MODULO Nº11

TRANSISTORES BJT
UNIDAD: CONVERTIDORES CC - CC

TEMAS:

¾ Transistores de Unión Bipolar.

¾ Parámetros del Transistor BJT.
¾ Conmutación de Transistores BJT.

OBJETIVOS:

¾ Comprender el funcionamiento del transistor BJT.

¾ Explicar los parámetros del transistor BJT.
¾ Realizar el cálculo de circuitos de conmutación para el transistor BJT.

DESARROLLO DE TEMAS
1. Transistores de Unión Bipolar:

También llamado transistor BJT por sus siglas en ingles (Bipolar Juntion Transistor), es
un dispositivo que se forma uniendo 3 capas de semiconductor tipo P y N, por lo que se
pueden tener 2 tipos: transistor NPN y transistor PNP, los cuales se muestran a continuación
junto con sus respectivos símbolos eléctricos y comparaciones con el diodo semiconductor:

Las siglas de cada terminal corresponden a: E – Emisor, B – Base y C – Colector. La

representación con diodos es útil para definir en gran parte la operación del transistor BJT, sin
embargo esta conexión realizada con diodos normales no produce el mismo efecto, la razón de
esto es que la cantidad de electrones y huecos en cada capa no es la misma, como la que se
muestra a continuación:

N P N
Electrones (Carga -)
E C Huecos (Carga +)

Observe que el emisor se encuentra más dopado que el colector, y ambos son más
dopados que la base. Por esta razón, un transistor BJT no opera normalmente si se invierten
los terminales del emisor y el colector.

Realizado por: Ing. José Trelles

 La explicación que sigue se basará en el transistor NPN, pero es igualmente válida
para el transistor PNP solo que se cambian polaridades de las fuentes y electrones por huecos.
Para empezar, el transistor funcionará solo si se cumplen las siguientes condiciones:
La unión base – emisor debe tener polarización directa, es decir base positivo y emisor
negativo, en cambio que la unión base – colector debe tener polarización inversa, es decir,
base negativo y colector positivo.
En la unión base emisor los electrones del emisor penetran en la base, sin embargo
dado que hay pocos huecos, la mayoría queda flotando entre el emisor y la base. Mientras
mayor sea la corriente de base mayor será la cantidad de electrones flotantes entre ambas
regiones. Por otro lado la unión base colector con polarización inversa empuja a los electrones
y a los huecos hacia los extremos, por lo que no existe ninguna corriente. Al combinar los dos
a la vez, resulta que los electrones flotantes del emisor, ahora son atraídos hacia el colector, y
debido a su gran número son capaces de vencer la barrera y pasar, produciendo una corriente
muy alta en comparación con la corriente de base.
Este proceso se explica gráficamente en las siguientes figuras:

En base al último gráfico se observa que, con una pequeña corriente de base se atraen
más electrones libres del emisor, con lo que al final se tiene una gran corriente que atraviesa al
transistor en sentido emisor colector.
A continuación se presenta la curva característica del transistor:

Realizado por: Ing. José Trelles

 Como se puede observar, para cada valor de corriente de base existirá una corriente
de colector. Matemáticamente esta relación entre la corriente de base y la de colector recibe el
nombre de Ganancia o Factor de Amplificación:

HFE = IC / IB

Este factor indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base, es típico
encontrar transistores con valores entre 40 a 20000.

2. Parámetros del Transistor BJT:

Al igual que los anteriores dispositivos semiconductores, los transistores también tienen
parámetros de funcionamiento que deben respetarse si se quiere que los mismos funcionen
correctamente y sin peligro de daño. Los parámetros más importantes son:

• Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta corriente los diodos

internos se queman quedando cerrados todo el tiempo sin importar el tipo de
polarización que se aplica. Se encuentra valores desde 0.1A a 80A, para valores más
elevados de corriente se conectan transistores en paralelo.
• Factor de Amplificación o Ganancia: Es común que los fabricantes den el valor
promedio de este parámetro y en algunas ocasiones los valores máximos y mínimos.
• Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de ruptura en los
diodos, pasado de este límite se quema internamente el transistor. Su valor se
encuentra entre 10V hasta 1000V.
• Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo de empaque
utilizado. Su valor se encuentra entre 0.1W a 250W.
• Tipo de Empaque: Código que define el empaque utilizado por el transistor. Los
empaques más populares se muestran a continuación:

3. Conmutación de Transistores BJT:

Las aplicaciones de los transistores son muy variadas, sin embargo, nos limitaremos
solo a aquellas en las cuales el transistor opera como un interruptor de estado sólido, las
cuales en forma genérica reciben el nombre de circuitos conmutados.
En cierta forma todas las aplicaciones antes estudiadas basadas en Diodos, SCR y
TRIAC, pueden también ser realizadas por transistores, pero debido a su funcionamiento y
características internas, son más utilizados en aplicaciones de muy alta velocidad de
conmutación (en el orden de los MHz) y corrientes de operación de hasta 100A.
En aplicaciones de conmutación, el objetivo es hacer funcionar al transistor en modo de
corte y saturación. El modo saturación es aquel en la cual el transistor se comporta como un
interruptor cerrado (IC = máx y VCE ≈ 0), por otra parte el modo corte es aquel en el cual el
transistor se comporta como un interruptor abierto (IC ≈ 0 y VCE = máx). Esto se aprecia
mejor en la siguiente figura:

Realizado por: Ing. José Trelles

 Región de Saturación
IC

Región de Corte

VCE

A continuación se muestra el esquema básico de conmutación para transistores BJT

NPN y PNP, así como también el listado de ecuaciones para su cálculo:

FORMULAS:

ICsat = (VCC – VCEsat) / RC

IBsat = 10 * (IC / HFE)
RB = (VCC – VBE) / IB
PT = VCEsat · ICsat

En base a lo anterior se pueden obtener los siguientes análisis:

• En la práctica es común que VCC sea mayor que VBB (ej: VBB = 5V, VCC = 30V).
• El voltaje VBB siempre se debe aplicar entre Base y Emisor.
• En forma sencilla, un transistor NPN se activa con un nivel alto en la base, en cambio un
transistor PNP se activa con un nivel bajo.
• El interruptor que activa la base puede ser entre otros: una compuerta digital, un puerto
de un microcontrolador o computadora, un transistor, un optotransistor, etc.
• Siempre que RC sea de tipo inductiva, se debe colocar D1, a fin de evitar que la tensión
inversa generada por bobina dañe al transistor.
• D1 puede ser colocado en antiparalelo a RC o al transistor.
• El conjunto de fórmulas es aplicable para transistores NPN como PNP.
• El sufijo “sat”, expresa saturación.
• A fin de que el transistor se cierre completamente, IB debe ser 10 veces mayor que el
valor normal necesario, transformándose en IBsat.
• A pesar de que el transistor este en saturación siempre queda un pequeño voltaje entre
colector y emisor llamado VCEsat, que produce calentamiento.

Realizado por: Ing. José Trelles

 EJERCICIOS
1. Se tiene un transistor NPN con una ganancia de 250. Si se aplica en la base una corriente
de 15uA, ¿Cuánta corriente se obtiene en el colector?
2. Se tiene un transistor PNP con una ganancia de 3200. Si por en el colector se tiene una
corriente de 2.2A, ¿Cuál es la magnitud de la corriente de base?

3. Utilizando un transistor NPN, se pretende controlar un portero eléctrico constituido por un

electroimán de 30V / 1A. Si el voltaje de alimentación de la base es de 5V y el transistor a
utilizarse tiene como datos: VCEsat = 1.5V, VBE = 1V y HFE = 3000. Calcule los
elementos del circuito y redondee los parámetros del transistor, además dibuje el esquema
correspondiente.
4. Utilizando un transistor PNP, se pretende controlar un motor para ventanas de 12V / 5A. Si
el voltaje de alimentación de la base es de 6V y el transistor a utilizarse tiene como datos:
VCEsat = 2.2V, VBE = 1.6V y HFE = 5500. Calcule los elementos del circuito y redondee
los parámetros del transistor, además dibuje el esquema correspondiente.
5. Utilizando un transistor NPN, se pretende controlar 5 bombillos incandescentes de 110V /
100W c/u. Si el voltaje de alimentación de la base es de 9V y el transistor a utilizarse tiene
como datos: VCEsat = 3V, VBE = 1.2V y HFE = 10000. Calcule los elementos del circuito y
redondee los parámetros del transistor, además dibuje el esquema correspondiente.

Realizado por: Ing. José Trelles