HCMUT

Course: Biomedical Electronics

Instructor: Hồ Trung Mỹ

Ch 2
Biomedical instrumentation &
Sensors

Refs:
1. Prof. Andrew Mason - Michigan State University, USA
2. J.G. Webster, “Medical Instrumentation Application and
Design”, John Wiley & Sons, 2010

1
 Outline
4. Sensors (Cảm biến)
– Displacement Measurement (đo độ dời)
– Cảm biến điện trở
– Cảm biến điện cảm
– Cảm biến điện dung
– Cảm biến áp điện
– Temperature Measurement (đo nhiệt độ)
– Optical Measurements (đo quang)
– Solid-State Sensors (cảm biến trạng thái rắn)
– MEMS Sensors (cảm biến MEMS)
– Sensor Calibration (Cân chỉnh cảm biến)
2
 Transducers (dụng cụ biến năng)
• Transducer (dụng cụ biến năng) là dụng cụ chuyển đổi
dạng năng lượng cơ bản (hay sơ cấp) (như cơ, nhiệt, điện từ,
quang,..) thành tín hiệu tương ứng có dạng năng lượng
khác.
• Dụng cụ biến năng có dạng cảm biến hoặc dụng cụ chấp
hành:
– Sensor (cảm biến) là dụng cụ phát hiện (hoặc đo) tín hiệu
(signal) hoặc kích thích (stimulus), thu thập thông tin từ "thế giới
thực".
– Actuator (dụng cụ chấp hành) là dụng cụ sinh [một] tín hiệu
hoặc kích thích.

3
 Sensor Systems

primary transducer = dụng cụ biến năng sơ cấp

secondary transducer = dụng cụ biến năng thứ cấp 4
Example Electronic Sensor Systems

5
Primary Transducers

6
 Direct vs. Indirect Measurement

displacement = [sự] dịch chuyển, độ dời, chuyển vị

blood vessel = mạch máu
7
4.1 Đo độ dời (Displacement Measurements)
• Nhiều tham số y sinh dựa trên các phép đo kích thước, hình
dạng và vị trí của các cơ quan, mô, v.v.
– yêu cầu cảm biến dịch chuyển
• Thí dụ:
– (trực tiếp) đường kính mạch máu.
– (gián tiếp) chuyển động của màng loa microphone để định lượng
chuyển động của chất lỏng qua trái tim.

• Cảm biến sơ cấp

– Cảm biến điện trở (biến trở và đo biến dạng)
– Cảm biến điện cảm
– Cảm biến điện dung
– Cảm biến áp điện
• Cảm biến thứ cấp
– Cầu Wheatstone
– Bộ khuếch đại (chương tiếp theo)

8
 4.2 Resistive Sensors
Potentiometer

translational = tịnh tiến 9

 Cảm biến đo biến dạng (Strain Gage)
• Strain-gage (SG) = đo biến dạng
– Strain = biến dạng: kéo căng (dây...), giãn dài, co ngắn, làm cong, làm méo...
– Gage = Gauge = đo
• Nguyên tắc: điện trở bị thay đổi khi có biến dạng cơ học
R = Điện trở
ρ = điện trở suất
L = chiều dài
S = diện tích mặt cắt ngang
(hình tròn thì có đường kính D)
L A L + L
𝐿 𝐿 + ∆𝐿
𝑅𝑖𝑛𝑖𝑡𝑖𝑎𝑙 = 𝜌 𝑅𝑠𝑡𝑟𝑎𝑖𝑛𝑒𝑑 = (𝜌 + ∆𝜌)
𝐴 𝐴 + ∆𝐴
∆𝐴 ∆𝐿
• Sự thay đổi diện tích: = −2𝜇 với tỉ số Poisson  = −(D/D)/(L/L)
𝐴 𝐿

• Sự thay đổi diện trở: ∆𝑅 = ∆𝜌 + ∆𝐿 − ∆𝐴 hay ∆𝑅

= 1 + 2𝜇
∆𝐿 ∆𝜌
+
𝑅 𝜌 𝐿 𝐴 𝑅 𝐿 𝜌
• Hệ số biến dạng G (hay GF):
∆𝑅/𝑅 ∆𝜌/𝜌
𝐺= = 1 + 2𝜇 +
∆𝐿/𝐿 ∆𝐿/𝐿
10
 Strain Gage: Basics

strain = độ căng
strain gage = cảm biến đo biến dạng/độ căng/sức căng
11
 Strain Gage: Gage Factor

gage factor = hệ số biến dạng

12
Strain Gage: Materials

13
Strain Gage

14
Semiconductor Strain Gage (1/3)

15
Semiconductor Strain Gage (2/3)

16
Semiconductor Strain Gage (3/3)

17
 Pressure Sensor: Biomedical Application
4 cm
Clear plastic

To patient Saline Flush valve

Gel IV tubing

Electrical cable
Silicon chip
Figure 14.15 Isolation in a disposable blood-pressure sensor. Disposable blood pressure
sensors are made of clear plastic so air bubbles are easily seen. Saline flows from an
intravenous (IV) bag through the clear IV tubing and the sensor to the patient. This flushes blood
out of the tip of the indwelling catheter to prevent clotting. A lever can open or close the flush
valve. The silicon chip has a silicon diaphragm with a four-resistor Wheatstone bridge diffused
into it. Its electrical connections are protected from the saline by a compliant silicone elastomer
gel, which also provides electrical isolation. This prevents electric shock from the sensor to the
patient and prevents destructive currents during defibrillation from the patient to the silicon chip.
disposable = dùng 1 lần clotting = sự đóng cục
saline = nước muối elastomer = chất đàn hồi
intravenous = trong tĩnh mạch defibrillation = sự khử rung [tim]
indwelling catheter = ống thông 18
Biomedical Applications of Strain Gages

venous-occlusion = [sự] đứt tĩnh mạch

arterial-pulse = xung động mạch
plethysmography = phép ghi biến đổi thể tích

19
4.3 Wheatstone Bridge

20
Wheatstone Bridge (2/4)

21
Wheatstone Bridge (3/4)

22
Wheatstone Bridge (4/4)

23
 4.4 Inductive Sensors
Ampere’s Law: flow of electric current will create a magnetic field
Faraday’s Law: a magnetic field passing through an electric circuit will create a
voltage

i
+
+ +
v2
v  v1
-
-
d
-
N1
v=N N1

N2
v1 = v2
dt N2
Inductive Displacement Sensors
(Cảm biến điện cảm đo độ dời)

25
LVDT : Linear variable differential transformer
- full-scale displacement of 0.1 to 250 mm
- 0.5-2 mV for a displacement of 0.01mm
- sensitivity is much higher than that for strain gages
Disadvantage requires more complex signal processing
http://www.macrosensors.com/lvdt_macro_sensors/lvdt_tutorial/lvdt_primer.pdf

vo = vcd = vce − vde

+
+
-
_
+
-

(a) As x moves through the null position,

the phase changes 180 , while the
magnitude of vo is proportional to the
magnitude of x. (b) An ordinary rectifier-
demodulator cannot distinguish between
(a) and (b), so a phase-sensitive
demodulator is required.
 4.5 Capacitive Sensors
Capacitive sensors
A
For a parallel plate capacitor:
C =  0 r
x
0 = dielectric constant of free space
r = relative dielectric constant of the insulator
A = area of each plate
x = distance between plates
Change output by changing r (substance flowing between plates),
A (slide plates relative to each other), or
x.
Capacitive Sensors

28
 4.6 Piezoelectric Sensors
Measure physiological displacement and record heart sounds.

• Certain materials generate a voltage when subjected to a mechanical

strain, or undergo a change in physical dimensions under an applied
voltage.
•Uses of Piezoelectric
•External (body surface) and internal (intracardiac)
phonocardiography
•Detection of Korotkoff sounds in blood-pressure measurements
•Measurements of physiological accelerations
•Provide an estimate of energy expenditure by measuring
acceleration due to human movement.
 q = kf
Vo k = piezoelectric constant, C/N
(typically pC/N, a material property)

k for Quartz = 2.3 pC/N

k for barium titanate = 140 pC/N

To find Vo, assume system acts like a capacitor (with infinite leak resistance
Capacitor:
q kf kfx
Vo = = = C =  0 r
A
C C  0 r A x
For piezoelectric sensor of 1-cm2 area and 1-mm thickness with an applied force
due to a 10-g weight, the output voltage v is
0.23 mV for quartz crystal
14 mV for barium titanate crystal.
 Models of Piezoelectric Sensors

Piezoelectric polymeric films, such as polyvinylidence fluoride (PVDF). Used for uneven
surface and for microphone and loudspeakers.
 Transfer Function of Piezoelectric Sensors
View piezoelectric crystal as a charge generator:

q = Kx
K = proportion ality constant
x = deflection

Rs: sensor leakage resistance

Cs: sensor capacitance
Cc: cable capacitance
Ca: amplifier input capacitance
Ra: amplifier input resistance

Ra
 Transfer Function of Piezoelectric Sensors
Convert charge generator to current generator:

q = Kx
dq dx
is = =K
dt dt
is = ic + iR
ic = is −i R Ra

 dVo  dx Vo
C =K −
 dt  dt R

Vo ( j ) K s j
=
X ( j ) j + 1 Current
Ra

Ks = K/C, sensitivity, V/m

 = RC, time constant
Piezoelectric Sensors

34
Piezoelectric Sensors: step response

35
 Example 2.1

C = 500 pF
Rleak = 10 G Current
Ra = 5 M 
What is fc,low ?

1 1
f c ,low = = = 64 Hz
2RC 2 (5 10 )(500 10 )
6 −12

for R a = 500 M
1
f c ,low = = 0.64 Hz
2 (500 10 )(500 10 )
6 −12
High Frequency Equivalent Circuit

Vo ( j ) K s j
=
X ( j ) j + 1
Rs
4.7 Temperature Measurement

38
Temperature Sensor Options

39
Temperature Sensor Options

40
4.8 Thermocouples

41
 4.9 Thermistors
Thermistors are semiconductors made of ceramic materials
whose resistance decreases as temperature increases.

Advantages
-Small in size (0.5 mm in diameter)
-Large sensitivity to temperature changes (-3 to -5% /oC)
-Blood velocity
-Temperature differences in the same organ
-Excellent long-term stability characteristics (R=0.2% /year)

Disadvantages
-Nonlinear
-Self heating
-Limited range
 Circuit Connections of Thermistors
Bridge Connection to measure voltage

R3
R1

V vb
va

R2
Rt

Amplifier Connection to measure currents

 Thermistors Resistance
Relationship between Resistance and Temperature at zero-power resistance of
thermistor.

[  (T0 −T ) / TT0 ]
1000

Rt = R0e
100
 = material constant for thermistor, K

Resistance ratio, R/R25º C

(2500 to 5000 K) 10
To = standard reference temperature, K
To = 293.15 K = 20C = 68F 1

0.1

Temperature coefficient  0.01

1 dRt 
= =− 2 (% / K ) 0.001
Rt dT T
 is a nonlinear function of temperature
− 50 0 50 100 150 200
Temperature, ° C
(a)
Figure 2.13 (a) Typical thermistor zero-power resistance ratio-temperature
characteristics for various materials.
Thermistors

45
 4.10 Radiation Thermometry
Electromagnetic Radiation Spectrum

46
Radiation Thermometry

47
 Đo thân nhiệt (đo nhiệt độ của con người)
Nhiệt kế bức xạ tốt cho việc xác định thân nhiệt
• Đo cường độ bức xạ hồng ngoại từ màng nhĩ & xung
quanh ống tai.
– Màng nhĩ được tưới máu bởi cùng một mạch máu với vùng
dưới đồi, bộ điều nhiệt chính của cơ thể.
• Có lợi hơn nhiệt kế, cặp nhiệt điện hoặc nhiệt điện trở
– Không cần tiếp xúc để đặt nhiệt độ của cảm biến
– Thời gian đáp ứng nhanh, ~ 0.1 s
– Độ chính xác ~ 0.1 oC
– Độc lập với kỹ thuật người dùng hoặc hoạt động của bệnh
nhân
• Cần cân chỉnh để duy trì độ chính xác.

48
 4.11 Cảm biến nhiệt quang sợi
(Fiber-optic Temperature Sensor)
• Hoạt động của cảm biến
– mẫu GaAs đơn tinh thể nhỏ có hình lăng trụ được gắn vào các
đầu của hai sợi quang (truyền và nhận ánh sang)
– năng lượng ánh sáng được hấp thụ bởi tinh thể GaAs phụ thuộc
vào nhiệt độ
– phần trăm năng lượng nhận được so với năng lượng truyền đi là
một hàm của nhiệt độ
• Có thể được làm đủ nhỏ để cấy ghép vảo cơ thể.

GaAs semiconductor temperature probe.

49
 4.12 Đo quang (Optical Measurement)
• Được sử dụng rộng rãi trong chẩn đoán y tế
– phòng thí nghiệm hóa học lâm sàng: phân tích máu và mô
– thông tim: đo độ bão hòa oxy của máu
• Các thành phần của hệ thống quang
– Nguồn [sáng] (source)
– Bộ lọc (filter)
– Dụng cụ phát hiện bức xạ (detector)
• Hệ thống quang thông thường:

• Hệ thống quang bán dẫn:

– nhỏ gọn và đơn giản

cuvette = ống nghiệm trong PTN) 50

51
4.13 Optical/Radiation Sources

52
Optical Transmitter & Filters (4.14+15)

53
 4.16 Cảm biến bức xạ (Radiation Sensors)
Phân loại cảm biến bức xạ
• Cảm biến nhiệt (Thermal Sensors): hấp thụ bức xạ và thay đổi nhiệt độ của
cảm biến.
➢ Thay đổi đầu ra có thể do thay đổi nhiệt độ môi trường hoặc nhiệt độ
nguồn.
➢ Độ nhạy không thay đổi theo bước sóng
➢ Đáp ứng chậm
TD: Cảm biến nhiệt điện: hấp thụ bức xạ và chuyển đổi nó thành nhiệt làm
thay đổi sự phân cực điện của các tinh thể.

• Cảm biến lượng tử (Quantum Sensors): hấp thụ năng lượng từ các photon
riêng lẻ và dùng nó để giải phóng các điện tử ra khỏi vật liệu cảm biến.
➢ Nhạy trên một dải bước sóng bị hạn chế
➢ Đáp ứng nhanh
➢ Ít nhạy với nhiệt độ môi trường
TD: Mắt, tế bào quang điện, photodiode và nhũ tương chụp ảnh (photographic
emulsion).
 Cảm biến bức xạ
• Đáp ứng phổ
– Si, không có đáp ứng trên 1100nm
– vật liệu đặc biệt (InSb)
• theo dõi bức xạ da (300K)
• Cảm biến nhiệt
– biến đổi bức xạ thành nhiệt
– đáp ứng phổ phẳng nhưng chậm
– có thể có sai số do nhiệt độ môi trườngthay đổi
– TD: cảm biến nhiệt: nhiệt điện trở, cặp nhiệt điện (TC)
• Cảm biến lượng tử
– biến đổi năng lượng photon để giải phóng điện tử
– nhạy với phổ bước sóng hạn chế
– TD: cảm biến lượng tử: mắt, nhũ tương chụp ảnh, các cảm biến sau
• Cảm biến quang điện, ví dụ: phototube
• Tế bào quang dẫn
• Cảm biến quang với chuyển tiếp pn (photodiode, phototransistor)
• Cảm biến quang điện (pin mặt trời)
55
 Cảm biến quang điện (Photoemissive Sensors)
• Cấu tạo & hoạt động
– Cathode quang (PC=Photocathode) được phủ kim loại kiềm
– Các photon tới (có đủ năng lượng > 1eV hoặc 1200nm) giải phóng các điện tử từ PC.
– Các điện tử được giải phóng bị hút vào cực dương và tạo thành dòng điện tỷ lệ với năng
lượng photon tới.
– TD: tế bào quang điện, giống như S4 trong phổ
• Đèn nhân quang (PMT = Photomultiplier): tế bào quang điện kết hợp với bộ
khuếch đại điện tử qua các dynode (anode phụ)
– cảm biến bức xạ nhạy nhất!
– cần được làm mát để ngăn chặn sự kích thích nhiệt của các điện tử
– có thể đếm từng photon
– đáp ứng nhanh, ~ 10ns (với mắt người, có thể phát hiện ~ 6 photon trong vòng 100ms)
Figure 2.24 Photomultiplier An incoming
photon strikes the photocathode and liberates
an electron. This electron is accelerated
toward the first dynode, which is 100 V more
positive than the cathode. The impact
liberates several electrons by secondary
emission. They are accelerated toward the
second dynode, which is 100 V more positive
than the first dynode. This electron
multiplication continues until it reaches the
anode, where currents of about 1mA flow
through RL. 56
Cảm biến quang điện bán dẫn Điện trở
(Solid-State Photoelectric Sensors)
• Tế bào quang dẫn (quang trở)
– vật liệu tinh thể nhạy sáng như CdS hoặc PbS
Bức xạ
– Hấo thu các photon từ bức xạ, sinh các cặp điện tử-
lỗ  độ dẫn điện cao hơn  điện trở thấp hơn

• Diode thu quang (photodiode)

– bức xạ tới tạo ra các cặp điện tử-lỗ trong miền nghèo
của chuyển tiếp pn  có dòng điện do quang.
– năng lượng tối thiểu có thể phát hiện được dựa trên
khe năng lượng của bán dẫn (e g Si)
– có thể được sử dụng ở chế độ quang điện, dùng
điện áp hở mạch.

• Bộ ghép quang hay photon (optocoupler)

– kết hợp LED-photodiode
– dùng để cách ly mạch điện
– ngăn dòng điện rò rỉ từ thiết bị không đi vào tim của
bệnh nhân
57
4.17 Example MEMS Transducers

58
4.19 Cân chỉnh cảm biến (Sensor Calibration)

59