2.1.

Bốn điện tích dương 10nC đặt tại bốn góc hình vuông cạnh 8cm trong mặt
phặng 𝑧 = 0. Điện tích dương 10 nC thứ năm đặt tại vị trí có khoảng cách 8cm so
với các điện tích khác. Tính tổng lực tác động lên điện tích thứ năm với 𝜀 = 𝜀0 .(1)
2.5. Cho điện tích điểm 𝑄1 = 25𝑛𝐶 tại vị trí 𝑃1(4; −2; 7) và điện tích 𝑄2 = 60𝑛𝐶
tại vị trí 𝑃2 (−3; 4; −2)(1)

a. Nếu 𝜀 = 𝜀0 , tìm 𝐸⃗ tại 𝑃 (1 , 2, 3).

b. Tìm toạ độ điểm trên trục y để 𝐸𝑥 = 0
2.9. Một điện tích 100𝑛𝐶 tại vị trí 𝐴(−1,1,3) trong không gian.
a. Tìm quỹ đạo tất cả các điểm 𝑃 (𝑥, 𝑦, 𝑧) mà 𝐸𝑥 = 500 𝑉/𝑚..
b. Tìm 𝑦1 mà điểm 𝑃(−2, 𝑦1 , 3) nằm trên quỹ đạo đó.(4)
2.16. Một vùng trong hệ toạ độ cầu có giới hạn 4 ≤ 𝑟 ≤ 5, 0 < 𝜃 < 250 , 0.9𝜋 <
∅ < 1.1𝜋, chứa mật độ điện tích khối (1)
1
𝜌𝑣 = 10(𝑟 − 4)(𝑟 − 5)𝑠𝑖𝑛𝜃𝑠𝑖𝑛 ∅. Bên ngoài vùng 𝜌𝑣 = 0.Tìm điện tích phía
2
trong vùng.
2.22. Một mặt phẳng mang điện tích đồng nhất có mật độ điện tích 5𝑛𝐶/𝑚2 hiện
diện trong vùng 𝑥 = 0, −2 < 𝑦 < 2, toàn bộ trục z. Nếu 𝜀 = 𝜀0 , tìm (1)

a. 𝐸⃗ tại 𝑃𝐴 (3,0,0)

b. 𝐸⃗ tại 𝑃𝐵 (0,3,0)
2.26. Đường dây đồng nhất có mật độ điện tích 5𝑛𝐶/𝑚 tại 𝑦 = 0, 𝑧 = 2𝑚 trong
không gian tự do. Và −5𝑛𝐶/𝑚 tại vị trí 𝑦 = 0, 𝑧 = −2𝑚. Một mặt phẳng đồng
nhất có mật độ điện tích 0.3𝑛 𝐶 ⁄𝑚2tại vị trí 𝑦 = 0.2𝑚 và −0.3𝑛 𝐶 ⁄𝑚2 tại vị trí
𝑦 = −0.2𝑚. Tìm |𝐸⃗ | tại gối toạ độ(1)
2.32. Một điện tích điểm 12𝑛𝐶 đặt tại gốc toạ độ. Bốn dây dẫn mang điện tích đồng nhất
đặt tại mặt phẳng 𝑥 = 0 như sau: 80𝑛𝐶/𝑚 tại 𝑦 = −1 và −5𝑚, −50𝑛𝐶/𝑚 tại 𝑦 =
−2 𝑣à − 4𝑚.(1)
⃗ tại 𝑃(0, −3,2)
a. Tìm 𝐷
b. Tính Điện thông qua mặt phẳng 𝑦 = −3, và hướng của nó
c. Điện thông rời khỏi mặt phẳng hình cầu, với bán kính là 4m, tại điểm 𝐶(0, −3,0)
2.36. Cho hai đường dây đồng nhất mang điện tích mỗi đường dây có mật độ điện tích là
20𝑛𝐶/𝑚 đặt tại vị trí 𝑦 = 1 𝑣à 𝑧 = ±1𝑚. Tìm tổng điện thông rởi khởi mặt hình cần bán
kính 2m tại(1)
a. 𝐴(3,1,0)
b. 𝐵 (3,2,0)
2.40. cho 𝜌𝑆 = 8𝜇𝐶/𝑚2 trong vùng mà 𝑥 = 0 𝑣à − 4 < 𝑧 < 4𝑚, 𝑣à 𝜌𝑆 = 0 ở những nơi
khác. Tìm 𝐷⃗ tại 𝑃(𝑥, 0, 𝑧), mà 𝑥 > 0(1)

2.44. Nếu 𝜌𝑣 = 5𝑛𝐶/𝑚3 với 0 < 𝜌 < 1𝑚𝑚 và không có điện tích khác(1)
a. Tìm 𝐷𝜌 với 𝜌 < 1𝑚𝑚

b. Tìm 𝐷𝜌 với 𝜌 > 1𝑚𝑚

c. Mật độ điện tích đường la bao nhiêu 𝜌𝐿 tại 𝜌 = 0 sẽ cho kết quả giống cầu Ans:
⃗ = 𝑥𝑎𝑥 𝐶/𝑚2 .
2.50. Mặt cầu có bán kính 3mm có tâm tại 𝑃(4 ,1,5) trong không gian. 𝐷
𝜕𝐺𝑥 𝜕𝐺𝑦 𝜕𝐺𝑧
Sử dụng công thức 𝑄𝑏𝑎𝑜 𝑏ọ𝑐 𝑡𝑟𝑜𝑛𝑔 𝑚ặ𝑡 𝑘í𝑛 ∆𝑣 ≈̇ ( + + ) ∆𝑣 = Ψ để ước lượng
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
điện thông rời khỏi mặt hình cầu.(1)
2.54. Bên trong vỏ mặt trụ 3 < 𝜌 < 4𝑚, mật độ điện thông cho bởi 5(𝜌 −
3)3 𝑎𝜌 𝐶 ⁄𝑚2 (1)

2.32. Một điện tích điểm 12𝑛𝐶 đặt tại gốc toạ độ. Bốn dây dẫn mang điện tích đồng nhất
đặt tại mặt phẳng 𝑥 = 0 như sau: 80𝑛𝐶/𝑚 tại 𝑦 = −1 và −5𝑚, −50𝑛𝐶/𝑚 tại 𝑦 =
−2 𝑣à − 4𝑚.(1)
⃗ tại 𝑃(0, −3,2)
a. Tìm 𝐷
b. Tính Điện thông qua mặt phẳng 𝑦 = −3, và hướng của nó
c. Điện thông rời khỏi mặt phẳng hình cầu, với bán kính là 4m, tại điểm 𝐶(0, −3,0)
𝑄
⃗ =
Ans: sử dụng 𝐷 𝑎r do điện tích điểm tại P, tìm tọa đô của bốn điện tích đường lần
4𝜋𝑟2
lượt là A(0,-1, ?), B(0,-5, ?), C’(0,-2, ?), D(0,-4,?) (dấu chấm hỏi tôi đã lưu ý các em rồi
𝜌𝐿
⃗ do bốn điện tích đường gây ra theo công thức 𝐷
các em tự tìm nhé), tìm 𝐷 ⃗ = 2
⃗⃗⃗⃗⃗
𝐴𝑃
⃗⃗⃗⃗⃗ |
2𝜋|𝐴𝑃
⃗ = −61.1𝑎𝑦 +
(thay điểm A lần lượt B, C’ và D) sau đó tính tổng ta có kết quả: 𝐷
40.7𝑎𝑧 𝑝𝐶/𝑚2
 ⃗ . 𝑑𝑆 = 𝑄 = ∮ 𝐷
b) sử dụng công thức : ∮𝑆 𝐷 ⃗ . 𝑑𝑆 =
𝑆

∫𝑓𝑟𝑜𝑛𝑡 + ∫𝑏𝑎𝑐𝑘 + ∫𝑙𝑒𝑓𝑡 + ∫𝑟𝑖𝑔ℎ𝑡 + ∫𝑡𝑜𝑝 + ∫𝑏𝑜𝑡𝑡𝑜𝑚 ,

( Để tính giá trị mặt kín ta phải tính tích phân trên 6 mặt xem lai slide 81-85 chương
2), trong đó ∫𝑙𝑒𝑓𝑡 = ∫𝑟𝑖𝑔ℎ𝑡 = ∫𝑡𝑜𝑝 = ∫𝑏𝑜𝑡𝑡𝑜𝑚 = 0 (sinh viên phải tìm hiểu tại sao) vậy
Q
𝑄 = ∫𝑓𝑟𝑜𝑛𝑡 + ∫𝑏𝑎𝑐𝑘 = 2Ψ suy ra Ψ = = 6nC ( từ đây về sau ta không cần chứng
2
minh lại và chỉ cần nhớ ( điện thông đi qua một mặt phẳng trong tọa độ vuông góc
bằng một phần hai điện tích tại gốc tọa độ)

c) tính h tâm là 𝐶(0, −3,0) các điện tích đường có khoảng cách điến tâm là 𝑦 =
|−3 − (−1)|, 𝑦 = |−3 − (−5)|, 𝑦 = |−3 − (−2)|,𝑦 = |−3 − (−4)|, tương ứng.có y rồi
tính h sau đó áp dụng công thức tính tổng điện tích có trong mặt cầu bẳng công thức 𝑄 =
ℎ
∫−ℎ 𝜌𝐿 𝑑𝐿 trong đó cận lấy tích phân từ -h đến h, ( lấy tích phân với 4 điện tích đường
tương ứng trong bài) rồi công với điện tích điểm ta sẽ có kết quả như sau 𝑄 =
∑41 𝑄đườ𝑛𝑔 + 𝑄đ𝑖ể𝑚 = 𝑘ế𝑡 𝑞𝑢ả 9 𝑡ô𝑖 𝑐ℎư𝑎 𝑡í𝑛ℎ ( 𝑘ℎ𝑜ả𝑛𝑔 1100𝑛𝐶)

2.36. Cho hai đường dây đồng nhất mang điện tích mỗi đường dây có mật độ điện tích là
20𝑛𝐶/𝑚 đặt tại vị trí 𝑦 = 1 𝑣à 𝑧 = ±1𝑚. Tìm tổng điện thông rởi khởi mặt hình cần bán
kính 2m tại(1)
a. 𝐴(3,1,0)
b. 𝐵 (3,2,0)
Ans: a) làm tuong tự như câu 2.32c,
b) câu này làm tương tự nhung khoảng cách lúc này hơi khác và khoảng cách từ B tới
mỗi điện tích đường là √(1 − 2)2 + (±1 − 0)2
2.40. cho 𝜌𝑆 = 8𝜇𝐶/𝑚2 trong vùng mà 𝑥 = 0 𝑣à − 4 < 𝑧 < 4𝑚, 𝑣à 𝜌𝑆 = 0 ở những nơi
khác. Tìm 𝐷⃗ tại 𝑃(𝑥, 0, 𝑧), mà 𝑥 > 0(1)
′
⃗ = 𝜌𝑆 (𝑟−𝑟 )𝑑𝑧′
Ans: sử dụng công thức 𝑑𝐷 ′ |2
do z biến thiên trong khoảng −4 < 𝑧 < 4𝑚,
2𝜋|(𝑟−𝑟
′
với 𝑟 là vector hướng 0P, 𝑟 là vector hướng gốc tọa độ tới mỗi điện tích đường, 𝑟 =
𝑥𝑎𝑥 + 0𝑎𝑦 + 𝑧𝑎𝑧 , 𝑟 ′ = 𝑧′𝑎𝑧 sau đó thay vào 𝑑𝐷⃗ và lấy tích phân giá trị này với cận lấy
tích phân −4 < 𝑧′ < 4𝑚,ta sẽ có kết quả:
2.44. Nếu 𝜌𝑣 = 5𝑛𝐶/𝑚3 với 0 < 𝜌 < 1𝑚𝑚 và không có điện tích khác(1)
a. Tìm 𝐷𝜌 với 𝜌 < 1𝑚𝑚
b. Tìm 𝐷𝜌 với 𝜌 > 1𝑚𝑚

c. Mật độ điện tích đường la bao nhiêu 𝜌𝐿 tại 𝜌 = 0 sẽ cho kết quả giống cầu Ans: a)
Ans: a) - Xét 0 < 𝑟 < 1𝑚
𝐿 2𝜋 𝜌
𝑄 ∫𝑣 𝜌𝑣 𝑑𝑣 ∫0 ∫0 ∫0 𝜌𝑣 .𝜌𝑑𝜌𝑑∅𝑑𝑧
áp dụng 𝐷𝜌 = = = với dv trong slide chương 1dV =
2𝜋𝜌𝐿 2𝜋𝜌𝐿 2𝜋𝜌𝐿
𝑟 2 .sinθdr.dθd∅
𝐿 2𝜋 0.001
𝑄 ∫𝑣 𝜌𝑣 𝑑𝑣 ∫0 ∫0 ∫𝜌 𝜌𝑣 .𝜌𝑑𝜌𝑑∅𝑑𝑧
với 𝜌 > 1𝑚𝑚 𝐷𝜌 = = =
2𝜋𝜌𝐿 2𝜋𝜌𝐿 2𝜋𝜌𝐿

⃗ = 𝑥𝑎𝑥 𝐶/𝑚2 .
2.50. Mặt cầu có bán kính 3mm có tâm tại 𝑃(4 ,1,5) trong không gian. 𝐷
𝜕𝐺𝑥 𝜕𝐺𝑦 𝜕𝐺𝑧
Sử dụng công thức 𝑄𝑏𝑎𝑜 𝑏ọ𝑐 𝑡𝑟𝑜𝑛𝑔 𝑚ặ𝑡 𝑘í𝑛 ∆𝑣 ≈̇ ( + + ) ∆𝑣 = Ψ để ước lượng
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
điện thông rời khỏi mặt hình cầu.(1)
⃗ | = 1𝐶/𝑚3 ,𝑄 = 𝛻. 𝐷
Ans : tương tự 𝛻. 𝐷 ⃗ | . ∆𝑣 ( sinh viên tự tìm thể tích hình cầu là gì
𝑃 𝑃
⃗ | . ∆𝑣 = 113𝑛𝐶
sau đó thay vào) 𝑄 = 𝛻. 𝐷 𝑃

2.54. Bên trong vỏ mặt trụ 3 < 𝜌 < 4𝑚, mật độ điện thông cho bởi 5(𝜌 −
3)3 𝑎𝜌 𝐶 ⁄𝑚2 (1)
a. Mật độ điện tích khối là bao nhiêu tại 𝜌 = 4𝑚
b. Mật độ điện thông là bao nhiêu tại 𝜌 = 4𝑚
c. Điện thông rời khỏi bề mặt kín 3 < 𝜌 < 4𝑚, 0 < ∅ < 2𝜋, −2.5 < 𝑧 < 2.5
Tìm giá trị điện tích bên trong thể tích giớ hạn bởi 3 < 𝜌 < 4𝑚, 0 < ∅ < 2𝜋, −2.5 <
𝑧 < 2.5
⃗|
Ans: a) 𝜌𝑣 = 𝛻. 𝐷 =16,25𝐶/𝑚3 ; b) thay 𝜌 = 4𝑚 𝑣à𝑜 5(𝜌 − 3)3 𝑎𝜌 𝐶 ⁄𝑚2
𝜌=4𝑚

⃗ 𝑑𝑆 với 𝑑𝑆 = 𝑎𝜌 ρd∅dz ( tích phân bội 2 với cận lấy tích phân
c) sử dụng 𝛹 = ∫𝑆 𝐷
như trên vì 3 = 𝜌 không có điện tích nên 𝛹 = 0 vậy ta chỉ tính 𝛹 tại 𝜌 = 4𝑚 , 𝛹 =
200𝜋 𝐶
d) dựa vào phát biểu tông điện tích Q có trong mặt kín bằng thông điện thông qua bề
mặt suy ra Q=200𝜋 𝐶
2
⃗ =
2.59. Trong không gian giới hạn bởi thể tích 2 < 𝑥, 𝑦, 𝑧 < 3 𝐷 [𝑦𝑧𝑎𝑥 + 𝑥𝑧𝑎𝑦 −
𝑧2
2𝑥𝑦𝑎𝑧 ] 𝐶 ⁄𝑚2 (1)
a. Giá trị tích phân mặt của định lý divergence với thể tích xác định bởi 2 < 𝑥, 𝑦, 𝑧 < 3
b. Giá trị tích phân mặt tương ứng với mặt kín

⃗ 𝑑𝑣 = 3,47𝐶 ( tích phân bội ba với cân cho trong bài)

Ans: a ∫𝑣 𝛻. 𝐷

⃗ . 𝑑𝑆=3.47 C ( tích phân 6 mặt với cận giá trị trong bài )
b) ∮𝑆 𝐷