OTL Đơn

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐÀ NẴNG
KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

-----    -----
ĐỒ ÁN ĐIỆN TỬ
Đề tài: Thiết kế mạch OTL ngõ vào đơn
Giảng viên: Huỳnh Thanh Tùng
Nhóm sinh viên thực hiện:

STT Họ và tên MSSV Lớp
1 Lê Tuấn Anh 106180064 18DT2
2 Đỗ Thành Đạt 106180071 18DT2
3 Lê Hải Đăng Lâm 106180089 18DT2
Đà Nẵng, năm 2021

Thiết kế mạch khuếch đại công suất OTL ngõ vào đơn 1
Yêu cầu:
 Công suất 15 W
 Kiểu ngõ vào đơn
 Kiểu mạch OTL
 Trở kháng vào 200 KΩ
 Tải loa 4 Ω
 Méo phi tuyến 0.2 %
 Vin = 0,7 V
 F min/max = 50 – 15000Hz
 Bảng đánh giá tiến độ:

STT Ngày Nội dung Đánh giá của GVHD
1 24/02/2021 Giao đề tài Đạt yêu cầu
2 07/04/2021 Tính Toán lý thuyết Đạt yêu cầu
3 14/04/2021 Mô phỏng Đạt yêu cầu
4 21/04/2021 Thi công Đạt yêu cầu
5 01/08/2021 Hoàn thiện Báo cáo và Mạch Đạt yêu cầu
Mục Lục
A. Lý thuyế t: ........................................................................................................................................................................ 3
Chương 1: Khuếch đại tín hiệu nhỏ .............................................................................................................................. 3
I. Phân cực BJT .......................................................................................................................................................... 3
II. Các cách mắc BJT ................................................................................................................................................. 6
Chương 2: Hồi tiếp ....................................................................................................................................................... 11
I. Khái niệm: ............................................................................................................................................................. 11
II. Phân loại: ............................................................................................................................................................. 11
III. Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp .......................................................................................................... 11
IV. Tác dụng hồi tiếp lên mạch khuếch đại............................................................................................................ 12
V. Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại ........................................................................................................ 12
Chương 3 : Khuếch đại công suất ............................................................................................................................... 14
I. Chế độ A: ............................................................................................................................................................... 14
II. Chế độ B: ............................................................................................................................................................. 16
III. Chế độ AB: ......................................................................................................................................................... 18
IV. Mạch khuếch đại công suất OTL ..................................................................................................................... 19
B. Tính toán ma ̣ch: ............................................................................................................................................................ 22
1. Tính toán phần nguồn : ........................................................................................................................................... 22
2. Tính chọn trở R1, R2: .............................................................................................................................................. 23
3. Chọn cặp Q1 Q2 : ..................................................................................................................................................... 23
4. Tính chọn R3, R4 ...................................................................................................................................................... 25
5. Tính chọn cặp Q3, Q4 : ............................................................................................................................................ 26
6. Tính tầng lái: ............................................................................................................................................................. 29
7. Tính chọn D3, D4, D5, VR2: .................................................................................................................................... 29
8. Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng: .............................................................................................................. 30
9. Tính chọn BJT thúc Q6: ........................................................................................................................................... 31
10. Tính toán tần nhận tín hiệu vào: ........................................................................................................................... 33
11. Tính toán VR3 : ...................................................................................................................................................... 35
12. Tính các tụ ............................................................................................................................................................... 38
13. Tình mạch lọc Zobel C5, R5: ................................................................................................................................. 39
14. Kiểm tra độ méo phi tuyến .................................................................................................................................... 39
C. Kết quả sau tính toán: .................................................................................................................................................. 41
 Giá trị linh kiện sau khi tính toán : .................................................................................................................... 41
- Tác du ̣ng mỗi linh kiên:
̣ ...................................................................................................................................... 41
 Sơ đồ sau khi tính toán hoàn chỉnh:................................................................................................................... 43
 Kết quả mô phỏng tín hiệu SINE 1KHz - 0.5V pp ............................................................................................ 43
 Nhận xét: ............................................................................................................................................................... 44
D. DATASHEET ............................................................................................................................................................... 45
A. Lý thuyế t:
Chương 1: Khuếch đại tín hiệu nhỏ
Để cho BJT hoạt động đúng với điểm làm việc mà chúng ta đề ra, chúng ta phải
phân cực chính xác cho BJT đó. Đối với mỗi cách mắc BJT sẽ có những ưu nhược
điểm khác nhau để ứng dụng tùy vào nhu cầu của người sử dụng. Trong chương
này, chúng ta sẽ tìm hiểu về các cách phân cực cho BJT, các cách mắc BJT thường
gặp, ưu nhược điểm và các ứng dụng của chúng trong thực tế.
I. Phân cực BJT
Ta biết BJT có thể hoạt động trong 3 vùng:
+ Vùng khuếch đại với tiếp giáp B-C phân cực nghịch, tiếp giáp B-E phân cực thuận.
+ Vùng bão hoà với tiếp giáp B-E và B-C phân cực thuận.
+ Vùng ngưng với tiếp giáp B-E phân cực nghịch
Phương pháp chung để giải các mạch phân cực gồm 3 bước:
- Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định dòng điện ngõ vào.
- Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ liên hệ 𝐼𝑐 =  𝐼𝑏.
- Bước 3: Dùng mạch ngõ ra để tìm các thông số còn lại.
1. Phân cực cố định
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑏𝑒
 𝐼𝑏 = với Vbe = 0,7V nếu là loại Silic, Vbe = 0,3V nếu là loại Ge.
𝑅𝑏
 Trong vùng khuếch đại Ic = β . Ib
 Phương trình đường tải tĩnh Vce = Vcc – Ic . Rc
𝑉𝑐𝑐
 𝐼𝑐𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝑐
 Ưu điểm: Dòng ra lớn, dễ thiết kế.
 Nhược điểm: Khi nhiệt độ thay đổi, các đại lượng như β, Vceo, Ib thay đổi
dẫn đến điểm làm việc bị sai lệch.
 Ứng dụng: Sử dụng ở các tầng công suất lớn.
2. Phân cực hồi tiếp cực Emitter
 𝐼𝑏 =
𝑅𝑏+(𝛽+1)𝑅𝑒
 Trong vùng khuếch đại Ic = β Ib
 Phương trình đường tải tĩnh Vce = Vcc – (Rc + Re) . Ic
𝑉𝑐𝑐
𝑅𝑐+𝑅𝑒
 Ưu điểm: Có trở hồi tiếp cực E, tăng độ ổn định của điểm làm việc tĩnh.
 Nhược điểm: Việc xác định điểm làm việc vẫn còn phụ thuộc nhiều vào β.
 Ứng dụng: Sử dụng ở các tầng công suất.
2. Phân cực bằng cầu phân áp
𝑅2
 𝑉𝑏𝑏 = 𝑉𝑐𝑐 .
𝑅1+𝑅2
 Rbb = R1//R2
𝑉𝑏𝑏−𝑉𝑏𝑒
 𝐼𝑏 =
𝑅𝑏𝑏+(𝛽+1)𝑅𝑒
 Ic = β . Ib ở vùng khuếch đại
 Vce = Vcc – (Rc + Re) . Ic
𝑉𝑐𝑐
𝑅𝑐+𝑅𝑒
 Ưu điểm: Việc xác định điểm làm việc tĩnh Q ít phụ thuộc vào hệ số β.
 Nhược điểm: Thiết kế và tính toán phức tạp.
 Ứng dụng: Sử dụng phổ biến trong các mạch khuếch đại, các mạch công suất
lớn, BJT hoạt động ở nhiệt độ cao.
3. Phân cực hồi tiếp Collector
 𝐼𝑏 =
𝑅𝑏+ 𝛽(𝑅𝑐+𝑅𝑒)
 𝐼𝑐 = 𝛽 . 𝐼𝑏 trong vùng khuếch đại
 Vce = Vcc – (Rc + Re) . Ic
 Ưu điểm: Khả năng hồi tiếp tốt hơn hồi tiếp cực Emitter, cải thiện độ ổn định
của BJT.
 Nhược điểm: Khó thiết kế và tính toán.
Như vậy, với cách phân cực cố định, dòng ra lớn nên thường được ứng dụng
trong các tầng công suất lớn. Với cách phân cực hồi tiếp cực Emitter, có điện trở
hồi tiếp Re nên tăng độ ổn định của mạch hơn. Còn với phân cực bằng cầu phân
áp, nhờ vào ưu điểm là việc xác định điểm làm việc tĩnh Q ít phụ thuộc β mà
thường được sử dụng phổ biến trong các mạch khuếch đại. Phân cực hồi tiếp
dòng Collector thì mang lại khả năng hồi tiếp tốt hơn hồi tiếp cực E.
II. Các cách mắc BJT

1. Mắc E chung
Sơ đồ tương đương xoay chiều

𝑅𝑖𝑛
 Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 . 𝑅𝐿 . với Rin = R1 // R2 // 𝑟𝜋
𝑅𝐼 +𝑅𝑖𝑛
𝑅 +𝑅𝑖𝑛
 Hệ số khuếch đại dòng: 𝐴𝑖 = 𝐴𝑣 . 𝐼
𝑅3
 Hệ số khuếch đại công suất: Ap = Av . Ai
 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑟0 //Rc
𝑅 +𝑅
 Điều kiện của 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính: 𝑣𝑖 ≤ 0,005 . 𝐼 𝑖𝑛
𝑅𝑖𝑛
 Tín hiệu vào và ra ngược pha nhau.
 Ưu điểm: Khuếch đại đồng thời cả áp và dòng.
 Nhược điểm: Hệ số khuếch đại ở mức trung bình.
 Ứng dụng: Sử dụng ở các tầng đầu vào và tầng thúc của mạch khuếch đại
công suất.
2. Mắc C chung

𝑔𝑚 .𝑅𝐿 .𝑅𝑖𝑛
 Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 = (1+ 𝑔𝑚 .𝑅𝐿 ) .(𝑅𝐼 +𝑅𝑖𝑛)
 Rin = 𝑟𝜋 . (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝐿 ) // Rb
𝑅 +𝑅𝑖𝑛
𝑅7
1 𝑅 //Rb
 𝑅𝑜𝑢𝑡 = ( + 𝐼 ) // R4
𝑔𝑚 𝛽+1
𝑅 +𝑅𝑖𝑛
 Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính 𝑣𝑖 ≤ 0,005 . 𝐼 . (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿 )
𝑅𝑖𝑛
 Tín hiệu vào và ra đồng pha.
 Ưu điểm: Hệ số khuếch đại dòng cao, xử lí tín hiệu vào lớn.
 Nhược điểm: Hệ số khuếch đại áp xấp xỉ bằng 1.
 Ứng dụng: Sử dụng trong các tầng yêu cầu dòng ra cao, tầng công suất.
3. Mắc B chung
𝑔𝑚 .𝑅𝐿 .𝑅𝑖𝑛
 Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 =
(𝑅𝐼 +𝑅𝑖𝑛)
1
 Rin = // R6
𝑔𝑚
𝑅 +𝑅𝑖𝑛
𝑅7
 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑖𝑐 // R3
 𝑅𝑖𝑐 = 𝑟0 . (1 + 𝑔𝑚 . (𝑅𝐼 //R6))
𝑅 +𝑅𝑖𝑛
 Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính 𝑣𝑖 ≤ 0,005 . 𝐼
𝑅𝑖𝑛
 Tín hiệu vào và ra đồng pha.
 Ưu điểm: Hệ số khuếch đại áp lớn, trở kháng vào mạch lớn.
 Nhược điểm: Không khuếch đại dòng.
 Ứng dụng: Sử dụng trong các mạch yêu cầu áp ra cao.
Như vậy, đối với các cách mắc BJT, cách mắc EC đem lại khả năng khuếch đại
cả áp và dòng nhưng hệ số khuếch đại chỉ ở mức trung bình. Cách mắc CC mang lại
hệ số khuếch đại dòng lớn nhưng lại không khuếch đại áp. Cách mắc BC thì ngược
lại với cách mắc CC.
*Tổng kết:
Trong chương vừa rồi, chúng ta đã tìm hiểu được về các cách phân cực và các
cách mắc thông dụng của BJT cùng với ưu nhược điểm và ứng dụng của chúng
trong thực tế. Nhưng để cải thiện độ ổn định của mạch thì như thế là chưa đủ. Vì
vậy, chương sau sẽ làm rõ một trong những thành phần giúp cải thiện độ ổn định
cũng như nâng cao hệ số khuếch đại của mạch, đó chính là Hồi Tiếp.
Chương 2: Hồi tiếp

I. Khái niệm:
Mạch hồi tiếp là mạch lấy một phần năng lượng ngõ ra đưa về đầu vào để
làm tăng độ ổn định của mạch và cải thiện chất lượng của mạch.
II. Phân loại:
Để phân loại hồi tiếp, người ta dựa vào 3 cơ sở:
1. Theo tác dụng khuếch đại:
- Hồi tiếp âm: là hồi tiếp mà tín hiệu ra đưa về ngược pha tín hiệu vào
 Ưu điểm: Cải thiện độ ổn định, chất lượng của mạch.
 Nhược điểm: Giảm hệ số khuếch đại mạch.
 Ứng dụng: Sử dụng phổ biến trong lĩnh vực khuếch đại.
- Hồi tiếp dương: là hồi tiếp mà tín hiệu đưa về cùng pha tín hiệu vào.
 Ưu điểm: Tăng hệ số khuếch đại.
 Nhược điểm: Mất tính ổn định của mạch.
 Ứng dụng: Sử dụng phổ biến trong các mạch dao động.
2. Theo dạng tín hiệu hồi tiếp:
- Hồi tiếp điện áp là lấy điện áp ra, tạo điện áp hồi tiếp đưa về lại đầu vào.
- Hồi tiếp dòng là lấy dòng ra tạo hồi tiếp đưa về lại đầu vào.
3. Theo cách ghép với tín hiệu vào
- Hồi tiếp song song là khi lấy áp (dòng) đầu vào mắc song song với áp
(dòng) hồi tiếp.
- Hồi tiếp nối tiếp là khi áp (dòng) đầu vào mắc nối tiếp với áp (dòng) hồi
tiếp.
III. Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp
- Khi không có hồi tiếp thì 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾 . 𝐾𝑛

- Khi có hồi tiếp thì 𝐾 ′ 𝑡𝑝 = 𝐾𝑛 . 𝐾′
𝑋𝑟 𝐾
- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp 𝐾 ′ = =
𝑋𝑣 1+𝐾 .𝐾ℎ𝑡
′ 𝐾𝑛 .𝐾
- Hệ số khuếch đại toàn phần: 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾𝑛 . 𝐾 =
𝑔
|𝑔| < 1 𝑡ℎì |𝐾 ′ |
> |𝐾|: 𝐻ồ𝑖 𝑡𝑖ế𝑝 𝑑ươ𝑛𝑔
′
|𝑔| > 1 𝑡ℎì |𝐾 | < |𝐾|: 𝐻ồ𝑖 𝑡𝑖ế𝑝 â𝑚
- Nhận xét:
+ Một hệ thống khép kín có hệ số khuếch đại vòng rất lớn, K’ hầu như
không phụ thuộc vào tính chất của mạch mà chỉ phụ thuộc vào tính chất
của mạch hồi tiếp. Vì vậy, muốn xây dựng bộ khuếch đại chính xác,
phải dùng linh kiện chính xác trong
khâu hồi tiếp (điện trở).
+ Hàm truyền toàn phần giảm đi g lần. Như vậy hồi tiếp âm làm giảm
hệ số khuếch đại của mạch.
IV. Tác dụng hồi tiếp lên mạch khuếch đại

1. Hồi tiếp âm
- Đối với hệ số khuếch đại: Giảm hệ số khuếch đại.
- Đối với độ ổn định: Tăng độ ổn định.
- Đối với nhiễu: Giảm tác dụng ngõ vào  Giảm nhiễu.
- Méo: Giảm méo.
- Đối với tổng trở vào: Hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng tổng trở vào. Hồi tiếp
âm song song làm giảm tổng trở vào.
- Đối với tổng trở ra: Hồi tiếp âm điện áp làm giảm tổng trở ra. Hồi tiếp
âm dòng điện làm tăng tổng trở ra.
2. Hồi tiếp dương
- Đối với hệ số khuếch đại: Tăng hệ số khuếch đại.
- Đối với độ ổn định: Giảm độ ổn định.
- Đối với nhiễu: Tăng hệ số khuếch đại  Tăng nhiễu.
- Méo: Tăng độ méo dạng.
- Đối với tổng trở vào: Hồi tiếp dương nối tiếp làm giảm tổng trở vào. Hồi
tiếp dương song song làm tăng tổng trở vào.
- Đối với tổng trở ra: Hồi tiếp dương điện áp làm tăng tổng trở ra. Hồi tiếp
dương dòng điện làm giảm tổng trở ra.
V. Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại
1. Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transitor
- Điện trở Re thực chất là điện trở lấy tín hiệu dòng. Dòng qua Rc và Rt
sẽ thể hiện qua Re, tạo nên sụt áp trên Re. Đây là mạch hồi tiếp dòng,
có tín hiệu áp hồi tiếp tỉ lệ dòng ngõ ra. Điện áp này thàm thay đổi Vbe
của BJT nên xem như hồi tiếp nối tiếp.
2. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transitor
- Điện trở Rb lấy từ cực C làm hình thành 1 vòng hồi tiếp điện áp.
- Điện áp là 1 phần của điện áp tải, đưa vào cực B của BJT, làm rẽ mạch
dòng cực B, vì vậy đây là hồi tiếp áp song song.
3. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch C chung
- Toàn bộ điện áp ra trên tải đưa về cực E làm thay đổi Vbe → Hồi tiếp
điện áp nối tiếp.
4. Hồi tiếp âm DC toàn mạch trong các mạch liên lạc trực tiếp
- Nhằm mục đích ổn định tín hiệu DC của mạch, đảm bảo điểm làm việc
tĩnh.
5. Hồi tiếp âm AC toàn mạch
- Ổn định độ lợi trong 1 miền nhất định, giảm nhiễu và tăng độ ổn định.
*Tổng kết:
Như vậy, ngoài hồi tiếp âm và dương là 2 loại hồi tiếp thông dụng, hồi tiếp còn được
phân loại thành hồi tiếp dòng, áp, nối tiếp, song song. Trong đó, nhờ khả năng tăng
độ ổn định mà hồi tiếp âm được ứng dụng rộng rãi trong mạch khuếch đại. Đối với
hồi tiếp dương, nhờ khả năng tăng hệ số khuếch đại mà được ứng dụng nhiều trong
các mạch dao động.
Chương 3 : Khuếch đại công suất

Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích
tải. Công suất ra có thể từ vài trăm mW đến vài trăm W. Như vậy mạch công suất
làm việc với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương
đương tín hiệu nhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng
phương pháp đồ thị. Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân
mạch khuếch đại công suất ra thành các loại chính như sau:
- Khuếch đại công suất loại A: Tín hiệu được khuếch đại gần như tuyến tính,
nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến tính trong toàn bộ chu kỳ 360o của tín hiệu
ngõ vào (Transistor hoạt động cả hai bán kỳ của tín hiệu ngõ vào).
- Khuếch đại công suất loại AB: Transistor được phân cực ở gần vùng ngưng. Tín
hiệu ngõ ra thay đổi hơn một nữa chu kỳ của tín hiệu vào (Transistor hoạt động
hơn một nữa chu kỳ - dương hoặc âm - của tín hiệu ngõ vào).
- Khuếch đại công suất loại B: Transistor được phân cực tại VBE=0 (vùng ngưng).
Chỉ một nữa chu kỳ âm hoặc dương - của tín hiệu ngõ vào được khuếch đại.
I. Chế độ A:
*Đặc tuyến:
Dòng điện và điện áp đầu vào tồn tại 360* trong 1 chu kỳ của tín hiệu vào.
*Hiệu suất của A:
Hiệu suất:
𝑃𝑎𝑐
n=
𝑃𝑎𝑣
1 𝑇 (𝑉𝐷𝐷 .𝑆𝑖𝑛𝜔𝑡)2
Pac = ∫0 dt
𝑇 RL
1 𝑉𝐷𝐷 2 𝑇 1−cos 2𝜔𝑡

= ∫0 𝑑𝑡
𝑇 𝑅𝐿 2
𝑉𝐷𝐷 2
=
2 𝑅𝐿
T
1 VDD .sin ωt
Pav = ∫ [I . V + Iss . VDD + . VDD ]𝑑𝑡
𝑇 0 𝑠𝑠 ss R2
VDD 2
= Iss .2VDD = 2
RL
1
=> n= =25%
4
*Ưu điểm: Tín hiệu ra không bị biến dạng
*Nhược điểm: Hiệu suất thấp ≈ 25%
Tiêu hao ( nhiệt ) lớn
*Ứng dụng: Sử dụng ở các tầng không yêu cầu hiệu suất cao nhưng phải đảm bảo
tín hiệu như tầng đầu vào và tầng thúc của mạch khuếch đại.
II. Chế độ B:
- Điểm làm việc nằm ở ranh giới giữa vùng ngưng dẫn và vùng dẫn.
Dòng điện và điện áp ra tồn tại trong 1 nửa chu kỳ của tín hiệu vào.
*Hiệu suất của chế độ B:
Pac
n=
Pav
T
1 VDD VDD 2
Pav = ∫02 VDD sin ωtdt =
T RL πRL
2
2V𝐷𝐷
Push – Pull -> 2 Pav =
𝜋RL
𝜋
=> n = = 78.5%
4
*Chế độ đẩy kéo:
*Ưu điểm: Hiệu suất lớn ≈78%

*Nhược điểm: Chỉ khuếch đại nửa chủ kỳ, mắc push-pull bị méo xuyên tâm.
III. Chế độ AB:

Ta có thể sửa lại vấn đề méo trong mạch loại B nhưng vẫn cải thiện hiệu suất
bằng cách kết hợp 2 loại A và B.
*Khác với chế độ B, 2 cực B của BJT không nối trực tiếp với nhau mà được đặt
điện ấp 1 chiều Vcc.
*Ưu: Hiệu suất cao, bảo toàn tín hiệu.
*Nhược: Các tầng khuếch đại công suất được thiết kế làm việc ở chế độ AB, điểm
làm việc của chế độ AB nằm giữa chế độ A và chế độ B.
IV. Mạch khuếch đại công suất OTL
*Dùng 2 BJT bổ phụ

B. Tính toán ma ̣ch:

Sơ đồ thiết kế
1. Tính toán phần nguồn :

Công suất trên tải :
VL IL
Ta có : VLhd  , I Lhd 
2 2
2
2
𝑉𝐿ℎ𝑑 𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 ⋅ 𝐼𝐿ℎ𝑑 = =
𝑅𝐿 2𝑅𝐿
=> 𝑉𝐿 = √2𝑃𝐿 𝑅𝐿 = √2.15.4 = 11(𝑉)
𝑉𝐿 11
=> 𝐼𝐿 = = = 2,74 (𝐴)
𝑅𝐿 4
Điện áp nguồn cung cấp:
Ta có Q1, Q2 làm việc ở chế độ AB nên chọn hệ số sử dụng nguồn là 0,8.
2. 𝑉𝐿 2. 11
=> 𝑉𝑐𝑐 = = = 27,4 (𝑉)
0,8 0,8
 Ta chọn nguồn cung cấp là 30 V
2. Tính chọn trở R1, R2:
Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng
20  50mA . Ở đây ta chọn: I E  I E  I E  50mA .
Q Q1 Q2
Dòng đỉnh qua Q1 Q2 là:

𝐼𝐸1𝑝 = 𝐼𝐸2𝑝 = 0,05 + 2,74 = 2,79(𝐴)
R1, R2 có tác dụng cân bằng dòng , ổn định nhiệt nên phải có công suất lớn :
Để tránh hao phí ta chọn :
𝑉𝑅1 1 𝑉𝐿 11
≥ => 𝑉𝑅1 ≥ = = 0,55(𝑉)
𝑉𝐿 20 20 20
𝑉𝑅1 0,55
=> 𝑅1 = 𝑅2 = = = 0,197 Ω
𝐼𝐸1𝑝 2,79
1 2 1
Công suất trở R1, R2 : 𝑃𝑅1 = 𝑃𝑅2 = . 𝑅1. 𝐼𝐿ℎ𝑑 = . 0,197. 2,792 = 0,3833 𝑊
4 4
 Ta chọn trở R1, R2 là 0,22 Ω / 5W
3. Chọn cặp Q1 Q2 :
IL
Công suất nguồn cung cấp : PCC  VCC I TB  VCC

1
Công suất loa: PL  RL I Lhd
2
 RL I L2
2
1
Công suất tiêu tán của R1, R2 : 𝑃𝑅 = 2𝑃𝑅1 = 𝑅1 𝐼𝐿2
2
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT Q1, Q2 là :

VCC I L 1 1
Ptt  PCC  PL  PR   R L I L2  R1 I L2
 2 2
Công suất tiêu tán của một BJT là:

𝑃𝑡𝑡 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿 1
𝑃𝑡𝑡/𝑄1 = 𝑃𝑡𝑡/𝑄2 = = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
2 2𝜋 4
Công suất tiêu tán cực đại của 1 BJT là lấy đạo hàm 𝑃𝑡𝑡/𝑄1 theo 𝐼𝐿 cho bằng 0 :
𝑑𝑃𝑡𝑡/𝑄1 𝑉𝐶𝐶 1
= − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿 = 0
d𝐼𝐿 2𝜋 2
𝑉𝐶𝐶 30
=> 𝐼𝐿 = = = 2,26 𝐴
𝜋(𝑅𝐿 + 𝑅1 ) 3,14(4 + 0,22)
𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿0 1
=> 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥 = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
𝑄1 2𝜋 4
30.2,26 1
= − (4 + 0,22). 2,262 = 5,407 𝑊
2.3,14 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1 :
𝑉𝐶𝐶 30
𝑃𝐷𝐶/𝑄1 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄1 . 𝐼𝐶/𝑄1 ≈ 𝐼𝐸𝑄 = . 0,05 = 0,75 𝑊
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q1 là:
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄1 = 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄1 + 𝑃𝐷𝐶/𝑄1 = 5,407 + 0,75 = 6,175 𝑊
Vì Q1, Q2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn Q1, Q2 thỏa mãn điều kiện:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐸1𝑝 = (4,185 ÷ 5,58) 𝐴
𝑉𝐶𝐸0 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (45 ÷ 60) 𝑉
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = (9,2625 ÷ 12,35) (𝑊)
 Tra cứu Datasheet ta chọn 2SC5200 và 2SA1943 :
2SC5200
2SA1943
4. Tính chọn R3, R4

Ta chọn:
𝛽𝑄𝐵1 = 130
Dòng Base tĩnh của Q1 :

𝐼𝐸𝑄/𝑄1 0,05
𝐼𝐵𝑄/𝑄1 = = = 0.38 𝑚𝐴
1 + 𝛽1 1 + 130
Dòng Base cực đại của Q1 :
𝐼𝐸𝑝/𝑄𝐵1 2,79
𝐼𝐵𝑄𝑝/𝑄1 = = = 0,021𝐴
1 + 𝛽1 1 + 130
Để R3, R4 không ảnh hưởng đến dòng ra ở chế độ xoay chiều thì R3 , R4 phải thỏa
mãn điều kiện: 𝑍𝐵1𝑀(𝑎𝑐) ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) .
𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) để rẽ dòng nhiệt.
𝑅3, 𝑅4 ≫ 𝑍𝐵1𝑀(𝑎𝑐) để giảm tổn thất tín hiệu.
Với 𝑍𝐵1𝑀(𝑎𝑐) , 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) : là điện trở xoay chiều và một chiều từ cực Base Q1 đến
M.
Từ đặc tuyến 𝐼𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 của 2SC5200 ta có:
𝐼𝐸𝑄 = 0,05 𝐴 => 𝑉𝐵𝐸𝑄 = 0,6𝑉

𝐼𝐸𝑝 = 2,79 𝐴 => 𝑉𝐵𝐸𝑝 = 0,75𝑉
Vậy:
𝑉𝐵1𝑀𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄1 + 𝑉𝑅1 0,6 + 0.05.0,22
𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) = = = = 1608 Ω
𝐼𝐵𝑄/𝑄1 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 0,38. 10−3
𝑉𝐵1𝑀𝑝 − 𝑉𝐵1𝑀𝑄 (𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄1 + 𝑉𝑅1𝑝 ) − (𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄1 + 𝑉𝑅1 )
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = =
𝐼𝐵𝑝/𝑄1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 𝐼𝐵𝑝/𝑄1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄1
(0,75 + 0,22.2,79) − (0,6 + 0,05.0,22)
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = 36,5 Ω
(0,021) − (0,38). 10−3
Vậy: 36,5 Ω ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 1608 Ω

 Chọn R3 = R4 = 220 Ω
5. Tính chọn cặp Q3, Q4 :

𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄1+𝑉𝑅1 0,6+0,05.0,22
- Dòng tĩnh qua R3 : 𝐼𝑅3𝑄 = = = 2,78 𝑚𝐴
𝑅3 220
𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄1+𝑉𝑅1𝑝 1+2,79.0,22
- Dòng cực đại qua R3 : 𝐼𝑅3𝑝 = = = 7,33 𝑚𝐴
𝑅3 220
- Dòng emitter qua Q3 : 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 = 𝐼𝑅3𝑄 + 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 = 2,78.10^(−3) +

0,38.10^(−3) = 3,16 𝑚𝐴
𝐼𝐸𝑝/𝑄3 = 𝐼𝑅3𝑝 + 𝐼𝐵𝑝/𝑄1 = 7,33 + 0,021 = 0,02833 𝐴
Khi đó trở kháng xoay chiều từ cực B Q1:

𝑉𝐵1𝑝 − 𝑉𝐵1𝑄 1 + 0,22.2,79 − 0,6 − 0,05.0,22
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = = 39,8 Ω
𝐼𝐸𝑝/𝑄3 − 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 0,02833 − 3.16. 10−3
So sánh với Z B1ac tính ở trước là ta thấy khi thêm R3, R4 vào thì sai khác không
đáng kể.
Như vậy, tải xoay chiều của Q3 là:
𝑍𝑡/𝑄3 = 𝑍𝐵1(𝑎𝑐) + (1 + 𝛽). 𝑅𝐿 = 39,8 + 524 = 563,8 Ω
Để tìm được Q3, Q4 ta tìm công suất tiêu tán lớn nhất của chúng. Gọi 𝐼𝐸4 là biên
độ dòng AC chạy qua Q3, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho Q3 :
𝐼𝐸3
𝐼𝑡𝑏/𝑄3 =
𝜋
Công suất nguồn cung cấp cho Q3:
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸3
𝑃𝐶𝐶/𝑄3 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝑡𝑏/𝑄3 =
𝜋
Công suất cung cấp cho tải của Q3 :
2
1 𝜋 1 2
𝑃𝑡/𝑄3 = 𝑍𝑡/𝑄3 . 𝐼𝐸3 = 𝑍𝑡/𝑄3 . ∫ (𝐼𝐸3 . 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡)2 𝑑𝜔𝑡 = 𝐼𝐸3 . 𝑍𝑡/𝑄3
2𝜋 0 4
Công suất tiêu tán xoay chiều trên Q3 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸3 1 2
𝑃𝑡𝑡/𝑄3 = 𝑃𝐶𝐶/𝑄3 − 𝑃𝑡/𝑄3 = − 𝐼𝐸3 . 𝑍𝑡/𝑄3
𝜋 4
Lấy đạo hàm theo I E 3M và cho 𝑃𝑡𝑡/𝑄3 = 0 ta được:
2𝑉𝐶𝐶 2.30
𝐼𝐸30 = = = 0,03 𝐴
𝜋. 𝑍𝑡/𝑄3 3,14.563,8
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều trên rơi trên Q1 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸30 1 2 30.0,03 1
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄3 = − 𝐼𝐸3 . 𝑍 𝑡 = − . 563,8. 0,032 = 0,159 𝑊
𝜋 4 𝑄1 3,14 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q3 :
𝑉𝐶𝐶 30
𝑃𝑑𝑐/𝑄3 = . 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 = . 3,16. 10−3 = 0,0474 𝑊
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q3 :
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑑𝑐/𝑄3 + 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄3 = 0,0474 + 0,159 = 0,2064 𝑊
Vậy chọn Q3, Q4 là cặp bổ phụ thỏa mãn điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐸𝑝/𝑄3 = (0,042495 ÷ 0,05666) 𝐴
𝑉𝐶𝐸0 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (45 ÷ 60) 𝑉
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄3 = (0,3096 ÷ 0,4128)(𝑊)
 Tra cứu Datasheet ta chọn 2SC2073 và 2SA940 :
2SC2073
2SA940
6. Tính tầng lái:

Để tính toán tầng lái ta chọn 𝛽𝑄1 = 60
𝐼𝐸𝑝 0,02833
=> 𝐼𝐵1𝑝 = = = 0,46 𝑚𝐴
1 + 𝛽𝑄1 1 + 60
𝐼𝐸𝑄/𝑄1 3,16
=> 𝐼𝐵1𝑄 = = = 0,05 𝑚𝐴
1 + 𝛽𝑄1 1 + 60
7. Tính chọn D3, D4, D5, VR2:
Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho các cặp
BJT khuyếch đại công suất thì các tổ hợp này phải làm việc ở chế độ AB. Vì vậy,
ta dùng D3, D4, D5, VR2 để tạo ra áp ban đầu cho các BJT để khi có tín hiệu vào
thì các BJT khuyếch đại công suất dẫn ngay.
Chọn D3, D4, D5 : là loại D1N4007.
Để Q1, Q2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50mA thì điện áp trên tiếp giáp BE của các
tổ hợp BJT ở chế độ tĩnh là 0,6V.
Ta có: 𝑉𝐵1𝐵2𝑄 = 𝑉𝐵𝐸3 + 𝑉𝐵𝐸𝑄1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄2 + 𝑉𝐵𝐸3 + 𝑉𝑅1𝑄 + 𝑉𝑅2𝑄
= 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,05.0,22 + 0,05.0,22 = 2,422 𝑉
Để dòng tĩnh Q5 ít thay đổi và tránh méo tín hiệu ta chọn:
𝐼𝐶𝑄5𝑄 = 140. 𝐼𝐵1𝑄 = 140.0,05 = 7 𝑚𝐴
Dòng cực đại qua Q5 :

𝐼𝐶𝑄5𝑝 = 140. 𝐼𝐵1𝑝 = 140.0,46 = 64,4 𝑚𝐴
Dùng Diode để ổn định áp phân cực cho tầng lái.
Như vậy, ba diode D3, D4, D5 và VR2 đảm bảo cho Q1, Q2 và Q3, Q4 làm việc ở
chế độ AB, tức là 𝑉𝐵1𝐵2𝑄 = 2,422 𝑉 ngay khi có tín hiệu vào.
Lợi dụng tính chất ghim áp của diode ( dòng qua diode tăng nhưng áp đặt lên
diode hầu như không đổi. Muốn được như vậy ta chọn sao cho điểm làm việc nằm
trong đoạn tuyến tính nhất(đoạn thẳng)).
𝑉𝐵1𝐵2𝑄 −3𝑉𝐷 2,422−3.0,7
Lúc này: 𝑉𝑅2 = = = 46 Ω
𝐼𝐶𝑄5 7.10−3
 Chọn VR2 =50 Ω sau đó hiệu chỉnh lại.
8. Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng:

- Q5 tạo dòng điện ổn định phân cực cho Q6 và ổn định điểm làm việc của cho hai
cặp Dalington ở tầng khuyếch đại công suất. Do nội trở nguồn dòng ở chế độ xoay
chiều lớn nên tăng hệ số khuyếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng với trở
kháng vào lớn của 2 cặp Dalington làm nâng cao hiệu suất của mạch.
- Dòng collector qua Q5: 𝐼𝐶𝑄5 = 𝐼𝐶𝑄6 = 7 𝑚𝐴
- Chọn D1 D2 là diode D1N4007 .
Dòng qua hai diode là dòng phân áp cho Q5. Chọn dòng phân cực 𝐼𝐵𝑄5 ≪ 𝐼𝐷 ,mà
để diode ghim áp ổn định thì dòng 𝐼𝐷 > 8 mA
Chọn dòng phân áp 𝐼𝑅6 = 9 𝑚𝐴. Lúc này VD  0,7V .
Sụt áp trên R9 là: 𝑉𝑅6 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 30 − 0,7 − 0,7 = 28,6 𝑉
𝑉𝑅20 46
=> 𝑅6 = = = 5,1 𝐾Ω
𝐼𝑝𝑎 9. 10−3
Chọn R6 = 6.2 𝐾Ω
2
Công suất của R6 là : 𝑃𝑅6 = 𝐼𝑅6 . 𝑅9 = (9. 10−3 )2 . 6200 = 0,5 𝑊
 Chọn R6 = 6.2 𝐾Ω
𝑉𝐷1 +𝑉𝐷2 −𝑉𝐸𝐵 0,7+0,7−0,7
Tính chọn VR1: 𝑉𝑅1 = = = 100 Ω
𝐼𝐶𝑄5 7.10−3
 Chọn VR1 = 200 Ω sau đó tinh chỉnh lại.

Do Q5 hoạt động chế độ A được dùng làm nguồn dòng nên công suất tiêu tán lớn
nhất của nó là công suất tiêu tán tĩnh.
Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q5 là:
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = − 𝑉𝑅1 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄1 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄𝐵1 − 𝑉𝑅1
2
30
= − (0,7 + 0,7 − 0,7) − 0,6 − 0,6 − 0,05.0,22
2
= 13,089 𝑉
=> 𝑃𝐷𝐶/𝑄5 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄5 . 𝐼𝐶𝑄5 = 13,089.7. 10−3 = 0,09 𝑊
Vậy ta chọn Q5 thỏa các điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶5𝑝 = (96,6 ÷ 128,8) 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = (19,6335 ÷ 26,178) 𝑉
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝐷𝐶/𝑄5 = (0,135 ÷ 0,18) 𝑊
 Tra cứu Datasheet ta chọn Q5 2SA1013:
9. Tính chọn BJT thúc Q6:

Transistor Q6 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc
và đảo pha cho tầng công suất. Q6 được chọn làm việc ở chế độ A. Q6 có tải lớn
nên hệ số khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc của Q6 sao cho khi không có
tín hiệu vào điện thế vào cực E của Q1,Q2 ≈0, lúc này sụt áp trên tải 0.
Vì Q6 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà và gây ra méo tín hiệu,
do đó cần phải mắc hồi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc
. Điện trở R7, R8 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R8 còn làm nhiệm vụ hồi tiếp
âm AC cho Q6.
𝑉𝑐𝑐
Cho ̣n 𝑉𝑅8 = = 0,75𝑉
40
 R8 = 107 Ohm => R8 = 180 Ohm

R7 = (1/10 : 1/20)R8 = (9 : 18)
Với hai giá trị này của trở thì áp rơi trên hai điện trở này là:
𝑉𝑅8𝑅7 = (𝑅8 + 𝑅7). 𝐼𝐶𝑄6 = 1,33
Điện thế trên cực C, E của Q6:
𝑉𝑐𝑐
𝑉𝐶𝐸 = − 𝑉𝑉𝑅1 − 𝑉𝐸𝐵 − 𝑉 𝐸𝐵 − 𝑉𝑅8𝑅7
𝑄6 2 𝑄2 𝑄𝐵2
30
= − (0,7 − 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 1,33 = 11,77
2
Công suất tiêu tán tĩnh của Q4:
𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 . 𝐼𝐶𝑄6 = 11,77.7. 10−3 = 0,08239 𝑊
Vì Q6 làm việc ở chế độ A nên:

𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 0,08239𝑊
Từ những tính toán trên ta chọn Q6 phải thỏa những điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄6
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (45 ÷ 60) 𝑉
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = (0,123585 ÷ 0,16478) 𝑊
 Tra cứu Datasheet ta chọn Q6 2SC2383:

10. Tính toán tần nhận tín hiệu vào:
Chọn 𝛽𝑄6 = 150

𝐼𝐶𝑄6 7. 10−3
=> 𝐼𝐵𝑄6 = = = 46,67 𝜇𝐴
𝛽𝑄6 150
Để không ảnh hưởng đến điểm làm việc Q7, ta chọn 𝐼𝐶𝑄7 ≫ 𝐼𝐵𝑄6
=> 𝐼𝐶𝑄7 = 10. 𝐼𝐵𝑄7 = 10.46,67. 10−6 = 0,4667 𝑚𝐴
Ta có : 𝐼𝑅11 = 𝐼𝐶𝑄7 − 𝐼𝐵𝑄6 = 0,4667. 10−3 − 46,67. 10−6 = 0,42 𝑚𝐴
𝑉𝑅14 = 𝑉𝐵𝐸/𝑄6 + 𝑉𝑅11𝑅10 = 0,6 + 0,7 = 1,3 𝑉
𝑉𝑅11 1,3
=> 𝑅11 = = = 3 𝐾Ω
𝐼𝑅11 0,42. 10−3
 Chọn R11 =3,3 𝐾Ω
R9 càng lớn thì tác du ̣ng hồ i tiế p âm một chiề u càng lớn điể m làm viê ̣c Q7 càng ổ n
đinh.
̣
1 1 𝑉𝐶𝐶
Chọn 𝑉𝑅9 = ( ÷ ) = 1,5 𝑉
10 10 2
𝑉𝑅9 (1,5) 𝑉
=> 𝑅9 = = = (3,2) 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄7 0,4667. 10−3
 Chọn R9=8,2 𝐾Ω => 𝑉𝑅9 = 3,8 𝑉
Vì Q7 hoạt động chế độ A, để Q7 khuếch đại không bị méo và có biên độ đủ lớn thì
điểm tải tĩnh phải nằm giữa đường tải động
𝑉𝑐𝑐 30
Ta chọn 𝑉𝐶𝐸/𝑄7 = = = 7,5
4 4
𝑉𝐶𝐶
Ta có : 𝑉𝑅10 = − 𝑉𝑅9 − 𝑉𝐶𝐸/𝑄7 − 𝑉𝑅11
2
30
= − 3,8 − 7,5 − 1,3 = 2,4 𝑉
2
𝑉𝑅10 2,4
=> 𝑅10 = = = 5,1 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄7 0,4667. 10−3
 Chọn R10 = 5,6 𝐾Ω
Ta có : 𝑍𝑖𝑛 = 200𝑘Ω
𝑉𝐶𝐶 30
𝑉𝐸𝑄7 = − 𝑉𝑅9 = − 3,8 = 11,2 𝑉
2 2
=> 𝑉𝑅13 = 11,2 − 0,6 = 10,6 𝑉
𝐼𝐶𝑄7 0,4667.10−3
Ta có : 𝐼𝐵𝑄7 = = = 2,3 𝜇𝐴
𝛽 200
Chọn 𝐼𝑅13 ≥ 7. 𝐼𝐵𝑄7 = 7.2,3. 10−6 𝜇𝐴

𝑉𝑅13 11,2
=> 𝑅13 = = = 695 𝐾Ω
𝐼𝑅13 7.2,3. 10−6
R13 <= 695 KΩ
 Chọn R13 = 560 KΩ
𝑅13. 𝑅14 560. 103 . 𝑅16
𝑍𝑖𝑛 = = = 200 𝐾Ω
𝑅13 + 𝑅14 560. 103 + 𝑅16
=> 𝑅14 = 311 𝐾Ω
 Chọn R14 = 680k KΩ
𝑉𝑅12 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅14 − 𝑉𝑅13
= 30 − 680. 103 . (7 ∗ 2,3). 10−6 − 560. 103 . 7 ∗ 2,3. 10−6
= 9,392 𝑉
𝑉𝑅15 9,398
=> 𝑅12 = = = 583 𝐾Ω
𝐼𝑅12 = I𝑅13 7.2,3. 10−6
=> 𝑅12 = 600 𝐾Ω
 Chọn R12 = 600 KΩ

Ta có : 𝑃𝑡𝑡𝐷𝐶/𝑄7 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄7 . 𝐼𝐶𝑄7 = 7,5.0,4667. 10−3 = 3,5 𝑚𝑊
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄7 = 0,4667 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2) = (45 ÷ 60) 𝑉
2
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄7 = (5,25 ÷ 7) 𝑚𝑊
 Tra cứu Datasheet ta chọn Q7 2SA1013:
11. Tính toán VR3 :
∗
𝑟𝑏𝑒6 = 𝑟𝑏𝑒6 + (1 + 𝛽6 ). 𝑅10 = 𝑟𝑏𝑒6 + 151.10
𝑉𝑇 25.10−3 ∗
Với 𝑟𝑏𝑒6 = 𝛽6 . = 150. = 535 Ω => 𝑟𝑏𝑒6 = 2,045 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄6 7.10−3
𝛽6 . 𝑅7 𝑉𝑇 + 𝑉𝑐𝑒 150.10
𝑟𝑐𝑜6 = 𝑟06 . (1 + )= . (1 + )
𝑅𝐵6+ 𝑟𝑏𝑒6 + 𝑅7 𝐼𝐶𝑄6 𝑅11//𝑅10 + 𝑟𝑏𝑒6 + 10
25. 10−3 + 11,77 150.10
= (1 + ) = 2,649 𝐾Ω
7. 10−3 2076 + 535 + 10
𝛽6 . 𝑉𝑅1
𝑟𝑐𝑜5 = 𝑟05 . (1 + )
2𝑟𝑑//𝑅6 + 𝑟𝑏𝑒5 + 𝑉𝑅1
𝑉𝑇 25. 10−3
𝑟𝑏𝑒5 = 𝛽5 . = 150. = 535 Ω
𝐼𝐶𝑄5 7. 10−3
𝑉𝑇 25
𝑟𝑑 = = = 3,5 Ω
𝐼𝐶𝑄5 7
𝑉𝑇 + 𝑉𝑐𝑒 150.200
=> 𝑟𝑐𝑜5 = . (1 + )
𝐼𝐶𝑄5 2.3,5//6200 + 535 + 200
= 78 𝐾Ω
Trở tải Q6 :
𝑍𝐿/𝑄6 = ℎ𝑖𝑒1 + (1 + 𝛽1 ). (𝑅3 ∕⁄(𝑟𝑏𝑒𝐵1 + 𝑅1)) + (1 + 𝛽1 ). (1 + 𝛽𝑄𝐵1 ). 𝑅𝐿
𝑉𝑇 25
ℎ𝑖𝑒1 = 𝑟𝑏𝑒1 = 𝛽1 . = 75. = 593 Ω
𝐼𝐸𝑄1𝑄 3,16
𝑉𝑇 25
ℎ𝑖𝑒𝐵1 = 𝑟𝑏𝑒𝐵1 = 𝛽𝑄𝐵1 . = 55. = 27,5 Ω
𝐼𝐸𝑄𝐵1𝑄 50
=> 𝑍𝐿/𝑄6 = 593 + (1 + 75)(220 ∕⁄(27,5 + 0,22)) + (1 + 75)(1 + 55). 4
= 19,48 𝐾Ω
𝑍𝑖𝑛𝐵1𝐵2 = 𝑍𝐿/𝑄6 . 2 = 38,96 𝐾Ω
=> 𝑍∑𝑄6 = 𝑍𝑖𝑛𝐵1𝐵2 //𝑟𝑐𝑜5 //𝑟𝑐𝑜6 = 2,4 𝐾Ω
𝑍∑𝑄6 2,4
=> 𝐴𝑉6 = 𝛽6 . ∗ = 150. = 176
𝑟𝑏𝑒6 2,045
𝑉𝑇 25
𝑟𝑏𝑒7 = 𝛽𝑄7 . = 200. = 10,71 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄7 0,4667
𝑍𝑖𝑛 = 200 𝐾Ω
Khi chưa có hồi tiếp : ZinQ7 = Zin//𝑟𝑏𝑒7 = 10,16 𝐾Ω
𝑍𝑖𝑛𝑄6 = 𝑟𝑏𝑒6 + (1 + 𝛽𝑄6 ). 𝑅7 = 2,045 𝐾Ω
(𝑍𝑖𝑛𝑄6 //𝑅11) + 𝑅10 = (2,045//3,3) + 5,6 = 6,86 𝐾Ω

Vì 𝑟𝑐𝑒7 ≫ 6,86 𝐾Ω => 𝑍∑𝑄7 = 6,86 𝐾Ω
Hệ số khuếch đại Q7 chưa hồi tiếp :
𝑍∑𝑄7 6,86
𝐴𝑉7 = 𝛽7 . = 200. = 135
ZinQ7 10,16
Vì Q3, Q5 Q1, Q2 mắc kiểu C chung nên Av=1
Hệ số khuếch đại vòng hở của mạch:
𝐴𝑣 = 𝐴𝑉7 . 𝐴𝑉6 . 𝐴𝑉𝑄𝐵1−𝑄2 . 𝐴𝑉𝑄𝐵2−𝑄7 = 135.176.1.1 = 23760
Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp :
𝑉𝑅3
𝐴𝑣ℎ𝑡 = (1)
𝑉𝑅3 + 𝑅9
Hệ số khuếch đại của mạch :
Chọn 𝑉𝑖𝑛 = 0.7 𝑉
𝐴𝑣 𝑉𝐿 11
𝐴′𝑣 = = = = 11,11
1 + 𝐴𝑣. 𝐴𝑣ℎ𝑡 𝑉𝑖𝑛 0,7. √2
=> 𝐴𝑣ℎ𝑡 = 0,09(2)
Từ (1) và (2) => 𝑉𝑅3 = 810 Ω
 Chọn VR3 = 1000 Ω sau đó tinh chỉnh lại

 Trở kháng vào :
Ta có trở kháng vào khi chưa có hồi tiếp : 𝑅𝐼 ≈ 𝑟𝑏𝑒7 = 10,71𝐾Ω
Khi có hồi tiếp : 𝑅𝑖𝑓 = (1 + 𝐾. 𝐾ℎ𝑡). 𝑅𝐼 = (1 + 23760.0,038). 10710 = 9,68𝑀Ω
12. Tính các tụ

Cho băng thông từ 50Hz-15KHz
Tụ C1 là tụ liên lạc tín hiệu vào, vì tín hiệu vào khá nhỏ nên để tín hiệu không bị
giữ trên tụ :
1 200
Chọn 𝑋𝐶1 = 𝑍𝑖𝑛 = = 10 𝐾Ω
20 20
Chọn tần số cắt nhỏ hơn 50Hz
1 1
=> 𝐶1 = = = 0,31𝜇𝐹
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶1 2.3,14.50.10000
 Chọn C1 = 0,32 𝜇𝐹/50𝑉
Tụ C3 thoát xoay chiều cho cầu hồi tiếp VR3, R9. Chọn C3 sao cho tỉ số hồi tiếp
chỉ phụ thuộc vào VR3, R9 và sụt áp xoay chiều trên C3 nhỏ hơn nhiều so với
VR3.
1 810
Chọn 𝑋𝐶3 = 𝑉𝑅3 = = 81 Ω
10 10
1 1
=> 𝐶3 = = = 39,3 𝜇𝐹
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶3 2.3,14.50.81
 Chọn C3 = 470 𝜇𝐹/50𝑉
Tụ C2 là tụ lọc nguồn tầng nhận tín hiệu vào và chống dao động tự kích
1 600
Chọn 𝑋𝐶2 = 𝑅12 = = 60 𝐾Ω
10 10
1 1
=> 𝐶2 = = = 53𝑛𝐹
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶2 2.3,14.50.60000
 Chọn C2 = 2,7 𝜇𝐹/50𝑉
Tụ C4 là tụ thoát xoay chiều Q6
1 180
Chọn 𝑋𝐶4 = 𝑅8 = = 18 Ω
10 10
1 1
=> 𝐶4 = = = 177𝜇𝐹
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶4 2.3,14.50.18
 Chọn C4 = 350 𝜇𝐹/50𝑉
Tụ CL là tụ đưa tín hiệu ra loa, để tín hiệu không bị giữ lại trên tụ
1 4
Chọn 𝑋𝐶𝐿 = 𝑅𝐿 = = 0,4 Ω
10 10
1 1
=> 𝐶𝐿 = = = 13269𝜇𝐹
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶𝐿 2.3,14.30.0,4
 Chọn CL = 10000𝜇𝐹/50V
13. Tình mạch lọc Zobel C5, R5:

Cấu tạo của loa bao gồm một cuộn cảm và một điện trở có ZL = RL + j𝜔L. Như vậy
trở kháng loa phụ thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng lớn dẫn đến
méo tín hiệu. Mạch lọc Zobel là mạch ổn định trở kháng loa không đổi ở tần số cao.
C mắc nối tiếp với R và tất cả mắc song song với tải RL. Ở tần số cao tụ ngắn mạch
giảm tải ngõ ra tức là XL ↑, XC ↓ ⇒ RL không đổi.
1
Ta có: ZL = (R5 + ) ∕/ (RL + 𝐽𝜔𝐿)
𝐽𝜔𝐶
1 𝑅𝐿 𝐿
(𝑅5 + ) .(𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿) 𝑅5 . 𝑅𝐿 + 𝑅5 . 𝐽𝜔𝐿 + +
𝐽𝜔𝐶 𝐽𝜔𝐶 𝐶
= 1 = 1
(𝑅5 + + 𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿 𝑅5 + + 𝑅𝐿 + 𝐽𝜔𝐿)
𝐽𝜔𝐶 𝐽𝜔𝐶
Để không phụ thuộc vào tần số thì ZL = RL

𝑅𝐿 𝐿 𝑅𝐿
⇒ R5.RL + R5. 𝐽𝜔𝐿+ + = R5.RL+𝐽𝜔𝐶 +R𝐿2 + 𝐽𝜔𝐿. 𝑅𝐿
𝐽𝜔𝐶 𝐶
𝐿
⇒ = R𝐿2 và R5. 𝐽𝜔𝐿 = 𝐽𝜔𝐿. 𝑅𝐿 ⇒R5=RL=4𝛺
𝐶
𝐿 0,1.10−6
Vì L của loa thường nhỏ ≈ 0,1 𝜇𝐻 ⇒ C5 = = = 6,25 𝑛𝐹
𝑅𝐿2 16
Chọn C5 = 10 𝑛𝐹 , R5 = 4,7𝛺
14. Kiểm tra độ méo phi tuyến

Trong mạch các BTT làm việc ở chế độ A, chỉ có Q1, Q2 làm việc ở chế độ AB
nên méo phi tuyến trong mạch chủ yếu do Q1, Q2 quyết định.
Giả sử tín hiệu vào là hình sin và Vin = 0,7V. Lúc này điện áp đặt lên tiếp giáp BE của
Q1:
𝑉𝐵𝐸1 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸1𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Có 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 0,6 V. 𝑉𝐵𝐸𝑚 = 𝑉𝐵𝐸1𝑝 − 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 1 − 0,6 = 0,4 𝑉
𝑉𝐵𝐸1𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑚𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Gọi 𝐼𝐶0 là dòng rỉ của Q1, Q2 : 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶0 . 𝑒 𝑉𝑇 .𝑒 𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Khai triễn 𝑦 = 𝑒 𝑉𝑇 theo chuỗI Taylor:
𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝑦 =1+ 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 + ( ) . 𝑠𝑖𝑛2 𝜔𝑡 + ⋯
𝑉𝑇 2 𝑉𝑇
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại hài bậc cao và biến đổi
1−𝑐𝑜𝑠2𝜔𝑡
𝑠𝑖𝑛2 𝜔𝑡 = ta được:
2
1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2 𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2

𝑦 =1+ + 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − ( ) 𝑐𝑜𝑠2𝜔𝑡
4 𝑉𝑇 2 𝑉𝑇 4 𝑉𝑇
√∑𝑛 2
𝑖=2 𝐼𝑖𝑚
Theo định nghĩa méo phi tuyến: 𝛾 =
𝐼1𝑚
𝐼 : thành phần dòng cơ bản.

Trong đó : { 1𝑚
𝐼𝑖𝑚 : biên độ hài.
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:
𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝐼2𝑚 2 𝑉𝐵𝐸𝑚
𝛾= = 4𝑉𝑇 =
𝐼1𝑚 𝑉𝐵𝐸𝑚 4𝑉𝑇
𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 0,4
Khi chưa có hồi tiếp: 𝛾 = = =4
4𝑉𝑇 4.0,025
𝛾
Khi có hồi tiếp: 𝛾 ′ =
(1+𝑔𝑚𝑅𝐿 )𝑔
𝐴𝑣 23760
g: độ sâu hồi tiếp: 𝑔 = (1 + 𝐴𝑣 . 𝐴𝑣ℎ𝑡 ) = = = 2138,6
𝐴′𝑣 11,11
𝛽𝑄𝐵1 𝐼𝐸1𝑄 50
𝑔𝑚 hỗ dẫn : 𝑔𝑚 = = = =2
𝑟𝑏𝑒/𝑄𝐵1 𝑉𝑇 25
𝛾 4
𝛾′ = = = 0,02% < 0,2%
(1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 )𝑔 (1 + 2.4). 2138,6
C. Kết quả sau tính toán:

 Giá trị linh kiện sau khi tính toán :
Q1 2SC5200
Q2 2SA1943
Q3 2SC2073
Q4 2SA940
Q5 2SA1013
Q6 2SC2383
Q7 2SA1013
R1, R2 0,47 Ω
R3, R4 220 Ω
R6 6.2 KΩ
R7 10 Ω
R8 180 Ω
VR1 200 Ω
VR3 810 Ω
R9 8.2 KΩ
R10 5.6 KΩ
R11 3.3 KΩ
R12 600 KΩ
R13 560 KΩ
R14 680 KΩ
D1,D2,D3,D4,D5 1N4007
C4 350 𝜇𝐹/50𝑉
C3 470 𝜇𝐹/50𝑉
C2 2.7 𝜇𝐹/50𝑉
C1 0.32 μF/50V
CL 10000
μF/50V
- Tác du ̣ng mỗi linh kiên: ̣

R12, R13, R14 Phân cực cho Q7
R7 Trở ổ n đinh
̣ nhiê ̣t
R12 Ha ̣n dòng tầ ng khế ch đại tiń hiêụ vào.
R10, R11 Điê ̣n trở phân cực Q6
VR1 Điều chin̉ h nguồ n dòng cố đinh, ̣ điề u chỉnh áp trung điể m.
D1, D2, R6 Ta ̣o phân áp cực cho nguồn dòng Q1
D3, D4, D5, VR2 Phân cực cho Q3 Q4 Q1 Q2 tránh bi ̣méo chế độ AB
Q5 BJT hoa ̣t đô ̣ng chế độ A, tác dụng làm nguồ n dòng cố đinh. ̣
Q6 BJT khế ch đại chế đô ̣ A

Q7 BJT khế ch đa ̣i tín hiệu nhỏ chế đô ̣ A
Q1, Q2 BJT công suấ t
C1 Tụ nhận tín hiệu vào ngăn dòng 1 chiề u từ cực B Q7 ra thiế t
̣ ́t
bi pha
C4 Tu ̣ ngăn dòng 1 chiề u thoát xoay chiề u và ổ n định áp
C2 Tu ̣ lo ̣c nguồn tầ ng nhâ ̣n tín hiê ̣u vào
CL Tu ̣ đưa tín hiê ̣u ra loa ngăn dòng 1 chiều.
R1 R2 Trở công suấ t ổ n định nhiê ̣t cho Q1 Q2
R3 R4 Ổn định nhiệt và điể m làm viê ̣c cho Q3 Q4
C5 R5 Mạch Zobel bảo vệ loa trong trường hợp ngắn mạch
 Sơ đồ sau khi tính toán hoàn chỉnh:
 Kết quả mô phỏng tín hiệu SINE 1KHz - 0.5V pp
A : ti ́n hiệu đầu vào tầng 1 (sin)
B : ti ́n hiệu ra tầng 1
C : ti ́n hiệu ra tầng 2
D: ti ́n hiệu ra tầng 3
 Nhận xét:
- Mạch mô phỏng khuếch đại đúng với chỉ số tính toán (≈11 lần, tín hiệu
vào 0.7V, tín hiệu ra 7.7V).
- Mạch mô phỏng chạy ổn định.
- Âm thanh chạy mô phỏng trên protues rõ ràng.
- Tuy nhiên nhóm chưa thể hoàn thành mạch thực tế. Vì dịch bệnh, về quê
không tìm mua được linh kiện cần thiết để hoàn thiện mạch.
D. DATASHEET
2SC5200
2SA1943
2SC2073
2SA940
2SA1013
2SC2383
1N4007

OTL Đơn

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

OTL Đơn

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐÀ NẴNG

KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

Giảng viên: Huỳnh Thanh Tùng

Nhóm sinh viên thực hiện:

Đà Nẵng, năm 2021

 Bảng đánh giá tiến độ:

2. Phân cực hồi tiếp cực Emitter

3. Phân cực hồi tiếp Collector

II. Các cách mắc BJT

Sơ đồ tương đương xoay chiều

Sơ đồ tương đương xoay chiều

Sơ đồ tương đương xoay chiều

Chương 2: Hồi tiếp

- Khi không có hồi tiếp thì 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾 . 𝐾𝑛

IV. Tác dụng hồi tiếp lên mạch khuếch đại

2. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transitor

Chương 3 : Khuếch đại công suất

*Hiệu suất của A:

1 𝑉𝐷𝐷 2 𝑇 1−cos 2𝜔𝑡

*Ưu điểm: Hiệu suất lớn ≈78%

III. Chế độ AB:

*Dùng 2 BJT bổ phụ

B. Tính toán ma ̣ch:

1. Tính toán phần nguồn :

 Ta chọn nguồn cung cấp là 30 V

2. Tính chọn trở R1, R2:

Dòng đỉnh qua Q1 Q2 là:

 Ta chọn trở R1, R2 là 0,22 Ω / 5W

Vậy công suất tiêu tán của hai BJT Q1, Q2 là :

Công suất tiêu tán của một BJT là:

4. Tính chọn R3, R4

Dòng Base tĩnh của Q1 :

𝐼𝐸𝑄 = 0,05 𝐴 => 𝑉𝐵𝐸𝑄 = 0,6𝑉

Vậy: 36,5 Ω ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 1608 Ω

5. Tính chọn cặp Q3, Q4 :

- Dòng emitter qua Q3 : 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 = 𝐼𝑅3𝑄 + 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 = 2,78.10^(−3) +

𝐼𝐸𝑝/𝑄3 = 𝐼𝑅3𝑝 + 𝐼𝐵𝑝/𝑄1 = 7,33 + 0,021 = 0,02833 𝐴

Khi đó trở kháng xoay chiều từ cực B Q1:

6. Tính tầng lái:

Dòng cực đại qua Q5 :

 Chọn VR2 =50 Ω sau đó hiệu chỉnh lại.

8. Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng:

 Chọn VR1 = 200 Ω sau đó tinh chỉnh lại.

9. Tính chọn BJT thúc Q6:

 R8 = 107 Ohm => R8 = 180 Ohm

Vì Q6 làm việc ở chế độ A nên:

 Tra cứu Datasheet ta chọn Q6 2SC2383:

10. Tính toán tần nhận tín hiệu vào:

Chọn 𝛽𝑄6 = 150

Chọn 𝐼𝑅13 ≥ 7. 𝐼𝐵𝑄7 = 7.2,3. 10−6 𝜇𝐴

 Chọn R12 = 600 KΩ

 Tra cứu Datasheet ta chọn Q7 2SA1013:

11. Tính toán VR3 :

(𝑍𝑖𝑛𝑄6 //𝑅11) + 𝑅10 = (2,045//3,3) + 5,6 = 6,86 𝐾Ω

 Chọn VR3 = 1000 Ω sau đó tinh chỉnh lại

12. Tính các tụ

13. Tình mạch lọc Zobel C5, R5:

Để không phụ thuộc vào tần số thì ZL = RL

14. Kiểm tra độ méo phi tuyến

1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2 𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2

𝐼 : thành phần dòng cơ bản.

C. Kết quả sau tính toán:

- Tác du ̣ng mỗi linh kiên: ̣