CHƯƠNG 6

ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA MẠCH

KHUẾCH ĐẠI

1
Tương ứng với chương 17 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
 Nội dung chương 6

❖ 6.1. Mạch tương đương của BJT ở tần số cao, tín hiệu nhỏ
❖ 6.2. Các điện dung (tụ điện) bên trong Transistor
❖ 6.3. Hệ số khuếch đại dòng điện khi ngắn mạch đầu ra
❖ 6.4. Đáp ứng tần số của mạch E chung khi ngắn mạch đầu ra
❖ 6.5. Định lý MILLER
❖ 6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng MOSFET
❖ 6.7. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng BJT

3/12/2020 2
 6.1 Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại

VCC
Av
R2 RC C2
Rs
Q1 vo
C1
vi
R1 RE CE

fmin fmax f

Ảnh hưởng của các tụ đến đặc tuyến (đáp ứng tần số) của mạch KĐ:
➢Vùng tần số cao: (do các tụ bên trong của BJT)
➢Vùng tần số thấp: (do các tụ: C1, C2, C3)
➢Vùng tần số trung bình: (do các loại tụ trên)

3
6.1 Sơ đồ tương đương của mạch ở vùng tần số cao
Rs C

C ro
R1//R2 r RC RL
vi gmv

C b =  F gm (dien dung do khuech tan)

sA
C je = (dien dung do vung ngheo)
VBE
Wdo 1 −
VbiBE
 C = C b + C je (do BE phan cuc thuan)
sA
C  = C jc = (do BC phan cuc nghich)
VBC
Wdo 1−
VbiBC
4
 6.2. Các điện dung bên trong diode và BIT

ĐIỆN DUNG DO VÙNG NGHÈO TẠO RA: A: diện tích thiết diện ngang

sA Wdo: độ rộng vùng nghèo

Cj =
vD vD: điện áp diode
Wdo (1 − )
j j: điện áp bên trong (build-in)
ĐIỆN DUNG DO KHUẾCH TÁN T = F :thời gian dịch chuyển
i D T theo hướng thuận (hằng số)
CD  = gm T
VT

5
6.2. Các điện dung bên trong diode và BJT
Các thông số của BJT ở tín hiệu nhỏ

IC  V
gm = ; r = F ; ro = A
VT gm IC
C b =  F gm (diffusion capacitance)
sA
C je = (depletion capacitance)
VBE
Wdo 1 −
VbiBE
 C = C b + C je
sA
C  = C jc = (depletion capacitance)
VBC
Wdo 1−
VbiBC
6
 6.3. Hệ số KĐ dòng điện khi ngắn mạch đầu ra

VCC R1→0
ii io
R2

io C
r ro
C
ii R1

CCB = C = Cjc (điện dung do vùng nghèo dưới

tác dụng phân cực nghịch)

CBE = C = Cje (điện dung do vùng nghèo) + Cb (điện dung do khuếch

tán dưới tác dụng phân cực thuận)
7
 6.3. Hệ số KĐ dòng điện khi ngắn mạch đầu ra
Ngắn mạch đầu ra để khảo sát đáp ứng tần số
của do các thành phần bên trong BJT tạo ra
1 1
v = ii [r / / // ]
C sC sC 
ii io ii
=
1
+ s (C + C  )
r v ro r
C
gmv
io = gm v − v sC 
so :
io gm − sC 
Ai = =
ii 1
+ s (C + C  )
r

8
 6.4. Đáp ứng tần số của mạch E chung
khi ngắn mạch đầu ra
Ngắn mạch đầu ra để khảo sát đáp ứng tần số của
do các thành phần bên trong BJT tạo ra
gmr
f2

f1 fT
C
1− s
gm
Ai ( s ) = gm r gm r =  F = DC short-circuit current gain
1 + sr (C + C  )
f
1− j
f2 1
Ai ( f ) = gm r  f1 =
f 2 r (C + C  )
1+ j
f1
gm g r F 1
 f2 = = m =  f1 =
2 C  2 r C  2 r C  2 r (C + C  )
9
 6.4. Đáp ứng tần số của mạch E chung
khi ngắn mạch đầu ra
C
1− s
gm
Ai ( s ) = gm r
1 + sr (C + C  )
where: gm r =  F = DC short-circuit current gain
f → 0; Ai → gm r
C
−
gm −C 
f → ; Ai = gm r =
g mv  r (C + C  ) C + C 

f2

f1 fT
fT: Tần số tương ứng với Ai=1:

gm r gm r F
fT = = =
2 (C + C  ) 2 r (C + C  ) 2 r (C + C  )
10
 ĐÁP ỨNG TẦN SỐ

fT phụ thuộc vào dòng điện và thường được cho trong sổ tay tra cứu BJT

fT
1 C = C b + C je =  F gm + C je
2 F  fT =
gm
2 ( F gm + C je + C  )
For very small bias levels:
gm IC
fT  =
2 (C je + C  ) 2 VT (C je + C  )
For "normal" bias levels:
gm 1
fT  =
2 F gm 2 F

11
 6.5. Định lý MILLER

iz Hệ số KĐ điện áp được Av biểu diễn:

z
v2 = Av v1
i2
Network N 1
V2 (1 − )
i1 V (1 − Av ) Av
v1 v2 iz = 1 =−
z z

Điều này đồng nhất với:

z
i2 z1 =
1 − Av
Network N
i1 z
v1 z1 z2 v2 z2 =
1
1−
Av
12
 6.5. Định lý MILLER

VDD

RD
Sử dụng định lý Miller
CF xác định các tụ vào và ra
của mạch?
Vi VO

RS M1

13
 6.5. Định lý MILLER

Sử dụng định lý Miller, thay tụ CF

bằng 2 tụ tương đương Cin và Cout
VDD
VDD

RD
RD
CF
VO
Vi VO RS

RS M1
Vi M1 Cout

Cin

14
 6.5. Định lý MILLER

VDD

RD
Cin = (1 + Av )C F
1
VO Cout = (1 + )C F
RS Av
Av = − g m RD
Vi M1 Cout

Cin

15
 6.5. Định lý MILLER

VDD 1
 in =
RS C in
RD 1
=
RS (1 + gm RD )C F
VO and
1
RS  out =
RDC out
Vi M1 Cout 1
=
1
Cin RD (1 + )C F
gm RD

16
 6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET

Calculate f in and f out , if gm = (150 )−1 ,

RD = 2k  , RS =1 k and C F = 80 fF
VDD
C in = (1 + gm RD )C F
1 =??
RD = (1 +  2000)80 f
150
VO = 1.15 pF
1
RS C out = (1 + )C F
gm RD
Vi M1 Cout 1
= (1 +
1
=?? )80 f
Cin
 2000
150
= 86 fF
17
 6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET
Calculate f in and f out , if gm = (150 )−1 ,
RD = 2k  , RS =1 k and C F = 80 fF

VDD
Lời giải
C in = (1 + gm RD )C F
RD 1
= (1 +  2000)80 f
150
VO = 1.15 pF
RS 1
C out = (1 + )C F
gm RD
Vi M1 Cout 1
= (1 + )80 f
Cin 1
 2000
150
= 86 fF
18
 6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET

VDD Calculate f in and f out , if gm = (150 )−1 ,

RD = 2k  , RS =1 k and C F = 80 fF
RD

VO
f in = ?
RS
f out = ?
Vi M1 Cout

Cin

19
 6.6. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng
MOSFET

Lời giải
VDD

1
RD f in =
2 RS C in
VO = 1.38  108 Hz
RS 1
f out =
2 RDC out
Vi M1 Cout
= 9.2  108 Hz
Cin

20
 6.7. Tính toán đáp ứng tần số của mạch sử dụng BJT
VBE ,on = 0.7V ;VCE , sat = 0.1V ; 
 
Q1(2 N 3904)   = 100; F = 150 ps;VA = 100V ;
VCC C = 1 pF ; C = 1 pF 
 je jc 
R2 RC C2
Rs
Q1 vo
C1
vi
R1 RE CE

 Rs = 100; R1 = 10k ; R2 = 100k ; 

 
 RC = 10k ; RE = 1k ; RL = 10k ; 
C = C = C = 10  F ;V = 12V 
 1 2 E CC 
21
 Phân tích chế độ 1 chiều (DC)
VCC
R2 RC C2
Rs
Q1 vo
C1
vi
R1 RE CE

 BE ,on
V = 0.7V ;V = 0.1V ; 
 Rs = 100; R1 = 10k ; R2 = 100k ;  
CE , sat

  Q1(2 N 3904)   = 100; F = 150 ps;VA = 100V ;
 RC = 10k ; RE = 1k ; RL = 10k ;  C = 1 pF ; C = 1 pF 
C = C = C = 10  F ;V = 12V   je jc 
 1 2 E CC 

Bước1: Phân tích DC: xác định IC, IB, và VCE

IB=?; IC=? VCE=?

22
 Phân tích chế độ 1 chiều (DC)
VCC
R2 RC C2
Rs
Q1 vo
C1
vi
R1 RE CE

 BE ,on
V = 0.7V ;V = 0.1V ; 
 Rs = 100; R1 = 10k ; R2 = 100k ;  
CE , sat

  Q1(2 N 3904)   = 100; F = 150 ps;VA = 100V ;
 RC = 10k ; RE = 1k ; RL = 10k ;  C = 1 pF ; C = 1 pF 
C = C = C = 10  F ;V = 12V   je jc 
 1 2 E CC 

Bước1: Phân tích DC: xác định IC, IB, và VCE

 I C = 391 A; I B = 3.91 A;

 
 CE
V = 7.70V 
23
 Xác định các thông số của mạch

Rs C

C ro
R1//R2 r RC RL
vi gmv

Bước 2: Xác định các thông số khác

gm=?; r=?; ro=?; C=?; C=?

gm
fT = = 572
? MHz
2 (C  + C )

24
 Xác định các thông số của mạch

Bước 2: Xác định các thông số khác

 gm = 15.6mS ; r = 6.4k ; ro = 256k  

 
C
 b = 2.34 pF ; C  = 3.34 pF ; C  = 1 pF 

gm
fT = = 572 MHz
2 (C  + C )

25
 Xác định các thông số của mạch

Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ:

Xác định hệ số khuếch đại điện áp

Rs Ri

gmv
vo
R1//R2 r ro RC RL
vi

Avt=?

Avt=-gm(ro//Rc//RL)

26
 Xác định các thông số của mạch

Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ:

Xác định hệ số khuếch đại điện áp
Rs Ri

gmv
vo
R1//R2 r ro RC RL
vi

Ri
Avs = [− gm ( ro / / RC / / RL )]
Ri + Rs
3.76k
= ( −76.5) = −74.5
3.86k
Avt=-gm(ro//Rc//RL)=-76.5
27
 Xác định các thông số của mạch
Các tần số trung bình và thấp: liên quan đến các tụ C1, C2, CE
Rs C1 C2
gmv
R1//R2 r ro RC RL vo

vi

RE
CE

Sử dụng phương pháp ngắn

mạch để tìm giá trị tần số Khi xét C1 thì cho C2 và CE ngắn mạch
cắt fc tương ứng mỗi tụ:
Khi xác định một fc tương REQ1=?
ứng một tụ thì ngắn mạch
các tụ còn lại
f1=1/(2 REQ1C1)
28
 Xác định các thông số của mạch
Các tần số trung bình và thấp: liên quan đến các tụ C1, C2, CE
Rs C1 C2
gmv
R1//R2 r ro RC RL vo

vi

RE
CE

Sử dụng phương pháp ngắn

mạch để tìm giá trị tần số Khi xét C1 thì cho C2 và CE ngắn mạch
cắt fc tương ứng mỗi tụ:
REQ ,C 1 = Rs + R1 / / R2 / / r = 3.86k 
Khi xác định một fc tương
ứng một tụ thì ngắn mạch  1 = REQ ,C 1  C 1 = 38.6ms
các tụ còn lại 1
 f1 = = 4.12 Hz
2 1 29
 Xác định các thông số của mạch
Các tần số trung bình và thấp: liên quan đến các tụ C1, C2, CE

Rs C1 C2

gmv
R1//R2 r ro RC RL vo

vi

RE
CE

REQ2=?
f2=1/(2 REQ2C2)
30
 Xác định các thông số của mạch
Các tần số trung bình và thấp: liên quan đến các tụ C1, C2, CE

Rs C1 C2
gmv
R1//R2 r ro RC RL vo

vi

RE
CE

Khi xét C2 thì cho C1 và CE ngắn mạch

REQ ,C 2 = RL + RC / / ro = 19.6k 
 2 = REQ ,C 2  C 2 = 196ms
1
 f2 = = 0.81 Hz
2 2
31
 Xác định các thông số của mạch
Rs C1 C2

gmv
R1//R2 r ro RC RL vo

vi

RE
CE
Avs , dB 20logAvs=20log(74.5)=37.5dB
Khi xét CE thì cho C1 và C2 ngắn mạch
1
fE 37.5 REQ ,CE  RE / /
gm
f1
= 1000 / /64 = 60.2
f2
 E = REQ ,CE  C E = 605  s
1
f, log  fE = = 263 Hz
2 E
f L ,−3 dB = f1 + f 2 + f E = 268 Hz
32
 Xác định các thông số của mạch

Khi xét CE thì cho C1 và C2 ngắn mạch

Avs , dB

1
fE 37.5 REQ ,CE  RE / /
gm
f1
= 1000 / /64 = 60.2
f2
 E = REQ ,CE  C E  605  s
1
f, log  fE = = 263 Hz
2 E
f L ,−3 dB = f1 + f 2 + f E = 268 Hz

33
 Xác định các thông số của mạch
Các tần số trung bình và cao: liên quan đến các tụ C và C

Rs C

C ro
R1//R2 r RC RL
vi gmv

Sử dụng định lý Miller thay C thành C1 và C2

Rs

C
r ro RC RL
vi R1//R2 C1 gmv C2

34
 Xác định các thông số của mạch

C
r ro RC RL
vi R1//R2 C1 gmv C2

C in = C + C  (1 − Av ) C out = C  (1 −
1
)
Av
= 3.34 + 1.0  (1 − ( −76.5)) 1
= 1.0  (1 + )
= 3.34 + 77.5 = 80.8 pF 76.5
= 1.01 pF

Chú ý trong biểu thức Miller lấy Av= Avt =-

76.5 35
 Xác định các thông số của mạch

REQ ,in = R1 / / R2 / / Rs / / r = 97.4

Avs , dB  in = REQ ,in  C in = 7.87ns
1
37.5  f in = = 20.2 MHz
2 in
fin fout

REQ ,out = RC / / RL / / ro = 4.9k 

 out = REQ ,out  C out = 4.95ns
f, log 1
 f out = = 32.2 MHz
2 out
1 1 −1
f H ,−3 db = ( + ) = 12.4 MHz
f in f out
36
 Kết thúc chương 6

3/12/2020 37