ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ

BÁO CÁO DỰ ÁN CUỐI KỲ

Môn: Cơ sở đo lường và điều khiển số
ELT3207 2

Sinh viên: Vũ Văn Định

MSSV: 18020308
Lớp: QH-2018-I/CQ-K2
(K63-K2)

HỘP TRỒNG CÂY TỰ ĐỘNG THÔNG MINH

Hà Nội - 2021
 MỤC LỤC

I – Tổng quan...........................................................................................................2
Giới thiệu................................................................................................................2
II – Vật liệu và chế tạo............................................................................................2
1. Tính chất vật liệu..............................................................................................2
2. Ứng dụng vật liệu.............................................................................................2
3. Cảm biến áp suất..............................................................................................2
4. Chế tạo.............................................................................................................3
4.1. Vật liệu và dụng cụ....................................................................................3
4.2. Chế tạo.......................................................................................................3
III – Thí nghiệm và khảo sát..................................................................................5
5. Bố trí thí nghiệm..............................................................................................5
6. Khảo sát............................................................................................................6
6.1. Hình thái vật liệu.......................................................................................6
6.2. Khảo sát.....................................................................................................8
IV – Kết luận..........................................................................................................20

1
 LỜI NÓI ĐẦU

Vườn thông minh là hệ thống đã và đang được triển khai rất nhiều trong thực tế nhằm
mục tiêu tự động hoá quy trình trồng và chăm sóc cây nông nghiệp.
Với mục tiêu tối giản hoá các dự án vườn trồng thông minh, hệ thống “Hộp trồng cây
tự động thông minh” được giới thiệu ở dự án này phục vụ cho 1 cây trồng cụ thể (phù
hợp với cây cảnh trong nhà) với khả năng điều chỉnh linh hoạt các thông số, đa dạng tính
năng nhưng chi phí rất rẻ (chỉ khoảng 200,000 VNĐ/hộp – mức giá nghiên cứu chế tạo,
sẽ giảm thiểu khi công nghiệp hoá).
Đây hứa hẹn là giải pháp hữu ích cho mọi gia đình, đặc biệt khi lối sống của chúng ta
đang ngày càng bận rộn hơn.

2
I – Cấu trúc sản phẩm
1. Linh kiện
Sản phẩm được chế tạo từ các linh kiện điện tử cơ bản sau:

STT Tên linh kiện Số lượng Giá thành

1 Máy bơm mini 12V 01 39,000
2 Servo SG90 01 24,250
3 Quạt tản nhiệt Sunon 12VDC 01 17,460
4 Module cảm biến ánh sáng 01 15,000
5 Module cảm biến độ ẩm đất 01 24,000
6 Cảm biến nhiệt độ - độ ẩm DHT11 01 29,000
7 Module relay 12V – 10A 03 39,000
8 Cảm biến chạm 01 8,500
9 Adapter 12V – 3A 01 48,000
10 Dây dẫn các loại 01 20,000
11 Arduino Nano 3.0 Atmega328P 01 102,000
12 Điện trở 05 2,000
13 Tụ điện 01 2,000
14 Title sensor 01 3,000
15 Buzzer 01 4,000
16 LED 22 10,000
17 Thùng carton 01 2,000

2. Kích thước, kiểu dáng

Thiết kế dạng hình hộp chữ nhật, kích thước 40x30x45cm, gồm 2 ngăn: ngăn
chứa hệ thống điều khiển và ngăn đặt chậu cây với tỉ lệ ngăn là 1:8. 

3
 Figure 1: Mặt trước

3. Đấu nối, kết dính

Hệ thống dây điện được đấu nối ngầm tối đa, đảm bảo thẩm mỹ cho mặt trước của
hộp. 
Linh kiện được gắn lên hộp bằng keo nến và băng dính.

Figure 2: Mặt sau

4
III – Hệ thống
4. Hệ thống đo lường
Hệ thống đo lường của hộp chủ yếu là tín hiệu từ các sensor, bao gồm cả tín hiệu
analog và digital.
+ Tín hiệu analog:
 Độ ẩm đất:

Figure 3: Solid Humidity Sensor

Cảm biến cắm trực tiếp xuống đất trồng cây, đo đạc và gửi tín hiệu về hệ
thống qua chân analog. Hỗ trợ điều chỉnh mức tín hiệu đo đạc thông qua
biến trở được tích hợp trực tiếp trên module.
Module sử dụng nguồn 5V (cấp qua chân VCC), GND và A0 (chân tín
hiệu).
5. Khảo sát

5.1. Hình thái vật liệu

Quét bằng kính hiển vi điện tử SEM (kính hiển vi quét bằng electron):
- Hình thái bề mặt của CNT nguyên chất, graphene nguyên chất và viên hỗn hợp
graphen+CNT được xem xét bằng cách quét sử dụng kính hiển vi điện tử
(SEM, model: JSM 5910, năng lượng: 30 kV, độ phóng đại (max): 300,000x,
độ phân giải (max) : 2.3 nm, nhà sản xuất:JEOL, Nhật Bản).

5
- Những bức ảnh SEM của CNT nguyên chất, graphene nguyên chất, và viên
hỗn hợp CNT+graphene trên được thể hiện trong Hình 7. Thanh đơn vị là 5
μm.
- Trên Hình 7(a), bề mặt hình thái của mẫu CNT tinh khiết thể hiện sự không
đồng đều. Các sợi CNT được liên kết một cách ngẫu nhiên trên bề mặt của
mẫu. Một số sợi CNT thẳng (mũi tên đỏ) một số thì cong (mũi tên trắng), và
hầu hết trong số đó uốn hình tròn (mũi tên xanh). Điều đó cho thấy trong tự
nhiên, ống nanocarbon có hình dạng rất linh hoạt. Nhờ đó, chúng rất phù hợp
cho công nghệ cảm biến.
- Hình 7(b) cho thấy bề mặt gồ ghề của mẫu graphene tinh khiết có độ xốp
(nhiều lỗ trống) và độ lệch cao hơn (mũi tên xanh lá cây) so với mẫu CNT tinh
khiết (Hình 7(a)). Độ xốp và độ lệch này gây ra điện trở cao hơn và do đó độ
dẫn điện nhỏ hơn so với mẫu dựa trên CNT tinh khiết. Hơn nữa, các hạt nano
graphene có xu hướng tăng mật độ khi áp suất tăng. Có thể thấy trong Hình
7(b) rằng hầu hết các hạt nano graphene được xếp song song với nhau, làm
tăng hiệu ứng điện dung (C) của mẫu. Hiệu ứng điện dung cao hơn dẫn đến trở
kháng (Z) nhỏ hơn của mẫu graphene. Do đó, trở kháng (Z) của mẫu graphene
thấp hơn hai mẫu còn lại.
- Có thể quan sát từ Hình 7(c) rằng CNT và graphene không được phân phối
đồng đều trong toàn bộ hỗn hợp. Nhiều liên kết giữa các CNT và các hạt
graphene có thể được nhìn thấy trong Hình 7(c). Kích thước của hạt nano
graphene có vẻ lớn hơn kích thước của hạt nano CNTs. Kích thước nhỏ hơn
của CNTs làm giảm độ xốp và sai lệch, làm cho mẫu hỗn hợp CNT-graphene
đồng đều hơn so với cảm biến dựa trên graphene tinh khiết (xem Phần 3.2).
5.1.1.

(a) (b)

6
 Graphen
CNT
e
s

Graphen
e

(c)

Hình 7: Ảnh SEMcủa (a) Mẫu CNT nguyên chất, (b) Mẫu graphene nguyên chất và
(c) Mẫu hỗn hợp CNT+graphene

5.2. Khảo sát

5.2.1. Quan hệ điện trở - áp suất:

- Quan hệ điện trở (R) và áp suất (P) (quan hệ R-P) với cảm biến áp suất dựa
trên CNT tinh khiết và cảm biến áp suất dựa trên graphene tinh khiết được mô
tả trong Hình 8.
- Có thể thấy trong Hình 8, khi áp suất bên ngoài tăng tuyến tính từ 0 kNm −2 lên
0,183 kNm−2, điện trở DC của cảm biến áp suất CNT tinh khiết (Hình 8(a)) và
graphene tinh khiết (Hình 8(b)) giảm tương ứng từ 1,5 kΩ xuống 0,3 kΩ và từ
65 kΩ xuống 24 kΩ. Điện trở DC giảm tương ứng 80% và 63,24% đối với mẫu
CNT và graphene tinh khiết.
- Độ dày của mẫu chế tạo là một yếu tố quan trọng ảnh hưởng đến thể hiện của
mẫu, ảnh hưởng đến điện trở suất và độ dẫn điện của hỗn hợp. Do đó, điều
quan trọng là chỉ ra sự phụ thuộc của độ dày mẫu vào áp suất bên ngoài. Yêu
cầu dùng áp suất nhỏ hơn và mẫu mỏng hơn. Ngay cả dưới áp suất bên ngoài
nhỏ hơn, mật độ chất mang điện tích tăng lớn khi tăng áp suất có thể lấp đầy
hoàn toàn trạng thái năng lượng cục bộ giữa các tương tác HOMO-LUMO có
thể dẫn đến độ dẫn điện lớn hơn và do đó điện trở của mẫu nhỏ hơn so với
con số ta cần.
- Áp suất đẳng hướng từ bên ngoài có thể được truyền đồng đều đến mọi nơi
với các mẫu mỏng hơn. Do đó, dưới cùng một áp lực bên ngoài, hiệu ứng này
làm tăng sự phối hợp trung bình các hạt, dẫn đến giảm điện trở của mẫu mỏng
so với mẫu dày hơn.

7
 Hình 8: Quan hệ điện trở - áp suất của cảm biến áp suất (a) CNT tinh khiết và
(b) graphene tinh khiết

Quan hệ R-P đối với cảm biến áp suất dựa trên hỗn hợp CNT-graphene được mô tả trong
Hình 9. Có thể thấy trong Hình 9, điện trở DC của cảm biến áp suất dựa trên hỗn hợp
CNT-graphene giảm 70,32% khi áp suất tăng từ 0 đến 0,183 kNm −2. Sự giảm điện trở
suất và hệ quả là tăng độ dẫn trong quan hệ R-P có lẽ là do việc nén ép đã làm đậm đặc
các sợi CNT và các hạt nano graphene dưới tác dụng của áp suất. Tỷ lệ phần trăm
giảm điện trở được tính theo phương trình sau:

R 0−R
%giảm điện trở = . 100
R0

Với Ro là điện trở ban đầu ở áp suất 0 kNm -2 và R là điện trở lớn nhất của mẫu (ở áp
suất 0.183 kNm-2)

Điện trở R của cảm biến tính theo công thức:

dρ d
R= =
A σA

Với d là độ dày viên hỗn hợp, A: tiết diện ngang của viên và ρ là điện trở suất (ρ = 1/σ,
σ là độ dẫn điện).

8
 Tổng sự thay đổi về điện trở của vật liệu do cả sự thay đổi của điện trở suất (∆ρ/ρε) và
hiệu ứng hình học (1 + 2v) có thể được mô tả bằng công thức sau:

∆R ∆ρ
=( 1+2 v ) +
R0 ε ρε

∆R ∆ρ
=( 1+2 v ) ε +
R0 ρ

Ở vật liệu nano, sự thay đổi điện trở suất đủ lớn lấn át so với các thay đổi thông số hình
học; do đó, yếu tố hình học thường không đáng kể và bị bỏ qua, ta coi chỉ có sự thay
đổi điện trở suất trong trường hợp này.

Hình 9: Quan hệ điện trở - áp suất của cảm biến làm từ hỗn hợp CNT+graphene

Cơ chế dẫn điện của cảm biến áp suất CNT tinh khiết, graphene tinh khiết và CNT-
graphene (2) có thể được hiểu là sự vận chuyển hạt mang điện giữa các vị trí phân
biệt đặc biệt. Theo đó, các điện tích nhảy ra khỏi trạng thái tĩnh từ nơi này sang nơi
khác gây ra hiện tượng dẫn điện. Cơ chế vận chuyển này có thể được mô tả bằng luật
thẩm thấu (percolation theory). Luật thẩm thấu được áp dụng rộng rãi trong các hệ
thống dị vòng (heterojunction systems) lớn, polyme dẫn điện và vật liệu tổng hợp từ vật

9
liệu nano vì cơ chế vận chuyển điện tích trong các vật liệu này dựa trên hiện tượng nhảy
điện tích (hopping phenomena).

Theo luật thẩm thấu, độ dẫn điện trung bình (σ) của CNT nguyên chất, graphene
nguyên chất và hỗn hợp CNT-graphene có thể được tính bằng cách sử dụng công thức
sau:

1
σ=
LZ

trong đó L là độ dài đặc trưng và phụ thuộc vào nồng độ khi ở trạng thái tĩnh và Z là
điện trở nằm trên đường giữa các vị trí có điện trở trung bình thấp hơn.
Khi áp suất một hướng bên ngoài tăng lên, các viên được nén giữa các lá Al (Hình 4-6).
Điều này gây ra sự giảm L và Z, do đó làm tăng độ dẫn điện và do đó làm giảm điện trở
của cảm biến. Điều này cũng có thể được giải thích là sự dẫn truyền điện tích trong các
vật liệu nano hỗn loạn bị giới hạn bởi các trạng thái bẫy (trap states) của hàng rào tiềm
ẩn (potential barrier) cao tồn tại dưới các trạng thái tĩnh. Hiệu ứng bẫy được giảm thiểu
bằng cách lấp đầy các vùng bẫy bằng cách tăng nồng độ hạt mang điện tích dưới tác
dụng nén gây ra sự tăng độ dẫn và do đó làm giảm điện trở của mẫu.

5.2.2. Độ nhạy

Sự thay đổi điện trở ảnh hưởng đến độ nhạy của mẫu. Tăng phần trăm điện trở
làm tăng độ nhạy của mẫu.

Độ nhạy (S) của tất cả các mẫu có thể được tính:

∆R
R
Độ nhạy ( S )= 0
∆P
Với ∆P là sự thay đổi áp suất ngoài đẳng hướng, R0 là điện trở lúc đầu (ở áp suất 0
kNm-2) và ∆R là sự thay đổi điện trở DC. Độ nhạy của CNT tinh khiết (Hình 8 (a)),
graphene tinh khiết (Hình 8 (b)) và mẫu hỗn hợp CNT-graphene (Hình 9) lần lượt là
4.37, 3.44 và 3.82 m2/ kN.

Độ nhạy và tỷ lệ giảm ở điện trở DC đối với cảm biến áp suất CNT, graphene tinh
khiết và CNT-graphene được mô tả trong Bảng 1. Có thể thấy trong Bảng 1 dưới cùng
áp suất bên ngoài, tỷ lệ giảm về điện trở (R) và độ nhạy (S) với cảm biến áp suất
graphene tinh khiết thấp hơn hai mẫu còn lại. Điều này có thể do hai yếu tố: độ
mạnh cấu trúc cao hơn và kích thước hạt lớn. Độ mạnh cấu trúc của graphene cao
hơn ống nano carbon .

10
 Dưới cùng một áp suất bên ngoài, độ mạnh cấu trúc cao hơn dẫn tới biến dạng nhỏ
hơn trong mẫu graphene tinh khiết so với hai mẫu còn lại. Điều này dẫn đến hiệu ứng
thấp hơn trên khoảng cách dải HOMO-LUMO (tương tác HOMO-LUMO) của vật
liệu, do đó, dẫn đến giảm điện trở của mẫu. Ngoài ra, kích thước hạt lớn dẫn đến tỷ lệ
diện tích xung quanh / thể tích thấp hơn, do đó, làm giảm độ phản ứng của vật liệu với
các kích thích bên ngoài. Hơn nữa, kích thước hạt lớn của vật liệu làm giảm tính
đồng nhất và tăng sự sai lệch, độ xốp và các khuyết điểm khác trong vật liệu.
Hầu hết các ống nano carbon có diện tích bề mặt nhỏ hơn (100-850 m 2/g) so với diện
tích bề mặt graphene (lên tới 2675 m2/g). Kích thước lớn của các ống nano graphene
dẫn đến độ sai lệch, độ xốp và các khuyết điểm khác lớn hơn so với ống nano carbon.
Áp suất bên ngoài có thể được hấp thụ bởi sự sai lệch, độ xốp và các khuyết điểm khác
trong bột nano graphene.
Do đó, độ nhạy và tỷ lệ phần trăm giảm điện trở của cảm biến áp suất graphene tinh
khiết thấp hơn mẫu CNT tinh khiết (Bảng 1). Với cảm biến áp suất hỗn hợp CNT-
graphene, có thể giả định rằng CNT làm cho hỗn hợp phản ứng nhanh hơn với các
kích thích bên ngoài (áp suất trong thí nghiệm này) bằng việc chúng có tính đồng nhất
cao hơn. Do đó, độ nhạy và tỷ lệ giảm điện trở của mẫu hỗn hợp CNT-graphene cao
hơn graphene nguyên chất nhưng nhỏ hơn mẫu CNT tinh khiết.
Sự kết hợp của CNT và graphene làm tăng tính đồng nhất và giảm sự sai lệch, độ
xốp và các khuyết điểm khác trong bột nano graphene, do đó, làm giảm điện trở và
dẫn đến làm tăng độ dẫn của vật liệu. Do đó, CNT có thể được coi là một chất độn
tuyệt vời để giảm điện trở suất và tăng cường độ dẫn của bột nano graphene.

5.2.3. Tương quan R-P

Tương quan quan hệ R-P với CNT tinh khiết, graphene tinh khiết và hỗn hợp CNT-
graphene được thể hiện trên Hình 10.

Đường cong đặc trưng của CNT tinh khiết, graphene tinh khiết và hỗn hợp của chúng
(Hình 10) khác nhau rất nhiều do cấu trúc khác nhau. Các cảm biến đều thể hiện sự giảm
đáng kể điện trở DC khi áp suất tăng từ 0 đến 0,183 kNm−2. Có thể quan sát từ Hình 10,
cảm biến áp suất CNT tinh khiết có độ dốc mạnh khi áp suất tăng từ 0 đến 0,069
kNm−2. Ở mức áp suất 0,069 kNm−2, cảm biến áp suất CNT tinh khiết đạt đến giới hạn

11
hoạt động (độ bão hòa) và gần như không còn đáp ứng đầu ra với các kích thích đầu vào
(áp suất) tăng vượt quá mức này. Đường cong quan hệ R-P (Hình 10) cho cảm biến áp
suất graphene tinh khiết tuyến tính hơn cảm biến dựa trên CNT tinh khiết. Cảm biến
áp suất hỗn hợp CNT-graphene cho độ dốc thoải hơn với áp suất đẳng hướng bên
ngoài so với hai cảm biến còn lại. Cảm biến áp suất hỗn hợp thể hiện đường cong gần
như tuyến tính (Hình 10) có thể được tuyến tính hóa bằng cách sử dụng các bộ khuếch
đại thuật toán phi tuyến cho các ứng dụng thực tế của cảm biến.

Hình 10
5.2.4. Quan hệ trở kháng – áp suất (quan hệ I – P)
Quan hệ I-P cho cảm biến CNT tinh khiết và cảm biến graphene tinh khiết ở 1 kHz được
hiển thị trong Hình 12.

12
 Hình 11: Tương quan R – P ngoài thực nghiệm

Có thể quan sát từ Hình 12, khi áp suất tăng từ 0 đến 0,183 kNm−2, trở kháng của CNT
tinh khiết (Hình 12 (a)) và của cảm biến áp suất graphene tinh khiết (Hình 12 (b)) giảm
lần lượt 72,85% và 48,33%. Trở kháng Z của mẫu tạo ra do điện trở và tụ điện ghép nối
song song. Sơ đồ mạch tương đương như trong Hình 13.
Sự dịch chuyển của các hạt mang điện diễn ra thông qua các hạt nano (điện trở) và
micropores (tụ điện). Có thể tính trở kháng (Z) của mạch RC tương đương bằng phương
trình sau:
1
Z=
¿¿ ¿
trong đó f: tần số, Y là độ dẫn, R và C tương ứng là điện trở và điện dung của
mẫu.

Mối quan hệ điện dung-áp suất cho thấy điện dung tăng lên khi áp suất tăng lên. Tuy
nhiên, trong thí nghiệm này, cả điện trở và trở kháng đều giảm khi tăng áp suất. Sự
thay đổi trở kháng xảy ra theo cùng một cách giống với sự thay đổi điện trở. Do đó, có
thể kết luận rằng trở kháng bị chi phối bởi hiệu ứng điện trở hơn hiệu ứng điện dung
tương ứng.
Mối quan hệ I-P cho cảm biến áp suất hỗn hợp CNT-graphene ở 1 kHz được hiển thị

13
trong Hình 14.

Trở kháng của mẫu hỗn hợp giảm 64,23% với sự gia tăng áp suất đẳng hướng bên ngoài
từ 0 đến 0.183 kNm−2.

Hình 12: Quan hệ I – P của cảm biến áp suất từ

(a) CNT tinh khiết, (b) graphene tinh khiết
Đối với tính toán độ nhạy, thay thế ∆R/R0 trong (5) bằng ∆Z/Z0 [39]:
∆Z
Z
độ nhạy ( S )= 0
∆P
Độ nhạy của mẫu CNT, graphene tinh khiết và CNT-graphene tương ứng là 3.98, 2.64 và
3.53 m2/kN. Trong cùng một phạm vi áp suất, giảm phần trăm trở kháng và độ nhạy
tương ứng cho các cảm biến áp suất CNT, graphene tinh khiết và CNT-graphene được thể
hiện trong Bảng 2. Có thể thấy trong Bảng 2 rằng độ nhạy và tỷ lệ giảm trở kháng của các
mẫu theo thứ tự sau: CNT tinh khiết > hỗn hợp CNT-graphene > graphene tinh khiết.

5.2.5. Tương quan I – P

Tương quan quan hệ I-P của ba mẫu được thể hiện trên Hình 15, trong đó các giá trị
được đo ở tần số 1 kHz ở nhiệt độ phòng.

14
 Hình 13: Sơ đồ mạch RC
Đặc điểm của các đường quan hệ I-P trên Hình 15 tương tự như các đường quan
hệ R-P (Hình 10). Có thể kết luận rằng trở kháng bị chi phối bởi hiệu ứng điện trở
hơn hiệu ứng điện dung tương ứng.

5.2.6. Thực nghiệm so với mô phỏng

Sự thay đổi trở kháng (Hình 14) xảy ra theo cách tương tự như sự thay đổi về điện trở
(Hình 9) của cảm biến. Do đó, đối với hỗn hợp CNT-graphene, R/R0 ở (7) có thể được
thay thế bằng Z/Z0 [44]:
Z
= A+ K 1 P+ K 2 P2 + K 3 P3 (11)
Z0
Các giá trị của A, K1, K2 và K3 được tính toán ở mức áp suất 0,183 kNm−2 lần lượt là
14.87078, 29.0523, −1097.2955 và 3564.15746 kN−2m2.

15
Hình 14: Quan hệ I – P của hỗn hợp CNT+graphene ở 1 kHz

Hình 15: Quan hệ I – P

16
Dữ liệu thực nghiệm (Hình 14) và kết quả mô phỏng (11) có sự ăn khớp tuyệt vời với
nhau như trong Hình 16.

Hình 16: Quan hệ I – P cho cảm biến hỗn hợp graphene+CNT thực nghiệm và mô
phỏng
Độ lệch tối đa của đồ thị I-P mô phỏng chỉ là 0,105%.

5.2.7. Điện trở với trở kháng

Phần trăm giảm trong trở kháng (Bảng 2) với CNT tinh khiết, graphene tinh khiết và
hỗn hợp CNT-graphene nhỏ hơn các giá trị tương ứng của tỷ lệ phần trăm giảm trong
điện trở (Bảng 1). Điều này là do điện trở bổ sung được cung cấp bởi điện kháng (2 πfc)
trong mẫu số của (9). Dưới cùng áp lực bên ngoài, tỷ lệ phần trăm giảm Z (Bảng 2) đối
với CNT nguyên chất, graphene nguyên chất và hỗn hợp CNT-graphene lần lượt là 8,9%,
24,57% và 8,66% so với tỷ lệ giảm tương ứng trong các điện trở (Bảng 1). Đối với mẫu
graphene, mức giảm Z cao hơn (24,57%) là do trở kháng Z của mẫu tỷ lệ nghịch với điện
dung của mẫu (9); có nghĩa là, giá trị Z giảm khi C tăng. Ngoài ra, diện tích tấm lớn gây

17
ra việc tích luỹ năng lượng nhiều hơn dẫn đến điện dung lớn hơn của tụ điện. Diện tích bề
mặt của các hạt nano graphene (2675 m2g-1) lớn hơn diện tích bề mặt của các ống nano
carbon (100 - 850 m2g-1) [37, 38]. Do đó, hiệu suất điện dung tổng thể của bột nano
graphene tốt hơn so với ống nano carbon (CNTs). Nói cách khác, điện dung của cảm biến
áp suất graphene lớn hơn điện dung của cảm biến áp suất CNT và hỗn hợp
CNT+graphene. Do đó, đối với mẫu graphene, điện dung cao hơn gây ra giá trị trở kháng
(Z) nhỏ hơn.

IV – Kết luận

Cảm biến áp suất CNT tinh khiết, graphene tinh khiết và hỗn hợp CNT-graphene (Ag
/ CNT / Ag, Ag / graphene / Ag, Ag / CNT-graphene / Ag) được chế tạo ở dạng viên.
Độ nhạy và tính áp điện của mẫu đã được nghiên cứu và so sánh. Sự giảm trở kháng và
điện trở DC đáp ứng sự gia tăng áp suất đã được quan sát với tất cả các mẫu. Khi áp
suất tăng từ 0 lên 0,183 kNm-2, tỷ lệ giảm điện trở DC của cảm biến áp suất CNT tinh
khiết, graphene tinh khiết và CNT-graphene lần lượt là 80%, 63,24% và 70,32%. Độ
nhạy dựa trên sự thay đổi điện trở đối với các mẫu hỗn hợp CNT, graphene tinh khiết
và CNT-graphene tương ứng là 4,37, 3,44 và 3,82 m2 / kN. Đối với cùng một dải áp
suất, tỷ lệ phần trăm giảm trở kháng đối với mẫu tinh khiết dựa trên CNT, graphene
tinh khiết và CNT-graphene lần lượt là 72,85%, 48,33% và 64,23%. Độ nhạy dựa trên
mức giảm trở kháng đối với các mẫu hỗn hợp CNT, graphene tinh khiết và CNT-
graphene tương ứng là 3,98, 2,64 và 3,53 m2 / kN. Những lý do cho việc giảm điện trở
và trở kháng của từng mẫu đã được khám phá. Các mối quan hệ kháng áp suất và áp
suất trở kháng mô phỏng cho cảm biến áp suất tổng hợp được so sánh với dữ liệu thực
nghiệm, cho thấy một thỏa thuận tuyệt vời với nhau. Đối với tất cả các mẫu, người ta
nhận ra rằng hoạt động của trở kháng bị chi phối nhiều hơn bởi hiệu ứng kháng của
cảm biến áp suất so với hiệu ứng điện dung tương ứng. Hơn nữa, lý thuyết percolation
đã được sử dụng để giải thích cơ chế dẫn của các cảm biến. Cơ chế dẫn điện và thay
đổi điện trở của cảm biến dưới tác dụng của áp suất cũng được thảo luận.

-- HẾT --
18