‫الفصل الثامن‬

‫الكواشف الضوئية‬
‫‪Optical Photo detectors‬‬
 ‫الشروط والمتطلبات الواجب توافرها في الكاشف الضوئي‪:‬‬

‫حساسية عالية ( ‪ ) High Sensitivity‬على الطول الموجي‬ ‫•‬

‫العامل‪.‬‬
‫كفاءة كمية عالية ( ‪ ) High Quantum Effeciency‬استجابة‬ ‫•‬
‫عالية لإلشارة المستقبلة‪.‬‬
‫زمن استجابة قصير ( ‪ )Short Response Time‬للحصول‬ ‫•‬
‫على عرض نطاق مناسب‪.‬‬
‫مستوى ضجيج بأقل ما يمكن‪.‬‬ ‫•‬
‫حجم صغير ( ‪ ) Small Size‬ليتناسب مع مقاسات الليف‪.‬‬ ‫•‬
‫تكلفة قليلة ( ‪.) Low Cost‬‬ ‫•‬
 ‫• الكفاءة الكمية‪:‬‬
‫• االستجابة ‪: Responsivity‬‬

‫• ويمكننا حساب التيار الضوئي الخارج من الثنائي حسب‬

‫العالقة التالية‪:‬‬
 ‫• حيث‪ -e :‬شحنة االلكترون =‬
‫‪ - f‬التردد ]‪[Hz‬‬
‫‪ -‬المردود‪.‬‬
‫عندئ ٍذ وباالستناد إلى ما سبق يمكن حساب االستجابة ‪ Res‬وفق ما يلي‪:‬‬
‫• مثال‪ :1‬إذا علمت أن عددا ً من الفوتونات يساوي على الطول الموجي‬
‫‪ 850nm‬قد سقطت على ثنائي ضوئي‪ ،‬حيث تولد عنها عدد من‬
‫اإللكترونات يساوي والمطلوب‪ :‬إيجاد الكفاءة الكمية واالستجابة‬
‫للثنائي‪.‬‬
‫• الحل‪ :‬الكفاءة الكمية تساوي عدد اإللكترونات مقسوما ً على عدد‬
‫الفوتونات‬

‫• اإلستجابة تعطى بالعالقة‪:‬‬

 ‫مثال ‪:2‬‬ ‫•‬
‫لدينا كاشف ضوئي كفاءته الكمية تساوي ‪ %65‬تسقط عليه فوتونات عبر فجوة‬ ‫•‬
‫أوجد‪:‬‬ ‫طاقية تساوي‬
‫‪ -1‬على أي طول موجي يعمل الثنائي‪.‬‬ ‫•‬
‫‪ -2‬قيمة القدرة الضوئية الالزمة للحصول على تيار ضوئي بقيمة‬ ‫•‬
‫وذلك حسب المعطيات السابقة في المثال ‪.1‬‬
‫الحل‪ :‬يمكن حساب الطول الموجي باالعتماد على عالقة طاقة الفجوة‪:‬‬ ‫•‬
 ‫• بالتعويض نجد أن‪:‬‬

‫• من عالقة ‪ Res‬نكتب‪:‬‬

‫• ولدينا‪:‬‬
‫• زمن االستجابة ‪:Response Time‬‬

‫• ‪ -Cd‬هي سعة الثنائي المنحاز عكسيا ً‪.‬‬

 Photo detector ‫ أنواع الكواشف الضوئية‬-2-8
Types
.PN (PN photodiode) ‫ثنائي ضوئي من نوع‬ •
.P-I-N (P-I-N Photo diode) ‫ثنائي ضوئي من نوع‬ •
.(APD) Avalanche photodiode ‫ثنائي ضوئي جرفي‬ •
.Photo transistor ‫الترانزيستورات الضوئية‬ •
 ‫• ثنائي من نوع ‪:PN‬‬
‫• ثنائي ضوئي من نوع ‪:P-I-N‬‬
‫• إن الثنائيات الضوئية ‪ PIN‬هي الكواشف الضوئية األكثر‬
‫شيوعا ً في األنظمة الليفية‪ .‬يعتبر الثنائي الضوئي ‪PIN‬‬
‫نموذجا ً مطورا ً للثنائي من نوع ‪ PN‬يتضمن الثنائي ‪PIN‬‬
‫طبقة ناقلة ضمنية عريضة بين المنطقتين ‪ N-P‬تكاد تكون‬
‫نقية )‪ (INTRINSIC‬ومن هنا جاءت التسمية )‪.(I‬‬
:‫ تساوي‬CUT OF WAVE LENGTH ‫• ويقود إلى طول موجة قطع‬

:
. Wg ) (
:P-I-N
.20V 5V -
.ns 5 ps -
.850 nm 0.7 A/W -
 ‫المواد‪:‬‬
‫• يصنع الكاشف الضوئي البصري الليفي بشكل أساسي من السيليكون‬
‫)‪ (Si‬وذلك في النافذة األولى حيث ال يمكن استخدامه في النافذة الثانية‬
‫والثالثة‪ ،‬تبدي ثنائيات الجرمانيوم )‪ (Ge‬وثنائيات ‪ InGaAS‬ضجيجا ً‬
‫أكبر مما يبديه السيليكون إال أنها تستجيب في النافذة الثانية والثالثة‪،‬‬
‫يبين الجدول التالي خصائص المواد ‪ Si , Ge , InGaAs‬المستخدمة‬
‫‪( ‬‬ ‫) ‪)m‬‬
‫‪(m‬‬
‫في ثنائيات ‪ PIN‬النصف الناقلة‪:‬‬
‫المادة‬ ‫مدى طول الموجة ( )‬ ‫استجابة الذروة‬ ‫االستجابية ‪Res‬‬

‫‪Si‬‬ ‫‪1-0.3‬‬ ‫‪0.8‬‬ ‫‪0.5‬‬

‫‪Ge‬‬ ‫‪0.5-1.8‬‬ ‫‪1.55‬‬ ‫‪0.7‬‬

‫‪InGaAs‬‬ ‫‪1.0-1.7‬‬ ‫‪1.55‬‬ ‫‪1.1‬‬

 ‫• خواص تيارالجهد‬
‫• يبين الشكل ( ‪)4-8‬منحنيات خواص التيار‪ -‬الجهد لثنائي‬
‫سيليكوني يملك استجابة مقداره ‪0.5A/w‬‬
‫الثنائي الضوئي الجرفي ( ‪Avalanche Photodiode )APU‬‬

‫• إن الثنائي الضوئي الجرفي ( ‪ ) APD‬هو كاشف ذو وصلة‬

‫نصف ناقلة يتمتع بربح داخلي واستجابة تزيد عن استجابية‬
‫أجهزة الـ ‪ PN‬و ‪ PIN‬وهذا مما يزيد من حساسيته (‬
‫‪ ) Sensitivity‬بشكل كبير‪.‬‬
‫• يتزايد الربح تبعا ً لجهد االستقطاب العكسي ‪ VB‬وفقا ً للعالقة‬
‫التالية‪:‬‬

‫• ‪ APD‬ذي ربح ‪ M‬بالمعادلة التالية‪:‬‬

‫‪.‬‬ ‫‪‬‬
‫‪:‬‬
‫‪M ..e M ..e.‬‬
‫‪Res ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪h. f‬‬ ‫‪h.c‬‬
‫‪.‬‬ ‫ـ ‪APD‬‬ ‫أش‬ ‫بني ش ل (‪ )5-8‬أ‬

‫ب‬ ‫ش‬ ‫ب ني ‪N  , P ‬‬

‫ب‬ ‫‪π‬‬ ‫أ‬
‫• إن ربح الثنائي الضوئي الجرفي يعتمد على درجة الحرارة‬
‫ويتناقص عموما ً بارتفاع درجة الحرارة‪.‬‬
‫• يبين الجدول التالي خصائص الثنائيات الضوئية المختلفة‬
‫حسب اختالف المادة المصنع منها الثنائي‪.‬‬