Professional Documents
Culture Documents
'P UT 0 I ( AV ) RF I 2
Nhiệt độ mặt ghép
Tj Ta Rth 'P
Rth R jv Rvr Rra
Làm mát:
Cầu chì:
• CC phải chịu được dòng làm việc định mức của thiết bị
• Nhiệt dung chịu đựng của CC phải nhỏ hơn nhiệt dung của thiết bị cần
bảo vệ Æ nhiệt lượng (I2t)CC < (I2t)TB
• Điện áp hồ quang của CC phải tương đối lớn Æ Giảm nhanh dòng điện
và tiêu tán năng lượng trong mạch.
• Khi CC đứt, điện áp phục hồi phải đủ lớn Æ Không làm cho hồ quang cháy
lại giữa hai cực của cầu chì
• Từng pha của cuộn dây sơ cấp hoặc thứ cấp MBA
• Nối tiếp với từng van
• Nối tiếp với từng nhóm van mắc song song
• Đầu ra của thiết bị biến đổi
8.1.3 Bảo vệ quá áp
Quá áp trong
Sự tích tụ điện tích trong các lớp bán dẫn
(quá trình động của diode và thyristor)
Î Bảo vệ bằng mạch R – C đấu song song với diode hoặc thyristor
Quá áp ngoài
Cắt không tải MBA trên đường dây, CC bảo vệ nhảy, sấm sét, …
Î Bảo vệ bằng mạch R – C mắc giữa các pha thứ cấp của MBA động lực
• R .. 10 – 1000 :
• C … 0.01 – 1 PF
8. 2 Điều khiển các thiết bị biến đổi
8.2.1 Khuyếch đại thuật toán
R1
uv
- R2
ur
ur uv
+ R1
Mạch so sánh
u-
- U cc ... u ! u
ur ur ®
u+
+ ¯U cc ... u ! u
Mạch tích phân
C
uv R
- 1
³
ur
ur uv dt
+ RC
Mạch vi phân
R
C
- ur duv
ur RC
+ dt
Mạch tạo xung chuẩn sử dụng IC 555
t1 0.693C ( R1 R2 ); t2 0.693CR2
T t t1 t2 0.693C ( R1 2 R2 )
Mạch lật đơn sử dụng IC 555
T 1.1RC
1
Vcc
3
Mạch D flip – flop
D Qn o Qn+1
0 0o0
D Q
1 0o1
D-FF
0 1o0
CLK Q
1 1o1
D1 Q1 D2 Q2 D3 Q3
Qn D Qn+1
1 2 3 1 2 3 1 2 3
1 0 0 0 1 0 0 1 0 0
2 1 0 0 1 1 0 1 1 0
3 1 1 0 1 1 1 1 1 1
4 1 1 1 0 1 1 0 1 1
5 0 1 1 0 0 1 0 0 1
6 0 0 1 0 0 0 0 0 0
CLK
Qn D Qn+1 Q1
1 2 3 1 2 3 1 2 3
Q2
1 0 0 0 1 0 0 1 0 0
2 1 0 0 1 1 0 1 1 0 Q3
3 1 1 0 1 1 1 1 1 1
4 1 1 1 0 1 1 0 1 1 Q1
5 0 1 1 0 0 1 0 0 1
Q2
6 0 0 1 0 0 0 0 0 0
Q3
TCA 785 - Siemens
Chức năng:
BAX
D1 D3 R3 uG
R1