CHƯƠNG 2.

SỰ DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT RẮN

Phần 2. Hiệu ứng Hall

2.4. Hiệu ứng Hall và các linh kiện Hall

Một hiệu ứng quan trọng mà chúng ta có thể giải thích được bằng cách xem
điện tử như một hạt là hiệu ứng Hall (Hall effect) (Hình 2.8). Khi ta đặt một từ trường
theo phương vuông góc với điện trường (là nguyên nhân sinh ra dòng điện) sẽ xuất
hiện một điện trường trong vật mẫu có phương vuông góc với cả điện trường 𝐸𝑥 và
từ trường 𝐵𝑧 . Nếu đặt một vôn kế vào hai đầu của vật mẫu như trong Hình 2.8, ta sẽ
đo được một hiệu điện thế 𝑉𝐻 . Điện trường 𝐸𝑥 sinh ra dòng điện 𝐽𝑥 trong vật mẫu.
Các điện tử chuyển động theo hướng −𝑥 với vận tốc 𝑣𝑑𝑥 . Do tác dụng từ trường, sẽ
tồn tại một lực (gọi là lực Lorentz) tác dụng lên điện tử và được xác định bởi 𝐹𝑦 =
−𝑒𝑣𝑑𝑥 𝐵𝑧 . Hướng của lực Lorentz theo hướng −𝑦 (xác định bằng cách áp dụng quy
tắc bàn tay phải), thỏa mãn mối quan hệ

𝐹⃗ = 𝑞 𝑣⃗ × 𝐵
⃗⃗. (2.17)

Jy = 0
Bz
y
VH V
+ + + + +
eEH x
Jx z
Ex Jx
vdx
EH
evdxB z
A
Bz

V
+

Illustration of the HallHình

effect.2.8.
TheMinh hoạt hiệu
z-direction ứng
is out Hall.
from the plane of
paper. The externally applied magnetic field is along the z-direction.
 Tất cả các điện tích chịu tác dụng của lực Lorentz theo phương trình (2.17)
(Hình 2.9). Trong ví dụ cho kim loại ở Hình 2.8, lực Lorentz có hướng −𝑦 nên nó
đẩy các điện tử dịch chuyển xuống, tạo nên sự tích tụ điện tích âm gần mặt dưới của
vật mẫu và sự tích tụ điện tích dương ở mặt trên của vật mẫu do sinh ra các ion
dương kim loại (ví dụ như 𝐶𝑢+ ).

q = +e q = -e
v v

B B
B
F = qvB F = qvB

Hình 2.9. Lực Lorentz.

(a) (b)
Sự tích tụ điện tử gần mặt dưới tạo nên một điện trường 𝐸𝐻 theo hướng −𝑦.
Hiệu ứng này được gọi là hiệu ứng Hall và tạo nên hiệu điện thế 𝑉𝐻 giữa mặt trên và
mặt dưới của vật mẫu. Quá trình này tiếp diễn đến khi điện trường 𝐸𝐻 đủ lớn để triệt
tiêu sự tích tụ điện tử. Do đó, ở trạng thái ổn định, ta có

𝑒𝐸𝐻 = 𝑒𝑣𝑑𝑥 𝐵𝑧 .

Tuy nhiên, 𝐽𝑥 = 𝑒𝑛𝑣𝑑𝑥 . Do đó, ta có

1
𝐸𝐻 = ( ) 𝐽𝑥 𝐵𝑧 . (2.18)
𝑒𝑛

Một thông số quan trọng của hiệu ứng Hall là hệ số Hall, được xác định như
sau:
𝐸𝑦
𝑅𝐻 = . (2.19)
𝐽𝑥 𝐵𝑧

Đại lượng 𝑅𝐻 đo lường điện trường Hall được hình thành theo phương 𝑦 trên
một đơn vị cường độ dòng điện và từ trường. Giá trị 𝑅𝐻 càng lớn thì điện trường 𝐸𝑦
càng lớn đối với các giá trị 𝐽𝑥 và 𝐵𝑧 cố định. Do đó, 𝑅𝐻 là đại lượng đo lường cường
độ của hiệu ứng Hall. So sánh phương trình (2.18) và (2.19), đối với kim loại, ta có
 1
𝑅𝐻 = − . (2.20)
𝑒𝑛

Nguyên nhân có dầu " − " là do 𝐸⃗⃗𝐻 = −𝐸⃗⃗𝑦 , nghĩa là 𝐸⃗⃗𝐻 theo hướng −𝑦 .

Do đại lượng 𝑅𝐻 tỉ lệ nghịch với mật độ điện tử tự do nên giá trị của nó đối với
kim loại nhỏ hơn so với bán dẫn. Trong thực tế, các linh kiện Hall như cảm biến từ
thường sử dụng vật liệu bán dẫn vì có giá trị 𝑅𝐻 lớn hơn. Bảng 2.2 liệt kê các hệ số
Hall của các loại vật liệu khác nhau. Lưu ý rằng, giá trị 𝑅𝐻 âm đối với phần lớn kim
loại, trong khi một số kim loại có hệ số Hall dương (như Be). Nguyên nhân là do
liên quan đến thuyết vùng năng lượng của chất rắn, sẽ được trình bày sau.

Do điện áp Hall phụ thuộc vào tích của hai đại lượng là mật độ dòng điện 𝐽𝑥 và
từ trường 𝐵𝑧 nên ta có thể thấy rằng, hiệu ứng là tích số của hai đại lượng độc lập.
Do đó, hiệu ứng cung cấp cho ta một công cụ để đo lường một quá trình là tích số
của hai đại lượng. Một ứng dụng rõ ràng là đo lường công suất tiêu tụ trên tải, chính
bằng tích giữa dòng và điện áp. Trong nhiều ứng dụng, ta có nhu cầu đo cường độ
từ trường, và hiệu ứng Hall rất phù hợp cho yêu cầu này. Các cảm biến từ dựa trên
hiệu ứng Hall có thể đo cường độ từ trường thấp đến khoảng 10 𝑛𝑇, ở mức tương
đương với từ trường của Trái đất, vào khoảng 50 𝑛𝑇. Tùy theo ứng dụng, các nhà
sản xuất có thể sử dụng các bán dẫn khác nhau để đạt được độ nhạy tương ứng. Các
linh kiện Hall thường không đắt, nhỏ gọn, và có độ tin cậy cao. Các cảm biến Hall
có khả năng cung cấp điện áp Hall vào khoảng 10 𝑚𝑉 trên một 𝑚𝑇 của từ trường.

Bảng 2.2. Hệ số Hall của các loại vật liệu khác nhau.
 Hiệu ứng Hall được sử dụng rộng rãi trong các khóa điện tử. Dưới tác dụng của
từ trường (ví dụ như từ nam châm), sẽ tạo nên điện áp Hall, được khuếch đại lên
nhiều lần để kích hoạt khóa điện tử. Các khóa điện tử thường được chế tạo trên bán
dẫn Si. Các khóa điện tử Hall được sử dụng như các phím không tiếp xúc, có tuổi
thọ gần như vĩnh cửu do không có tiếp xúc cơ học. Một ưu điểm khác là tiếp xúc
điện sẽ tránh được hiện tượng “nhún” (bounce) như đối với phím cơ. Ngoài ra, còn
có nhiều ứng dụng khác của khóa Hall như để điều khiển vận tốc, phát hiện vị trí,
điều khiển so khớp,…
 2.5. Độ dẫn điện của bán dẫn

Tinh thể Si lý tưởng có mỗi nguyên tử Si liên kết với 4 nguyên tử Si lân cận,
và mỗi liên kết cộng hóa trị có hai điện tử chia sẻ. Theo vật lý cổ điển, ta biết rằng,
các nguyên tử trong mạng tinh thể đều rung động theo phân bố năng lượng. Khi nhiệt
độ tăng, phân bố năng lượng dịch về phía năng lượng cao. Một vài rung động có
năng lượng đủ lớn sẽ phá vỡ liên kết như minh họa ở Hình 2.10, tạo nên điện tử tự
do dịch chuyển trong tinh thể. Điện tử tự do có thể dịch chuyển có hướng dưới tác
dụng của điện trường và được gọi là điện tử dẫn. Khi điện tử bị tách ra khỏi liên kết
thì liên kết bị phá vỡ sẽ có điện tích dương. Liên kết bị phá vỡ được gọi là lỗ trống
(hole). Một điện tử trong liên kết lân cận có thể nhảy vào và lấp đầy một liên kết bị
phá vỡ (tức lỗ trống), và đồng thời tạo ra một lỗ trống khác tại vị trí ban đầu của nó
(Hình 2.10b). Như vậy, lỗ trống dịch chuyển tương đối theo chiều ngược lại so với
điện tử. Dưới tác dụng của điện trường, các điện tử và lỗ trống đều đóng góp vào
quá trình dẫn điện (Hình 2.10c). Nhìn chung, ta có thể xem lỗ trống như một hạt điện
tích dương (độc lập với các điện tử) trong tinh thể. Dưới tác dụng của điện trường,
các lỗ trống sẽ dịch chuyển theo chiều của điện trường và đóng góp vào sự dẫn điện
cũng giống các điện tử tự do. Tuy nhiên, các điện tử tự do dịch chuyển ngược chiều
của điện trường.

hole
e-

(a) (b) (c)

Hình 2.10. Sự hình thành điện tử tự do và lỗ trống trong bán dẫn.

Ta có thể tạo ra các điện tử tự do hoặc lỗ trống bằng cách pha tạp (doping), tức
là thay thế một vài nguyên tử Si bằng các nguyên tử tạp chất (impurity atom). Khiếm
khuyết vật liệu cũng có thể tạo ra các hạt tải điện (carrier), tức điện tử tự do và lỗ
trống.

Gọi 𝑛 và 𝑝 lần lượt là mật độ điện tử tự do và lỗ trống trong tinh thể bán dẫn.
Nếu điện tử và lỗ trống có độ linh động trôi là 𝜇𝑒 và 𝜇ℎ , ta có độ dẫn điện của bán
dẫn được xác định như sau

𝜎 = 𝑒𝑝𝜇ℎ + 𝑒𝑛𝜇𝑛 . (2.21)

 Trừ khi bán dẫn có nồng độ pha tạp cao, mật độ 𝑛 và 𝑝 thường nhỏ hơn mật độ
điện tử tự do trong kim loại nhiều lần. Mặc dù độ linh động trôi trong bán dẫn cao
hơn trong kim loại như bán dẫn có độ dẫn điện thấp hơn do mật độ các hạt tải điện
thấp.

Bài tập ví dụ: Hiệu ứng Hall trong bán dẫn

BÀI TẬP
Protect pdf from copying with Online-PDF-No-Copy.com