第七章: 微影製程

• 暫時在晶圓上塗佈光阻劑
• 將設計圖案轉移至光阻劑
• 為IC製程中最重要之步驟
• 占晶圓總製程時間的40 ~50%
光阻劑
• 光敏感物質
• 暫時塗佈在晶圓上表面
• 經由曝光製程將設計圖案轉移其上
• 非常類似於塗佈在照相機上的光敏
感物質
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光阻劑

負光阻 正光阻
• 經曝光後變不可 • 經曝光後變可溶
溶 • 經顯影製程，曝
• 經顯影製程，未 光部分溶解
曝光部分溶解 • 解析度較佳
• 較便宜

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 負光阻及正光阻
光阻
基片

紫外光
光罩/倍縮光罩
光阻 曝光
基片
負光阻
基片
經顯影
正光阻

基片
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光阻成分
• 高分子
• 溶劑
1. 溶解高分子
2. 允許光阻藉由旋轉塗佈而成
薄層以進行應用
• 感光劑
1. 決定曝光時間及強度
2. 添加劑

2
 負光阻
• 大部分負光阻為聚異戊二烯
（polyisoprene）橡膠
• 經曝光之光阻變成交連之高分子，交連之
高分子有較佳之抗化學蝕刻能力
• 未曝光部分將溶於顯影劑
缺點
• 由於光阻膨脹使解析度較差
• 環境及安全因素--主要溶劑為二甲苯

正光阻
• 酚醛（Novolac）樹脂
• 醋酸型溶劑
• 感光劑在樹脂中進行交連
• 光分解感光劑且切斷交連，在鹼性液中樹
脂溶解性變更佳
• 較高之解析度 ( < 3 µm)
• IC製程常用
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3
 光阻之必要條件
• 高解析度
– 較薄的光阻薄膜擁有較佳的解析度
– 較薄的光阻薄膜，其抗蝕刻及抗離子佈植的
能力較差
• 高抗蝕刻能力
• 好的附著力
• 較大的製程自由度
– 對製程條件的改變有較佳之容忍性
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基本步驟
• 晶圓清洗
• 脫水烘烤
光阻塗佈
• 底漆層及光阻塗佈
• 軟烘烤
• 對準及曝光
• 顯影
• 圖案檢視 顯影
• 硬烘烤
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4
先前的
程序 清洗 表面預處理 光阻塗佈 軟烘烤 對準及曝
光
硬烘烤 顯影 曝光後烘烤

晶圓軌道系統

退回
剝除
光阻 檢視
光學區間
驗過

蝕刻 離子佈
植
9

10

5
 11

晶圓清洗
• 移除污染物
• 移除微粒
• 減少孔洞和其他缺陷
• 增加光阻附著性
• 基本步驟
– 化學清洗
– 洗滌
– 旋乾
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6
 微影製程，預烘烤

• 脫水烘烤
• 從晶圓表面去除水氣
• 提升光阻和表面的附著性
• 通常約100 °C
• 和底漆層塗佈整合

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微影製程，底漆層

• 提升光阻和晶圓表面的附著性
• 六甲基二矽胺 (HMDS)
• 於光阻旋轉塗佈前進行HMDS蒸氣塗佈
• 在預烤製程中通常以臨場方式沈積
• 在光阻塗佈前以冷卻平板冷卻

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7
預烘烤及底漆層蒸氣塗佈

預備處理反應室 底漆層

晶圓
晶圓 HMDS 蒸氣

加熱平板 加熱平板
脫水烘烤 底漆層蒸氣塗佈

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光阻旋轉塗佈機
光阻
晶圓

EBR
水套管

吸盤
排氣端 排氣
真空

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8
 旋轉塗佈
• 晶圓置於真空吸盤上
• 在高速下旋轉
• 液體光阻滴加在晶圓中心
• 藉由離心力將光阻延展開
• 平坦地塗佈在晶圓表面

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黏度
• 流體黏在固體表面
• 在旋轉塗佈時影響光阻厚度
• 和光阻種類及溫度有關
• 需高速自旋速度以達均勻塗佈

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9
光阻厚度與自旋速度及黏度之關係
3.5
100 cst
3.0
50 cst
厚度 (mm) 2.5

2.0
27 cst
20 cst
1.5

1.0 10 cst

5 cst
0.5

0
2k 3k 4k 5k 6k 7k
自旋速度 (rpm)
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動態輸配自旋速度
自旋速度

低自旋速度 ~ 500 rpm

速度升至 ~ 3000 - 7000 rpm

時間
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10
 光阻旋轉塗佈

光阻輸配噴嘴
光阻回收
晶圓

吸盤
轉軸

至真空幫浦

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軟烘烤
• 驅除光阻中大部分之溶劑
• 溶劑幫助形成一光阻薄層，但會吸收輻射及
影響附著力
• 軟烘烤時間及溫度由matrix evaluations所決定
• 過度烘烤：聚合作用，較差的光敏感性
• 烘烤不足：影響附著力及曝光

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 烘烤系統

晶圓 微波源

加熱器 熱氮氣 2 光阻

吸盤
晶圓

真空 晶圓
加熱器 真空

加熱平板 對流烤箱 微波爐

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對準及曝光
• IC製程中最具決定性之步驟
• IC廠房中最昂貴的工具（步進機）
• 最具挑戰性的技術
• 決定最小圖案尺寸
• 當前為 0.18 µm且將推展至0.13 µm

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 對準及曝光工具

• 接觸式印像機
• 鄰接式印像機
• 投影式印像機
• 步進機

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接觸是印像機
光源
透鏡

光罩

光阻
晶圓

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13
 鄰接式印像機
光源
透鏡

光罩

光阻 ~10 µm
晶圓

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投射式系統

光源
透鏡

光罩

光阻
晶圓

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 步進式對準/曝光
Light
Source

Projection
Lens

Reticle

Projection
Lens

Wafer
Wafer Stage

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步進式對準/曝光
光源 參考記號

對準雷射
倍縮光罩平台
倍縮光罩

干涉雷射
投射透鏡

X
干涉儀鏡面組
晶圓
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晶圓平台

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 水銀燈之光譜

I-光線 G-光線
(365) (436)
強度 (a.u)

H-光線
(405)

深紫外線
(<260)

300 400 500 600

波長 (nm)

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名稱 波長 所應用的
(nm) 圖形尺寸
(µm)
G-line 436 0.50
水銀燈 H-line 405
I-line 365 0.35 to
0.25
XeF 351
XeCl 308
準分子雷 KrF 248 0.25 to
射 (DUV) 0.15
ArF 193 0.18 to
0.13
氟雷射 F2 157 0.13 to
0.1
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 顯影
• 顯影劑溶解光阻軟化之部分，並將光罩或
倍縮光罩上的圖案轉到光阻上
• 三個基本步驟: 顯影, 洗滌, 旋乾
正光阻 負光阻
顯影劑 TMAH 二甲苯
洗滌 去離子水 乙酸丁脂

•TMAH ((CH3)4NOH).

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硬烘烤
• 蒸發所有光阻中的溶劑 針孔
光 光阻
• 增加抗蝕刻及佈植能力
阻
• 增加光阻和表面的附著力 基片 基片
• 聚合反應並穩定光阻
• 光阻流動並填充針孔
• 硬烘烤溫度: 100 到 130 °C
• 烘烤時間約 1 至 2分鐘
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 晶圓軌道機-步進機整合系統
預備處理
反應室 自旋塗佈機 冷卻平板
晶圓

中心軌道機器 步進機

晶圓移動
冷卻平板 顯影劑 加熱平板 方向
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經透鏡的繞射光

漫射的折射光
D 光罩

透鏡 ro
由透鏡收集的繞
射光 由透鏡聚焦後得到
較少的繞射光

理想的光強度圖案

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 數值孔徑
• NA 代表一透鏡收集繞射光之能力
• NA = 2 r0 / D
– r0 : 透鏡之半徑
– D ：光罩與透鏡兩物體間的距離
• 具有較大 NA之透鏡能捕捉 較高階的繞射
光並 獲得較清晰的影像

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解析度
• 可達到且可重複之最小圖案尺寸
• 由光波長及系統的數值孔徑決定.。解析度可
表示為
K1λ
R=
NA
K1 為系統常數, l 為光波長, NA = 2 ro/D,
為數值孔徑
NA: 透鏡收集繞射光的能力
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 改善解析度
• 增加 NA
– 更大的透鏡, 可能太貴或是不實際
– 減少 DOF 及造成製程困難度
• 降低波長
– 需開發新光源，光阻及設備
– 降低波長的限制
– UV 到 DUV, 到 EUV, 甚至 X-Ray
• 降低 K1
– 相轉移光罩
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景深

K2 λ
DOF = 聚焦
2 ( NA ) 2

40

20
 表面平坦化之要求

• 較高的解析度需要
– 更短的 λ
– 更大的NA.
• 兩者皆減少 DOF
• 晶圓表面必須高度平坦化
• 對0.25 µm 圖案，CMP 是必須的

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I-光線及深紫外線
• 水銀 I-光線， 365 nm
– 通常在 0.35 µm 微影使用
• DUV KrF 準分子雷射，248 nm
– 0.25 µm, 0.18 µm 及 0.13 µm 微影
• ArF準分子雷射，193 nm
– 應用: < 0.13 µm
• F2準分子雷射， 157 nm
– 仍處 R&D， < 0.10 µm 應用
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• 極紫外線 (EUV)微影技術
• X光微影技術
電子槍
• 電子束 (E-beam)微影技術
透鏡

遮蓋板

透鏡

散光像差補償
器 折射光圈

透鏡

晶圓
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相位移光罩圖案化
Normal Mask Phase Shift Mask

Constructive Phase shift

Interference coating Total Light
Intensity
Total Light
Intensity Destructive
Interference

PR PR
Substrate Substrate
Final Pattern Final Pattern

PR PR
Substrate Substrate
Designed Pattern Designed Pattern
44

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