BJT’lerin DC Kutuplanması

(DC Biasing Circuits)

BJT’nin yükselteç olarak çalıştırılması

 DC yük doğrusu

VCC  VCE
IC 
RC
VCC
I C (sat) 
RC

VCE (off )  VCC

DC yük doğrusu
Aşağıda gösterilen devrenin dc yük doğrusunu çiziniz. (IC = 1, 2, 5
mA değerleri için)

VCE  VCC  I C RC
IC (mA) VCE (V)

1 9

2 8

5 5
Optimum Q-Çalışma Noktası

I C  βI B

VCE  VCC  I C RC

Sabit Baz Kutuplama (fixed bias)

VCC  VBE
IB 
RB
I C  βI B

VCE  VCC  I C RC

b = dc akım kazancı = hFE

Örnek_1 8  0.7 8  0.7
IB  
RB 360
 20.28μA

I C  b I B   100  0.02028 
 2.028mA

VCE  8  I C RC
 8V   2.028  2 
 3.94V

Bu devre yük doğrusunun orta

noktasında kutuplanmış mı ?

Örnek_1
VCC 8
I C (sat )    4mA
IC (mA) RC 2

VCE  off   VCC  8V

4

2 Q

VCE (V)
2 4 6 8 10
 Örnek_2
Şekilde verilen transistor parametreleri, T = 25 °C’de β=hFE = 100 ve T = 100
°C’de β =hFE = 150 ise transistorun Q çalışma noktasını bulunuz.

Sıcak.(°C) IB (mA) IC (mA) VCE (V)

25 20.28 2.028 3.94

100 20.28 3.04 1.92

Baz kutuplama karakteristiği

Devre : Baz ve VCC arasında bir direnç (RB)

kullanılmaktadır. Emitör direnci yoktur.

Avantajı: Devre basittir.

Dezavantajı: sıcaklıkla Q-noktasının
kayması.
Uygulama: Anahtarlama devrelerinde
Baz kutuplama karakteristiği

Yük doğrusu denklemi:

V
I C (sat )  CC
RC
VCE (off )  VCC

Q-noktası denklemleri:
VCC  VBE
IB 
RB
IC  b I B
VCE  VCC  I C RC

Voltaj bölücü kutuplama

R2
VTH  VCC
R1  R2
RTH  R1 //R2

VTH  I B RTH  VBE  I E RE

VTH  I B RTH  VBE  (1  b ) I B RE

VTH  VBE
IB 
RTH  (1  b ) I B
I B  I BQ
I C  b I B  b I BQ  I CQ
I EQ  ( b  1) I BQ
VCEQ  VCC  I CQ RC  I EQ RE
Örnek_3
Aşağıda verilen devrenin ICQ ve VCEQ hesaplayınız.
R2 4.7
VTH  VCC   10V   2.07V
R1  R2 22.7
RTH  R1 //R2  18//4.7  3.73 KΩ
VTH  VBE 2.07  0.7
IB  
RTH  (1  b ) RE 3.73   51  1.1
I B  0.0229 mA
I CQ  b I BQ   50  0.0229   1.1450 mA

I EQ  ( b  1) I BQ  1.1679 mA

VCEQ  VCC  I CQ RC  I EQ RE
 10V   1.145  3   (1.1679)(1.1)
 5.2803V

13
Voltaj bölücü kutuplama (yaklaşık analiz)

I2 > 10IB kabul edilirse

R2
VB  V
R1  R2 CC
VE  VB  0.7V

VE
IE 
RE

ICQ  IE (veya β (hFE )>> 1)

VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE 
 Örnek_3: Yaklaşık analiz
Şekilde verilen devrenin ICQ ve VCEQ hesaplayınız (yaklaşık olarak)

R2
VB  VCC
R1  R2
4.7
  10V   2.07V
4.7+18
VE  VB  0.7
 2.07  0.7  1.37V
ICQ  IE (veya β (hFE )>> 1) için,

VE 1.37
I CQ    1.25mA
RE 1.1
VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE 
 10   1.25  3+1.1  4.875 V

Örnek_3: Yaklaşık analiz

Kontrol : I2 > 10 IB
VB 2.07
I2    440.4μA
R2 4.7
IE 1.25
IB  
hFE  1 50+1
 24.51μA

 I 2  10 I B
 β (hFE ) hangi değeri kullanılmalı

Transistor tanımlama sayfalarında β (hFE): max., β (hFE): min. veya tipik β

(hFE) değerleri verilir. Tipik β (hFE) değeri verilmez ise

b  hFE (ave)  hFE (min)  hFE (max)

Örnek_4
Bir voltaj bölücü kutuplama devresinin eleman değerleri: R1 = 1.5 kΩ, R2 =
680Ω, RC = 260Ω, RE = 240Ω ve VCC = 10 V. Transistorun 2N3904 olduğunu
kabul ederek, IB değerini hesaplayınız.

R2 680
VB  VCC  10   3.12V
R1  R2 2180

VE  VB  0.7  3.12  0.7  2.42V

VE 2.42
I CQ  I E    10mA
RE 240

hFE ( ave )  hFE (min)  hFE (max)  100  300  173

IE 10mA
IB    57.5μA
hFE (ave)  1 174
 Voltaj bölücü kutuplama devresinin stabilitesi
Voltaj bölücü kutuplama devresinin Q-çalışma noktası β ya daha az
bağımlıdır (baz kutuplamasına göre)

örneğin, eğer IE 10 mA ise, β (hFE ) 100 ile 300 arasında değişirse,

IE 10
b  100, I B    100μA ve
b  1 101
I CQ  I E  I B  9.90mA

IE 10
b  300, I B    33μA ve
b  1 301
I CQ  I E  I B  9.97mA

β (hFE ) değişimine göre ICQ değişimi.

Voltaj bölücü kutuplama devresinin yük doğrusu

VCC 10
I C (sat )    20mA
RC  RE 260+240

VCE (off )  VCC  10V

Voltaj bölücü kutuplama devresinin karakteristiği

Avantajı: Q-çalışma noktası β (hFE) nin

değişiminden daha az etkilenir.
dezavantajı: daha fazla elemana ihtiyaç
olması,
Uygulama: doğrusal yükseltmelerde

Emitör kutuplama
0  I B RB  VBE  I E RE  VEE

VEE  0.7V
IB 
RB   b  1 RE

IC  b I B

I E   b  1 I B

VCE  VCC  I C RC  I E RE  VEE

Örnek_5:
Şekilde verilen devrenin ICQ ve VCEQ hesaplayınız.
0  I B RB  VBE  I E RE  12
0  I B RB  VBE  I B  b  1 RE  12
12  0.7
IB 
RB  ( b  1)  RE 
11.3
  37.47μA
0.1+  201 1.5 

I CQ  b I B   200  0.03747 
 7.49mA

VCEQ  12   I C  RC    I E  RE    12 
 24   7.49  0.75    7.53  1.5 
 7.1V

Emitör kutuplama devresinin yük doğrusu

VCC  ( VEE ) VCC  VEE

I C (sat )  
RC  RE RC  RE

VCE ( off )  VCC   VEE   VCC  VEE

Emitör kutuplama karakteristiği

Devre:simetrik güç kaynağı ve baz direnci

toprağa bağlanmıştır.

Avantajı: Q-çalışma noktası β

değişmelerine karşı daha kararlıdır.
Dezavantajı: simetrik güç kaynağına
ihtiyaç duyması
Uygulma: doğrusal yükseltmelerde.

Kollektor geribesleme kutuplama devresi

VCC   I C  I B  RC  I B RB  VBE
VCC  VBE
IB 
( b  1) RC  RB
I CQ  b I B

VCEQ  VCC   b  1 I B RC
Örnek_6: Şekilde verilen devrenin ICQ ve VCEQ hesaplayınız
10   I C  I B  RC    I B  RB   VBE
10   b   I B   RC    I B   RC    I B  RB   VBE
10  VBE
IB 
RB   b  1 RC
10  0.7
  28.05μA
180   101 1.5 

I CQ   b   I B    100  0.02805 
 2.805mA
VCEQ  10  ( b  1)  I B   RC 
 10   101 0.02805  1.5 
 5.75V

β artarsa

IC artar (Eğer IB sabit ise)

VCE azalır

IB azalır

IC daha fazla artmaz.

Kollektor-geri besleme devresinin karakteristikleri

Devre: Baz direnci, baz ve

kollektor arasına bağlanmıştır.

Avantajı: Basit bir devre ve

oldukça kararlı bir Q-çalışma
noktasına sahiptir.
Dezavantajı: zayıf bir AC
karakteristiğe sahiptir.
Uygulama: lineer yükseltme için

Emitör –geri besleme kutuplama devresi

VCC   I B  RB   VBE   I E  RE 
VCC   I B  RB   VBE   I B   1  b   RE 

VCC  VBE
IB 
RB   b  1  RE 

I CQ  b I B

I E   b  1 I B

VCEQ  VCC   IC  RC    I E  RE 
 Örnek_7
VCC  16V +VCC VCC  VBE 16  0.7
IB  
b  50 RB   b  1  RE  680   51 1.6 
RC  6.2K  20.09μA
RB  680K I CQ  b I B   50  0.02009   1mA
RE  1.6K
RB IC RC
I EQ  ( b  1) I B   51 0.02009   1.02 mA

IB
 R  I R 
VCEQ  VCC  I CQ C EQ E

 16   1 6.2    1.02  1.6 

8.2 V

IE RE

Akım Kaynağı ile kutuplama

V+ V+

V-

V-
 Akım Kaynağı ile kutuplama
V+ 
V  I1 R1  VBE 1  V  V   VBE 1  V 
I1 
R1
I1  I C1  I B1  I B 2 I B1  I B 2
R1 I C1  I C 2
I1
I1  I C1  2 I B1
IC1 IC2 I1   b  2  I B1
Q1 Q2 I1
IE1
IB1 IB2
IE2 I B1 
b 2

V- b I1
I C1 
b 2

V+ V   I1 R1  VBE 1  V 
V   VBE 1  V 
I1 
R1
I1 R1

IC1 IC2

Q1
IB1 IB2 Q Q3 Q4 Q5 Q6
IE1 2

V-

I1  I C1  I B1  I B 2  I B 3  I B 4  I B 5  I B 6
I1  I C1  6I B1   b  6  I B1
b I1
I1 I C1 
I B1 
 b  6  b  6
 V+ V+ 
V  VEB1  I1 R1  V  V   VBE 1  V 
I1 
R1
I1  I C1  I B1  I B 2 I B1  I B 2
IB1 IB2
Q1 Q2 I C1  I C 2
IC1
IC2 I1  I C1  2 I B1
I1   b  2  I B1
I1 R1
I1
I B1 
b 2

V- b I1
I C1 
b 2

V+ V+ V+ V+ V+ V   VEB1  I1 R1  V 
V   VBE 1  V 
I1 
Q1
IB1 IB2 R1
IC1 Q2 Q3 Q4 Q5
IC2 IC3 IC4 IC5
b I1
I C1 
I1 R1 b 5

V-
 V+ V+ V+ V+ V+

Q11
IC11 Q12 Q13 Q14 Q15
IC12 IC13 IC14 IC15

I1 R1

IC21 IC22

Q21
IE21 IB21 Q22 Q23 Q24 Q25 Q26

V- V- V- V- V- V-

Akım Kaynağı ile kutuplama

I E  IQ
b
I CQ   I E   I Q  IE
b 1
IC
IB 
b
VB   I B RB

VB  VBE  VE
VCEQ  V    IC  RC   VE
 Akım Kaynağı ile kutuplama
0  I1 R1  VBE 1  V  VBE1  V 
I1  
R1
I1  IC1  I B1  I B 2
I B1  I B 2
I C1  I C 2
I1  I C 2  2 I B 2
IC 2
I1  IC 2  2
b
 2
I1  I C 2 1  
 b
I1
IC 2  I E 
 2
1 b 
 

Örnek_8 V+ VBE 1  V  5  0.7

R1  10 K I1     0.43 mA
R1 10
VBE  0.7 V
RC
b =50 I1 0.43
IC IC 2  I E    0.413 mA
 2 2
IB
 1  1
Q  b  50
IE
I1 RB IC 2 0.413
I B1  I B 2    8.26 μA
R1 b 50

IC1 IC2

Q1 Q2
IB1 IB2
IE1 IE2

V-
 Emitör Bağlamalı
Q1 ve Q2 özdeş transistorlerdir. Baz-Emitör
VCC VCC gerilimi eşit olan trasistorlerin kollektor, baz ve
emitör akımlarıda eşittir.

RC RC
v1  v2  0 VE  VBE  VEB
IC1 IC2 VE  VEE
IT 
IB1 IB2 RE
v1 Q1 Q2 v2
IE1 IT  I E 1  I E 2  2 I E 1  2 I E 2
IE2
VE b
I C1   I E1  I E1
IT 1 b
b
RE IC 2   I E 2  IE2
1 b
VCEQ  VCC  I CQ RC  VE
VEE

Emitör Bağlamalı
V+ Q1 ve Q2 özdeş transistorlerdir. Baz-Emitör gerilimi
eşit olan trasistorlerin kollektor, baz ve emitör
akımlarıda eşittir.
RE
v1  v2  0 VE  VBE  VEB
IT
V   VE
VE
IE2
IT 
IE1 RE
v1 Q1 Q2 v2 I T  I E1  I E 2  2 I E 1  2 I E 2
IB1 IB2
IC1 IC2 b
I C 1   I E1  I E1
1 b
RC RC
b
IC 2   I E 2  IE2
1 b
V- V- VCEQ  VCC  I CQ RC  VE
 Emitör Bağlamalı
V+
( I C 2  I B 3 )  RC   VBE  ( I C 3  I B 3 )  RE 3 
RE
V+
I C 2 RC  VBE
IB3 
IT
RC  ( b  1)  RE 3 

IE1
IE2 RC3
IC 3  b I B3
v1 Q1 Q2 v2 I E 3  ( b  1) I B 3
IB1 IB2 IC3
IC1 IC2 IB3
Q3
VC 3  V   I C 3 RC 3
IRC IE3
RC
VE 3  I E 3 RE 3  V 
RC RE3

V- V- V-

Örnek_ 9: Şekilde verilen devre için V+=10V, V-=-10V, |VBE|=0.7V, β=250

ise V1=0 iken V0=0V olması için R1 direncinin değeri ne olmalıdır.
 10V V0  V  0  ( 10)
IE4    5 mA
R1 R6 2
10V 10V
I C 4  4.98 mA
10K R4
I B 4  0.0199 mA
V1 Q1 Q2 Q4
VC 3  VBE 4  V0  0.7 V
Q3 V0
V   VC 3 10  0.7
33K R2 2K R6 IR4    0.93 mA
33K R3 3K R5 R4 10
I C 3  I R 4  I B 4  0.93  0.0199
-10V -10V -10V -10V
I C 3  0.9101 mA
VR 3  VBE 3  I E 3 R5  0.7   0.914  3  3.442 V I B 3  3.64 μA

V 3.442 I E 3  0.914 mA
I R3  R3   0.1043 mA
R3 33

10V
I C 2  I R 3  I B 3  0.10794 mA
R1 10V 10V I E 2  0.1084 mA
10K R4 I B 2  0.432 μA

V1 Q1 Q2 Q4 I R1  I E1  I E 2   2  I E 2 
Q3 V0 I R1  0.2168 mA
33K R2 2K R6
33K R3 3K R5 V   VE 2
I R1 
R1
-10V -10V -10V -10V

V   VE 2 10  0.7
R1    42.897 K  43 K
I R1 0.2168
ÖDEV_1 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.7V, β=100 ise V1=0 iken V0=0V olması
istenmektedir. IC3=1mA olarak verilmiştir. R2 =R3 ile R4 dirençlerinin değerini
hesaplayınız.

ÖDEV_2 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.7V, β=100 ise V1=0 iken VE4=0V, IC3=2mA,
IC1=IC2=1mA olması istenmektedir. Q1 ve Q2 eş transistörlerdir. R1 =R2 olarak
verilmiştir.
a) R1, R2, R3 ve R5 dirençlerinin değerini hesaplayınız.
b) Transistörlerin VCE gerilimlerini hesaplayınız.
15V 15V 15V

R1 R2 15V
4.7K R4

V1 Q1 Q2 Q3

Q4

R5
R3
2K R6

-15V -15V -15V

ÖDEV_ 3: Şekilde verilen devre için |VBE|=0.7V, β=160 ise Transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.

ÖDEV_4 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.7V, β=200 ise transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.
ÖDEV_5 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.7V, β=200 ise transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.

ÖDEV_6 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.65V, β=150 ise transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.
ÖDEV_ 7: Şekilde verilen devre için |VBE|=0.65V, β=150 ise transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.

ÖDEV_8 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.65V, β=150 ise Transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.
ÖDEV_ 9: Şekilde verilen devre için |VBE|=0.65V, β=100 ise transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.

ÖDEV_10 : Şekilde verilen devre için |VBE|=0.7V, β=250 ise transistörlerin çalışma
noktasını bulunuz.
ÖDEV_11 : Şekilde verilen devre için|VBE|=0.7V, β=100 ise transistorlerin Q çalışma
noktalarını bulunuz.

ÖDEV_12 : Şekilde verilen devre için|VBE|=0.7V, β=200 ise transistorlerin Q çalışma

noktalarını bulunuz.
ÖDEV_13 : Şekilde verilen devre için|VBE|=0.7V, β=50 ise transistorlerin Q çalışma
noktalarını bulunuz.

ÖDEV_14 : Şekilde verilen devre için|VBE|=0.7V, β=100 ise transistorlerin Q çalışma

noktalarını bulunuz.