PHẦNI

CÁC LOẠI
■ LINH KIỆN
■ RỜI

Chương 1

CÁC LINH KIỆN THỤ ĐỘNG

VÀ NHỮNG ĐẠI LỨỢNG ĐIỆN cơ sở

Chương này s ẽ trình bày các linh kiện thụ động: điện trở, tụ điện, cảm kháng và các
đại lượng điện cơ sở. Đ ể hiểu hoạt động và chức năng của các linh kiện điện tử, nhất
thiếí phải sử dụng các khái niệm điện cơ sở. Các đại lượng đó là: Điện tích, dòng điện,
hiệu điện th ế hoặc th ế và công suất tiêu thụ. Các đợi lượng vật lý này được đưa vào một
cách rất chặt chẽ trong nlìíềii giáo trình" Điện hoặc Điện từ Vi vậy, ở đây chỉ nhắc lại
các định nghĩa cơ sở và đưa các định nghĩa này áp dụng vào giải thích tính chất điện tử
của các linh kiện cụ thể. Trong đó, th ế và dòng đóng vai trò trung tâm và có thể được
xem như các đại lượng cơ sở của điện tử học. Tất cả các hệ thống điện tử, từ đơn giản
nhất đến phức tạp nhất, đều có th ể được biểu diễn xuất phát từ các điện trở, tụ điện, cuộn
cảm và từ các nguồn th ế hoặc nguồn dòng. Vỉ thế, việc mô tả các lình kiện cơ sỏ d ĩ nhiên
là điều kiện bắt buộc tiên quyết. Các chức năng suy ra từ các tính chất của các linh kiện
này, cố nghĩa là mối Hên hệ giữa dòng và thế, sẽ được đưa ra một cách chính xác và tỷ
mỉ. Bởi vì đây ỉà mục tiêu đ ể ch ế tạo nên các linh kiện điện tử.

1.1. CÁC ĐẠI LƯỢNG ĐIỆN c ơ s ỏ

1.1.1. Điện tích
Đại lượng cơ sở là điện tích điện. Nó cấu thành vật chất. Các loại vật liệu, vật dẫn
điện, vật cách điện, đều được tạo thành từ các nguyên tử và các tính chất điện của chúng
phụ thuộc vào sự có mặt của các điện tử liên kết yếu với các hạt nhân nguyên tử. M ỗi
điện tử mang điện tích điện cơ sở bằng l,6.10“ ''^c. C u -lô n g là đofn vị điện tích đã được
chuẩn hóa. V ì thế nó tương đương với điện tích khoảng 6.10’*^ điện tử. Hạt nhân của nguyên
tử mang điện tích dương.
Các điện tử ở lớp ngòai cùng, liên kết yều với hạt nhân quyết định tính chất dẫn điện
của vật chất. Chúng được coi là lin h động trong vật liệu và được gọi là các điện tử dẫn,
phần còn lại của nguyên tử, tích điện dưoíig, được xem như m ột điện tích cô' định. Hình
1.1 biểu thị trường hợp m ột vật liệu chứa hai điện tử dẫn trong một nguyên tử. Bản chất
tự nhiên dẫn điện hoặc cách điện của vật liệu liên quan với sự tồn tại của các điện tử dẫn.
Trong trường hợp các chất cách điện, tất cả điện tử liên kết mạnh với hạt nhân nên điện
tử dẫn không tồn tại. Sự dẫn điện gắn liền với sự có mặt của m ột số lượng nhiều hay ít
các hạt tải điện liên kết yếu với các nguyên tử của \'ật liệu, chúng là điện tử hoặc lỗ
trống. Các điện tử liên kết yếu vởi các nguyèn tử vật liệu đứợc gọi là điện tử dẫn. Nhắc
lại, lỗ trống là cách thức đơn giản để trình bày một hiện tượng phức tạp của sự dẫn điện
trong bán dẫn. Đ iện tích của nó dương, ngược với dấu cúa điện tích điện tử. V ì vậy, các
vật liệu bán dẫn được biểu diễn trên hình 1.2 bàn» một tập hợp các nguyên tử. M ột số
chứa một hay nhiều điện tỉr dẫn. Một số khác chứa rnột hay nhiều lỗ trống liên kết yếu.
Nguyên tử liên quan, cố định trong vật liệu, vì thế chúng có điện tích dương hay âm tuỳ
theo hạt tải điện tự do là điện từ hay lỗ trống. Trong các chất dẫn điện, mỗi nguyên tử có
ít nhất một điện tử dẫn. Trong chất bán dẫn (Si-lic, Ger-ma-ni hoặc Ác-se-níc ga-li) chỉ
một số nguyên tử có chứa điện tử hoặc lỗ trống liên kết yếu.

Điện tử dẫn Nguyên tử cố định

Hình 1.1. V ật liệu dẫn điện.

K h i có một điện tích tác động lại gần m ột vật liệu, các hạt tải điện tự do sẽ bị hút
hoặc bị đẩy. Điện tử bị hút bởi một điện tích dương và bị đẩy bởi một điện tích âm; các lỗ
trống bị đẩy bởi m ột điện tích dưofng và bị hút bởi một điện tích âm. Khi đó, các hạt tải tự
do chuyển dịch trong trong vật liệu và như vậv làm xuất hiện một dòng điện. K h i đó ta
nói rằng vật liệu bị tác dụng của một điện trường. Đó là trường hợp khi ta tác dụng một
hiệu điện thế nhờ m ột máy phát điện. Trong các chất cách điện, các hạt tải điện tự do có
số lượng khồng đáng kể và có thể loại bỏ, do vậv không bị ảnh hưởng dưới tác động của
điện trường. Trong các vật liệu bán dẫn, tính dẫn dièn nàni trong vị trí trung gian bởi vì
chỉ một phần nhỏ nguyên tử có chứa các hạt tải điện tự do.

"©■ '©■■© 0 0 0 0 0 0 0 o o ©~o o o ©

■© 0 0 0 0 0 0 0 ©*■o_o o ©"o o
■© 0 0 0 0 0 0 0 o ® o o o_o o
■©' 0 0 0 0 0 0 0 o o ® " Q ,© o q .
■©' 0 0 0 0 0 0 0 o e o © 00©
Kim loại Chất cách điện Chất bán dẫn điện

(3 Nguyên tử trung hòa điện cố định.

Với Nguyên tử bị ion hóa tích điện dương cố định và một điện tử dẫn linh động.

Nguyên tử bị ion hóa tích điện âm cố định và một lỗ trống linh động.

Hình 1.2. Các ỉoại vật liệu và các tính chất điện của chúng.

6
1.2. DÒNG ĐIỆN
Nếu ta đặt một điện tích dương gán các điện tử dẫn. các điện tử này sẽ chịu một lực
hút mạnh gọi là lực Cu-lông. Chúng dịch chuycn tập thể và tạo thành dòng điện. Ta
cũng nói rằng chúng chịu tác dụng của một điện trường. Không nên nghĩ rằng các điện
tử dẫn dứng yên khi không có một điện trường nào lác dụng. Thực ra chúng tham gia các
chuyển động nhiệt hỗn loạn với vận tốc rất lớn. Vì các chuyển động này là ngẫu nhiên,
nên kết quả tổng thể bằng không; có nghĩa là chuycn động nhiệt không sinh ra dòng điện.
Dòng điện được định nghĩa như một sô' các điện lử chuyển dời qua một mặt đã cho
trong một đơn vị thời gian. Nó là số đo lượng điện tích tương ứng và được biểu th ị bằng
Am-pe. Hình 1.3 biểu diễn dòng điện i(t) tương ứng với N(t) điện tử chụyển qua mặt s.
Không gian được chia thành hai miền và để mô tả sự chuyển dời của điện tử từ vùng 1
sang vùng 2 thì chỉ cần chọn một hướng dương là đủ, hướng này thuần túy là quy ước.
Hướng này dược biểu thị bằng m ũi tên tưcfng ứng với sự chuyển dời của điện tử từ 2 sang 1.

I(t) = qN(t)
Điện tử linh động

Với N(f): số lượng điện tử

' ố" trẽn một đơn vị thời gian
chuyển từ<2) sang (1)
©-
'©
Miền (2)

M ặ ts Chiều quy định

Hình 1.3. Dòng điện qua một mặt s.

Hình 1.4 minh họa trường hợp cụ

Thiết diện ngang
thể nhất một dây điện thiết diện s. Dòng
điện đo được qua thiết diện này vuông
góc với trục của dây. K h i cưòfng độ dòng
điện có giá trị không đổi đối với thời
gian, ta nói đó là dòng điện không đổi.
Trường hợp ngược lại, ta nói dòng điện
biến đổi. Do sự lạm dụng của ngôn ngữ,
cưòmg độ dòng điện và dòng điện G
Chiều của ____________ J
thường bị lẫn lộn. Trường hợp của các dòng điện
chất dẫn điện và các chất cách điện thì
Hình 1.4. Dòng điện chạy qua m ột dây dẫn.
đơn giản. Rủi thay, chúng không phải là
những vật liệu được sử dụng nhiềụ nhất trong công nghiệp điện tử, vì thế mới biết đến các
chất bán dẫn. Các vật liệu này (silíc, Ger-ma-ni-um và Ar-se-nic Ga-li-um) không phải là
chất dần điện cũng không phải là chất cách điện trong khuôn khổ số lượng các điện tử liên
kết yếu có đủ để đảm bảo rnột số tính chất dẫn điện. Ta nên tráiih ý nghĩ cho rằng có,một
hoặc nhiều điện tử trên một nguyên tử như đối với các vật dẫn điện. Phải có một số lượng lớn
các nguyên tử của chất bán dẫn mới lìm thấy được inột điện tử dẫn.
M ột số điện tử liên kết mạnh với
Thế dương Điện tử bị hút
nguyên tử cũng tham gia vào sự dẫn điện.
Các điện tử đó được gọi là các diện tử hỏa 0
trị. Lý thuyết của các vật liệu bán dẫn cho
thấy rằng ảnh hưởng của các điện lử hóa
trị này giống với ảnh hưỏfng của các giả -
Điện tích dương Lỗ trổng bị đẩy
hạt giống như điện tử, với gần đúng về dấu
của các điện tích của chúng. Các hạt này Vùng điện tích không gian

được gọi là lỗ trố n g . Điện tích của chúng

bằng điện tích của điện tử, ngược lại dấu Hinh 1.5. Ảnh hưởng của điện trường
của điện tích này lại là dương. Do đó các lên các hạt tải điện.
túứi chất điện của vật liệu bán dẫn được giải
thích bằng cách coi dòng điện được tạo thành bởi hai loại hạt tải: Điện tử và lỗ trống. Dưới
tác dụng của m ột điện trưèmg, các điện tử \'à lỗ trống dịch chuyển theo các hướng ngược
nhau như chỉ ra trên hình 1.5.

1.3. ĐIỆN THẾ HOẶC THẾ

Đại lượng quan trọng thứ hai mà chúng ta sẽ đưa vào là điện thế hay còn được gọi là
thế. Đại lượng này được sử dụng thường xuyên trong cuộc sống hàng ngày và chúng ta nói
cái pin 4,5V hoặc lưới điện lực 220V không cần đắn đo gì đặc biệt. Thế nhưng, nếu ta suy
nghĩ kỹ về ý nghĩa thực tế của thế, thì để giải thích đại lượng này không phải là điểu quá
đơn giản.
Được xác định tại m ọi điểm của không gian, thế V(x,y,z) thực chất là công phải thực
hiện để đưa một đơn vị điện tích từ vô cùng đến điểm của không gian đang xét. Đ ịnh nghĩa
này rất trìu tượng có thế dược mỉnh họa bời ví tiụ của dây dẫn bieu thị trên hình 1.3. Hai
điểm A và B tương ứng với hai thiết diện Sa và Sb của dây. Hiệu điện thế - V b là công
phải cung cấp để đưa một đơn vị điện tích từ A đến B. Để đưa một điện tử có điện tích
cần phải thực hiện công là - Vg). Định aghĩa này phù hợp với định nghĩa ở trên vì để
đưa một điện tích từ A đến B, có thể dẫn từ A ra vồ cùng sau đó từ vô cùng đến B. V ì lý do
này, chúng ta giả thiết rằng công thực hiện không phụ thuộc vào đường đi. Giả thuyết quan
trọng này là hoàn toàn có thực dưới một số các diều kiện xác định mà chúng tôi không cho
ở đây, nhưng độc giả có thể lìm thấy trong các sách điện từ cho ở phần tài liệu tham khảo.
Chúng tôi đưa ra giả thuyết này đã được kiểm nghiệm tất cả các trường hợp trích ra trong
công trình đó. Lưu ý rằng nếu công phụ thuộc đường đi thì sẽ không thể thực hiện tại một
điểm trong không gian một giá trị và chỉ của một thế. Bạn đọc tự suy nghĩ ghi chú này như
một bài tập.
V ì thế khái niệm thế quả không đơn giản tí nào. Để có một biểu diễn cụ thể hơn,
chúng tôi đề nghị một minh họa như cái cách mà người ta vận hành thế khi tính toán các
mạch điện tử. Hình 1.6 biểu diễn một tập hợp các linh kiện được ghép nối với nhau nhờ các

8
 dày dẫn hoàn hảo. Thuật ngữ hoàn hảo muốn nói rằng klhõng có bất kỳ sự sụt thế nào trong
các dây dẫn đó. Do đó thế ở trong các dây dẫn đó là hằng số. Ví thế mỗi dây dẫn gắn liền
với một thế. Như vậy người ta định nghĩa v^, V|Ị, . v„.
K h i đó có thể viết:
V e -V ^ = V 3 -V e + V c - V , + V , - V ,
hoặc còn, khi ký hiệu V ba hiệu điện thế Vg - :
V ba = V3 c + V CD + ^DA

Hệ thức này, tầm thường về mặt toán học nhưng lại đưa ra một đẳng thức của tổng các
hiệu điện thế cho hai đường phân biệt, trong trường hợp 1 và 2 (như hình 1.6).

<N
Ề
'§
o

1.4. CÔNG SUẤT

Đại lượng cuối cùng mà chúng ta đưa vào là công suất điện. Chúng ta đã đưa vào khái
niệm công k h i định nghĩa về thế. Bây giờ nếu chúng ta xét công phải cung cấp để dịch
chuyển N điện tích cơ bản từ A đến B, nó được viết:
W ^ B = N q .,(V ,-V B )
V ì thế, công suất là công trên một đcín VỊ thờỉ gian, nếu tính đến thực tế là kh i chuyển
dờl trên một đơn vị thời gian thì không phải gì khác mà chính là dòng điện I thì được viết;
P ab = I ( V a - V b)
Đó là công suất tỏa ra bởi dòng điện I khi chuyên dời từ A đến B. Công suất được biểu
thị bằng O át và ký hiệu bằng w . K h i thiết lập hệ thức này, chúng ta đã không để ý đến
dấu. Tuy nhiên, điều rõ ràng là phải cung cấp công suất để chuyển dời một điện tích dương
từ thế thấp đến thế cao và ngược lại, công suất sẽ tỏa ra khi điện tích dương chuyển dời từ
thế cao xuống thế thấp. Đ ố i với các điện tích âm, chúng ta thu được các kết luận ngược lại;
Trong thực tế, các lin h kiện chỉ có thể tiêu tán một công suất hạn chế và công suất tiêu tán
hiệu dụng phải nhỏ hơn g iớ i hạn này. Trong trường hợp tổng quát, dòng và thế là các hàm
số của thời gian, công suất tiêu tán là một đại lượng thay đổi theo thời gian. Trong thực tế,
người ta tính công suất trung bình trong một khoảng thời gian đã cho. Giẳ trị trung bình
này được gọi là công suất hiệu dụng, v ề mặt toán học, người ta viết;

p - 1
* clT ^

2X K B 0V I MACH A
 K h i thế tác động vào hai đầu của một điện Iró R, còng suất tiêu tán được biểu thị bằng:
V- ' '
R
K hi đó giá trị hiệu dụn« của công siuĩt ià:

dt
T ,■! R

1.5. CÁC LINH KIỆN c ơ s ở VÀ CÁC CHỨC NĂNG CỦA CHÚNG

Sau khi nhắc lại các đại lưọìig điện cơ sở. bây giờ có thể chuyển sang xem xét năm
linh kiện cơ sở của điện tử học: Điện trỏ, lụ điện, cuộn cảm, nguồn thế và nguồn dòng. M ột
số bảng biểu cho ta ý tưởng vé các linh kiện đã được sử dụng một cách có hiệu quả trong
các kiến trúc điện tử.

1.5.1. Điện trở

Nếu dây dẫn đủ dài hoặc nếu vật liệu sử dụng
không phải là m ột vật dẫn điện quá tốt. thì một
hiệu điện thế có thể xuất hiện khi dòng điện chạv
trong dây dẫn.
Xét một đoạn dây dẫn hình trụ dài í , thiết
diện s, như trên hình 1.7.
Dòng điện I là lượng điện tích chuyển qua
một thiết diện ngang của dây dẫn trong một đơn Hinh 1.7. Dòng điện I trong m ột đoạn
vị thời gian: dây dẫn.

dt R
Trong đó: q; Lượng điện tích.
V Uiẹii
V,^: Điệntnc
thếUII
tạidicni
đicniA.
A.
Điện thế tại cliổm B (V „ > v^).
R: Điện trở của đoạn dâ\’ dẫn dài c , thiết diện s và điện trở suất p;
í
R =p~
s
Đại lượng; J = — được gọi là mật độ clòiìịỉ diện:
s
Trong kim loại, mật độ dòng điện J = n.e. \
Trong đó: n là số điện tử tự do trong một đơn vị thể tích,
e = 1,6.10 là điện tích của diện tử.
V là vận tốc trung bình của điện tử tự do.
Vận tốc trung bình của điện tử tỷ lệ với cường độ điện trường trong dây dẫn. Vận tốc
trung bình của điện tử tỷ lệ với cường độ điện trường trong dây dẫn:
“ -V to
V

10 2.LKBD VI M A C H B
 Trong đó |J,^. là độ lin h động của điện tii tự do; R là véc t(J cường độ điện trường trong
dây dẫn.

E liên hệ với hiệu điện thế bằng công thức:

^ V —V u

í í
Như vậy, để tạo ra dòng điện trong dây dẫn cần làm cho điện tử chuyển động có
hưóĩig; nghĩa là V 0 và phải tạo ra được sự chênh lệch điện thế giữa hai đầu dây dẫn;
nghĩa là U ba = V b - VA ^ 0.
Như vậy, quan hệ giữa hiệu điện thế với dòng điện chạy trong một vật liệu dẫn điện,
mộl cách gần đúng là quan hệ tuyến tính: Định luật ôm :
v ‘(t) - Vb(Ố= R.I(t)
Hay, đơn giản hơn, ta có thể viết:
V ^ -V ẹ = R .l
Trong thực tế, các vật dẫn điện có điện trở nhỏ hơn IQ và các điện trở dùng trong điện
tử thường có gam chạy từ 1 Q đến vài trăm MQ. Báng 1 sau đây nhắc lại một số các ký
hiệu đơn vị đã được sử dụng và các bội số của chúng.
B ảng 1.1. Các bội sô của đơn vị điện tử

f femto ^0-15
p pico
n nano 10-®
micro 10-®
m milỉi . 10-^
— 1
k kilo 10"
M mega 10"
G giga 10"
T tera

Đ ịnh luật Ôm không đặt ra những khó

khăn gì đặc biệt với sự chấp nhận chọn lựa Chiều của dòng điện I
dấu đối với thế và dòng.
B
K h i các mạch điện phức tạp và chứa
một số lófn lin h kiện. Nếu không chú ý vể • • •• • • *•
dấu đối với thế và dòng thì nói chung dẫn
đến các sai số; nên chúng tôi khuyên độc Chiều cùa dòng điện tử
giả nên tránh.
Dấu này chỉ ra chiều dòng điện chạy và Chiều của nguồn điện thế V
hướng của hiệu điện thế. Như vậy, chúng ta
xác định một hướng quy ước. K h i đó các
đại lượng được tính toán là các đại lượng
đại số và dấu của chúng được chỉ ra nếu đại PIN 4,5V
lượng điện nằm trong cùng một hướng như
hưóĩig quy ước đã chọn. Trường hợp của Hinh 1.8. Điện trở và những quy ước về dấu.
điện trở được minh họa trên hình 1.8 và cần
phải làm rõ m ột vài điều.

11
 Chẳng hạn khi chọn hướng dưcfng của thế nhừ đã chỉ trong hình 1.8. Chiểu mũi tên cho
thấy hiệu điện thế V là Va Vß chứ không phải Vg - v ^ . Cách lựa chọn này không liên
quan gì tới các giá trị của và Vq; Va có thể lớn hcm Vß hoặc ngược lại. Thêm nữa, và
Vß là dương hoặc âm. Nếu sau k h i kết thúc tính toán, chúng ta thấy V dương, điều đó muốn
nói một cách đofn giản rằng thế lớn hơn Vg. Nếu thế V là âm, điều đó muốn nói rằng
nhỏ hơn Vg.
Bây giờ chọn hướng của dòng I. Thực ra, chúng ta không có sự lựa chọn nào nữa ngoài
quy ước hướng dương được lựa chọn cho dòng phải ngược với hướng đã chọn đối với
thế. Từ quy ước này suy ra dấu k h i viết các phương trình đại số của các linh kiện. Sự lựa
chọn này tưcmg ứng với chiều của m ũi tên gắn liền với chiều của dòng điện I. Nếu, sau khi
tính toán, chúng ta thu được giá trị dương của I, điều đó muốn nói rằng các điện tử chuyển
dời theo hướng ngược với chiều của mũi tên. Sự lựa chọn này có thể gây ngạc nhiên. Từ
đầu đã giả thuyết rằng sự dẫn điện là kết quả của sự chuyển dời của các điện tích dương.
Các phát minh khoa học đã phủ định giả thuyết này nhưng sự quy ước về dấu vẫn giữ
nguyên. Nhờ các quy ước này, định luật ô m được viết một cách đại số: V = RI.

I
Mẩu Vòng đầu tiên Vòng thứ hai Vòng thứ ba Vòng thứ tư
Chữ số đầu tiên Chữ số thứ haỉ Chữ số thứ ba Sai số
đen 0 0 không * đen = 20%
nâu 1 1 1 bac = 10%
đỏ 2 2 3 vàng = 5%
da cam 3 3 3 đỏ = 2%
vàng chanh 4 4 4 nâu =1%
xanh tá 5 5 5
xanh lơ 6 6 6
tím 7 7
xám 8 8
trắng 9 9
. ,

Hình 1.9. Đánh dấu điện trỏ và mã mầu.

(V í dụ: vàng chanh/tím/đỏ/vàng: 4700Q ±5%)

Hình 1.9 chỉ ra làm cách nào mà giá trị của điện trở được ghi trên linh kiện. Nó được
biểu thị dưới dạng của m ột hình trụ nhỏ dài một vài m ilim ét hai đầu là hai dây đồng cho
phép hàn. Các điện trở cũng được biểu thị dưới dạng các viên vuông nhỏ cho phép hàn trực
tiếp trên mạch in. Công nghệ lắp ráp trên bề mặt này hiện nay thưèmg được sử đụng và cho
phép sự tích hợp rất mạnh. Trong trường hợp này, giá trị của điện trở được ghi ngay trên
linh kiện. Các họ chính của điện trở được chỉ ra ở bảng 1.2. Bảng này cũng chỉ ra các giá
trị đề nghị và nơi sử dụng thường xuyên của linh kiện. M ột số thuật ngữ có thể còn mới mẻ
đối với độc giả và sẽ được chính xác hóa sau này.

12
 Bảng1.2. Các loại điện trở và ứng dụng

Dạng Giá trị Sử dụng và tính chất

Dây T ừ O .O ia đ ến ka
.inh kiện công suất
Công suất <1000 */V

Vòng Phân cực tranzito và các

Từ 1a đến 100Mn
kim loai mạch tạp nhiễu thấp
Công suất<1000W

Vòng T ừ m đ ế n 100Ma Phân cực tranzito và các

kim loại Công suất < 2W mạch giá thành hạ

Vòng điện trở Phân cực tranzito và các

Chip T ừ m đ ế n 100MQ mạch trong công nghệ
Công suất < 2W bề mặt( plana)

1.5.2. Tụ điện
Là linh kiện được sử dụng thường xuyên trong điện tử, tụ điện được biểu diễn dưới
dạng hai bản dẫn điện đặt đối nhau nhưng cách nhau về phưcmg diện điện. Hình 1.10 biểu
diễn một tụ điện nối với một nguồn thế. Trong ví dụ, nguồn thế là một cái pin, tuy nhiên ta
cũng có thể sử dụng tất cả các nguồn điệrí khác. Điện tử của các bản tụ điện bị cực dương
hút và bị cực âm đẩy dưới tác dụng của định luật Cu-lông. V ì thế, trên bề mặt của các bản
cực không còn điện tử hoặc ngược lại phải nhận thêm các điện tử. Các bản tụ lúc đầu trung
hòa điện, vì các điện tử dẫn cân bằng các ion đưcfng cố định cua kim loại, sau đó chúng
tích điện khi nối với nguồn thế. Các điện tích được lạo ra là điện lích của các nguyên lử bị
mất điện tử dẫn của chúng đối với điện cực nối với bản ciưcíng và của các nguyên tử có thừa
điện tử đối với điện cực nối với bản âm. Điện tích +Q dược lạo ra trên bản tụ nối với cực
dương và điện tích - Q được tạo ra trên bản tụ nối \ứi cực âm. Nếu chúng ta áp dụng cùng
quy ước về dấu như đối với điện trở, thì thế định hướng ngược với dòng. Vậy hệ thức cơ
bán của tụ điện có thể viết:
Q(t) = C [V ^(t) - V b(1)]
Hằng số c đặc trưng cho tính chất hình học của linh kiện. Đó là điện dung của tụ điện.
Nó được biểu diễn bằng Fara, ký hiệu bằng F. Vì vậy Fara ]à điện dung cẩn thiết để tích trữ
một lượng điện tích một C u-lông dưới hiệu điện thế 1 vôn. V ì Cu-lông là điện tích của một
số rất lớn các điện tử, nên Fara có giá trị rất cao. Các linh kiện điện tử hiện tại được đo
bằng ước số của Fara: microfara hoặc picofara. Trong ví dụ đã cho, điện dung của tụ điện
cho bởi công thức sau đây:

13
 Hình 1.10. Tụ điện.

Trong hệ thức này, s là diện tích bề mặt của bản tụ và d là khoảng phân cách giữa hai
bản tụ. Hằng số s đặc trưng cho m ôi trường phân cách giữa hại bản cực. Nó được gọi là hằng
sô'điện môi. Giá trị của nó đối với chân không hoặc không khí khô là 8 , 8 . 1 0 Ơ /N .m ^ Đối
với các môi trường điện m ôi khác, nó có thể cao hơn nhiều. Biểu thức của thế ở hai đầu của
một tụ điện được biểu diễn dưới dạng được áp dụng nhiều nhất trong tính toán các mạch
bằng đạo hàm bậc nhất đối với thời gian. V ì dòng điện là đạo hàm của điện tích, theo định
nghĩa của chúng dòng điện chạy từ các bản tụ, nên ta thu được;

hoặc để đcrn giản ký hiệu:

dV
I =c
dt
Quy ước về dấu, nhắc lạ i trước đây, áp dụng cho hệ thức này là như Irong định luật
Ôm. Hình 1.11 cho các giá trị của V và Q với hai sự lựa chọn khả d ĩ về chiều của thế. Phải
lưu y rằng dòng điện chọn quy chiếu để luôn luôn chạy từ điện tích quy chiếu dương.

Cách chọn 2

10 pF

V - + 4.5V V = - 4.5 V
Q «45pC Q --4 5 p C

Hình 1.11. Tụ điện và các quy ước về dấu.

14
 Trong thực tế, tụ điện dùng để tích trừ điệtn tích clể ngăn dòng một chiều. Chức năng
lưu trữ này suy ra từ phưcmg trình cơ bản củía ìụ điện. Giả sử giá trị ban đầu bằng không,
hiệu thế ở hai đầu là:

V ( t ) = ijl( t ') d t ' ■

^ 0
Để giải thích tụ điện ngăn dòng điện một chiổu và cho qua dòng điện xoay chiều, chỉ
cần chú ý rằng dòng điện đi qua tụ điện tỷ lệ với dạo hàm của thế tác dụng. Bảng 1.3 mô tả
các loại tụ điện chủ yếu và các áp đụng chính của chúng.
Bảng 1.3. Các loại tụ diện và ứng dụng

Dạng Giá trị sử dụng và tín h chất

r " ' " ........
^ịxF tới 100000^iF
Hoá học Lọc trong các nguồn nuôi
'r - ,.,h
Sứ 1^F tới 10000mF Lọc tần số cao
R

Tantan 1000pF tới 10|.iF Lọc và kết nối các mạch

ri»
1pF tới 100000pF
Chip " Tantan Lọc và kết nối các mạch tần
1000pF tới ^OịiF so cao và các mạch bề mặt

--------- r - • mf .............................'

1.5.3. Cảm kháng và tự cảm

Đây là loại lin h kiện thứ ba mà
ĩ
ta sẽ nghiên cứu. Nếu lấy lại ví dụ
dây dẫn điện của hình 1.4 một lần
nữa và nếu ta cuộn dây dẫn này í
dưới dạng một cái lò so như chỉ ra ®
trên hình 1.12, khi đó có thể chứng V = VA-VB
minh theo các định luật điện từ rằng
định luật Ôm không còn áp dụng Hình 1.12. Cảm kháng.
được nữa. Thế ở hai đầu không còn
tỷ lệ với dòng điện đi qua linh kiện mà là đạo hàm của dòng này đối với thời gian. Hằng số tỷ
lệ là cảm kháng. N ó được đo bằng Henry, ký hiệu H. Hệ thức đại sô' được viết với cùng một
quy ước vể dấu như đối với một điện trở đom thuần:

dt
Trong thực tế, các giá trị nhỏ hơn mH thu được đối với các linh kiện cổ điển. Để đofn
giản ký hiệu hệ thức trên được viết:

V = L ặ
dt

15
 V ì thế, cảm kháng chống lại sự thay đổi của dòng điện chạy qua. Đối với thế đã cho,
giá trị cao của L có tác dụnỵ làm giảm giá trị của đạo hàm cíia dòng'điện.
B ảng 1.4. Các lo ạ i c u ộ n cảm và ứng dụng

Cuộn cảm có điện trỏ nhỏ đối với dòng điện một chiều. Đó là phần điện Irở ôm - míc
của dây dẫn. Ngược lại nó có điện trở rất lớn đối với dòng điện biến đổi nhanh. Cũng giống
như lụ điện ngăn cản dòng điện một chiều, cuộn cảm ngăn cản dòng điện biến đổi. Bảng
1.4 mô tả các cuộn cảm khác nhau thường gặp trong điện tử học và các lĩnh vực ứng dụng
của chúng.
Để kết thúc chương nhập đề quan îrong này với các tính toán mạch, các kết quả thu
được có thể tốm tắt trong bảng 1.5.

16
 Chương 2

MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU BÁN DẪN

Chương 1 đã trình bày các tính chất dẫn điện của vật chất đôi với ba họ: vật dẫn điện,
vật cách điện và chất bán dẫn.
Tại sao công nghiệp điện tử lại chỉ sử dụng các vật liệu đặc biệt như bán dẫn? Đó
chính là nói về việc sản xuất các linh kiện điều khiển một dòng điện xuất phát từ một thế.
Thực vậy, các linh kiện này cho phép khuếch đại các tín hiệu yếu để thu được dòng điện có
giá trị cao. Chúng cũng cho phép thực hiện các bộ chuyển mạch điện tử, khi dòng điều
khiển chuyển từ một giá trị bằng không tới một giá trị khác, khác không. Vật liệu cách
điện không cho phép thực hiện mục tiêu này; bởi vì dòng điện không thể lưu thông trong
vật liệu cách điện. Nếu chọn một vật dẫn điện thì cũng dẫn đến bế tắc; bởi vì điện trường
không thể xuyên vào trong lòng vật dẫn điện như kim loại. Tính chất quan trọng này được
suy ra từ các định luật, điện từ. V ớ i các lý do đó, nên không thể điểu khiển dòng điện bằng
điện trường nếu sử dụng các vật dẫn điện. Vì thế, chỉ còn vật liệu bán dẫn là vật liệu duy
nhất được sử dụng để chế tạo các lin h kiện điện tử.
Để chế tạo các linh kiện đó, ta cần phải điều khiển độ dẫn điện của bán dẫn. Nếu sử
dụng vật liệu bán dẫn tinh khiết, thì số lượng các hạt tải điện tự do chỉ phụ thuộc nhiệt độ,
ta nói rằng vật liệu bán dẫn là tin h khiết; hay còn gọi là bán dẫn ròng. Chẳng hạn, một
khối hình vuông silíc cạnh Icm , giữa hai mặt đối diện có điện trở lO.OOOQ ở nhiệt độ
phòng. Đ ố i với silíc thường dùng, điện trở khoảng lOQ. Để có được giá trị đó, người ta
phải đưa tạp chất vào tinh thể bán dẫn tinh khiết. Động thái này được gọi là sự pha tạp.
K h i muốn tăng số lượng lỗ trống tự do, ta phải đưa Bo vào và khi muốn tăng số lượng
điện tử dẫn, phải đưa vào Phôt-pho. Các điện tử và lỗ trống do chính s i-líc tạo ra trở nên
rất nhỏ bé so với số lượng điện tử và lỗ trống do tạp chất đưa vào. Trong gần đúng bậc
nhất, số các lỗ trống tự do bằng số lượng nguyên tử Bo đã được đưa vào và số lượng điện tử
tự do bằng số lượng các nguyên tử Phốt-pho đã dược đưa vào. Trong trường hợp đầu, bán
dẫn là loại p, còn trường hợp thứ hai, bán dẫrĩ là loại N. trm h 2.1 biểu diễn vật liệu bán
tinh khiết và pha tạp. Phải luôn luôn nhớ rằng mỗi điện tử tự do hoặc m ỗi lỗ trống tự do
tương ứng với một nguyên tử cố định nhưng tích điện dưcfng hoặc âm. Các nguyên tử tích
điện hay cầc i-ô n có vai trò quan trọng trong các linh kiện bán dẫn.
Để đơn giản, ta chỉ biểu diễn các nguyên tử tưcmg ứng với các hạt tải tự do mà quên đi
một lượng rất lớn các nguyên tử trung hoà. Cũng cần lưu ý rằng có thể có nhiều hạt tải tự
do trên nguyên tử i-ô n hoá. Hai miền bán dẫn loại N và p sẽ hình thành chuyển tiếp P -N .
Vùng chuyển tiếp P -N này tạo nên một linh kiện rất hay được sử dụng trong điện tử học là
điốt bán dẫn.

o o o o ©■o o e'*'o 0 0 0 0_® o © 9 0 9

o o o o o o o o 0 ©Vo 0 0 © ©"o o _ o o_o
o o o o o o ©■''0 ©""O 0 0 ỏ o_o_© o © o
o o o o o o ©" o o © V o 0,,0 ^ o_© © o o o o_
o e^ o o o o o © * ■0 0 0 0 ơ é o o o ẽo ©
Bán dẫn tinh khiết Bán dẫn loại p Bán dẫn loại N

Hình 2.1. Bán dẫn pha tạp và tinh khiết.

3.LKBD VI MACH A 17
2.1. NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG ĐƠN TINH THỂ - VÙNG NĂNG LƯỢNG
Trạng thái đơn tinh thể được đặc trưng bằng sự phân bố đều đặn của các nguyên tử
trong không gian theo một mạng tuần hoàn ba chiều. Giả sử có một chuỗi gồm N nguyên
lử giống hệt nhau, lúc đầu nguyên tử này cách xa nguyên tử kia. K h i đó, mỗi nguyên tử sẽ
có các mức năng lượng được phép đều bị chiếm. Bây giờ, nếu N nguyên tứ đó được sắp xếp
trong mạng tinh thể thì chúng sẽ tương tác với nhau, làm cho các mức nàng lượng được
phép cho các điện tử bị biến diệu. M ỗ i mức nãng lượng của nguyên tử cô lập sẽ phải tách
thành N mức gián đoạn để thoả mãn nguyên lý Pauli và mỗi một điện lử trong tinh thể có
một mức năng lượng riêng, gần ngay mức ban đầu. V I trong linh thể, số nguyên tử rất lớn
(cỡ 10’’ nguyên tử trên một cm") do đó trên trục năng lượng, mỗi mức năng lượng được
phép cũng tách thành từng ấy mức; chúng sáp xếp rất gần nhau tạo thành những vùng năng
lưcmg được phép cách nhau bởi các vùng cấm.

Khoảng cách giữa Khoảng cách giữa

các nút mạng các nguyên tử

Hỉnh 2.2. Cấu trúc vùng năng lượng của tinh thể silỉc ở 0“K.

Đ ối với các điện tử ở những lớp bên trong, thì nhiễu loạn do các nguyên tử láng giềng
gây ra rất yếu, nên chúng vẫn bị liên kết mạnh với hạt nhân của chúng, sự tách mức là rất
yếu và chỉ xảy ra trong m ột vùng rất'hẹp. Ngược lại, các điện tử ở lớp ngoài cùng tưcíng tác
với rất nhiều nguyên tử lân bang, nên sự tách mức năng lượng xảy ra trên một vùng rộng,
gây ra hiện tượng chồng phú các vùng năng lượng với nhau. Đ ối với silic, các lớp ngoài
cùng được tạo thành bởi 2 điện tử p và 2 điện tử s (có 6 vị trí ở trong mức p và 2 trong
mức s). K hi tinh ihể được tạo thành thì các vùng do các mức 3p và 3s tách ra, chồng phủ
lên nhau: hai điện tử 3s và hai điện tử 3p tạo nên vùng đầy gọi là vùng hoá trị được tính bởi
bốn điện tử trên một nguyên tử. Bốn vị trí còn lại trên mức 3p được nhóm lại thành một
vùng chưa bị chiếm gọi là vùng dẫn.
Trong bán dẫn gecmani, vùng Is nằm thăp nhất, có độ rộng khoảng 10"’eV. Vùng hoá
trị có độ rộng cỡ lOeV. Vùng dẫn có độ rộng 20eV cách đỉnh vùng hoá trị một khọảng
0,7cV. Đó chính là độ rộng của vùng cấm. Khoảng cách năng lượng giữa vùng Is và vùng
hoá trị vào khoảng 1l.OOOeV.

18 3.LKBÓ Vi MACH B
2.2. XÁC SUẤT CHIẾM MỨC NĂNG LƯỢNG CỦA ĐIỆN TỬ
Giả sử các mức nãng lượng khả dĩ giành cho điên ti r nằm trong khoảng E đến E + dE là
N(E).dE, trong đó N(E) là mật độ năng lượiig. ở trạno Ihái cân bằng nhiệt động (T giữ cố
định), điện tử phân bố theo thống kê Fermi - Dirac \’ới xác suất chiếm mức năng lượng E là:
1
f(E) =
, . E - E,
1 + exp — „ '
KT
trong đó: K = 8,63.10 e V /’K là hằng sỏ Boltzman;
T là nhiệt độ tuyệt đối. ở nhiệt độ phòng T = 300 "K , thì:
K T = 26.10 V V ;
Ep là mức năng lượng Fermi.
Nếu điện tử có hàm phân bố f(E), thì r.ồnR độ của điện tử; tức là số điện tử trên một
đơn vị thể tích sẽ được xác định từ biểu thức

n= 2 N (E )f(E )d (E )

Thừa số 2 là do mỗi mức năng lượng có thể bị chiếm bởi hai điện tử có spin ngược
nhau. Tích phân lấy theo tất cả các mức ntng lượng khả d ĩ của điện tử. Gốc năng lượng
được lấy từ đáy vùng dẫn. V ì vậy năng lương Fermi Ep là một hàm của nồng độ n, của
nhiệt độ T và của tất cả các thông số có thể có tác động lên các mức năng lượng.
ở nhiệt độ T = 0‘’K thì:
1 nếu E < E,,
0 nếu E > E|
Điều đó có nghĩa rằng tất cả các mức cãng lirợiig ở phía dưới E|. đều bị chiếm, trong
khi các mức nằm trên Ep thì lại trống hoàn 'oàn. Khi H = E| thì l‘(Fi) = 1/2. Vậy mức năng
lượng Fermi là mức năng lượng có xác suất bị cliiốni hằng SO'-fc. f(,E) Ihay đổi rất nhanh ở
lân cận mức năng lượng Fermi Ep. 90% sự 'hay đổi của f(E) xảy ra trên m ột khoảng năng
lượng ± 3KT.
ở nhiệt độ T 0"K sự phân bố của đién tử vẫn
f(E)
tuân theo thống kê Fermi - Dirac. Lúc nà\, một sỏ
điện tử ở đỉnh vùng hoá trị có năng lượng có thê 0 K |1>0K
vượt qua vùng cấm đi tới đáy vùng dẫn. Quá trình 1
1 __ /2 > T i
này để lại trong vùng hoá trị những lỗ hổtìỆ về vị trí 2
(hinh 2.4).
ớ nhiệt độ gần nhiệt độ phòng, nếu độ rộng \ ùng
cấm = Ej, lớn hơn 2 hoặc 3 eV thì s5 điện tử Hình 2.3. Sự phân bấđiện tử theo
trong vùng dẫn thực tế bằng không. Vật l:ệu đó là năng lượng.
chất cách điện. Ngược lại, nếu vào khoảng 1 eV Ihì
vùng hoá trị và vùng dẫn sẽ bị chiếm một phin và làm xuấthiện độ dẫn điện nào đó. Trường
hợp này là vật liệu bán dẫn; chẳng hạn như Si hoặc Ge có độrộng \'ùng cấmtương ứng là
1.12 eV và 0,66 eV ở nhiệl độ 0 "K.

19
 Điện trở suất của vật liệu bán dẫn sẽ giảm khi nhiiệt độ tăng vì số điện tử được giải
phóng từ vùng hoá trị lên vùng dẫn tăng theo nhiệt độ.

Ev Ec E

Hình 2.4. Mật độ các mức năng lượng trong vùng dẫn và vùng hoá trị.

2.3. ĐIỆN TỬ VÀ LỖ TRỐNG TRONG BÁN DẪN RÒNG

Trong các chất bán dẫn, ở nhiệt độ T 9Í: 0 ‘*K, vùng dẫn và vùng hoá trị có thể bị chiếm
một phần, vì vậy chúng có thể tham gia quá trình dẫn điện.
Giả sử trong một đơn vị thể tích của vật dẫn chỉ có điện tử với vận lốc định hướng là
thì mật độ dòng sẽ là - q (ký hiệu q là điện tích của proton có giá trị dương), khi đó
mật độ dòng do tất cả các điện tử của vùng sẽ là - q ^ v^, tổng lấy theo tất cả các trạng thái
s
bị chiếm của vùng.
Để tính dòng điện, phải xác định được vận tốc của điện tử. Thế nhưng, m ỗi điện tử
trong các vùng năng lượng lại có khối lượng hiệu dụng khác với khối lượng của điện tử
được tự do hoàn toàn, vì khối lượng hiệu dụng của điện tử phụ thuộc vào năng lượng của
nó, nên trong các vùng năng lượng khác nhau chúng sẽ có khối lượng hiệu dụng khác
nhau. Do vậy, đóng góp của các điện tử ngay trong một vùng năng lượng thôi cũng rất
phức tạp. Tuy nhiên, để đơn giản, trong các vật liệu bán dẫn, chúng ta chỉ xét các điện tử
trong vùng dẫn và vùng hoá trị.
Trong vùng dẫn, số điện tử rất nhỏ so với mức năng lượng được phép giành cho chúng,
vì vậy điện tử hầu như chỉ chiếm các mức năng lượng thấp nhất ở đáy vùng dẫn có năng
Iưọfng E^„ nên chúng có khối lượng hiệu dụng gần như nhau. Trên thực tế, người ta có thể
coi chúng có cùng khối lượng hiệu dụng m„.
Cũng suy luận tương tự như vậy, các vị trí trống do các điện tử vừa rời khỏi vùng hoá trị lại
rất ít so với toàn bộ số mức của vùng đó và nằm rất gần đỉnh vùng hoá trị E^. Nếu thiếu một
điện tử ở vùng hoá trị, thì mật độ dòng do tất cả các điện tử khác của vùng này sẽ là - q ,
s^ Ì

ở đấy ký hiệu i là điện tử bị thiếu. Bây giờ giả sử thêm vào điện tử vắng mặt ( - q Vị ) một /lạt
tưởng tượng có điện tích +q và chuyển động với vận tốc Vj thì về mặt công thức toán học
chúng ta có thể viết:
- q ^ v .- q v , +qv, +qV, =qv,
s;*i s

Nhưng q \ = 0 vì các điện tử chuyển động hỗn loạn, nên tổng vận tốc ^ của
s s

20
chúng bằng không. Kết quả trên cho thấy rằing độ dần điíỊn trong \iin g hoá trị như là do một
hạt tưởng tượng có điện tích +q chiếm các Irạng ihái Irc'ng (V (lỉnh vùng hoá trị gây ra. Hạt
tưởiig tượng này được gọi là lỗ trống. Người t a có thổ ^;iIl cho 11(3 inột khối lượng hiệu dụng nip.
Như vậy trong vật liệu bán dẫn có hai loại hạt tải điện: điện tử trong vùng dẫn và lỗ
trống trong vùng ìĩoá trị.
V í dụ bán dẫn silic và gecmani:
M ỗi nguyên tử của tinh thể silic hoặc
gemani trao đổi bốn* điện tử ở vòng
ngoài với bốn nguyên tử láng giềng gần
nhất để tạo nên 4 liên kết đồng hoá trị;
Có nghĩa là ở nhiệt độ "K tất cả các
điện tử hoá trị của silic đều tham gia
vào liên kết nguyên tử, do vậy vành hoá
trị là hoàn hảo. Hay nói khác đi vùng
hoá trị bị bão hoà, tức là tất cả các mức
năng lưọìig được phép ở trong vùng hoá Hình 2.5. Sự phát sinh một cặp điện tử - lỗ trống.
trị đểu bị chiếm bởi điện tử, trong khi ở
vùng dẫn lại bỏ trống hoàn toàn.

E
Khi T ^ 0"K, năng lượng nhiệt kích thích
dao động nhiệt của mạng tinh thể. M ột số điện
e-dẫn tử hoá trị có thể thu nàng lượng nhiệt để phá
... ........ ......... k-.. - ....-.... -—... . vỡ liên kết và chuyên lên mức năng lượng
được phép trong vùng dẫn và để lại trong vùng
Phát sinh Tái hợp
hoá irị một sô' lỗ Irõng. Như vậy đã hình thành
Lỗ trống
/ một cặp ciiện tử - lỗ trống (hình 2.5). Lỗ trống
/
+ + + + +< i> + + + + + 4 này có Ihè bị lấp dầy nhờ điện tử láng giềng và
+ + - •ĩ- + + + -
dến lượt nó, lại để lại một lỗ trốn^, quá trình
pày (liKK lặp lại và lồ trống hình nhưdịch
Hình 2.6. Quá trình phát sinh
chiiycn một cách tự do theo hướng ngược với
và tái hợp điện tử vả lỗ trống.
htóng ciia điện lử. Diéu đó có nghĩa là việc
dứt ĩiiộl liên kết đổng hoá Irị làm cho một điện
lử chuyển dời từ vùng hoá trị lên vùng dẫn. Đó cliính là quá trình phát sinh một cặp điện tử - lỗ
trống..Còn quá trình ngược lại; tức là quá trình xáy dimg lại một liên kết nhờ điện tử rơi từ
vùng dẫn xuống vùng hoá trị (với sự phát xạ níing lượng) là sự tái h(fp (xem hình 2.6).
ở trạng thái cân bằng nhiệt động, số điện tử phát sinh diìng bàng số điện tử tái hợp.
Bán dẫn như yậy được gọi là bán dẫn ròng (hay còn gọi là bán dẫn tinh khiết).

2.4. NỔNG Đ ộ HẠT TẢITRÒNG BÁN DAN RÒNG

ở trạng tháicân bằng nhiệt động, xác suấi để điện tử chiếm mức năng lượng E là:
1
(E) =
. „ E -E ,
1+ exp — 1 - -
KT

21
 Còn xác suất chiếm chỗ của lỗ trống bằng xác suất để vị trí này không bị chiếm bởi
điện tử, nghĩa là bằng:

f,(E ) = l - f „ ( E ) = -----
E p -E
1+ exp
KT
Giả sử n và p là nồng- độ điện tử và lỗ trống trong vùng dẫn và vùng hóa trị (chính là số
điện tử và lổ trống trong một đơn vị thể tích); chúng được tính từ biểu thức sau:

n = 2. " J N (E ).f„(E ).d E

và p = 2. I P (E ).fp(E ).dE (2 .1)

trong đó: là mức năng lượng cao nhất của vùng dẫn;
Evmin là mức năng lượng thấp nhất của vùng hoá trị;
Thừa số 2 là do m ỗi mức nãng lượng có thể bị chiếm bởi 2e có spin ngược nhau.
N(E) và P(E) là các mật độ trạng thái trong vùng dẫn và vùng hoá trị, chúng được xác
định từ các biểu thức sau:
» \3 /2
2m
N (E) = 2n
/

2m ' 1/2
và: P(E) = 2n ■(E . - E) ( 2 .2 )

Thay các biểu thức này vào (2.1) và mở rộng cận lấy tích phân của và ra vô
cùng (điều này không gây ra sai số kh i lấy tích phân), ta thu được:
3/2
2m ( E - E c ) ‘^' dE
n = 4 tc
J ^ E -E p
E. 1 + exp — ^
^ KT
E J/2
(E .-E )
và
■I E p -E
1 + exp ^
KT
Giả sử bán dẫn là không suy biến, nghĩa là các trạng thái bị chiếm bởi điện tử và lỗ
trống rất nhỏ so với toàn bộ số mức đã có, do vậy có thể loại trừ 1 trước hàm mũ, vì giá trị
của (E - và (E ^ - E) rất lớn so với KT. K h i đó xác suất bị chiếm đồng nhất với xác suất
M axw ell - Boltzman:

KT j
3/2
27rm‘ kT F - F
do vậy: n=2 exp
h- KT

22
 hay; n= exp Ec - B ,
KT
Ey - B , ^
và p = N, exp (2.3)
KT
?/: 3/2
'2Tcm*kT^ Ị 27ĩm‘pk T l
trong đó: N,. = 2 ,N , = 2
l h- , V h- /
là mật độ trạng thái tưofng đương trong vùng dẫn và vùng hoá trị. Từ đó, chúng ta cũng tìm
được mức năng lượng Perrmi:
N,
Ep = E c - K T .ln (a)

N,
hoặc; Ep = E , - K T . ln (b) (2.4)

Ec -
và; n.p = N,,.N,. exp
KT
Tích số (n.p) này độc lập với Ep, nhưng lại là một hàm số của nhiệt độ T và của độ
rộng vùng cấm (E,, - E J ■ Eg của vật liệu bán dẫn đã khảo sát.
Thay các biểu thức của Nc và Nv vào tích số n.p, ta thu được:
f E ì
n.p = nf = A .T \ exp - (2.5)
KT

trong đó: Oị là nồng độ hạt tải riị (em',-3i

điện (điện tử và lỗ trống) của bán dẫn
ròng, ở nhiệt độ phòng (T w 300"K),
trong bán dẫn silic cứ 3.10‘^ nguyên
tử silic cho một cặp điện tử - lỗ trống,
còn trong bán dẫn gecmani thì cứ
2.10'' ngụyên tử cho một cặp. Từ (2.5)
cho thấy nồng độ hạt tải trọng bán
đẫn ròng phụ thuộc rất mạnh vào
nhiệt độ. Hình 2.7 cho thấy sự thay
đổi của Oi theo nhiệt độ của một số
tinh Ihể bán dẫn chủ yếu.
Trong ưiột bán dẫn ròng, nồng độ
điện tử luôn luôn bằng nồng độ lỗ
trống; tức là ta luôn có đẳng thức sau:
n - p = ii|
Từ các biểu thức của n và p trong
(2.3), có thể tìm được mức Fermi của
bán dẫn ròng:
*

£ _ ~ ^ v ^ ^ K T ln Hình 2.7. Sự thay dổi của n, theo nhiệt độ

2 4 0 một số bán dẫn chủ yếu.

23
 E “ E E
Do vậy, nếu m* = m* thì mức Fermi nằm giữa vùng cấm, vì —Ï ^ = — . Còn khi

m¡ m* thì mức Fermi chỉ nằm giữa vùng cấm ở nhiệt độ T = 0 "K. K h i tăng nhiệt độ T
thì mức Fermi sẽ dịch về phía mà ở đó các hạt tải có khối lưọng hiệu dụng nhỏ nhất. Chú ý
ràng, ở nhiệt độ phòng T = 300 ‘ìc, KT/q = 26.10^’ eV và m* không khác m* nhiều, thì mức
Fermi cũng nằm ở gần giữa vùng cấm.

2.5. BÁN DẪN CÓ TẠP CHẤT

Nồng độ các hạt tải trong bán dẫn thay đổi m ột cách đáng kể nếu chúng được pha tạp
bởi các nguyên tử tạp chất. Sự phụ thêm nguyên tử tạp chất đưa bán dẫn thành loại bán dẫn
có tạp chất. Bán dẫn này, mặc dầu có cấu trúc tinh thể không thay đổi so với bán dẫn ròng,
song độ dẫn điện của nó thì tăng lên rất mạnh, phụ thuộc vào mức độ pha tạp và bản chất
nguyên tử của chất pha tạp.
Mức độ pha tạp được đánh giá bằng ppm (1 p p m :l trên m ột triệu ứng với 1 nguyên tử
tạp chất trên 10^ nguyên tử bán dẫn). Các nguyên tử pha tạp được chọn từ các nguyên tử
của nhóm I I I hoặc nhóm V trong bảng tuần hoàn các nguyên tố hoá học. Nếu là các
nguyên tử của nhóm I I I thì ta sẽ thu được bán dẫn pha tạp loại p, hoặc sẽ được bán dẫn loại
N nếu bán dẫn được pha tạp các nguyên tử của nhóm V .

2.5.1. Bán dẫn loại N

K hi pha tạp silic (hoặc gecmani) các nguyên tử thuộc nhóm V (chẳng hạn như photpho
hoặc antimoan...) thì các nguyên tử tạp chất này sẽ thay thế các nguyên tử silic ở trong
mạng tinh thể để lạo nên các liên kết đồng hoá trị với 4 nguyên tử silic láng giềng gần nhất.
Như vậy có một điện tử hoá trị thứ 5 của nguyên tử pha tạp liên kết yếu với nguyên tử láng
giềng xung quanh vă cũng liên kết yếu với nguyên tử của chính nó, nên chỉ cần một năng
lượng nhỏ cũng giải phóng nó khỏi nguyên tử của nó để trở thành điện tử tự do. Nguyên tử
tạp chất trở thành ion dương nằm cố định trong mạng tinh thể của silic. Tạp chất hoá trị 5
này được gọi là tạp chất đô-no, có nghĩa là tạp chất cho điện tử tự do. Còn bán dân có tạp
chất đô-no được gọi là bán dẫn loại N.
Chẳng hạn photpho trong silic là một nguyên tử đô-no, nghĩa là nó cho một điển tử
dẫn ở trong mạng theo mô hình:
P ^ = :± P ^ + (e-)
cố định linh động
Nếu pha tạp Nd nguyên tử đố-no trên một đơn vị thể tích, thì sẽ xuất hiện trong vùng
cấm các mức năng lượng nằm rất gần đáy vùng dẫn. Nếu số điện tử là n và số lô trống là p
thì số các hạt tải tự do trong một đơn vị thể tích sẽ tuân theo định luật tác dụng khối lượng:
n. p = nf
và định luật trung hoà điện:
-q .n + q.p + q. N j = 0

N, ±
từ đó suy ra: n= ---------------------------

24
 Nếu N j » 4 n" (điều kiện này thoả mãn trong một vùng nhiệt độ khá rộng từ 30**K
đến 500*'K dối với silic) khi đó ta có:
n = N j là các hạt tải điện cơ bản.
2
_ :ĩì:I
là các hạt tải điện không cơ bản.
N.
Còn nếu N j « 4 n : , nghĩa là mật độ các hạt tải ròng lớn hoíi mật độ đô-no, thì:
n = p = n;.
Q iế độ này được gọi là chê'độ bán
dần tinh khiết. Hình 2.8 mô tả sự thay
đổi mật độ điện tử khi N j = lO^^cm ’
theo nhiệt độ. Trong vùng nhiệt độ từ
30"K đến 500‘lc mật độ điện tử không
thay đổi và bằng mật độ đở-no. Năng
lượng nhiệt đủ để ion hoá hết các
nguyên tử tạp chất, nhưng không có
khả nãng tạo ra một số lớn các hạt tải.
Chế độ này gọi là ỉon lìoá hết đ(>—no.
V í dụ: Xác định nồng độ của hạt tải
ĩ K
điện không cơ bản trong bán dẫn loại N
ở nhiệt độ T = 300**K, nếu nồng độ pha Hinh 2.8. Sự thay đổi mật độ điện tử theo nhiệt dộ
tạp thay đổi từ 10‘ ’ đến 10"^ ngtủ/cm \ khi = 10” /cm^
Giải:
Nồng độ diện tử được xác định bởi:
n„ = Nj;
Nồng độ lỗ trống được xác định từ công thức:
nr
n ‘ ’
ở đây Hi = 1,52.10"’ngtử/cm '
Chương trình M A T L A B sau đây
sẽ tính nồng độ các hạt tải điện không
cơ bản trong bán đẫn loại n này.
% Chương trình tính nồng độ hạt «
tải điện không cơ bản trong bán dẫn Điên tử \
loại N ( s j) = t h ứ 5 I
Nd=logspace( 13,18);
nn=Nd;
ni=1.52elO; \
np=ni^2./Nd;
sem ilogx(Nd,np,'r');grid;
titleCNong do lo trong trong ban dan loai N')
xlabel('Nong do pha tap, cm -3 ') Hình 2.9. Tạp chất đô-no
ylabeiCNong do lo trong, cm -3 ') trong dơn tinh thể silic.

4.LKBD VI MACH A 25
 Kết quả cho trên hình 2,10.

Nuiiq dũ pỉia tap, cm -3

Hinh 2.10. Nồng độ lỗ trống trong bán dẫn loại N ở nhiệt độ T=300°K với nồng độ pha tạp
thay đổi từ 10'^ đến 10’ “ ngtử/cm ^

Trong bán dãn loại N nà\/, mậl độ hạt tải điện cơ bản được xác định từ biếu thức:
E _ p ^
n = N,, = N,. cxp 1 -

với Ep„ là mức Fermi của bán dần loại N.

2.5.2. Bán dẫn loại p

Nếu pha tạp bán dần t:inli khiết các nguyên tử hoá trị 3 (như bor, galium (Ga),
aluminium (A l), hoặc indiiumi...), thì mối nguyên tử tạp chất hoá trị 3 thay thế vỊ trí nguyên
tử bán dẫn tinh khiết gốc và tạo ra lìêii kếi đồng hoá trị với 3 nguyên tử láng giềng gần
nhất, còn liên kết thứ tư khômg hoàn luici \ à vì vậy iàm xuất hiện một lộ trống. Do vậy, chỉ
cần một nãng lượng rất nhỏ ciĩing cho phép một điện tử của iiên kết đồng hoá trị gần đó đến
chiếm lỗ trống và lại làm durt liên kèì khác. Các nguyên tử tạp chất hoá trị 3 này có xu
hướng bắt điện tử của \ ’ùmg hioá u ị làm lăng lỗ trống trong bán dẫn nèn người ta gọi nó là
ỉạp chất acceptor, nghĩa là tíạp chất bắt điện tử và cho lỗ trống. Còn bán dẫn có tạp chất
loại nàv gọi là hán dần loiại P'.
Các nguyên tử tạp chất hioá trị 3 này bắt điện tử trong vùng hoá trị dể tạo ra lỗ trống ớ
Irong vùng đó. Nếu pha tạp N1, nguyên lử tạp chất, thì trong vùng cấm sẽ xuất hiện N„ mức
năng lượng nằm rất gần đỉnhi vùng hoá trị. ở nhiệt độ thấp, các mức này không b ị'chiếm
bởi điện tử, có nghĩa là chúng CÒII Irống; nhưng khi nhiệt độ tăng lên, chúng bị lấp đầy bởi.
các điện tử ở trong vùng lioá trị. Do \'ậv, sô lỗ trống trong vùng hoá trị sẽ gần bằng N., và
hạt tải điện của bán dẫn loạĩ p trên một đơn vị Ihể tích là:
p = N , lìú hạt tái điện ca bản;

4LKBD VI MACH B
26
 rip = — là hạt tải điện không cơ bản.

Trong khoảng nhiệt độ đổ, các nguyêrt tử tạp chất đều bị ion hoá nên mật độ lỗ trống
bằng mật độ nguyên tử tạp chất. Chế độ này gọi là chế độ bão ìĩoà acceptor. Số lỗ trống tự
do nhiều hơn số điện tử tự do, nên bán dẫn là loại p. V ớ i bán dẫn loại p này thì:

Pp = N ,= Np. exp
KT
V ớ i Eịrp là mức Fermi của bán dẫn loại p.

Hình 2.11. Tạp chất accepto trong đơn tinh thể silic.

2.5.3. Độ dẫn điện của bán dẫn

Trong các tinh thể bán dẫn thực, sự chuyển
Va Vb
dời của các hạt tải điện bị ngăn trở bởi dao động
£
nhiệt của nguyên tử của mạng tinh thể, bởi sự có \
E ^4-------
mặt của các khuyết tật, của các tạp chất và của
- o
các hạt lải điện tự do khác có trong mạng tinh Vp Vb > v .
thể đó. Điện tử chịu tất cả các va chạm với các o - ^
. ->

“ trở ngại” nói trên, iàm cho quỹ đạo chuyển

\j Vc
w
I <4-------------------------
động của chúng trở nên hỗn loạn, vì vậy vận tốc
trung bình theo hướng bằng không. Hình 2.12. Dòng điện I
Nếu ta tác động một điện trường Ẽ đủ lớn trong vậỉ liệu bán dẫn.
vào một thỏi bán dẫn hình trụ như trên hình 2.12,
thì vận tốc trung bình của hạt tải sẽ tỷ lệ với điện trường Ẽ theo hệ thức;
< Vn > = -ị^n Ẽ cho điện tử và:

< Vp > = -|^pẼ cho lỗ trống;

trong đó: và )a là độ lin h động của điện tử và của lỗ trống.

27
 Chiều của < v„ > ngược với chiểu của Ẽ , ừong khi chiều của < Vp > cùng chiều vófi Ẻ .
K h i đó mật độ dòng của điện tử và lỗ trống là:

J„ = -q n < v „ > = qnụ„ Ẽ = Ẻ

''à Jp = qp < V p> = qp (Jp§ = ơpẼ

Irong đó: ơ„ và ơp là độ dẫn điện của điện tử và lỗ trống.
Nếu cả hai loại hạt tải cùng tham gia dẫn diện thì m ậl độ dòng tổng cộng sẽ là:
J = + J,, =(ơn + ơp)Ê = Ơ Ẽ
với ơ = q (nfj,„ + P |j.p ) là độ dẫn điện của p(fim) d T = 300 K
bán dẫn k lii có cả hai loại hạt tải tham gia 1 0 '
S ip
dẫn điện.
\ \
Đ ối với bán dẫn loại N, thì n » p, 10' '3
S in
nên độ dẫn điện của nó là: /
10' V.
= qN j (Q .cm )-'
Như vậy, nếu tăng N j thì độ dẫn Ge n
10'
điện a„ cũng lăng, do vậy điện trở suất
Ge p
sẽ giảm. Chất bán dẫn pha tạp càng 10' %
nhiều thì điện trở suất của nó sẽ càng
giảm. Tuy nhiên, độ linh động ỊJ.„ lại 10 '
N3 hoặc N,
.21
giảm khi mật độ nguyên tử tạp chất 10 ‘' 10 ^^ 10 ” 10 ^^ 1 0 ^* 10 * (m-^)
tãng. Do vậy cơ chế dẫn điện ở trong Hinh 2.13. Điện trỏ suất của Ge và của Sí thay dổi
vùng pha tạp mạnh tương đối phức tạp. theo nồng độ tạp chất ở T = 300 °K.

Đ ối với bán dẫn loại p, độ dẫn điện của nó là;

-I
ơp = qN, Í-L (Q.cm)
Khi tãng thì ơp cũng tăng, do vậy điện ưở suất giảm. Bán dẫn pha tạp càng mạnh thì
điện trở suất càng giảm. Tuy nhiên, độ linh động |j,p giảm kh i tăng nồng độ tạp chất. Hình
2.13 cho thấy sự thay đổi của điện trở suất và độ linh động (hình 2.14) của bần dẫn silic và
gecmani loại N và loại p theo nồng độ tạp chất N j hoặc ở nhiệt độ phòng T = 300'*K.
Điện trở của đoạn dây dẫn dài í , thiết diện s cũng tính được:

Trong đó: p = — là điện trở suất của thỏi bán dẫn.

ơ

2.6. S ự PHA TẠP BÁN DẪN

2.6.1. Sự pha tạp bán dẫn nhóm IV

Đối với bán dẫn nhóm rv, thì tất cả các nguyên tố của nhóm V đều là tạp chất loại N vì
chúng có 5 điện tử hoá trị. Nguyên tố pha tạp thường được sử dụng nhất là pholpho (P), arsen
(As), và antimoam. Arsen được sử dụng nhiều hofn photpho vì độ hoà tan của nó lớn hơn.

28
 Tất cả các nguyên tố của nhóm III đều là lạp chất acceptor, vì chúng có 3 điện tử hoá
trị ớ lớp ngoài cùng. Nhôm (A l) ít được sử dụng hơn cả, vì nó phản ứng mạnh với ôxy (O 2 ).
Bo là nguyên tỏ' hay dược sử dụng hcfii cả.

2.6.2. Sự pha tạp bán dẫn A"'B''

Quá Irình pha tạp bán dẫn loại này phức tạp hơn pha tạp bán dần nhóm IV . Ta hãy lấy
trirờng hợp GaAs làm ví dụ: Các nguyên tô' của cột 6 trong bảng tuần hoàn hoá học
Mendeleev như Te chẳng hạn, thay thế các nguyên lử As để tạo nên bán dẫn loại N, vì ion
Te' cổ 5 diện tử hoá trị. Các nguyên tố của nhóm II như Zn thay thế các nguyên tử Ga để
tạo thành bán dẫn loại p, vì ion Zn chí có 3 điện tử hoá trị. Trong khi các nguyên tố của
nhóm IV của bảng tuần hoàn hoá học như Si có thể cho pha tạp hoặc loại N hay loại p tuỳ
theo Si thay thế cho Ga hay As.

a ) Sự thay dổi của độ linlì động nia Gí' iheo nốiiỊỊ độ.

n(m V 's'))Ở T = 300K

10 ''

10'

20 21 22 23 24 25
10
,2 6 10^^ N^hoặcNd
10 10 10 10 10 10
(mO

Hinh 2.14. Độ linh động thay đổi theo nông độ tạp châ't N3 và Nd của G e (a ).
và của Si(b) ở nhiệt độ phòng.

29
 Ngoài ra còn có các hợp chất nhưGa,_^ A l, As có độ rộng vùng cấm là một hàm của X.

Bảng sau đây cho biết m ột số đặc trưng quan t rọng cúa inộì số bán dẫn quen thuộc.
Bảng các đặc trưng một sô bán dẫn ở nhiệt độ phòng (300“K)

(Ec-Ev)eV
Ge 0,66 2,4.10' 4000 1900 1,44

Si 1,12 1400 500 1,04

GaAs 1.43 10' 8.500 400 0,96

GaP 2,24 110 75 0,88

InSb 0,16 7800 750 1,50

CdS 2,42 2.10 -2 300 50 0,88

2.6.3. Giói hạn về nồng độ của nguyên tử tạp chất

M ật độ cực đại các nguyên tử tạp chất mà ta muốn đưa vào trong tinh thể bán dẫn được
quyết định bởi giới hạn lioà tan của tạp chất ấ}'. Chảng hạn ở nhiệt độ của lò khuếch tán (từ
1000 đến 1200"C) độ hoà tan của As cỡ gần bằng 10"' cm"^ và đối với Bo và photpho là vào
khoảng 10^*’ c m "\ Nếu vượi quá giới hạn này , thì hiện tượng kết tủa sẽ xảy ra; khi đó tạp
chất sẽ không còn có các tính chất như đã mô lả nữa. Mật độ cực đại được xác định bằng
mức độ tinh khiết của vật liệu. Như Bo trong Si, ta không thể loại bỏ nguyên tố này xuống
dướỊ 10” nguyên tử trên một cm^ được, có raghĩa là luôn luôn có một nguyên tố Bo trên
5.10'^ nguyên tử Si.
G iới hạn trên của mật độ tạp chất được xcác dịnh bởi giá trị cực tiểu của điện trở suất
của bán đẫn được pha tạp (cỡ lO^^Q.cm); Còn giới hạn dưới được quyết định bởi giá trị cực
đại của điện trở suất của bán dẫn ròng (cỡ lO^Q.cm).

2.7. Sự CHUYỂN DỘI CỦA ÇÀÇ HẠT TẢI TRONG BÁN DẪN

2.7.1. Một s ố định nghĩa cơ bản

Trong các tinh thể bán dẫn, nếu các hạt tải phân bố không đều, hoặc giữa các miền
khác nhau có nhiệt độ khác nhau, thì các hạt tải sẽ chuyển dời từ nơi có nồng độ cao sang
noi có nồng độ thấp hơn, hoặc từ nơi có nhiệt đ(ộ cao lới nơi có nhiệt độ thấp. Trong các trường
họp trên, định luật tác dụng khối lượng không còn nghiệm đúng nữa, nghĩa là n.p * n f .
Trong trưòmg hợp này, tinh ĩhể bán dẫn bị rwïi cân bằng nhiệt động. Có thể xảy ra hai
trường hợp sau đây;
Nếu n.p > n f : Có nhiều hạt tải hơn so với trường hợp cân bằng nhiệt động. Có nghĩa
là có sự phát sinh các hạt tải trong bán dẫn; hay nói cách khác, bán dẫn được phun các hạt
tải điện.
Nếu n.p < n f ; Có ít hạt tải hơn so với trường hợp cân bằng nhiệt động. Có nghĩa là có
sự hút bén hạt tải điện khỏi bán dẫn; hay còn gọi là chế độ làm nghèo các hạt tải điện trong
bán dẫn.

30
 ở trạng thái cân bằng nhiệt động, mật độ các hạt tải luôn luôn thoả mãn hệ thức:
n „.p „ = n f
Trong chế độ phun yếu, mật độ các hạt tải được phun nhỏ so với mật độ các hạt tải cơ
bản. Trong trường hợp này, mật độ các hạt tải cơ bản giữ nguyên giá trị như mật độ các hạt
tải ở trạng thái cân bằng nhiệt động. Chỉ có các hạt tải không cơ bản là bị biến đổi.
ở chế độ phun mạnh, mật độ các hạt tải được phun có thể so sánh với mật độ các hạt
tải cơ bản. Trong chế độ này, mật độ điện tử và lỗ trống gần như nhau.

2.7.2. Sự khuếch tán các hạt tải

2.7.2.1. Mật độ dòng khuếch tán

Trong tinh thể, nếu các hạt tải phân bô' không đồng đểu, hoặc giữa các miền khác nhau
có nhiệt độ khác nhau, thì hạt tải sẽ chuyển dời từ miền có nồng độ cao sang miền có nồng
độ thấp, hoặc từ nơi có nhiệt độ cao sang nơi có nhiệt độ thấp hcfn. Hiện tượng đó được gọi
là hiện tượng khuếch tán. Do đó dòng khuếch tán thu được là:
Jdn = gradM „nK T

Jdp = -grad^ppKT
Trưòfng hợp đặc biệt: trong các linh kiện bán dẫn coi không có sự chênh lệch nhiệt độ
giữa các miền. K h i đó:
jdn = l^nKTgradn =qD „gra dn

Jdp = -l^pKTgradp =-qDp gradp

V ớ i D„ = và D = |ip là các hệ s ố khuếch tán của điện tử và lỗ trống.

Nếu tồn tại cả điện trường ngoài và sự khuếch tán thì mật độ dòng điện tử và lỗ trống
có dạng:

~ ^pn -^dp
Trong các tinh thể đẳng nhiệt, thì:
Jn =q(n^^nỂ +D„gradn)

Jp =q(n^pE +Dpgradp)

2.7.2.2. Khái niệm độ dài khuếch tán

Xuất phát từ bán dẫn đồng nhất ở trạng thái cân bằng nhiệt động. Giả sử ở bề mặt bán
dẫn, nồng độ hạt tải lớn hơn mật độ cân bằng và trong lòng bán dẫn không có hiện tượng
sinh hạt tải, như vậy sẽ có hai quá trình xảy ra đồng thời.
- Sự khuếch tán hạt tải vào phía trong bán dẫn; ở đấy nồng độ luôn luôn bằng nồng độ
cân bằng.
- Sự tái họp hạt tải dư trong quá trình khuếch tán trong khoảng thời gian bằng thời
gian sống của chúng.

31
 Chúng ta sẽ nghiên cứu hai hiện tượng trên theo hướng vuông góc với mặt phẳng đi
qua gốc của trục hoành (hình 2.15). Nếu không có mặt của điện trưòng trong bán dẫn, thì
mật độ dòng khuếch tán là:
ổn
J„ = qD„gradn = qD„
ổx
ỡn 1 ai
t„ q t„ q ổx
trong đó: n„ là nồng độ điện tử trong trạng thái cân bằng,
ỡn
Trong chế độ dừng — = 0, do vây:
ỡt

^~n _ n (t) - n„
D.n ^ 2
ổx t
/ \
X
Từ đó tìm được: n(t) - n„ = [n(t) - n„ '] exp
v d . iJ
Đại lượng L„ = t„ gọi là độ dài khuếch tán. Đó chính là khoảng chạy trung bình
của điện tử do sự khuếch tán trong khoảng thời gian sống. Tương tự, với lỗ trống ta cũng
có: Lp = tp . Hai đại lượng L„ và Lp là hai đại lượng quan trọng trong các lin h kiện
bán dẫn; nhất là trong các linh kiện hoạt động dựa theo sự khuếch tán các hạt tải như trong
các linh kiện quang điện tử.

Hình 2.15. Sự khuếch tán các hạt tải.

32
 Chương 3

»lỐ T CHUYỂN TIẾP P-N

3.0. Sự HÌNH THÀNH CHUYỂN TIẾP P-N

Như chí trôn hình 3.1, lấy hai mẩu bán dẫn pha tạp n và p cho chúng tiếp xúc điện với
nhau. 'lYong thực tế, phải gắn, kếl chúng một cách rất tinh vi theo đúng nghĩa luyện kim của
lìr Iiừy, o«>n iiô'p x ú c clcy n ihuíỉn vổ inặl c ư liọc là k h ô n g đ ủ đổ th ự c h iô n đ ư ợ c .
Cái gì sẽ xáy ra ? K h i đó phải xem các điện tử và lỗ trống như hai chất khí. Lỗ trống
có lượng rất lớn ở trong miền p sẽ khuếch tán sang miền n, trong miền p không có điện tử.
Các lỗ trống này làm xuâì hiện một lượng lớn các điện tử dẫn và chúng không bỏ lỡ cơ hội
tái hợp với các lỗ trống đó vì một lỗ trống thực chất là thiếu một điện tử ở trong tinh thể.
Cũng như vậy, các điện tử từ miền n khuếch tán sang miền p, tái hợp với lỗ trống có mặt ở
clấv. Kốl quả ở phía bên này và phía bên kia của mặt phân cách hai vật liệu bán dẫn tạo nên
hai vùng trống rỗng điện tích linh động. Các i-ô n tích điện không chuyển động luôn có
mặt. V ì thế chúng tạo nên trong mỗi vùng, các điện tích âm ở phía bán dẫn loại p và dưcmg
ở phía bán dãn loại n. Cả hai tạo nên vùng điện tích không gian.
N
© ©■©■0‘ ©' 0' ©■
©^©^©^©■"©•"ỗ^o^ ©- ©' ©■©■©' ©■©“
©■©' ©■©■©■©’ ©' a)
© ©+o o 0 ^ 0 o 0’ ©■0' ©■©■©■
©" ©■©■©■©■©■©■
Khuếch tán lỗ trống.

Đ^O^G^O^O^O:©- '^©' ©’ ©' ©' ©’ ©’

O^O^O^O^O^O^O' ^©’ ©' ©' ®' ©' ©' ©’
b)
I® ®' ®' ® ® ®' ®
o^o^o"^©*©*©^©- ©' ©' 0 ' 0 ' 0 ' ©“ ©"
■*■0” (S 0' 0” 0’ 0* ©"
Khuyếch tán điện tử.

o^ o^ g:
-ì © o o © © © <> ■0 '©
so 0 Õ © © © ^> ■©■©■0
ặ ặ ặ ;> õ o o © © © > ■©"© '© c)
>o o Õ © © © > *©■0 ■©
>o o G © © © > ■©'© "©

Vùng điện tích không gian

Hình 3.1. Sự hình thành một chuyển tiếp P-N .

Bây giờ trớ lại với trường hợp một lỗ trống từ miền p tìm cách khuếch tán sang miền
N. Sự có mặt của điện tích không gian dương trong miền N ngăn cản sự dịch chuyển này.
Cũng như vậy, điện tích không gian âm của miền p ngăn cản sự khuếch tán của điện tử. V ì
thế quá trình được tự cân bằng vì điện tích điện đã được tạo nên bởi cơ chế khuếch tán đối
ngược với bản thân sự khuếch tán. M ột trạng thái cân bằng được thiết lập trong đó các tác
động của sự khuếch tán và của sự dẫn điện được tự cân bằng nhau. Nếu nhìn từ bên ngoài,
lổng cộng sự truyền điện tích bằng không nên không có dòng điện đ i qua lớp chuyển tiếp.

5.LKBD VI MACH A
33
 0 o o ©©© ^ a) Chưa phân cực
ototèệX 0 0 0 ©©© < « í
o+etỗ! •> © 0 0
O+0+5+rC @ ® ® i
0o0 ® ® ® ị'
© 00 @ ® ® i

Vùng điện tích không gian

p N

b) Phản cực thuận

© 0 0 0 0 © ©© © ©
0 0 0 0 0 © ©© © ©
00o0o © © © © ©
o ©0 0 0 © ©© © © c) Phân cực ngưỢc

© © 0© 0 © ©© © ©
Vùng điện tích không gian

+
-----------------H
Hình 3.2. Chuyển tiếp P-N đã được phân cực.

Bây giờ nghiên cứu chuyển tiếp P -N của hình 3.2, khi ta tác động ở hai đầu của nó
một hiệu điện thế. Trong trường hợp này được minh họa trên hình 3.2b, thế dương đặt vào
phía p và âm đặt vào phía N. Tác động của nguồn thế bên ngoài đưa đến tác động một lực
điện trưòng vào các điện tích chuyển động của vật liệu. Lực làm dịch chuyển các điện tích
dương từ cực dưong tới cực âm của nguồn (một pin điện chẳng hạn). Các điện tử chịu tác
dụng lực theo chiều ngược lại. V ì thế, các lỗ trống của miền p bị đẩy tới miền điện tích
không gian và điện tử của miền N cũng bị đẩy tới vùng điện tích không gian. Cuối cùng,
vùng diện tích không gian giảm xuống, do vậy các điện tích được tạo ra bởi các i-ô n cố
định của vùng điện tích không gian giảm và vì vậy ngăn cản ít hơn tới sự khuếch tán của
các hạl tải. Các dòng điện khuếch tán tăng lên và một dòng điện có giá trị lớn chuyển qua
linh kiện. Ta nói rằng chuyển tiếp được phân cực thuận.
Trong trường hợp ngược lại được minh họa trên hình 3.2c, kh i thế âm đặt vào miền p
và thế dương đặt vào miền N, khi đó đặc trưng ngược với trường hợp trên. Các lỗ trống của

34 5.LK0D VI MACH B
micn p bị húl bởi cực âm và các diện lử thì bị húl bởi cực dương. Vùng điện tích không
gian tăng lên, như vậy các đ iệ n tích cố định cũng tăng lên. Các điện tích của vùng điện tích
khỏng gian này, bây giờ có giá trị rất lớn, ngăn cản dòng khuếch tán. Thế nhưng, có một
dòng ngược rất bé đi qua chuyển tiếp P-N. Chúng tưcfng ứng với một số điện tích dương
chuyến dộng của vùng N và với một số điện lử chuyển động của vùng p. Các điện tích này
cho dcMi bây giừ chưa được xcm xét, do nhiệl độ sinh ra hoặc liên quan với lính không tinh
khiêi của linh kiện. Hình 3.3 mô tả lóm tắt quá trình thay đổi vùng điện lích không gian
của chuyến tiếp P-N khi được phân cực.

ID

Thuận Ngược

Hình 3.3. Điốt đã được phân cực.

3.1. CÁC ĐẶC TÍNH TổNG QUÁT

Chuyên tiếp P -N là một cấu Irúc bán dẫn cơ bản của nhiều linh kiện điện tử. Nó được
tạo thành ớ miền tiếp xúc linh thể bán dẫn loại N và loại p. ớ đây, chúng ta chỉ quan tâm
lớ i liếp xúc được thực hiện lừ m ộl đơn tinh Ihc như silic (hoặc Ge); Irong đó chỉ có mức độ
pha tạp Vcì bản chất tự nhiên của lạp ct\ất thay đổi từ miền này sang miền khác. Còn việc
nghiên cứu sự tiếp xúc giũ'a các chất bán dẫn khác nhau và siêu mạng sẽ được đề cập ở
chưong sau.
Giả sử tiếp xúc “ /ỉ/í«y bậc": tức là nồng độ các hạt tải thay đổi đột ngột qua mặt phẳng
tiếp xúc. Do vậy, nếu vắng mật điện trường: ngoài, các hạt tải điện cơ bản từ miền này sẽ
khuếch tán sang miền kia, tạo thành dòng khuếch tán qua lớp chuyển tiếp. Cụ thể ở đây:
* Điện tử từ miền N khuếch tán sang miền p tạo thành dòng khuếch tán Ij„.
* Lỗ Irống của miền p khuếch tán sang mién N tạo thành dòng khuếch tán Ijp.
K hi rời khỏi bán dẫn. gốc, các hạt tải điện cơ bản để lại ở vùng biên giới giữa hai miền
N và p các nguyên tử ion hoá (dương trong miền N và âm trong miền P), liên kết với mạng
tinh thể, vì dược giữ cố định nôn chúng tậo thành một điện trường nội, định xứ trong miền
bicn giới và hướng từ miền N sarm miền p. Điện trưèmg này có xu hướng cản trở dòng
khuếch tán của các hạt tải cơ bản. Như vậy ở vùng biên giới giữa hai bán dẫn N và p xuất
hiện mộl hàng rào thế cản irở sự khuếch tán các hạt tải điện cơ bản.

35
 Còn các hạt tải không cơ bản (điện 'nếp xúc p - N
tử trong miền p và lỗ trống trong miền
N) luôn luôn có mặt ở lân cận biên giới,
dưới tác dụng của điện trưòlig nội lại dỗ
dàng chuyến qua biên giới lạo thành
dòng ngược 1,|, và -I,„ để tạo thành dòng I^ 1

điện ngược tổng cộng (lịp + I,„) hướng từ I Vung điện tích không gian 0,5 ịxm
vưng ai
miền N sang p. Điệií tích khôngỉgian

ở trạng thái cân bằng nhiệt động,

dòng tổng cộng qua đường biên giới giữa
hai vùng bằng không bì dòng khuếch tán
có giá trị đúng bằng dòng ngược của các
hạt tải cùng loại. Do đó xuất hiện một
vùng không còn các hạt tải cơ bản lự do
ở lân cận biên giới. Vùng đó gọi là ‘'vìỉnỵ
sa mạc", hay còn gọi là vùng chuyển tiếp
P-N. Trong vùng này chỉ còn các nguyên
lử của mạng tinh thể bị ion hoá nên còn
gọi là vùnị’ diện tích không ẹiơn.
1 a't cả những điều đã nói được mô tả
trên hình 3.4. Nếu tác dụng vào miền N
u V Ị
và p một điện trường ngoài xảy ra hai 1

trường hợp: Hàng rào tliế

1) Phân cực thuận nếu (Vi, - VJ > 0

E=0
Trưòng hợp này điện trường ngoài
làm giảm hàng rào thế, do vậy các hạt tải
cơ bản dề dàng chuyển qua lớp chuyển X

tiếp và tạo ra dòng ửiuận có giá trị lớn,

trong kh i các hạt tải không cơ bản lại
không có tác dụng. Hình 3.4. Chuyển tiếp P -N chưa phân cực.

2) Plìân cực ngược nếu (V^, - VJ < 0

Trường hợp này làm nâng cao hàng rào thế. Do vậy các hạt tải cơ bản không thể
chuyển qua lớp chuyển tiếp, trong khi các hạt tải không cơ bản lại chuyển qua một cách dễ
dàng để tạo thành dòng điện ngược. Lóp chuyển tiếp P -N có đặc tính như vậy tạo nên m ội
điốt bán dẫn P-N . Đó là một linh kiện điện tử hai cực có ký hiệu — o ị— .

3.2. CHUYỂN TIẾP P-N CHƯA PHÀN c ự c

3.2.1. Điện trường trong vùng điện tích không gian

Giả sử vùng chuyển tiếp không bị nhiễu loạn từ bên ngoài (điện trường, ánh sáng...)có
nghĩa là trên mọi điểm của bán dẫn không có dòrkg điện tử và lỗ trống.
Gọi; n„p và P „p là nồng độ điện tử và lỗ trống trong miền p trung hoà.
và p„„ là nồng độ điện tử và lỗ trống trong miền n.
N j là nồng độ tạp chất đôno trong miền n.

36
 N,, là nồng độ lạp chất acceptor trong miền p.
rij là nồng độ điện lử và lỗ Irống của bán dẫn ròng.
Giá sử ớ nhiệt độ phòng tất cả các nguyên tử tạp chất đều bị ion hoá, do vậy: với các
hạl cơ bản, ta có:
n.,n =
Pop = N a

còn với các hạl lải không cơ bản thì:

n op

Theo một hướng vuông góc với mặi phẳng biên giới giữa hai vùng n và p, lấy gốc toạ
độ tại mặt phẳng nàỹ, ihì sự thay đổi nồng độ tạp chất (hình 3.5a) điện tích không gian và
các thông số khác của vùng chuyển tiếp được biểu diễn trên hình 3.5a, b, c, d, e, f.
Ó trong vùng “ .Ví/ mạc” nồng độ điện tử và lỗ trống rất nhỏ so với nồng độ tạp chất,
nén điện tích không gian trên một đơn vỊ diện tích bề mặt của lớp chuyển tiếp có thể viết:
về phía p, giữa - X | , và 0 là -qN,, Xp

về phía n, giữa 0 và x„ là qNjX„.

Tổng điện tích của toàn bộ vùng này bằng không (điều kiện irung hoà điện) nên ta có;
X,,N „ = X „ N , ( 3 . 1)

Công Ihức này cho thấy miền chuyển liếp ăn sáu vào vùng pha tạp ít.
Nếu uọi p(x) là mật dộ điện tích của miền điện tích không gian và e = e, e,. là hàng số
diệii mói cúa chúng Ihì điện trường nội và điện ihế tuân theo phương trình Poission:
Điện trường ở phía p ( -X p< X < 0 ):
^ pW ^ _ qN ,
ỡx e F,
Sau khi lấy tích phân và dùng điều kiện giới hạn; E ( - X ) = 0, thu được:
q N „x
(x )= - với - X |, < X <0 (3.2)
V
Điện Irưòng ở phía N (0 < X < X,,):
pW qNd
5x 8 í:
Sau khi tích phânvà sử dụng điều kiện giới hạn: E„(x„) = 0 ta sẽ thu được:
qN jXp " X
E„(x) - - + với (0 < X < x „) (3.3)
n /

Điện trường là m ộl đại lượiig liên tục, do vậy lại X = 0 la có: E.,(0) = Ep(0) từ đó suy ra,
điều kiện Irung hoà điện (3.1).
"1ại mặt phẳng tiếp xúc (x = 0), điện trường đạt giá trị cực đại. Giá trị của nó khá lớn,
vào cỡ kV/cm và phụ thuộc mức độ pha tạp.

37
 ị
i i
N .-N , Vùng chuyển tiốpl
I I

N,
M iềnP Miền N
“ X,
llílL
I
a)
i
-N .
Mặt phẳng ịlếp giáp p - N

4P(X)

b)

c)

đ)

e)

t)

Hình 3.5. Sự phân bố hạt tải và điện trường, điện thế trong vùng điện tích không gian.

3.2.2. Độ rộng vùng điện tích không gian

Lấy tích phân của điện Irường theo toàn bộ chiều dài của vùng điện tích không gian, ta
sẽ thu được sụt thế trong vùng này:

V h= - I
-X.,
E (x)d x = - I Ep(x)dx - |E „ (x )d
0

thay các biổu thức của điện trường vào các tích phân trên ta se thu được:
q (n , + N , xl ) / 2e, với v, = v „ - Vp (3.4)

38
 Sử dụng điều kiện Irung hoà (3.1), ta thu được:
NI / 2
2e
(3.5)
q /N .. + 1/N
1/2
2s
và: x„ = V, (3.6)
N q 1/N., + 1/N

Độ rộng vùng diện tích không gian w = x„ + X|,:

w= ílỉT u T k (3.7)
i q N N

Độ rộng \òing điện tích không gian tăng Uieo chiều cao của hàng rào ửiế với quy luật V(| \

Khi nhiệt độ tăng, chiều cao hàng rào thế giảm, vì vậy độ rộng vùng điện tích không gian
cũng giảm theo.

3.3. CHUYỂN TIẾP P-N BỊ PHÀN cự c

3.3.1. Đặc tính của vùng chuyên tiếp khi phân cực
Nếu tác dụng một hiệu điện thế từ ngoài vào lớp chuyển tiếp P-N thì sẽ xảy ra ba quá trình:
* Cấu trúc vùng năng lượng bị biến điệu.
* Vùng điện tích không gian cũng bị biến điệu.
* Có mật độ dòng chuyển qua lớp tiếp xúc.
Sự có mặt của hiệu điện thế V|, - v „ làm xuất hiện điện trường tại mọi điểm của tinh
thc bán dẫn. Nếu V|, - v „ < 0 (phân cực thuận) thì hàng rào thế bị hạ thấp xuống, nên dòng
thuận có giá trị lớn chạy qua diốt. lYong vùng chuyển tiếp xuất hiện sụt thế, nhưng giá trị
của nó rất nhỏ so với Vp - v „ ở hai đầu điốt.
Nếu V|, v „ > 0 (phân cực ngược), thế này bổ sung vào hàng rào thế làm cho nó tăng
cao. Do vậy, các hạl lải điện cơ bản không thổ chuyển qua vùng chuyển tiếp, trong khi các
hạt tải điện không cơ bản lại chuyển qua một cách dễ dàng để tạo thành dòng điện ngược
kéo theo sụt thế có thế loại trừ so với hàng rào thế, nên toàn bộ thế tác dụng bị sụt ở trong
\'ùng chuyển tiếp gây ra diện trường rất cao.
Sụt ihế trong vùng điện tích không gian là:
V h- ( V p- V „ ) = V ,-V
trong đó V = Vp - V,, là hiệu thế tác dụng từ ngoài. Do vậy độ rộng vùng điện tích
không gian:
1/2

1/2
w.= x„ + x„ = 2s (V h- V ) (3.8)

Độ rộng này giảm khi V = Vp - V|, > 0 (phân cực thuận) và tăng lên nếu V = Vp - v„ < 0
(phân cực ngược).

39
3.3.2. Dòng điện qua vùng chuyển tiếp

Mật dộ dòng qua lớp tiếp xúc P -N thu dược bằng cách giải phương trình irong chế dộ
dừng ^ = 0, = 0 dưới ảiih hướng của v„ - v„ ^ 0.
at ai '
Khi đó phương trình liên lục cho ta:

no
= 0 (3.9)

với: D p : là hệ số khuếch tán của lỗ trống ở phía N.

Tp: là thời gian sống của lỗ trống ở phía N.
L|, = (Dp tp)'^ là độ khuếch tán của lỗ trống ở phía N.
Lấy tích phân phương trình trên với các điều kiện ban đầu p„ (xj, ) = P,J và p„ (co) =
la thu được;

= (p; - l ’, „ . ) e x p [ - ( x - x l ) /L

Dòng chạy qua vùng chuyển tiếp là dòng khuếch tán qua mặt phẳng X =

í d [ p , .( x ) - p „ „ ]
J|, = - qDp
\
dx X ^ x„
n/
Thay giá trị p„ (x) = p,,., exp (q V /K T ) sẽ Ihu được:
q D p Pno
J,>- exp -------- 1
KT

Tính toán tương tự, ta sẽ thu được biểu thức của dòng khuếch tán của điện tử qua vùng
chuyển tiếp kh i phân cực thuận:
. qV
exp - 1
KT

Dòng thuận tổng cộng I j đi qua điện tích s của vùng chuyển tiếp là:
^no I qV .
= s. (Jp + J„) = s. q exp --- ----- 1
K 'l '

hay:

exp qV -■ (3.10)
= 1.
K ,;r

với: Is = S .q (3.11)
L

D Dn
hay: Is = S. q n +

40
 l'a dã bicï bicu thức cúa n, thay dổi theo nhiệt độ T theo quy luật:

n = A. 1 ’ c x p
í - —-

thì dòng Iigược I, Ihay dổi râì mạnh với nhiệt dộ T. Hình 3.6 cho thấy sự thav đổi của dòng
lliLiận và'đòng ngược theo nhiệt dộ.

Hình 3.6. Sự phụ thuộc nhiệt độ của dòng thuận và ngược.

Ví dụ: M ộl diốt silíc có dòng diện ngược is = 10 ‘’ A tại nhiệt độ t = 25"c. Giả sử dòng
Is lăng lO'^ khi nhiệt clộ lăng lên l"c. Tim và vẽ giá trị của Is khi nhiệt độ lãng từ 25"Cđến
12 5 "c

Giải:
Dòng diện ngược thay dổi theo nhiệl độ theo công thức:

Is = c ;rc x p (-Ị^ )

Do vậy. từ các số liệu đã cho của bài toán, ta tìm được:

Is= 10 "(1 ,1 5 )"
Chưong liìn h M A ĨA L B sau đây tính và vẽ sự thay đổi theo nhiệl độ của dòng bão hoà
cúa cliôì silíc dã cho;
% Chương Irình M A T L A lì lính dòng ngược
T=25:5:125;
I s=1.0 c -15-^'(1.15)AT-25);
pl()l('l'.ls);gnd
lillcC'l'hay ctoi cua dong dicn nguoc theo nhiet do');
xlabclCNhict do,C);
vlabcl{'Dong dicn nguoc,A')
Hình 3.7 cho ihấy sự ihay đổi của dòng điện ngược của điốt đã cho theo nhiệt độ.

6.LKB0 Vi MACH A 41
 X 1ũ Ihoty dũi CUÍI dong dien ni;jijDC theo nhiet do

Nhiel lỉo.c
Hình 3.7. Sự thay đổi của dòng điện ngược của điốt si líc theo nhiệt độ

3.4. ĐIỆN TRỎ ĐỘNG CỦA ĐIỐT

Đc xác dịnh điện Irở động, điốt được mắc trong sơ đồ hình 3.8a. Vùng chuyển tiếp
p N phân cực tại điểm p trên dặc trưng von-ampc, xung quanh nó tác dụng mộl thế hình
sin V sinot. Bicn độ V rất nhỏ so với v„. Điểm p tương ứng với dòng I„ và thế v„ gọi là
dicm làm việc cúa điốl. Trong gần đúng bậc nhất, vùng chuyển tiếp P -N dược coi như gồm
mội diện Irở Ij và một lụ điện c mắc song song. K hi phân cực thuận, điện Irở động (hoặc
diện Irở vi phân) bằng nghịch đảo độ dốc của đường đặc trưng tại điểm phân cực.
dv
r., =
dl V= V

Với ta tìm dược:

(3.12)
q Õ ,;iJ ' qT;
-3
26.10
Kết quả nìiy cho Ihấy i;, càng nhỏ khi I„ càng lớn. ơ nhiệt độ phòng (T 300K) = — ị

Đại lượng nghịch dảo của diện trở là độ dẫn điện của điốt:
1 dl
g = (3.13)
( 1(1
dV I - I

Khi phân cực ngược, điện trở động rất lớn, cỡ mêga ôm. Đ ối với silic, điện trở ngược
được xác dịnh bằng công thức gần đúng dạng:
dV
i;i =
dl V= V

là chiềụ cao hàng rào thế ừ trạng thái cân bằng nhiệt động.

42 6.KBD VI MACH B
3.5. ĐIỆN DUNG CỦA ĐIỐT

3.5.1. Điện dung chuyển tiếp

Trong vùng cliiiycn ticp có hai miền lích diện a)
Iigiiợc dấu Iihaii, giữa -X|, và 0 den x„. với giá trị điện
lích S.C|.N,.\|, và s.q.N^|.x„. Độ dài X|, và x„ là hàin của
Ihê V tác dung vào lóp chuycn liếp (hình 3.8b) làm dịch H i— © -
v„ Vsincot
chuyên uiứi hạii cúa mién chuycn tiếp.
'riụrc vậy, ta cỉã biếl:

2 í;
N „x .( V , -V ) Mĩ
+
N N

K hi tãng Ihố phân cực thuận Ihì diện lử lừ vùng N Hình 3.8. Sự phân bố điện tích
dược phun vào \'ùng chuycn tiếp, irung hoà các điện tích trong vùng chuyển tiếp.
khờiia gian dưoiig, còn lỗ trống lừ miồn p được phun vào
\ Ling chuyên liếp dé trung hoà ból diện tích không gian âm. Còn khi phân cực ngược, thì quá
trình nuưực lại, làm lãng các diện tích không gian tiong vùng chuyển tiếp.
líiệ n iưựng trôn làm thay dổi diện tích trong vùng chuyển tiếp theo hiệu thế tác dụng
dQ,
. IV số này có thứ nguvôn của diện dưng Q.
dV
Q, = s. q. N jX „ = s. q. N„ X,,

dQ. (3.14)
từ cló suy ra:
dV
+
N N„

cS
hay
+-X

C,(10' ^F) Biểu thức này chỉ dúng cho chuycn

tiếp nhảy bậc. Nếu nồng độ tạp chất
thay đổi tuần tự theo hàm bậc nhất khi
di qua vùng chuyển tiếp, thì Q, tỷ lệ với
(V ,- do vậyc, ^ (V , - Nói
chung, giá trị của c, nhỏ (khoảng vài pF
đến vài chục pF). Sự thay đổi của điện
dung động của một vùng chuyển tiếp P-N
phân cực ngược dược cho trên hình 3.9;
Hình 3.9. Sự thay đổi c, theo thế phản cực ngược. Irong loạ độ lưỡng lô ga.

43
 Như vậy. Irong irường hợp lống quát, điện dung của chuyển tiếp P-N khi điốt phân cực
ngược dưực bicu Ihị bằng cổng thức:
\ - riì
V
^ 111 :;:ì —
l V ,J 3 2

m= khi cluiycn tiếp thay dổi inộl cách tuần lự (tuyến tính)

m = - khi chuyên tiếp thay ctổi một cách nhẩy bậc.

C„| là diện dung khi điốt chưa mác thế phiỉii cực; có nghĩa là c,(, Ihu dược khi V = 0.
Ví dụ: Mộl điốl p -n có thố = 0,65 V; diện dung c, = 6,5pF ichi thế phân cực V = -lO V và
bằn» 9.3pF khi Ihế pliàn cực bằng -• 2V. Mãy xác định các giá trị m và c,„ cỉia diỏì này.
Giải: 'l'ừ công ihức:

1 1
Q I~ Qii \ A ' "' - < m < -
3 2
\ -íti
va c ,,= c „ - < m < -
3 2

C ,,
từ dó Ihu đưực:
c ;:

Lây logaril hai vế biếu thức này sẽ tlui dược giá trị của m:

m = lo g /lo o
vV h-V ,,

\ in
và C .O - C ,,

Ta sử dụng M A T L A B dê’ lính và vẽ sự thay dổi của điện dung theo thế phân cực
naược. Chương liìn h sau dây sẽ thực hiện mục đích này.
% Chương irình M A I ’L A B lính và VC sự thay dổi của điện dung theo thè' của điốt phân
cực ngược:
C l=4.5e-12; V l= - 1 0 ;
C2=6.5c-12; V 2= - 2;
Vb={).65;
niim =C l/C 2;
d c n = (V b -V 2 )/(V b -V l);
m=log i ()(num )/log 10(cien)
C tO = C l/(l--(V l/V b ))^ ĩi
30:0.2:0.4;
k=lcngth(V);-
For i= I :k

A']
 Q (i)=C ÌO /(l (V (l)/V b )).^ n ;
end
plol( V.Cl,'r'):grid
Iixisd- 20.2.0.6c 121)
lillc('Su thay cloi dicn dung cua di ơt theo the phan cuc nguoc')
xkibelC'Thc nguoc.V);
ylabcl('Dicn dung,F')
Kct qua M A TLA 1Ỉ cho:
ni =
0.2644
CtO =
2.1486C-012
và dổ thị lhay dổi của điện dung cùa diốl theo lliế phân cực ngược của điốt này cho irên
hìnli3.10.
S u th a y dũi dien dung cua di-ot th e o th e p h a n c u c n g u o c

Hình 3.10. Sự thay đổi của điện dung của đ iô t theo th ê phàn cực ngược.

Người ta ứng dụnt! sự thay dổi của c, llico ihế phân cực ngược đế chế tạo diốt Varicap
(diốl có diện dung thav dổi).

3.5.2. Điện dung khuếch tán

Như dã biếu khi phân cực ihuận ỏ' tronu miền chuycn tiếp các hạl lải không cơ bàn
dược phân pliối lại và thay dổi ihco hàm mũ dối với thế tác dụng, Irong khi X|, và x„ lại tuỳ
ihuộc \'ào chính diồii dó.

'ỉỗ
 So với các diện lích cân bằng n„p và các điện tích do kết quả cúa các hạt tái dư
khi phân cực Ihuận dược gọi là điện tích khuếch tán ở phía p và (’)' phía N. Khi thê'
lác dụng ihay dối thì các điện lích lùiy cũng ihay dổi theo. Sự thay dổi dó lương dương với
diện dmnị kliiiêcli láu:

= : c:, =
dV dV ■
Do vậy điện dung khuếch lán tổng cộng bằng:
Scr qv^
Q, = Q,„ + {(d,, - xp) n„p + (d„ - x „ ) p „ „ } exp
2Kjjỉ K,;r
Điện dung này có giá Irị dán« kể khi phân cực thuận,còn khi phân cực ngược nó rất
nhỏ so với C|. Sự thay đổi diển hình của các thông sốfj và Cj của vùngchuyển liếp khi
phân cực thuận dược mô lả trên hình 3.11.
Các biểu thức vừa tính ư trên chí được áp
c ,( io ® F ) .ự n )
dụng cho vùng chuycn tiếp “ nháy bậc’', irong
dó Iiồng dộ tạp chất dồng dều trong cá hai
mién N và p, sự phân cách giữa hai miền này
rõ nét \'à pháng. 'ruy nhiên, do công nghệ chế
lạo, nồng độ tạp chất trong linh kiện thực có
sự khác nhau rõ rệt với mô hình đã áp dụng,
nên dể sứ dụng được các kết quá irên chúng (mA)

ta phai có một số hiệu đính. Các kết quả trên

sẽ dược sử dụng mội cách rộng rãi nếu ta thay Hình 3.11. Điện trỏ và diện dung động
KT KI của vùng chuyển tiếp P-N.
hệ thức bàng m .với 1 < m < 2.
q q
Ngoài ra, nếu tính đến độ dày của miền N và p thì sơ đồ tương đương cúa điốt sẽ được
bicu thị Irôn hình 3.12.
c,
— II—

R.

Hỉnh 3.12. Sơ đồ tương đương của điốt P-N .

3.6. ĐIỐT P-N TRONG CHẾĐỘ CHUYỂN m ạ c h

Xét diốt PN^, mắc Irang mạch như trẻn hình 3.13a. Bỏ qua tự cảm dọc theo chiều dài
dây nối. còn điện Irở nối tiếp với điốt được ghép vào điện Irở R. Bây giờ chúng ta sẽ quan
sát hiện lượng chuyển mạch khi thế phân cực thay đổi một cách đột ngột từ phân cực ngược
(trạng ihái dóng) sang phân cực thuận (trạng thái dẫn).

3.6.1. Chuyển mạch từ trạng thái đóng sang trạng thái dẫn. Tác động bỏi thẻ
Giá sử lại Ihòi diổm t = - t|, thế ihay đổi mội cách tức thời từ giá trị - V r đến + v ,„ Việc

46
tíiih loán khá phức tạp 111 VI có hai quá trình xảy ra do các điện tích cúa các điện dung
chuycn liếp c, và ciia điện dung khuếch tán Q|.
K h i thố V (t) còn âm (hình 3.13d);
t| < l < 0 . c, có tác dụno, còn Cj ít ánh hưởng, c, tích điện tới dính của dòng điện
dưong (V|. + V|,)/R, sau dó phóĩiỉì diện với hằng số thời gian T = R.c,.
Nuay khi V(l) > 0, c, không còn tác dụng nữa. trong khi Cj lại tích điện với hằng số
Ihời gian T„ = i;, c,|. Nếu R nhỏ thì có Ihc có đỉnh thế (hình 3.13d). Thời gian chuyển mạch
vào cở + T „.

''6

e(l) <)
-ti 0 t
-Vr

Hinh 3.13. Các trạng thái của điốt.

3.6.2. Chuyên mạch từ trạng thái dẫn sang trạng thái đóng
Điều khiển bằng thế.
Trương hợp này điốt được mắc theo sơ đồ hình 3.14a phân cực bằng nguồn thế có giá
trị chuyên lừ V, sang -V |ị một cách tức thời, tại thời điểm t = 0.
* K hi t < 0, dòng qua điốt là:
_v +v - V ..
Ị = . vì v „ « V ,
R R "
Sự phân bố của các hạt tải vừa được phun qua biểu diễn trên hình 3.14c.

47
 e{t)

Vf

-V r

a)

Hinh 3.14. Chuyển mạch từ dẫn sang dóng.

Khi 0 < l < t,: I’hc tác dụng lên cỉiốt là thế phân cực ngược. Do vậy các địên tử dư từ
phía p dược chuyển trớ lại phía N, tạo nên dòng ngược tức thời, giá trị của nó bị hạn chế
bới diện liử K. K hi mật độ diện tứ ư lối ra của vùng điện tích không gian lớn hơn so với
nựil clộ cân bằna n,,|„ Ihì sụl thế ứ hai dầu vùng chuyển tiếp có giá trị dương và còn nhỏ
(hình 3.14d). Dòng qua diốt lúc nàv có giá Irị:
- V k +V.
-lu =
R R
ơ dày: V, là sụt thè' trong vùng chuycn liếp.
Khi t = t,: mật dộ hạl lái ớ lố i ra cúa vùng diện tích không gian bằng n„|, ; điều này
kéo Ihco V j(l) = 0 (hình 3 .14d) do vậy dòng I, bắt dầu giảm.
Khi t —> co : Dây là chế dộ ch() dợi (liình 3.14c). Dòng qua điốt có giá trị -I,, còn lhế-V|^.
Nmrời ta còn dậc irirng cho các lính chất của lĩiộ l điốt chuyển mạch lừ trạng thái
dóiiíi sang trạng ihái dán bằng llu'fi {ịian hổi phục lỵiị (Reverse Recovery Time). Đấy
chính là thời gian, bắl đầu từ đỏ dòng ngược giảm 1/10 giá trị ban đầu của nó. Thời gian
này lỷ lệ Irực tiếp với thời gian sống củii các hạt tải đã được phun qua. Giả sử Q„ là diện
tích lích tụ khi phân cực ihuận. Dòng ngược trung bình được cho bởi: 1^1^ = Q„/l|<|<. V ì điốt
là loại PN'. nên ta có Q„ = 1.1 T „. Do vậy:
/ \
i. ì
T.

Đổ tiiáni thời gian phục hồi phái giảm thời gian sống của các hạt tái được phun.
Điều nàỵ có Ihc dược ihực hiện bằng cíích tăng các tâm tái hợp (tãng bẫy), nhưng trường

^8
 hợp này lại tăng cả dòng tái hợp và vì vậy tãng cả dòng ngược của điốt. Bán dẫn có thời
gian sống rất nhỏ là GaAs. Vật lièu này rất thích hợp cho việc chế tạo các điốt nhanh (điốt
chuyên mạch) với ihời gian hồi phục cỡ nanô giây.

3.6.3. Mõ hình lý tưỏng của m ột điốt P-N

'rm n g các sư dồ chuycn mạch
hoặc trong các mạch số, điốt được mó
hình hoá theo một đặc trưng lý tưởng
như trên hình 3.15. K hi phân cực
ngược, dòng qua diôt được giả thiết V j(V ) V, ■►Va(V)
bằng không. Còn khi phân cực thuận, Điốt lí tưởng
Ihì sụt thế ớ hai đầu điốt giả thiết lị(nA )
bằng không. Trong mô hình này, điốt
Đặc trutig lý tuởng
dược coi như một cái ngắt đóng - mở.
Điỏt khoá tương đương với ngắt mở, Hình 3.15. Mô hình hoá của một điốt lý tưỏng.
diốl dẫn lương đương với ngắt đóng.
Đặc trưng V (I) thu được gồm ba đoạn thẳng:
v,| > V, : Đ iố t dẫn (V, : thế ngưỡng của điốt bàng 0,7V đối với điốt silic và bằng 0,3V
đối với gecmani), thế ở hai đầu điốt bằng thế ngưỡng cộng với sụt thế tỷ lệ trực tiếp với
dòng qua nó.
V j < V , : Điốt đóng. Có dòng ngược do dòng bão hoà và dòng do do hiệu ứng bờ gây ra.

3.7. CÁC LÒẠI ĐIỐT ĐẶC BIỆT

3.7.1. Đ iốt zener và điốt thác lũ
3.7.1.1. Các đặc trung của điốt zener và thác lũ
Khi thế ngược của một điốt vượt quá một giới hạn nào đó thì dòng ngược bắt đầu tăng
lén một cách dột ngột. Giá trị giới hạn đó của thế ngược phụ thuộc bản chất của bán đản
tạd nên diốt. Cũng cần lưu ý rằng, mặc dù dòng ngược tăng lên đột ngột, nhưng lớp tiếp
xúc của điốt không bị phá huỷ. Đặc trưng của một điố l zener cho trên hĩnh 3.16. ở đây có
hai quá trình cùng song song tồn tại là hiệu ứng zener và hiệu ứng thác lũ.

%/K

0,07
0 10
a) Đặc trưng
-0.07
c) Hệ số nhiệt độ

Hình 3.16. Các đặc trưng của một điốt zener.

7.LKBOVIMACHẠ 49
3.7.1.2. Hiệu ứng zener

Xốt cấu trúc vùng năng lượng cúa vùng chuvến

licp phân cực ngược. Trong vùng này xuất hiện một
diện Irường rất mạnh, có thể đạt tớ i giá trị ngưỡng
uâv ra chuyển dời irực tiếp của điện tử từ trạng thái
liên kếl sang trạng thái lự do. Có nghĩa là gây ra sự
dứl các liên kếl đồng hoá trị. Tức là có sự phát siiili
các hạt tài (các cặp điện tử - lỗ trống xuấl hiện) do
hiệu ứng tiniìĩel uội (hình 3.17).
Các điện tử có năng lượng E ở phía p, trong
vùnạ hoá Irị có thể chuyển sang vùng dãn ở cùng Hình 3.17. Câu trúc vùng năng lượng
mức năng lưctng của phía N bằng cách chui qua hàng của đ iố t zener.
rào ihế nhờ hiệu ứng tunnel.
'Prong silic, hiệu ứng này xảy ra trong các vùng chuyển tiếp có mật độ tạp chất rất cao,
ở dó vùng chuyển tiếp rất hẹp để hàng rào thế có độ rộng nhỏ hơn 500A'' thì sẽ quan sát
dược hiện tượng này ở thế dưới 5 hoặc 6V, tương ứng với điện trường khoảng Sự
đánh ihỉing do hiệu ứng zener có hệ sô'nhiệt độ ủm.

3.7.1.3. Hiệu ứng thác lũ

Hiệu ứng này gần giống như sự ion hoá không khí. Nó xảy ra khi điện trưcmg trong
vùng chuyển tiếp có giá trị thấp hơn ngưỡng của hiệu ứng zener.
Dưới tác dụng của điện trưòmg đủ lổfn (cỡ 10’ v .m '), các điện tử tự do bay vào vùng
chuyển tiếp với vận tốc rất cao (gọi là điện lử nhiệt). K h i va chạm với các nguyên tử mạng,
chúng có thê ion hoá các nguyên lử mạng đó, sinh ra các cặp điện tử - lỗ trống mới; do vậy
làm tàng số lượng hạt tải. Các hại tải này, đến lượt mình, lại tiếp lục quá trình ion hoá. Vì
thố có hiệu ứng tiluìn thcic lũ.
Điéu này có thể giải thích một cách định lượng như sau:
Như đã biết, điện trường trong chuyển tiếp P -N được xác định từ phưcmg trình Poisson:
d E (x ) ^ p (x)
dx E
Đối với chuyển tỉếp nhẩy bậc, mật độ điện tích p(x) thay đổi theo khoảng cách:
-xp<x<0
p (x) =
qN^ị, 0< x <Xn

Do vậy điện trường cực đại được xác định bằng công thức:
N a^ p qNpXN
E_
e z
'rhay Xn từ (3.6), ta sẽ thu được sự thay đổi của điện Irường cực đại theo nồng độ lạp chất:
1/2
'2 q N i,N A (V p -V )"
p
ma\
8 (N ^ + N d)

50 7.LKBD VI MACH B
 Còn đối với chuyển tiếp thay đổi tuần tự (tuyến tính) thì
w w
p(x) = a x , <x< —
2 2
nên điện trường cực đại được xác định từ công thức:

E = -^W ^
8e

trong đó w là độ rộng vùng điện lích không gian của chuyển tiếp p -n. Trong trường hợp
này thì:
w
y = Xn=Xp

Như vậy rõ ràng là khi nồng độ tạp chất tăng lên thì điện trường trong vùng chuyển
tiếp cũng tăng, như vậy nguy cơ làm cho vùng chuyển tiếp bị ion hóa thác lũ cũng tăng lên.
Khi điện trường đạt tới giá trị tới hạn; tức là giá trị mà tại đó điện trường gia tốc các hạt tải
điện không cơ bản đến một mức năng lượng đủ để gây ra sự ion hóa do với chạn với các
nguyên tử của bán dẫn để gây ra hiệu ứng thác lũ. Đ ối với điốt silíc thì điện trường này cỡ
2.10^V/cm khi nồng độ pha tạp cỡ 10‘*cm"'; còn khi nồng độ pha tạp là thì nó
khoảng 10"v/cm.
Thực nghiệm cho thấy, đối với các chuyển tiếp dạng n^p hoặc p^n, thì thế đánh thủng
thác lũ được xác định bằng công thức:

10'^
trong dó hệ số k = 25 đối với Ge và k = 60 đối với Si
N b là nồng độ tạp chất phía pha tạp mạnh.
V í dụ sau đây cho Ihấy sự phụ thuộc Ihế đánh Ihủng thác lũ đối với bán dẫn Ge và Si
khi nồng độ tạp chất thay đổi từ 10'“ đến 10‘‘^
k l= 2 5 ;k 2 = 6 0 ;
Nb=Iogspace( 14,9);
n=length(Nb);
fori= l:n
v b ri= k l*(N b (i)/1 .0 6 e l6 ).^ (-0 .7 5 )
vbr2=k2*(N b(i)/1.06el6).^(-0.75)
end
semilogx(Nb,vbr 1,'b',Nb,vbr2,'r')
axis([ 1.Oe 14,1 .Oe 17,0,2000])
text(2.0el4,270,'Ge')
text(3.0el4,1000;si')
tille('The danh thung thac lu cua Ge va Si theo nong do')
xlabel('Nong do')
ylabel('Tlie danh thung,V )

51
 Kết quả chạy chương trình cho trên hình 3.18a.
The danh thung thac lu cua Ge va Si theo nong do

17

Hình 3.18. Sự phụ thuộc của thế đánh thủng thác lũ vào nồng độ pha tạp
của hai bán dẫn Si và Ge.

Quá trình đánh thủng thác lũ được đặc trưng bằng một hệ sô' nhân M khi dòng điện
qua vùng chuyển tiếp đó:
1
I = M. L với M = m
1 -

aV )
Đó là công thức kinh nghiệm của M iller.
trong đó; V,v là thế gầy ra thác lũ hạt tải;
m là m ột hệ số « 2 cho silic loại N và » 4 cho silic loại p.
Rõ ràng là sự đánh thủng do thác lũ có hệ s ố nhiệt độ dương. Nghĩa là đánh thủng tăng
theo giá trị tuyệt đối k h i nhiệt độ tăng lên.
Thế đánh thủng do thác lũ lớn hcín thế đánh thủng do zener nhưng khoảng cách mà
trên đó các thế này tác dụng lại cho thấy rằng điện trường tới hạn để gây ra sự đánh thủng
do zener lại lớn hon nhiều so với điện trường gây ra ion hoá do va chạm.
Nếu V^v > 8V, thì sự đánh thủng là do thác lũ, còn nếu V,v < 5V thì sự đánh thủng là
do hiệu ứng zener. Giữa hai giá trị này, cả hai quá trình đều tham dự. Do vậy, ở trong vùng
này hệ số nhiệt độ bâng không, nghĩa là thế đánh thủng không phụ thuộc vào nlĩiệí độ.

3.7,2. Đỉốt tunnel

Điốt tunnel thu được khi pha tạp tinh thể bán dẫn một miền p nồng độ cao hơn
(bán dẫn suy biến p^) và m ột miền loại N nồng độ cao hơn Như vậy ta đã thu
được một vùng chuyển tiếp rất nhẩy bậc với độ rộng vùng điện tích không gian hẹp,
cỡ 'mười A".

52
 Đặc điểm của linh kiện này là trên đặc trưng V (I) có một vùng điện trở vi plỉãn ám.
Nhờ đặc điểm này mà điốt tunnel được sử dụng đê làm các bộ tạo dao động siêu cao tần.
Do mức độ pha tạp cao như vậy, nên giản đồ năng lượng của vùng chuyển tiếp bị biến
điệu mạnh. V ì thế, ngay khi chưa có thế phân cực, các mức năng lượng thấp ờ trong vùng
dần cúa miền có cùng giá trị như các mức cao của vùng hoá trị cùa miền p* (hình
3.19a). Nhưng do vùng chuyển tiếp rất mảnh, nên điện tử lừ vùng hoá trị của miền có
the dễ dàng xuyên qua vùng cấm để sang vùng dẫn của nhờ hiệu ứng '‘đườníi hầm"
(tunnel). Có nghĩa là có sự chuyển dời với nãng lượng không đổi từ m ột trạng thái chất đầy
của vùng hoá trị sang một trạng thái trống của vùng dẫn.
* K hi thế phân cực thuận còn nhỏ: Giản đồ nãng lượng hơi giảm xuống một ít về phía
p, có dòng điện tử lớn xuyên qua vùng cấm bằng hiệu ứng tunnel sang vùng dẫn của N^.
Kết quả là dòng thuận lăng lên.
* Thế phân cực thuận tiếp tụ c tăng cao hơn: Giản đồ năng lượng tiếp tục hạ thấp kéo
theo các mức của vùng dẫn của miền N đối diện với vùng cấm của miền p (hình 3.19b). Do
vậy. dòng điện tử do hiệu ứng tunnel bị giảm xuống. Trên đặc trưng V (I) (hình 3.19e) xuất
hiện điện irở vl phân âm được điều khiển bằng thế V. Điện thế này làm cho linh kiện có thể
được sử dụng để làm các bộ tạo dao động hoặc để khuếch đại tín hiệu.
* Thế phân cực thuận tăng cao nữa: Lúc này chiều cao hàng rào thế giảm đến mức cho
phép điện tử từ miền phun sang và lỗ irống từ phun sang p^, như trường hợp của
điốt thông thường. Do vậy dòng điện lại tăng lên (hình 3.19c).

Ec.

Ev E,n

Ec

a) Ev

Ec

p-^ •fn

Ev
N*
b)

Ec
•fn

Ev

c) Ev

Hình 3.19. Đặc trưng của điất tunnel.

53
 * Phân cực ngược: K h i phân cực ngược, các mức chất đầy trong hoá trị của miền F
luôn luôn đối diện với các mức trống của vùng dẫn của miền N^, nên điện tử và lỗ trống dễ
dàng xuyên qua vùng cấm. Điều này tương ứng với dòng ngược có giá trị lớn trên đặc trưng
V (I) (hình 3.19e). Do vậy điốt tunnel không thể bị đóng khi phân cực ngược, vì thế nó còn
có lên gọi là điốt ngược (backward).
* Sơ đồ tương đương cho trên hình 3.20.

u
Rs

!Ũ
Hình 3.20. Sd đổ tưỡng đương của điết tunnel.

Sơ đồ điện tương đương của một điốt tunnel gồm có:

* Điện trở nối tiếp r „ là điện trở tiếp xúc.
* Cảm kháng nối tiếp L , là cảm kháng của dây nối.
* Điện trở vi phân âm - r„ là điện trở vi phân âm của vùng chuyển tiếp tại điểm làm việc.
Giá trị cực tiểu của nó được cho bởi:
•"dmin “ 2 V p /Ip

trong đó: Vp và Ip là thế và dòng đỉnh của điốt.

3.7.3. Đ iốt Gunn GaAs

Khi tác động vào một mẩu tinh thể bán I
dẫn một điện trưcíng mạnh thì trong tinh
thể bán dẫn đó xuất hiện các dao động Ga As N**
dòng siêu cao tần. Hiệu ứng đó được gọi là
hiệu ứng Gunn. Đ iốt hoạt động dựa trên GaAs N từ 5-15^m
hiệu ứng này được gọi là điốt Gunn. Hìnl>
Ga As
3.21 mô tả cấu tạo một điốt Gunn dùng đơn
tinh thể bán dẫn GaAs. Ta biết rằng trong
vật liệu bán dẫn, độ dẫn điện là do các hạt
Hinh 3.21. cấu tạo của một điất Gunn
tải điện tự do: điện tử và lỗ trống. Dưới tác dùng GaAs.
dụng của điện trường, các điện tử này có
thể có vận tốc định hướng rất cao bổ sung
thêm cho vận tốc chuyển động nhiệt của các điện tử khác nhờ các quá trình va chạm. V ì các
va chạm này rất nhiều, nên năng lượng mà các điện tử thu được không thể tăng vô hạn mà chỉ
đạt một giới hạn nào đó tỷ lệ với điện trường ngoài. Độ linh động nàyphụ thuộc chất liệu bán
dẫn đã được sử dụng. Cho đến khi tất cả các điện tử có cùng độ linh động, thì lúc này độ dẫn
điên của bán dẫn tuân theo đinh luât Ohm.

54
 K h i điện trường vượt qua một giá trị nào đó (khoảng 3 kV /cm ), thì vận tốc định hướng
của các điện tử có cùng giá trị như vận tốc chuyển động nhiệt. Do vậy có các hiện tượng
mới xuất hiện. Đặc biệt là sự phân bố theo năng lượng của điện tử bị biến điệu mạnh và
một số điện tử có thế thu được năng lượng đáng kể trỏ thành các “ điện tử nóng” . Lúc này
vật rắn không còn tuân theo định luật Ohm nữa bởi vì các điện tử nóng này liên kết rất yếu
với mạng tinh thể và trở thành điện tử dẫn. Bắt đầu từ lúc này, tinh thể ở trong trạng thái
bất cân bằng vé phương diện điện và khi thế vượt qua một giá trị ngưỡng nào đó, dòng điện
thăng giáng rất nhanh.
Trong mẫu GaAs ngắn và pha tạp ít loại N xuất hiện các dao động siêu cao tần với tần
sô' bằng nghịch đảo của thời gian chạy từ đầu này sang đầu kia của các điện tử. Các dao
động dòng này xuất hiện trong toàn bộ thể tích của tinh thể và liên quan chặt chẽ với sự
chuyển động của các điện tử. V ì thế tần số của các dao động dòng phụ thuộc vào chiều dài
của miếng bán dẫn GaAs và chiều dày của vùng hoạt động (chiểu dày của miền N). Người
ta có thể tạo được điốt Gunn có tần số hoạt động từ 26 đến 40 GHz với công suất phát từ 50
đến 1 5 0 m W ở th ế V p = 4V.
Các điốt này được lắp trong các hốc cộng hưởng để tạo ra các sóng siêu cao tần thay
thế cho các klistron phản xạ công suất bé, hoặc để thực hiện các dao động địa phương ứng
dụng trong đo lường từ xa, làm các bộ liên kết nhiều đường thòng tin với nhau, để phát
hiện vận tốc hoặc hướng, trong các rađa m ini công nghiệp và giao thông, trong đo lường
điện tử quân sự, các m ini rada phát hiện trộm xâm nhập vào nhà, v.v...

3.7.4. Đ iốt PIN

3.7.4.1. Câu tạo

Đ iốt PIN được tạo thành nhờ ba lớp bán dẫn, trong đó có hai lóp F và pha tạp
mạnh kẹp giữa một lớp bán dẫn tinh khiết I có độ dày lớn hơn. Nhưng vì do công nghệ chế
tạo không thể chế tạo được lớp bán dẫn tinh khiết lý tưởng vì thế miền I có thể là bán dẫn
loại p pha tạp rất ít, khi đó ta được điốt có tên nN"^), còn nếu miền I là bán dẫn loại N
pha tạp ít thì điốt gọi là (P" yN^).
Xét một điốt PIN lý tưởng, độ dài miền I là Wj và không chứa bất kỳ một nguyên tử
tạp chất bị iôn hoá nào. G ọi p(x) là mật độ điện tích, E(x) là điện trường và V (x) là điện
thế và so sánh với điốt P^^N. Ta thấy trong điốt PIN, điện trường E (x) có dạng hình thang,
vì p(x) = 0 trong miền I, chiều cao hàng rào thế trong điốt PIN lớn hơn đối với điốt N.
Năng lượng trong miền I là tuyến tính.

3.7.4.2. Đặc trung của điốt PIN

1. Khi phán cực thuận

Trường hợp này, điốt PIN được phân ra hai chế độ:
- Chế độ “ mức thấp” . Trong chế độ này, quá trình tái hợp, xảy ra trong miền I.
- Chế độ “ mức niạnh” thì sự tái hợp được thực hiện trong miền p và N^.
Ngoài ra cũng phải tính đến các vùng chuyển tiếp PN phun.

55
 Vùng chuyển tiếp có sụt thế v,,*^.

* Vùng chuyển tiếp IN^ có sụt ihế .

* Vùng bán dẫn tinh khiết I cho sụt thế V|.
Do vậy, thế tác dụng là:
Vu, = v; + v ; + V,

ớ chế dộ ""mức thìíp", sụt thế V , không phụ thuộc dòng điện, vì vậy điện trở lương
đương tỷ lệ với l/I,.. Do vậy người ta có thể biến điệu điện trở của điốt PIN bằng cách điều
chinh dòng điện, ở chế độ “ m ỉít mạnh" Ihì dặc trưng I(V ) tỷ lệ với v \

2. Khi phán cực ngược

Độ rộng cúa vùng bán dẫn tinh khiết I hầu như không thay đổi, vì ở hai biên của nó là
hai miền và pha tạp mạnh, nên vùng điện tích không gian hầu như không lan vào các
miền này. Do vậy điện dung của diốt hầu như không thay đổi khi thế ngược thay đổi. Điều
này hoàn toàn khác với điốt N (hình 3.22).
Trong điốt PIN, diện tích phía dưới đường cong điện trường lớn hơn nhiều so với điôt
P"N, điều đó kéo theo thế đánh thủng ở điốt PIN lớn hơn nhiều so với đ iốt P^^N.

Đi-ốt p-^N Đi-ốt PIN

Pv^ Pv i i

>c 1 w
p W i W i+X n
n X p
-qNa -

i ,E(X)
X w X .

\
/

► X

Hình 3.22. So sánh điốt PIN với P*N.

3.7.4.3. ứng dụng của điốt PIN

úhg dụng chủ yếu của điốt PIN là làm các bộ chỉnh litii công suất cao, tần số thấp. Nó
có thổ chịu thế ngược rất cao (lới 2500V). Theo hướng thuận và trong chế độ phun mạnh,

56
điện trớ của vùng I được giảm xuống đáng kc nliờ diện tử \’à lỗ trống phun từ hai lớp
chuyến tiếp P^I và IN^, do đó sụt thế thuận chỉ kíioáng mól vài \ ón khi mật độ dòng có giá
trị khoảng lO^A.cm^^.
ứ n g dụng trong siêu cao tần để làm các bộ Iiíiắt mạch, 'lìường hợp này người ta dùng
hai tính chất của điốt: Điện dung gần như độc lập \ ới thô \'à diện ĩrở ngược lớn gấp 10“* lần
điện trớ thuận. Do đó, khi đặt điốt trong một dường tiLivcn, nếu phân cực ngược, thì tm
hiệu cao tần sẽ đi qua nó một cách dễ dàng, còn nếu phàn cực Ihuận, thì đường truyền sẽ bị
đoản mạch và tín hiệu cao tần sẽ bị phản xạ trỏ lại.
ứ n g dụng làm c á c b ộ su y giảm có th ể biến dổi lìoặc cúc bộ điều clĩế: Người ta dùng
điện trở của điốt tỷ lệ nghịch với dòng điện khi điốt phân cực thuận.

Vd
d y ) pF
thuận

Hình 3.23. Điện dung của điốt PIN.

8.LKBD VI MACHA 57
 Chương 4

CHUYỂN TIẾP DỊ TINH THỂ VÀ SIÊU MẠNG

4.1. s ự TẠO THÀNH CHUYỂN TIẾP d ị t in h THỂ (HETERO-JUNCTION)

Chuyển tiếp dị tinh thể được tạo thành nhờ hai tinh thể bán dẫn khác nhau. Nếu hai
bán dẫn cùng loại (loại N hoặc P) thì gọi là chuyển tiếp cùng loại, còn nếu chúng khác loại
thì gọi là không cùng loại.
Chuyển tiếp dị tinh thể có phạm vi ứng dụng ngày càng rộng rãi trên rất nhiều linh
kiện, chẳng hạn như để chế tạo lazer phun, điốt phát quang, thu và phát hiện các tia sáng
quang học, pin mặt trời... Hơn nữa, nếu chồng liên tiếp nhiều lớp chuyển tiếp dị tinh thể có
độ dày cỡ lOOA”, ta sẽ thu được một cấu trúc tinh thể mới gọi là siêu mạng.
Để thu được chuyển tiếp dị tinh thể, người ta nuôi một lớp bán dẫn thứ hai trên tính thể
bán dẫn 1. Cách làm này được thực hiện với yêu cầu là hai tinh thể bán dẫn đã chọn lựa
phải có các thông số tinh thể và hệ số giãn nở nhiệt gần nhau, vì việc nuôi đơn tinh thể
êpitacxi được thực hiện ở nhiệt độ cao. M ột số lớn tinh thể, đặc biệt là đối với gécmani,
ácsênic gali thì điều kiện đó luôn được thực hiện. Thực vậy tất cả các tinh thể trên đều có
cùng cấu trúc: kim cương - kẽm. Các thông số của ô mạng 5,658A" H- 5,654A“ (sai số ô
mạng cỡ 0,8%). Hệ sô' giãn nở nhiệt 5,8.10^ và 5,8.10“^. Những năm gần đây, công nghệ
cho phép tạo những lớp chuyển tiếp dị tinh thể khi sai lệch ô mạng cỡ vài % mà không gây
ra lệch mạng ngay kh i lớp chuyển tiếp rất mảnh. Trong trường hợp này, sự không phù hợp
về ô mạng tinh thể được tính đến nhờ điều kiện lưỡng trục của lớp chuyển tiếp trong mặt
phẳng của nó. Các cấu trúc gần với. dạng vô định hình như GaAs/GalnAs, GaAs/GalnAs/
GaAs, A llnA s/G aA s có thể được chế tạo với cấu trúc tinh thể rất tốt.
Bởi vì mỗi chất bán dẫn có thể hoặc lẳ loại N hoặc là loại p, do vậy có thể có 4 chuyển
tiếp đa tinh khả dĩ:
nGe-pGaAs, pGe-nGaAs (cấu trúc khác loại);
nGe-nGaAs, pGe-pGaAs (cấu trúc cùng loại).

4.2. GIẢN ĐỒ VÙNG NÀNG LƯỢNG ỏ XA LỚP CHUYỂN t iế p

Xét trưòng hợp nGe-pGaAs không có trạng thái dao diện (mô hình Anderson). Trong
trường hợp này, lực hút điện tử qXi của bán dẫn 1 (nGe) nhỏ hơn độ rộng vùng cấm Eg2 của
bán dẫn 2 (pGaAs) và Eyi cũng nhỏ hơn Ejjj. Giản đồ năng lượng của cả hai bán dẫn này
chỉ ra trên hình 4.1a. K h i chúng còn phân cách nhau, thì sự phân bố của điện tử trong mỗi
bán dẫn độc lập với nhau, nên vị trí mức Fermi trong hai bán dẫn không thẳng hàng.
K h i bán dẫn tạo thành chuyển tiếp, chúng trao đổi hạt tải cho nhau, tạo nên sự sắp xếp
thẳng hàng các mức Fermi: Sự trao đổi này xảy ra ở các mức dao diện và làm xuất hiện một
vùng điện tích kliông gian, cùng với nó là hiệu thế khuếch tán v^.
Từ giản đồ năng lượng hình 3.la, so với mức của chân không ta có:
AE^ = q (Xi - X2) = (Egi - Ejjj) - AE^.

5g 8.LKBD VI MACH B
 Sự khác nhau về thế Ilăng giữa điện tử trong chân không với lân cận của bán dẫn 1 và
điện tử trong chân không với lân cận bán dẫn 2 là:
N v ,-N v , = q O ,-q O ,

nGE pGaAs nGE pGaAs

Mức năng lượng của chân không

a) Hai bán dẫn cô lập

Hình 4.1. Giản đồ vùng năng lượng.

Sự khác nhau về thế tĩnh điện giữa hai bán dẫn nên khi tiếp xúc nhau (hình 4.1b) sẽ
tạo ra hiệu thế khuếch tán V ị,:

-q4>,)(v) (4.1)

Trong trường hợp nGe/pGaAs thì qd> 2 > q 0 |, vì thế Vh < 0. N ói chung, hiệu tl\ế dương
được thiết lập giữa một bán dẫn có công thoát nhỏ hơn và một bán dẫn có công thoát
lớn hơn.

4.3. GIẢN ĐỒ NĂNG LƯỢNG ở LÂN CẬN VÙNG CHUYỂN t iế p

Do sự khác nhau về công thoát, nên điện tử sẽ khuếch tán từ bán dẫn có công thoát
nhỏ sang bán dẫn có công thoát lớn. Sự khuếch tán này làm xuất hiện một vùng điện tích
không gian dương trong bán dẫn có công thoát bé hơn. V ì chúng ta không để ý đến các
trạng thái giao diện, nên tổng điện tích của cả hai vùng điện tích không gian bằng nhau về
giá trị tuyệt đối, nhưng ngược dấu.
Hình 4.2 mô tả các vùng năng lượng khi điện tử khuếch tán từ n-G e sang p-GaAs và
lỗ tiống khuếch tán iheo hướng ngược lại cho đến khi mức Ferm i'ca hai phía ngang hàng
nhau. Vùng điện tích không gian âm xuất hiện ở phía p, còn ở phía N là vùng điện tích
không gian dưoíng. Trong vùng hoá trị ở phía trái giao diện, có chỗ lõm hình chữ V, còn
phía phải có đỉnh nhọn. Độ cong của vùng năng lượng chứng tỏ có hiệu thế khuếch tán ở
hai phía của vùng chuyển tiếp.
V h= V J
Độ rộng của vùng điện tích không gian thu được bằng cách tích phân phương trình
Poisson:

59
 e.

e,
trong đó: N ^ 2 là nồng độ lạp chất acccpto cùa bán dẫn 2 ;
N j| )à nồng độ tạp chất đôno của bán dẫn I;
S| và s, là hằng số điện môi của bán dẫn 1 và 2.

-■ r nGE pGaAs

Hình 4.2. Giản đồ năn g iượng ở gẩn vùng chuyển tiếp.

Do tính liên tục của điộn trường ( 8 jE| = thu được:

qN^ọVv;
Vm = (4.2)
2c, 2 8-,

Áp dụng điều kiện trung hoà (N„.,Wt = N, Ị| VV| ) ta sõ tim đươc:

^bi ^

Từ đó tính được độ rộng toàn bộ vùng điện tích kliông gian:

1/2
___ 2 S|S 2 (N ỉi + N ^ ,) 1/2
w = Wj -t- W2 = Vb
qNdi N , 2 {siN,n + í'-2 Nu 2 )

4.4. CHUYỂN TIẾP DỊ TINH THE BỊ PHÀN c ự c

Cũng như trong chuyển tiếp P-N, kh:i tác dụng thế bên ngoài V vào lớp chuyển tiếp dị
tinh thể, thì chiều cao hàng rào thế cũng bị biến điệu. Giả sử toàn bộ thế bên ngoài sụt trên
lớp chuyển tiếp, nên thế tác dụng Vị này Ció Ihể phân lích thành hai thành phần: Vj| là sụt
thế tác dụng trên n-G e còn là sụt thế tác đụng trên p-GaAs do vậy, từ (4.2) ta được:
Vụ, - V,I ^ 2 ^ a 2
(4.3)
V., - v;

60
 K h i mức độ pha tạp của hai bán dẫn khác nhau nliiéu, thì hệ thức (4.3) cho Ihấy toàn
bộ thế bên ngoài sẽ sụt trên bán dẫn pha tạp ít lion.
Giá trị của dòng khuếch tán được xác định chú ycu băníỉ dộ cao của hàng rào thế. Đối với
chuyến liếp n-Ge/p-GaAs thì dòng lỗ trống chuycn dời từ GaAs sang Ge là hoàn toàn xác
định, vì hàng rào thế qVh2 thấp hơn rất nhiều so với hàng rào thế qV|,| + qVị,2 + AE ., trong khi
điện tử từ Ge sang GaAs lại rất khó khăn vì phải vưọl qua hàng rào thế qV(,| + qV |,2 + AE^ lớn.
Do vậy dòng qua ỉớp chuyển tiếp chủ yếu là do dòng lỗ trống từ n-Ge sang p-GaAs:
qDpP;,p
J= e x p q V j/ K g T - l] (niA) (4.4)

ở dây Dp, p„„, Lplà các thông sô' của lỗ trống trong Ge.
Trong trường hợp của chuyển tiếp dị tinh thể cùng loại, giản đồ vùng năng lượng hình
4.3 cho thấy có sự phun các hạt tải không cơ bản lừ bán dẫn có vùng cấm cao sang bán dẫn
có vùng cấm thấp hem, không phụ thuộc mức độ pha lạp. Hiện tượng này được quan sát chủ
yếu trong chuyển liếp Ge/GaAs và GaAs/GaAlAs, ớ đấy sự không phù họp về mạng tinh
thê’ là nhỏ, còn trong trường hợp khi thông số nàv có giá trị lớn, như trường hợp chuyển
tiếp Ge/Si, ở đấy sự không phù hợp về mạng là 4% thì còn tồn tại cả dòng lunnel lẫn dòng
tái họp.
N N N

©0 ©©© V «e©©© © © © © 0

©@©©' ©©©©'

a) b) c)
Hình 4.3. Sự truyền dòng trong chuyển tiếp dị tinh thể khác loại:
a) Mô hinh A nderson : b) Mô hình R e d ik e r; c) Mô hình Dolega.

Có ba mô hình song song tồn tại để giải thích cơ chế Iruyển dòng trong chuyển tiếp
khác loại phân cực thuận (N với thế thấp, p với thế cao).
* Mô hình Anderson: Điện lử chuyển dời từ N sang p bằng cách vượt qua đỉnh thế, sau đó
tái hợp với lỗ trống. Lỗ trống không Ihể phun lừ p sang N vì hàng rào thế AE^ lớn (hình 4.3a).
* Mô hình Ridiker: Điện tử chuyển tiếp từ N sang p bằng hiệu ứng tunnel qua đỉnh thế
và tái hợp với lỗ trống (hình 4.3b).
* Mô hình Dole ga: Điện tử vượt qua đỉnh thế và tái hợp với các trạng thái trung gian ở
bề mặt do sự không phù hợp về mạng sinh ra (hình 4.3c).

4.5. SIÊU MẠNG

Để chế tạo các lin h kiện có tốc độ hoạt động siêu cao, yêu cầu linh kiện bán dẫn phải
có độ linh động cực lớn. Năm 1969, một cấu trúc linh thể mới đã xuất hiện. Đó là siêu

61
mạng (superlattice). Dựa trên quá trìnhi biến điệu nhân tạo thế của trường tinh thể với kích
thước cực nhỏ, các linh kiện này Ihổ hièn những tíiili chất truyền dòng mới. Người ta tạo
được ""siêu thể' trong linh thc nhờ:
* Điều chế tuần hoàn sự pha tạp châì của vật liệu (siêu mạng “ N iP i” (hình 4.4a)).
* Thay đổi một cách tuần hoàn các thành phần hợp kim (hình 4.4b).
* Kết hợp cả hai phưong pháp trên (hình 4.4c).
GaA« GeAs GaAs GaA»
AíxGavxAs
1 GaAs n r
1 i
•1,4ÌeV 1,7 eV-
i I

1 ì_
I I I I i

a) Điều chế sự pha tạp b) Điều chế thành phần

20
Điểu chế
^pha tạ
QSỈSỈSEl

o
o 10 - E,

Th( ng thưởng
c
ề
I

ằ
0 100 200 300
d) c) Điều chế sự pha tạp và thành phần

Hình 4.4. Siêu mạng.

Năm 1978 Dingle IhỊK hiệỉì siêu mạng GaAlAs/GaAs với sự điều chế tạp chất, ô n g đã
đo được độ linh động rất cao (hình 4.4d). Độ linh động cực cao này được giải thích nhờ sự
chuyển dời của điện tử từ GaAIAs (N"^) sang vùng không bị pha tạp của GaAs. ít lâu sau, sự
tồn tại của một khí điện lử chuán hai chiêu đã được sáng tỏ (khí 2D). Ngay từ 1980, các
tranzitor có độ linh động cao đã được sản xuất và rất nhiều cấu trúc dị tinh thể đã được
nghiên cứu. ,
Người ta điều chế sự pha lạp bằng cách chồng nhiều lớp chuyển tiếp dị thể có bề dày rất
mảnh (cỡ 80 - lOOA") xen kẽ đều đặn các vật liệu có độ rộng vùng cấm lớn đã được pha tạp
(GaAlAs loại N) và một vật liệu tinh khiẽí có độ rộng vùng cấm hẹp (GaAs). Do sự khác
nhau về lực hút điện tử, các điên tử được chuyển dời từ vật liệu “hàng rào đỉnh'" được pha tạp
sang vật liệu "‘giếng thê" không được pha tạp. Sự giảm bớt tương tác culông giữa các ion tạp
chất và điện tử làm cho chúng có khoảng cách không gian lớn, do vậy điện tử có độ linh
động rất cao, nhất là ở nhiệt độ thấp, ở đấy sự tưcmg tác hạn chế chủ yếu độ lin h động.
M ột thuộc tính quan trọng khác là bản chất hai chiều của chuyển dời của điện tử. Điện
tử ở trong giếng thế rất hẹp, do vậy chúng dịch chuyển chủ yếu theo mặt phẳng giao diện
(khí 2D).

62
4.6. TIẾP XÚC KIM LOẠỊ - BÁN DẪN

4.6.1. Trường hởp bán dẫn loại N

K hi kim loại (K L ) và bán dẫn (BD) tiếp xúc với nhau, thì ở bề mặt tiếp xúc có một
hàng rào thế. Cấu trúc của các vùng nãng lượng gần mặt tiếp xúc phụ thuộc vào công thoát
điện tử của K L qộ, và của bán dẫn q(ĩ>^. Trường hợp BD loại N, điện tử chuyển dời từ BD
sang K L kéo theo sự biến điệu mức năng lượng ở vùng chuyển tiếp. Trong BD loại N xuất
hiện một vùng điện tích không gian dương, còn trong kim loại tích tụ một lớp mỏng điện tử
ở gần mặt tiếp xúc. Trong vùng điện tích không gian xuất hiện điện trường ngăn cản sự
chuyển dời của điện tử rời khỏi BD. Do vậy xuất hiện hàng rào thế:
qVb = qệ,n - q<ỉ>s (eV) (4.5)
Mật độ trạng thái năng lượng ở vùng chuyển tiếp vào cỡ do vậy điện tích giữ
trong một lớp rất mỏng gần bề mặt. Trong BD mật độ đôno vào cỡ 10''' H- 10“*cm \ vì thế
vùng điện tích không gian chỉ nằm ở phía BD.
Nếu K L có thế dương so với BD (phân cực thuận) (hình 4.5b) thì hàng rào BD - K L
giảm một lượng (qVh), trong khi hàng rào K L - BD vẫn giữ nguyên (qệh)- Do vậy điện tử
sẽ phát xạ từ K L sang BD và tạo ra dòng điện chạy theo hướng từ K L sang BD.
V \ = V ,- V j( V ^ > 0 )
Nếu K L âm so với BD (phân cực ngược), thì đáy của vùng dẫn của BD hạ thấp hcm so
với mức chân không (N V ). V ì thế hàng rào thế sẽ tăng cao một lượng:
V ” h = V ,-V ^ (V j<0)
và ngăn cản không cho dòng điện chạy qua lớp chuyển tiếp. Như vậy:
Tiếp xúc kim loại - bán dẫn loại N với qệ „ > qộ, tạo nên m ột chuyển tiếp chỉnh lưu.
Đó là nguyên tắc hoạt động của một điốt Schottky. Còn nếu < q(ị), thì sẽ cho một
chuyển tiếp ôm - mir, trường hợp này điện tử sẽ chuyển động theo cả hai chiều.

a) Trạng thái cân bằng b) Phân cực thuận

H ình 4.5. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn loại N.

4.6.2. Tiếp xúc kim loại bán dẫn loại p

Trường hợp này, điện tử của K L chuyển dời vào BD, tái hợp với lỗ trống cơ bản và làm
xuất hiện một vùng điện tích không gian âm (hình 4.6b). Nếu nối K L với cực dương còn

63
BD nối với cực âm cúa một nguồn thế bèn ngoài, thì độ cong của vùng năng lượng được
tăng cao, do vậy hàng rào ihố cCino nầng cao ngăn không cho dòng điện chạy qua lớp
chuyển tiếp. Nếu K L có ihò' àm so với B lì Ihì cliicu cao hàng rào thế giảm xuống, do vậy
điện tử chuyển dời từ K L saim BD một cách dẻ dàng, tạo ra dòng điện có giá trị lớn qua
vùng chuyển tiếp. Như vậy:
Tiếp xúc kim loại - hán (lẩn vcri qậ„, < qệ^ tạo nên một chuyển tiếp chỉnh lưu. Đó là
nguyên tắc hoạt động của iíiổt Srìioíikỵ loại p. Còn trường hợp q(|)„ > q(|)j thì tiếp xúc kim
loại bán dẫn loại p cho một clitivển tiếp ôm - niic.

Hinh 4.6. Tiếp xúc kim loại - bán dẫn loại p.

4.7. ĐIỐT SCHOTTKY

4.7.1. Phân cực thuận

Giả sử hàng rào thố K.L-RD có chiều cao q V ,; nồng độ tạp chất của B D -N là N j ; mặt
phẳng liếp xúc có diện tích S; vùng điện tích không gian không có các hạt tải cơ bản. Cũng
như chuyển tiếp PN, sự phíìn bố thế trong vùng điện tích không gian thu được bằng cách
giải phưcmg trình Poisson:

dx £
Sau khi tích phân, với điều kiện E(w) = 0 ớ đây w là chiều rộng vùng điện tích không
gian, la thu được:
qN.vv
v\

Vì: Vj, = - ÍE(x)dx,nên:

J

r 2e
V.
1/2

(4.6)
\v = mm)
LqN„
với qVh = q Ì , - q ộ . -

64
 Sự tồn tại của vùng điện tích không gian liây ra diên dung tĩnh:

Q=s (pF) (4.7)

2V,

V ì cấu trúc K M -B D ở trong Irạng thái căn bằng, nên số điện tử chuyển dời từ BD sang
K L gần bằng với số điện tử chuyển dời theo hướng ngược lại. Do vậy để tính dòng điện do
sô' hạt tải “ nhẩy” qua hàng rào thế qệi, sinh ra. ta áp dụng phưcmg pháp tính như cho trường
hợp dòng điện tử phát xạ từ K L ra chân không.
Một độ điện tử trong K L có năng lượng nằm giữa E và E + dE được xác định bằng hộ thức:
dn = 2N„(E) f„(E)dE
V ớ i f„(E) là mức Fermi và N„(e) là mật độ trạng thái năng lượng E.
V ì chỉ những điện tử có năng lượng lớn hơn E| + và có thành phần vận tốc vuông
góc với mặt phẳng phân cách là có thể rời khỏi K L , nên dòng điện được biểu thị bằng:

qv^ dn
'-t
V ì E = pV2m, và p, = mv^, nên sau khi tích phân ta thu được định luật Richardson và
Dushm an/4/:
I„ = SRT- exp (-q ệ J K T ) (m A) (4.8)
trong đó: R = (4 7 tqmeK^)/h’ = 120A^ là hằng số Richardson;
S: diận tích mặt phẳng tiếp xúc;
lĩiị,; khối lượng của điện tử trong chân không.
loexp(qVj/kT) lo

M sc
r . qV'b f
r q't'K \ qV"b
^ 1♦
♦ ....' t e™ 1
' r J
qVj

a) b) . c)
Hình 4.7. Giản đổ năng lượng của diốt Schottky:
a) chưa phân cực; b) phân cực thuận; c) phân cực ngược.

Trong trường hợp điốt Schottky, điện tử trong K L chuyển sang BD phải vượt qua hàng
rào thê' qộh- 1 ^ 0 vậy biểu thức của dòng phát xạ từ K L sang BD giống như biểu thức (4.8)
nhưng thay m,i bằng m,. là khối lượng hiệu dụng của điện tử trong BD và thay bằng (Ị)h
khi đó thu được:
, I„ = SR* exp ( -q(ị)h/KT) (mA) (4.9)
với R * = R (m „/m „) là hằng sộ' Richardson đã được biến điệu.

9.LK8D VI MACHA 65
4.7,2. Đỉôt S chottky phàn cực thuận
Khi K L mang thế dương, BD N mana thè ãnithìhàng rào thế đốivới điện tử đi từ
K L sang BD vẫn giữ ngiiN èn không thay đổi. liona khi từ BD sang K L trở thành:
q V ’; = q V ,--q V ^ (V ^> 0 )
Từ đó suy ra: I, = SR• 1'- e\p ( - q (ộ, - V, )/KT = exp (qV j/K T )
V ì vậy dòng điện thuận chạy qua điốt là:

Iu = In ỉ cxp - 1 (mA) (4.10)

[ KI _

Ngoài ra còn có dòng của các hạt tải không cơ bản là dòng khuếch tán của lỗ trống
giống như trong chuyển tỉếp PN. Dòng này được cho bởi hệ thức:
I =1 exp (qV/KT) -
/ \

với Sqn-

Đối với BD có Ej, > qệ^ thì I„|, « I,„ nên dòng này có thể loại trừ.
Trên thực tế, đ iốt Schottky có đặc trưng I(V):
Ij= I , [e x p q V / m K T - 1] (4.11)
Hệ số m = 1,02 cho diốt kim loại - silic; m = 1,04 với điốt k im loại - GaAs.
/w-si
/ í 12 /
10 -" ỵ/ o
-^-Si
% 10 ^ f/ /
" 10
/
y
<5"
N 8

<, 10 ® / . ^W-GaAs
Ì ® ✓
/ rsi 4 /
10 ’^ B 2
- ,
0.1 0.2 0.3
-1 0 1 2 3 4
V (V.) V (V.)
Hình 4.8. Đặc trưng Í^I (V) và điện dung tĩnh c^.

4.7.3. Đ iốt S chottky phàn cực ngược

Trong trường hợp này. kim loại có thế âm so với BD, do vậy hàng rào thế nâng cao
một lượng là;
_ V ” , = V ,- \A ( V .< 0 )
Độ dầy vùng điện tích không gian cũng tăng lẽn:

w =
;l ___
i

\q N
Điện dung tĩnh cũng phụ thuộc vào thế ngược:
!/<-; (v , ) = ' 2 ( v . - V , ) / ( c N, S=) (4.12)

còn dòng ngược; I() = SRT’ exp qEẹx,

với Aè = , trong đó E „, là điện trưcmg
K 'ĩ 4 t ĩs

ngoài tác dụng.

66 9.LKB0 VI MACH B
 Chương 5

TRANZITO LƯỠNG cực

5.1. CẤU TẠO
■
VÀ MỘT
•
s ố ĐỊNH
•
NGHĨA CHUNG
Tranzito lưỡng cực đã
được phát minh vào năm E B E Đ
1947 do các nhà klioa học B B
người M ỹ; John Bardeen, N p N p N
Walterr Brattain và W illiam
Tranzito NPN Tranzito PNP
Shockley trong phòng thí
nghiệm của hãng Bell Hình 5.1. Kỷ hiệu và cấu tạo của các tranzito NPN và PNP.
Telephon. Nó được chế tạo từ
một tinh thể bán dẫn có ba miền pha tạp khác nhau để hình thành hai vùng chuyển tiếp PN
phân cực ngược nhau. Như vậy có thể có hai loại tranzito: PNP hoặc NPN. Vùng bán dẫn nằm
giữa gọi là bazơ kẹp giữa hai vùng được gọi là coleclơ và emitơ (hình 5.1).
Miền bazơ rất mỏng (cỡ |im hoặc nhỏ hơn) và được pha tạp ít; emitơ (E) pha tạp mạnh,
còn colectơ (C) cũng pha tạp ít nhưng có thể tích lớn hơn nhiều so với emilơ. Nói một cách
chính xác hơn, mức độ pha tạp của colectơ phụ thuộc vào chức năng của mỗi Iranzito.
ỉrinh 5.2 cho thấy cấu trúc thực lế của một tranzilo NPN trên cơ sở công nghệ Epitắcxi
và sự phân bố các hạl tải trong các vùng khác nhau.
-3.

Hình 5.2. Cấu trúc thực và sự phân bô' hạt tải trong tranzito NPN.

67
5.2. HIỆU ỨNG TRANZITO
Tranzito hoạt động bình Ihưừng khi vùng chuyển tiếp emitơ và bazơ (E -B ) phân cực
thuận, còn vùng chuyển tiếp colecta \'à baz(í (C-B) phân cực ngược (hình 5.2b). Cấc dòng
điện là dòng em itơ Ig, dòng bazư I|j và dòim colcctơ .
Các tính chất định lính của tranzito dược suy ra một cách đơn giản từ hoạt động của
vùng chuyển tiếp PN, ở đày V|.g cỡ vài chục vôn (Irong trường hợp này < 0), VcB cỡ vài vôn
đến hàng chục vôn (trường hợp này > 0). Do vậy hàng rào thế ở vùng chuyển tiếp E -B
tương đối thấp và hẹp, trong khi ở phía C-B lại tirơng đối cao và rộng. Vùng điện tích
không gian chủ ỵếu ăn sâu vào lĩiiển bazơ và colectơ vì chúng được pha tạp ít, Do vậy dòng
thuận có giá trị khá cao, sẽ truvền qua vùng chuyển tiếp E-B. Trường hợp này dòng điện
chỉ chứa điện tử Ij„ vì em itơ pha tạp nhiều hơn bazơ. Các điện tử này khuếch tán vào trong
bazơ pha tạp loại p, nên chúng tái hợp với lỗ trống, nhưng vì:
* Độ rộng miền bazơ rấl nhỏ so với độ dài khuếch tán của điện tử.
* Có sự chênh lệch điện tử xuất pliát từ emitơ khuếch tán sang colectơ. Hơn nữa trong
vùng chuyển tiếp B -C có điện trường mạnh “ húl” điện tử vào colecta.
Phần lớn điện tử (98 —> 99,5%) khuếch lán lừ emitơ qua vùng chuyển tiếp B -C sang
colectơ tạo nên dòng điện a. 1^,, (a là hộ số nhỏ hơn 1 một ít), ở vùng chuyển tiếp C -B cũng
có dòng ngược nhưng giá trị rất nhỏ, do vậy dòng colectơ có giá trị lớn. Dòng điện chạv
trong tranzito còn phải kể đến:
* Dòng I do sự tái hợp Irong bazơ của điện tử được phun từ em itơ sang.
* Dòng khuếch tán lỗ trống hướng tới emitơ, dòng ngược -lịp và 1|„ do các hạt tải không
cơ bản lúc đầu ở trong bazơ và trong emitơ, những dòng này tạo nên dòng bão hoà của
vùng chuyển tiếp E -B .
* Các dòng ngược -lịp và 1,„ do các hạt tải không cơ bản của bazơ và colectơ tạo nên dòng
bão hoà I, của vùng chuyển liếp c~ B.
Do đó dòng bazơ đưỢG tính bầng;

" In + ll|ũ " l - í.

có giá trị cỡ 1 % giá trị của ì,:.
Nếu V^B rất nhỏ, thì
Ij,„ và do vậy sẽ rất
nhỏ, có cùng độ lớn như ■oc
dòng ngược. Nếu tàng
nhiệt độ (khi Vgu giữ
không đổi nhưng có giá trị
nhỏ) thì lất cả các thành
phần của lịị sẽ tăng lên,
trong đó dòng bão hoà Hình 5.3. Sự phân bô' dòng điện trong tranzito NPN.
tăng nhanh nhất.
Đ ối với tranzito, ta luôn luồn có hệ thức lién hệ giữa các dòng điện:
I e = Ic + I „ -

68
5.3. CÁC GẦN ĐÚNG THựC NGHIỆM

5.3.1. Hệ sô khuếch đại dòng

Như đã phân tích ở trên, tranzilo là một linh kiện có 3 cực, trong thực tế có 3 cách mắc
khác nhau: bazơ chung, em itơ chung và colectơ chung;
Sơ đ ồ bazơ chung ị hình 5.4 ):
Trong sơ đồ này ta có hệ thức;
I(^. = al^; + Iqjq (5.1)
trong đó:
* a là hệ sô'khuếch đại dồng emitơ tĩnh. Nó có thể đạt tớ i giá trị 0,995.
1 ( 1 3 0 là dòng bé, tồn

tại khi I(; = 0 ; Irong gán ' e .E C ỉc p n p

Ç Ic
đúng bậc nhất, nó
trùng với dòng ngược Is 1b B B

của vùng chuyển tiếp + 1 .- - . 1 +

G-B. VÉb V bc V eb Vbc

Dòng Ij: liên hệ với
Ie Ic 1e Ic
hiệu thế V|:b bằng hệ E +«> ■0+ E -o o+ c
thức gần giống với hệ
thức liên hệ giữa dòng •b le
và thế trong vùng - o— -f o -
B Đ
chuyển tiếp PN phân
Hinh 5.4. Sơ đồ bazơ chung.
cực thuận.
Trong sơ đồ bazơ chung, hệ số khuếch đại thế có giá trị lớn và lăng theo điện trở tải
R| ; trong khi hệ số khuếch đại dòng luôn luôn bé hơn 1 và cũng thay đổi theo điện trở tải.
Hệ số khuếch đại công suất đạt giá trị cực đại khi điện irở tải bằng điện trở lối ra của
traiizito (cỡ 0,2 2 M Q ). Điện trở lố i vào giảm khi dòng colectơ tăng, về giá trị nó thay đổi
trong khoảng từ 30Q đến 50ỒQ.
Sơđổ emtiơ chimg (hình 5.5):
Ic Ic

ÏB Ib
BO

>I
E E
Hình 5.5. Sơ đổ emỉtơ chung.

69
 Trong sơ đồ này ta có:
Các đại lượng lối vào là lu \'à CÒIĨ clònu v à thế lối ra là I(; và V q :. Ta biểu diễn Ic
theo I|j :
I t - (X (I(^. + l , j ) +

Từ đó tìm được:
I _ I . c-t 1 «. ..
~ ■ ^li ■, ... ^ 1«) ~ piß J-.0 (5.2)
I- a I - (X
a
trong đó : ß = là hệ so khĩícclì đại clòiì^. Nó có ihc đạt giá trị > 200 còn;
1 - ex

CHO (5.3)
"a
Sơ đổ emitơ chung có hệ sò khuếch dại thè luón luôn lớn và phụ thuộc vào điện trở tải
R |. Người ta thấy rằng hệ sỗ khuếch đại thè của lầng khuếch đại em itơ chung tăng với sự
tăng của điện trô tải. Hệ số khuếch đại dòiig cũng cao và phụ thuộc vào trở tải, nhưng
ngược với hệ số khuếch đại thế. hệ số kluiêcii đại dòng lại tăng cao khi điện trở tải giảm
xuống. Rõ ràng là hệ sô' khuếch đại công suál bằng tích của hệ sô' khuếch đại dòng với hệ
sô' khuếch đại thế cũng có giá trị rấl cao và trong Irường hợp này, nó cũng đạt giá trị cực
đại khi trớ tải R[ có giá trị bằng điện trứ lối ra của tranzilo. Điện trở lố i ra của tranzito
trong sơ đồ emitơ chung có giá trị nàm Irong khoáng lừ lOOK đến IM . Điện Irở này sẽ giảm
khi dòng Ic tăng.
Sơ dồ colectơ cliii/ìi>:
Ic Sư dó này chí được áp dụng cho mục đích đặc
biệt, khóng có tính khuếch đại. Sơ đồ này được sử
dụng dc tạo ra các mạch điện có Irở kháng lối ra có
B
ạiá trị nhí) \'à lín hiệu lối ra cùng pha với lín hiộu lối
Ri vào. 'iVong sơ dồ này, hệ số khuếch đại gần bằng 1 ,
^ ‘ Rl irong khi liệ sỏ' khuếch đại dòng lại lớn (từ 1 0 0 -í- 600)
T II______ T . 1______ và thiiv dổi theo trớ tải. Hệ số khuếch đại công suất
gần bằng kliuếch đại dòng. Điện trở lố i vào giảm khi
.Hinh 5.6. Sơ dồ colectđ ch ung. dòng colcctơ Ic tăng; vể giá trị có thể đạt lớ i lOOK.
Đâ 3 ' là sơ đổ duy nhất có điện trở lố i vào rất lớn so với
điện trớ lốira. Điện Irớ lói ra giám khi dòii« I( tăng và tăng với sự tăng của điện trở lối vào.
Nói chung nóthay đổi trong khoánsí từ 50Q đcn 500Q. Hình 5.6 là sơ đồ mắc colectư chung.

5.3.2. Các thông s ố lai

Tranzilo có thể coi như một tứ cực. Phương trình của tứ cực là:
v;=h.. i,+h,„,v.
Is = h.™ l. + h:.„ V. (5.4)
Chi số “ e” ký hiệu các đại lượng lỏi vào. chỉ sò “ s” đặc trưng cho các đại lượng lối ra.
Còn chỉ cố “ m ” đại diện cho b, c hoặc c iLiỳ thuộc loại sơ đồ mắc: bazơ chung, em itơ -
chung hoặc colectơ chung.

70
 Sfíđồ tương dương của tứ cực tramiío lù:

Hinh 5.7. Sơ đồ tương đương của tứ cực tranzito.

Ý nghĩa của các Ihông sõ' này dược suy ra ngay lừ đạc trưng lĩnh tại m ộl dlổm "nghi"
trên hình 5.8.

Hình 5.8. Các đặc trưng của tranzito cho sơ đồ emitơ chung.

Nếu = const, thì:

_e
h„ = là điện trở kháng lối vào;
\ AI / Vo= c®
hoặc: tgcp = AV^./AI,. trên đặc trưng lối vào tại p.

h,i = là hệ số khuếch đại dòng (a hoặc P);

lA le .V s = C"
hoặc: tg(ị) = AiyAI^. trên đường đặc trưng truyền dòng tại p.
Nếu = const thì:
AV '
h,2 = là hệ số “ đáp ứng thể
Ic=Ci«

71
hoặc: tgO = AV\./.M, tiôn tlặc trưng truyền thế, tại điểm p.
' \1 ì
à (ỉộ ciần lố i r a .
V /1,, C"'-

hoặc : ig T = A .iyA V^ t r ẽ n d ă c m iìig lối ra tại đ i ể m p .

5.3.3. Các chế độ hoạt động đặc biệt

Trong các mạch logic, chắng hạn như DTL, TrL. hoặc trong các loại vi mạch số...,
tranzito là những linh kiện chú đạo. ở đây. chúng hoạt động chủ yếu ở hai chế độ: C hế dô
bão lĩoà (saturation) và cíìê dộ kììOLĨ (hlocky, hay còn gỢí tranzito trong trạng thái dẫn
(ON) hoặc đóng (OFF).

5.3.3.1. Chế độ bão hoà (ON)

Trong chế độ này, cá hai cliuyển tiếp E--B và B-C đều phân cực thuận và thế E/B lớn
hơn thế B/C. Như vậy ta có:
> '^ c i:----- ^ >0 ; < 0 ; > 0 suy ra I|; > It-
có nghĩa là dòng bazơ I|, có giá Irị tương đối lớn. Hình 5.9 cho thấy chiều của các thế
phân cực và của các dòng điện chạy qua tranzito cũng như sự phân bố hạttải trong bazơ ở
chế độ này.

>0

Hình 5.9. T h ế phân cực và sự phàn bố hạt tải trong chê' độ bão hoà:
a) T h ế phâin cựíc và các dòng điện; b) Sự phân bố các hạt tải trong bazơ.

Trong chế độ bão !hoà„ thì dòng bazo 1„ lãng cao, nhưng dòng colectơ le lại hầu như
không đổi. Thực vậy, riiếu tíăng thè phân cực lliuận của cả hai chuyển tiếp, thì nồng độ hạt
tải chuyển từ profin “ 1 samg proíin "2 ” . Giả sử cả hai pro fin có cùng độ dốc, do vậy không
có sự tăng dòng điện tủ bởi vì dòng kliuếch lán chí phụ thuộc độ dốc của profin hạt tải;
trong khi dòng bazơ lạii tănig vì sự tái hợp trong bazơ tăng lên do sự tăng của điện tích đã
được tích tụ.

s.3.3.2. Chế độ khoá (OFỈf)

Trong chế độ này cả hai chuyển tiếp EB và CB đều phân cực ngược. Tức là:
V|,„: < (0 ; y c ụ . > 0 và VcH > ------ > Vgc < 0.
Như vậy cả hai ch uyểm tiếp dều hút diện lừ của bazơ. Do vậy chúng hầu như không
còn các hạt tải điện khõng cư bản. Vì thế, inật độ các hạt tải điện không cơ bản trong bazơ

72
vãn giữ nguyên không thay đổi. Các dòng điện Ic và I e là các dòng dò của các chuyển tiếp
EB và BC phân cực ngược, như trong hình 5.10.
Ic E , B c

VcE >0 +
Đ

V be<0 " bo

Wb J
0
' a) b)
Hỉnh 5.10. Thế phân cực và sự phân bố hạt tải trong chế độ khoá:
a) Dòng và thế phân cực trong chế độ khoá : b) Sự phân bố hạt tải trong bazơ.

5.4. NGHIÊN CỨU DÒNG ĐIỆN TRONG CHẾ ĐỘ TĨNH, PHƯƠNG TRÌNH EBERS
VÀ MOLL

5.4.1. Sơ đồ bazơ chung

Ic
Sơ đồ này có dạng như trên
hình 5.1 la. B
B 'E8 V bc
Trước tiên ta thừa nhận dòng
emitơ liên hệ với thế V| B bằng
Hình 5.11a. Sơ đồ bazơ chung.
dòng thuận:

exp
qv,EB -1 (5.5)
KT
Trong đó: 1 ,1 là dòng bão hoà của vùng chuyển tiếp E - B, ở đây Vị 2 b < 0. K hi đó dòng
colectơ là:

exp
qv,EB (5.6)
Ic - ~ ocI e - ciílsi
KT
Nếu thay đổi vai trò của em itơ cho colectơ, thì vùng chuyển tiếp C -B sẽ trở thành phân
cực thuận, còn E -B sẽ phân cực ngược. Lúc này tranzito hoạt động trong chế độ ngược. Do
vậy, ta có:
qVcB - 1 "
Ic = - I s 2 exp (5.7)
KT

còn Ig = ttị Ij 2 exp -1 (5.8)

KT
Dòng 1 , 2 là dòng bão hoà của vùng chuyển tiếp c - B, ttị là hệ số khuếch đại dòng
trong chế độ nghịch đảo.
Hai chế độ hoạt động khác là chế độ bão hoà và ch ế độ đóng tương ứng với tình trạng
khi cả hai thế phân cực hoặc đồng thời thuận hoặc đồng thời ngược, khi đó chúng ta thừa
nhận rằng các dòng em itơ và colectơ là tổng của hai thành phần. Trong hai chế độ này,
phương trình dòng có dạng:

10LKBD vTMACH Jị.

 qVKB 1 qV,CB
+aJ s2
exp
KT KT (5.9)

qVcB ^
1 ,. = al^, exp - 1 .2
exp
KT KT (5.10)

~ “ ^CB
Đây là hệ phương trình Ebers \ à M oll. Hệ phương trình này mô tả sự hoạt động bình
thường và ngược của tranzito.
Chẳng hạn, nếu Vgu = lOV phân cực thuận và VcB cỡ vài vôn đến mươi vôn phân cực
ngược, thì:

cxp 5 ^ - « 1 Is2 (5.11)

KT

qv» _ J
Ic — exp + I s2 (5.12)
KT
là đặc trưng kh i tranzito hoạt động bình thường.
Ngược lại, nếu VgQ khoảng vài vôn đến mươi vôn phân cực ngược và VcB vài chục vôn
phân cực thuận, thì:

Ip, = L, + a l s2 exp qVcB 1

(5.13)
KT

Ic = -«Isi - ki exp - 1 (5.14)

l ‘ KT ,
Đó là phuofng trình cho chế độ ngược.
Các phucfng trình Eíbers và M oll tương đương với sơ đồ (hình 5.11):
•eb aỈEB

Hình 5.11. Sđ đổ tương đương với phương trình Ebers và Moll.

Nếu thay các giá trị Ỉ 3 từ (5.10) vào (5.9) ta được:

![■: = - I eiì + «, (aliiB - Ic )
I,: = - (1 - a, a ) I,;b - a, Ic (5.15)
Cũng làm như vậy, ta có:
Ic = -a lg - ( 1 - a ơ ị) IcB- (5.16)

74 10.LKBD VI MACH B
 Nếu đặl: IpBo = E,| ( 1 - aa, )
Và IcB0 = I, 2 ( l - a a , ) ^^^(5.17)
thì ta có thê biểu diễn phương trình Ebers và M oll theo các đại lượng lố i vào và ra của tứ cực:

I , = - I ĩitìO exp (5.18)

KT

Iç- - a l j : 4* I q j q e x p ^ - = - a I , - I cCB (5.19)

^ KT
Từ đó ta có sơ đồ tươiig đương mới
•'e b

VcB

Hình 5.12. Sơ đõ tương đương vỏi (5.18) và (5.19).

Từ các phương trình trên ta có các họ đặc trưng:
- a
Tại điểm A: V(.[J « 0 ; V|.|J = 0 => I|:= -a ¡ 1 ,2 = a l ,2 = -
1 -a a

KT Is2
< 0, I,: = 0 tức là 0 = I, exp ^ - 1 -a ¡ V^B= - ^ l o g 1 + a
K ĩ q ' I.si y

(KT/q)log(1+0) — ►

'■ e 0 > E B S = 0 *C 8 S

® I ebs
’

V ebs « 0 / ỵ /

y^cB =0
ì 'V eb

Hinh 5.13. Các họ đặc trưng cho tranzito trong sơ đồ bazơ chung.

75
5.4.2. Sơ đồ em itơ chung
Trong sơ đồ này dòng và thế lố i vào là Iß và v„f:. Do vậy, vì:
VcB = VeE + V , «
và: l^ = - (Ic + Iß )
Nên dòng colectơ là;

exp i íXcẸ + V e b ) _ J
Ic = — I r - - ^
1 - a 1 - a KT

= ß lB - ( l+ ß ) IcB O exp q(Vcs + VE.) (5.20)

KT
Tưoỉng đương với sơ đồ Ebers và M o ll;

(ß-^1 )cBo[«P(qVcB/KT-1 ]

ỉ EBo exp[(pVEB/KT)-1 ]

Hình 5.14. Sơ đổ tương đương với (5.20).

Sự phụ thuộc của dòng bazơ vào thế V|JE và VcE tìm được từ phương trình đầu tiên của
Ebers và M o ll:

EBO CBO
Ib = exp (5.21)
ß KT KT
1 + ß,
ß i+ l ß+ 1
a:
Hình 5.15 là các đãc trưng tĩnh của sơ đồ emitơ chung với ß cỡ 10^ còn ßi = — — < 1.

5.5. MÔ HÌNH GỢI Ý B ỏỉ MÁY TÍNH

Việc nghiên cứu tối ưu các mạch tương tự chứa nhiều linh kiện khác nhau dưới tác dụng
của các tín hiệu mạnh hay yếu, chẳng hạn như các loại vi mạch, có thể được thực hiện trên
máy tính. Nhờ đó có thể mô tả mạng theo một mô hình vật lý và toán học chính xác chứa các
linh kiện hoạt động trong mạch. M ô hình Ebers và M o ll có thể được xem như là một mô hình
cơ bản có khả năng mô tả dưới dạng một mạch điện tương tự các phưcíng trình đặc trưng cho
sự thay đổi nồng độ các hạt tải trong một tranzito một chiều. M ô hình này gồm 14 thông số
để đặc trưng cho một tranzito, trong đó hệ số khuếch đại giữ không đổi. Nếu muốn tính sự

76
thay đổi hệ sô' khuếch đại với IC, thì phải có 17 hoặc 18 thông số. Để tính đến các thông số
vật lý khác (hiệu ứng bề mặt, sụt thế ở miền bazơ...) thì phải phụ thêm một mô hình với trở
kháng phi luyến. Chương trình giúp cho việc thiết kế các mạch điện tử được sử dụng rộng rãi
là SPICE (Simulation Program W ith Integred Circuit Emphasise), được sử dụng đầu tiên ớ
trường đại học Tổng hợp California - Berkeley và đã xuất hiện ở thị trường những năm 80.
Hiện nay, nó vẫn được sử dụng rộng rãi và chắc chắn còn nhiều nãm nữa.
Chương trình SPICE có khả năng mô phỏng hoạt động của một Iranzito lưõng cực
trong chế độ “ tín hiệu nhỏ” hoặc “ tín hiệu lớn” . Nó rút từ phương trình Ebers và M o ll và
đưa ra một số loại, chẳng hạn với một tranzito trong chế độ tín hiệu lớn, sơ dổ cơ bản đa
cho trên hình 5.12a, trong đó điện dung phân bố C j, giữa bazơ và colectơ là do các điện tử
xuấl phát từ emitơ sang vùng chuyển tiếp C-B.

77
 Đ ối với chế độ tín hiệu nhỏ, sơ đồ tương đương cho bởi:
EB + Emi

trong đó g„| = (q/KT) Ic và Ic = g„| VB-E. - V ; Ej EBvà c JCU là các điện dung ngoài;
T| và Tr là thời gian chuyển đổi trong chế độ bình thưòíng và ngược:
= g j ß , , G„ = G„ = dlcA^cB = g l K T /qV ^

Hình 5.16. Sơ đổ tương đương của tranzito trong chế độ:

a) Tín hiệu lớn; b) Tín hiệu nhỏ theo mô hình SPICE.

5.6. TRANZITO TRONG CHẾĐỘ ĐỘNG

5.6.1. Chế độ tín hiệu bé

Trên tranzito phân cực, tác dụng một tín hiệu biến đổi có biên độ nhỏ so với dòng và
thế phân cực. Quá trình này kéo theo sự khuếch đại công suất (hoạt động Irong chế độ
khuếch đại). V ì tín hiệu nhỏ, nên các đặc trưng tĩnh tuyến tính xung quanh điểm hoạt động

78
đã chọn. K hi đó tính chất động có thể suy từ việc lấy vi phân các phương trình đặc trưng
trong chế độ tĩnh.
Dùng các thông số lai, nhưng ở đây các đại lượng lố i vào và ra liên quan với nhau bằng
trở kháng Zịj^ và độ dẫn Yịj^.

I “ ^llm + ^ 12 m
(5.22)
, - ^ ' 2 1 m ie + ^ 22 m
K = + z ,2„v ,
(5.23)
1 V, + 2 ,,^

Hình 5.17 mô tả hệ hai phương trình này:

Z yn Ị Z2 2 m Is

jY i 2 m V3 1

Vg
Ve Z i2 m Is (3 C ~ )z 2 im le và
ế ế
Y21m

Hỉnh 5.17. Sơ đồ tương đưđng vổi phương trình (5.22) và (5.23)

Các sơ đồ này không còn duy nhất nữa. Thực vậy, ta có thể viết:
V, = Z,1 i, + Zj2Ì,
—^ 2 1 ii; + z »22 K —Z i 2 K ^ 2 ^ ( 2 ^ 1 “ ^ 1 2 ) ic
từ đó ta rút ra sơ đồ:

1. Z ii- Z i2 ^ 2 2 :,Z l2 ^ . + Is Z22 - Z i 2

|s
1---------1

Z l2
Ve ịJ (Z 2 i - Z i2 ) Ie Vs 1 Z 2 1 -Z i 2 ^ v<
Z z 2 -Z l2 ®

Hình 5.18. Sơ đồ tương đương với phưđng trình (5.22) và (5.23)

hoặc có thể viết;

ic = Y „ v,+ = (Y„ + Y, 2) V , - Y., (V , -

is - Y „ v , + = -Y^a (V , - V ,) + ( Y „ + Y3,) V, + (Y^, - Y ,3 ) V.

tương đưofng với sơ đồ:

Vs
Y 1 1 + Y 12 Y 22 + Y 12

(Y 2 i - Y i 2 ) V e

Hình 5.19. Sd đồ tương đường mới vói phương trình (5.22) và (5.23).

79
 Các sơ đồ với một nguồn này được sử dụng cho các tranzito tần số thấp, khi mà các thông số
còn ôm - mic. Sau đây là sơ đồ tương đương cho ba cách mắc trong chế độ từi hiệu bé.
* Sơ đồ bazơ chung;

= Ị

- ( S ạ s is .

* Sơ đồ em liơ chung:
1^ Tb (1-«)'’c=rc-rm '■mỉb=arclb (1-a)rc
“ .........
---- f - ■'----

Vce = Ị

-m —
pib
* Sơ đồ colectơ chung:
Ib Tb rb
— > -r-
Ic
Vbc (1-a)rc ị ặpib Voc -
r

I ... J ... 1 0

5.6.2. Tranzito tron g ch ế độ tín hiệu tốn

Để phân tích hoạt động trong chế độ tín hiệu lớn của tranzito lưỡng cực, cần phải kiểm
tra một cách chi tiết điện tích được tích tụ trong cả ba vùng (trước tiên trong bazơ) thay đổi
như thế nào khi tranzito chịu tác dụng một tín hiệu lớn và nhanh.
Đầu tiên ta xét chế độ tĩnh: xuất phát từ các biểu thức Ebers và M o ll, ta thấy có 4
trạng thái: hoạt động bình thường, ngược, bão hoà và đóng; đối vớ i tranzito npn các biểu
thức đó cho;

EBO q VC
,B CBO qVCB
h = - exp +a exp - 1
1-aa i V KT KT
/ (5.24)
EBO qv EB CBO
exp - l exp -1
1-aa ì V KT 1 -aa KT

qV EB
Ie- - I EBO exp - 1 - « i Ic
KT
hoặc; (5.25)
qV EB
CBO exp
KT
các trạng thái đóng và bão hoà trong các sơ đồ em itơ chung và colectơ chung được suy ra
ngay. Chúng được đặc trưng bằng các điểm hoạt động nằm trong miền I và I I I trên đặc
trưng lối ra như trên hình 5.20 sau:

êo
 logn hoặc p

Miền III
{Transistor ON)

Mỉén I (Transistor bị khoá Off)

Miền I: Cả hai vùng chuyển tiếp phân cực ngược
III. Cả hai phân cực thuận.

Hlnh 5.20. C á c vù n g hoạt động của tran zito trong c h ế độ tín hiệu lớn,

Trong miền I và II, ở đây vùng chuyển tiếp C -B phân cực ngược;
1 - ạ
exp EBO
1 - aa
(5.26)
- exp CBO
1 - aa KT 1 - aa;
Trong miển III, các dòng điện có thể xem như thay đổi độc lập với nhau, từ cái này
sang cái kia, bởi thế tác dụng. Từ phương trình Ebers và M o ll ta tìm được:
I, + a ¡ Ie
+ 1

^EBO
(5.27)
V cB =— log - - ^ - - ^ -3 . + 1
V ^CBO ỵ

Từ đó ta có thể suy ra điện trở kháng VcB/Ic trong trạng thái đóng hoặc mở.

5.7. TRANZITO TRONG CHẾĐỘ CHUYỂN m ạ c h

Xét sơ đồ hình 5.21:
* ở thời điểm t = 0 - 8 , Vbb khoá vùng chuyển tiếp E -B , vì thế tranzito đóng, do vậy
dòng colectơ I c « Ic B o -
* ở thời điểm t = 0, cho m ột xung dương tác dụng, có dòng phun I|,| vào bazơ. Phải
cần một thời gian trước k h i Ic xuất hiện và tăng, tức là thcfi gian để thế Vgg > 0,6 V để mở
vùng chuyển tiếp B -E đối với tinh thể silic. K h i V qe tăng, độ rộng vùng chuyển tiếp E -B
giảm xuống nên điện dung tăng.
* Vùng chuyển tiếp E -B trở nên dẫn, Ic sẽ tăng dần đến Ics = Vcc/Rc : thời gian tãng
một lượng (tức là tranzito mở).

11.LKBD Vi MACHA
81
 Hình 5.21. Chế độ chuyển mạch của tranzito.

phụ thuộc vào thời gian truyền các hạt tải tới colecto qua bazơ và có thể liên quan
với đặc trưng tần sô' và với hệ số khuếch đại dòng p thay đổi kh i điểm hoạt động chuyển
vào vùng II của đặc trưng lố i ra. Trong khoảng thời gian này, VcE giảm, độ rộng của bazơ
tăng (vì độ rộng của vùng chuyển tiếp C -B giảm), điều đó kéo theo sự tăng thời gian truyền
(đó là hiện tượng Early).
K hi xung dương ngắt, Ic duy trì một thời gian (thời gian lưu trữ), dòng bazơ bị đổi
chiều và giữ một giá trị nào đó (trong thời gian t^), vì điện trở của tranzito nhỏ so với điện
trở của mạch bazơ.
t, tương ứng với khoảng thời gian cần thiết để các hạt tích trữ trong bazơ và colectơ
biến mất (chủ yếu do tái hợp) để trở lại mật độ tưoíng ứng với sự hoạt động bình thường (ở
điểm M ). Sự dư thừa các hạt tải này là kết quả của sự bão hoà vùng chuyển tiếp C -B m ở vì
I b > Ic/Poc (Poc là giá trị của ở giới hạn bão hoà, tại M ).
Các hạt tải dư bị tản đi và tranzito bị khóa (I|, —> 0, điện trở lố i vào trở nên rất lớn),
điểm hoạt động của tranzito chạy sang phải vào miền II của đặc trưng lố i ra. Quá trình này
cho phép xác định thời gian giảm tj.
Ta có thể tìm được biểu thức của t „ và I j một cách gần đúng như sau: Giả sử tần sô'
nhịp của xung lố i vào ( 0 và p không phụ thuộc vào sự phân cực. Do vậy, ta có thể viết:
íỉ,
co
l + j
©p
|3'q = Iv,.^, à tầ n số thấp
trong đó:
P'o Po ^ dòng không đổi
V ì thế, ở phía sườn lên của xung ta tìm được:
ic ( t) = P'o ib [ l - exp ( - cot)'

82 11.LKBDVIM ACH8
theo định nghĩa của t,„, ta sẽ thu được:

1 0P ' o B
t_ = log (5.28)
CùP
1 - ...
10 P'oB
hoàn toàn tương tự, đối với sườn xung xuống của dòng ta cũng có:
'c(t)= Ocs + P'o ‘ b ) e x p ( - c o p t ) - p'o I 3 ,
và từ đó suy ra:

10P'oI BI
t. = log (5.29)
CùP cs
lO P ' 0I

5.8. CÁC LOẠI TRANZITO ĐẶC BIỆT

5.8.1. Tranzỉto công suất

Tranzito công suất dùng để khuếch đại công suất, có thể chịu thế c - B khá cao và tiêu
tán một lượng nhiệt năng lớn để tránh bị đốt nóng quá mức. Nhiệt độ hoạt động cao như
vậy kéo theo hai hiện tượng:
* Bazơ trở nên dẫn điện mạnh làm nối liền colectơ với emitơ, do vậy hiệu ứng tranzito
bị ngừng lại.
* Xuất hiện sự đánh thủng thác lũ vì nhiệt: thế C -E giảm đột ngột, dòng tăng lên thác
lũ (hình 5.22a).
Đé tránh những điều bất
lợi Irên, cần phải giữ cho mật
độ dòng phun từ em itơ không A;>
lớn, và đồng đều, muốn vậy
2,5-■
phải tăng kích thước bề mặt
tiếp xúc E -B bằng cách làm 2 0 , --
chúng dưới dạng cài răng
lược (hình 5.22b). Cấu trúc 0.1 -
này còn cho phép thực hiện
một điện trở ngăn ở nhánh B(P+) E(N+) B(P+) E(N+)
emitơ , (phun một dây kim 20 40 60 V CE
loại mạnh). Điện trở này hạn
chế được sự giảm thế VgE và a) b)
dòng If; do vậy tránh được sự Hinh 5.22. Câ'u tạo của tranzito công suất.
tụ nhiệt địa phương.
Nguyên tắc chung là; Các hạt tải được gia tốc bởi điện trường mạnh của vùng địện tích
không gian của chuyển tiếp BC, va chạm với mạng tinh thể bán dẫn truyền động năng của
chúng cho mạng làm mạng tinh thể nóng lên. Nhiệt năng toả ra trong mạng tinh thể (Ic Vgc)
phái được chuyển ra kliỏ i vùng chuyển tiếp để nhiệt độ của nó luôn được duy trì cố định.

• 83
Hình 5.23a minh hoạ phưoĩig pháp t<oả nhiệt này: Nhiệt độ tỏa ra trong vùng chuyển tiếp (Tj)
được truyền ra đế (Tị,), truyền qua vật liệu đế ra vỏ (T^.^p), ở đây đặt cánh toả nhiệt (radiactor).

T|hSi Rtt,cap M i
i= >
1 radiactor
‘th
1

ĐếT

Hình 5.23. Điện trỏ nhiệt của tranzito công suất.

Hình 5.23 mô tả toàn bộ điện trở nhiệt. Điện trở này nhận được nhờ định luật Fourier;
Tốc độ truyền nhiệt p tỷ lệ với sự chênh lệch nhiệt độ:
ỔT _
P = -K ,
ỡx
với K,1, là độ dẫn nhiệt ( W „/’C), s là điện tích bề mặt truyền nhiệt.
Trong chế độ vĩnh cửu:

P=- K „ ^ s (5.30)
J_/
trong đó: L là chiều dài đường truyền nhiệt.
AT là hiệu nhiệt độ giữa nguồn và điểm đến.
Hệ thức trên được giải thích tương tự như định luật ôm :
T s - T , = R,,PC'C) (5.31)
Với Ts là nhiệt độ của nguồn.
T| là nhiệt độ của nơi đến:
L
là điện trở nhiệt của dòng nhiệt.
K ,s
Trong trường hợp traJizito công suất ta có;

vớì: Ru, - ì<,h. ++ Kkk

Điện trở nhiệt tổng cộng vào cỡ từ 10^ -ỉ- 10^ “c/v v , nếu dùng cánh toả nhiệt có thể
giảm được cỡ 10'’CAV. Nhiệt độ hoạt động cực đại trong vùng hoạt động được xác định từ
biểu thức:
^jmax ”^kk
(5.32)
R

5.8.2. Tranzito siêu cao tần

Trong các tranzito này, thông số chủ yếu nhất là tần số cắt f-j- (tần sô' mà ở đấy p - 0).
Để thu được tần số hoạt động siêu cao thì phải:
* Tạo được dòng emitơ cao nhưng bề mặt em itơ lại nhỏ để giảm điện dung của lớp
chuyển tiếp emitơ. Do vậy mật độ dòng emitơ cỡ 1000 A/cm^.
* Độ rộng vùng bazơ càng nhỏ càng tốt (cỡ phần nghìn A").
* Việc giảm điện trở colectơ được thực hiện bằng cách tạo m ột lớp epităcxi loại N trên
đế sao cho chiều dày của nó chứa toàn bộ sụt thế C-B.

84
 Chương 6

CÁC LINH KIỆN NHIỂU CHUYỂN TIẾP P-N

6.1.ĐIỐT P -N -P -N
Đ iố t P - N - P - N là một cấu trúc gồm 4 lớp bán dẫn pha tạp xen kẽ nhau p và N. Chân
nối với bán dẫn (BD) loại p gọi là anôt (anode), chân kia được gọi là catôt (cathode) nối vói
BD loại N (hình 6 . 1 ).

Pi

a) b) c)

Hình 6.1. Điốt P -N -P -N :

^ a) Cấu tạo; b) Ký hiệu; c) Đặc trưng !(V).

Đặc trưng của điốt này biểu diễn trên hình (6.1). Nếu anôt eó thế dương so với catôt thì
đặc trưng I(V ) chỉ ra 4 đoạn phân biệt:
* K h i thế còn thấp, các vùng chuyển tiếp J|, và Jj phân cực thuận,'còn J2 phân cực
ngược. Lúc này linh kiện hoạt động như một điốt phân cực ngược. Phần này của đặc trưng
kéo dài đến tận điểm b và được gọi là miền có trà kháng caò hoặc miền “ OFF” .
* K h i thế tác dụng đạt đến Vgo, được gọi là thể mồi, dòng bắt đầu tăng một ít (đoạn bc).
* Sau đó thế giảm đột ngột trong khi dòng tăng không đáng kể (đoạn cd).
* Tiếp sau nữa là dòng tăng đột ngột trong khi thế ở hai đầu của linh kiện chỉ khoảng
0,7V. Đặc trưng tương tự như của điốt phân cực thuận (đoạn de); ngưòi ta nói linh kiện ở
trong trạng thái dẫn “ O N ” hoặc trà kháng thấp. Dòng In và thế Vh được gọi là dòng và thế
duy trì. Nếu dòng điện được giảm xuống dưới dòng duy trì thì linh kiện lại chuyển về trạng
thái đóng “ O F F ’
Nếu linh kiện này bị phân cực ngược (catôt dương so với anôt), thì dòng qua linh kiện
vẫn rất nhỏ khi thế tác dụng nhỏ hoíi thế đánh thủng V 5,: tổng thế đánh thủng của hai vùng
chuyển tiếp J| và (V 7 = V 2 1 + Vzj).
Để hiểu hoạt động của linh kiện này, ta tưởng tượng chia lin h kiện này thành hai phần
tưong tự như hai tranzitp N jP jN j và P1 N 1 P2 ghép với nhau như trong hình 6.2. Theo chiều
dòng điện chạy trong các tranzito, ta có:
Ici “ + ^COl ỉ ^C1 - + Ic 0 2
Định luật bảo toàn dòng tác dụng vào Tị cho ta;
Ia + Ici “ Ic2 = 0

85
phối hợp với hai hệ thức trên đây ta được;
I co
L = (mA) (6.1)
I - a, - ttj

trong đó Ico = Ico2 ~ Icoi- dòng bão hoà của chuyển tiếp Iị.

p, Ni P2
Ti
ir - e
'C1 t l X

P. No L

Hình 6.2. Sơ đổ tương đương của điốt P -N -P -N .

Như đã biết, trong một tranzito, kh i thế colectơ tăng thì hệ số khuếch đại dòng cũng
tăng theo, do vậy nếu thế ở hai đầu của cấu trúc P -N -P -N tăng thì tổng a, + dần tới đơn
vị. K h i chúng đạt tới 1 thì dòng 1^ đột ngột tăng lên đến một giá trị g iớ i hạn nhờ điện trở
hạn chế ở mạch ngoài. Đ ó là trạng thái đẫn “ O N ” . Sự tăng của dòng Ia làm tăng giá trị của
a và hệ thức (6.1) chỉ ra rằng Ia có thể bị nghịch đảo. Tuy nhiên, từ kh i chuyển tiếp Jj dẫn
thì cả hai tranzito ở trong trạng thái bão hoà và duy trì điều kiện a, + = 1 , do vậy trạng
thái ON giữ cố định. Thế ở hai đầu của lin h kiện là tổng đại số của ba thế thuận của các
vùng chuyển tiếp, vào cỡ 1,0V vì thế ở hai đầu J2 ngược dấu với thế của J| và J,.
Để duy trì trạng thái O N trở kháng thấp, phải thoả mãn điều kiện a , + = 1; điều này
được duy trì cho đến giá trị Ih (dòng duy trì). Nếu dòng qua lin h kiện giảm xuống dưới
dòng duy trì, thì điốt P -N -P -N chuyển sang trạng thái “ O FF” trở kháng cao. Việc chuyển
từ trạng thái dẫn sang trạng thái đóng luôn luôn được thực hiện k h i giá trị dòng qua linh
kiện nhỏ hơn dòng duy trì được xác định bằng kêt cấu của lin h kiện. Đặc trưng I(V ) của
cắu trúc P -N -P -N có m ột đoạn trở vi phân âm: dòag lăng k h i thế lạ i giảm mạnh.

6.2. THYRISTOR

6.2.1. Mô tả và câu tạo

Thyristor là chuyển mạch có điều khiển. K h i chịu một thế ngược, nó sẽ đóng với điều
kiện là thế này phải vượt quá một giá trị xác định nào đó, còn kh i phân cực thuận nó cũng
đóng, nhưng nếu có một xung dòng tác động vào cực điều khiển gọi là cửa (gate), thì nó sẽ
dẫn; người ta nói nó đã được mồi. Nó luôn luôn được m ồi chừng nào dòng qua nó lófn hơn
giá trị của dòng duy trì.
Về phương diện lý thuyết có hai loại thyristor;
* Thyristor loại N hoặc với cửa từ anôt, trong đó cực điều khiển được cấy trên vùng N
gần anôt.
* Thyristor loại p hoặc cửa từ catôt, trong đó cửa được cấy trên vùng p gần catôt. Trên
thực tế chỉ có cấu trúc được chỉ ra trên hình (6.3).

86
 Anốt

N.

K (catốt) *K
G
Hình 6.3. Câu tạo và ký hiệu của thyristor.

Hiện nay có rất nhiều loại thyristor với dòng trải từ vài miliampe tới 5 6000A; có thể
chịu được thế đến lO'^V. Do vậy, kích thước của chúng cũng như sự pha tạp trong bốn vùng
silic cũng rất khác nhau. Hình dưới đây cho biết sự phân bố nồng độ tạp chất trong bốn
vùng silic đó.

* Vùng catôt là s ilic loại N rất mảnh và pha tạp rất cao (cỡ 200 ppm). V ì vậy vùng
chuyển tiếp J, chỉ chịu được thế ngược nhỏ và có dòng ngược cao.
* Vùng điều khiển, bán dẫn loại p, cũng mảnh và pha tạp trung bình (vài ppm).
* Vùng “ then chốt” N | - bán dẫn loại N, dầy nhất và pha tạp ít nhất trong số 4 vùng
của thyristor (cỡ vài 10“^ ppm). Chiều dày của vùng này vào cỡ 10 đến 200|^m; pha tạp của
vùng này đóng vai trò chủ yếu trong dung lượng của thyristor để chịu được thế ngược lớn
và dòng ngược nhỏ.
* Vùng anôt có độ dày vừa phải và có sự chênh lệch nồng độ tạp chất rất lớn từ J, đến
chỗ tiếp xúc với k im loại ở đó silic pha tạp mạnh.

6.2.2. Đặc trưng tĩn h của th y ris to r

Coi thyristor như hai tranzito mắc theo sơ đổ tương đương trên hình 6.5. Từ sơ đồ đó ta
thấy dòng colecta của T j cũng chính là dòng bazơ của T,; vì vậy:

87
 Ihl —( 1 Ot|) Ia Icoi —la “ “ 2 ỈK + Ic0 2
nhưng; Ik = Ia + Ic,

nên thu được: ^ ,2

ư - io _ tic O I + Ic 0 2 (6.2)
Aa —
1 - (a , + a.^)

Hệ thức trên mô tả đặc trưng tĩnh của thyristor đến thế m ồi với dòng thấp; có nghĩa là
thyristor trong trạng thái OFF. Tác dụng của dòng điều khiển I g biểu diễn trên hình 6.5.
K hi dòng này tăng thì dòng duy trì cũng tăng, còn thế m ồi lại giảm.

1a

Ti
R
N N1
L
P2
N2

Hình 6.5. Sơ đổ tương đương của thyristor.

ở trạng thái đóng, thyristor có điện trở cao, còn khi dẫn lại có điện trở nhỏ. Tính chất
này cho phép thyristor có thể chịu được dòng điện lớn.

Hình 6.6. Các đặc trưng điện của thyristor:

a) Ảnh hưỏng của dòng cửa; b) Đặc trưng l(V).

Các thông số điện quan trọng là thế ngưõng ở trạng thái đóng Vdwm và thế ngược
Vkvvm- Điện trở tổng cộng của mạch ngoài hạn chế dống sau khi khởi phát tới một giá trị
không bao giờ vượt quá một giá trị cực đại đã được xác định trước.
Hình 6 .6 b minh hoạ một số thông số:
* Ih : Dòng duy trì cực tiểu, có nghĩa là nếu dòng anôt bé hcm dòng này thì thyristor sẽ
bi tháo mồi.

88
 * Vgo ; T hế quay trở ìại hoặc là thế mồi khi chưa có tín hiộu điều khiển ở cửa G.
* I, : Dòng mồi tương ứng với thế mồi V bq.
* I r : Dòng ở trạng thái đóng.
* V-t : Thế thài tương ứng với dòng I j ở trạng thái dẫn.

6.2.3. Đặc trưng động của th yristo r

a) Tác động của th ế (dV/dt) :
Nếu thyristor chịu tác động một xung răng cưa thế có sườn dốc hơn vận tốc tớ i hạn
tăng của thế ở trạng thái đóng của nó (dV/dt) thì thyristor sẽ được mồi trước kh i thế quay
ngược trở lại Vbo còn chưa đạt tới. Thực vậy, dòng (I = CdV/dt) tương ứng với điện tích của
điện dung của vùng chuyển tiếp ¡2 có thể đạt tới dòng m ồi II- Điều khiển khởi phát này phụ
thuộc một phần vào trở kháng của mạch điều khiển ở cửa G, mặt khác phụ thuộc vào điện
tích của thyristor. Điều bất lợ i nếu như cửa không được cố định về thế so với catôt. Nếu cửa
được phân cực âm thì dV /dt tới hạn có thể lớn hơn giá trị thực của thyristor.

b) Tác dụng vê dòng d l /d t :

Vận tốc tăng của dòng trong một thyristor bị hạn chế nhiều ampe/micô giây (dl/dt) là
vận tốc tới hạn tăng của dòng ở trạng thái dẫn. Thực vậy, hiện tượng m ồi xảy ra bắt đầu từ
cứa điều khiển và được truyền đi với vận tốc xác định. Nếu vận tốc tăng quá lóín sẽ gây ra
sự đốt nóng định xứ làm hư hại linh kiện. Do vậy m ỗi thyristor đều được chỉ dẫn m ồi bằng
một xung dòng với biên độ, sườn tăng và chiều dài xác định. Các điều kiện này đặc biệt bắt
buộc trong các mạch dòng không đổi.

c) Thời gian mồi bởi của điều khiển To.

K hi một xung dòng tác dụng vào cửa điều khiển, thì dòng qua thyristor không được
đáp ứng ngay mà cần một thời gian trễ nào đó gọi là thời gian m ồi bởi cửa điều khiển. Nó
phụ thuộc rất mạnh vào biên độ của dòng cửa và được phân thành hai phần:
* Thời gian định hạn ti
Đó là khoảng thời gian mà trong đó hiệu thế anôt và catôt chuyển từ 90% xuống 10%
giá trị của nó. Để giảm bớt thời gian mồi bởi cửa, người ta dùng cấu trúc với các vùng Pi và
N 2 mỏng. Tuy nhiên, trong trường hợp này thế ngược ngưỡng Vrwm trở nên nhỏ hơn, chính
vì lý do Iiày mà các thyristor công suất thường có thời gian m ồi lớn.

d) Thời gian tháo mồi

Thời gian tháo m ồi do sự chuyển mạch là khoảng thời gian cần thiết để thyristor lấy lại
điện dung khoá theo chiều thuận sau khi có dòng hướng từ anôt sang catôt.
Để thu được thời gian tháo mồi bé, cần phải giảm thời gian sống của các hạt tải được
phun vào miền. N| bằng cách đưa vào các tâm tái hợp trong quá trình sản xuất. Phương
pháp này cũng tăng dòng dò như vậy làm giảm thế hồi phục và tăng thế thải. Trong thực tế,
thời gian tháo m ồi phụ thuộc vào:
* Dòng anôt - catôt ở thời điểm trước khi chuyển mạch.
* dỈK/dt âm kh i chuyển mạch.
* Nhiệt độ của chuyển tiếp Ỉ 2 khi chuyển mạch.

12.LKBDVIMACHA 89
 * Sự phân cực của cửa G.
* dV/dt dương tác dụng vào anôt sau khi chuyển mạch.
* Thế ngược V r được tác dụng sau chuyển mạch.
* Cấu truc của mạch điều khiển của cửa (Ic và dlß/dt).

6.3. CÁC LINH KIỆN CÙNG HỌ VỚI THYRISTOR

6.3.1. Phòtô th y rỉs to r (LAS: Light Activated Thyristor)

Trong các linh kiện này, sự mồi được thực hiện bằng một dòng ánh sáng dẫn tới nhờ
một sợi quang học. Chùm sáng sinh ra các cặp điện tử - lỗ trống trong thể tích của tinh thể
đặt dưới cửa sổ chiếu sáng. Để khởi phát (mồi), cần có cường độ sáng cực tiểu; cường độ
sáng này giảm khi thế anôt tăng. Mặt khác, bước sóng của ánh sáng tớ i cũng ảnh hưởng tới
sự khởi phát.
Sợi quang

Hình 6.7. Cấu tạo của phôtô thyristor.

Vai trò chủ yếu trong sự khởi phát là sự xuất hiện các cặp điện tử - lỗ trống trong vùng
điộn tích không gian của Jj: Khi đó, các điện tử và lỗ trống bị phân tách hầu như tức thời
bởi điện trường và chuyển dời về phía N ị và Pj. Như vậy, lỗ trống được phun vào miền điều
khiổn ?2 đóng vai trò dòng Irong Ihyristor.
Phôtô thyristor có ích lợi rất lớn khi người ta muốn nghiên cứu sự cách điện hoàn toàn
giữa mạch điện điều khiển và mạch chính. Chúng được sử dụng trong cáe mạch kiểm tra
quang điện, điều khiển và chuyển mạch bằng quang học.

6.3.2. DĨAC (đíốt chuyên mạch A-C)

Đó là một linh kiện đối xúìig theo kích thước hình học hoặc theo sự pha tạp giữa các
miền khác nhau. Đ iốt này là hai chiều nên có thể có trạng thái ON hoặc OFF k h i thế anôt
âm hoặc dưofng. V ì vậy, nó có thể dùng cho dòng điện xoay chiều. Có hai loại D IA C có
đặc trưng đó:
- Loại 1: Gồm 3 lớp bán dẫn NPN (hai lớp chuyển tiếp P -N ), trong đó hai vùng N
được pha tạp giống nhau và không có tiếp xúc bazơ. Mặc dù thế phân cực là dương hay âm,
thì một lớp chuyển tiếp phân cực thuận, còn lớp kia phân cực ngược, do đó có dòng bão
hoà chạy qua, chừng nào mà hiện tượng đánh thủng thác lũ chưa xảy ra. Hiện tượng đánh
thủng thác lũ xuất hiện khi thế đại đến giá trị V|JVVM’ lúc này dòng tăng lên đột ngột.

90 12.LKBD VI MACH B
 - Loại 2: Là điốt shockley lưỡng hướng
Đ iố t này đối xứng một cách tuyệt đối:

Trạng thái ON

Ký hiệu Trạng thái OFF

ề
V
,~ r
Trạng thái OFF

Trạng thái ON

Hình 6.8. Cấu tạo và đặc trưng của điốt Shockey.

6.4. TRIAC (TRIÔT CHUYỂN m ạ c h A-C)

6.4.1. Câu tao

Đó là một thyristor lưỡng hướng, vì thế nó biểu hiện một trạng thái OFF hoặc ON khi
có thế dương hoặc âm tác dụng vào anôt.

1
Pl

Ni

D
- W -
N2 N3

Bi

Bi

Hỉnh 6.9. Cấu tạo và dặc trưng của triac.

Đó là linh kiện có 6 lớp bán dẫn, vì vậy có 5 lớp chuyển tiếp P -N cùng với 3 chuyển
tiếp đoản mạch. Nó có hai cực B| B2 và một cửa G nối tắt hai lớp ? 2 và N v Mức độ pha tạp
trong các vùng P 1 N 1 P2 N 2 hoàn toàn giống như trong thyristor. Điện trở của vùng ?2 giữa lóp
chuyển tiếp N 2 P2 và cửa đóng vai trò chủ đạo trong sự khởi phát của triac. Các cực B| và B2
và cửa G có thể chịu thế cho phép cố định hướng phân cực của mỗi lớp chuyển tiếp.

91
6.4.2. Hoạt động
Hoạt động của linh kiện này khá phức tạp. Tuy nhiên, sự phân tích 4 kiểu khởi động
dưới đây cho phép suy ra các đặc trưng cơ bản của linh kiện này.
1) Nếu tác dụng một thế vào hai cực B| và Bj sao cho B| dương so với khi đó N,p,
và N|P| bị phân cực ngược. Nếu tác dụng một xung dòng dương vào cửa G, thì dòng điện tử
sẽ chuyển từ Bj tới G, nhưng phần lớn lại chạy vào vùng N| qua lófp chuyển tiếp PjN,. Mặt
khác,vì chuyển tiếp N|P| phân cực thuận, nên lỗ trống sẽ chuyển từ P| sang N,. Như vậy,
điện trường điều khiển trong sẽ biến mất nhanh chóng: tác dụng tích luỹ. Nó tạo nên
một dòng trong P 1 N 1 P2 N 2 và có tính chất như một thyristor. Kiểu hoạt động này rất hay
được sử dụng.
2) Nếu Bj > 0 (so với B|) và tác dụng vào G một xung âm, thì N 3 P2 phân cực thuận, nếu
điện tử được phun từ N, sang ? 2 , vùng N 2 không tham gia hoạt động. Tranzito N 3 P2 N 1 (N| ;
colectơ) khởi phát thyristor P,N|P|N 4 , vì dòng chạy từ B2 sang G, d.d.p giữa N| và G dần tới
0, do vậy N| có thể thấp hơn B2 . K h i G đủ âm, thì có dòng chạy từ P, sang N| và lỗ trống
khuếch tán tới P|. M ộ t dòng lớn chuyển qua chuyển tiếp P1 N 4 tớ i anôt N 4 của thyristor.
3) B| > 0 thì chuyển tiếp N 4 P, và N jP j phân cực ngược. Nếu có xung âm vào G (so với
Bj), thì có dòng chạy giữa B2 và G. Thyristor P 1 N 1 P2 N 2 sẽ được khởi phát. Thực vậy, điện tử
phát từ N, sẽ khuếch tán sang N|, làm khai thông thyristor PiN jPjN ,. K h i đó, sự lưu thông
dòng trong ? 2 kéo theo sụt thế làm đảo ngược thế phân cực của chuyển tiếp N 2 P2 và làm
khởi phát thyristor N .PiN jPj.
4) Nếu B| < 0 (so với B 2 ) và xung dương (so với B2 ) tác dụng vào G, thì chuyển tiếp
sẽ phân cực ngược, vùng N , không tham gia hoạt động.
K h i chưa có xung tác dụng, chuyển tiếp N 2 P2 phân cực ngược. K h i có xung tác dụng
vào G, thì điện tử phát xạ từ N 2 hướng tới P2 và khuếch tán vào N| qua chuyển tiếp N 1 P2
đang ờ trạng thái dẫn. Sụt thế trong các lớp khác nhau làm xuất hiện hiệu ứng thyristor
trong cấu trúc P2 N 1 P 1 N 4 .

6.4.3. ứng dụng của các linh kiện loại này

Các linh kiện loại này được ứng dụng rất rộng rãi trong điện tử và điện tử kỹ thuật. Sau
đây là một số ứng dụng thường gặp:
* Kiểm tra và điều khiển vận tốc của mỏtơ điện.
* Kiểm tra và điều khiển nhiệt độ.
* Kiểm tra và điều khiển cường độ chiếu sáng.
* Làm các mạch quét trong màn hình tivi...

6.5. TRANZITO MỘT LỚP CHUYỂN TIẾP P-N

Tranzito một lớp chuyển tiếp (unijunction tranzito UJT) hay còn được gọi là điốt 2 đáy
là một linh kiện có ba cực. Đặc trưng điện của nó cùng họ với thyristor. Nó có những ưu
điểm sau đây:
* Thế khởi phát ổn định.
* Dòng đỉnh có giá trị rất thấp.
* Đặc trưng ĩfw có đoạn trở âm.
* Có khả năng cung cấp một xung dòng lớn.

92
6.5.1. Câu tạo và cách thức hoạt động
Hình 6.10 minh họa cấu tạo của tranzito một lớp chuyển tiếp được tạo thành nhờ một
chuyển tiêp em itơ (bán dẫn loại P) - bazơ (bán dẫn loại N) và hai tiếp xúc ôm - mic B| và Bị .

oE OB

OB2
Hình 6.10. Cấu tạo của tranzito một chuyển tiếp.

* Nếu I[; = 0 (mạch em itơ hở), điện trở của thanh bán dẫn cỡ hàng nghìn ôm, vì vậy
dòng Iq2 rất nhỏ.
* K h i tác động thế VgB giữa B| và 6 2 - Nếu emitơ được nối trực tiếp với B|, thì chuyển
tiếp E/B, phân cực ngược, vì vậy khi thế giữa B| và B 2 tăng từ 0 đến Vrb thì cũng chỉ có
dòng rất nhỏ đ i qua mạch.
* Bây giờ ta tăng thế V|3 | và theo dõi thế ngược của chuyển tiếp, thấy thế ngược giảm từ
từ đến điểm Q, tại đó dòng bằng không (Ie = 0 ), nên lớp chuyển tiếp được phân cực thuận và
dòng thuận của em itơ xuất hiện. Vggi đạt giá trị cực đại (thế đỉnh Vp), sau đó giảm xuống thế
đáy (VJ. ở thế đỉnh, dòng Ie tăng, trong khi thế Vị^Bi lại giảm đến đáy. Điện trở động giữa
đỉnh và đáy là điện trở âm. K h i thế lớn hơn thế đáy, dòng tăng rất nhanh, vì vậy phải có
mạch để hạn chế dòng ở một giá trị chấp nhận được. Hình 6.11 mô tả các đặc trưng này.

Hình 6.11. Đặc trưng của tranzito m ột lớp chuyển tiếp.

93
 Các quá trình khởi phát của ƯJT có thể coi như một miạch điốt nối với hai điện trở
đóng vai trò một bộ chia thế (hình 6 .1 la). Nếu mạch emitơ hở (Ie = 0), ta có:
B!
R Bi ^B 2
B
R B2
Đ iốt đóng khi VgBi < + Vp (Vp : thế ngưỡng
của điốt).
EO
Còn khi V ebi > + Vp thì điốt phân cực thuận, > h - iA BB

hạt tải điện được phun vào bazơ. Các lỗ trống này
được gia tốc bởi Vgị kéo theo tãng độ dẫn điện của
Rb; làm cho giảm xuống, do đó có hiệu ứng trở
âm (giá trị từ 1 đến 2 kQ ).
Hình 6.1 la . Sơ dồ tương dương
V ớ i mỗi UJT, thế đỉnh Vp được xác định bằng của tranzito một lớp chuyển tiếp.
hệ thức:
Vp = TlV,, + Vo
Ĩ 1 ít phụ thuộc nhiệt độ; V [3 giảm khi nhiệt độ tăng.
Người-ta ổn định điểm khởi động của UJT bằng cách mắc một điện trở nối tiếp với đáy 8 2 -
K h i I > Iv, UJT có điện trớ dương nhỏ ( < 10fì ).
Tất cả các thông số của UJT có độ ổn định khá cao trong một khoảng nhiệt độ khá
rộng ( -70"C ^ 150"C).

6.5.2. Tranzito m ột lốp chuyển tiếp có thể lập trình PNPN

Thực chất, đây là một thyristor có cửa kép. Nhưng nó được gọi như vậy vì đặc trưng
vôn - ampe của nó có dạng giống như của tranzito một lớp chuyển tiếp và có thể điều chỉnh
được dòng đỉnh Ip và dòng đáy Iv
Hình 6.12 cho biết cách thức lập trình của linh kiện này nhờ cửa về phía anôt, cửa ở
phía catôt bỏ trống, cửa về phía anôt (G^) này được phân cực nhờ thế Vg, do vậy điốt được
tạo thành bởi anôt và cửã bị phân cực ngược, vì thế chỉ có dòng điện rất nhỏ, bằng dòng
điện ngược của điốt là đứọc phép cho qua (khoảng 10 nA).

Hình 6.12. Đặc trưng của tranzito một lớp chuyển tiếp có thể lập trình.

94
 K h i thế anôt Vg lớn hơn Vs, điốt sẽ phân cực thuận, do vậy dòng điện chạy giữa anôt
và cửa sẽ khởi phát thyristor. Dòng anốt lúc này bằng dòng đỉnh Ip ; giá trị của nó càng nhỏ
nếu điện trở Rc có giá trị càng cao (hình 6.12b). K h i thyristor dẫn, thế cửa về phía anôt vào
khoảng 0,5 V. M áy phát thế Vs cung cấp một dòng điện qua R q là:
V. - V,GA
I*GA = ^
R,
Dòng điện này có chiều ngược với chiều của dòng điện khởi phát.
Nếu dòng điện chính Ie quá lớn so với Iqa- thì dòng này không đủ khả năng để khoá trở
lại thyristor; Nhưng nếu Iẹ giảm và đi qua giá trị đáy l y mà đối với giá trị này thì I ga cho
phép m ở thyristor. Giá trị đó của ly càng lớn khi Rq càng bé.
Do vậy giá trị của R q phải được chọn lựa một cách đồng bộ và phù hợp. Hiện nay,
người ta đã chế tạo được các loại tranzito một lớp chuyển tiếp có thể lập trình với các đặc
trưng như sau: Thế cửa anôt cực đại 70V. Dòng anôt trung bình: 175mA. Công suất tổng
cộng: 300mW. Dòng đủih (khi Vs = lOV, R q = lOkQ): 5 |iA ; dòng đáy (khi Vs = lOV,
R q = lOkQ): 50|aA. Vận tốc tăng của dòng anôt d l/d t = 20A/f^s. V ì vậy tranzito này cho
phép lập chương trình rất chính xác các trạng thái dẫn và khoá của thyristor hay của triac.

6.6. THYRISTOR GTO (GATE TURN-OFF THYRISTOR)

Đó là một thyristor mà các trạng thái khởi phát (ON ) và trạng thái khoá (O ff) có thể
được điều khiển bởi thế tác động vào cực cửa G. Nó có tốc độ hoạt động rất nhanh, khởi
phát nhờ các xung dương và khoá nhờ các xung âm tác động lên cùng một cực cửa G.
Chúng rất được ưa chuộng trong các hệ thống chuyển mạch tốc độ cao, công suất lớn. K ý
hiệu, cấu tạo và sơ đồ tương đương của thyristor GTO cho trên hình (6.13). Lin h kiện này
được chế tạo nhờ m ột thiết bị cực kỳ chính xác để tạo ra các điện cực có khe và được pha
tạp rất chính xác nhờ phuofng pháp cấy ion.

A (Anốt)

n i
a.
p
G (Cửa)

n
K

a) K (Ca-tốt) b) c)

Hình 6.13. a) Câu tạo; b) Ký hiệu và c) Sơ đồ tương đương của T h y ris to r GTO.

95
6.6.1. Các đặc trưng thuận
Khi dòng anôt còn nhỏ hơn đòng m ồi I I , GTO hoạt động như m ột tranzito cao thế
có hệ số khuếch đại dòng tăng với sự tăng của dòng anôt. GTO sẽ bị cấm nếu có dòng
rò rất nhỏ chạy giữa anôt và catôt. Nếu dòng lưới lớn hơn giá trị m ồi IcT, thì GTO sẽ
dẫn và giữa anôt và caiôt nó có sụt thế nhỏ. Nếu dòng anôt lớn hofn dòng mồi II, thì
GTO vẫn giữ nguyên trạng thái dẫn ngay cả khi dòng lưới bị cắt. K h i thế lưới có giá trị
âm, GTO bị cấm.

6.6.2. Các đặc trưng ngược

Trong chế độ phân cực ngược, GTO tương đương một điện trở, không thể khoá bằng
bấl kỳ một điện thế nào và cũng không cho phép một dòng điện có giá trị lớn chạy qua.
Để khoá GTO trong chế độ phân cực ngược, cực cửa âm so v ớ i catôt K ; kh i đó, một phần
lỗ trống trong miền p bị hút vào cửa G; điều này ngăn cản điện tử phun từ catôt. V ì vậy,
lỗ trống bị hút vào cửa G càng nhiều thì càng ngăn cản điện tử phun từ catôt chừng ấy.
Trong quá trình này, catôt K đưa chuyển tiếp J3 vào trạng thái phân cực ngược; kh i đó,
thyristor GTO chuyển sang trạng thái đóng (O ff).

Bây giờ ta dùng sơ đồ tương đương 6.13c để mô tả trạng thái đóng của GTO. Từ sơ
đồ này, ta tính được;

Ig = o Cj I a - I go

Trong đó là hệ số khuếch đại dòng của tranzito , I a là dòng anôt còn I qx là dòng
điện ngược chạy qua cửa G. Dòng điện I q là dòng bazơ của tranzito T |. Rõ ràng là, khi
dòng IcTÍăng lên, thì dòng Ig giảm xuống.

M ặt khác, dòng tái hợp của điện tử ở trong lớp bazơ của tranzito T| được biểu thị
bằng:

Irb “ ( 1 ■
Trong đó a, là hệ số khuếch đại dòng của tranzito T,; I k là dòng catốt.

Từ sơ đồ, ta cũng tìm được m ối liên hệ giữa dòng anốt, catốt và đòng điều khiển ở
cực cửa I gj là:

~ I k + I go
Để đưa thyristor GTO vào trạng thái "O ff", thì dòng Ig phải có giá trị nhỏ hơn dòng
tái hợp I kb- Từ đó, ta tìm được điều kiện đối với biên độ dòng điều khiển IcT để trạng thái
này xảy ra là:

Ia
IgT ~ (^ 1 + Ct2 ■ ^)-
a

Để điều kiện này dễ dàng được thực hiện, thì phải chế tạo các G TO có điện trở bazơ
rất nhỏ; điểu này được thực hiện nhờ ghép các bazơ song song với nhau như trên sơ đồ
hình 6.13d.

96
 K

A
Hình 6.13d. cấu tạo thực tế của một thyristor GTO.

Ngoài ra, để dễ dạng thực hiện chế độ khóa

" O f f , người ta còn phải nối tiếp nó với một điốt
như trong hình 6.14. Nếu cần một dòng ngược
2 L
nào đấy, thì phải ghép đối song song GTO với
một điốt (hình 6.14b). Việc lựa chọn các điốt này
được xác định bởi dòng thuận trung bình I f(av)>
dòng đỉnh lặp lại I PRM. thế đỉnh lặp lại VpRM- Đó
cũng chính là thế của GTO.
a)
Các loại GTO thường gặp có 60 0 -
800-1000V với ỊựAV): 1 0 -1 5 - 25A, hoặc loại có Hinh 6.14. GTO trong chế độ ngược
1000-1300-1500V và - 2,2 và 6,5A mắc thêm điốt.
đóng trong vỏ dạng TO 220 có cánh toả nhiệt. a) Khoá ngược ; b) Dân ngược.

Loại 6,5A: Công suất cửa - catôt Pa(AV)' 2,5W, thế ở trạng thái dẫn V r : < 3V ; đV j/dt;
< 10kV/fis sau khi trạng thái khoá và dVj/dt: < 1,5 kV/p,s sau trạng thái dẫn. Dòng ở trạng
thái khoá Iß : < 3mA. Dòng mồi một chiều I I : < 1,2A. Thế m ồi của cửa IßT : > 1,5V,
dòiig mồi Ig-|. ; > 200mA. Thời gian xác lập t j ; < 0,25|as; t , : < l|as. Thời gian cắt t , : < 0,5^s ;
t| : < 0,25|_IS.
Dòng anôt cực đại có thể điều khiển được
GTO chịu được các đòng anôt trong trạng thái dẫn lẫn trạng thái khoá. Như vậy, một
GTO với dòng trung bình 15A cho phép khóa một mạch điện có dòng điện tới 50A. Chỉ có
một điều kiện là trong pha khọá, các tải có tính chất cảm ứng phải được hạn chế để đảm
bảo chắc chắn sự tăng của thế anôt - catôt.
Dòng điện cần điều khiển càng lớn, thì dV/dt phải càng nhỏ. K h i dV /dt cố định, thì
dòng sẽ tăng với thế âm của cửa. Điều này rất quan trọng và cho thấy rằng trở kháng
cùa mạch điều khiển phải càng nhỏ càng tốt khi m,à GTO bị dập tắt.
Hiện nay, người ta đã sản xuất các loại GTO có các thông số:
» DRM •: 600-800-1000V
u v / u — l u u u y ;, IIX(AV) • 10-15-25A và
va

VpKM ; 1000-1300-1500V ; I t(va) : 2,2 và 6,5A vỏ hộp T 0 22 0 có cánh toả nhiệt.

13.LKBD VI MACH A 97
 Chương 7

CÁC LOẠI TRANZITO TRƯỜNG

7.1. MỘT SỐ ĐỊNH NGHĨA CHUNG

Tranzito trường FET (tiếng Cực cửa; V,
Anh; Field Effect Tranzitor) là một
ov Cực dẫn: Vrj > 0
điện trở bán dẫn được điều khiển G D
bằng thế. Khác với tranzito thông
thường, trong FET chỉ có một loại Kênh
hạt tải cơ. bản của bán dẫn tham gia
dẫn điện. Linh kiện này có 3 cực, 0 —-V ,
I
hai cực đặt ở hai đầu của thanh bán
dẫn được gọi là cực gốc hay còn gọi
là cực nguồn (source) và cực dẫn Hình 7.1. Dòng điện I trong thanh bán dẫn.
{drain)-, còn một cực đặt ở giữa gọi
là cửa {gate)\ cực này được tác dụng trường điều khiển dòng hạt tải chạy trong kênh.
Trong một thanh bán dẫn có chiều dài L và thiết điện s có hiệu điện thế giữa cực gốc
và cực dẫn là V |3 như trên hình 7.1.
Dòng điện chạy trong đó sẽ là:

I d = ơ ^ V d = ^ q (n|a„ + pHp) V d

trong đó: n và p là mật độ điện tử và lỗ trống; |i„ và I-Iplà độ linh động của chúng.
Ta có thể làm thay đổi độ dẫn điện của vật Ịiệu cấu tạo nên FET bằng cách biến điệu
thiết diện dẫn cấp cho hạt tải điện, hoặc bằng sự biến điệu mật độ hạt tải chứa trong kênh.
Do vậy có nhiều loại FET áp dụng cả hai cách trên như:
1) Tranzito trường dùng chuyển tiếp P -N (JFET).
2) Tranzito trường dùng tiếp xúc kim loại “ bán dẫn (MESFET). Cả JFET lẫn MESFET
có cấu trúc hoàn toàn giống nhau, nhưng mỗi cái có những ưu việt riêng.
3) Tranzito trưòfng có cửa cô lập (MOSFET) hay còn viết đơn giản hơn là MOST
hoặc MOS.
Sb với tranzito lưỡng cực thì FET có rất nhiều ưu điểm: tạp âm ở tranzito trường chỉ có
nguồn tạp âm duy nhất là tạp âm nhiệt trong khi ở tranzito lưỡng cực thì ngoài tạp âm nhiệt
còn tạp âm do điện trở bazơ và của chính vùng chuyển tiếp gây ra.

7.2. TRANZITO TRƯỜNG JFET

7.2.1. Tranzito trường JFET kênh N

Tranzito trường JFET kênh N được thực hiện trên một đế bán dẫn (Si hoặc AsGa) pha
tạp rất ít, do vậy điện trở rất cao hình 7.2. Trên đế này người ta tạo một lớp epităcxi loại N

98 13.KBD VI MACHB
pha tạp ít; trên lớp này người ta thực hiện bằng khuếch tán hoặc bằng cấy ion một lớp pha
tạp mạnh loại F và cuối cùng là hai điểm pha tạp mạnh được khuếch tán ở hai đầu để
đảm bảo tiếp xúc ôm - mic của cực gốc và cực dẫn.

Cực gốc s Cửa G Cực dẫn D

JFET-kênh N JFET-kênh p
D D
+0 -o

Id

Jh.

Hình 7.2. Cấu tạo của các loại JFE T kênh N:

a) FET kênh N đối xứng ; b) Ký hiệu.
Kết quả. là ta có hai chuyển tiếp rất nghèo cấc hạt tải tự do. Khoảng giữa hai lớp này là
bán dẫn loại N gọi là kênh N.

7.2.2. Đặc trưng tĩnh của JFET kênh N

7.2.2.1. Nghiên cứu định tính

Giả sử cửa G và cực gốc s nối với nhau và nối đất, thế của cực dẫn là Vq. K h i V[J còn
bé, ta thấy dòng Iß tăng tuyến tính với Vq, vì chuyển tiếp giữa cửa và cực dẫn hầu như
không thay đổi so với trước. V ì Vps = Vos > 0 nên chuyển tiếp D -G phân cực ngược, khi
Vp tăng thì “ vùng sa mạc” sẽ lan rộng (hình 7.3a) làm thiết diện ngang của kênh bị thu
hẹp, điện trở của kênh vì thế cũng tăng lên, kéo theo sụt thế trong kênh cũng tăng. K h i
kênh bị đóng ở gần cực dẫn D (điểm P), thì dòng không tăng luôn luôn giữ giá trị bão hoà
Ipss- trong khi sụt thế trong kênh (tích Iß R es với R es là điện trở của kênh) tiếp tục tăng
mạnh. Nếu tiếp tục tăng thế Vd cao hơn thế Vp, ta thấy dòng Iß không đổi và bằng loss-
Nếu Vj 3 tăng cao sẽ xuất hiện thế đánh thủng: dòng tăng đột ngột trong khi thế VgR giữ
không đổi. Như vậy, ta có các đặc trưng JFET như trên hình 7.3c, với thế cửa Vq = 0.
K hi kênh chưa bị cắt, tranzito có tính chất ôin - mic. Đặc trưng tĩnh có độ dốc:
dV.
R,. =
dl a v „= o

dl
V ớ iV D > V p th ì » 0 có nghĩa là điện trở lố i ra của JFET có giá tậ rất lón.
dv, ỠVo=0

99
 D Í D s s l '^ _

iDsat

V,: nhỏ, V q = 0; a) Vo > 0 ; V g < 0 b) cắt kênh; c) Đặc trưng l(V)

Hình 7.3. Thret diện của kênh thay đổi với th ế V q.

Vai trò của ihế cửa Vq :

Thế này đảm bảo chuyển tiếp cửa/kênh luôn luôn phân cực ngược. Nếu tãng về giá trị
tuyệl đối Vq thì độ rộng của vùng chuyển tiếp tăng, thiết diện dẫn giảm xuống, vì vậy Ij3
giảm theo. K h i Vo = -V p thì JFET đóng hoàn toàn, tức là Id = 0. Chế độ này gọi là chế độ
khoá (cut - off).

Hình 7.4. Họ đặc trưng của JFET kênh N:

a) Lý thuyết; b) Thực nghiệm.

7.2.2.2. Nghiên cứu định lượng

Giả sử JFET kênh N đối xứng (hình 7.5). Để đơn giản mô hình, ta giả thiết:

o 0 ọ

Hình 7.5. Mô hình của vùng ĐTKG trong JFET.

100
 * Chiểu dài của kênh (L) ít nhất lớn gấp hai lần chiều rộng của nó.
* Hai cửa giống hệt nhau, dài z và pha tạp mạnh loại p.
* Chuycn tiếp cứa/kênh phẳng và nhấy bậc.
* Nồng độ lạp chất của kênh N,| và độ linh động của các hạt tải |a„ không đổi.
* Điện trường trong vùng điện tích không gian vuông góc với mặt phẳng chuyển tiếp
cửa/kênh (theo Irục Oy).
Còn Irong vùng trung hoà của kênh thì hướng theo trục Ox. V ớ i các gần đúng đó, cho
phép giải phương trình Poission chỉ theo phương Ox. Do vậy nếu thế cửa bằng 0 thì chiều
dày của vùng chuyển tiểp cửa/kênlì thay đổi theo X dưới dạng:

(v , + v ( x ) )

trong đó: V (x) là thế lại điểm X ở Irong kênh với Vc = 0 và V j > 0 :
Vj, là hàng rào thế của chuyểrì liếp cửa/kênh.
Nếu tác dộng thế âm vào kênh, thì;
1
\ -
2s 1
w (x) = (V, + v ( x ) - v „ ) (7^1)
q N
với V(; < 0.
Điện Irớ của đoạn dài dx của kênh là:

ƠN 2Z (a - vv(x))

Sụt thế khi có dòng Iu chạy trong kênh là:

1 dx
dV = I „ d R = - - - ...Ip
2 Z (a - w (x ))
Tích phân dọc ihco chiổu dài của kênh đại lượng dV(a - w (x)); dể ý đến hệ thức (7.1)
ta thấy rằng bícu Ihức dầu tiên th ỉ phụ thuộc V, biểu thức thứ hai chỉ vào X , do vậy:

íía - I — — (v,+ V ( x ) - V ^ ) ì dV= ------- dx

![ V q N-. ^ ^ ^ J / 2 q N ,M „Z

Tliế ờ Irong kênh thay đổi lừ 0 (thế của cực gốc 0) đến v „ (ihế của cực dẫn); còn X
thay dổi từ X = 0 dến X = L (chiều dài của kênh).

Sau khi lấy tích pliàn và dặt: G„ = là độ dẫn của kênh khi không có vùng
L
clìuvcn tiếp, ta tìm được;

= [~ ^ Í(V „+ V ,-V „)L (V ,-V „)ỈÌ (7.2)

L 3 \ qN^a^ 1, )_
Hệ Ihức này áp dụng cho Ihế V|J < V |,; thế mà lại đókênh bắt đầubị cắt; tại giá trị này
thì: \v(x) = a. Do vậy, hệ thức 7.1 kéo iheo;
. a N .a - ' ......................
V|,+ V|, = ; Thờ'cắt kênh nội (7.3)

101
 Khi đó biểu thức của dòag (ỉán được viel lại dưới dạng:
r

I.. = Go !V,. - - Ặ ĩĩ { (V„ +V, - v„)ỉ - {V, - v„) (mA) (7.4)

I \/ •> •'

Biểu thức này cho ihấv dònu dần tâng theo thế dẫn Vp với các giá trị khác nhau của Ihế
cửa Vf, cho đến tận giới hạn cúa miền bão hoà.
Xét một sỏ'trườn iị hợp ri.ừii<^\
* K h i Vp « Vh - V^. ( V( < 0 ), irường hợp này ta có thể khai triển:
(V „ + V , - = (V , - + 3/2 (V , - Vo)''^ V d +...
K h i đó biểu thức 7.4 trờ thành:
r
V.h - V,-tì
In = Gn ỉ1 - ■Vị3 (m A ) (7.5)
V

Hệ thức này cho phép rút ra một sỏ nhận xét:

* Ip thay đổi một cách luyến lính đối với Vp (miền tuyến tính).
* Thế cửa Vp càng âm, t h ì hệ sô đứng trước V |5 sẽ càng giảm vì thế điện trở giữa S--D
sẽ càng tăng. L in h kiện hoạt dộng như một điện trở được điều khiển bằng thế.
* K h i Vị, - V(. = Vpo Ihì diện trở giữa S-D trở nên vô hạn. Hệ thức 7.3 cho thấy kênh bị
đóng kín hoàn toàn khi thế cửa V(; = -Vp.
K hi kênh bắt đầu bị đóng thì thế S-D bằng Vd = Vj,^, - Vq ; vì vậy:
Vo1,. V , + v„ = V,, + V, = Vpo
hay: - v ,> „p „ + V , _ (7.6)
thay (7.6) vàO (7.4) ta tìm dược bicu Ihức của dòng D-S:
" 2 V - V
: (m A ) (7.7)
V PO
Hệ thức này biểu ihị dòiíg bão hoà theo thế cửa WerĐó là đặc triơĩg truyền. K hi V (5 = 0,
hệ thức trên cho biểu tliứũ của ìklo lìoìi cực đại'.

I„.., = - ' Ỹ “ + V. I (‘"A ) (7-8)

Đây là đặc trưng trong mén hữo lioà, cũng là miền mà tranzito JFET thường được sử
dụng như một máy phát dcm's, kliònỊ> dổi (Id không phụ thuộc vào Vp) được điều khiển băng
thếVo. •

7.2.3. Đặc trưng động và sơ đồ tương đương

7.2.3.1. Các thông sốđộmg của JFET

Giả sử JFET chịu thế D-S là Vy, thế GrS là Vc và dòng D -S là Iß. Đặc trưng động với
chế độ tín hiệu nhỏ được dặc trưng bằng hai đại lượng:
V \ \
dv„ + dV.
av,
;; I Oóiruycn tlẫit ị>,

102
 a) Độ dẫn
Trong miền tuyến lính, độ dẫn thu được bằng cách vi phân biểu thức 7.5 khi thế G-S
không đổi:

Vh- V ,
g., = G., 1 - (Q -') (7.9)

Độ dẫn g^i tỷ lệ với độ dẫn của kênh khi không có vùng điện tích không gian G„ và phụ
thuộc vào V g- Điều đó cho phép dùng JFET như một điện trở động được điểu khiển bằng thế.
b) Độ truyền dẫn
Trong vùng tuyến tính, độ truyền dẫn thu được bằng cách v i phân dòng điện I d theo
thế cửa V(, khi hiệu thế D -S không đổi:

Trong chế độ bão hòa, độ truyền dẫn thu được khi thế D -S bằng
Vh- V ,
ẽin ^ 11
( m A /V ) (7.11)
V

Hình 7.6 cho thấy độ lệch khá nhiều giữa các giá trị lý thuyết và thực nghiệm của độ
tru 3 'ền dẫn. Sự chệch lệch hày là do sự có mặt của điện trở tiếp xúc của cực gốc R>J. Nếu Ihế
giữa cửa và kênh là thì thế tác dụng thực sự sẽ là ;
V*.p = V a + Vs
vói Vy, là sụt thế trên điện trở của cực gốc Rỵ. K h i đó, biểu thức của độ truyền dẫn trở thành:
' ổ l' ' 1 1 g,n
v ổ ( V o + V ,) ,
õĩo ỠI„

7.2.3.2. Sơ đổ tumig đuưng của JFET

Chuyển tiếp P -N của cửa và kênh được phân cực ngược, nên giữa hai cực này xuất
hiện một điện dung. Nếu <w > là độ rộng trung bình của vùng điện tích không gian, thì điện
dung tổng cộng của cực cửa sẽ được tính bằng công thức:
^ _2ZLs
<w >
Khi kênh bị cắt, thì <w > = a/2, nên điện dung của cực cửa trở thành:
4ZLe
a
Mặc dù có điện dung phân bố dọc theo kênh, người ta cũng đưa vào sơ đồ tương đương
hai điện dung định xứ:
* Q.p! Điện dung giữa cực cửa G và cực dẫn D và điện dung giữa cực cửa và cực gốc s.
* CdsI Điện dung giữa cực dẫn D và cực gốc s.

103
 Các điện trở Iç;j5 và I>,s đại diện cho điện trở rò của G, trong khi Tps đại diện cho sự thay
đổi chiều dài của kênh theo thế D-S.
Giá trị tiêu biểu của điện trớ và điện dung của một JFET là:
R.S = 30Q; = 10'n; Fe,, = 10"’Q; Tos = 10"’Q
Q „ = 3 p F ; q ’ , lp F ;C „s = lp F .

'GD

c) Sơ đồ đã được đơn giản hoá

Hình 7.6. Độ truyền dẫn và sơ đồ tương đương của JFET.

7.2.3.3. Tẩn sổ'cắt của JFET

Đó là lần số sử dụng cực đại ihu được khi IIÓ không còn khuếch đại tín hiệu được nữa.
Dùng sơ đồ tưoíng đương ỏ trên, đoản mạch lối ra và thay g'^ = g„. Điều kiện để hệ số khuếch
đại bằng đơn vị đạt đirợc khi dòng qua điện dung lối vào i^, = 27rf(Co)Vcs = 27tf(Qis + Cpo) Vos
bằng dòng điện lố i ra của cực dẫn. Từ đó ta tìm được tần số cắt:

fc o = - ------- — (7.12)
2 n (C ,„+ C „„)

Thay Q; và bằng các biểu thức của chúng theo nồng độ tạp chất và kích thước của
kênh, ta thấy rằng tần số cắt tỷ lệ với (1/L"). Như vậy, JFET có độ dài cãa kênh càng ngổn
llìì lần sổ cái của nó s ẽ càng cao.

7.2.4. Công nghệ chế tạo JFET

Đc chế tạo được JFET có khả năng điều khiển được tín hiệu có công suấl nào đó, phải
có dòng ỉ|; đủ lớn. Ngoài ra, muốn JFET làm việc được ở tần số cao phải rút ngắn chiều dài
của kênh. Do đó, để thỏa mãn cả hai yêu cầu trên, cần mở rộng thiết diện của kênh. Tuy
nhiên khi dòng lớn, Ihì phải tính đến chuyện tỏa nhiệt, nên đế của linh kiện phải đủ rộng.

104
Các nhà thiết kế lìm dạng cấu trúc vuông, bởi vì \'ới kích thước này vừa cho bề mặl cực đại
mà kích thước lại cực tiểu.
Uiộn nay. cấu Irúc kicu "rãng lược" hay được dùng hơn cả. Cấu trúc này được vẽ trên
hinh 7.7. Với cấu trúc loại này, Uiì bề mật lỏa nhiệt chính là bề mặt ráng lược.
Đe nâng cao chất lượna của J[^ET,
dạc biệt là tăng dộ truyén dẫn và tối ưu
lính chất chuyen mạch của JFET, người
la làm chúng dưới dạng khía chữ V như
trên hình 7.8. ITmh vẽ đó mô tả hai
dạng khả clĩ cúa cấu trúc chữ V Ihuộc
loại này; Irong dó một ỉọa khía chữ V ở D
cửa (V' groove Gate FET); còn loại kia
khía chữ V ở kênh (V-groove Channel
F irr). Cấu irúc cho độ dài hoạt động
của kènh rất ngắn so vói cấu trúc
phắng. Do vậy, độ truyền dẫn cũng rất
lón. vì nó tỷ lệ vói 1/L. Linh kiện có cấu Irúc kieu này còn có điện trở thuận cũng rất nhỏ.

Hình 7,8. Cấu trúc khía chữ V của JFET.

7.3. TRANZITO TRƯỜNG c ó CỬA SCHOTTKY MESFET

Để tãng lần số hoạt động của tranzito trường, phải tìm cách làm tăng thời gian bay của
các hạl tải trong kênh. Để Ihực hiện được điều này, phải tác động vào 3 thông số của kênh:
1) Giảm chiồu dài của kênh; nhưng để tạo một cửa có chiều dài < l|.im thì kỹ thuật khuếch
lán khống thể áp dụng. V ì thế phải thay tiếp xúc P-N bằng tiếp xúc kim loại - bán dẫn (điốt
Scholtky). Kết quả đầu tiên của cấu trúc này là điện trường trong kênh rất lớn so với JFET.
2) Đ iốt Schottky, do không có sự tích trữ điện tích cơ bản trong vùng chuyển tiếp, nên
có vận lốc phản ứng rất cao so với tiếp xúc P -N thông thường.
3) Làm tăng độ linh động của điện tử bằng cách sử dụng các vật liệu có độ linh động
lớn cho điện tử; như GaAs hoặc InP.
FE T có độ lin h động của điện tử cao
Ta biết rằng thời gian phản ứng của một JFET liên quan trực tiếp đến thời gian truyền
của các hạt tải ở dưới cửa, vì vậy phải tìm cách sử dụng độ linh động rất cao của điện tử ở

14.LKBDVÌ MACHA 105

gần vùng chuyển tiép dị linh lliê nhu đã quan sál lniuc dâv. Níiav lừ 1980, nhiều linh kiện
mới sử dụng khí 2D duọc đicu k liia i ban li tho cứa clã ra đòi, lixHig số đó cần phải kể đến:
* M BM T: H ight M d b ilíi' i'iaüsistur
* MODFET; Modulaiu)!! Doped l-'icki lilìocn'raiìsisior.
* SDl n : S clecli\'cl\ Doped I Ictcl'osiii Licture fiansisior.
* TEG FET: Tw o tliiiicnsidiial Election Cías [•'icld liiic c t Transistor.
Iin M T là chuyên licp tlỊ linh the có Iiổni; dv) lạp chất dược điều chế G a A lA s(N '");
trong dó nồng dộ cúa khí 21) dược diếu chõ bail” iiàng rào Schottky; ứ dày cửa được thực
hiện trôn lóp G a A l As (hình 7.9). K hi ho.at dỏiiii hình ihirờng. lóp nàv bị “ sa mạc hoá” hoàn
toàn, còn lóp GaAs lại lliu nhận lâì cá các diẹn tử lự do.
Lớp phụ thêm ràt mánh lừ CìaAlAs khòne pha tạp ( 10“ cni ' ; lớp phân cách) cho phép
làm tăng dộ phân cáeh kliñ ii” ” ian aiũa các hal lài diện \ó'i các ion tạp chất của lớp
G a A lA s đã pha tạp (5,10 10"^cm '). Độ dày lòi ưu (100 đến 400A") thay đổi theo chất
lượng một dơn tinh thè.

GaAIAsN'"450-600A°
ỉ..... .....
GaAIAs không pha tap 60A°

GaAIAs gán như cách điện

Hinh 7.9. S ơ dố cấu tạo của m ột HEMT.

Linh kiện loại này có tấii số hoại (lộng rấl cao, nhưng cỏiig suất lố i ra tương đối thấp
(do khí điện tử có nống clộ giứi hạn) và tiòng cứa cung dáng ke. Tuy nhiên tần số hoạt động
siêu cao (30 -í- 60 ( i ỉ í / ) tiầ cliưiig lo úiìh tu\vt v ơ i cua nố, Do vậy mà ngay từ 1985, khi
Iranzito H E M T đítu úcn xuất hiện trên ihị trườn» da chinl) phục ngay được cảm tình của
các nhà công nghệ.

7.4. TRANZITO TRƯỜNG c ó CỬA c ó L Ậ P (MOS)

7.4.1. Ký hiệu và s ự phản loại

I ’ran/.ito MOS hav còn gọi là MOSFíiT (Meta! Oxyclc Semiconductor Field Effect
I ’ranzitor) là một linh kiện lioạt dộriiỉ \'ới các [uil tái diện cơ bản, số lượng của chúng được
dicii khiển bằng thè tác dụng vào cực cửa. Nèu các hạl tái diên là điện tử, ih ì đó là mộl
M()Sf^'['7r kônh N \'à dòiiũ diện SC chạ) từ cực dẫii sang cực gốc; khi đó thế của cực dẫn
(D) phải lớn hơn thế của cực »ốc (S) ( V|, > 0). Còn trong trường hợp khi hạt tải điện là lỗ
trống, thì ta có mộl M O Sl-rn' kênh P; dòim diệii SC chạy từ eốc (S) sang cực dẫn (D); do
vậy Ihê' của cực gốc phai lóìi hơn lliê cua cực d;in (V|, < 0).
Nguyên tắc hoại độnu của MOS kliác vứi nauycii tắc hoạt dộng của JFET: tranzito JFET
hoạt động dựa theo sự tha\ dổi lliiêì diện của kẽiìii dẽ Ihay dổi dòng điện giữa cực gốc và cực

106 14.LKB0 VI MACH B

dần; trong khi MOS lại dựa ihco sự thay (loi sô lượng các hạt tài có mặt ỏ trong kênh đổ dicu
chinh dònu diện. Dựa Ihco ntỉuycn lắc dó. iiuLà)i la chia MOS thành các loại như sau:
* M dS clựa iheo sự làm ní>lìc() liụl líii: Khi không có tín hiệu điều khiển Irên cửa,
chúng hoạt ciộng nhu một vậl (iẫn diệii bình ihường (normally ON); không có sự phân cực,
có các hạt tái diện tự do ớ dưới cửa (Cì). K hi lín hiệu điều khicn tăng lên, ihì số hạt tải rời
k h ỏ i k è i i h c ũ n g t ã n g . d o \ ậ y k é o t h e o d ò i i ũ d i ệ n Ij) g i ả m .

MOS dựa theo sự làm í^iùii hạt lãi: Bình ihường, khi không có tín hiệu điều khiển ớ
trên cửa. Ihì tran/.ito nàv dóng (normallv OFI-). Nghĩa là khi Ihế giữa cửa và cực gốc bằng
khốn« lliì kênh chứa lấl ít hạl lái điện tự do (loại N hoặc P). Khi tăng thế cửa, với sự phân
c ự c l i ợ p l ý . I h ì c á c h ạ t [ ả i d i ệ n SC d ư ợ c h ú t v à o k ê n h , l à m t ă n g đ ộ d ẫ n đ i ệ n c h o k ê n h ; k ê n h
trớ (hành niộl vậl dẫn diện. Hình 7.10 biểu ihị 4 loại tranzito MOS cùng với các ký hiệu
tương ứng \ à các dặc trưng truyền dòng dẫn theo thế giữa cửa và cực gốc cũng như các đặc
trưng lối ra (dòng dẩn Ihco ihế giữa cực tiẫn \ à cực gốc) \’ới các giá trị khác, nhau của hiệu
thè giữa cửa và cực uốc.

107
7.4.2. Câu tạo và nguyên tắc hoạt động
Tranzito MOS kênh N
làm giàu dược tạo thành lừ
một dế silic hoặc GaAs phci
tạp ít loại p, trong đó có chứa SiỌa
hai ngăn pha tạp mạnh loại
đê làm công tắc cho các
cực gốc s và cực dẫn D (hình
7.11). Giữa hai ngăn pha tạp
mạnh này người ta phủ một
lớp cách điện SiO-,, trên đó
lại phủ m ội lớp kim loại
mỏng để làm cực điều khiển
(cửa G). Trên mặt đối diện
của đế, người ta cũng phủ OB
một lớp kim loại mỏng để
làm chân cho cực đế. Thế Hình 7.11. Cấu tạo của một MOS kênh N làm giàu.
điều khiến được tác dụng vào
cả cửa G và đế B (đế B thường được nối với cực gốc S). Dưới lớp Sì O t ở cực cửa G là kênh,
dài L, nối liền giũa D với s. K hi G có thế dương so với đế, thì xuất hiện sức hút điện tử vào
kênh; do vậy hiệu ứng làm giàu cũng xuất hiện. Còn khi chưa phân cực, trong kênh hầu như
không có điện tử. do vậy giữa s và D không có dòng chạy qua. Tranzito tự động đóng.
Vg > V t Vg« V t

a) Z C E ; Vùng điện
tích không gian

Vg > V t H )= V D sa , Vg > V t Vd > V d„ ,

Hình 7.12. Nguyên tắc hoạt động của MOS kênh N.

Nếu V(. > V , (thế ngưỡng), thì lớp đảo sản sinh một kênh N nối liền cực gốc với cực dẫn
(hình 7 .12a). Do vậy khi có thế v , „ thì dòng điện xuất hiệh giữa s và D; tranzito trở nên dẫn.
Đặc trưng I|,(V „) tuyến tính, tranzito có ihể được coi như một điện trở thông thưcmg.
Nhưng khi Vp tăng nữa, thì lớp đảo lại giảm về phía cực dẫn hofn là phía cực gốc, nên

108
dặc trưng In(V,y) trớ nên không tuyến tính (hlnh 7J0). Bắt đầu từ giá trị Ihế V d sa t; gọi là Ihế
bão hoà, ihì ớ gần cực dản không còn lóp dảo nữa, cực dẫn và cực gốc bị tách rời nhau. Chế độ
dó gọi là chế dộ cắt. Dòng diện tương úng với thế đó gọi là dòng bão hoà (hình 7.12b).
Khi Ihế V [3 > điếm cắt dịch chuyển dần vế phía cực gốc (hình 7.12c). Thế trên kênh
dẫn vẫn giữ không đổi và bằng còn độ chênh lệch thế (Vy - sụl ticn độ dài AL của
vùng điện tích không gian có điện trở rấl lớn. Các hạt tải được đẩy tới cực dẫn nhờ điện
irường (V|J - v,,^ J/A L . Dòng điện giữ không dổi và bằng dòng bão hoà (hình 7.10).

7.5. NGHIÊN CỨU ĐỊNH LƯỢNG ĐẶC TRƯNG TĨNH CỦA MOS

7.5.1. Tính toán đặc trung tĩnh

Giả sử MOS kênh N phẳng, độ linh động f.i* của hạt tải không đổi trong toàn bộ chiều
dài L cúa kênh. K h i đó độ dẫn điện lại một điểm nào đó trong lófp đảo được cho bởi:
ơị,„ (x, y, z) = (X, y. z)
Độ dần của một yếu tố thể tích dxdydz (hình 7.13) là:
dydz
d ’g = G„„ (X, y, z)
dx
Sỏ hạt tải của lóp đảo không đổi theo hướng 0 Z :
n,„, (x, y, z) = n,„, (x, y), nên:
dy
cl g = zqp* n„„ (X, y)
dx
lích phân Iheo độ dày y,,,,. của lớp đảo lạ i điểm X, la được:
y.nv

dg
(X, y) -------
dx dx

dy ^ Qni (^ ) điện lích của lớp đảo trôn khoảng cách X tính lừ cực gốc s, do vậy:

= -z n * Q „„,(x )/d x (7.13)

dx

Q inv(^)

Hình 7.13. Mò hình tính toán đặc trưng của MOS,

109
 Trong phần nhỏ này của kênh có dòng Ip chạy qua gây ra sụt thế dV, thoả mãn hệ Ihức:
lo = dg.dV, vì thế:
Ip dx = - Z ) i * (x) d v (7.14)
Dòng dần Ihu được bằng cách tích phân biểu thức 7.14 từ X = 0 (V = Vs = 0) tới X = L
(V = V(^). sau khi đã tính được biếu thức của Qị„,. (x). Biểu thức này dược cho bởi:
Qi,„.(x) = - q (V,, - V (x) - 2 0, ) + (2qN„s (V (x) + 20,))"- (7.15)
trong dó; C| là điện dung của SìOị Irên một đơn vị bề mặt. qO| = E|.p - E|., và
V (x) là thế tác dụng tại điểm X .
ITiay (7.15) vào (7.14) ta được:

I,idx = ( V c , - V ( x ) - 2 0 ,. ) + — (2 q N ,s [V (x ) + 2 0 , ] ) " ' dV

Sau khi lấy tích phân ta được:

V o -2 0 ,- Vo- (2 q N ^ 8 )'^ ' X

L 3C

x (v ,+ 20. r - ( 20, f (7.16)

Hệ thức này cho thấy, với mộl thế cửa Vp cho trước, dòng I [3 tăng với sự lăng của thế
V| 3 . K ếl luận này được nghiệm đúng cho đến khi kênh bị cắl (Vq = và hoàn toàn
giống như trường hợp JFET. Nếu chiều dày của lớp o xit nhỏ so với chiều dày của vùng
điện tích không gian, thì điện dung Cị có giá trị lớn, do vậy 1/C| rất nhỏ so với Cị ngoài ra
thay V.|. = 2 0 , là thế ngưỡng:
Đó là thế cửa cần thiết để thu được một lớp đảo mạnh ở trong kênh. K h i đó, hệ thức
7.16 được đofn giản hoá thành:

(2 (V „-V ,)-V „)v „(m A ) (7.17)

7.5.2. Chế độ tuyến tính

K h i hiệu thế giữa cực dẫn và cực gốc còn nhỏ, thì tranzito MOS hoạt động trong chế
độ tuyến tính. Nghĩa là khi Vu « Vy thì hệ thức 7.17 trở thành:

Id = ( V c - V t) v „ ( m A ) (7.J8)

Trong các tranzito MOS thực, độ linh động của hạt tải |LI* không phải là hằng số, nhất
là đối với các tranzito có kênh ngắn, vì điện trường theo trục Ox trở nênrất lớn, gây nên
hiện tượng bão hoà vận tốc của hạt tái. Trong trường hợp này, biểu thức của độ linh động
Ị.I* có dạng khá phức tạp.

7.6. ĐẶC TRƯNG ĐỘNG CỦA TRANZITO MOS

7.6.1. Độ dẫn điện và độ truyền dẫn

dl
Độ dẫn điện được tính bằng =
dV, V.

no
 IVoim miền tuyến tính (Vp « V | ), từ hệ thức 7.18 ta thu được:

(Vc, - V ,) ( Q ‘ m- ' ) (7.19)

Độ dẫn diện ihay đổi một cách tuycVi tính theo thế cửa V(-. Nghịch đảo độ dẫn điện là
diện trở ciia MOS ở trạng thái ON.
dl
Độ truyền dẫn, theo định nghĩa g,
dV, V,

1 'rong miền tuyến tính độ truyền dân được xác định bằng:
7ịl*c.,
(7.20)

'li'ong chế độ bão hoà, độ Iruycn dàn được tính bằng biểu thức sau:

(7.21)

M ột MOS lý tướng có dòng Ip hầu như không đổi; điều đó tương đương vớ i điện
trứ giữa cực gốc và dẫn bằng vô cùng, về phương diện thực nghiệm , đặc trưng Id(Vd)
có độ dốc dương nào dó, vì vậy trong miền bão hoà, giữa cực gốc và dẫn có điện trở
dV
I' ds = , bằng dộ dốc của đặc trưng tĩnh.
dl

7.6.2. Sơ đồ tương đương và giới hạn tần số

Sơ đồ tưcyng đương của MOS gần giống như của JFET: gồm một máy phát dòng g,„Vc„
diện dung giữa G/S là Q;s và G/D là Cf;o các điện trở của cực gốc Rs và của cực dẫn R,,.
Ngoài ra còn có điện dung giữa đế với cực gốc và với cực dẫn C du và CsB-
Nói chung điện trở lối vào cúa MOS lớn gấp 1000 lần điện trở lối vào của JFET, độ
Iruyồn dẫn thì gấp đôi hoặc gấp ba lần, còn điện trở cùng độ lớn (cỡ lOOkQ).
Cũng giống như tranzilo JFE1\ tẩn số cắt của MOS tlm được:

'm _ (7.22)
f.=
2 7ĩCf. 2 7xL
Như vậy, đổ tăng tần số cắt của MOS phải giảm chiều dài L của kênh.

'GD D
J -ị h-T----
ịc a o
T1 gmYcsY ■IC ds
’GS
r t C bs

C bs^ * \ C bd
B (Đế)

Hình 7.14. Sơ đổ tương dương của MOS.

111
7.7. CÁC LOAI TRANZITO MOS 0 Á € BIÊT

7.7.1. Các bo nhó vính ci/u - Cáu truc MIOS

Bo «há vính cúli l huc hicii nlio l la n/ iiu \U )S có cúa Juoc bien dieu de có thê tích
(n íd ira c dien tích. Dé í i i l ii chiíc náng l'iày. .iia tiiio'c c¡ui tao hái liai lóp phán biét:
* M o l ló'p o x il silic (SiOO. dáy c5' vái chuc .
* M ót ló'p n ilri silic (Si N,). dáy lír 5()iO '.den 6(X) A ’.

M N O SÍ3 N4

i 1,1eV Ec
Eps

Ev
Si-N

80A
B
a) S a do nânÿ lifí/nu d fraiií^ lliái cáii búng el) Trang tliúi dan

F.N
Ec
E fs

Ev

Ec Ec

E fs Eps

Ev Ev

c) ¡ ron}’ thúi khoá f) Can tgo cúa MIOS

Hinh 7.15. Cáu trúc va gian do náng lucing cúa m ót MIOS.

112
 Như vậy người ta được một cấu trúc: Metal - Insulator - Oxyde - Semiconductor
(MIOS) cho trên hình 7.15. V ới cấu trúc này, linh kiện có thể đưa vào hoặc lấy ra những
diện tích ở giao diện Nitrure - Oxyde và sự có mặt hoặc (vắng mặt) của chúng sẽ m ở hoặc
(dóng) kênh. Đicu này cho phép thực hiện chức năng nhớ:
* Ghi. bằng cách phun điện tích vào giao diện Nitrure - Oxyde.
* Xoá, bằng cách dời điện tích khỏi vùng phân cách.
* Đọc. bằng cách trắc nghiệm độ dẫn điện của kênh.
Thời gian lưu giữ điện tích trong linh kiện này có thể đến 100 nãm. Sau đây sẽ khảo
sát mộl cách dịnh tính hoạt động của cấu Irúc này trong chế độ vùng phẳng với thế Vc ở
các giá trị khác nhau (hình 7.15a).
* K h i thế Vp dương và có giá trị tưcmg đối lớn (cỡ + 15V), thì điện tử của bán dẫn sẽ
chuyển động từ vùng dẫn sang giao diện SÌO2 - Si,N 4 xuyên qua một lớp oxit rất mỏng
(hiệu ứng Fowler Norheim), hoặc từ vùng hoá trị bằng hiệu ứng tunnel (hình 7.15b).
* Khi thế V (5 trờ về 0, thì điện tử ở giao diện SÌO2 - Si,N 4 không thể quay trở lại bán
dẫn. vì các mức nãng lượng của nó dối diện với vùng cấm. Do một số lớn điện tử bị bẫy,
nên bán dần bị đảo mức, vì thế kênh đã được mở (hình 7.15d).
K hi thế cửa Vç, chuyển sang giá trị rất âm (cỡ -1 5 V ), thì các điện tử đã bị giữ ở giao
diện SiO, - S i,N , có Ihể quay trở vể bán dẫn; do vậy giao diện trở nên trung hoà điện, vì thế
kênh sẽ đóng (hình 7.15eì.
Như vậỵ cấu trúc M IOS có thể tạo nên một EPROM (Electrical Erasable Programmable
Read Only M em oiy), nhưng vận tốc ghi thấp (cỡ vài ụS). Nếu tăng mật độ trạng thái ở giao
diện, có thể giảm đáng kể thời gian ghi và xoá.

7.7.2. Các bộ nhớ vĩnh cửu - cấu trúc FAMOS

Cấu trúc FAM O S (Floating - gate Avalanche ™injection MOS transistor) là m ột dạng
cấu trúc khác đế tích irữ các điện tích (hình 7.16a). Trong trường hợp này, các hạt tải
được tích trữ trong một cửa nổi được tạo thành bằng silic đa tinh thể nằm trong m ột miền
oxit dầy cỡ lOOOA".
Để lích điện cho FAMOS, chuyển tiếp cực dẫn/đế được đặt trong chế độ thác lũ nhờ
thế ngược có giá trị lớn. Do vậy, trong số các điện tử đi qua vùng điện tích không gian thì
một sô đã được phun vào cửa nối qua lớp điôxit silic (SÌO2 ). Chúng bị hút bởi hiệu ứng chia
thế do điện dung liên kết giữa cửa nối với cực gốc và cực dẫn (hình 7.16b). Các điện tích
âm tích tụ trong cửa nổi sinh ra lớp đảo p ở trong đế, do vậy tranzito sẽ dẫn.
Các điện tử ở trong cửa nổi được giữ trong một giếng thế sâu, nên th ờ i gian chúng
được lưu giữ ở đấy cực kỳ dài. Sự phóng điện của cửa nổi này chỉ có thể được thực
hiện nhờ ánh sáng cực tím đủ mạnh để đưa điện tử từ chất cách điện vào vùng dẫn.
N hờ vậy mà cấu trúc này tạo nên một bộ nhớ EPROM có thể lập chương trìn h và xoá
bằng ánh sáng.

ISLKBOVIMACH,A 113
 |S Cửa để nổi p

SÌO2

a) b)

Hỉnh 7.16. Cấu tạo của FAMOS.

7.7.3. T ranzitç MOS công suất - cấu trúc VMOS và UMOS

SiO

Si-epitaxie N

Đế loạiN^<100>

UMOS

Hình 7.17. Cấu tạo của VM O S và UM OS công suất.

Hình 7.17 vẽ sơ đồ cấu tạo một tranzito VM O S (V e rtical MOS) và một dạng biến
tướng của nó: UM O S (ư - shaped grooved MOS). Chúng được thực hiện trên một đế
silic có mặt định hướng < 1 0 0 >, nhừ ăn mòn hoá học theo hướng trục tinh thể vuông
góc với mặt phảng này (nghiêng một góc 54"7). Như vậy cửa có dạng chữ V , có hai
kênh song song lồn tại nối hai cực gốc với một cực dẫn chung. V ì cực dẫn D được làm
bằng dế bán dẫn êpităcxi có kích thước lớn, nên nó có khả năng điểu khiển dòng điện
và công suất mạnh.
Cấu Irúc này cho phép tiêì kiệm đáng kể vị trí không gian trong các v i mạch tổ hợp và
cũng cho phép ghép song song nhiều tranzilo loại này trên cùng một “ chip” , do vậy nó có
thê lạo được các vi mạch công suất.

1H 1S.KBD VI MACH.B
7.7.4. Cấu trú c CMOS
Cấu trúc này dược Ihực hiện nhờ hai Iranzilo MOS bù trừ nhau, m ội Ccíi kênh N, một
cái kênh F. Cấu Irúc này dặc biệt thuận lợi để ihực hiện các chức năng logic, nhấl là các bộ
dao. Mìiih 7.18 mô tả kết cấu này.

Lối vào G

+v cc

Ĩ2

Lối vào G Lối ra D

o- >—o

b)

Hình 7.18. Cấu tạo của bộ đảo CMOS:

a) Cấu tạo ; b) Sơ đổ của bộ đảo CMOS.

'lìc n dế bán dản loạiN, khuếch tán hai ngãn loại p (hình 7.18). Tiếp theo lại khuếch
tán hai vùng N ' và p' đổ thực hiện hai tranzito MOS. Tuy nhiên, trong cấu trúc này, nếu thế
dương hoặc âm dủ lớn tác dụng vào cực gốc hoặc cực dẫn, thì có thể xuấl hiện một kênh
dảo giữa miền và đế N hoặc giữa miển và ngăn p. Trong thực tế, người ta làm dưới
dạng hình xuvến hoặc đế silic loại N được thay bằng đế saphir (SOS CMOS, Silicon On
Saphir CMOS Technology).

115
 C hư ư iig 8

CÁC LINH KIỆN QUANG - ĐIỆN TỬ

8.1. CÁC ĐẠI LƯỢNG QUANG - ĐIỆN TỬ BÁN DẪN

8.1.1. Những khái niệm chung

M ột linh kiện bán dẫn có khả nãng hấp thụ hoặc phát xạ sóng ánh sáng được gọi là linh
kiện quang - điện tử. Các linh kiện loại này được chia thành hai loại:
* Nếu chuyển đổi ánh sáng thu được thành các đại lượng điện, thì linh kiện đó được gọi
là cái phát hiện quang học ipholocietector).
* Nếu phát ra tia sóng khi cung cấp nãng lượng điện cho nó, thì linh kiện đó được gọi
là cái phát xạ quang học iphoioemettor).
Trong một lin h kiện quang - điện tử luôn luôn có sự trao đổi nãng lượng giữa tia sóng
(ánh sáng) và vật chất (vật liệu bán dẫn). Tia sóng được đặc trưng bằng bước sóng, còn bán
dẫn được đặc trưng bằng dộ rộng vi)iìg cấm E„.
K hi vật liệu bán dẫn được chiếu sáng các phôton có thể bị hấp thụ hoặc không, tuỳ thuộc
vào bước sóng của tia sáng chiếu xạ và vật liệu bán dẫn hình 8 . 1 .

N e

hv

—Ey 0 *
a) Sự phát sinh cập điệnì tử-lỗ tiống b) Sự hấp thu quang học trong bán dẫn

Hình 8.1. Sự bức xạ và hấp thụ phôtôn.

a) Nếu Epi, = hv < Eị. - E, - thì phôton không bị hấp thụ vì không có trạng thái dành
cho chúng.
b) Nếu Epi, = Eị,, thì phôtơn bị hấp thụ và s inh ra cập điện tử - lỗ trống.
c) Nếu Epi, > E^, thì các cặp điện tử - iỗ trống được tạo ra, còn phần năng lượng dư sẽ
chuyển thành nhiệt năng làm móng vật liệu bán dẫn.
M ột vật liệu bán dẫn chỉ có thể hấp thụ hoặc phát xạ một số tia sáng xác định, được
gọi là đặc tnờìg phổ của mó. Đó là dải bước sóng (mầu của ánh sáng) mà vật liệu bán dẫn
có phản ứng. H ình 8.2 cho thấy đặc trưrìg phổ của một số vật liệu tiêu biểu.

116
 0.2 0.4 0.5 0,6 0.7 0.8 1,0 1.2 1.4
Cực tím Vùng khả kiến Vùng hồng ngoại

Hình 8.2. Đặc trưng phổ của một số vật liệu.

8.1.2. Sự hấp thụ quang học

Chiếu một tia sáng đơn sắc sao cho hv > E„ và thông lượng của tia tới (I>|(E) (Số phôton
có năng lượng E đạt đến bề măt Irong mộl đơn vị thời gian); gọi R(E) là hệ số phản xạ, thì
thông lượng của phôton đi vào trong tinh thể bán dẫn sẽ là;
0), (E) = 0 ,(E )(1 ~ R (I? )).
Người la định nghĩa hệ sô' hấp thụ a của vật liệu bán dẫn bằng sự thay đổi của thông
lượng phôlon trên một đơn vị dài:
1 dO
(cm ') (8.1)
dx o
a dương khi dO âm: có nghĩa là có sự hấp thụ tiạ sóng. Tích phân (8.1), chú ý điều kiện
giới hạn tại bề mặt chiếu sáng 0 (E , 0) = o , (E) (hình 8.1b), ta tìm được:
0 (E , X) = o , (E) [ (1 - R(E)]. exp ( - a(E) x) (8.2)
Thay biểu thức của , sẽ tìm được thông lượng của phôtôn có năng lượng E ở độ
sâu X trong bán dăn.
Hệ s ố phàn xạ R(E) phụ thuộc bản chất của bán dẫn và điều kiện bề mặt, giá trị của nó
phụ thuộc chủ yếu vào góc tới của tia tới. Sự phản xạ cực tiểu khi tia tớ i vuông góc với bề
mặt mẫu, trong trường hợp nắy được xác định bằng biểu thức sau:

(n + l) 4 - (À ,a/4Ti)'

ở đây n = nj/rij, n, là chiết suất của không khí,

ĨÌ2 là chiết suất của bán dẫn
a là hệ số hấp thụ,
X là bước sóng của tia sáng tới.

117
 Đói với lấl cá các loại bán dẫn, A.a/4TI rất nhỏ, còn n có giá trị nằm trong khoảng giữa
3 và 4, do vậy hệ sô' phản xạ hầu như không phụ thuộc năng lượng tia sáng. K hi đó hệ sô
phán xạ dược tính bằng:

n -
R=
1
JẨ L zi (8.3)
n + 1
iV í + 1 ,
Ct là hằiig số diện mòi tương đối của bán dẫn. Hệ sô' phản xạ cỡ lừ 0,25 đến 0,35. Nếu
phủ lớp chống phản xạ (có chiết suất ), có thể giảm đáng kể hệ sô' phản xạ.

Nêu hệ sô hấp thụ bằng không thì tia sóng chạy qua bán dẫn không bị suy giảm
(trường hợp bán dẫn tinh khiết với những phôton có năng lượng E < Ej,). Còn nếu a (E) > 0,
thì vậi liệu hấp thự tia sóng, do vậy tia sóng giảm theo hàm mũ với khoảng cách đã đi qua.
Những phôton bị hấp thụ tạo ra những cặp điện tử - lỗ trống. Tỷ số phái sinh các cặp điện
tử - lỗ trống đúng bằng tỷ sô' các phôtôn đã bị hấp ihụ:
G(E, x) = - dO(E, x)/dx
Tính đến (8.2) ta được;
G(E, x) = 0 | (E). [1 - R]. a (E). exp ( - a (E) x)
Rõ ràng hệ sỏ'plĩát sinh hạt tải G(E, x) phụ thuộc hệ số hấp thụ a (E).
* Nếu a (E) nhỏ, thì tia sóng bị hấp thụ ít, chúng xuyên sâu vào trong vật liệu và tạo ra
ít hạl lải trên một đơn vị thể tích, nhưng trong một thể tích lớn.
* Nếu a (E) lớn, thì tia sóng bị hấp thụ mạiịh, các hạt tải được tạo ra trong một thể tích
hẹp ớ gần bề mặl.
Hình 8.3 vẽ sự thay đổi hộ số hấp thụ của một số vật liệu theo bước sóng của tia tới.

Hinh 8.3. Hệ số hấp thụ sóng của một số vật liệu.

8.1.3. Tỷ lệ bức xạ phôton. Hiệu ứng Laser

Khi tương tác điện tử - phôton SC xuất hiện điện tử và lỗ trống dẫn. Điện tử ở vùng hoá
trị, dưới tác dụng của phôton có thê nhẩy lên vùng dẫn. Đó là cơ chê hấp thụ sóng phôton
xáy ra irong các bộ thu nhận và phát hiện tia sóng.

118
 Điện tử Irong vùng dẫn, có thê’ tự động nhẩy vé bắt các trạng thái trống Irong vùng hoá
ti Ị, kèm theo phái xạ phồton. Quá trình này gọi là phát xạ tựđộníị. Nếu một phôton có mặt
trong bán dẩn gày ra sự chuyến dời cứa điện tử từ vùng dẫn vào vùng hoá trị với sự phát xạ
kích thícli các phòlon thứ cấp có cùng năng lượng. Quá trình này gọi là phái xạ kích íliíclì.
Đó chính là CO' chế hoạt dộng cúa laser bán dẫn.
Các liạt tải do tương tác phôton - diện tử này gây ra làm thay đổi sự phân bô' các hạt lải
Irong vùng dẫn và vùrig hoá trị của vật liệu bán dẫn. Do vậy mức Fermi cũng bị thay đổi so
vứi khi chưa được chiếu sáng. Đó là mức clìiuíii Fermi cho hai loại hạt tải: E|^, và E|V Sự phân
bò của các hạl lải này trong vùng dẫn và vùng hoá trị tuân theo phân bố Fermi - Dirac:
E -E ,,"'
í ;. (E) = 1 + exp
KT
-1

và: fv (E) = 1 - exp E - E|'

KT

0 trạng thái cân bằng nhiệt động, ta thấy ngay: E|^. = E|V = E,.. Các mức chuẩn Fermi
này tham dự vào việc tính toán tỷ lệ phát xạ R(E) của phôton có nãng lượng E bởi vật liệu
bán dần;
R(E) = (E) + N(E). R ,,,. (E) - N(E). (E) (8.4)
Trong dó N(E) là mật dộ phôton có năng lượng E, ở trạng thái cân bằng nhiệt động,
được dịnh nghĩa bằng:
1
E
cxp
KT
Số hạng dầu tiên trong (8.4) R,,, (E) tương ứng với tỷ số phát xạ tự động. Số hạng thứ
hai là bức xạ kích ihích; còn sò hạng thứ ba đặc trưng cho sự hấp thụ tia sóng.
1 íai số hạng sau phụ thuộc vào mật dộ tia sóng (tức là mật độ photon) có mặt trong vật
liệu; dại diện cho sự chuycn dòi hiệu dụng được kích thích bỡi tia sóng (phôton). Đó là sự
phát xạ và hấp thụ. đặc trưng bằng hệ số:
R„. (E) = R , l. (E) - (E).
R„(E) gọi là tỷ sỏ' bức xạ kích thích. Nếu R,| (E) > 0 thì quá trình bức xạ, ngược lại là
quá trình hấp thụ.
Tỷ sò' bức xạ kích thích và tỷ số phát Xiì tự động liên hệ với nhau bằng hệ thức:
, .. E - AE
R,,. (E) = R,,,. (E) X 1 - exp
KR
vứi; AE = E , - E,„
Điều kiện để có bức xạ kích thích khi và chỉ khi R„(E) > 0; nghĩa là AE > E. Đây cũng
chính là điều kiện để có hiệu ứng laser, do năng lượng của tia sáng phát xạ chỉ có thể lớn
h(ín độ rộng vùng cấm E„, vì thế điều kiện trên tương đương với AE > Ey. Như vậy các
chuán mức Fermi trong vùng dần và vùng hoá trị đã tạo ra sự đảo lộn nồng độ hạt tải giữa
dỉnli vùng hoá trị và đáy vùng dẫn như trong hình 8.4.

119
 Hình 8.4. Sự đảo nồng độ trong hiệu ứng Laser.

8.2. CÁC LINH KIỆN PHÁT HIỆN TIA SÓNG

Đây là các linh kiện có khả nãng phát hiện một tín hiệu quang học bằng các quá trình
điện. Đó là tế bào quang dẫn, phôton điốt, pin mật trời và nhiều loại khác. Phổ của các tín
hiệu này trải từ miền hồng ngoại xa cho đến tia cực tím.

8.2.1. Tế bào quang dẫn

Dưới sự chiếu sáng, trên bề mặt bán dẫn có thể tạo ra các cặp điện tử - lỗ trống. Các
hạt tải dư vừá được tạo ra này khuếch tán vào trong và bị tái hợp. Các hạt tải này làm thay
đổi độ dẫn điện của bán dẫn. Do vậy, nếu đặt một hiệu thế ở hai đầu thanh bán dẫn thì
dòng điện sẽ tăng. •
Giả sử khi chưa chiếu sáng, độ dẫn diện của bán dẫn là:
ơ „ = qn|a„ + qpHp
K hi có chiếu sáng, nó trở thành; ơ = ơ„ + Aơ do sự thay đổi số hạt tải (An = Ap)
A a = q^i,, ( 1 + Hp/|.i„) An = q|^„ An nếu » ịip.
Sự thay đổi độ dẫn AG kh i đó có thể viết:
/ \ dydz
AG = A a (x ,y ,z ) —

Nếu sự chiếu xạ đồng đều trên toàn bộ mặt phẳng xy

(xem hình vẽ 8.5) thì:
A ơ (x, y, z) = A ơ (z ); khi đó;
1 ‘'r
A G = - jA a ( z ) dz
L 0
Cần luu ý là; Để cặp điện tử - lỗ trống được lạo ra thì năng lượng của phôton tới phải
lớn hơn độ rộng vùng cấm, nghĩa là phải thoả mãn điều kiện;
hv hc
E c -E v ^ (E .-E ,)
V ớ i c là vận tốc ánh sáng. Từ đây, cũng tìm được bước sóng tớ i hạn :
hc 1,24
x . . =
E, - E , E .( e V )

120
 Hiệu năng của một tế bào quang dẫn được xác định bởi 3 thông số:
* Hệ sô khuếch đại.
* Thời gian trả lời.
* Ngưỡng phát hiện phổ ánh sáng.
lYong chế độ dừng thì tỷ số sinh g, (phụ thuộc sự kích thích từ bên ngoài) của các hạt
tải phải bằng tỷ số tái hợp. Nếu là thời gian sống của hạt tải, thì tỷ số tái hợp là l/t„. Nếu
p„ là công suất của tia sáng tới, thì số phôton có năng lượng hv đập lên diện tích L. t trong
một giây sẽ là: p,/hv.
M ặt khác, nếu n là mật độ hạt tải (điện tử) trong bán dẫn có độ dày d lớn hơn khoảng
cách đâm xuyên của lia sáng, thì trên một đơn vị thể tích của vật liệu ta có:

t„ dư
Dòng quang dẫn là kết quả của sự tồn tại điện tnrèmg E sinh ra trong cái quang dẫn bằng :
Iph = Ơ-E. f .d = qn.n„.E. í á = qn.v„. í .d
thay I.d = (ĩ]P ,/hv ). t„/L ta sẽ thu được:

v „ t„
hvj
Nhưng L/v„ = ty là thời gian điện tử truyền giữa hai điện cực và Ir = qr|P,yhv là dòng
quang dẫn hiệu đính. V ì ’.'ậy hệ số khuếch đại;
G = ipiA = t,Ai-
Từ đó suy ra rằng: điện tử có thời gian sống càng dài và cái quang dẫn có kích thước
càng hẹp thì hệ số ỉchuếch đại càng cao (thay đổi từ 1 đến 1 0 ®).
Đặc trưng I(V ) cùng với ký hiệu cấu tạo của một quang dẫn được vẽ trên hình 8 .6 a.
Điện trở tối từ 1 đến lOOMQ, điện trở chiếu sáng từ 300D đến 3kQ. V ì quang điện trở
không có chuyển tiếp P -N , nên không cần phải tính đến chiều của thế phân cực. Tuy nhiên
cần lưu ý dến quán tính của linh kiện; Điện trở tối được thiết lập ngay sau khi tắt nguồn
sáng một chút trong khi điện trở chiếu sáng được thiết lập nhanh hcrn. Tần số cắt của quang
dẫn tương đối thấp (cỡ 20Hz đến 1kHz), vì để tái hợp, các hạt tải cần một thời gian tương
đối lớii.

8.2.2. Công nghệ c h ế tạo

Cấu tạo hình học của tế bào quang dẫn có dạng như trên hình 8 .6 c. Hình dạng này cho
phép AG có giá trị tối ưu, do c lớn và L ngắn. Vật liệu bán dẫn được lắng đọng trên một đế
cách điện (cỡ mười ^m ). Các cực kim loại được hoá hơi qua một mặt nạ bảo vệ lớp nhậy
sáng. Vật liệu bán dẫn sử dụng phụ thuộc vào vùng phổ cần phát hiện và thời gian trả lòi
mong muốn.
Các lớp đa tinh thể CdS và CdSe nhậy với ánh sáng nhìn thấy, được dùng nhiều vì hệ số
khuếch đại cao, hằng số thời gian cao (đến lOs), giá thành hạ. Trong miền hồng ngoại (1 -í- 4ụ)
người ta dùng PbS. Còn hợp chất H g ,C d |T e cho phép thực hiện các tế bào quang dẫn có
cực đại nhậy cảm giữa 5 và IS.lO ^m .

16.LKB0VIM ACHA 121

 Đế kim
loại

Chất nhậy
quang
! Í U U

b) Ký hiệu c) Cấu tạo

Hình 8.6. Các đặc tru ìig của m ột quang dẫn.

8.2.3. Đ iốt quang điện (photodíode)

Sự tạo ra các hạt tải điện không cơ bản Tĩếp xúc ohmic Vùng DTKG Tiếp xúc ohmic
irong các miền trung hoà N và p, sự phái sinh
m 1 i
cặp diện tử lỗ Irống trong vùng chuyến tic'p
yy^^^^^*t
p N do chiếu lia sáng làm tăng giá l i ị dòng hv
JuU ✓
ngược của điốt quang điện. Các hiện lượng
này được minh hoạ trên hình 8.7.
hv K
y'y
* 1Yong các miền trung hoà, điện tử của
miền p và lỗ trống của miền N được sinh ra
trên những khoảng cách cỡ độ dài khuếch tán, 1
nên chúng có thc dạt tới vùng chuyển tiếp nhờ X', Xn Xc
sự khuếch tán. Điện Irường của vùng điện lích
không gian sẽ dẩy chúng sang nhũng vùng mà Hình 8.7. Sự phát sinh hạt tải
ử đấy chúng lù các hạt tải cư bản. Các hạt tải trong phôto - điốt.
này phụ thỏm vào dòng quang dẫn nhờ sự
khuếch tán.
* Trong vùng địên tích không gian (ĐTKG), điệh trường phân ly các cập điện tử - lỗ
trống, điện tử bị đẩy sang vùng N, còn lỗ trống sang vùng p. Chúng tạo nên dồng phát sinh
(/¡íơní> diện.
Cả hai dòng nói trên phụ thêm vào để tạo nên dòng quang điện' Ipi, cộng với dòng
ngược của chuyển tiếp P-N . Trong các đicu kiện đó, nếu Rs - 0 thì biểu thức của dòng qua
vùng chuyên tiếp trở thành:
qV
exp - ( mA) (8.5)
KT
Trong một điốt quang điện, dòng ngược khi chưa chiếu sáng gọi là dòng lố i. Đặc trưng
1(V) của chuyển liếp P -N được chiếu sáng lệch xuống dưới so với dòng tối.
Tính dòng quang điện
Dòng quang điện là tổng của ba dòng bổ sung:

122 16.LKBD VI MACH B

 * Dòng khuếch tán của quang diện lử từ miền 1’ .
* Dòng phát sinh quang điện trong vùng ĐTKG dầy w.
Dòng khuếch tán của quang lỗ Irống của miền N.
Nêu sự tái hợp irong vùng Đ1’KG có thế loại irừ và độ dày của micn N rất lớn so với
Lp \'à 1/(X. còn độ dày của miền p lại rất nhỏ so với 1/(X, thì ta thu được:

J„h = - exp ( - a w ) ( 8 .6 )
1 + aL.

dcĩu trừ vì dòng đi từ miền N sang miền p (dó là dòng ngược).

Để thu dược dòng quang điện lớn, cần phải có a w » 1, trong trường hợp này thì
nghĩa là dòng quang điện lỷ lộ tuyến tính với thông lượng của lia sáng tới.
Một dại lượng quan trọng của quang điốt là dộ nhậy quang Spi, = Alp|,/AE (200m A/lux cho
quang điốt (}e và lO nA/lux cho quang điốt silic). Các quang điốt gecmani có độ nhậy
quang lớn, song dòng tối của nó cũng không nhỏ (J0 |J,A), do vậy để phát hiện các tia sáng
yếu người ta hay dùng quang điện silic hơn (có dòng tối 10 pA).
Thời gian trả lời của một phôtó điốt phụ thuộc vào sự khuếch tán của các hạt tải không
cơ bản trong các vùng trung hoà (hằng sô' thời gian từ l đến lOns) và vào thời gian truyền
của các hạt tải qua vùng Đ T K G (với hằng số thời gian từ 10 đến lOOps). Do vậy, để nhận
được các phỏion điốl nhanh, thì lia sáng phải được hấp thụ chủ yếu trong vùng ĐTKG.
Điổu này dược ihực hiện bằng cách làm X |, rấl mảnh và độ dày w lón hơn 1/a một ít.
I liệu suấl bắl của một phôtô điôì là tỷ số của số các điện tích quang điện đi qua vùng
chuycn tiếp với sỏ photon tới (r|^. = J|,|,/qF| ). Hiệu suất này phụ thuộc bước sóng của tia
sáng và các thông số cấu trúc của linh kiện.

8.2.4. Các loại phôto đ itố t đặc biệt

8.2.4.1. P hôtôđiốtP IN

Đây là loại Ihưỉmg gặp nhất. Đổ lãng độ rộng vùng Đ TKG cho phần lớn các cặp quang
điện tử lỗ trống được tạo ra ở đây, người ta dùng cấu trúc PIN (xem chương 4).
Nếu thế phân cực ngược tác dụng vào điốt đủ lón, thì điện trườiig trong vùng I rất
manh, do vây các hat tải quang điện đạl vận tốc giới hạn rất nhanh. Những phôlo điốt loại
Iiàv Ihuòìig có lốc độ phản ứng nhanh và độ nhậy cao.

Hình 8.8. Cấu tạo của phỏtô đ iố t PIN.

123
8.2.4.2. Phõtô điốt thăc IÜ

Các linh kiện loại n.à> dưọc dùng rộiiig irãi trong các hệ tliống thông tin viễn thông bằng
sợi quang.
Nếu tạo các quang điỌn từ trong \ ùmg; ĐTKG khi thế phân cực ở lân cận vùng thế đánh
thủng thác lũ V(JR, thì hiện tượng tliác Ịũ Stẽ 'SỚID xảy ra: do v ậ y dòng quang điện sẽ tăng lên
nhanh chóng; có nghĩa là h'ệ sò khuếch đạii của linh kiện nàỵ rất cao (có thể đạt tới hàng
trăm lần). Tuy nhiên cần cliiú ý là hệ sô' khiuếcli đạ i phụ thuộc mạnh vào thế phân cực ngược
và vào nhiệt độ.

Lớp nhựa
trong suốt

Xuyến giữ
n- Xjjyén giữ

Hỉỉnh 8.9. Câu tạ© của phtôtô diốt thác lũ.

8.2A.2. P h ô tô -đ iố t Schottky

Linh kiện này được cấiu tạo lừ một (đc- silic loại N, trên đó được lắng đọng một lớp
mỏng (thường là vàng). Các cặp điện tử - lổ tirống được tạo ra trong vùng chuyển tiếp Schottky
tạo ra dòng quang điện. Lớp kim loại có tthiể bán Itrong SUỐI, dặc biệt trong SUỐI với các tia
gần cực tím.

8.2.5. Pin m ặt trờ i

Đó là các phôtô đk5t htoại tdộng không cầrii mguồn phân cực bên ngoài nhưng lại cho
dòng điện chạy qua trở tải R |.
Đ ối với một điốt thông ihưràig, thì líich số V .1 của thế và dòng qua điốt luôn luôn là
một số dương; điều đổ có nịghĩa là nó hápi tlhụ námg lượng (hình 8.1 Oa). Nhưng nếu điốt đó
được chiếu sáng thì đạc trưing I((V) khômg c òn đi qua gốc toạ độ nữạ (hình 8.10a). K h i đó
có thể có tích số V .I < 0, có nghĩa là đ iố i cấp nãng lượng cho tải.
Pin mặt trời gồm m ột clhuyển tiếp P -N nằm rất gần bề mặt chiếu sáng được cấu tạo từ
một vùng N"" (bán dẫn loại N pha lạp rất caco đổ giảm điện trở nối tiếp) và một miền p pha
tạp ít hơn. Lớp kim loại tiếp xúc phía trên C(ó dạng đặc biệt để làm tăng sự hấp thụ tia sáng
(hình 8 . 1 0 d).
Nếu loại lừ điện trở nối tiếp., thì dòng 'điiện chạy qua tải (hình 8.10c) sẽ tìm được:
I = l” , - I [ 9XP (q V /K T ) - I 1 (mA) (8.7)
Số hạng đầu tiên trong (8.7) là dòng qmang điện của điốt phân cực thuận bởi thế do
dòng chạy qua điện trở tải R| sinh ra.

124
 I i ^

hv
I
xo
V N
Dòng tối
Rl
Icc
Chiếu sảng

b) Cách nối pin mặt trời với tải

a) Đặc trưng 1 (V)

0.5 nm
Si-P
iũSLsH

2cm

Icm

c) Sơ đồ tương đương d) Cấu tạo nhìn từ trên xuống

Hinh 8.10. Đặc trưng và cấu tạo của pin mặt trời.

K h i đoản mạch (R l = 0), thì thế V = 0, ta tìm được; = Ipi,.

Còn khi hở mạch (I =: 0), thì thế điện động của pin sẽ là:
^I ^ KT , Iph
v„. = — log - ^ + 1

v ls q Is
Công suất mà pin có thể cung cấp cho tải luôn luôn bé hơn lích sô' v„,. 1^
.^.Muốn tãng
công suất này, phải tăng dòng quang điện- động và phải giảm dòng bão hoà I, của vùng
chuyển tiếp P -N của pin.
Bây giờ xét xem khi nào thì công suất tỏa ra trên tải đạt giá trị cực đại?
Công suất toả ra trên tải là:
qV
p = V. exp
KT
. dP
Công suất này đat giá tri cưc đai k lii: = 0, nghĩa là:
dV
qV ,
exp - 1 0 . -3— T exp
:v_ q V =
K Tỉ y J rv 1 * ỉ
Từ đó tìm được giá trị thế cực đại xác định theo phương trình:
^ ^ exp
■ qv.m _
■
= I +
'
KT KT

125
 Phối hợp với (8.7) sẽ xác định được dòng cực đại:
qv„. i
Im = l ^ exp
KT KT
Công suất cực đại = v^. biểu diễn bằng diện tích của hình chữ nhật được gạch
chéo trên hình 8.11, cỡ bằng 80% công suất v^,,. Biết được thế và dòng cực đại, có thề
tìm được điện trở tải tối ưu:
V... KT
R..
-I»pt= exp
I KT
Giả trị điện trở tải tối ưu cỡ 1 ôm cho phôtô điốl có bề mặt nhậy quang khoảng 30 cm \
Nếu điện trở nối tiếp của pin không thể loại trừ trtước giá trị điện trở tố i ưu, thì biểu thức
của dòng điện qua tải (8.7) được viết lại:
q (V - R ,I)'
exp - 1
_ \ KT / _
Hiệu suất của pin giảm một cách đáng kể, nếu điện trở nối tiếp lớn hcín 0,4 ôm. Giá trị
tối ưu là dưới 0 , 1 ôm.
Hiệu suất của pin m ặt trời
Đó là tỷ số giữa công suất điện cực đại tỏa ra trên tải và công suất ánh sáng do các tia
mặt trời mang tới:

Yí “ m m
~ p
* .ml
Công suất của các tia sáng mặt trời tới bề mặt pin là tích phân Irên một miền phổ củạ
thông lượng các phôton tớ i, nhân với năng lượng của một phôton.

p., = s. 0 ( x )h v d ? t (W).
0.2 um

trong đó s là diện tích bề mặt tế bào pin mặt ười.

Cồng suất này phụ thuộc độ cao và v ị trí thiên đỉnh của mặt trời. Giá trị của nó vào
khoảng 100 mW/cm^ ở độ cao của mặt biển khi mặt trờ i ở thiên đỉnh. Còn công suất điện
cực đạt được mô tả trên hình 8 . 1 1 sau đây:
ạ I cc _ ^ Điện trỏ tải
tối uu

2 0 0 400 6 0 0 mV
Hình 8.11. Công suất cực đại của pin mặt trời.

Cấu tạo của m ột trạm pin m ặt trời

M ộ l Irạm pin mặt trời gồm những phần như sau:

126
 Môdun pin quang điện {photovoltaiqiie)-. môđun này đã được: (jự tính để nuôi một ắc quy
12V với công suất cực đại klioảng 10, 20, 40W hoặc hơn. Nỏii yeu câu thế 24V hoặc 36V thì
phải ghép nối tiếp 2 hoặc 3 môđun với nhau. Nếu muốn có cõng suíít cao hon thì phải ghềp
song song nhiều mô đun. V ớ i một trạm lớn, tấm panô chứa pin qiuang diẹn có kích thước khá
lớn vì nó chứa nhiều môđun này. Tấm panô chứa các pin mặt Iròi nà\' phải được đóng chặt
xuống đất để có thể chịu được sức gió tới 180km/giờ và với sự lh:av đổi nhiệt độ từ ^ 0 "C đến
+85"C. Ngoài ra nó còn được bảo vộ chống ăn mòn. Chúng dược hướìig về phía .mặt trời ở
vùng xích dạo tốt nhất là được đặt ở những nơi cao để hấp thụ điưực nhiéu tia sáng M ặt Trời
nhất và cũng có thòi gian được chiếu sáng lớn nhất, vói góc khônig nhỏ hơn 30'’ so với phưcmg
nằm ngang. Trên mỗi môđun được trang bị một hộp dây n(5i chứa các dây nối chịu được
nhiệt độ và thường được nối với điốt chống đi ngược dòng. Cáp nối phải có thiết diện đủ lớn
và phụ thuộc vào chiều dài của nó để giảm bớt mất mát do điện trở ohmique. Cũng cần tính
đến các môđun khác nhau không có cùng một đặc trưng nhu nhau \'à đôi khi cái này thì bị
tối trong khi những cái khác thì lại không. Trong trường hợp nàiy phải điều chỉnh lại sự cân
bằng của các môđun nhờ một điốt bảo vệ mắc song song. Như \'ậy, người ta có thể tránh
được hiện tượng “ các điểm nóng” trên các tế bào pin quang điện.
Bộ ắcquy. Việc tích trữ năng lượng là việc không thể thiếu được kh i trạm hoạt động về
đêm. Để thực hiện việc tích trữ này, người ta dùng các bộ ãcquy, về nguyên tắc có thể dùng
các ắcquy chì hoặc ắcquy cadmi - nickel. Sự lựa chọn phụ Ihuộc vào: loại ứng dụng, các đặc
tính điện (tự nạp điện cho tải, hiệu suất, độ duy trì) vào các điều kiện sử dụng (thời tiết, chu
kỳ phóng nạp điện, các tiếp xúc cơ học), v.v...
Bộ phận điều khiển nạp và phón g điện
Chức năng điều khiển tải là:
- Hạn chế tải cho ắcquy để tránh quá tải và giảm bót sự tiêu thụ chất điện phân.
- Bảo vệ nhờ việc cắt sự sử dụng đổ chống sự phóng điệti làu ảnh hưởng đến tuổi thọ
của ắcquy.
- Nạp điện nhanh cho ắcquy để đưa nó vào hoạt động phục vu. sạụ mồt chu kỳ thiếu hụt,
- Điều khiển thế lối ra đến nơi tiêu thụ. Hình 8.12 là thí dụ của một bộ điều chỉnh như vậy.

o o o
o o o
o o o
Tải
Pa-nô pin
mặt trờỉ

Điều khiển Điều khiển

phóng
nạp
----- ----------
6 KD h
1. Nguồn thế bổ trỢ 2 ,4 .Bộ dỉều khiển tuyến tính
3. Giá trị thực 6 . Điốt khoá
5. Thế bổ chính 7, Phần điều chinh ac quy
Hinh 8.12. Sỡ đồ diều khiển nạp và phóng điện của một trạm pin mặt trời.

127
8.2.6. Phôto tranzito
Phôtô tranzito là một tranzito lưỡng cực có bazơ nhậy với các tia sáng. Nếu bazơ để nổi
(nghĩa là khòng nối với bất kỳ chàn nào), thì khi chưa chiếu sáng, trong tranzito có dòng rò
I q o chạy qua. K h i hazơ dược chiếu sáng, dòng quang điện Iph xuất hiện trong phôtô điốt
tạo bởi chuyển tiếp colectơ-bazơ và điều khiển hoạt động của tranzito. Do vậy dòng colectơ
đo được:
= p Iph + IcBO-
Dòng điện chiếu sáng của phôtô tranzito chính ià dòng quang điện của phôtô điốt
colectơ - bazơ nhân với hệ số khuếch đại của tranzito. Chính vì vậy mà phôtô tranzito có hệ
sô khuếch đại cao hơn phôtô điốt hàng trăm lần (từ 100 đến 400 lần), nhưng có nhược điểm
là dòng tối lớn; ngoài ra, do độ dày của bazơ lớn, nên hằng số thời gian của các quang hạt tải
cũng lớn; điều đó kéo theo tần số cắt của phôtô tranzito nhỏ hơn nhiều so với của phôtô điốt.
Cấu tạo và tính chất của phôtô tranzito được mô tả trên hình 8.13. Trong đó có họ đặc
trưng lố i ra thay đổi theo thông lượng chiếu sáng. Độ nhậy quang được quan sát là vào cỡ
(iA /lux, khi thông thượng chiếu sáng ở ngoài vùng 3000 lux, thì độ nhậy quang không còn
thay đổi một cách tuyến tính nữa.

*Ci 3000 Ix
hv mA
ị 1 B r
10 1000 Ix

‘tlfll.. .TJ3|
oxít nhựa bào vệ hv
300 Ix
\ \
100 Ix
N -
'ce
0.1
0 s 10 15
a) Cấu tạo b) Ký hiệu c) Đặc trưng lối ra

Hình 8.13. Cấu tạo và đặc trưng lối ra của phôtô tranzito.

Để tăng tần số cắt, người ta nối bazơ với emitơ, nhưng cách này lạ i làm giảm độ nhậy
khoảng 60% khi điện trở R be = lOOkCÌ.
Người ta còn thực hiện một v i mạch gồm hai tranzito để làm một lin h kiện gọi là phôtô
Darlington có độ nhậy quang khá cao (300 I^A/Iux). Tuy nhiên, do hiệu ứng phản hồi làm
tãng điện dung bazơ colcctơ nên làm giảm tần số cắt. Thời gian phản ứng điển hình cho
phôtô điốt là 0,01|.IS ; 5|^s cho phôtổ tranzito và 50|.IS cho phôtô Darlington.

8.3. CÁC LOẠI LINH KIỆN PHÁT QUANG

8.3.1. Sự phát xạ ánh sáng trong bán dẫn

Sự chuyển dời của điện tử giữa vùng dẫn và vùng hoá trị với sự bảo toàn vectơ sóng K,
sẽ kèm theo bức xạ một phôtôn. Đó là chuyển dời bức xạ; trong chuyển dời này, năng
lượng của phôtôn phát xạ bằng hiệu các mức năng lượng trước và sau k h i chuyển dời.
hv = E ;- E ,
Hình 8.14 mô tả tất cả các quá trình chuyển dời khả d ĩ có thể xảy ra trong một vật liệu
bán dân:

128
 5 6

hv
hv hv

Hình 8.14. Các quá trình tái hợp bức xạ khả dĩ.
R,: Quá trình tái hợp với vùng giữa:
(1) Điện tử của vùng dẫn với lỗ trống của vùng hoá trị. (2) Đ iện tử nóng và lỗ trống.
(3) Đ iện tử và một lỗ trống nóng.
Rj: Q uá trình tái hợp vùng với tâm tái hợp giữa:
(4) Điện tử của vùng dẫn với lỗ trống của tâm accepto. (5) Điện tử của tâm đôno với lỗ ừống của vùng hoá ừi.
R 3: Q uá trình tái hợp tâm với tâm giữa:
(6 ) Đ iện tử của tâm đôno với lỗ trống của tâm accepto.
Bước sóng của ánh sáng phát xạ (|am) đo bằng 1,24/Ej, (eV) cho quá trình Rị và bé hơn
đối với các quá trình R 2 và R 3 . Những vật liệu bán dẫn hiện có cho phép phát các tia sáng
có vùng phổ phủ toàn bộ vùng khả kiến.

8.3.2. Đ iốt huỳnh quang

Đ iốt huỳnh quang là một chuyển tiếp P -N phân cực thuận. Do vậy các điện tử cơ bản
từ phía N được phun sang miền p qua vùng chuyển tiếp và tái hợp với lỗ trống; ngược lại,
lỗ trống lại phun từ p sang N tái hợp với điện tử. Trong quá trình tái hợp, năng lượng được
giải phóng dưới dạng tia bức xạ. Chính vì vậy điốt loại này được gọi là điốt phát quang
LED (Light Em itting Diode). Hình 8.15 là sơ đồ cấu tạo và nguyên tắc hoạt động của LED.

N
0 ©©e G
0 eee©

Hình 8.15. Cấu tạo và sự tái hỢp trong LED:

a) Cấu tạo ; b) Sự phát xạ phôtôn.

Sự tái hợp được thực hiện trong cả ba vùng, nhưng do mức độ pha tạp và độ dày của ba
vùng này khác nhau nên mức độ tái hợp cũng khác nhau. V ì điốt hoạt động theo phân cực
thuận, nên miền chuyển tiếp P -N rất hẹp và có điện trường yếu, nên các hạt được gia tốc ra
khỏi vùng này; do vậy các hạt tải bị tái hợp rất ít. Sự tái hợp chủ yếu xảy ra trong vùng p và
N có chiểu dày cỡ L„ và Lp, do vậy hiện tượng phát sáng chủ yếu xảy ra ở đấy. Tuy nhiên,'
điên tử nhanh hơn lỗ trống (|J,„ » ụ ), nên tỷ lệ dòng phun của nó vào vùng p lớn hofn của

17.LKBDVI MACHA 129

lỗ trống sang vùng N, từ đỏ suy ra rằng tỷ suất tái hợp điện tử - lỗ trống trong miền p lớn
hơn trong miền N, có nghĩa là miền p sáng hơn miền N. Do đó bề mặt phát sáng phải lấy
phần p của chuyên tiếp p N, Ngoài ra, dể tăng cường độ phát sáng, người ta pha tạp mạnh
các vật liệu tạo nên lớp chuyên tiếp; kéo theo độ rộng vùng cấm giảm về phía p nhiều hơn
phía N, như vậy sẽ thúc dáy sự phun điên tử.
Trong dòng phun này có 4 thành phần phàn biệt:
í V \
x

.* Dòng phun điện tử: J„ = q n'

qV
exp - 1
L,.N IktJ /
\
D., fq v ^
* Dòng phun lỗ trống: J = q ir exp - 1
L,, N„ Ikt. /

Dòng tái hợp trong vùng chuyến tiếp rộng w (có giá trị kh i có các tâm lái hợp trong

vùng này): J„ = qn, ^ e.xp

20 K 'r
* Dòng tunnel xảy ra khi nồng dộ tạp chất lớn và thế phân cực thuận nhỏ. Hiệu suất
phun y ỉà tỷ số giữa dòng sinh ra do tái hợp bức xạ trên toàn bộ dòng phun. Nếu chuyển
tiếp được phân cực mạnh, thì dòng điện tử sẽ rất lớn, còn dòng tunnel có thể loại trừ. K h i
đó, hiệu suất phun được tính bằng:
1 1
y=

13„ Lp
Các đặc trưng quan trọng nhất của một điốt phát quang là:
* Phổ phát xạ.
* Hiệu suất.
* Hiệu quả biến điệu và lần sò cắt.
lỉước sóng của lia sáii^ phái ra (máu của ánh sáng phát xạ); phụ Ihuộc vào độ rộng
vùng cấm của bán dăn ỊỌíỳ. p và nauYcn tố tạp chất; vì các nguyên tố tạp chất tạo ra các
mức tạp chất ở trong vùng câm, nên có tliổ có các chuyển dời bức xạ giữa các mức này như
đã xét đến trong phần 4.1.
Trong vùng phổ khả kiến, các điốt phát quang được thực hiện từ hợp kim của 3 nguyên
tố nhận được từ các bán clản III V. Chẳng hạn như hợp chất GaAs^P,., pha tạp khác nhau
cho các màu sắc như chỉ ra trong bảng sau đày:

Vật liệu Tạp chất Bưổc sóng Màu sắc Hiệu suất % tR (ns)
GaAs Si 1,0 I.R 10 10
GaAs Zn 0,9 I.R 0,1 10
GaP Zn, 0 0,7 đỏ 5 100
GaASo,6Po,4 Te/GaAs 0,65 đỏ 0,2 10
GaAsg 35P 065 N/GaP 0,63 da cam 0,23 10
GaP N 0,59 vàng 0,1 100
GaASo )jP 085 s, N/GaP 0,59 vàng 0,05
GaP N 0,57 xanh lá 0.1 100

130 17,ÚKBDVIMACHB
 l/iệii suất lổng thể của mội diốt phát quang'. Là tỷ số của công suất ánh sáng phát ra
với công suất điện đã hấp thụ. Nếu tất cả các phôton phát xạ có cùng năng lượng hv, thì
công suất phát sáng do Np|,„ phôton gây ra trong 1 giây sẽ là P„p = Npi,,,. hv. Công suất điện
đã tiêu thụ là: p = V. lj (V ià thế tác dụng vào điốt, Ij là dòng thuận của điốt). Trên một
đơn vị bề mặt, dòng là lượng điện tích chạy qua vùng chuyển tiếp trong một giây; vì thế
bằng; Pj = N|qVj. Từ đó tìm được hiệu suất phát sáng ra bên ngoài của điốt phát quang:
^ Npiu, hv ^
VI, NjqV^
trong đó: ĩii, = Np|„/Np|,^ là tỷ số của số phôton phát xạ với số phôton đã được tạo ra; nó
chính là lìiệii siiấr quang học hay hiệu suất lượng tử ngoại. Còn T|i = Np|,^^^/Nj là tỷ số giữa
phôton đã được tạo ra với số hạt tải chạy qua vùng chuyển tiếp; đượG gọi là hiệu suất lượng
lử nội.
Nếu năng lượng của các phôton phát gần bằng chiều cao vùng cấm và nếu tính đến
điện trở nối tiếp của điốt r^, thì biểu thức của hiệu suất phát sáng tổng thể của điốt phát
quang sẽ là:

Ì1= n , . TI ì-
q V j+ r , I

Các điốt quang điện hiện nay có hiệu suất phát sáng cỡ từ 2 đến 10%.
Thòi gian trả lòi và tần s ố cắt
Mục tiêu chính của các diốt quang điện là để điều chế các tia sóng bằng sự thay đổi
dòng thuận của điốl. Do vậy để tăng tần số điều chế, cần phải tăng tần số cất của điốt, thế
nhung tần số này lại bị hạn chế bởi điện dung của vùng chuyển tiếp P -N của điốt. Trong
các điốt phát quang chỉ hoạt động theo phân cực thuận, nên chỉ có điện dung khuếch tán Cj
là can thiệp vào việc hạn chế tần số. Do vậy, để tăng tần số cắt thì phải tìm cách giảm thời
gian sống của các điện tử phát xạ trong miền p. Điều này được thực hiện nếu miền p được
pha tạp mạnh V ới cách này, có thể thu được những điốt phát quang có tần số cắt từ vài
M H z đến 100MHz.
Cônịị lìíỊÌìệ cliểtạo LED
Tuỳ thuộc sự sử dụng L E D mà chọn công nghệ chế tạo. Hiện nay LE D được sử
dụng trong:
* Nguồn phát xạ tia có màu xác định.
* Viễn thông cáp quang: Bước sóng từ 1,3 đến tương ứng với dải trong suốt và
sự tán xạ rất nhỏ của sợi quang.
* 1'ruyền tín hiệu biến đổi giữa hai mạch cách biệt nhau về phương diện điện. Để thực
hiện mục đích này. người ta sản xuất các linh kiện ghép nối quang học. Các linh kiện này,
trước hết dùng để truyền tín hiệu logic với vận tốc lớn; ngoài ra còn để đọc các thẻ đục lỗ.
Hai ví dụ dưới đây cho thấy cấu trúc cơ bản của các LED.

^ 131
 hv

Hình 8.16. Cấu tạo của đ iò t phát q uang:

a) Cấu tạo của điốt phát quang ; b) Điốt phát quang ghép nố» với sợi quang.

8.3.3. Lỉnh kiện ghép nối quang học

Các linh kiện ghép nối quang học (photocouplers) là các linh kiện liên kết hại mạch
truyền tín hiệu dùng ánh sáng như một phương tiện truyền dẫn. Như vậy hai mạch điện này
cô lập với nhau về phương diện điện.
Trong linh kiện ghép nối này luôn luôn có cái phát quang và một cái thu quang. Tia
phát bởi linh kiện phát được linh kiện thu bắl mà không có sự giao thoa của ánh sáng ký
sinh. Cá hai linh kiện này dược dặt đối diện nhau trong một hộp mờ; L in h kiện phát tia
sáng là một LE D hồng ngoại còn linh kiện thu quang thường là một phôto tranzito.

Phát quang Thu quang

; id ic

Dòng điện lối vào Dòng điện lối ra

— K

Hình 8.17. Câu ỉạo của bộ ghép nôi quang học dùng phôto tranzito.

K hi có dòng I j chạN' qua LHD, th» nó sẽ phát tia sáng có thông lượng tỷ lệ một cách
tuyến lính với dòng này, l i a sáng lại điều kliiên dòng I^. cúa phôto tranzito; sao cho dòng
này lỷ lệ tuyến tính với thônu lượng chiếu sáng. Vc tổng thể, linh kiện này hoạt động khi
cu dòng lố i vào I j thì sẽ sinh ra một dòng I ớ lối ra tỷ lệ với nó và về phương diện điện thì
độc lập hoàn toàn với nhau.
Bộ ghép nối quang học này C(3 thê làm dưới dạng linh kiện rời hoặc vi mạch và có
nhiều chủng loại khác nhau. Tuy nhiên, chún? đéu có chung những đặc tính chung là làm
sao tãng tỷ lệ truyền dòng (CTR: Current Transfer Ratio). Đó là tỷ số giữa dòng lố i ra trên
dòng lố i vào (tính theo %). Tỷ số này phụ thuộc vào công suất phát của phôto điốt, vào
chất lượng ghép nối, vào độ nhậy quang và vào hệ số khuếch đại dòng của tranzito. Nếu
điốt phát sáng trong một thời gian dài, thì hệ số liên kết có thể bị giảm do công suất ánh
sáng phát xạ bị suy giảm .
Thời gian chuyển mạch của bộ liên kết quang học cỡ micro giây. Nếu phôto tranzito bị
bão hoà, thời gian này được xác định bằnu điện dung phân cực colecto bazơ của phôto

132
tranxilo mắc song song với điện trớ tải. Hiện tượng chuyển mạch của điốt có thể được loại
trừ. nếu điện trở tải nhỏ. Ngoài ra, phẩm chấl của bộ ghép nối còn được đạc trưng bằng:
* Tlìếpliân cách: đó là thế một chiểu cực đại cho phép ở lối vào và lối ra (cỡ hàng kV).
* Điện tì ở vù diện dimọ, phân cáclì được phép (từ 0,1 đến lp F ) có thể sinh ra dòng rò
được phép khi thê' vào và ra có giá trị nào đó.
Các loại ghép nổi quang học
Hình 8.18 cho thấy các chủng loại khác nhau của các bộ ghép nối.

Phần phát Phần thu

........... "Ị
a)

V-/

phôtô4ranzito b)

c)

d)

f)

điốt-dao diện logic TTL(f)

Hình 8.18. Các chủng loại ghép nối quang học.

133
 - Bộ ghép nối qiicvĩịị học đioi - cliốt (a): Dùng LED từ Ga A I As và một điốt nhậy
quang PIN. Loại này có thời gian chuyổn mạch hàng chục ns, sự truyền dẫn có độ tuyến
tính cao trên 4 đến 6 đềcade, nhưng tỷ sô chuvển đổi lại thấp chỉ từ 1 đến10%. Chúng hoạt
động rất nhanh, truyền dần trẻn niộl dải rộng với tạp âm nhỏ.
- Bộ ghép nối quang học cỉiấl inuizilo (by. Loại này chiếm từ 80 đến 85% số lượng sản
xuất, chủng loại cũng râì nhiều. Trong loại này LED từ silic phát xạ hồng ngoại và có hiệu
suất rất cao. Tranzito planar có hệ số khuếch đại cao, vì vậy lin h kiện loại này có tỷ số
chuyển đổi nằm giữa 50% và 300% với tạp âm hoàn toàn chấp nhận được. Ngược lại, độ
nhanh nằm xung quanh lOịis, vì vậy dải truyền bị thu hẹp nhiều.
- Bộ ^hép nối quang học điất phôto clarìinqưm (c)\
Lối vào là LE D , lố i ra là phôto tranzito mắc theo kiểu darlington để tăng hệ số khuếch
đại dòng. Tỷ số chuyển đổi nằm trong khoảng từ 300 đến 800% và thời gian chuyển mạch
vào khoảng 50|as; D ải thông không vượt quá 30kHz với độ ồn cho phép.
Bộ ghép nối điốt - íriac (cl):
L ố i vào luôn là một LED silic hổng ngoại còn lố i ra là một triac khởi phát nhờ thông
lượng phôton phát ra từ LED. Loại linh kiện này được sử dụng để thay thế cho một rơle
tĩnh; chẳng hạn như để điều khiển đèn chiếu sáng hoặc môtơ cách biệt hoàn toàn với nguồn
điện. Linh kiện khởi phát tín hiệu có dV/dt > 30V/ms.
Bộ ghép nối điốí - đỉốt ínunito (e) :
Loại này giành cho các ứng dụng cao tần đến tận dải M Hz.
LED có cấu tạò từ GaAlAs nên hoạt động rất nhanh và hiệu suất cao. L ố i ra là một
phôto điốt PIN và tiếp theo là một tranzilo cao tần. Tỷ suất chuyển đổi hơn 30%.
Bộ <Ạép nối điốt - dao diện cliốl ỉoị>ic tương thích LSTTLÍTTL (f)
Linh kiện này được thực hiện theo công nghệ nhanh có thời gian truyền rất nhanh
khoảng 40/45ns với tỷ lệ chuyển đổi íl nhất là 600%. L inh kiện này được sản xuất để sử
dụng trong các mạch số có tốc độ hoạt dộng nhanh.

8.4. ĐIỐT LASER

8.4.1.Điều kiện cho bức xạ Laser

Như trên đã biết, để mộl N'ật liệu bán dẫn có thể phát tia sáng kết hợp (tia sáng laser)
thì cần phái cho điện tử chuyển dời từ một trạng thái bị chiếm trong vùng dẫn xuống một
trạng thái trống trong vùng hoá trị. Sự chuyển dời này kèm theo sự bức xạ m ội phôton. Sự
bức xạ này có thể được thực hiện bới:
* Chính điện tử; đó chính là bức xạ tư động.
* Do một phôton có cùng năng lượng gây ra; đó là bức xạ kích thích.
Trong cả hai trườíig hợp, phỏton phát xạ không những có cùng năng lượng mà còn có
cùng vectơ sóng và cùng pha như phôton kích thích. Như vậy, tia sáng phát ra là tia sáng
kết hợp có độ tán xạ không gian râì nhỏ.
Nhưng, để điện tử ở Irong các trạng ihái bị chiếm của vùng dẫn, thì cần phải cung cấp
năng lượng cho nó; tức là phải:
* Tliực hiện sự đảo mức.
* Làm cho vật liệu có sự tái hợp bức xạ trực tiếp các hạt tải dư.

134
 * Thực hiện một vùng hoạt động mà tại đó sự tái hợp bức xạ có tính chất quang học
cứa một hốc cộng hưởng laser (kích thước khoảng 100 X 10 X 0,2|j,m).
* Phun vào hốc cộng hưởng một lượng lớn các hạt tải dư; tức là tăng mật độ dòng trong
vùng này (từ 1 0 ^ đến lO^A/cm^); tức,là phải tạo ra dòng điện hàng chục miliampe chạy qua điốt.

8.4.2. Ngưỡng kích thích

Sự phát xạ lia sáng phụ thuộc sự kích thích vùng
chuyển tiếp, có nghĩa là, phụ thuộc vào dòng kích
Ihích cường độ ánh sáng tổng cộng (gồm bức xạ kích
thích và bức xạ tự động). Hình 8.19 cho thấy sự thay
đổi thông lượng sáng theo mật độ dòng kích thích.
K h i mậi độ dòng đạt giá trị ngưỡng J(|,, thì bức
xạ laser khởi phát. Thời gian sống của các hạt tải trở
Jth
nên rất nhỏ, toàn bộ dòng điện bị dồn vào miền mà ở
đó bức xạ kích thích được sản sinh. M iền đó gọi là
Hinh 8.19. Ngưỡng kích thích:
miền hoạt dộng. V ớ i một miền hoạt động có chiều
1. Bức xạ tự động: 2. Bức xạ kích thích;
dày d, dồng nhất, chất đầy hốc cộng hưỏíig quang học,
3. Dao động duy trì.
người ta tìm Ihấy:
qd

® ph ® nR

pi,: thời gian sống của các plĩôton trong hốc cộng hưởng quang học;
0

0 „IJ : thời gian sống của điện tử trong chế độ bức xạ tự động;

K ; hệ sô' tỷ lệ.
Như vậy, dòng ngưỡng tỷ lệ nghịch với thời gian sống của các hạt tải và của phôton
irong hốc cộng hưởng laser.
Nếu dòng kích thích lớn hơn dòng ngưỡng, thì cường độ của tia sáng phát xạ tỷ lệ với
sổ' dư của dòng so với giá trị ngưỡng (đoạn 3 trên đường cong kích thích).
Trên thực tế, chế độ đơn mốt thu được khi dòng kích thích ở lân cận vùng ngưỡng. K h i
dòng kích thích lófn hofn nhiều so với dòng ngưỡng, thì đlổt chuyển nhanh sang chế độ đa
rnốl, lúc này vùng hoạt động không còn đồng nhất nữa.
Thời gian trả lời và tần số cắt
V ì tia sáng phát xạ tỷ lệ với dòng phun trong vùng chuyển tiếp m ột dải giá trị tương
đối lớn, nên điốt laser rất được ưa dùng để điều chế các tín hiệu tương tự. Tần số cắt được
xác định bởi thời gian sống của các hạt tải không cơ bản phun vào vùng hoạt động của
vùng chuyên tiếp. Trong một điốt laser, sự bức xạ kích thích làm giảm đáng kể thời gian
sống của các hạl tải này, do vậy tần số cắt của sự điều chế có thể sẽ rất cao, cao hơn nhiều
tần số cắt của đ iố t LE D (có thể đạt đến vài GHz).
K hi ta tác dụng một xung dòng có biên độ đủ lớn để gây ra sự m ồi bức xạ kích thích,
thì có một thời hạn cỡ 1 0 giây để chùm sáng laser xuất hiện. Thời hạn đó cũng liên hệ
mật thiết với thời gian sống phát xạ của các hạt tải không cơ bản Tr và mật độ dòng J trong
điốt bằng hệ thức:
tj = T,,log (J /J + J„ )

trong đó: là mật độ dòng ngưỡng.

135
 Công nghệ ch ế tạo điòt laser DH
Cấu trúc cơ bản cúa mộl diól laser clio liên hình 8.20a. Để giảm cường độ dòng
ngưỡng người ta tập truna ciÒH” trong một ihiốl diện rất hẹp, còn phôton được tập trung
Irong mộl Ihể tích rất nlió. Đc tliực hiện inục licu này, có rất nhiều cấu trúc đã được thực
thi; ở đây ta chỉ mô tả còng nghệ chế tạo diòt laser có chuyển tiếp dị tinh thể kép (DH).
Trôn một đế bán dẫn loại N pha tạp mạnh (dê giảm điện trở nối tiếp), người ta chồng
các lớp bán dản khác nhau, mỏi lớp có Vai tiò ricng. Hai lớp giam các tia sáng quang học là
Ga,Al| ^As loại N và p làm thành một khung chắn giữ cho vùng hoạt động: lớp bán dẫn
GaAs loại p có độ dầy klioảng lừ 0, l đến 0,3ị.uti.
Điện lử bị giam iron« vùng hoạt động nhờ sự khác nhau của chiều cao của độ rộng
vùng cấm giữa hai bán dẫn Ga^Al, ,As (x = 0,7 ; *¡ l,9 eV ) và GaAs (l,4 e V ). Hai lớp
Ga^Al, ^As tạo nên các hàng l ào thế ngãn cán lố trông và điện tử khuếch tán ra ngoài vùng
GaAs. V ì vậy sự tái hợp phát xạ xảy ra hoàn toàn trong Tớp GaAs loại p này.
Phôton xuất hiện do quá trình lái hợp gây ra cũng bị giam trong lớp hoạt động, vì chiết
quang của lớp GaAl, ,As nhỏ hơn của GaAs. Sự khác nhau về chiết quang liên hệ với X
bằng hệ thức An = 0,62x. Từ đó suy ra rằng pliôton bị giam trong m ôi trường chiết quang
mạnh hơn, như trong sợi quang học.

Vùng bắn phá proton

Kim loại

0 o

Epp E FN S ÌƠ 2

Ev GaAs(P)

GaAIAs(P)

b) Điốt chưa phân cực

Gâ§(P)
GaAIAs(N)
GaAIAs(P) : GaAs : GaAIAs(N)

1
QQ V 0 o
GaAs(N)
Đế
Epp FN

Ev 1Ü c

: Kim loại

c) Điốt laser phản cực a) cấu tạo

Hình 8.20. Cảu trúc và giản đồ năng lượng của điốt laser DH.

Người la còn giảm dòng ngưỡng nhờ việc tăng điện trở của một phần thiết diện dẫn
của vùng chuyển tiếp. Điều này được thực hiện bằng cách bắn phá prổton m ột phần mạng
tinh thể, nhờ vậy làm giảm độ !inh động tức là làm giảm độ dẫn điện cửa vùng hoạt động,
trong khi đó thì vùng được bảo vệ khỏi bị bắn phá vẫn giữ nguyên độ dẫn điện tốt.

136
 Hệ thống vừa mô tả ở trên có thể phát tia sáng laster với bước sóng 0 ,9 |0 ,m.
Các điốt iaser dùng trong thông tin sợiquang có) bước sóng nầm trong khoảng từ 1,1
dến 1.6(.im thường được cấu tạo từ hợp chất 4 nguycên tố: Gajri|_^ PyAS|_y/InP bằng cách
thay đổi các thông sô' X và y có thể thực hiện sự phù hợp về mạng m ột cách hoàn hảo trên
một đế InP, nhờ vậy có thể thực hiện chuyển tiếp dịị tinh thể hoàn toàn không có những
ràng buộc cơ chế phát sinh sự tái hợp không phát xạ.
Một máy phát liên lạc viễn
thông bằng laser với sợi quang,
thì ánli sáng 'phát ra phải có bước
Sợi quang
sóng được tập trung trên một cửa \
\
sổ irong suốt và có độ tán sắc
nhỏ, mặt khác phải có độ liên kết
lốt giữa máy phát với sợi quang
Hình 8.21. Ghép nối điất laser với sỢi quang.
(thường là có đường kính từ vài
micro mét đến vài trăm Nguyên tắc ghép nối điốt laser với sợi quang cho trên hình 8.21.

8.5. MÁY PHÁT LASER CHO CỬA s ố THỨ NHẤT (từ 0 ,8 ^m đến 0,9^ini)
Trong dải sóng này, các sợi quang làm bằng SÌO 2 có độ suy giảm từ 2 đến 4 dB/km.
Các linh kiện phát sáng bằng G aAlAs có hiệu suất lượng tử khá cao: L E D có bước sóng
nằm trong khoảng 620 và 880 nm còn điốt laser có bước sóng nằm giữa 780 và 880 m.

OaAs-P
AIGaAs-P

AlGaAs lớp hoạt động

AIGaAs-N
GaAs-N

Hinh 8.22. cấu tạo của laser đa mốt trong các bước sóng từ 82Ò đến 880 nm.

8.5.1. Laser đa m ốt hướng sóng nhò lớp vỏ

Laser này được cấu tạo từ một đế GaAs có độ sai hỏng mạng rất thấp ( < 10/cm^). Trên
đế này, người ta tạo các lớp epităxi từ G aA lA s mà nồng độ của A I xác định các dải năng
lượng và các chỉ số phản xạ. Hình 8.22 mô tả cấu tạo của một laser đa mốt hướng sóng nhờ
lớp v i. Sự tập trung của mật độ dòng điện trong dải 5|im cho phép xác định hốc cộng
hưởng laser được Ihực hiện bằng cách bắn phá proton các lớp phía bên trên cho đến tận đầu

18LKBD VI MACH ,A 137

m ill của lóp hoạt dậniĩ. Như \ ày, các mạt đã dược xứ lý để trở thành bán cách điện và chỉ
clc irừ mộl dải rộng -ipMii suoi (lọc theo toàn bộ chiồLi dài của tinh thể.
Sự chẻ thó' các niát linh thế cho phép sự phán xạ của các phôton ớ giữa lớp hoạt động,
'rỷ lệ phán xạ khoáiia 30^í dùng dê kích thícli các hạt tải và như vậy sẽ sản sinh ra sự tái
họp bức xạ dồng bộ.
'I’uy nhièn, sự khucch dại áiili sáng do bức xạ kích thích này chỉ được thực hiện khi giá
li'Ị ciia mậl dộ dòng diẹii \ ưọt quá một aiá irị imirờiig nào đó. Dưới giá trị ngưỡng này, tinh
the lioạl dộng như một l.HD Ihỏng ihườn” .
Chí số phẳn xạ của lớp 1 và 3 nhỏ hưn chi số phản xạ của lớp 2, nên ánh sáng bị giam
Irong lớp hoại dộng. Như \-Ậy người la ihực liiộn dược hốc cộng hưởng song íịong và sẽ thu
được một laser đa mỏì dọc \'à dưn rnốt ngang.

8.5.2. Laser đơn m ốt hướng sóng nhờ khúc xạ

Đe lập truim niàt di.) clònu (lưực Khuếch tán Zn
nhiồu hơn, người ta tạo ra mậl bên có SÌO2 SÌO 2
chiếl xuất khá cao. N lìờ có câu i r ú c này
p-GaAs
cho phốp giam giữ ảnh sáim cá Iheo
hướng dọc lẫn hướng naanu. 1lình 8.23 n-AlAsGe

mô tả cấu trúc của miộl lasci' dcĩn mốt

dọc \'à ngang hướng sóng nliờ chiếl
n-AlGaAsGe X
Lớp hoạt động
suất, còn hình 8.24 là phổ phát xạ cùa Đế n-GaAs
các laser đa m ốl và đơn mốt. Các đặc
trưng của hai loại las<cr này cho trong Hình 8.23. cấu trú c c ắ t ngang của la se r hướng
bảng sau dây: sóng nhờ chỉết su ấ t v ớ i bước só n g 780 nm.

Hưóng sóng nhò lớp yỏ Hướng sóng nhờ chiết suất

Bước sóng 820 đến 880 nm 780 nm
Độ rộng phổ tại nửa độ ca >0 4 nm 1 nm
Dòng ngưỡng 65niA 50mA
Đặc trưng của chùm so vốfị ị 17'’ ■± 6^
laser tinh thể ± 25*^ ±
Độ loạn thị 20^im 2|im

A A
t>)
Hình 8.24. Phổ phát xạ của các iaser 0^8^m.
a) Đa mốt ; b) Đơn mốt.

138 Ì8.LK8D VỈM AC H B

8.6. MÁY PHÁT LASER CHO CÁC CỬA s ổ THỬ 2 VÀ 3 VỚI B ư ớ c SÓNG 1,3
VÀ 1,5nM
Các sợi quang. SiOj có độ tinh khiết lớn, suy hao do mất mát trong gam bước sóng
l,3|am nhỏ hơn rất nhiều trong miền cửa sổ xung quanh 0,8|.im. V ì vậy, các máy phát
laser cho các miền cửa sổ thứ 2 và thứ 3 rất thích hợp với các loại sợi quang này. M ột ưu
việl khác nữa của miền sóng này là sự tán sắc do phụ thuộc bước sóng của chiết suất (tán
sắc do vật liệu) cũng rất nhỏ. Người la thấy rằng, trong các sợi quang có tâm là SiOj sự
tán sắc của vật liệu là bằng không, khi ánh sáng truyền ở bước sóng l,27|am. Chính vì
vậy mà phần lớn các công trình nghiên cứu các linh kiện có bước sóng lớn trước tiên là
để cập đến bước sóng l,27|.im này, đặc việt lầ trong truyền thông khoảng cách IcVn là lưu
lượng cao.
Gần đày, nhờ chế lạo các sợi. quang có độ sạch cực cao và chất lượng lớn, nên mất mát
do dộ suy giảm vì bước sóng lớn cũng được giảm bóft rất nhiều. Nhờ loại bỏ các gốc tự do
OH trong quá trình sản xuất, các sợi quang dùng cho bước sóng l,27|.im có độ mất mát chỉ
khoảng 0,6dB/km và 0,2dB/km đối với bước sóng l,55|am.

8.7. SỢI QUANG VÀ NGUYÊN TẮC TRUYỀN ÁNH SÁNG TRONG SỢl QUANG

8.7.1. Nguyên tắc truyền sáng tro n g m ột sợi quang

Sợi quang là một phương tiện truyền dẫn. Nó được cấu tạo bởi môi trường thứ nhất
kích thước rất nhỏ và có chỉ số khúc xạ được gọi là tâm quang. Bao xung quanh tâm
quang là một lớp vỏ hay còn gọi là “ áo” của sợi quang có chỉ sô' khúc xạ n,j.
Trong sợi quang, các lia sáng được truyền theo các góc hoặc theo các mốt khác nhau.
Có hai sợi quang chính là sợi quang đa mốt và sợi quang đơn mốt.
Trong các sợi quang dơn inôì, Ihì đường kính của tâm và độ m ở số đủ nhỏ để chi' cho
phép truyền m ộl mốl.
Trong sợi quang đa mốt, người ta phân biệt hai loại: loại có chiết suất thay đổi đột ngột
và loại có chiết suất thay đổi theo kiểu gradient.
Các sợi quang có chiết suất thay đổi nhẩy bậc có tâm được tạo thành từ các vật liệu
đồng nhất về phương diện quang học, nhưng ở mặt phân cách giữa tâm và vỏ thì chiết suất
thay đổi nhẩy bậc từ đến riß.
Các sợi quang với chiết suất gradient có tâm được tạo thành từ các vật liệu không đồng
nhất và có chiết suất giảm dần, cách điều đặn từ trục của sợi quang đến mặt phân cách sao
cho tại đây chiết suất vẫn còn lớn hơn chiết suất của lớp vỏ.
Hình 8.25 cho thấy ba loại sợi quang chủ yếu.
Mất mát truyền dẫn trong sợi quang phụ thuộc vào bước sóng của ánh sáng. Sự mất
mát này có ba miền đặc trưng có mất mát rất bé và được biểu diễn trên hình 8.26. M ỗi
miền đó được gọi là một “ cửa sổ” . Như vậy có ba cửa sổ khác nhau về phương diện truyền
ánh sáng trong sợi quang: Cửa sổ thứ nhất như chúng ta đã nói có bước sóng xung quanh
0,86|^m; cửa sổ thứ hai ở l,3 n m ; còn cửa sổ thứ ba ở tại l,5 5 |im . Các “ pic” trên hình vẽ là
do sự hấp thụ của tạp chất có trong sợi quang.

139
 Chiết suất Mốt truyến Hiệu năng tiêu biểu

Hình 8.25. Ba loại sợi quang tiêu biểu.

ổ.7.2. Góc mỏ s ố và công suất phun

Các tia sáng ở giữa sợị qụang đa một được truyền đ i nhờ sự phản xạ ở mặt phân cách
giữa tâm với vỏ. Chỉ các tia sáng có góc tới có thể so sánh được với góc tớ i hạn 0G R là được
phản xạ toàn phần (hình 8.27). Góc tới hạn được xác định từ hệ ứiức sau đây:
2 n ; - nị
0CR = arc sin

Hệ thức giữa góc tới của các tia tới xuyên vào tâm của sợi quang và góc tớ i hạn 0CR là;
sinG = n^sin0(_R
góc đặc thu nhận ánh sáng = 2 0 ,^,,.
Độ mở số O N của một sợi quang là sin của góc mở cực đại mà đối vớ i góc này thì
tất cả các tia sáng sẽ được phản xạ ở mặt phân cách giữa tâm và vỏ:
V ớ i định nghĩa như vậy ta có thể tính được độ mở số;
ON = sin 0^,,.
ON = n0sin0 CR'
ON = v 'n ,,+ V - n,

140
 Cửa sổ 1' Cửa sổ 2® Cửa sổ 3*

Hình 8.26. Sự thay đổi của độ suy giảm theo bước sóng trong sợi quang.

Công suất phun trong sợi quang, bắt đầu từ nguồn phát phụ thuộc vào bề mật phát xạ
của nó:
Nếu mặt phát xạ nhỏ hơn hoặc bằng mặt cắt ngang của tâm và tiếp xúc tốt với nó, thì
còng suất liên kết trong sợi quang với chiết suất nhẩy bậc sẽ được tính như sau:
K'
Or- = Dc^Ro ON'

trong dó: De là đường kính của mặt phát xạ;

Ro là năng lượng chiếu sáng trong trục. Nếu đường kính của ưim Dc nhỏ hơn De thì ta có:
TC'
D c'R o ON'

GÓC đặc
thu quang i "8 T)
2Ômax

ỵ (

Hình 8.27. Định nghĩa góc tới hạn 6cR.

8.7.3. Gác đặc trưng của sỢi quang

Sợi quang đa m ốt với chiết suất nhẩy bậc
- Đường kính của tâm: 100 đến 200|im.
- Lớp vỏ; đến ổOOịam.
- Kích thước chuẩn: 100 X 140|^m.

141
 - sỏ' mốt liên liếp cliiợc tniyền trong sọi íỊuaiig i:ất lớn. Sự tán sắc này hạn chể băng
truyền trong khoảng giữa 1 0 \’à lOOMHz.kni \ ói clộ inát mát lừ 5 đến lOdB/km.
- Độ mở số: 0,16 dcn 0,20.
Sọi quang đa mốt vóỉ chiết suất thay doi gradient
- Đường kính của tảni: 50^1111 ; vỏ ; 125í-tm.
- Các tia sáng chiếu xiên dược truyền di nhanli hon là các tia sáng ở gần tâm khi
đường truyền càng dài. Như vậy dộ tán sắc có ihc được RÌảm bớt giữa các mốt. Dải thông
có thể đạt đến khoảng từ 200MHz dến 1GHz \'ứi độ mất mát từ 1 đến 4dB/km.
- Độ mở số: 0,25.
Sọi quang đơn mối
- Đường kính của tâm từ 5 dến lớp \'ó; I2.‘ĩ|.im.
- Đường mở số được Ihu nhó (0.03) vì chi có inộl mốt là được truyền trong sợi quang. Vì
vậy sợi quang này không có độ lán sắc về mốt. Dái ihông lớn nhất, có thể lớn hơn lOGHz.km
với độ mất mát lừ 0 , 2 đến 0,5dB/km.
Các cửa sổ đ ã được sử dụng
Các sợi quang đa mõì chủ vếii được sử dụng để Iruyền ánh sáng trong cửa sổ Ihứ nhất;
còn các sợi quang đơn mốt được dùng đế truyền các loại sóng ánh sáng trong các cửa sổ
thứ hai và thứ ba.

142
 P H Ầ N II

CÁC LOẠI VI MẠCH (IC)

Chương 9

CÁC KHÁI NIỆM VÀ S ự PHÁT TRIỂN

9.1. CÁC NGUYÊN TẮC c ơ BẢN ĐỂ XÂY DựNG MỘT VI MẠCH

M ột vi mạch không chỉ là sự lổ hợp trực tiếp các linh kiện rời rạc mà phải tuân theo
một sô' các nouyên tắc sau đây;
* Chứa đựng toàn bộ sơ đồ như một mạch điện hoàn chỉnh để sao cho cần ít nhất các
linh kiện rời mắc bên ngoài. V i mạch sẽ khòng còn ý nghĩa nếu các linh kiện mắc thêm
bôn ngoài có thể tích lớn hơn thổ tích của vi mạch. Nhờ sự tiến bộ của công nghệ tích hợp
mà dến nay không còn các loại vi mạch phải dùng đến các kinh kiện rời để thực hiện các
chức năng điện lử của nó nữa, mà có thể thực hiện một hay nhiều chức năng.
* Chọn loại linh kiện để sao cho nó chiếm ít diện tích nhất ở trong mỗi “ chip” . Điều này
được Ihực hiện bằng cách giảm tối thiểu các linh kiện thụ động như điện trở và tụ điện vì các
linh kiện loại này chiếm diện tích bề mặt rất lớn so với các lin h kiện tích cực. Do vậy, để
lãng mức độ tích hợp cần thay Ihế các linh kiện thụ động bằng các linh kiện tích cực.
* Sử dụng các tầng khuếch đại vi phán để giảm tiêu tán nhiệt độ ở trong mạch. Hơn
nữa, các bộ khuếch đại v i phân rất dễ được thực hiện về phưoỉng diện công nghệ và thể tích
của chúng cũng được rút bớt đáng kể.
* Sử dụng tối đa các tải lích cực trên các colectơ, có nghĩa là các nguồn dòng có trở
kháng cao.
* Tính đẹn các hạn chế của các yếu tố tích cực: Nên sử dụng các tranzito n-Ị>-n vì hiệu
nang ciia nỏ tốt h(ín cúa loại p -n -p .
Chú ý đến các đặc trưng của các điện trở khuếch tán: giới hạn về giá tậ, độ sai số, thế chịu
được và độ ổn định của chúng. Các điện trở có độ chính xác cao không tìiể chế tạo bằng vi
mạch được mà phải mắc ở bên ngoài vi mạch; trong trường hợp này phải để chân ra cho nỏ.
* Tính đến các điốt ký sinh phân cực ngược trong mạch: các ngăn giữa chất cách điện
- đế, giữa colectơ - đế, điện trở - ngăn cách cũng như các tụ điện MOS với các dây nối
bằng nhôm trên SÌO 2 (80pF/mm^).
* lỉạn chế bớt các chân ra để không cần thiết phải dùng các vỏ có kích thước lớn. Tuy
nhiên với độ phức tạp của hệ thống vi mạch có thể có các vi mạch có 300 chân ra.
* Chú ý đến công suất cực đại được phép tiêu tán của vi mạch để dùng hoặc không
dùng các vỏ cố cánh toả nhiệt.
* Chọn công nghệ thích hợp cho tất cả các linh kiện của mạch. Thực vậy, sẽ có nhiều
khó khăn nếu thực hiện nhiều công nghệ khác nhau trên cùng một vi mạch. Tuy nhiên,
công nghệ Bi - CMOS cũng là công nghệ hoàn chỉnh, ứng dụng các ưu điểm của m ỗi loại.

143
 ư u điểm của các loại vi mạch
So với các linh kiện rời, \'i rnạch có rất nhiều ưu điểm. Đó là:
* Giá thành rất rỏ do sán xuất hàìig loạt.
* Sự tiến bộ của công nghệ \'i mạch cho phép rút gọn số lượng các v i mạch cho cùng
mộl chức nãng.
* Độ tin cậy lốt: Tỷ lệ hư hòng dưới 0.15/10'' giờ/mạch.
* Tiêu thụ nãng lượng càng ngày càng dược giảm bớt.
* Thoả mãn độ ổn định ở nhiệl dộ cao.
Tuy nhiên vi mạch cũng có nhược cliểm là:
* Trang thiết bị çho nghiên cứu \ à sán xuất các vi mạch m ới rất cao.
* Công suất tiêu lán của mỗi mạch bị hạn chế.
* Người sử dụng không thế biến đổi vi mạch được.
Mặc dù có những nhược diểrn. nhưng các loại vi mạch được sản xuất ngày càng nhiều,
nhất là trong lĩnh vực vi xử lý bởi vì trong lĩnh vực này tín hiệu có công suất nhỏ và chỉ yêu
cầu chức năng xử lý cao và phức tạp.

9.2. S ự TĂNG TRƯỞNG CỦA MỨC ĐỘ PHỨC TẠP TRONG CÁC VI MẠCH
Từ đèn điện tử t<íi ULSI
Những chiếc v i mạch đầu tiên được sản xuất ngay từ năm 1959 theo công nghệ lưỡng
cực “ bipolaire” và đến năm 1962 bắt đầu theo công nghệ MOS. Cho đến nay, mật độ tích
hợp không ngừng được nâng cao. Hình 9.1 cho thấy sự tăng trưởng nhanh chóng mật độ
tích hợp này trên từng loại vi mạch. Người ta thấy rằng, vào thời kỳ đầu, cứ mỗi năm mật
độ này tăng lên gấp đôi, sau đó lốc độ này có giảm đi đôi chút nhưng cứ sau hai năm nó lại
tăng gấp đôi. Đến năm 1990 thì dã dạt tới 10’ linh kiện trong một v i mạch. Cũng trong thời
gian này, giá thành trên một dơn vị thông tin của tranzito trong các vi mạch ULSI giảm từ
1 đến 10'. Đồng thời dường kính của ihanh đơn tinh thể silic cũng tăng từ 25,4mm tới
250mm và diện tích bề mặt cùa nó cũng lăng từ 490 đến lOOOOmm^
K ỹ thuật quang khắc cũng ngày một tinh vi hoĩi. Chẳng hạn 1985 k ỹ thuật quang khắc
chỉ đạt 2|.im thì đến năm 1988 nó đạt tới lịim . Đến năm 2000 đã đạt tớ i 0,4|xm trên đơn
tinh thể silic. Với công nghệ MOS cho pìiép tạo được những v i mạch có mật độ cao. Bảng
sau đây cho thấy mức độ phức tạo trong từng loại vi mạch.

Loại vỉ mạch Số lượng chức năng Số lưđng tranzito Diện tích bề mặt của mỗi vi mạch

SSI 2 đến 20 100 3mm^

MSI 20 đến 100 500 8mm^

LSÍ 100 đến 50 000 100 000 20mm^

VLSI 50 000 đến 100 000 250 00 40mm^

ULSl 100 000 đến 4 000 000 10010 000 đến 4 000 000 70mm^ đến 150mm^

144
 Hỉnh 9.1. Sự tăng trưỏng của mật độ tích hỢp.

9.3. S ự PHÁT TRIỂN CỦA CÓNG NGHỆ

9.3.1. Công nghệ siliciu m

Để ihu được các kích thước linh kiện từ l^im đến 0,4|.im, cán thực hiện litographie
bằng các chùm điện tử và bằng các tia X có thể tạo nên các kích thước hình học đến 20nm.
K ỹ Ihuậl litographie bằng các chùm lia ion có thể thu được các kích thước hình học còn
tinh vi hơn. Các phương pháp này gắn liền với kỹ thuật quang khắc ion và plasma cho
phép thu được những kích thước hình học với độ chính xác mong muốn. Tuy nhiên, kích
thước hình học của một tranzito phải thoả mãn một số các quy tắc vật lý, bởi vì việc giảm
bớt m ộl kích thước này sẽ kéo theo việc giảm bớt các kích thước khác. Chẳng hạn, trong
m ộl tranzito MOS việc giảm chiều dài của cửa sẽ kéo theo việc giảm bớt chiều dày của
lớ p o x itở c ử a .
• Gióỉ hạn về nhiệt dộng
ở nhiệt độ hoạt động của vi mạch, các điện tử chịu một dao động nhiệt với năng lượng
khoảng 30meV. Do vậy thế lác động vào cửa phải lớn hơn 10 X 30mV = 0,3V. Nếu tính
đến điện trường tới hạn phun điện tử vào trong lớp oxit ( ~ 3 .I0 V /m ), thì độ dầy tối thiểu
của lớp oxit phải là 2nm. Độ dầy này tương đương với độ dầy của cửa (0 ,l^ m ).
• Giới hạn vê phương diện điện
Trong một tranzito có cửa ngắn, điện trương tại đó rất cao, có thể đạt đến điện trường
tới hạn. Điện trường này có thể phá huỷ lớp oxit ở cửa, do v ậ y nó không còn khả năng để

19.LKBD VI MACHA
145
lải dòng. Đê tránh hiện tượiig dó, cứa [iluii co tlộ dài tối thiểu 0,16|am để có thê chịu được
thố phãn cực 0,5V.
• Giói hạn vé lưọiìịỊ Iiì
Chiéu dày của lớp o \it nhó liơn một giới hạn nào đó, thì nó sẽ không còn là một chất
cách diện mà trái lại no SC cho dònu điẹii di qua nhờ hiệu ứng lượng tử (đường hầm). Chiều
dày này vào khoảng 5nni. Do vậy cic Ininh hiệu ứng này, cửa phải có chiẻu dày 0,25|im.
• Thòi gian truy én
Thời gian iruyền quyếi dịnli dộ nhanli của một vi mạch. Kích thước của nó càng ngắn
thì thời gian iruycn sẽ càng nuắn. 'Puy nhiôii, diện trớ và điện dung ký sinh sẽ tăng thời
gian iruyền cho các kích thuớc hìnli học dưcii l|.iin.
• Dáy nối và chất lượng của vi mạch
Các công nghệ V'l.SI \ à Ul.Sl cấn rãi nhicLi dâv nối, vì vậy trong mỗi vi mạch đôi khi
sứ dụng một, hai hoặc ba cáp dáy nối. Các vậi liộu có điện trở suất nhỏ cũng đã được thay
ihế cho các dây nối bằng nhòm.
Chiều dài các dây nối làm tăng Ihời gian Iruycn. Người ta xác nhận rằng diện tích bể
mậl cúa các dày nối lớn hơn rát nhiéu diện tích bc mật của các linh kiện tích cực.
Việc tăng mức độ lích hợp dần đến vấn để tích nhiệt trong các vi mạch. Hiện nay, giới
hạn nhiệt độ iw /c m ’ thì chưa cần dến các hộp toả nhiệt. Người ta dự định dùng các vỏ toả
nhiệt bằng fréon có thể làm lạnh đến nhiệt độ ~ 40'’C.
Nhờ kỹ thuật làm lạnh, có ihc lăng vận lốc chuyến động định hướng của các điện tử
thêm được 30%. Tuy nhicra, hệ số tin cậy (cõng sLiãl X thời gian truyền) giữ nguyên không
thay đổi. V ớ i cồng nghệ SOS (silic Iren corindon) cho phép tạo được các tranzito nhạnh
hơn rất nhiều so với phiương pháp cổ đicn.

9.3.2. Còng nghệ acsenic gali (GaAs)

Công nghệ acsenic gali ilược sứ dụiiịỊ đc sán xuất các linh kiện siêu cao tán và các linh
kiện quang điện lử, bói \' 1 1 roiiy \ ậl liệu này, cliÇ‘ 11 lử có vận tốc chuyển động định hướng và
độ linh dộng rấi cao. Bàns dưới dáy clio la thấv sự so sánh sự khác nhaụ trong hai loại vật
liệu silic và acsinics ga;li.

Si GaAs
Độ linh đonig (cmVV.s) 1350 6500
Vận tốc (cin/s) 0 ,8 . 1 0 ’ 1,7.10^

Hai tranzilo có cùng kích thước thl Uan/.ito GaAs hoạt động nhanh gấp 4 lần MOS
silic. Hơn nữa, đế của itran,zito GaAs là chất cách điện rất dễ thực hiện và có điện dung ký
sinh rấl nhỏ.
M ột Iranzito trường G;aAs có tlic hoạt động lới tần số 40GHz trong khi MOS silic chí
hoạt động đến 9GHz. Sự pìhát trien của công ngliệ GaAs rất đặc biệt. Kề từ khi xuất hiện
1976. mức độ tổ hợp tăn a gấp ba lần tron« một năm. Điều đó cho phép tiên đoán mức độ
tích hợp trong các vi mạelii GaAs SC chiếm \ ị ti í dộc tôn, nhưng giá thành của nó .vẫn còn
cao so với các vi mạch silic; cùng loại. Với lưu lượng sò' lớn hcín IG bit/s công nghệ GaAs là
công nghệ duy nhất đám dương trọng trách nà\.

146 19.LKB0 VI MACH B

 Các vi mạch có cấu trúc nhiều lớp bán dẫn loại A lG a A s có độ lin h động của điện lử
tăng rấl mạnh so với các cấu trúc Ihông thường. Độ lin h động tăng gấp 2 lần ở nhiệt độ
phòng và có Ihể tăng gấp 15 lần ở nhiệl độ n itơ lỏng (-195"C ). Các tranzito loại này được
gọi là TEGFE'r (tw o-dim entional electron gas FET) và H E M T (high electron m obility
tranzito).
Các vi mạch loại này có công suất tiêu thụ 100 lần ít hơn của các vi mạch silic. V ới
kích ihước hình học khoảng l um, thời gian truyền có thể đạt tới lOps và công suất tiêu lán
chỉ khoảng 100|aW.

9.3.3. Công nghệ s ử dụng các chuyển tiế p Josephson

Các chuyển tiếp Josephson (JJ) không sử dụng vật liệu bán dẫn mà dùng hai vật liệu
siêu dẫn phân cách nhau bằng một lớp o xit mỏng khoảng từ 2 đến 5nm. Do vậy các linh
kiện loại này chỉ hoạt động ở vùng nhiệt độ hêli lỏng 4K ( - 269'’C). Chính vì vậy giá thặnh
của chúng còn khá cao.
Trong vùng nhiệt độ đó, các mạch (JJ) này hoạt động cực nhanh nhưng tiêu thụ năng
lượng lại rất ít. Chẳng hạn một mạch có kích thước hình học khoảng 2,5|im, người ta thu
được thời gian truyền chỉ 13ps qua một cổng OR và 16ps cho một cổng AN D .
Công nghệ này đã được nghiên cứu ở hãng IB M , nhưng chưa đưa ra các linh kiện trong
sản xuất hàng loạt. Có thể trong thế kỷ 21 linh kiện này sẽ xuất hiện dưới dạng sản phẩm
hàng loạt.

147
 Chương 10

CÁC LOẠI VI MẠCH LƯỠNG c ự c

• • «

10.1. TẠO TRANZITO N -P -N c ơ s ở

V i mạch là một tập hợp không thể nhìn thấy các linh kiện tích cực và thụ động tạo
thành một cách đồng thời trong cùng một quá trình sản xuất trên một đế silic. Đ ế silic này
là dơn linh Ihể [1.1.1] pha tạp loại p có điện trở khoảng lOQcm với các độ dày khác nhau,
tuỳ thuộc đường kính của Ihỏi silic. V í dụ độ dày 625|im nếu đường kính là 150mm.
Sơ đồ của một mạch được bao trong các ngăn cách điện, các ngăn này chứa các
tranzito lưỡng cực không có colectơ chung và một trong số các điện trở. M ỗ i ngăn được
bao bằng một lớp bán dản loại p chung với đế và được nối với điện thế âm nhất của mạch,
vì ihế ngăn này với đế luôn được phân cực ngược, nên nó là một ốc đảo cô lập so với đế, do
đó không một dòng điện nào có thể chạy từ đế vào bên trong các ngăn được, chính vì vây
các ngãn cũng cỏ lập với nhau. Trong mỗi ngăn, người ta tạo một tranzito một điốt hoặc
các điện trở. Quy trình sản xuất một iranzito n -p -n được mô tả trên hình 9.1. Thứ tự các
quá trình được thực hiện trong lò nung với nhiệt độ giảm dần để quá trình sau không làm
hư hại quá trình trước đó. Như vậy, quá trình đầu tiên là quá trình khuếch tán sâu trong
loàn bộ thể tích của miếng bán dẫn được thực hiện ở nhiệt độ 1260"C và quá irình cuối
cùng là quá trình tạo em itơ thì không vượt quá 1000"C. Để tạo được m ột tranzito n -p -n
phải trải qua 7 lần quang trắc. Thứ tự thực hiện các quá trình đó là như sau:
- O xit hoá bể mật miếng bán đẫn silic ớ trong lò nhiệt độ 1200‘’C với khí oxi để tạo
lớp Sì O ị clầy khoảng 0,5|j,m.
- Bước quang khắc đầu tiên nhằm tạo một lớp vùi sâú gần với đế.
- Khuếch tán arsenic hoặc antimoine để tạo lớp vùi sâu giáp đế pha tạp dưới độ sâu
Sịam ở nhiệt độ 1260"C ;
- Ăn mòn lớp o xit SÌO 2 trên bề mặt ;
- Tạo m ột lớp epitaxi pha tạp loại N có độ dày từ 3 đến 5 ^m với điện trở khoảng từ 0,5
tới IQ cm trên mặt đế;
- O xi hoá bề mặt tạo một lớp SÌO2 mới, dày khoảng 0,5^m ;
- Quá trình quang khắc lần thứ hai nhằm tạo các vách ngẫn cách điện;
- Khuếch láh bức tường cách điện bằng nguyên tử bo loại p, sâu đến tận đế, ở nhiệt độ
1160’'C;
- K hôi phục lại lớp o xit SÌO2 trên bề mặt;
- Quá trình quang khắc lần thứ ba nhằm tạo chỗ để khuếch tán bazơ;
- Khuếch tán bo - tạp chất loại p - để tạo bazơ của tranzito và khôi phục lại lớp oxit
bề mặt ở nhiệt độ 1050"C.
- Quá trình quang khắc thứ lư nhằm tạo chỗ để khuếch tán emitơ;
- Khuếch tán phôtpho tạo em itơ của tranzito và khôi phục lại lớp o x it bề mặt ở
nhiêt đô lOOO C.

148
 ; Đế đơn tinh thể sỉlic loại Mặt nạ thứ ba.
" p điện trở suất cao ____
wwwwwwwwwww Tạo cửa số để khuếch
[- lO Q .cm ) tán bazơ

SiOn (oxi hoá Khuếch tán p để tạo

« N v ^ s v x v s s ^ v v x x N s ; v ; ; ; ; x ; ^ õ :í . y . ...
bề mặt siỉic P) miền bazơ

Mặt nạ thứ nhất.

Tạo cửa sổ để khuếch
tán lớp vùi sâu H\
Oxit hoá bề mặt

Khuếch tán
;\\r ù \\u ir 00vx;rảxxxxxdvủ?l lớp vùi sâu

Ăn mòn lớp oxit SiO^ Mặt nạ thứ 4 và thứ 5.

Tạo cifa sổ để khuếch
tán emitơ và làm chân
Tạo lớpepitaxi loại S i - N nối cho colectơ
Lớp vùi sâu tiếp tục được
khuếch tán trong quá
trình này

Khuếch tán emitơ N*

Oxi hoá bề mặt làm chân nối cho colectó
(lớp vùi sâu N^)

Mặt nạ thứ hai.

.. tc. Tạo ciiifa -sổ để khuếch
Oxít hoá bề mặt
tán ngàn cách điện.

XWSHNSN V \V S V S V > \\N N N K \v \\v v (;< >

Khuếch tán bức tường

fcír. - cách điện loại p.

Mặt nạ lần thứ 6.

Oxit hoá bề mặt Làm chân nối cho E, B
>N N ■ - N* - J V vvv \yv
!.>> »V X \V \^ N '. \> N \ X V N \\ \ ’»VVNV>XV’« >
\S K V % % S N S > .S V S V % W H % W \ \ VN > N < \ >
và C.
\ s n n \ \ \ \ n n n > n \ s > s n s s n \ \ \ > s s > v \ x \>

Hình 10.1. Quy trình sản xuất một tranzito n -p -n ,

- Quá liìn h quang khắc thứ nãm nhằm lạo chỗ để' khuếch tán chân ra của colecta.
- Khuếch tán một lớp sâu phôtpho nối với lớp N"" đã nằm sâu giáp với đế làm chân
nối của colecto của tranzito;
- Quá trình quang khắc thứ sáu nhằm tạo chỗ để khuếch tán các chân nối;
- Phủ kim loại trong chân không tor) để tạo một lớp nhôm dày khoảng từ 1 đến
2 |im trên toàn bộ bề mặt của bản silic;

149
 Quá irình quang khắc thứ bảy nhằm chỉ để lại lớp nhôm tạinhững nơi cần thiết
những chỏ khác thì bị ãn mòn bởi axit orthophosphorique; như vậy ta thu được cácdây nối
và các lố i ra.
Kích thước điển hình của một tranzito trong vi mạch công suất thấp cho trên hình 10.2.
* cm itơ : khuếch tán l,7|j.m,
* bazơ : khuếch tán sâu 2,7|am, dày
* colecto ; chiểu dày của lớp nằm sâu gần đế 5|im,
* bề rộng của vách ngăn cách điện ; 5|im,
* bề mặt tổng cộng : 300|.im^
Không kc các tranzito VLS I, một tranzito có dòng Im A có các đặc irưng gần giống với
các tranzito rời cùng loại. Đặc biệt, do colecta được tạo bằng lớp khuếch tán nằm sâu gần
đế nên điện Irở nối tiếp và thế bão hoà có cùng độ lớn như của các tranzito rời.
Chân nối của miền N phải được khuếch tán khi nó được làm bằng phim nhôm. Bởi
vì nhôm là tạp chất loại p, do đó vùng này sẽ tạo nên một điốt tiếp xúc.

1.7 Mm /S ÌO 2
B E p c /
ZZ2Z

250

44

Hình 10.2. Kích thước của một tranzito trong vi mạch.

10.1.1. Tranzito nhiều em itđ

Trong các mạch logic T T L, tranzito nhiều em itơ được sử dụng rất nhiều để thay thế
cho các tranzito có bazơ và colectơ chung nhau (hình 10.3). Trong thực tế, chân nối với
bazơ cách chuyển tiếp E - B một khoảng nằo đó, nhờ đó làm tăng điện trở k ý sinh Rị,h và
làm cho ba dòng điện đi vào các em itơ E l, E2, E3 bị giảm xuống kh i ba lố i vào này ở
mức cao.

150
 Colectơ cách điện so với đế nhờ điốt colectơ - đế phân cực ngược (hình 10.3a). Dòng
ngược của điốt này có the loại trừ, nhưng điện dung của nó lại không thể loại trừ vì nó vào
khoảng từ 50 đến 150pF/mm^ và còn phụ thuộc vào thế và điện trở suất của colectơ.

-oc oB

- K rfc
E1 0 .
E2 0 -oc
Đ m
- 0 E2
a) Sơ đô b) Ký hiệu

Hình 10.3. Sơ dồ và cấu tạo của tranzito nhiều emitơ.

Ngoài ra cũng còn có một tranzito ký sinh loại p -n -p mắc song song với tranzito n -p -n .
Nói chung nó không gây ảnh hưởng gì vì chuyển liếp E -B của nó luôn trong trạng thái
khoá, thế của colectơ của tranzito n -p -n lớn hơn nhiều thế của bazơ (hình 10.4b).

° Đếp

©
Hình 10.4. Điốt ký sinh (a) và tranzito ký sinh (b) của một tranzíto n -p -n .

10.1,2. Tranzito VLSI n -p -n (Subilo N)

Hình 10.5a cho thấy cấu tạo từ một nhát cắt ngang của một tranzito Subilo RTC. Có rất
nhiều mẫu được sản xuất lừ cùng một công nghệ gọi là isoplanar Fairshild.
Trong công nghệ này, để tạo một tranzito n -p -n người ta lấy một mẩu silic pha tạp p
làin đế. Trên đế này người ta khuếch tán một lớp N^. Tiếp theo, người ta phủ m ột lớp
cpitãcxi loại N dày khoảng l,2 |im . Lớp này được oxy hoá tương đối lâu để tạo nên một lớp
ngăn cách điện bằng SÌO 2 , giống như một eái giếng o xit SÌO2 .
Còn có một cách tạo lớp cách điện này nhờ hai lần khuếch tán ngay trên đế (hình 10.5b).

151
 25 Jim

Hình 10.5. a) Cách điện giữa các linh kiện với nhau bằng “ hố " SÌO 2 : b) Tạo lớp ngăn cách điện
bằng khuếch tán p hai lần; c) Kích thước (bề mặt tổng cộng 300(.im^).

Phương pháp này cho phép giảm được độ rộng của vách ngăn được một nửa so với
phương pháp khuếch tán từ bề mặt.
Sau đó khuếch tán F để làm bazơ và để tạo em itơ và chỗ nối chân ra của colectơ
với độ sâu đủ để đạt tới lớp nằm sâu phía trong giáp với đế. Cuối cùng là khâu tráng
kim loại để làm các chân ra bằng nhôm. Đ ôi khi người ta thích dùng hợp k im A I - .Si (1% ;
Cu (2%) để hạn chế nhôm chảy lan vào Irong silic. Chất cách điện cũng có thể đảm bảo
nhờ một lớp mỏng SÌ3N4 phủ lên trên SÌO2 tạo ra lớp dày khoảng 1|j.m.
Công việc cuối cùng là phủ các dây nối trên bề mặt v i mạch với các chân ra, chúng
thường được làm bằng nhôm dày l|.im hoặc A I - Si (1%) - Cu (0,03%). Bảng sau đây cho
ta sự so sánh các đặc trưng của hai loại tranzito vừa xét đến ở trên.

10.1.3. Thực hiện các tranzitpo p -n -p

Các tranzito loại này có thể được thực hiện theo hai cách khác nhau: tranzito p -n -p có
bán dẫn loại p cũng đồng thời là đế hoặc tranzito p -n -p bán dẫn loại p nằm ở hai bên.
* Tranzito p -n - p có bán dẫn loại p là d ế
Tranxito loại này có colecto cũng đồng thời là đế của v i mạch (hình 10.6). Bazơ của

152
 > lương đối dày, vì nó chiếm một phần iương đối sâu của vách ngăn. Do vậ'
dại dòng hị ị. không Ihc cao được mà chỉ giữa 2 0 đến 1 0 0 và đó cũng là lý
số hoạì động của Iranzilo không cao dược chỉ khoảng từ 30 đến 100MHz v<
vài m ili ampc.

Tranzito VLSI n - p - n S ubilo Tranzito n -p -n cớ sỏ

F, - 5 - 7 G H Z Fj - 500MHz

500 đến 1500 hạt tải/mm^ 100 đến 300 hạt íải/mm^

1 .2m độ dày của lớp epitaxi 8 - 10 |.im

0.3Q.cm điện trỏ suất 1 Q.cm

13 (hai lần khuếch tán vách ngăn) sản xuất dùng 12 lần mặt nạ
0,3(am pha tạp acsenic độ sâu của emitơ 1,7|im phôtph

0,5f.im pha tạp bor độ sâu của bazơ 2,7|.im pha tạp bor

0.2(.im chiểu dày của bazơ 1 |im

1,4|.im lớp nằm sậu giáp đê' 5ịxm

50 tới 100 hệ số khuếch đại hpE -^100 tới 400

300(im^ bề mặt = 3000nm^

Hình 10.6. Cấu tạo của tranzíto p-n~p có p là đế.

Sự thế E -B chi vào khoảng lừ 6 dến 7V, VI có vùng pha tạp mạnh là nguồn dòng
ciia cinitơ làni giảm điện trở về phía bazơ và vì emitơ phun về hai phía nên cũng làm giảm
hệ sô' khuếch dại dòng của Iranzito. Sụt thế trong vùng chuyển tiếp c - B trên thực tế giống
như cỊLia tranzito n -p -n bởi VI cả hai đều phụ thuộc vào điện trở suất của miền N. Thế bão
hoà Scó giá trị lớn vì điện trở của miền colectơ - đế khá cao.
Cần nhấn mạnh một điều là do còlectơ cũng đồng thời là đế của vi mạch nên nó luôn
được nổi với cực âm của nguồn nuôi. V ì vậy, tranzito loại này chỉ được sử dụng trong các
sơ dổ colcctơ chung với thế của colectơ không đổi.
* Tramito p -n - p có p ở hai bên
Loại này được chế tạo nhiều. Hình 10.7 cho thấy cấu tạo của tranzito p -n -p chế tạo
theo phiên bản Subilo. Trong phương pháp này, em itơ và colectơ được khuếch tán đồng
thời xìi phiii làm sao cho chúng nàm gần sát nhau đến mức có thể đế colectơ có khả năng
nhận được dòng phun từ em itơ nhiều nhất do vậy hệ số khuếch đại dòng sẽ tăng lên. Lớp
N Iiáiii sâu bén trong cho phép giảm hệ sô khuếch đaịu của tranzito ký sinh p-n—p có p là
dế. I’ranzito này có xu hưckig dẫn một phầni dòng enạitơ.

20.LKBD VI MACHA 153

 Khoảng cách E - c rất khó rút
nỵan v à diều khicn, do v â y hệ số
khuếch dại dòng thấp và Ihay đối
Iihiéii. Cìiá trị cúa nó từ 5 đến 50
khi = Im A . Hơn nữa, giữa dòng
colcclơ và bazơ có sự cỊLiav pha
iưtĩiig dối mạnh khi tăng lần số,
dieu nàv hạn chế việc 'sử dụng các
tran/.ilo loại này trong các dải
sóng MHz. Sụl ihế E -B cùng cỡ
như ciia c B khoáng vài chục vôn,
do vậy các Iranzito loại này có thể
được sử dụng trong các mạch vào
của các bộ khuếch đại vi phân.
Khác với Iranzito p-n~p có p nối
đế, íranzilo {>-n-p có p hai phía có
thê dược sử dụng lại bất kỳ điểm cấu tạo của tranzito p -n -p
nào của mạch. có p ở hai bên.

* T ram ito hổn hợp p - n - p có p hai hên và n -p -n

Sơ dồ hình 10.8 mô tả mộl tranzito hỗn hợp loại p -n -p có hệ số khuếch đại mạnh,
I'ran/ito p -n -p cho qua một dòng diện bazơ có giá trị rất nhỏ của tranzito n -p -n . Vì thế hẻ
số khuếch đại dòng của nó có giá trị cao.

NPN
PNP có p hai bên
•oC

Hình 10.8. Câu tạo của một tranzito hỗn hợp.

10.2. THỰC HIỆN CÁC ĐIỐT TRONG VI MẠCH

10.2.1. Chế tạo đ iố t thường và đỉốt ổn áp

Đ iốt được thực hiện cùng lúc với các tranziio. Có rất nhiều ưu việt cho việc chế tạo các
điốì từ cấu trúc của Iranzito. Trong trường hợp này, có hai loại điốt chính được chế tạo.
* ĐiốtĨỉ-B
Hình 10.9 cho thấy việc chế tạo đ iố i lừ cấu trúc của tranzito. Theo phương pháp này
thì chuyển liếp C -B đã được nối tắt. Thế ngược của điốt nằm giữa 6 và 7V. Ánh hưởng của
diện trở bazơ của tranzito lên điện trở của điốt có thể loại trừ. Đ iố t loại này còn được dùng
đê' làm các điốt điều chỉnh thế lân cận 6,3V. Tliế này có độ ổn định nhiệt độ khoảng 2,3m V /’C.
Do vậy, đê làm điốt ổn áp ihì cần phải cân bàng nó bằng cách ghép nối tiếp m ột điốt khác
theo hướng phân cực thuận có cùng hệ số nhiệt độ, nhưng mang dấu âm.

154 20.LKBD VI MACH B

 0+ o-

—o

& 1 b

-f-o
Id Đế 1
Hình 10.9. Cảu tạo của một đlốt E - B trong vi mạch.

^ Đ iỏt C~B
Trên thực lế, điốt loại này chỉ 0 + o~
được hoạt động trong chế độ phân
cực ngược, bởi vì trong trường —o-
hợp ngược lại thì tranzilo ký sinh
p n p có p nối đế sẽ có chuyổn
tiẽp E - B phân cực thuận và vì thế Id
nó sẽ dần một phần dòng vào đế
(hình 1 0 . 1 0 ). Ẳ
Đế
l'h ế ngược của điốt loại này
Hinh 10.10. Cấu tạo của điốt C -B .
chỉ bị hạn chế bởi thế đánh thủng
của chuyến tiếp B -B . V ì vậy. nó
được sử dụng cho các thế ngược lớn hưn 7 V. Điện-dung ký sinh giữa colectơ và đế cũng có
ảnh hưởng giống như đối với tranzito.

10.2.2. Chế tạo đ iố t S ch o ttky

Đ iốt Schttky có chuyên tiếp kim loại
bán dẫn không tích tụ điện tích, vì vậy
nó hoạt động rất nhanh, nên có thể dùng
Irong các mạch logic không có sự bão
hoà về dòng. Hofn nữa, điốt Schottky được
chế lạo cùng một phương pháp như chế
lạo các vi mạch lưỡng cực thông thường.
Hình 10.11 cho thấy cấu tạo của một điốt
Schotlky chế tạo theo phiên bản Subilo.
Trong điốt Schottky, dòng thuận là
do các hạt tải điện âm ( tức là điện tử)
chuyển từ bán dẫn sang kim loại. Đó là
các điện tử “ nóng” . Thời gian sống của
chúng trong kim loại ngắn hơn trong bán
dẫn loại p khoảng lừ 1 0 " đến 1 0 ’ lần.
Hình 10.11. Đ iốt S c h o ttk y c h ế tạo theo
Hơn nữa, bán dẫn loại N cấu tạo nên điốt
phiên bản S U B IL O .
lại không Ihu nhận bất kỳ !ỗ trống nào.

155
Do dó, khi ihc ngược lác dụng vào (liỏl iliì dòng điện sẽ ngừng ngay lập tức. Mật khác, sụl
Ihõ khi phân cực thuận chi klìoáng I[).4 V chứ khỏiig phải 0,7 V như đối với chuyển tiếp P -
N cúa bán dẫn silic. Đấy là lý (lo tại sao nuười ta thường mắc song song điòt Schottky trên
chuycn tiếp C- lỉ của tran/.ito silic dê dàn dòng bazơ và ngăn không cho tranzito bão hoà,
do dó cả điốt lẫn tranzito đều khôiiii tích tụ diện lích, như vậy tốc độ hoạt động của nó sẽ
nhanh lên.
Đổ có chuyển tiếp Schotlky pliải choii kim loại có hàng rào ihế cao tại nơi tiếp xúc với
silic. chẳng hạn như crom, nikpn - plalinc hoặc \'àng. M ặt khác, silic phải được pha tạp íl
đổ Ihúc dẩy chức nãng chỉnh lưu khi llic phân cực ngược còn nhỏ.
Những điốt Schottky lần đẩu liên đươc sán xuất trong vi mạch không có các đặc tính
sán sinh, bỏ'i \ ì điện trườníi lại \'ùna cliuyen tiếp có giá Irị rất cao gây ra dòng điện ký sinh
do hiệu ứng lunncl. Bằng cácli lạo ra lóp silic pha tạp p*, người ta thu được một cấu hình
như trên hình 1 0 . 1 1 .
Đ iốt Schotlky cũng có Ihc được nối song song với chuyển tiếp B -C của một tranzito
như irẽn hình 10.12. Với kỹ Ihuậl nàv có thể ihu được những tranzito có thời gian tích tụ
nhỏ hơn Ins. Thời gian lích lỊi này ràl nhỏ so với thời gian tích tụ của một tranzito có
coleclơ pha tạp vàng (7ns) và cùa một tranzilo thông thường (34ns). Chính vì vậy các vi
mạch 'IT L Scholtky được đật lên r i'L A1.S-FAST-FACT...

Đế loai p

Hình 10.12. Đ iố t Schottky nối song song với B - c của tranzito.

10.3. CHẾ TẠO CÁC LOẠI ĐIỆN TRỞ

Có rất nhiều các quá trìnli sán XLiấi các điện trở, nhưng hay dùng nhấl là thực hiện
chúng cùng lúc như các baTO’ của iranziU) 1 1 - p n.

10.3.1. Điên trở loai "bazơ"

Các điện trớ dược khiiếch lán bằng bán dẫn loại p trong một ngăn cách điện loại n.
Lớp ngăn cách diện này được nối với thế dương nhất của vi mạch (hình 10.13). V ì vậy, tất
cả các điện irớ của cùng một mạch có Ihc được khuếch tán trong cùng một lớp ngăn cách
diện mà không phải lo lắng cái này liÀm ảnh hưởng đến cái kia. Lớp nằm sâu sát đế có
tác dụng làm giảm độ lan rộng của vùng điện tích không gian, do vậy làm lăng sụt thế giữa
lớp n với đế khi phân cực ngược lới giá irị V* + V. Các điện trở được khuếch tán cùng lúc
với bazơ, nên chúng có cùns độ sâu như chuyển liếp B -C của tranzito.

156
 Giá trị cúa diện trớ phụ thuộc vào diện trớ SLiiú túa bán dần loại p và kích thước của
nó. nén Iigưtyi la định nghĩa một diện trở trung bình gọi là điện trớ ô vuông Rl u Đó là điện
írứ cúa một máu silic có chiều rộng bằng chiều dài với điện trớ suất xác định. / í của lớp
khuốch tán baz(í nằm trong khoảng từ 100 đến 200Í2. V í dụ dể thực hiện điện Irở 3kQ với
K = 150Q ; nếu chọn độ rộng lOnm, có nghĩa là một ô vuông có cạnh 1 0 |.im có điện trở
130Q ; như vậy de chế tạo diện trở 3kQ cần một độ dài 200(.im. Hình dạng của điện trở này
phai dưực chọn lựa sao cho nó chiếm vị irí ít nhâì trong vi mạch. Sai sô tuyệl đối so với giá
irị chuấn không lốt hưn ± 2 0 %. (jiá ìrị điện trở được thực hiện trong các vi mạch ihường chỉ
giới hạn tiong khoáng từ 30Q ctến 3 0 kíì với hộ sở nhiệt độ khoảng + 0.2% /’C. Các giá trị
điộii trở lớn hơn 30kQ thường không dược thực hiện trong vi mạch vì chúng có kích thước
C Ịiiá cồng kềnh.

Điện trở p

Thành
cảch điện

a)

H ình 10.13. a) cấu tạo của điện trd loại bazơ : b) cấu tạo theo phiên bản Subilo.

V) các điện trở dược cỏ lập bằi>g lớp ngăn loại n mang m ội ihế dương nhấi của vi mạch
nêii giữa diện trỏ' với lớp n này lạo nên một điốt cách điên phân cực ngược có dòng điện có
ihc loại Irừ, nhưng lóp này cũng lạo nên mộl tụ điện dọc theo suốt chiều dài của điện trở
\'ới diện dung không thế loại trừ dược. Giá trị của nó vào khoáng 200pF7mm\ phụ thuộc
vào diện tích bổ m ĩil của diện Irở, vào điện trớ suất cùa bán dẫn của lớp ngãn cách điện n và
\'ào ihc' phán cực ngược ở hai ban cực. Chẳng hạn. với /? .: = ] 50Q rộng IO|.im có điện dung
0.14pI7kí2 : nếu dộ rộng 7Ị.iiiTlhì điện dung là 0.07pF/kQ ; do vậy để giảm điện dung ký
sinh này Ihì yêu cầu đầu tièn là giảm độ lộng của điện Irứ. Hiện nay, kỹ thuậi quang khắc
cho phép thực hiện các diện liư có độ rộng tối thicu là 5 ịìiti.

10.3.2. Các điện trở loại em itơ

Phưưim pháp này dược sử dụng đế chế tạo các diện trớ có giá trị nhỏ, bởi vì miền
em itơ có pha tạp N ' có R khoảng từ 3 dến 5Q ; do dó miền này chỉ được sử dụng để thực
hiện các diện trở có giá trị nhỏ hơn lOOQ, nhưng dộ chính xác lại không cao, sai số khoảng
± 25% và sụt thế giới hạn 6 V iroiig khi điện dung ký sinh lại lương đối cao.

157
 3.3.3. Điện trở
10.3.3. trỏ loại “ bazơ bị kẹp”
kẹp'’ (pinch
(pin< - o ff resitor)

(>-.---------- R ---------
Phương pháp này cho phép lạo
các điện trở có giá trị cao, nhưng lại ít
cồng kềnh vì độ dày của lớp bán dẫn
loại p cấu tạo nên điện trớ có thể được
giảm bớt bằng cách khuếch tán một
lớp trên vùng p của điện trờ, cùng
lúc khi khuếch tán em itơ của tranzito
Đế loại p
n -p -n (hình 10.14). R¿, của nó nằm
■ I« ■ ^ A ^ ^ . r .....................
Hình 10,14. Cấu tạo của điện trở loại ”bazơ kẹp". giữa 3 đến lO k Q . T u y nhiên, điện trở
loại này có rất nhiều hạn chế.
- Miền nối với lớp ntỉăn cách diçn N làm cho sụt thế ở hai đầu điện trớ phải nhỏ
hơn 6 V.
- Điện Irở này không luyen lính với dòrm diện do hiệu ứng trường trong vùng chuyển
liếp kênh p.
“ Nó có hệ số nhiệt dộ dươngmạnh:+0,6%/'C.
- Nó phụ thuộc vào độ sâucủalớp N" \ à thayđổi rất mạnh từ sự khuếch tán này tới sự
khuếch tán khác với hệ số từ 1 đến 2 .
- Điện dung ký sinh giữa diện trở và lóp ngăn cách điện cao do sự có mặt của hai
chuýển tiếp phân cực ngược l’ -N và p N*.
Mặc dù có những hạn chế trên, nhưng diện trớ sản xuất theo phương pháp này vẫn là
phương pháp duy nhất đc lạo nên các điện Irớ có giá trị cao từ 10 đến lOOkQ.

10.3.4. Điện trỏ íoại ’’colectơ”

Đổ tạo ra các điện trớ có giá trị cao nhưng lụi có sụt thế ở hai đầu lớn hơn 6 V thì phải
dùng lớp epilaxic loại n dược kẹp bơi miền khuếch lán loại p. Lớp epitaxic này cũng chính
là colectơ của tranzilo n p n (iVinh 10.1!^).
Miền kẹp giữa này có phần chung \'ó'i bức lường
cách điện loại p, do dỏ chuycn liếp p- N luôn luôn
phân cực ngược vì đế của \’i mạch luôn luôn được
nối với thế âm nhất cùa mạch. Thế đánh thủng của
chuyển tiếp này rất cao: khoáng 20 -r 30V. nên có
thể chịti được sụt thế cao ỏ hai dầu các diện trở có Đế loại p
giá trị lớn từ 20kQ đến 3()0kQ. Các điệii Irớ loại này
cũng có nhược điểm là kliỡng Ihê lái sản xuất và có Hình 10.15. Cấu tạo của điện trở
hệ số nhiệt độ (+0,9'7c/'C) và phi tuyến vì nó gần loại ’’colectơ”.
giống với hoạt động của iranzilo trường kênh N.

10.3.5. Thực hiện các tụ điện

Có hai phương pháp thực hiện các lụ điệii có điện dung cỡ vài chục picô phara trong
các vi mạch. Đó là:

158
 - Các diện clunịỉ MOS
Điện dung loại này được thực hiện bằng cách
phú một lớp nhôm lên trên lófp o xit silic SÌO2 phủ
trên bề mặt của miền khuếch tán loại có điện trớ
suất rất nhỏ (khuếch tán loại em itơ) (hình 10.16).
Si02
Để thu được lớp oxit không có khuyết tật, người
ta chồng chất một lớp SÌO2 dầy khoảng lOnm và một
lớp Sì,N 4 dầy khoảng 4nm lên trên miền N^. Điện
Hinh 10.16. Cấu tạo của tụ điện dung của lớp này vào khoảng 1 nF/mm% nghĩa là
trong vi mạch. 100pF trên một mặt vuông cạnh 100|j,m. Thế cực đại
có thể chịu được là lOV.
- Điện dung phim cực
Người tci sử dụng vùng nằm giữa hai chuyển tiếp P -N phân cực ngược. Giá trị của điện
dung của tụ điện phụ Ihuộc vào thế ngược, kích thước hình học và vào điện trở suất của bán
dẫn. Các điện dung có giá trị đáng kể khi thế ngược ở hai đầu tụ lớn nhất là 6 V. Người ta
có Ihể thu dược các tụ điện có điện dung 600pf/mm^ khi thế ngược 6 V.

10 «2

Hinh 10.17. Sd đồ nguyên lý tạo các dây nối trong vi mạch.

Điện trở nối tiếp với các lụ điện loại này không lớn lắm là do công nghệ MOS.
Cuối cùng là việc thực hiện các dây nối. Hình 10.17 cho thấy các nguyên tắc thực hiện
các dây nối trong sơ đồ. Trong sơ đồ này, lớp có điện trở rất nhỏ đóng vai trò một dây
nối giữa hai chân nối bằng nhôm 1 và 2 .

10.4. CÁC VI MẠCH LOGIC !' L (INTEGRATED INJECTION LOGIC)

Hình 10.18 cho thấy sơ đồ m ộl vi mạch logic hai cổng G| và G 2 : mỗi cổng có ba lối
vào (C, -C ,). Các dòng điện bazơ của Iranzito nhiều colectơ n -p -n đến từ các tranzito phun
p n-p. Như vậy ta sẽ thu được một sơ đồ không có các điện trở tiêu thụ năng lượng và
chiếm chỗ trong vi mạch. Đó chính là lý do tại sao các vi mạch loại này tiêu thụ rất ít năng
lượng và có mật độ lin h kiện cao.
Trong công nghệ này, các tranzito n -p -n hoạt động trong chế độ ngược. Lớp tạo
thành emitơ nối với vỏ. Bazơ của tranzito p -n -p cũng là em itơ của n -p -n và colectơ của
p -n -p lại là bazơ của n-Ị>-n. Điều này cho phép tăng mật độ tích hợp của vi mạch.

159
 Mức logic thấp không vưnt quá 2i)niV. irong khi mức logic cao vào khoảng 0,4 đốn
(),8 V tuỳ theo mức dòng. Các mạch k)gic l ì . có níiững ưu điểm sau đây;
-- Độ tin cậy luyệt dùi; nho hưn picoỊun niiờ mức logic có giá trị nhỏ và nhờ điện dung
của lớp chuyển tiếp P- N rãi bC' do kích thước của nó nhỏ. Thế nguồn nuôi nhỏ: từ 1 đến
12V. I ’ L hoại động khi íhc nuôi bàng 1,5V cũiiii còn lôì.
- Mật dộ lích họp cao; 500 dên 2()()0 cổnu tròn mm^ ; có thể so sánh được với các
mạcli MOS. Dỗ dàng ghép nòi \ới má> linli vì chúng tạo nên các mạng lưới điều khiến và
không có diện Irò. Dòng di ện nuõi có gain iLKíiig đối lớn: người ta có thể tố i ưu hoá sự tiêu
thụ của mộl mạch bằng cách cố dịnh dòng phun ư uiá trị tối thiểu để thu được vận tốc cần
Ihiốl giữa lOnA và 100ị.iA ((CÓIIÍI suất lừ 1 dốn 10|.tW/cổng).
- Có thê’ tổ hợp với các Idgic khác. clẠc biệt với T I'L và ECL. Người ta cũng có thể thu
dược lổ hợp logic - tưưntỊ l ự irên cùno một tinli thể bán dẫn.
Dai nhiệt dộ hoạt dộiim khá cao; -55"c clcn +125"c.
- 'Phời gian truyền từ 20ns dốii 3()ns, nếii uiảiTi kích thước và bề dày của lớp epitaxie
có ihế giảm thừi gian truyển lừ 5 dến lOns Irén m ộ t lớp logic và với mật độ tích hợp đến
2000 cổng/mm'\ Các vi macli logic Ị‘ [. dược ứng dụng rất rộng rãi trong mọi lĩn h vực của
diện lử: xử lý số liệu, viễn thông, Ihic't bị và kicm tra diều khiển, audio và video...

a)

Si02
bi q C2 C2 C2 ba /

b)
n+
n+ . v/ùng nằm sâu

Hình 10.18. Sơ đổ nguyên tắc và cấu tạo của mạch logic hai cổng PL.

10.5. CÁC VI MẠCH LOGIC TTL (TRANZITO TRANZITO LOGIC)

Nhờ sự phối hợp giữa công nghệ cách điện bằng oxit SÌO2 loại Subilo với các tranzito
và điốt Schottky, người ta thu dược các vi mạch T1’L hoạt động nhanh và tiêu thụ năng
lưựng rất ít.

160
 Vcc Chính nhờ chuyển tiếp kim
loại (crom hoặc platine - nike) với
silic mà các hạt tải điện không cơ
bản bị loại trừ rất nhanh trong quá
trình tranzito chuyển trạng thái,
nhờ đó cải thiện đáng kế đáp ứng
xung cúa mạch. Chuyển tiếp này
dẫn một phần dòng diện bazơ tới
colecto, do đó thế loRÌc Voi của
mạch logic loại này lớn hcín thế
v„| của các mạch logic thông
thường và thâm chí còn lớn hơn cả
thế lối ra của tranzito pha tạp vàng.
Hình 10.19 là sơ đồ cơ sở của
một cổng logic T T L FAST của
Hinh 10.19. Sơ đồ cơ ở của cổng logic TTL FAST. hãng Signetics RTC. Chúng có
những đặc tính sau đây:
- Thời gian truyền: 3ns; công suất tiêu thụ trên một cổng: 4mW.
- Hoại động tốt trên toàn bộ khoảng nhiệt độ và thế nuôi 5V ± 10%
Công nghệ này dược sử dụng đổ sản xuất rất nhiều họ logic:
* Họ logic loại 54000 và 74000 dân dụng.
Các họ logic này gồm các cổng logic, các bộ giải mã, các triger, các bộ cộng logic, các
bộ ghi dịch, các bộ đếm, các bộ ghép kênh và truyền dẫn, các bộ kiểm tra điều khiển
DRAM, các bộ mã hoá/giải mã... Nhiệt độ hoạt động đối với loại 54000 là -~55"c đến +125"c
và cho loại 74000 là từ - 40"c đến +85 "c.
* Các bộ khuếch đại thuật toán.

10.6. CÁC VI MẠCH LOGIC ECL

Các mạch logic này được sản xuất theo công nghệ loại SƯBILO với chất cách điện là
oxit, theo phiên bản ECL lOk hoặc ECL lOOk (R.T.C).
Sơ dồ nguyên lý của một cổng hai lối vào cho trên hình 10.20. Nó chỉ chứa các
tranzito n -p -n và các điện trở cao. Các mạch logic loại này hoạt động rất nhanh vì các
tranzilo không bị bão hoà.
* Logic ECL lOk: - Nguồn nuôi: -4 ,5 V ± 7%. Thời gian truyền: 2ns.
- Tiêu thụ nãng lượng/cổng: 25mW.
-T ố c độ: 100 đến 150MHz.
- Các ứng dụng: làm các toán tử logic, interfaces máy tính: các khối xử lý trung ương
và các bộ nhớ nhanh, các bộ phận ngoại v i nhanh, các hệ thống tổ chức số trong điện thoại,
các thiết bị nhanh như các bộ tổng hợp tần số, điện tử hạt nhân.
* Logic ECL lOOk: Thời gian truyền từ 0,5 đến 0,75ns tuỳ theo từng mạch.
- Công suất tiêu thụ/cổng: 25mW.

21 LKBD VI MACHA 161

 - Nhờ sự càn bằng về ihế và nhiệt độ, nèn các mức logic lối ra khá ốn ciịnh; đồng thời
Uiời gian truyền cũng như độ nhạy về nhiẻu được bảo toàn.
Các lối ra trớ kháng nhó trên bộ lặp lại cm itơ cho phép đưa thẳng ra các đường truyền
vù thực hiện các mạch OR.
* Các ứng dụng: trong tin học. trong viền thông, trong xây dựng thiếl bị có chất lượng
cao \'à vận lốc lớn cũng như có yêu cầu vổ mậl độ tích hợp.
Ngoài các loại vi mạch cơ bản nói trên, công nghệ bipolair còn được sử dụng để sản
xuất các bộ nhớ PROM có dung lượng từ 256 b il (32 X 8 ) và 128 bit (384 X 8 ) thời gian
truy cập từ lOns dến 60ns; các bộ nhớ R A M có dung lượng nhớ từ 64 bit (16 X 4) đến 2kbit
(256 X 9).
* Qíc mạch logic có thể lập trình.
* Các vi mạch cho công nghệ viễn thông.
* Các bộ chuyển dổi A /D và D /A.
* Các ứng dụng khiíc ứ tần số thấp, các mạch công suất, trong radio, trong điện thoại
hình...

o Vcc2 = ov
Vccí = 0 V
tp = 2 ns
lổi ra p = 25mW
‘hoặc-không”
- VoH= 880mV
o
-VoL = 1.72V

—o lối ra “hoặc'

Hình 10.20. Sơ đõ nguyên lý của mạch logic ECL hai lối vào.

10.7. CÁC VI MẠCH CÔNG SUẤT HOẶC CAO THỂ

Các vi inạch bipolair không chỉ áp dụng chế tạo các linh kiện siêu bé, có công suất cực
nhó với diện ihế khoảng vài chục vôn, mà chúng còn được áp dụng để sản xuất các linh kiện
có công suất lớn và cao Ihế dành cho các áp dụng đặc biệt, chẳng hạn như các mạch khuếch
đại và quét trong tivi, các bộ khuếch đại tần số thấp hoặc các bộ khuếch đại công nghiệp...
Người ta cũiig có thổ chế tạo các mạch có các lranzito n -p -n và p -n -p chịu được 100Vc,.{,
và từ 120 cỉến 150Vf„o. ứng dụng trong:
- Bộ dicu khiển của ôlô 12V chịu được thế ngưỡng 120V, 90V khi phân cực ngược và
30V khi phân cực thuận với dòng chuẩn là 0,5A.
- Các bộ khuếch đại công nghiệp được nuôi dưới thế ± 50V.
- Các mạch điện thoại chịu được thế 80V|,J và 120V thế ngưỡng của bộ phận báo chuông
của đường dây thuê bao.
- Điều khiến môtơ bước bốn pha; điều khiển hoạt động của các van.

162 21.LKBD VI MACHB

 Chương 11

CÁC LOẠI VI MẠCH MOS

11.1. TRANZITO MOS

Các vi mạch M OS là lổ hợp của các tranzito MOS. Nguyên tắc hoại động của tranzilo
MOS dà dược nghiên cứu Irong phần trước, Irong chương này chỉ để cập đến các công nghệ
lích hợp các tranzilo này đế lạo nên các vi mạch MOS có các đặc tính thoả mãn các yèu
cầu thực tố.
K lii lựa chọn mộl công nghệ ihích hcrp, cần chú ý đến các thông số sau dây của íranzito
MOS:
Kênh là loại N hay p ?
Hướng trục linh Ihể của bán dẫn làm đế [1.1.11 hay [1.0.0] ?
- Bán chất tự nhicn của cực cửa: nhỏm, silic da tinh thể hay polysilicire?
“ Pha tạp lừ dế hay là lớp epilăcxi ?
Loại hoạt động: làm nghèo hay làm giàu ?
Báng sau dciy cho thấy sự dặc Irưng cúa các loại tranzito sản xuấl theo các công nghệ
khác nhau. 7'ừ bảng cho Ihấy công nghệ MOS cho mức độ lích hợp cao nhất. Bởi vì chính
sự Ihu nhỏ chiồu dài của kênh và lóp ngăn cách điện giữa hai MOS không còn cần thiếl nữa
dã làm n il ngắii rấl nhiều kích thước hình học của linh kiện. Thông thường dộ dài của kênh
c ỡ l|.im; công nghệ lien liến có ihổ rúl xuống còn 0,65|j.m hoặc thậm chí chỉ còn 0,4p.m.
Kênh càng ngắn thì độ dày của lớp cách điện ở cửa phải càng mảnh (20 hoặc 30nm) để bảo
dảm linh kiện có độ dốc của đặc irưng có thể chấp nhận được.

Các đặc trưng TTL MOS CMOS Đdn vị

Số lấn quang khấc 8 đến 12 7-9 9-12
Mức độ tích hợp 50 - 500 500 - 2000 5 0 0 - 1000 tr/mm*
Nguổn nuôi 2-40 5 V
Dòng <5A 50 50 mA
Công suất/ cổng 10 0.5 pj
Thế ngưỡng 0,6 07 0.7 V
Tần số xung nhịp 1 0.1 0.2 GHz

* Thểnịịưỡnị> của lình kiện phụ thuộc vào hướng trục tinh thể của bán dẫn làm đế, vào
dộ dàv và vào bản chất của chất cách diện ở cực cửa cũng như vào độ pha tạp của bán dẫn
silic. 'rhế này có giá trị rất nhỏ nếu định hướng trục tinh thể là [ 1 .0 .0 ] và cực cửa làm bằng
silic đa linh thổ.
* Nitrislic (67,/V4) là chất cách điện rất được ưa dùng để làm chất cách điện cho cực
cứa (G) của tranzito MOS. Nó có hằng số điện m ôi 7,5 trong khi của SÌO2 chỉ bằng 3,9.
Ngoài ra, nó C(')n chịu dược thế đánh thủng cao hơn của SÌO2 .
Do vậy cho phép giảm độ dày và giảm thế ngưỡng.

163
 Chấl cách diện này 0 1 1 0 1 1 0 lại sự xám nliập cúa các ion sodium cho đến tận nhiệt dộ
200"c, nên Iranzito có độ ổn dịiih lâu tlìii. Tuy nhiên, người ta không thể cây trực tiếp Si:,N4
lên silic, vì làm như vậy sẽ xLiãi hiện ciic điện tích không mong muốn ở bể mặl phân cách.
Do vậy buộc phái tạo mộl lóp móng SiO, Irên bề mặl silic trước khi cho ngưng đọng lớp
Si.N,, dày khoảng dưới lOOniii.
* Bàn chcíí tự nhiên ( lia cực cứa cũng có lien quan đến thế ngưỡng. Thực vậy, sự khác
nhau giữa c ô n g thoát đ iện tử dê lách ITIỘI diện lử ra khỏi cực cửa và c ô n g thoái đ iện lử của
đế lạo nên diện thế tiếp XIÌC. mà ihế nmiõnu lại phụ ihuộc vào điện thế liế p xúc này. Điện
thế tiếp xúc giữa nhỏm và silic loại p \'ới diện irớ lừ 1 đến lOQ.cm vào khoảng -0 ,9 V . Nếu
thay nhôm bằng silic da tin li tliể pha lạp mạiili, thì điện thế liếp xúc chưyến tớ i +0,3 ; có
nehĩa là có hiệu ih ố 1,2V. này dẫn lới uiám cá ihế ngưỡng.
* Tranzilo MOS kênlì n xuất hiện sau MOS kênh p chỉ vì lý do công nghệ. Trong công
nghệ chế tạo các Iranzito MOS kcnh n, sụ nliiẽm bẩn trong sản xuấl thường lạo nên các
điện tích dương. Các ion dưưng kv sinh này tích tụ ở bề mặt phân cách giữa oxit - silic.
Các điẹn tích này gây ra sụ XC dịch Ihc nuưững làm cho tranzito M O S kênh n làm giàu
được giải toả sớm. Các điện lích này cũng có mặt trong MOS kênh n, nhưng các ion dươiig
ớ dây bị các ion âm của cực cứa húl \'C phía mật phân cách nhôm - oxit, nên không ảnh
hưởng đến thế ngưỡng.
MOS kênh n rất ưu viộl \’ì dộ linh dộng của điện tử lớn gấp từ 2 đến 3 lần độ linh động
của lỗ trống. Ngoài ra, điẹn trớ của kênh 11 (ớ chế độ O N) cũng nhỏ hơn và vận tốc làm
việc của nó cũng nhanh hưn.
* Công Iìí>lìệ sản xuất MOS kèiìlì lì góin các bước sau đây;
- Đế dược phủ mộl lớp cpitãcxi p dế chịu được các tia chiếu xạ.
- Cực gốc và cực dẫn là bán dẫn loại n plia tạp ít để tránh các hiện tượng của các hạt
tải “ nóng” do kích thước cúa kênh quá mánh (cờ niột phẩn mười |im ).
- Cửa (G) bằng pholvsiliciure làm giảm diện irớ các dây nối xuống hệ số 10 (từ 20/30Q.cm
xuống còn 3/4Q.CIĨ1).
- Mức tráng kim đìiu liCn cl(‘ lam d;\y nõi lùm bằng tungsten \ 'ì nó có độ bám chắc và chịu
dược dòng cao và dỗ ngưnu dọng lioá học (lưtíi dạng hơi. Mức tráng kim thứ hai là nhôm.
- Bình thường thì kènh kliõng
bị Iráng kim vì MOS làm giàu \'à
không có sự phân cực trên cứa, ncn Cực gốc Cửa Cực dẫn
nó bị cấm. Sự cấy ion ỏ' (iirới cứa
có thể tạo nên kênh n, MOS làm AI hoặc w
giàu, không bị phân cực Irên cửa,
nên nó dẫn. Cấy ion cũng có Ihể Si02

làm thay đổi thế naưỡng. Cũiig cần

nhắc lại rằng, các vi mạch MOS râl SÍO 2 dầỵ_0,03jỊm __v
nhạy với các điện lích tĩnh diện, do p” ~ lớp epitaxie
vậy cần phái bảo quán chúníỉ iron a
các hộp chống tĩnh điện trước khi Hinh 11.1. Cấu tạo của MOS kênh n với cửa
lắp vào trong mạch. Hình 11.1 là là silic đa tinh thể.
cấu tạo của MOS kênh n.

164
11.2. CÒNG NGHỆ CMOS VÀ SOS

11.2,1. Còng nghệ CMOS

V i mạch CMOS là inột cấu trúc gồm các tranzito MOS kênh p có chung đế với một
tr a n / iU ) MOS kcMih n. Vì thế nó được líọi là Iran/.ito MOS bù trừ. Nhờ cấu trúc dó, người ta
dã ihu được mộl bộ dảo rấl lý tướng.
1 lình 11.2 cho thấy sơ đồ nguycn tắc của bộ dảo CMOS và cấu tạo của nó. Hai MOS
có chung dế là bán dản loại N. Trên dế này người ta khuếch tán một vùng tương đối rộng
\'à sàu; nơi dó sẽ tạo nên MOS kênh n. Trong vùng p đó, người ta khuếch tán cực gốc s và
cực đẫn D(N^). Tiếp đó khuếch tán cực gốc và cực dẫn cho MOS còn lại (?■"). vSau đó người
la cho ăn mòn bóT lóp SiOi ở liên lĩiạl kênh N và p, chỉ để lại một lớp mỏng và phú lên đó
mộl lóp Si,N I sao cho dộ dày tống cộng \'ào khoảng lừ 20 đến 30nm cho các MOS có chiều
dài kcnh nhỏ hơn Các cực làm bằng tunẹstcn và các dây dẫn lối ra được phủ ở trên
mạch đổ tạo chân cho vi mạch.
Mạch nàv hoạt dộng như sau: Khi thế lối vào ớ trong trạng thái cao, thì V|. = Do
vậy, MOS kẽnh n dẫn (ON) còn MOS kênh p đóng (OFF). Thế lối ra bằng thế đất (trạng
ihái Ihàp), khi thố vào ớ Irạng thái Ihấp (bằng ihế dất), thì MOvS kênh n OFF còn MOS kênh
p dẫn (ON); Ihế iối ra bằng thố ; tức là ở trạng ihái cao. ,
V I hai MOS này không dần một cách đổng thời, nên về phương diện lý thuyết, mạch
kliồna liêu thụ năng lượng. Tuy nhiên, trong thực tế có dòng rò rất nhỏ và eổ sự tích điện
và phóng diện cúa các diện dung ký sinh. Dòng này tăng với sự tăng tần số.
* Các dặc irung diện của CMOS
Thố nuôi nhó: IV đến 3V luỳ theo loại.
'lliờ i gian truycn dẫn nhanh: < 3ns trên cổiig.
- 'Picu Ihụ nãng lượng có Ihể loại trừ ở trạng thái nghỉ.
Khả niing chống nhiỗu cao.
'ĩh ế nuôi duy Iri: 2V.

S i02

Khuếch tán
lốp cách điện p Ss + Vss
o

Tp
Dp
Eo os
Khuếch tán lớp Dn
cách điện p và n Tn
Khuếch Sn
tàn p
Khuếch tán
1
lâp cách điện n
b) a)
Hình 11.2. Sơ đố nguyên tắc và cấu tạo của CMOS:
Sp.: Cực gốc của MOS kênh p; Tp tranzito kênh p: Dp: Cực dẫn của MOS kênh p: T„: Tranzito kênh n:
D„: Cực dẫn của MOS kênh n: E: Lối vào: s„: Cực gốc của MOS kênh n; S: lối ra.

165
11.2.2. Công nghệ SOS
Đó là công nghệ sản xuâì cúc MOS dô saphir nen còn gọi là tranzito SOS. Như đã biết,
người la có thể tạo các lóp cpilaxi ircii các dố khác nhau với điều kiện vậl liệu làm đế có
cùnu cấu irúc Irục tinh ihò’ như cúa lóp cpilaxi cló. Saphir và silic cùng có cấu trúc trục linh
thế điamanl, vì vậy có Ihê ngưng dọng mộl lóp epilaxi của silic lên trên đế saphir, chính V I
thố mới có tôn gọi SOS (Silicon over saphir). Tran/ilo SOS không nhạy cảm đối với các lia
chiếu xạ bởi vì saphir không bị ảnh hướng bời các tia chiếu xạ như silic; V ì Ihế nó được
ứng dụng rộng rãi trong quàn sự, trong liên lạc không gian và trong điện lử hạt nhân. Tuy
nhiên giá thành của các linh kiện loại này còn khá cao.
Hình 11.3 mô tả các giai doạn để chế lạo mội SOS. Người ta phủ một lớp epitaxi từ
silic dầy l|.im trên đế saphir, sau đó lại phú mội lớp SiOj (a). Dùng quang khác, chỉ giữ lại
một phần SiOj (b). Sau đó cho ãn mòn phần silic, chỉ để lại một đảo nhỏ silic ở trên đế (c).
Tạo lớp oxit Ihứ hai phủ toàn bộ đảo silic (d). Dùng mặt nạ và quang khắc theo phương
pháp kinh điển tạo được mộl tranzito MOS. Tạp châĩ p được thực hiện nhờ khuếch tán Bo.
Lớp p này sau dó lại được phủ oxil. Cuối cùng là chế lạo cực cửa và các chân nối ra cho
cực gốc và cực dẫn bằng nhỏm (c).
Bể dấy cúa lớp oxit nằm dưới cứa từ 30 dến 50 nm. Như vậy sẽ được một MOS kênh p.
Đối với các MOS kênh n Ihì lớp epităxi pha lạp p nhờ Bo, còn lớp khuếch tán tiếp theo N
được pha tạp với phỏtpho.

Silíc N
SiOỉ

Silíc N
VXVVVVVVVVVVVVVVVWsVsVs Si02pha tạp bor
Saphir

Silic N

Hình 11.3. Các bước chế tạo một SOS.

11.2.3. Chế tạo một tranzito SOS bù trừ

Công nghệ SOS cũng rất quan tâm đến \’iệc chê tạo các SOS bù trừ (Complementair
SOS). Đây cũng là mạch gồm hai MOS có kênh n và p chế tạo trên cùng đế saphir.
Hình 11.4 là cấu tạo cúa SOS loại này. Trong sơ đồ iranzito SOS P" pp^ là loại làm
nghèo, còn SOS N" PN" là loại làm giàu, Đây là loại cấu tạo bất thường vì một MOS kênh p
thường có cấu tạo PNP. Cấu Irúc này cho la một bộ đảo lý tưởng.
Các đặc trưng của c s o s
- Chuycn mạch rất nhanh: Ins/cổng.
- Mức độ tổ hợp khả dĩ khá cao: độ dài của kênh < l|^m.
- Không nhạy với các tia phóng xạ và nhiỗu.

166
 Lớp silíc epìtacxi
pha tạp loại p

Hình 11.4. Cấu tạo của SOS bù trừ:

Tp! SOS kênh p làm nghèo; T,; SOS kênh n làm giàu; Sp! Cực gốc của SOS kênh p; Gp. Cực cửa của kênh p:
Dp! Cưc dẫn của kênh p; s,; Cực gốc của kênh n; G^: Cực cửa của kênh n; D^: Cực dẫn của kênh n.

11.3. CÒNG NGHỆ CHẾ TẠO CÁC LOẠI VI MẠCH GaAs

11.3.1. Tranzito trường GaAs

Các tranzito trường dược chế tạo từ GaAs có độ linh động của điện tử rất cao:
63()0cnT'A^-s và độ rộng vùng cấm lófn: 1.43eV nên đế làm bằng bán dẫn này gần như là
chái cách điện vì nó có điện trở suất râì cao; 10"Q.cm. Tranzito trường làm bằng bán dẫn
GaAs có dộ dài của kênh rất ngắn: 0,25).im ; vì vậy các linh kiện loại này hoạt động ở tần
số rất cao, thưòĩig là lớn hơn 100GHz, có nghĩa là thời gian, truyền cũng rất ngắn khoảng
50ps trong một bộ đảo. Tuy nhiên, nó cũng có nhược điểm: lỗ trống có độ linh động nhỏ:
4()0cmVV.s. Điểu này ngăn cản sự chế tạo các CMOS và các tranzito kênh p.
Với công nghệ GaAs người ta có thể tạo được các mạch FET lai vi sóng với tần Số >
18GHz có thể tích rất nhỏ không cồng kềnh có thể tái sản xuất vì vậy giá thành sản phẩm
rất hạ. Các vi mạch số, các mạng mạch phức tạp trước khi phát, các đầu thu vệ tinh của TV
ớ tân số 12GHz... đều được chế tạo iheo công nghệ này. Ngoài ra, việc truyền dẫn lưu lượng
cao trên các cáp quang trong dải từ 140 hoặc 560Mbit/s đến 1,2 hoặc 2,4Gbit/s cũng dùng
c ik linh kiện này.

11.3.2. Cõng nghệ

Cỏ bốn loại chính:
Côiiiỉ nghệ chế tạo các JFET được điều khiển bằng chuyển tiếp P -N giành cho các vi
mạch cứng.
Còng nghệ MESFET: dược điéu khiển bằng điốt Schottky. Công nghệ này được sử
dụng nhiều nhất.
- Các tranzito có độ linh động điện tử cao H EM T: Đó cũng là công nghệ chê tạo
tranzito trường MESFET, nhưng kênh dẫn là một chất khí điện tử hai chiều được tạo nên
nhừ chuyển tiếp dị linh thể giữa một lớp GaAlAs pha tạp loại n và một lớp GaAs tinh khiết.
Tranzito này hoạt động rất tốt ở vùng nhiệt độ thấp, nhất là nhiệt độ nitơ lỏng 77*'K có độ
linh động điện tử rất cao > 1 0 0 0 0 0 cn r/v.s.
- Franzito H BT n -p -n được cấu tạo nhờ chuyển tiếp dị tinh thể giữa GaAlAs
n/GaAsp^"^ có tần số cắt đến 45 GHz. Sau đây ta xét một công nghệ điển hình nhất, đó là
công nghệ chế tạo các tranzito MESFET.

167
11.4. CÔNG NGHỆ MESFET
Có hai loại tranzilo M i-.Sl'iri':
H. MESFIi 1: Đó là t r a n /iU ) C() kénh làin 'iiau, dược dùng trong các mạch số.
D. MESFE1 là tranziio trường có kênh làin nehèo (depletion); được sử dụng chủ yếu
trong các mạch lương tự.
Cá hai cách chế lạo cũng gần giông nhau (hìnli 1 1.5).
lìè n mộl đế gần nhir
vùng điện tích
cách diện có trục tinh thè
ịl.O.Oị với mật độ sai hònẹ I ds
a)
mạng từ 10' đến lOVcm'.
Đế pha lạp inđi có dộ sai
hỏng mạng cũng rấl thấp
(lO Vcin’’ ). Sự sai hỏna
mạng sẽ gây nên sự bâì
đồng nhất về thế ngưỡng
(V |). Sự pha tạp đế được ^ ^ ẠiDs b)
thực hiện nhờ phương pháp
cấy ion tạp chất, vì vậy mức
dộ pha tạp dược kicm tra
với dộ chính xác cao và rấl
đồng nhất licn toàn bộ thể LớpSi0 2
lích. Sau dó người ta tạo
các micn cực gốc và cực Au Ge Ni
dẫn cũng bằng việc cấy ion. c)
Các vùng này dược pha lạp
mạnh đé’ giám điện trở CLUỊ
kênh của iranzito.
Tiếp xúc ômic đirợc
ihực hiện nhờ các lớp Au
G e-N i ngưng đọng dưới
dạng hưi kim loại bằng cách
S(ĩn lắng dọng. Dây nối cúa Hình 11.5. Sơ đồ nguyên tắc của D. MESFET
cực dẫn được làm bằng các (a); E.MESFET (b) và cấu tạo thực tế của-một MESFET R.T.C

lớp kim loại A u -R -1 1

Để bảo vệ bề mặt hoạt dộng của GaAs người ta phủ trên đó một lớp Si,N 4 bằng phương
pháp lắng đọng hoá học.
M ặl Sciu cỉia đế được dánh bỗng và inài sao cho còn độ dày khồảng 100|jm, sau đó mạ
một lớp vàng dày khoảng 5ị.iin.
Sự phân cách giữa các khối mạch với nhau được thực hiện nhờ sự quang khắc tổng thể,
bắt dầu từ mặt sau.

168
 11.4.1. Các cấu trúc logic cho các vi mạch GaAs
11.4.1.1. Cấu trúc BFL (Buffered Fet Logic)

Trong cấu trúc này, người ta sử dụng các tranzito D.MESFET như trên hình 10.6. Bộ
đảo cư sở chứa 4 tranzito (T| - T4) và chức năng OR - NO T thu được nhờ bổ sung thêm Gác
tranzito mắc song song với T|.
Tranzito có cửa kép (T 5 ) cho phép thực hiện chức năng AN D. Các chức năng logic
được thực hiện trên tầng đầu tiên, còn tầng thứ hai (T, - T4) thực hiện quá trình chuyển mức.
V ớ i V t = - 1 V và = 0,7V thì độ lệch logic từ 0,6 và 1,5V.
Cấu trúc này có nhược điểm là cần hai thế nuôi: Vss = -1 ,5 V và V = +2V và tích số
giữa vận lốc hoạt động với công suất tiêu thụ còn cao: 0,3 đến 1,5. Tuy nhiên, nó cũng có
nhiều ưu điểm như:
- Hệ số tải lố i ra về dòng khôíig đổi không hạn chế.
- Thời gian truyền rất ngắn (lOOps).
- Công nghệ chế tạo đơn giản.

Hình 11.6. Cấu trúc của bộ đảo BFL (FET logic).

11.4.1.2. Cấu trúc SDFL (Schottky Diode FET Logic)

22.LKBDVIMACHA 169
 Hoàn toàn giống nhir cáu trúc Bỉ-L, nliưníỉ cai khác ó' đây là phép đảo được thực hiện
bới các tranzito T| và 1’, (hìiih 1 1.7). còn các chức năne logic được thực hiện nhờ các điốt
SchoUky. V ì vậy, cấu Irúc này có ưu điêni là ỈKKII (lộrm nhanh hơn (60 đến 100 ps) và mật
độ tích hợp cao vì điố t chiõìn ít diện tích. l ’uy nhièii. nhược điểm là hệ số tải lố i ra không
cao và Ihời gian truyền phụ thuộc vào hệ số tái lối \'ào.

11.4.1.3. Cấu trúc DCFL (Direct Coupled Fet Logic)

Trong cấu irúc này sử dụng c á c t r a n z i t o E.MESFET vì vậy nó chỉ cần một thế nuôi:
v,„ = +1,5V. Thế ngưỡng V | nằm giữa 0 và 0,3V. vì V |ị = 0,7 đến 0,8V, nên sự khác nhau
giữa các mức lo g ic bị g iớ i hạn ớ mức 0,5V như irèn hình 11.8.

Hinh 11.8. Cấu trúc DCFL.

Cấu trúc cơ sở nhận sơ đổ của NMOS. Các tranzito T, - T, được tích điện nhờ tranzito
T, kênh làm nghèo. Các mức lối vào và ra thì lương hợp với nhau, vì vậy không cần phải
mắc ihêiĩi tầng chuyển mức. ưu diểm của câu Irúc này là:
- Tích số vận tốc và tiêu Ihụ rất rất: < 0,1 pj.
- Mật độ tích hợp cao.
- Hoạt-động rất nhanh: 80 dến 120ps.
- Công suất tiêu thụ trên cổng nhỏ: 0,05 đến 0,5mW.
Nhược điểm là:
- Công nghệ tinh vi để định được chính xác giá trị thế ngưỡng và các điện trở tiếp xúc.
- Thời gian truyền phụ thuộc rất nhiều vào tải lối ra.

11.4.1.4. Cẩu trúc CML (Qommun Mode Logic)

Cấu trúc này còn được gọi là cấu trúc SCFL (Source Coupled FET Logic), tương tự
như cấu trúc ECL của silic với thế nuôi Vss = -5V . Trong cấu trúc này sử dụng các
E.MESFET nên tiêu thụ nhỏ, chỉ cỡ từ lm W đến 10mW. Thế ngưỡng V-r nằm trong
khoảng từ 0 đến 0,3V. Sự khác nhau giữa các mức logic chỉ 0,5 đến 0,8V (hình 11.9).
Cấu trúc này được sử dụno để làm;

170 22.LKBDVIMACHB
 Các máy phát xung nhịp đến tần số 13GHz cho các mạch nhanh và phức tạp; để làm
các bộ dồn kênh lưu lượng cao; để tổng hợp tần số; làm các bộ chia có thể lập trình.
- Các mạch tính sô' học và các mạng cổng logic; các bộ nhàn song song A L U đến 16 bit.
- Các bộ nhớ SRAM cho các carte nhớ của các máy tính lớn.
- Các bộ chuyển đổi A /D và D /A có độ phân giải cao và tần số lấy mẫu cỡ GHz cho các
dao động ký, trong viễn thông, trong xử lý tín hiệu thời gian thực các liếng vọng của rađa.

11.5. CÔNG NGHỆ BI-CMOS

Đầu những năm 80, CMOS đã trở thành một công nghệ chú yếu tạo nên các vi mạch
logic và nhớ V LS I tiêu tán năng lượng cực Ihấp. M ộ t vài nãm sau, nãm 1983, một quy trình
tương đồng với bipolair nhưng lại dựa trên công nghệ CMOS đã được phát triển bằng cách
sự dụng các ưu thế của các linh kiện bipolair lẫn CMOS. Như vậy, công nghệ BiCMOS đã
ra dời. Trong đó có cả công nghệ Bipolair lẫn công nghệ CMOS được áp dụng trên cùng
một chip bán dẫn. Cho đến nay, BiCMOS đã trở thành một công nghệ ngự trị trong việc sản
xuất các vi mạch V L S I tốc độ cao và đa năng.
Công nghệ BiCMOS tập hợp được những ưu việl
của Gông nghệ bipolair và CMOS:
- Công nghệ CMOS có công suất tiêư thụ rất
nhỏ, mật độ tích hợp rất cao và lề chống nhiễu lại rất
lớn. Do vậy, nó rất thích hợp để sản xuất các mạch
phức tạp.
- Ngược lại công nghệ Bipolair lại có dòng lối
ra mạnh và vận tốc hoạt động rất cao. Lối ra
- Trên những ưu điểm đó, theo quan điểm về
mạch, công nghệ BiCMOS rất hấp dẫn. vì các hệ
thống tưoíĩg tự và sô có thể được thực hiện trên cùng
một chip và cải thiện đáng kể những ưu việt của
CMOS về vận tốc, về công suất tiêu thụ thấp và lề
chóng nh.íu, Hiện nay, trưđc những yêu c íu cao về „ ^ „ 0

l 6 c độ và mức độ tích hợp, công nghệ BiCMOS cũng đã dùng cô n g nghệ BiCMOS.

171
được cải thiện và tinh vi hon rấi nhiều để tạo nên các mạch logic mảng (array), các bộ nhớ
tĩnh có dung lượng cực lớn, nhimg tố c độ truy cập cực nhanh (nhỏ hơn lOns). Đáp ứng những
yêu cầu đó, công nghệ BiCMOS ECL LSI đã ra đời.
Hình 11.10 là sơ đồ mạch NAND dùng còng nghệ BiCMOS. Trong sơ đồ này, các
CMOS thực hiện chức năng logic, còn các tranzito lưỡng cực (bipolair) là để tạo mức logic
cho lối ra.
Để thực hiện sơ đồ trên, người ta dùng một đế loại p (hình 11.11); trên đó khuếch tán
hai vùng: Vùng thứ nhất cho các tranzito n -p -n và PMOS, vùng thứ hai F làm dây nối
giữa các cực của NM OS với đế. Giai đoạn này chủ yếu là để giảm bớt các điện trở ký sinh
và để chống nhiễu.
Lóp epităcxi N dày l,5|am được phủ lên. Chiều dày rất mỏng của lớp này cải thiện
hiệu năng của mạch nhờ giảm bớt được điện trở và điện dung của colectơ. Lớp silic đa tinh
thể được ngưng đọng để làm cực cửa emitơ và colecta cho các tranzito lưỡng cực.

P-Mos

Hình 11.11. Cấu tạo của mạch NAND theo công nghệ BiCMOS.

11.5.1. Khuynh hưóng phát triển của công nghệ BiCMOS

Có hai khuynh hướng chủ Yếu;
- Thực hiện các vi mạch rất phức tạp; nghĩa là mức độ tổ hợp ngày càng lớn VLSI.
- Giảm thế nuôi; nghĩa là làm giảm công suất tiêu thụ của mạch. Điều đặc biệt có ý
nghĩa cho các mạch xử lý tín hiệu bé hoặc cực bé.

11.5.2. Khuynh hưống tăng hiệu năng và mật độ tích hợp

Độ phức tạp của một mạch logic ngẫu nhiên tăng lên hàng năm. Hình 11.12 biểu thị sự
tăng trưcmg từ năm 1986 cho đến năm 1998.
Đổ thị này dựa trên các quy tắc phân cấp của các vi mạch: chẳng hạn về độ dài của cửa
(Gate) và độ rộng của emitơ; l,2|^m và l,0|am trong năm 1986; 0,8|am và 0,6nm trong năm
1989; 0,5|xm và 0,3^m trong năm 1992 vắ 0,25|im và 0,2ịim trong năm 1996. Hình vẽ
cũng cho thấy các linh kiện CMOS và BiCMOS sẽ bị hạn chế trong mức độ phức tạp của
thiết bị, còn các lin h kiện ECL lưỡng cực hoặc Ga As hoạt động ở vận tốc cao sẽ bị giới
hạn trong sự tiêu tán công suất. Như vậy, các thiết bị CMOS và BiCMOS có khả năng sống
lâu hơn, trong đó CMOS chiếm ưu \'iệt trong các thiết bị có mật độ tích hợp cao.

172
 số lượng cổng
Công suất tiêu tán giới hạn
Nhiệt độ tích hợp giới hạn
1000K

1986 1989 1992 1995 1998

Năm

Hình 11.12. Sự phát triển của m ật độ tích hỢp của các mạch có giới hạn cô n g suất 4W
và kích thước của chip 10mm^

Hình 11.13 cho thấy những ưu việt của công nghệ BiCMOS ở tích số tốc độ - công
suất của SR AM so với các công nghệ NMOS, CMOS và ECL lưỡng cực. Do hạn chế về
công suất tiêũ tán, các linh kiện ECL không thể thực hiện trong các R A M có mức độ tích
hợp lớn hơn 256Kbit. Trong trưòmg hợp này, BiCMOS là công nghệ tốt nhất để chế tạo các
vi mạch V L S I có tốc độ cao, công suất lớn.

0.1 0,2 0.5 1.0 2,0 5,0 10,0

Hình 11.13. T hời gian tru y cập và công suất hoạt động của SRAM
th e o các cô n g nghệ NMOS CMOS, ECL và TTUECL BiCMOS.

173
11.5.3. Thế nuôi giới hạn của BiCMOS

Thời gian tnjyền (ps/tầng)

2000

1800 í-poiy = 0.5 um

1600 NAND R /0

1400 o BiCMOS
X CMOS
1200
1000
800
600 • 0

400

200
0
1 2 3 4 5

Hinh 11.14. Sự phụ th u ộ c của thời gian truyền vào thê' nuôi của CMOS và BiCMOS.

M ột khi kích thước của linh kiện giảm nhỏ hơn 0,5fj.m, thì hệ thống nguồn nuôi hy
vọng là có thể rút xuống còn 3,3V. Nếu thấp hơn thế này, thì BiCMOS có thời gian truyền
bị trễ rất nhanh (hình ỉ 1.14); Nếu thế nuôi khoảng 5V thì CMOS lại xuất hiện các điện tử
“ nóng” . Các điện tử nóng này sinh ra các dao động mạng làm tăng ồn tạp nội của mạch. V ì
vậy giới hạn nguồn nuôi 3 V có thể là thế nuôi bé nhất để đảm bảo các vi mạch BiCMOS
hoạt động có hiệu quả cao.

11.6. CÁC Vỉ MẠCH CÔNG SUẤT

11.6.1. Các tranzito VMOS có cấu trú c thẳng đứng

Tranzito V M O S là các M OS có cực cửa được thực hiện dưới dạng hình chữ V . V ớ i cấu
trúc này, kích thước của kênh được thu nhỏ nhất; nhở dó điện trở cũng như điện dung giảm
đến mức tối thiểu và vì vậy cho phép tăng tốc chuyển mạch và tần số hoạt động của linh
kiện. Các tranzito VM O S thực hiện dễ dàng trong các vi mạch có thể kích thích các dòng
lớn, nên rất thích hợp trong các vi mạch công suất.
Bảng sau đây cho ta sự co sánh các đặc trưng của VM O S và các tranzito lưỡng cực:

Các th ô n g số Lưdng cực VMOS

Điên trở lối vào 1 0 " - 105Q 10® - I 0 " a

Khuếch đại công suất 100-200 10^ - 10®
Thời gian chuyển mach toN 50 - 500ns 4ns

Thời gian chuyển mach to F F 500 - 2000ns 4ns

Điện trở nối tiếp 0,3Q 30

Hình 11.15 là cấu tạo của tranzito VMOS.

174
 s G
o o

Lâp epitaxie N Kênh

++
ĐếN

Hình 11.15. Cấu tạo của tran zito VMOS.

a) Cấu tạo của m ột V M O S ; b) VM O S trong thực tế sản xuất: Nhiều VM O S m ắc song song với nhau

Quá trình chế tạo như sau: trên đế pha tạp người ta ngưng đọng lófp epitaxie N
pha lạp íl. Trên lớp epitaxie này, người ta khuếch tán một vùng p để tạo kênh và cực gốc
và một vùng để thu hẹp chiều dài của kênh. Nhờ ăn mòn hoá học trong khoảng thời
gian lương dối lâu, vùng ở giữa tinht hể bị ăn mòn khá sâu cho đến tận lớp epitaxie N.
Sau đó một lớp o x it được phủ lên trên hố bị ăn mòn hình chữ V này và tiếp tục phủ kim
loại lêii trên lớp o x it đê làm cực cửa và chân nối cho cực gốc. M ặt sau của đế được đánh
bóng, tráng kim loại và hàn với vỏ để iàm cực dẫn cho tranzito. Như vậy người ta đã thu
được một MOS kênh p trong đó dòng điện không chạy theo phương nằm ngang mà lại
chạy theo phương thẳng đứng dọc theo chiều dày của miếng silic. Nó xuất phát từ cực
gốc, qua lớp khuếch tán và nhanh chóng đạt tới cực dẫn. Chiều dài của kênh rất ngắn
(tương ứng với độ dày của vùng p, giữa vùng khuếch tán và lớp epitaxie N, dài cỡ l,5|am,
tranzito công suất thông thường có độ dài kênh từ 5|am đến 8 |^m). Trong cấu trúc này thì
cả hai mặt của rãnh chữ V đểu tham gia dẫn dòng; do vậy dòng điện tải được sẽ rất cao,
đồng thời kích thước của linh kiện cũng được thu nhỏ. Thế đánh thủng cũng tăng lên do
lớp epităcxi có điện trở cao.
Mặt khác, điện dung giữa cửa và cực dẫn cũng được Ịgiảm bớt do sự có mặt của lớp
epităxic N. Người ta cũng thấy sự phụ thuộc của dòng Iß vào thế cửa tuân theo quy luật
tuyến tính.
V ì độ dài của kênh rất ngắn, nên tần số hoạt động cực đại của tranztio VM O S cũng
tăng so với các loại khác.
Trong thực tế, người ta mắc song song một số lớn các mạch cơ sở này để thu được các
vi mạch có công suất như ý muốn (hình 11.15b).
Cck'đặc tnúìg củaVMOS
- Trở kháng vào rất cao cho phép tác động về thế.

175
 -- Vận tốc chuyển mạch cỡ nano giây cho phép thực hiện các bộ chuyển mạch gần như
lý tưởng.
- Hệ số khuếch đại công suất cực lớn cỡ hàng trăm nghìn lần.
- Độ tuyến lính cao cho phép thực hiện các bộ khuếch đại tuyến tính về công suất.
- Không có sự quá tải vé nhiệt độ và cũng không có hiện tượng đánh thủng thứ cấp do
hệ số nhiệt độ dương.
-- Mắc song song nhiều mạch cơ sở không gây nên bất kỳ vấn đề nào và cũng không
cần biện pháp bảo vệ đặc biệt nào. Điều đó có nghĩa là cấu trúc V M O S rất dễ thực hiện về
phương diện công nghệ.
- Điện trở nối tiếp là nhược điểm duy nhất của VM O S so với loại lưỡng cực. VM OS
kênh p có điện trở nối tiếp lớn gấp 2 đến 3 lần VM O S kênh N vì lỗ trống có độ linh động
rất nhỏ so với điện tử.
Hãng Siemens của Đức còn đưa ra MOS có cấu trúc thẳng đứng có tên gọi là SIPMOS
(Siemens Power MOS). Hình 11.16 là cấu tạo và thực hiện một tranzito SIPMOS của hãng
Siemens. Cấu trúc này đã được nghiên cứu để có thể kích hoạt các vi mạch logic hoặc
lương tự LSI và tạo ra cồng suất lớn ờ lối ra. Bảng sau đây cho thấy những đặc trưng cơ bản
của 5 họ SIPMOS dưới dạng vỏ T 0 3 ;

Loại BUZ14/15 BUZ23/25 BUZ34/16 BUZ44/45 BUZ53/54 Đđn vị

V ds 50 100 200 500 1000 V

Id 39/45 10/32 14/22 4,2/9,6 2.6/5,3 A

p 125 78/125 78/125 78/125 78/125 w

Ron 0,03/0,04 0.06/0.1 0,12/0,4 0,5/2 ■ 2/5 Q

to N 140 80/110 70/100 70/130 70/150 ns

580- 170/500 170/450 160/440 170/400 ns

'rhế cấm khoảng 2V. Độ ổn định nhiệt rất cao cho phép ghép song song nhiều mạch cơ
sở mà không gây nên rắc rối nào. SIPMOS có ưu điểm là:
- Chuyển mạch công suất lớn và nhanh.
- Đặc trưng tuyến tính.
- Tần sô' hoạt động cao.
- Chịu được thế lófn.
- Cắt được các dòng mạnh.
- Thời gian chuyển mạch ngắn.
SIPMOS được ứng dụng rộng rãi trong:
- Chuyển đổi dòng xoay chiều, nguồn nuôi có cắt quãng.
- Tạo sóng và khoá.
- Tự động hoá điện tử.
- Chuyển mạch cho các tải cảm ứng.
- Các bộ khuếch đại âm tần trong H i - Fi.

176
 Máy phát siêu âm.
- Viễn thông, tin học.
- Các mạch ghép nối máy tính CMOS, NMOS.
Điện tử công nghiệp và dân dụng.

Silíc đa tinh thể

n+

Cửa

o
Cực dẫn
Kim loại

Hinh 11.16. Cấu tạo và sự thực hiện tra n ztio SIPMOS.

11.7. CÁC B ộ NHỚ DÙNG HIỆU ỨNG TRƯỜNG

11.7.1. Các bộ nhớ RAM tĩnh (SRAM)

R A M tiếng Anh có nghĩa là (Random Access M em ory) hay còn gọi là bộ nhớ truy cập
ngẫu nhiên. Có nghĩa là người ta có thể đạt đến bất kỳ điểm nào của bộ nhớ một cách trực
tiếp nhờ vào các địa chỉ. R A M là bộ nhớ lớn trong đó người ta có thể ghi, đọc, hoặc xoá
thông tin mỗi khi người ta muốn.
SRAM có thể được thực hiện nhờ công nghệ bipolair, hoặc thông dụng hcfn cả là MOS.
Nó cần hai bộ đảo với phản hồi bởi điểm nhớ, hoặc là bít.
1ỉình 11.17 là sơ dồ của một tế bào nhớ cơ sở với 6 tranzito MOS kênh N làm giàu.
M ỗi khi địa chỉ phân cực đồng thời cả hàng lẫn cột tương ứng với tế bào đó thì nó sẽ
lật theo hiệu thế giữa hai đường cột sang trạng thái ov hoặc sang trạng thái cao 5V.

23.LKBO vt MACH A 177

 Hình 10.17. Một tê bào nhớ SRAM dùng 6 MOS kênh N làm giàu.

Chừng nào mà Ihế nuôi còn dược duy trì Ihì trigcr còn giữ nguyên vị trí chừng ấy. Điều
đó cho phép đọc thông tin tron» vị trí đọc. Vì vậy đó !à bộ nhớ bay biến; có nghĩa là thông
tin sẽ biến mất khi nguồn nuôi bị cắt. Người la thường nối hai đầu của R A M với một ắcquy
hoặc một tụ điện bảo vệ để bảo toàn lượng thông lin khi máy bị cắt nguồn điện.
Các tranzilo T, và cố dịnh sự phân cực cúa mỗi triger. Chúng có thể được thay thế
bởi các điộn trở. Tuy nhièn, diổu nàv íl gặp trong các vi mạch vì điện trớ chiếm nhiều diện
tích hơn là các MOS.
V ì dòng nuôi luôn chạy trong các bộ đáo, nên các SRAM dùng MOS kênh N tiêu thụ
năng lượng nhiều hơn các S [M M với các tế bào CMOS.
Hình 11.18 là một lế bào cơ sớ với hai CMOS và hai NMOS. Triger được tác động bởi
các thế ov và 5V. Nếu dòng rò của các tranzito CMOS N tăng lên vì một lý do nào đó;
chắng hạn như: ồn tạp nội, các tia chiếu xạ, sự ion hoá từ ngoài..., thì MOS kênh p có thể
cấp cho sự tăng trướng này một dòng làm cho thế ớ cực gốc của MOS kênh N không có sự
thay đổi đáng kể. Chính vì vậv thóng lin nhớ không bị xáo trộn. V ì sự tiêu thụ năng lượng
ở irạng thái nghi của các CMOS lầ cực kỳ nhỏ. lìèiì SRAM dùng CM OS có công suất liêu
thụ rất nhỏ so với các loại khác. Chảng hạn niội S IM M NMOS 64K octet tiêu thụ 16W,
trong khi cũng với dung lượng nhớ đó nhưng dùng CMOS thì tiêu thụ chỉ 570mW.
Chọn hàng

178 23.LKBD VI MACH B

 Đc điều khiển sự hoạiđộng của SRAM , người ta có hai cách:
* SRAM khôììịịdồnịịhộ. Đối vớiloại này, các địa chỉ phải có mặt ở lố i vào trong toàn
bộ chu uình dọc hoặc ghi. Chu Irình thì dược xác dịnh bằng thời gian chọn lọc của mạch.
* SRAM íỉồnỊị hộ yêu cầu một địa chỉ có hiệu lực duy nhấl trong một thời gian ngấn ở
đầu của chuIrình, Irước sự chuyến dờicủa lối vào có hiệu lực để khởi phát chu trình. Tiếp
theo làmột chu kỳ thời gian mà trong đóhệ thốiig không có hiệu lực trước khi bắt đầu chu
trình liếp theo. Chính tín hiệu có hiệu lực đồng bộ các hoạt động nội của bộ nhớ với các tín
hiệu diéu khicn ờ bõn ngoài. Như vậy, thời gian Iruy cập càng ngắn thì còng suấl liêu ihụ
sẽ càng giảm.
1'rong bộ nhớ CMOS dồng bộ, công suất tiêu thụ là một hàm số của tần số truy cập và
của dòng rò bé, duy nhất irong chu kỳ hoại động. Công suất trở về giá trị nghỉ ngay khi sự
Iruy cập kết ihúc. V ớ i một còng suất đã cho, có thổ lăng tần số hoạt động của mạch.
Hình 1] .9 là sơ đồ mạch vào của
các bộ nhớ CMOS. Đ ó là một bộ đảo
đệm được bảo vệ tĩnh điện nhờ hai điốt
và một diện trở. Cả hai MOS kênh N và
p clều là làm giàu. L ố i ra của bộ đảo
chuyển từ +Vce và đất không có dẫn
dòng. Khi thế vào ớ mức Ihấp V||,
MOS kênh N bị cấm còn MOS p dẫn,
nôn lối ra nối với thế +Vec; có nghĩa là
ờ mức cao. Nếu thế vào ư mức cao V||ị,
thì MOS N dẫn trong khi MOS p cấm,
nên lối ra nối với đất, có nghĩa là ở
mức thấp. Lưới bảo vệ ở lối vào tránh
cho các chất điện môi của MOS không
Hình 11.19. Mạch và o CMOS của các bộ nhớ SRAM. bị hư hỏng dưới tác động của các dòng
phóng tĩnh điện mạnh.
Dĩ nhiên cúc bộ nhớ MOS được sản xuất bới lất cả các công nghệ rất hoàn hảo trong
các vi mạch V LS I: độ dài kênh một vài phần mười |am, cực cửa bằng silic đa tinh thể, cấy
ion... Các bộ nhớ S R A M còn được chế tạo theo công nghệ ECL lưỡng cực nếu muốn thời
gian truy cập ngán hơn nữa và không quan tâm đến công suất tiêu thụ lớn. V í dụ bộ nhớ 2K
lổ chức 256 X 9 b il - tiêu thụ 185mA - VcQ • - 4,5V - thời gian truy cập; 35ns.
Các bộ nhớ S R A M CMOS được sản xuất iheo các loại từ 4K đến 256K. V í dụ một bộ
nliớ 256K - tổ chức theo 32K X 8 b il - liêu thụ: ư trạng thái nghỉ 0 ,lm A ; ở trạng thái hoại
dộng 70mA - thời gian truy cập: 150ns - +5V.
* ưu việl của RAM tĩnh so với RAM động:
Hoạt dộng dẻ hơh; lương đồng với 'n^L.
~ Chí cần m ột thế nuôi.
- Tiêu thụ ít hơn.
- ít nhậy với nhiễu và với các tia chiếu xạ hơn.
- Không cần phải làm mát.
- Vân tốc cao, nhất là với ECL.

179
 * Nhược diểm của RAM tĩnh so với RAM độniị
-- Diện tích bề mặt của silic trên điểm nhớ nhiều hofn; mật độ linh kiện nhỏ hơn; giá
thành dắt hơn; dung lượng nhớ nhỏ hơn.
- 'rhị trường của SR AM thì không quan trọng bằng thị trường của D R A M .
* Các mạch ngoại vi
'Vrong một vi mạch SR AM , toàn bộ các tế bào lưu trữ thông tin chỉ chiếm 60% bề
mặt tống Ihể, phần còn lại giành cho các mạch địa chỉ, các mạch giải mã, các bộ khuếch
đại đọc.
* ứní> dụniỊ
Các bộ nhớ SRAM được ưa chuộng trong các hệ thống có dung lượng nhớ trung bình
hoặc nhỏ \à vận tốc của chúng và vì sự tiêu thụ năng lượng ít.

11.7.2. Các bộ nhố RAM động (DRAM)

Trong các bộ nhớ D R A M , số liệu
được lưu trữ dưới dạng điện tích chứa
trong tụ điện nối giữa nguồn nuôi và cực
gốc. H inh 11.20 là một tế bào nhớ, mỗi
khi địa chỉ tương ứng với tế bào đó, thì
đường hàng ngang sẽ phân cực cửa, còn
số liệu phân cực cực dẫn. Tại thời điểm
dó, tranzito dược giái toả, nên tụ điện c
tích điện.
V ì có dòng rò không thể tránh khỏi,
nên điện tích tích cho bộ nhớ phải bị trả lại
một cách tuần hoàn: Có nghĩa là bắt đầu sự
nạp điện, lại của tụ điện với giá trị cực kỳ
nhó ( 1 0 "
Hình 11.21. Cấu tạo của tế bào DRAM của NEC.
Trong công nghệ NMOS, tế bào nhớ chiếm diện tích bề mặt cực tiểu, nhưng điện dung
lại có giá irị cực đại. Hình 11.21 là cấu tạo của một tế bào nhớ D R A M do hãng NEC chế
Chọn hàng
o—
N
Chọn cột và số liệu
+5V
Hình 11.20. M ột tế bào cơ sở của bộ nhổ
DRAM dùng NMOS.
Sự tích điện lại này được
đảm bảo bằng một mạch nội ở
trong bộ nhớ. M ỗi đường được
đọc một cách tuần tự, lố i ra của
bộ khuếch đại đọc lại được tái
tác dụng vào lối vào của mạch
ghi với sự chọn của đường
tưong ứng. Như vậy, mỗi đường
Ịại được phát lại một cách tự
động cứ sau 2 hoặc 4ms. Thời
gian này phải được tính cho
nhiệt độ hoạt động cực đại, vì ở
nhiệt độ đó, lụ điện phóng điện
nhanh nhất.

180
tạo cho các bộ nhớ 4M bit. Bề mặt của tố bào này là lOfim. Tụ điện được vùi sâu và cô lập
I1CI1 có giá irị cao và không chịu lác dộng của các lia anpha.

Một số các D R AM sử dụng m ộl tranzito CMOS thay vào chỗ của NMOS (hình 11.22).
Như vậy SC thu dược dòng nghi nhỏ hơn và thời gian chuyển mạch nhanh hơn và độ chống
nhiều cũng lốt hơn. Ngược lại, sự thực hiện mạch sẽ phức tạp hcfn. V ới CMOS thì sự thực
Ihi địa chỉ tĩnh dược thực hiện theo cột chứ không phải theo hàng.

X hàng

I N
1
Cột

+ 5V

Hỉnh 11.22. M ột tế bào cơ sở của DRAM dùng CMOS.

11.7.3. Nghiên cứu các DRAM 1,4 và 16Mbit

Việc nghiên cứu và sản xuấi các D R A M này cần sự đầu tư rất lớn nên cần thiết phải có sự
hciỊ') lác của nhicu công ty. Chẳng hạn như D R A M 1 M bit được sản xuất ở châu Âu lại hãng
Simcnes hựp lác với hãng Toshiba. D R A M này trong công nghệ CMOS với độ dài kônh ().9fim
chiêm diện tích bề mặl của miếng silic 45m m l lli ờ i gian truy cập của nó là 80ns.
D R A M 4 M b il dược hãng Simens phát Iriển với sự hợp tác của hãng Philips iheo công
nghệ CMOS có chiều dài của kênh 0 ,8 ịiiĩi. Bể mặt chiếm diện tích 93,3mm^ chứa 8 , 6 triệu
linh kiện. Nó được sản xuất theo hai phiên bản:
4M X 1 bit - thời gian truy cập lừ 80 đến 160ns.
- 1 M X 4 b il - thời gian Iruy cập 100 đến 190ns.
Chu liin h nạp lại vào khóảng:
- 4nis cho các bộ nhớ 236K.
- 8 ms cho các bộ nhớ 1Mbit/s.
- 16ms cho các bộ nhớ 4M bit/s.
Các phiên bản ló M b il và 64M bit đang được nghiên cứu và chế tạo.
Ccíc loại DRAM klìác nhau
lìo n g các các catalogue, các bộ nhớ D R A M dược phân theo các loại:
- 16 K b it tổ chức theo 16K X 1 b ii - 150/200ns.
- 64 K b it lổ chức theo 16K X 4 bit - 100/150ns.
- 64 K b il tổ chức theo 256K X l bit - 100/150ns.
- 256 K b it tổ chức theo 32K X 8 bit - 1200/200ns.

181
 Như vậy các D R A M 1K4it và 4’M bịl là các D R A M cơ bản. Đ ó là các D R A M cần quan
lâm.
- T liế n uô i; +5V ± 1 0 %.
- Tất cả các lố i vào \'à các lối ra iưcmg đồng với TTL.
- Đặt một ắcquy hoặc một tụ diện báo vệ ớ nguồn nuôi có thể giữ được lượng thông tin
trong SRAM Irong suốt ihời gian cál diện nguồn. Lưu lượng nghỉ của chúng \'ào cỡ 20mW vì
các chu trình lích điện lại khôn” pliát bị gián doạn.

11.7.4. Chế tạo tế bào nhớ DRAM một tranzito MOS

Hình 11.23 là mặl cắt ngang cúa inột "tế bào nhớ D R A M một tranzito MOS". Tế bào
này được cấu tạo từ một điện dung MOS và một chuyển tiếp N""? được phân cách bởi một
cửa Iruyền.
Vo=+2,5V VG = ov VD
o o
o
Nguồn Cửa truyền Đi-Ốt
(Điện dung)

SiO;J

Giếng trống Giếng đầy í _ '’ "!

! V D - 2 .5 V - ị :

Sỉlic p

Hình 11.23. Sơ đố cấu trúc của m ột tế bào n h ớ DRAM g ồ m m ột đ iố t

và m ật điện dung M ô§ phần cách nhau b ở i cửa tru yề n .

Tế bào này hoạt dộng khi iliế cứa v^; = ov, khi đó sơ đồ trẽn được gọi là sơ đồ lai. K h i
điện dung MOS và điốt cô lập đối với nhau, thì ta định nghĩa số không (0) được lưu trong
giếng rhếcủa điện dung nếu Iihư giếng đó Irống', còn số ( 1 ) được lưu trong điện dung nếu
giếng thế của điện dung đầy. Như trong hình vẽ, đường chấm chấm ký hiệu giếng thế chứa
điện tích. K h i điốt phân cực ở thế +2,5 V thì giếng ihế của nguồn không có chứa điện tích;
trường hợp này tưcmg đương với mức logic 0. Còn khi điốt phân cực ov thì giếng Ihế
nguồn chứa đầy điện tích (vùng đậm), tương ứng với logic 1 .
Bây giờ ta kiểm tra xem quá trình viêi 1 và 0 vào giéhg th ế điện cliinịỊ được thực hiện
như thế nào. Đ ối với chức năng \’iếi, thì dầu liên giếng thế điện dung trống (logic 0). Để
viết 1 , ta để Vp = ov và cùng thời gian đó cửa được tác động bởi một xung. K h i đó, thế
= 2,5V, do vậy kênh dẫn xuất hiện, nối điốt với điện dung; do vậy điện tích chạy từ điốt
vào trong giếng thế điện dung; có nghĩií là tụ điên MOS tích điên. Như vậy trong trường
hợp này, điốt đòng vai trò của cực gốc (source) của MOS ; còn điện dung hoạt động như
một cực dẫn (drain). Quá trình chuyển dời điện tích tiếp tục cho đến khi giếng thế điện

182
dung dược châì đầy; có nghĩa là đủ cho mức logic 1 . Khi đó xung cửa trở về trạng thái ngất,
kênh dần biến mất ; do đó điện tích bị giam trong giêng thế của điện dung.
Bây giờ dô viết 0, la đặt V|) = 2,5V và xung tác động vào cực cửa. Mặc dù kênh có xuất
hiện nhuiig không có điện tích truyền trong kênh vì điốt có cùng thế như của điện dung. Khi
thố cửa ngắt (V(; = OV) Ihì giếng Ihế của nguồn vẫn trống; tức là không bị thay đổi.
Như vậy đổ viết 1, ta để thế đ iốt bằng ov và nối với xung; kh i đó điện dung tích điện.
Đc viết 0, ta dc thế d iố l bằng 2,5V và nối với xung. Trong cả hai trường hợp, thế điện dung
vản giữ ớ giá trị 2,3V.
Đê đọc thống tin đã được lưu giữ trong giếng thế của điện dung, thì phải để Vq = 2,5V
\'à cựt cửa dược nối. Nếu điện dung chứa logic 1, thì điện tích sẽ được chuyển đến điốt.
Dòng diện lích chuyển dời này sẽ cho biết trong điện dung có chứa logic 1. Đ ối với chức
nãng đọc, điện dung đóng vai trò của cực gốc của một tranzito MOS, còn điốt hoạt động
như một cực dẵn (drain). Nếu giếng thế của điện dung trống, thì không có điện tích chuyển
dời đến điốt do vậy dòng điện chạy qua điốt sẽ khòng có; điều đó giải thích trong giếng
điện dung không có điện tích; có nghĩa là ta đã đọc được logic 0 được lưu trong giếng thế
điện dung.

11.8. CÁC BỘ NHỚ ROM (READ ONLY MEMORY) VÀ PROM

11.8.1. Các bộ nhớ ROM

Bộ nhớ chỉ đọc R O M là một bộ nhớ “ chết” trong đó lượng thông tin được ghi một lần
trong cả quá trình sản xuất. V ì vậy thông tin lưu giữ ở đây không bị mất khi tắt nguồn.
1 ’hông tin này chí có thể đọc ra chứ không thể thay đổi hoặc biến điệu. Nó là nơi bảo quản
các chương trình cố định của máy, để phát ra các chữ cái và số trên bộ chỉ thị, để chuyển
dối mã...
Bởi vì không cần ghi nữa, nên cấu trúc của nó được đơn giản hoá và điểm nhớ chỉ còn
một tran/.iio mà thôi.
Đê nhớ thông tin, người ta tác động vào chiều dầy của lớp oxit. Chẳng hạn cho số 0,
người ta đổ lớp SiO, dày cho số 1, người ta dự kiến chiều dày 0 ,l^ m ở dưới lớp
iráng kim của cực cửa. Thế ngưỡng tỷ lệ với chiều dày của oxit, người ta có dòng của cực
dẩn cho sô 1 và khổng có dòng cho số 0 bằng cách nuối bộ nhớ với một thế trung bình
không lớ i hạn.
Lập trình cho các tế bào mẫu được thực hiện sau k h i sản xuất. Mẫu này được thực hiện
theo yêu cầu của người sử dụng, rất đơn giản nhờ m ột máy tính có chương trình mẫu này
trong bộ nhớ. ^
M ột ROM, ngoài các điểm nhớ còn chứa các địa chỉ thông tin theo X và theo y và các
bộjkhuếch dại lố i ra.
Để giá thành của R O M khồng quá cao, cần phải sản xuất số lượng lớn, từ 1000 chiếc
Irở lên. Các công nghệ NM O S và CMOS với cực cửa là silic là phù hợp. Có rất nhiều
model, điển hình nhấl là độ lớn của từ 8 bit, dung lượng nằm giữa;
2K X 8 bit đến 128K X 8 bit hoặc 1M bit.

183
 riiờ i gian Iruy cập 150ns dến 250ns.
Thố nuỗi: +5V.
V í dụ; M ộl ROM 64K chứa 150 000 MOS trên một mâu silic 25mm^.

11.8.2. Các bộ nhớ PROM

Các bộ nhớ PROM cũng là một bộ rìhớ “ chết” có thể lập trình về phương diện điện, chí
một lần bởi người sử dụng, do ngắt cầu chì hoặc do tác dụng của một xung dòng. Các bộ
nhớ này có ihể được thực hiện nhờ công nghệ lưỡng cực hoặc MOS.
Chắng hạn hãng Signelics sử dụng hai phương pháp;

11.8.2.1. Họ bipolair với chuyển tiếp Schottky cô lập

'1'ương dồng với T F L và được lập chương trình bởi cầu chì N i - Cr.
Địa chí của từ lập chương trình được tác động vào lố i vào. Xung dòng được hợp lại ở
lối ra đc lập trình bit này tới bit kia. Thế nuôi 5V đến 8,75V. Xung dòng có thế đỉnh 17,5V
giữa 0 . 6 và 1 .2 f.is.
Bộ nhớ dược cung cấp với tất cả các bit ở mức logic “ 0” . Chỉ các bit trước khi đưa đến
mức 1 là dược lập trình.

11.8.2.2. Họ bipolair cách điện bởi oxit Schottky

T1'L tương hợp được lập trình nhờ sự ngắt của một điốt thẳng đứng. Địa chỉ của từ cần
xứ lý được lác động ở lố i vào.
Xung dòng dược tập hợp ở lối ra để lập trình hết bit này tới bit khác. Thế nuôi là 8,75V.
Thế dỉnh của xung dòng là 20V trong khoảng lịas,
Bộ nhớ được cung cấp với tất cả các bít ở logic “ 1” . Chỉ các b il trước khi đưa đến mức
“ 0 ” là được lập trình.
Đối với một sô' loại có cách điện bằng oxit, cầu chì làm bằng titane - tungsten (Ti - W).
Các lố i ra có thể ở 3 trạng thái để nối với một bus, hoặc với colecta mở.
lì o n g thực tế, các bộ nhớ PROM có thể được tổ chức theo từ 4 bít, thông thưòfng là
từ 8 bít;
256 bit (32 X 8 ); I K (256 X 4); 2K (256 X 4) hoặc (512 X 8 ); 4K (1024 X 4 hoặc 512 X
8 ); 8 K (2048 X 4 hoặc 1024 X 8 ); 16K (4096 X 4 hoặc 2048 X 8 ); 32K (4096 X 8 ); 64K

(8192 X 8 ) và 128K (1 6 8 4 x 8 ).
Tiêu thụ: 100 đến 185mA luỳ theo dung lượng.

11.9. C Ấề BỘ NHỚ EPROM VÀ EEPROM

11.9.1. Các bộ nhớ EPROM

EPROM là m ộl bộ nhớ có thể lập trình và có thể xoá nhờ các tia cực tím. Có thể nhận
ra nó nhờ một cửa sổ thạch anh.
Tế bào nhớ là một tranzilo FAMOS (chương 4). Đó chính là một MOS phun nhờ hiệu
ứns Ihác lũ điện tử vào trong cửa thả nổi làm bằng silic đa tinh thể nằm vùi sâu trong vùng

184
SíOt cách diện: ben tren cửa thả nổi này, còn có một cứa khác cũng bằng silic đa tinh thế
dirge nói chân la ngoài (hình 11.24). Cả hai cửa này được vùi sâu trong các lórp SiOj. V ì vậy,
dây là nơi liai giữ thông tin có thổ gọi là vĩnh viỗn và không bị tác động bởi nhiỗu ớ bên ngoài.
Đc lập trình clio tố bào này, người la tác động vào lưới điều khiến một IhC mo: âm cho
MOS kònh p và dương cho MOS kênh N. Trong hình 11.24, MOS kênh N được phân cực
bới +V(, dc dọc diôm nhớ. Điện trường do Ihế cửa tạo ra đã đẩy lỗ trống vé phía đế và hút
điện tử lập Irung ở mặt dưới cúa lớp SiO, giáp với đế và tạo ra kênh N. Điện trường có giá
trị dủ lớn de dưa điện tử chui qua lớp SiO, mảnh vào cửa thả nổi nhờ hiệu ứng đường hám.
Chúng được lưu giữ ở lưới thả nổi này mà không thể quay trở lại bán dẫn bởi vì thế ìigược.
Như vậy la đã thu dược một bộ nhớ không bị bay mấi thông tin. Điện tích có thể giữ ở đây
Irong vòng 10 năm dưới nhiệt độ 70"C.
Sự lập Irình là nhừ vào một xung điện vài m ili giây có chiều phụ thuộc vào sự phân cực
của kẽnh gây nên hiệu ứng thác lũ và làm địa chỉ nhớ từ điểm này tới điểm kia.
Các tế bào nhớ có điện lử bị giam trong cửa thả nổi biến điệu thế ngưỡng của dòng cực
gốc - cực dần Iß. Do vậy nhờ dòng điện đã bị biến điệu này, có thể đọc được thông tin chứa
trong các tố bào nhớ đó.
Để xoá thông tin trong các tế bào nhớ, phải
W Silíc đa tinh thể
kéo được các điện tử ra khỏi cửa thả nổi. Thực
hiện điều này nhờ một ống phóng lia cực tím đật
cách cửa thả nổi một khoảng 2,54cm. Ong này
phóng tia cực tím có bước sóng 2537A" (253,7nm).
Thời gian chiếu sáng phụ thuộc vào công suâì của
Cửa thả nổi đèn và vào diện tích bể mặt của mạch, ít nhất
cũng phải từ 1 2 đến 15Ws/cm^ trong khoảng thời
Đế loại p gian từ 5 đến 30 phút. Sự xoá không thể chọn lọc
dược và nó tác động đến toàn bộ bộ nhớ. Chùm
hạt phôton nâng lượng cao tạo nên cũng từng ấy
Hình 11.24. Cấu tạo của tế bào nhớ
cặp điện tử - lõ trống vì vậy làm cho cửa thả nổi
FAMOS EPROM.
giải phóng điện tích.
Tiếp Ihco là phải lập chương trình lại cho bộ nhớ về phương diện điện. Công nghệ
MOS là công nghệ duy nhất được sử dụng để chế tạo các bộ nhớ EPROM.
Các loại EP R O M chủ yếu
2048 bít (256 X 8 ), MOS kênh p; nguồn nuôi: - 9 V và +5V; lập trình: thế âm tác
-

động IrCn cực dẫn -4 7 V và thế âm trên các lối ra cho lập trình - 47V; Vp(, = - 3 5 V ; độ rộng
ciia xung iập trình: 3ns.
'lầ t cá các model mới đều là MOS kênh N.
- 8192 bil (1024 X 8 ); nguồn nuôi: +12V và ±V; thời gian truy cập 300ns; sau mỗi
ihao tác xoá, lất cả các bit của bộ nhớ ở trạng thái “ 1 ” (mức cao) trong khi lập trình, các số
liệu xâm nhập các số “ 0 ” vào trọng các vị trí mong muốn.
16384 bit (2048 X 8 ); thế nuôi: +5V; thời gian truy cập 350ns. Thế lập trình là +25V
-

nhờ một xung rộng 50ms. Các địa chỉ có thể được iập trình một cách riêng rẽ từng cái một,
một cách tuần tự hoặc bằng truy cập ngẫu nhiên. Công suất ở mode hoạt động: 132mW.

24.LKBD VI WACH A 185

 Cũng cùng các đục trưng long quái như Ircn các model đến tận 1M bit ( 128K X 8 ) có
thời gian truy cập trong klidáng lừ 2.i{) dến 550ns.

11.9.2. Các bộ nhớ EEPROM

Là bộ nhớ cô địnli có the lặp tiìiih \'à có thè’ xoá. Bộ nhớ này có cấu tạo kiểu MNOS
(MNOS: M clal Nitride Oxydc Silicon) CC) nghĩa là vùng cực cửa của silic được phù bằng
một lóp mỏhg SiO,, sau dó phủ licp lớp Si,N., và cuối cùng là lớp nhôm. Hiện nay, trên thị
trường có rất nhiều loại, cháng hạn loại D1F - MOS (Double injection floating - MOS) của
hãng Texas instruments và Moiox (I loaling gate Tunnel Oxyde) của hãng Intel...
Khổ khàn nhất Irong \ iộc cliê lạo các bộ nhớ loại này chính là việc tạo lớp oxit mảnh
nhưng phái rất hoàn háo. Bới \ì nó càns inánh bao nhiêu thì thế để hiệu ứng tunnel xảy ra
sẽ càng nhỏ do vậy có Ihc giám tliế khi viêì.
Hình 11.25 là một tế bào nhớ cúa hãng General instruments. Đ ó là một tranzito MOS
kênh p. Lớp SiO, dày khoáng 4()nm, riêng ở điểm nhớ chỉ dày khoảng 2nm. V ớ i một xung
ghi khoảng -3 0 V trong vòng Ims ta SC thu được một lượng điện tích từ lớp Si,N 4 đủ để tạo
nôn một đicm nhớ. Để xoá diém nh(')’, cần một xung dương có 'đ ộ dài lOms tác động vào
cực cứa. Thời gian đọc mộl bộ Iihớ 4K (1024 X 4) là 950ns.
Về nguyên tắc, một lõ bào nhớ MNOS đã được tích điện thì luôn dẫn điện hoặc với
m ội ihế ngưỡng rất thấp và mội lố bào nhớ chưa tích điện thì bị cấm với thế ngưỡng cao.
Tế bào nhớ “ Flotox” cúa hãng Intel rất giống với cấu trúc F A M O S bởi vì nó không
chứa lớp SijNj. nhưng lại có cửa nổi bằng silic đa tinh thể và m ột cửa bình thường. Chất
cách điện là Si(X (hình 11.26).
Lớp oxit tại nưi các diện lứ xuyèn qua bằng hiệu ứng tunnel rất mỏng và có dạng để
sao cho cửa có thể bắl được các diện tử một cách dễ dàng.
Với một lê' bào nhớ kcnh N, I1CL1 tác động thế +Vc vào cực cửa và thế Vp bằng không
thì cửa để nổi được liên kối V('n Ü1 C dương như một tụ điện. Do đó các điện tử được hút về
cứa de nổi nhờ hiệu ứng tunnel qua lớp oxit. Ngược lại, nếu cực dẫn nối với thế dương còn
cực cứa nối dất thì qua trình \;i> la imược lạl: tế bào nhớ phóng điện tích. Intel khẳng định
ráng sò lượng các chu trình xoá ghi lại là vào khoảng từ 10'’ đến 10^. Tế bào nhớ này được
thực hiện iheo công nghệ NMOS.

S ilícđatinhthể
SÍ3N4 Q +Vgo 2® / l «

lớp oxft
tunnel

Si02

Điểm nhớ 20A 400A

Đế loai N Cực dẫn

Hinh 11.25. Tê' bào nhớ MNOS. Hình 11.26. Cấu tạo tế bào nhd ” flo to x”

186 24.LKBD VI MACH b

 Hoại dộng của lế bào Flolox được mô tả trên hình 11.27. M ỗ i tế bào nhớ gồm hai
iranzito: Cái phía dưới là phần tử nhớ, cái phía trên là để bảo vệ và là nơi cung cấp địa chỉ.

Cột 1 Cột 2 Cột 1 Cột 2

ov ọOV Ọ+15V ọov

Tế bào Ị
Đường chọa- Itó
+20VO—p í ----- +20VO-

Ì Transistor Điện tử bị íôu tán

: Transistor Điện tử hổi phục

+20VO-¿
N Ắ -N
Đường lập trình
naarl— Điện ỉử tích m n i
điện tất cả các cửa

© Hình 11,27. Hoạt động của tế bào F loto x:

a) Xoả ; b) Ghi.

Quá Irình xóa được biểu diễn Irên hình (a): Các đường chọn lựa và đường chương trình
mang thế +20V còn các cột được nối đất. Do đó điện tử được tích tụ trong cực cửa để nổi.
Sự xoá được thực hiện theo octet, theo khối hoặc theo toàn bộ mạch tuỳ thuộc quan niệm
và địa chỉ của nó.
Quá trình ghi cho trong sơ đồ hình (b): Đường đã chọn mang Ihế +20V, trong khi
đưcĩng chương irình có thế ov. Các cột mang thế +18V hoặc ov tuỳ theo sự lựa chọn đã
thực hiện, dưới thế + 18V cửa để nổi phóng điện. Việc đọc các thông tin đã được ghi trong
các lế bào nhớ được thực hiện bằng cách cho các đường lựa chọn và các đường chương
irình mang thế +5V . Tuỳ thuộc vào việc cực cửa đê’ nổi có tích điện hay không mà tế bào
nhớ sẽ ứ trong trạng thái dẫn hoặc khoá.
Mạch này cần có hai thế dương là 5V và 20V. Sự biến điệu chỉ m ội octet yêu cầu
20ms, để xọá toàn bộ bộ nhớ cần lOms.
Các thế hệ đầu tiên của EEPROM cần nhiều nguồn nuôi ngoài. Chúng chỉ có các bộ
nhớ, các bộ giải mã địa chi và các mạch logic vào/ra. Để sử dụng được chúng cần phải
dùng các mạch ngoài khá phức tạp và chương trình viết cho chúng cũng rất dài. Các thế hệ
V C sau này chỉ dùng một nguồn nuôi ngoài +5V để tạo nên các thế nội cho phép các hoạt

động của chúng.

Nhờ có thêm bộ ghi nhiều oclet ở lố i vào, được gọi là bộ ghi “ trang” , nên có thể ghi
4 ược nhiều octet với m ột vận tốc có thể so sánh được với các chức năng đọc trong các

D R A M và chuyổn chúng vào trong các bộ nhớ một cách song song. Điều đó rất cần thiết
trone trưòfng hợp mất điện.
Có một số dạng thông m inh cũng đã thu được bằng cách tích hợp một đồng hồ để kiểm
tra lất cá các chức năng xoá ghi để giải phóng các bộ vi xử lý làm các nhiệm vụ khác. Việc
khoá các địa chỉ và các số liệu đã được lích hợp trên một khối riêng cho phép phân cách trực
tiếp với bus và bộ vi xử lý; điều đó cho phép sử dụng dễ dàng và sơ đồ đã được đơn giản hoá.

187
 Như vậy. bộ nhớ có khả năng quản lý thời gian iập trình, nó xác dịnh việc xoá toàn bộ
hoặc inộl phần. Độ dài của xung lập irình vào khoảng 9ms. vì vậy chương trình được thực
liiện chỉ lrorii> khoảng vài giây.
Khi thế nuôi bị sụt dưới 5V, mạch có thể hoạt động sai. Trong trưòíng hợp đó, có một
mạch bảo vệ dã được dự kiến đổ khoá các tín hiệu kiểm tra khi thế hạ Ihấp hơn 4V.
M ộl điểm cũng rất quan trọng là số lượng các chu trình xoá ghi mà một bộ nhớ chịu
dựng dược. Trường hợp tốt nhất đã đạt được là một triệu chu trình. Điểm thứ hai liên quan
tới chất lượng của lớp SiO, rất mảnh sao cho chúng không bị thủng.
Các EI1PROM có mặl trên Ihị irường có dung lượng nhớ lừ 82 bit đến 256Kbil với Ihời
gian truy cập từ 70ns đến 350ns.

11.10. CÁC LINH KIỆN TẠO CẶP ĐIỆN TÍCH - CCD (CHARGE COUPLED
DEVICE)

11.10.1. Nguyên tắc hoạt động

Cấu trúc cư bản của một linh kiện lạo cặp điện tích CCD là bộ ghi dịch tương tự. Nó
được cấu tạo bởi một đế silic loại p, trên đó được phủ một lớp epitaxie loại N dày khoảng
1 0 |am, lớp này dược oxit hoá bề mặt, sau đó được phủ bởi các điện cực nhỏ bằng nhôm

hoặc silic đa tinh thể. Thực chất đây là một mảng các điện dung MOS. Các linh kiện CCD
có rấi nhiều ứng dụng trong thực tế; chẳng hạn để lưu giữ thông tin, xử lý tín hiệu và để tạo
các chức năng logic. Tuy nhiên, ứng dụng quan trọng nhất của các linh kiện CCD là tạo
nên các biến tử hình ảnh trong các máy ảnh hay trong các camera số.

hv

: p*
, s’ ’ ’

Đế loại p

hv

* ..-N

• #

Hình 11.28. Cấu tạo cơ bản của linK kiện CCD.

188
 M ôi diện cực, cùng với silic lạo nên một điện dung MOS chịu một điện thế cho phép
lích lụ các diện lích (hình 11.28). Khoảng cách ngắn giữa các điện dung này tạo ra giữa
chúiig m ộl sự liên kết sao cho có hiệu điện thế tác dụng giữa hai điện dung liên tiếp nhau
cáin ứng Ihco trục ghi một điện trường chuyến dịch các điệnt ích từ điện dung n à y'sang
diện dung kia. Sự khác nhau vc giống Ihế gây ra sự bất đối xứng, do vị trí của các điện cực.
dc dáni báo các diện tích chí dịch chiiyển theo một hướng. Nếu tác động tuần tự vào các
hồ Qi và Q 2
diện cực k ế lic p nhau các xungỉ dồng liồ 2 ngược pha nhau thì các điện tích sẽ dịch

chuycii dán dán cho dến khi việcỊc dọc lín hiệu được thực hiện (hình 11.29).

Cao
tín hiệu
đồng hổ
iC
Thấp ------ D d X D C
1 ---------- J ^
t=0 t= 1/2 t =1

Các điện Cực Vùng n- để sự truyền đuạc

đuợc đối xứng

SÌO 2
épiloxien

!
!_______________ ! ĐếP !_____________ Các giếng thế
1 II I I----------------------------
I (a) t=0 chu kỳ IỊ I

SLI
. j I
------ .1__
---- >.1 / '-------
1 ' __ /
I II
I t
! Ị! ((b)
b ) tt- 1/2 chu kỳ \

r - \ ____ r - N ____ r - s ____ - /

1 ^ " '- '1 Các giếng thế

í Phần tử nhớ í (c) t=1 chu kỳ í

........ »!■<-------------^-------- ►Ì-*-
' A ' B '

Hình 11.29. Nguyên tắ c chuyển dịch điện tích nhờ tín hiệu đổn g hổ kép có pha ngược nhau.

Linh kiện CCD có Ihể xử lý dưới dạng lấy mẫu các lín hiệu tương tự, các điện tích
được đưa vào nhờ sự khuếch tán ở lối vào. Các ihông tin cũng có thể được phun vào nhờ
hiệu ứng quang điện. Thực vậy, khi linh kiện được chiêu sáng bởi ánh sáng có bước sóng
Irong vùng từ 350 đến l lOOnm, thì các phôlon sẽ tạo ra các cặp điện lử - lỗ trống. Các hạt
lải lích drện mới được tạo ra này được định xứ trong tụ điện MOS dưới tác dụng của thế lác
động vào các điện cực. Lượng diện tích dã được giữ trong mỗi một giếng ihế lỷ lệ với sự
chiếu sáng và nhờ việc đọc iiên liếp, cho phép thu nhận tín hiệu tương tự đã được lấy mâu
biểu diẻn hình ảnh đã phân tích.
Cũng có Ihc thực hiện cách đọc song song các ihông tin lưu trữ trong một bộ ghi như
mô tả trên hình 11.28. Kiểu đọc này cho phép lấy ra các mẫu theo thời gian của tín hiệu
tuong lự bằng cách đo lường các điện tích đã dịch chuyển từ điện cực này sang điện cực

189
kia. 'loàn bộ các mẫu sinh ra tín hiệu lương tự được xử lý theo một định luật lọc lựa đã
được xác định.

11.10.2. ứng dụng của các linh kiện CCD

11.10.2.1. Biến tử nhậy quang

ứng dụng quan trọng nhất của linh kiện CCD là làm các biến tử nhậy quang trong các
máy ảnh số hoặc tương tự.
Khi được chiếu sáng, vùng điện tích không gian của linh kiện CCD (giữa các cực cửa)
sinh ra các hạt tải điện với số lượng tỷ lệ với cường độ chiếu sáng đã thu nhận được. Các
điện tử bị hút về dưới mỗi cực cửa và tạo nên lớp đảo. Như vậy, trong một khoảng thời gian
At, mộl nhóm diện tích mà độ lớn của nó phụ thuộc độ chiếu sáng của m ỗi bề mặt cơ sỏ'
(pixel) của linh kiện được tạo thành. Người ta có thể đưa ra các thông lin đã thu được trong
khoảng thời gian Al đó nếu thời gian truyền rất ngắn so với At. Như vậy người ta đã thực
hiện được một hình ảnh hai chiều dưới dạng mật độ điện tích. Trong trưòíng hợp này, linh
kiện CCD hoạt động như m ộl biến lử quang học để thu nhận hình ảnh hai chiều như một
ống kính cúa máy ảnh. D ĩ nhiên cần nối biến tử quang học này với các hệ thống điện tử để
xử lý và cho phép đọc cũng như thể hiện các lượng thông tin chứa đựng trong các điện tích.
V ới còng nghệ VLSI, một tế bào cơ sở có kích thước 10 X 10|j,m.
Để thu được hình ảnh rõ nét nhờ sự chiếu sáng cần thiết phải giảm với độ đồng đều
tuyệt diệu tín hiệu tối, nhờ đó sẽ giảm nhiễu lên hình ảnh. Điều này được thực hiện nhờ
phủ mộl lớp epitaxie hết sức đồng nhất. M ột linh kiện dưới dạng ma trận gồm 256 đường
và 384 điểm đã cho phép thu được một hình ảnh có tỷ số tín hiệu/tạp âm là 30dB với độ
chiếu sáng 0,4 lux và vật kính mở F /l,4 .
Biến lử nhậy qnang theo đường thẳng là linh kiện được cấu tạo bởi một hàng gồm từ
256 đến 2048 phần.lử. Các bộ ghi dịch nằm song song với đường nhậy quang; nói chung có
hai bộ ghi dịch. M ột bộ ghi đọc các điện tích tích tụ trong các phôto điốt ở hàng chẵn, còn
bộ kia thì đọc các điện tích tích tụ trong các phôto diốt ở hàng lẻ. Như vậy, ta sẽ thu được
một bước ngắn nhất cho các phần tử quang học và việc đọc thông tin sẽ được thực hiộn một
cách nhanh nhất. Tín hiệu video thu được sẽ được dồn kênh, lấy mẫu và sửa sang trước khi
sử dụng.
Các linh kiện này cần hai pha điểu khiển ngoại, còn các tín hiệu điều khiển khác do
một mạch logic đã được tích hợp sinh ra.
Các biến tử này dùng để thu các hình ảnh trên một đưcmg thẳng hoặc một mặt phẳng
bằng cách quét quang học. Đặc lính chủ yếu của chúng là vận tốc đọc. Trong các ứng dụng
thông thường như trong các hệ Ihống nhận biết các đặc tính quang học và phát hiện các đối
lượng núp bóng nhau thì tần sỏ 2M H z là phân biệt lốt, trong khi đối với telecinema hay để
phái hiện các vật Ihể có vận tốc lớn thì phải cần đến tần số 20MHz.
Một thanh gồm 2048 phôto điốl cho phép đọc chiều dài 24cm (khổ A 4) trong telecopi,
đọc các tờ séc, chọn thư, in laser, hay trong việc phun mực...
Biến tử nhậy quang dạng ma trận có một vùng nhậy quang hình chữ nhật...
Đó chính là mắt nhìn. Thông tin thu được sẽ được chuyển vào các bộ ghi ở trên cùng

190
một bán linh ihc silic nhưng được phủ một lớp chống ánh sáng. Chính các bộ ghi truyền
lưới này dã được sử dụng trong các camera của tivi.
Biến tử này là chất đồng đẳng của ống phân tích vidicon nhưng ở trạng thái rắn. M ỗi
khi hình ánh dược tích hợp trên bể mặt nhậy quang, thì các điện tích sẽ được chuyển một
cách song song về một bộ ghi nhớ đồng nhất với vùng nhậy quang nhưng đã bị che bớt. Sau
đó. cũng chính nhờ vùng này mà người ta đọc được các điện tích từ đường này sang đường
khác với chuẩn T .v .
rổ chức này cho phép tích hợp một lưới mà trước đó đã được đọc trong vùng nhớ với
một nhịp khác.
'rrong tivi. hình ảnh được tích hợp trong vùng nhậy quang trong khoảng 2 0 ms, độ dài
một lưới (Iraine). Các điện tích biểu diễn hình ảnh đã ghi nhận được chuyển vào vùng nhớ
trong khoảng 0,47ms Irong khi một lưới bị xoá. Hình ảnh được chuyển dịch giữa đường với
đường vào trong các bộ ghi ngang ở lối ra trong khoảng 12 ịìs . Việc dịch từ điểm này đến
điểm kia Irên mỗi đường trong vòng 52Ị.IS cung cấp tín hiệu vidieo. Người ta thấy rằng đối
với các tiv i dã được cải tiến có Ihể đọc hai lần một lưới trong thời gian thu lưới ấy.

Hình 11.30. Sơ đồ nguyên lý của camera đen - trắn g của hãng Sony.

Biến tử CCD N X A 1011 RTC có 288 đường hữu ích cho mỗi lưới và 288 đường bị phủ
của bộ ghi. M ỗ i đường chứa 604 điểm, có nghĩa là khoảng 350.000 phần tử ảnh (pixel)
trong mốt quấn vao nhau. Biến tử cũng được trang bị một bộ phận điều chỉnh độ phân giải
và hiệu chỉnh mức tối.
Các biến tử chuyên nghiệp dùng trong quân sự hay trong các công việc đặc biệt có 488
X 380 phần lử, việc đọc thông tin được tiến hành với tốc độ cực đại 60 trame trong một
giây. lỉìn h 11.30 là sơ đồ nguyên lý của một camera đen - trắng của hãng Sony.
Các camera màu được thực hiện nhờ ngưng đọng các dải màu vàng và xanh trên các bộ
ghi thẳng đứng (hình 11.31). Bằng cách dùng hai mạch lọc xếp chồng lên nhau, nên ánh
sáng được phân thành ba màu cơ bản: xanh dương, vàng và xanh lá cây và nhờ phương
pháp tổ hợp cộng tính hay bù trừ sẽ tái tạo được các màu trong phổ khả kiến. Các camera
màu thực hiện theo cách này rất kinh tế, được sử dụng nhiều trong các máy quay phim
cũng như trong các máy.phôto màu.

191
11.10.2.2. Các đường trễ

Các dirổiig Irẽ cho điện tích dịch chuyển rất thích hợp trong việc xử lý lín hiệu hoặc đê’
nhớ cúc lượng Ihông tin iưưng lự, các dường irẻ này thường chứa từ 512 đến 1024 cực cửa
với các tần sò' chuyển dịch nằm giữa 10kHz và 20MHz.
Tín hiệu lương tự ở lối vào được lấy mẫu với tần số nhịp. Các xung thu được đã được
biến đổi thành “ các nhóm điện tích” . M ỗi nhóm điện tích tỷ lệ với biên độ của xung điện.
Nó lan truyền theo nhịp xung đồng hồ. ở lối ra, tín hiệu lúc ban đầu được khôi phục lại,
nhưng Irỗ đi một lượng thời gian nào đấy tuỳ thuộc vào chu kỳ xung nhịp và số lượng các
tế bào. Đ ối với bộ ghi có n tế bào (n cực cửa) và T là chu kỳ của xung nhịp, thì thời gian trề
nx có thc thay đổi trong inột tỷ số cỡ 1 0 0 0 .
l ’reng úvi có dộ phân giải cao, ngưừi la dùng các bộ nhớ lưới (trame) cho phép đọc hai
lần tín hiệu của một lưới. Như vậy tần số quét trên bóng hình phải tãng gấp đôi.
Các mạch này cũng rất thích hợp cho việc xử lý các tín hiệu rađa, âm, tín hiệu viễn thông
hay Irong các tiv i chuyên dụng.

0.06
R r s

0,05 i \
V
pw/cm3 0.04 f ị \
N

0.03 1 \
0,02 \ /
//
'■
\ \
0,01
/
r
//
0
400 500 600 700 BOO 800 1000

Mẩu

Hình 11.31. Cấu tạo và đặc tru tig phổ của cam era màu.

192
 Chương 12

KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN

Bộ khuếch đại thuật toán là bộ khuếch đại có độ khuếch đại rất cao và ỉiên kếí trực
tiếp. 1'rong bộ khuếch đại này, mạch phản hồi điều khiển toàn bộ các đặc trưng của nó. Bộ
khuếch đại thuậl toán dùng để tạo nên rất nhiều hàm sô' tuyến tính cũng như phi tuyến và
được làm dưới dạng mội vi mạch, vì nó có rất nhiều ích lợ i như kích thước nhỏ, độ tin cậy
cao, giá ihành hạ, ổn định nhiệt độ cao và dòng cũng như thế offset thấp. Trong chương
này, ta sẽ mô tả các đặc trưng của bộ khuếch đại thuật toán, phưcíng pháp thực nghiệm để
đo các thông số cũng như đế’ cân bằng và một số ứng dụng để tạo ra các hàm số toán học,
các mạch lọc tích cực và đặc biệt là để thiết kế và thực hiện các máy tính điện tử tưcmg tự.

12.1. BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN c ơ s ỏ

Sơ đề hệ thống và sơ đồ tương đưcmg của bộ khuếch đại thuật toán cho trên hình 12.1.
Phần lớn các bộ khuếch đại thuật toán có lố i vào vi phân với các thế V | và V 2 đưa vào các
lối vào đảo và không đảo tương ứng. Sự khuếch đại là dương nếu lố i ra Vị) và V 2 là dương
(không đảo) trong khi sự khuếch đại V (/V 2 là âm (đảo). Bộ khuếch đại chỉ có m ột đầu duy
nhất và được coi như là trường hợp đặc biệt nếu một trong hai lố i vào nối đất. Phần lớn các
bộ khuếch đại thuật toáíi chỉ có một lố i ra.
Bộ khuếch dại thuật loán lý tướng có đặc trưng như sau:
1. Điện trỡ lối vào Rị = 00 .
2. Điện Irở lối ra R(, = 0.
3. Hệ số khuếch đại thế vòng hở (hinh 12.1): A j = 00 .
4. Độ rộng dải thông = 00 .
5. v„ = 0 khi V; = V 2 và không phụ thuộc vào giá trị của V |.
6 . Các đặc trưng không có độ trôi do nhiệt độ.
Sơ đồ hình 12.2 là một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng vói các trở kháng phản hồi z
và Z ’ và lối vào + nối đất. Đó là một mạch đảo cơ sở.
Trong bộ khuếch đại này, hệ số khuếch đại thế vòng kín bằng:
V. 7'
^ V, z
Mạch này cho thấy rằng ở trong bộ khuếch đại có một điểm đất tượng trưng. Khái
niệm đất tượng trưng được dùng để mỏ tả điều là mặc dù có mạch phản hồi giữa lố i ra và
lối vào, nhưng qua Z ’ để giữ cho thế Vị = 0; có nghĩa là trên thực tế không có dòng qua
điện trở lối vào. Do đó nếu đảo mạch hai lối vào đảo và không đảo thì dòng qua đoạn mạch
đó bằng không. Như vậy đối với bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng thì:
1. Dòng ở m ỗi lố i vào bằng không.
2. Hiệu thế giữa hai đầu cuối lố i vào bằng không.

25.LKBOVIMACHA 193
 Đối với bộ khuếch đại llìuậr toán không đảo (tín hiệu lối vào nối với lố i vào không đảo
(+) còn mạch phản hồi đưa vào lối vào đảo), thì hệ số khuếch đại thế thu được:

Vs z
Av còn được gọi là bệ s ố khuếch đại thế vòng kín.

a)

Zl
b)

Hình 12.1. Sơ đồ ký hiệu và sơ đồ tưdng đưdng của bộ khuếch đại th u ậ t toán.

Lối vào đảo

Hình 12.2. Khuếch đại thuật toán lối vào đảo và sơ đồ tương đưdng.

194 25.LKỢD VI MACH B

12.2. B ộ KHUẾCH ĐẠI VI SAI

12.2.1. Đặc tính chung

Chức nãng của bộ khuếch đại vi sai là để khuếch đại hiệu giữa hai tín hiệu lố i vào. Bộ
khuếch đại này được sử dụng rất nhièu trong các phép đo vật lý trải ra trên một dải tần số
tưưng đối rộng từ tín hiệu không đổi (dc) cho đến dải mega hec. Nó cũng là một tầng cơ sở
của bộ khuếch đại thuật toán vi mạch với các lối vào vi sai.
Hình 12.3 mô tả hai chế độ hoạt động của bộ khuếch đại thuật toán đối với hai tín hiệu
vào V | , V , và một tín hiệu lối ra v„ mỗi cái được đo so với đất. Đ ối với bộ khuếch đại vi sai
lý tưởng (hình 12.3a) thì tín hiệu lố i ra v„ được biểu thị bằng;
v„ = A j (V , - V 2 ) .

Trong đó A j là hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại v i sai. Như vậy có thể thấy rằng bất
kỳ một tín hiệu nào tác động chung trên cả hai lố i vào sẽ không có mặt ở lố i ra. Tuy nhiên,
trên thực tế, bộ khuếch đại vi sai không được biểu thị bởi phưoíng trình trên bởi vì tín hiệu
lối ra phụ thuộc không chỉ vào hiệu của các tín hiệu vào mà còn phụ thuộc vào mức
trung bình hay còn gọi là tín hiệu mốt - chung v^, nữa, ở đây:
Vj = V| vàv^. s ( l / 2 ) ( v , + v,) , ( 1 2 .1 )
Chẳng hạn, nếu một tín hiệu là +50|iV và tín hiệu thứ hai là -50|nV, thì lố i ra sẽ không
phải hoàn toàn chính xác như khi V| = 1050|aV và v, = 950ịxV, mặc dù hiệu Vj = lOOịaV là
như nhau Irong.cả hai trường hợp.
V.
+
Vd
a)

Vi

b)

Hình 12.3. Các mạch điện m ô tả các c h ế độ hoạt động của bộ khuếch đại th u ậ t toán:
a) M ố t- vi sai, b) Mốt - chung.

Tỷ sỏ thoát mốt - chung

Đc đặc trưng cho độ tin cậy của một bộ khuếch đại vi sai, người ta dùng một đại lượng
gọi là tỷ số thoát mốt - chung. Tỷ số này được xác định theo cách sau đây:
Ta biểu diễn lố i ra của khuếch đại vi sai bằng một tổ hợp tuyến tính của hai thế lối vào;
= A ,v, + A 2 V2 (12.2)
Trong đó A ,( A 2 ) là hệ số khuếch đại thế từ lố i vào 1(2) tới lố i ra với điều kiện là 2(1)
nối với đất. Từ phương trình ( 12.1) ta có:
V, = V , + (1/2) Vj và V2 = v^. - (1/2) Vj (12.3)

195
 Thay thế các phương trình (11.3) vào (11.2) ta thu dược:
v„ = A j Vj + A , v, (12.4)
trong đó: = (1/2) (A, - A^) và A , = A, + (12.5)
Hệ số khuếch đại thế đối với tín hiệu vi sai là A j còn hệ số khuếch đại thế đối với tm hiệu
mốt - chung là A,,. Người ta có Ihể đo A j một cách trực tiếp bằng cách cho \'i = -V 2 = 0,5V,
như vậy Vj = IV và v^. = ov. Dưới điều kiện này thế lố i ra v,| đo được chính là hệ số
khuếch đại A j cho tín hiệu vi sai (phương trình 12.4). Tương tự, nếu cho V, = V2 = IV khi
đó Vj = o v và v^. = A^.. Thế lối ra bây giờ là số đo trực tiếp của hệ số khuếch đại mốt -
chung A^.
Rõ ràng ta muốn A j có giá trị lớn trong khi A^. trong trường hợp lý tưởng bằng không.
Như vậy tỷ số phản ánh độ tin cậy của bộ khuếch đại v i sai. Tỷ số ấy có tên gọi là tỷ
số thoát mốt - chung và được định nghĩa như sau:
A.,
(12.5)
A„
V ớ i định nghĩa này, thế lố i ra của bộ khuếch đại vi sai được biểu diễn dưới dạng;
^ lv„'
v „ = A jV j 1+ ( 12.6 )

Từ biểu thức này ta thấy đối với bộ R2

khuếch đại vi sai phẩm chất cao thì hệ số
thoát mốt - chung phải có giá trị lớn.
Chẳng hạn, nếu p = 1000, = Im V , a)
Vj = 1|J,V, thì số hạng thứ hai trong (12.6)
bằng số hạng thứ nhất. Do đó, đối vófi bộ
khuếch đại với tỷ số thoát mốt - chung
bằng 1000, hiệu thế = l|aV giữa hai lố i
vào sẽ cho cùng một thế lố i ra như khi
b)
một tín hiệu = Im V tác động vào cả hai
lố i vào với cùng chiều phân cực.
Như vậy, để bằng không thì bộ
khuếch đại thuật toán phải có hệ sô' thoát
mốt - chung p = 00. Tuy nhiên, đa phần
các bộ khuếch đại thuật toán trong thực
tế có hộ số thoát m ốt-chung p hữu hạn,
vì vậy thế lối ra có dạng như trong ( 1 2 .6 );
có nghĩa là ihế lối ra đã được cộng thêm
m ội lượng là: Hình 12.4. Bộ kh u ế ch dại k h ô n g đảo:
Iv a) C M R R hữu hạn, b) C M R R vô hạn.
v„p = A jV = A
pVj p

Thế lố i ra này có thể coi như do thế lố i vào v „ = ^ do hệ số C M R R hữu hạn gây ra
p
cộng với thế lố i vào vi sai của bộ khuếch đại thuật toán với hệ số CM RR vô hạn.

196
 "ĩhố lối vào \;, này chỉ xuất hiện ớ bộ khuếch đại không đảo mà thôi; còn đối với bộ
khuếch dại đáo như trong hình 12.4a, thì v^., = 0; có nghĩa là hệ số CM RR hữu hạn không
ảnh hường đến hoạt động của bộ khuếch đại đảo. Bởi vì trong bộ khuếch đại đảo, lố i vào
không đảo nối đất, nôn lối vào đảo cũng có thế gần bằng thế đất o v. Db đó thế lối vào của
mốt - chung V. gần bằng ov, do vậy thế lối ra trong biểu thức (12.6) bây giờ có dạng:
v„ = AjV,
Điều dó cho thấy, trong tất cả các mạch khuếch đại đảo không cần quan tâm đến hệ số
CMRR cho dù nó là hữu hạn hay vô hạn; bởi vì Ihế lố i ra không phụ thuộc vào hệ số này.
Để làm rõ ảnh hưởng của hệ số CM RR lên hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại không
đảo như trên hình 12.4b, ta X Ố I ví dụ sau.
Ví dụ. Tính hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại không đảo trong hình 12.4b với
R, = Ik Q , R, = 50kQ và hệ số C M R R p = Ì 0 \ Ì 0 \ 10^ 10’ , 10** và 10^
Giải:
Từ sơ đồ hình 12.4b, ta tính được thế lối ra là:
y. R,
Vo = Yn 1 + + 1+
r" R
Do đó hệ số khuếch đại tính được:
R. 1
1+ +- 1+
V. R p R.
Rõ ràng hệ số khuếch đại A của mạch khuếch đại không đảo phụ Ihuộc vào hệ số
CMRR. Nếu p = 0 0 thì số hạng thứ 2 trong A bằng 0. K h i đó ta thu được hệ số khuếch đại
không đảo như đối với bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có hệ số CM RR bằng vô cùng.
Sự ihay đổi của hệ số khuếch đại A theo hệ số C M RR của sơ đồ khuếch đại không đảo
trẽn hình 12.4b với R| - Ik Q ; R 2 = 50kQ và với p thay đổi từ lo'* đén 10'^ được thể hiện
trên hình 12.5 nhờ chương trình M A T L A B .

X 10' Su th a y doi He so khuech dai theo CMRR

He Sữ CMRR

Hình 12.5. Sự thay đổi hệ số khuếch đại theo hệ sô' CMRR trong bộ khuếch đại không đảo.

197
12.2.2. Bộ khuếch đại vl sai liên kết emitơ
Bộ khuếch đại thuật toán hoạt
động cả ở tần số bằng không, do
vậy các bộ khuếch đại liên kết trực
tiếp không thể sử dụng tụ điện
được. Hơn nữa, trong vi mạch việc
thực hiện các tụ điện có điện dung °Vc2=V„
lớn là điều khó khăn. V ì vậy trong
bộ khuếch đại liên kết trực tiếp, bất
kỳ sự thay đổi nào về giá trị của
thông số của mạch, (chẳng hạn do
nhiệt độ thay đổi) đều dẫn đến sự
Ihay đổi thế lối ra, thậm chí ngay cả
khi thế lố i vào được giữ không đổi).
Có rất nhiều kỹ thuật để giảm
thiểu những sự thay đổi như vậy ở Hỉnh 12.6. Bộ khuếch đại vi sai
lối ra, trong số đó bộ khuếch đại vi 1 '®" emitơ đối xứng.
sai liên kết emitơ (hình 1 2 .6 ) ở lối vào của các bộ khuếch đại thuật toán có độ trôi dịch ớ lối ra rất
thấp vì tính chất đối xứng trong cấu trúc của các mạch IC. Ngoài ra bộ khuếch đại này còn cho
điện trở lố i vào có giá trị khá cao và nhiều tính chất khác gần giống với các đặc trưng lý tưởng.
Trong sơ đồ này điện trở R^, có giá trị lớn, do vậy tỷ số thoát mốt - chung có giá trị
cao. Điều này có thể được kiểm chứng bẳng cách như sau:
Nếu V^I = V ^2 = Ys, khi đó từ phương trình (12.1) và (12.4) ta có V j = V,J - v , 2 = 0 và
V|| = A^.V,. Nhưng nếu R^, = 0 0 , 1(, TÍ 0 và do tính chất đối xứng, la thu được: I^.ị = 1^.2 = 0. Nếu
Ih2 « 1 , 2 gần bằng 1^.2 do đó suy ra rằng v,| = 0. V ì vậy hệ số khuếch đại mốt - chung A^. sẽ
rất nhỏ nên tỷ số thoát mốt - chung rất lớn đối với các giá trị R„ lớn và mạch đối xứng tốt.
Hệ sô' khuếch đại m ốt - vi sai A j có thể nhận được bằng cách cho V , 1 = - V , 2 = v y 2 .
Do tính đối xứng ta thấy rằng = 1^ .2 và I() = 0. Do đó sụt thế trên bằng không, có nghĩa
là E nối đất. Dưới các điều kiện trên, mạch của hình 12.7a được sử dựhg để tính A j.

Vcc
ĩ
Rc Rc

<jV, ■oV,

V J2
V ee ĩ- v EE

a) b)

Hình 12.7. Mạch điện tư ơng đương của bộ khuếch đại vi sai đối xứng dùng để tính;
a) Hệ số khuếch đại vi sai và b) Hệ sô' khuếch đại mốt - chung.

198
 Với sơ dồ này, thì hệ số khếch đại vi sai có thể tính được:
1 K K

Trong đó h|^, là hệ sô' khuếch đại dòng tĩnh của tranzito. Hệ số khuếch đại mốt - chung
được lính khi cho v ,| = V,, = và nếu R,. được thay bằng hai điện trở có giá trị bằng 2 R^
mắc song song: một trong hai cái mắc với phía trái của điểm E, còn cái kia nối về phía phải
cúa điểm ấy. Lúc này sơ đồ tương đương của mạch như trên hình 12.7b và giá trị của A ,
tính được:

, - -KR.
‘ R .+ h ,.+ ( l + h „ ) 2 R /

Từ bicu thức trên ta thấy rằng tỷ sô' C M R R = A j / A , tăng không giới hạn khi R c - > 00.
Trên thực tế, Rc có giới hạn bởi vì nếu quả lớn thì nguồn nạp VgE cũng sẽ có giá trị cao để
duy trì dòng phân cực ổn định cho tranzito.

Vcc Vcc
Vcc

VịO V|0
ViO
K K

Ri Ri

■oVc oV, oVc

R2
C) R2

a) b) c)

Hình 12.8. Bộ dịch mức dùng bộ đệm lặp lại em tiơ.

Bù trừ sự trôi mức

Vì bộ số khuếch đại thuật toán hoạt động cả ở tần số bằng không, nên không thể sử dụng
liên kếl điện dung trong các tầng mà phải dùng liên kết trực tiếp. Liên kết này làm cho sự
thay đổi của một tầng có thể ảnh hưởng đến tầng sau. Kết qủa làm cho trạng thái tĩnh (chưa
có tín hiệu vào) bị xê dịch, điểiĩi không của mức lố i ra đã bị trôi đi. Để khắc phục tình trạng
này, thông thường áp dụng các bộ đệm có điện trở lối vào cao điện trở lố i ra thấp ghép giữa
các tầng và ở lố i ra bộ khếch đại thuật toán. Bộ lặp lại emitơ hình (12.8) là một bộ đệm như
vậy. Bộ đệm này hoạt động như một bộ điều chỉnh thế. Nếu thế lố i ra V(, lấy trên emitơ thì
thế cần điều chỉnh là V(, - Vị = - V be « -0 ,7 V . Nếu sự bù trừ không đủ, thì thế lố i ra phải
được lấy trên mạch phân thế như trên hình 12.8a. Độ trôi về thế được bù trừ nhờ sụt thế trẽn
điện trở R|. Nhược điểm của mạch này là thế lối ra bị suy giảm theo tỷ lệ RaARi + Ra), nhược
điểm này được khắc phục bằng cách thay R j bằng một nguồn dòng I() như trên hình 1 2 .8 b.
Độ dịch mức bây giờ là v „ - V ị - (VuE + Người ra có thể thay R, bằng một điốt Zene
như hình 12.8c. Trên sơ đồ này thì độ trôi mức là V() - V | = (Vbe + Vz). Nếu điện trở động

199
của điối nhỏ so với R j thì độ suy giảm của tín hiệu không đáng kể. Tuy nhiên, việc thay thế
R| trong sơ đồ hình 1 2 .8 a bằng một nguồn thế là hay hơn cả vì nhiều lý do, trước hết là để
thực hiện trong vi mạch (hình 12.9). Trong sơ đồ này, nếu dòng bazơ rất nhỏ so với dòng qua
R, và R., thì mạch hoạt động như một “ bộ nhân Vbj ” , bởi vì:
V r R ^ •
1 =
R

Nguồn thế này có thể được sử dụng để

thay thế R| trong hình 12.8 a hoặc điốt V 7 Irong V
hình 1 2 .8 c hoặc bất kỳ một nhánh nóng của
VBẼ
mạng cần sự chuyển đổi về thế. Giá trị của
nguồn thế này độc lập đối với dòng, nên điện
trớ động của nó có giá trị lý tưởng bằng không , i'
(Ro = A V /A I = 0/A I = 0). Hình 12.9. N guồn thê V là bội của V

12.2.3. Dòng và th ế sai số offset

Trong phần trước, ta đã thấy rằng bộ khếch đại thuật toán lý tưởng ở trong hình 12. la
được cân bằng một cách hoàn hảo, có nghĩa là V(, = 0 kh i V ị = V 2 = 0. Còn trong bộ số
khuếch đại Ihuật toán thực thì có sự bất cân bằng do sự không đồng nhất của các tranzito
lối vào. Sự không đồng nhất này dẫn đến sự không đồng đều dòng phân cực đi qua các đầu
vào của bộ số khuếch đại thuật toán và do vậy đòi hỏi m ột thế offset lố i vào tác động vào
hai lối vào để cân bằng lố i ra của bộ số khếch đại.
Trong phần này, ta đề cập đến các dòng và thế sai số có thể đo được ở lố i vào và ở lố i ra.
Kỹ thuật cân bằng tổng hợp được áp dụng để cân bằng thế offset. Có nghĩa là ta phải tác dụng
một thế dc nhỏ ớ lối vào để sao cho thế lối ra dc bằng không. K ỹ thuật thiết kế ở đây không
phải liên quan đến các mạch ở bên trong bộ khuếch đại. Mạch như vậy được chỉ ra trên hình
1 2 . 1 0 a nạp thế nhỏ nối tiếp vào khoảng không đảo trong một vùng ± V [R 2 /R 2 + R 3 ] = ±15mV

nếu nguồn nạp ± 15V được sử dụng và R4 = lOOkQ, R ị = lOOQ. Mạch này rất hiệu dụng để
cân bằng các bộ khuếch đại thuật toán được sử đụng như một bộ khuếch đại không đảo, thì sơ
đồ hình 12.1 Ob được sử dụng để cân bằng thế offset.

R’
<Ị Ị—í',
+v

ViO
----- oVo
+v

Ra
<, - v t r

-V Vi
R2
Ï
^ a) b)

Hình 12.10. Kỹ th u ậ t cân bằng th ế o ffs e t tổ n g hỢp.

200
12.3. ĐO CÁC THÔNG số CỦA BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN
Trong tiết này, chúng ta sẽ mô tả một số phương pháp đo lường một số thông số quan
trọng của các bộ khuếch đại thuật toán như: Thế offset lố i vào, dòng lệch và dòng offset lối
vào. hệ số khuếch đại vòng hở và tỷ số thoát mốt - chung. Trong mạch đo (hình 12.11),
bộ khuếch đại thuật toán cần xác định các thông sô được ký hiệu là A U T (am pliher under
test). Bộ khuếch đại thuật toán này được mắc nối tiếp với một bộ khuếch đại thuật toán
khác được ký hiệu BUF (buffer) là một bộ đệm để tăng hệ số khuếch đại vòng hở và cũng
cho phép thế lố i ra của A Ư T được điều chỉnh tới một giá trị mong muốn nào đó. V ì BUF
nằm Irong mạch phản hồi, nên hiệu thế giữa các cửa lối vào bằng không. Bằng cách loại trừ
dòng điện lệch của bộ đệm BUF, tìm được V|| = - V ’ vì Vg = 0. Do đó lố i ra của A U T luôn
có giá trị âm - V ’ và có thể đặt bằng một thế nguồn nạp ở ngoài.
R'(10K)

Sơ đồ hình 12.11 có thể tự kích dao động nếu nó không được cân bằng chính xác.

12.3.1. Đo th ế o ffse t lốí vào

Để đo đại lượng này, ta cho V ’ = 0, như vậy v„ = 0. Cả hai chuyển mạch S| và S2 đóng.
Do vậy, nếu V = 0 , thì V j = 0 và Vị„ sẽ biểu hiện ở giữa lố i vào đảo và không đảo. Nói
cách khác, Vị„ của A U T là sụt thế trên R tương ứng với dòng Vị,/R và cũng là dòng chạy
/AtÁrt liơ
qua điện <I*r-V phản hồi R ’ . Do
11/^ đó: '

v = ^ ( R + R') = 1001 v,,s 10^V,, = V,.

R
Như vậy. từ số đọc V , trên vôn-kế ta thu được Vị„ trong m ili-vôn. Chú ý rằng lố i ra của
A U T để ở 0 V đúng như yêu cầu xác định thế offset lố i vào.

12.3.2. Đo dòng lệch lối vào Ig

Chuyển mạch S| m ở Sj đóng và cho V ’ = 0. Như vậy thế qua R bây giờ là Vj„ - R bI bi và:

và từ đó tìm được dòng Igi theo hệ thức sau đây:

- I 3 , = (V , - V 3 ) 10 ^ A = 100 (V 4 - V ,)nA

26.LKBD vr MACH A 201

 Nếu S2 mở và s, đóng và V ’ = 0 thì I[J2 thu được như trước và bằng +Iq 2 . D o đó dòng
lệch được cho bởi I|, = (M2) (I|„ I 1J2 ) và dòng offset là Ii„ = I,J| - Ip2 .

12.3.3. Đo hệ sô' khuếch đại vòng hỏ = Ad

Hệ sô' khuếch đại vòng hở được định nghĩa như là tỷ số của thế lối ra trên tín hiệu thế
lối vào vi sai. Đo trực liếp A , dựa trôn định nghĩa này là điều cực kỳ khó khãn mà chủ yếu
là thế cúa dòng offset lố i vào trong bộ khuếch đại vòng hở bị loại bỏ một cách chính xác vì
sự khuếch đại lớn của bộ khuếch dại không cân bằng sẽ đưa đến sự bão hoà thế lố i ra của
bộ khuếch đại. Nếu ta cần thế lối ra 10 V, với hệ số khuếch đại 10'^ thì thế lố i vào phải
được điều chinh với độ chính xác tới 0,1 m V. V ới các tín hiệu nhỏ như vậy thì thế tạp âm
có thể lấn át. Tấl cả những điều đã nói được khắc phục bằng cách sử dụng A U T với vòng
kín cúa hình 1 2 . 1 1 .
Các chuyển mạch S| và S2 đóng và thế V ’ được đặt để tạo ra thế lối ra chảng hạn -lO V .
K hi đó sụt thế trên R giữa hai cửa lố i ra của A U T là V|„ + Vị. Do đó:
\

V
- V ,.
A

Fhay v„. bằng V , như đã tính ở trên và v „ = lOV vào biểu thức này, ta tìm được:

v , - v , “ V3-V 3
Nếu điều chỉnh V ’ tới +10V và quá trình trên được nhắc lại, thì A , đối với thế lố i ra v „
= -lO V SC thu được. Nếu muốn đo hệ số khuếch đại thế khi có tải thì tải R l được mắc từ
lối ra v „ với đất và tiến hành các phép đo như trên.

12.4. CÁC ỨNG DỤNG c ơ BẢN CỦA KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN
Các bộ khuếch đại được sử dụng đổ tạo nên nhiều toán tử toán học vì vậy nó m ới có
tên gọi là kliitếch đại thuật toán. Trong phần này, ta sẽ xét một số ứng dụng cơ bản của các
bộ khuếch đại thuật toán.
G iả sử bộ khuếch đại thuật toán là lý tưởng được mắc trong sơ đồ với mạch phản hồi
vòng kín như trên hình 1 2 . 1 2 .
Z'

Hình 12.12. Sơ đố của mạch khuếch đại đảo dùng khuếch đại thuật toán lý tưỏng.

202 26.LKBD VI MACH B

 Từ hình VC la thấy tại nút A , phương trình dòng điện cho ta:
VA - V ill _ị_ V -V _ Q

z Z'
Vì bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng nối đất nên thế:
V,, = = V - ov
Từ đó, ta tìm được hệ số khuếch đại thế vòng kín:
V Z'
^ = (12.7)

Dấu trừ cho thấy thế lối vào và thế lố i ra v „ ngược pha nhau m ột góc 180". Từ đây, ta
cũng tìm được Irờ kháng lố i vào của mạch là:
V,.
7 i„
- ị
= 7

Nhờ cách lựa chọ các trở kháng phản hồi z và Z', ta có thể thu được các bộ đảo analog,
các bộ thay đổi Ihang chia và các bộ cộng tín hiệu như sẽ thấy sau đây.

12.4.1. Bộ đảo (dổi dấu tín hiệu)

Trong sơ đồ hlnh 12.12 nếu z = Z ’ thì = -1 , có nghĩa là dấu của tín hiệu vào đã bị
thay đổi khi đi qua mạch. Do đó mạch này hoạt động như một bộ đảo pha. Nếu hai bộ
khuếch đạị như vậy được ghép nối tiếp nhau thì tín hiệu lố i ra của tầng thứ hai sẽ cùng dấu
với tín hiệu lỏi vào của tầng trước. Do đó, các tín hiệu lối ra của hai tầng có cùng giá trị biên
độ hhưng ngược pha nhau, hệ thống như thế là mộl một khuếch đại soiĩiị pha iparaphase).

12.4.2. Bộ thay đổl thang chia

Nếu tỷ sô' Z /Z ’ = k và là hằng số thực, thì = -k,. như vậy thang chia đã được nhân
lên một hệ số - k . Thông thường, trong trường hợp này, các trở kháng z và Z ’ là những điện
trở thuần có dộ chính xác cao.

12.4.3. 6ộ dịch pha

Giá sử rằng, z và Z ’ có giá trị như nhau nhưng góc lại khác nhau. K h i đó bộ khuếch đại
thuậl loán làm dịch pha của thế tín hiệu hình sin lối vào trong kh i biên độ của tín hiệu đó tại
cùng thời điểm đó vẫn được giữ nguyên. Sự dịch pha có thể được thực hiện từ 0 đến 360".

12.4.4. Bộ cộng hoặc khuếch đại tổng

12.4.4.1. Bộ cộng có đảo

Sơ đồ hình (12.13) được sử dụng để thu được tín hiệu lố i ra là một tổ hợp tuyến tính của
các tín hiệu lối vào. Bởi vì đất nối với lối vào không đảo của bộ khuếch đại thuật toán, nên:
_ V| . ^ 2 , V, ^ , V,
R, R. R, R
/
R' R' R' R'
và: V„ = - R ’I = — V, + - — V, + V, + ..+ — V.

203
 Hình 12.13. Bộ khuếch dại tổ n g vớ i lố i vào đảo.

Nếu R, =R._=... = R ,„thì:

R'
(V, + V2 +... + v„)
R
Rõ ràng là tín hiệu lối ra tý lệ với tổng các tín hiệu lố i vào. Có nhiều phương pháp để
có tổ hợp các tín hiệu, tuy nhiên phương pháp này có ưu điểm là có thể m ở rộng đến một số
lượng rất lớn các tín hiệu lối vào mà chỉ cần một điện trở cho m ột lố i vào và một điện trở
cộng. Ngoài ra, vì đất nối với lối vào cộng của bộ khuếch đại thuậl toán, nên các tín hiệu
lối vào không bị ảnh hưởng lẫn nhau.

12.4.4.2. Bộ cộng không đảo

Bộ cộng không đảo là mộl bộ
khuếch đại mà tín hiệu lối ra là một tổ
hợp tuyến tính của các tín hiệu lối vào
nhưng không đổi dấu. Bộ cộng này
được thực hiện nhờ bộ khuếch đại
không đảo như trên hình 12.14.
' R''] í R + R '\
\' = 1 + V
R R
trong đó V^. là thế ở lối vào không
đầo, giá trị của nó có thể được xác
định bằng một biểu Ihức đơn giản nếu
tất cả các điện trở lố i vào có giá trị
như nhau. K h i đó tìm được:

v,= ^ ( v ’ , + v ’ 2 +... + v„)

Do vậy thế lố i ra của bộ cộng không đảo có dạng;

I \
R+R
Vo = (v ’ | + v ’ 2 +... + v„)
nR
Trong đó n là số lố i \'ào.
Người ta cũng có thể tạo được các bộ cộng và trừ analog m ột cách đồng thời với chỉ
một bộ khuếch đại thuật toán bằng cách thay thế điện trở R trong hình 12.1 ] bằng n lố i vào
và các điên trở của hình 1 2 . 1 0 .

204
12.5. BỘ CHUYỂN Đ ổ l DÒNG THÀNH THẾ VÀ THẾ THÀNH DÒNG

12.5.1. Bộ chuyển đổi th ế thành dòng (bộ khuếch dại chuyển đổi độ dẫn)
rhông ihường người la muốn chuyển đổi mội tín hiệu Ihê lố i vào thành một tín hiệu
dòng ở lố i ra. Chẳng hạn khi ta làm lệch lõ i sắt trong đèn hình của tivi. Nếu trở kháng tải
đê nổi không nối đất, thì chúng ta có thể dùng sơ đồ hình 12.15 trong đó điện trở phản hồi
R ’ được thay thế bằng trở tải Z| (hình 12.15a). Đây là bộ chuyến thế thành dòng. Thật vậy,
nếu thế lố i vào Vị = v^(t), Ihì dòng trong trở tải sẽ là:
Vs(t)
Ĩl -
R
Rõ ràng là dòng độc lập với trở tải Z | . Bởi vì dòng chạy qua trở tải và nguồn tín hiệu
là như nhau, nên điều quan trọng là nguồn tín hiệu có khả năng cung cấp dòng tải. M ặt
khác, bộ khuếch đại hình 12.15a đòi hỏi dòng điện rấl nhỏ từ nguồn tín hiệu, vì nguồn tín
hiệu lố i vào được nối với lố i vào không đảo qua điện trở lối vào rất lớn của bộ khuếch đại
thuật loán.
Nếu tái nối dất. thì để chuyển đổi thế Ihành dòng, la dùng sơ đồ hình 12.15b. Trong đó
các điện trở được lựa chọn theo tỷ lệ: R 3 /R 2 = R ’/R|- Khi đó dòng trên tải là:
v ,(t)
i, (1) =

Ri R’

a)

Hỉnh 12.15. Bộ chuyển đổi thê thành dòng:

a) Tải nối và b) Tải nối đất.

12.5.2. Bộ chuyển đổi dòng thành th ế (bộ khuếch đại chuyển đổi điện trở)
Các dụng cụ quang học như tế bào quang điện hoặc các bộ nhân quang điện cung cấp
dòng điện lối ra độc lập đối với tải. Nhưng các dụng cụ đó lại ihường được thực hiện dưới
dạng thế lố i vào, do vậy phải sử dụng các bộ chuyển đổi dòng thành thế. Để thực hiện các
chức năng này, các bộ khuếch đại thuật toán có thổ tạo nên các bộ chuyển đổi có cấu tạo
đơn giản như trên hình 12.16.
Trong sơ đổ này, do lố i vào không đảo nối đất, nên dòng điện qua Rs bằng không, do
vậy dòng i, chạy qua điện trở phản hồi R ’ , từ đó tính được Ihế lố i ra v„ = - i, R ’ . Dòng điện

205
lối vào is đã được chuyển đổi thành thế lôi ra V,,. Cần nhấn mạnh là giá trị thấp nhất của
nguồn dòng lối vào phải được xác định bằng giá trị của dòng lệch của lối vào đảo của bộ
khucch đại thuật toán. Người ta thường mắc song sona với điện trở R’ một tụ điện c để hạn
chế nhiễu cao tần và chống lự kích dao động. Bộ chuyển đổi dòng thành thế tạo nên một
công cụ đo dòng tuyệt vời ; bới vì 1 1 ( 3 là một đổng hồ đo ampe với sụt thế bàng không khi
qua đổng hổ.

I Vo=-isR’
^ (í)
í
— a) b)

Hình 12.16. Bộ chuyển đổí dòng thành thế: (a) và bộ lặp lại thê' (b).

12.5.3. Bộ lặp lại th ế d c

Khuếch đại thuật toán có thể được sử dụng để tạo ra các bộ lặp lại thế một chiểu dc
(hình 12.16b). Tliế lố i ra v „ = có nghĩa là thế lối ra lập lại thế lố i vào. Bộ khuếch đại
thuật toán L M 110 được thiết kế để dành riêng cho mục đích này vì lối ra của nó đã được
nối với lố i vào ngay từ bên trong vi mạch. Nó có điện trở lối vào cực kỳ cao dòng
lối vào cực kỳ Ihấp ( In A ) và điện trở lối ra rất nhỏ (0,7Q), độ rộng dải là 10MHz và hệ số
khuếch đại là 0,9997 L M 1 10 có thể tự kích dao động nếu điện trở của nguồn tín hiệu quá
nhỏ, vì vậy nên mắc thêm điện trỏ lOkQ nối tiếp vởi nguồn. Để làm rõ điều này, ta tính thế
lối ra của mach điên cho trôn sơ đồ hình 12.17.

Hình 12.17. Sơ đồ khuếch đại thuật toán có trở kháng lối vào cao.

V ì bộ khuếch đại thuật toán O A là lý tưởng, nên thế

V, = V. = v„
Tính th ế V ,: •Zc
7 + 7

206
 Trong đó: Zj, - R - 20.000Q;

và 7 J = -jl6 0 0 0 Q
coC (500X0,125.10 ")
2 Z -9 0 (2 Z -9 0 K 1 6 0 0 0 Z -9 0 )
Do vậy v.= .(-jl6 0 0 0 ) =
2 5 6 1 2 Z -3 9
2 0 0 0 0 - j l 6000
= 1 ,2 5 Z -1 4 1
Dưới dạng tường minh, ta tìm được ihế lối ra:
V(i(t) = = l,25cos(500t-141)V
1 'rong sơ đồ này, nếu chọn c giá trị lớn, thì thế lối ra gần giống với thế lố i vào; có
nghĩa là sơ đồ là một bộ lặp lại thế.

12.6. BỘ KHUẾCH ĐẠI VI SAI THIẾT BỊ (INSTRUMENTATION)

Các bộ khuếch đại lố i vào ^ 2

vi sai, lối ra chỉ có một đầu duy

nhất thường được sử dụng để
khuếch đại các tín hiệu thu được
lừ các biến tử dể đo lường các
đại lượng vật lý, có thể là những
đại lượng điện hoặc không điện,
hình 12.18 là sơ đồ của bộ
khuếch đại vi sai thiết bị đơn
gián chỉ sử dụng một bộ khuếch Hình 12.18. Bộ khuếch dại vi sai th iế t bị đơn giản.
đại thuật toán.
Đế tìm Ihế lối ra ta áp dụng nguyên lý chồng chất:
Nếu cho V| = 0 và giả sử dòng lệch lối vào rất bé có thể bỏ qua, thì thế v^. ở lố i vào
khỏng đảo bằng không do đó v,| = - (R2/R|)V2 . Mặt khác nếu Vj = 0 thì = [Ry(R, + R4)]V|
và v„ = [(R| + R jV R JV ^. Do đó áp dụng nguyên lý chồng chất ta được:
R R ,+ R.
R| R3 + R4 R

1 R
v. = - + 1 V,
r' R,
+ 1
RĨ

Nếu thi: v „ = (V V,)

r] R, K,
Nếu các nguồn tín hiệu có điện trở thì các điện trở này được cộng thêm vào các điện
trở Rt và R|. Cần chú ý rằng nếu V| = 0 thì lố i vào đảo bằng thế đất do đó điện trở R| là tải
cùa nguồn tín hiệu V 2 , tải này là quá lớn đối với một nguồn tín hiệu là biến tử vật lý. V ì
vậy trước mỗi lố i vào cần thiết phải có bộ đệm trở kháng cao. Kết quả này được thực hiện
trên hình 12.19. Đó là một bộ khuếch đại thiết bị có điện trở kháng lố i vào rất cao và tỷ số
thoát mốt - chung được cải thiện rất nhiều, mặc dù ba bộ khuếch đại thuật toán đựợc sử

207
dụng, tuy nhiên giá thành cùa nó vẫn rất Ihấp \'ì cá ba đều được làm trên cùng một chip
trong cùng một vi mạch.

Hình 12.19. Bộ khuếch đại vi sai thiết bị đã được cải tiến.

'l'a có thể thấy rằng hệ số khuếch dại cíia hai bộ đệm A| và A 2 bằng 1, nếu V, = V 2 thì
sụt thế trên R bằng kliông do vậy không có dòng qua R và R „ vì vậy V ’ 2 = V 2 và V ’ | = V | và
hai bộ đệm hoạt động như các bộ khuếch đại đơn vị. Nhưng nếu Vị ^ V 2 thì có dòng qua R ’
và R do đó v \ - V ’ | > V 2 - V, do đó có hệ số khuếch đại vi sai và tỷ số thoát mốt - chung
của hệ thống hai tầng này đã được tăng cường hơn so với một tầng. Thế lố i ra tính được:
m
Y .= 1 +
R
Hệ sô' khuếch đại vi sai có thể được thay đổi bằng cách mắc thêm điện trở biến đổi
trong nhánh R.
Hình 12.20 là sơ đồ của bộ khuếch đại vi sai dùng hai khuếch đại thuật toán, có hệ số
khuếch đại có thể thay đổi trong một vùng rộng, từ 1 đến 1 0 0 0 theo công thức;

R
+30V

Hình 12.20. Bộ khuếch đại vi thiết bị có hệ sô khuếch đại th a y đổi từ 1 đến 1000.

208
 Khuếch đại vi sai cầu
Bộ khuếch đại vi sai thưòmg
được sử dụng để khuếch đại tín
hiệu từ lối ra của một cầu đo. Sơ đồ
của nó cho trên hình 12.21. Hoạt
động của sơ đồ này như sau; Biến
tử được mắc ở một trong 4 nhánh
của cầu. Điện trở của biến tử R +
AR thay đổi theo nhiệt độ hoặc
theo các thông số vật lý khác. Mục
tiêu của phép đo là phát hiện sự
thay đổi của giá trị của điện trở R:
AR
ô=
R
V ớ i sơ đồ này thì thế lố i ra tìm được
A s
V . = - ^ ___ - ___Í V - V )
4 1+Ô/2 ' -
Đối với những thay đổi nhỏ (ô « 1), thì

y „= -^ 6 (v ,-v ,)

Điều đó cho thấy, thế lố i ra tỷ lệ với hiệu thế ở hai đầu của cầu đo.
Hình 12.22 dưới đây cho thấy một cầu đo dùng để phát hiện ánh sáng vối biến tử nhậy
quang là một phô-tô tranzito TIL612 và bộ khuếch đại thuật toán TL080.

12.7. CÁC MẠCH VI PHÂN VÀ TÍCH PHÂN

Các mạch tích phân

Trong công thức (12.7), nếu ta chọn z = R là một điện trở thuần; còn Z' ; có
j(oC

27LKBD VI MACH A 209

nghĩa là Z' là một tụ điện, như trên sơ đồ hình 12.23, thì mạch điện này được gọi là mạch
líclì phân. K h i dó hệ sô khuếch dại của mạch tích phân này sẽ là:
y. 1
A„ =
V jcoCR

V,

Hình 12.23. Sơ đồ của m ạch tích phân M ille r

V ới giả thiết bộ khuếch đại thuật toán là lý tưởng, nên dòng điện lố i vào của nó bằng
không, do đó dòng điện qua điện trở R và qua tụ c bằng nhau. Từ đó thu được hệ thức:

R dt

Hay: V ( t ) = - ^ j Y , ( x ) d x + V..(0 )
KU
f» V 1N í . 1. Ị ^ ^ t
Rõ ràng là thế lố i ra bằng tích
phân của thế lố i vào. Đây là mạch
tích phân Miller. Trong nhiều ứng
dụng, các bộ tích phân rất hay
được sử dụng để phát hoặc để xử lý
các tín hiệu tưomg tự.
Nếu thế lố i vào không đổi;
nghĩa là v(t) = V, thì thế lố i ra sẽ là
xung răng cưa dạng:

v„u(t) = - — t

Như vậy, bộ tích phân làm một

mạch quét mành tuyệt vời cho đèn
hìnli ti vi. Vì thế, bộ lích phân này
Hình 12.24. S ơ đồ của m ạch tích phân
được gọi là tích phân M ille r hoặc
dùng khuếch đại th u ậ t to á n có đ iểu kiện ban đẩu.
mạch quét M iller. Trong thực tế, bộ
tích phân có sơ đồ cho trên hình
12.24.
Bộ tích phân trong thực tế được cung cấp thêm một mạch ngoài để đưa vào điều kiện
ban đầu. K h i chuyển mạch Sb ở v ị trí 1, thì lố i vào nối với đất, tụ c nối với nguồn không

210 27J.KBDV1MACHB
đổi E và tích điện đến thế ban đầu V = E. K hi chuyển mạch ở v ị trí 2, bộ khuếch đại được
nối với lối vào v(t) và tụ c cắt khỏi nguồn E; do đó, sơ đồ hoạt động như một bộ tích phân
với điều kiện ban đầu đã cho bằng điện thế ở trên đầu tụ v(0) = E. K h i đó thế lố i ra bằng
tích phân của thế lố i vào cộng với hằng số ban đầu.
Thông thường, người ta chọn R 2 = R| để giảm sai số do dòng phân cực gây ra.
Tụ c phải chọn loại có chất lượng tốt và có độ rò rất bé; thưòỉng dùng loại Teflon,
polystyrene hoặc điện m ôi M y le r với giá trị điện dung khoảng từ 0,001 đến lO^iF.
Mạch tích phân cân bằng
Mạch tích phân cân bằng hay còn gọi là giả tích phân có sơ đồ cho trên hình 12.25.
Trong sơ đồ này thêm vào điện trở phản hồi R| để đảm bảo tụ c phóng điện cố điều kiện
ban đầu bằng không. Sơ đồ này làm giẳin hệ số khuếch đại vòng kín và gây ra lệch pha tín
hiệu lối ra. Để đạt mục đích này thì R| phải có giá trị rất lớn so với R.
Rf

V;

Hinh 12.25. Sd đồ c ủ a ìn ạ c h tích phân cân bằng.

Chẳng hạn, xét mạch tích phân cân bằng với c = 10 nF và R = l,5 k Q . Hãy vẽ đáp ứng
tần số của mạch tích phân này với điện trở R| lấy 3 giá trị là lOOkQ; 300kQ và 500kQ.
Từ sơ đồ hình 12.25, ta tìm được đáp ứng tần số;
V,(jco) ^ _ 1/R C
V J jc o ) jco + l / R , C

Chương trình M A T L A B sau đây sẽ vẽ đáp ứng biên độ và đáp ứng pha của mạch tích
phân này
% Chương trình tính dáp ứng tần số
c= le -9 ;
r=1.5e3;
rl=[100e3 300e3 500e3];
n u m = [-l/(c *r)];
d e n l= Il l/ ( G * r l( l) ) ];
w=logspace(-2 ,6 );
h ] =freq s(num ,den 1 ,w );

211
 f= w /( 2 *pi);
den2 = [ l l/(c=*'rl( 2 ))]:
den3=[l l/( c * r l( 3 ) ) ];
h 2 =freqs(num,den 2 ,w);
h3=freqs(num,den3,w);
semilogx(f,abs(h 1 ),'b',f,abs(h 2 ),'r',f,abs(h 3 ),'m'); grid
title('Dap ung tan so cua mach tich phan can bang')
xlabelCTan so Hz')
ylabelCHe so khuech dai')
axis([1.0c-2,1.0e6,0,360]);
text(5.0e-2,75,’R f=100k’)
text(5.0e-2,205,'Rf=300k')
text(5.0e-2,335,'Rf=500k')
Kết quả chạy chương trình cho trên hình 12.26.

Dap ung tan so cua mach tich phan can bang

Hình 12.26. Đáp ứng tần s ố của mạch tích phân cân bằng tro n g hình 12.25
vớ i 3 giá trị khác nhau của điện trở kh ử điện tích dc Rf.

Bây giờ ta xét một v í dụ khác, cũng vẫn sơ đồ ấy nhưng chọn giá trị điện trở Rf = R.
V í dạ: Tính thế lố i ra của sơ đồ hình 12.25 khi thế lố i vào
V ị „ ( t ) = sin2000t với R = R| = Ik Q và tụ c = 1|^F.

212
Giải:
Phương trình KirchhoíY tại nủt - cho ta

R dt R,.
llia y số vào, ta tìm được

Vi„ + 10-’ - ^ + v,. = 0

dt

Hay l O - ^ - ^ + v , = -s in 2 0 0 0 t
dt
Nghiệm của phưcmg trình này tìm được dưới dạng:
v,.(t) = Asin(2000t+cp)
Thay vào phưcíng trình để tìm A và cp, ta được;
2Asin(2000t+(p) - Asin(2000t+(p) = A Vs sin(2000t+(p-26,57‘’)
= -sin2000t
Từ đó tìm được A = V 5 / 5 và 9 = 26,57"
Do đó thế lố i ra có dạng:
v „(t)= V 5/5sin(2000t+26,57")
Tích phàn cua một tổng
Hình 12.27 là mạch tích phân của tổng ba tín hiệu lố i vào.
Trong sơ đồ này ta có:

R| Rt R, dt

Từ đó suy ra; V (1) = - f { - ^ + - ^ + - ^ ) d t

‘ i R,c R ,c R,G
c

Hình 12.27. Sơ đồ mạch tích phân của một tổng ba tín hiệu lối vào.

213
 Mạch vi phân

Bây giờ, nếu chọn z = —— ; còn Z' = R; có nghĩa là ta thay vị trí của tụ điện cho điện
ja)C ■ ■
trở và điện trở cho tụ điện trong sơ đồ mạch tích phân M ille r 12.24, thì ta sẽ thu được mạch
vi phân như trên hình 12.28.

Hình 12.28. Sơ đổ của m ạch ví phân.

Đ ối với mạch điện vi phân thì hệ số khuếch đại vòng kín có dạng:
\/
^ - j(0RC
Vin
Và vì bộ khuếch đại là lý tưởng nên dòng qua tụ bằng dòng qua điện trở. Từ đó tìm
được:
dV.
L = C
dt

và; v.,(t) = - I rR = - RC
dt
Rõ ràng thế lố i ra là vi phân của thế lố i vào. Tích số RC được gọi là hằng số thời gian
của mạch tích phân và v i phân.
Như vậy, thế lố i ra tỷ lệ với đạo hàm theo thời gian của thế lố i vào. Nếu tín hiệu vào là
Vị„(t) = sincDt, thì thế lố i ra là v„(t) = -RCco coscot. Như vậy biên độ thế lố i ra tăng tuyến
tính đối với tần số. Do vậy mạch lấy đạo hàm có hệ số khuếch đại rất cao ở phía tần sô' cao.
Tính chất này được áp dụng trong các bộ khuếch đại thành phần tần sô' cao của tạp âm của
bộ khuếch đại. Trong trường hợp này, lố i ra tạp âm có thể bao phủ hoàn toàn tú i hiệu được
vi phân.
Bây giờ xét một số ví dụ tính thế lố i ra cũng như đáp ứng tần số của các bộ tích phân
và vi phân.
Ví dụ I: Hình 12.29 là sơ đồ của mạch điện thực tế.
Trong trường hợp này, hàm truyền có giá trị:
R^C.p
(r ,c ,p + i )(r ,C3p + i )

214
 Mạch điện này là một mạch lấy đạo hàm cho

đến tận tần sỏ góc Ü), = — — , và là mạch khuếch

R,c,

đại từ 0 )| đến ư>2 = và là mạch tích phân ở

ngoài 0 ),. Đê làm rõ nhận định này, ta xét giản đồ V,

Bode của m ội Irường hợp cụ thể sau đây.
Xét giản dồ Bode của mạch sơ đồ hình 12.29,
với các giá trị của C| = lOjaF ; C2 = InF; R| = l,5kQ Hình 12.29. Sơ đổ của mạch điện
và Rj = 300kQ. Đê’ vẽ đồ thị này, ta sử dụng chương thự c tế.
trliih M A T L A B sau:
% Vẽ giản đồ Bode cua mạch điện trong hình ¡2.29.
c l= i0 e - 6 ;
I i = 1.5e3;

c 2 = l0 c -1 0 ;
r2= 300e3;
n l= - l/ ( c 2 * r l) ; d l= ( l/ ( c 2 * r 2 ) ) + ( l/ ( c P r l) ) ;
n u m l= [O n l 0 ];d e n l= [l d l l/( c l* c 2 * r l* r 2 ) ) ]:
w=log.space(0,5,100);
h 1=freqs(nuiTi 1,den 1,w);
f=\v/(2’^'pi);
bode(num 1,den 1,w );grid
title('G ian do Bode cua mach dien trong hinh 12.29')
xlabei(Tan so')
Đ ồ thị của chương trình này cho trên hình 12.30.
Oian do Bode cua mach dien trong hinh 12.24

Tan so Crad/sec)
Hình 12.30. Giản đỗ Bode cúa mạch điện tro n g hình 12.29.

215
12.8. MẢY TÍNH ĐIỆN TỬ TƯƠNG Tự
Các bộ khuếch đại diio. bộ cộnc và bộ tích phân trình bày ỏ trên là những phần tử cơ
sở xây dựng nên m ội máy ¡inh lỉiệìì lửiiừỉiìỊỊ /í/dùng đê’ giải các phương Irình vi phân tuyến
lính. Trong tiết này, chúng ta sẽ xét \cm làm như thế nào để lập chương trình một phương
trình vi phân và lìm nghiệm ciia nó.
Giả sử ta thiết kế một máv tính diện tử để giái phương trình v i phân bậc hai sau:

í9 ^ /K ,^ + K ,x « )= ft)
d t' dl
Đây là một phương trình vi phân tuyên tính bậc hai với các hệ số K |, K 2 là những hằng
số, dạng lổng quát có vê' phái là một hàm số của thời gian đặc trưng cho ngoại lực tác động
vào hệ thống.
Để thiết kế m ộl mạch diện tử có khá nãng giải phương trình v i phân này, đầu tiên
chúng la viết phương trình vi phân dưới dạng

d t- dt

Cho đao hàm bậc hai — này dưới dạng một hàm thế nào đấy. Chẳng hạn cho
dt
d - x í l) _
= v (t)
di

Sau đó tích phân lần thứ nhâì hàm này để ihu đươc đao hàm bâc nhất . Thât vây
dt

f(t)-K ,-^ -K .x (t) dt

dt
Tích phân ở phía phải cùa biểu thức trên là tích phân của tổng ba số hạng. Tích phân
này được thực hiện nhờ bộ khuếch đại ihuật toán O A I như trên hình 12.31; trong đó giá trị
của các điện trở R|. R 2 , R, và C| đưực lựa chọn để thỏa mãn các hệ thức:

R,c, R,c, R,c,

Khi đồ lối ra của O A I sẽ là V|(t) = -dx(t)/dt. ’
Tiếp đến lấy tích phân V|(t) = -dx(t)/dt nhờ bộ khuếch đại thuật toán 0 A 2 . K h i đó lối
ra của 0 A 2 sẽ là tín hiệu x(t). Muốn vậy, giá trị của tụ Q và của R4 phải được chọn sao

cho — ỉ— = 1
R A

Khi đó thì v .( t) = ----- ^ ív ,(i)d t= f ^ i ^ d t = x (t)

R^C, dt
Cuối cùng là nối các lối vào của lích phân của tổng ba số hạng

dt
được thực hiện bởi O A 1 với f(t), - x(t) và - dx(i)/dt. L ố i vào - dx(t) /dt được lấy trực tiếp

216
lứ lòi I a cùa OA 1, như chi trên sơ đồ hình 12.27. Tín hiệu - x(t) được thực hiện nhờ bộ đáo
có hệ số khuếch đại đơn vị được thực hiện nhờ bộ khuếch đại thuật toán OA3. Còn thành
phần l'(t) được nối trực tiếp với nguồn thế có dạng tín hiệu f(t).
Các khóa S| và s, được đưa vào để thực hiện các điều kiện ban đầu hoặc đưa vào các
hằng số.
'1'oàn bộ quá trình ưên được thực hiện Irên sơ đồ điện tử hình 12.31.

Hình 12.31. Máy tính điện tử tư ơng tự.

Như vậy lối ra của sơ đồ chính là nghiệm thu được x(t) của phương trình v i phân. Nếu
muốn biếi cả dx(t)/dt, thì phải đưa tín hiệu v,(t) qua một bộ đảo như OA3. L ố i ra của bộ
dảo đó sẽ là đạo hàm bậc nhất của nghiệm của phương trình đang nghiên cứu.
Để quan sát nghiệm của phương trình và các đạo hàm bậc nhất của nó, có thể dùng
dao động ký với quét Triger hoặc các máy ghi (recorder); hay để phân tích định lượng với
sự thay đổi chậm, có thể dùng một vôn kế với trở kháng lố i vào cao.

12.9. THỰC HIỆN CÁC HÀM LOGARÍT VÀ E-MŨ

12.9.1. Khuếch đại lo g a rit tự nhiên

Như đã biết, dòng điện qua một điốt bán dẫn liên hệ vớ i hiệu điện thế ở hai đầu của
nó bởi hàm c-mữ. V ì vậy, người ta dựa vào đặc tính này để tạo ra các hàm logarit nhờ bộ
khuếch đại ihuật toán có sơ dồ cho trên hình 12.32a. Trong sơ đồ này, thê lố i vào V in
luôn luôn dương, để dòng lố i vào I|„ có dạng:

lin =Io(e -l)*Ioe

28.LKBD W MACH 217

 Do vậy thế lối ra tìm được:
kT í Vin ' kT,
Vou = - In = - — In f l i n i
q IR Io; q . ^0 y
ở nhiệt độ phòng, dòng 1,1 khoảng 10‘'A và kT/q khoảng 25mA.

Hinh 9.32a. Khuếch đại lo g a rit d ù n g đ iôt.

Từ công thức này ta thấy thế lố i ra tỷ lệ với logarit tự nhiên của thế lố i vào. Tuy
nhiên do I„ phụ thuộc vào nhiệt độ, nên thế lố i ra v „ „ cũng rất nhậy cảm đối với nhiệt độ
T. Ngòai ra, là thế lố i ra của bộ khuếch đại thuật toán, nên nó cũng còn phụ thuộc
vào thế và dòng offset của bộ khuếch đại thuật toán;
* Nếu offset đối với thế lố i vào Vị„, thì thế lổ i ra sẽ có dạng:
V: -____JV:i o _ Ị
_ in

R
ou

* Nếu offset đối với dòng lố i vào Ij„, thì thế lố i ra sẽ cỏ dạng:

+ V:lO

Trong đó Vị„ là thế offset lố i vào của bộ khuếch đại thuật toán và Ig là dòng lệch lố i
vào của nó.
Như vậy, bộ khuếch đại logarit dùng điốt rất nhậy cảm với nhiệt độ và do vậy ảnh hưởng
rất nhiều đến thế và dòng offset. V ì vậy thế lối ra bị sai lệch rất nhiều so với dạng hàm
logarit tự nhiên chính xác. Để khắc phục điều này cần phải bù nhiệt hoặc chọn điốt có đặc
trưng gần giống nhất với dạng hàm e-mũ. Để thực hiện điều này, người ta sử dụng chuyển
tiếp Bazơ-Colectơ của tranzito như trên sơ đồ 12.32b. Trong sơ đồ này dòng I^.có dạng:
sXm qVsE
Ir - 155(6
kT _

Trong đó, dòng bão hòa Is của chuyển tiếp B-E khoảng 10‘ “ ’A phân cực ngược và thế
V|3C gần bằng o v .
in
Dòng: Ic = I „ = -
R

218
 Từ dó ta tìm được:
lcT V:
v„„
ou = - V„,>0
q RIs

Hinh 12.32b. Khuếch dại lo g a rit dùn g tra n zito .

Đ ô i khi để bảo vệ tranzito trước những thăng dáng của lố i ra, người ta mắc song song
Iranzito với một đ iốt như trên hình 12.32c.

Hinh 12.32c. Khuếch đại lo g a rit được bảo vệ bỏỉ th ă n g dáng ỏ lố i ra.

12.9.2. Tạo
•
các hàm e-mũ
Bây giờ, nếu đổi vị trí của điện trở R cho điốt, ta sẽ thu được bộ tạo hàm e-mũ: Thế
lối ra tỷ lệ với e-mũ của thế lố i vào. Sơ đồ điện tử thực hiện bộ chuyển đổi này cho trên
hinh 1233.
Trong sư đồ này ta có:
4Vin
kT _ |
Ii n=Io

OLl
1. = - ' '
R
C |V
in q V ín

V = - RI R I qC ở đây: e » 1

219
 Rõ ràng là lố i ra tý lệ với c-mũ của thê lối vào.

I R
- - H 1------------

r—
V,
Ị) +
Vou

Hình 12.33. Khuếch đại hàm e-m ũ d ù n g đ iố t.

Tuy nhiên, từ công thức ta ihấy thế lố i ra rất nhậy cảm vớ i sự thay đổi của nhiệt độ.
V ì vậy cần phải chọn sơ dồ bù nhiệt độ cho cả dòng qua đ iố t lẫn thế và dòng offset của
bộ khuếch đại thuật toán. Sơ đồ hình 12.33b dùng chuyển tiếp CB của tranzito T mắc
song song với điốt D có dạng gần giống hcfn với hàm e-mũ của thế lố i vào.

I R

V,

Hình 12.33b. Khuếch dại hàm e-mũ d ù n g d iế t g h é p s o n g so n g

với chuyển tiếp BE của tra n z ito .

Trong sơ đồ này, thế ỊọỊ la có cjạng;

<<Vin
V„=RIse"
V ớ i Is là dòng bão hòa ngược của chuyển tiếp CB (khoảng 0 ,lp A ) và phụ thuộc
nhiệt độ.

12.10. NHÂN, CHIA VÀ NÂNG LŨY THỪA CÁC TÍN HIỆU ANALOG

12.10.1. Tổng quan

Trong tiế t này, chúng ta sẽ thực hiện các bộ nhân và chia hai tín hiệu thế dùng các
mạch khuếch đại logarits và hàm e-mũ. Hình 12.34 là sơ đồ kh ố i của bộ nhân hai tín hiệu
thế analog dùng hai mạch khuếch đại logarits và hàm e-mũ. Trong sơ đồ này, thế lố i ra
v „ tỷ lệ với tích của thế hai lối vào V|| và Vi2. Thật vậy:
Trong sơ đồ này, tín hiệu thế lôi ra của bộ khuếch đại logarits thứ nhất là v„| và thế
lối ra của bộ khuếch đại logarils thứ hai là v „2 có dạng;
V„', = - K ,ln K ,V , và v ,„ = - K ,ìn K ,Y a

220
 Do vậy thế lố i ra của bộ khuếch đại tổng với hiệ số khuếch đại đơn vị V(| sẽ là:
v„ -K ,ln K ,V „ -K ^ n K .V ,, = - K ,ln K ,^ V ,V ^3
Do vậy thế lố i ra của bộ khuếch đại e-mũ sẽ là:

= K 2 V „V ;
K 2 K 2

Như vậy tín hiệu lố i ra của sơ đồ trên tỷ lệ với tích tín hiệu thế hai lố i vào.
Vn
Khuếch đại
logarit V ị,

V02 Khuếch đại

Khuếch đai e-mũ Vọ'
logarit V|2

Bộ cộng không đảo

hệ s ố kĐ đơn vị

H ình 12.34. S ơ đồ k h ố i bộ nhân hai tín hỉệu th ế analog.

Sơ đồ kh ố i hình 12.35 là bộ chia hai tín hiệu analog. Trong sơ đồ này thì thế lố i ra V()
tỷ lệ với tỷ số của thế hai lố i vào V ịj và V ị 2 . Để tính tỷ số của hai tín hiệu; chẳng hạn tìm
lỷ số Vj|A^i 2 , ta chỉ việc đổi dấu tín hiệu Ịọi vào Vj 2 trước khi lấy tổng hai tín hiệu. K h i đó

tín hiệu thế lối ra tổng thế sẽ là: V,J = K 2

V:i2

H lnh 12.35. S ơ đồ k h ố i bộ chia hai ỉín hiệu th ế analog.

Sơ đồ kh ố i hình 12.36 là m ột bộ nâng lên lũy thừa bậc N tín hiệu thế analog ở lố i vào
Vj. Trong sơ đồ này thì thế lố i ra V(, tỷ lệ với lũy thừa bậc N của thế ỉối vào Vị.
\/• ì Vi0= In V i
Khuếch đai Khuếch đại
logarit V j e-mũ Vo'

Bộ nhân với hệ số N
Hình 12.36. S ơ đ ồ k h ố i bộ nân g lên lũ y thừa N của tín hiệu th ế analog lối và o V ).

29.LKBD VI MACH A 221

12.11. THỰC HIỆN CÁC BỘ NHÂN TÍN HIỆU ANALOG

12.11.1. Bộ nhân logarít

Từ khảo sát tổng quan. \ à chi liết ỏ tròn, la có thể thiết kế mạch điện điện tử để thực
hiện phép nhân hai tín hiệu như irên hình 12.37a sau đây.

V, R
C Z 1-
-[ZZỈ- R

‘D?

Vi.
. ------ c R
-CZ3-

Hình 12.37a. Nhãn analog dùng khuếch dại lo g a rít và e-m ũ v ớ i đ iố t.

Trong sơ dổ irên, dc)iig di qua các diốl lối vào phân cực thuận trong hai bộ khuếch
dại logarít được biểu thị dưới dạng:
V:i

DI

Trong đó Is là dòng bão hòa khi diốl phân cực ngược, còn thế V j là thế để điốt bắt
dầu mớ, bằng 0,7V đỏi vói diốt silíc và 0.6V đối với điốt gécmani. Ta có thể coi thế V-|
của hai tliố l là như Iihiiu.

'D I

Vn M
R
-C 3
R
R
V.

M »■

•------ CZ3— * - R

Hình 12.37b. Nhân analog dùng khuếch đại ỉogarít và e-mũ v ớ i đ iố t có đ ộ chính x á c cao.

222 29.LKBD VI MACH B

 Do dó Ihc lối vào phía sau điốt cúa bộ khuếch đại e-mũ tính được;
V:i2 V;i2
V. = V r ln ( ^ .L +1) + In( + 1) + 1)( + 1)
RIs RIs R I. RI

Do vậy, thế lố i ra của bộ khuếch đại e-mũ tính được là:

í ^
V'r 1
V (,= -R Is e ' -1 = - R ls e R's Kis _]

V J \ /
_ V II:,\
+ Vi2 )

Kết quá cho thấy thế lố i ra ngoài tích hai tín hiệu lố i vào còn xuất hiện số hạng tổng
của hai thế lối vào nữa; mặc dù giá trị này rất nhỏ so với số hạng đầu liên vì tích số Rls
có giá trị rất bé. Do đó số hạng (V ;i + V i 2 > có thể coi như là sai số. Ta có thể dễ dàng loại
bỏ sai số này bằng cách cộng lố i ra này với bộ tổng của V|| + V ị 2 như trên sơ đồ hình

12.37b. K h i đó thế lố i ra sẽ chính xác b ằ n g -----r —— ■

R ls

12.11.2. Bộ nhân khuếch đạí vi sai dùng tranzito MOS

Ta có thê thực hiện phép nhân hai tín hiệu với nhau nhờ đặc tính của tranzito MOS
trong mạch khuếch đại vi sai như Irong hình 12.38 sau đây.

V,

Hình 12.38. Nhân a n a lo g dùng khuếch đại v i sai v ớ i tra n z ito MOS.

ơ đây, ta đã sử dụng đặc trưng của tranzito trường MOS dưới dạng:
IDS = K 2 ( V q <5 - )V|3S - V 5 s « 2 K ( V q s - V p )V|3S

V ới V|, là thế cắt kênh.

Như vậy, đối với M OS M | thì dòng điện gịữa cực dẫn và cực gốc có dạng:
V:. ...........
^DSI = = - 2K( V( ; si -V p i)V [)s i
Kỉ

223
 Nhưng Vo.s, = V q và Vos, = v „ nên suy ra: V y = V p ,------ ^ — . Đ ối với MOS M j ta
2 K R ị V|^

cũng Ibu được; I ÜS2 = -2K(V(3S2 - V |>2 )Vds 2 ■Nhưng Vcs2 = Vc và Vds2 = v ,2 và Vp2 = Vp„
V |V -,
nên suy ra: Vqs 2 = ~
R)Vr

V ì vây thế lố i ra tính đươc:

R| V,-
Rõ ràng Ihế lố i ra tỷ lệ với tích của thế hai lố i vào.
Bộ nhân đùng tranzito MOS có sơ đồ đơn giản và dễ thực hiện hơn nhiều so với bộ
nhân logarit. Tuy nhiên, tín hiệu lố i ra của bộ nhân logarit có độ lớn lớn hơn nhiều và do
vậy nó được thực hiện với dải các tín hiệu lố i vào tương đối rộng.

224
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

1. Chin Lin Chen: Elements o f optoelectronics & fiber optics IR W W IN 1996.

2. Millman J. Microelectronics: digital analog circuits and systems 1990.
3. Susumu. K . Very High Speed MOS Devices. C LA R E N D O N PRESS O XFO R D 1990.
4. SZE S. M. Physics o f semiconductor Device JOHN W IL E Y & SONS N. Y 1989.
5. SYang E.. Fundamentals o f semiconductor Device Me - Graw H IL L 1978.
6. Bernard B. Les composants semiconducteur. Masson 1993.
7. R. BESON. Technologie des composants électroniques. Edition R A D IO 1995.
8. DEVOS F. Optoélectronique - composants de l ’électronique logique Vol. Les Editions de
Physiques 1990.
9. Mathiew H. Physique des semiconducteus et des composants électroniques. Edition
Mason 1987.
10. H. Krcssel and J. K. Butler, Semiconductor Lasers and heterojuntion LETs, Academic
Press, New York, 1997
IL Francois de Dieuleveult et Hervé Fanet Principes et practique de l'électronique
D U N O D 1999.
12. David Corner and Donald Corner Fundamentals o f Electronic C ircuit Design John
W iley & Son, Inc, 2003.
L^. Hcdcki Mutoh 3-D Optical and Electrical Simulation for CMOS Image Sensors, IEEE
Trans. Electron Devies, V ol.50,pp.l2-16, 2003.
14. B.L. Andersen, R.L. Anderson Fundamental o f semiconductor devices McGrau H ill
Higher Education, 2005.

225
 MỤC LỤC
Lời nói đầu ................. ......... .................................................. ............ ................................... 3
Phần !. CÁC LO ẠI LINH KIỆN RỜI
C h ư ơ n g 1. CÁC U N Ỉ Ỉ KIỆN TI lự DỘN(; VÀ N H Ử N d ĐẠI LƯỢNG ĐIỆN c ơ s ở
1 . 1 . C á c đ ạ i lư ợ n g điộn cơ s ớ ......................................... ............................. .....................................................5
1.2. D ò n g đ iệ n ......................................................................................................................................... . 7
1.3. Đ i ệ n t h ế h o ặ c Lhế................................................................................ ....................................................8
1.4. C ô n g s u ấ t ......................................... .......................................................... ................... ...............................9
l . õ . C á c l in h k iệ n cơ sỏ v à c á c c h ứ c n a n g c ủ a c h ú n g . ......................... ................. ................. , .. 1 0
C h ư ơ n g 2. M ỘT s ố TÍN H CAỈẮT CỦA V Ậ l' LIỆU BÁN DẪN
2.1. N ă n g lượng của điện tử trong đơn tinh th ể - v ù n g n á n g l ư ợ n g ............................... 18
2 .2 . X á c s u ấ t c h iế m mửc n ă n g lư ợ n g của đ iệ n t ử ......................................................... . ........ .. ..1 9
2 .3 . đ i ệ n t ử v à lỗ tr ô n g tr o n g bán d ẫ n r ò n g .................................................. ........................................ ........ ...............
2 .4 . N ồ n g độ h ạ t tải tr o n g bán dẫn r ồ n g ........... ........................... ............. .....................................21
2 .5 . B á n d ẫ n có tạp c h ấ t ................................................. .............................. ........................................... , .. 2 4
2 .6 . S ự p h a t ạ p b á n d ẫ n ............................................................................. ............•...... :................ ...........2 8
2 .7 . S ự c h u y ề n dời củ a cá c h ạ t tải tr o n g b á h d ẫ n ........................... ......... .................... , „ , „ , . . 3 0
C h ư ơ n g 3, ĐÍỐ T CHƯYỂN T1ẻ> P* N
3 .0 . S ự h ì n h t h à n h c h u y ể n li ế p p - n ............................................................................................................ .......................
3 .1 . C á c đ ặ c t í n h tổ n g q u á t ............................................... .......................................... ...............................3 5
3 .2 . C h u y ể n ti ế p P-~N ch ư a p h â n c ự c ............ ..................................................................... ........,____3 6
3 .3 . C h u y ể n t i ế p P - N bị p h â n c ự c ................... ....................................................................... . .. ...... .. .3 9
3 .4 . Đ i ệ n trơ đ ộ n g c ủ a đ i ô l ........... ...................... ................................................... ................... .. .. .. .. .. .. 4 2
3 .5 . Đ i ệ n d u n g c ủ a đ i ố t ........ ...............................................................................................................,,..- ,.4 3
3 .6 . Đ i ô t P - N tr o n g c h ế độ c h u y ể n m ạ c h ........... ............. ...................................................... . . . .. .. .. 4 6
3 .7 . C á c loạ i đ iô t đặc biệt......... ................................. ............................................................................. . - .. 4 9
C h ư ơ n g 4, CHƯYỂN TIẾP Ị)ị TINH T liỂ VÀ SĨÉU MẠNG
4 .1 . S ự t ạ o t h à n h c h u y ể n tiế p dị tin h t h ể ( H e t e r o - J u n c t i o n ) .................................. , . . 5 8
4 .2 . G i ả n dồ v ù n g Uílng lư ợ n g ỏ x a lớp c h u y ể n t i ế p .........................................................,,..>....58
4 .3 . G i ả n đồ n ă n g lư ợ n g ỏ lân cậ n v ù n g c h u y ể n t i ế p ...................... .........................
4 .4 . C h u y ể n t iế p dị tiìih th ổ bị p h â n c ự c ............................ ................ .......... .................... ............ 6 0
4 .5 . S i ê u m ạ n g ...................................................... ....................................... ......................................... .....6 1
4.6. Tiếp xúc kim loại ^ bán d ẫ n ...... .................. ................................. ............**.. ...63
4 .7 . Đ i ô t S c h o t t k y ................................ .................. .............................. ................................1*...... ...........6 4
C Ịfii^ơ n ể 5, TRANZ1T0 LƯỜNG c ự c . : : /
5 .1 . C ấ u t ạ o v à m ộ t s ố đ ịn h n g h ĩa c h u n g . . . . . . ...................................................,..........,..^ ,...6 7
5 .2 . H i ệ u ứ n g t r a n z i t ü ............ ................................................. .................... .................................................... ......... 6 8
5 .3 . C á c g ầ n đ ú n g th ự c n g h i ệ m . . . . ............... ............................ ........................... .............................. ...6 9
5.4. N g h i ê n cứ u d òng điện trong c h ế độ tĩnh, p h ư ơ n g tr ìn h E B E R S v à M O L L ........... ...7 3
5 .5 . M ô h ì n h gỢi ý bởi m á y t í n h ......... .................................................................................................................. ..............
5 .6 . T r a n z i t o tr o n g c h ế độ đ ộ n g ................................................................. ............................ .........* ..7 8
5 .7 . T r a n z i t o t r o n g c h ế độ c h u y ể n ì n ạ c h .... ......................................... ................................. ... ......8 1
5 .8 . C á c lo ạ i t r a n z it o dặc b i ệ t .................... .................................................................................................... ......... ..............
C h ư ơ n g 6. CÁC L lN ll KIỆN N iỉỉẾ lI (^HƯYỂN T\ẾV P-N
6 .1 . Đ i ố t P - n - P - N ................. ........................................................ :......... ...............................................— Sỗ
6 .2 . T h y r i s t o r ........................................................................................................................................................... ......... ..............
6 .3 . C á c l i n h k i ệ n c ù n g họ vói t h y r i s t o r ............................................. ............................................... 90
6 .4 . T r i a c (t r iô t c h u y ể n m ạch A - C ) .............................................................. .............................. ....^...91
6 .5 . T r a n z i t o m ộ t lốp c h u y ể n tiếp P - N ........ ....... ..........................................................................9 2
6 .6 . T h y r i s t o r G t o ...................... ............................... ................................................................. . . . . . . . . . . . . . 9 5

226
Chương?, ( ’Á(' LOẠI T KA N ' / r r O' I ’IÌƯOK(;
7.1. Mộ t s ố í ỉ ị n h n ^ hỉ a c h u n g .........................................................................................................98
7.2. T r a n /iU ) i n í ò n g -JKl-'/r................................... .....................................................................; ................ 9 8
7.3. Tríìír/tlo trưòiig ('ó r ứ a Sc h o M k y M e s f c L ..............................................................................105
7 .4 . T n u i / i t o t r ư ờ n g cỏ c ứ a cỏ l ộ p ( M O S ) ...........................................................................................1 0 6
7.5. N g h i é i i cừu đ ịn h lư ợ n g đặc* t r ư n g t ĩ n h c ủ a M O S .................. .............................................. 1 0 9
7.6. !3ặc tỉ*ưng (lộng c ủ a L ran zi'o M O S ...............................................................................................1 1 0
7.7. C á c loại tran/.ito M O S dặc biộr,................................................................................................. 112
Chương 8. cki^ LINỈÍ KIỆN QƯAKCỈ DÍỆN T Ứ
8.1. C á c dại lượng q u a n g ~ d ỉộ n tử b á n d ẫ n ....................................................................................1 1 6
8.2. C á c lin h k iộn pháL h iệ n l i a s ó n g ............................................................................ ...................1 2 0
8.3. C á c loại lin h k iệ n p h á t q u a n g .............................................................................................. ...,. 1 2 8
8.4. DuVt la s e r ........................................................................................................................................134
8.5. M á y p hát la s e r cho cử a sô tliứ n h ấ t (từ 0,8|.im đ ến 0 .9 f.im )......................................... 1 3 7
8.6. M á y p hát la s e r cho các c ứ a t h ứ 2 v à 3 vối bước s ó n g 1,3 v à l , 5 | i m ................ 1 3 9
8.7. Sợi q u a n g và n g u y ê n tắc tr ư y ổ n á n h s á n g trong sỢi q u a n g ............................................. 1 3 9
Phần II. CÁC LO Ạ I VI MẠCH
C h ư ơ n g 9. CÁC KMẢỈ NỈỆM VÀ s ự IMIÁT TR IE N
9.1. C á c n g u y ê n tắc cơ b ả n đ ể x ả y d ự n g m ộ t vi m ạ c h ............................................................... 1 4 3
9.2. S ự i í i n g trư ơ n g củ a m ứ c độ p h ử c t ạ p t r o n g các vi m ạ c h ...................................................14 4
9.3. S ự p h á t triển củ a c ô n g n g h ệ .............................................................................................................1 4 5
Chương lồ. CÁC L O Ạ i VI M Ạ (M i L Ư Ỡ N (; c ự c
10.1. T ạ o t r a n z il o N - P - N cơ s ơ ............................. ........................................... .....................................1 4 8
10.2. T h ự c h iộn c á c đ iôt t r o n g vi r n ạ c h ...............................................................................................1 54
1Ü.3. C h ế Lạo các loại d iệ n t r ỏ ..................................................................................................................1 5 6
10.4. Các vi mạch logic p L (Iiìtc g r a te .d in j e c t io n l o g i c ) ........................................................... 1 5 9
10.5. Các vi mạch logic T T L ( T r a n z i t o t r a n z it o l o g i c ) ............................................................... 1 6 0
]().(>. Các VI m ạch logic K C L ...................................................................................................................... 161
10.7. Các vi m ạch còng s u ấ t h o ặ c c a o t h ế ...................................... .................................................. 1 6 2
Chương I I. CÁC LOẠI VI iM Ạ ril MOS
11.1. T r a n s i t o M O S ............................................................. ...........................................................................1 6 3
11.2. C ô n g n g h ẹ C M O S và S O S ................................................................................................................1 6 5
11.3. CôiìịỊ h g liệ íỉliế I ịu) oấc lo ậ i VI t'nüoh G a A s .............................................................................1 6 7
1 1 4 . C ô n g n g h ẹ M E S F E T .......................................................................................................................... 1 6 8
11.5. C ô n g n g h ộ Bi- C M O S .......................................................................................................................... I V l
1 1.0. C á c vi m ạch c ô n g s u ấ t ...................................................................................................................... 1 7 4
11.7. C á c bộ nhố d ù n g h iộ ư ứ n g t r ư ờ n g .............................................................................................17 7
1 1.8. C á c bộ nhớ RO M (R e ad O n l y M e m o r y ) v à P r o m ............................................................... 183
1 1.9. C á c bộ nhớ ep ro m và e e p r o m ........................................................................................................ 1 8 4
1 l.l O . C ác lin h k iệ n tạo cặ p đ iệ n tí c h - C C D (C h a r g e c o u p le d Device),........................1 8 8
C h ư ơ n g 12, K fíU Ế C lỉ DẠI THUẬT TOÁN
1 2 .] . B ộ k h u ế c h đại t h u ậ t t o á n cơ s ỏ ...................................................................................................1 93
12.2. B ọ k h u ế c h dại vi s a i . . . ....................................................................................................................... 1 95
1 2.3. Đ o c á c th ô n g sô" c ủ a bộ k h u ế c h đ ạ i t h u ậ t t o á n ................................. ................................. 20 1
12.4. C á c ứ n g idụnạ cơ b ả n c ủ a k h u ế c h đ ạ i t h u ậ t t o á n ........... .................................................2 0 2
12.5. B ộ c h u y ể n đoi d ò n g t h à n h t h ế v à t h ế t h à n h d ò n g ...........................................................2 0 5
12 .6 . B ộ k h u ế c h đ ạ i vi sa i t h i ế t bị ( i n s t r u m e n t a t i o n ) ................................................................ 2 0 7
12.7. C á c m ạ c h vi p h â n và tíc h p h â n ..................................................................................................2 0 9
12.8. M á y tín h đ iệ n tử tư ơ n g t ự .....................................................................................................*...216
12.9. T h ự c h iệ n cá c h à m so" lo g a r i t v à e - m u .................................................................................... 2 1 7
1 2 .1 0 . N h â n , ch ia v à n â n g lu ỹ i h ừ a c á c tín h iệ u a n a l o g ......................................................... 2 2 0
1 2 .1 1 . T h ự c h iệ n các bộ n h â n tín h i ệ u a n a l o g . . . .......................................................................... 2 2 2

227