. Giao thoa tổng quát -GI
Cơ chế giao thoa tổng quát là độc lập với sự kích thích mode, tức là không giới
hạn vào hệ số kích thích mode c v . Chúng ta xem xét các trường hợp sau đây:
2.4.1.1. Các đơn ảnh
Từ phương trình (1.13) ta thấy rằng trường ψ ( x , L ) sẽ là một ảnh của ψ ( x , 0 ) nếu:

exp j
[ v (v +2)π
3 Lπ ]
L =1 ho ặ c (−1 )v
(2.16)
Điều kiện này cho ta kết quả:
L= p ( 3 Lπ ) v ớ i p=0 ,1 , 2 … (2.17)
Hệ số p biểu thị bản chất định kỳ của hình ảnh dọc theo ống dẫn sóng đa mode.
2.4.1.2. Các đa ảnh
Ngoài các đơn ảnh thì các đa ảnh nhận tại các vị trí có khoảng cách là nửa độ
dài của các khoảng cách đơn ảnh, do có sự chụp ảnh đối xứng gương (mirrored
images). Đa ảnh do vậy có được ở các khoảng cách:
p
L= ( 3 Lπ ) v ớ i p=1 ,3 , 5 … (2.18)
2

Đối với cấu trúc N đầu vào sẽ được tạo dạng ở khoảng cách:
p
L=
N
(3 Lπ) (2.19)

22
 Hình 2. 3. Khảo sát trường hợp giao thoa tổng quát

Từ kết quả khảo sát ta thấy: Đối với trường hợp giao thoa tổng quát, để lấy được
ảnh đơn đầu tiên thì L MMI =3 Lπ =354 µm, và theo tính chất chu kì, thì sau 3 Lπ tiếp theo:
L MMI =3 Lπ =708 µm ta cũng sẽ nhận được một ảnh đơn nhưng vị trí của hai đơn ảnh
với khác nhau và đúng với lý thuyết như hình sau:

Hình 2. 4. Ống dẫn sóng đa mode hiển thị trường đầu vào Ψ(y,0) và vị trí các đơn
ảnh, đa ảnh

23
2.4.2. Giao thoa hạn chế -RI
Cơ chế giao thoa phụ thuộc vào sự kích thích mode trong ống dẫn sóng. Trong
phần này, chỉ trình bày khả năng và cách thức để tạo ra các bộ ghép MMI mà chỉ vài
mode được kích thích trong vùng MMI bởi trường đầu vào. Cơ chế giao thoa như vậy
gọi là giao thoa hạn chế. Sự kích thích có chọn lọc này có liên quan đến nhân tử pha
mode v ( v+ 2 ). Đại lượng này cho phép cơ chế giao thoa mới với chu kỳ ngắn hơn. Có
hai trường hợp xét đến sau đây:
2.4.2.1. Giao thoa theo cặp
Để ý rằng:
v ( v+ 2 ) ≡ 0 mod ( 3 ) v ớ i v ≠ 2 , 5 ,8 , 11… (2.20)
Rõ ràng chiều dài chu kỳ của nhân tử pha mode sẽ giảm đi 3 lần nếu:
c v =0 , v ớ i v =2 ,5 , 8 , 11… (2.21)
Do đó các đơn ảnh (trực tiếp và đảo ngược) của trường đầu vào ψ ( x , 0 ) sẽ nhận
được tại các khoảng cách:
L= p ( Lπ ) v ớ i p=0 , 1, 2 … 2.22)
Điều đó chứng tỏ rằng: các mode v=2 ,5 , 8 , 11… không được kích thích trong
ống dẫn sóng đa mode. Tương tự ta thu được hai ảnh đứng sẽ được tìm thấy tại

L= ( p2 Lπ ) với p lẻ.
Tổng quát cho hệ thống N ảnh đứng sẽ được tạo ra tại khoảng cách:
p (2.2
L= ( L ) v ớ i p=0 , 1 ,2 …
N π 3)
Với: p ≥ 0 , N ≥ 1là các số nguyên không có chung ước số.

24
 Hình 2. 5. Khảo sát trường hợp giao thoa theo cặp

Từ kết quả khảo sát ta thấy: Đối với trường hợp giao thoa theo cặp để lấy được
354
ảnh đơn đầu tiên thì L MMI =Lπ =118 µm ≈ µm , và nếu ta muốn lấy được 2 ảnh thì
3
354
L MMI =Lπ /2=59 µm ≈ µm. Ngoài ra ta cũng có thể lấy được ảnh đơn ở các khoảng
6
cách L MMI =2 Lπ ; 3 Lπ ;…
2.4.2.2. Giao thoa đối xứng
Một bộ chia quang N cũng có thể được tạo ra bằng phương pháp giao thoa tổng
quát N ảnh đứng ở trên. Tuy nhiên, bằng cách chỉ các mode đối xứng chẵn, bộ chia 1
đến N có thể được chế tạo với ống dẫn sóng 4 lần ngắn hơn.
Chú ý rằng:
v ( v+ 2 ) ≡ 0 mod ( 4 ) v ớ i v ch ẵn (2.24)
Rõ ràng các chiều dài chu kỳ của pha mode sẽ giảm 4 lần nếu:
c v =0 , v ớ i v =1 ,3 , 5 , 7 … (2.25)
Do đó, ảnh đơn của trường đầu vào ψ ( x , 0 ) sẽ được nhận tại:

L= p ( 34L ) v ớ i p=0 ,1 , 2 …
π
(2.26)

25
 Hình 2. 6. Sơ đồ của một bộ chia hoặc kết hợp quang 1:N dựa trên cấu trúc giao thoa
đối xứng

Tổng quát N ảnh đứng sẽ được nhận tại các khoảng cách:

L= ( )
p 3 Lπ
N 4
v ớ i p=0 , 1 ,2 … (2.27)

Với: p ≥ 0 , N ≥ 1là các số nguyên không có chung ước số.

26
 Hình 2. 7. Khảo sát trường hợp giao thoa đối xứng

Từ kết quả khảo sát ta thấy: Đối với trường hợp giao thoa đối xứng, để lấy được
3 Lπ 354
ảnh đơn đầu tiên thì L MMI = =88.6 µm≈ µm , và nếu ta muốn lấy được 2 ảnh thì
4 4
3 Lπ 354
L MMI = =44.3 µm ≈ µm , tương tự ta có thế thấy rõ tại những vị trí có thể lấy 3
8 8
3L 3L 3L 3L 3L
ảnh, 4 ảnh, 5 ảnh,… lần lượt là: L MMI = π = π ; L MMI = π = π ; L MMI = π =
4∗3 12 4∗4 16 4∗5
3 Lπ
,…
20
Giao thoa Tổng quát Theo cặp Đối xứng
Đầu vào × đầu ra N×N 2×N 1×N
Khoảng cách nhận
(3 Lπ ) ¿ ¿) (3 Lπ )/4
được ảnh đơn đầu tiên
Khoảng cách nhận
(3 Lπ )/N ¿ ¿)/N (3 Lπ )/4N
được N-ảnh đầu tiên
cv = 0 cv = 0
Yêu cầu kích thích không
với v = 2,5,8… với v = 1,3,5…
Vị trí đầu vào bất kì y = ± W e /6 y=0

27
 Bảng 2. 1. Tóm tắt các đặc điểm của các trường hợp giao thoa tổng quát, theo cặp và
đối xứng

2.4.3 Mối quan hệ pha giữa đầu vào thứ r và đầu ra thứ s

Hình 2. 8. Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode NxM theo hình chiếu bằng

π
φ rs = (s - r)(2N + r - s) + π với r+s chẵn (2.28)
4N
π
φ rs = (r + s - 1)(2N - r - s + 1) với r+s lẻ (2.29)
4N
Với r = 1,2,…,N là thứ tự ngõ vào từ dưới lên.
s = 1,2…,N là thứ tự ngõ ra từ trên xuống.
Output
1 2
Input
π
1 π
2
π
2 π
2

Bảng 2. 2. Biểu diễn pha đầu ra của MMI 2x2 theo cổng vào

2.6. Bộ dịch pha (Phase Shift)

Trong công nghệ chế tạo chip quang tử, phương pháp điều khiển điện áp hoặc
phương pháp điều khiển nhiệt thường được sử dụng để điều khiển pha tín hiệu quang
trong ống dẫn sóng. Nguyên lý của hai phương pháp này là thay đổi chiết suất của vật
liệu ống dẫn sóng để có được sự dịch pha mong muốn. Tuy nhiên, để chứng minh

28
chức năng định tuyến của thiết bị được đề xuất, chỉ cần thực hiện một mô phỏng đơn
giản, trong đó đặc biệt thiết kế một ống dẫn sóng hình cánh bướm làm bộ dịch pha.

Hình 2. 9. Bộ dịch pha (phase shift)

Bộ dịch pha có chiều dài L ps, chiều rộng của các ống dẫn sóng truy cập w và
chiều rộng trung tâm của bộ dịch pha W ps có thể thay đổi.
Mục đích của bộ dịch pha là thay đổi pha của tín hiệu quang, tức là tạo ra sự
chênh lệch về pha của tín hiệu trước và sau khi đi qua bộ này, độ lệch pha ∆ Φ .
2.7. Kết luận chương
Chương 2 đã trình bày một cách tổng quan về giao thoa đa mode MMI. Tôi đã
tiến hành khảo sát các trường hợp giao thoa tổng quát, giao thoa theo cặp, giao thoa
đối xứng. Kết quả thu được chính xác với lý thuyết. Tuy nhiên vẫn tồn tại về mặt sai
số phần mềm nên cần phải điều chỉnh các tham số về MMI (L MMI hoặc WMMI) để đạt
được kết quả tối ưu. Bên cạnh đó là tìm hiểu các mạch tích hợp quang tử cơ bản khác
như: bộ dịch pha. Đây là thành phần có vai trò rất quan trọng để thực hiện các chức
năng như chuyển mạch, phân mode,… Từ những mạch cơ bản này, tôi đã kết hợp để
thiết kế nên thiết bị chia công suất. Chương tiếp theo sẽ trình bày một cách chi tiết
nhất về thiết bị này.
Chương 3. THIẾT KẾ BỘ CHIA CÔNG SUẤT 1x2 THAY ĐỔI ĐƯỢC DỰA
TRÊN BỘ GIAO THOA ĐA MODE VÀ BỘ DỊCH PHA
3.1. Giới thiệu chương
Trong chương này, tôi đề xuất thiết kế một bộ chia công suất quang, được thiết
kế, chế tạo trên tấm mỏng SOI với kích thước micrômét. Thiết bị được cấu thành từ
hai bộ giao thoa đa mode MMI 50/50, một MMI 1x2 và một MM 2x2, được kết nối
với nhau bằng ống dẫn sóng có chứa bộ dịch pha. Chỉ cần thay đổi chiều dài của bộ
dịch pha này, có thể dễ dàng có được bất kì tỷ lệ chia mong muốn. Theo đó, tôi đã
khảo sát và đưa ra mô phỏng 11 tỷ lệ chia khác nhau với hiệu suất đạt từ 97.5-98.2%.
3.2. Thiết kế thiết bị
29
3.2.1. Mô tả tổng quát
a

Hình 3. 1. Mô hình thiết kế bộ chia công suất sử dụng hai bộ giao thoa đa mode kết
hợp MMI 1x2 và MMI 2x2

(a) cấu trúc của thiết kế, (b) mặt cắt ống dẫn sóng
Hình 3.1 thể hiện mô hình tổng quát của một bộ chia công suất sử dụng hai bộ
giao thoa đa mode MMI. Trong đó MMI 1x2 được mô tả là MMI-1 và MMI 2x2
được mô tả là MMI-2. Các MMI được thiết kế với độ rộng WMMI và chiều dài LMMI. Độ
rộng của ống dẫn sóng truy cập tại các cổng đầu vào, đầu ra, và kết nối được giả thiết
là Win=500nm. Chiều cao lõi là: hco = 220 nm và độ rộng của các ống dẫn sóng truy
nhập. Thêm vào đó, để làm rộng các đầu của ống dẫn sóng truy nhập với mục đích
nhằm cải tiến hiệu năng của cấu kiện, có thể làm rộng các ống dẫn sóng truy nhập
bằng cách nối nó với các ống dẫn sóng hình búp măng (taper waveguides) có độ rộng
Wtp=1.2µm và chiều dài Ltp= 4µm để đạt được suy hao thấp nhất. Ở giữa ống dẫn sóng
truy nhập nối 2 bộ MMI với nhau, ta đặt vào đó một bộ dịch chuyển pha để điều
chỉnh đầu ra của thiết bị chia công suất. Mô hình được thiết kế dựa trên vật liệu SOI,
lớp lõi được làm bằng Silic (Si) còn lớp vỏ được làm bằng Silic dioxide (SiO2). Chiết
suất của Si và SiO2 lần lượt là nSi = 3.48, nSiO2 = 1.46 hoạt động tại bước sóng 1550nm.
Gọi nr, nc lần lượt là các hệ số chiết suất hiệu dụng của lõi và vỏ của ống dẫn
sóng trong cấu trúc hai chiều. Nửa chiều dài phách Lπ giữa hai mode bậc thấp nhất

30
được kích thích dẫn trong vùng đa mode có thể xác định bởi công thức [25]:

4 nr W e 2

Lπ=
3λ
Ở đây, λ là bước sóng hoạt động và We là diện tích hiệu dụng của bộ ghép MMI,
được tính bởi công thức:

( )
2σ
+ π nr 2
W e=WMMI
λ nc
( n2r −n2c )
Trong đó, nc là hệ số chiết suất hiệu dụng của lớp vỏ,   0 đối với mode phân
cực TE và  1 đối với phân cực TM.
3.2.2. Nguyên lý hoạt động(a) (b)

Hình 3. 2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của bộ giao thoa đa mode MMI

(a) MMI-1, (b) MMI-2

a. MMI 2x1(MMI-1)
Dựa trên lý thuyết [25], sau khi điều chỉnh để thu được kết quả tốt nhất, với MMI-
A độ rộng được tìm thấy WMMI 1=5µm, và độ dài tương ứng LMMI A= 24.2µm. Ví trí đầu
vào của ống dẫn sóng được đặt tại ví trí y=0, khi truyền tín hiệu TE vào đầu vào của
MMI-1, tại ngõ ra chúng ta thu được 2 tín hiệu cùng pha và có giá trị công suất bằng
nhau.
b. MMI 2x2 (MMI-2)
Dựa trên lý thuyết, và tối ưu hóa trong thiết kế với MMI-B độ rộng của MMI-B
được tìm thấy WMMI 2=7.5µm, độ dài tương ứng LMMI 2=71.2µm. Tín hiệu đầu ra của
MMI A sau khi đi qua bộ dịch chuyển pha được đưa vào MMI-B qua hai ống dẫn
sóng đầu vào đặt tại vị trí y = ±W e/4. Tại ngõ ra chúng ta thu được 2 tín hiệu ra có
pha và giá trị công suất phụ thuộc vào bộ dịch pha.
31
 c. Bộ dịch pha
Ống dẫn sóng được sử dụng có chiều rộng Win=0.5µm để phù hợp với mode TE.
Bộ dịch pha được đặt tại chính giữa ống dẫn sóng liên kết MMI-A và MMI-B, có
chiều rộng cố định Wps=1µm. Trong đề xuất này chiều dài của bộ dịch pha được thay
đổi nhằm làm lệch pha đầu vào MMI-2 để tạo ra công suất theo tỷ lệ mong muốn.
Giá trị ∆ϕ được hiểu là độ chênh lệch pha tại ngõ ra của hai ống dẫn sóng liên kết,
∆ϕ nằm trong khoảng -2π ≤ ∆ϕ ≤2π, kết quả được thể hiện qua bảng sau:

Bảng 3. 1. Độ lệch pha ∆ϕ thay

Tỷ số
đổi theo chiều dài Lp Lphase (Lps) µm ∆ϕ (độ)
(A:B)
7.04 91,66 1:0
7.91 62.5 9:1
8.35 41.66 8:2
8.73 28.12 7:3
9.06 15.62 6:4
9.41 0.1 1:1
9.77 -12.5 4:6
10.08 -23.2 3:7
10.45 -37.5 2:8
10.9 -53.92 1:9
11.75 271.8 0:1

32
3.2.3. kết quả và nhận xét
Phương pháp mô phỏng EIM được sử dụng để đánh giá chỉ số công suất
chuyển đổi quang của thiết bị. Chúng tôi đã thực hiện khảo sát các mode TE
khi chúng được truyền vào thiết bị từ cổng đầu vào tới cổng đầu ra. Kết quả đã
khảo sát và đưa ra 11 tỷ lệ chia đặc biệt khác nhau:

(a)

(b)

(c)

33
 (d)

(e)

(f)

(g)

(h)

34
 (i)

(k)

(l)
Hình 3. 3. Mô phỏng BPM với giải pháp EIM của bộ chia công suất dựa trên giao
thao đa mode và bộ dịch pha tại bước sóng 1550nm, 11 tỷ lệ chia công suất đặc biệt
khác nhau.

(a) tỷ lệ 1:0, (b) tỷ lệ 9:1, (c) tỷ lệ 8:2, (d) tỷ lệ 7:3, (e) tỷ lệ 6:4, (f) tỷ lệ 1:1,(g) tỷ lệ
4:6, (h) tỷ lệ 3:7, (i) tỷ lệ 2:8, (k) tỷ lệ 1:9, (l) tỷ lệ 0:1

35
 Hình 3. 4. Kết quả mô phỏng bằng phương pháp BPM phụ thuộc vào chiều dài bộ
dịch pha Lp

Hình 3. 5. Kết quả khảo sát hiệu suất truyền của bộ chia công suất dựa trên giao thao
đa mode và bộ dịch pha

Từ kết quả mô phỏng được hiển thị trong hình 3.4 và hình 3.5. Khi thay đổi
độ dài của Lps dẫn đến làm thay đổi độ lệch pha tại đầu vào MMI-2, công suất
tại ngõ ra thay đổi tương ứng, chúng tôi đã khảo sát điều này và nhận thấy rằng
hoàn toàn có thể đạt được bất kì tỷ lệ chia công suất mong muốn bằng cách
thay đổi chiều dài của bộ dịch pha Lps. Hiệu suất truyền của bộ thiết kế được mô

36
tả trong hình 3.5, hiệu suất đạt được tại ngõ ra cũng thay đổi tương ứng theo
chiều dài bộ dịch pha Lps. Theo đó thiết kế đạt hiệu suất thấp nhất là 97.525%
(mất 2.475%) và đạt cao nhất 98.21% (mất 1.79%).
3.3. Kết luận chương
Trong chương này chúng tôi đã đề xuất thiết kế một bộ chia công suất quang
trên nền tảng vật liệu SOI, sử dụng giao thoa đa mode và bộ dịch pha. Bằng
cách thay đổi chiều dài của bộ dịch pha chúng tôi đã thu được bất kì tỷ lệ chia
mong muốn.
Thiết kế có cấu trúc nhỏ gọn và đạt hiệu suất cao (97.525%-98.21%),
dung sai chế tạo lớn thuận tiện cho việc chế tạo và ứng dụng trong các vi mạch
quang. Với những ưu điểm này, chúng tôi hi vọng thiết kế sẽ được áp dụng
trong các mạch tích hợp quang trên chip và trên các hệ thống toàn quang trong
tương lai.
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI
A.Kết Luận
Đồ án đã tìm hiểu về lý thuyết truyền sóng, lý thuyết mode và hệ phương trình
truyền sóng Maxwell cũng như lý thuyết về bộ giao thoa đa mode. Đồ án cũng trình
bày các bước thiết kế và mô phỏng các thiết bị là ứng dụng của bộ giao thoa đa mode
MMI. Các kết quả đạt được của đồ án là:
- Bộ MMI 1x2 kết hợp 2x2 được thiết kế với chức năng là bộ ghép chia công
suất. Hơn thế nữa, ta có thế phát triển chia công suất
B. Hướng Phát Triển Đề Tài:
Do thời gian hạn hẹp và kiến thức chuyên sâu chưa đủ nên đồ án mới chỉ dừng
lại ở mức thiết kế rồi tiến hành mô phỏng và quan sát kết quả trên phần mềm mà chưa
thể tiến hành chế tạo thực nghiệm và đo đạt kết quả từ thực tế. Dựa trên nền tảng
những gì đồ án đã đạt được, một số hướng phát triển tiếp tục đề tài có thể triển khai
như sau:
+ Thiết kế bộ chia công suất đa mode TE0, TE1, TE2,…..

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1]. S. Berdagué and P. Facq, "Mode division multiplexing in optical fibers,"

Appl.Opt., vol. 21, no. 11, pp. 1950-1955, 1982.
[2]. S. Iano, T. Sato, S. Sentsui, T. Kuroha, and Y. Nishimura, "Multicore
optical fiber," OSA/OFC, pp. WB1, 1979.s

37
 [3]. L. A. Rusch, "Shaping Optical Fibers to Mode Division Multiplex without
MIMO," 2019 IEEE Photonics Conference (IPC), San Antonio, TX, USA,
2019, pp. 1-2.
[4]. W. Zhang, H. Ghorbani, T. Shao and J. Yao, "Mode-Division Multiplexed
PAM-4 Signal Transmission in a Silicon Photonic Chip," 2019 International
Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP), Ottawa, ON, Canada, 2019,
pp. 1-4.
[5]. Y. Miyamoto, K. Shibahara, T. Mizuno and T. Kobayashi, "Mode-Division
Multiplexing Systems for High-Capacity Optical Transport Network," 2019
Optical Fiber Communications Conference and Exhibition (OFC), San Diego,
CA, USA, 2019, pp. 1-3.
[6]. D. A. B. Miller, “Optical interconnects to silicon,” IEEE J. Sel. Top. Quantum
Electron., vol. 6, no. 6, pp. 1312–1317, 2000.
[7]. L. B. Soldano and E. C. M. Pennings, “Optical multi-mode interference devices
based on self-imaging: Principles
and applications,” J. Lightw. Technol., vol. 13, no. 4, pp. 615–627, Apr. 1995.
[8]. H. Li, X. Dong, Z. L. E. Li, and Y. Bai, “Design optimization and comparative
analysis of silicon-nanowire-based
couplers,” IEEE Photon. J., vol. 4, no. 5, pp. 2017–2026, Oct. 2012.
[9]. P. E. Morrissey, H. Yang, R. N. Sheehan, B. Corbett, and F. H. Peters, “Design
and fabrication tolerance analysis of multimode interference couplers,” Opt.
Commun., vol. 340, pp. 26–32, Nov. 2014.
[10]. Matteo Cherchi, Sami Ylinen, Mikko Harjanne, Markku Kapulainen, Tapani
Vehmas, and Timo Aalto, "Unconstrained splitting ratios in compact double-
MMI couplers," Opt. Express 22, 9245-9253 (2014).
[11]. Qingzhong Deng, Lu Liu, Xinbai Li, and Zhiping Zhou, "Arbitrary-ratio 1 × 2
power splitter based on asymmetric multimode interference," Opt. Lett. 39,
5590-5593 (2014).
[12]. F. Ren, W. Chen, T. Zhangsun, Y. Zhang, X. Fan and J. Wang, "Variable-Ratio
Mode-Insensitive 1 × 2 Power Splitter Based on MMI Couplers and Phase
Shifters," in IEEE Photonics Journal, vol. 10, no. 5, pp. 1-12, Oct. 2018, Art
no. 7104912.
[13]. Xu, D., A. Densmore, P. Waldron, J. Lapointe, E. Post, A. Delâge, S. Janz, P.
Cheben, J. H. Schmid, and B. Lamontagne, “High bandwidth SOI photonic
wire
ring resonators using MMI couplers,” Opt. Express, vol. 15, no. 6, 2007.
[14]. Maese-Novo, A., R. Halir, S. Romero-García, D. Pérez-Galacho, L. Zavargo-
Peche,
A. Ortega-Moñux, I. Molina-Fernández, J. G. Wangüemert-Pérez, and P.
Cheben,
“Wavelength independent multimode interference coupler,” Opt. Express, vol.
21,
no. 6, pp. 7033–40, 2013.
[15]. Liu, H., H. Tam, P. Wai, and E. Pun, “Low-loss waveguide crossing using a
multimode interference structure,” Opt. Commun., vol. 241, no. 1–3, pp. 99–

38
 104,
2004.
[16]. Yehia, A., S. Member, and D. Khalil, “Design of a Compact Three-
Dimensional
Multimode Interference Phased Array Structures (3-D MMI PHASAR) for
DWDM
Applications,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 11, no. 2, pp. 444–
451,
2005.
[17]. Yamauchi, J., J. Shibayama, O. Saito, O. Uchiyama, and H. Nakano,
“Improved
finite-difference beam-propagation method based on the generalized Douglas
scheme and its application to semivectorial analysis,” J. Light. Technol., vol.
14, no.
10, pp. 2401–2406, 1996
[18]. M. Bachmann, P. A. Besse, and H. Melchior, “Overlapping-image multimode
interference couplers with a
reduced number of self-images for uniform and nonuniform power splitting,”
Appl. Opt. 34(30), 6898–6910
(1995).
[19]. J. Leuthold and C. W. Joyner, “Multimode interference couplers with tunable
power splitting ratios,” J.
Lightwave Technol. 19(5), 700–707 (2001).
[20]. Q. Lai, M. Bachmann, W. Hunziker, P.-A. Besse, and H. Melchior, “Arbitrary
ratio power splitters using angled
silica on silicon multimode interference couplers,” Electron. Lett. 32(17),
1576–1577 (1996).
[21]. P. A. Besse, E. Gini, M. Bachmann, and H. Melchior, “New 2×2 and 1×3
multimode interference couplers with
free selection of power splitting ratios,” J. Lightwave Technol. 14(10), 2286–
2293 (1996).
[22]. T. Saida, A. Himeno, M. Okuno, A. Sugita, and K. Okamoto, “Silica-based 2 ×
2 multimode interference coupler
with arbitrary power splitting ratio,” Electron. Lett. 35(23), 2031 (1999).
[23]. S.-Y. Tseng, C. Fuentes-Hernandez, D. Owens, and B. Kippelen, “Variable
splitting ratio 2 x 2 MMI couplers
using multimode waveguide holograms,” Opt. Express 15(14), 9015–9021
(2007).
[24]. D. J. Y. Feng and T. S. Lay, “Compact multimode interference couplers with
arbitrary power splitting ratio,”
Opt. Express 16(10), 7175–7180 (2008).
[25]. L. B. Soldano and E. C. M. Pennings, “Optical multi-mode interference devices
based on self-imaging: Principles

39