BÖLÜM 2

Diyotlar

PN-jonksiyon diyot (sembolü)

İleri Yön
Kutuplama
 Ters Yön Kutuplama

Diyotun V-I Grafiği

İleri yön
çalışma
bölgesi

Ters yön çalışma

bölgesi
 Diyot Denklemi ( Gerçek Model )
I D  diyot Akımı, A
VD  diyot voltajı, V (pozitif, ileri yön kutuplama için)
 VVD 
I D  I S  e  1
T I S  doyum akımı ( saturation current), A
    emisyon sabiti (emission coefficient ) 1    2 
 
kT T
VT  ısıl voltaj (thermal voltage)  
q 11, 600
k (Boltzmann sabiti)  1.38  1023 J/°K
T (Kelvin) = 273+T  °C  ;C (derece)
q (bir elektronun yükü) = 1.6  10-19C; C (Coulombs)
VD
VT
I D  I s (e  1)
 VD
  VT
ID   I se İ le r i y ö n k u tu p la m a iç in
  I s T e r s y ö n k u tu p la m a iç in

Örnek_1: Bir silikon diyot için, ileri yön voltajı 0.7V iken üzerinden akan akım 1mA ise
n=1 ve n=2 için IS=?. (VT=25mV)
VD VD

VT VT
I D  I se  Is  I De
0.7
 1 I s  10 e3 25103
 6.9  1016 A
0.7
2 I s  103 e 2 25103
 8.3  1010 A
Örnek_2: Bir silikon diyot için, ileri yön voltajı 0.7V iken üzerinden akan akım
1mA ise diyot üzerinden akan akım ID=0.1mA ve 10mA için diyot üzerine
düşen voltajı bulunuz. (n=1 , VT=25mV)
VD VD

 VT  VT
I D  I se  Is  I De
 0.7
 1 I s  10  3 e 25  10  3
 6.9  10  16 A

I D1 10  4
I D 1  0.1 m A için  V D 1   V T ln   25  10  ln
3
 0.64V
Is 6.9  10  16
ID2 10  2
I D 2  10 m A için  V D 2   V T ln   25  10  3  ln  0.76V
Is 6.9  10  16
Örnek_3: Şekilde verilen devrede diyotlar özdeş ise V0=2V olması için gerekli
olan I akımını bulunuz. (n=1, Is= 10 -14 A, VT=25mV). Eğer çıkıştan 1mA akım
çekilirse bu durumda çıkış voltaj değişimini hesaplayınız.

Verilenler   1, I S  1014 A, Vo  2V
vo 2
Her bir diyot üzerine düşen voltaj  vD 
3 3
vD 2
3
14
I D1  I S e ηVT
 10 e 0.025
 3.81mA
(b)
Yük akımı  1mA, ise I D 2  2.81mA
(vD 2  vD 2 ) (vD 2  2 / 3 )
ID2
e 0.025
e 0.025
I D1
Δvo  vO 2  v01  22.8mV

Örnek_4: Şekilde verilen devrede D1 diyotunun jonksiyon alanı D2’den 10 kat

daha fazla ise V0 değerini hesaplayınız. (n=1, VT=25mV)
VD 1 VD 2
VT VT
I D1  I S 1e , I D 2  I S 2e , I S 1  10 I S 2
VD 1
VT
I D1  10 I S 2 e
VD 2
VT VD 2 VD1
ID2 I e VT
 S 2 VD1  0.1e ..............1
I D1
10 I S 2 eVT
10 I D 2
V0  VD 2  VD1  VT ln .................2
I D1
I1  I D 2  I D1  I D 2  I1  I D1..........3
 I D1  2mA, I D 2  10  2  8mA
80
V0  VD 2  VD1  0.025  ln  92.2mV
2
Örnek_5: Şekilde verilen devrede D1 diyotunun jonksiyon alanı D2’den 10 kat
daha fazla ise V0=50 mV olması için I2 akım kaynağının değerini hesaplayınız.
(n=1, VT=25mV)

V0  50mV için I D1  I 2 değeri

I D1  0.01  I D 2
VD 2 VD 1 50mV
ID2 VT 1 25mV 
 0.1e  0.1e  0.1e2
I D1
I1=10mA
ID2
 0.1e 2
0.01  I D 2
D2 D1
I D 2  4.25mA V0
I2
I D1  (10  4.25)  5.75mA

Örnek_6: Şekilde verilen devrede diyotlar özdeştir. Diyot üzerine 0.7V

düştüğünde diyot üzerinden akan akım 10mA, 0.8V düştüğünde diyot üzerinden
akan akım 100mA ise n=?. V0 = 80 mV olması için R değerini bulunuz. (VT=25mV)
Diyotlar özdeş olduğunda I S , ,VT aynıdır.
Test 1  VD1  0.7V ise I D1  10 mA
Test 2  VD2  0.8V ise I D 2  100 mA
I D2
VD 2  VD1  VT ln
I D1
 100  I=10mA
0.8  0.7    0.025   ln 
 10 
  1.739
I D2 D1
V0  VD 2  VD1  VT ln D 2
I D1 V0
 0.01  I D1 
V0  0.08   1.737  0.025   ln  R
 I D1 
I D1  1.4mA
V 80
R   57.1 
I D1 1.4
Örnek_7: Şekilde verilen devrede VR1 = 1.4V ise D2 diyotun IS2=? (VT=26mV)
D1 için    1, I S =  7.55  1014  A
D 2 için    1, I S = ?
1.4
I R1   2mA
0.7
VD 1
VT
I R1  I D1  I S e
VD 1

 2  10 3
   7.55 e 1 0.026 

VD1  0.62V

Vx  1.4  VD1  1.4  0.62  2.02V

I D 2  3  I D1  3  2  1mA
VD 2
Vx  VD 2  I D 2 R2 VT
ID2  IS e
2.02  VD 2  11.35  0.67
VD 2  0.67 V 1 10   I S e
3 1 0.026 

I S   6.43 1015  A

DİYOT Dr. Vedat ÖZKANER 10

Örnek_8: Şekilde verilen devrede diyotlar özdeştir.diyotlar üzerine düşen voltaj

0.7V ise akan akım 1mA ise V0=? (n=1, Is=691.44x10-18A)
VD
VT
ID  IS e
0.7

1 10 3
   691.44 10 18
e 1VT 

VT  25 mV
I D1  I D 2  I D 3  I D 5  I D 6  1mA
VD1  VD 2  VD 3  VD 5  VD 6  0.7 V

I D 4  3mA
VD 4
VT
ID4  IS e
VD 4

 3 10 3
   691.44  10  e 18 1 0.025

VD 4  0.727 V V0  10  VD 3  VD 4  VD 6
V0  10  0.7  0.727  0.7
V0  7.873V
Ödev_1: Şekilde verilen devre için; IS=10-9A, n=2, VT=25mV ise
V0=0.75V olması için R direncinin değeri nedir.

Diyot Modelleri
Şekilde verilen devreden akan akımı bulunuz.
E  VD1  I D1 R
VD 1
 1
E  VD1  I S e ηVT
R
VD 1 IS 1014 A
5  VD1  1014 e   0.025
1
1 VT  25mV

Diyot Modeli Uygulama

İdeal Hata arama
Matematiksel devre analizi
Sabit Voltaj
Verilen bir uygulama için bir diyotun
Düşüm (Pratik)
uygunluğunun belirlenmesi
Devre geliştirme (mühendislik)
Özel durumlu devre analizleri
Tam
Ölçülen ve tahmin edilen devre değerlerinin
arasındaki farkı açıklamak için
 İdeal diyotun karakteristikleri

İdeal diyot Karakteristikleri

İleri yön kutuplama Ters yön kutuplama

(+) (-) (-) (+)
Kutuplama
IF
ON OFF
Eşdeğer Devre

Eleman Direnci Sıfır Sonsuz

A-K akımı, devredeki

diğer devre elemanları
Eleman Akımı vasıtasıyla hesaplanır Sıfır

Uygulanan voltaja
A-K voltajı Sıfır
eşittir
 Sabit Voltaj düşüm modeli

V D ( on )  0 . 7 V Silisyum için
V D ( on )  0 . 25 V Germenyum için

DİYOT Dr. Vedat ÖZKANER 17

Örnek_9 VD1  0.7V (SVD için)

VR1  VS  VD1  5V  0.7V  4.3V

VR1 4.3V
I   4.3mA
R1 1kΩ

Değer İdeal Pratik

(SVD)
VF 0V 0.7 V
VR1 5V 4.3 V
I 5 mA 4.3 mA
Örnek_10: SVD için
VR1  VS  VD1  6V  0.7V
V  5.3V
R1 VR1 5.3V
I   530μA
I 10 k R1 10kΩ

İdeal diyot için

VS
D1
6V VR1 6V
I   600μA
R1 10kΩ

% hata
X -X'
%  (hata)   100
X

Burada X = ölçülen değer

X’ = hesaplanan değer

Örnek_9 için,
4.3V  5V
%  100  16.28%
4.3V
Örnek_11: Diyotların eşik seviye voltaj VD=0.7 V ise I akımını hesaplayınız

R1 VS  VD1
I 1.2 k I
R1  R2
D1
R2 5V  0.7V
VS 
5V 2.2 k 1.2kΩ  2.2kΩ
 1.26mA

VS  VD1  VD 2
I
R1
4V  0.7V  0.7V

5.1kΩ
 509.8μA

Örnek_12: Diyotların eşik seviye voltaj VD=0.7V ise I akımını hesaplayınız

VS 10V
I ideal    3.03mA
R1  R2 1.5kΩ  1.8kΩ

VS  VD1  VD 2 10V  0.7V  0.7V

I pra  
R1  R2 1.5kΩ  1.8kΩ
 2.61mA

2.61mA  3.03mA
% =  100  16.1%
2.61mA
 Örnek_13: Aşağıda verilen devrelerin I ve V0 bulunuz.
5V 5V

2K 2K

I I V0 I V0
I V0 V0

2K 2K

-5V -5V

Örnek_14 Aşağıda verilen devre için diyotları ideal kabul ederek

her bir diyot üzerinden akan akımları ve V0 bulunuz.
 D1 ve D2 diyotların iletimde olduğunu kabul edersek
Çözüm_14:
Vx  0
10  0
ID2   1mA
10

0   10 
I3   2 mA
5

I D1  I D 2  I 3
I D1  1mA
I D1  1  2

V0  0

Örnek_15: Aşağıda verilen devre için diyotları ideal kabul ederek

her bir diyot üzerinden akan akımları ve V0 bulunuz.

26
 D1 ve D2 diyotların iletimde olduğunu kabul edersek
Çözüm_15:
Vx  0

10  0
ID2   2 mA
5
0   10 
I3   1mA
10
I D1  I D 2  I 3 I D1  1mA
I D1  2  1

D1 kesimde ve D2 iletimde olduğunu kabul edersek

10   10 
ID2   1.33mA
15
V0   I D 2 10   10
V0  1.3310   10
D1 kesimde mi ?
V0  3.3V

Ödev_1: 5V
5V

I1 10K
I1 5K

D2
D1
D2 V0
D1 I2
V0 5K
I2 10K I3

I3
-5V

-5V
Örnek_16: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları
VD=0.7 V ise her bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.

Çözüm_16: VD=0.7 V
D1 diyotu kesimdedir ID1=0
D2 ve D3 diyotlarının iletimde
olduğunu kabul edersek

V1  15  0.7  14.3 V
V1  V2 5  VD 3  V2 V2  (5)
 
R1 R3 R2
14.3  V2 5  0.7  V2 V2  5
 
V1  V2 14.3  8 1 1 5
I D2    6.3mA V2  8 V
R1 1

5  VD 3  V2 4.3  8
I D3    3.7 mA !!!!!
R3 1
Çözüm_16: VD=0.7 V D1 diyotu kesimdedir ID1=0
D3 kesimde ve
D2 iletimde olduğunu kabul edersek

ID2  IR2

15  0.7  (5) 19.3

ID2    3.22 mA
R1  R2 6

Test
V2  I D 2 R2  5   3.22  5   5

V2  11.1V

Örnek_17: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları

VD=0.7 V ise her bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.

-5V

D2

1K 1K 1K
10V -10V
R1 R2 R3
D1

2V

DİYOT
 Tüm diyotların iletimde olduğunu kabul edersek
Çözüm_17:
VA  2.7 V VB  5.7 V
VD=0.7 V
10  VA 10  2.7
I R1    7.3 mA
R1 1

VA  VB 2.7   5.7 
IR2    8.4 mA
R2 1

VB   10  5.7  10
I R3    4.3 mA
R3 1

I R1  I D1  I R 2
 I D1  1.1 mA !!!!!
7.3  I D1  8.4

I R 2  I D 2  I R3
 I D 2  4.1 mA !!!!!
8.4  I D 2  4.3

D1 ve D2 kesimde olduğunu kabul edersek

D1 ve D2 kesimde olduğunu kabul edersek

Çözüm_17: 10   10  20
I R1  I R 2  I R 3    6.67 mA
3 3

Test

VB   6.67  R3   10   6.67 1  10  3.3 V

VA  10  I R1 R1  10   6.67 1  3.3 V

D1 iletimde ve D2 kesimde olduğunu kabul edersek

 D1 iletimde ve D2 kesimde olduğunu kabul edersek
Çözüm_17: VA  2.7 V
10  VA 10  2.7
I R1    7.3 mA
R1 1

VA   10  2.7  10
I R 2  I R3    6.35 mA
R1  R2 2

I R1  I D1  I R 2
 I D1  0.95 mA
7.3  I D1  6.35

Test

VB   I R 3  R3   10 
VB   6.35  1  10  3.65 V

Eğer D1 kesimde D2 iletimde olduğunu kabul etseydik

Çözüm_17: VB  5.7 V
VD=0.7 V I R1  I R 2

10  VB 10   5.7 
I R1    7.85 mA
R1  R2 2
VB   10  5.7  10
I R3    4.3 mA
R3 1

I R 2  I D2  I R3
 I D 2  3.55 mA
7.85  I D 2  4.3
!!!!!

TEST
VA  10   I R1  R1   10   7.85 1  2.15 V
Örnek_18: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları
VD=0.7 V ise her bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.

Tüm diyotların iletimde olduğunu kabul edersek

Çözüm_18: VD=0.7 V Vx  10.7 V
10V
2V Vx  VD 2   20  10.7  0.7  20
IR2    0.411 A
ID1 R2 73
R1 100 Vx   2  10.7  2
D1 I R1    0.127 A
Vx R1 100
IR2 I D1  I R1  I R 2  0
IR1
 I D1  0.538A
R2
I D1  0.127  0.411
73

D2
D1 kesimde D2 iletimde olduğunu kabul edersek
73
2  VD 2   20  2  0.7  20
I R1  I R 2  I D 2    0.1 A
R1  R2 173
-20V
TEST

V x   I R 2  R2   VD 2  20   73  0.1  0.7  20
V x  12 V
 Örnek_19:
Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her bir diyot
üzerinden akan akımları bulunuz.

D1 ve D2 iletimde olduğunu kabul edersek

Çözüm_19: 8  VD1  I D1 R2  Vx
I D1  8  VD1  Vx
Vx  VD 2  I D 2 R4  16
I D 2  Vx  VD 2  16
Vx
I D1  4   ID2
R3
Vx
8  VD1  Vx  4   Vx  VD 2  16
1
Vx  9.33V

I D1  2.03mA
I D 2  7.37 mA

D1 ve D2 kesimde olduğunu kabul edersek

 D1 iletimde ve D2 kesimde olduğunu kabul edersek
Çözüm_19:
8  VD1  I D1 R2  Vx
I D1  8  VD1  Vx
Vx
I D1  4 
R3
Vx
8  VD1  Vx  4 
1
Vx  5.65V

I D1  1.65 mA
I D 2  0 mA

Ödev_2:
Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her bir diyot
üzerinden akan akımları bulunuz.
 Ödev_3:
Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise D2 diyotunun
iletime geçebilmesi için E1 kaynağının minimum değeri ne olmalıdır.

Ödev_4:
Aşağıda verilen devreler için diyotları ideal kabul ederek her bir diyot üzerinden akan
akımları bulunuz.

D3
D1 3K 7K 2.5K
10V -5V

D2

5V
D3
D1 8K 10K 12K
10V -5V

D2

5V
 Ödev_5:
Aşağıda verilen devreler için diyotları ideal kabul ederek her bir diyot üzerinden akan
akımları bulunuz. 2V

D3
D1 8K 10K 12K
-10V -5V

D2

D1
10K 10K 10K D3
-10V 12V

D2

5V

Ödev_6: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise
her bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.
Ödev_7: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise
her bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.

Ödev_8: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her
bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.

DİYOT Dr. Vedat ÖZKANER 46

Ödev_9: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her bir diyot
üzerinden akan akımları bulunuz.

Ödev_10: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her
bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.
Ödev_11: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her bir
diyot üzerinden akan akımları bulunuz.

Ödev_12: Aşağıda verilen devre için diyotların eşik seviye voltajları VD=0.7 V ise her
bir diyot üzerinden akan akımları bulunuz.
 Tam-model (parçalı model)

İleri yön
çalışma
VR bölgesi
RZ 
I R

Ters çalışma
bölgesi
VF
RB 
I F

Örnek_20
Şekilde verilen devre için diyotun eşik
seviye voltajı VD=0.7V ve RB=10 Ω ise I
akımını hesaplayınız

VS  VD1 5  0.7 4.3

I    4.2574 mA
R1  RB 1  0.01 1.01
Maksimum tekrarlamalı ters voltaj
(Repetitive Reverse Max. Voltage (VRRM))

IF

VRRM = -70 V
VR VF

IR

Bir diyota AC voltajın uygulanması

Diyot tipi Pik ters voltaj

1N4001 50
1N4002 100
1N4003 200
1N4004 400
1N4005 600
1N4006 800
1N4007 1000
 Örnek (ortalama ileri yön akımı I0)

Bir diyotun ileri yön ortalama

akımı I0 seçilirken, hesaplanan
diyot akımından en az %20
daha büyük olacak şekilde
seçilmelidir.

VS  VD1 50V  0.7V

I   246.5mA
200Ω 200Ω
I 0  1.2  246.5mA   295.8mA

Örnek (İleri Yön Güç Harcaması PD(max))

Bir diyotun ileri yön güç

harcaması PD(max) seçilirken,
gerçek değerinden en az % 20
daha büyük seçilmelidir

VS  VD1 10V  0.7V

I   93mA
RL 100Ω
PD  VD1 I   0.7V  93mA   65.1mW
PD (max)  1.2 PD  1.2  65.1mW   78.12 mW (minimum)
 I0 ile PD(max) arasındaki ilişki

PD (max)
I0 
VF
Burada I0 = ortalama ileri yön akımı
PD(max) = diyotun ileri yönde harcadığı güç
VF = diyotun ileri yön voltajı (Si için 0.7V )
Bir diyot ileri yön güç harcama oranı 500 mW ise, Bu eleman için
izin verilebilen maksimum ileri yön akımı nedir?

PD (max) 500mW
I0    714.29mA
VF 0.7V
I (max)  0.8 I 0   0.8  714.29mA   571.43mA

Ters yön akımı (Reverse Current)

Diyot ters yön akımı (IR) iki akımdan meydana gelir:

Doyum akımı (IS) ve yüzey sızıntı akımı (ISL).

I R  I S  I SL
Örnek: Ters yönde akan akımın etkisi

VRL  I R RL   20μA    10kΩ   200mV

VD1  VS  VRL   25V    200mV   24.8 V

Diyot Kapasitansı
 Diyotun Çalışmasına Sıcaklığın Etkisi
IF(mA)
100 C 25 C
10
V2 V1
8
I2
6
4
2
I1
VR VF(V)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
IR = 5 A
T = 25 C 5
IR = 10 A
T = 35 C 10

15
IR = 20 A
T = 45 C 20
IR

Diyot yapıları