Professional Documents
Culture Documents
EE-2003 Ch2-2 Truong Dien Tinh
EE-2003 Ch2-2 Truong Dien Tinh
EM-Ch2 1
Vật dẫn và
bán dẫn
Tính
chất
Đối với bài toán điện
Điện môi
TĐT, vật liệu có
thể phân loại
EM-Ch2 2
2.5.1 Vật dẫn và bán dẫn :
a) Giới thiệu:
Vật dẫn đặc trưng bởi tính chất dẫn điện, hiện tượng các
electron tự do chuyển động dưới tác dụng của trường điện bên
ngoài.
electron free electrons Electrons
cloud + bound
elecrons
Đối với vật liệu bán dẫn, dòng điện hình thành không chỉ
do electron mà còn do lỗ trống.
EM-Ch2 4
Điện tích cảm ứng
Vật dẫn cô lập đặt trong trường điện tĩnh nhanh chóng
xuất hiện điện tích tự do trên bề mặt Điện tích cảm ứng
ε ε + + +
+
+
+
+
σ σ +
+
E0 E0 +
+
+
+
+ +
+ + +
Có thể thấy:
Tại t = τ = ε/σ = 1,43.10-19 s ρv = 0,368.ρ0
Tại t = 5τ ρv = 6,7.10-3.ρ0
EM-Ch2 6
c) Tính chất vật dẫn trong trường điện tĩnh:
c1) Tính chất 1: ρV = 0 ; ρS ≠ 0 .
Điện tích cảm ứng bề mặt
ρV = 0 ρS
EM-Ch2 7
c) Tính chất vật dẫn trong trường điện tĩnh:
E0
+ + +
+
+
+
+
E0 +
+
E’ +
σ +
+
+
+ ++
+ +
Nhận xét: Điện tích cảm ứng tạo ra trường điện làm thay
đổi trường điện ban đầu bên trong & xung quanh vật dẫn
EM-Ch2 8
c) Tính chất vật dẫn trong trường điện tĩnh:
c2) Tính chất 2: Cường độ trường điện bên trong vật dẫn = 0.
Trường điện do điện tích cảm ứng <> trường điện ngoài
EM-Ch2 9
c) Tính chất vật dẫn trong trường điện tĩnh:
c3) Tính chất 3: Vật dẫn có tính đẳng thế .
c4) Tính chất 4: Trường điện vuông góc với bề mặt vật dẫn.
→ ρs →
E= an
ε0
EM-Ch2 10
VD2.5.2: Vật dẫn trong trường điện tĩnh
Điện tích phân bố đều bên trong quả cầu bán IV
kính a với mật độ khối ρv, đồng tâm với vỏ cầu III
c II
bán kính trong là b, bán kính ngoài là c. Xác I
định vector cường độ trường điện các miền b ρv
(cho ε = ε0) và mật độ điện tích mặt trên 2 bề a
mặt của vỏ cầu dẫn.
Giải
Bài toán đối xứng cầu: mặt Gauss là mặt cầu, bán kính r.
r
4π 3 E1 = ρ v ar
Q =
∗
r ρv
1
3 3ε 0
EM-Ch2 11
VD2.5.2: Vật dẫn trong trường điện tĩnh
Điện tích phân bố đều bên trong quả cầu bán IV
III
kính a với mật độ khối ρv, đồng tâm với vỏ cầu c II
bán kính trong là b, bán kính ngoài là c. Xác I
định vector cường độ trường điện các miền b ρv
(cho ε = ε0) và mật độ điện tích mặt trên 2 bề a
mặt của vỏ cầu dẫn.
Giải
b) Miền II (a < r < b): Điện tích chứa trong mặt Gauss :
a3
4π 3 E2 = ρ v ar
Q =
∗
a ρv
2
3 3ε 0r 2
EM-Ch2 12
VD2.5.2: Vật dẫn trong trường điện tĩnh
Điện tích phân bố đều bên trong quả cầu bán IV
kính a với mật độ khối ρv, đồng tâm với vỏ cầu III
c II
bán kính trong là b, bán kính ngoài là c. Xác I
định vector cường độ trường điện các miền b ρv
(cho ε = ε0) và mật độ điện tích mặt trên 2 bề a
mặt của vỏ cầu dẫn.
Giải
c) Miền III (b < r < c): Miền vật dẫn nên theo tính chất :
→
E3 = 0
d) Miền IV (c < r): Điện tích chứa trong mặt Gauss giống như
khi tính cho miền II nên ta có: 3
a
E4 = ρ v ar
3ε 0r 2
EM-Ch2 13
VD2.5.2: Vật dẫn trong trường điện tĩnh
Điện tích phân bố đều bên trong quả cầu bán IV
III
kính a với mật độ khối ρv, đồng tâm với vỏ cầu c II
bán kính trong là b, bán kính ngoài là c. Xác I
định vector cường độ trường điện các miền b ρv
(cho ε = ε0) và mật độ điện tích mặt trên 2 bề a
mặt của vỏ cầu dẫn.
Giải
e) Mật độ điện tích trên bề mặt r = b:
ρs (r = a r 0 − ε 0E2
b) = ( ) r =b
− 3b2 ρ V
= a3
EM-Ch2 14
d) Màn điện:
Hốc rỗng
E tr= ??
E 0
E tr = 0
E ng ≠ 0
Màn điện
Kết luận: vật dẫn đóng vai trò là màn chắn trường bên
ngoài vào bên trong hốc rỗng
EM-Ch2 15
d) Màn điện:
Hốc rỗng
E tr=≠00
E ng ≠ 0
E ng ??
Kết luận: vật dẫn không chắn được trường bên trong hốc
rỗng ra bên ngoài
EM-Ch2 16
d) Màn điện:
Hốc rỗng
E tr=≠00
E ng = 0
E ng ??
Kết luận: vật dẫn đóng vai trò chắn trường bên trong hốc
rỗng ra bên ngoài
EM-Ch2 17
Lồng Faraday:
EM-Ch2 18
2.5.2 Điện môi trong
trường điện tĩnh:
EM-Ch2 19
a) Tính phân cực của điện môi:
EM-Ch2 20
a) Tính phân cực của điện môi:
EM-Ch2 21
b) Điện tích phân cực (liên kết) :
Điện tích phân cực khối:
Chân không Điện môi
D = ε0 E0 D ε0 Ee + P
=
ρV divD
= = ε 0 divE 0 ρV divD
= = ε 0 divE e + divP
ρV − divP = ε 0 divE e
ρV → E 0 ρV − divP → E e
ρ PV = −divP (C/ m3 )
EM-Ch2 22
b) Điện tích phân cực (liên kết) :
Điện tích phân cực mặt:
ρ PV = −divP ρ PS =
−a n ( P1 − P 2 ) (C/ m 2 )
EM-Ch2 23
b) Điện tích phân cực (liên kết) :
EM-Ch2 24
c) Đánh thủng điện môi:
Khi trường điện ngoài E ≥ Ect: điện môi trở nên dẫn điện.
EM-Ch2 25
Thông số Ect của một số vật liệu:
EM-Ch2 26
VD 2.5.3: Điện môi trong trường điện
−1µ C m2
− − − − − − −
z=d
z
ε = 4ε 0
z=0
+ + + + + + +
1µ C m2
EM-Ch2 27
VD 2.5.3: Điện môi trong trường điện
−1µ C m2
D −6
= =
(b) E
ε
1
4ε 0
(10 az )
− − − − − − −
z=d
z
ε = 4ε 0
36π −6
= −9
× 10 az
4 × 10 z=0
+ + + + + + +
= 9000π az V m 1µ C m2
(c) P= D − ε 0 E
−6 −6
= 10 az − 0.25 × 10 az
−6
= 0.75 × 10 az C m 2
EM-Ch2 28
VD 2.5.4: Điện môi trong trường điện
Điện tích dương Q đặt tại tâm vỏ cầu
điện môi bán kính trong Ri, ngoài Ro,
có hằng số điện môi εr . Xác định các
vector cường độ trường điện, cảm
ứng điện, phân cực điện và thế điện
các miền.
Giải
Q Q
Khi r > R0 :
D1 = 2 E1 =
4πr 4πε 0 r 2
P1 = 0 Q
ϕ1 =
4πε 0 r
EM-Ch2 29
VD 2.5.4: Điện môi trong trường điện
Q
Khi Ri < r < R0 : D2 = 2
4πr
Q
E2 =
4πε r 2
Q
P=
2 (ε − ε 0 ) 2
4πεr
Q Q
ϕ2 = + (ε r − 1)
4πε r 4πε R0
EM-Ch2 30
VD 2.5.4: Điện môi trong trường điện
Q
Khi r < Ri : D3 = 2
4πr
Q
E3 =
4πε 0 r 2
P3 = 0
Q Q Q
ϕ3
= + (ε r − 1) − (ε r − 1)
4πε 0 r 4πε R0 4πε Ri
EM-Ch2 31
VD 2.5.5: Điện môi trong trường điện
Tụ phẳng, đặt dưới điện áp U = const . Cho x
d = 0,5 cm và điện môi lý tưởng ε = 4ε0 . d
a) Tìm E , D và P trong điện môi khi đặt tụ ε
0
dưới điện áp U = 200V ? U
b) Nếu Ect = 200 kV/cm, tìm hiệu thế điện
chọc thủng của tụ ?
EM-Ch2 32
VD 2.5.6: Điện môi trong trường điện
Cho tụ phẳng hai lớp điện môi, có
d = 0,5 cm; d1 = 0,01 cm.
a) Xđịnh trường điện trong mỗi lớp ?
b) Tìm Uct nếu :
Ect(kkhí) = 30 kV/cm;
Ect(đmôi) = 200 kV/cm.
Giaûi
A
a) Do :
→
E1 =
div D = 0 → = = ε1
D1 D 2 A →
D1n − D 2n =
0 E = A
→ U = ε d1 + ε (d − d1 )
A A
2
ε2
1 2
→ ε2U → → ε1U →
E1 = ax E2 = ax
ε 2 d1 + ε1 (d − d1 ) ε 2 d1 + ε1 (d − d1 )
EM-Ch2 33
VD 2.5.6: Điện môi trong trường điện
ε 2 d1 + ε1 (d − d1 )E ct (kkhi )
Dễ thấy: =
U U=
ct ct1
ε2
(4d1 + d − d1 )E ct (kkhi)
Vậy: U ct = 3,975 (kV )
4
EM-Ch2 34
2.6 Năng lượng trường điện (We )
EM-Ch2 35
a) Tính theo các vector đặc trưng :
1 → → 1 1 D 2
=∫ E.D dV = ∫ ε .E .dV ∫
2
We dV (J)
2 V∞ 2 V∞ 2 V∞ ε
1 1 2 1 2
=
we = ED = εE 3
D (J/m ) = Mật độ năng lượng
2 2 2ε
EM-Ch2 36
b) Tính theo thế điện & mật độ điện tích :
→ → →
(ϕ D) ϕ div D+ D gradϕ
div=
→ → → → →
ϕ div D − div(ϕ D) =
DE = ϕρV − div(ϕ D)
1 → → 1 1 →
We ∫
=
2 V∞
E.D dV ∫
2 V∞
ϕρV dV − ∫ div(ϕ D)dV (J)
2 V∞
Xem thêm sách Trường Điện Từ trang 88-90
Ngô Nhật Ảnh – Trương Trọng Tuấn Mỹ
1 1
=We ∫
2 V
ϕρV dV + ∫ ϕρ S dS
2 S
EM-Ch2 37
b) Tính theo thế điện & mật độ điện tích :
1
We = ∫ ρ .ϕ .d
2 L
1
We = ∫ ρ S .ϕ .dS
2 S
1
We = ∫ ρV .ϕ .dV
2 V
EM-Ch2 38
c) Năng lượng hệ N vật dẫn:
Cho hệ n vật dẫn trong miền ρV = 0 : chỉ S1 ρV = 0 Sk
tồn tại ρS trên bề mặt các vật dẫn. ρv = 0
…
Sn
1 1 1 ρS ≠ 0
We = ∫ ρV ϕ dV + ∫ ρ Sϕ dS = ∫ ρ Sϕ dS
2 V 2 S 2 S
1 n 1 n
=∑ ∫
2 k 1=Sk
ρ Sϕk dSk ∑ ϕk ∫ ρ S dSk
2 k 1 Sk
1 n
= ∑ ϕk qk =
W 1
ϕ1q1 + ... + ϕn q n
1
2 k =1 e 2 2
EM-Ch2 39
VD 2.6.1: Năng lượng trường điện
Điện tích phân bố đối xứng cầu ρ 0 (0 < r < R )
theo qui luật : ρ=
0 (r > R)
Xác định ϕ các miền & We tích lũy trong miền r < R ?
ρ0 R 3
Do ϕ(r = ∞) = 0, C1 = 0. ϕ1
= 3ε 0 r + C1
EM-Ch2 40
VD 2.6.1: Năng lượng trường điện (tt)
Điện tích phân bố đối xứng cầu ρ 0 (0 < r < R )
theo qui luật : ρ=
0 (r > R)
Xác định ϕ các miền & We tích lũy trong miền r < R ?
ρ0 r
b) Khi r < R : E2 = 3ε 0 ar
− ∫ E 2 d + C2 =
ρ0 r 2
Suy ra thế điện miền này : ϕ2 = − 6 ε 0 + C2
ρ0 R 2 ρ0 R 2
ĐK liên tục: ϕ1(r = R) = ϕ2(r = R) :
3ε 0 =
− 6ε 0 + C2
ρ0 r 2 ρ0 R 2
ϕ2 =
− + 6ε 0 2ε 0
EM-Ch2 41
VD 2.6.1: Năng lượng trường điện (tt)
Điện tích phân bố đối xứng cầu ρ 0 (0 < r < R )
theo qui luật : ρ=
0 (r > R)
Xác định ϕ các miền & We tích lũy trong miền r < R ?
We = ∫ ε E dV
2
c) Năng lượng trường điện: 1
2 V 0 2
R π 2π
We = ε 0 ∫ ∫ ∫
1
2 ( ) (r
ρ0 r 2
3ε 0
2
sin θdrdθ dφ )
0 0 0
R 2π ρ R 2 5
∫
ρ02
= 1
2 9ε 0 r dr (4π )
4
We = (J)o
0
45ε 0
EM-Ch2 42
2.7 Tụ điện và điện dung cuả tụ điện:
EM-Ch2 43
a) Tụ điện:
Tụ = Hệ 2 vật dẫn thỏa :
: Q1 + Q 2 =
0
Q1
Các loại tụ cơ bản:
Q2 Vật dẫn
Cách điện
EM-Ch2 44
b) Điện dung của tụ điện:
ii. Cho UAB = hiệu thế điện giữa 2 vật dẫn ( Hoặc gán các vật dẫn
mang điện tích Q và – Q).
iii. Xác định: D ( hay E)
B
iv. Xác định: Q ∫ DdS ( hay U AB
=
S ∫A
Ed l )
Q
v. Xác định: C = (F)
U AB
EM-Ch2 46
VD 2.7.1: Tính điện dung
Tìm điện dung của tụ phẳng, điện
môi ε, diện tích cốt tụ là S, cách
nhau một khoảng là d ?
Giải
Đặt tụ dưới hiệu thế U , ta xác
định vectơ cường độ trường điện:
→ U→ → εU →
E = ax D= ax
d d
Điện tích cốt tụ tại x = 0 : Luật Gauss tích phân: Q = D x .S
Q εS
Điện dung của tụ phẳng: C =
U
C=
d
EM-Ch2 47
VD 2.7.2: Tính điện dung đường dây
Đường dây song hành, bán kính dây dẫn là a, hiệu thế U,
cách nhau d .Tìm điện dung đơn vị của đường dây ( giả sử d
>> a) ?
Giải
EM-Ch2 48
VD 2.7.2: Tính điện dung đường dây (tt)
Thế điện tại 1 điểm bên ngoài 2 dây dẫn:
λ r−
ϕ= ln
2πε r +
λ d −a a λ d −a
⇒ U = ϕ A − ϕB = ln a − ln d − a = πε ln a
2πε
Do C0 =
λ πε
C0 =
U d −a
ln
a
EM-Ch2 49
Điện dung đơn vị của các loại đường truyền
εW 2π ε
C0 = C0 =
d ln(b/a)
πε
C0 =
cosh −1 (d/2a)
EM-Ch2 50
a
λ r −
λ ϕP = ln +
r+ 2πε r
A P
y
x0
x= h − a
h 2 2 2
0
r-
O x
x0
−λ
EM-Ch2 51
c) Tính C dùng năng lượng trường điện:
1 → → 1 1 D 2
=∫ E.D dV = ∫ ε .E .dV ∫
2
We dV (J)
2 V∞ 2 V∞ 2 V∞ ε
ϕ1 Q1
1
We = CU 2
ϕ2 Q2 2
EM-Ch2 52
VD 2.7.3: Tính C dùng We
Tính C của tụ cầu gồm 2 lớp điện môi lý tưởng ?
a b
Giải
Đặt tụ đưới hiệu thế điện U (ϕa = U; ϕb = 0),
dùng phương trình Laplace xác định thế điện và ε2 ε1
cường độ trường điện trong mỗi lớp điện môi:
abU 1 aU
ϕ= ϕ= −
(b − a) r (b − a)
1 2
abU 1
E= E= a
(b − a) r
1 2 2 r
EM-Ch2 53
VD 2.7.3: Tính C dùng We (tt)
Tính C của tụ cầu gồm 2 lớp điện môi lý tưởng ?
a b
Giải
Năng lượng trường điện của hệ:
1
ε2 ε1
∫ ε1E1 dV + ∫ ε 2 E 2 dV
2 2
We
2 1 V V2
a 2 b 2 U 2 b π π ε1 b π 2π ε
2 ∫a ∫0 ∫0 2
sin θ drdθ dφ + ∫ ∫ ∫ 2 sin θ drdθ dφ
2
2(b − a) r a 0 π r
abU 2
2π ( ε1 + ε 2 ) 2We 2π ab
We
2(b − a) =C = ( ε1 + ε 2 )
U 2
(b − a)
EM-Ch2 54
VD 2.7.4: Tính C tụ không đồng nhất
x
Tụ phẳng, điện môi lý tưởng – ρS
d
không đồng nhất hằng số điện môi U
εr = ax + b
εr = ax + b (a,b =const), nối vào 0 +
nguồn DC hiệu thế U.
diện tích A
Mật độ điện tích mặt ρS
a) Giả sử điện tích mặt trên cốt tụ tại x = 0 là ρS và trên cốt tụ tại
x = d là – ρS. Tính vector cảm ứng điện và cường độ trường
điện trong điện môi ?
b) Theo câu a), xác định hiệu thế điện U (theo ρS) và điện dung
của tụ ?
c) Theo câu a), xác định mật độ điện tích phân cực khối trong
điện môi (theo ρS) ?
EM-Ch2 55
VD 2.7.4: Tính C tụ không đồng nhất (tt)
x
Giải
d
a) Theo xếp chồng: U
εr = ax + b
1
=
D 1
ρ a + 2 ( − ρS )( − a x=
2 S x
) ρS a x 0 +
ρS 1 diện tích A
E= =
D
ε ε 0 ax + b
ax Mật độ điện tích mặt ρS
( )
d d dx
∫ ∫
ρS ρS ρS
U= Edx= = ln(ax + b) = ln 1 + adb
d
0 ε0 0 ax + b ε0a 0 ε0a
EM-Ch2 57
VD 2.7.5: Tính C tụ không đồng nhất
+
Tụ trụ, bán kính trong a = 1cm, bán U b
kính ngoài b = 2,5cm, điện môi lý
tưởng không đồng nhất hằng số điện a
a) Do tính đối xứng của bài toán, cảm ứng điện có dạng:
1 ∂
D = D r a r (hệ trụ) Và: divD = 0 (rD r ) = 0
r ∂r
Dr = A
r
(Với A = const)
EM-Ch2 58
VD 2.7.5: Tính C tụ không đồng nhất (tt)
+
E= =
D
ε
A 1
ε 0 0,1+ r
ar U b
( )
b
∫
0,1+ b
= = ln(0,1 + r)=
A dr A b A
U ε0
ln
a 0,1+ r ε0 a ε0 0,1+ a
A = ε 0 U / ln ( )
0,1+ b
0,1+ a
Vậy:
ε0 U 1 U 1
D= ar E= ar
ln ( )
0,1+ b
0,1+ a
r ln ( )
0,1+ b
0,1+ a
0,1 + r
EM-Ch2 59
VD 2.7.5: Tính C tụ không đồng nhất (tt)
+
b) Điện tích trên cốt tụ trong trên 1m: U b
ε0 U 1
Q r =a ∫=
= DdS .2π r a
S
ln ( ) 0,1+ b
0,1+ a
r
ε
2π ε 0 U
Q r =a =
( )
0,1+ b
1m
ln 0,1+ a