Họ và tên: Phạm Bá Cƣờng

Lớp: 18TDH1
Trang viết cá nhân + Chƣơng 4
 ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN

ĐỒ ÁN MÔN HỌC
HỌC PHẦN: ĐỒ ÁN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

ĐỀ TÀI:

THIẾT KẾ HỆ “BIẾN TẦN ÁP BA PHA –

ĐỘNG CƠ KHÔNG ĐỒNG BỘ

Ngƣời hƣớng dẫn: ThS. KHƢƠNG CÔNG MINH

Sinh viên thực hiện: PHẠM BÁ CƢỜNG

Số thẻ sinh viên: 105180277

Nhóm HP / Lớp: XX.91B/18TDH1

Ngành: Kỹ thuật điều khiển và tự động hóa

 Đồ án: Bộ biến tần

MỤC LỤC

CHƢƠNG 4: THIẾT KẾ VÀ TÍNH CHỌN MẠCH ĐIỀU KHIỂN ........................... 4

4.1. Giới thiệu chung ................................................................................................ 4
4.2. Thiết kế và tính chọn linh kiện các mạch điều khiển ........................................ 4
4.2.1. Mạch cầu Wien ........................................................................................... 4
4.2.2. Mạch tạo 3 xung sin với điện áp mong muốn ............................................ 5
4.2.3. Mạch tạo xung răng cƣa tuyến tính 2 cực tính ........................................... 6
4.2.4. Mạch so sánh không đảo ............................................................................ 7
4.2.5. Khuếch đại xung ......................................................................................... 8
4.3. Mạch bảo vệ....................................................................................................... 9
4.3.1. Dùng cầu chì bảo vệ quá dòng trƣớc động cơ ............................................ 9
4.3.2. Bảo vệ quá áp cho diode chỉnh lƣu............................................................. 9
4.3.3. Bảo vệ mosfet ở bộ băm xung áp ............................................................. 10
4.3.4. Bảo vệ Mosfet trong mạch nghịch lƣu ..................................................... 10

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

DANH SÁCH HÌNH ẢNH

Hình 4. 1 Mạch cầu Wien và dạng sóng ....................................................................... 4
Hình 4. 2. Mạch tạo 3 xung sin với độ lệch khác nhau ................................................ 5
Hình 4. 3. Mạch tạo xung tam giác và đồ thị xung tam giác ........................................ 6
Hình 4. 4. Sơ đồ mạch so sánh ..................................................................................... 7
Hình 4. 5. Mạch so sánh xung răng cƣa và xung sin với nhau ..................................... 7
Hình 4. 6. Mạch khuếch đại sử dụng IR2112 ............................................................... 8
Hình 4. 7. Cầu chì SUNTREE .................................................................................... 10

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

CHƢƠNG 4: THIẾT KẾ VÀ TÍNH CHỌN MẠCH ĐIỀU KHIỂN

4.1. Giới thiệu chung

Sơ đồ khối mạch điều khiển các van điều khiển

 Khâu phát xung: sử dụng mạch cầu Wien để tạo xung sin và một mạch tạo xung
răng cƣa tuyến tính

 Khâu so sánh: sử dụng Opamp để thực hiện chức năng so sánh hai điện áp

 Khâu khuếch đại và phân phối xung: sử dụng IC để khuếch đại các xung sau khi
so sánh để đƣa vào IGBT.

4.2. Thiết kế và tính chọn linh kiện các mạch điều khiển
4.2.1. Mạch cầu Wien

Hình 4. 1 Mạch cầu Wien và dạng sóng

 Nguyên lí: mạch cầu Wien đƣợc tạo ra bởi mạch hồi tiếp là mạch lọc thông dải và
mạch khuếch đại nhƣ hình trên. Mạch lọc thông dải bao gồm mạch lọc thông cao
và mạch lọc thông thấp.
 Tính toán: Điều kiện cân bằng biên độ: R2  2R1
1 1
Điều kiện cân bằng về pha   nên  
RC RC

Ta chọn suy ra R1  22k và R2  44

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

Ta sử dụng bộ biến tần ở tần số 50 Hz, do đó ta chọn tụ C = 0,1 uF

1 1
Ta có R    32k 
2 fC 2 .50.0,1.106
4.2.2. Mạch tạo 3 xung sin với điện áp mong muốn
 Mạch tạo ra xung sin điện áp mong muốn: Ta tạo ra 3 xung hình sin điện áp riêng
biệt, mỗi sóng sin thì đều có cùng biên độ, nhƣng mà các song hình sin nyaf lệch
pha nhau lần lƣợt 1 góc 120 độ
 Ta sử dụng khâu dịch pha RC. Lúc này sóng đầu vào sẽ lệch pha với song đầu ra 1
góc 60 độ nên ta chọn điện trở R và Tụ C nhƣ sau
 XC 
  tan 1  
 R 

 Ta chọn tụ C = 1000nF. Suy ra điện trở R = 5,6 k

 Ta lựa chọn Opamp LM324.
Sơ đồ mạch nhƣ hình bên:

Hình 4. 2. Mạch tạo 3 xung sin với độ lệch khác nhau

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

4.2.3. Mạch tạo xung răng cưa tuyến tính 2 cực tính
Opamp thứ nhất là mạch lật khiểu Trigger Schmitt, do đó đầu ra chỉ có hai trạng thái
tƣơng đƣơng hai giá trị U m . Opamp thứ 2 là mạch tích phân đảo dấu, ngõ ra tích phân sẽ
cho giá trị tuyến tính. Sơ đồ trên cho phép tạo ra điện áp ở đầu ra của Opamp 2 điện áp
răng cƣa có hình tam giác cân, trong khi đó đầu ra của Opamp 1 là dao động điện áp
xung chữ nhật.

Với yêu cầu tần số 10kHz thì chu kì làm việc của băm xung là:
1 1
T   0.1 ms.
f 10000
Chọn điện áp nguồn Vcc  E  12V , áp ra sẽ là U m  E  12
Với biên độ sóng tam giác là 4V , ta tính đƣợc: ( R3  RV 2 ; R1  RV 1; R5  R2 )
Um T U 12
 2U ng  CR1  m T  0,1.103  7,5.105 s
CR1 2 4U ng 4.4
7,5.105
Chọn tụ C  10nF suy ra: R1   7500 .
10.109
R U 4 1 1
Ta có 3  ng    R3  R2 .
R2 U m 12 3 3
 Chọn R2  30k  và R3  10k .

Hình 4. 3. Mạch tạo xung tam giác và đồ thị xung tam giác

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

4.2.4. Mạch so sánh không đảo

- Ta sử dụng Opamp cho mạch so sánh không đảo

- Nguyên lí: Nếu V  V thì Vout  VCC  12V
Nếu V  V thì Vout  0V

Hình 4. 4. Sơ đồ mạch so sánh

Ta sử dụng Opamp LM234 để thực hiện chức năng so sánh điện áp

Hình 4. 5. Mạch so sánh xung răng cưa và xung sin với nhau

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

4.2.5. Khuếch đại xung

Ta chọn IC drive IR2112 để dùng cho khâu khuếch đại xung sau khi so sánh để
dƣa vào các chân IGBT
Chức năng của các chân nhƣ sau:
+ Chân 1: đầu ra của IGBT, cho ra điện áp Low. Tức nó ngƣợc chiều điện áp đầu

ra Hight

+ Chân COM 2: Chân nối đất.

+ Chân HIN 10: Tín hiệu đầu vào IGBT bên cao. Nó có thể từ một bộ vi điều khiển

hoặc bất kỳ thiết bị nào khác

+ Chân LIN 12: Tín hiệu đầu vào IGBT bên thấp. Nó có thể từ một bộ vi điều
khiển hoặc bất kỳ thiết bị nào khác.

+ Chân SD 11 đƣợc sử dụng làm chân tắt máy. Có thể sử dụng nó cho mạch bảo
vệ.

+ Tụ C: Đƣợc sử dụng giữa VB 6 và VS 5 để vận hành đầy đủ IGBT phía cao. Nó

đóng một quy tắc rất quan trọng trong cầu H của bộ nghịch lƣu sóng sin thuần túy.

Vì vậy ta chọn C 22uF - 40uF. Ta sử dụng 3 mạch khuếch đại nhƣ hình bên dƣới
để phân phối xung cho các IGBT.

Hình 4. 6. Mạch khuếch đại sử dụng IR2112

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

4.3. Mạch bảo vệ

4.3.1. Dùng cầu chì bảo vệ quá dòng trước động cơ

Cầu chì CC1 đƣợc chọn theo giá trị định mức của động cơ về áp và dòng nhƣ sau:

U dmCC 4  U dc  220(V )
I dmdc  I dmCC 4  1.2 I dmdc
với I dmdc  23,47( A)
Ta có 23,47  I dmCC1  1,2.23,47  28,164( A)

4.3.2. Bảo vệ quá áp cho diode chỉnh lưu

Mắc RC song song với diode nhƣ hình vẽ

Để tính mạch bảo vệ quá áp cho Diode D ta dùng đồ thị Keisdateb

R
L
2
C
Khi Diode ngắt ta có sơ đồ tƣơng đƣơng:

Điện áp ngƣợc lớn nhất xuất hiện trên Diode D tại thời điểm Diode D bị ngắt:
Dng max  U 0  0

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

4.3.3. Bảo vệ mosfet ở bộ băm xung áp

Thông thƣờng Mosfet đƣợc sử dụng trong những mạch đóng cắt tần số cao, từ 2
đến hàng chục kHz. Ở tần số đóng cắt cao nhƣ vậy, những sự cố có thể phá hủy phần
tử rất nhanh và dẫn đến phá hỏng toàn bộ thiết bị.
Sự cố thƣờng xảy ra nhất là quá dòng do ngắn mạch từ phía tải hoặc từ các phần
tử có lỗi do chế tạo hoặc lắp ráp.
Có thể ngắt dòng Mosfet bằng cách đƣa điện áp điều khiển về giá trị âm. Tuy
nhiên quá tải dòng điện có thể đƣa Mosfet ra khỏi chế độ bão hòa dẫn đến công suất
phát nhiệt tăng đột ngột, phá hủy phần tử sau vài chu kỳ đóng cắt. Mặt khác khi khóa
Mosfet lại trong một thời gian rất ngắn khi dòng điện rất lớn dấn đến tốc độ tăng dòng
quá lớn, gây quá áp trên collector, emiter, lập tức đánh thủng phần tử. Bên cạnh đó
cũng sảy ra các sự cố bất ngờ, những ảnh hƣởng nhiễu. Chính vì vậy ta phải tính toán
bảo vệ cho các van bán dẫn khi xảy ra sự cố…
Để bảo vệ ngắn mạch và quá tải về dòng điện ta có thể sử dụng Aptômat hoặc cầu
chì. Nguyên tắc chọn thiết bị này là theo dòng điện với Ibv  (1,1 1,3) Ilv
Dòng bảo vệ của Aptômat không đƣợc vƣợt quá dòng ngắn mạch của mạch lực .
Từ trên ta chọn cầu chì dể bảo vệ với: I  1,3*12.3  15.99( A)
Ta có thể chọn cầu chì SUNTREE 20A 1000V để bảo vệ quá dòng cho Mosfet.

Hình 4. 7. Cầu chì SUNTREE

4.3.4. Bảo vệ Mosfet trong mạch nghịch lƣu
Cấu tạo khác biệt của Mosfet giúp linh kiện hoạt động tốt mà không cần bảo vệ nhiều. Ta
có thể sử dụng mạch RC nhỏ mắc song song với ngõ ra của linh kiện để hạn chế tác dụng
các gai điện áp và các xung nhiễu dao động xuất hiện khi linh kiện đóng.

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…
 Đồ án: Bộ biến tần

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cƣờng – 18TDH1 GV Hƣớng dẫn: ThS. Khƣơng Công Minh
…