İskenderun

Teknik
Üniversitesi

1.
Fakülte: Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi
Bölüm: Elektrik Elektronik Mühendisliği
Ders: Elektronik Devre Elemanları 1
Dönem: 2021 – 2022 (Güz)
Öğretim üyesi: Dr. Öğr. Üyesi Vedat ÖZKANER Hafta

Temel Katı Hal Prensipleri

(Fundamental Solid-State Principles)
Bazı Malzemelerin 293 K'da Elektriksel
Direnci ve İletkenliği

Bohr Atom Modeli

Yörüngeler K dan Q’e olan harflerle tanımlanır

 İletkenlik ve Valens elektronlar arasındaki ilişki
İletkenlik artan valens elektronların sayısıyla azalır.

1 valens elektron iyi bir iletken

8 valens electron yalıtkan

(Max = 8)

Yarıiletken atomlar

4 valens elektron yarıiletken

Silisyum (Si) Germenyum (Ge) Karbon (C)

 Enerji Seviyeleri
• Elektronlar sadece kendi yörüngeleri
etrafında döner.
• Her bir yörünge kendine ait bir
enerjiye sahiptir.
• Eğer bir elektron yeteri kadar enerji
alırsa (iki yörünge arasında enerji
farkına eşit ) bulunduğu yörünge
kabuğundan bir üst yörünge
kabuğuna atlar.
• Elektron daha yüksek enerjili kabuğa
atladıktan sonra, tekrar enerjisini
vererek daha düşük enerjili kabuğuna
geri döner.

Silikon enerji genişliği ve seviyeleri

1.8 eV – 0.7 eV = 1.1 eV

 Enerji Bandları
Yalıtkan, Yarıiletken, İletken

Kovalent Bağ
Kovalent bağ iki veya daha fazla atomun valens elektronlarını ortaklaşa
kullanılmasıyla oluşan bir bağdır. Atomların her biri komşu bir atom ile 1 veya
daha fazla elektronlarını paylaşmaktadır
 Bir elektron-delik çiftinin oluşumu (Generation of an electron-hole pair)

Taşıyıcı konsantrasyonu
• Isıl dengede taşıyıcı konsantrasyonu

n  p  ni EG(eV)
Karbon 5.47
3  EG kT
ni  BT e
2
silisyum 1.12
Germanyum 0.66
• Si için Oda sıcaklığında (T=300K), Kalay 0.082
B  5.4  1031 galyum arsenit 1.42
galyum nitrür 3.49
EG  1.12 eV
silisyum karbür 7.50
k  8.62  105 eV/K (k: Boltzmann sabiti)
ni  1.5  1010  taşıyıcı/cm 3 

Silikon kırıstali  5  1022  atom/cm 3 

 Yaygın olarak kullanılan katkılama (doping) elementleri

p-tipi n-tipi
(p-Type) (n-Type)
Aluminum (Al) Phosphorus (P)

Gallium (Ga) Arsenic (As)

Boron (B) Antimony (Sb)

Indium (In) Bismuth (Bi)

(Acceptor impurities) (Donor impurities)

katkılı yarıiletken —— n tipi

(Doped semiconductor——n type)

Si Si Si Si Si Si Si

free e
Si Si Si Si Si Si Si

P Donor
Si Si Si +
Si Si Si Si

bound charge
Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si
 n-tipi malzeme ve onun enerji diyagramı

n-tipi malzemenin iletkenliği daha fazla serbest

haldeki elektronlar yüzünden arttı
 n n 0  p n 0   ni2 nn 0  pn 0  N D
nn0   ni   pn0 nn0  N D
nn0  pn0   ni 
 pn0  ni / N D
2

p tipi malzeme

Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si

Al Hole Acceptor
Si Si Si -
Si Si Si Si

bound charge
Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si
 p-tipi malzeme ve onun enerji diyagramı

valens bandındaki artan boşluklar yüzünden p-tipi

malzemenin iletkenliği artmıştır.
 p  n   n
p0 p0 i
2
p p0  np0  N A

p p0  ni  np0  p p0  N A

p p0  np0  ni n
 p0  n2
i / NA

Katkılama Yoğunluğu
her 105 ile 108 Si atomuna karşılık 1 katkılama atomu
ve yaklaşık olarak 1022 Si atom/cm3

1017 ile 1014 katkılama atom/cm3

• Her 108 Si atomuna karşılık bir katkılama, 30°C iletkenlik

24,100 çarpanıyla çarpılır.

• Katkılanan yarıiletkendeki iletkenlik sıcaklığa daha az

bağımlıdır.
 pn-birleşimi (pn-junction )

(a) (b)

Drift

 
vh   p E
 
ve    n E

• Yüklü parçacıklarının bir elektrik alanı nedeniyle hareket ettiği

sürece sürüklenme denir.
• Yüklü parçacıkları, elektrik alanıyla orantılı bir hızda hareket
edecektir.
 Current Flow: General Case

I  v  W  h  n  q

Current Flow: Drift

J n  n E  n  q

J tot  n E  n  q   p E  p  q

 q(  n n   p p ) E

• Hız E eşit olduğundan, v yerin E konularak drift akımı elde edilir.

• Toplam akım yoğunluğu hem elektronlardan hem de deliklerden
oluşur.
 Diffusion

• Yük parçacıkları, yüksek konsantrasyonlu bir bölgeden düşük

konsantrasyonlu bir bölgeye hareket eder. Sudaki bir mürekkep
damlacığının bir örneğine benzer.

Current Flow: Diffusion

dn dp
I  AqDn J p   qD p
dx dx
dn dp
dn J tot  q( Dn  Dp )
J n  qDn dx dx
dx

• Difüzyon akımı, akım akış yönü boyunca yük gradyanı (dn/dx) ile
orantılıdır.
• Toplam akım yoğunluğu hem elektronlardan hem de deliklerden
oluşur.
 Einstein's Relation

D kT

 q
• Sürüklenme ve yayılma akımlarının ardında yatan fizik tamamen
farklı olsa da, Einstein'ın ilişkisi ikisi arasında gizemli bir bağlantı
sağlar.

Boşalma (depletion) bölgesinin oluşması

 I drift , p  I diff , p

I drift ,n  I diff ,n

Dengede, bir yönde akan sürüklenme akımı, ters yönde akan difüzyon akımını sıfırlayarak net
bir sıfır akım yaratır.
Şekil, PN bağlantısının yük profilini gösterir.
 dp
qp pE  qDp p p
dV
 Dp
dp
dx dx dx
x2 pn
dp Dp pp
p  dV Dp  V( x2 ) V( x1)  ln
x1 pp
p p pn

kT pp kT N N
V0  ln , V0  ln A 2 D
q pn q ni

Elektrik
alan

Toplam (+) = 21 Toplam (+) = 19

Toplam (-) = 20 Toplam (-) = 20
Net yük = +1 Net yük = -1
• Boşalma Bölgesi (Depletion layer or depletion region) yük taşıyıcılarının
boşaltıldığı pn eklemi çevresindeki alandır

• Bariyer potansiyeli (Barrier potential) bir pn eklemi üzerindeki doğal potansiyeldir.

(Bariyer potansiyeli mV aralığında)
N AN
V 0  V T ln ( D
)
n i2
KUTUPLAMA (bias)
• pn birleşimine bir potansiyel uygularsak boşalma bölgesinin
genişliğini ayarlayabiliriz.

• İleri yön Kutuplama (Forward bias) boşalma bölgesini azaltan bir

potansiyeldir .
• Ters Yön Kutuplama (Reverse bias) boşalma bölgesini artıran bir
potansiyeldir.

Ters kutuplama

• Bir pn birleşiminde N-tipi bölgesi, P-tipi bölgesinden daha yüksek bir

potansiyele bağlandığında, pn birleşimi ters yön kutuplama altındadır, bu
da daha geniş bir boşalma bölgesi ve jonksiyon boyunca daha büyük bir
elektrik alanı ile sonuçlanır.
 Voltage-Dependent Capacitor

• PN birleşimi bir kondansatör olarak görülebilir. VR'yi değiştirerek,

boşalma bölgesi genişliği değişir, boşalma bölgesinin değişmesi
kapasitansın değişmesine neden olur, bu nedenle, PN birleşimi aslında
voltaja bağlı bir kapasitördür.

Voltage-Dependent Capacitance
C j0
Cj 
VR
1
V0

 si q N A N D 1
C j0 
2 N A  N D V0
 İLERİ YÖN KUTUPLAMA

• Bir pn birleşimin N-tipi bölgesi, P-tipi bölgesinden daha düşük bir

potansiyelde olduğunda, pn birleşimi ileri yönde kutuplanmıştır.
• Boşalma bölgesi genişliği azalır ve elektrik alan azalır..

İleri yön kutuplamanın etkisi

n p n p

V V
SW1 SW1

(a)Kutuplanmamış pn jonksiyonu (b) SW1 kapatıldığında yük hareketi

n p
n p

Rn Rp
V
SW1
Rb

(d) Bulk direnci

(c) Boşalma bölgesi azaldıkça
iletkenlik artacaktır.
 Ters yön kutuplamanın etkisi

n p n p

V V
SW1 SW1

(a) İltimdeki pn birleşimi (b) Akım olmadığında boşalma

bölgesi tekrar oluşur

n p

V
SW1

(c) Kutuplama tersine dönüşürse, yük

taşıyıcılar birleşme bölgesinden
uzaklaşacağı için boşalma bölgesi genişler.

İleri ve ters yön kutuplama

+V

-V
Kutuplama Jonksiyon Kutupları Jonksiyon Direnci
Tipi
İleri n-tipi p-tipinden daha (-) ise Oldukça düşük
Ters p-tipi n-tipinden daha (-) ise Oldukça yüksek