Ortak emitörlü yükselteçler

(Common-Emitter Amplifiers)

CE giriş-çıkış faz ilişkisi

 BJT’nin AC Modeli

ib ic
B C

ie

Yükselteçlerde kapasitorlerin rolü

1. Kuplaj kapasitor bir yükselteçten diğer yükseltece ac

işaretin geçişine izin verir iken dc izolasyon sağlar.
2. bypass kapasitor ac işaretin topraklanmasını sağlar iken dc
çalışmaya herhangi bir etkisi yoktur.

1 Yüksek freq.,
XC 
2 fC daha düşük kapasitor empedansı
 Çok katlı yükselteçlerde kuplaj kapasitorler

AC kuplaj
DC izolasyon

Kapasitif veya direk bağlama

Bypass kapasitorler

AC analiz DC analiz

Tipik CE yükselteç işaretleri

 CE YÜKSELTEÇLERİN ANALİZİ

v0
Av  ?
vi
i0
Ai  ?
ii
Ri  ?
R0  ?

CE yükselteçlerin ac eşdeğer devrelerinin çıkartılması

 CE yükselteçlerin ac eşdeğer devrelerinin çıkartılması

CE Yükselteçlerin Voltaj Kazancı

v0 vo   g m v  RC //RL 
vi Q1 RC//RL v0    ib  RC //RL 
R1//R2
v  vi vi  ib r

vo
Av    g m  RC //RL 
vi
v r g m v
vo   RC //RL 
Av  
vi r
Örnek_4 R2 20
Vth  VCC  20
R1  R2 170
 2.353V
Rth  R1 //R2  20kΩ//150kΩ
 17.65kΩ
Vth  VBE
IB 
Rth  (   1) RE
2.353  0.7

17.65   201 2.2 
 3.595μA

I C   I B   200  3.595μA   718.9μA

I E     1 I B   201 3.595μA   722.5μA

Örnek_4
VCE  VCC  I C RC  I E RE
 20   0.7189 12    0.7225  2.2 
 9.784V  aktif 

0.72 mA
gm   28.8 mA/V
25 mV

Av   g m ( RC //RL )
 (28.8)(9.7)
 279
Örnek_5 R2 4.7
Vth  VCC  10  2.070V
R1  R2 22.7
Rth  R1 //R2  4.7K//18K  3.727KΩ
Vth  VBE
IB 
Rth  (   1) RE
2.070  0.7
  33.49μA
3.727   311.2 
I C   I B  1.005mA
I E     1 I B  1.038mA

VCE  VCC  I C RC  I E RE
I C 1.005mA  10V  1.005   1.5   1.038   1.2 
gm    40.2 mA/V
VT 25 mV  7.247V  aktif 
RC //RL  1.5//5  1.154KΩ

Av   gm ( RC //RL )  (40.2)(1.154)  46.39

Yük direncinin etkisi

RC //RL  2.4KΩ RC //RL  2KΩ

Av   g m ( RC //RL )  96 Av   g m ( RC //RL )  80

RC  3KΩ, RL  
Av   g m ( RC )  120 maksimum voltaj kazancı

Daha düşük yük direnci daha düşük voltaj kazancı.

Giriş Direncinin Bulunması

Ri(baz)  r
r
v g m v
Ri  R1 //R2 //Ri(baz)

Çıkış Direncinin Bulunması

vi  0
v  0
g m v  0

R01  
v r g m v
R0  RC
 CE Akım Kazancı

io
Ai 
ii

Ai her zaman β (hFE ) dan daha küçüktür:

1. ac giriş akımı transistor ve kutuplama devresi arasında
bölünür.
2. Çıkış kollektor akımı, kollektor direnci ve yük direnci
üzerinden ikiye ayrılır.

Akım Kazancının Bulunması (Ai)

i0
Ai  ?
ii
i0 i0 ic ib
Ai  
ii ic ib ii
i0 RC

ic RL  RC

i0  RC   ( R1 //R2 )  ic
 
Ai          ib
ii  RL  RC  ( R
 1 2 // R )  r 
ib ( R1 //R2 )

vi v0 i0 v0 / RL v0 Ri R ii ( R1 //R2 )  r
ii  i0     Av i
Ri RL ii vi / Ri vi RL RL
 Örnek: Devrenin akım kazancını hesaplayınız (Ai =?)

Ri ( RC //RL )
Ai   
Ri(baz) RL
Ri  R1 //R2 //Ri(baz)  2.1KΩ
   200  
 2.11.15
RC //RL  1.15KΩ
 4.8 5
 20.2

Çok katlı yükselteçlerin kazançlarının hesaplanması (Multistage Amp.

Gain Calculations)

AvT  Av1 Av 2 Av 3  işlem:

AiT  Ai1 Ai 2 Ai 3 
ApT  AvT AiT
1. Dc analiz yapınız.
2. Her bir katın gm ve rπ bulunuz.
3. Her bir katın yük direncini
bulunuz.
4. Her bir katın voltaj kazancını
bulunuz (Av )

Bir sonraki devrenin giriş direnci bir önceki devrenin yük

direncidir.
Ödev +15V
R3 R7
R1 5k R5 5k
C1 22k 15k v0
Q1 C2 Q2 C3 RL
v1 10k
vi
R2 R4 R6 R8
C4 C5
3.3k 1k 2.5k 1k = 200

2. Katın giriş direnci: Ri 2(baz )  r 2 Ri 2  R5 //R6 //Ri 2(baz )

v0 v1
rC1  R3 //Ri 2 rC 2  R7 //RL Av 2    g m 2 rC 2 Av1    g m1rC1
v1 vi
Ri  R1 //R2 //Ri1( baz )  R1 //R2 //r 1

Emitörde direnç olması durumda CE yükselteçlerin analizi

rc  RC //RL
 ib
vi v0 v0   g m ( RC //RL )v
v
R1//R2 RC //RL vi  v  ie rE  v  (  g m v )rE
r
 r  1  g m r  rE 
ie  v   
Ri Ri1 R01 R0  r 
rE
v0 g r ( R //R )
 m  C L
vi r  1  g m r  rE

v0    ib ( RC //RL ) vi
Ri1   r  (1   )rE
ib
vi  ib r  ib (1   )rE
Ri  Ri1 //R1 //R2
v0  ( RC //RL )
Av   R01  
vi r  (1   )rE
R0  ( RC //RL )

ib
vi v0

R1//R2 RC //RL

ie
Ri Ri1 R01 R0
rE
Örnek_6 R2 4.7
Vth  VCC  10  2.070V
R1  R2 22.7
Rth  R1 //R2  18K//4.7K  3.727KΩ
Vth  VBE
IB 
Rth     1 rE  RE 
2.070  0.7

3.727   2011.21
 5.550μA
I C   I B   200  5.550μA 
 1.110mA
I E     1 I B   201 5.550μA 
 1.116mA

Örnek_6
VCE  VCC  I C RC  I E  rE  RE 
 10  1.111.5   1.116   1.210 
 6.985V (aktif)
I C 1.11 mA
gm    44.4 mA/V
VT 25 mV
r  4.5 K
rC  RC //RL  1.304 KΩ

v0  rC  200  1.304 
Av     4
vi r  (1   )rE  4.5    201 0.3 
Ri  R1 //R2 //  r  (1   )rE   18//4.7//64.8  3.52 K
CE yükselteç için hibrit Model

h fe   ac

hie   h fe  1 re  h fe re

2N3904 h-parametreleri