Thuết minh 5h39

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA CƠ KHÍ
ĐỒ ÁN ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG

ĐỀ TÀI: MẠCH ỔN ÁP XUNG BUCK
SVTH : Nguyễn Trần Minh Tấn, Lớp 17CDT1, Nhóm Trưởng

Nguyễn Trần : Hoàng Đình Sao, Lớp 17CDT1
Nguyễn Trần :iNguyễn Tấn Hưng, Lớp 17CDT1
GVHD: ThS. Nguyễn Văn Phòng.
ĐỒ Á N ĐIỆ N TỬ Ứ NG DỤ NG. GVHD: Nguyễn Vă n Phò ng
Đà Nẵng 12/2020
LỜI NÓI ĐẦU

Ngày nay điện là nguồn năng lượng quan trọng bậc nhất đối với văn minh loài
người. Với sự phát triển không ngừng của khoa học kĩ thuật, dân số ngày càng gia tăng
dẫn đến nhu cầu sử dụng điện càng cao. Nguồn điện ảnh hưởng trực tiếp đến hoạt động
của các thiết bị sử dụng điện. Để hoạt động được bình thường chúng cần phải có một
nguồn đầu vào không đổi. Các thiết bị sử dụng nguồn DC cũng không ngoại lệ. Đó là lý
do cần đến các bộ biến đổi DC-DC để ổn đinh được nguồn và cung cấp các mức điện áp
khác nhau cho các thiết bị khác nhau.
Trong đồ án này nhóm chúng em được sự phân công của thầy thực hiện đề tài:
Thiết kế mạch ổn áp Buck. Qua quá trình thực hiện đã ôn lại lý thuyết các môn học như
Kĩ thuật điên, Kĩ thuật điện tử, Điện tử công nghiệp, Kĩ thuật xung số. Ngoài ra còn nâng
cao khả năng thi công mạch, kĩ năng sử dụng phần mềm Proteus hỗ trợ quá trình tính
toán mô phỏng và vẽ mạch in.
Nhóm xin chân thành cảm ơn thầy: Th.s Nguyễn Văn Phòng đã tận tình hướng
dẫn và giúp đỡ chúng em hoàn thiện đồ án này.
Trong quá trình tính toán thiết kế và thi công còn gặp nhiều sai sót, nhóm mong
nhận được sự góp ý của thầy và các bạn để đồ án được hoàn thiện hơn nữa.
SVTH Nhóm 4 : Nguyễn Trần Minh Tấn
: Hoàng Đình Sao
: Nguyễn Tấn Hưng
Đà Nẵng, 12/2020.
1
2
HÌNH VẼ
Hình 1.1 Sơ đồ nguyên lý ổn áp zenner
Hình 1.2. Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn
Hình 1.3 IC ổn áp 78xx, 79xx
Hình 1.4. Sơ đồ khối ổn áp xung
Hình 1.5. Sơ đồ mạch Buck
Hình 1.6. Sơ đồ mạch Boost
Hình 1.7. Sơ đồ mạch Buck-Boost.
Hình 1.8. Sơ đồ mạch Cuk
Hình 2.1 Sơ đồ Buck khi transistor đóng
Hình 2.2 Sơ đồ Buck khi transistor mở
Hình 2.3 Sơ đồ dạng sóng của mạch ổn áp xung BUCK
Hình 2.4 Cấu tạo cuộn cảm L
Hình 2.5 phạm vi làm việc của các linh điện điện tử theo tần số và điện áp
Hình 2.6 phạm vi làm việc của các linh điện điện tử theo tần số và dòng điện
Hình 2.7 Ký hiệu MOSFET cảm ứng và đặt sẵn
Hình 2.8 đặc tuyến làm việc của MOSFET
Hình 2.9 Cấu tạo MOSFET kênh n có sẵn
Hình 2.10 Cấu tạo MOSFET kênh n cảm ứng
Hình 2.11 Sơ đồ mạch điều khiển MOSFET
Hình 2.12 Sơ đồ mach và dạng sóng Astable dùng ic555
Hình 2.13 Sơ đồ mach và dạng sóng Monostable dùng ic555
Hình 2.14 Sơ đồ mach hồi tiếp
Hinh 2.15 Mạch phân áp lấy mẫu
Hình 2.16 Sơ đồ mạch tạo điên áp chuẩn
Hình 2.17 Mạch so sánh khếch đại vi sai
Hình 2.18 Mạch Opam đêm
Hình 3.1 Sơ đồ mạch tổng thể
Hình 3.2 Sơ đồ mạch lọc LC
3
Hình 3.3 Đặc tuyến –VDS, -ID của Mosfet IRF4905

Hình 3.4 Sơ đồ mạch Astable thiết kế
Hình 3.5 Sơ đồ mạch xén
Hình 3.6 Sơ đồ mạch Monostable
Hình 3.7 Sơ đồ mạch tính Vht từ điện trở nội ic555
Hình 3.8 Sơ đồ chân của LM358 Hình 3.11 Xung ra của khối Astable
Hình 3.9 Xung ra của khối Astable
Hình 3.10 Xung ra của mạch xén
Hình 3.11 Xung ra Monostable
Hình 3.12 Xung ra của mạch điều khiển Mosfet
Hình 3.13 Xung ra của chân D Mosfet
4
MỤC LỤC
LỜI NÓI ĐẦU...................................................................................................................1
HÌNH VẼ........................................................................................................................... 2
CHƯƠNG I: TỔNG QUAN VỀ ĐỀ TÀI..........................................................................5
1.1 Giới thiệu chương.....................................................................................................5
1.2. Tổng quan về ổn áp 1 chiều.....................................................................................6
1.2.1. Ổn áp tham số (ổn áp zenner)............................................................................6
1.2.2. Ổn áp theo nguyên lý hồi tiếp............................................................................6
1.3 Kết luận chương......................................................................................................14
CHƯƠNG II: CƠ SỞ LÝ THUYẾT................................................................................15
2.1. Giới thiệu chương..................................................................................................15
2.2. Phương pháp tính toán mạch lọc LC......................................................................15
2.3 Tính cuộn dây L:.....................................................................................................18
2.4, Lựa chọn Transistor...............................................................................................19
2.4.1 So sánh các loại transistor.................................................................................19
2.4.2 Giới thiệu MOSFET.........................................................................................21
2.5. Mạch điều khiển MOSFET...................................................................................24
2.6, Khối tạo xung (astable).........................................................................................25
2.7. Khối điều chế độ rộng xung (Monotable).............................................................28
2.8. Thiết kế mạch hối tiếp...........................................................................................30
2.8.1 Mạch phân áp...................................................................................................31
2.8.2 Mạch tạo điện áp chuẩn....................................................................................32
2.8.3 Mạch so sánh khuyếch đại vi sai......................................................................33
2.8.4 Mạch đệm.........................................................................................................34
2.9. Kết luận chương.....................................................................................................35
CHƯƠNG III:,THIẾT THẾ, MÔ PHỎNG VÀ THI CÔNG MẠCH...............................36
3.1 Giới thiệu chương...................................................................................................36
5
3.2 Yêu cầu thiết kế......................................................................................................36

3.3 Sơ đồ mạch tổng thể...............................................................................................37
3.4, Tính toán mạch lọc LC..........................................................................................38
3.5. Tính chọn Mosfet..................................................................................................40
3.6 Tính toán mạch điều khiển Mosfet..........................................................................42
3.7 Tính toán mạch tạo xung (Astable).........................................................................46
3.8 Tính mạch xén........................................................................................................48
3.9 Tính mạch điều chế đô rông xung (monostable).....................................................50
3.10 Tính toán mach hồi tiếp........................................................................................51
3.10.1 Tính giá trị Vht đưa về mạch Monostable......................................................51
3.10.2 Tính mạch tạo điên áp chuẩn..........................................................................53
3.10.3 Tính mạch so sánh khuyếch đại vi sai............................................................53
3.10.4 Tính toán mạch lấy mẫu.................................................................................54
3.11 Kết quả đo xung thưc tế........................................................................................55
3.12. Kết luận chương..................................................................................................61
KẾT LUẬN......................................................................................................................62
TÀI LIÊU THAM KHẢO................................................................................................64
6
CHƯƠNG I: TỔNG QUAN VỀ ĐỀ TÀI
1.1 Giới thiệu chương

Ở những nơi có nguồn điện áp không ổn định sẽ khiến các thiết bị điện hoạt động
chập chờn, không chính xác. Vấn đề này để lâu sẽ làm giảm độ bền của các thiết bị sử
dụng điện. Do đó, ta cần một bộ biến đổi và ổn định điện áp ở đầu ra của mạch khi điện
áp ở đầu vào mạch thay đổi trong một phạm vi cho phép. Trong chương này chúng ta sẽ
tìm hiểu về ổn áp 1 chiều.
1.2. Tổng quan về ổn áp 1 chiều

Ổn áp một chiều là mạch có nhiệm vụ duy trì điện áp một chiều ở ngõ ra luôn
không đổi trong một tầm thay đổi của điện áp lưới khu vực hoặc của dòng tải, nhiệt độ.
Mạch ổn áp một chiều thường đặt sau bộ chỉnh lưu và lọc.
- Phân loại:
+ Ổn áp tham số
+ Ổn áp theo nguyên lý hồi tiếp
1.2.1. Ổn áp tham số (ổn áp zenner)
7
Hình 1.1 Sơ đồ nguyên lý ổn áp zenner
Nguyên lý họat động: Nguồn Vi thông qua điện trở hạn dòng Ri và ghim trên
diode zenner D2 một điện áp cố định (điện áp đánh thủng) để lấy ra một điện áp cố định
V0 cung cấp cho mạch
. - Ưu điểm: Mạch đơn giản, dễ thực hiện
- Nhược điểm: Cho dòng ra nhỏ ( ≤20mA ) .
1.2.2. Ổn áp theo nguyên lý hồi tiếp

Nguyên lý hồi tiếp hay nguyên lý bù có khái niệm như sau : Khi dòng ngõ ra hoặc
điện thế ngõ vào hoặc nhiệt độ thay đổi đều làm cho điện thế ở ngõ ra thay đổi, mạch lấy
một phần thay đổi của ngõ ra đưa ngược lại đầu vào để điều khiển ngõ vào nhằm giữ cho
điện áp ngõ ra không đổi.
1.2.2.1. Ổn áp tuyến tính.

Ổn áp tuyến tính là ổn áp dựa trên nguyên lý hồi tiếp (nguyên lý bù), trong đó
phần tử làm việc ở chế độ khuếch đại.
Có hai loại ổn áp tuyến tính chính:
+ Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn.
+ Ổn áp tuyến tính dùng vi mạch tích hợp.
a) Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn:
Việc sử dụng các khoá cơ khí, chẳng hạn như các công tắc cơ khí, khoá cơ điện,
rơle cơ điện, rơle điện từ,... có nhược điểm là cồng kềnh, độ tin cậy thấp, thời gian
chuyển trạng thái chậm dẫn tới hệ thống có những khoá như vậy có độ tin cậy không cao,
tốc độ đáp ứng chậm và khả năng ứng dụng rất thấp.
Do vậy, chúng ta sử dụng các khóa bằng linh kiện bán dẫn như transistor,
MOSFET,... để khắc phục được những nhược điểm trên.
8
Hình 1.2. Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn
Khi điện áp ngõ vào tăng thì điện áp ngõ ra tăng. Khi đó điện áp chân E đèn Q2
tăng nhiều hơn chân B (do có Dz gim từ chân E đèn Q2 lên Ura, còn điện áp lấy mẫu chỉ
lấy một phần điện áp ra ).
Nên UBE giảm kéo theo Q2 dẫn giảm, làm Q1 dẫn giảm và điện áp ngõ ra giảm
xuống. Tương tự khi U vào giảm, thông qua mạch điều chỉnh, ta lại thu được điện áp ngõ
ra tăng.
Thời gian điều chỉnh của vòng hồi tiếp rất nhanh khoảng vài µ giây và được các tụ
lọc đầu ra loại bỏ, không làm ảnh hưởng đến chất lượng của điện áp một chiều. Như vậy
kết quả là điện áp ở ngõ ra tương đối phẳng.
b) Ổn áp tuyến tính dùng vi mạch tích hợp:
Các vi mạch ổn áp một chiều tuyến tính được sử dụng rộng rãi do những ưu điểm
như:
+ Tích hợp toàn bộ linh kiện trong một khối có kích thước nhỏ
+ Không cần hoặc chỉ cần thêm vài linh kiện ngoài để tạo mạch hoàn chỉnh.
9
+ Các mạch bảo vệ quá dòng, quá nhiệt có sẵn bên trong vi mạch,..
+ Một số họ vi mạch ổn áp một chiều tuyến tính thông dụng là họ 78XX (họ ổn áp
dương) và họ 79XX (họ ổn áp âm).
Hình 1.3 IC ổn áp 78xx, 79xx
Đối với họ 78XX: Ổn định điện áp dương. XX là giá trị điện áp đầu ra, chẳng hạn 7805
thì V0= +5V, 7812 thì V0= +12V.
Đối với họ 79XX: Ổn định điện áp âm. XX là giá trị điện áp đầu ra, chẳng hạn 7905 thì
V0= -5V, 7912 thì V0= -12V.
Với những ưu điểm nêu trên thì các vi mạch ổn áp này củng có những khuyết điểm sau:
+ Dòng điện tối đa ở đầu ra của vi mạch thấp (<1A).
+ Khi tải lớn vi mạch ổn áp này rất nóng và dễ hỏng vì vậy cần phải tản nhiệt tốt.
1.2.2.2. Ổn áp xung.
a) Khái niệm:
Ổn áp xung còn gọi là ổn áp đóng ngắt, là ổn áp dựa trên nguyên lý hồi tiếp (nguyên lý
bù), trong đó phần tử điều chỉnh làm việc ở chế độ xung. Ổn áp xung có những ưu điểm
và nhược điểm so với ổn áp tuyến tính như sau:
10
Ưu điểm:
+ Có tổn hao ít nên hiệu suất cao (thường trên 80%).

+ Độ ổn định cao do phần tử điều khiển làm việc ở chế độ xung.
+ Thể tích và trọng lượng bộ nguồn nhỏ.
Nhược điểm:
+ Phân tích, thiết kế phức tạp.
+ Bức xạ sóng, can nhiễu trong dải tần số rộng do đó cần có bộ lọc xung ở ngõ vào nguồn
và bộ nguồn phải được bọc kim.
b) Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của ổn áp xung:
- Sơ đồ khối.
Hình 1.4. Sơ đồ khối ổn áp xung.
- Nguyên lý hoạt động: Nguồn DC chưa ổn định được đưa đến phần tử điều chỉnh làm
việc như một khóa điện tử. Khi khóa dẫn thì nguồn nối đến ngõ ra. Khi khóa tắt thì cắt
nguồn DC ra khỏi mạch. Như vậy tín hiệu ở ngõ ra của khóa là một dãy xung, do vậy
muốn có tín hiệu DC ra tải phải dùng bộ lọc LC. Tuỳ thuộc vào tần số và độ rộng của
xung ở ngõ ra của khóa mà trị số điện áp 1 chiều trên tải có thể lớn hay nhỏ. Để ổn định
11
điện áp DC trên tải, người ta thường so sánh nó với mức điện áp chuẩn. Sự sai lệch sẽ
được biến đổi thành tín hiệu xung để điều khiển khóa điện tử. Có 3 phương pháp thực
hiện tín hiệu điều khiển:
+ Điều chế độ rộng xung: giữ tần số tín hiệu xung không đổi nhưng thay đổi độ rộng
xung làm thay đổi điện áp ra.
+ Điều chế tần số xung: giữ độ rộng xung không thay đổi nhưng thay đổi chu kỳ tín hiệu
xung làm thay đổi điện áp ra.
+ Điều chế xung: vừa thay đổi độ rông xung, vừa thay đổi độ rộng xung.
c) Phân loại ổn áp xung.
Có 4 loại ổn áp xung:
+ Ổn áp Buck: là loại ổn áp có điện áp trung bình ngõ ra nhỏ hơn ngõ vào.
+ Ổn áp Boost: là loại ổn áp có điện áp trung bình ngõ ra lớn hơn ngõ vào.
+ Ổn áp Buck_Boost: là loại ổn áp có điện áp ngõ ra lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp
ngõ vào.
+ Ổn áp Cuk: là ổn áp có điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ
vào nhưng cực tính ngược với điện áp ngõ vào.
* Ổn áp Buck.
Ổn áp Buck là loại điện áp trung bình ngõ ra nhỏ hơn điện áp ngõ vào, hoạt động
theo phương pháp điều chế độ rộng xung.
12
Hình 1.5. Sơ đồ mạch Buck
Đặc điểm của ổn áp Buck:
+ Dòng điện ngõ vào kiểu xung, yêu cầu bộ lọc ngõ vào.
+ Dòng điện ngõ ra liên tục với điện áp ngõ ra ít nhấp nhô hơn.
+ Điện áp ngõ ra luôn nhỏ hơn điện áp ngõ vào.
*Ổn áp Boost.
Ổn áp Boost là loại có điện áp trung bình ngõ ra lớn hơn điện áp ngõ vào, hoạt
động theo phương pháp điều chế độ rộng xung.
Hình 1.6. Sơ đồ mạch Boost.
13
Đặc điểm của ổn áp Boost:
+ Dòng điện ngõ vào liên tục nên có thể bỏ bộ lọc ngõ vào.
+ Dòng điện ngõ ra dạng xung với điện áp ngõ ra nhấp nhô lớn.
+ Điện áp ngõ ra luôn lớn hơn điện áp ngõ vào.
*Ổn áp Buck-Boost.
Ổn áp Buck_ Boost là có loại điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ
vào, hoạt động theo phương pháp điều chế độ rộng xung.
Hình 1.7. Sơ đồ mạch Buck-Boost.
Đặc điểm của ổn áp Buck-Boost: + Dòng vào dạng xung, yêu cầu bộ lọc ngõ vào + Dòng
ra dạng xung, nhấp nhô lớn + Điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ
vào.
* Ổn áp Cuk.
Ổn áp Cuk là ổn áp có điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ vào
nhưng cực tính ngược với điện áp ngõ vào.
14
Hình 1.8. Sơ đồ mạch Cuk.
- Đặc điểm của ổn áp này là:
+ Dòng điện vào - ra ổn định với dòng gợn bé
+ Điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ vào.
+ Cực tính ngược với điện áp ngõ vào.
1.3 Kết luận chương.

Ổn áp Buck có nhiều ưu điểm như điều chỉnh điện áp ngõ ra với hiệu suất cao, cho dòng
điện ngõ ra ít nhấp nhô và giảm thiểu được hao tổn trên các thiết bị chuyển mạch.
Do đó, nó được ứng dụng rộng rãi trong sản xuất và đời sống để biến đổi và ổn định điện
áp trong các hệ thống năng lượng, giao thông, máy công cụ, đồng hồ đo,...
Thông qua những lý thuyết tổng quan của chương này để thực hiện việc đi sâu vào cơ sở
lý thuyết ở chương tiếp theo.
15
CHƯƠNG II: CƠ SỞ LÝ THUYẾT
2.1. Giới thiệu chương

Trong chương này chúng ta sẽ cùng tìm hiểu về những kiến thức của những linh
kiện điện tử, phương pháp tính toán của các phần mạch có trong ổn áp xung buck.
2.2. Phương pháp tính toán mạch lọc LC

a) Khi transistor đóng
Hình 2.1 Sơ đồ Buck khi transistor đóng
Bắt đầu khi transistor đóng ở tại thời điểm bằng t = 0,

(có thể bỏ qua điện áp giữa hai đầu transistor vì khi dẫn bão hòa điện áp này khá nhỏ)
=> Dòng ngõ vào chạy qua cuộn cảm L, tụ C và tải.
di L
Điện áp qua L: eL = L
dt
Dòng qua cuộn dây tăng từ : ILmin -> ILmax
I Lmax −I Lmin △ IL
VL = Vin – VO = L =L
t1 t1
△ IL
=> t1 = L
V ¿ −V O
b, Khi transistor mở
16
Hình 2.2 Sơ đồ Buck khi transistor mở
Bắt đầu khi transistor mở tại t = t1.
Dòng qua cuộn cảm L giảm nên xuất hiện suất điện động tự cảm có chiều như hình vẽ, để
chống lại sự giảm. Lúc này, Diode dẫn và cuộn cảm L đóng vai trò là nguồn xả năng
lượng từ trường qua L, C, D và tải. Dòng qua L giảm từ I Lmax -> ILmin cho đến khi
transistor đóng trở lại trong chu kì kế tiếp.
Điện áp qua L:
I Lmax −I Lmi n △ IL
VL = V O = L =L (2.1)
t2 t2
△ IL
=> t2 = L (2.2)
VO
Từ (1.1) và (1.2) ta có:
△ IL △ IL △ ILV ¿
T = t1 +t2 = = L + L ==L (2.3)
V ¿ −V O VO V O (V ¿ −V ¿¿ O)¿
T V O (V ¿ −V ¿¿ O) 1 V O (V ¿ −V ¿¿ O)
Từ (1.3) => △ I L = . ¿= . ¿
L V¿ fL V¿
(2.4)
1 1 V O (V ¿ −V ¿¿ O)
Để dòng ngỏ ra liên tục thì △ I L < IO  . ¿ < IO
2 2 fL V¿
V O (V ¿ −V O )
Xét trong điều kiện VIN(max) => L > (2.5)
2f V ¿ IO
17
△ I L độ gợn dòng đỉnh - đỉnh của cuộn L
Theo định luật Kirchoff’s với dòng điện tức thời: iC = iL – iO

=> △iC = △iL - △i0
Với △iO nhỏ ta xem △iC ≈ △iL
Dòng trung bình trên tụ trong nửa chu kỳ nạp:
T T
1 △ IC = 1 △ IL = △ IL
2 2
IC = ∫ 2 dt T ∫ 2 dt 4 (2.6)
T
0 0
Điện áp trung bình trên tụ
1
VC(t)= ∫ iC ( t ) d t (2.7)
C
Trong nửa chu kỳ xả tụ phóng ra một điện lượng tương đương.
=> Điện áp gợn sóng của tụ:
T
1 △ IL = △ IL
2
△ V o = △ V C = VC(t) - VC(0) = dt 8 fC (2.8)
C ∫ 4
0
Thay △ I L từ (1.4) vào (1.8) ta được
VO
(1− )V
△V C = V¿ O (2.9)
8 f 2 LC
Từ (1.4) và (1.9) ta có thể chọn L, C bằng công thức sau:
18
VO
(1− )V
L= V¿ O (2.10)
f △ IO
VO
(1− )V
C= V IN O (2.11)
8f 2 L△V O
Biểu đồ dạng Sóng :
19
Hình 2.3 Sơ đồ dạng sóng của mạch ổn áp xung BUCK
2.3 Tính cuộn dây L:
Hình 2.4 Cấu tạo cuộn cảm L
Hệ số tự cảm L được tính theo công thức:
−7 2 R
L = 2. 10 N h . ln μ (H) (2.12)
r
20
L
=> N =
√ 2. 10−7 h . ln
Trong đó N: số vòng dây

R
r
μ
(Vòng) (2.13)
h: đường kính lõi ống dây

R: Bán kính ngoài lõi ống dây)
r: bán kính trong ống dây
μ: độ từ thẩm chất liệu làm lõi (H/m)
I
Tính tiết diện dây dẫn: S = (2.14)
J
Trong đó: I là dòng qua dây dẫn (A)
: J là mật độ dòng điện cho phép (A/mm2 )
2.4, Lựa chọn Transistor
Ưu điểm lớn nhất của transistor so với tiristor là có thể làm việc ở tần số cao và dễ điều
khiển, nên transistor được dùng cho các bộ băm áp một chiều là phổ biến.
2.4.1 So sánh các loại transistor
Hình 2.5 phạm vi làm việc của các linh điện điện tử theo tần số và điện áp
21
Hình 2.6 phạm vi làm việc của các linh điện điện tử theo tần số và dòng điện
Trên thị trường ngày nay thường có ba loại transistor phổ biến đó là transistor lưỡng cực
BJT, transistor trường MOSFET và Transistor IGBT
Bảng 2.1 So sánh Transistor thông dụng
BJT MOSFET IGBT
Tổn hao công suất Cao Thấp Thấp
Tần số làm việc Cao Rất Cao Cao
Công suất điều Cao Thấp Thấp

khiển
Khả năng chịu dòng, Cao Thấp Cao

áp
Giá thành Thấp Trung Bình Cao
Căn cứ vào những ưu điểm, nhược điểm của các transistor từ bảng 2.1, hình 2.5, hình 2.6.
Và dựa theo thông số của đề tài thiết kế ta chọn transistor là MOSFET
22
2.4.2 Giới thiệu MOSFET

a) Khái niệm
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effec Transistor), còn gọi transistor

trường với ba cực: Drain (D)- máng; Source (S) – nguồn và Gate (G).
Hình 2.7 Ký hiệu MOSFET cảm ứng và đặt sẵn
MOSFET điều khiển bằng điện áp UGS thể hiện bằng đặc tính truyền đạt sau:
Hình 2.8 đặc tuyến làm việc của MOSFET
23
b) Phân loại
MOSFET chia làm 2 loại:

+ MOSFET kênh có sẵn (D – MOSFET = Depletion MOSFET).
Tức đã có sẳn một kênh loại n hay loại p nối thông 2 cực D và S
Cực của cách ly qua 1 lớp điện mối SiO2 mỏng cỡ μm.
Hình 2.9 Cấu tạo MOSFET kênh n có sẵn
+ MOSFET kênh cảm ứng (E – MOSFET = Enhancement MOSFET).

Khi chưa có điện áp điều khiển UGS thích hợp thì chưa có kênh dẫn nối D và S.
Hình 2.10 Cấu tạo MOSFET kênh n cảm ứng
24
d) Các thông số kỹ thuật của MOSFET.
+ Rds(on): trở nội– Để tính sụt áp qua MOSFET khi dẫn bão hòa
+ Uds: Điện áp tối đa giữa 2 đầu D-S mà MOSFET
Uds ≥ (1,5 ~2)Vinmax (2.15)
+ Id: Dòng điện tối đa mà MOSFET chịu được
Id ≥ (1,5 ~2) Itải (2.16)
+ Tần số hoạt động tối đa
+ Đồ thị dòng Id theo Ugs (để cấp đủ áp mở MOSFET).
+ Công suất MOSFET: công suất tối đã MOSFET có thể làm việc
Pmosfet ≥ (1,5 ~2)Ptt = (1,5 ~2) Itải2. Rds(on) (2.17)
+ Ugs điện áp tối đa giữa chân G và chân S s
+ Ugs(th) điện áp ngưỡng
e) Nguyên lý hoạt động.
MOSFET hoạt động ở 2 chế độ đóng và mở.

+ Đối với kênh N: Điện áp điều khiển mở MOSFET là UGS > 0. Dòng điện sẽ đi
từ S đến D
+ Đối với kênh P: Điện áp điều khiển mở MOSFET là UGS ≤ 0. Dòng điện sẽ đi
từ D xuống S.
f) Ứng dụng Mosfet
MOSFET có khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn. Vì do đóng
cắt nhanh làm cho dòng điện biến thiên. Nó thường thấy trong các bộ nguồn xung và cách
mạch điều khiển điện áp cao.
25
2.5. Mạch điều khiển MOSFET
Hình 2.11 Sơ đồ mạch điều khiển MOSFET
Nguyên lý hoạt động: Khi nhận tín hiệu mức 1 từ mạch Monostable làm cho Q7 dẫn ->
Q6 dẫn -> Vgs vượt ngưỡng tính toán -> MOSFET dẫn.
Ngược lại khi có tín hiệu mức 0 từ mạch Mono Q7 tắt -> Q2 dẫn -> lúc này Vg ≈Vs ->
Vgs < Vgs(th) -> MOSFET tắt.
26
2.6, Khối tạo xung (astable).
Hình 2.12 Sơ đồ mach và dạng sóng Astable dùng ic555
-Chức năng: Tạo xung với tần số không đổi và đồng thời tạo xung kích chân 2 cho mạch
điều chế độ rộng xung.
-Nguyên lý hoạt động: Đây là mạch dao động đa hài có 2 trạng thái nhưng đều không bền
.Nhờ có sự thay đổi điện áp trên tụ C mà mạch luôn tự động tạo ra độ dài xung ra.
+0 ≤ t<t 1 : Giả sử mạch ở trạng thái không bền ban đầu. Ngõ ra v 0=1=>Q RSFF =0; BJT Q1
tắt: không có dòng đổ qua BJT =>tụ nạp điện từ nguồn V cc qua điện trở với chiều như
hình vẽ để hướng đến giá trị V cc . Tụ càng nạp thì giá trị điện áp trên tụ càng tăng cho đến
2
khi V c =V (6)=V (2) ≥ V cc . Lúc đó:
3
SS1: v−¿>v ¿ R=0.

+¿ ¿
27
SS2: v+¿> v ¿S=1.

−¿¿
=> Q=1 => V 0=0.
Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trang thái không bền ban đầu và chuyển sang trạng thái
không bền thứ 2.
+t 1 ≤ t<t 2:
Tại t=t 1:mạch tồn tại ở trạng thái không bền thứ 2.Vì Q=1 nên BJT Q1 dẫn tụ C xả điện
tích qua R2 chân số 7 BJT Q 1mass. Tụ càng xả thì điện áp trên tụ càng
giảmđiện áp chân số 2 và 6 cùng giảm xuống . Khi điện áp trên tụ C giảm đến giá trị
1 2
V cc ≤V c ≤ V cc thì ta có:
3 3
SS1: v−¿>v ¿ R=0.

+¿ ¿
SS2: v−¿>v ¿S=0.

+¿ ¿
=> Q vẫn giữ nguyên trạng thái cũ trước đó (Q=1)
1
=> Tụ C tiếp tục xả cho đến khi V c ≤ V cc (điện thế ngưỡng của bộ SS1) mà V c =V (6)=V (2)
3
nên suy ra:
SS1: v−¿<v ¿ R=1.

+¿ ¿
SS2: v−¿>v ¿S=0.

+¿ ¿
=> Q=0=> V 0=1 .
Mạch chấm dứt thời gian tồn tại ở trạng thái không bền thứ 2 và bắt đầu chuyển sang
trạng thái không bền ban đầu vì Q=0=>BJT tắt => không có dòng đổ qua BJT Q => tụ C
1
được nạp điện bổ sung ( vì nó vẫn giữ V do điện thế ở chân số 2 chặn trên ) và quá
3 cc
trình cứ tiếp diễn liên tục tạo độ dài xung ra.
28
-Tính toán độ dài xung ra :
Gọi T 1và T 2 lần lượt là thời gian ứng với ngõ ra V 0=1 và V 0=0.
T: Chu kỳ dao động của mạch T=T 1+T 2
+Tính T 1:
Phương trình nạp tụ C: V c ( t )= [ V c ( ∞ )−V c ( 0 ) ] . ¿) +V c ( 0 )
1
Với V c ( 0 )= V cc ,V c ( ∞ )=V cc
3
2 1
=>V c ( t )= V cc . ¿) + V cc
3 3
2
Khi t = T 1,V c ( T 1 )= V cc
3
2 2 1
 V cc = V cc . ¿) + V cc
3 3 3
−T 1 1
 e τ1 =
2
 T 1=τ 1 . ln 2 = C R1 . ln 2
Vậy thời gian nạp tụ là T 1=¿ 0,7.C R1 (2.18)
+Tính T 2:
−t
Phương trình xả tụ C: V c ( t )= [ V c ( 0 ) −V c ( ∞ ) ] . e τ 2 +V c ( ∞ )
2
Với V c ( 0 )= V cc ,V c ( ∞ )=0
3
−t
2
=>V c ( t )= V cc . e τ 2
3
1
Khi t = T 2,V c ( T 2 )= V cc
3
29
−T 2
 1 V cc= 2 V cc . e τ 2
3 3
−T 2 1
 e τ2 =
2
 T 2=τ 2 . ln 2 = C R2 . ln2
Vậy thời gian xả tụ là T 2=¿ 0,7.C R2 (2.19)
Vậy chu kỳ dao động là T=T 1+T 2=0,7.C¿ ¿).
2.7. Khối điều chế độ rộng xung (Monotable)

-Sơ đồ và dạng sóng:
Hình 2.13 Sơ đồ mach và dạng sóng Monostable dùng ic555
-Nguyên lý hoạt động:
+0 ≤ t<t 1: mạch ở trạng thái bền . Ngõ ra v 0=0;Q RSFF =1; vi =v cc => S=R=1.
 Trasistor dẫn bão hòa.
Vì tụ C mắc song song với transistor nên V c =V (7)=V CES =0,2 V ≈ 0.
 Tụ C không được nạp điện. Mạch luôn tồn tại trạng thái bền.
30
+t 1 ≤ t<t 1 +T 0 : Mạch ở trạng thái không bền.
1
Khi t=t 1 ,mạch được kích khởi bằng tín hiệu kích khởi vi <¿ v đưa vào chân số 2 của
3 cc
=> R=1 => Q=0 => v 0=1. Mạch chấm dứt thời gian tồn tại
+¿ ¿
IC555. Ở bộ SS1 có v−¿<v ¿
trạng thái bền và chuyển sang trạng thái không bền. Lúc này vì Q=0 nên transistor tắt =>
tụ C được nạp điện từ nguồn v cc qua R. Tụ càng nạp thì điện áp trên tụ càng tăng. Mà
2
vC =v (6) nên khi v cc >
+ ¿¿
v thì ở bộ SS2 có v−¿≤ v ¿
=> S=1, lúc này R=0 vì thời gian tồn tại
3 cc
xung kích khá nhỏ
=>Q=1=> v 0=0. Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái không bền và chuyển sang
trạng thái phục hồi.
+t ≥ t 1+T 0: Giai đoạn phục hồi.
Do Q=1; v 0=0 => transistor T dẫn => tụ xả qua T cho đến khi V c ≈ 0. Sau khi kết thúc giai
đoạn phục hồi mạch trở về trạng thái bền ban đầu.
-Tính độ dài xung ra:
2
T 0 là thời gian cần thiết để tụ C tăng từ 0 đến v .
3 cc
Phương trình nạp của tụ: v c ( t )=[ v c ( ∞ )−v c ( 0 ) ] . ¿) + v c ( 0 )
Với V c ( 0 )=0 ,V c ( ∞ )=V cc
=>V c ( t )=V cc . ¿)
2
Khi t=T 0 => v c ( T 0 )= v
3 cc
2
 v =V cc .¿ )
3 cc
 T 0=RC . ln 3 ( 2.20)
31
-Tính thời gian phục hồi:
−t
Phương trình xả của tụ : v c ( t )=[ v c ( 0 )−v c ( ∞ ) ] . e τ 2 + v c ( ∞ )
2
Với V c ( 0 )= v cc,V c ( ∞ )=0.
3
Khi t=T ph => v c ( T ph) = vlogic 0 ≈ 0.
−T ph
v logi c 0
 2 v cc . e τ2
=
3 v cc
2 v cc
 T ph=RCln ()
3 v logic 0
32
2.8. Thiết kế mạch hối tiếp
Hình 2.14 Sơ đồ mach hồi tiếp
33
2.8.1 Mạch phân áp
Hinh 2.15 Mạch phân áp lấy mẫu
Gọi điên áp lấy mẫu là Vlm
Để cho điện áp lấy mẫu chuẩn thì dòng I lm phải nhỏ hơn nhất nhiều so với dòng I 1 Nên ta
có thể xem dòng I1 ≈ I2
V LC V
=> = lm (2.21)
R 11 + R12 R 12
Gọi K1 là tỷ số cho trước của Vout mach loc LC (VLC ) và Llm
=> Vlm = K1.VLC Thay vào biết thức (2.30) ta được.
1 k
= 1
R 11+ R12 R 12
R 11 K 1
=> R12 = (2.22)
1−K 1
34
2.8.2 Mạch tạo điện áp chuẩn.
Hình 2.16 Sơ đồ mạch tạo điên áp chuẩn
Để tạo điện áp chuẩn ta sử dụng Diod zener Với chức năng ghim điên áp ở chân K
Các giá trị R17 và R18 dùng để hạn dòng bảo vệ cho Diode.
Với giá trị IDiode cho trước ta ta tính dòng đi qua diode thông qua R1
Với IR17 < 2Diode
Vcc−Vdiode
Với IR17 = (2.23)
R 17
35
2.8.3 Mạch so sánh khuyếch đại vi sai
Hình 2.17 Mạch so sánh khếch đại vi sai
Giả sử Opamp là lý tưởng:

Có VN = VP
i+ = i- = 0
=> Phương trình điện áp tại điểm N là
Vlm−VN Vout−VN
+ =0
R 13 R 16
Vout Vlm 1 1
=> =- + VN ( + )
R 16 R 13 R 13 R 16
36
Vlm R 13+ R 16
=- + VN
R 13 R 13. R16
R 15
Mà: VN=VP=Vch
R 17+ R15
Chọn: R14=R13, R16=R15
R 16
= > VN=VP=Vch
R 13+ R 16
R 13+ R 16 Vout Vlm R 16 R 13+ R 16

=> =- + Vch .
R 13. R16 R 16 R 13 R 13+ R 16 R 13. R16
Vout Vlm Vch

=> = - +
R 16 R 13 R 13
R 16
= > Vout= (Vch – Vlm)
R13
R 16
Đăt K0 = V = K1VLC (2.24)
R13 , lm
=> Vout= Ko (Vch – K1VLC ) (2.25)
2.8.4 Mạch đệm
Hình 2.18 Mạch Opam đêm
37
Mạch khuếch đại đệm dùng để giới hạn những ảnh hưởng của tải hay để phối hợp tổng
trở ổn đinh điện áp đầu rá
Có: Vout = Vht (2.26)
2.9. Kết luận chương

Chương này cung cấp cho ta những kiến thức liên quan về các linh kiện được sử dụng
trong mạch. Từ đó chúng ta vận dụng vào việc thiết kế mạch tối ưu dựa trên các thông số
của linh kiện, đảm bảo mạch hoạt động ổn định và tiết kiệm tối đa chi phí làm mạch
38
CHƯƠNG III:,THIẾT THẾ, MÔ PHỎNG VÀ THI CÔNG MẠCH
3.1 Giới thiệu chương

Trên cơ sở chương 1 và 2 chúng ta đi vào thiết kế và thi công cụ thể toàn bộ các khối của
mạch ổn áp xung buck.
- Tính toán mạch lọc LC
- Tính chọn Mosfet
- Tính toán mạch điều khiển Mosfet
- Tính toán mạch tạo xung (Astable)
- Tính toán mạch xén
- Tính mạch điều chế đô rông xung (monostable)
- Tính toán mach hồi tiếp
3.2 Yêu cầu thiết kế

Yêu cầu: + Tần số làm việc f = 10Khz,
+ Điện áp trung bình đầu ra VO = 10 v
+ Điên áp đầu vào VIN = 12 ÷ 18 v
+ Dòng trung bình đầu ra IO = 5A
+ Độ gợn áp đỉnh △ V o = 0,1 v
+ Độ gợn dòng đỉnh △ I o = 0,1 A
39
3.3 Sơ đồ mạch tổng thể
Hình 3.1 Sơ đồ mạch tổng thể
40
3.4, Tính toán mạch lọc LC
Hình 3.2 Sơ đồ mạch lọc LC
VO 10
Theo công thứ (2.10) => Lmin =
(1−
V INmax
)V O
= ( 1− ) .10
18 = 4,44.10 −3
H
f △ IO 10000.0,1
Chọn L = 4,5 mH
VO
Theo công thứ (2.11) => Cmin =
(1−
V INmax
)V O
= (1− 1018 ) .10 = 1,2345 . 10−5
8 f2L△ VO 8.(10000)2 .4,5 .10−3 .0,1
F = 12,345 μF
Chọn C = 22 μF
Tụ C phải chiệu được điện áp lớn hơn (1,5÷2).VO = 2.10 = 20V
=> Chọn tụ Hóa 22 μF/50V
Điều kiện chọn Diode xung

Dòng qua Diode ID ≥ 1,5.Imax
Với Imax = Io + △ I o = 5+ 0,1 = 5,1 A
-> ID ≥ 1,5.5,1 = 7,65 A
Điện áp ngược cực đại trên Diode VD ≥ (3÷4)VInmax = 4.18 = 72 V
41
-> VKA ≥ 72 V
=> Chọn Diode MBR20100CT có:
ID = 20A
VKA = 100 V
Tính chọn thông số dây quấn cho cuộn cảm
I
Theo công thức (2.14) S =
J
Với j chọn theo bảng 3.1 mật độ dòng điện sau.
Bảng 3.1 mật độ dòng điện j A/mm2
Loại dây dẫn Mật độ dòng điện với Tmax giờ
1000 - 3000 3000 - 5000 >5000
1, dây dẫn và thanh

dẫn trần
-Bằng đồng 2,1 1,8
2,5
- Bằng nhôm, 1,1 1,0

1,3
nhôm lõi thép
2,Cáp cách điện

bằng giấy
3,0 2,5 2,0
- Bằng đồng
- Bằng nhôm 1,6 1,4 1,2
42
3, Cáp cách điện

bằng cao su
-Bằng đồng 3,5 3,1 2,7
-Bằng nhôm
1,9 1,7 1,5
Chọn J trong khoảng từ 2 ÷ 3 với dây dẫn đồng cách điện
I 5
=> S = = = 2 mm2
J 2,5
S 2
Chon dây đồng có đường kính d = 2
√ √
π
=2
π
= 1,59mm chọn dây đồng có đường kính
2mm
Chọn lõi để quấn dây là lõi hình xuyến có R = 18 mm.
r = 12 mm.
h = 15 mm.
Vật liệu làm lõi là Ferit có µ = 750 -15000 (H/m)
Với lõi Ferit không có nhãn hiệu chọn µ =7000 (H/m)
Theo công thức (2.13)
L 4,5. 10−3
N=
√ 2. 10−7 h . ln
R =
r
μ
√ 2. 10−7 15.10−3 . ln
18
12
.7000
= 23 (Vòng)
43
3.5. Tính chọn Mosfet
Dựa vào Hình 1 khối Buck transistor đóng và Hình 2 khối Buck khi transistor mở
Ta thấy vị trí của mosfet có cực nối với nguồn. Vì vậy Chọn mosfet kênh P để dễ dang
tạo điện áp VGS để dẫn bão hòa mosfet.
Điều kiện chọn mosfet
Điện áp đặt trên mosfet
|VDS| > (1,5 ÷2)VIN(max) = 2. 18 = 36 v.
Dòng qua mosfet
|ID| > (1,5 ÷2)Imax =(1,5 ÷2) ( IO + △ I o) = 2. (5+0.1) = 10,2 A
Công suất của mosfet
2
Pmosfet > (1,5 ÷2). Ptt = 2. RDS(on) . ( I 0 +△ I o )
= 2.20.10−3 .5,12 = 1,0404W
Với RDS(on) của mosfet thông dụng khoảng 5mΩ ÷ 50mΩ
=> chọn RDS(on) 20mΩ
Vậy ta chọn mosft IRF4905 là mosfet trường cảm ứng có các thống số như sau:
P = 200W
VDSS = -55V
ID = -74A
Vgs(th) = -2 ÷-4 V
44
Hình 3.3 Đặc tuyến –VDS, -ID của Mosfet IRF4905
Theo hình 3.3 ta tính được K = -20(A/V2)

Để Mosfet dẫn bão hòa thì ID = - Imax = - Io = -5A
ID = K(VGS - Vgs(th)(min) )2
 -5 = -20(VGs - - 4)2
=> VGS = -3,5 V
Vậy mosfet dẫn bão hòa khi VGS ≤ - 3,5 V.
3.6 Tính toán mạch điều khiển Mosfet

(Hình 2.2)
Tính chọn Q7
Chọn R23 = 10KHz
Giả sử VCES của BJTQ2 = 0,25 V ta có
V ¿ (max )−V 18−0,25

-> IR23(max) = CES
= = 1,775 mA
R2 10000
=> Điều kiện chọn Q7
Công suất của BJT PQ7(max) > 2.Ptt = 2 . VCES. IR4(max) = 0,8875 mW
Hiêu điện thế đặt trên BJT VCEO > 2. Vin(max) = 2.18 = 36 V
Dòng qua BJT IC(max) > 2. IR1(max) = 2. 1,775 = 3,55 mA.
Vậy ta chọn BJT C1815 có các thông số như sau :
VCEO = 50V
P(max) = 400mW
45
IC(max) = 150mA
𝛽min = 25
Vbes = 1 V
Vces = 0,25 V
-> PR23(max) = IR23(max) . (Vin(max) -Vces)
= 1,75 . 10−3 .(18 – 0,25) = 0,0315 W
=>Chọn R23 = 10K Ω / 0,25 W.
Để đảm bảo Q7 hoạt động ở chế độ bảo hòa thì

+ VbeQ7 ≥ Vbes = 1 V
I R 24(min¿) V ¿ (min )−V 12−0,25

+ Dòng qua IBQ7(min) = ¿= CES
= = 0,047mA
βmin R 2. βmin 25.10000
=> Chọn IBQ7 ≥ 3. IBQ7(min) = 3. 0,047 = 0,141 mA
Voutmono−Vbe 12−1,73−1
=> R24(max) = I BQ 7 = ≈65744 Ω
0,141 . 10−3
=> Chọn R24 = 47KΩ
(12−1,73−1)2
PR6 = ¿ ¿ = = 1,82mW
47000
Chọn R24 = 47KΩ / 0,25W.
Để Vbe > 1V thì VR34 > 1 V
V outmono V R 34. V outmono

Với = R 34 => VR34 = > 1V
R 24 + R 34 R 34 R 24+ R 34
R 24 47000
=> R34 ≥ V = = 5683 Ω
outmono −1 12−1,73−1
R 34. V outmono 10000.( 12−1,173−1)

Chon R34 = 10K Ω -> VR34 = =¿ = 1,62V
R 24+ R 34 47000+10000
V R 342 1,622
Công suất qua R34 : PR34 = = = 2,6mW
R 34 1000
=> Chon R34 10kΩ /0,25W
46
Chọn Q6 là A1015 vì Q6 chỉ có tác dụng xả điện áp chân G về 0 nên chọn BJT thông
dụng ngoài thị trường có các thông số như sau:
VCEO = -50V
P(max) = 400mW
IC(max) = -150mA
𝛽min = 25
Vce = -0,1 V
Vbes =-11 V
Theo datasheet của IRF4905 thì giá trị tụ ký sinh trung bình khoảng 640nF, và với yêu
cầu tần số 10Khz => chu kỳ là việc T = 100μs
Vậy để tạo xung vuông kích dẫn Mosfet thì thời hằng nạp tụ phải bé
10.10−6
TRC = 0,1T =0,1.100μs = 10μs = R20C => R20 = =15,625
640.10−9
=> Chọn R20 =10
Tính chọn Q2
Chọn R21 = 10k
Giả sử VCES của BJTQ4 = 0,25 V ta có
V ¿ (max )−V 18−0,25

-> IR21(max) = CES
= = 1,775 mA
R2 10000
=> Điều kiện chọn Q2
Công suất của BJT PQ2(max) ≥ 2.Ptt = 2 .VCES. IR24(max)
=2.0,25.1,775.10−3 = 0,8875 mW
Hiêu điện thế đặt trên BJT VCEO > 2. Vin(max) = 2.18 = 36 V
47
Dòng qua BJT IC(max) > 2. IR1(max) = 2. 1,775 = 3,55 mA.
Vậy ta chọn BJT C1815 có các thông số như sau :
VCEO = 50V
P(max) = 400mW
IC(max) = 150mA
𝛽min = 25
Vbes = 1 V
Vces = 0,25 V
-> PR21(max) = IR21(max) . (Vin(max) -Vces)= 1,775. 10−3 .(18 – 0,25)
= 31,5 mW
Để đảm bảo Q2 hoạt động ở chế độ bảo hòa thì:
+ VbeQ2 > Vbes = 1 V
I R 21(min) V ¿ (min )− V 12−0,25

+ Dòng qua IBQ4(min) = = CES
= = 0,047mA
βmin R 2. βmin 25.10000
Chọn dòng IBQ4 ≥ 3. IBQ4(min) = 0,141 mA
Vinmin−Vbe 12−1
=> R23(max) = I BQ 4 = ≈78014 Ω
0,141. 10−3
=> Vậy R23 = 10KΩ thỏa mãn điều kiện trên
(18−1)2
PR23 = ¿ ¿ = = 0,02898W
10000
48
3.7 Tính toán mạch tạo xung (Astable)
Hình 3.4 Sơ đồ mạch Astable thiết kế
Với V o =10.
49
Ta có V cc=¿ V o +1,73 V . Chọn V cc =12V .
có các thông số :
Chọn IC555 là NE 17555.
-Nguồn cung cấp : V cc =12V .
-Dòng tiêu thụ trung bình : I tb =10 mA .
-Công suất tiêu tán : 600 mW.
2 1
Khi V c ( T 1 ) =¿ . V cc => V (R + R )= . V cc
3 5 6
3
1
.V cc
 R5 + R6 =¿ 3
IR R 5 6
Chọn I R R ≫ I pc
5 6
Thiết kế I R R =50. I pc= 50.125 = 620 ( μA)

5 6
=> R5 + R6 =¿650 kΩ.
Chọn R5=R 6=325 kΩ.
Dùng hai con biến trở vi chỉnh 500kΩ để thay thế R5 , R 6.
Thời gian tồn tại xung chính là thời gian nạp xả tụ C 2.
Theo (2.18) thời gian nạp tụ C 2 là: T 1=0,7 C 2 R5
T 1
Ta có T 1= ¿>¿ 0,7 C 2 R5 = .
2 2f
1
1,4 f R5 .
¿>C 2=
Chọn C 2=220 pF.
50
Dòng tối đa qua R5 là :
2
.V 8
I R = 3 cc = =0,025 mA .
5
325
R5
Công suất tiêu tán trên R5 là:
P R =I R 2 . R 5=0,0252 .325=0,2 mW .
5 5
Dòng tối đa qua R6 là :
2
.V 8
I R = 3 cc = =0,025 mA .
6
325
R6
Công suất tiêu tán trên R6 là:
P R =I R 2 . R 6=0,025 2 .325=0,2mW .
6 6
Chọn D3 là loại 1N4001 với V RRM =50V ; I D =1 A
Chọn tụ C 3=0,01 μF để chống nhiễu.
3.8 Tính mạch xén
Hình 3.5 Sơ đồ mạch xén
51
Khi điện áp ngõ ra của mạch astable ở mức 0  tụ C 4 được nạp từ V cc qua R7 đến ngõ ra
của mạch astable. Để mạch monotable hoạt động được thì độ dài xung kích đưa vào
chân (2) của mạch mono phải nhỏ hơn thời gian tồn tại xung cuả mạch.
-Phương trình nạp tụ : vC ( t )=[ v C ( ∞ )−vC ( 0 ) ] . ¿) + vC ( 0 )

4 4 4 4
Với V C ( 0 ) =0,V C ( ∞ )=V cc

4 4
=>V C ( t )=V cc .¿ )
4
1
Gọi t 1 là thời gian nạp tụ C 4 được v
3 cc
1
V C ( t 1 )=V cc . ¿) = V
4
3 cc
 t 1= R8 C 4ln(1,5).
Gọi t x là thời gian tồn tại xung của mạch monotable.
v 0 là điện áp ngõ ra của ổn áp.
tx
1 t
Ta có v 0= ∫ v s d t=¿ x v s ¿
T 0 T
v0
 t x=
vs . f
+Áp vào v s=15 V
+Độ biến thiên áp vào: 12V->18V
+Áp ra v 0=10V
+Độ gợn :∆ v 0=0,1V
10
Khi v s= 15V => t x = = 66,67 μs.
0
15.10 4
52
10
v s= 12V => t x = = 83,33 μs.
0
12.10 4
10
v s= 18V => t x = = 55,55 μs.
0
18.10 4
1
Để đảm bảo độ rộng nhỏ hơn t x ta chọn t 1 ≤ t x = .55,55=11,11 μs .
min
5
11,11
 R8 C 4= =27,4.10−6
ln 1,5
Chọn C 4=22nF => R8= 857 Ω
Chọn R8= 820 Ω.
3.9 Tính mạch điều chế đô rông xung (monostable)
53
Hình 3.6 Sơ đồ mạch Monostable
Chọn IC555 là loại NE17555.
Tính mạch hoạt động bình thường với áp vào V s =15V
2 1
Khi V c 5=¿ . V cc => V R = . V cc
3 10
3
1
.V cc
 R10=¿ 3 .
IR 10
Thiết kế I R =50. I pc= 620 (uA).

10
Chọn R10=220 k Ω.
Dùng biến trở vi chỉnh 500k Ω để thay thế R10 .
2
Thời gian tồn tại xung t x chính là thời gian tụ C 5 nạp điện từ 0 đến V cc
3
54
Theo (2.20) thời gian nạp tụ C 5 là
T 0=R10 C 5 . ln 3 = t x 0
66,67.
 C 5= =225 pF
R 10 . ln 3 106
Chọn C 5=220 pF
2
v cc 8
Dòng nạp cực đại cho tụ C 5 : I R = 3 = = 0,036 mA.
10
220
R 10
2
Công suất tiêu tán trên R10 là P R = I R . R 10= 0,28 mW.
10 10
Ta có: τ 5 = R10 C 5 = 48,4 μs.
3.10 Tính toán mach hồi tiếp
3.10.1 Tính giá trị Vht đưa về mạch Monostable

Theo datashet của ic 555: Giá trị điện trở nội trung bình khoảng 10KΩ
Chọn R9 =5K6 Ω
55
Hình 3.7 Sơ đồ mạch tính Vht từ điện trở nội ic555
Giải mạch sơ đồ trên ta rút đươc công thức tính Vc5:
2 R 9 . Vcc 2 R . Vht
Vc5 = + 3R +2R .
3 R 9+ 2 R 9
V c5 ( 3 R 9+2 R )−2 R 9Vcc

=> Vht = (3.1)
2R
-Phương trình nạp tụ của C 5
V C ( t ) =V cc . ¿)
5
+ Khi V s = V ¿ = 12V ; t x = t x = 83,33 μs

min max
56
 V C =12 .¿) = 9,85 V

5
+ Khi V s = V ¿ = 15V ; t x = t x = 66,67 μs

tb 0
 V C =12 .¿) = 8,97 V

5
+ Khi V s = V ¿ = 18V ; t x = t x = 55,56 μs

max min
 V C =12 .¿) = 8,19V

5
Thay các giá trị VC5 vào (3.1)

Ta nhân đươc các giá tri Vht (3.2)
 Với Vin =18V => Vc5 = 8,19 => Vht = 8,35 V

Vin =15V => Vc5 = 8,97 => Vht = 9,7 V
Vin =12V => Vc5 = 9,85 => Vht = 11,412 V
3.10.2 Tính mạch tạo điên áp chuẩn

(Hình 2.16)
Với điện áp chuẩn là 5,1V

=>VR18  5,1
V Ta chọn diode 1N4733A, có VD = 5,1 V
IDmax = 178 mA
=> Để đảm Diode hoạt động tốt thì
Với IR1 << IDmax
I Dmax 178
Chọn IR1 < = = 89 ma
2 2
Vcc−V D
IR1 =
R1
57
Vcc−V D 12−5,1 12−5,1

=> IR1 < = => R1 > I = 77 Ω
R1 R1 R1
=> Chọn R1 = 1k Ω
3.10.3 Tính mạch so sánh khuyếch đại vi sai

(Hình 2.17)
Theo công thức (2.26) : Vout = Vht
Với các giá tri Vht ở ở giá trị (3.2) ta thấy giá trị Vhtmax = 11,412V
Omamp có thế suất ra giá tri ở mức cao là >11,412 V
Vậy ta chọn Opamp Lm358 có các thông số như sau
Vccmax = 36V
VOhmax ≈ Vcc – 2V
Hình 3.8 Sơ đồ chân của LM358.
Thay công thức thay công thức (2.26) vào (2.25)

=> Vht= Ko (Vch – K1VLC ) (3. 3)
Gía trị VLC trong 3 trường hợp khi: (3.4)
Vin = 18V => VLC = tx0f.Vin = 66,67.10−6 .10000.18 = 12V
Vin = 15V => VLC = tx0f.Vin = 66,67.10−6 .10000.15 = 10V
Vin = 12V => VLC = tx0f.Vin = 66,67.10−6 .10000.12 = 8V
Thay các giá trị Vht ở (3.2) giá trị VLC ở (3.4) vào công thức (3.3)
=> Ta giả đươc các giá tri KO = 3,405
58
K1 = 0,222
R 16
Theo công thức (2.33) K0 = = 3,405
R13
=> Chọn R16 = 1MΩ
R 16 1
=> R13 = = = 0,2936 MΩ = 293,6 KΩ
Ko 3,405
=> Chon R13 là vi trở 500kΩ
3.10.4 Tính toán mạch lấy mẫu

(Hình 2.15)
R 11 K 1
R12 = .
1−K 1
Chọn R11 = 100KΩ
100.0,222
=> R12 = = 28,62 KΩ
1−0,222
Chọn R12 là vi trở 50KΩ
3.11 Kết quả đo xung thưc tế.
59
60
Hình 3.9 Xung ra của khối Astable
61
Hình 3.10 Xung ra mạch Xén
62
Hình 3.11 Xung ra của khối Monostable
63
Hình 3.14 Xung ra của khối điều khiển Mosfet
64
Hình 3.12 Xung ra của Chân D Mosfet
65
3.12. Kết luận chương

Dựa vào các công thức được thiết lập ở chương 2 chúng em đã thiết kế được sơ đồ mạch,
tính toán giá trị của các linh kiện sử dụng trong mạch và chế tạo thành công mạch ổn áp
Buck
Tiến gia gia công mạch và đo xung, kết quả thực tế cho thấy:
Tần số xung vẫn không hoàn toàn chính xác như tính toán lý thuyết so sai số của linh
kiện điện tử có ngoài thì trường.
Biên dạng xung không hoàn toàn giống như theo lý thuyết do sai số của linh kiện.
66
KẾT LUẬN
Sau thời gian thực hiện đề tài nhóm đã tính toán ,thiết kế, và thi công thành công mạch ổn
áp xung buck và tiến hành thử nghiệm khả năng hoạt động. Tuy nhiên vẫn tồn tại một số
vấn đề cần khác phục về mạch hồi tiếp để đảm bảo khả năng ổn định của mạch .
Trong thời gian sắp tới nhóm sẻ tiến hành nghiên cứu để cải thiện thêm nhằm đảm bảo
khả năng ổn định của mạch.
Qua quá trình thực hiện đề tài nhóm đã đưa ra được một và đánh giá về ưu nhược điểm
của đề tài, cũng như bản thân từng thành viên
Ưu điểm :
- Thiết kế được mạch ổn áp cấp nguồn ổn định.

- Áp dụng được lý thuyết vào công việc tính toán thiết kế.
- Hiểu công dụng của các linh kiện cũng như cách thức xây dựng, bố trí và hoàn
thành một mạch điện tử.
- Nâng cao tày nghề thi công mạch điện tử.
- Mạch ổn áp nhỏ gọn, giá thành rẻ và dể dàng sử dụng.
- Mạch thiết kế không quá phức tạp, dể dàng mô phỏng bằng phần mền, linh kiện
điện tử phổ biến dể dàng tìm kiếm và giá thành rẻ.
Nhược điểm :
- Mạch hoạt động chưa được ổn định.

- Gia công mạch vẫn chưa hoàn toàn tối ưu.
Hưởng phát triển đề tài:
- Hoàn thiện mạch hồi tiếp để nâng cao khả năng ổn định của mạch ổn áp.
- Phát triển và tích hợp thêm mạch bảo vệ quá dòng, quá áp vào mạch ổn áp.
- Cùng với Buck nghiên cứu phát triển thêm về ổn áp xung Boost, Boost - Buck và
Cuk.
67
Trong thời gian thực hiện đồ án nhóm đã gặp phải nhiều khó khăn nhưng với sự hướng
dẫn tận tình của Thầy Nguyễn Văn Phòng và sự nỗ lực chúng em đã từng bước vượt qua
được và hoàn thành đồ án.
Tuy đã hoàn thành nhưng không thể tránh khỏi được những sai sót và hạn chế trong cách
thiết kế của nhóm mong được sự góp ý xây dựng của các thầy và các bạn để thiết kế của
nhóm được hoàn thiện hơn.
Chúng em xin chân thành cảm ơn!
68
TÀI LIÊU THAM KHẢO

[1] Nguyễn Văn Phòng, Giáo Trình Kỹ Thuât Xung Số
[2] Nguyễn Duy Nhật Viễn, Giáo Trình Điện Tử Công Suất
[3] Nguyễn Duy Nhật Viễn, Giáo Trình Kỹ Thuật Điện Tử
[4] Ngô Thanh Bình, Giáo Trình Linh Kiện Điện Tử Và Ứng Dụng, Nhà Xuất Bản Giáo
Dục
[5] Phạm Quốc Hải, Hướng Dẫn Thiết Kế Điên Tử Công Suất, Nhà Xuất Bản Khoa Học
Và Kỹ Thuật
[6] Nguyễn Hữu Khái, Thiết Kế Máy Điên Và Trâm Biến Áp, Nhà Xuất Bản Khoa Học
Và Kỹ Thuât.
[7] Lê Hùng, Điện Từ Học 2, Nhà Xuất Bản Giáo Dục Việt Nam.
[8] Trần Văn Thinh,Thiết Kế Cuộn Dây Và Biến Áp Trong Thiết Bi Điện Tử Công Suất,
Nhà Xuất Bản Giáo Duc Viêt Nam
[9] Trang Web Sử Dụng Datasheet: https://www.alldatasheet.com/
69
Phụ Lục
70
1, Datasheet C1815
71
72
73
2, Datasheet A1015
74
75
76
77
78
3, Datasheet A1943
79
80
81
4, Datasheet Omamp LM358
82
83
84
85
86
5, Datasheet IC Ne555
87
88
89
90
91
92
93
6, Datasheet IRF4905
94
95
96
97
7, Datasheet IC LM317
98
99
100
101

Thuết minh 5h39

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Thuết minh 5h39

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

ĐỒ ÁN ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG

SVTH : Nguyễn Trần Minh Tấn, Lớp 17CDT1, Nhóm Trưởng

LỜI NÓI ĐẦU

SVTH Nhóm 4 : Nguyễn Trần Minh Tấn

: Hoàng Đình Sao

: Nguyễn Tấn Hưng

Hình 3.3 Đặc tuyến –VDS, -ID của Mosfet IRF4905

3.2 Yêu cầu thiết kế......................................................................................................36

CHƯƠNG I: TỔNG QUAN VỀ ĐỀ TÀI

1.1 Giới thiệu chương

1.2. Tổng quan về ổn áp 1 chiều

+ Ổn áp theo nguyên lý hồi tiếp

1.2.1. Ổn áp tham số (ổn áp zenner)

Hình 1.1 Sơ đồ nguyên lý ổn áp zenner

. - Ưu điểm: Mạch đơn giản, dễ thực hiện

- Nhược điểm: Cho dòng ra nhỏ ( ≤20mA ) .

1.2.2. Ổn áp theo nguyên lý hồi tiếp

1.2.2.1. Ổn áp tuyến tính.

Có hai loại ổn áp tuyến tính chính:

+ Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn.

+ Ổn áp tuyến tính dùng vi mạch tích hợp.

a) Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn:

Hình 1.2. Ổn áp tuyến tính dùng linh kiện bán dẫn

b) Ổn áp tuyến tính dùng vi mạch tích hợp:

Hình 1.3 IC ổn áp 78xx, 79xx

+ Có tổn hao ít nên hiệu suất cao (thường trên 80%).

+ Phân tích, thiết kế phức tạp.

b) Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của ổn áp xung:

Hình 1.4. Sơ đồ khối ổn áp xung.

c) Phân loại ổn áp xung.

Hình 1.5. Sơ đồ mạch Buck

Đặc điểm của ổn áp Buck:

+ Điện áp ngõ ra luôn nhỏ hơn điện áp ngõ vào.

Hình 1.6. Sơ đồ mạch Boost.

Đặc điểm của ổn áp Boost:

+ Điện áp ngõ ra luôn lớn hơn điện áp ngõ vào.

Hình 1.7. Sơ đồ mạch Buck-Boost.

Hình 1.8. Sơ đồ mạch Cuk.

- Đặc điểm của ổn áp này là:

+ Dòng điện vào - ra ổn định với dòng gợn bé

+ Cực tính ngược với điện áp ngõ vào.

1.3 Kết luận chương.

CHƯƠNG II: CƠ SỞ LÝ THUYẾT

2.1. Giới thiệu chương

2.2. Phương pháp tính toán mạch lọc LC

Hình 2.1 Sơ đồ Buck khi transistor đóng

Bắt đầu khi transistor đóng ở tại thời điểm bằng t = 0,

Hình 2.2 Sơ đồ Buck khi transistor mở

Bắt đầu khi transistor mở tại t = t1.

△ I L độ gợn dòng đỉnh - đỉnh của cuộn L

Theo định luật Kirchoff’s với dòng điện tức thời: iC = iL – iO

Điện áp trung bình trên tụ

Thay △ I L từ (1.4) vào (1.8) ta được

Biểu đồ dạng Sóng :

Hình 2.3 Sơ đồ dạng sóng của mạch ổn áp xung BUCK

2.3 Tính cuộn dây L:

Hình 2.4 Cấu tạo cuộn cảm L

Hệ số tự cảm L được tính theo công thức:

Trong đó N: số vòng dây

h: đường kính lõi ống dây

2.4, Lựa chọn Transistor

2.4.1 So sánh các loại transistor