Cau Kien Dien Tu

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
ELECTRONIC DEVICES
Đỗ Mạnh Hà
KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG - PTIT
8/2009
Ha M. Do -PTIT Lecture 1 1
1/176
(ECE) Electrical and Computer Engineering Specialties

ELECTRONIC DEVICES Digital signal processing
Communications
Information theory
Information
Control theory
Engineering
Đỗ Mạnh Hà …
Algorithms
KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1 Architecture
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG - PTIT Complexity
Electronics Computer
Electrical Programming
Circuits Engineering /
Engineering Language
Optics Computer
Compilers
Power systems Science
Operating
8/2009 Electromagnetic Systems
Ha M. Do -PTIT Lecture 1 1 … …
Ha M. Do -PTIT Lecture 1 2
Giới thiệu môn học Cấu kiện điện tử

Mục đích môn học:
- Trang bị cho sinh viên những kiến thức về nguyên lý hoạt động, đặc tính,
tham số và lĩnh vực sử dụng của các loại cấu kiện (linh kiện) điện tử để làm
nền tảng cho các môn học chuyên ngành.
- Môn học khám phá các đặc tính bên trong của linh kiện bán dẫn, từ đó SV có
thể hiểu được mối quan hệ giữa cấu tạo hình học và các tham số của cấu kiện,
ngoài ra hiểu được các đặc tính về điện, sơ đồ tương đương, phân loại và ứng
dụng của chúng.
Cấu kiện điện tử?
Là các phần tử linh kiên rời rạc, mạch tích hợp (IC) … tạo nên mạch
điện tử, các hệ thống điện tử.
Gồm các nội dung chính sau:
+ Giới thiệu chung về cấu kiện điện tử.
+ Vật liệu điện tử
+ Cấu kiện thụ động: R, L, C, Biến áp
+ Điốt
+ Transistor lưỡng cực – BJT.
+ Transistor hiệu ứng trường – FET
+ Cấu kiện quang điện tử.
2/176
Ha M. Do -PTIT Lecture 1 3 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 4
Sơ đồ khối một hệ thống điện tử điển hình Hệ thống điện tử (1)
Sensor, detector, Mạch vào:

Đầu vào hoặc or transducer: Bộ lọc, khuếch
Nguồn tín hiệu: Tín hiệu dưới dạng đại, hạn biên…
điện, cơ, sóng âm dòng hoặc điện áp
Đầu ra: Màn hình,

kích hoạt thiết bị, Tính toán: ADC,
tín hiệu đưa tới ra quyết định, Xử lý tín hiệu số
hệ thống tiếp theo điều khiển
CD / DVD recoders and players Robotic control

Cell phones… Weather prediction systems…
Hệ thống điện tử (2) Hệ thống điện tử (3)
Images: amazon.com
3/176
Hệ thống điện tử (4) Hệ thống điện tử (5)
NOKIA 8260 (Mặt trước)
Hệ thống điện tử (6) Giới thiệu chung về Cấu kiện điện tử
NOKIA 8260 (Mặt sau) - Cấu kiện điện tử ứng dụng trong nhiều lĩnh vực. Nổi bật nhất là ứng
dụng trong lĩnh vực điện tử - viễn thông, CNTT.
- Cấu kiện điện tử rất phong phú, nhiều chủng loại đa dạng.
- Công nghệ chế tạo linh kiện điện tử phát triển mạnh mẽ, tạo ra những
vi mạch có mật độ rất lớn (Vi xử lý Intel COREi7 - khoảng hơn 1,3 tỉ
Transistor…)
- Xu thế các cấu kiện điện tử có mật độ tích hợp ngày càng cao, có tính
năng mạnh, tốc độ lớn…
4/176
Ứng dụng của cấu kiện điện tử Ứng dụng của cấu kiện điện tử
- Các linh kiện bán dẫn như diodes, transistors và mạch tích hợp (ICs) có
thể tìm thấy khắp nơi trong cuộc sống (Walkman, TV, ôtô, máy giặt,
máy điều hoà, máy tính,…). Chúng ta ngày càng phụ thuộc vào chúng
và những thiết bị này có chất lượng ngày càng cao với giá thành rẻ hơn.
- PCs minh hoạ rất rõ xu hướng này.
- Nhân tố chính đem lại sự phát triển thành công của nền công nghiệp
máy tính là việc thông qua các kỹ thuật và kỹ năng công nghiệp tiên
tiến người ta chế tạo được các Transistor với kích thước ngày càng nhỏ
→ giảm giá thành và công suất.
Chips…
Sand… Chips on Silicon wafers
Đặc điểm phát triển của mạch tích hợp (IC) Định luật MOORE
- Tỷ lệ giá thành/tính năng của IC giảm 25% –30% mỗi năm.

- Số chức năng, tốc độ, hiệu suất cho mỗi IC tăng:
- Kích thước wafer tăng
- Mật độ tích hợp tăng nhanh
- Thế hệ công nghệ IC:
+ SSI - Small-Scale Integration
+ MSI – Medium-Scale Integration
+ LSI- Large-Scale Integration
+ VLSI- Very-large-scale integration
+ SoC - System-on-a-Chip
+ 3D-IC - Three Dimensional Integrated Circuit
+ Nanoscale Devices, …
5/176
Ví dụ: Intel Processor Cấu trúc chương trình
Lecture 1- Introduction (Giới thiệu chung)

Silicon Process 1.5μ 1.0μ 0.8μ 0.6μ 0.35μ 0.25μ Lecture 2- Passive Components (Cấu kiện thụ động)
Technology
Lecture 3- Semiconductor Physics (Vật lý bán dẫn)
Intel386TM DX
Processor Lecture 4- P-N Junctions (Tiếp giáp P-N)
45nm Lecture 5- Diode (Điốt)
Intel486TM DX Lecture 6- BJT (Transistor lưỡng cực)
Processor Nowadays! Lecture 7- FET (Transistor hiệu ứng trường)
Lecture 8- OptoElectronic Devices
Pentium® Processor (Cấu kiện quang điện tử)
Lecture 9- Thyristor
Pentium® Pro &

Pentium® II Processors
Tài liệu học tập Yêu cầu môn học

- Tài liệu chính: - Sinh viên phải nắm được kiến thức cơ bản về vật lý bán dẫn, về tiếp
+ Lecture Notes (Electronic Devices – DoManhHa – PTIT – 8/2009) giáp PN, cấu tạo, nguyên lý, sơ đồ tương đương, tham số, phân cực,
- Tài liệu tham khảo:
chế độ xoay chiều, phân loại, một số ứng dụng của các loại cấu kiện
1. Electronic Devices and Circuit Theory, Ninth edition, Robert Boylestad,
Louis Nashelsky, Prentice - Hall International, Inc, 2006. điện tử được học.
2. MicroElectronics, an Intergrated Approach, Roger T. Home - University of - Sinh viên phải đọc trước các Lecture Notes trước khi lên lớp.
California at Berkeley, Charles G. Sodini – MIT , 1997
3. Giáo trình Cấu kiện điện tử và quang điện tử, Trần Thị Cầm, Học viện
- Sinh viên phải tích cực trả lời câu hỏi của giảng viên và tích cực đặt
CNBCVT, 2002 câu hỏi trên lớp hoặc qua email: caukien@gmail.com
4. Electronic Devices, Second edition, Thomas L.Floyd, Merill Publishing - Làm bài tập thường xuyên, nộp vở bài tập bất cứ khi nào Giảng viên
Company, 1988.
yêu cầu, hoặc qua email: caukien@gmail.com
5. Introductory Electronic Devices and Circuits, conventional Flow Version,
Robert T. Paynter, Prentice Hall, 1997. - Tự thực hành theo yêu cầu với các phần mềm EDA.
6. Electronic Principles, Albert Paul Malvino, Fifth edition. - Điểm môn học:
7. Linh kiện bán dẫn và vi mạch, Hồ văn Sung, NXB GD, 2005 Kiểm tra : - Câu hỏi ngắn
+ Chuyên cần + Bài tập : 10 %
8. MicroElectronic Circuits and Devices, Mark N. Horenstein, Boston University, - Bài tập
1996 + Kiểm tra giữa kỳ : 10 %
Thi kết thúc: -Câu hỏi ngắn và trắc nghiệm
9. Lecture Notes (MIT, Berkeley, Harvard, Manchester University…) + Thí nghiệm : 10 % - Bài tập
+ Thi kết thúc : 70 %
6/176
Giới thiệu các phần mềm EDA hỗ trợ môn học Yêu cầu kiến thức lý thuyết mạch cần biết
- Circuit Maker: Phân tích, mô phỏng cấu kiện tương tự và số dễ sử - Khái niệm về các phần tử mạch điện cơ bản: R, L, C; Nguồn dòng,
dụng nhất. nguồn áp không đổi; Nguồn dòng, nguồn áp có điều khiển…
- OrCAD (R 9.2): - Phương pháp cơ bản phân tích mạch điện:
- Multisim (R 7)-Electronic Workbench, Proteus … + m1 (method 1) : Các định luật Kirchhoff : KCL, KVL
- Tina Pro 7.0: Phân tích, mô phỏng cấu kiện tương tự và số trực quan + m2: Luật kết hợp (Composition Rules)
nhất, có các công cụ máy đo ảo nên tính thực tiễn rất cao.
+ m3: Phương pháp điện áp nút (Node Method)
- Mathcad (R 11): Làm bài tập: tính toán biểu thức, giải phương trình
+ m4: Xếp chồng (Superposition)
toán học, vẽ đồ thị...
(Sinh viên nên sử dụng Tina Pro 7.0 để thực hành, làm bài tập, phân + m5: Biến đổi tương đương Thevenin, Norton
tích, mô phỏng cấu kiện và mạch điện tử ở nhà) - Phương pháp phân tích mạch phi tuyến
+ Phương pháp phân tích: dựa vào m1, m2,m3
+ Phương pháp đồ thị
+ Phân tích gia số (Phương pháp tín hiệu nhỏ - small signal method)
- Mạng bốn cực: tham số hỗn hợp H
Lecture 1 – Giới thiệu chung 1.1 Khái niệm cơ bản
1.1 Khái niệm cơ bản + Điện tích và dòng điện

+ DC và AC
1.2 Phần tử mạch điện cơ bản
+ Tín hiệu điện áp và dòng điện
1.3 Phương pháp cơ bản phân tích mạch điện + Tín hiệu (Signal) và Hệ thống (System)
1.4 Phương pháp phân tích mạch phi tuyến + Tín hiệu Tương tự (Analog) và Số (Digital)
+ Tín hiệu điện áp và Tín hiệu dòng điện
1.5 Phân loại cấu kiện điện tử
1.6 Giới thiệu về vật liệu điện tử
7/176
Điện tích và dòng điện DC và AC
+ Mỗi điện tử mang điện tích: –1.602 x 10-19 C (Coulombs) DC (Direct current): Dòng một chiều
+ 1C = Điện tích của 6.242 x 1018 điện tử (electron) – Dòng điện có chiều không đổi theo thời gian.
+ Ký hiệu điện tích: Q. Đơn vị: coulomb (C) – Tránh hiểu nhầm: DC = không đổi,
Dòng điện (Current) – Ví dụ
– Là dòng dịch chuyển của các điện tích thông qua vật dẫn hoặc phần tử I=3A, i(t)=10 + 5 sin(100πt) (A)
mạch điện AC (Alternating Current): Dòng xoay chiều Thomas Edison
– Ký hiệu: I, i(t) (1847 – 1931)
– Dòng điện có chiều thay đổi theo thời gian
– Đơn vị: Ampere (A). 1A=1C/s – Tránh hiểu nhầm: AC = Biến thiên theo thời gian
– Mối quan hệ giữa dòng điện và điện tích – Ví dụ:
d
i (t ) = q(t ) i (t ) = 2 cos(2πt );
dt
t
i (t ) = 5 + 12 cos(200πt )
q (t ) = ∫ i (t )dt + q (t 0 ) Nikola Tesla
t0 (1856 – 1943)
Tín hiệu (Signal) và Hệ thống (System) Signal (Tín hiệu)
• Tín hiệu: là đại lượng vật lý mang thông tin vào và ra của hệ thống.
input output
• Ví dụ
Microphone Encoder Transmitter – Tiếng nói, âm nhạc, âm thanh …
– Dao động từ các hệ thống cơ học
– Chuỗi video và ảnh chụp
– Ảnh cộng hưởng từ (MRI), Ảnh x-ray
signals signals signals signals Channel – Sóng điện từ phát ra từ các hệ thống truyền thông
– Điện áp và dòng điện trong cấu kiện, mạch, hệ thống…
– Biểu đồ điện tâm đồ (ECG), Điện não đồ
– Emails, web pages ….
Speaker Decoder Receiver • Mỗi loại tín hiệu tương ứng với nguồn nào đó trong tự nhiên.
output input • Tín hiệu thường được biểu diễn bằng hàm số theo thời gian, tần số
hay khoảng cách
Ví dụ hệ thống điện thoại
8/176
Hệ thống (Systems) và mô hình Tín hiệu Tương tự (Analog) và Số (Digital)
• Mô hình (Model): Các hệ thống trong thực tế có thể mô tả bằng mô Tương tự (Analog)
hình thể hiện mối quan hệ giữa tín hiệu đầu vào và tín hiệu đầu ra của
hệ thống. Tín hiệu có giá trị biến đổi liên tục theo thời gian
• Một hệ thống có thể chứa nhiều hệ thống con. Hầu hết tín hiệu trong tự nhiên là tín hiệu tương tự
• Mô hình hệ thống có thể được biểu diễn bằng biểu thức toán học, bảng Digital
biểu, đồ thị, giải thuật … Tín hiệu có giá trị rời rạc theo thời gian
• Ví dụ hệ thống liên tục:
Tín hiệu lưu trong các hệ thống máy tính là tín hiệu số,
theo dạng nhị phân
x(t) x[n]
… …
t n
Analog Signal Digital Signal
t , x(t ) ∈ ℜ n, x[n] ∈ Ζ
Biểu diễn dạng tín hiệu liên tục và Rời rạc Tín hiệu điện áp và Tín hiệu dòng điện
Dòng điện (Current)

Biên độ liên tục Biên độ rời rạc
– Là dòng dịch chuyển của các điện tích thông qua vật dẫn hoặc
x(t) phần tử mạch điện
x(t) – Ký hiệu: I, i(t)
Thời gian
– Đơn vị: Ampere (A). 1A=1C/s
liên tục t
– Nguồn tạo tín hiệu dòng điện: Nguồn dòng
(Space) Local telephone, cassette-tape t
recording & playback,
phonograph, photograph telegraph Điện áp (Voltage)
x[n] x[n]
– Hiệu điện thế giữa giữa 2 điểm
– Năng lượng được truyền trong một đơn vị thời gian của điện tích
Thời gian dịch chuyển giữa 2 điểm.
rời rạc n n
– Ký hiệu: v(t), Vin; Uin; Vout; V1;U2….
(Space) Switched capacitor filter, speech CD, DVD, cellular phones, – Đơn vị: Volt (V)
storage chip, half-tone digital camera & camcorder,
photography digital television, inkjet printer – Nguồn tạo tín hiệu điện áp: Nguồn áp
9/176
1.2 Các phần tử mạch điện cơ bản Nguồn độc lập
+ Nguồn độc lập Nguồn áp

+ Nguồn có điều khiển Nguồn áp độc lập lý tưởng Nguồn áp độc lập không lý tưởng
Nguồn Pin
+ Phần tử thụ động
+ Ký hiệu các phần tử mạch điện trong sơ đồ mạch (Schematic) + RS
+ + +
V _ V; v(t) _ V; v(t)
_
Nguồn dòng
Nguồn dòng độc lập lý tưởng Nguồn dòng độc lập không lý tưởng
I, i(t) I, i(t) I, i(t) RS
Nguồn có điều khiển Phần tử thụ động

Nguồn áp
Nguồn áp có điều khiển lý tưởng Nguồn áp có điều khiển không lý tưởng
RS RS
+
_ U(I) +
_ U(U) +
_ U(I) +
_ U(U)
Nguồn dòng
Nguồn dòng có điều khiển lý tưởng Nguồn dòng có điều khiển không lý tưởng
I(I) I(U) I(I) RS I(U) RS
10/176
Ký hiệu của các phần tử cơ bản trong sơ đồ mạch (Schematic) 1.3 Phương pháp cơ bản phân tích mạch điện
+ m1 (method 1) : Các định luật Kirchhoff : KCL, KVL
+ m2: Luật kết hợp (Composition Rules)
+ m3: Phương pháp điện áp nút (Node Method)
~ = Dẫn điện tuyệt đối Điểm nối
Dây dẫn Không nối + m4: Xếp chồng (Superposition)
+ m5: Biến đổi tương đương Thevenin, Norton
R + +
V _ V I
Điện trở Nguồn Pin Nguồn áp Nguồn dòng
L
C
Điểm đầu cuối Điện cảm
Đất (GND) Tụ điện
m1: Các định luật Kirchhoff : KCL, KVL KCL - Kirchhoff’s Current Law
Mục tiêu: Tìm tất cả các thành phần dòng điện và điện áp trong mạch. Kirchhoff’s current law (KCL)
N
an= 1 Nếu in(t) đi vào nút
Các bước thự hiện: ∑ a i (t ) = 0
n =1
n n
an=-1 Nếu in(t) đi ra khỏi nút
1. Viết quan hệ V-I của tất cả các phần tử mạch điện
2. Viết KCL cho tất cả các nút –Tổng giá trị cường độ dòng điện đi vào và ra tại một nút bằng
không
3. Viết KVL cho tất cả các vòng
– Tổng giá trị cường độ dòng điện đi vào nút bằng Tổng giá trị
cương độ dòng điện đi ra khỏi nút.
Rút ra được hệ nhiều phương trình, nhiều ẩn => Giải hệ Nút
i1 i3 i1 i3
Chú ý: Trong quá trình viết các phương trình có thể rút gọn ngay để
giảm số phương trình số ẩn. i2
i2
i1 + i2 = i3 Gustav Kirchhoff
i1 + i2 − i3 = 0 (1824 – 1887)
11/176
Ví dụ sử dụng KCL KVL - Kirchhoff’s Voltage Law
Mạch nối tiếp iA Kirchhoff’s voltage law (KVL)

N1
A N
∑ b v (t ) = 0
bn= 1 Nếu vn(t) cùng chiều với vòng
N1 : i A = i B n n bn=-1 Nếu vn(t) ngược chiều với vòng
B iB n =1
N 2 : i B = iC
C – Tổng điện áp trong một vòng kín bằng không
N2 loop 3
iC
⇒ i A = i B = iC +1 _ _3 +
+ + +
Ví dụ 9_ loop 1 5_ loop 2 12
_
1A Ví dụ:
1A 3+ +4
3A
_
3A 2A 2A
4A Loop 1 : 1V + 5V + 3V − 9V = 0
i=? 2A
i = −2 A Loop 2 : − 3V + 12V − 4V − 5V = 0
Loop 3 : 1V − 3V + 12V − 4V + 3V − 9V = 0
Ví dụ sử dụng KVL Ví dụ phân tích mạch dùng m1
Xét về mặt năng lượng +

vA _
p a + pb + pc = 0 A
+
i B _v B
⇒ v a i + vb i − vc i = 0
⇒ v a + vb − v c = 0 C
+ v _
C
Mạch song song
− v a + vb = 0 ⇒ v a = vb
+ + +
A v A B v B C vC − vb + v c = 0 ⇒ vb = v c
_ _ _
⇒ v a = vb = v c
12/176
Mạch chia áp Mạch chia dòng
i (t )
+ i1 i2 iS
v1 (t ) R1 + +
_ iS v R1 R2 = iS v Req
_ _
vS (t ) +
_ +
R2 v2 (t ) v R2 1 RR
⇒ i1 = = iS Req = = 1 2
_ R1 R1 + R2 1 R1 + 1 R2 R1 + R2
vS (t ) v R1 R1 R2
Ohm' s Law : i (t ) = ⇒ i2 = = iS ⇒ v = i S Req = i S
R1 + R2 R2 R1 + R2 R1 + R2
R2
Ohm' s Law : v2 (t ) = i (t ) R2 = vs (t ) < vS (t ), ∀t
R1 + R2
m2: Luật kết hợp (Composition Rules) + m4: Xếp chồng (Superposition)
Ví dụ - Trong mạch tuyến tính (gồm các phần tử tuyến tính và nguồn độc lập
hoặc nguồn có điều khiển) có thể phân tích mạch theo nguyên lý xếp
chồng như sau:
+ Cho lần lượt mỗi nguồn tác động làm việc riêng rẽ, các nguồn khác
không làm việc phải theo nguyên tắc sau đây: Nguồn áp ngắn mạch, Nguồn
dòng hở mạch.
+ Tính tổng cộng các đáp ứng của mạch do tất cả các nguồn tác động riêng
rẽ gây ra.
13/176
+ m4: Xếp chồng (Superposition) + m4: Xếp chồng (Superposition)
e=?
+ m5: Biến đổi tương đương Thevenin, Norton + m5: Biến đổi tương đương Thevenin, Norton
Ví dụ: Biến đổi tương đương

Nguồn dòng ↔ Nguồn áp
RS
+
_ V I RS
V
I=
RS
RS
+
_ U(V) I(V) RS
VTH: Điện áp hở mạch
IN : Dòng điện ngắn mạch
RTH=RN=VTH/IN
U (V )
I (V ) =
14/176 RS
Ví dụ 1.4 Phương pháp phân tích mạch điện phi tuyến
- Tìm biểu thức tính i=? Mạch điện có phần tử phi tuyến (D)
i=?
a. Chỉ dùng phương pháp m1?
b. Chỉ dùng phương pháp m4? R
R1 R2 c. Chỉ dùng phương pháp m5?
R3 I3 d. Dùng kết hợp các phương pháp
_
+
_ V1 m1, m2, m4,m5 đã học để tìm
+ V2 lời giải ngắn gọn nhất?
- Phương pháp phân tích mạch phi
tuyến
+ Phương pháp phân tích: dựa vào
m1, m2, m3
+ Phương pháp đồ thị
+ Phân tích gia số (Phương pháp
tín hiệu nhỏ - small signal method)
Phương pháp phân tích Phương pháp đồ thị
- Áp dụng phương pháp m1, m2, - Giải hệ 2 phương trình (1) và (2) bằng phương pháp đồ thị
m3 cho các phần tử tuyến tính và R
phi tuyến, được hệ 2 phương
trình, 2 ẩn iD và vD
Đường tải
(Loadline)
- Giải hệ phương trình:

+ Dùng phương pháp thử sai
+ Dùng phương pháp số
=> Việc giải hệ phương trình phức tạp
15/176
Phân tích gia số (Phương pháp tín hiệu nhỏ - small signal method) (1) Phân tích gia số (Phương pháp tín hiệu nhỏ - small signal method)(2)
R Thực hiện theo các bước sau:

1. Xác định chế độ làm việc một chiều của mạch (ID, VD)
2. Xác định mô hình tín hiệu nhỏ của các phần tử phi tuyến tại điểm làm
việc một chiều đã tính.
3. Vẽ mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của toàn mạch và tính toán các
tham số tín hiệu nhỏ (id, vd)
4. Viết kết quả của tham số cần tính trong mạch
Cơ sở toán học của phương pháp phân tích gia số Cơ sở toán học của phương pháp phân tích gia số
- Từ quan hệ phi tuyến: - Viết lại biểu thức:
- Thay thế:
- Suy ra:
- Khai triển Taylor hàm f(vD) tại VD:
- Như vậy qua hệ giữa id và vd là tuyến tính.

- Áp dụng với ví dụ ở trên:
16/176
Ý nghĩa hình học Mô hình hình tương đương của phần tử phi tuyến
- Chế độ một chiều: R
- Mô hình tín hiệu nhỏ của phần tử phi tuyến:
- Sơ đồ mạch tương đương

tín hiệu nhỏ:
R
- Xấp xỉ A bằng đường thẳng B tiếp xúc với A tại điểm làm việc.
1.5 Phân loại cấu kiện điện tử Phân loại dựa trên đặc tính vật lý
- Linh kiện hoạt động trên nguyên lý điện từ và hiệu ứng bề mặt: điện
• Phân loại dựa trên đặc tính vật lý trở bán dẫn, DIOT, BJT, JFET, MOSFET, điện dung MOS… IC từ mật độ
• Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu thấp đến mật độ siêu cỡ lớn UVLSI
- Linh kiện hoạt động trên nguyên lý quang điện như: quang trở,
• Phân loại theo ứng dụng Photođiot, PIN, APD, CCD, họ linh kiện phát quang LED, LASER, họ lịnh
kiện chuyển hoá năng lượng quang điện như pin mặt trời, họ linh kiện
hiển thị, IC quang điện tử
- Linh kiện hoạt động dựa trên nguyên lý cảm biến như: Họ sensor
nhiệt, điện, từ, hoá học, họ sensor cơ, áp suất, quang bức xạ, sinh học
và các chủng loại IC thông minh trên cơ sở tổ hợp công nghệ IC truyền
thống và công nghệ chế tạo sensor.
- Linh kiện hoạt động dựa trên hiệu ứng lượng tử và hiệu ứng mới:
các linh kiện được chế tạo bằng công nghệ nano có cấu trúc siêu nhỏ
như : Bộ nhớ một điện tử, Transistor một điện tử, giếng và dây lượng tử,
linh kiện xuyên hầm một điện tử, cấu kiện dựa vào cấu trúc sinh học
phân tử …
17/176
Phân loại dựa trên loại tín hiệu làm việc Phân loại theo chức năng
Linh kiện thụ động: R,L,C…

Linh kiện tích cực: DIOT, BJT, JFET, MOSFET, IC, Thysistor, Linh
kiện thu quang, phát quang …
(+ Linh kiện tích cực (Active Devices): là linh kiên có khả năng điều
khiển điện áp, dòng điện và có thể tạo ra chức năng hoạt động chuyển
mạch trong mạch "Devices with smarts!" ;
+ Linh kiện thụ động (Passive Devices) là linh kiện không thể có tính
năng điều khiển dòng và điện áp, cũng như không thể tạo ra chức năng
khuếch đại công suất, điện áp, dòng diện trong mạch, không yêu cầu tín
hiệu khác điều khiển ngoài tín hiệu để thực hiện chức năng của nó
“Devices with no brains!“)
1.6 Giới thiệu về vật liệu điện tử 0. Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử
• Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử - Lý thuyết vật lý chất rắn

• Chất cách điện - Lý thuyết vật lý cơ học lượng tử
• Chất dẫn điện - Lý thuyết dải năng lượng của chất rắn
• Vật liệu từ - Lý thuyết vật lý bán dẫn
• Chất bán dẫn (Lecture 3)
18/176
a. Lý thuyết vật lý chất rắn b. Lý thuyết vật lý cơ học lượng tử
- Trong cấu trúc nguyên tử, điện tử chỉ có thể nằm trên các mức năng
lượng gián đoạn nhất định nào đó gọi là các mức năng lượng nguyên
tử.
- Nguyên lý Pauli: Mỗi điện tử phải nằm trên một mức năng lượng khác
nhau.
- Vật liệu để chế tạo phần lớn các linh kiện điện từ là loại vật liệu tinh thể rắn - Một mức năng lượng được đặc trưng bởi một bộ 4 số lượng tử:
- Cấu trúc đơn tinh thể: Trong tinh thể rắn nguyên tử được sắp xếp theo một + n – số lượng tử chính: 1,2,3,4….
trật tự nhất định, chỉ cần biết vị trí và một vài đặc tính của một số ít nguyên tử
+ l – số lượng tử quỹ đạo: 0, 1, 2, (n-1) {s, p,d,f,g,h…}
chúng ta có thể dự đoán vị trí và bản chất hóa học của tất cả các nguyên tử
trong mẫu. + ml– số lượng tử từ: 0,±1, ±2, ±3… ±l
- Tuy nhiên trong một số vật liệu có thể nhấn thấy rằng các sắp xếp chính xác + ms– số lượng tử spin: ±1/2
của các nguyên tử chỉ tồn tại chính xác tại cỡ vài nghìn nguyên tử. Những - n, l tăng thì mức năng lượng của nguyên tử tăng, e- được sắp xếp ở lớp,
miền có trật tự như vậy được ngăn cách bởi bờ biên và dọc theo bờ biên này phân lớp có năng lượng nhỏ trước.
không có trật tự - cấu trúc đa tinh thể
- Tính chất tuần hoàn của tinh thể có ảnh hưởng quyết định đến các tính chất
điện của vật liệu.
c. Sự hình thành vùng năng lượng (1) c. Sự hình thành vùng năng lượng (2)
- Để tạo thành vật liệu giả sử có N nguyên tử giống nhau ở xa vô tận tiến
lại gần liên kết với nhau:
+ Nếu các NT các xa nhau đến mức có thể coi chúng là hoàn toàn độc lập C 6 1s22s22p2
với nhau thì vị trí của các mức năng lượng của chúng là hoàn toàn Si 14 1s22s22p63s23p2
trùng nhau (tức là một mức trùng chập).
Ge 32 1s22s22p63s23p63d104s24p2
+ Khi các NT tiến lại gần nhau đến khoảng cách cỡ Ao, thì chúng bắt đầu
tương tác với nhau thì không thể coi chúng là độc lập nữa. Kết quả là Sn 50 1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p2
các mức năng lượng nguyên tử không còn trùng chập nữa mà tách ra
thành các mức năng lượng rời rạc khác nhau. Ví dụ mức 1s sẽ tạo thành
2.N mức năng lượng khác nhau.
- Nếu số lượng các NT rất lớn và gần nhau thì các mức năng lượng rời
rạc đó rất gần nhau và tạo thành một vùng năng lượng như liên tục
- Sự tách một mức năng lượng NT ra thành vùng năng lượng rộng hay (Si)
hẹp phụ thuộc vào sự tương tác giữa các điện tử thuộc các NT khác
nhau với nhau.
19/176
Minh họa sự hình thành vùng năng lượng (1) Minh họa sự hình thành vùng năng lượng (1)
Mức Số trạng Số trạng Số trạng Số trạng

- Các vùng năng lượng cho phép xen kẽ nhau, giữa chúng là vùng cấm
thái thái thái thái - Các điện tử trong chất rắn sẽ điền đầy vào các mức năng lượng trong
các vùng cho phép từ thấp đến cao.
- Có thể có : vùng điền đầy hoàn toàn (thường có năng lượng thấp), vùng
2p 6 12 12 6N trống hoàn toàn (thường có năng lượng cao), vùng điền đầy một phần.
- Xét trên lớp ngoài cùng:
+ Vùng năng lượng đã được điền đầy các điện tử gọi là“Vùng hóa trị”
2s 2 4 4 2N + Vùng năng lượng trống hoặc chưa điền đầy ngay trên vùng hóa trị gọi
là “Vùng dẫn”
+ Vùng không cho phép giữa Vùng hóa trị và Vùng dẫn là “Vùng cấm”
- Tùy theo sự phân bố của các vùng mà tinh thể rắn có tính chất điện
khác nhau: Chất cách điện – dẫn điện kém, Chất dẫn điện – dẫn điện
1s 2 4 4 2N tốt, Chất bán dẫn.
a. Một NT b. 2 NT không c. 2 NT d. N Nguyên tử

độc lập tương tác tương tác tương tác
Minh họa sự tạo thành những vùng năng lượng khi các nguyên tử thuộc phân nhóm chính
nhóm IV được đưa vào để tạo ra tinh thể Cấu trúc dải năng lượng của vật chất
E Dải E E
E
vùng 4N trạng thái dẫn
dẫn không có điện tử
Năng EC Điện tử EC Dải
lượng EG > 2 eV dẫn EV
EG < 2 eV
của các P 6N trạng thái có
trạng 2N điện tử EV
thái EV Lỗ trống EC EG = 0
Cấm S Dải
2N trạng thái có
2N điện tử hoá
vùng Dải trị
hoá trị 4N trạng thái có 4N hoá trị
điện tử
a- Chất cách điện; b - Chất bán dẫn; c- Chất dẫn điện

Các mức năng lượng của lớp trong cùng không bị ảnh hưởng bởi cấu trúc mạng + Độ dẫn điện của của vật chất cũng tăng theo nhiệt độ
tinh thể + Chất bán dẫn: Sự mất 1 điện tử trong dải hóa trị sẽ hình thành một lỗ trống
X1 X2 X3 X4 X
(Mức năng lượng bỏ trống trong dải hóa trị điền đầy, lỗ trống cũng dẫn điện như
các điện tử tự do)
+ Cấu trúc dải năng lượng của kim loại không có vùng cấm, điện tử hóa trị liê kết
yếu với hạt nhân, dưới tác dụng của điện trường ngoài các e này có thể dễ dàng di
20/176 chuyển lên các trạng thái cao hơn tạo thành các e tự do, nên kim loại dẫn điện tốt.
Các loại vật liệu điện tử 1. CHẤT CÁCH ĐIỆN (CHẤT ĐIỆN MÔI)
Các vật liệu sử dụng trong kỹ thuật điện, điện tử thường được phân chia
thành 4 loại: a. Định nghĩa
- Là chất dẫn điện kém, là các vật chất có điện trở suất cao vào khoảng 107
- Chất cách điện (chất điện môi). ÷ 1017Ωm ở nhiệt độ bình thường. Chất cách điện gồm phần lớn các vật
- Chất dẫn điện. liệu hữu cơ và một số vật liệu vô cơ.
- Vật liệu từ. - Đặc tính của vật liệu ảnh hưởng rất lớn đến chất lượng của linh kiện. Các
đặc tính gồm: trị số giới hạn độ bền về điện, nhiệt, cơ học, độ cách điện, sự
- Chất bán dẫn (Lecture 3). tổn hao điện môi… Các tính chất của chất điện môi lại phụ thuộc vào nhiệt
độ và độ ẩm môi trường.
b. Các tính chất của chất điện môi.
b.1 Độ thẩm thấu điện tương đối (hay còn gọi là hằng số điện môi)
b.2 Độ tổn hao điện môi (Pa)
b.3 Độ bền về điện của chất điện môi (Eđ.t.)
b.4 Nhiệt độ chịu đựng
b.5 Dòng điện trong chất điện môi (I)
b.6 Điện trở cách điện của chất điện môi
b.1 Hằng số điện môi tương đối b.2 Độ tổn hao điện môi (Pa)
- Hằng số điện môi tương đối của của 1 chất cách điện được xác định Độ tổn hao điện môi là công suất điện tổn hao để làm nóng chất điện
bằng tỷ số giữa điện dung của tụ điện có chất điện môi và điện dung môi khi đặt nó trong điện trường, được xác định thông qua dòng điện
rò.
của tụ điện có cùng kích thước nhưng là điện môi chân không Pa = U 2ωCtgδ
Cd Trong đó:
ε= (kh«ng thø nguyªn)
C0 U là điện áp đặt lên tụ điện (V)
C là điện dung của tụ điện dùng chất điện môi (F)
Trong đó: ω là tần số góc đo bằng rad/s
+ Cd là điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi; tgδ là góc tổn hao điện môi
+ C0 là điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi là chân không - Nếu tổn hao điện môi trong tụ điện cơ bản là do điện trở của các bản
hoặc không khí. cực, dẫn và tiếp giáp (ví dụ lớp bạc mỏng trong tụ mi ca và tụ gốm) thì
- Do đó ε biểu thị khả năng phân cực của chất điện môi. Chất điện môi tổn hao điện môi sẽ tăng tỉ lệ với bình phương của tần số:
dùng làm tụ điện cần có hằng số điện môi ε lớn, còn chất điện môi Pa = U2ω2C2R
dùng làm chất cách điện có ε nhỏ. - Do đó, trên thực tế các tụ điện làm việc ở tần số cao cần phải có điện
trở của các bản cực, dây dẫn và tiếp giáp nhỏ nên các chi tiết này
thường được tráng bạc để giảm điện trở của chúng
21/176
c.Độ bền về điện của chất điện môi (Eđ.t.) e.Dòng điện trong chất điện môi (I):
- Nếu ta đặt một chất điện môi vào trong một điện trường, khi ta tăng Khi đặt điện môi trong điện trường, trong điện môi diễn ra 2 hiện tượng cơ bản
cường độ điện trường lên quá một giá trị giới hạn thì chất điện môi đó là: Hiện tượng phân cực điện môi (trên bề mặt điện môi xuất hiện các điện
mất khả năng cách điện - ta gọi đó là hiện tượng đánh thủng chất điện tích trái dấu với điện tích trên bề mặt bản cực) và Hiện tượng dẫn điện của
môi. điện môi (trong điện môi xuất hiện sự chuyển dời của các điện tích tự do tạo
thành dòng điện có trị số nhỏ giữa các bản cực. Do đó có 2 thành phần dòng
- Cường độ điện trường tương ứng với điểm đánh thủng gọi là độ bền về điện như sau:
điện của chất điện môi đó (Eđ.t.). - Dòng điện chuyển dịch IC.M. (hay gọi là dòng điện cảm ứng): Quá trình
U ®.t chuyển dịch phân cực của các điện tích liên kết trong chất điện môi xảy ra cho
E ®.t = [KV / mm; KV / cm] đến khi đạt được trạng thái cân bằng sẽ tạo nên dòng điện phân cực hay còn
d
gọi là dòng điện chuyển dịch trong chất điện môi IC.M.
Trong đó: Uđ.t. - là điện áp đánh thủng chất điện môi
- Dòng điện rò Irò : được tạo ra do các điện tích tự do và điện tử phát xạ ra
d - độ dày của chất điện môi chuyển động dưới tác động của điện trường, tạo ra dòng điện chạy từ bản cực
- Hiện tượng đánh thủng chất điện môi có thể do nhiệt, do điện và do quá này sang bảng cực kia. Nếu dòng rò lớn sẽ làm mất tính chất cách điện của
trình điện hóa. chất điện môi.
+ Dòng điện tổng qua chất điện môi sẽ là:
I = IC.M. + Irò
+ Sau khi quá trình phân cực kết thúc thì qua chất điện môi chỉ còn dòng điện rò.
Phân loại và ứng dụng của chất điện môi. 2. CHẤT DẪN ĐIỆN
Phân loại: Chất điện môi thụ động và tích cực a. Định nghĩa
- Chất điện môi thụ động còn gọi là vật liệu cách điện và vật liệu tụ - Chất dẫn điện là vật liệu có độ dẫn điện cao. Trị số điện trở suất của nó
điện. Đây là các vật chất được dùng làm chất cách điện và làm chất nhỏ hơn so với các loại vật liệu khác. Điện trở suất của chất dẫn điện nằm
điện môi trong các tụ điện như mi ca, gốm, thuỷ tinh, pôlyme tuyến trong khoảng 10-8 ÷ 10-5 Ωm.
tính, cao su, sơn, giấy, bột tổng hợp, keo dính,... Đối với vật liệu dùng - Trong tự nhiên chất dẫn điện có thể là chất rắn – Kim loại, chất lỏng –
để cách điện thì cần có độ thẩm thấu điện ε nhỏ, còn vật liệu dùng làm Kim loại nóng chảy, dung dịch điện phân hoặc chất khí ở điện trường cao.
chất điện môi cho tụ điện cần có ε lớn. b. Các tính chất của chất dẫn điện
- Chất điện môi tích cực là các vật liệu có ε thể điều khiển được bằng: b.1 Điện trở suất:
+ Điện trường có gốm, thuỷ tinh,..
b.2 Hệ số nhiệt của điện trở suất (α):
+ Cơ học có chất áp điện như thạch anh
+ Ánh sáng có chất huỳnh quang… b.3 Hệ số dẫn nhiệt : λ
Loại điện môi này dùng trong các bộ tạo tín hiệu dao động, bộ b.4 Công thoát của điện tử trong kim loại:
lọc... b.5 Điện thế tiếp xúc:
22/176
2 CHẤT DẪN ĐIỆN 2 CHẤT DẪN ĐIỆN
b.1 Điện trở suất: b.4 Công thoát của điện tử trong kim loại:
- Điện trở của vật liệu trong một đơn vi thiết diện và chiều dài: - Công thoát của kim loại biểu thị năng lượng tối thiểu cần cung cấp cho
ρ = R
S
[ Ω .m ] , [ Ω .m m ] , [ μ Ω .m ] điện tử đang chuyển động nhanh nhất ở 00C để điện tử này có thể thoát
l
- Điện trở suất của chất dẫn điện nằm trong khoảng từ: ρ = 0,016 μΩ.m ra khỏi bề mặt kim loại. EW = EB - EF
(của bạc Ag) đến ρ= 10 μΩ.m (của hợp kim sắt - crôm - nhôm) Trong đó EB: năng lượng cần để điện tử thoát ra khỏi bề mặt kim loại
b.2 Hệ số nhiệt của điện trở suất (α): EF: động năng của điện tử.
- Hệ số nhiệt của điện trở suất biểu thị sự thay đổi của điện trở suất khi b.5 Điện thế tiếp xúc
nhiệt độ thay đổi 10C. - Sự chênh lệch thế năng EAB giữa điểm A và B được tính theo công
- Khi nhiệt độ tăng thì điện trở suất cũng tăng lên theo quy luật: thức:
A B
ρ t = ρ0 (1 + αt) VAB= EAB = EW2 - EW1
b.3 Hệ số dẫn nhiệt : λ [w/ (m.K)].
- Hệ số dẫn nhiệt là lượng nhiệt truyền qua một đơn vị diện tích trong 1 2
một đơn vị thời gian khi gradien nhiệt độ bằng đơn vị.
ΔT
Q=λ St C
Δl
Phân loại và ứng dụng của chất dẫn điện 3. VẬT LIỆU TỪ (Magnetic material)
Phân loại: 2 loại a. Định nghĩa.

- Chất dẫn điện có điện trở suất thấp – Ag, Cu, Al, Sn, Pb… và một số - Vật liệu từ là vật liệu khi đặt vào trong một từ trường thì nó bị nhiễm từ
hợp kim – Thường dùng làm vật liệu dẫn điện. (bị từ hóa). Ví dụ: Thỏi sắt đặt cạnh nam châm, thỏi sắt sẽ bị nam châm
- Chất dẫn điện có điện trở suất cao như Hợp kim Manganin, Constantan, hút, nghĩa là nó bị từ hóa và trở thành nam châm…
Niken-Crôm, Cacbon – thường dùng để chế tạo các dụng cụ đo điện, b. Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ
các điện trở, biến trở, các dây may so, các thiết bị nung nóng bằng điện. b.1 Từ trở và từ thẩm
b.2 Độ từ thẩm tương đối (μr)
b.3 Đường cong từ hóa
23/176
Nguồn gốc của từ trường Tính chất từ hóa
- Nguồn gốc của từ trường: dòng điện là nguồn gốc của từ trường hay - Vật liệu từ đặt trong từ trường nó bị từ hóa. Khi đó chúng trở nên có từ
nói một cách bản chất, chuyển động của các điện tích là nguồn gốc của tính và sinh ra một từ trường phụ (từ trường riêng B’), do đó từ trường
từ trường. Mỗi điện tích chuyển động sinh ra một từ trường, hay một tổng hợp B trong chất bị từ hóa như sau:
lưỡng cực từ (tạo thành một mômen từ, xem hình vẽ). Mômen từ của
một nguyên tử sinh ra có thể do 2 nguyên nhân: B = B0 + B'
+ Chuyển động quỹ đạo của các điện tử (mômen quỹ đạo L) Trong đó: B0: Vectơ cảm ứng từ của từ trường ban đầu (từ trường
+ Chuyển động tự quay của các điện tử (mômen spin S). Spin là một đặc ngoài đặt vào).
trưng của một hạt cơ bản. - Tùy theo tính chất và mức độ từ hóa, phân biệt ba loại tính chất của vật
- Mô men từ m=i.S, chiều của m xác định theo quy tắc vặn nút chai và liệu như sau:
hướng vuông góc với diện tích S. - Nghịch từ: B’ ngược chiều với B0
- Thuận từ: B’ cùng chiều với B0
- Sắt từ: B’ cùng chiều với B0 và lớn hơn B0 ban đầu nhiều lần
Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ Đường cong từ hóa
B0 = μ 0 H - Đường cong từ hóa (hay đầy đủ là đường cong từ hóa ban đầu) là đồ
- Trong đó H: cường độ từ trường ngoài.
thị mô tả quá trình từ hóa vật từ từ trạng thái ban đầu chưa nhiễm từ
(trạng thái khử từ), mà thể hiện trên đồ thị là sự thay đổi của tính chất
Độ từ thẩm tương đối µ: từ (thông qua giá trị của từ độ, cảm ứng từ...) theo giá trị của từ trường
B = μB0 = μ .μ 0 .H ngoài. Ở phạm vi cấu trúc vi mô, quá trình từ hóa chính là sự thay đổi
về cấu trúc từ thông qua các cơ chế khác nhau.
- Trong đó µ: Độ từ thẩm tương đối của vật liệu
Từ trở:
- Từ điện trở, hay còn gọi tắt là từ trở, là tính chất của một số vật liệu, có thể thay
đổi điện trở suất dưới tác dụng của từ trường ngoài ..
- Người ta thường dùng khái niệm tỉ số từ trở để nói lên độ lớn của hiệu ứng từ
điện trở, cho bởi công thức:
Trong đó: ρ(H),ρ(0),R(H),R(0) lần lượt là điện trở suất và điện trở tại từ trường
H và từ trường H = 0.
24/176
Phân loại và ứng dụng của vật liệu từ Tổng kết
- Vật liệu từ mềm có độ từ thẩm cao và lực kháng từ nhỏ (Hc nhỏ và μ
lớn). để làm lõi biến áp, nam châm điện, lõi cuộn cảm… các loại sắt từ
mềm thường gặp: Sắt thỏi chứa một lượng nhỏ tạp chất C, Mn, Si,…
- Vật liệu từ cứng có độ từ thẩm nhỏ và lực kháng từ cao (Hc lớn và μ
nhỏ).
+ Phân chia theo ứng dụng chia vật liệu từ cứng thành 2 loại:
Vật liệu để chế tạo nam châm vĩnh cửu.
Vật liệu từ để ghi âm, ghi hình, giữ âm thanh, v.v..
+ Phân chia theo công nghệ chế tạo, chia vật liệu từ cứng thành:
- Hợp kim thép được tôi thành Martenxit là vật liệu đơn giản và rẻ nhất để chế
tạo nam châm vĩnh cửu.
- Hợp kim lá từ cứng.
- Nam châm từ bột.
- Ferit từ cứng: Ferit Bari (BaO.6Fe2O3) để chế tạo nam châm dùng ở tần số
cao.
- Băng, sợi kim loại và không kim loại dùng để ghi âm thanh.
25/176
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Lecture 2- Passive Components (Cấu kiện thụ động)
ELECTRONIC DEVICES
1. Điện trở (Resistor)
2. Tụ điện (Capacitor)
3. Cuộn cảm (Inductor)
Lecture 2- Passive Components (Cấu kiện thụ động) 4. Biến áp (Transformer )
Đỗ Mạnh Hà
8/2009
Ha M. Do - PTIT Lecture 2 1 Ha M. Do - PTIT Lecture 2 2
1. Điện trở (Resistors) Một số hình ảnh điện trở trong mạch
Incandescent Light Bulb

1.1. Định nghĩa
1.2. Các tham số kỹ thuật đặc trưng của điện trở
1.3. Ký hiệu của điện trở
1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở
1.5. Điện trở cao tần và mạch tương đương
1.6. Phân loại
26/176 Resistive Touch-screen Power Amplifier

1.1 Định nghĩa Định luật Ohm
- Điện trở là phần tử có chức năng ngăn cản dòng điện trong mạch
- Mức độ ngăn cản dòng điện được đặc trưng bởi trị số điện trở R: Định luật Ohm v(t ) = i (t ) R
R=U/I
- Đơn vị đo: μΩ, mΩ, Ω, kΩ, MΩ, GΩ, TΩ
i (t ) R v(t)
- Điện trở có rất nhiều ứng dụng như: định thiên cho các cấu kiện bán dẫn,
_
điều khiển hệ số khuyếch đại, cố định hằng số thời gian, phối hợp trở + i(t)
kháng, phân áp, tạo nhiệt … Tùy theo ứng dụng, yêu cầu cụ thể và dựa v(t )
vào đặc tính của các loại điện trở để lựa chọn thích hợp Georg Ohm
Biểu thức định luật Ohm theo dòng điện
- Kết cấu đơn giản của một điện trở thường: (1789 – 1854)
Mũ chụp và chân điện trở i (t ) = v(t ) G
Công suất tiêu tán tức thời trên điện trở:
v 2 (t )
Vỏ bọc Lõi Vật liệu cản điện p(t ) = i (t ) v(t ) = i (t ) R = 2
R
1.2. Các tham số kỹ thuật và đặc tính của điện trở a. Trị số điện trở và dung sai
- Trị số điện trở và dung sai - Trị số của điện trở: (Resistance [Ohm]-Ω) được tính theo công thức:
- Hệ số nhiệt của điện trở l
R = ρ
Trong đó: S
- Công suất tiêu tán danh định
ρ - là điện trở suất của vật liệu dây dẫn cản điện
- Tạp âm của điện trở l - là chiều dài dây dẫn
S- là tiết diện của dây dẫn
- Dung sai hay sai số (Resistor Tolerance): Biểu thị mức độ chênh lệch của trị số thực tế
của điện trở so với trị số danh định và được tính theo %.
R t .t − R d . d
100 [% ]
R d .d
+ Tùy theo dung sai phân chia điện trở thành 5 cấp chính xác (tolerance levels ):
Cấp 005: có sai số ± 0,5 %
Cấp 01: có sai số ± 1 %
Cấp I: có sai số ± 5 %
Cấp II: có sai số ± 10 %
Cấp III: có sai số ± 20 %
27/176
b. Hệ số nhiệt của điện trở - TCR c. Công suất tiêu tán danh định của điện trở (Pt.t.max )
- TCR (temperature coefficient of resistance): biểu thị sự thay đổi trị - Pt.t.max là công suất điện cao nhất
số của điện trở theo nhiệt độ, được tính như sau: mà điện trở có thể chịu đựng được
1 ΔR R trong điều kiện bình thường, làm
TCR = . .10 6 [ppm/ 0 C] ΔR = TCR.ΔT
R ΔT 10 6 việc trong một thời gian dài
không bị hỏng.
- TCR là trị số biến đổi tương đối tính theo phần triệu của điện trở trên
1°C (viết tắt là ppm/°C). 2
U max
Pt.t.max = R.I 2
max
= [W ]
- Hệ số nhiệt của điện trở có thể âm hoặc dương tùy loại vật liệu:
R
+ Kim loại thuần thường hệ số nhiệt dương.
+ Một số hợp kim như constantin, manganin có hệ số điện trở nhiệt 0 - Công suất tiêu tán danh định tiêu chuẩn cho các điện trở dây quấn nằm
+ Carbon, than chì có hệ số điện trở nhiệt âm trong khoảng từ 1W đến 10W hoặc cao hơn nhiều. Để tỏa nhiệt phát sinh
ra, yêu cầu diện tích bề mặt của điện trở phải lớn, do vậy, các điện trở công
suất cao đều có kích thước lớn.
- Các điện trở than là các linh kiện có công suất tiêu tán danh định thấp,
nằm trong khoảng 0,125W; 0,25W; 0,5W; 1W và 2W.
d. Tạp âm của điện trở d. Tạp âm của điện trở
- Tạp âm của điện trở gồm: + Tạp âm dòng điện (Current Noise) : sinh do các thay đổi bên trong của
+ Tạp âm nhiệt (Thermal điện trở khi có dòng điện chạy qua nó
noise): sinh ra do sự
chuyển động của các hạt ⎛U ⎞
⎛f ⎞
mang điện bên trong điện ERMS = U DC .10 NI / 20 log⎜⎜ 2 ⎟⎟ NI = 20 log10 ⎜⎜ noise ⎟⎟
trở do nhiệt độ ⎝ f1 ⎠ ⎝ U DC ⎠
- Trong đó:
ERMS = 4.k .R.T .Δf + NI: Noise Index (Hệ số nhiễu).
+ UDC: điện áp không đổi đặt trên 2 đầu điện trở
+ Unoise: điện áp tạp âm dòng điện
ERMS = the Root-Mean-Square or RMS voltage level + f1 –> f2: khoảng tần số làm việc của điện trở
k = Boltzmans constant (1.38·10-23)
Mức tạp âm phụ thuộc chủ yếu vào loại vật liệu cản điện. Bột than nén
T = temperature in Kelvin (Room temp = 27 °C = 300 K)
có mức tạp âm cao nhất. Màng kim loại và dây quấn có mức tạp âm rất
R = resistance
Δf = Circuit bandwidth in Hz (Δf = f2-f1) thấp.
28/176
1.3 Ký hiệu của điện trở trên các sơ đồ mạch 1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở
- Cách ghi trực tiếp: ghi đầy đủ các tham số chính và đơn vị đo trên
thân của điện trở, ví dụ: 220KΩ 10%, 2W
Điện trở thường - Cách ghi theo quy ước: có rất nhiều các quy ước khác nhau. Xét một
số cách quy ước thông dụng:
+ Quy ước đơn giản: Không ghi đơn vị Ôm, R (hoặc E) = Ω,
Điện trở công suất M = MΩ, K = KΩ
Ví dụ: 2M=2MΩ, 0K47 =0,47KΩ = 470Ω, 100K = 100 KΩ,
0,25W 0,5W 220E = 220Ω, R47 = 0,47Ω
1W 10 W + Quy ước theo mã: Mã này gồm các chữ số và một chữ cái để chỉ %
dung sai. Trong các chữ số thì chữ số cuối cùng chỉ số số 0 cần thêm
vào. Các chữ cái chỉ % dung sai qui ước gồm: F = 1 %, G = 2 %, J = 5
Biến trở %, K = 10 %, M = 20 %.
XYZ = XY * 10Z Ω
Ví dụ: 103F = 10000 Ω ± 1% = 10K ± 1%
153G = 15000 Ω ± 2% = 15 KΩ ± 2%
4703J = 470000 Ω ± 5% = 470KΩ ± 5%
1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở 1.4 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở
+ Quy ước mầu: Màu Giá trị
- Loại 4 vòng màu: Đen 0
1 2 3 4 Nâu 1
Đỏ 2
Cam 3
=>Vòng 1,2 chỉ trị số, Vòng 3 chỉ số số
Vàng 4
không thêm vào, Vòng 4: dung sai)
(Nâu-đen-đỏ-Không mầu) = Lục 5
- Loại 5 vạch màu: Lam 6
1 2 3 4 5 Tím 7
Xám 8
Trắng 9
=>Vòng 1,2,3 chỉ trị số, Vòng 4 chỉ số số Vàng kim 0,1 / 5%
không thêm vào, Vòng 5: dung sai)
Bạch kim 0,001 / 10%
(Nâu-đen-đen-đỏ-Không mầu) =
Không màu - / 20%
29/176
1.5 Điện trở cao tần và mạch tương đương 1.6 Phân loại điện trở
- Khi làm việc ở tần số cao điện cảm và điện dung ký sinh là đáng kể, Sơ + Điện trở có trị số cố định
đồ tương đương của điện trở ở tần số cao như sau: + Điện trở có trị số thay đổi
a. Điện trở cố định
- Thường được phân loại theo vật liệu cản điện
+ Điện trở than tổng hợp (than nén): cấu trúc từ hỗn hợp bột cacbon (bột
than chì) được đóng thành khuôn, có kích thước nhỏ và giá thành rất
- Tần số làm việc hiệu dụng của điện trở được xác định sao cho sự sai rẻ.
khác giữa trở kháng tương đương của nó so với giá trị điện trở danh
+ Điện trở than nhiệt giải hoặc than màng (màng than tinh thể).
định không vượt quá dung sai.
+ Điện trở dây quấn
- Đặc tính tần số của điện trở phụ thuộc vào cấu trúc, vật liệu chế tạo...
+ Điện trở màng hợp kim, màng oxit kim loại hoặc điện trở miếng.
Kích thước điện trở càng nhỏ thì đặc tính tần số càng tốt, điện trở cao
+ Điện trở cermet (gốm kim loại).
tần thường có tỷ lệ kích thước là từ 4:1 đến 10:1
- Ngoài ra còn phân loại theo kết cấu đầu nối để phục vụ lắp ráp; phân
loại theo loại vỏ bọc để dùng ở những môi trường khác nhau; phân
loại theo loại ứng dụng….
1.6 Phân loại điện trở 1.6 Phân loại điện trở
- Các đặc tính chính của điện trở cố định b. Biến trở
Loại điện trở Trị số R Pt.t.max t0làmviệc TCR - Dạng kiểm soát dòng công suất lớn dùng dây quấn. Loại này ít gặp
[w] 0C ppm/0C trong các mạch điện trở.
- Chiết áp. Cấu tạo của biến trở so với điện trở cố định chủ yếu là có
Chính xác
Dây quấn 0,1Ω ÷ 1,2M 1/8 ÷3/4 ở1250C -55÷+145 ± 10
thêm một kết cấu con chạy gắn với một trục xoay để điều chỉnh trị số
Màng hợp kim 10Ω ÷ 5M 1/20÷ 1/2 ở1250C -55÷+125 ± 25 điện trở. Con chạy có kết cấu kiểu xoay (chiết áp xoay) hoặc theo kiểu
Bán chính xác trượt (chiết áp trượt). Chiết áp có 3 đầu ra, đầu giữa ứng với con trượt
Oxyt kim loại 10Ω ÷ 1,5M 1/4 ÷ 2 ở 700C -55÷+150 ± 200
Cermet 10Ω ÷ 1,5M 1/20÷1/2 ở1250C -55÷+175 ± 200
còn hai đầu ứng với hai đầu của điện trở.
Than màng 10Ω ÷ 5M 1/8 ÷ 1 ở 700C -55÷+165 ± 200;
Đa dụng ± 510
Than tổng hợp 2,7Ω ÷ 100M 1/8 ÷ 2 ở 700C -55÷+130 ±1500
Công suất
Dây quấn 0,1Ω ÷ 180K 1 ÷ 21 ở 250C -55÷+275 ± 200
Hình ống 1,0Ω ÷ 3,8K 5 ÷ 30 ở 250C -55÷+275 ± 50
Bắt sườn máy 0,1Ω ÷ 40K 1 ÷ 10 ở 250C -55÷+275 ± 20
Chính xác 20Ω ÷ 2M 7 ÷1000 ở 250C -55÷+225 ±500
Màng kim loại
Điện trở miếng
a. loại kiểm soát dòng b. loại chiết áp
(màng vi điện tử) 1Ω ÷ 22M -55÷+125 ±25đến ± 200 30/176
Một số điện trở đặc biệt Hình ảnh của một số loại điện trở
- Điện trở nhiệt: Tecmixto Điện trở dây cuốn chính xác
- Sai số nhỏ : 0,005%
t0
Tecmixto - TCR= 3ppm/0C
- Đáp ứng tần số tốt, tần số cộng hưởng cao, dùng
- Điện trở Varixto: nhiều trong ứng dụng tần số RF,
VDR - Công suất nhỏ.
- Điện trở Mêgôm : có trị số điện trở từ 108 ÷ 1015. - Thường được dùng trong các thiết bị đo DC độ
chính xác cao, điện trở chuẩn cho các bộ điều chỉnh
- Điện trở cao áp: Là điện trở chịu được điện áp cao từ 5 KV đến 20 KV.
điện áp, mạch biến đổi DAC.
- Điện trở chuẩn: Là các điện trở dùng vật liệu dây quấn đặc biệt có độ
ổn định cao. Chuẩn NIST (National Institute of Standards
- Mạng điện trở: Mạng điện trở là một loại vi mạch tích hợp có 2 hàng and Technology)
chân. Một phương pháp chế tạo là dùng công nghệ màng mỏng, trong - Sai số rất nhỏ : 0,001%
đó dung dịch chất dẫn điện được lắng đọng trong một hình dạng theo - TCR= 3ppm/0C
yêu cầu. - Đáp ứng tần số tốt, tần số cộng hưởng cao, dùng
nhiều trong các thiết bị đo, kiểm chuẩn.
Hình ảnh của một số loại điện trở Hình ảnh của một số loại điện trở
Điện trở dây cuốn công suất lớn Điện trở film cacbon Điện trở cầu chì Điện trở lá kim loại Điện trở film oxit kim loại
Điện trở SMD

Điện trở SMD (surface
mount devices) - Loại
linh kiện gắn trên bề
Điện trở cầu chì Điện trở lá kim loại Điện trở film oxit kim loại mặt mạch in, sử dụng
trong công nghệ SMT
(Surface mount
technology) # (through-
hole technology ).
31/176
Hình ảnh của một số loại điện trở Hình ảnh của một số loại điện trở
Potentiometers, or Carbon composition Carbon film Metal film High Power

Mạng điện trở Metal Film Metal film Metal Oxide Film
"trimpots" (wire wound; ceramic)
Resistance:1ohm;
Resistance
Tolerance:+/-1%;
Power Rating:25W;
Thermistor
Resistor Element
Surface Mount Varistor
Resistors (SMR) Cement Resistors Material:Thick Film;
Light dependent
resistor (LDR)
Biến trở (Variable Resistors) 2. Tụ điện (Capacitors)
2.1. Định nghĩa

2.2. Các tham số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện
2.3. Ký hiệu của tụ điện
2.4 Cách ghi và đọc tham số trên tụ điện
2.5. Sơ đồ tương đương
2.6. Phân loại
32/176
2.1 Định nghĩa 2.2 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện
-Tụ điện là linh kiện dùng để chứa điện tích. Một tụ điện lý tưởng có - Trị số dung lượng và dung sai
điện tích ở bản cực tỉ lệ thuận với hiệu điện thế đặt trên nó theo công - Điện áp làm việc
thức: Q = C . U [culông] - Hệ số nhiệt
Bản cực
-Dung lượng của tụ điện C [F] - Dòng điện rò
Chân tụ
Q ε r ε 0 .S - Sự phân cực
C= = Vỏ bọc
U d Chất điện môi
εr - hằng số điện môi tương đối của chất điện môi
ε0 - hằng số điện môi tuyệt đối của không khí
hay chân không
1
ε0 = = 8,84.10 −12
36π .10 9
S - diện tích hữu dụng của bản cực [m2]
d - khoảng cách giữa 2 bản cực [m]
- Đơn vị đo C: F, μF, nF, pF …
2.2 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện c. Hệ số nhiệt
+ Trị số dung lượng (C) - Mỗi một loại tụ điện chịu một ảnh hưởng với khoảng nhiệt độ do nhà
+ Dung sai của tụ điện: Đây là tham số chỉ độ chính xác của trị số dung sản xuất xác định. Khoảng nhiệt độ tiêu chuẩn thường từ:
lượng thực tế so với trị số danh định của nó. Dung sai của tụ điện được -200C đến +650C
tính theo công thức : C t . t − C d .d -400C đến +650C
.100%
C d .d -550C đến +1250C
+ Điện áp làm việc: Điện áp cực đại có thể cung cấp cho tụ điện hay còn - Để đánh giá sự thay đổi của trị số điện dung khi nhiệt độ thay đổi người
gọi là "điện áp làm việc một chiều“, nếu quá điện áp này lớp cách ta dùng hệ số nhiệt TCC và tính theo công thức sau:
điện sẽ bị đánh thủng và làm hỏng tụ. 1 ΔC 6
TCC = .10 [ppm/0C]
C ΔT
- TCC thường tính bằng đơn vị phần triệu trên 1°C (viết tắt ppm/°C) và
nó đánh giá sự thay đổi cực đại của trị số điện dung theo nhiệt độ.
- Khi giá trị điện dung thay đổi nhiều theo nhiệt độ, người ta dùng giới
hạn cực đại thay đổi giá trị điện dung trên khoảng nhiệt độ làm việc và
tính bằng %: Δ C Δ T * TCC
% = 100 [% ]
33/176
6
C 10
d. Dòng điện rò e. Sự phân cực
- Do chất cách điện đặt giữa 2 bản cực không lý tưởng nên sẽ có một - Các tụ điện điện giải ở các chân tụ thường có đánh dấu cực tính dương
dòng điện rò rất bé chạy qua giữa 2 bản cực của tụ điện. Trị số dòng (dấu +) hoặc âm (dấu -) gọi là sự phân cực của tụ điện. Khi sử dụng
điện rò phụ thuộc vào điện trở cách điện của chất điện môi. phải đấu tụ vào mạch sao cho đúng cực tính của tụ. Như vậy chỉ sử
- Đặc trưng cho dòng điện rò có thể dùng tham số điện trở cách điện của dụng loại tụ này vào những vị trí có điện áp làm việc không thay đổi
tụ (có trị số khoảng vài MΩ và phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ) nếu tụ có cực tính.
dòng điện rò nhỏ
- Tụ điện màng Plastic có điện trở cách điện cao hơn 100000 MΩ, còn tụ
điện điện giải thì dòng điện rò có thể lên tới vài μA khi điện áp đặt vào
2 bản cực của tụ chỉ 10 Vôn.
- Đối với điện áp xoay chiều, tổn hao công suất trong tụ được thể hiện
qua hệ số tổn hao D:
1 P
D = = th
Q Ppk
- Tụ tổn hao nhỏ dùng sơ đồ tương đương nối tiếp : …

- Tụ tổn hao lớn dùng sơ đồ tương đương song song: …
2.3 Ký hiệu của tụ 2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ
+ +
- Hai tham số quan trọng nhất thường được ghi trên thân tụ điện là trị số
điện dung (kèm theo dung sai sản xuất) và điện áp làm việc (điện áp
lớn nhất). Có 2 cách ghi cơ bản:
Tụ thường Tụ điện giải Tụ có điện dung thay đổi
- Ghi trực tiếp: cách ghi đầy đủ các tham số và đơn vị đo của chúng.
Cách này chỉ dùng cho các loại tụ điện có kích thước lớn.
Ví dụ 1: Trên thân một tụ mi ca có ghi: 5.000PF ± 20% 600V
- Cách ghi gián tiếp theo qui ước :
+ Ghi theo qui ước số: (Cách ghi này thường gặp ở các tụ Pôlystylen),
Kiểu giá trị ghi bằng số nguyên thì đơn vị tương ứng là pF, nếu kiểu giá
trị ghi bằng số thập phân thì đơn vị tương ứng là μF.
Ví dụ 2: Trên thân tụ có ghi 47/ 630: tức giá trị điện dung là 47 pF,
điện áp làm việc một chiều là 630 Vdc.
Ví dụ 3: Trên thân tụ có ghi 0.01/100: tức là giá trị điện dung là 0,01
Tụ điện lớn thường có tham số điện dung ghi trực tiếp, tụ μF và điện áp làm việc một chiều là 100 Vdc.
điện nhỏ thường dùng mã: XYZ = XY * 10Z pF + Quy ước theo mã: (Giống như điện trở, Các chữ cái chỉ dung sai qui
ước như trang bên): XYZ = XY * 10Z pF
34/176 123K/50V =12000 pF ± 10% và điện áp làm việc lớn nhất 50 Vdc
2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ 2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ
+ Ghi theo quy ước màu:

- Loại có 4 vạch màu:
Hai vạch đầu là số có nghĩa thực của nó
Vạch thứ ba là số nhân (đơn vị pF) hoặc số số 0 cần thêm vào
Vạch thứ tư chỉ điện áp làm việc.
- Loại có 5 vạch màu:
Ba vạch màu đầu giống như loai 4 vạch màu
Vạch màu thứ tư chỉ % dung sai
Vạch màu thứ 5 chỉ điện áp làm việc
TCC 1 1
1 2 3
2 3 2
3 4 4
4 5
+
Tụ hình ống Tụ hình kẹo Tụ Tantan
2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ 2.4 Cách đọc và ghi trị số trên tụ
- Vạch màu chỉ TCC, đơn vị ppm/ 0C: + Cách ghi bằng chấm mầu, sử dụng 3 hoặc 6 chấm mầu, Cả 2 kiểu này đều
như nhau nhưng kiểu 6 chấm mầu nhiều thông tin hơn như: Hệ số nhiệt, dung
Đỏ tím: TCC = 100 sai…
Vàng: TCC = 220
Đen: = 0
Xanh lá cây: = 330
Đỏ: = 75
Xanh lam: = 430
Cam: = 150
Tím: = 750
= Tụ Mica, điện dung 1200 pF, dung sai 6%.

35/176
2.5 Sơ đồ tương đương của tụ 2.6 Phân loại tụ điện
RP RL - Tụ điện có trị số điện dung cố định
L RS RS C
C C - Tụ điện có trị số điện dung thay đổi được.
a. Tụ điện có trị số điện dung cố định:
a. Sơ đồ tương đương b. Sơ đồ tương đương c. sơ đồ tương đương + Tụ giấy: chất điện môi là giấy, thường có trị số điện dung khoảng từ
tổng quát song song nối tiếp 500 pF đến 50 μF và điện áp làm việc đến 600 Vdc. Tụ giấy có giá
thành rẻ nhất so với các loại tụ có cùng trị số điện dung.
L - là điện cảm của đầu nối, dây dẫn (ở tần số thấp L ≈ 0) Ưu điểm: kích thước nhỏ, điện dung lớn.
Nhược điểm: Tổn hao điện môi lớn, TCC lớn.
RS - là điện trở của đầu nối, dây dẫn và bản cực (RS thường rất nhỏ)
+ Tụ màng chất dẻo: chất điện môi là chất dẻo, có điện trở cách điện lớn
RP - là điện trở rò của chất cách điện và vỏ bọc. hơn 100000 MΩ. Điện áp làm việc cao khoảng 600V. Dung sai tiêu
RL, RS - là điện trở rò của chất cách điện chuẩn của tụ là ± 2,5%; hệ số nhiệt từ 60 đến 150 ppm/0C
Tụ màng chất dẻo nhỏ hơn tụ giấy nhưng đắt hơn. Giá trị điện dung của
C - là tụ điện lý tưởng tụ tiêu chuẩn nằm trong khoảng từ 5 pF đến 0,47 μF.
2.6 Phân loại tụ điện 2.6 Phân loại tụ điện

+ Tụ mi ca: chất điện môi là mi ca, tụ mi ca tiêu chuẩn có giá trị điện dung + Tụ điện giải nhôm: Cấu trúc cơ bản là giống tụ giấy. Hai lá nhôm
khoảng từ 1 pF đến 0,1 μF và điện áp làm việc cao đến 3500V tuỳ. mỏng làm hai bản cực đặt cách nhau bằng lớp vải mỏng được tẩm chất
Nhược điểm: giá thành của tụ cao. điện phân (dung dịch điện phân), sau đó được quấn lại và cho vào trong
Ưu điểm:Tổn hao điện môi nhỏ, Điện trở cách điện rất cao, chịu được nhiệt độ một khối trụ bằng nhôm để bảo vệ.
cao. Các tụ điện giải nhôm thông dụng thường làm việc với điện áp một
+ Tụ gốm: chất điện môi là gốm. Màng kim loại được lắng đọng trên mỗi mặt chiều lớn hơn 400 Vdc, trong trường hợp này, điện dung không quá
của một đĩa gốm mỏng và dây dẫn nối tới màng kim loại. Tất cả được bọc 100 μF. Điện áp làm việc thấp và dòng rò tương đối lớn
trong một vỏ chất dẻo.
+ Tụ tantan: (chất điện giải Tantan) Đây là một loại tụ điện giải, Bột
Giá trị điện dung của tụ gốm tiêu chuẩn khoảng từ 1 pF đến 0,1 μF, với điện áp
tantan được cô đặc thành dạng hình trụ, sau đó được nhấn chìm vào
làm việc một chiều đến 1000 Vdc
một hộp chứa chất điện phân. Dung dịch điện phân sẽ thấm vào chất
Đặc điểm của tụ gốm là kích thước nhỏ, điện dung lớn, có tính ổn định rất tốt, có
tantan. Khi đặt một điện áp một chiều lên hai chân tụ thì một lớp oxit
thể làm việc lâu dài mà không lão hoá.
mỏng được tạo thành ở vùng tiếp xúc của chất điện phân và tantan.
+ Tụ dầu: chất điện môi là dầu
Tụ tantan có điện áp làm việc lên đến 630 Vdc nhưng giá trị điện dung
Tụ dầu có điện dung lớn, chịu được điện áp cao
chỉ khoảng 3,5 μF.
Có tính năng cách điện tốt, có thể chế tạo thành tụ cao áp.
Kết cấu đơn giản, dễ sản xuất.
36/176
2.6 Phân loại tụ điện Ứng dụng
b. Tụ điện có trị số điện dung thay đổi + Tụ không cho dòng điện một chiều qua nhưng lại dẫn dòng điện xoay
+ Loại đa dụng còn gọi là tụ xoay: Tụ xoay được dùng làm tụ điều chỉnh chiều, nên tụ thường dùng để cho qua tín hiệu xoay chiều đồng thời vẫn
thu sóng trong các máy thu thanh, v.v.. Tụ xoay có thể có 1 ngăn hoặc ngăn cách được dòng một chiều giữa mạch này với mạch khác, gọi là
nhiều ngăn. Mỗi ngăn có các lá động xen kẽ, đối nhau với các lá tĩnh tụ liên lạc.
(lá giữ cố định) chế tạo từ nhôm. Chất điện môi có thể là không khí, mi + Tụ dùng để triệt bỏ tín hiệu không cần thiết từ một điểm trên mạch
ca, màng chất dẻo, gốm, v.v.. xuống đất (ví dụ như tạp âm), gọi là tụ thoát.
+ Tụ vi điều chỉnh (thường gọi tắt là Trimcap), có nhiều kiểu. Chất điện + Tụ dùng làm phần tử dung kháng trong các mạch cộng hưởng LC gọi là
môi cũng dùng nhiều loại như không khí, màng chất dẻo, thuỷ tinh hình tụ cộng hưởng.
ống... Trong các loại Trimcap chuyên dùng, thường gặp nhất là loại + Tụ dùng trong mạch lọc gọi là tụ lọc. Tụ dùng trong các mạch chia dải
chất điện môi gốm. Để thay đổi trị số điện dung ta thay đổi vị trí giữa tần làm việc, tụ cộng hưởng v.v..Tụ dùng cho mục đích này thuộc
hai lá động và lá tĩnh. Khoảng điều chỉnh của tụ từ 1,5 pF đến 3 pF, nhóm chính xác.
hoặc từ 7 pF đến 45 pF và từ 20 pF đến 120 pF tuỳ theo hệ số nhiệt cần + Các tụ trong nhóm đa dụng dùng để liên lạc, lọc nguồn điện, thoát tín
thiết. hiệu ... ngoài ra tụ còn dùng để trữ năng lượng, định thời...
+ Do có tính nạp điện và phóng điện, tụ dùng để tạo mạch định giờ, mạch
phát sóng răng cưa, mạch vi phân và tích phân.
Một số hình ảnh của Tụ điện Một số hình ảnh của Tụ điện
Tụ hoá (Electrolytic Capacitors) Tụ gốm ( Ceramic Capacitors ) Tụ gốm nhiều tầng (Multilayer
Ceramic Capacitors )
Tụ Tantan (Tantalum Capacitors) Tụ film nhựa (Polystyrene Film Capacitors)

Tụ Mica
37/176
Một số hình ảnh của Tụ điện Một số hình ảnh của Tụ điện
Various types of capacitors.
Capacitors: SDM ceramic

at top left; SMD tantalum tantalum Polyester High
Polypropylene
at bottom left; through- capacitor Capacitor capacitor Voltage/power
hole tantalum at top right; Capacitors
through-hole electrolytic
at bottom right. Major
scale divisions are cm.
Surface mount technology (SMT)
Multilayer Chip
Variable Tuning/Air
Ceramic Capacitor Motor Running &
Capacitor Variable
Start Capacitors
Capacitor
Một số hình ảnh của Tụ điện 3. Cuộn cảm (Inductor)
3.1. Định nghĩa

3.2 Ký hiệu của cuộn dây.
3.3 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của cuộn dây
3.4 Cách ghi và đọc tham số trên cuộn dây
3.5. Mạch tương đương
Paper capacitor (300pF -
3.6. Phân loại
Mica capacitor Ceramic Capacitor (1pF -0.01µF);
4µF); max 600Volts max 30kVolts
(50pF -0.02µF)
Top view of MEMS capacitor built at

(Aluminum) Electrolytic Oil capacitor (nF –sevaral Stanford. The resonant frequency is
Capacitor; (4µF ~ sevaral
thousand F); max 500Volts
hundred µF) several ten Kvolts 1.64 MHz with a Q of 18
38/176
3.1 Định nghĩa Ký hiệu của cuộn cảm
- Cuộn cảm là phần tử sinh ra hiện tượng tự cảm khi dòng điện chạy L L
L
qua nó biến thiên. Khi dòng điện qua cuộn cảm biến thiên sẽ tạo ra từ
thông thay đổi và một sức điện từ được cảm ứng ngay trong cuộn cảm Cuộn dây lõi sắt từ Cuộn dây lõi không khí
Cuộn dây lõi Ferit
hoặc có thể cảm ứng một sức điện từ sang cuộn cảm kề cận với nó.
-Mức độ cảm ứng trong mỗi trường hợp phụ thuộc vào độ tự cảm của
cuộn cảm hoặc sự hỗ cảm giữa hai cuộn cảm. Các cuộn cảm được cấu
trúc để có giá trị độ cảm ứng xác định.
- Cuộn cảm cũng có thể đấu nối tiếp hoặc song song. Ngay cả một
đoạn dây dẫn ngắn nhất cũng có sự cảm ứng.
3.2. Các tham số kỹ thuật đặc trưng của cuộn cảm a. Độ tự cảm (L)
- Độ tự cảm (L) S
L = μ .N 2 .
- Hệ số phẩm chất của cuộn cảm (Q) l
- Tần số làm việc giới hạn (fg.h.) Trong đó: S - là tiết diện của cuộn dây (m2)
N - là số vòng dây
l - là chiều dài của cuộn dây (m)
μ - độ từ thẩm tuyệt đối của vật liệu lõi (H/ m)
μ = μr. μ0
- Đơn vị đo: ...μH, mH, H…
- Độ từ thẩm tuyệt đối của một số loại vật liệu
Chân không: 4π x 10-7 H/m Ferrite T38 1.26x10-2 H/m
Không khí: 1.257x10-6 H/m Ferrite U M33 9.42x10-4 H/m
Nickel 7.54x10-4 H/m Iron 6.28x10-3 H/m
Silicon GO steel 5.03x10-2 H/m supermalloy 1.26 H/m
39/176
b. Hệ số phẩm chất của cuộn cảm (Q) c. Tần số làm việc giới hạn (fg.h.)
- Dung sai của độ tự cảm: Đây là tham số chỉ độ chính xác của độ từ - Khi tần số làm việc nhỏ bỏ qua điện dung phân tán giữa các vòng dây
cảm thực tế so với trị số danh định của nó. Dung sai được tính theo của cuộn cảm, nhưng khi làm việc ở tần số cao điện dung này là đáng
công thức : Lt .t − Ld .d kể.
.100%
Ld .d - Do đó ở tần số đủ cao cuộn cảm trở thành một mạch cộng hưởng song
- Một cuộn cảm lý tưởng không có tổn hao khi có dòng điện chạy qua, song. Tần số cộng hưởng của mạch cộng hưởng song song này gọi là
thực tế luôn tổn hao đó là công suất điện tổn hao để làm nóng cuộn dây. tần số cộng hưởng riêng của cuộn dây f0 .
Tổn hao này được biểu thị bởi một điện trở tổn hao RS. - Nếu cuộn dây làm việc ở tần số cao hơn tần số cộng hưởng riêng này
- Để đánh giá chất lượng của cuổn cảm dùng Hệ số phẩm chất Q của thì cuộn dây mang dung tính nhiều hơn. Do đó tần số làm việc cao nhất
cuộn cảm: (Cuộn cảm tổn hao nhỏ dùng sơ đồ tương đương nối tiếp, của cuộn dây phải thấp hơn tần số cộng hưởng riêng của nó.
cuộn cảm tổn hao lớn dùng sơ đồ tương đương song song.
L
L RS
Rp
1
1 Ppk X L ωL 1 Ppk RP R p
f lv max < f gh = f 0 =
Qnt = = = = Q// = = = = 2π LC
D Pth RS RS D Pth X L ωL
3.4 Cách ghi và đọc tham số trên cuộn cảm 3.4 Cách ghi và đọc tham số trên cuộn cảm
- Ghi trực tiếp: cách ghi đầy đủ các tham số độ tự cảm L, dung sai, loại Bảng mã mầu dùng cho các cuộn cảm
lõi cuộn cảm… Cách này chỉ dùng cho các loại cuộn cảm có kích thước
lớn. Màu Giá trị của các số Dung sai
- Cách ghi gián tiếp theo qui ước :
+ Ghi quy ước theo mầu: Dùng cho các cuộn cảm nhỏ: Đen 0 -
- Loại 4 vạch màu Nâu 1 -
Đỏ 2 -
1 2 3 4
Cam 3 -
Vàng 4 -
Xanh lá cây 5 -
Xanh lam 6 -
Vòng màu 1: chỉ số có nghĩa thứ nhất hoặc chấm thập phân
Tím 7 -
Vòng màu 2: chỉ số có nghĩa thứ hai hoặc chấm thập phân Xám 8 -
Vòng màu 3: chỉ số 0 cần thêm vào, đơn vị đo là μH Trắng 9 -
Bạch kim - 10%
Vòng màu 4: chỉ dung sai %.
Vàng kim Chấm thập phân 5%
Không vạch màu - 20%
40/176
3.4 Cách ghi và đọc tham số trên cuộn cảm 3.5 Phân loại và ứng dụng
- Dựa theo ứng dụng:

+ Cuộn cộng hưởng – cuộn cảm dùng trong các mạch cộng hưởng LC.
+ Cuộn lọc – cuộn cảm dùng trong các bộ lọc một chiều.
+ Cuộn chặn dùng để ngăn cản dòng cao tần, v.v..
- Dựa vào loại lõi của cuộn cảm:
+ Cuộn dây lõi không khí: Loại cuộn dây không lõi hoặc cuốn trên các
cốt không từ tính, thường dùng là các cuộn cộng hưởng làm việc ở tầo
số cao và siêu cao. Các yêu cầu chính của cuộn dây không lõi là:
- Điện cảm phải ổn định ở tần số làm việc.
- Hệ số phẩm chất cao ở tần số làm việc.
- Điện dung riêng nhỏ.
- Hệ số nhiệt của điện cảm thấp.
- Bền chắc, kích thước và giá thành phải hợp lý.
3.5 Phân loại và ứng dụng 3.6 Một số hình ảnh của cuộn cảm
+ Cuộn cảm lõi sắt bụi: Dùng bột sắt nguyên chất trộn với chất dính kết
không từ tính là lõi cuộn cảm, thường dùng ở tần số cao và trung tần. A core material with greater magnetic
permeability results in greater magnetic
Cuộn dây lõi sắt bụi có tổn thất thấp, đặc biệt là tổn thất do dòng điện field flux for any given amount of field
xoáy ngược, và độ từ thẩm thấp hơn nhiều so với loại lõi sắt từ. force (amp-turns).
+ Cuộn cảm lõi Ferit : thường là các cuộn cảm làm việc ở tần số cao và
trung tần. Lõi Ferit có nhiều hình dạng khác nhau như: thanh, ống, hình
chữ E, chữ C, hình xuyến, hình nồi, hạt đậu,v.v.. Dùng lõi hình xuyến
dễ tạo điện cảm cao, tuy vậy lại dễ bị bão hòa từ khi có thành phần một
chiều.
+ Cuộn cảm lõi sắt từ: Lõi của cuộn cảm thường hợp chất sắt - silic,
hoặc sắt- niken …. Đây là các cuộn cảm làm việc ở tần số thấp. Dùng
dây đồng đã được tráng men cách điện quấn thành nhiều lớp có cách
điện giữa các lớp và được tẩm chống ẩm. Variable inductors: providing a way Fixed-value inductor: another Inductor (of greater inductance
to vary the number of wire turns in antique air-core unit built for value), also intended for radio
use at any given time, or by varying radios. The connection terminals applications. Its wire coil is
the core material (a sliding core that can be seen at the bottom, as well wound around a white ceramic
can be moved in and out of the coil). as the few turns of relatively thick tube for greater rigidity
41/176 wire

3.6 Một số hình ảnh của cuộn cảm 4. Biến áp (Transformer)
4.1. Định nghĩa

4.2. Các tham số kỹ thuật của biến áp
4.3. Ký hiệu của biến áp
4.6. Phân loại và ứng dụng
Ferrite Rod Inductor SMD Wound Chip
Inductor
Spiral inductor with N=1.5

DC filter
Roller inductor for turns, W=20 μm, S=10 μm
choke
FM diplexer and Rin=100 μm
Inductor
(area=0.14 mm2).
(called On-chip inductor)
4.1. Định nghĩa Nguyên lý hoạt động của biến áp
- Biến áp là thiết bị gồm hai hay nhiều cuộn dây ghép hỗ cảm với nhau - Hoạt động dựa theo nguyên lý
để biến đổi điện áp. Cuộn dây đấu vào nguồn điện gọi là cuộn sơ cấp, cảm ứng điện tử.
các cuộn dây khác đấu vào tải gọi là cuộn thứ cấp. - Hệ số tự cảm của cuộn sơ cấp,
thứ cấp:
S S
L1 = μ . N 12 L 2 = μ .N 22
l l
- Khi dòng điện I1 biến thiên tạo ra từ thông biến thiên, từ thông này liên
kết sang cuộn sơ cấp và tạo ra điện áp cảm ứng eL trên cuộn thứ cấp
theo hệ số tỉ lệ gọi là hệ số hỗ cảm M. Lượng từ thông liên kết giữa
cuộn sơ cấp sang cuộn thứ cấp được đánh giá bằng hệ số ghép biến áp
K.
M=
eL
[H ] eL = ΔΦ2.N2 ; ΔΦ2 = K.ΔΦ1 = K.μ.Δi1.N1. S
Δi1 / Δt Δt l
S M
M = K.N1 N2 .μ. = K. L1L2 K =
l L1 L2
42/176
4.2. Các tham số kỹ thuật của biến áp a. Hệ số ghép biến áp K
- Hệ số ghép biến áp K K =
M
- Điện áp cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp L1 L 2
- Dòng điện sơ cấp và dòng điện thứ cấp M - hệ số hỗ cảm của biến áp
- Hiệu suất của biến áp L1 và L2 - hệ số tự cảm của cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp tương ứng.
- Khi K = 1 là trường hợp ghép lý tưởng, khi đó toàn bộ số từ thông sinh
ra do cuộn sơ cấp được đi qua cuộn thứ cấp và ngược lại.
- Trên thực tế sử dụng, khi K ≈ 1 gọi là hai cuộn ghép chặt
khi K<<1 gọi là hai cuộn ghép lỏng
c. Dòng điện sơ cấp và dòng điện thứ cấp

b. Điện áp cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp d. Hiệu suất của biến áp
- Quan hệ giữa dòng điện ở cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp theo tỉ số:
I1 U 2 N N
= =K 2 ≈ 2
I 2 U1 N1 N1
- Các biến áp thực tế đều có tổn thất, do đó để đánh giá chất lượng dùng
thông số hiệu suất của biến áp. Hiệu suất của biến áp là tỉ số giữa công
suất ra và công suất vào tính theo %:
P P2
- Điện áp cảm ứng ở cuộn sơ cấp và thứ cấp quan hệ với nhau theo tỉ số: η = 2 .100% = .100%
P1 P2 + Ptôn thât
U2 N N
=K 2 ≈ 2 Trong đó P1 - công suất đưa vào cuộn sơ cấp
U1 N1 N1
N2 P2 - công suất thu được ở cuộn thứ cấp
- Hệ số biến áp
N1 Ptổn thất - Công suất điện mất mát do tổn thất của lõi
+ N1 = N2 thì U1 = U2 ta có biến áp 1 : 1 và tổn thất của dây cuốn.
+ N2 > N1 thì U2 > U1 ta có biến áp tăng áp - Muốn giảm tổn hao năng lượng trong lõi sắt từ, dây đồng và từ thông
rò người ta dùng loại lõi làm từ các lá sắt từ mỏng, có quét sơn cách
+ N2 < N1 thì U2 < U1 ta có biến áp hạ áp điện, dùng dây đồng có tiết diện lớn và ghép chặt.
43/176
f. Đặc tính của lõi biến áp f. Đặc tính của lõi biến áp
CORE CHARACTERISTICS CORE CHARACTERISTICS
The composition of a transformer core depends on such
factors as voltage, current, and frequency. Size limitations Core Type Transformers
and construction costs are also factors to be considered. There are two main shapes of cores used in laminated-steel-core transformers.
Commonly used core materials are air, soft iron, and steel. One is the CORE Type, so named because the core is shaped with a hollow
Each of these materials is suitable for particular applications square through the center. Notice that the core is made up of many laminations
and unsuitable for others. Generally, air-core transformers of steel.
are used when the voltage source has a high frequency (> 20 The figure illustrates how the transformer windings are wrapped around both
kHz). Iron-core transformers are usually used when the sides of the core.
source frequency is low (< 20 kHz). A soft-iron-core
transformer is very useful where the transformer must be Fig - Windings wrapped
physically small, yet efficient. The iron-core transformer around laminations.
provides better power transfer than does the air-core
transformer. A transformer whose core is constructed of
laminated sheets of steel dissipates heat readily; thus it
provides for the efficient transfer of power. These steel
Shell-Core Transformers
The most popular and efficient transformer core is the SHELL
laminations (see figure) are insulated with a non conducting
Fig - Hollow-core construction. CORE, as illustrated in figure (4). As shown, each layer of the
material, such as varnish, and then formed into a core. The
core consists of E- and I-shaped sections of metal. These sections
purpose of the laminations is to reduce certain losses. An
are butted together to form the laminations. The laminations are
important point to remember is that the most efficient
insulated from each other and then pressed together to form the
transformer core is one that offers the best path for the most
lines of flux with the least loss in magnetic and electrical core.
energy. Fig - Shell-type core construction.
f. Đặc tính của lõi biến áp 4.3. Ký hiệu của biến áp
CORE CHARACTERISTICS
TRANSFORMER WINDINGS
The figure shows an exploded view of a shell-type
transformer. The primary is wound in layers directly on a
rectangular cardboard form.
a. Biến áp âm tần b. Biến áp nguồn lõi sắt và biến áp tự ngẫu
c. Biến áp cao tần không lõi d. Biến áp lõi Ferit

Fig - Exploded view of shell-type
transformer construction
In the transformer shown in the cutaway view in fig., the

primary consists of many turns of relatively small wire. The
wire is coated with varnish so that each turn of the winding is
insulated from every other turn. In a transformer designed for e. Biến áp trung tần
high-voltage applications, sheets of insulating material, such
as paper, are placed between the layers of windings to
Fig - Cutaway view of shell-type core
provide additional insulation.
with windings. 44/176
4.4 Phân loại và ứng dụng 4.4 Phân loại và ứng dụng
- Ứng dụng để biến đổi điện áp xoay chiều. + Biến áp cấp điện (biến áp nguồn) : Là biến áp làm việc với tần số 50
- Dùng để cách ly giữa mạch các mạch điện, dùng loại biến áp có hai Hz, 60 Hz. Biến áp nguồn có nhiệm vụ là biến đổi điện áp vào thành
điện áp và dòng điện ra theo yêu cầu và ngăn cách thiết bị khỏi khỏi
cuộn dây sơ cấp và thứ cấp cách điện với nhau.
nguồn điện. Các yêu cầu chính:
- Biến đổi biến đổi tổng trở, dùng biến áp ghép chặt • Điện cảm cuộn sơ cấp cao để giảm dòng điện không tải xuống giá trị
- Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc, dùng loại ghép nhỏ nhất.
lỏng. • Hệ số ghép K cao để điện áp thứ cấp ít sụt khi có tải.
… • Tổn thất trong lõi càng thấp càng tốt (chọn vật liệu
- Tuỳ theo ứng dụng cụ thể mà biến áp có những yêu cầu khác nhau và lõi và bề dày lá thép thích hợp).
thường được phân loại theo ứng dụng: • Kích thước biến áp càng nhỏ càng tốt.
+ Biến áp cộng hưởng : Đây là biến áp trung tần hoặc cao tần có lõi • Kết cấu bên ngoài có thể dùng:
không khí hoặc sắt bụi hoặc ferit, ghép lỏng và có một tụ điện mắc ở Loại hở có tẩm (giá thành thấp)
cuộn sơ cấp hoặc cuộn thứ cấp để tạo cộng hưởng đơn. Thông thường Loại bọc kín có tẩm (bảo vệ cơ học tốt)
tần số cộng hưởng được thay đổi bằng cách điều chỉnh vị trí của lõi… Loại hàn kín, đổ dầu (thích hợp với khí hậu nhiệt đới, dễ sửa chữa)
Loại đổ khuôn nhựa (thích hợp với khí hậu nhiệt đới, không sửa chữa
được)
4.4 Phân loại và ứng dụng 4.5 Hình ảnh của một số loại biến áp
TYPES AND APPLICATIONS OF TRANSFORMERS
+ Biến áp âm tần : là biến áp được thiết kế để làm việc ở dải tần số âm The transformer has many useful applications in an electrical circuit. A brief discussion of some of
thanh khoảng từ 20 Hz đến 20000 Hz, yêu cầu biến đổi điện áp không these applications will help you recognize the importance of the transformer in electricity and
được gây méo dạng sóng trong cả dải tần số âm thanh, dùng để ngăn electronics.
cách điện một chiều trong mạch này với mạch khác, để biến đổi tổng
POWER TRANSFORMERS
trở, để đảo pha, v.v.. Power transformers are used to supply voltages to the various circuits in electrical equipment. These
- Biến áp âm tần phải làm việc trên đải tần số âm thanh khá rộng và transformers have two or more windings wound on a laminated iron core. The number of windings and
phải đáp ứng nhiều mục đích khác nhau nên yêu cầu cao hơn biến áp the turns per winding depend upon the voltages that the transformer is to supply. Their coefficient of
cấp điện. coupling is 0.95 or more.
+ Biến áp xung : Biến áp xung có hai loại: loại tín hiệu và loại công suất.
Biến áp xung có yêu cầu về dải thông tần khắt khe hơn so với biến áp âm
tần. Để hoạt động tốt ở cả tần số thấp và ở tần số cao (sườn xung), biến
áp xung cần phải có điện cảm sơ cấp lớn, đồng thời điện cảm rò nhỏ và
điện dung giữa các cuộn dây nhỏ.
- Để khắc phục các yêu cầu đối kháng này vật liệu lõi cần có độ từ thẩm
cao và kết cấu hình học của cuộn dây thích hợp. Vật liệu lõi của biến áp Siemens Oil filled final step-down
Kuhlman Power Transformers-2500 to
xung được chọn tùy thuộc vào dải tần hoạt động có thể là sắt từ hoặc Power transformers 5MVA to 10,000 kVA, both single and three-phase,
transformers, with conservator or
ferit. 575MVA/525kV are self-cooled with additional single stage
hermetically encapsulated 50 kVA to 3
45/176 forced-air cooling available
MVA with operation voltages ~ 36 kV

4.5 Hình ảnh của một số loại biến áp 4.5 Hình ảnh của một số loại biến áp
The typical power transformer has several secondary windings, each providing a different voltage. The AUTOTRANSFORMERS
schematic symbol for a typical power-supply transformer is shown in figure. For any given voltage It is not necessary in a transformer for the primary and secondary to be separate and distinct windings.
across the primary, the voltage across each of the secondary windings is determined by the number of The figure is a schematic diagram of what is known as an AUTOTRANSFORMER. Note that a single
turns in each secondary. A winding may be center-tapped like the secondary 350 volt winding shown in coil of wire is "tapped" to produce what is electrically a primary and secondary winding. The voltage
the figure. To center tap a winding means to connect a wire to the center of the coil, so that between this across the secondary winding has the same relationship to the voltage across the primary that it would
center tap and either terminal of the winding there appears one-half of the voltage developed across the have if they were two distinct windings. The movable tap in the secondary is used to select a value of
entire winding. Most power transformers have colored leads so that it is easy to distinguish between the output voltage, either higher or lower than EP, within the range of the transformer. That is, when the tap
various windings to which they are connected. Usually, red is used to indicate the high-voltage leads, but is at point A, ES is less than EP; when the tap is at point B, ES is greater than E P.
it is possible for a manufacturer to use some other colors.
Fig. : An adjustable
autotransformer or regulator.
These have a range of turns
ratios that includes unity, so
they are neither step-down,
Fig.: Schematic diagram of an autotransformer
step-up, nor isolation
Fig. - Schematic diagram of a typical power transformers.
transformer.
AUDIO-FREQUENCY TRANSFORMERS RADIO-FREQUENCY TRANSFORMERS

Audio-frequency (AF) transformers are used in (AF) circuits as coupling devices. Audio-frequency Radio-frequency (RF) transformers are used to couple circuits to
transformers are designed to operate at frequencies in the audio frequency spectrum (generally which frequencies above 20,000 Hz are applied. The windings are
considered to be 15 Hz to 20kHz). wound on a tube of nonmagnetic material, have a special powdered-
They consist of a primary and a secondary winding wound on a laminated iron or steel core. Because iron core, or contain only air as the core material. In standard
these transformers are subjected to higher frequencies than are power transformers, special grades of broadcast radio receivers, they operate in a frequency range of from
steel such as silicon steel or special alloys of iron that have a very low hysteresis loss must be used for 530 kHz to 1550 kHz. In a short-wave receiver, rf transformers are
core material. These transformers usually have a greater number of turns in the secondary than in the subjected to frequencies up to about 20 MHz - in radar, up to and even
primary; common step-up ratios being 1 to 2 or 1 to 4. With audio transformers the impedance of the above 200 MHz.
primary and secondary windings is as important as the ratio of turns, since the transformer selected IMPEDANCE-MATCHING TRANSFORMERS
should have its impedance match the circuits to which it is connected. For maximum or optimum transfer of power between two circuits, it
is necessary for the impedance of one circuit to be matched to that of
the other circuit. One common impedance-matching device is the
transformer.
NP ZP
To obtain proper matching, you must use a transformer having the =
correct turns ratio. The number of turns on the primary and NS ZS
Fig. audio transformer is a grain oriented silicone steel, secondary windings and the impedance of the transformer have the
multi-sectioned design, with excellent frequency and following mathematical relationship.
square wave response. Turns ratio is 1:90, power Because of this ability to match impedances, the impedance-
handling conservatively set at 150 watts continuous and
matching transformer is widely used in electronic equipment.
500 watts impulse. (<200 ms). Weight 4.5K
46/176
With an internal impedance of 500 Ω, the amplifier can only deliver full power to a load (speaker) also
having 500 Ω of impedance. Such a load would drop higher voltage and draw less current than an 8 Ω
Pulse transformer:
speaker dissipating the same amount of power. If an 8 Ω speaker were connected directly to the 500 Ω A pulse transformer is a transformer that is
amplifier as shown, the impedance mismatch would result in very poor (low peak power) performance. optimised for transmitting rectangular
Additionally, the amplifier would tend to dissipate more than its fair share of power in the form of heat electrical pulses (that is, pulses with fast rise
trying to drive the low impedance speaker. and fall times and a relatively constant
To make this system work better, we can use a transformer to match these mismatched impedances.
amplitude). Small versions called signal types
Since we're going from a high impedance (high voltage, low current) supply to a low impedance (low
voltage, high current) load, we'll need to use a step-down transformer: are used in digital logic and
telecommunications circuits, often for
To obtain an impedance transformation ratio
matching logic drivers to transmission lines.
of 500:8, we would need a winding ratio
equal to the square root of 500:8 (the square
Medium-sized power versions are used in
root of 62.5:1, or 7.906:1). With such a power-control circuits such as camera flash
transformer in place, the speaker will load controllers. Larger power versions are used in
the amplifier to just the right degree, the electrical power distribution industry to
drawing power at the correct voltage and interface low-voltage control circuitry to the
current levels to satisfy the Maximum high-voltage gates of power semiconductors.
Power Transfer Theorem and make for the Special high voltage pulse transformers are
most efficient power delivery to the load. also used to generate high power pulses for
The use of a transformer in this capacity is
called impedance matching.
radar, particle accelerators, or other high
energy pulse power applications.
Resonant transformers Switching Transformers

A resonant transformer operates at the resonant frequency of one or more of its coils and (usually) an Switch mode power transformers (and supplies) get their name from the
external capacitor. The resonant coil, usually the secondary, acts as an inductor, and is connected in switching action needed to sustain transformer operation. By controlling the
series with a capacitor. When the primary coil is driven by a periodic source of alternating current, such amount of “on time” and “off time” of the switches, one can also control the
as a square or sawtooth wave at the resonant frequency, each pulse of current helps to build up an amount of power delivered to the transformer’s load (or load circuit). The
oscillation in the secondary coil. Due to resonance, a very high voltage can develop across the voltage can be fed to the switch mode power transformer in voltage pulses.
secondary, until it is limited by some process such as electrical breakdown. These devices are used to The pulse duration is a portion of an overall cycle time. The cycle time is
generate high alternating voltages, and the current available can be much larger than that from equal to the inverse of the operating frequency. The terms “duty cycle” and
electrostatic machines such as the Van de Graaff generator. “pulse width modulation” arise from the control of the switching “on time”
and “off time”.
Applications: switching power supplies, alarm system, chargers, TV &
CRT monitor displays, UPS, VCD / DVD players, audio & visual
equipment, OA machines, inverter
A 25 kV flyback transformer being used to

generate an arc.
47/176
Ghi chú Ghi chú
48/176
Lecture 3- Semiconductor (Chất bán dẫn)
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 1. Định nghĩa chất bán dẫn

2. Cấu trúc mạng tinh thể chất bán dẫn
ELECTRONIC DEVICES
3. Chất bán dẫn thuần
4. Chất bán dẫn không thuần
Lecture 3- Semiconductor (Chất bán dẫn) 5. Dòng điện trong chất bán dẫn
6. Độ dẫn điện chất bán dẫn
Đỗ Mạnh Hà
8/2009
Ha M. Do - PTIT Lecture 3 1
1. Định nghĩa 2. Cấu trúc mạng tinh thể chất bán dẫn đơn Si
- Chất bán dẫn là vật chất có điện trở suất nằm ở giữa trị số điện trở suất của
chất dẫn điện và chất điện môi khi ở nhiệt độ phòng, ρ = 10-4 ÷ 107 Ω.m
Mỗi nguyên tử Si liên kết với
- Chất bán dẫn là chất mà trong cấu trúc dải năng lượng có độ rộng
4 nguyên tử bên cạnh
vùng cấm là 0<EG<2eV.
- Chất bán dẫn trong tự nhiên: Bo (B), Indi (In), Gali (Ga) ở nhóm 3, Silic
(Si), Gecmani (Ge) thuộc nhóm 4, Selen (Se), lưu huỳnh (S) ở nhóm 6, Asen o
(As) thuộc nhóm 5, v.v.. hoặc hợp chất như clorua đồng (CuCl), Asenic Canxi 2.35 A
CaAs, Oxit đồng CuO, v.v..
- Trong kỹ thuật điện tử hiện nay sử dụng một số chất bán dẫn có cấu trúc o
đơn tinh thể. Quan trọng nhất là hai nguyên tố Gecmani và Silic. 5.43 A
- Đặc điểm của cấu trúc mạng tinh thể này là độ dẫn điện của nó rất nhỏ khi
ở nhiệt độ thấp và nó sẽ tăng theo lũy thừa với sự tăng của nhiệt độ và tăng gấp
bội khi có trộn thêm ít tạp chất. Do đó đặc điểm cơ bản của chất bán dẫn là độ
dẫn điện phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ môi trường và nồng độ tạp chất, ngoài ra
còn phụ thuộc vào ánh sáng, bức xạ ion hóa, v.v..
49/176
Cấu trúc mạng tinh thể của chất bán dẫn ghép 3. Chất bán dẫn thuần (Intrinsic semiconductor)
- Chất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể của nó chỉ có nguyên
tử của một loại nguyên tố, ví dụ như các tinh thể Ge (gecmani) Si
(silic) nguyên chất ...
- Ví dụ xét tinh thể Si, EG= 1,21eV (tại nhiệt độ 300K)
Ga
Si Dải E
Si Si
+4 +4 +4 dẫn
Điện tử
EC
As Si EG < 2 eV
Si Si
+4 +4 +4 EV
Lỗ trống
•Chất bán dẫn ghép: Hợp chất của các nguyên tử thuộc phân nhóm chính
Si Dải
nhóm III và phân nhóm chính nhóm V: GaAs, GaP, GaN, … quan trọng Si Si
+4 +4 +4 hoá trị
trong các cấu kiện quang điện và IC tốc độ cao
Sự tạo thành lỗ trống và điện tử tự do Độ dẫn điện của chất bán dẫn σ
- Ở nhiệt độ phòng một số liên kết Si 1

Si Si σ=
cộng hóa trị bị phá vỡ tạo ra điện +4 +4 +4 ρ
tử tự do và lỗ trống.
- Lỗ trống cũng có khả năng dẫn Si
σ = (n.μ n + p.μ p ).q
Si Si
điện như điện tử tự do, mang điện +4 +4 +4
tích và có cùng độ lớn với điện tích μn - độ linh động của điện tử tự do
Điện tử
điện tử. Lỗ trống tự do
μp - độ linh động của lỗ trống
- Bán dẫn thuần có nồng độ hạt dẫn Si
Si Si q – điện tích của điện tử q=1,6.10-19C
lỗ trống và nồng độ hạt dẫn điện tử +4 +4 +4
bằng nhau: p = n = pi = ni + Mật độ dòng điện khi chất bán dẫn đặt trong điện trường ngoài E:
J = σ .E = (n.μ n + p.μ p ).q.E
50/176
Giải thích các thuật ngữ Quá trình tạo hạt tải điện và quá trình tái hợp
- Nồng độ điện tử tự do trong chất bán dẫn (Electron - Quá trình tạo ra hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần chủ yếu là do năng lượng
Concentration): n [cm-3]-số lượng điện tử tự do trong một đơn vị thể nhiệt “thermal generation”, tốc độ tạo hạt tải điện tăng theo hàm mũ của nhiệt
tích chất bán dẫn (ni, nn, np). độ T.
- Nồng độ lỗ trống trong chất bán dẫn (Hole Concentration):p [cm-3] - Ngoài ra một quá trình tạo hạt tải điện khác là do năng lượng quang học
- số lượng lỗ trống trong một đơn vị thể tích chất bán dẫn (pi, pn, pp). “optical generation”. Điện tử trong dải hóa trị có thể nhận năng lượng của
- Độ linh động của điện tử tự do (Electron Mobility): μn[cm2/(V.s)] – photon ánh sáng truyền tới và nhảy lên dải dẫn. Ví dụ trong bán dẫn thuần Si
Tham số xác định mức độ phân tán của điện tử trong chất bán dẫn, tỉ lệ năng lượng tối thiểu cần thiết là 1.1eV, tương đương với ánh sáng bước sóng
thuận với vận tốc khuyếch tán của điện tử và cường độ trường điện ~1 μm.
trường, cũng như tỉ lệ giữa nồng độ điện tử và độ dẫn điện của chất bán - Trong chất bán dẫn cũng xảy ra quá trình tái hợp giữa điện tử tự do và lỗ trống
dẫn. và giải phóng năng lượng theo cách:
- Độ linh động của lỗ trống (Hole Mobility) : μp[cm2/(V.s)] - Tham số 1.Tạo ra nhiệt lượng làm nóng chất bán dẫn: “thermal recombination”
xác định mức độ phân tán của lỗ trống trong chất bán dẫn, tỉ lệ thuận
với vận tốc khuyếch tán của lỗ trống và cường độ trường điện trường, 2. Phát xạ ra photon ánh sáng “optical recombination”
cũng như tỉ lệ giữa nồng độ lỗ trống và độ dẫn điện của chất bán dẫn
“Optical recombination” rất hiếm xảy ra trong trong chất bán dẫn thuần Si,
- Độ dẫn điện (Electrical conductivity): σ [Ω.m]-1 - tham số đo khả Ge mà chủ yếu xảy ra trong các loại vật liệu bán dẫn ghép
năng dẫn dòng điện thông qua một đơn vị vật liệu, σ = 1/ρ. - Quá trình tạo và tái hợp liên tục xảy ra trong chất bán dẫn, và đạt trạng thái cân bằng
khi tốc độ của 2 quá trình đó bằng nhau.
Quá trình tạo hạt tải điện và quá trình tái hợp So sánh các đặc tính của Si và Ge
- Tốc độ tạo hạt tải điện phụ thuộc vào T nhưng lại độc lập với n và p - Các đặc tính Ge Si
nồng độ của điện tử tự do và của lỗ trống :
Số nguyên tử------------------------------------------- 32 14
G = Gthermal (T ) + Goptical Nguyên tử lượng--------------------------------------- 72,6 28,1
- Trong khi đó tốc độ tái hợp lại tỷ lệ thuận với cả n và p Tỷ trọng (g/cm3)--------------------------------------- 5,32 2,33
R ∝ np Hằng số điện môi--------------------------------------
Số nguyên tử/cm3 -------------------------------------
16
4,4.1022
12
5,0.1022
- Trạng thái ổn định xảy ra khi tốc độ tạo và tái hợp cân bằng EG0,eV, ở 00K (năng lượng vùng cấm)-------------- 0,785 1,21
EG, eV, ở 3000K -------------------------------------- 0,72 1,1
G=R ⇒ np = f (T ) ni ở 3000K , cm-3 (nồng độ hạt dẫn điện tử) ------- 2,5.1013 1,5.1010
Điện trở suất nguyên tính ở 3000K [Ω.cm] ------- 45 230
- Nếu trong trường hợp không có các nguồn quang và nguồn điện trường μn , cm2/ V-sec --------------------------------------- 3800 1300
ngoài, trạng thài ổn định được gọi là trạng thái cân bằng nhiệt μp ,cm2/ V-sec --------------------------------------- 1800 500
“thermal equilibrium” hay định luật Mass-action: Dn , cm2/ sec = μn.VT -------------------------------- 99 34
Dp , cm2/ sec = μp.VT ------------------------------- 47 13
np = ni2 (T )
51/176
Hàm phân bố Fermi-Dirac Hàm phân bố Fermi-Dirac
- Là cơ sở để xét sự phân bố hạt tải điện trong chất bán dẫn. - Bằng cách áp dụng nguyên lý trên kèm theo với nguyên lý loại trừ Pauli
- Khi xét một hệ gồm nhiều hạt giống hệt nhau có thể nằm trên nhiều người ta đã tính toán ra lời giải là hàm phân bố Fermi-Dirac: Xác suất
mức năng lượng khác nhau bao giờ cũng nảy sinh vấn đề hàm phân bố, mức năng lượng E [eV] bị điện tử lấp đầy tại nhiệt độ T tuân theo hàm
bởi vì để xét các tính chất khác nhau của hệ trước hết ta cần phải biết phân bố Fermi- Dirac như sau:
các hạt này phân bố theo các mức năng lượng trên như thế nào? f(E)
1
- Xét hệ gồm N điện tử tự do nằm ở trạng thái cân bằng nhiệt tại nhiệt f (E) =
độ T. Phân bố các điện tử đó tuân theo nguyên lý loại trừ Pauli. Tìm ⎛ E − EF ⎞
exp⎜ ⎟ +1 1
T=00K
phân bố của các điện tử theo các mức năng lượng? ⎝ KT ⎠
- Nguyên lý loại trừ Pauli là hệ quả của một nguyên lý cơ bản hơn, đó là -Trong đó
T=3000K
nguyên lý không phân biệt giữa các hạt giống nhau áp dụng vào trường K: Hằng số Boltzmann (eV/ 0K) 0,5 T=25000K
hợp hệ gồm các hạt farmion (các hạt có spin là bội 1/2). K= 8,62×10-5 eV/0K
- Áp dụng nguyên lý năng lượng tối thiểu: “xác suất để một hệ gồm N T - Nhiệt độ đo bằng 0K 0
hạt giống hệt nhau nằm trong trạng thái năng lượng E tỷ lệ nghịch với -1 0 0,2 1 (E-EF)
EF - Mức Fermi (eV)
E theo hàm mũ exp, cụ thể là:
- EF: mức năng lượng Fermi là mức năng lượng lớn nhất còn bị e- lấp đầy
PN(E) ~ exp(-E/kT).
tại nhiệt độ T=00 K
Hàm phân bố Fermi-Dirac Hàm phân bố Fermi-Dirac
- Phân tích hàm Fermi-Dirac: Nhận xét hàm phân bố Fermi-Dirac:

1 - Tại 00K, f(E) = 1 khi E < EF . Như vậy tất cả các mức năng lượng thấp
f (E) = E
⎛ E − EF ⎞ hơn EF đều bị điện tử chiếm đóng và tất cả các mức năng lượng cao
exp⎜ ⎟ +1
⎝ KT ⎠ Vùng dẫn hơn EF đều trống rỗng.
T = 10000K
T = 3000K - Xác suất các vùng chiếm đóng khi T > 00K đều luôn bằng 1/2 tại E =
T= 00K
EC EF , không phụ thuộc vào nhiệt độ.
E > EF => f(E) = 0 E < EF => f(E) = 1
- Hàm f(E) đối xứng qua điểm F, do đó, xác suất điện tử chiếm đóng ở
F
T > 00K (T=3000K; KT=26.10-3eV) EF EG mức năng lượng EF + ΔE bằng xác suất các mức năng lượng mà điện
( EF − E ) EV
T= 00K tử không chiếm đóng ở mức EF - ΔE .
E - EF >>KT ⇒ f (E) ≈ e KT
Vùng hoá trị - Xác suất mức năng lượng không bị điện tử chiếm đóng sẽ là:
( E − EF )
E - EF <<- KT ⇒ f ( E ) ≈ 1 − e KT 1
0 0.5 1 f(E) 1 − f (E) = 1 −
⎛ E − EF ⎞
EC [eV]- Đáy của vùng dẫn exp ⎜ ⎟ +1
1 EV [eV]- Đỉnh của vùng hóa trị ⎝ KT ⎠
f ( EF ) = ∀T
2 - Trong chất bán dẫn, xác suất mức năng lượng E [eV] bị điện tử điền đầy
EF [eV]- Mức năng lượng Fermi cũng tuân theo hàm phân bố Fermi-Dirac.
52/176
Nồng độ hạt tải điện trong chất bán dẫn Tính nồng độ hạt tải điện trong chất bán dẫn
- Tính nồng độ điện tử tự do trong vùng dẫn n: - Tính nồng độ lỗ trống trong vùng hóa trị p:
+ Nồng độ hạt dẫn điện tử tự do nằm trong mức năng lượng từ E đến + Nồng độ hạt dẫn lỗ trống nằm trong mức năng lượng từ E đến E+dE trong
E+dE trong dải dẫn là dn [số điện tử/m3]: dải hóa trị là dp [số lỗ trống/m3]:
dn=2.N(E).f(E).dE dp=2.N(E).(1-f(E)).dE
+ N(E) - là mật độ trạng thái trong dải dẫn (số lượng trạng thái/ eV/ m3). + N(E) - là mật độ trạng thái trong dải hóa trị (số lượng trạng thái/ eV/ m3).
4π 4π
N (E ) = γ .( E − EC )1/ 2 γ = 3 ( 2mn ) 3 / 2 .( qn ) 3 / 2 N (E ) = γ .( EV − E )1/ 2 γ = 3 (2m p ) 3 / 2 .( q p ) 3 / 2
h h
∞ ∞ ( EF − E ) EV EV
( E − EF )
n = ∫ 2.N ( E ). f ( E ).dE ≅ ∫ 2.γ .(E − EC ) .e p = ∫ 2.N ( E ).(1 − f ( E )).dE ≅ ∫ 2.γ .(EV − E ) .e
1/ 2 1/ 2
KT
dE KT
dE
EC EC 0 0
3/ 2
⎛ 2πm p kT ⎞
3/ 2
( E F − EC ) ⎛ 2πmn kT ⎞ ( EV − E F )
N C = 2.⎜ ⎟ NV = 2.⎜⎜ ⎟⎟
n = N C .e KT
⎝ h
2
⎠ p = NV .e KT
⎝ h
2
⎠
Mật độ trạng thái hiệu dụng trong vùng dẫn Mật độ trạng thái hiệu dụng trong vùng hóa trị
mn – Khối lượng hiệu dụng của điện tử tự do mp – Khối lượng hiệu dụng của lỗ trống
k[J/0K] – Hằng số Boltzmann, h – hằng số Plank , T [0K] k[J/0K] – Hằng số Boltzman, h – hằng số Plank , T [0K]
Khối lượng hiệu dụng Tính nồng độ hạt tải điện trong chất bán dẫn
EC − EV
- Khảo sát gia tốc của điện tử khi đặt trong điện trường ở môi trường Xét tích: n. p = N N .e − KT
= N C NV .e − EG / KT
C V
chân không và chất bán dẫn: 3
⎛ 2π .k ⎞
Trong chân không n. p = ni2 = pi2 = A.T 3 .e − EG / KT A = 4.⎜ 2 ⎟ .(mn .m p ) =
3/ 2
Trong chất bán dẫn
⎝ h ⎠
E C + EV 3 mp
Với bán dẫn thuần n i = p i ⇒ E F = + kT ln
i
2 4 mn
mp, mn là khối lượng hiệu dụng của hạt tải điện lỗ trống và điện tử tự do,
F = (-q) = moa F = (-q) = mna chúng phụ thuộc vào cấu trúc dải năng lượng. E C + EV
: cường độ điện trường mn khối lượng hiệu dụng của điện tử -Nếu mp≅ mn thì mức Fermi EFi nằm giữa vùng cấm. E F = 2 i
−q ε qε -Nếu mp≠mn mức Fermi chỉ nằm giữa vùng cấm khi T=00K
Điện tử: a = Lỗ trống: a =
mn mp
Nồng độ hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần ở nhiệt độ phòng rất nhỏ,
Si Ge GaAs nên chất bán dẫn thuần có khả năng dẫn điện kém.
m n /m 0 0.26 0.12 0.068
m p /m 0 0.39 0.30 0.50 ni = N c N v e − EG / 2 kT
53/176
Bán dẫn thuần Si 4. Chất bán dẫn không thuần
- Chất bán dẫn mà một số nguyên tử ở nút của mạng tinh thể của nó được
thay thế bằng nguyên tử của chất khác gọi là chất bán dẫn không thuần.
conduction - Có hai loại chất bán dẫn không thuần:
+ Chất bán dẫn không thuần loại N – gọi tắt là Bán dẫn loại N
+ Chất bán dẫn không thuần loại P – gọi tắt là Bán dẫn loại P
Donors: P, As, Sb Acceptors: B, Al, Ga, In
ni ≅ 1010 cm-3 at room temperature
a. Chất bán dẫn loại N (chất bán dẫn không thuần loại cho) a. Chất bán dẫn loại N (chất bán dẫn không thuần loại cho)
- Thêm một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm 5, thí dụ As, P, Sb… vào - Nồng độ điện tự tự do trong chất bán dẫn loại N tăng nhanh, nên tốc độ
chất bán dẫn thuần Ge hoặc Si. Trong nút mạng nguyên tử tạp chất sẽ tái hợp tăng nhanh, do đó nồng độ lỗ trống giảm xuống nhỏ hơn nồng
đưa 4 điện tử trong 5 điện tử hóa trị của nó tham gia vào liên kết cộng độ có thể có trong bán dẫn thuần.
hóa trị với 4 nguyên tử Ge (hoặc Si) ở bên cạnh; còn điện tử thứ 5 sẽ thừa - Trong chất bán dẫn loại N, nồng độ hạt dẫn điện tử (nn) nhiều hơn
ra và liên kết của nó trong mạng tinh thể là rất yếu, ở nhiệt độ phòng nhiều nồng độ lỗ trống pn và điện tử được gọi là hạt dẫn đa số, lỗ trống
cũng dễ dàng tách ra trở thành hạt tải điện - điện tử tự do trong tinh thể được gọi là hạt dẫn thiểu số.
và nguyên tử tạp chất cho điện tử trở thành các ion dương cố định. nn >> pn
E
Si nn=Nd+pn≈ Nd
Si Si
+4 +4 +4 Vùng dẫn Nd – Nồng độ ion nguyên tử tạp chất cho (Donor)
Si e5 0,01eV
Sb Si EC
+4 +5 +4 ED
Mức cho
Si Si Si EG
EV
+4 +4 +4
Vùng hoá trị
54/176
b. Chất bán dẫn loại P (chất bán dẫn không thuần loại nhận) b. Chất bán dẫn loại P (chất bán dẫn không thuần loại nhận)
- Thêm một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm 3, thí dụ In, Bo, Ga… vào chất - Nồng độ lỗ trống trong chất bán dẫn loại P tăng nhanh, nên tốc độ tái
bán dẫn thuần Ge hoặc Si. Trong nút mạng nguyên tử tạp chất chỉ có 3 điện tử hợp tăng nhanh, đo đó nồng độ lỗ điện tử tự do giảm xuống nhỏ hơn
hóa trị đưa ra tạo liên kết cộng hóa trị với 3 nguyên tử Ge (hoặc Si) ở bên cạnh, nồng độ có thể có trong bán dẫn thuần.
mối liên kết thứ 4 để trống và tạo thành một lỗ trống. Điện tử của mối liên kết
- Trong chất bán dẫn loại P, nồng độ hạt dẫn lỗ trống (pp) nhiều hơn
gần đó có thể nhảy sang để hoàn chỉnh mối liên kết thứ 4 còn để trống đó.
Nguyên tử tạp chất vừa nhận thêm điện tử sẽ trở thành ion âm và ngược lại ở nhiều nồng độ điện tử tự do np và lỗ trống được gọi là hạt dẫn đa số,
nguyên tử Ge/Si vừa có 1 điện tử chuyển đi sẽ tạo ra một lỗ trống và nguyên tử điện tử tự do được gọi là hạt dẫn thiểu số.
này sẽ trở thành ion dương cố định. pp >> np
E pp=Na+np≈ Na
Si Si Si
+4 +4 +4 Vùng dẫn Na – Nồng độ ion nguyên tử tạp chất nhận (Acceptor)
Si In Si EC
+4 +3 +4
EG
EA Mức nhận 0,01eV
Si Si Si
+4 +4 +4 EV
Vùng hoá trị
Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần
Tổng quát trong chất bán dẫn ta có: (Định luật “mass-action”) - Trong thực tế Silicon thường được pha tạp cả chất Donor và Acceptor.
Giả sử nồng độ pha tạp tương ứng là Nd, Na .
n. p = ni2 = pi2 = A.T 3 .e − EG / KT = 3,9.T 3 / 2 e − EG / 2 KT [cm −3 ]
- Để tạo thành bán dẫn N thì Nd>Na, Điện tử cho của nguyên tử Donor sẽ
- Trong chất bán dẫn loại N: ion hóa tất cả các nguyên tử Acceptor để hoàn thành liên kết còn thiếu
ni2 ni2 điện tử, nồng độ nguyên tử Donor tạo ra điện tử tự do là: Nd-Na, quá
pn = = trình như vậy gọi là quá trình bù “Compensation”. Điện tích trong chất
nn N d
bán dẫn N trung hòa nên:
- Trong chất bán dẫn loại P: Nd- Na + p - n = 0.
ni2 ni2 ni2
np = =
pp Na
p = n − (Nd − Na ) =
n
n 2 − ( N d − N a ).n − ni2 = 0
n=
(N d − N a ) + (N d − N a ) 1+
4ni2
2 2 (N d − N a )2
- Nếu Nd>>Na nên Nd-Na>>ni thì có thể tính gần đúng nồng độ các loại
hạt tải điện như như sau: ni2
n ≅ Nd − Na p≅
55/176 Nd − Na
Nồng độ hạt tải điện trong bán dẫn không thuần Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần
- Tương tự để tạo thành bán dẫn P thì Na>Nd, trong bán dẫn cũng xảy ra - Mức Fermi trong chất bán dẫn N (Nd càng tăng mức Fermi càng tiến gần
quá trình bù, tính toán tương tự ta có nồng độ lỗ trống trong trường hợp tới đáy của dải dẫn):
này được tính như sau: ( E F − EC ) NC
(N a − N d ) + (N a − N d ) 4n 2 nn = N C .e KT
= Nd EF = EC − KT ln
Nd
p= 1+ i
2 2 (N a − N d )2
- Nếu Na>>Nd nên Na-Nd>>ni thì có thể tính gần đúng nồng độ các loại
hạt tải điện như như sau:
ni2
p ≅ Na − Nd n≅ EF
Na − Nd
i
Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần Mức Fermi trong chất bán dẫn không thuần
- Mức Fermi trong chất bán dẫn P (Na càng tăng mức Fermi càng tiến gần - Mức Fecmi trong bán dẫn không thuần là một hàm của nhiệt độ cho các
xuống đỉnh của dải hóa trị): giá trị nồng độ tạp chất khác nhau (Ví dụ với Si).
( EV − E F ) NV
p = NV .e KT
= Na EF = EV + KT ln
Na
i
EF
56/176
Quan hệ nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn thuần và không thuần 5. Dòng điện trong chất bán dẫn
-Giả sử mức mức Fermi của bán dẫn thuần là EF = EFi - Dòng điện khuếch tán: Dòng điện tạo ra do sự chuyển động ngẫu nhiên do
-Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn thuần ni=pi : nhiệt của các hạt tải điện (thông thường giá trị trung bình =0, nên bỏ qua) và
sự khuếch tán các hạt tải điện từ vùng có mật độ cao sang vùng có mật độ thấp
hơn: dn dp
n = ni = N c e − ( Ec − EFi ) / kT p = ni = Nve−( EFi −Ev ) / kT J diff ( n ) = q . D n
dx
J diff ( p ) = − q . D p
dx 3 2
1
( Ec − E F i ) / kT - ( DP [m2/sec] - là hệ số khuếch tán của lỗ trống; 4 electron
⇒ N c = ni e ⇒ Nv = ni e( EFi −Ev ) / kT Dn - là hệ số khuếch tán của điện tử; 5
- Nồng hạt dẫn trong chất bán dẫn không thuần là: dP/dx, dn/dx gradient nồng độ lỗ trống và điện tử tự do)
2
( E F − EC ) 3
( E F − E Fi ) / kT
n = ni e
1
n = N C .e kT 4 electron
5
( EV − E F )
E
p = NV .e kT
p = ni e ( EFi − EF ) / kT - Dòng diện trôi (Dòng điện cuốn): Dòng chuyển dịch của các hạt tải điện do
tác động của điện trường E:
Jdriff =Jdriff(n) + Jdriff(p) = σ.E = q(nμn + pμp).E
5. Dòng điện trong chất bán dẫn 6. Độ dẫn điện chất bán dẫn
- Dòng tổng cộng trong chất bán dẫn: - Độ dẫn điện của chất bán dẫn khi có cả 2 hạt tải điện tham gia
J = Jdriff + Jdiff = Jn + Jp σ = q(nμn + pμp)
dn dp - Với bán dẫn loại n, n>>p, độ dẫn điện là:
J n = J driff ( n ) + J diff (n ) = qnμ n E + qDn J p = J driff ( p ) + J diff ( p ) = qpμ p E − qD p
dx dx σn = qNDμn [(Ω.m)-1]
- “Einstein Relation”: Độ linh động μ và hệ số khuếch tán D được xác - Với bán dẫn loại p, p>>n, độ dẫn điện là:
theo mô hình vật lý dựa trên cơ sở một số lượng lớn hạt tải chịu những σp = qNAμp [(Ω.m)-1]
chuyển động nhiệt ngẫu nhiên với sự va chạm thường xuyên, 2 hằng số + Chất tạp càng nhiều thì điện trở suất càng giảm, tuy nhiên độ linh động
này tỉ lệ với nhau theo “Einstein Relation” như sau: μnvà μp lại giảm khi nồng độ chất pha tạp tăng, như vậy cơ chế dẫn điện
D kT Hằng số Boltzmann k =1,38.10-23 [J/0K] trong vùng pha tạp mạnh tương đối phức tạp
= q [C] – điện tích hạt tải, T [0K ]
μ q - Nồng độ giới hạn các nguyên tử tạp chất muốn đưa vào tinh thể bán dẫn
- Áp dụng công thức trên cho điện tử tự do và lỗ trống trong chất bán dẫn được quyết định bởi giới hạn hòa tan của tạp chất ấy. Nếu vượt quá giới
kT kT hạn này thì hiện tượng kết tủa sẽ xảy ra, khi đó tạp chất sẽ không còn
Dn = μ n Dp = μp
q q có các tính chất như mong muốn nữa.
- Điện áp nhiệt “Thermal Voltage”: kT
V th =
q 57/176
Độ linh động của hạt tải điện Tổng kết
- Chất bán dẫn thuần, không thuần.
Vận tốc dịch chuyển của hạt tải điện tỷ lệ thuận với điện trường ngoài:
- Hàm phân bố Fermi-Dirac, Mức Fermi…
|v|=μE μ Độ linh động - Nồng độ hạt tải trong chất bán dẫn:
(Units: cm2/V•s) n. p = ni2 = pi2 p = ni e ( EFi − EF ) / kT n = n i e ( E F − E Fi ) / kT

- Nồng độ điện tử tự do và lỗ trống trong chất bán dẫn có thể thay đổi do:
Pha tạp, Điện từ trường, Nhiệt độ, Chiếu sáng.
μn Note: Độ linh động

-
-
Mức Fermi trong chất bán dẫn thay đổi theo nồng độ pha tạp
Chất bán dẫn thuần có độ dẫn điện nhỏ, chất bán dẫn không thuần độ dẫn
phụ thuộc vào nồng
μp độ chất pha tạp tổng
cộng (ND + NA) !
điện lớn.
σ = q ( n .μ n + q .μ q )
dn dp
J n = J driff ( n ) + J diff (n ) = qnμ n E + qDn J p = J driff ( p ) + J diff ( p ) = qpμ p E − qD p
dx dx
kT kT kT
J = Jn + J p Dn = μn Dp = μ p V th =
q q q
Một số hằng số Ghi chú
- Electronic charge, q = 1,6×10-19 C

- Permittivity of free space, εo = 8,854×10-14 F/cm
-Boltzmann constant, K = 8,62×10-5 eV/K,
k=1,38 × 10-23 J/K
- Planck constant, h = 4.14×10-15 eV•s
- Free electron mass, m0= me = 9.1×10-31 kg
- Thermal voltage Vth= kT/q = 26 mV (at T= 3000K)
Si Ge GaAs
m n /m 0 0.26 0.12 0.068
m p /m 0 0.39 0.30 0.50
at T= 300 K Si Ge GaAs InAs
2
μ n (cm /V·s) 1400 3900 8500 30000
μ p (cm2/V·s) 470 1900 400 500
58/176
Ghi chú
59/176
Phân loại cấu kiện bán dẫn và vi điện tử
ELECTRONIC DEVICES Cấu kiện bán dẫn và vi điện tử
- Tiếp xúc Kim loại bán dẫn: Điốt Sốtki, Transistor Sốtki
- Tiếp xúc P-N:
Một tiếp giáp P-N: Điốt chỉnh lưu, Điốt ổn áp, Điốt Tunen,
Điốt thác lũ, Điốt ngược, Điốt biến dung, Điốt hay đáy (UJT)
Lecture 4- P-N Junctions (Tiếp giáp P-N) Hai tiếp giáp P-N: BJT
Ba tiếp giáp P-N:Thyristor,Triac,Các cấu kiện chỉnh lưu có ĐK khác
- Hiệu ứng trường: JFET, MOSFET
Đỗ Mạnh Hà - Không có tiếp xúc P-N: Tesmisto, Varisto, Điốt Gan, …
- Quang bán dẫn:
KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1 Hiệu ứng quang áp và quang trở: Điện trở quang, Điốt quang,
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG - PTIT Transistor quang, Transistor trường quang, Thyristor quang,
Hiệu ứng điện phát quang: Điốt phát quang (LED),Laser bán dẫn…
- Cấu kiện thụ động tích hợp: R, L, C
8/2009
Vi điện tử
Lecture 4- P-N Junctions (Tiếp giáp P-N) 1. Trường tĩnh điện trong chất bán dẫn ở ĐK cân bằng nhiệt
- Xác định mối quan hệ giữa điện trường, điện thế tĩnh điện, và mật độ
1. Trường tĩnh điện trong chất bán dẫn ở ĐK cân bằng nhiệt điện tích trong các cấu trúc bán dẫn.
1.1 Chất bán dẫn nồng độ pha tạp không đồng đều - Quan hệ giữa điện thế và nồng độ hạt tải điện trong điều kiện cân bằng
1.2 Quan hệ Boltzman(Quan hệ giữa điện thế φ(x) và nồng độ nhiệt
hạt tải điện)
2. Tiếp giáp PN
2.0 Giới thiệu chung
2.1. Chuyển tiếp PN ở trạng thái cân bằng nhiệt
2.2. Chuyển tiếp PN khi có điện áp phân cực
2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN
2.4. Cơ chế đánh thủng trong tiếp giáp PN
2.5. Điện dung của chuyển tiếp PN
60/176
1.1 Chất bán dẫn nồng độ pha tạp không đồng đều 1.1 Chất bán dẫn nồng độ pha tạp không đồng đều
- Xét chất bán dẫn n có nồng độ pha tạp đồng đều - Xét chất bán dẫn n-Si có nồng độ pha tạp không đồng đều
+ Nồng độ điện tử trong bán dẫn xác định như thế nào ở điều kiện cân
bằng nhiệt?
+ Hạt tải điện đa số là điện tử, có rất ít lỗ trống, nồng độ điện tử đồng đều - Ban đầu mới hình thành do có sự chênh lệch về nồng độ hạt tải điện
không phụ thuộc vào vị trí X: n0=Nd nên có dòng khuếch tán, sau đó chất bán dẫn đạt điều kiện cân bằng
+ Mật độ điện tích trong chất bán dẫn n: ρ [C/cm3] nhiệt và phân bố nồng độ điện tử trong trường hợp này n0(x)≠Nd(x),
như vậy trong chất bán dẫn sẽ tạo ra những vùng tích điện, vì vậy tạo ra
ρ= ρ(+)- ρ(-)= q.Nd – q.n0 trường tĩnh điện bên trong chất bán dẫn.
ρ = q. (Nd-n0)=0 - Ở điều kiện cân bằng nhiệt: Jn = 0 và Jp = 0 ở bất kỳ vị trị x nào
+ Như vậy không hình thành các vùng tích điện không gian trong bán dẫn Jn(x) = Jdrift(n)(x) + Jdiff(n)(x) = 0
có nồng độ pha tạp đồng đều. - Vậy n0(x)=? để thỏa mãn điều kiện trên?
Tích điện + - Điện trường trong chất bán dẫn ?
+ Phương trình Gauss: dE = ρ Trong đó: εs- hệ số điện môi tuyệt đối.
dx εs
+ Điện trường trong chất bán dẫn
Tích điện -
được xác định:
x
1
E ( x ) − E (0) = ∫ ρ (x )
εs 0
- Điện thế tĩnh điện φ(x) ?

dφ
= −E
dx
+ n0(x)≠Nd(x) điều này dẫn đến hình thành các vùng tích điện x
+ Mật độ điện tích không gian được xác định: φ ( x ) − φ (0 ) = − ∫ E ( x )dx

0
ρ(x) = q[Nd(x) − n0(x)]
Đặt φ(0)= φref
61/176
- Xác định n0(x), ρ(x), E(x), và φ(x) ? d 2 ln n0 q2

- Xuất phát từ các PT: = (n − N d ) (3)
dx 2 ε s kT
dn0
J n = qn0 μ n E + qDn =0 Giải phương trình trên sẽ xác định được n0(x) và các tham số còn lại.
dx
- Tuy nhiên không tìm được cách giải chung cho hầu hết các trường hợp.
dφ
= −E - Nếu Nd(x) biến thiên rất nhỏ thì n0(x) cũng biến thiên rất nhỏ, do đó
dx d2(lnn0)/dx2 rất nhỏ như vậy n0(x)≅ Nd(x), không xuất hiện các vùng điện
dθ Dn dn0 Dn d ln n0 tính không gian, trường hợp này gọi là cận trung hòa.
= = (1)
dx μ n n0 μ n dx
dE − d 2θ ρ q
= = = ( N d − n0 ) (2)
dx dx 2
εs εs
- Thay (1) và (2) ta được
d 2 ln n0 q2
= (n − N d ) (3)
dx 2 ε s kT
1.2 Quan hệ Boltzman(Quan hệ giữa φ(x) và nồng độ hạt tải điện) 1.2 Quan hệ Boltzman(Quan hệ giữa φ(x) và nồng độ hạt tải điện)
Theo PT (1) dθ = Dn d ln n0 Mà D n = kT Luật “60mV”

dx μ n dx μn q - Tại nhiệt độ phòng 3000K , với bán dẫn dùng Si ta có:
n0 n
φ = (26mV ) ln = (26mV ) ln(10) log 0
ni ni
n0
φ = (60mV ) log
Tích phân 2 vế ta có: 1010
- Tại 3000K, nếu n0 tăng 1 decac thì điện thế tĩnh điện trong chất bán dẫn
ở điều kiện cân bằng tăng 60mV.
- Với lỗ trống ta cũng có:
Mà chứng minh được: φ= φref khi n0=ni,Vậy ta có quan hệ Boltzman:
p0 p
φ = −(26mV ) ln = −(26mV ) ln(10) log 0
ni ni
p0
φ = −(60mV ) log 10
Tương tự với lỗ trống ta có: 10
62/176
1.2 Quan hệ Boltzman(Quan hệ giữa φ(x) và nồng độ hạt tải điện) 2. Tiếp giáp PN
2.0 Giới thiệu chung

2.1. Chuyển tiếp PN ở trạng thái cân bằng nhiệt
2.2. Chuyển tiếp PN khi có điện áp phân cực
2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN
2.4. Cơ chế đánh thủng trong tiếp giáp PN
2.5. Điện dung của chuyển tiếp PN
Giới thiệu chung 2.1. Chuyển tiếp PN ở trạng thái cân bằng nhiệt
- Khi bán dẫn P, N tiếp xúc với nhau, - Phân bố tạp chất có tính chất đột biến.
metal
tại miền tiếp xúc hình thành chuyển - Nồng độ hạt tải điện khi chưa tiếp xúc
SiO2 SiO2
tiếp P-N. Chuyển tiếp P-N được ứng
dụng để chế tạo ra nhiều loại cấu kiện n-type Si
bán dẫn khác nhau.
- Nghiên cứu nắm vững các đặc tính p-type Si
của chuyển tiếp PN là rất cần thiết để
hiểu nguyên lý làm việc của các cấu metal
kiện bán dẫn.
- Theo công nghệ chế tạo cấu kiện bán dẫn, người ta lấy một mẫu tinh thể
bán dẫn loại p (ví dụ) có nồng độ pha tạp NA, sau đó cho khuyếch tán
vào mẫu bán dẫn đó tạp chất Donor với nồng độ ND>NA từ một phía bề
mặt tinh thể với độ sâu phụ thuộc vào quá trình khuyếch tán tạo ra một - Khi có tiếp xúc P-N thì
lớp bán dẫn n có nồng độ pha tạp N’D= ND-NA tạo thành tiếp giáp PN. Sự sẽ xảy ra hiện tượng gì?
phân bố tạp chất trong tiếp giáp PN thức tế rất phức tạp, để đơn giản bài
toán chúng ta sẽ xét một chuyển tiếp lý tưởng với sự phân bố tạp chất có
tính chất đột biến.
63/176
2.1. Chuyển tiếp PN ở trạng thái cân bằng nhiệt 2.1. Chuyển tiếp PN ở trạng thái cân bằng nhiệt
p n p n
Ion cho -Khi tiếp xúc pn được mới được Vậy trong tiếp giáp PN hình thành 3
Ion - - - - - - + + + + + + - - +
hình thành, do sự chênh lệch nồng - - - - + + + + +
nhận - - - - - - + + + + + + vùng:
độ nên sẽ có sự khuếch tán điện tử - - - - - - + + + + + +
- 1 vùng điện tích không gian
Lỗ - - - - - - + + + + + + Điện và lỗ trống qua bề mặt tiếp xúc và - - - - - - + + + + + +
trống tử tự - 2 vùng bán dẫn n, p cận trung hòa
- - - - - - + + + + + + do chúng tái hợp với nhau. - - - - - - + + + + + +
-Xác định n0(x), p0(x), ρ(x), E(x), và
- Miền lân cận mặt tiếp xúc mất
-xp0 0 xn0 x
đặc tính trung hòa về điện, bên bán -xp0 0 xn0 x φ(x)?
p0 = N a log p0 ( x )
dẫn n tích điện +, bên bán dẫn p - Để đơn giản hơn ta xấp xỉ chuyển
J diff ni2 tích điện –, tạo thành miền điện tiếp như sau:
Et p0 = tích không gian và hình thành một
Nd
điện trường nội Et
− x p0 xn 0 - Et lại làm tăng sự cuốn của các
log n0 ( x ) n0 = N d hạt dẫn thiểu số của 2 lớp bán dẫn
qua tiếp giáp tạo ra dòng điện trôi.
J diff
ni2 - Chuyển tiếp PN đạt trạng thái cân
n0 = Et
Na bằng khi dòng khuếch tán Jdiff bằng
dòng trôi Jdriff .
– –++
+ Mật độ điện tích không gian:

ρ(x) = q[Nd(x) − n0(x)+ p0(x)-Na(x)]
Đuờng xấp xỉ
Đường chính xác
⎧0 x < − x p0
⎪
⎪ − qN a − x p0 < x < 0
ρ (x ) = ⎨
⎪ qN d 0 < x < xn 0
⎪0 xn 0 < x
64/176 ⎩
+ Điện thế tĩnh điện trong tiếp giáp PN
+ Điện trường trong chuyển tiếp PN:
x2 - Như đã xác định ở phần trước, theo quan hệ Boltzman, điện thế tĩnh
1
E ( x2 ) − E ( x1 ) = ∫ ρ (x ) điện trong bán dẫn n, p là:
εs x1
⎧0 x < − x p0
⎪
⎪ − qN a − x p 0 < x < 0
ρ (x ) = ⎨
⎪ qN d 0 < x < xn 0 - Trong vùng bán dẫn p cận trung hòa:
⎪0 xn 0 < x
⎩
⎧0 khi x < − x p 0 - Trong vùng bán dẫn n cận trung hòa:
⎪
⎪ − qN a (x + x ) khi − x < x < 0
⎪⎪ ε s p0 p0
E (x ) = ⎨ ?
⎪ qN d ( x − x ) khi 0 < x < x n 0
⎪ εs n0 φB – Hiệu điện thế tiếp xúc
⎪
⎪⎩0
trong chuyển tiếp PN (Hàng ?
khi x n 0 < x rào thế năng).
- Xác định điện thế tĩnh điện trong + Xác định độ rộng của chuyển tiếp PN: xp0 và xn0 = ?
vùng chuyển tiếp PN (xấp xỉ - Trong cả vùng chuyển tiếp PN có tính trung hòa về điện:
chuyển tiếp)?
- Điện thế φB(x) cũng liên tục tại x=0 do đó:
⎧ − qN a
⎪ ε (x + x p 0 ) khi − x p 0 < x < 0
⎪
E (x ) = ⎨
s
⎪ qN d ( x − x ) khi 0 < x < x n 0

⎪⎩ ε s n0 - Giải hệ 2 PT ở trên ta có:
⎧φp khi x < −xp0

⎪
⎪φ + qNa (x + x )2 khi − x < x < 0
⎪⎪ 2ε s
p p0 p0
φ ( x) = ⎨ - Độ rộng của vùng điện tích không gian:

⎪φ − qNd (x − x )2 khi 0 < x < x
⎪ n 2ε s n0 n0
⎪
⎪⎩φn khi xn0 < x
65/176
Câu trả lời

- Không thể dùng Vôn kế để đo hiệu điện thế tiếp xúc trong chuyển tiếp PN φB
-Không có dòng điện ở mạch ngoài.
=> Vì cần tính đến điện thế tiếp xúc giữa kim loại – bán dẫn
0 = φ B + φ pm + φmn
φB = −(φ pm + φmn )
Câu hỏi đặt ra
- Nếu dùng Vôn kế ngoài liệu có đo đươc hiệu điện thế tiếp xúc trong φB ?
- Nếu 2 đầu nối tiếp giáp ra mạch ngoài liệu có dòng điện ở mạch ngoài ?
2.2. Chuyển tiếp PN khi có điện áp phân cực 2.2. Chuyển tiếp PN khi có điện áp phân cực
- Điều gì sẽ xảy ra đối với trường tĩnh điện trong chuyển tiếp PN khi có - Khi có điện áp phân cực đặt vào 2 đầu của tiếp giáp PN, phân bố điện
điện áp ngoài đặt qua 2 đầu vào? thế trong tiễp giáp thay đổi ?
V > 0 – phân cực thuận

V < 0 – phân cực ngược
- Điện áp rơi trên 5 vùng như thế nào?

66/176
- Điện áp ngoài chủ yếu được đặt nên vùng chuyển tiếp PN (SCR).
- Hiệu điện thế đặt lên chuyển tiếp PN gọi là hàng rào điện thế: + Phân cực thuận:
-Điện thế tiếp xúc
= φB :Trong điều kiện cân bằng nhiệt
trong giảm.
= φB – V < φB :Trong trường hợp phân cực thuận
- Điện trường tiếp xúc
= φB – V > φB :Trong trường hợp phân cực ngược
giảm.
-Độ rộng vùng điện
tích không gian giảm
+ Phân cực ngược:

- Điện thế tiếp xúc
trong tăng.
- Điện trường tiếp xúc
tăng.
-Độ rộng vùng điện
tích không gian tăng.
- Áp dụng công thức tính trong trường hợp chuyển tiếp PN ở điều kiện Chuyển động của các hạt tải điện khi có điện áp phân cực:
cân bằng nhiệt, thay φB → φB – V - Khi đặt điện áp phân cực thuận:
- Cân bằng dòng điện bị phá vỡ
+ Phần lớn các hạt dẫn đa số có năng lượng đủ lớn dễ dàng khuếch tán
qua CT P-N. Kết quả là dòng điện qua CT P-N tăng lên và đây là thành
phần dòng điện khuếch tán. Dòng điện chạy qua chạy qua tiếp xúc P-N
khi nó phân cực thuận gọi là dòng điện thuận Ith.
+ Những hạt dẫn đa số sau khi vượt qua lớp tiếp xúc P-N vào các phần
bán dẫn P và N thì chúng trở thành các hạt dẫn thiểu số của các chất
bán dẫn này, như vậy có hiện tượng “phun" các hạt dẫn thiểu số qua
vùng điện tích không gian.
+ Khi tăng điện áp thuận lên, tiếp xúc P-N được phân cực thuận càng
mạnh, hiệu điện thế tiếp xúc càng giảm, hàng rào thế năng càng thấp
xuống, các hạt dẫn đa số khuếch tán qua tiếp xúc P-N càng nhiều nên
dòng điện thuận càng tăng và nó tăng theo qui luật hàm số mũ với điện
áp ngoài.
67/176
- Khi đặt điện áp phân cực ngược - Minh họa dòng dịch chuyển của các hạt tải điện qua chuyển tiếp PN
- Cân bằng dòng điện bị phá vỡ
- Do điện trường của lớp tiếp xúc tăng lên sẽ thúc đẩy quá trình chuyển + Phân cực thuận + Phân cực ngược
động trôi của các hạt dẫn thiểu số qua chuyển tiếp PN, tạo nên dòng
điện trôi có chiều từ bán dẫn N sang bán dẫn P và được gọi là dòng
điện ngược Ingược. Dòng khếch tán lỗ trống Dòng trôi lỗ trống
- Nếu ta tăng điện áp ngược lên, hiệu điện thế tiếp xúc càng tăng lên làm
cho dòng điện ngược tăng lên. nhưng do nồng độ các hạt dẫn thiểu số
Dòng trôi điện tử
rất nhỏ, nên dòng điện ngược nhanh chóng đạt giá trị bão hòa nào đó vì
Dòng khếch tán điện tử
thế nó còn được gọi là dòng điện ngược bão hòa IS có giá trị rất nhỏ.
- Như vậy chuyển tiếp PN có tính chất chỉnh lưu dòng điện, cho phép
dòng điện qua theo một chiều nhất định.
Phân bố dải năng lượng của tiếp giáp PN Kết luận

- Phân bố dải năng lượng của tiếp giáp PN trong điều kiện cân bằng nhiệt:
q. φB
68/176
Kết luận 2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN
- Để xác định được phương trình đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN cần
thực hiện tính toán theo các bước sau (Bỏ qua sự tái hợp của điện tử
và lỗ trống ở chuyển tiếp):
+ Tính mật độ hạt dẫn thiểu số tại biên của vùng điện tích không gian.
+ Tính toán dòng khuếch tán hạt thiểu số trong mỗi vùng bán dẫn cận
trung hòa: In, Ip, với giả thiết hàm phân bố của các hạt thiểu số của các
miền đó là tuyết tính.
+ Tính tổng dòng khuyến tán điện tử và lỗ trống: I = In + Ip
1. Tính mật độ hạt dẫn thiểu số tại biên của vùng điện tích không
gian SCR:
- Trong điều kiện cân bằng nhiệt và
2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN 2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN
Phân bố của điện tử và lỗ trống trong tiếp giáp PN - Khi có điện áp phân cực ,nhưng nếu sự sai khác của
Trong điều kiện phân cực thuận giá trị tuyệt đối dòng điện nhỏ ta có:
Trong điều kiện cân bằng nhiệt V
P - + N P - + N
=> Chúng được gọi là điều kiện
p0 n0 p n
cận cân bằng nhiệt.
p0 = N a n0 = N d p0 = N a n0 = N d
- Tại biên của vùng điện tích không
n (− x p ) p (xn )
ni2 p0 =
ni2 gian ta có:
n0 = Nd
ni2 Na
n0 = ni2
Na p0 =
Nd x x
-Wp -xp0 0 xn0 Wn -Wp -xp 0 xn Wn
Giả sử tuyến tính
69/176
- Nhưng và điều này có nghĩa là xấp 2. Tính toán dòng khuếch tán điện tử
xỉ sự phun hạt dẫn thiểu số qua chuyển tiếp ở mức thấp. trong vùng điện tích không gian phía p:
- Thay vào ta được:
(*)
- Áp dụng điều kiện biên:

- Thay: vào 2 biểu thức trên, rút gọn :
- Giải thiết n(x) thay đổi tuyến tính thì viết được phương trình của n(x)
và thay vào phương trình (*)
- Tính được
Tương tự:
3. Dòng tổng cộng I0 : Dòng bão hòa ngược
- Dòng điện tổng cộng trong điốt:
I0 : Dòng bão hòa

70/176
2.3. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp PN 2.4. Cơ chế đánh thủng trong chuyển tiếp PN
- Hiệu chỉnh phương trình đặc tuyến khi tính đến sự tái hợp của điện tử - Dòng phân cực ngược rất nhỏ, nhưng khi điện áp ngược đặt trên chuyển tiếp
và lỗ trống tại chuyển tiếp PN, phương trình đặc tuyến của tiếp giáp PN PN tăng vượt qua một giá trị nhất định dòng ngược sẽ tăng đột ngột – đó là
như sau: hiện tượng đánh thủng, hiện tương này có thể làm hỏng linh kiện nhưng có
một số loại linh kiện hoạt động dựa trên cơ chế này.
⎛ V ⎞
I = I 0 ⎜ e ηVth − 1⎟ - Hai cơ chế đánh thủng chuyển tiếp PN là:
⎝ ⎠ + Cơ chế thác lũ: Khi điện áp ngược tăng, điện trường trong miền điện tích
- Trong đó: Io- dòng bão hòa; Vth – điện áp nhiệt; η - hệ số phát xạ: không gian tăng, hạt dẫn thiểu số bị cuốn qua điện trường có động năng ngày
càng lớn, khi chuyển động chúng va đập với các nguyên tử làm bắn ra điện
+ η=1÷2 đối với tiếp giáp PN dùng Si. tử lớp ngoài của chúng, số điện tử tự do mới phát sinh do va chạm này cũng
+ η≈1 đối với tiếp giáp PN dùng Ge, và GaAs được điện trường mạnh gia tốc, chúng tiếp tục đập vào các NT mới làm bắn
+ η cũng phụ thuộc vào độ rộng của chuyển tiếp PN và như vậy cũng ra điện tử tự do. Hiện tượng này xảy ra liên tục và nhanh, khiến số hạt dẫn
trong bán dẫn tăng đột ngột, điện trở suất chuyển tiếp giảm đi, dòng qua
phụ thuộc vào điện áp làm việc của tiếp giáp PN…
chuyển tiếp PN tăng đột ngột.
+ Thông thường không có ghi chú thì thường chọn η=1 + Cơ chế xuyên hầm: Khi điện trường ngược tăng lên, còn cung cấp năng
lượng cho các điện tử lớp ngoài cùng của NT bán dẫn, nếu các điện tử này có
năng lượng đủ lớn chúng tách ra khỏi NT tạo thành điện tử tự do, NT bị ion
hóa. Nếu điện trường ngược đủ lớn hiện tượng ion hóa xảy ra nhiểu dẫn đến
số lượng hạt dẫn trong bán dẫn tăng đột ngột, làm cho dòng ngược tăng
nhanh.
2.4. Cơ chế đánh thủng trong chuyển tiếp PN 2.5. Điện dung của chuyển tiếp PN
- Trong thực tế 2 cơ chế đánh thủng xảy ra rất phức tạp, khó phân biệt,
+ Đánh thủng xuyên hầm xảy ra gần như tức thời và do điện trường trên
miền điện tích không gian quyết định, không phụ thuộc vào diện tích
miền điện tích không gian.
+ Đánh thủng thác lũ đòi hỏi phải có quá trình gia tốc cho các hạt dẫn để
chúng có động năng đủ lớn, phụ thuộc nhiều vào độ rộng của miền điện
tích không gian.
- Khi tiếp giáp PN phân cực
- Bằng thực nghiệm người ta phân biệt được, đổi với bán dẫn Si, chuyển
tiếp PN bị đánh thủng ở điện áp < 4V chủ yếu là do cơ chế xuyên hầm, ngược, chuyển tiếp PN giống như
nếu >6V thì chủ yếu là do cơ chế thác lũ, còn lại là do cả 2 cơ chế này một phần tử 2 cực tích điện, một
gây ra. cực có điện tích –Q và một cực
- Điện áp đánh thủng phụ thuộc vào loại bán dẫn, giảm tuyến tính theo tích điện +Q.
nồng độ pha tạp, điện áp đánh thủng của chuyển tiếp PN có nồng độ - Khi điện áp phân cực biến thiên
pha tạp tuyến tính cao hơn chuyển tiếp PN có phân bố đột biến, nếu một khoảng ΔV, điện tích tại
chuyển tiếp có sự pha tạp tuyến tính biến đổi càng chậm thì điện áp biên của tiếp giáp thay đổi: +ΔQ
đánh thủng càng cao… tại –xp và -ΔQ tại xp.
71/176
2.5. Điện dung của chuyển tiếp PN 2.5. Điện dung của chuyển tiếp PN
- Điện dung của chuyển tiếp PN trên một đơn vị điện tích là Cj: + Điện tích của chuyển tiếp:
- Cj phụ thuộc vào điện áp phân cực ngược Cj – Độ dốc của Qj.
- Cj phụ thuộc vào nồng độ pha tạp.
=> Ứng dụng đặc tính này để chế

tạo điốt biến dung – Varactor.
Kết luận Kết luận
72/176
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Lecture 5- Diode (Điốt)
ELECTRONIC DEVICES 3. Điôt bán dẫn
3.0. Giới thiệu chung.
3.1 Cấu tạo của điôt và kí hiệu trong sơ đồ mạch .
3.2 Nguyên lý hoạt động của điôt.
Lecture 5- Diode (Điốt)
3.3 Đặc tuyến Vôn-Ampe của điôt bán dẫn.
3.4 Các tham số tĩnh của điôt.
3.5 Sự phụ thuộc của đặc tuyến Vôn- Ampe vào nhiệt độ
KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1 3.6 Phân loại điốt
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG - PTIT 3.7 Ứng dụng của điốt
4. Điốt Zener
5. Tiếp giáp kim loại – bán dẫn
6. Điốt Schottky
8/2009
7. Một số loại Điốt đặc biệt
Giới thiệu chung Giới thiệu chung
+ ID metal
p n
SiO2 SiO2
p-type Si
I
A D K VD n-type Si
+ VD – metal
–
- Điốt (diode) là từ nghép mang nghĩa "hai điện cực“ (với di là - Điốt bán dẫn được cấu tạo từ một chuyển tiếp p-n
hai, và ode bắt nguồn từ electrode, có nghĩa là điện cực) là các - Nguyên lý làm việc dựa trên các hiệu ứng vật lý của chuyển tiếp PN:
linh kiện điện tử tích cực và phi tuyến cho phép dòng điện đi qua + Điốt chỉnh lưu: Dựa vào hiệu ứng chỉnh lưu của chuyển tiếp PN
nó theo một chiều mà không theo chiều ngược lại. + Điốt ổn áp Zener: Dựa vào hiệu ứng đánh thủng thác lũ và đánh thủng Zener
+ Điốt ngược, Điốt tunen: Dựa vào hiệu ứng xuyên hầm trên chuyển tiếp PN
pha tạp nhiều
+ Điốt Varicap: Đựa vào hiệu ứng điện dung của chuyển tiếp PN thay đổi khi
điện áp phân cực ngược thay đổi
73/176 - Nguyên lý làm việc, đặc tuyến V-A, ứng dụng của mỗi loại điốt là rất khác nhau
3.1 Cấu tạo của điôt chỉnh lưu và kí hiệu trong sơ đồ mạch 3.2 Nguyên lý hoạt động của điôt
Vùng chuyển tiếp hẹp
Vùng chuyển tiếp Vùng chuyển tiếp rộng
A K A K
UAK UAK
• Phân cực thuận (UAK>0): thúc đẩy các e- trong bán dẫn n và các lỗ trống trong
bán dẫn p tái hợp với các ion gần đường bao của vùng chuyển tiếp và làm giảm
độ rộng của vùng chuyển tiếp. Thông thường UAK< 1V
• Phân cực ngược (UAK<0): số lượng các ion dương trong vùng chuyển tiếp của
bán dẫn n tăng lên do một số lượng lớn các e- tự do bị kéo về cực dương của điện
áp cung cấp. Tương tự, số lượng các ion âm trong vùng chuyển tiếp của bán dẫn
p tăng lên. Kết quả là vùng chuyển tiếp được mở rộng. Dòng điện tồn tại trong
điều kiện phân cực ngược gọi là dòng bão hoà ngược Is
3.3 Đặc tuyến Vôn-Ampe của điôt bán dẫn 3.4 Tham số cơ bản của điốt
iD=ith a. Điện trở một chiều hay còn gọi là điện trở tĩnh R0
⎛ UD ⎞
I D = f (U AK ) = I S ⎜ e ηUth − 1⎟ - Là điện trở của điốt khi làm việc ở chế độ nguồn một chiều hoặc tại
⎝ ⎠ chế độ tĩnh (tại điểm làm việc tĩnh M trên đặc tuyến).
U iD
+ UT- Điện áp ngưỡng của Ro = M = cot gθ1
IM
điốt (Điện áp thông
thuận) b. Điện trở động Ri :
UT = 0,5V-0,8V(điốt Si) UD=UAK dU ηVT η VT
Uđt Ri = Ri = =
0,2-0,4V(điốt Ge)
U
I M + I0 IM M
dI M I0e ηVT
+ Uth- điện áp nhiệt UT U
Do ở chế độ phân cực thuận IM >> I0 và >>1
η VT
η VT θ1 θ2
Ri = UD
IM
c.Hệ số chỉnh lưu: k UM
- Là thông số đặc trưng độ phi tuyến I th R 0nguoc
k= =
iD= ing của điốt và được xác định bằng biểu thức sau: I0 R 0thuan
74/176
3.4 Tham số cơ bản của điốt 3.4 Tham số cơ bản của điốt
d. Điện dung chuyển tiếp C0 g. Khoảng nhiệt độ làm việc:

- Điện dung chuyển tiếp PN khi phân cực ngược: - Là khoảng nhiệt độ đảm bảo điôt làm việc bình thường. Tham số này
quan hệ với công suất tiêu tán cho phép của điôt.
e. Điện dung khuếch tán
- Khi đặt điện áp thuận lên tiếp xúc P-N, các hạt dẫn đa số khuếch tán
Pttmax = ImaxUAKmax
qua tiếp xúc P-N. Quá trình "chích" các hạt dẫn thiểu số và mật độ các
hạt thiểu số được chích vào giảm theo qui luật hàm mũ với khoảng
t 0 maxP - N − t 00
cách. Sự thay đổi tỉ lệ mật độ các điện tích "chích" vào với điện áp đặt P t tmax = P max(20 0 C) . 0
lên tiếp xúc P-N sẽ tạo ra sự gia tăng điện dung. Độ gia tăng điện dung t maxP - N − 20 0 C
này gọi là điện dung khuếch tán Ck.t., và được xác định bằng công thức:
τ p I Pn τ n I np Trong đó: t0maxP-N - nhiệt độ cực đại cho phép của tiếp xúc P-N
C k .t = + = C k.t.P + C k.t.n
ηVT ηVT t00 - nhiệt độ môi trường
f. Điện áp ngược cực đại cho phép: Ungược max
- Là giá trị điện áp ngược lớn nhất có thể đặt lên điôt mà nó vẫn làm việc - Điôt Ge : - 600C đến +850C
bình thường. Thông thường trị số này được chọn khoảng 0,8Uđ.t. - Điôt Si : - 600C đến +1500C.
- Điện áp ngược cực đại Ung. ma x phụ thuộc vào cấu tạo của điốt và nó
nằm trong khoảng vài V đến 10 ngàn V.
Tổng quan về các mô hình tương đương của cấu kiện bán dẫn Tổng quan về các mô hình tương đương của cấu kiện bán dẫn
- Một mạch điện tử thường gồm nhiều cấu kiện tích cực và cấu kiện thụ động. - Có nhiều mô hình tương đương cho mỗi cấu kiện tích cực tùy thuộc
Đặc tính điện áp- dòng điện của các cấu kiện tuyến tính thường được xác định
vào ứng dụng và các điều kiện tương ứng của thiết bị, ngoài ra còn phụ
bởi các quan hệ khá đơn giản, trong khi với cấu kiện phi tuyến thì đặc tính
thuộc cả vào yêu cầu tốc độ tính toán, độ chính xác…
điện áp – dòng điện lại khá phức tạp.
- Như vậy để phân tích và thiết kế mạch dễ dàng hơn, cấu kiện phi tuyến thường - Các loại mô hình mạch tương đương chính, phân loại theo độ lớn tín
được thay thế bởi mô hình mạch tương đương có cùng đáp ứng và đặc tính với hiệu làm việc trong cấu kiện:
cấu kiện thực. + Mô hình mạch tương đương một chiều: Dùng để tính toán cho
- Mô hình mạch tương đương của các cấu kiện bán dẫn phi tuyến được ghép từ phân cực một chiều và ứng dụng tần số rất thấp.
các cấu kiện thụ động tuyến tính, các nguồn dòng và nguồn áp không đổi hoặc + Mô hình mạch tương tương tín hiệu lớn: Dùng cho các ứng dụng
có điều khiển trong một điều kiện làm việc nào đó của cấu kiện phi tuyến. dòng hoặc điện áp làm việc có biên độ lớn.
- Mô hình mạch tương đương thường được xây dựng dựa vào các phương trình,
+ Mô hình mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Dùng cho các ứng dụng
các công thức cơ bản miêu tả hoạt động cũng như đặc tính của cấu kiện.
dòng hoặc điện áp làm việc có biên độ nhỏ, thay đổi rất ít quanh điểm
- Mô hình mạch tương đương rất hữu ích để xây dựng các phần mềm phân tích,
làm việc 1 chiều.
mô phỏng mạch điện.
- Một mô hình nổi tiếng dùng trong phần mềm thiết kế mạch điện tử và vi mạch - Tùy thuộc vào tần số làm việc mà còn sử dụng: Mô hình mạch tương
là mô hình SPICE đương tín hiệu nhỏ tần số cao, tần số thấp; Mô hình mạch tương đương
tín hiệu lớn tần số cao, tần số thấp, mô hình tương đương hỗn hợp…
75/176
3.5. Các mô hình tương đương của điốt Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận
1. Sơ đồ một khóa điện tử ở trạng thái đóng: Điốt làm việc ở điện áp lớn,
3.5.1. Mô hình tương đương trong chế độ một chiều và xoay chiều tần số nhỏ. Điện áp phân cực thuận có thể bỏ qua vì UT = 0,6V cho điôt
tín hiệu lớn. Si, và UT = 0,2V cho điôt Ge là quá nhỏ. Đặc tuyến Vôn- Ampe lúc này
coi như trường hợp ngắn mạch.
a. Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận
Đặc tuyến Vôn-Ampe là đường thẳng trùng với trục I.
b. Các mô hình tương đương của điốt phân cực ngược
I
3.5.2 Mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ I I
A K A K
3.5.3 Mô hình spice của điốt U = UT VT ≈ 0
0 UAK
Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận
2. Sơ đồ một nguồn áp lý tưởng : 3. Sơ đồ một nguồn điện áp thực : Trong trường hợp này điốt được coi
như một nguồn điện áp thực gồm có nguồn điện áp và nội trở của nó
I chính là RT (điện trở trong của điôt và nó là điện trở thuận). .
I + -
A K A K ΔU D U M − U T
RT = =
U = UT
UT = 0,7V
UT = 0,7V UAK
ΔI D IM I
I RT IM M
U = UT UT
UT UM UAK
76/176
Các mô hình tương đương của điốt phân cực thuận 3.5.1. Các mô hình tương đương của điốt phân cực ngược
- Sơ đồ một khóa ở trạng thái hở
- Sơ đồ một nguồn dòng lý tưởng
3.5.2 Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ 3.5.2 Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ
a. Sơ đồ một điện trở động Ri ở chế độ tín hiệu nhỏ tần số thấp: Trong b. Sơ đồ tương đương ở chế độ tín hiệu nhỏ tần số cao: Ở chế độ này
trường hợp này Điốt luôn phân cực thuận, đối với tín hiệu xoay chiều điôt được coi như một điện trở thuận Ri mắc song song với một điện dung
biên độ nhỏ đáp ứng của điôt được coi như một phần tử tuyến tính: khuếch tán Ck.t.. Ck.t. xuất hiện trong khoảng thời gian τ là khoảng thời
gian lệch pha giữa i và u. Ck.t. là điện dung khuếch tán của tiếp xúc P-N
e
u = Ri i = Ri và được xác định:
R + Ri τ
C k .t =
Ri
dU ηVT η VT η VT
Ri = Ri = U
= Ri ≈ Ck.t
dI ηVT
IM + I0 IM
M I0e 77/176
3.5.2 Các mô hình tương đương xoay chiều tín hiệu nhỏ 3.5.3 Mô hình spice của điốt chỉnh lưu
c. Sơ đồ một điện dung chuyển tiếp ở chế độ tín hiệu nhỏ (Phân cực PN Junction Diodes
ngược)
Name Parameter Units Default
IS saturation current A 1.0E-14
N emission coefficient - 1
BV reverse breakdown voltage V infinite
RS diode series resistance Ω 0
C0 CJO zero-bias junction capacitance F 0
C tx = 1 VJ junction potential V 1
Vnguoc n Mgrading coefficient - 0.5
Ví dụ Ví dụ
78/176
3.6 Phân loại điốt (1) 3.6 Phân loại điốt (2)
Điốt chỉnh lưu: Điốt chỉnh lưu sử dụng tính dẫn điện một chiều để chỉnh lưu Điốt ổn áp: Người ta sử dụng chế độ đánh thủng về điện của chuyển tiếp
dòng điện xoay chiều thành một chiều. P-N để ổn định điện áp. Điốt ổn áp được chế tạo từ bán dẫn Silíc vì nó
A K A K
bảo đảm được đặc tính kỹ thuật cần thiết.VD: điốt Zener
Điốt xung: Ở chế độ xung, điốt được sử dụng như khóa điện tử gồm có hai
trạng thái: "dẫn" khi điện trở của điốt rất nhỏ và "khóa" khi điện trở của nó rất
lớn. Yêu cầu thời gian chuyển từ trạng thái này sang trạng thái khác phải thật
nhanh. Thời gian chuyển trạng thái xác định tốc độ hoạt động của điốt và do
đó xác định tốc độ làm việc của thiết bị.
Các điốt xung có các loại điốt hợp kim, điốt mêza, điốt Sôtky. Trong đó điốt
Sốtky được dùng rộng rãi nhất. Điốt Sốtky sử dụng tiếp xúc bán dẫn - kim
loại. Trong điốt Sốtky không có quá trình nạp hoặc xả điện tích trong miền Điốt biến dung (varicap): Là loại điốt bán dẫn được sử dụng như một tụ
nền. Do đó tốc độ làm việc chủ yếu của điốt Sốtky chỉ phụ thuộc vào điện điện có trị số điện dung điều khiển được bằng điện áp. Nguyên lý làm
dung rào thế của tiếp xúc P- N rất nhỏ. Thời gian phục hồi chức năng ngắt của việc của điốt biến dung là dựa vào sự phụ thuộc của điện dung rào thế
điốt Sốtky có thể đạt tới 100psec. Điện áp phân cực thuận cho điôt Sôtky của tiếp xúc P-N với điện áp ngược đặt vào nó.
khoảng UD = 0,4V, tần số làm việc cao đến 100 GHz.
3.4 Phân loại điốt (3) Một số hình ảnh của Điốt
Điốt tunen (hay điốt xuyên hầm): Điốt được chế tạo từ chất bán dẫn có
nồng độ tạp chất rất cao thông thường n = (1019 ÷ 1023)/cm3. Loại điốt
này có khả năng dẫn điện cả chiều thuận và chiều ngược.
Điốt cao tần:Dùng để xử lý các tín hiệu cao tần như:

- Điốt tách sóng.
- Điốt trộn sóng.
- Điốt điều biến
Các điốt cao tần thường là loại điốt tiếp điểm.
79/176
Một số hình ảnh của Điốt 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (1)
- Điốt được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Ví dụ một số ứng
dụng đơn giản như sau:
+ Mạch chỉnh lưu điện áp xoay chiều
+ Mạch nhân đôi điện áp
+ Mạch ghim và mạch hạn biên
+ Mạch ổn áp
+ Mạch tách sóng
+ Mạch logic
…..
Mạch chỉnh lưu Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
Sơ đồ khối của khối nguồn một chiều
80/176
Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ Mạch chỉnh toàn sóng
Cầu chỉnh lưu toàn sóng Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
81/176
Mạch chỉnh lưu khi có tụ lọc Mạch chỉnh lưu khi có tụ lọc
- Voltage and current waveforms in the peak rectifier circuit with CR >> T.
- The diode is assumed ideal.
Mạch chỉnh lưu khi có tụ lọc Mạch chỉnh lưu khi có tụ lọc
Nếu Vp = 100 V, R = 10 K
Tính toán giá trị của C để “peak-to-peak ripple” Vr là
5V? Tính góc dẫn và giá trị đỉnh của dòng qua điốt?
82/176
Mạch nhân đôi điện áp Mạch hạn biên
- Mạch ghim (dịch mức) và mạch hạn chế (ghim đỉnh)
- Mạch nhân đôi biên độ điện áp
Mạch hạn biên 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (7)
- Mạch hạn biên
A variety of basic limiting circuits.
83/176
3.7 Một số ứng dụng của Điốt (8) 3.7 Một số ứng dụng của Điốt (9)
- Mạch giới hạn biên độ 2 phía
Đo đạc kiểm tra điốt Đo đạc kiểm tra điốt
84/176
Đo đạc kiểm tra điốt Đo đạc kiểm tra điốt
4. Điốt Zener (1) 4. Điốt Zener (2)
• Vùng Zener được dùng để thiết kế điốt Zener • Các đặc tính của điốt Zener với mô hình tương đương ở mỗi vùng
• Điện áp Zener (VZ): là điện áp phân cực ngược mà tại đó dòng điện
có xu hướng tăng đột biến trong khi điện áp tăng không đáng kể. +
• Điện áp Zener rất nhạy cảm đối với nhiệt độ làm việc. -
+
ΔVZ / VZ - 0,7 V
TC = .100% / 0 C
T1 − T0
+
-
VZ - điện áp Zener danh định ở 250C

T0 - nhiệt độ phòng (250C)
+ +
T1- nhiệt độ mới
VZ
TC- hằng số nhiệt độ, thông thường ở 250C : TC = +0,072 %/ 0C
- -
VD: cho một điốt Zener có VZ =10V ở nhiệt độ phòng, hãy tính điện áp
Zener mới của điốt đó khi nhiệt độ tăng lên đến 1000C
85/176
4. Điốt Zener (3) 4. Điốt Zener (4)
6.8 –V, 10mA - Mạch hạn chế dùng điốt Zener - Mạch ổn áp dùng điốt Zener
(Zener Limiter): (Zener Regulator):
0.5W, 6.8-V, 70mA Một điốt Zener có thể hạn chế 1 phía Điện áp ngược không đổi (VZ) của điốt
của một sóng sin tới điện áp Zener Zener được dùng để ổn định điện áp ra
(VZ), trong khi đó ghim phía kia tới chống lại sự thay đổi của điện áp đầu
Vz = Vzo + rZIz gần giá trị 0. vào từ một nguồn điện áp thay đổi hay
Với hai điốt Zener mắc ngược nhau sự thay đổi của điện trở tải. I chạy qua
Vz > Vzo (hvẽ), sóng sin có thể bị hạn chế cả 2 điốt Zener sẽ thay đổi để giữ cho điện
phía tới điện áp Zener áp nằm trong giới hạn của ngưỡng của
vùng làm việc của điốt Zener
Circuit symbol for
a zener diode.
R
RL
The diode i-v characteristic with the breakdown

region shown in some detail.
Model for the zener diode.
Phần tự đọc thêm Ghi chú
5. Tiếp giáp kim loại-bán dẫn

6. Điốt Schottky
7. Một số loại Điôt đặc biệt: Varicap, Tunen…
86/176
Ghi chú
87/176
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Lecture 6- BJT (Transistor lưỡng cực)
ELECTRONIC DEVICES 1. Cấu tạo và ký hiệu của lưỡng cực trong các sơ đồ mạch
1.1. Cấu tạo BJT loại pnp, npn,
1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT
Lecture 6- BJT (Transistor lưỡng cực) 1.3. Mô hình Ebers-Moll
2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng
3. Phân cực cho BJT
Đỗ Mạnh Hà 4. Các mô hình tương đương của BJT.
KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1 5. Một số ứng dụng của BJT
8/2009
Giới thiệu chung về Transistor 1.1. Cấu tạo BJT loại pnp, npn
IC + IE
- Transistor = (Transfer Resistor) IB VEB
Collector (N) + Emitter (P+) +
- Transistor là một linh kiện bán dẫn thường −
+ VCE VEC
được sử dụng như một thiết bị khuyếch đại Base (P) Base (N)
VBE −
hoặc một khóa điện tử. Transistor là khối đơn IE
IB −
− Collector (P) IC
vị cơ bản xây dựng nên cấu trúc mạch ở máy Emitter (N+)
tính điện tử và tất cả các thiết bị điện tử hiện

đại khác. Vì đáp ứng nhanh và chính xác nên
các Transistor được sử dụng trong nhiều ứng
dụng tương tự và số, như khuyếch đại, đóng - Cấu tạo Transistor gồm có 2 tiếp giáp PN do 3 lớp tương ứng 3 miền phát,
gốc, góp và có 3 điện cực nối tới 3 miền: Cực Phát-E (Emitter), Cực Gốc -
cắt, điều chỉnh điện áp, điều khiển tín hiệu, và
B (Base), Cực Góp-C(Collector). BJT thuận có 3 miền PNP, BJT ngược có
tạo dao động. Transistor cũng thường được kết
3 miền NPN
hợp thành mạch tích hợp (IC),có thể tích hợp
- Chuyển tiếp PN giữa miền E-B là chuyển tiếp Emitter TE, giữa B-C là
tới một tỷ Transistor trên một diện tích nhỏ.
chuyển tiếp collector TC
88/176
1.1. Cấu tạo BJT loại pnp, npn Kí hiệu trên sơ đồ và các dạng đóng vỏ khác nhau của BJT
Transistor npn
- Nồng độ pha tạp của miền E là khá cao, Miền B có nồng độ vừa phải kích
thước khá mỏng, miền C có nồng độ pha tạp thấp. Miền phát có khả năng
phát xạ các hạt dẫn sang miền gốc B, miền góp có khả năng thu nhận tất cả
các hạt dẫn được phát xạ từ miền phát E qua miền gốc B tới.
- Miền C thường được nuôi trên phiến bán dẫn đế, có lớp bán dẫn vùi sâu
có nồng độ cao (Buried layer n++) để giảm trị số điện trở nối tiếp.
- Độ rộng của miền B nhỏ hơn độ dài khuếch tán trung bình rất nhiều
Đặt tên và ký hiệu cho BJT 1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT
- BJT thường được ký hiệu là A..., B..., C..., D... Ví dụ A564, B733, - Ở trạng thái cân bằng nhiệt, dòng điện qua các cực = 0.
C828, D1555 trong đó các Transistor ký hiệu là A và B là Transistor - Muốn cho Transistor làm việc ta phải cung cấp một điện áp một chiều
thuận PNP còn ký hiệu là C và D là Transistor ngược NPN. các thích hợp cho các chân cực. Tuỳ theo điện áp đặt vào các cực mà
Transistor A và C thường có công xuất nhỏ và tần số làm việc cao còn Transistor làm việc ở các chế độ khác nhau:
các Transistor B và D thường có công xuất lớn và tần số làm việc thấp + Chế độ ngắt: Hai tiếp giáp PN đều phân cực ngược. Transistor có
hơn. điện trở rất lớn và dòng điện qua các cực rất nhỏ.
- Transistor do Mỹ sản xuất. thường ký hiệu là 2N... ví dụ 2N3055, + Chế độ dẫn bão hòa: Cả hai tiếp giáp PN đều phân cực thuận.
2N4073 vv... Transistor có điện trở rất nhỏ và dòng điện qua nó là rất lớn.
+ Chế độ tích cực: Tiếp giáp BE phân cực thuận, tiếp giáp BC phân
- Transistor do Trung quốc sản xuất : Bắt đầu bằng số 3, tiếp theo là hai
cực ngược, Transistor làm việc như một phần tử tích cực, có khả năng
chũ cái. Chữ cái thức nhất cho biết loại bóng : Chữ A và B là BJT khuếch đại, phát tín hiệu... Đây là chế độ thông dụng nhất của
thuận , chữ C và D là BJT ngược, chữ thứ hai cho biết đặc điểm : X và Transistor.
P là BJT âm tần, A và G là BJT cao tần. Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản + Chế độ tích cực đảo (Chế độ đảo): Tiếp giáp BE phân cực ngược,
phẩm. Thí dụ : 3CP25 , 3AP20 vv.. tiếp giáp BC phân cực thuận, đây là chế độ không mong muốn
- Cả hai loại Transistor pnp và npn đều có nguyên lý làm việc giống hệt
nhau, chỉ có chiều nguồn điện cung cấp là ngược dấu nhau. Chỉ cần xét
89/176 với BJT npn, với loại BJT pnp tương tự.
1.2. Nguyên lý hoạt động của BJT a. BJT làm việc trong chế độ tích cực (Forward Active)
- Ở chế độ ngắt và chế độ dẫn bão hòa, BJT làm việc như một phần tử E TE B TC C E TE B TC C
tuyến tính trong mạch điện. Trong BJT không có quá trình điều khiển
dòng điện hay điện áp. Transistor làm việc ở chế độ này như một khóa n p n p n p
điện tử và nó được sử dụng trong các mạch xung, các mạch logic.
- Các vùng làm việc của BJT: VBE VBC VBE VBC
BJT - npn BJT - pnp

VBC VCB
-Tiếp giáp BE phân
Tích cực Tích cực
Bão hòa Bão hòa cực thuận.
đảo đảo - Tiếp giáp BC phân
VBE VEB cực ngược.
Ngắt Ngắt
Tích cực Tích cực
a. BJT làm việc trong chế độ tích cực a. BJT làm việc trong chế độ tích cực
- Hiệu suất của cực phát: γ - là tỉ số giữa thành phần dòng điện của hạt đa
số với dòng điện cực phát:
I nE I nE I nE 1
BJTnpn : γ= = ≈ 0,98 ÷ 0,995 γ= =
I E I pE + I nE I nE + I PE 1 + I PE / I nE
- Hệ số chuyển dời: β* = Dòng điện do các hạt dẫn k /tán qua TE đến được tiếp xúc TC
Dòng điện của các hạt dẫn được k/ tán qua tiếp xúc TE
I
BJTnpn : β * = nC = 0,98 ÷ 0,995
I nE
- Hệ số khuếch đại dòng điện cực phát tĩnh : αF (α0) hay còn gọi là hệ số
truyền đạt dòng điện cực phát :
I I I
- TE phân cực thuận nên hạt dẫn đa số là điện tử từ miền E được khuếch tán sang α F = α 0 = nC = nC nE = β *γ
miền B qua chuyển tiếp TE, trở thành hạt dẫn thiếu số, do sự chênh lệch nồng độ I E I nE I E
chúng tiếp tục khuếch tán đến miền chuyển tiếp TC, tại đây nó được cuốn sang
- Hệ số tái hợp:
miền C (vì điện trường của tiếp giáp TC có tác dụng cuốn hạt thiểu số).
-Hạt dẫn đa số là lỗ trống tại miền B cũng khuếch tán ngược lại miền E nhưng
I nE + I pE I nE
δ= ≈
không đáng kể so với dòng khuếch tán điện tử do nồng độ lỗ trống ở miền B ít I nE + I R + I pE I nE + I R
hơn rất nhiều (vì nồng độ pha tạp miền B ít hơn nhiều) 90/176
- Dòng điện IB chủ yếu gồm: dòng bão hòa ngược của tiếp giáp TC, thành - Hệ số khuếch đại dòng Emitter chung (tĩnh) một chiều βF (β0) :
phần dòng phun các hạt thiểu số qua tiếp giáp TE và các thành phần I α
dòng điện do hiện tượng tái hợp trong lớp tiếp xúc phát và trong miền β 0 = C , mà I E = I B + I C ⇒ β 0 = F
IB 1−αF
gốc tạo nên.
IB=IR+ IpE-ICB0= InE-InC - Hệ số khuếch đại dòng Emitter chung tín hiệu nhỏ:
∂I C α
IB=IpE- InE+InC-ICB0 β= =
- Quan hệ giữa 3 thành phần dòng điện trong BJT trong chế độ 1 chiều: ∂I B 1 − α
IC = InC+ ICBo - Mô hình kích thước
IC = α0IE + ICBo đơn giản của BJT npn
IB = (1 - α0)IE – ICB0
IE = IC + IB
- Thực tế thường dùng hệ số khuếch đại dòng điện cực phát tín hiệu nhỏ
hay còn gọi là hệ số truyền đạt vi phân dòng điện cực phát α :
∂I C
α=
∂I E
Phân bố nồng độ hạt dẫn trong BJT Phân bố nồng độ hạt dẫn thiếu số trong các vùng của BJT
- Giả sử trong chế độ tích cực, sự phân bố các hạt dẫn thiểu số trong các
vùng là tuyền tính, như vậy chỉ cần xác định được nồng độ của chúng
tại các vị trí biên sẽ xác định được đường phân bố của chúng.
Ở điều kiện
cân bằng nhiệt
Ở chế độ
tích cực
91/176
Dòng khuếch tán chủ yếu trong BJT ở chế độ tích cực + Tính toán dòng Collector : IC
- Dòng IC chủ yếu là dòng các hạt dẫn thiểu số khuếch tán trong miền B
và được cuốn sang miền C qua chuyển tiếp collector.
- Điều kiện tại biên:
- Phân bố hạt dẫn thiểu số trong

miền B giả sử là tuyến tính
- Dòng điện chủ yếu trong BJT là các dòng khuếch tán hạt dẫn.
- Dòng điện trên miền C chủ yếu do dòng khuếch tán hạt thiểu số ở miền
- Mật độ dòng điện tử trên miền B:
B đến chuyển tiếp TC và được cuốn qua chuyển tiếp này sang miền C.
- Dòng điện trên miền B chủ yếu là dòng khuếch tán hạt dẫn thiểu số tại
miền E từ miền B sang qua chuyển tiếp TE.
+ Tính toán dòng Collector : IC + Tính toán dòng Base : IB
- Dòng collector: - IB chủ yếu do dòng khuếch tán lỗ trống sang miền E và dòng tái hợp tại
TE và miền B, tính toán dòng điện trên cực B bỏ qua dòng tái hợp.
- Giả sử sự phân bố
hạt thiểu số lỗ trống
- Hay: trong miền E là
tuyến tính
IS- dòng Collector bão hòa
⎛ qDn n pB 0 AE ⎞ - Điều kiện biên:

IS = ⎜ ⎟
⎝ WB ⎠
92/176
+ Tính toán dòng Base : IB + Tính toán dòng Base : IB
- Phương trình tuyến tính phân bố hạt dẫn thiểu số lỗ trống trong miền E - Vì VBE>>KT/q nên ta có IB=IC/β0
là: - Hệ số KĐ dòng Emiter tĩnh:
⎛ qDn n pBo AE ⎞
⎜ ⎟ ⎛
- Mật độ dòng khuếch tán lỗ trống tại miền E: IC ⎝
βF = =
WB ⎠ = Dn ⎞ ⎛ n pB 0 ⎞ ⎛ WE ⎞
⎜ ⎟⎜ ⎟⎜ ⎟
I B ⎛ qD p pnEo AE ⎞ ⎜⎝ D p ⎟⎠ ⎝ pnE 0 ⎠ ⎝ WB ⎠
⎜ ⎟
⎝ WE ⎠
- Dòng IB được xác định: ni2

n pB 0 N aB N dE
mà = 2 =
pnE 0 ni N aB
N dE
DN W
Vậy: β F = β 0 = n dE E
D p N aBWB
+ Dòng điện trên cực phát IE a. BJT làm việc trong chế độ tích cực
- Với quy ước chiều các dòng điện như hình vẽ, dòng điện trên cực phát
Dn N dEWE
được xác định như sau: I β F = β0 =
C D p N aBWB
qVBE I S ⎛ IB
qV ⎞
I E = I C + I B = I S exp + ⎜ exp BE − 1⎟ Nhận xét β0
kT βF ⎝ kT ⎠ - Để β0 lớn chọn: NdE>>NaB; WE>>WB hay giảm tối đa kích thước miền
IE Base WB và pha tạp tối đa miền Emitter NdE
DN W
β F = β 0 = n dE E - Thực tế β0 của npn luôn lớn hơn β0 của pnp cùng kích thước vì luôn có
D p N aBWB Dn>Dp
- Hiện nay người ta chế tạo được BJT có β0 từ khoảng 50 ÷300
⎛ qDn n pB 0 AE ⎞ - β0 độc lập với IC
IS = ⎜ ⎟
⎝ WB ⎠ - Việc ổn định β0 trong khi sản suất rất khó do đó cần sử dụng kỹ thuật
mạch điện tử để giải quyết.
93/176
-Tóm lại trong chế độ làm việc tích cực, tiếp giáp BE phân cực thuận, Quan hệ giữa các dòng điện trong BJT-pnp (Sinh viên có thể tự suy ra từ
tiếp giáp BC phân cực ngược. BJT-npn)
IC IC
- Quan hệ giữa các dòng điện trong BJT-npn là:
IB IB
IE=IB+IC
⎛ qDn n pB 0 AE ⎞ IE IE
IS = ⎜ ⎟
⎝ WB ⎠
- Trong chế độ tĩnh (chế độ 1 chiều) và bỏ qua dòng bão hòa ngược :
αF DN W
IC = α F I E = α0 I E IC = β F I B = β0 I B = IB β F = n dE E
1−αF D p N aBWB
- Nếu tính đến dòng bão hòa ngược:
IC = α0IE + ICBo IB = (1 - α0)IE – ICB0
∂I C ∂I C α
α= β= =
-Trong chế độ động: ∂I E ∂I B 1 − α
b. BJT làm việc trong chế độ đảo (Reverse) b. BJT làm việc trong chế độ đảo (Reverse)
E TE B TC C E TE B TC C - Phân bố nồng độ hạt dẫn thiểu số trong các miền của BJT ở chế độ đảo
như hình vẽ:
n p n p n p
VBE VBC VBE VBC
-Tiếp giáp BE phân

cực ngược.
- Tiếp giáp BC phân
cực thuận.
- Khi BJT npn ở chế độ đảo, miền C phun hạt dẫn đa số (điện tử) sang
miền B, và chúng lại được thu gom bởi miền E.
94/176
b. BJT làm việc trong chế độ đảo (Reverse) c. BJT ở chế độ ngắt (Cut-off )
- Tính toán tương tự như chế độ tích cực, dòng điện trên các cực được E TE B TC C Sơ đồ phân cực BJT npn Sơ đồ tương đương đơn giản
tính như sau: trong chế độ ngắt của BJT npn ở chế độ ngắt
IC n p n C
RC
IB VBE VBC EC ICBo C
qV I ⎛ qV ⎞ ICBo
I C = I E + I B = I S exp BC + S ⎜ exp BC − 1⎟ B UCE B
kT βR ⎝ kT ⎠
- Hệ số khuếch đại dòng Collector tĩnh: IE E TE B TC C EB E E
βR =
I E Dn N dCWC
=
p n p
I B D p N aBWB - Cung cấp nguồn sao cho hai tiếp xúc PN đều
VBE VBC được phân cực ngược. Điện trở của các chuyển
tiếp rất lớn, chỉ có dòng điện ngược bão hòa rất
nhỏ của tiếp giáp góp ICB0. Còn dòng điện ngược
của tiếp giáp phát IEB0 rất nhỏ so với ICB0 nên có
thể bỏ qua. Như vậy, mạch cực E coi như hở mạch.
Dòng điện trong cực gốc B IB=-I CB0
+ Tính dòng điện trong BJT ở chế độ ngắt d. BJT ở chế độ bão hòa (Saturation)
- Dòng qua qua các tiếp giáp chủ yếu là dòng do ngược, là dòng cuốn các E TE B TC C Sơ đồ phân cực BJT npn Sơ đồ tương đương đơn
hạt thiểu số lỗ trống của các miền qua các tiếp giáp. Lỗ trống được trong chế độ bão hòa giản của BJT npn ở chế
n p n RC độ bão hòa
cuốn từ miền B sang miền E tạo ra dòng IB1, và lỗ trống từ miền B cuốn
EC
sang miền C tạo ra dòng IB2, các dòng này rất nhỏ. VBE VBC IC
C EC
- Mật độ hạt thiểu số trong các miền của BJT npn trong chế độ ngắt như IC RC
B
hình vẽ:
E TE B TC C
C
UCE B
EB UBE E
E
p n p
EC
VBE VBC IC ≈
JpE JpC UCE ≈ 0V RC
- Cung cấp nguồn điện một chiều vào các cực của Transistor sao cho hai tiếp xúc
PN đều phân cực thuận. Khi đó điện trở của hai tiếp xúc phát TE và tiếp xúc góp
TC rất nhỏ nên có thể coi đơn giản là hai cực phát E và cực góp C được nối tắt.
Dòng điện qua Transistor IC khá lớn và được xác định bởi điện áp nguồn cung
cấp EC và không phụ thuộc gì vào Transistor đang sử dụng, thực tế UCE ≈ 0,2V.
95/176
+ Tính dòng trong BJTở chế độ bão hòa + Tính dòng trong BJTở chế độ bão hòa
- Có thể coi phân bố nồng độ hạt thiểu số ở mỗi vùng trong BJT ở chế độ - Chế độ bão hòa có thể coi như là sự xếp chồng
bão hòa là tổng phân bố nồng độ hạt thiểu số của mỗi vùng trong BJT ở của 2 chế độ tích cực và chế độ đảo.
chế độ tích cực và chế độ ngược. -Dòng điện ở các cực ở chế độ bão hòa được xác
định từ dòng trên các cực ở 2 chế độ tích cực và chế
độ ngược như sau:
IS ⎛ qV ⎞ ⎛ qV qV ⎞
I E = IC + I B = ⎜ exp BE − 1⎟ + I S ⎜ exp BE − exp BC ⎟
βR ⎝ kT ⎠ ⎝ kT kT ⎠
- Dấu của IC và IB phụ thuộc vào quan hệ độ lớn giữaVBE và VBC, giữa βR
và βF
- Ở chế độ bão hòa miền B và C dư thừa các hạt dẫn thiếu số nên sẽ mất
một thời gian trễ để BJT ra khỏi chế độ bão hòa.
1.3 Mô hình Ebers-Moll 1.3 Mô hình Ebers-Moll

- Phương trình Ebers-Moll: Viết biểu thức dòng trên E và C theo dòng qua các + Dòng điện trên C gồm: dòng khuếch tán thuận –I1 tại TE và được thu
chuyển tiếp (dựa theo dòng điện qua tiếp giáp PN - xem lại Lecture 3). gom tại chuyển tiếp TC, dòng khuếch tán lỗ trống trên miền C do phun
+ Dòng điện khuếch tán trên miền B là tổng của dòng điện khuếch tán thuận qua ngược I4, dòng khuếch tán ngược I2.
chuyển tiếp TE (–I1) và dòng khuyếch tán ngược qua chuyển tiếp TC (I2): + Dòng I4 có thể được thay thế bằng dòng IB trong chế độ ngược:
⎛ VBE ⎞ ⎛ VBC ⎞ qDn n pB 0 AE
I Bdiff = − I1 + I 2 ; I1 = I S ⎜⎜ e Vth − 1⎟⎟ I 2 = I S ⎜⎜ e Vth − 1⎟⎟ I S = I E ( R. A ) I2
WB I 4 = I B ( R. A ) = =
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ βR βR
+ Dòng tại miền E gồm: dòng khuếch tán thuận –I1, dòng khuếch tán lỗ trống I2 ⎛ β +1⎞ I
trên miền E do phun ngược I3, dòng khuếch tán ngược I2 được phun qua
I C = I1 − I 2 − I 4 = I1 − I 2 − = I1 − ⎜⎜ R ⎟⎟ I 2 = I1 − 2
βR ⎝ βR ⎠ αR
chuyển tiếp TC và được thu gom tại chuyển tiếp TE
⎛ VBE ⎞ I ⎛ VBC ⎞
+ Dòng I3 có thể được thay thế bằng dòng IB trong chế độ tích cực: I C = I S ⎜⎜ e Vth − 1⎟⎟ − S ⎜⎜ e Vth − 1⎟⎟
I C ( F . A ) − I1 Dòng bị thu gom ⎝ ⎠ αR ⎝ ⎠
I 3 = I B ( F . A) = =
βF βF bởi chuyển tiếp
I1 ⎛ βF +1 ⎞ TE TC + Đặt IS=αFIES= αRICS , ta có hệ phương trình Ebers-Moll như sau:
I E = −I1 + I3 + I 2 = −I1 − + I 2 = −⎜⎜ ⎟⎟I1 + I 2
βF ⎝ βF ⎠ N -I
1
I2
P -I N I
1 C I E = − I ES eVBE ( Vth
) (
− 1 + α R I CS eVBC Vth
−1 )
( )
⎛ ⎞ I2
I ⎛ VBE
⎞ VBC
( )
I E = − S ⎜⎜ e Vth
− 1⎟⎟ + I S ⎜⎜ e Vth
− 1⎟⎟ IE I3 I4 VBE Vth
αF ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ IB 96/176
I C = α F I ES e − 1 − I CS eVBC Vth
−1
1.3 Mô hình Ebers-Moll Mô hình Ebers-Moll đơn giản cho các chế độ làm việc
- Mô hình có thể sử dụng cho - Mô hình Ebers-Moll đơn giản cho BJT npn trong chế độ tích cực:
BJT ở cả 3 chế độ làm việc
khác nhau: chế độ tích cực, chế VBE = 0.7
độ ngắt, chế độ bão hòa.
VCE > 0.2
- Thường dùng cho các trường
Dòng trên các điốt IC
hợp một chiều và trường hợp IB
tín hiệu lớn. B C
- Được xây dựng trên từ hệ
phương trình Ebers-Moll VBE = 0.7 IC = β F I B
E
-Mô hình Ebers-Moll đơn giản cho BJT npn trong
IC IS=αFIES= αRICS chế độ bão hòa (2 điốt phân cực thuận):
IC
IB
( ) ( )
IB
I E = − I ES eVBE Vth
− 1 + α R I CS eVBC Vth
−1 B C
IE I C = α F I ES e( VBE Vth
) (
− 1 − I CS eVBC Vth
−1 ) VBE = 0.7 VCE = 0.1
E
Mô hình Ebers-Moll cho BJT pnp 2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng
- Sinh viên tự suy ra từ mô hình Ebers-Moll của BJT npn -Trong các mạch điện, BJT được xem như một mạng 4 cực: tín hiệu
được đưa vào hai chân cực và tín hiệu lấy ra cũng trên hai chân cực
-BJT có 3 cực là E, B, C nên khi sử dụng ta phải đặt một chân cực làm
dây chung của mạch vào và mạch ra. Ta có thể chọn một trong 3 chân
cực để làm cực chung cho mạch vào và mạch ra. Do đó, Transistor có 3
cách mắc cơ bản là mạch cực phát chung (CE), mạch cực gốc chung
(CB), và mạch cực góp chung (CC).
i1 i2 IB IB
IC IE IC IE
UEB
u1 4C u2 UCE UCE UEC
UBE UBC
IE IB IC
(CE) (CB) (CC)

- Đặc trưng của mạng 4 cực dùng hệ phương trình trở kháng, dẫn nạp,
hỗn hợp. Hệ phương trình hỗn hợp: ⎧u1 = f (i1 , u 2 )
⎨
97/176 ⎩ i2 = f (i1 , u2 )
2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng 2. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng
I1 I2 IB IB - Các họ đặc tuyến đặc trưng cho tham số, đặc tính của BJT ở mỗi cách
IC IE IC IE
UEB
U1 4C U2 UCE UCE UEC mắc, chúng có vai trò quan trọng trong việc xác định các điểm làm
UBE UBC việc, định thiên, chế độ làm việc của BJT. Để vẽ các họ đặc tuyến này
⎧u1 = f (i1 , u 2 )
IE IB IC thường dùng mô hình BJT lý tưởng, với những điều kiện là:
⎨
⎩ i2 = f (i1 , u 2 ) (CE) (CB) (CC) + Đặc tuyến V-A của mỗi chuyển tiếp PN đều được mô tả bằng biểu
- Từ hệ phương trình hỗ hợp rút ra các phương trình đặc tuyến như sau: thức: I= IS [exp(U/Uth) – 1].
Đặc tuyến Tổng quát CE CB CC + Cường độ điện trường trong chuyển tiếp PN nếu phân cực ngược phải
nhỏ hơn nhiều điện trường gây ra đánh thủng.
Đặc tuyến
vào
u1 = f (i1 ) |u2 UBE = f (IB ) |UCE UEB = f (IE ) |UCB UBC = f (IB ) |UEC + Điện trở suất của các miền E, B, C coi như là rất nhỏ. Ngoài điện
trường tồn tại ở các chuyển tiếp PN không có điện trường tồn tại ở các
Đặc tuyến u1 = f (u2 ) |i1 UBE = f (UCE ) |IB UEB = f (UCB) |IE UBC = f (UEC ) |IB nơi khác
phản hồi
+ Nồng độ phun các hạt dẫn thấp.
Đặc tuyến
i2 = f (i1 ) |u2 IC = f (IB ) |UCE IC = f (IE ) |UCB IE = f (IB ) |UEC
truyền đạt - Trong BJT lý tưởng đặc tuyến của mỗi chuyển tiếp PN chịu ảnh hưởng
tuyến tính của dòng điện đi qua chuyển tiếp kia.
Đặc tuyến i2 = f (u2 ) |i1 IC = f (UCE ) |IB IC = f (UCB) |IE IE = f (UEC ) |IB
ra
Các tham số đặc trưng cho BJTở mỗi chế độ mắc Các tham số đặc trưng cho BJTở mỗi chế độ mắc
- Ngoài các đặc tuyến tương ứng với từng chế độ mắc, còn cần phải xác - Hệ số khuếch đại điện áp: Ku
dU ra
định các tham số đăc trưng như sau: KU =
dU vào
+ Độ hỗ dẫn S : biểu thị mối quan hệ giữa dòng điện ra trên mạch và
điện áp vào. dI ra - Hệ số khuếch đại công suất: KP
S= khi U ra = const
dU Vao Pra
KP =
+ Điện trở ra vi phân rra : biểu thị quan hệ giữa dòng điện trên mạch ra Pvào
với điện áp trên mạch ra. dU
rra = ra
khi I vào = const
dI ra
+ Điện trở vào vi phân rvào : biểu thị quan hệ giữa dòng điện trên mạch
vào với điện áp trên mạch vào
dU vao
rvào = khi U ra = const
dI Vao
+ Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: Ki0

I ra
K0 =
I vào
98/176
2.1 Sơ đồ BJT npn mắc cực phát chung - CE Họ đặc tuyến vào tĩnh
- Xác họ định đặc tuyến ra tĩnh: - Nhận xét đặc tuyến vào tĩnh: UBE [V] UBE = f (IB ) |UCE
IC = f (UCE ) |IB + Khi điện áp UBE < 0 thì tiếp xúc phát TE 1
phân cực ngược, trong lúc tiếp xúc góp UCE= 10V
+ Giữ IB ở một trị số cố định, thay đổi IC 0,8 UCE= 5V
phân cực ngược (UCE < 0), nên Transistor UCE= 2V
UCE và ghi lại giá trị tương ứng của IC, IB UCE làm việc ở chế độ ngắt, dòng điện phát IE 0,5
vẽ được đặc tuyến IC=f(UCE), Thay đổi IB UCE= 0,1V
= 0, nên ta có: IB = - ICBo
đến giá trị khác nhau là thực hiện tương tự, 0,4
UBE - Khi UBE > 0 thì tiếp xúc phát TE phân UCE= 0V
kết quả thu được họ đặc tính ra tĩnh của IE cực thuận, đặc tuyến giống như đặc tuyến 0,2
BJT mắc CE. của chuyển tiếp PN phân cực thuận, vì
dòng IB là một phần của dòng IE qua 1 2 3 4 IB [μA]
- Xác họ định đặc tuyến vào tĩnh:
UBE = f (IB ) |UCE
chuyển tiếp TE phân cực thuận.
+ Giữ UCE ở một trị số cố định, thay đổi UBE và ghi lại giá trị tương ứng của IB, IB = (1- α)IE - ICBo
vẽ được đặc tuyến IB=f(UBE), Thay đổi UCE đến giá trị khác nhau là thực hiện - IE tăng theo qui luật hàm số mũ với điện áp UBE nên dòng điện cực gốc IB cũng sẽ tăng
tương tự, kết quả thu được họ đặc tính vào tĩnh của BJT mắc CE. theo qui luật hàm số mũ với điện áp UBE.
- Xác định hệ số truyền đạt (đặc tuyến khuếch đại): IC = f (IB ) |UCE - Với giá trị UBE nhất định, UCE càng lớn thì dòng IB càng nhỏ, vì UCB tăng làm cho miền
+ Có thể được xác định từ đặc tuyến ra. điện tích không gian của TC càng rộng chủ yếu về phía miền B, nên số hạt dẫn bị cuốn
đến miền C càng nhiều, số hạt dẫn bị tái hợp tại miền B càng nhỏ, nên dòng IB càng nhỏ.
- Đặc tuyến ra và đặc tuyến khuếch đại - Đặc tuyến ra và đặc tuyến khuếch đại
Đặc tuyến ra - Nhận xét đặc tuyến ra:

Đặc tuyến khuếch đại
Tăng tuyến tính + Tại miền khuếch đại độ dốc của đặc tuyến khá lớn, khi UCE tăng làm
UCE=5V cho độ rộng hiệu dụng của miền B hẹp lại, làm cho số hạt dẫn được
cuốn sang miền C càng nhiều, do đó dòng IC tăng nhanh.
UCE=2V Vùng đánh thủng
+ Khi UCE giảm, đến điểm uốn của đặc tuyến khi đó UCB=UCE-UBE=0,
-Bão hòa làm cho chuyển tiếp BC phân cực thuận, BJT chuyển sang chế độ làm
việc bão hòa. Khi UEC=0 thi điện áp phân cực thuận UCB=-UBE đẩy hạt
dẫn thiểu số ở miền C trở lại miền B do đó IC=0, đặc tuyến cũng đi qua
gốc tọa độ.
IB =0A + Khi UEC tăng quá lớn, lúc đó UCB quá lớn dẫn tới đánh thủng tiếp giáp
IB(μA) IB =-ICB0 TC, làm cho dòng IC tăng đột ngột.
2 1 0 - Nhận xét đặc tuyến truyền đạt:
chế độ ngắt chế độ tích cực + Đặc tuyến truyền đạt biểu thị mối qua hệ giữa dòng ra IC và dòng vào
(Trở kháng ra rất cao) IB khi giữ UCE cố định. Đặc tuyến này có thể suy ra từ họ đặc tuyền ra.
99/176
Các tham số đặc trưng 2.1 Sơ đồ BJT npn mắc cực phát chung - CB
- Độ hỗ dẫn S : dI ra dI C
S= = khi U ra = U CE = const - Xác họ định đặc tuyến ra tĩnh:
dU Vao dU BE
IC = f (UCB) |IE
U BE U BE
IS + Giữ IE ở một trị số cố định, thay đổi
I C = I S .e Vth
⇒S = e Vth
UEB
IE IC
Vth UCB và ghi lại giá trị tương ứng của IC,
- Điện trở ra vi phân rra : UCB
dU CE vẽ được đặc tuyến IC=f(UCB), Thay đổi IE
rra = rCE = khi I vào = I B = const
dIC dU BE đến giá trị khác nhau là thực hiện tương tự, IB
- Điện trở vào vi phân rvào : rvào = rBE = khi U ra = U BE = const
dI B kết quả thu được họ đặc tính ra tĩnh của
I I (CB)
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: Ki0 K i 0 = ra = C = β DC = hFE BJT mắc CB.
I vào I B
Ki0 khá lớn, mạch CE có thể khuếch đại dòng điện. - Xác họ định đặc tuyến vào tĩnh:
- Kiểm tra BJT làm việc ở chế độ bão hòa hay không? Khi tính toán hoặc đo UEB = f (IE ) |UCB
được dòng IB và IC mà không phụ thuộc vào tham số của BJT, nếu IB>IC/hFE,, + Giữ UCB ở một trị số cố định, thay đổi UEB và ghi lại giá trị tương ứng của IE,
thì BJT làm việc ở chế độ bão hòa. Vậy khi thiết kế mạch dùng BJT ở chế độ vẽ được đặc tuyến IE=f(UEB), Thay đổi UCB đến giá trị khác nhau là thực hiện
chuyển mạch, khi đã có yêu cầu về dòng IC (thông thường IC=EC/Rtải) thì cần tương tự, kết quả thu được họ đặc tính vào tĩnh của BJT mắc CB.
phải tính toán mạch sao cho IB>IC/hFE để BJT có thể làm việc ở chế độ bão
hòa. - Xác định hệ số truyền đạt IC = f IE |UCB ( )
- Đặc điểm của mạch CE (Xem giáo trình). + Có thể được xác định từ đặc tuyến ra.
Họ đặc tuyền vào tĩnh - Đặc tuyến ra

- Nhận xét đặc tuyến vào: UEB [V] IC (mA)
Vùng tích cực
40 IE5 = 40mA
+ Chuyển tiếp EB luôn phân -1
UCB= 0V
cực thuận nên đặc tuyến vào -0,8
30 IE4 = 30mA
UCB= 1V Vùng
của mạch CB cơ bản giống UCB= 2V dẫn
bão 20 IE3 = 20mA
như đặc tuyến thuận của điốt. -0,5 UCB= 6V hòa α(IE3 - IE2)
Ứng với điện áp âm vào UEB -0,4
10
IE2 = 10mA
cố định dòng vào IE càng lớn IE1= 0
0 -2 -4 -6 -8 UCB (V)
khi điện áp UCB càng lớn, vì -0,2 Vùng ngắt
miền điện tích không gian của
chuyển tiếp TC phân cực IE [mA] - Đối với dòng IE cố định, IC ≈IE, khi UCB tăng lên, IC tăng nhưng không đáng
-1 -2 -3 -4
ngược càng tăng, làm cho kể.
khoảng cách hiệu dụng giữa - Khác so với đặc tuyến ra của BJT mắc CE, khi điện áp UCB giảm tới 0, IC vẫn
chuyển tiếp Emitter và chưa giảm tới 0, do bản thân chuyển tiếp TC vẫn còn điện thế tiếp xúc, chính
Collector ngắn lại, do đó điện thế tiếp xúc này đã cuốn những hạt dẫn từ miền B sang miền C làm cho
dòng IE tăng lên. dòng IC tiếp tục chảy. Để IC =0 thì TC phải được phân cực thuận. Miền đặc
tuyến trong đó TC phân cực thuận gọi là miền bão hòa.
- Khi UCB tăng đến giá trị nào đó thì IC tăng lên đột ngột do hiện tượng đánh
100/176 thủng xảy ra.
Các tham số đặc trưng 2.1 Sơ đồ BJT npn mắc cực góp chung - CC
dI ra dI C
- Độ hỗ dẫn S : S= = khi U ra = U CB = const - Xác họ định đặc tuyến ra tĩnh:
IB
IE = f (UEC ) |IB IE
dU Vao dU EB
U BE
I S U BE Vth + Giữ IB ở một trị số cố định, thay đổi UEC
I C = I S .e Vth
⇒S =− e UBC
Vth UEC và ghi lại giá trị tương ứng của IE, IC
vẽ được đặc tuyến IE=f(UEC), Thay đổi IB
- Điện trở ra vi phân rra : rra = rCB = dU CB khi I vào = I E = const (CC)
dI C đến giá trị khác nhau là thực hiện tương tự,
dU EB kết quả thu được họ đặc tính ra tĩnh của
- Điện trở vào vi phân rvào : rvào = rEB = khi U ra = U CB = const
BJT mắc CC.
dI B
I ra I - Xác họ định đặc tuyến vào tĩnh:
Ki0 = = C = α0 < 1
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: Ki0 I vào I E UBC = f (IB ) |UEC
Ki0 < 1, mạch CB không thể dùng làm mạch khuếch đại dòng điện. + Giữ UEC ở một trị số cố định, thay đổi UBC và ghi lại giá trị tương ứng của IB,
- Đặc điểm của mạch CB (Xem giáo trình). vẽ được đặc tuyến IB=f(UBC), Thay đổi UEC đến giá trị khác nhau là thực hiện
tương tự, kết quả thu được họ đặc tính vào tĩnh của BJT mắc CC.
- Xác định hệ số truyền đạt (đặc tuyến khuếch đại): IE = f (IB ) |UEC
+ Có thể được xác định từ đặc tuyến ra.
Đặc tuyến vào tĩnh Đặc tuyến ra

IB(μA)
Đặc tuyến ra
Đặc tuyến khuếch đại IE
40 Tăng tuyến tính
UCE=2V UCE=4V
30 UCE=5V
20 UCE=2V Vùng đánh thủng

-Bão hòa
10
UCB(V)
-1 -2 -3 -4
- Đặc tuyến vào của mạch mắc CC khác hẳn với trường hợp mắc CE và IB =0A
IB(μA)
CB. Trường hợp này điện áp vào UCE phụ thuộc rất nhiều vào điện áp IB =-ICB0
ra UCB, 2 1 0
chế độ ngắt chế độ tích cực
(Trở kháng ra rất cao)
101/176
Các tham số đặc trưng Ghi chú
dI ra dI E
- Độ hỗ dẫn S : S= = khi U ra = U EC = const
dU Vao dU BC
dU
- Điện trở ra vi phân rra : rra = rEC = dI khi I vào = I B = const
EC
dU BC
- Điện trở vào vi phân rvào : rvào = rBC = khi U ra = U EC = const
dI B
I I
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: Ki0 K i 0 = I = I
ra E
vào B
dU ra
- Hệ số khuếch đại điện áp : KU =
dU vào
- Đặc điểm của mạch CC (Xem giáo trình).
Ghi chú 3. Phân cực cho BJT
3.1. Khái niệm phân cực cho các chế độ làm việc của BJT
3.2. Phân cực bằng dòng cố định
3.3. Phân cực bằng hồi tiếp âm
3.4. Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
3.5. Mạch phân cực kiểu bù
102/176
3.1. Khái niệm phân cực cho các chế độ làm việc của BJT 3.1. Khái niệm phân cực cho các chế độ làm việc của BJT
- Phân cực (định thiên – Biasing) cho BJT: - Để minh họa xét ví dụ với mạch + Ec
+ Muốn BJT làm việc như một phần tử tích cực thì các tham số của BJT phải BJTnpn mắc CE, xác định đường tải
thỏa mãn điều kiện thích hợp, những tham số này phụ thuộc nhiều vào tĩnh và điểm làm việc của chúng. RB RC
điện áp phân cực các chuyển tiếp Collector và Emitter. Như vậy các tham IC C2
số của BJT phụ thuộc nhiều vào điện áp định thiên ban đầu (điểm làm việc
- Phương trình đường tải tĩnh: C1 IB
Ura
UCE=EC-IC.RC T1
tĩnh) của nó. UCE
Uvao
+ Muốn BJT làm việc ở chế độ tích cực thì chuyển tiếp B-E phân cực thuận, (tải 1 chiều: Rt0=RC), đồ thị như
chuyển tiếp B-C phân cực ngược (BJT npn: UE<UB<UC, BJT pnp: hình vẽ trang bên.
UE>UB>UC).
- Đường tải tĩnh, điểm làm việc tĩnh - Tùy theo các giá trị phân cực mà điểm làm việc tĩnh có tọa độ khác
+ Đường tải tĩnh (đường tải 1 chiều) được vẽ trên đặc tuyến ra tĩnh của BJT nhau, điểm làm việc tĩnh Qi(UCEi,ICi,IBi) là giao điểm của đường tải tĩnh
để nghiên cứu mối quan hệ giữa dòng điện ra và điện áp ra của BJT ở chế và đặc tuyến ra tương ứng với dòng phân cực IB=IBi.
độ một chiều. - Khi có tín hiệu đặt vào, IB biến đổi, dẫn tới IC biến đổi, kết quả là điện
+ Điểm làm việc tĩnh (điểm phân cực 1 chiều) là điểm nằm trên đường tải áp ra trên tải biến đổi. Cần phải chọn điểm làm việc tĩnh Q để điện áp
tĩnh xác định dòng điện, điện áp 1 chiều trên BJT khi không có tín hiệu ra trên tải không bị méo. Thông thường để biên độ điện áp ra cực đại,
xoay chiều đặt vào. không làm méo dạng tín hiệu, điểm làm việc tĩnh thường được chọn ở
+ Để minh họa xét ví dụ với mạch BJTnpn mắc CE, xác định đường tải tĩnh giữa đường tải tĩnh.
và điểm làm việc của chúng.
3.1. Khái niệm phân cực cho các chế độ làm việc của BJT 3.1. Khái niệm phân cực cho các chế độ làm việc của BJT
IC(mA)
ICmax - Chú ý khi chọn điểm làm việc tĩnh cần quan tâm đến các giá trị danh
Điểm làm việc tĩnh Qi(UCEi,ICi,IBi)
EC/Rt0 định của BJT như: Pcmax, UCmax, ICmax, UBEmax, dải nhiệt độ làm việc
IB3 Tmin÷Tmax.
Q3
IC3 - Công suất tỏa nhiệt của BJT ra môi trường ngoài: Pheat-out=K.ΔT trong
Pmax
đó: (ΔT=Tdivice- Tm.t)
ΔIB2
EC/Rt02 Đường tải tĩnh - Công suất điện tiêu thụ trên BJT: Pelec-in=iC.uCE+iB.uBE
Điểm bão hòa Q2 IB2
IC2 - Nhiệt độ trên BJT tăng đến khi thỏa mãn điều kiện cân bằng trao đổi
IB1 ΔIB1 nhiệt: Pelec-in= Pheat-out. Vậy: Pelec-in<Pmax= Pheat-outmax=K.(Tmax- Tm.t).
Q1
IC1 -ΔIB2 - Vậy điểm làm việc tĩnh phải lựa chọn nằm trong giới hạn đường Pmax.
-ΔIB1
IB0=0
UCE3 UCE2 UCE1 E UCEmax UCE(V)
C
-ΔUCE2 ΔUCE2
Điểm cắt
ΔUCE1
-ΔUCE1 103/176
Ổn định điểm làm việc tĩnh và ổn định nhiệt Các bước để tính toán phân cực cho BJT
- BJT rất nhạy cảm với nhiệt độ, nhất là UBE và ICB0, nên khi nhiệt độ - Tính toán mạch phân cực cho BJT để nó làm việc ở chế độ như
thay đổi điểm làm việc tĩnh cũng thay đổi. Như vậy điểm làm việc cũng mong muốn, thực hiện qua các bước sau đây:
nhạy cảm với nhiệt độ. + Từ yêu cầu về độ ổn định, yêu cầu về chế độ hoạt động AC, trở kháng
- Để đánh giá độ ổn định của điểm làm việc theo theo nhiệt độ là sử dụng vào, trở kháng ra, độ khuếch đại…chọn cách mắc mạch định thiên hợp
Độ ổn định nhiệt được định nghĩa như sau: lý.
dIC + Xác định đặc vào tĩnh, đặc tuyến ra tĩnh tương ứng của BJT.
S=
dICB0 + Từ yêu cầu hoạt động của mạch dùng BJT (yêu cầu về chế độ làm
- Ta đã có IC = α0IE + ICBo = α0(IB+IC) + ICBo việc, yêu cầu điện áp, dòng điện vào ra khi hoạt động, yêu cầu điểm
<=> IC= α0 IB/(1-α0)+ICB0/(1-α0), làm việc…), chọn vị trí điểm làm việc hợp lý và vẽ đường tải một
chiều ví dụ Q(UCE0, IC0, IB0).
<=> IC= β0.IB+ICB0/(1-α0),
+ Tính toán mạch định thiên để có điểm làm việc theo yêu cầu.
- Đạo hàm 2 vế phương trình trên theo IC, rút gọn ta có:
+ Tính toán lại các tham số khác và đánh giá độ ổn định điểm làm việc…
1+ β0 Chú ý: Các tính toán phân cực được trình bày ở phần tiếp theo là tính
S=
dI toán cho BJT làm việc ở chế độ tích cực, các chế độ bão hòa và ngắt
1 − β0. B
dI C có thể được suy ra.
Mô hình tương đương một chiều 3.2 Mạch định thiên bằng dòng cố định (Định thiên cực gốc)
- Khi tính toán phân cực cho BJT có thể sử dụng mô hình tương đương một - Dòng IB từ nguồn một chiều cung cấp cho BJT không đổi, có thể dùng mạch 1
chiều. Thường sử dụng mô hình Ebers-Moll. Trong mỗi chế độ làm việc cụ thể nguồn một chiều EC hoặc hai nguồn một chiều UBB và EC. Điện trở RB đấu từ cực
sử dụng sơ đồ tương đương Ebers-Moll đơn giản. + của nguồn cung cấp về cực B sao cho tiếp giáp BE phân cực thuận..
- Tóm lại khi tính toán chế độ 1 chiều để đơn giản có thể sử dụng các công + Ec + Ec
thức sau:
+ Chế độ tích cực: IC RC
RB RC C2
RB IB
IC = I B β0 C1 IB
IC C2 C1
Ura
Ura T1
U BE ≈ cont T1 Uvao +
UBB
UCE
(eg. 0,7 − npnSi;−0,7 − pnpSi) Uvao
Dòng trên các điốt (a- Mạch 1 nguồn) (b – Mạch hai nguồn)
+ Chế độ bão hòa:
IC IB= (EC-UBE)/RB≈ EC/RB IB= (UBB-UBE)/RB ≈ UBB/RB
U CE ≈ 0 IB >
β0 + Phương trình đường tải: EC=IC.Rt0+UCE (Rt0=RC)
+ Chế độ ngắt: + Mắc theo các sơ đồ trên IB=const => ΔIB/ΔIC=0
+ Hệ hệ số ổn định nhiệt là: S= β0+1, S phụ thuộc vào hệ số KĐ dòng Emitter
IC ≈ 0 IB ≈ 0 tĩnh β,vậy S phụ thuộc vào từng loại BJT và thường lớn, độ ổn định kém nhất.
104/176
3.2 Mạch định thiên bằng dòng cố định (Định thiên cực gốc) 3.3 Mạch phân cực hồi tiếp âm
Ví dụ: BJTnpn loại Si có: β0 =50, phân cực bằng mạch định thiên cố - Khi tín hiệu đầu ra thay đổi cũng sẽ tác động đến đầu vào làm thay đổi
định, EC=15V, điểm làm việc tĩnh có IB=30μA, UBE=0,6V. Tính toán tín hiệu đầu vào gọi là mạch có hồi tiếp.
mạch định thiên? - Nếu tín hiệu ra tăng lại làm tín hiệu đầu vào giảm thì gọi là hồi tiếp âm.
Đáp số: RB=480kΩ; UCE=7,5V; RC=5kΩ. - Với mạch phân cực cho BJT nếu giả sử khi nhiệt độ thay đổi làm cho
dòng điện ra IC và IE tăng lên, sự tăng này nếu làm giảm điện áp đặt
trên tiếp giáp BE hoặc CE thì sẽ làm cho IB giảm, như vậy IC và IE
giảm, điểm làm việc được ổn định.
- Tùy theo phương pháp dùng hồi tiếp âm điện áp mà có các loại mạch
phân cực hồi tiếp âm khác nhau:
a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector.
b. Mạch định thiên hồi tiếp âm Emitter.
c. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter.
a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector
+ Ec + Ec EC − I C RC − U BE dI RC
- Mặt khác: IB = ⇒ B =−
RC + RB dI C RC + RB
IB+IC RC C3
β0 + 1
RB1 RB2 RC
C2
- Hệ số ổn định nhiệt: S = RC
IC C2 1 + β0
RB C1 RB + RC
C1 Ura
T1
T1 Ura Uvao - Như vậy S< β0+1, đã cải thiện được tính ổn định nhiệt.
Uvao
(a) (b) - Nếu chọn RB<<RC thì S→1.
- Điện áp phản hồi âm qua RB trong mạch phân cực làm tăng độ ổn định
- Mạch định thiên cố định có độ ổn định nhiệt không cao, và khi dòng IC
nhiệt đồng thời lại làm giảm hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều, RB
tăng làm điện áp UCE giảm, có thể dùng đặc tính này làm cho dòng IB
giảm thì độ ổn định tăng nhưng hệ số khuếch đại giảm. Như vậy để
giảm do đó ổn định được dòng IC bằng cách dùng điện trở hồi tiếp RB
khắc phục mẫu thuẫn này RB được chia thành 2 phần R1 và R2 và dùng
từ cực C về B, ta có mạch Collector-Feedback Bias (CFB) hình (a).
tụ nối đất điểm nối giữa 2 điện trở này như hình (b). C hở mạch đối với
- Ta có: EC=(IC+IB)RC+UCE =(β0IB+IB)RC+IBRB+UBE tín hiệu định thiên 1 chiều nhưng ngắn mạch tín hiệu xoay chiều không
EC − U BE β 0 .(EC − U BE ) cho phản hồi trở lại đầu vào.
IB = IC =
( β 0 + 1) RC + RB ( β 0 + 1) RC + RB - Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector vẫn không thể tăng được độ ổn
- Phương trình đường tải tĩnh: EC=(IC+IB)RC+UCE= ICRC(β0+1)/β0+UCE định lên cao vì S và điểm công tác tĩnh phụ thuộc lẫn nhau.
105/176
b. Mạch định thiên hồi tiếp âm Emitter b. Mạch định thiên hồi tiếp âm Emitter
EC EC
IC
IB RB RC
RB RC
C2 C2
C1 C1
T Ura T Ura
Uvao Uvao
RE RE CE
(a) (b)
( EC − U BE ) β 0 ( EC − U BE )
Dễ dàng tính được: IB = IC =
RE ( β 0 + 1) + RB RE ( β 0 + 1) + RB
Phương trình đường tải tĩnh ?
S =?
U CE = ?
b. Mạch định thiên hồi tiếp âm Emitter c. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter
+ Ec
IB+IC RC
IC C2
RB
C1
T1 Ura
Uvao
RE
Phương trình đường tải tĩnh ?

IB = ?
IC = ?
S =?
U CE = ?
106/176
c. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter c. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp 3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
+ Ec + Ec
+ Ec - Cần chọn R1, R2 thế nào để đảm bảo UB ổn định và UB<<EC, nhưng
Ipa1 R1 IC RB không lớn hơn nhiều RE, nếu không thì sự phân cực của mạch giống
R1 RC RC
IC như trường hợp phân cực dòng cố định. (Thông thường chọn RB=RE).
C2
IB
C1
UB RB IB EB=IBRB+UBE+(IC+IB)RE=UBE+IB(RB+(β0+1)RE
T1 Ura T1
Uvao UB R2 UB - Trong trường hợp này không được bỏ qua UBE,
+E
Ipa2 R2 RE
B
IE RE - Tính toán điểm phân cực: EB − U BE
(a) (b) IB = ; IC = β0 I B
RB + ( β 0 + 1) RE
- Ta có: UE=IE.RE=(β0+1).IB.RE
- Mạch định thiên tự cấp (còn được gọi là mạch phân áp, mạch phân cực
bằng dòng Emitter, mạch phân cực bằng hồi tiếp âm dòng điện) có sơ + Phương trình đường tải tĩnh: EC=IC(RC+RE)+UCE+IB.RE (bỏ qua IB.RE)
đồ như hình (a). Sơ đồ tương đương tĩnh như hình (b) (áp dụng biến đổi EC = IC(RC+RE)+UCE
Norton, Thevenin với cơ cấu nguồn EC và điện trở phân áp R1, R2. - Xác định hệ số ổn định nhiệt: S=?
- R1, R2 tạo thành mạch phân áp tạo điện áp UB đặt vào cực B của BJT. EB=IBRB+UBE+(IC+IB)RE (EB và UBE không phụ thuộc vào dòng IB)
R
- RE hồi tiếp âm dòng điện. Uht= UE=IE.RE => dIB/dIC= - RE/(RE+RB) β0 +1 1+ B
RE
R .E RR S = = (1 + β 0 )
- Giá trị của nguồn biến đổi tương đương: EB = 2 C và RB = 1 2 1+ β0
RE 1 + β 0 + RB
R1 + R2 R1 + R2 107/176 RE + RB RE
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp 3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp
+ Ec + Ec
RB
1+
β0 +1 RE
S = = (1 + β 0 ) RC
RE R Ipa1 RC R1
1+ β0 1+ β0 + B R1
C2
RE + RB RE IC C2
IB C1
C1 T Ura
+ S→1 khi RB<<RE, và S→1+ β0 khi RB>>RE T Ura Uvao
+ S không phụ thuộc vào Rt0=RC. Uvao RE1
R2
Ipa2 R2 RE CE
- Bản chất của sự ổn định nhiệt của mạch định thiên tự cấp chính là dòng
(d) RE2 CE
phản hồi âm qua điện trở RE. Tăng RE nghĩa là tăng phản hồi âm, do đó (c)
làm giảm hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều của mạch. Có thể loại
- Bài toán thiết kế (xác định các giá trị điện trở phân cực để BJT làm việc
trừ phản hồi âm của tín hiệu xoay chiều bằng cách mắc thêm tụ điện CE
ở điểm làm việc tĩnh nào đó Q(IB0,UCE0,IC0)), Cần chú ý một số luật sau:
ngắn mạch đối với tín hiệu xoay chiều như hình c, d.
+ Tính R!, R2 sao cho Ipa1, Ipa2 >>IB0 => Ipa≅ Ipa1 ≅ Ipa2 ≅ Ec/(R1+R2)
- Trong thực tế β0 cũng thay đổi theo nhiệt độ, do đó cũng ảnh hưởng
đến độ ổn định của điểm làm việc tĩnh, để đánh giá sự ảnh hưởng này + Thường chọn Ipa≥ 20IB0 – luật 20:1.
dùng công thức sau: + Chọn RB ≤ 0,01β0RE => R2 ≤ 0,01β0RE – Luật 100:1
ΔI C Δβ .S + Chọn UE=0,1EC – Luật 10:1
=
IC β 0 ( β 0 + 1) + Dựa vào các điện trở đã được chọn theo luật chọn, tính các điện trở còn lại
3.4 Phân cực bằng mạch định thiên tự cấp 3.5 Mạch phân cực kiểu bù
EC − U CE 0 − U E + Ec
+ RC = - Các mạch định thiên hồi tiếp âm và mạch định
IC 0 thiên tự cấp được sử dụng để hạn chế sự thay đổi
R1 RC
của dòng điện IC do dòng ICB0, các tính toán đã bỏ C2
+ RE= UE/(IB0+IC0) qua sự ảnh hưởng của nhiệt độ đến UBE và β0. C1
+ Chọn R2, tính R1 dựa vào phương trình sau: - Thực tế với cả 2 lại BJT dùng Si và Ge, khi nhiệt T Ura
Uvao
EB=UBE+UE+IB0[R1R2/(R1+R2]= EC.R2/(R1+R2) độ tăng UBE giảm còn β0 tăng khá đáng kể. RE
R2 RD
+ Kiểm tra lại xem có thỏa mãn điều kiện Ipa ≥ 20IB0 không? Mạch bù cho UBE dùng điốt
(a)
- Với loại BJT loại Si, thì sự thay đổi của UBE theo EDD
nhiệt độ là khá đáng kể, ảnh hưởng rất lớn đến độ
( Chú ý: Khi tính toán nếu dữ kiện bài toán cho không đủ để tính chính ổn định điểm làm việc tĩnh. Để khắc phục ảnh + Ec
xác các điện trở phân cực thì có thể dùng một số luật lựa chọn để chọn hưởng này thực tế thường mắc nối tiếp RE với một
giá trị các điện nào đó, tuy nhiên càng dùng ít luật lựa chọn thì kết quả điốt (có cùng vật liệu chế tạo BJT) phân cực thuận I R1 RC
và ngược chiều với chuyển tiếp BE như hình (a). C2
càng chính xác). C1 IB
- Sự thay đổi của điện áp thuận trên 2 cực điốt có thể T Ura
bù trừ sự biến đổi UBE của BJT do nhiệt độ gây ra Uvao ID RE
hình a. D
(b)
- Điốt luôn được phân cực thuận bởi nguồn EDD.
108/176
3.5 Mạch phân cực kiểu bù Tổng kết sự cải thiện các mạch định thiên cho BJT
β 0 (U B − (U BE − U D )) + (RB + RE )(β 0 + 1)I CB 0 + EC + EC + EC + EC + EC
IC =
RB + RE (1 + β 0 )
RB RC RB RC RC RC R1 RC
- Nếu UBE và UD thay đổi theo nhiệt độ cùng tốc độ, thì IC không nhạy
T T T
với sự thay đổi của UBE. T T
RB RB
Bù dòng ICB0 bằng điốt RE RE R 2 RE
- Với BJT loại Ge sự thay đổi của ICB0 theo nhiệt độ khá lớn, nó ảnh (1) (2) (3) (4) (5)
hưởng nhiều đến sự ổn định nhiệt của điểm làm việc.
- Mạch bù dòng ICB0 bằng điốt như hình (b). Điốt được chế tạo từ vật liệu Độ ổn định tăng dần
giống như BJT dòng bão hòa ngược của điốt ID=I0 sẽ tăng theo nhiệt độ (1) : BB - Base Bias
cùng với tốc độ tăng của dòng điện ngược cực góp ICB0 của BJT. (2) : EFB - Emitter-Feedback Bias
IB=I-ID =I-I0 (3) : CFB - Collector-Feedback Bias
IC= β0I- βI0+ (β+1)ICB0 (4) : CEFB – Collector- and Emitter- Feedback Bias
- Nếu β>>1 và nếu I0 và ICB0 thay đổi giống nhau thì dòng IC sẽ được giữ
không đổi. (5) : VDB – Voltage – Divider Bias
Mạch định thiên cho BJTpnp 4. BJT trong chế độ chuyển mạch (chế độ xung)
Chú ý: Mạch phân cực cho BJTpnp cũng tương tự, chỉ khác nhau về - Ví dụng BJT hoạt động trong các mạch xung, mạch số, mạch logic.
chiều của nguồn cung cấp, và chú ý chiều dòng điện của các cực cũng - BJT trong trường hợp này làm việc như một một khóa điện tử, BJT làm việc ở
ngược lại. Sinh viên về tự tìm các biểu thức tính toán cho các mạch 2 chế độ: đóng – chế độ ngắt (ngắt mạch không có dòng đi qua BJT), mở - chế
đinh thiên này. độ dẫn bão hòa (nối mạch cho dòng đi qua BJT ).
- EC - EC - EC - EC - EC - Do đặc điểm hoạt động như vậy mà các tham số cũng như đặc tính của BJT
chuyên dùng cho các ứng dụng này cũng có nhiều đặc tính khác so với BJT
RB RC RB RC RC RC R1 RC chuyên hoạt động chế độ tích cực. Đôi khi những BJT chuyên dụng này còn
T T T được gọi là BJT xung.
T T
RB RB - Với những BJT làm việc ở chế độ chuyển mạch này thì các tham số sau quan
RE R2 R E
RE trọng nhất:
BB EFB + CFB CEFB VDB + Điện áp thuận UBEbh : là điện áp UBE khi BJT mắc CE ở trạng thái bão hòa.
+
EE EE + EE
+ EE + EC + Điện áp bão hòa UCEbh: là điện áp UCE khi BJT mắc CE ở trạng thái bão hoà
RE RE
RB RB R2 RE + Thời gian quá độ của BJT : ton - thời gian quá độ khi BJT chuyển từ chế độ
T T T T ngắt sang chế độ bão hoà, toff – thời gian quá độ khi BJT chuyển từ chế độ bão
T
hòa sang chế độ ngắt.
RB RC RB RC RC RC R1 RC - Với những ứng dụng tần số xung thấp vẫn có thể sử dụng các BJT thông
109/176 thường.
4. BJT trong chế độ chuyển mạch Thời gian quá độ của BJT
Ui
- Ví dụ mạch BJT làm việc ở chế độ chuyển mạch như hình (a) , Ui là xung vào. - Giản đồ thời gian minh hoạt các thời
+Khi Ui =0V => tiếp giáp BE, BC phân cực ngược, Q làm việc ở chế độ ngắt, gian quá độ của BJT làm việc ở chế độ U1
IB=IB0=-ICB0≈0, IC ≈0 => UO= EC=5V chuyển mạch.
t
+ Khi Ui=5V, chọn RC, RB sao cho Q làm việc ở chế độ bão hòa, Khi đó: - Trong đó: Ban đầu BJT ở trạng thái t0
0
Uo=UCE ≈ 0V. Như vậy BJT làm việc chuyển đổi giữa 2 điểm bão hòa và ngắt. ngắt, tại thời điểm t0 khi có xung dương
-U2
đặt vào, chuyển tiếp BE được phân cực
EC − U CESat EC U i − U BE Điều kiện để Q bão hòa: I > I CSat thuận BJT mở, tuy nhiên IC vẫn rất nhỏ iB
I CSat = ≅ IB =
β
B
RC RC RB như ở trạng thái ngắt trong thời gian trễ IB1
Ec =+5V Ui IC(mA) td, sau đó mới bắt đầu tăng và sau thời t
5V
IB gian tăng tr mới đạt giá trị bão hòa ICS, t0
ICSat Điểm bão hòa
RC 0.82k 0V và ở trạng thái bão hòa trong khoảng -IB2
t thời gian tn, sau đó đột ngột xung vào
IB2 iC
UO mất Ui=0, và dòng IB chảy theo chiều ICS
RB UO
Ui Q (β=125) 5V ngược lại, dòng IC không giảm nhỏ ngay 0,9ICS
68 k mà tiếp tục duy trì giá trị bão hòa trong 0,1I t
CS
IB1 thời gian tồn tích tS, sau đó mất thời
(a) 0V t 0
gian hồi phục tf mới giảm dần đền giá td tr tn ts tf to
Điểm ngắt
C C
IB0=-ICB0 trị ban đầu như ở trạng thái ngắt.
Ngắt R ≈0 Thời gian quá độ: t = t + t
R ≈∞ UCESat EC UCE(V) on d r t off = ts + t f
E E
Bão hòa
5. Mô hình tương đương của BJT a. Mô hình tương đương một chiều
- Mô hình tương đương của BJT là mạch ghép của các phần tử thụ -Sử dụng mô hình Ebers-Moll
động, nguồn dòng, nguồn áp… xấp xỉ hoạt động thực của BJT trong -Trong mỗi chế độ làm việc cụ thể sử dụng sơ đồ tương đương Ebers-Moll đơn
điều kiện làm việc nào đó. giản (xem lại phần trước).
- Mô hình tương được được thay thế cho BJT trong các phép xác định - Tóm lại khi tính toán chế độ 1 chiều để đơn giản có thể sử dụng các công
tham số nào đó của mạch. thức sau:
+ Chế độ tích cực:
- Các mô hình tương đương:
IC = I B β0
a. Mô hình tương đương một chiều
U BE ≈ cont
b. Mô hình tham số Hybrid (Hybrid parameter/h–Parameter Model)
c. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π
(eg. 0,7 − npnSi;−0,7 − pnpSi)
Dòng trên các điốt
d. Mô hình tương đương re + Chế độ bão hòa:
IC
e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn U CE ≈ 0 IB >
β0
d. Mô hình Spice
+ Chế độ ngắt:
IC ≈ 0 IB ≈ 0
110/176
Mô hình tương đương xoay chiều b. Mô hình tham số Hybrid
- Mô hình tham số Hybrid được xác định từ ma trận tham số hỗn hợp H của
mạng 4 cực là tham số của BJT trong điều kiện điểm làm việc một chiều.
iC - Từ hệ phương trình hỗn hợp H của 4C có thể suy ra mô hình tương đương
của 4C như hình vẽ (giả thiết biên độ tín hiệu xoay chiều đủ nhỏ để tại điểm
làm việc đã chọn BJT làm việc như một phần tử tuyến tính.
⎧u1 = h11.i1 + h12 .u2 u Trở kháng vào khi
⎨ h11 = hi = 1
⎩i2 = h21.i1 + h22 .u2 i1 đầu ra ngắn mạch
u2 =0
IC
I1 I2
Q u1 Độ khuếch đại điện
h12 = hr =
uCE U1 4C U2 u2 áp ngược hở mạch
i2 = 0
UCE i2 Hệ số khuếch đại dòng

h21 = h f =
i1 thuận ngắn mạch
u2 =0
i2 Độ hỗ dẫn ra khi
h22 = ho =
u2 i1 = 0
đầu vào hở mạch
Tham số h sẽ được ký hiệu và tính theo mỗi cách mắc BJT khác nhau
b. Mô hình mạch tương đương Hybrid – mạch mắc CE b. Mô hình mạch tương đương Hybrid – mạch mắc CB,CC
B hie C I2
i1 i2 I1 IB IE IC IB IE
iB iC IC
UEB
u1 4C u2 uCE U1 4C U2 UCE UCE UEC
hreuCE UBC
uBE hfeiB hoe uCE UBE
iE uBE IE IB IC
(CE) (CE) (CB) (CC)

E
u BE
h11 = hie = = re Trở kháng tiếp giáp emitter
iB u CE =0
u BE Chỉ sử phụ thuộc của uBE vào uCE,

h12 = hre =
uCE iC = 0
hre rất nhỏ thường bỏ qua
i
h21 = h fe = c = β0
ib u
CE = 0
ic 1 1
h22 = hoe = = = = go
uCE iB = 0
rce ro 111/176
c. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ c2. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π
- Tại điểm làm việc một chiều trong chế độ tích cực, coi đáp ứng của -Để tìm mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT cần xác định mối
BJT với tín hiệu xoay chiều biên độ nhỏ như một phần tử tuyến tính. quan hệ giữa tín hiệu xoay chiều biên độ nhỏ trong BJT: ib,ube, ic, uce.
- Các phương trình đặc tính tương ứng để xác định các mô hình
tương đương của BJT:
Tín hiệu lớn
iC = f (vBE , vCE )
I C + ΔiC = f (VBE + ΔvBE , VCE + ΔvCE )
DC (bias) Tín hiệu nhỏ
Điểm làm việc tĩnh
(bias)
iC= I C + ic = f (VBE + vbe , VCE + vce )
Tín hiệu nhỏ
∂f ∂f
Q = (VBE , VCE ) ic ≈ vbe + vce ic = gmube + gouce
∂vBE Q
∂vCE Q
Output conductance
Transconductance- Độ hỗ dẫn gm (Điện dẫn đầu ra g0)
Chú ý: Ký hiệu V và U, v và u là tương đương lẫn nhau.

- Độ hỗ dẫn gm - Độ hỗ dẫn gm
- Độ hỗ dẫn gm: Tương tự như độ dẫn của điốt, gm là độ dốc của phương - Ở chế độ tích cực: iC = I S e (u BE / Vth ) ; iC = I C + ic ; u BE = U BE + ube
trình đặc tính iC=f(uBE) tại điểm làm việc tĩnh Q(IC,UBE,UCE). ∂iC I S U BE Vth I C q
gm = = e = = IC
ic ∂iC ∂u BE Vth Vth kT
gm = = Q
ube Q
∂u BE Q
ic - gm,liên kết giữa cặp cực B-E và dòng collector, tỉ lệ thuận với dòng tĩnh
IC và tỉ lệ nghịch với nhiệt độ, nó là phần tử trung tâm trong mô hình.
- Dòng iC phụ thuộc vào hàm mũ đối với điện áp uBE, như vậy ube phải
nhỏ bằng bao nhiêu? Để có thể dụng mô hình tín hiệu nhỏ?
(U BE + ube ) U BE ube ube
uce iC = I C + ic = I S e Vth
= I S e Vth .e Vth = I C .e Vth
⎛ ⎛ u ⎞ 1 ⎛ u ⎞2 ⎞ ⎛I ⎞ 1⎛ I ⎞
iC = I C + ic = I C ⎜1 + ⎜⎜ be ⎟⎟ + ⎜⎜ be ⎟⎟ + ... ⎟ = I C + ⎜⎜ C ⎟⎟ube + ⎜⎜ C2 ⎟⎟ube2 + ...
⎜ ⎝ Vth ⎠ 2 ⎝ Vth ⎠ ⎟ ⎝ Vth ⎠ 2 ⎝ Vth ⎠
⎝ ⎠
1⎛ g ⎞ 1⎛ g ⎞
ic = g mube + ⎜⎜ m ⎟⎟ube2 + ⎜⎜ m2 ⎟⎟ube3 ...
2 ⎝ Vth ⎠ 6 ⎝ Vth ⎠ 1 ⎛ gm ⎞ 2
⎜⎜ ⎟⎟ube
ic ≈ g mube Nếu chỉ chọn số hạng tuyến tính, sai số là: ε = 2 ⎝ Vth ⎠ = 1 ube ≤ 0,1
112/176 g mube 2 Vth
- Điện trở vào - Điện áp Early
- Tìm điện trở đầu vào tín hiệu nhỏ mô hình hóa được sự thay đổi dòng - Trong chế độ tích cực dòng điện iC tăng không đáng kể khi điện áp điện
điện cực gốc ib do điện áp BE tín hiệu nhỏ ube gây ra. áp uCE tăng. Để xác định mối tương quan đó xét sự điều chế độ rộng hiệu
dụng miền B.
- Trong chế độ làm việc tích cực, hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ là:
∂i - Khi uCE tăng, điện áp phân cực ngược uCB đặt trên chuyển tiếp BC tăng:
β= C uCB=uCE-uBE≈uCE-0,7V
∂iB Q
- Để xác định tác động của điện áp phân cực ngược đó đến dòng iC thực
- β có thể biến đổi giữa các điểm làm việc khác nhau, và ≠β0. Tuy nhiên hiện tính toán độ rộng của miền B thay đổi theo uCE và thay vào biểu
có thể coi: β=β0 thức tính iC(uBE, uCE), biểu thức này rất phức tạp. Để đơn giản hơn trong
- Điện trở vào động rπ được xác định như sau: việc tính toán, người ta thường dùng xấp xỉ thuần túy theo kinh nghiệm
để xác định sự phụ thuộc của dòng iC vào điện áp uCE.
∂i ∂i ∂iC ⎛ 1 ⎞ ∂i g
rπ−1 = B = B = ⎜⎜ ⎟⎟ C = m - Dựa vào đồ thị đặc tính của IC theo điện áp UCE
∂u BE Q ∂iC Q ∂iBE Q ⎝ β ⎠ ∂iBE Q β trong chế độ tích cực, ngoại suy và xác định giao IC UBE3
β β .Vth điểm của chúng với trục UCE, các đặc tuyến đều đi
rπ = = qua điểm –VAn (VAn- Early Voltage) UBE2
gm IC
slope~1/ro UBE1
- Điện trở vào tỷ lệ nghịch với dòng điện phân cực một chiều IC và tỷ lệ
UCE
thuận với hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ β.
-VAn
- Điện trở đầu ra - Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π
- Từ đồ thị đặc tuyến IC, hiệu chỉnh phương tình iC như sau: - Dựa vào các phương trình đặc tính và tham số xác định trong chế độ tín hiệu
nhỏ, nếu bỏ qua các thành phần tích điện, ta có thể xây dựng mô hình BJT chế
⎛ uCE ⎞ u BE độ tín hiệu nhỏ như hình vẽ sau (mô hình này thường dùng cho BJT hoạt động
⎜⎜1 +
iC = I S e ⎟⎟ Vth
ở tần số thấp):
⎝ VAn ⎠
- Điện dẫn đầu ra g0 được xác định như sau:
∂i 1
g0 = C = r0 : điện trở đầu ra
∂uCE Q r0
1 ⎛ U BE
⎜ Vth ⎟⎠ ⎛ 1 ⎞
⎞
I VAn
g0 = = I S e⎝ ⎜⎜ ⎟⎟ ≅ C r0 =
r0 IC (β.ib )
⎝ VAn ⎠ VAn
- Mỗi loại BJT có điện áp VAn khác nhau, phụ thuộc vào cấu tạo của
vbe uπ
BJT, người ta thường xác định điện áp này bằng thực nghiệm và dùng Tại điểm làm việc tĩnh: Q(UBE/IB, UCE, IC) ib = =
phương pháp ngoại suy từ đồ thị đặc tuyến của BJT. rπ rπ
β β .Vth IC q VAn 1
rπ =
gm
=
IC
gm = =
Vth kT
IC r0 =
IC
ic = g m vbe + vce
113/176 ro
- Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π - Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π
- Để xây dựng mô hình tương đương tín hiệu nhỏ chính xác hơn cần tính qεN aB N dE
C jEo =
đến các phần tử tích điện trong BJT. 2φBe .(N aB + N dE )
+ Tiếp giáp BE phân cực thuận do đó phải tính đến điện dung khuếch tán - Điện dung tổng cộng của tiếp giáp BE là:
(hay còn gọi là điện dung tích điện của miền B - Đặc trưng cho sự thay
đổi điện tích của miền B khi điện áp phân cực thuận đặt trên tiếp giáp Cπ = Cb + C jE
thay đổi): ∂ q PB ∂ q NB - Điện dung chuyển tiếp của tiếp giáp BC phân cực ngược là:
Cb = =− = τ F gm
∂ v BE Q
∂ v BE Q Cμo
Cμ =
Trong đó: qNB, qPB- điện tích của điện tử, lỗ trống chứa trong miền B 1+ U CB / φBc
τF- thời gian trung bình để hạt dẫn khuếch tán vượt qua miền B + Trong đó Cμo – điện dung chuyển tiếp BC ở điều kiện cân bằng nhiệt
W2
τF = B - Điện dung của chuyển tiếp giữa Collector và phiến bán dẫn nền
2 DnB
(substate) là:
τF- quyết định tốc độ làm việc (hay tần số hoạt động) lớn nhất của BJT. Ccso
Ccs =
- Điện dung chuyển tiếp BE khi phân cực thuận được tính xấp xỉ theo mô 1+ U CS / φBs
hình sau: C jE = 2C jEo
Trong đó: CjEo điện dung của chuyển tiếp BE trong ĐK cân bằng nhiệt
- Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π - Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ hybrid-π của BJTpnp
- Ngoài các thành phần điện dung như trên, trong BJT còn cần phải tính - Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJTpnp có thể được suy ra từ
đến điện trở cực B (điện trở giữa tiếp chuyển tiếp BE và điện cực B là rb mô hình của BJTnpn đã trình bày. Sinh viên tự vẽ và tính tham số
(≈250Ω), điện trở cực C (điện trở giữa tiếp chuyển tiếp BC và điện cực C
là rc (≈200Ω), điện trở cực E : re (≈5Ω). cho mô hình này?
- Mô hình BJT hoàn chỉnh có tính đến các điện dung và điện trở ký sinh
như hình vẽ sau (Mô hình này thường dùng cho BJT hoạt động ở tần số
cao).
114/176
d. Mô hình tương đương re d. Mô hình tương đương re
BJT npn
CE CB
ib ic iin = -ie io = ic
B C E C
+ + + +
R1 1k
R1 1k
βre βib re Ic=αie
- - - -
E E B B
VTh
re =
IE
Two slightly different versions of what is known as the T model of the BJT. Mối quan hệ giữa các tham số của các mô hình tương đương
The circuit in (a) is a voltage-controlled current source representation and that (mắc CE):
in (b) is a current-controlled current source representation. These models 1 1
explicitly show the emitter resistance re rather than the base resistance rΠ rπ = β re gm = ro =
featured in the hybrid-π model. re hoe
- Mô hình tương đương re của BJT pnp e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn
- Mô hình tương đương re của BJT pnp có thể được suy ra từ mô hình của - Trong mô hình tương đương tín hiệu lớn (dạng mô hình tương đương hình T)
BJT npn đã trình bày. Sinh viên tự vẽ và tính tham số cho mô hình tần số cao của BJT được giả thiết gồm có:
này? + 2 điốt mắc ngược nhau.
+ 2 nguồn dòng được thêm vào để mô tả dòng quan các tiếp giáp B-C phân cực
ngược và tiếp giáp B-E phân cực thuận.
+ Điện dung chuyển tiếp CjE và CjC.
+ Điện dung khuếch tán CDE và CDC.
C jEo
C jE = mE
⎛ u ⎞
⎜⎜ 1 − BE ⎟⎟
⎝ φ BE ⎠
C jCo
C jC = mC
⎛ u ⎞
⎜⎜ 1 − BC ⎟⎟
⎝ φ BC ⎠
τ F IC τ RIE
C DE = C DC =
U BE U BE - mE và mC là hệ số mũ điện dung
115/176 chuyển tiếp Emitter và chuyển tiếp Collector
e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn
- Thông thường để đơn giản trong việc tính toán thiết kế mạch, người ta
Mô hình tương đương tín hiệu lớn đơn giản của BJT ứng với mỗi chế
thường dùng mô hình tương đương tuyến tính tín hiệu lớn tần số cao
độ hoạt động
của BJT như hình vẽ (Mô hình này xuất phát từ mô hình Gummel-Pool
do H.K. Gummel and H.C. Poon tại Bell Labs đưa ra năm 1970). + Chế độ làm việc tích cực UBE>0, UBC<0
+ Trong mô hình: rπ là điện trở của tiếp giáp BE phân cực thuận (≈3kΩ),
rμ là điện trở của tiếp giáp BC phân cực ngược (≈vài MΩ).
+ Cπ, Cμ là điện dung tổng cộng của tiếp giáp BE và BC (gồm điện dung
phân tán và điện dung khuếch tán).
Mô hình Gummel-Pool
e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn
Mô hình tương đương tín hiệu lớn đơn giản của BJT ứng với mỗi chế Mô hình tương đương tín hiệu lớn đơn giản của BJT ứng với mỗi chế
độ hoạt động độ hoạt động
+ Chế độ đảo UBE<0, UBC>0 + Chế độ bão hoà UBE>0, UBC>0
116/176
e. Mô hình tương đương tín hiệu lớn f. Mô hình SPICE
Mô hình tương đương tín hiệu lớn đơn giản của BJT ứng với mỗi chế - SPICE = Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis: được
độ hoạt động phát triển trong thập kỷ 70 tại Berkeley, hiện nay trở thành một công cụ
+ Chế độ cắt UBE<0, UBC< 0 được lựa chọn để phân tích, thiết kế, mô phỏng mạch điện tử nói chung,
mạch tích hợp nói riêng
- Mạch điện được biểu diễn dưới dạng các phần tử rời rạc (R,L,C, nguồn
nguồn độc lập và nguồn phụ thuộc). Các cấu kiện điện tử đều được đưa
về mô hình tương đương SPICE.
- Trong công cụ SPICE đã sử dụng kỹ thuật số rời rạc để giải các phương
trình sai phân liên tục mô tả hoạt động của mạch.
- Mô hình SPICE hiện nay được sử dụng rất phổ biến trong các phần
mềm thiết kế, phân tích, mô phỏng mạch điện tử nói chung mạch tích
hợp nói riêng.
- Hiện nay có nhiều phiên bản khác nhau của phần mềm SPICE do các
hãng phát triển ví dụ: PSPICE (Trong bộ phần mềm Orcad của
Cadence), HSPICE Toolbox for Matlab…
f. Mô hình SPICE f. Mô hình SPICE

- SPICE có các mô hình để mô tả nguồn dòng, nguồn áp độc lập, nguồn dòng - Trong học phần này chủ yếu nghiên cứu mô hình SPICE cho các loại
nguồn áp phụ thuộc, điện trở, tụ điện, cuộn cảm, biến thế, đường dây truyền cấu kiện điện tử - đây là nội dung rất quan trọng, hữu ích cho việc sử
sóng (transmission line), nam châm vĩnh cửu, BJT, MOSFET, JFET, dụng các phần mềm phân tích, thiết kế, mô phỏng mạch điện tử.
MESFET, Điốt, khuếch đại thuật toán… Một phương tiện khác cũng được
sử dụng để mô tả rõ ràng đặc tuyền V-A của các phân tử phi tuyến. - Cú pháp chung:
- Ngoài ra SPICE có thể phân tích “.TRAN – Transient Analysis”, “.TF – .MODEL MNAME TYPE(PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 ... )
Small-signal Tranfer Function”, “.DC-Large-Signal Transfer - Mô hình SPICE của BJT được xây dựng trên cơ sở mô hình Gummel-
Characteristic”, “.AC-Sinusoid Steady-State Frequency Response”,
“.TEMP-Temperature Specification”, “.IC- Initial Conditions”, “.STEP- Poon, khi các một số tham số không xác định thì nó tự động chuyển
Parameter Step”, “.OP-print bias point information”, “DISTO- thành mô hình Ebers-Moll đơn giản hơn.
DistortionAnalysis”, “.SENS-Sensitivity analysis… - Các tham số cơ bản của mô hình Spice cho BJT như sau:
- Hầu hết các phiên bản của SPICE thường mô tả mạch từ các file đầu vào
dạng text, kết quả thường trả về dạng file dữ liệu dạng text, tuy nhiên hiện Name Parameter Units Default Example
nay nhiều phần mềm mô phỏng, thiết kế mạch có tính tương tác rất cao, cho IS transport saturation current A 1.0e-16 1.0e-15
phép người sử dụng nhập số liệu cũng như quan sát kết quả bằng tương tác
trên màn hình đồ họa rất thuận tiện “click and drag” BF Ideal maximum forward beta - 100 100
- Hướng dẫn sử dụng và thực hành với các phần mềm SPICE (Sinh viên tự VAF forward Early voltage V infinite 200
học). BR ideal maximum reverse beta - 0,1 1
117/176
f. Mô hình SPICE f. Mô hình SPICE
Name Parameter Units Default Example Ví dụ file mô tả spice -BJT Characteristics
*.lib bipolar.lib
RB zero bias base resistance Ω 0 100 .MODEL BC107BP NPN IS=1.8E-14 ISE=5.0E-14 NF=.9955 NE=1.46 BF=220
RE emitter resistance Ω 0 1 BR=35.5
+IKF=.14 IKR=.03 ISC=1.72E-13 NC=1.27 NR=1.005 RB=.56 RE=.6 RC=0.25
RC collector resistance Ω 0 10 VAF=80
+VAR=12.5 CJE=13E-12 TF=.64E-9 CJC=4E-12 TR=50.72E-9 VJC=.54 MJC=.33
CJE B-E zero-bias depletion capacitance F 0 2pF
.model BC107 NPN(Is=1.527f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=106.8 Bf=334.5 Ne=1.642
VJE B-E built-in potential V 0.75 0.6 + Ise=222f Ikf=.1596 Xtb=1.5 Br=.788 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Re=.6 Rc=0.25
MJE B-E junction exponential factor - 0,33 0,33 +Cjc=6.072p Mjc=.3333 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=10.67p Mje=.3333 Vje=.75
+ Tr=10n Tf=471.8p Itf=0 Vtf=0 Xtf=0)
CJC B-C zero-bias depletion capacitance F 0 2pF * Circuit to plot curves of Ic versus Vce for comparison with a
datasheet
VJC B-C built-in potential V 0.75 0.5
Ib 0 1 DC 50e-6
MJC B-C junction exponential factor - 0,33 0,5 Q1 2 1 0 BC107
CJS zero-bias collector-substrate capacitance F 0 2pF Vce 2 0 0V
.control
VJS substrate junction built-in potential V 0.75 set echo
MJS substrate junction exponential factor - 0 0.5 let blah = [ 0 ]
let ii = 0
TF ideal forward transit time sec 0 0,1ns
f. Mô hình SPICE 6. Phân loại một số ứng dụng của BJT

foreach tempval 10 100 1000
Có nhiều cách phân loại BJT dựa trên các cơ sở khác nhau. Thông
set temp = $tempval
destroy all
thường ta có thể phân loại BJT theo các chỉ tiêu sau
save all - Dựa theo vật liệu chế tạo có các loại: BJT Gecmani, BJT Silic, v.v..
echo Temp = $temp
let blah[ii] = $temp
- Dựa vào công nghệ chế tạo ta có: BJT khuếch tán, BJT trôi, BJT hợp
let ii = ii + 1 kim.
foreach basecurrent 50e-6 100e-6 200e-6 300e-6 500e-6 750e-6 1000e-6 - Dựa vào tần số công tác có: BJT âm tần, BJT cao tần
alter @Ib[DC] = $basecurrent
dc Vce 0 4 0.1 - Dựa vào chức năng làm việc có: BJT công suất, BJT chuyển mạch,
end v.v..
plot abs(dc1.vce#branch) - Dựa vào diện tích mặt tiếp xúc P-N có: BJT tiếp điểm, BJT tiếp mặt.
+ abs(dc2.vce#branch)
+ abs(dc3.vce#branch) BJT được sử dụng nhiều trong các ứng dụng như trong mạch khuếch đại
+ abs(dc4.vce#branch) tín hiệu, trong các mạch tạo dao động, trong các mạch ổn áp, các mạch
+ abs(dc5.vce#branch) khuếch đại đặc biệt, các chuyển mạch điện tử...
+ xlabel Vce
+ ylabel Ic
end
.endc
118/176
6. Một số mạch ứng dụng dùng BJT Tổng kết
BJT được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Ví dụ một số ứng
dụng như sau:
- Mạch khuếch đại điện áp, dòng điện
- Mạch điều khiển Rơle.
- Chuyển mạch điện tử.
- Mạch tạo nguồn dòng không đổi
- Mạch logic (cổng logic)
- Mạch cảnh báo
- Mạch nguồn
…
Các mạch ứng dụng cụ thể sinh viên có thể tham khảo phần bài tập.
Tổng kết
119/176
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Lecture 7- FET (Transistor hiệu ứng trường)
ELECTRONIC DEVICES 1. Giới thiệu chung về FET
2. Transistor trường loại tiếp giáp – JFET
3. Cấu trúc MOS
Lecture 7- FET (Transistor hiệu ứng trường) 4. Transistor trường loại cực cửa cách ly – IGFET
Đỗ Mạnh Hà
8/2009
Giới thiệu chung về FET Phân loại chung về FET
- Transistor hiệu ứng trường FET (Field Effect Transistor) là một dạng - FET chia thành các loại theo cấu trúc của cực cửa và của kênh dẫn như
linh kiện bán dẫn ứng dụng hiệu ứng điện trở suất của bán dẫn được điều sau:
khiển bằng điện trường,đây là một loại cấu kiện điều khiển bằng điện áp. + JFET (Junction FET) : Transistor hiệu ứng trường điều khiển bằng
- Nguyên lý hoạt động cơ bản của Transistor trường là dòng điện đi qua chuyển tiếp PN, cực điều khiển G ngăn cách với kênh dẫn bằng vùng
nghèo của chuyển tiếp PN phân cực ngược.
một môi trường bán dẫn có tiết diện dẫn điện, điện trở suất hoặc nồng độ
hạt dẫn thay đổi dưới tác dụng của điện trường vuông góc với lớp bán + IGFET (Isolated Gate FET) : Transistor hiệu ứng trường cực cửa cách
ly với kênh dẫn, điển hình là linh kiện MOSFET (Metal-Oxide-
dẫn đó, do đó điều khiển được dòng điện đi qua nó. Lớp bán dẫn này
Semiconductor FET) và MESFET (Metal-Semiconductor FET).
được gọi là kênh dẫn điện.
* MESFET: cực điều khiển cách ly với kênh dẫn bằng vùng nghèo của
- Khác với BJT, FET chỉ có một loại hạt dẫn cơ bản tham gia dẫn điện. chuyển tiếp kim loại-bán dẫn.
- FET có ba chân cực là cực. * MOSFET cực điều khiển cách ly hẳn với kênh dẫn thông qua một
lớp điện môi (SiO2). Đây mới đúng là Transistor trường theo đúng
FET
BJT nghĩa của thuật ngữ này, vì chỉ có loại này dòng chảy qua kênh dẫn mới
S Source Cực nguồn: các hạt dẫn đa số đi vào kênh tạo ra dòng điện được điều khiển hoàn toàn bằng điện trường, dòng điều khiển hầu như
E nguồn IS.
bằng không tuyệt đối, trong khi đó dòng rò của chuyển tiếp PN hoặc
B G Gate Cực cửa: cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh Schottky phân cực ngược, chưa hoàn toàn bằng không).
C D Drain Cực máng: các hạt dẫn đa số rời khỏi kênh tạo ra dòng ID - Mỗi loại FET còn được chia thành loại kênh N và kênh P.
120/176
Giới thiệu chung về FET 1. Transistor trường loại tiếp giáp - JFET
* Một số ưu điểm của FET: 2.1. Cấu tạo của JFET

- FET là loại linh kiện một loại hạt dẫn (unipolar device). 2.2. Nguyên lý hoạt động của JFET
- FET có trở kháng vào rất cao. 2.3. Các cách mắc và họ đặc tuyến của JFET
- Nhiễu trong FET ít hơn nhiều so với Transistor lưỡng cực. 2.4. Phân cực cho JFET
- FET không bù điện áp tại dòng ID = 0, do đó nó là linh kiện chuyển 2.5. Các mô hình tương đương của JFET
mạch tuyệt vời. 2.6. Một số ứng dụng của JFET
- Có độ ổn định về nhiệt cao.
- Tần số làm việc cao.
- Kích thước của FET nhỏ hơn của BJT nên có nhiều ưu điểm trong IC.
* Một số nhược điểm:
- Nhược điểm chính của FET là hệ số khuếch đại điện áp thấp hơn nhiều
so với BJT
2.1. Cấu tạo của JFET 2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động JFET
D D
G G
JFET công suất thấp
G G
P+ N+
D S S S D S
Kênh dẫn N Kênh N Kênh P Kênh dẫn P
P+ N+
Chuyển tiếp P-N JFET vỏ kim loại JFET vỏ nhựa
- JFET cấu tạo gồm:

JFET công suất cao
+ Một kênh dẫn được làm từ bán dẫn N (JFET kênh dẫn N) hoặc P (JFET kênh dẫn
P), có 2 điện cực 2 đầu là cực nguồn S và cực máng D.
+ Điện cực thứ 3 là cực cổng G, giữa cực này và kênh dẫn có một chuyển tiếp PN,
trong đó miền bán dẫn cực cổng được pha tạp mạnh hơn nhiều so với kênh dẫn để
vùng điện tích không gian (vùng nghèo) của chuyển tiếp PN lan chủ yếu về phía
kênh dẫn.
- JFET hầu hết đều là loại đối xứng, có nghĩa là khi đấu trong mạch ta có thể đổi chỗ JFET vỏ hoàn toàn bằng kim loại
hai chân cực S và D cho nhau thì các tính chất và tham số của JFET không hề thay JFET vỏ nhựa tổng hợp với đầu
đổi nhiệt kim loại
121/176
2.2. Nguyên lý hoạt động của JFET 2.1. Nguyên lý hoạt động của JFET
- Nguyên lý hoạt động của JFET kênh loại N và kênh loại P giống nhau. - Trong phần này chúng ta sẽ trình bày về nguyên lý hoạt động của
Chúng chỉ khác nhau về chiều của nguồn điện cung cấp là ngược dấu JFET kênh N, sau đó suy ra nguyên lý hoạt động của JFET kênh P.
nhau. - Do tác dụng của các điện áp UGS và UDS, trên kênh dẫn xuất hiện 1
- JFET được phân cực sao cho vùng chuyển tiếp PN bao quanh kênh dẫn dòng điện (là dòng điện tử với JFET kênh N) hướng từ cực D tới cực S
luôn được phân cực ngược, và dòng các hạt dẫn đa số đi vào kênh tạo gọi là dòng điện cực máng ID. Dòng ID có độ lớn tùy thuộc vào các giá
ra dòng IS. trị UGS và UDS vì độ phân cực ngược của chuyển tiếp PN phụ thuộc
- Như vậy nguồn phân cực mắc sao cho: với JFET kênh n: UDS > 0 và mạch vào cả 2 điện áp này nên độ dẫn điện của kênh phụ thuộc mạnh
UGS < 0 và với JFET kênh p: UDS < 0; UGS > 0. D vào cả 2 điện trường này. Như vậy về cơ bản có thể nói rằng JFET là
D một điện trở có tiết diện thay đổi được, và tiết diện này được thay đổi
a) JFET kênh N b) JFET kênh P
ID ID bởi điện áp điều khiển. ID=f(UGS, UDS)
G G - Nếu xét riêng sự phụ thuộc của ID vào từng điện áp khi giữ cho điện áp
RD RD
UDS UDS còn lại không đổi (coi là một tham số) ta nhận được hai quan hệ hàm
S S quan trọng nhất của JFET là:
UGS + UGS
− + EG − I D = f1 ( U D S ) Đặc tuyến ra
EG +
− ED − + ED U GS = const
I D = f 2 (U G S ) Đặc tuyến truyền đạt
U DS = const
Đặc tuyến ra của nJFET Đặc tuyến ra của nJFET

UGS
12
Vùng đánh thủng a/ Điểm 0: Ứng với một giá trị nhất định nào đó của UGS≤0,vùng chuyển tiếp PN
ID (mA) (Avalanche Region)
G giữa G và kênh phân cực ngược, nếu UDS=0 thì ID=0, độ rộng của miền điện tích
10 A
P+ UGS<0V B U GS không gian đồng đều và cố định.
I
D S Dbh8 G b/ Vùng ohmic (Vùng Triot): Khi UDS tăng dần, ID tăng dần, lúc đầu UDS còn nhỏ,
N
6 P+ sụt áp của nó gây trên điện trở kênh ảnh hưởng không đáng kể đến độ rộng của
P+ Vùng bão hoà D N S miền điện tích không gian(đã được xác định bởi UGS), nên ID tăng tuyến tính theo
4 (Pinchoff Region) B
UDS, vùng được gọi là vùng ôm tính, và làm việc giống như điện trở thuần.
(a) UGS 2 P+
Uđt c/ Điểm thắt A: Khi UDS tăng lên làm cho ID lớn đến mức sụt áp do dòng này gây ra
G 0 trên kênh làm tăng đáng kể điện áp phân cực ngược chuyển tiếp PN giữa cực G và
2 UP 4 6 8 10 12 UDS (V) (e) UDS=Udt
P+ Vùng ôm tính kênh, miền điện tích không gian lan sâu vào kênh, làm cho điện trở kênh tăng dần,
D ID S do đó ID tăng chậm lại, Nếu như tiếp tục tăng UDS đến thời điểm UDS=UP, thì hầu
N (Ohmic Region) UGS UGS
G G như ID không tăng mặc dù tiếp tục tăng UDS.. Điểm UDS=UP được gọi là điểm thắt
P+ A, UP là điện áp thắt của kênh, dòng điện ID ứng với điểm thắt gọi là dòng bão
P+ P+
UDS D A S D S hoà IDbh.
N N
(b) d/ Vùng bão hoà (vùng làm việc tích cực): Khi UDS tiếp tục tăng vượt qua điểm thắt
A, UDS>UP, thì ID hầu như không tăng, ID=IDbh, do khi UDS tăng vùng điện tích
( )
P+ P+
ID = f1 UDS UGS=const UDS= Up UDS
không gian càng lan sâu vào kênh và điện trở kênh càng tăng lên tỉ lệ với UDS, do
(c) (d) 122/176 đó dòng không đổi. Nhưng giá trị dòng IDbh lại tăng nhanh theo UGS.
Đặc tuyến ra của nJFET Đặc tuyến truyền đạt của nJFET
e/ Điểm đánh thủng B: Khi UDS tăng qúa lớn, điện áp phân cực ngược giữa G ID (mA) ID (mA)
và kênh tăng mạnh, đến khi UDS=Udt thì hiện đánh thủng theo hiệu ứng thác lũ I D = f1 (U GS ) U DS =const
12 UGS = 0V B
xảy ra, do đó dòng ID tăng đột ngột khi UDS tăng, Điểm B gọi là điểm đánh 12 A
UDS = 10V IDSS IDSS
thủng, vùng ngoài điểm B gọi là vùng đánh thủng của kênh. D Giảm dần UGS
10 10
- Họ đặc tuyến ra của JFET có ID UDS tăng − 0,5 V
G 8 8
dạng như hình vẽ bên: ID (mA)
6 6 − 1,0 V
+ Khi UGS âm dần, thì sự phân cực Vùng Vùng bão hoà S
ngược của G và kênh càng tăng, 12 ohmic A UGS = 0V B Kênh N 4 4 − 1,5 V
IDSS
điện áp thắt UP để kênh đạt tới Giảm dần UGS 2 2
10 − 0,5 V UGS0 UGS0
điểm thắt càng nhỏ, đường đứt nét 0
8 −3 −2 −1
trên họ đặc tuyến nối các điểm 0 UGS (V) 2 4 UP0 6 8 10 12 UDS (V)
− 1,0 V
thắt với nhau. 6
Vùng - Đặc tuyến truyền đạt của JFET mô tả mối quan hệ giữa ID và điện áp UGS ứng với
+ Tương tự, với điểm đánh thủng B, 4 − 1,5 V Đánh một giá trị nhất định của UDS. Dạng đặc tuyến truyền đạt khi JFET làm việc ở vùng
khi UGS càng âm việc đánh thủng 2 thủng bão hoà như hình bên trái. Đặc tuyến xuất phát từ một giá trị UGS0, tại đó ID = 0,
chuyển tiếp PN xảy ra sớm hơn, 0 UGS0 gọi là điện áp khoá.. Khi tăng UGS, ID tăng gần như tỷ lệ do độ dẫn điện của kênh
điện áp đánh thủng càng nhỏ hơn. 2 4 UP0 6 8 10 12 UDS (V) tăng theo mức độ giảm phân cực ngược của tiếp giáp PN. Lúc UGS = 0, tại vùng
+ Khi UGS<=UGS0 thì ID=0 mặc dù bão hoà ID = IDSS, , vậy IDSS là dòng tĩnh cực máng bão hòa lớn nhất (khi UGS=0).
UDS tăng, UGS0- điện áp khóa kênh
Đặc tuyến truyền đạt của nJFET + Các họ đặc tuyến của và n-JFET
ID (mA) ID (mA) ID (mA)
- Quan hệ giữa ID và UGS được xác định
bởi phương trình Shockley: 12 12 UGS = 0V B
12 A
UDS = 10V IDSS UDS = 10V IDSS
IDSS
- Phương trình Shockley: 10 10 10
Giảm dần UGS
UDS tăng − 0,5 V
⎧ ⎡ ⎛ U ⎞U 8 8
⎛ U ⎞ ⎤
2
Vùng ohmic 8
⎪ I DSS ⎢− 2⎜1 − GS ⎟ DS − ⎜1 − GS ⎟ ⎥ UDS1 − 1,0 V
⎪ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ 6 6
⎢⎣ ⎝ U GS 0 ⎠ U GS 0 ⎝ U GS 0 ⎠ ⎥⎦ 6
ID = ⎨ 2
4 4
⎪ ⎛ U GS ⎞ 4 − 1,5 V
I
⎪ DSS ⎜ ⎜ 1 − ⎟
⎟ khi U GS 0 ≤ U GS ≤ 0 Vùng bão hoà 2
⎩ ⎝ U GS 0 ⎠ UGS0 2 2
UGS0 UGS0
−3 −2 −1 0 UGS (V) 0
−3 −2 −1 0 UGS (V) 2 4 UP0 6 8 10 12 UDS (V)
- Trong đó: IDSS là dòng cực máng bão hoà khi UGS= 0, khi đó kênh mở rộng nhất IDSS>0 – Dòng IDbh khi UGS=0V
và lúc này ID đạt giá trị lớn nhất của nó, nên như vậy có nghĩa là IDSS là dòng cực D UGS0<0 - Điện áp khóa kênh
máng cực đại có thể đạt được của JFET
ID ⎧ ⎡ ⎛ U ⎞U ⎛ U ⎞ ⎤
2
- UGS0 là điện áp khoá kênh hay điện áp ngắt kênh, vì ID=0 khi độ rộng của kênh G ⎪ I DSS ⎢− 2⎜1 − GS ⎟ DS − ⎜1 − GS ⎟ ⎥ Vùng ohmic
⎪ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
dẫn bằng 0, nên như vậy có nghĩa là UGS0 là thế áp đặt lên cực cổng làm cho ⎢⎣ ⎝ U GS 0 ⎠ U GS 0 ⎝ U GS 0 ⎠ ⎥⎦
ID = ⎨
JFET bắt đầu bị khoá lại hoàn toàn. S ⎪ ⎛ U GS ⎞
2
Kênh N I ⎜ 1 − ⎟ 0 ≤ U GS ≤ U GS 0
- IDSS và UGS0 là 2 tham số quan trọng của JFET dùng nhiều khi thiết kế mạch. ⎪ DSS ⎜ ⎟ khi Vùng bão hoà
123/176 ⎩ ⎝ U GS 0 ⎠
+ Các đặc tuyến của và p-JFET Tham số cơ bản của nJFET
ID (mA)
ID (mA)
A -Tham số giới hạn:
UGS = 0V
IDSS IDSS + Dòng cực máng cực đại cho phép: IDmax - là dòng điện ứng với điểm B
B
0,5 V trên đặc tuyến ra khi UGS = 0; IDmax ≤ 50mA.
Giảm dần UGS + Dòng điện D - S cực đại cho phép và điện áp UDSmax
1,0 V
UDS1 UDS.max = UB /(1,2 ÷ 1,5) (cỡ vài chục vôn).
1,5 V Trong đó UB là điện áp đánh thủng tại điểm B.
UGS UGS0 UDS + Điện áp khoá cực đại UGS0. Nếu UGS<UGS0, kênh bị khoá ID=0, RDS ≈ ∞
0 UDS1 UP0 0
UGS0 - Tham số làm việc gồm có: ∂U DS
ro = rd = U = const
IDSS>0 – Dòng IDbh khi UGS=0V + Điện trở trong hay điện trở vi phân đầu ra: ∂I D GS
UGS0>0 - Điện áp khóa kênh (≅ 0,5 MΩ), ro thể hiện độ dốc của đặc tuyến ra trong vùng bão hoà.
⎧ ⎡ ⎛ U ⎞U ⎛ U ⎞ ⎤
2 + Hỗ dẫn của đặc tuyến truyền đạt: ∂I D
D
⎪ I DSS ⎢− 2⎜1 − GS ⎟ DS − ⎜1 − GS ⎟ ⎥ Vùng ohmic S = gm = U = const
ID ⎪ ⎜ ⎟ ⎜
⎢⎣ ⎝ U GS 0 ⎠ U GS 0 ⎝ U GS 0 ⎠ ⎥⎦
⎟ ∂U GS DS
G ID = ⎨
⎪ ⎛ U GS ⎞
2
(gm cho biết khả năng điều khiển điện áp cực cửa tới dòng cực máng , giá
I
⎪ DSS ⎜ ⎜ 1 − ⎟
⎟ khi 0 ≤ U GS ≤ U GS 0 Vùng bão hoà
S ⎩ ⎝ U GS 0 ⎠
trị điển hình gm=(7 ÷ 10) mA/V)
Tham số cơ bản của nJFET So sánh giữa BJT và FET
+ Độ hỗ dẫn cực đại: S0 = g m0 = −

2 I DSS
BJT JFET
U P0
Sử dụng cả 2 loại hạt tải điện, hoạt Chỉ sử dụng 1 loại hạt dẫn chính,
+ Điện trở vi phân đầu vào: ∂U GS động bằng cách phun hạt tải không có hiện tượng phun hạt tải
rvao =
∂I G Linh kiện điều khiển bằng dòng (Dòng Linh kiện điều khiển bằng thế (Thế lối
rvào do tiếp giáp p-n quyết định, có giá trị khoảng 109Ω. lối vào điều khiển dòng lối ra vào điều khiển dòng lối ra)
+ ở tần số cao người ta quan tâm tới điện dung giữa các cực CDS và CGD Điện trở lối vào nhỏ (vì dòng lối vào Điện trở lối vào rất lớn (vì dòng ở lối
là dòng của chuyển tiếp PN phân cực vào là dòng của chuyển tiếp PN phân
(cỡ pF). ∂ UDS Δ UDS u
μ= ≈ = DS thuận) cực ngược), IG rất nhỏ (1pA÷1nA)
+ Hệ số khuếch đại điện áp μ : ∂ U GS I =const Δ UGS I =const uGS I =const
D D D Điện trở lối ra nhỏ hơn Điện trở lối ra lớn hơn
- μ là số lần điện áp trên cực cửa tác động lên dòng điện cực máng
Sử dụng cho các tín hiệu lớn hơn (các Sử dụng cho các tín hiệu nhỏ (Các
mạnh hơn so với điện áp trên cực máng. tầng đầu trong hệ khuếch đại) tầng cuối trong hệ khuếch đại)
- So sánh các công thức tính độ hỗ dẫn gm, điện trở trong ro và hệ số Nhiễu lớn hơn Nhiễu nhỏ
khuếch đại điện áp μ, ta có công thức sau:
Độ ổn định nhiệt kém hơn Độ ổn định nhiệt tốt
μ = S.ro
-μ có trị số khoảng vài trăm lần (ở sơ đồ mắc S chung).
124/176
2.3. Các cách mắc và họ đặc tuyến của JFET So sánh về chế độ làm việc giữa JFET và BJT
-Cũng tương tự như BJT, JFET cũng có 3 cách mắc chủ yếu là: Chung BJT JFET
cực nguồn (CS), chung cực máng (DC), và chung cực cửa (CG). Trong Vùng bão hoà Vùng Ohmic
đó kiểu CS thường được dùng nhiều hơn cả vì kiểu mắc này cho hệ số Vùng tích cực Vùng bão hoà
khuếch đại điện áp cao, trở kháng vào cao. Còn các kiểu mắc CD, CG Vùng cắt Vùng cắt
thường được dùng trong tầng khuếch đại đệm và khuếch đại tần số cao. Vùng đánh thủng Vùng đánh thủng
+ED +ED +ED

RD C Sơ đồ CS CG CD
RD 5
Đầu vào/ Đầu ra G/D S/D G/S
C2 C1
Q1 C2 Ura Khuếch đại dòng có không có
C1 Q
Q1 Ura Uvao C1 Khuếch đại áp Có (=1/10 BJT) có không
Uvao RG Ura
RG RS Uvao Pha tín hiệu Đảo pha Đồng pha Đồng pha
RS C3 RS
Trở kháng đầu vào Rất lớn (RGS) nhỏ Rất lớn (RGD)
Trở kháng đầu ra Nhỏ (RD//ri) Lớn Nhỏ (RS//1/gm)
(CS) (CD) (CG) Ứng dụng Hầu như không
sử dụng
2.4. Phân cực cho JFET 2.4. Phân cực cho JFET
- Cũng giống như BJT, JFET cũng cần được thiết lập điểm làm việc một - Các phương pháp phân cực cho JFET (có so sánh với BJT) như sau:
chiều trước khi được sử dụng. Việc phân tích, thiết kế mạch phân cực
cho JFET đơn giản hơn của BJT. Và khi phân tích thiết kế cũng thường BJT JFET
dùng phương pháp gần đúng bằng đồ thị. Dòng IB cố định Định thiên cực cổng (Gate bias/ Fixed bias)
- Đường tải tĩnh của JFET cũng được vẽ trên đặc tuyến ra của nó. Điểm Định thiên tự cấp Định thiên tự cấp (Voltage-divider bias)
làm việc cần xác định Q(UGS, UDS, ID). Điểm làm việc tích cực cần Không tương đương Tự định thiên (Self bias)
phải nằm trên vùng đặc tuyến bão hoà. Định thiên hồi tiếp âm Emitter Không tương đương
- Có nhiều kiểu mạch phân cực khác nhau, phân tích, tính toán mạch Định thiên hồi tiếp âm Collector Không tương đương
phân áp cho JFET sẽ được dựa trên các điều kiện sau:
Định thiên hồi tiếp âm E và C Không tương đương
+ Dòng cực cổng rất nhỏ, bỏ qua, coi như cực cửa hở mạch
+ Điện áp UDS đủ lớn để JFET làm việc trong vùng bão hoà (vùng pinch-
off), khi đó ID =IDbh≈ const ứng với mỗi giá trị UGS xác định.
+ Đặc tính truyền đạt sẽ được sử dụng để phân tích theo phương pháp đồ
thị , kết hợp với các phương pháp phân tích mạch KVL, KCL.
+ Sử dụng phương trình Schockley .
125/176
b. Định thiên điện áp cực G cố định (Gate bias/Fixed bias) b. Mạch tự định thiên (Sefl bias)
- Mạch định thiên như hình vẽ: Sử dụng +ED - Mạch định thiên như hình vẽ: Sử dụng một điện +ED
nguồn áp EG để phân cực ngược cho ID trở thích hợp mắc nối tiếp với cực S để cung cấp ID
RD RD C2
chuyển tiếp PN giữa cực G và kênh dẫn. C2 điện áp cho cực G. ED= +20V, Tham số của
Ura JFET: UGS0= -3,5V; IDSS= 5mA C1 Ura
- Tham số của mạch: EG= - 2V; ED= +20V C1
Q1 Q1
- Tham số của JFET:UGS0= -3,5V;IDSS= 5mA Uvao - Tính toán điểm làm việc tĩnh nếu UDSQ=10V. Uvao IS
RG
- Tính toán điểm làm việc tĩnh để nó nằm Tính toán RG RS
giữa đường tải tĩnh. EG + Do IG rất nhỏ nên bỏ qua , IG=0, nên IS=ID.
+ ID (mA)
Tính toán + URS=IS.RS=ID.RS
- Do IG rất nhỏ nên: UGS= EG=-2V. ID (mA)
+ Áp dụng KVL ta có: UGS+IDRS+IG.RG=0
- Đường tải tĩnh: ED- ID.RD-UDS = 0
⇒ UGS= - IDRS – Phương trình đường tải đầu vào. IDSS
- Mặt khác theo phương trình Schockley :
Q UGSQ= -2V + Nếu chọn điểm làm việc Q1 có UGSQ1= -2V. UDS = 10V
IDQ= IDSS (1-UGS/VGS0)2 = 0,92 mA IDQ RS2
⇒ IDQ1= IDSS (1-UGSQ1/VGS0)2 = 0,92 mA.
- Q nằm giữa đường tải: UDSQ=ED/2=10V Q2
- Vậy: RD= (ED-UDSQ)/IDQ=10,8 kΩ. ⇒ RS = -UGSQ1/IDQ1= 2,17 kΩ. RS1
Q1
- Do phải dùng 2 nguồn và độ ổn định không ⇒ RD= (ED-UDSQ)/IDQ- RS = 8,63 kΩ. IDQ1
UDS (V)
cao nên mạch phân áp này ít được sử UGS (V)
dụng. UDSQ ED UGS0=-3V UGSQ1 UGSQ1
c. Mạch định thiên tự cấp 2.5 Mô hình tương đương của JFET
- Sử dụng 2 điện trở phân áp R1, R2 tạo ra +ED a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn
điện áp định thiên cho cực G. RD
R1 ID C2 b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
- Cho ED= +20V, Tham số của JFET:
C1 Ura
UGS0= -3,5V; IDSS= 5mA Q1
- Tính toán điểm làm việc tĩnh nếu UDSQ=10V Uvao
Tính toán R2 RS
+ Do IG rất nhỏ nên bỏ qua , IG=0, nên IS=ID.
ID (mA)
⇒ URS=IS.RS=ID.RS
⇒ UG= ED.R2/(R1+R2)
+ Áp dụng điện áp vòng KVL ta có : IDSS
UG-UGS-ID.RS= 0(phương trình đường tải vào) UDS = 10V
RS2
+ Nếu chọn ID=2mA
Q2
+ Mà ID= IDSS (1-UGS/VGS0)2 RS1 2mA
Q1
⇒ UGS= - 1,28V, Chọn URS<= 0,1.ED
UGS
⇒ Chọn R2=200kΩ, tính tiếp các điện trở còn
lại… UGS0=-3V UGSQ1 UGSQ1 UG 126/176
a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp
- Để xác đinh Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của JFET cần tìm mối
N_JFET P_JFET quan hệ giữa tín hiệu xoay chiều biên độ nhỏ trong JFET: id, ugs., uds
a/ Mô hình tương đương JFET làm việc ở vùng bão hoà - Các phương trình đặc tính tương ứng để xác định các mô hình tương
- + + - đương của JFET:
K.IDSS K.IDSS + Tổng quát :
UGS RGS UDS UGS RGS UDS
i D = f ( u GS , u DS ) = I D + i d = f (U GS + u gs , U DS + u ds )
+ - - +
2 2 + Giả sử điểm làm việc tĩnh Q(UGS,UDS,ID)
⎛ U ⎞ ⎛ U ⎞
K = ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ K = ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟
⎝ U GS 0 ⎠ ⎝ U GS 0 ⎠ ∂f ∂f
b/ Mô hình tương đương JFET làm việc ở vùng ohmic ⇒ id = u gs + uds = g mu gs + g d uds
ID ID
∂uGS Q ∂u DS Q
- + Vp + -
R DS =
I Dbh + gm - Độ hỗ dẫn vào, gd - Độ hỗ dẫn ra
UGS UDS UDS
RGS RDS UGS RGS RDS
+ - - +
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp
2
⎛ u ⎞
+ Mà ta có iD = f (uGS ) = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟
⎝ U GS 0 ⎠
+ Độ hỗ dẫn vào:
∂f − 2 I DSS ⎛ U ⎞ 2 I DS . I DSS
gm = Q = ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ =
∂ u GS U GS 0 ⎝ U GS 0 ⎠ − U GS 0
+ Độ hỗ dẫn ứng với trường hợp UGS=UGS0 được gọi là Độ hỗ

dẫn cực đại : − 2I ⎛ ⎞ U
g m0 = DSS
g m = g m 0 ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ 2
U GS 0 ⎝ U GS 0 ⎠ + Độ hỗ dẫn ra : ∂iD ⎛ u ⎞ 1 I
gd = = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ = D
+ Thực tế thì IDbh cũng sẽ thay đổi theo UDS mặc dù sự thay đổi này ∂ u DS Q ⎝ U GS 0 ⎠ V An V An
Q
là không đáng kể. Phương trình tính dòng ID được hiệu chỉnh có I
tính đến ảnh hưởng của điện áp UDS như sau: gd = D
2
V An
⎛ u ⎞ ⎛ u ⎞ VAn - Điện áp Early VAn
i D = f ( u GS , u DS ) = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ ⎜⎜ 1 + DS ⎟⎟ (30 ÷ 300V) + Điện trở vi phân đầu ra: ro = rd = ∂u DS =
1 VAn
= ro = rd =
⎝ U GS 0 ⎠ ⎝ V An ⎠ 127/176 ∂iD Q
gd ID ID
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp 2.6 Một số mạch ứng dụng đơn giản của JFET
+ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của JFET + Bộ khuếch đại xoay chiều dùng JFET + Mạch ổn dòng dùng JFET
VDS
N_JFET − 2 I DSS P_JFET
g m0 = RL D S
U GS 0 G
G D ®Çu ra
D m¹ch
CC D
⎛ U ⎞ gm.ugs rd G + G
gm.ugs rd g m = g m 0 ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ ®Çu vμo
Q1
U +
⎝ GS 0 ⎠ m¹ch
S
VDD RL
VS VRL
-
S S -
− 2I DSS ⎛ UGS ⎞ 2 I DS.I DSS RG RS CS
gm = ⎜1− ⎟=
UGS0 ⎜⎝ UGS0 ⎟⎠
IDS(b·o hoμ)
−UGS0
VAn
ro = rd =
ID
3. Cấu trúc MOS 3. Cấu trúc MOS

Oxide (SiO2)
3.1 Cấu trúc MOS trong điều kiện cân bằng nhiệt
εox =3.9ε0
3.2 Cấu trúc MOS khi có điện áp phân cực Gate (n+ poly)
3.3. Đặc tuyến Q-V Rất mỏng!
0
3.4. Một số hiệu ứng bậc hai tox ~1nm
3.5. Các mô hình dùng cho linh kiện MOS Body (p-type substrate) x
εs =11.7ε0
- MOS = Metal-Oxide-Semiconductor: Cấu trúc tụ điện MOS gồm có

lớp điện cực kim loại phủ nên lớp bán dẫn có nồng độ pha tạp rất cao
(n+ hoặc p+) tương đương như lớp “Metal” (Miền Gate), và lớp bán dẫn
nền (loại p hoặc n)-lớp Semiconductor (miền Body), giữa chúng có lớp
cách điện rất mỏng dùng Oxide SiO2.
- Lớp kim loại “Metal” thường dùng lớp bán dẫn pha tạp cao n+ hoặc p+.
- Lớp bán dẫn nền dùng loại p ta có cấu trúc NMOS, nếu dùng loại n ta
128/176 có cấu trúc PMOS.
3. Cấu trúc MOS 3.1 Điện trường của nMOS trong điều kiện cân bằng nhiệt
- Cấu trúc MOS đã và đang là công nghệ chủ đạo tạo ra cuộc cách mạng
về lĩnh vực điện tử. Có rất nhiều ứng dụng dùng cấu trúc MOS: - Mô hình cấu trúc nMOS lý
tưởng như hình vẽ.
+ Dùng trong nhiều vi mạch tương tự và số: MOSFET là phần tử cơ bản
trong họ vi mạch CMOS. + Miền kim loại “Metal” (Miền
Gate) không tạo thành một vùng
+ Dùng nhiều trong các vi mạch nhớ: DRAM, EPROM…
tích điện mà nó chỉ tích điện trên
+ Dùng có các thiết bị ảnh như camera CCD (Charge-Couple Device) bề mặt.
+ Dùng trong các loại màn hình chỉ thị như Màn hình ma trận tinh thể + Lớp oxide là chất điện môi,
lỏng tích cực… cách điện hoàn toàn, không tích
điện.
+ Vùng bán dẫn nền (Miền Body): có thể hình thành vùng điện tích không
gian.
- Điều kiện cân bằng không thể được thiết lập thông qua lớp oxide nên
cần phải có dây dẫn chuyển điện tích giữa lớp kim loại và lớp bán dẫn.
3.1 Điện trường của NMOS trong điều kiện cân bằng nhiệt 3.1 Điện trường của nMOS trong điều kiện cân bằng nhiệt
log p0, n0 - Mật độ điện tích không gian:
+ + + + + + + + + +
V ox + Vùng điện tích không gian tại lớp bán dẫn
+ - - - - Eox
− VB - ngay sát lớp oxide được xấp xỉ (xấp xỉ
− - - - - Xd0
Body (p-type substrate)
chuyển tiếp) có nồng độ điện tích đồng
đều là –qNa.
+ Tại miền G có lớp điện tích + mỏng ngay
+ Ion Donor + sát tích điện QG (C/cm2).
- Ion Acceptor -
- Vậy mật độ điện tích không gian trong
- Qua dây dẫn sẽ có sự khuếch tán điện tử từ miền kim loại G sang miền bán dẫn MOS như sau:
B và lỗ trống từ miền B sang miền G, chúng tại hợp với nhau.
- Như vậy Miền B sẽ tích điện -, miền G tích điện +, giữa chúng hình thành điện
trường Eox hướng từ G sang B. Điện trường này làm hình thành lớp điện tích
dương ngay dưới đáy của miền G và miền điện tích âm trong miền B ngay dưới
lớp oxide (Do Eox cuốn điện tử và lỗ trống ngược với dòng khuyếch tán)
- Miền điện tích – trong miền bán dẫn tạo ra một vùng chuyển tiếp có độ rộng
Xd0 ngay sát lớp oxide. 129/176
3.1 Điện trường của nMOS trong điều kiện cân bằng nhiệt 3.1 Điện trường của nMOS trong điều kiện cân bằng nhiệt
- Điện trường trong cấu trúc nMOS ⎧ 0 khi xd0 < x

⎪ qNa
⎪ − (x − xdo)
+ Tích phân 2 vế biểu thức Gauss ta có: khi 0 < x < xd0
⎪ εS
E0(x) = ⎨
ε
( )
qN x
⎪ S E0 x = 0+ = a d0 khi −tox < x < 0
+ Tại gianh giới giữa bán dẫn và oxide, ⎪ε0x ε0x
⎪⎩ 0 khi x < −t0x
hằng số điện môi thay đổi, như vậy điện
trường cũng thay đổi: - Điện thế tĩnh điện:
+ Điện thế tĩnh điện tại miền G (n+) ?
+ Thay biểu thức của ρ0(x) vào biểu thức
tích phân ta tính được biểu thức tính phân + Điện thế tĩnh điện tại miền B:
bố điện trường trong cấu trúc MOS:
- Hiệu điện thế nội:
3.1 Điện trường của nMOS trong điều kiện cân bằng nhiệt 3.2 Điện trường của nMOS khi được phân cực
+ Điện thế tiếp xúc

- Khi có điện áp phân cực UGB đặt vào nMOS, tuỳ theo giá trị điện áp phân cực
UGB vùng điện tích không gian thay đổi và có thể tồn tại ở các trạng thái khác
nhau.
- Khi có điện áp phân cực, điện thế nội đặt qua cấu trúc MOS thay đổi từ :
φB −> φB+UGB
- Do lớp oxide cách điện nên dòng điện tại bất kỳ vị trí nào trong các lớp bán
dẫn J=0, như vậy Jdriff = -Jdiff.
- Tại biên giữa lớp oxide và bán dẫn, Điện trường phía lớp oxide Eox và điện
trường phía bán dẫn nền ES luôn thoả mãn điều kiện sau:
130/176 Eox/ES ≈ 3
3.2 Điện trường của nMOS khi được phân cực +Trạng thái năng lượng bằng phẳng (Flatband):UGB=UFB = -φB
- Khi UGB>0, G “hút” điện tử tự do và “đẩy” lỗ trống, như vậy vùng chuyển UGB=VFB= -φB<0 QG (VGB =VFB ) = 0
tiếp sẽ được mở rộng.
+-
- Ngược lại nếu UGB<0, cực G “đẩy” điện tử và “hút” lỗ trống, như vậy vùng
chuyển tiếp sẽ thu hẹp
- Như vậy tuỳ theo điện áp phân cực mà cấu trúc MOS có thể tồn tại ở các Body (p-type substrate)
trạng thái như sau:
+ Trạng thái bằng phẳng (Flatband): UGB= UFB = -φB
+ Trạng thái tích luỹ (accumulation): UGB< UFB
-Khi đặt điện áp phân cực UGB=VFB=-φB<0, điện áp phân cực bù với hiệu
+ Trạng thái chuyển tiếp (depletion): UFB < UGB< 0 điện thế nội φB,, có tác dụng cuốn điện tử từ miền B sang miền G, điện
+ Trạng thái chuyển tiếp (depletion ): 0< UGB < UT tích của các miền G và B giảm dần đến bằng 0, và các vùng tích điện
+ Trạng thái ngưỡng (threshold): UGB = UT biến mất.
+ Trạng thái đảo (inversion): UGB > UT -Với điện kiện phân cực như vậy MOS có dải năng lượng bằng phẳng
“flatband”. Điện áp VFB gọi điện áp flatband.
-Mật độ điện tích miền G: QG(VFB) = 0.
- Trường hợp này ban đầu dòng cuốn do UGB tạo ra ngược chiều và độ
lớn bằng với dòng khuếch tán.
+ Trạng thái tích luỹ (accumulation): UGB< UFB + Trạng thái chuyển tiếp (depletion): UFB < UGB< 0
QG = Cox (VGB − VFB ) QG (VGB ) =−QB + Ion Donor +

UGB<VFB 0>UGB>VFB
+ + + + + + + - Ion Acceptor -
−
+ −−−−−−−−−−−−− +-
++++++++++++++++++
QB = QG - - - - - - - QB =−qNa Xd (VGB )
(+) Lỗ trống
(-) Điện tử tự do + Tương tự như ở điều kiện cân bằng nhiệt, mặc dù UGB<0, nhưng do
UGB>VFB nên vẫn tồn tại dòng khuếch tán điện tử từ miền kim loại G
- Nếu điện áp phân cực giảm nhỏ hơn VFB, cấu trúc nMOS giống như tụ sang miền bán dẫn B và lỗ trống từ miền B sang miền G qua dây dẫn và
điện 2 bản cực song song. Miền G tích điện – (điện tích do điện tử tự do vượt qua điện thế của nguồn cung cấp. Như vậy Miền B sẽ tích điện +,
tạo ra), miền B tích điện + (điện tích do lỗ trống tạo ra) miền G tích điện -, giữa chúng hình thành điện trường Eox hướng từ G
- Mật độ điện tích của miền G: sang B. Điện trường này làm hình thành lớp điện tích dương ngay dưới
QG = Cox (VGB − VFB ) đáy của miền G và miền điện tích âm trong miền B ngay dưới lớp oxide
Cox - mật độ điện dung của tụ MOS tạo ra một vùng chuyển tiếp có độ rộng xd ngay sát lớp oxide
- Trường hợp này ban đầu dòng cuốn do UGB tạo ra lơn hơn và ngược + Trường hợp này ban đầu dòng cuốn do UGB tạo ra ngược chiều và nhỏ
chiều dòng khuếch tán. hơn dòng khuếch tán.
131/176
+ Trạng thái chuyển tiếp (depletion ): 0< UGB < UT + Trạng thái ngưỡng (threshold): UGB = UT
QG (VGB ) = −QB φs
VGB = VT
0<UGB + + + + + +++ + + + + + + + + + + ++ +
+ −
− − − − − − − −
− − − − − − − - - - - -
- - - -
QB = −qNa X d (VGB ) Body (p-type substrate)

+ Khi 0 < UGB < UT, tương tự như trường hợp UFB < UGB< 0, Vùng chuyển tiếp - Khi tăng UGB, tại miền điện tích chuyển tiếp trên đỉnh miền B, nồng độ điện tử
được hình thành ngay sát lớp oxide có độ rộng được mở rộng hơn. Miền tích tăng dần, nồng độ lỗ trống giảm dần.
điện + được hình thành phía đáy của miền G ngay sát lớp oxide và miền điện
tích - được hình thành phía đỉnh của miền B ngay sát lớp oxide. Điện tích âm - Khi UGB =UT tại đỉnh của miền B nồng điện tử bằng nồng độ lỗ trống ở vùng
tạo ra do các Ion Acceptor – và nồng độ điện tử tự do tăng lên. bán dẫn cận trung hoà n(0)=Na, còn nồng lỗ trống bằng nồng độ điện ở vùng bán
+ Khi UGB tăng thì vùng chuyển tiếp cũng được mở rộng. dẫn cận trung hoà p(0)=ni2/ Na. Trạng thái này gọi là trạng thái ngưỡng - Bán dẫn
đã bắt đầu chuyển từ loại p sang loại n.
+ Tại vùng chuyển tiếp phía miền B – bán dẫn p, khi UGB tăng nồng độ điện tử
tăng dần, nồng độ lỗ trống giảm dần. - Điện áp UT được gọi là điện áp ngưỡng.
+Trường hợp này ban đầu dòng cuốn do UGB tạo ra cùng chiều với chiều dòng
khuếch tán - Hệ số nền
+ Trạng thái đảo (inversion): UGB > UT + Trạng thái đảo (inversion): UGB > UT
φs - Trạng thái đảo làm một trạng thái quan trọng của cấu trúc MOS. Trong
VGB =VT trạng thái này điện tích của lớp đảo được điều khiển bởi UGB.
+ + + + + ++ ++ + + +
−
−−−−−−−−−−
- - - - -
(Lớp đảo hạt dẫn, tương đương bán dẫn n)

- Khi UGB>UT nồng độ điện tử tự do tại bề mặt của miền bán dẫn B tiếp giáp với
lớp oxide tăng lớn hơn Na, trạng thái đảo hạt dẫn xảy ra. Lớp điện tử tại bề mặt
được gọi là lớp đảo, bán dẫn tại đó tương đương bán dẫn n
- Nồng độ điện tử tự do tại bề mặt được điều chế theo điện áp UGB, nếu UGB
tăng thì n(0) tăng => điện tích của lớp đảo Qn tăng.
- Nếu QG (VTn ) ≈ −QB ,max QG (VGB ) = Cox (VGB − VTn ) − QB ,max 132/176
3.3 Đường cong Q-V của cấu trúc MOS Tổng kết về các trạng thái của cấu trúc MOS
QG
n
io
ers
v
in −QN (VGB )
n
letio
dep −QB,max
n
io
at
ul VGB (V )
m
cu VFB VTn
ac
- Trong trạng thái tích luỹ và trạng thái đảo điện tích của vùng chuyển
tiếp phía miền G tăng tuyến tính theo điện áp phân cực UGB.
- Trong trạng thái chuyển tiếp điện tích tăng rất chậm do điện áp phân
cực chủ yếu rơi trên điện trở của vùng điện tích chuyển tiếp.
Tổng kết về các trạng thái của cấu trúc nMOS Ví dụ tính toán tham số của nMOS
Cho nMOS với bán dẫn nền B loại n:

tox = 20nm N a = 5 × 1016 cm −3 ε ox = 3,45.10 −13 F / cm
- Điện áp flatband:
VFB = −(φn+ − φ p ) = −(550 − (−402)) = −0.95V
- Tính điện áp ngưỡng
ε ox
3.45 × 10−13 F/cm
Cox = =
tox 2 × 10-6 cm
1
VTn = VFB − 2φ p + 2qε s N a (−2φ p )
Cox
2 × 1.6 ×10−19 × 1.04 × 10−12 × 5 × 1016 × 2 × 0.4
VTn = −.95 − 2(−0.4) + = 0.52V
Cox
Trong trạng thái đảo (Inversion):
Mật độ điện tích đảo: Qn(UGB) = -Cox(UGB-VT) khi UGB > VT
133/176
4. Transistor trường loại cực cửa cách ly – IGFET 4.1 Cấu tạo của MOSFET
4.1 Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET loại kênh đặt sẵn - MOSFET là loại linh kiện điển hình trong họ FET có cực cửa G cách
(Depletion Type MOSFET- DMOSFET) ly. MOSFET về cơ bản có cấu tạo dựa trên cấu trúc MOS như sau:
4.2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của MOSFET loại kênh cảm ứng + Trên đế bán dẫn (bán dẫn nền B), người ta tạo ra 2 vùng bán dẫn khác
(Enhancenment Type MOSFET- EMOSFET) với bán dẫn nền. Ví dụ loại nền loại p, thì tạo ra 2 vùng bán dẫn loại n+
4.3. Các cách mắc và họ đặc tuyến của MOSFET cách nhau một khoảng nhất định, 2 vùng bán dẫn n này được dẫn ra
4.4. Phân cực cho MOSFET ngoài thành 2 điện cực S và D.
4.5. Các mô hình tương đương của MOSFET + Vùng bán dẫn giữa S và D hoặc bằng cách pha tạp (MOSFET kênh đặt
sẵn) hoặc do thiên áp trong khi hoạt động (MOSFET kênh cảm ứng)
4.6. Một số ứng dụng của MOSFET bao giờ cũng có loại hạt dẫn đảo so với đế. Vùng này được gọi là vùng
kênh dẫn, như vậy tức là bao giờ ta cũng có một chuyển tiếp p-n giữa
đế và kênh dẫn.
+ Phía trên kênh dẫn người ta phủ lớp điện môi mỏng (SiO2), và trên lớp
điện môi này phủ tiếp lớp kim loại tạo ra điện cực G của MOSFET, G
được cách ly hoàn toàn với kênh dẫn, tương tự như cấu trúc MOS.
4.1 Cấu tạo của MOSFET 4.1 Cấu tạo của MOSFET
+ MOSFET thường có thêm điện cực thứ 4 gọi là cực đế B (substrate), D-MOSFET E-MOSFET
cực đế (cực nền) ngăn cách với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n nên
G D D S G D
cũng có thể dùng nó như một cực điều khiển nữa bên cạch G. Tuy S D B B
nhiên tích chất điều khiển của cực B thường không được sử dụng và nó G G
thường được nối tắt với cực nguồn.
n+ Kênh dẫn (n) n+ S S n+ n+
- Ngoài cách phân loại theo kênh dẫn loại n và p, MOSFET còn được D D
phân loại theo cách tạo ra kênh dẫn như sau: G G Substrate (p)
Substrate (p)
+ D-MOSFET (Deplection MOSFET): MOSFET kênh đặt sẵn S S B
(MOSFET kiểu làm nghèo). Kênh dẫn được chế tạo sẵn là loại bán dẫn B
khác với bán dẫn nền. Điện áp giữa cực G và cực S làm nghèo một G S G D
S D D D
phần kênh dẫn (tương tự như JFET). B B
G G
+ E-MOSFET (Enhancement MOSFET): MOSFET kênh cảm ứng p+ Kênh dẫn (p) p+ p+ p+
(MOSFET kiểu làm giàu), kênh dẫn chưa được chế tạo trước. Kênh dẫn S S
D D
sẽ được tạo ra khi điện áp đặt lên cực G thích hợp và có giá trị lớn hơn
Substrate (n) G Substrate (n)
điện áp ngưỡng nào đó thì sẽ tạo lớp đảo hạt dẫn phía dưới cực cổng, G
lớp hạt dẫn đảo này tương tự như một kênh dẫn nối cực S và D. 134/176 B S S B
4.1 Cấu tạo của MOSFET 4.2. Nguyên lý làm việc của MOSFET
- Nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh loại N và kênh loại P giống
nhau. Chúng chỉ khác nhau về chiều của nguồn điện cung cấp là ngược
dấu nhau.
- MOSFET được phân cực sao giữa đế (cực B) và kênh tạo ra vùng
chuyển tiếp nghèo bao quanh kênh dẫn, và dòng các hạt dẫn đa số đi
vào kênh từ cực S và ra khỏi kênh từ cực D tạo ra dòng ID.
MOSFET vỏ kim loại MOSFET vỏ nhựa - Nguyên lý hoạt động cơ bản của MOSFET là cực cổng G kết hợp với
lớp điện môi nằm dưới nó và kênh dẫn bán dẫn nằm dưới lớp điện môi
MOSFET công suất cao chính là cấu trúc tụ điện MOS. Điện áp điều khiển tác dụng lên cực
cổng sẽ tạo ra một điện trường làm biến thiên nồng độ hạt tải tự do
trong kênh dẫn, hoặc thiết diện của kênh dẫn, độ dẫn của kênh sẽ thay
đổi. Dòng điện ID phụ thuộc và điện áp UGS và UDS. Đặc tuyến quan
trọng của MOSFET cũng là đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt tương
tự như JFET.
MOSFET vỏ nhựa tổng hợp với đầu MOSFET vỏ hoàn toàn bằng kim
nhiệt kim loại loại - Đặc tính của MOSFET về cơ bản tương tự đặc tính của JFET nhưng có
nhiều điểm ưu việt hơn.
a/ Nguyên lý làm việc của D-MOSFET a/ Nguyên lý làm việc của D-MOSFET
- Trong D-MOSFET bằng công nghệ đã chế tạo sẵn kênh dẫn bên dưới D-MOSFET kênh n làm việc theo 2 nguyên lý sau:
cực G, điện áp cực G điều khiển dòng giữa cực nguồn và cực máng + Nguyên lý tổn hao: Khi UGS≤0, những điện tích dương sẽ được cảm ứng vào kênh dẫn
bằng cách làm nghèo một phần kênh đó (thiết diện của kênh bị thu n, những điện tích dương này trung hoà bớt điện tử trong kênh n và hình thành một
hẹp), tương tự như JFET. Vì khi D-MOSFET hoạt động kênh dẫn đã có vùng chuyển tiếp nghèo hạt dẫn tại kênh ngay phía dưới cực G làm cho điện trở của
sẵn đóng dần lại nên D-MOSFET còn được gọi là MOSFET thường kênh tăng lên, dòng ID giảm xuống. UGS càng giảm thì vùng chuyển tiếp càng mở rộng
mở. và ID càng giảm. Sự thay đổi điện trở kênh dẫn do các hạt dẫn mới cảm ứng ra bởi điện
trường cực G đã trung hoà bớt hạt dẫn vốn có của kênh – do điện tích trái dấu nhau –
- Thông thường cực nền B được nối tắt với cực nguồn S. Nguồn phân
nghĩa là làm tổn hao hạt đẫn.
cực sao cho chuyển tiếp PN giữa cực bán dẫn nền và kênh dẫn luôn
Với UGS=const, khi UDS tăng dần thì vùng chuyển tiếp PN giữa B và kênh phân cực
phân cực ngược, dòng hạt đa số của kênh dẫn đi ra ở cực D.
ngược lan sâu hơn vào kênh và vùng chuyển tiếp nghèo hạt dẫn cũng sẽ mở rộng, kênh
D D sẽ bị thắt dần về phía cực D. Đặc tuyến ra của D-MOSFET cũng tương tự như của
a) D-MOSFET b) D-MOSFET
kênh N kênh P ID JFET. Cấu trúc MOS giữa G và kênh làm việc ở trạng thái chuyển tiếp
ID
G G + Nguyên lý tăng cường: Khi UGS>0, khi ấy dưới tác dụng của điện trường cực G các
RD RD điện tử được cảm ứng vào kênh dẫn làm tăng nồng độ của điện tử trong kênh dẫn do đó
UDS UDS
làm giảm điện trở suất của kênh. Nếu UGS tăng thì ID cũng sẽ tăng. Cấu trúc MOS giữa
S S G và kênh làm việc ở trạng thái tích luỹ.
− UGS + + UGS −
EG Với UGS=const, khi UDS tăng dần thì vùng chuyển tiếp PN giữa B và kênh phân cực
EG +
− ED − + ED ngược lan sâu hơn vào kênh, và nồng độ điện tử trong kênh cũng giảm dần về phía cực
D, như vậy kênh cũng sẽ bị thắt dần về phía cực D.
135/176
+ D-MOSFET làm việc theo nguyên lý làm việc tổn hao + D-MOSFET làm việc theo nguyên lý tăng cường
Lớp chuyển tiếp UGS<0 Vùng đánh thủng Lớp điện tích UGS>0
12 ID (mA) (Avalanche Region) 12 ID (mA)
G tích luỹ G UGS>0V
D S A S 10 A B
10 UGS<0V B IDbh
IDbh 8
+ + + + 8 -----------
n n
6 6
n+ n+ Vùng bão hoà n+ n+ Vùng bão hoà
4 4
Substrate (p) 2 Substrate (p) 2
(a) B 0 (a) B 0
UGS<0 2 UP 4 6 8 10 12 UDS (V) UGS>0 2 UP 4 6 8 10 12 UDS (V)
G G UGS<0 UGS<0 G G UGS>0 UGS>0
G G
D S D S D S D S D S D S
-------
+ ++ + + + + + n + + + + - - - - - -------- n - ---
n+ n+ n+ n+ n+ n+ n+ n+ n+ n+ n+ n+
Substrate (p) Substrate (p) Substrate (p) Substrate (p) Substrate (p) Substrate (p)
UDS B (b) UDS=UP B (c) UDS>UP B (d) UDS B (b) UDS=UP B (c) UDS>UP B (d)
+ Các họ đặc tuyến của D-MOSFET kênh n + Các họ đặc tuyến của D-MOSFET kênh p
ID (mA) ID (mA) ID (mA)

Chế ID (mA)
IDmax Vùng Ohmic UGS = +1V B UGS = -1V
IDmax độ IDmax
A IDmax
Chế độ giầu
Vùng Ohmic
nghèo hd UGS = 0 V hd IDSS UGS = 0 V
IDSS IDSS IDSS
− 1,0 V Chế 1,0 V
Chế độ độ
giàu hd −2V 2V
nghèo
UGS0 UGS0 hd UGS UGS0 0
−3 −2 −1 0 UGS (V) 0 2 4 UP 6 8 10 12 UDS (V) -1 0 1 2 UGS0 UDS
UGSmax UGSmin
2
⎛ U ⎞ Vùng bão hòa ⎛ U ⎞
2
I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ khi U GS 0 ≤ U GS ≤ U GS max I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ khi U GS min ≤ U GS ≤ U GS 0 Vùng bão hòa
⎝ U GS 0 ⎠ ⎝ U GS 0 ⎠
136/176
b/ Nguyên lý làm việc của E-MOSFET + Đặc tuyến ra của E-MOSFET kênh n
- Trong E-MOSFET (MOSFET kênh cảm ứng, MOSFET kiểu làm giàu hạt dẫn) UGS>UT>0 Vùng đánh thủng
Vùng Ohmic
12 ID (mA)
G (Avalanche Region)
không có sẵn kênh dẫn giữa S và D mà kênh dẫn này sẽ được tạo ra khi đặt
D S 10 A
UGS>UT B
điện áp lên cực cổng thích hợp lớn hơn giá trị điện áp ngưỡng nào đó UT thì sẽ IDbh
có sự tạo thành lớp đảo hạt dẫn ngay dưới cực cổng tạo thành kênh dẫn nối --------- 8
giữa S và D (tương tự như cấu trúc MOS trong trạng thái đảo). Vì kênh dẫn chỉ n+ - - - - - n+
6 Vùng bão hoà
được tạo ra khi có điện áp trên cực G nên loại MOSFET này còn gọi là - - Lớp đảo - - 4
Lớp chuyển tiếp (Pinchoff Region)
MOSFET thường mở.
2
- Thông thường cực nền B được nối tắt với cực nguồn S. Nguồn phân cực sao Substrate (p)
cho tạo thành lớp đảo hạt dẫn tại bán dẫn nền, dòng hạt đa số của kênh dẫn đi 0
2 UP 4 6 8 10 12 UDS (V)
ra ở cực D. (a) B
a) E-MOSFET D b) E-MOSFET G U GS>UT>0 G UGS>UT>0 G UGS>UT>0
D ID D S D S D S
kênh N ID kênh P
G RD G RD --------- ------ ----
UDS UDS n+ - - - - - n+ n+ -- - - - - n+ n+ + - - - - n+
- - - - - - - - - - -
- -
S S
+ UGS + EG <0 UGS −
EG>0 - - Substrate (p) Substrate (p) Substrate (p)
− ED + + ED
B B B
UDS<Up (b) UDS=Up (c) UDS>Up (d)
+ Các họ đặc tuyến của E-MOSFET kênh n + Các họ đặc tuyến của E-MOSFET kênh p
Họ đặc tuyến ra
Họ đặc tuyến
truyền đạt
-UDS
S
+ Khi UGS>UT - điện áp ngưỡng, kênh bị khoá hoàn toàn (chưa hình
+ Khi UGS<UT - điện áp ngưỡng, kênh bị khoá hoàn toàn (chưa hình thành kênh
cảm ứng): ID= IDbh=0. thành kênh cảm ứng): ID= IDbh=0.
+ Khi UT<UGS = const, nếu UDS >Up thì ID =IDbh=const + Khi UGS<UT<0, nếu -UDS >Up thì ID =IDbh=const
+ Biểu thức tính ID theo UGS tại vùng bão hoà thường được tính như sau: + Biểu thức tính ID theo UGS tại vùng bão hoà thường được tính như sau:
W W, L độ rộng và W
I D = k .(U GS − U T ) 2 k: hằng số kênh. k = 2.L μ n C ox chiều dài của G I D = k .(U GS − U T ) 2 k = μ p C ox Cox: Điện dung của MOS
137/176 2.L
Bảng so sánh đặc tuyến truyền đạt của các cấu kiện FET 4.2 Định thiên cho MOSFET
- Với MOSFET làm việc ở chế độ xung số thường được phân áp để
chúng làm việc ở vùng đặc tuyến khoá hoàn toàn và vùng ohmic hoặc
gần bão hoà.
- Khi MOSFET làm việc ở chế độ tích cực (chế độ khuếch đại tín hiệu)
IDSS IDSS thì chúng được định thiên để làm việc ở vùng đặc tuyến bão hoà.
UGS0 UGS0
- Trong phần này chủ yếu tính toán mạch định thiên để MOSFET làm
I D = I DSS (1 −
U GS 2
U GS 0
) I D = I DSS (1 −
U GS 2
) ID = k.(UGS −UT )2 việc ở chế độ tích cực.
U GS 0 - Khi tính toán mạch định thiên sử dụng các giả thiết sau: IG=0, Khi
I D ( on ) UGS=const, dòng ID=IDSbh=const mặc dù UDS thay đổi.
k=
(U GS ( on ) − U T ) 2 a. Các cách định thiên cho D-MOSFET:
+ a.1/ Tự định thiên
+ a.2/ Định thiên cực cổng
+ a.3/ Định thiên bằng mạch phân áp
b. Các cách định thiên cho E-MOSFET
+ b.1/ Định thiện bằng mạch hồi tiếp
UGS0 UGS0/2 UGS0 UT
+ b.2/ Định thiên bằng mạch phân áp
a.1/ Mạch tự định thiên D-MOSFET Xác định điểm làm việc Q
ED
RD
IDSS=8mA
UGS0=-8V
RG RS
UGS0
138/176
a.1/ Mạch tự định thiên D-MOSFET a.2/ Định thiên bằng mạch phân áp cho D-MOSFET
RD
R1
IDSS=6mA
UGS0=-3V
R2 RS
+ Điểm làm việc Q Ảnh hưởng của việc thay đổi điểm làm việc Q khi RS biến đổi
With an N Channel
D-MOSFET,
VGS may be positive
UGS0 UGS0
139/176
a.2/ Định thiên bằng mạch phân áp cho D-MOSFET a.3/ Định thiên cực G cố định
RD
IDSS=10mA
UGS0=-4V
EG
b.1/ Định thiên cho E-MOSFET bằng mạch hồi tiếp Sơ đồ 1 chiều tương đương
IG = 0
UGS = UDS
140/176
+ Đặc tuyến truyền đạt + Xác định điểm làm việc Q
UT
UT
Ví dụ b.2/ Định thiên cho N E-MOSFET dùng mạch phân áp
⎛ R2 ⎞
VG = VDD ⎜ ⎟
UT=UGSTH = 4V ⎝ R1 +R2 ⎠
UGSon = 7.5V
IDon
IDon = 5mA k=
(VGSon - VGSTH)2
UDD = 22V
ID = k(VGS - VGSTH)2
IDon
k=
(VGSon - VGSTH)2
141/176
b.2/ Định thiên cho N E-MOSFET dùng mạch phân áp b.2/ Định thiên cho N E-MOSFET dùng mạch phân áp
⎛ R2 ⎞
VG = VDD ⎜ ⎟
⎝ R1 +R2 ⎠
KVL Input
-VG + VGS + IDRS = 0
IDon
k=
(VGSon - VGSTH)2
b.2/ Định thiên cho N E-MOSFET dùng mạch phân áp 5.3. Mô hình tương đương của MOSFET
a/ Mô hình tương đương một chiều và tín hiệu lớn

b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
Xét trường hợp cực S và B nối tắt
142/176
a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn a/ Mô hình tương đương 1 chiều và tín hiệu lớn
D D D D
G G G G
S S S S
+ Mô hình tương đương D-MOSFET làm việc ở vùng bão hoà + Mô hình tương đương E-MOSFET làm việc ở vùng bão hoà
+ - + -
RGS K.IDSS UDS RGS K.IDSS UDS RGS ID UDS RGS .ID UDS
UGS UGS UGS UGS
- + - +
2 2
⎛ U ⎞ ⎛ U ⎞
K = ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ K = ⎜⎜ 1 − GS
U
⎟⎟ ID = k.(UGS −UT )2
⎝ U GS 0 ⎠ ⎝ GS 0 ⎠
+ Mô hình tương đương D-MOSFET làm việc ở vùng ohmic + Mô hình tương đương E-MOSFET làm việc ở vùng ohmic
+ Vp - + Vp -
R DS = R DS =
I Dbh I Dbh
UGS UDS UDS UGS UDS UDS
RGS RDS UGS RGS RDS RGS RDS UGS RGS RDS
- + - +
b/ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET
2
- Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của MOSFET xác định mối quan hệ ⎛ u ⎞
giữa tín hiệu xoay chiều biên độ nhỏ trong JFET: id, ugs. + Ta có iD = f (uGS ) = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟
⎝ uGS 0 ⎠
- Các phương trình đặc tính tương ứng để xác định các mô hình tương
đương của MOSFET:
+ Tổng quát : ∂f − 2 I DSS ⎛ U ⎞ 2 I DS . I DSS
gm = Q = ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ =
∂ u GS U GS 0 ⎝ U GS 0 ⎠ − U GS 0
i D = f ( u GS , u DS ) = I D + i d = f (U GS + u gs , U DS + u ds )
+ Giả sử điểm làm việc Q(UGS,UDS,ID) + Độ hỗ dẫn khi UGS=UGS0, được gọi là Độ hỗ dẫn cực đại :
− 2 I DSS ⎛ U ⎞
∂f ∂f g m0 = g m = g m 0 ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟
U GS 0
⇒ id = u gs + uds = g mu gs + g d uds ⎝ U GS 0 ⎠
∂uGS Q ∂u DS Q + Thực tế thì IDbh cũng sẽ thay đổi theo UDS mặc dù sự thay đổi này
là không đáng kể. Phương trình tính dòng ID được hiệu chỉnh có
+ gm - Độ hỗ dẫn vào, gd - Độ hỗ dẫn ra tính đến ảnh hưởng của điện áp UDS như sau:
2
⎛ u ⎞ ⎛ u ⎞ VAn - Điện áp Early
i D = f ( u GS , u DS ) = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ ⎜⎜ 1 + DS ⎟⎟ (30 ÷ 300V)
143/176 ⎝ U GS 0 ⎠ ⎝ V An ⎠
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET
2
iD = f (uGS ) = k (uGS − U T )
+ Độ hỗ dẫn ra : ∂i ⎛ u ⎞ 1 I 2
g d = DS = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ = D + Ta có
∂ u DS Q ⎝ U GS 0 ⎠ V An V An
Q
∂f 2.ID
+ Điện trở vi phân đầu ra: ro = rd = ∂u DS =
1 VAn
= gm = Q =2.k.(UGS −UT ) =
∂iD Q
gd ID ∂uGS (UGS −UT )
+ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của D-MOSFET + Thực tế thì IDbh cũng sẽ thay đổi theo UDS mặc dù sự thay đổi này là
D D không đáng kể. Phương trình tính dòng ID được hiệu chỉnh có tính đến ảnh
G − 2 I DSS G hưởng của điện áp UDS như sau:
g m0 =
U GS 0 S
iD = f (uGS ) = k (uGS − U T ) (1 + λ .u DS )
S G 2
G D
D
⎛ U ⎞ gm.ugs rd
gm.ugs g m = g m 0 ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ ∂ i DS
rd U GS 0 gd = = k (U GS − U T )2 .λ = I D .λ
⎝ ⎠ + Độ hỗ dẫn ra : ∂ u DS Q
S
S − 2I DSS ⎛ UGS ⎞ 2 I DS.I DSS λ : Hệ số điều chế
gm = ⎜1− ⎟= + Điện trở vi phân đầu ra: ∂ u DS 1 1
UGS0 ⎜⎝ UGS0 ⎟⎠
ro = rd = = =
−UGS0 ∂iD Q
gd λ .I D chiều dài kênh
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET 5. Cấu trúc CMOS
+VDD
+ Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ tần thấp của E-MOSFET
D D
G G UD
UG
S S
G
G D
D
gm.ugs rd
gm.ugs rd Bộ đảo CMOS
S - Công nghệ CMOS- Complementary MOS: Hai MOSFET bù nhau
S ∂f 2.ID
gm = Q=
NMOS (MOSFET kênh N) và PMOS (MOSFET kênh P) được chế tạo
∂uGS (UGS −UT ) đồng thời trên một đế bán dẫn duy nhất.
1 1 - Giữa PMOS và NMOS được cách ly với nhau bởi chuyển tiếp PN
rd = = phân cực ngược hoặc một lớp oxide SiO2.
gd λ .I D
- Công nghệ CMOS hiện là công nghệ phổ biến trong các vi mạch số.
144/176
Tổng kết Tổng kết
145/176
Lecture 8- Thyristors
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 1. Giới thiệu chung

2. SCR
ELECTRONIC DEVICES
3. TRIAC
4. DIAC
Lecture 8- Thyristors 5. GTO
6. UJT
Đỗ Mạnh Hà
8/2009
1. Giới thiệu chung 2. SCR – Cấu kiện chỉnh lưu Si có điều khiển
- Thyristors là một họ cấu kiện bán dẫn công suất, được sử dụng nhiều trong lĩnh 2.1 Cấu tạo của SCR
vực điện tử công suất, điều khiển công suất, điều khiển nguồn điện, điều khiển
tốc độ ô tô, điều khiển đèn tắt - sáng, điều khiển mô tơ điện một chiều v.v... 2.2 Nguyên lý làm việc
- Thyristors là họ cấu kiện bán dẫn được cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn, ví dụ như 2.3 Đặc tính của SCR
p-n-p-n, tạo ra ba lớp tiếp giáp p-n:J1,J2,J3 và có thể có 2, 3 hoặc 4 chân cực, 2.4 Ứng dụng
có thể dẫn điện 1 chiều hoặc cả 2 chiều.
- Đây là loại cấu kiện hoạt động ở trạng thái bền là khóa và trạng thái mở tùy
thuộc vào tính hồi tiếp dương của 4 lớp bán dẫn p-n-p-n
- Họ Thyristor có nhiều loại cấu kiện khác nhau, điển hình như:
+ SCR (The Silicon Controlled Rectifier): Cấu kiện chỉnh lưu Si có điều khiển.
+ TRIAC (Triode Alternative Current): Cấu kiện chỉnh lưu 2 chiều.
+ DIAC (Diode for Alternating Current).
+ GTO (Gate turn-off thyristor).
+ FET-CTH (FET-controlled Thyristor).
+ IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) .
+ MTO (MOS turn-off Thyristor)
+ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)…
146/176
2.1 – Cấu tạo của SCR 2.2 Nguyên lý làm việc
- SCR là một cấu kiện quan trọng - SCR có thể được coi
N1 P2
trong họ Thyristors, SCR hay còn như tương đương 2
được gọi là họ cấu kiện chỉnh lưu BJT: PNP và NPN mắc
có điều khiển thường được làm từ J1 J2 J3 như hình vẽ. N1 P2 N2
vật liệu Si nên còn gọi là cấu kiện - Để xét nguyên lý hoạt
chỉnh lưu Si có điều khiển (SCR- động của SCR, xét
The Silicon Controlled Rectifier mạch như hình vẽ:
Devices). Miền dẫn thuận
- SCR cấu tạo từ bốn lớp bán dẫn P1 N1 P2 N2

IA IL IG3
p-n-p-n (gọi là P1-N1-P2-N2), tạo J1 J2 J3
IH
ra ba lớp tiếp giáp p-n: J1,J2,J3, có
ba cực: anode A, cathode K, cực
Miền chắn thuận
cổng điều khiển G nối vào P2. 0
Miền chắn
- Có 2 loại: SCR quy ước (Gọi tắt P1 N1 P2 N2 IG IB2 ngược
là SCR) và SCR kiểu bù (Cực G UG IK IG3
nối vào N1, loại này ít được dùng). Miền đánh thủng ngược
2.2 Nguyên lý làm việc 2.2 Nguyên lý làm việc

Đặc tuyến V-A thể hiện hoạt động của SCR như hình vẽ và được chia - Nếu tăng dần UAK lên đến điện áp đánh thủng tiếp xúc J2 thì dòng điện
thành 4 vùng rõ rệt: qua SCR tăng vọt. Lúc này cả 3 tiếp xúc P-N đều coi như được phân
1. Phân cực ngược UAK<0, SCR có thể coi như là 2 điốt phân cực ngược cực thuận, điện trở của chúng rất nhỏ làm cho sụt áp trên SCR giảm
mắc nối tiếp J1, J3. Khi UAK càng giảm thì dòng qua SCR nhanh chóng hẳn xuống còn khoảng từ 1 ÷ 2 V. Lúc này SCR đã chuyển từ trạng thái
bằng dòng bão hòa ngược (bằng dòng bão hòa ngược của các điốt), khóa sang trạng thái mở “ON”, hay trạng thái dẫn điện hoặc ở chế độ
SCR làm việc ở “Miền chắn ngược” hay trạng thái khóa “OFF”. trở kháng thấp, miền làm việc của SCR gọi là “Miền dẫn thuận”.
Nếu giảm UAK quá nhỏ (UAK<-UBR) thì 2 chuyển tiếp J1,J3 bị đánh Phương pháp mở SCR bằng cách tăng điện áp phân cực thuận UAK gọi
thủng theo cơ chế thác lũ và xuyên hầm, dòng đánh thủng tăng vọt có là phương pháp kích mở.
thể làm hỏng SCR. Vùng làm việc này gọi là “Miền đánh thủng - Trong trạng thái mở, dòng điện qua SCR được hạn chế nhờ điện trở mắc
ngược”. ở mạch ngoài và IA>IL - dòng chốt (dòng điện nhỏ nhất trên Anốt yêu
2. Phân cực thuận UAK>0, Xét các trường hợp sau: cầu để duy trì SCR ở trạng thái mở), như vậy khi SCR chuyển sang
trạng thái mở thì không cần dòng điều khiển IG. Trị số điện áp mà tại
a. Cực G hở, IG=0, J1, J3 phân cực thuận, J2 phân cực ngược, khi UAK
đó xảy ra đánh thủng tiếp xúc J2 được gọi là điện áp đỉnh khuỷu UBF -
còn nhỏ dòng IA,IK nhỏ và được quyết định chủ yếu bởi dòng bão hòa
còn được gọi là điện áp kích mở.
ngược của J2, ID= IA=IK được gọi là dòng dò thuận, SCR làm việc ở
“Miền chắn thuận” (hay SCR ở chế độ trở kháng cao, trạng thái khóa - Như vậy, khi SCR đã dẫn điện thì dòng điện qua nó không thể điều
“OFF”). khiển được nếu dòng IA lớn.
147/176
- Theo sơ đồ tương đương, khi tăng UAK tới giá trị nhất định làm dòng b. Cực G có dòng điều khiển, IG≠0:
ngược IC1 tăng (khi J2 bắt đầu bị đánh thủng), mà IB2= IC1,,khi IC1 lớn - Nếu điện áp thuận đặt vào SCR UAK nhỏ hơn mức điện áp kích mở
hơn dòng mở cho Q2 thì Q2 sẽ mở làm cho IC2 tiếp tục tăng, mà IB1= UBF, và giữa cực G và K được đặt điện áp UG>0, tạo ra dòng IG đủ lớn
IC2,,như vậy IC1 tiếp tục tăng, quá trình này xảy ra theo một vòng kín, làm mở Q2, và quá trình xảy ra theo một vòng kín tương tự như trên và
kết quả là dù điều kiện gây ra sự đánh thủng J2 mất đi (khi UAK giảm) làm cho Q1 mở như vậy SCR được mở hoàn toàn.
thì quá trình cũng vẫn tự động dẫn tới Q1, Q2 mở hoàn toàn, nghĩa là - Điện áp mở SCR UG thường là một xung có biên độ đủ lớn, sau khi
SCR mở hoàn toàn. SCR mở mó giữ nguyên trạng thái này cho dù xung mở UG không còn
- Khi SCR đã mở hoàn toàn thì nếu điện áp phân cực thuận UAK giảm nữa, muốn cho SCR chuyển từ trạng thái mở sang trạng thái khóa phải
nhỏ hơn điện áp kích mở thì dòng IA cũng giảm nhưng SCR vẫn mở, và làm cho dòng IB1, IB2 giảm nhỏ hơn dòng mở của Q1, Q2, điều này có
SCR chỉ ngừng dẫn khi dòng điện IA bị giảm xuống dưới trị số dòng thể thực hiện được bằng 2 cách sau:
điện IH - gọi là dòng điện duy trì và tương ứng với dòng IH ta có điện áp + Giảm nhỏ điện áp thuận UAK, do đó IA sẽ giảm dẫn tới IB2 giảm nhở
duy trì UH. hơn dòng mở của Q2 làm cho Q2 khóa, dòng IC2=IB1 cũng giảm đi làm
cho Q1 khóa, kết quả là SCR khóa hoàn toàn.
+ Tạo điện áp UG <0, làm cho IB2 giảm làm cho Q2 khóa, dẫn tới Q1
cũng khóa, do đó SCR cũng khóa hoàn toàn.
- Nếu ta tăng dòng điều khiển IG1 < IG2 < IG3 thì điện áp đỉnh khuỷu UBF - Tính dòng IA, IK trong trạng thái mở:
cũng giảm từ UBF1 đến UBF2 và khi IG = IG3 thì SCR dẫn điện như một + Theo sơ đồ mạch tương đương của SCR ta thấy, khi SCR dẫn điện
điốt. thì qua nó có dòng điện từ A đến K và giữa các tiếp xúc P-N của 2 BJT
- Khi UAK thuận tăng lên thì dòng điều khiển cần thiết để khởi động SCR Q1 và Q2 có các dòng điện vào và ra:
sẽ giảm xuống. IC1 = IB2 và IC2 = IB1
Chú ý: Khi SCR khóa, muốn nó mở trở lại có thể thực hiện bằng 2 cách: Mà dòng collector của mỗi BJT là : IC1 = α1IA + ICBo1
+ Tăng điện áp phân cực thuận UAK vượt quá giá trị điện áp kích mở IC2 = α2IK + ICBo2
+ Kích khởi bằng xung điều khiển mở UG>0. Trong đó α1 và α2 là hệ số khuếch đại thác lũ alpha (số nhân thác lũ).
+ Dòng điện tổng qua SCR là:
IA = IC1 + IC2 = α1IA + α2IK + ICBo1 + ICBo2 (1)
Trong đó ta có:
ICBo1 + ICBo2 = ICBo
ICBo là dòng điện ngược bão hòa của tiếp xúc J2.
+ Mặt khác IK=IA+IG thay vào (1) và rút gọn ta có:
148/176
IA = (α2IG+ ICB0)/[1-(α1 + α2)] + Khi cho một dòng điện vào cực điều khiển G, nó có thể tăng hệ số α
+ Nếu IG=0 ta có : (hệ số tăng kiểu thác lũ) mà không phụ thuộc vào điện áp và dòng điện.
IA = ICB0/[1-(α1 + α2)] Như vậy, dòng IG có tác dụng gia tăng hạt dẫn thiểu số (điện tử) cho
lớp bán dẫn P2 để cho tiếp xúc J2 bị thông sớm hơn. Tuỳ theo trị số của
+ Hệ số khuếch đại của hai BJT hở nên nhỏ. Như vậy, trạng thái dẫn bền dòng IG mà điện áp đánh thủng tiếp xúc J2 và trị số dòng điện duy trì IH
vững đạt được là do cả hai BJT rơi vào chế độ bão hoà để đạt được điều thay đổi. Khi IG có giá trị càng lớn thì UBF càng nhỏ và IH càng nhỏ.
kiện α1 + α2 = 1.
- Ví dụ mạch chỉnh lưu có điều khiển pha minh họa hoạt động của SCR:
+ Như vậy, khi α1 + α2 = 1 thì dòng điện tăng vọt và không điều khiển
được, nó tương ứng với tiếp xúc J2 phân cực thuận. Lúc này, SCR dẫn UV
điện và có nghĩa là cả hai BJT Q1 và Q2 đều dẫn bão hòa, tương ứng ωt
với SCR ở chế độ mở "ON". α π
Uv Rt Ut UG
+ Trên thực tế, khi đặt điện áp UAK nào đó lên SCR thì chỉ có dòng điện ωt
ngược chạy qua SCR, còn dòng điều khiển IG sẽ tạo ra một thành phần UG
dòng điện mà khi tổng các hệ số khuếch đại kiểu thác lũ của dòng điện Ut
α1 + α2 → 1 thì SCR sẽ khởi động. ωt
α π
2.3 Đặc tính của SCR 3. TRIAC – Triode Alternative Current
- Thời gian mở và tắt rất nhanh (vài μ s đến chục μs). 3.1 Cấu tạo của TRIAC
- Cường độ dòng cho phép cao (hàng nghìn Ampe). 3.2 Nguyên lý làm việc
- Điện áp làm việc cao (hàng nghìn Vôn).
- Sụt áp giữa 2 cực nhỏ (từ 1 ÷ 2V).
- Khả năng điều khiển tốt.
149/176
3.1 Cấu tạo của TRIAC 3.2 Nguyên lý làm việc
- TRIAC (TRIode for Alternating Current) là phần tử bán dẫn gồm năm - Đặc tính Volt-Ampere của TRIAC bao gồm hai đoạn đặc tính ở góc phần tư
lớp bán dẫn, tạo nên cấu trúc p-n-p-n như ở SCR theo cả hai chiều thứ nhất và thứ ba, mỗi đoạn đều giống như đặc tính thuận của một SCR.
giữa các cực A1 và A2, do đó có thể dẫn dòng theo cả hai chiều giữa - Phương pháp kích khởi cho TRIAC: UA2A1
IA
A1 và A2. TRIAC có thể coi tương đương với hai SCR mắc song song + Cực G dương và cực A2 dương hơn so với A1
ngược nhau. + Cực G âm và cực A2 âm hơn so với A1 R
- TRIAC cho qua 2 nửa chu kỳ của một
điện áp xoay chiều và điều khiển bằng
một cực điều khiển G. IA
A2
UG
- Khác với SCR, triac khóa trong một
khoảng thời gian rất ngắn lúc dòng điện
tải đi qua điểm O. Nếu mạch điều khiển
UA2A1
của triac có tải là điện trở thuần thì việc
G khóa TRIAC không có gì khó khăn.
A2 Nhưng nếu tải là một cuộn cảm thì vấn
đề làm khóa TRIAC trở nên khó khăn
vì dòng lệch pha trễ.
4. DIAC – Diode for Alternating Current 5.GTO – (Gate turn-off thyristor)

A
- DIAC có cấu tạo hoàn toàn giống - GTO có cấu tạo tương tự như SCR, cũng có 4 lớp
TRIAC nhưng không có cực điều bán dẫn p-n-p-n, nhưng cấu tạo đặc biệt sao cho sơ
khiển G. đồ tương đương với 2 BJT Q1, Q2 có độ khuếch đại G
- DIAC được kích mở bằng cách tăng dòng β khá nhỏ. K
điện áp đặt vào 2 cực.
- Vì GTO với cấu tạo 2 BJT có β khá nhỏ nên khi muốn kích cho GTO
- Đặc tuyến của DIAC tương tự của khóa thì phải tạo ra một điện áp phân cực âm trên G để kéo dòng IC2 từ
TRIAC trong trường hợp IG=0. cực cổng ra để làm khóa Q1, và kéo Q2 khóa theo.
- Nguyên tắc này chỉ áp dụng cho GTO mà không áp dụng cho SCR vì
SCR được chế tạo với 2 BJT có β rất lớn nên dòng IG kích mở có giá trị
nhỏ nhưng dòng kích để SCR khóa cần IG ngược khá lớn, điều này khó
thực hiện trong mạch điều khiển.
- Đối với GTO để thực hiện được nguyên lý kích khóa người ta chỉ chế
tạo các loại GTO công suất trung bình để có dòng IA và IG không lớn
lắm. GOFF=IA/IGOFF ≈ 10
150/176
TRANSISTOR ĐƠN NỐI (UJT - UNITJUNCTION TRANSISTOR) (1) TRANSISTOR ĐƠN NỐI (2)
Cấu tạo của transistor đơn nối. Nguyên lý làm việc của UJT.
Trong sơ đồ tương đương, điốt được thay thế cho tiếp xúc P-N; RB1 là điện trở
UJT là linh kiện bán dẫn có một tiếp xúc P-N và 3 chân cực. Nó gồm một
của phần bán dẫn nền 1; RB2 là điện trở của phần bán dẫn nền 2.
thanh bán dẫn Silic loại N có gắn thêm 1 miếng bán dẫn Silic loại P để tạo Để cho tranzito đơn nối hoạt động ta phân cực cho nó như hình 6- 9c. Cung cấp
thành một tiếp xúc P-N. điện áp dương cho B2 so với B1 (UBB > 0). Như vậy, nếu hở mạch cực phát thì
Chân cực nối với mẩu bán dẫn P gọi là cực phát E. Hai đầu còn lại của RB1và RB2 là bộ phân áp cho nguồn UBB . Do đó, điện áp tại điểm O sẽ là:
thanh Silic loại N được đưa ra 2 chân cực gọi là Nền 1 ( ký hiệu B1) và U BB R B 1 R B1
U0 = = ηU BB η = η gọi là hệ số thuần khiết
Nền 2 (ký hiệu B2). RB 1 + RB 2 R B1 + R B2
B2 B2 B2 -Nếu UE < η UBB (UE < UO) thì tiếp xúc P-N (điốt D) được phân cực ngược và
B2
RB2 RE
qua nó chỉ có dòng điện ngược IEO rất nhỏ. Ta có vùng ngắt của đặc tuyến vôn-
E
Si(p) Thanh
Si(N) E D B2 E + UBB ampe của UJT.
UEE
E 0 UE
B1 -Khi UE > η UBB , tiếp xúc P-N được phân cực thuận, dòng IE tăng dần. Khi UE
Tiếp B1
xúc P-N RB1 c/
> UP (Up gọi là điện áp kích khởi cho UJT hoạt động hay gọi là điện áp đỉnh) thì
B1
B1 dòng IE tăng nhanh. Dưới tác dụng của điện trường, các lỗ trống chuyển động từ
+ +
B1 cực phát E xuống Nền 1 (B1), còn các điện tử chuyển động từ Nền 1 đến phần
UE UBB
a/ b/ d/ e/ phát tạo nên dòng điện IE. Do sự gia tăng ồ ạt của các hạt dẫn trong Nền 1 nên
Hình 6- 10: a) Cấu tạo; b) ký hiệu; c) Sơ đồ nguyên lý; d) sơ đồ tương đương điện trở RB1 giảm trong khi dòng điện IE tăng và điện áp UE giảm nên ta có vùng
của UJT ; e) bố trí chân cực của UJT điện trở âm của đặc tuyến vôn- ampe.
TRANSISTOR ĐƠN NỐI (3) IGBT

Đặc tuyến Vôn- Ampe biểu thị quan hệ giữa dòng điện cực phát IE với điện áp
trên cực phát UE. Mối quan hệ này được biểu diễn bằng hàm IE = f(UE)
Nếu cực nền 2 (B2) hở mạch, nghĩa là dòng IB2=0 thì quan hệ V-A lối vào là đặc
tuyến V-A của tiếp xúc P-N:
⎛ UE ⎞
I E = I E 0 ⎜ e VT − 1 ⎟
⎜ ⎟
và ta có đường đặc tuyến ứng với IB2=0 trong hình
⎝ ⎠
Qua hình 6-10 ta thấy, khi thay đổi điện áp đặt lên giữa nền 1 và nền 2 (UBB) thì
điện áp đỉnh (UP) cũng thay đổi theo và đưa đặc tuyến dịch lên trên.
Tại vùng điện trở âm, dòng điện chỉ bị giới hạn bởi các linh kiện mắc ở mạch
ngoài, do đó mạch ngoài phải bảo đảm để dòng điện IE < IEmax
Khi IE tăng đến IV, muốn tăng thêm dòng IE lên nữa ta buộc phải tăng UE vì số
lượng lỗ trống và điện tử đã đạt đến tình trạng di chuyển bão hòa, đặc tuyến
chuyển sang vùng điện trở dương. 14
UE(V)
- Transistor có cực điều khiển cách ly(Insulated Gate Bipolar
12 UBB=30V T=250C Transistor),hay IGBT là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được
UP 10 UBB=20V
8
6 UBB=10V phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982.IGBT
Hình 6-11: Đặc tuyến Vôn – Ampe của UJT 4
UBB=5V kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải
2
UV
IB2=0
lớn của BJT thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng
IE0 IP
0 2 4 6 8 10 12 14 16 IE(mA)
151/176 điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.
Tổng kết Tổng kết
152/176
Lecture 8- OptoElectronic Devices (Cấu kiện quang điện tử)
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 1 Giới thiệu chung

2. Sự tương tác giữa vật chất và ánh sáng
ELECTRONIC DEVICES
3. Vật liệuquang
4. Các cấu kiện chuyển đổi điện - quang
Lecture 8- OptoElectronic Devices (Cấu kiện quang điện tử) 4.1 Điôt phát quang (LED)
4.2 Mặt chỉ thị tinh thể lỏng (LCD)
5. Các cấu kiện chuyển đổi quang - điện
Đỗ Mạnh Hà 4.1 Điện trở quang
KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1 4.2 Điôt quang
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG - PTIT 4.3 Transisto quang lưỡng cực
6 Thyristor quang
7. Tế bào quang điện và pin mặt trời
8/2009 8. Các sensor quang:Cấu kiện CCD, ...
Ha M. Do-PTIT Lecture 9 1
Ha M. Do-PTIT Lecture 9 2
Giới thiệu chung (1) Giới thiệu chung (2)

1. Khái niệm chung về kỹ thuật quang điện tử. 2. Hệ thống truyền dẫn quang
a. Định nghĩa về kỹ thuật quang điện tử:
Quang điện tử là những hiệu ứng tương hỗ giữa bức xạ ánh sáng và mạch điện
Sơ đồ khối của các hệ thống thông tin:
tử. Bức xạ ánh sáng là một dạng của bức xạ điện từ có dải tần số dao động rất
Cao(λ: khoảng 50nm đến khoảng 100μm). Nguồn Tín
Các bức xạ quang được chia ra thành ba vùng là: tín hiệu
hiệu Mạch Khối Sợi đồng Khối giải Mạch thu
– Vùng cực tím có λ = 50nm ÷ 380nm. điện tử điều chế điều chế điện tử
– Vùng ánh sáng nhìn thấy có λ = 380nm ÷ 780nm. a. Hệ thống thông tin điện
– Vùng hồng ngoại có λ = 780nm ÷ 100μm.
b. Phân loại linh kiện quang điện tử: Nguồn
tín
Tín
hiệu
– Linh kiện quang điện tử gồm có linh kiện bán dẫn quang điện tử và linh hiệu Mạch Khối Khối Mạch thu
điện tử E/ O O/ E điện tử
kiện không bán dẫn quang điện tử. Sợi quang
– Linh kiện bán dẫn quang điện tử: là những linh kiện được chế tạo từ vật b. Hệ thống thông tin quang
liệu bán dẫn như điện trở quang, điôt quang, tranzito quang, LED, Hình 9-1: a. Hệ thống thông tin điện .
LASER bán dẫn,v.v.. b. Hệ thống thông tin quang.
– Linh kiện không phải bán dẫn quang điện tử: như sợi quang dẫn, mặt
chỉ thị tinh thể lỏng LCD, ống nhân quang v.v..
153/176
Ha M. Do-PTIT Lecture 9 3 Ha M. Do-PTIT Lecture 9 4
Giới thiệu chung (3) CÁC CẤU KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN – QUANG (Cấu kiện phát quang)
Sự tương tác giữa ánh sáng và vật chất

Ưu điểm của hệ thống truyền dẫn quang:
Sự tương tác giữa ánh sáng và vật chất gồm có 3 quá trình: quá trình hấp
¾ Sợi quang nhỏ, nhẹ hơn dây kim loại, dễ uốn cong, tốn ít vật liệu. thụ, quá trình phát xạ tự phát và quá trình phát xạ kích thích (Xem hình 8
¾ Sợi quang chế tạo từ thuỷ tinh thạch anh không bị ảnh hưởng của 2a,b,c).
nước, axit, kiềm nên không bị ăn mòn. Đồng thời, sợi là chất điện
môi nên cách điện hoàn toàn, tín hiệu truyền trong sợi quang
không bị ảnh hưởng của nhiễu bên ngoài tới và cũng không gây
nhiễu ra môi trường xung quanh.
¾ Đảm bảo bí mật thông tin, không sợ bị nghe trộm.
¾ Khả năng truyền được rất nhiều kênh trong một sợi quang có
đường kính rất nhỏ. Tiêu hao nhỏ và không phụ thuộc tần số nên
cho phép truyền dẫn băng rộng và tốc độ truyền lớn hơn nhiều so
a. Quá trình hấp thụ b. Quá trình phát xạ tự phát c. Quá trình phát xạ kích thích
với sợi kim loại.
¾ Giá thành rất rẻ. hf = Ei − Ek Ei: Mức năng lượng kích thích
Hình 9- 2 : Ba quá trình chủ yếu của sự tương tác giữa ánh sáng và vật chất
Sự tương tác giữa ánh sáng và vật chất 2. Vật liệu bán dẫn quang
- Quá trình hấp thụ: - Vật liệu bán dẫn quang chủ yếu là các loại hợp chất bán dẫn 2 thành
Quá trình hấp thụ (hình 8-2a) là quá trình mà tại đó khi có một photon tương phần nhóm III-V và nhóm II-V, hợp chất bán dẫn 3 và 4 thành phần.
tác với vật chất thì một điện tử ở mức năng lượng cơ bản Ek sẽ nhận thêm
năng lượng của photon (quang năng) và nhảy lên mức năng lượng kích thích - Chất bán dẫn 2 thành phần nhóm III-V: được sử dụng phổ biến
Ei. trong các ứng dụng quang điện tử do nó là bán dẫn có vùng cấm trực
- Quá trình phát xạ tự phát: tiếp (vùng cấm thẳng): Bán dẫn có đáy của vùng dẫn và đỉnh của
Bức xạ tự phát (hình 8-2b) là quá trình mà các điện tử nhảy lên mức năng vùng hóa trị cùng nằm trên một giá trị số sóng (trong không gian động
lượng kích thích Ei, nhưng chúng nhanh chóng trở về mức năng lượng cơ lượng) Loại bán dẫn này có đặc tính quang tốt, điện tử tại gần đáy
bản Ek và phát ra photon có năng lượng hν. Mỗi một phát xạ tự phát ta thu của vùng dẫn có thể dễ dàng tái hợp trực tiếp với lỗ trống gần đỉnh
được một photon.
Hiện tượng này xảy ra không có sự kích thích bên ngoài nào và được gọi là của vùng hóa trị, năng lượng tái hợp có thế được phát xạ ra photon ánh
quá trình phát xạ tự phát. Phát xạ này đẳng hướng và có pha ngẫu nhiên. sáng (hiện tượng tái hợp bức xạ hay bức xạ tự phát.
- Quá trình phát xạ kích thích: + Chất bán dẫn 2 thành phần nhóm II-V được hình thành bởi sự tổ
Nếu có một photon có năng lượng hν tới tương tác với vật chất mà trong lúc hợp giữa nguyên tố nhóm III như Al, Ga, In với nguyến tố nhốm V
đó có một điện tử đang còn ở trạng thái kích thích Ei, thì điện tử này được như N, P, As, Sb. Có 9 loại hợp chất bán dẫn 2 thành phần phổ biến
kích thích và ngay lập tức nó di chuyển trở về mức năng lượng cơ bản Ek và
phát xạ ra một photon khác có năng lượng cũng đúng bằng . Photon mới như sau: AlP, AlAs, AlSb, GaP, (GaAs, GaSb, NnP, InAs, InSb) –
phát xạ ra này có cùng pha với photon đi đến và được gọi là phát xạ kích vùng cấm thẳng).
thích (hay phát xạ cảm ứng). Xem hình 8-2c.
154/176
2. Vật liệu bán dẫn quang 2. Vật liệu bán dẫn quang
Dải năng lượng

+ Hợp chất bán dẫn 3 thành phần: Được hình thành từ 2 nguyên tố của
nhóm III với 1 nguyên tố nhóm V hoặc từ 1 nguyên tố nhóm III với 2 + Đường liền
nét: Chỉ nhóm
nguyên tố của nhóm V: ví dụ AlxGa1-xAs (có tính chất nằm giữa AlAs
vật liệu bán dẫn
và GaAs phụ thuộc vào tỉ lệ trộn các thành phần x – tỉ số của các vùng cấm thẳng
nguyên tử Ga ở trong GaAs đã được thay thế bởi các nguyên tử Al. + Đường đứt
+ Hợp chất bán dẫn 4 thành phần: Hợp chất được hình thành từ 2 nét: Chỉ nhóm
nguyên tố nhóm III với 2 nguyên tố nhóm V, loại bán dẫn này có sự tổ vật liệu bán dẫn
hợp một cách dễ dàng, tốt hơn so với bán dẫn 3 thành phần, vì chúng vùng cấm không
cung cấp một độ tự do lớn hơn. Ví dụ InxGa1-xAs1-yPy, tỉ lệ trộn.các thẳng.
thành phần x, y thay đổi giữa 0 và 1.
- Đồ thị biểu diễn hàng số mạng, năng lượng vùng cấm, tần số cắt của Matched system to
một số loại bán dẫn đơn, hợp chất 2 thành phần, 3 thành phần và 4 reduce the strain
thành phần như trang bên: effect and epitaxial
growth defects!
- (Với bán dẫn có độ rộng vùng cấm là EG thì tần số cắt (hoặc bước sóng
cắt) là: λC=hc/EG , trong đó c là vận tốc ánh sáng.
Hằng số mạng
III-V Material systems with important optoelectronic applications III-V Material systems with important optoelectronic applications
Materials substrate Lattice matched Important strained Main optoelectronic
system members members applications Materials substrate Lattice matched Important strained Main optoelectronic
system members members applications
AlGaAs GaAs GaAs Ga1-xInxAs Emitter and modulators
AlxGa1-xAs 0 ≤ x ≤ 0.25 0.75 μm ≤ λ ≤ 1.1 μm AlGaAsSb GaSb GaSb Emitter and Detectors
AlAs Detectors: /GaInAsSb AlxGa1-xAsySb1-y λ ~ 2-3 μm
0.4 μm ≤ λ ≤ 1.1 μm /GaSb x = 12y; 0≤ x ≤1
GaInAsP InP Ga0.47In0.53As Ga1-xInxAs Optoelectronic devices AlxIn1-xAsySb1-y
/InP GaxIn1-xAsyP1-y 0.4 ≤ x ≤ 0.6 at λ = 1.3 μm and x = 1.1y; 0≤ x ≤1
x=0.47y; 0 ≤y≤ 1 InAsxP1-x λ = 1.55 μm
InP 0 ≤ x ≤ 0.2 GaAsP GaAs GaAs GaAsP Visible LED’s
AlGaInAs InP Ga0.47In0.53As Ga1-xInxAs Optoelectronic devices InP GaP
/InP (AlxGa1-x)0.47In0.53As 0.4 ≤ x ≤ 0.6 at λ = 1.3 μm and
0≤x≤1 λ = 1.55 μm
Al0.48In0.52As
AlGaInP GaAs GaAs Ga1-xInxAs Red emitter
Ga0.5In0.5P 0 ≤ x ≤ 0.25
(AlxGa1-x)0.5In0.5P Ga1-xInxP
0≤x≤1 0.4 ≤ x ≤ 0.6 155/176
Important semiconductor materials for optoelectronics Commercial Applications of Optoelectronic Devices
Materials Type Substrate Devices Wavelength range(μm) Materials Devices Applications
Si IV Si Detectors, Solar cells 0.5-1 GaAs/AlGaAs Detectors, Infrared Remote control TV, etc., video disk
SiC IV SiC Blue LEDs 0.4 LEDs and Lasers players, range-finding, solar energy
Ge IV Ge Detectors 1-1.8 conversion, optical fiber communication
GaAs III-V GaAS LEDs, Lasers, Detectors, Solar 0.85 systems (local networks), image
Cells, Imagers, Intensifiers intensifiers
AlGaAs III-V GaAS LEDs, Lasers, 0.67-0.98 InP/InP Solar cell Space solar cell
Solar Cells, Imagers InP/InGaP Infrared LEDs, Optical fiber communications
GaInP III-V GaAs Visible Lasers, LEDs 0.5-0.7 Lasers (1-1.6μm) (long-haul and local loop)
GaAlInP III-V GaAS Visible Lasers, LEDs 0.5-0.7 InP/InGaAs 1-1.67μm Detectors Optical fiber communications, instrumentation
GaP III-V GaP Visible LEDs 0.5-0.7 InGaAlAs/InGaAs 1.67-2.4μm Detectors Military applications, medicine, sensor
GaAsP III-V GaP Visible LEDs 0.5-0.7 GaAs/GaInP/ 0.5-0.7μm LEDs Displays, control, compact disk players, laser
InP III-V InP Solar Cells 0.9 GaInAlP and Lasers printers/scanners, optical disk memories,
InGaAs III-V InP Detectors 1-1.67 laser medicine equipment
InGaAsP III-V InP Lasers, LEDS 1-1.6 Si Detectors and Solar energy conversions, e.g. watches,
InAlAs III-V InP Lasers, Detectors 1-2.5 Solar Cells calculators, cooling, heating, detectors
InAlGaAs III-V InP Lasers, Detectors 1-2.5 Ge Detectors Detectors
GaSb/GaAlSb II-VI GaSb Lasers, Detectors 2-3.5 SiC Blue LEDs Displays, optical disk memories, etc.
CdHgTe II-VI] CdTe Long wavelength Detectors 3-5 and 8-12 GaSb/GaAlSb/InSb Long wavelength Infrared imaging, night vision sights, missile
ZnSe II-VI ZnSe Short wavelength LEDs 0.4-0.6 detectors/smitters seekers, other military applications
ZnS II-VI ZnS Short wavelength LEDs 0.4-0.6 ZnSe/ZnS Visible LEDs Commercial applications (R&D stages only)
2. Vật liệu bán dẫn quang Điôt phát quang (LED) chỉ thị (1)
Sự phát quang trong linh kiện: • Điôt phát quang là linh kiện bán dẫn quang điện tử. Nó có khả năng phát ra
ánh sáng khi có hiện tượng tái hợp xảy ra trong tiếp xúc P-N.
hn • Tuỳ theo vật liệu chế tạo mà ta có ánh sáng bức xạ ra ở các vùng bước sóng
p n
khác nhau.
+V -V Trong mục này ta sẽ trình bày trước hết về LED bức xạ ra ánh sáng nhìn thấy gọi
Tiếp giáp pn cấu trúc dị thể kép là LED chỉ thị. LED chỉ thị có ưu điểm là tần số hoạt động cao, kích thước nhỏ,
công suất tiêu hao nhỏ, không sụt áp khi bắt đầu làm việc. LED không cần kính
Holes Electrons lọc mà vẫn cho ra màu sắc. LED chỉ thị rất rõ khi trời tối. Tuổi thọ của LED
Miền tích cực E = hν hoặc khoảng 100 ngàn giờ.
(e.g. GaAs) E(eV) = 1.24/λ(μm)
Cladding Layers (e.g. Gax Al1-xAs)
Vùng dẫn
Efn
Refractive
hν Index
Efn
Vùng hóa trị

156/176
LED chỉ thị (2)
a. Cấu tạo và ký hiệu của LED: Các cấu trúc của LED:
Tiếp xúc P-N Light output Light output
P N
A K
n p type
epitaxial layer
Dome LED
n type
A K
ohmic diffused substrate Planar LED
contacts p-type
ohmic contacts
Hình 9- 3 : Mô hình cấu tạo và ký hiệu
của LED. ⋅ LED vòm và LED phẳng được sử dụng trong phần lớn các thiết bị hiển
Vật liệu chế tạo điôt phát quang đều là các liên kết của các nguyên tố thuộc thị với lợi ích là rút được lượng ánh sáng cực đại từ thiết bị đó => ánh
nhóm 3 và nhóm 5 của bảng tuần hoàn Menđêlêep như GaAs, hoặc liên kết sáng được phát ra theo tất cả các hướng và sử dụng các ống kính được
3 nguyên tố như GaAsP v.v.. Đây là các vật liệu tái hợp trực tiếp, có nghĩa sắp xếp theo trật tự nhất định để hội tụ ánh sáng.
là sự tái hợp xảy ra giữa các điện tử ở sát đáy dải dẫn và các lỗ trống ở sát ⋅ Burrus LED và LED phát xạ cạnh chủ yếu được dùng trong các hệ
đỉnh dải hóa trị. thống thông tin sợi quang
250 μm
LED chỉ thị (3)
~ 250 μm
Burrus LED b. Nguyên lý làm việc:
Multimode
optical fiber +
50 μm
Metal tab Epoxy LED
U
resin R
Etched Hình 9- 4 : Sơ đồ nguyên lý của LED.

well n-GaAs substrate
n-AlGaAs
50μm p-GaAs • Khi LED phân cực thuận, các hạt dẫn đa số khuếch tán ồ ạt qua tiếp xúc P-N,
p-AlGaAs Metal contact chúng gặp nhau sẽ tái hợp và các photon được phát sinh.
SiO2 p+-GaAs SiO2 • Tốc độ tái hợp trong quá trình bức xạ tự phát này tỉ lệ với nồng độ điện tử
Edge-emitting
trong phần bán dẫn P và nồng độ lỗ trống trong phần bán dẫn N. Đây là các
p+-AlGaAs LED hạt dẫn thiểu số trong chất bán dẫn. Như vậy, để tăng số photon bức xạ ra cần
p-AlGaAs
Gold stud phải gia tăng nồng độ hạt dẫn thiểu số trong các phần bán dẫn.
AlGaAs (Active layer)
Metal contact n-AlGaAs • Cường độ dòng điện của điôt tỉ lệ với nồng độ hạt dẫn được "chích" vào các
Primary light- n-GaAs phần bán dẫn, do đó cường độ phát quang của LED tỉ lệ với cường độ dòng
~ 50 μm
emitting region điện qua điôt
Các lớp giới hạn hạt dẫn :
p-AlGaAs and n-AlGaAs 157/176
LED chỉ thị (4) LED chỉ thị (5)
• Điện áp phân cực cho LED gần bằng độ rộng vùng cấm của vật liệu, do đó, Một số loại LED chỉ thị:
các LED bức xạ ở các bước sóng khác nhau sẽ được chế tạo từ các vật liệu bán LED đơn: linh kiện một LED.
dẫn có độ rộng vùng cấm khác nhau và điện áp phân cực cho chúng cũng khác LED đôi: dùng cho những ứng dụng đặc biệt
nhau.
• Tuy nhiên LED có điện áp phân cực thuận tương đối cao (1,6 v ÷ 3 v) và có
1 2
điện áp ngược cho phép tương đối thấp (3 v ÷ 5 v)
Đỏ Xanh/Vàng
Đặc tuyến Vôn - Ampe của LED: LED1 LED2

3
Đặc tuyến Vôn - Ampe của điôt phát quang biểu diễn mối quan hệ giữa dòng
điện quang với điện áp đặt lên LED. Hình 9- 6 : LED đôi.
A
I
a
f b
Ungược max
g
0 UD UAK
e c
d
Hình 9- 5: Đặc tuyến Vôn - Ampe của LED Hình 9- 7: Cấu trúc của một LED 7 đoạn sáng đấu kiểu Anôt chung
LED hồng ngoại (1) LED hồng ngoại (2)
Các hệ thống thông tin quang yêu cầu tốc độ bit xấp xỉ 100 đến 200Mbit/s cùng Nguyên lý làm việc:
sợi quang đa mốt với công suất quang khoảng vài chục μW thì các điôt phát Khi phân cực thuận cho điôt, các hạt dẫn đa số sẽ khuếch tán qua tiếp
quang bán dẫn thường là các nguồn sáng tốt nhất.
xúc P-N, chúng tái hợp với nhau và phát ra bức xạ hồng ngoại. Các tia
Cấu tạo:
hồng ngoại bức xạ ra theo nhiều hướng khác nhau. Những tia hồng ngoại có
Cấu tạo của LED hồng ngoại cơ bản là giống các LED chỉ thị. Để bức xạ ánh
sáng hồng ngoại, LED hồng ngoại được chế tạo từ vật liệu Galium Asenit
hướng đi vào trong các lớp chất bán dẫn, gặp gương phản chiếu sẽ được
(GaAs) với độ rộng vùng cấm EG = 1,43 eV tương ứng với bức xạ bước sóng phản xạ trở lại để đi ra ngoài theo cùng hướng với các tia khác. Điêù này
khoảng 900nm. làm tăng hiệu suất của LED.
Hình 8- 8 mô tả cấu trúc của một LED hồng ngoại bức xạ ánh sáng 950nm. Ánh sáng hồng ngoại có đặc tính quang học giống như ánh sáng nhìn
Ánh sáng phát ra - Trong phần epitaxy lỏng trong suốt GaAs thấy, nghĩa là nó có khả năng hội tụ, phân kỳ qua thấu kính, có tiêu cự....
Chân cực λ = 950nm
(N) tạo một lớp tinh thể có tính chất lưỡng Tuy nhiên, ánh sáng hồng ngoại rất khác ánh sáng nhìn thấy ở khả năng
GaAs (P) Tiếp xúc P-N
tính với tạp chất Silic là GaAsSi (N) và một xuyên suốt qua vật chất, trong đó có chất bán dẫn. Điều này giải thích tại
tiếp xúc P-N được hình thành. sao LED hồng ngoại có hiệu suất cao hơn LED chỉ thị vì tia hồng ngoại
GaAsSi (N) (N)
GaAsSi không bị yếu đi khi vượt qua các lớp bán dẫn để ra ngoài.
- Với sự pha tạp chất Silic ta có bức xạ với Tuổi thọ của LED hồng ngoại dài đến 100.000 giờ. LED hồng ngoại
GaAs (N) trong suốt bước sóng 950nm. Mặt dưới của LED được không phát ra ánh sáng nhìn thấy nên rất có lợi trong các thiết bị kiểm soát
Chân cực mài nhẵn tạo thành một gương phản chiếu
Mặt mài nhẵn vì không gây sự chú ý.
tia hồng ngoại phát ra từ lớp tiếp xúc P-N.
Hình 9- 8 : Cấu trúc của LED hồng ngoại bức xạ bước sóng 950nm 158/176
Một số hình ảnh của LED Một số hình ảnh của LED
Mặt chỉ thị tinh thể lỏng (LCD: Liquid Crystal Display) (1) LCD (2)
Khái niệm: Đặc điểm:

•Khoảng nhiệt độ sử dụng: (- 100C ÷ + 600C)
Tinh thể lỏng sử dụng trong LCD là những hợp chất hữu cơ đặc biệt. Các •Điện áp: 3V ÷ 6V (chuẩn là 4,5V)
phân tử của tinh thể lỏng này được phân bố sao cho các trục dọc của chúng
nằm song song với nhau. •Tần số: 30 Hz ÷200 Hz
Ở nhiệt độ thấp LCD ở trạng thái rắn, khi t0 tăng lên đến nhiệt độ nóng •Thời gian đóng: 40 ms
chảy thì LCD chuyển sang trạng thái lỏng. Pha trung gian giữa hai trạng •Thời gian ngắt: 80 ms
thái này là trạng thái tinh thể lỏng
•Dòng điện tiêu hao khoảng 0,2 μA
Mặt chỉ thị tinh thể lỏng- LCD- không phải là linh kiện bán dẫn quang điện
•LCD có tuổi thọ khá cao từ 10.000 đến 100.000 giờ và nay nó thay thế
tử. LCD được chế tạo dưới dạng thanh và chấm- ma trận. LCD là cấu kiện
dần các mặt chỉ thị loại LED hay huỳnh quang
thụ động, nó không phát sáng nên càng dễ đọc nếu xung quanh càng sáng
LCD: dùng làm mặt chỉ thị cho đồng hồ, máy tính con, các thiết bị đo số,
đồ chơi trẻ em, màn hình ti vi.
159/176
LCD (3) Laser bán dẫn (1)
Cấu tạo của thanh LCD:
o Gồm có 2 tấm kính đặt cách nhau khoảng 10μm. Mặt phía trong của 2 tấm • Laser = Light Amplification by Stimulated
kính tráng một lớp oxit kẽm (ZnO) trong suốt làm hai điện cực. Emission of Radiation
Diode
Relative optical power

o Xung quanh bên cạnh hai tấm kính được hàn kín, sau đó đổ tinh thể lỏng Laser
vào khoảng giữa 2 tấm kính và gắn kín lại. • Đặc điểm: < 3 nm
o Hai tấm nhựa có tính phân cực ánh sáng được dán bên ngoài hai tấm kính - Phổ phát sáng hẹp
sao cho hình ảnh phản chiếu của mặt chỉ thị được nhìn từ một phía nhờ - Kích thước nhỏ LED
~ 75 nm
gương phản chiếu. - Độ ổn định cao
Tấm nhựa phân cực thứ 2 Gương phản chiếu - Có bước sóng ánh sáng trong các cửa sổ
Kính quang 1, 2, 3
- Điều chế trực tiếp có thể lên đến vài Gb/s Wavelength (nm)
Điện cực Keo
trong suốt - Bán kính bức xạ nhỏ (ghép với sợi quang)
Tinh thể lỏng Hình 9-10
Kính
Tấm nhựa phân cực thứ 1
Ánh sáng chiếu vào

Mắt người quan sát
Hình 9-9 : Cấu tạo của một thanh LCD
Laser bán dẫn (2) Cấu trúc của laser

Kết nối điện
T→
7 Slope gives
Light output (mW)
external
efficiency η Lasing
emission
Hình 9-12 Laser với cấu trúc dị thể kép

a) Index-Guided
0 b) Gain-Guided
0 Ith 40
Dòng điện (mA) Bức xạ Các loại laser:
kích thích Laser đa mode: Fabry-Perot Laser
Hình 9-11 Laser đơn mode: dùng trong các hệ thống thông tin tiên tiến
- DFB Laser (Distributed Feedback)
- Giảm dòng điện ngưỡng - DBR Laser (Distributed Bragg Reflector)
- Tăng công suất tổng của ánh sáng ở đầu ra cải thiện chất lượng
- MQW Laser (Multi Quantum Well)
của thiết bị laser
- Tăng hiệu suất quantum mở rộng Laser có thể điều chỉnh được: điều chỉnh bước sóng phát ra bằng cách (i) thay đổi
chiều dài hố (kéo dãn cơ học), (ii) thay đổi hệ số khúc xạ (điều khiển nhiệt độ)
160/176
CÁC CẤU KIỆN CHUYỂN ĐỔI QUANG – ĐIỆN Quang trở (LDR-Light Dependent Resistor) (1)
• Các bộ thu quang điện hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng chuyển đổi
Cấu tạo- nguyên lý:
quang điện. Ở đó sự hấp thụ photon bởi vật liệu bán dẫn đã tạo ra các cặp điện
tử-lỗ trống -> tạo ra tín hiệu quang điện dưới dạng dòng điện hay điện thế có thể • Là bộ thu tín hiệu quang đơn giản nhất. Quang trở thường được làm bằng chất
Sunfit Cadimium (CdS), Selenid Cadimium (CdSe), Sunfit chì (PbS)… trong
đo được. đó loại quang trở CdS có độ nhạy phổ gần với mắt người nên thông dụng nhất.
• Thiết bị quan trọng nhất là điốt quang bán dẫn (photodiode) • Quang trở được chế tạo bằng cách tạo một màn bán dẫn trên nền cách điện nối
• Yêu cầu: ra 2 đầu kim loại rồi đặt trong một vỏ nhựa, mặt trên có lớp thuỷ tinh trong
- Độ nhạy cao suốt để nhận ánh sáng bên ngoài tác động vào.
- Nhiễu trong nhỏ hυ
- Băng thông rộng
Bản điện cực
Dây dẫn nối từ
điện cực ra ngoài
Bán dẫn
Đế cách điện Hình 9-13
• Khi ánh sáng chiếu vào bề mặt quang trở, các cặp e-lỗ trống được sinh ra và
được điện trường cuốn ra phía các điện cực. Phụ thuộc vào thông lượng ánh
sáng chiếu vào, dòng điện bên ngoài cũng thay đổi theo.
Quang trở (2) Nguyên lý của điốt quang

• Trị số điện trở của quang trở thay đổi theo độ sáng chiếu vào nó. Khi p hν n
bị che tối thì quang trở có trị số điện trở rất lớn (vài MΩ), khi được chiếu Cung cấp một điện áp phân cực ngược
sáng thì điện trở giảm nhỏ (vài chục Ω÷ vài trăm Ω). phù hợp cho một tiếp giáp p-n đơn giản => -V +V
• Ưu điểm của quang trở: có khuếch đại trong, nghĩa là dòng quang điện tạo ra một điện trường => tách các cặp e--
thu được có số điện tử (hay lỗ trống) lớn hơn số điện tử (hay lỗ trống) do lỗ trống do ánh sáng tạo ra (do sự hấp thu
photon tạo ra ánh sáng trong chất bán dẫn)
Electric field
RCdS Tốc độ đáp ứng được xác định bởi điện
dung của thiết bị => bị chi phối bởi độ dày
của vùng chuyển tiếp => thiết bị diện tích
FR1 NORPS-11 nhỏ và các vùng tích cực có pha tạp thấp Distance (x)
sẽ có điện dung nhỏ, nghĩa là tốc độ cao Hình 9-16
Nhiễu: nhiễu thấp nếu giảm nhỏ dòng
Lux
điện rò (chủ yếu là dòng rò bề mặt) bằng
Hình 9.14. Ký hiệu của quang trở Hình 9.15. Đặc tính của quang trở
cách dùng các vật liệu có vùng cấm rộng ở
Ứng dụng: dùng trong các mạch thu tín hiệu quang, trong báo động, bề mặt
đóng ngắt các mạch điện, trong đo đạc, điều khiển và tự động hoá.
161/176
PIN Diode (Photodiode có lớp bán dẫn thuần) PIN Diode (2)
Hấp thụ các photon -> cặp e-lỗ trống -> dòng điện:
i ( t ) = R. p ( t ) R E ( t )
2
q
R =η λ R = Đáp ứng
hc
η = hiệu suất lượng tử < 1 (vd: 0,95%), q =
điện tích e; h = hằng số Planck (6,63.10-34 J/Hz)
(a) Mô hình bộ thu quang PIN. (b) Đáp ứng / bước sóng đối với bộ thu quang InGaAs/InP Đặc tuyến của PIN
Hình 9-17
• Điốt PIN bao gồm lớp P, lớp I và lớp N. Lớp I là lớp bán dẫn thuần Cấu trúc PIN có thời gian đáp ứng rất
có điện trở rất cao để khi Điốt PIN được phân cực ngược, lớp nghèo nhanh và hiệu suất lượng tử cao.
có thể lan ra rất rộng trong lớp I để hướng phần lớn các photon rơi và Nhược điểm: dòng tối và nhiễu tương đối
lớn, đặc biệt là đối với các bán dẫn có
hấp thụ trong đó.
vùng cấm nhỏ như Ge
• Trong lớp I có điện trường cuốn rất cao để cuốn hạt tải nhanh
chóng về 2 cực tạo nên dòng quang điện ở mạch ngoài.
Hình 9-18
APD Các đặc điểm của điốt quang

• Miền tăng tốc (miền hấp thụ ánh sáng) và miền nhân hạt tải là tách biệt
nhau.
• Khi có ánh sáng chiếu vào, các hạt tải đi qua miền hấp thụ sẽ được tăng tốc,
chúng va đập mạnh vào các nguyên tử của bán dẫn gây nên sự ion hoá và tạo
ra các cặp e-lỗ trống mới. Quá trình được lặp đi lặp lại nhiều lần -> hiệu ứng
thác lũ -> tăng dòng quang điện bên ngoài, tăng độ khuếch đại (tăng độ nhạy
của APD)
Điện áp phân cực ngược cao (>100V) ->
Photon tạo ra các cặp e/lỗ trống -> các cặp
e/lỗ trống tăng them do hiệu ứng thác lũ
q
RAPD l λ , RAPD = M .R,
hc
M = độ khuếch đại thác lũ (vd: 100)
Độ khuếch đại cao, nhưng băng thông

thường thấp hơn, nhiều nhiễu trong hơn so
Hình 9.19 Mô hình APD với vùng nhân
với điốt PIN và vùng hấp thụ tách biệt
162/176
Transistor quang (1) Transistor quang (2)
Cấu tạo và nguyên lý: Ký hiệu:

• Transistor quang có cấu trúc 3 lớp như BJT thông thường nhưng (a) (b)
miền cực gốc để hở, có một diện tích thích hợp để tiếp nhận ánh !NPN
!NPN
sáng chiếu vào qua cửa sổ.
• Khi Transistor quang ở chế độ hoạt động thì tiếp giáp BC được phân
cực ngược còn tiếp giáp BE phân cực thuận Hình 9.20 Ký hiệu của Transistor quang 2 cực (a) và Transistor quang 3 cực (b)
• Khi ánh sáng chiếu vào Transistor quang, các hạt tải được sinh ra và
được khuếch tán tới tiếp giáp BC, tiếp giáp này sẽ tách điện tử và lỗ Đặc điểm:
trống để góp phần tạo nên dòng quang điện. • Độ khuếch đại: 100 ÷1000 lần và độ khuếch đại là không tuyến tính
• Tiếp giáp BC có vai trò như một điốt quang, các hạt tải từ phía tiếp theo cường độ ánh sáng chiếu vào mối nối giữa cực C và B
giáp thuận BE được tiêm chích vào cực gốc B. Dòng quang điện • Tốc độ làm việc chậm do tụ điện kí sinh Ccb gây hiệu ứng Miller
trong miền B (dòng rò ICB ) sẽ trở thành dòng IB và được khuếch đại • Tần số làm việc max ∼vài trăm KHz
lên (β+1) lần ở collector. • Để tăng độ nhạy người ta chế tạo loại Transistor lắp theo kiểu
Darlington
Transistor quang (3) Transistor quang (4)
Ứng dụng: Mạch điện hình (b) lấy điện áp Vc của transistor quang để phân cực cho
(a) (b) (c)
cực B của transistor công suất. Khi transistor quang được chiếu sáng sẽ
+VCC +VCC dẫn điện và làm điện áp Vc giảm, cực B transistor công suất không
D +VCC
1N1183
được phân cực nên ngưng dẫn và rơle không được cấp điện.
1N1183
1m
1m
D RY
RY Mạch điện hìh (c) dùng transistor loại PNP nên có nguyên lý ngược lại
R R
1k
1k
!NPN mạch điện hình (b) khi quang transistor được chiếu sáng được dẫn điện
!NPN
!NPN
tạo sụt áp trên điện trở để phân cực cho cực B của transistor công suất
!PNP
!NPN !NPN loại PNP làm transistor công suất dẫn, cấp điện cho rơle.
Hiện nay người ta còn chế tạo JFET quang và Thyristor quang
1N1183
1m
RY
Hình 9.21
Mạch điện a) dùng transistor quang lắp Darlington với transistor công
suất để điều khiển rơle RY. Khi được chiếu sáng transistor quang dẫn
làm transistor công suất dẫn cấp điện cho rơle.
163/176
Các bộ ghép quang (Opto- Couplers) (1) Các bộ ghép quang (2)
Mục đích: dùng để cách ly giữa các mạch có sự khác biệt lớn về điện 1 6
1 4
áp. IF
!NPN !NPN !NPN
5
IC
VD: mạch tự động điều khiển công suất có điện áp cao (U =
2
1N1183
1N1183
1N1183
200V÷380V, 660V hay 1000V); mạch điều khiển thường có điện áp 2 3 4
3
thấp như các mạch logic, máy tính hay các hệ thống phải tiếp xúc với
con người. Hình 9.22 Nguyên lý Hình 9.23. Bộ ghép quang transistor
Cấu tạo:
Bộ ghép quang gồm 2 thành phần gọi là sơ cấp và thứ cấp. Phần sơ cấp Đặc điểm:
là một điốt loại GaAs phát ra tia hồng ngoại, phần thứ cấp là một • Điện áp cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp (vài trăm vôn ÷ hàng
Transistor quang loại Silic. Khi được phân cực thuận, điốt phát ra bức ngàn vôn)
xạ hồng ngoại chiếu lên trên mạch của Transistor quang. • Bộ ghép quang có thể làm việc với IDC hoặc IAC có tần số cao
Nguyên lý: Phần sơ cấp là LED hồng ngoại biến đổi tín hiệu điện thành • Điện trở cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp có trị số rất lớn (vài
tín hiệu ánh sáng. Tín hiệu ánh sáng này sẽ được phần thứ cấp chục MΩ÷vài trăm MΩ) đối với IDC
(Transistor quang) biến đổi lại thành tín hiệu điện • Hệ số truyền đạt dòng điện (IC/IF): vài chục % ÷ vài trăm % tuỳ
loại bộ ghép quang
Các bộ ghép quang (3) Các bộ ghép quang (4)

Các loại bộ ghép quang: c) Bộ ghép quang với quang Thyristor:
- Gồm một điốt quang và 2 transistor lắp theo nguyên lý của SCR.
a) Bộ ghép quang Transistor:
Phần thứ cấp: Transistor loại Si. Đối với bộ ghép quang transistor có 4 chân - Khi có ánh sang hồng ngoại do LED ở sơ cấp chiếu vào điốt quang
thì transistor không có cực B, trường hợp bộ ghép quang transistor có 6 chân thì sẽ có dòng điện IB cấp cho transistor NPN và khi transistor NPN
thì cực B được nối ra ngoài (hvẽ). Bộ ghép quang không có cực B có ưu dẫn thì sẽ điều khiển transistor PNP dẫn điện. Như vậy thyristor
điểm là hệ số truyền đạt lớn, nhưng có nhược điểm là độ ổn định nhiệt
kém. Nếu nối giữa cực B và E một điện trở thì các bộ ghép quang transistor quang đã được dẫn điện và sẽ duy trì trạng thái dẫn mà không cần
này làm việc khá ổn định với nhiệt độ nhưng hệ số truyền đạt bị giảm đi. kích liên tục ở sơ cấp.
FD1 BP104S
- Để tăng khả năng chống nhiễu người ta nối giữa chân G và K bằng
b) Transistor quang Darlington: 6 một điện trở từ vài KΩ÷vài chục KΩ
NDAR1 A
có nguyên lý như bộ ghép quang với quang 1 5
transistor nhưng với hệ số truyền đạt lớn 6
hơn vài trăm lần nhờ tính chất khuếch đại 1 !PNP
2
1N1183
2N1595
của mạch Darlington. Nhược điểm: ảnh
hưởng bởi nhiệt độ rất lớn nên giữa chân B 4 2 5
1N1183
1k
3 3 4 G
và E của transistor sau thường có điện trở để !NPN
ổn định nhiệt. K
Hình 9.24 Transistor quang Darlington Hình 9.25 Ký hiệu và cấu trúc bán dẫn tương đương của Thyristor quang
164/176
d) OPTO- Triac: có cấu trúc bán dẫn như hình vẽ

Ứng dụng:
- Các loại bộ ghép quang có dòng điện ở sơ cấp cho LED hồng ngoại
T2 khoảng 10 mA.
- Đối với transistor quang khi thay đổi trị số dòng điện qua LED hồng
1
6 ngoại ở sơ cấp sẽ làm thay đổi dòng điện ra IC của transistor quang ở
thứ cấp.
2N5444
2 5 - Các bộ ghép quang có thể dùng thay cho rơle hay biến áp xung để
1N1183
3 4 giao tiếp với tải thường có điện áp cao và dòng điện lớn.
G!PNP
1k
1k
FD1
!NPN
FD1 BP104S
!PNP
BP104S
!NPN
T1
Hình 9.26 Ký hiệu và cấu trúc bán dẫn tương đương của Triac quang
* Mạch điện hình 9.27 là ứng dụng của transistor quang để điều khiển * Mạch điện hình 9.28 là ứng dụng của OPTO- Triac để đóng ngắt điện
đóng ngắt rơle. cho tải dùng nguồn xoay chiều 220V.
Transistor quang trong bộ ghép quang được ghép Darlington với Điện trở 1kΩ để giới hạn dòng qua LED hồng ngoại khoảng 10mA. Khi
transistor công suất bên ngoài. Khi LED hồng ngoại ở sơ cấp được cấp LED sơ cấp được cấp nguồn 12V thì triac quang sẽ được kích và dẫn điện
được cấp nguồn 5V thì transistor quang dẫn điều khiển transistor công tạo dòng kích cho triac công suất. Khi triac công suất được kích sẽ dẫn
suất dẫn để cấp điện cho rơle RY. Điện trở 390Ω để giới hạn dòng qua điện như một công tắc để đóng điện cho tải.
LED hồng ngoại khoảng 10mA.
+24V
1N1183
Hình 9.27
. .
1m
1k
D RY Tải
390
1kΩ NDAR1 +12V
2N5444
D30
~220V
1N1183
U1
+5V
1N1183
Hình 9.28
165/176
Lecture 10- IC Fabrication Technology (CN chế tạo vi mạch)
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 1. Giới thiệu chung

2. Quy trình chế tạo vi mạch
ELECTRONIC DEVICES
3. Quy trình thiết kế vi mạch
4. Quá trình chế tạo CMOS
Lecture 10- IC Fabrication Technology
(CN chế tạo vi mạch) Đoạn film mô tả quá trình sản xuất IC:
http://www.virlab.virginia.edu/VL/Semiconductor_science/IC_process/IC_process.htm
Đỗ Mạnh Hà
8/2009
The Semiconductor Industry IC Fabrication
- Silicon
–Wafer
INFRASTRUCTURE PRODUCT
–Wafer Sizes
APPLICATIONS
Industry Standards –Devices and Layers
(SIA, SEMI, NIST, etc.)
Consumers:
Wafer Fab
Production Tools • Computers Stages of IC Fabrication
• Automotive –Wafer preparation
Utilities
• Aerospace
Materials & Chemicals • Medical –Wafer fabrication
Chip • other industries –Wafer test/sort
Metrology Tools Manufacturer
Customer Service –Assembly and packaging
Analytical Laboratories Original Equipment Manufacturers –Final test
Technical Workforce Printed Circuit Board Industry
Colleges & Universities
166/176
Evolution of Wafer Size Devices and Layers from a Silicon Chip
Top protective layer Conductive layer
Metal layer
2000
Insulation layers drain
1992
Recessed conductive
1987 layer
Silicon substrate
1981
1975
1965
50 mm 100 mm 125 mm 150 mm 200 mm 300 mm Silicon substrate
Quy trình sản xuất Vi mạch GIAI ĐOẠN 1 - SẢN XUẤT MASK
1. Sản xuất Mask - Có thể xem mask là cái khuôn để đúc vi mạch lên tấm silicon.
2. Wafer Preparation
Single crystal silicon
3. Assembly and Packaging: - Công nghệ sản xuất mask hiện đại chủ yếu dùng EB (Electron
includes crystal The wafer is cut Scribe line Beam).
growing, rounding,
slicing and polishing.
along scribe lines - Các điện tử với năng lượng lớn (vài chục keV) sẽ được vuốt
Wafers sliced from ingot to separate each die. A single die
thành chùm và được chiếu vào lớp film Cr đổ trên bề mặt tấm
Wafer Fabrication Metal connections
Assembly Packaging thủy tinh.
includes cleaning, are made and the - Phần Cr không bị che bởi mask sẽ bị phá hủy, kết quả là phần Cr
layering, patterning, chip is encapsulated.
etching and doping. không bị chùm electron chiếu vào sẽ trở thành mask thực sự.
- Một chip cần khoảng 20 tới 30 mask. Giá thành các tấm mask
4.
Test/Sort includes Defective die
Final Test ensures IC này cực đắt, cỡ vài triệu USD.
probing, testing and passes electrical and
sorting of each die on environmental
the wafer. testing.
167/176
GIAI ĐOẠN 1 - SẢN XUẤT MASK GIAI ĐOẠN 2 - CHUẨN BỊ WAFER
Nuôi tinh thể (Silicon crystal growth):

- Tinh chế cát (SiO2) thành Silic nguyên chất (99.999999999%).
- Silic nguyên chất sẽ được pha thêm tạp chất là các nguyên tố
nhóm 3 hoặc nhóm 5 để được p-type wafer hoặc n-type wafer.
- Nuôi cấy tinh thể SiO2 để được tinh thể kích thước lớn hình trụ
tròn dài 1000mm, đường kính 200 – 300mm.
- Nguyên lý: Thăng hoa Si hay SiC ở nhiệt độ 1800-20000C áp
suất 1100psi trong lò cao tần.
- Thiết bị: Crystalline Growth Chamber.
Nấu chảy
Crucible:
Silicon
Lò cao tần
GIAI ĐOẠN 2 - CHUẨN BỊ WAFER Cấu trúc Wafer
Cắt lát Silicon tinh thể:

Cỡ wafer thông thường: 200mm (10”)
-Silicon sẽ được cắt thành các tấm tròn
đường kính 200mm hoặc 300mm với bề Công nghệ mới nhất: 300mm (12”)
dày cỡ 750um.
-Thiết bị: Wafer dicing machine:
-Phần mềm: Thermocarbon’s Tcar 864-1.
Wafer Dicing Saw.
Mài bóng làm sạch wafer Die - Single IC chip
-Thiết bị: Wafer cleaner
Có các công ty chuyên sản xuất silicon
wafer. Chẳng hạn Shin'Etsu là công ty
cung cấp khoảng 40% silicon wafer cho thị
trường bán dẫn Nhật Bản. Giá một tấm
wafer 200mm khoảng 20 USD.
168/176
GIAI ĐOẠN 2 - CHUẨN BỊ WAFER GIAI ĐOẠN 3 - CÁC QUÁ TRÌNH XỬ LÝ WAFER
Polysilicon Seed crystal -Tất cả được thực hiện trong môi trường siêu sạch (ultra clean room).
6. Edge Rounding
Crucible
1. Crystal Growth
Heater
7. Lapping
2. Single Crystal Ingot
3. Crystal Trimming 8. Wafer Etching

and Diameter Grind
Slurry
Polishing
head
9. Polishong
4. Flat Grinding
Polishing table
5. Wafer Slicing
10. Wafer Inspection
GIAI ĐOẠN 3 - CÁC QUÁ TRÌNH XỬ LÝ WAFER GIAI ĐOẠN 3 - CÁC QUÁ TRÌNH XỬ LÝ WAFER
- Bước 1: Rửa (Wet process): Đây là bước làm sạch wafer bằng các - Bước 3: CVD (Chemical Vapor Deposition)
dung dịch hóa học.
Tạo các lớp film mỏng trên bề mặt wafer bằng phương pháp hóa
+ Ví dụ APM (hỗn hợp NH4OH/H2O2/H2O) dùng để làm sạch các
particle như bụi trong không khí, bụi từ người bay ra. học (SiO2, Si3N4. Poly-Si, WSi2).
+ HPM (hỗn hợp HCl/H2O2/H2O) dùng làm sạch các tạp chấp và kim Ví dụ có thể dùng CVD ở áp suất thấp trong môi trường SiH4 và
loại hiếm (Cu, Au, Pt...).
H2 để tạo ra lớp poly-Si (Si đa tinh thể) để làm điện cực cho
+ HPM (hỗn hợp H2SO4/H2O2) làm sạch các tạp chất hữu cơ (resist)
và kim loại (Ze, Fe...). transistor.
+ DHF (axit HF loãng) dùng để loại bỏ các phần SiO2 không cần
thiết. Polysilicon
Bước 2: Ô-xi hóa (Oxidation): Tạo SiO2 trên bề mặt wafer trong đó lớp
SiO2 mỏng cỡ 1 tới 2 nanomet
SiO2 Thin Oxide
sẽ trở thành gate của transistor.
Silicon
Thiết bị: MOCVD theo
công nghệ MOS Silicon Wafer
169/176
- Bước 4: Cấy Ion (Ion implantation) - Bước 5: Loại bỏ (etching)

Sử dụng các nguồn ion năng lượng cao (vài chục tới vài trăm keV) + Loại bỏ các phần SiO2 không cần thiết.
bắn trực tiếp lên bề mặt Si nhằm thay đổi nồng độ tạp chất trong + Có hai loại:
Si.
–Wet-etching dùng axit HF loãng để hòa tan SiO2.
Ví dụ bắn các ion As để tạo ra vùng n+ để làm source và drain cho
–Dry-etching dùng plasma để cắt SiO2 khỏi bề mặt Si.
MOSFET.
- Bước 6: Quang khắc Photolithography - Bước 7: Sputtering

Phương pháp xử lý quang học để transfer mask pattern lên bề mặt + Là phương pháp phủ các nguyên tử kim loại (Al, Cu) lên bề mặt wafer.
wafer. + Ion Ar+ với năng lượng khoảng 1 keV trong môi trường plasma sẽ bắn
phá các target kim loại (Al, W, Cu).
Wafer sẽ được phết một lớp dung dịch gọi là cản quang (resist), độ
dày của lớp này khoảng 0.5um. + Các nguyên tử kim loại sẽ bật ra bám lên bề mặt wafer.
+ Phần bị phủ sẽ trở thành dây dẫn nối các transistor với nhau.
Ánh sáng sẽ được chiếu lên mask, phần ánh sáng đi qua sẽ làm
mềm resist. - Bước 8: Annealing
+ Xử lý nhiệt giúp cho các liên kết chưa hoàn chỉnh của Si (bị phá huỷ
Sau khi rửa bằng dung dịch đặc biệt (giống tráng ảnh), phần resist
bởi ion implantation etc.) sẽ tạo liên kết với H+.
không bị ánh sáng chiếu vào sẽ tồn tại trên wafer như là mask.
+ Việc này có tác dụng làm giảm các sự cố về mức năng lượng tại bề
(trong trường hợp này resist là loại positive).
mặt Si và SiO2.
- Bước 9: CMP (Chemical Mechanical Polishing)
UV Light
Mask + Làm phẳng bề mặt bằng phương pháp cơ-hóa. Đây là kỹ thuật mới
Photoresist được áp dụng vào semiconductor process.
+ Có tác dụng hỗ trợ thêm cho các xử lý như photolithography, etching
Wafer
etc.
170/176
GIAI ĐOẠN 3 - CÁC QUÁ TRÌNH XỬ LÝ WAFER GIAI ĐOẠN 4 - Kiểm tra - Đóng gói - Xuất xưởng
- Các xử lý ở phần 3 sẽ được lặp đi lặp lại nhiều lần tùy thuộc vào
SiO2
Polysilicon Gate mức độ phức tạp của chip.
Insulator L D D
- Cuối cùng chip sẽ được cắt rời (một tấm wafer 300mm có thể tạo
W
Source Drain được khoảng 90 con chip Pentium IV).
G SB G
n+ n+
- Một loạt các xử lý khác như back grinding (mài mỏng phần mặt
channel
dưới của chip), bonding (nối ra các pins, dùng chì mạ vàng hoặc
p substrate S S
substrate connected đồng), mold (phủ lớp cách điện), marking (ghi tên hãng sản xuất
n transistor to GND
etc.).
Polysilicon Gate
SiO2
Insulator L D
W
Source Drain
G SB G
p+ p+
channel
n substrate S substrate connected

to VDD
p transistor
Quy trình thiết kế vi mạch Các mức thiết kế
- Full Custom
High-level
High-level Structural
Structural
Specifications
Specifications - Application-Specific Integrated Circuit (ASIC)
Description
Description Description
Description - Programmable Logic (PLD, FPGA)
- System-on-a-Chip
Synthesis
Physical Technology
Design Mapping
Placed
Placed Logic
&& Routed Gate-level
Gate-level Logic
Routed Design Description
Description
Design
Design Design
Packaging Fabri- X=(AB*CD)+

cation (A+D)+(A(B+C))
Y = (A(B+C)+AC+
D+A(BC+D))
171/176
Full Custom Design ASIC Design
Structural/RTL Description Component Design Structural/ HDL Programming

RTL Description
P_Inp:
P_Inp: process
process (Reset,
(Reset, Clock)
Clock)
Ctrl Ctrl begin
begin
ifif (Reset
(Reset =
= '1')
'1') then
then
sum
sum <=
<= (( others
others =>
=> '0'
'0' ););
input_nums_read
input_nums_read <= <= '0';
'0';
Mem Reg Comp. Reg sum_ready
sum_ready <= <= '0';
Mem Comp. '0';
File Unit File Unit
add82
add82 :: kadd8
kadd8 port
port map
map ((
aa =>
=> add_i1,
add_i1, bb =>
=> add_i2,
add_i2,
ci
ci =>
=> carry,
carry, ss =>
=> sum_o);
sum_o);
Mult_i1
Mult_i1 <=
<= sum_o(7
sum_o(7 downto
downto 0);
0);
Place & Route
D C C B
comp
PLA
A C C
I/O
RAM
...
D C D B
Cell library
A/D C C C B
A B
C D
Các bước thiết kế Vi mạch Các bước thiết kế Vi mạch
1. System design 3. Logic design

Quyết định system spec., chip spec., nguồn điện... Đây là bước chuyển những chức năng đã thiết kế ở phần 2 xuống
Phải lý giải 100% hệ thống sắp thiết kế. Ví dụ muốn thiết kế 1 CPU mức thiết kế logic.
thì bạn phải hiểu rõ nguyên lý hoạt động của nó, các đặc điểm về Các tool chuyên dụng sẽ thực hiện nhiệm vụ này.
công nghệ, tốc độ xử lý, mức tiêu thụ năng lượng, cách bố trí các Tuy vậy bạn phải có sự nhạy cảm và kinh nghiệm trong việc
pins, các lược đồ khối, các điều kiện vật lý như kích thước, nhiệt chuyển từ function sang logic thì hệ thống của bạn mới được tối
độ, điện áp... ưu hóa (đặc biệt là về chip area)
2. Function design 4. Circuit design
Đây là phần dùng ngôn ngữ HDL (Verilog-HDL, VHDL etc.) để thiết Chuyển từ thiết kế logic xuống mức thấp hơn nữa: gate level.
kế các chức năng cho chip. Tức là đã đến mức phải xem xét từng con transitor.
Mức độ thiết kế là RTL (Register Transfer Level). Các bộ tool chuyên dụng sẽ giúp tự động hóa công việc.
Thiết kế mức RTL nghĩa là bạn không cần quan tâm đến cấu tạo Tuy nhiên yêu cầu phải hiểu rõ cấu tạo và nguyên lý hoạt động của
chi tiết của mạch điện mà chỉ chú trọng vào hoạt động tổng thể CMOS.
của chip dựa trên kết quả tính toán cũng như sự luân chuyển dữ
liệu giữa các register.
172/176
Các bước thiết kế Vi mạch 4. Quá trình chế tạo CMOS
5. Layout design
Dùng các công cụ CAD để chuyển từ bản vẽ mạch sang layout.
Ở đây bạn phải tuân thủ nghiêm ngặt một thứ gọi là Design Rule.
Ví dụ chip của bạn dùng công nghệ 90nm thì bạn phải dùng dùng
các kích thước là bội số của 90nm...
6. Mask pattern design

Chuyển layout vừa thiết kế sang mask pattern.
Tiếp đó là dùng tool chuyên dụng để chuyển thành dạng dữ liệu có
format đặc biệt và gửi đi nhờ sản xuất mask.
4. Quá trình chế tạo CMOS 4. Quá trình chế tạo CMOS
173/176
174/176
175/176
176/176

Cau Kien Dien Tu

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Cau Kien Dien Tu

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

KHOA KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 1

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Giới thiệu môn học Cấu kiện điện tử

Sensor, detector, Mạch vào:

Đầu ra: Màn hình,

 CD / DVD recoders and players  Robotic control

Hệ thống điện tử (2) Hệ thống điện tử (3)

NOKIA 8260 (Mặt trước)

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 9 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 10

Hệ thống điện tử (6) Giới thiệu chung về Cấu kiện điện tử

Sand… Chips on Silicon wafers

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 13 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 14

- Tỷ lệ giá thành/tính năng của IC giảm 25% –30% mỗi năm.

Lecture 1- Introduction (Giới thiệu chung)

Pentium® Pro &

Tài liệu học tập Yêu cầu môn học

Lecture 1 – Giới thiệu chung 1.1 Khái niệm cơ bản

1.1 Khái niệm cơ bản + Điện tích và dòng điện

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 25 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 26

Tín hiệu (Signal) và Hệ thống (System) Signal (Tín hiệu)

Dòng điện (Current)

+ Nguồn độc lập Nguồn áp

I, i(t) I, i(t) I, i(t) RS

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 33 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 34

Nguồn có điều khiển Phần tử thụ động

I(I) I(U) I(I) RS I(U) RS

Mạch nối tiếp iA Kirchhoff’s voltage law (KVL)

Ví dụ sử dụng KVL Ví dụ phân tích mạch dùng m1

Xét về mặt năng lượng +

Mạch song song

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 49 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 50

Ví dụ: Biến đổi tương đương

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 53 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 54

Phương pháp phân tích Phương pháp đồ thị

- Giải hệ phương trình:

R Thực hiện theo các bước sau:

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 57 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 58

- Từ quan hệ phi tuyến: - Viết lại biểu thức:

- Như vậy qua hệ giữa id và vd là tuyến tính.

- Chế độ một chiều: R

- Mô hình tín hiệu nhỏ của phần tử phi tuyến:

- Sơ đồ mạch tương đương

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 61 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 62

Linh kiện thụ động: R,L,C…

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 65 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 66

• Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử - Lý thuyết vật lý chất rắn

Mức Số trạng Số trạng Số trạng Số trạng

a. Một NT b. 2 NT không c. 2 NT d. N Nguyên tử

a- Chất cách điện; b - Chất bán dẫn; c- Chất dẫn điện

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 77 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 78

Phân loại: 2 loại a. Định nghĩa.

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 89 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 90

Ha M. Do -PTIT Lecture 1 93 Ha M. Do -PTIT Lecture 1 94

Incandescent Light Bulb

26/176 Resistive Touch-screen Power Amplifier

d. Tạp âm của điện trở d. Tạp âm của điện trở

Ha M. Do - PTIT Lecture 2 17 Ha M. Do - PTIT Lecture 2 18

Ha M. Do - PTIT Lecture 2 21 Ha M. Do - PTIT Lecture 2 22

Điện trở SMD

Potentiometers, or Carbon composition Carbon film Metal film High Power

Ha M. Do - PTIT Lecture 2 25 Ha M. Do - PTIT Lecture 2 26

Biến trở (Variable Resistors) 2. Tụ điện (Capacitors)

2.1. Định nghĩa

CD / DVD recoders and players Robotic control