You are on page 1of 9

Họ và tên: Phạm Bá Cƣờng

Lớp: 18TDH1
Trang viết cá nhân + Chƣơng 2
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA ĐIỆN

ĐỒ ÁN MÔN HỌC
HỌC PHẦN: ĐỒ ÁN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

ĐỀ TÀI:

THIẾT KẾ HỆ “BIẾN TẦN ÁP BA PHA –


ĐỘNG CƠ KHÔNG ĐỒNG BỘ

Ngƣời hƣớng dẫn: ThS. KHƢƠNG CÔNG MINH


Sinh viên thực hiện: PHẠM BÁ CƢỜNG

Số thẻ sinh viên: 105180277


Nhóm HP / Lớp: XX.91B/18TDH1
Ngành: Kỹ thuật điều khiển và tự động hóa
Đồ án: Bộ biến tần

MỤC LỤC
CHƢƠNG 2: THIẾT KẾ BỘ NGHỊCH LƢU ÁP BA PHA ĐỘC LẬP ...................4
2.1. Giới thiệu về bộ nghịch lƣu áp ba pha độc lập .................................................. 4
2.2. Nguyên lý làm việc nghịch lƣu áp 3 pha độc lập hình cầu ................................ 6
2.3. Đồ thị dạng sóng điện áp, dòng điện tức thời của bộ nghịch lƣu áp 3 pha độc
lập .............................................................................................................................. 8
2.4. Kết luận chƣơng 2 .............................................................................................. 8

DANH SÁCH HÌNH ẢNH

Hình 2.1. Sơ đồ nghịch lƣu áp 3 pha ...................................................................4


Hình 2.2. Đồ thị dạng sóng điện áp, dòng điện tức thời của bộ nghịch lƣu áp 3 pha
độc lập ............................................................................................................8
Hình 2.3. Sơ đồ nguyên lý bộ biến tần áp ba pha nghịch lƣu PWM .........................8
Hình 2.4. Đồ thị xung PWM ba pha ....................................................................9

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

Đồ án: Bộ biến tần

CHƢƠNG 2: THIẾT KẾ BỘ NGHỊCH LƢU ÁP BA PHA ĐỘC LẬP

2.1. Giới thiệu về bộ nghịch lƣu áp ba pha độc lập


- Đặc tính Volt – Ampe của IGBT đƣợc phân làm 3 vùng:
+ Cutoff mode – Vùng nghịch: VGE < VTh đặc tính ra với thông số ID=0. Nằm trong vùng
này. IGBT ở chế độ ngắt. Trong đó VTh là điện áp đóng của MOSFET.
+ Triode mode – Vùng tích cực: VCE < VGE – VTh; VGE > VTh là vùng mà IGBT dẫn, dòng
điện chạy từ cổng Drain đến cổng Source. Dòng IC tỷ lệ với điện áp VCE. Dòng điện IC lớn
và điện áp C-E nhỏ, IGBT hoạt động nhƣ khóa đóng ngắt.
+ Saturation – Vùng bão hòa: VCE > VGE – VTh; VGE > VTh Dòng điện IC hầu nhƣ không
đổi khi điện áp VCE tăng và IGBT hoạt động nhƣ một khâu khuếch đại.
IGBT trong ĐTCS chỉ sử dụng hai trạng thái Cutoff mode và Triode mode.

- Điều kiện mở: UCE > 0, UGE > 0.


- Điều kiện khóa: UGE <= 0.

Hình 2.1. Sơ đồ nghịch lưu áp 3 pha

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

Đồ án: Bộ biến tần

- Tụ Co có nhiệm vụ đảm bảo điện áp nguồn ít bị thay đổi, mặt khác nó trao đổi năng lƣợng
phản kháng với cuộn cảm.
- Phƣơng pháp điều khiển các van Mosfet thông thƣờng nhất là điều khiển cho góc mở của
van là   180o và   120o . Ở đây ta xét góc dẫn tới tải đấu sao nhƣ thiết kế bằng cách
xác định điện áp trên tải trong từng khoảng thời gian 60o (vì cứ 60o có một sự chuyển tạng
thái mạch ) với nguyên tắc van nào dẫn coi là thông mạch. Nhìn chung sơ đồ này có dạng
một pha tải nối tiếp với 2 pha đấu song song nhau. Do vậy điện áp trên tải sẽ chỉ có giá trị
là uz /3 (khi một pha đấu song song, với 1 trong 2 pha còn lại) hoặc 2U z / 3 . Với giả thiết là
tải đối xứng.
Nguyên tắc chuyển mạch :
- Cho góc mở của mỗi Mosfet là 180o và cứ 60o tiếp theo ( kể từ khi Mosfet trƣớc đó mở thì
cho 1 Mosfet khác mở). Nhƣ vậy trong cùng 1 thời gian có 3 Mosfet mở.

Bảng trạng thái quá trình mở các Mosfet:

Q 0  60
o
60o  120o 120o  180o 180o  240o 240o  300o 300o  360o

Q1 1 1 1 0 0 0
Q2 0 1 1 1 0 0
Q3 0 0 1 1 1 0
Q4 0 0 0 1 1 1
Q5 1 0 0 0 1 1
Q6 1 1 0 0 0 1

o o
Xét quá trình chuyển mạch từ Q5 sang Q2 tƣơng ứng khoảng từ ( 0  60 ) sang
o o
( 60  120 )
o o
Trong khoảng ( 0  60 ) thì Q1, Q5, Q6, dẫn. Chiều dòng điện trên tải đƣợc xác
định theo chiều mũi tên, đến thời điểm 60o thì đảo trạng thái từ Q5 sang Q2. Do trên tải
Zc mang tính cảm nên dòng điện không đảo ngay lập tức mà năng lƣợng tích luỹ trong
Zc duy trì theo chiều cũ một thời gian, lúc đó buộc dòng diện duy trì phải thoát qua
diode D2, qua tải về âm nguồn đến lucs dòng điện đổi chiều sẽ mang dòng điện duy trì
thì D2 khoá. Quá trình chuyển mạch kết thúc.
Cũng lý luận tƣơng tự ta đƣợc chuyển mạch từ nhịp Q1, Q2, Q6 đến nhịp Q4, Q5,
Q6.

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

Đồ án: Bộ biến tần

2.2. Nguyên lý làm việc nghịch lƣu áp 3 pha độc lập hình cầu

 Nhịp Q1, Q5, Q6:

 Nhịp Q1, Q2, Q6:

Nhịp Q1, Q2, Q3:

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

Đồ án: Bộ biến tần

 Nhịp Q2, Q3, Q4:

 Nhịp Q3, Q4, Q5:

 Nhịp Q4, Q5, Q6:

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

Đồ án: Bộ biến tần

2.3. Đồ thị dạng sóng điện áp, dòng điện tức thời của bộ nghịch lƣu áp 3 pha
độc lập

Hình 2.2. Đồ thị dạng sóng điện áp, dòng điện tức thời của bộ nghịch lưu áp 3 pha độc lập

2.4. Kết luận chƣơng 2


- Em chọn bộ nghịch lƣu áp ba pha độc lập điều khiển PWM, dùng IGBT làm phần tử
chính cho bộ nghịch lƣu.

Hình 2.3. Sơ đồ nguyên lý bộ biến tần áp ba pha nghịch lưu PWM


Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

Đồ án: Bộ biến tần

- Nguyên tắc điều biến độ rộng xung (PWM) ba pha: là phƣơng pháp đƣợc thực hiện bằng
cách ta sử dụng một tín hiệu xung tam giác gọi là sóng mang đem so sánh với một tín hiệu
sin chuẩn gọi là tín hiệu điều khiển.
- Ta có thể tạo bằng phƣơng pháp so sánh hay là từ trực tiếp từ các IC dao động tạo xung
vuông.
- Phƣơng pháp điều biến độ rộng xung PWM cho phép vừa điều chỉnh đƣợc điện áp ra vừa
giảm nhỏ đƣợc ảnh hƣởng của các sóng hài bậc cao.
- Ta có đồ thị dạng sóng:

Hình 2.4. Đồ thị xung PWM ba pha

Sinh viên thực hiện: Phạm Bá Cường – 18TDH1 GV Hướng dẫn: ThS. Khương Công Minh

You might also like