Bipolar Junction Transistors (BJT)

BJT yapısı
 BJT yapısı ve sembolü

BJT yapısı

Baz-Emitör J. Kollektor-Baz J. Çalışma Bölgesi

Ters (Reverse) Ters (Reverse) Kesim (Cutoff )

İleri (Forward) Ters (Reverse) Aktif (Active)

İleri (Forward) İleri (Forward) Doyum (Saturation )

Ters (Reverse) İleri (Forward) Ters aktif (Reverse Active)

 BJT’nin Çalışması

BJT’nin Çalışması
Baz’daki azınlık taşıyıcıları elektronlardır (p tipi) n p (0)  n po eVBE / VT
baz’da elektronlar difüzyona uğrayacaktır
dn p ( x)  n (0) 
I n  AE qDn  AE qDn   p 
dx  W 
AE: B-E jonksiyonunun kesit alanı
W: baz’ın etkin genişliği
NA: Baz’ın katkılama konsantrasyonu
Dn: elektronları yayılma gücü (electron diffusivity)
q: elektron yükü
AE qDn ni2
IS 
Kolletör akımı: iC  I n  I S e
v BE /VT
N AW
n i2
iC , vCB bağımsızdır Is  10-12 A - 10-18 A np0 =
NA
 BJT’nin Çalışması
• Baz akımı: iki bileşenden meydana gelir
– Emitöre enjekte edilen hole  iB1
– Baz bölgesinde elektronların yeniden birleşmesi iB2
AE qD p ni2evBE /VT np(0)
Base
p
iB1 
N D Lp np(ideal)

Dp: Hole yayılma gücü (Emitör)

Lp: Hole difüzyon uzunluğu (Emitör)
ND: Emitörün katkılanma konsantrasyonu
Qn effective
iB 2  base width
b 1
Qn: Baz’daki azınlık taşıyıcı yükü 
Qn   AE   q    n p (0) W 
 2

b: azınlık taşıyıcı ömrü
AE qWni2 vBE /VT
Üçgenin alanından Qn  e
2N A

BJT Çalışması: Akım Kazancı

Toplam Baz Akımı: B i  iB1  iB 2
 D p N A W 1 W 2  v /V b Ortak emitörlü akım kazancı
iB  I S  
 Dn N D L p 2 Dn b 
e BE T
  Tipik olarak
b akım kazancı olarak 50 < b < 300
tanımlanırsa
v BE
iC I  Özel transistorlarda
b iB   S  e VT
iB b  b > 1000
daha öce tanımlanan iC’ den
faydalanarak
1
b
 Dp N A W 1 W 2 
  
D N
 n D p L 2 D 
n b 
 BJT Çalışması: Emitör Akımı

• Emitör akımı: iE  iC  iB
b 1 b 1 v
iE  iC  IS e BE / VT

b b
iE ile iC arasındaki ilişkiyi α olarak tanımlarsak

iC   iE
b 

b 1
b
1
 Ortak Bazlı akım kazancı olarak tanımlanır
  0.99

BJT’nin büyük işaret eşdeğer devresi

 Gerçek Transistorun Yapısı

N D ~ 1017 N A ~ 1016
N D ~ 1015
 F I SE   R I SC  I S
0.01   R  0.5 1 ~ 5μm 5 ~ 10μm

0.01  b R  1 ~ 0.1μm

Ters aktif modda çalışan bir transistor modeli

 Ebers-Moll Model
i E  i DE   R i DC
iC   i DC   F i DE
iB   1   F  i DE   1   R  i DC

 vVBE 
i DE  I SE  e T  1 
 
 

 vVBC 
i DC  I SC  e T  1 
 
 

I   VBET
v
  vVBC 
iE   S   e  1   I S  e  1 
T

 F    
 vVBE   I   vVBC 
iC  I S  e  1    S
 e  1
   R  
T T

 
   
  VBET  I   VBCT 
v v
 IS
iB     e  1   
S
  e  1 
 bF    R  
R
F bR 
bF  1  R
1  F
Eğer transistor aktif bölgede ise vBE 0.6V ile 0.8V arasında
olacak, vBC negatif olacaktır.
vBC
VT terimi ihmal edilirse
e
v
 I  VBET  1 
iE   S  e  I S  1  
 F    F 

v BE
 1 
iC  I S e VT
 IS   1
 R 
v
 I  VBET  1 1 
iB   S  e  I S   
 bF  b
 F b R 
 pnp transistorun kutuplanması ve çalışması

pnp transistorun büyük işaret eşdeğer devresi

BJT
Transistor uç akımları

IE = IC + IB

Yükselteç (Amplifier): IC = b IB

Transistor voltajları

Voltaj Kısaltma İfade

VCC Kollektor kaynak (besleme) voltajı
VBB Baz kaynak (besleme) voltajı
VEE Emitör kaynak (besleme) voltajı
VC Kollektor-toprak arası voltaj
VB Baz-toprak arası voltaj
VE Emitör-toprak arası voltaj
VCE Kollektor-Emitör arası voltaj
VBE Baz-Emitör arası voltaj
VCB Kollektor-Baz arası voltaj
Kesim (Cut off)

IC = 0 C
RC
IC = 0
n
RB
p
B VCC
n

VBB E

RE

Doyum (Saturation)
VCC  0.2V VCC
IC  
RC  RE RC  RE
 Aktif (Active)
RC
IC
C
IC

I C  βI B n
RB IB
VCC
+5.0 V
p 10 V
B VCE
n
VBB 0.7 V
E
VBE

IE RE
VBE < VCE < VCC

Transistorün çalışma bölgeleri (RE = 0 W 

Çalışma
VBE IC VCE VRC
Bölgesi

Kesim(Cutoff) < 0.5 V =0A = VCC =0V

Aktif (Active) » 0.7 V = b IB = VCC - ICRC = ICRC

Doyum  (VCC - 0.2 V) / RC  VCC - 0.2 V

» 0.8 V » 0.2 V
(Saturation)  VCC / RC  VCC

Çalışma
VEB IC VEC VRC
Bölgesi

Kesim(Cutoff) < 0.5 V =0A = VCC =0V

Aktif (Active) » 0.7 V = b IB = VCC - ICRC = ICRC

Doyum  (VCC - 0.2 V) / RC  VCC - 0.2 V

» 0.8 V » 0.2 V
(Saturation)  VCC / RC  VCC
iC -vBE grafiği

Sıcaklığın iC -vBE eğrisi üzerine etkisi

2 mV/C0
iC -vCE grafiği
BJT’nin iC - vCE grafiği (npn için)

BJT’nin iB - vBE grafiği (npn için)

IB

VBE
VK
b, IC ve sıcaklık arasındaki ilişki