Elektronika 1 L.toti

 Luçiana TOTI – ELEKTRONIKA 1
LUÇIANA TOTI (KINI)
ELEKTRONIKA
SHTËPIA BOTUESE E LIBRIT UNIVERSITAR

TIRANË, 2012
1
Teksti është miratuar dhe financuar nga Ministria e Arsimit dhe Shkencës.
Titulli: “Elektronika 1”
Autore: Luçiana Toti (Kini)
Botues: SHTËPIA BOTUESE E LIBRIT UNIVERSITAR

Adresa:
Rruga e Durrësit, Nr. 219, Tiranë, Shqipëri
(: + 355 4 2225659; shblu.mash@yahoo.com
Këshilli botues i ShBLU-së

Kryetare: Lirika Çoçoli
Anëtarë: Klara Shoshi, Nirvana Lazi, Valbona Gjergo
Spartak Kumbaro, Marjeta Pengo
ISBN 978-99927-0-618-3
© Shtëpia Botuese e Librit Universitar, 2012.

Të gjitha të drejtat janë të rezervuara. Nuk lejohet shumëfishimi
me çdo mjet apo formë pa lejen me shkrim të botuesit.
Redaktore përgjegjëse: Klara Shoshi
Redaktore shkencore: Ing. Garentina Bezhani
Redaktore letrare: Klara Shoshi
Arti grafik dhe kopertina: Klara Shoshi
Recensues: Ing. Garentina Bezhani

Msc. Elda Cina
Shtypur në shtypshkronjën KLEAN
Tirazhi: 1000 kopje
2
Parathënie
Elektronika është një nga lëndët kryesore në çdo shkollë profesionale me drejtim
elektronik, teknologji informacioni etj.
Ky tekst i ri mbi elektronikën, i ndarë në dy pjesë, që përkojnë me dy libra më vete:
“Elektronika 1” dhe “Elektronika 2”, është hartuar në përshtatje me kurrikulat për
shkollat profesionale të vendit tonë, në mënyrë që të jetë më afër zhvillimit bashkëkohor
në fushën e elektronikës.
Materiali i tërë tekstit përfshin shpjegime të qarta shkencore, algjebrike e
trigonometrike, të pasuruara edhe me përvojën e punës shumëvjeçare të autores në këtë
fushë. Gjithashtu në të ka edhe mjaft skema, zbatimi i të cilave haset kudo në jetën e
përditshme në pajisjet më bashkëkohore.
Në përgjithësi, në fund të çdo çështjeje janë paraqitur ushtrime, që e ndihmojnë nxënësin
të kuptojë se sa i ka përvetësuar konceptet bazë të dhëna në tekst dhe, ndërkohë, atje
ku është parë me vend, janë zhvilluar shembuj të zgjidhur, për t’i konkretizuar më mirë
çështjet e ndryshme.
Gjuha e tekstit është zgjedhur në mënyrë të tillë që të jetë sa më e thjeshtë dhe e
kuptueshme për nxënësit, por, meqenëse në gjuhën shqipe mungon një fjalor i mirëfilltë
terminologjik për fushën e elektronikës, ndonjëherë janë përdorur edhe terma në
anglisht, të cilat janë sqaruar me imtësi.
“Elektronika 1” shtjellon elementet themelore të elektronikës; funksionimin dhe
fushën e përdorimit të tyre në industri. Një vend të mirë në këtë tekst zë studimi i plotë
i diodave e transistorëve, pasi kuptimi sa më mirë i tyre e ndihmon nxënësin të jetë
mjaft i qartë në studimin e qarqeve të integruara. Gjithashtu në tekst i është kushtuar
rëndësi edhe studimit të analizës së qarqeve elektronike, duke shqyrtuar në mënyrë të
detajuar skemat e rrymës së vazhduar.
Në vija të përgjithshme përmbajtja e tekstit është përshtatur me programin mësimor
të nxënësve që e studiojnë këtë lëndë në shkolla të ndryshme, duke u pasuruar edhe
me materiale nga literatura bashkëkohore të fushës së elektronikës, ku midis të cilave
përmendim:
3
• Malvino, “Electronics Principles”

• Robert L. Boylestad, Luis Nashelsky, “Electronics Devices and Circuits Theory”
• Benard Grob, “Basic Electronics”
• Schuler, “Electronics Principles and Applications”
• Robert L. Boylestad, “Introductory Circuit Analysis”
• Nikolla Bardhi, “Elektronika 2”
• Rozeta Mitrushi, “Elemente te elektronikes analoge”.
Vlerësoj shumë të gjitha sugjerimet e inxhinierëve dhe të specialistëve me përvojë,
studiues të fushës së elektronikës, recensueset dhe në veçanti ing. Garentina Bezhanin
për redaktimin shkencor të tekstit, duke i falënderuar të gjithë për ndihmesën në
përgatitjen e këtij teksti të ri.
Gjithashtu falënderoj dhe i jam mirënjohëse kujtdo që e zgjedh tekstin për të fituar
njohuri teorike e praktike në fushën e elektronikës dhe ndërkohë mirëpres çdo vërejtje
e sugjerim që do t’i vlente përmirësimit të mëtejshëm të këtij teksti.
Autorja
4
PËRMBAJTJA
Kapitulli DIODAT GJYSMËPËRCJELLËSE 7
1.1. Hyrje 7
1.2. Diodat ideale 7
1.3. Materialet gjysmëpërcjellëse 10
1.4. Nivelet energjetike 14
1.5. Gjysmëpërcjellësit e tipit p dhe n 15
1.6. Diodat gjysmëpërcjellëse 19
1.7. Rezistenca statike dhe dinamike e diodës 27
1.8. Qarqet ekuivalente të diodës 34
1.9. Të dhënat specifike të diodës 34
1.10. Kontrolli i diodës 35
1.11. Diodat zener 36
1.12. Diodat dritëdhënëse (LED) 39
1.13. Fotodioda 42
1.14. Qarqet me lidhje optike 44
1.15. Diodat Shotki (Schootky) 44
1.16. Dioda varikap (dioda me kapacitet variabël) 46
1.17. Dioda tunnel 48
1.18. Dioda me rrymë konstante 49
1.19. Dioda e kundërt (back dioda) 49
1.20. Varistori 50
1.21. Ekranet me kristal të lëngshëm LCD (Liquid Crystal Displays) 50
1.22. Qelizat diellore 53
Kapitulli PËRDORIMET E DIODAVE 57

2.1. Hyrje 57
2.2. Analiza e linjës së ngarkesës 57
2.3. Transformatori 60
2.4. Sinjali sinusoidal 61
2.5. Drejtuesit me një diodë 64
2.6. Drejtuesit me dy gjysmëvalë (me dy dioda) 68
2.7. Drejtuesit urë 70
2.8. Shumëfishuesit e tensionit 72
2.9. Prerësit (Clippers) 75
2.10. Qarqet që i mbivendosin sinjalit të hyrjes
një madhësi konstante (Clamper) 82
2.11. Stabilizimi i tensionit me diodë zener 89
2.12. Diodat e lidhura në seri ose në paralel 95
2.13. Portat logjike EDHE/OSE (AND/OR) me dioda 99
5
Kapitulli TRANSISTORËT DYPOLARË 101
3.1. Hyrje 101

3.2. Ndërtimi i transistorit 102
3.3. Parimi i punës së transistorit 103
3.4. Mënyrat e lidhjes së transistorit në skemë në regjim aktiv 105
3.5. Puna amplifikuese e transistorit 108
3.6. Skema me emiter të përbashkët 109
3.7. Skema me kolektor të përbashkët 115
3.8. Përmbledhje 117
Kapitulli MËNYRAT E POLARIZIMIT

TË TRANSISTORËVE DYPOLARË (BJT) 119
4.1. Njohuri të përgjithshme 119

4.2. Zona e lejuar e punës së transistorit 120
4.3. Skema me polarizim fiks 122
4.4. Skema e polarizimit me rezistencë në emiter 131
4.5. Skemat me pjesëtues tensioni 140
4.6. Skema e polarizimit me lidhje të kundërt në kolektor 148
4.7. Transistori p-n-p 150
4.8. Transistori në rolin e çelësit 151
Kapitulli TRANSISTORËT ME EFKT FUSHE 154

5.1. Njohuri të përgjithshme 154
5.2. Ndërtimi dhe karakteristikat e JFET 155
5.3. Karakteristika e transferimit 158
5.4. Çfarë përmban një katalog? 160
5.5. D-MOSFET 162
5.6. MOSFET me pasurim (E-MOSFET) 166
5.7. Qarqet CMOS 171
Kapitulli MËNYRAT E POLARIZIMIT TË FET 172

6.1. Hyrje 172
6.2. Skema me polarizim fiks 173
6.3. Skema me vetëpolarizim 178
6.4. Skema me pjesëtues tensioni 182
6.5. Polarizimi i tipit me varfërim (D-MOSFET) 186
6.6. Mosfet i tipit me pasurim (E-MOSFET) 188
6.7. Lidhja e kombinuar midis transistorëve BJT e FET 192
6
KAPITULLI
DIODAT GJYSMËPËRCJELLËSE
1.1. Hyrje
Në këtë kapitull do të studiohet teoria e gjysmëpërcjellësve, më pas bashkimi

p-n, që është kyçi i ndërtimit të një diode gjysmëpërcjellëse. Fjala “diodë”
është formuar nga bashkimi i fjalëve “two” + “electrode”, ku vendoset “di”
në vend të “two” dhe “ode” në vend të “electrode”.
Më pas do të shohim si punon një diodë e kjo na përgatit për studimin që
do t’i bëhet transistorit në kapitujt e tjerë. Transistori është kombinimi i dy
diodave në një element të vetëm.
Në dhjetor të vitit 1947 u zbulua transistori i parë. Që prej asaj kohe, kur
transistori i parë ishte i mbështjellë me tub qelqi, e deri në ditët tona,
njohuritë në fushën e elektronikës kanë evoluar shumë. Tani brenda qarqeve
të intergruara (IC) kemi miliona transistorë në një hapësirë jo më të madhe
se ajo e thoit të gishtit të madh.
Problemi i minimizimit duket se është kufizuar në tre faktorë (secili prej
tyre është pasur parasysh në këtë tekst): në cilësinë e vetë materialeve
gjysmëpërcjellëse, në teknikat e projektimit të skemave, në kufizimin e
sipërfaqes së pajisjeve të prodhura dhe vepruese.
1.2. DIODAT IDEALE
Elementi i parë që do të përshkruajmë është dioda. Ky është elementi

më i thjeshtë gjysmëpërcjellës, por luan një rol shumë të rëndësishëm në
sistemet elektronike. Ajo do të gjendet që nga zbatimet më të thjeshta e deri
tek ato më të ndërlikuara.
Termi “ideal” do të përdoret shpesh në këtë tekst dhe do t’i referohet çdo
elementi ose sistemi që ka karakteristika ideale - të përsosura në çdo drejtim.
Dioda ideale është element me dy dalje me simbol si në figurën 1.1 a) dhe
karakteristikë voltampere si në figurën 1.1 b).
7
Figura 1.1. Karakteristika dhe simboli i diodës
Në një diodë ideale kalon rrymë vetëm në një kah, në atë të përcaktuar nga
shigjeta në simbol, kur tensioni i zbatuar në diodë ka polaritetin e treguar
në figurën 1.1 a) . Kur tensioni që zbatohet në diodë do të ketë polaritet të
kundërt, atëherë në të nuk kalon rrymë, pra ID = 0. Karakteristika e paraqitur
në figurën 1.1 b) quhet karakteristika volt-amper e diodës, sepse ajo tregon
lidhjen midis tensionit të zbatuar në diodë (VD) dhe rrymës që kalon në të (ID).
Në këtë tekst, në pjesën më të madhe të karakteristikave, boshti i ordinatave
(boshti y) do të shërbejë si boshti i rrymës dhe boshti i abshisave (boshti x)
si boshti i tensionit. Karakteristika e diodës ideale (fig.1.1 b) përbëhet nga
dy zona: zona 1 që i përket kuadrantit të parë të boshteve dhe zona 2 që i
përket kuadrantit të tretë.
Në kuadrantin e parë, dioda është në kushtet e polarizimit të drejtë dhe ka
karakteristikën e paraqitur në zonën 1 ku VD = 0 dhe ID ka vlerë maksimale,
pra dioda zëvendësohet me një qark të lidhur në të shkurtër. Në kuadrantin
e tretë, dioda është e polarizuar në të kundërt dhe ka karakteristikën
e paraqitur në zonën 2 ku VD ka vlerë maksimale dhe ID = 0, pra, dioda
paraqitet si një qark i hapur. Si përfundim, mund të nxjerrim se dioda ideale
ka karakteristikat e një çelësi që përcjell rrymë vetëm në një kah.
Një parametër i rëndësishëm i diodës është rezistenca e saj në pikën ose
regjimin e punës. Në regjimin e përcjellshmërisë drejtimi i rrymës në diodë
dhe polariteti i tensionit në diodë është si në kuadrantin e parë në figurën
1.1 b) dhe vlera e rezistencës së drejtë RF përcaktohet nga ligji i Ohmit si më
poshtë:
ku VF është tensioni i drejtë në diodë dhe IF është rryma e drejtë që kalon

në diodë.
Dioda ideale, si rrjedhim, është një qark i shkurtër për regjimin e
përcjellshmërisë.
Nëse konsiderojmë që në diodë është zbatuar tension i kundërt (kuadranti
i tretë në figurën 1.1 b), vlera e rezistencës së kundërt përcaktohet nga ligji i
Ohmit si më poshtë:
8
ku VR është tensioni i kundërt në diodë dhe IR është rryma e kundërt në

diodë.
Dioda idele, si rrjedhim, është një qark i hapur në regjimin e jopërcjellshmërisë.
Në figurën 1.2 tregohet gjendja e përcjellshmërisëdhe e jopërcjellshmërisë
së diodës ideale.
(b)
Figura 1.2 a) Gjendja e përcjellshmërisë dhe b) e jopërcjellshmërisë e diodës

ideale në varësi të tensionit të zbatuar
Lind pyetja:
Sa është rezistenca e kalimit të drejtë të diodës reale krahasuar me atë të
diodës ideale?
Sa është rezistenca e kalimit të kundërt të diodës reale krahasuar me atë të
diodës ideale?
Këto pyetje do të marrin përgjigje në mësimet e mëposhtme.
Në përgjithësi është e thjeshtë të përcaktojmë regjimin e përcjellshmërisë e
të jopërcjellshmërisë, duke vënë re kahun e rrymës në varësi të tensionit të
zbatuar. Kahu i rrymës konvencionale është konsideruar kahu i kundërt me
atë të rrjedhjes së elektroneve.
Figura 1.3. a) Gjendja e përcjellshmërisë, b) gjendja e jopërcjellshmërisë së diodës ideale

e përcaktuar nga kahu i rrymës konvencionale në varësi të lidhjes së diodës në qark
9
USHTRIME
1. Përshkruani me fjalët tuaja kuptimin e fjalës ideale për një element ose
sistem.
2. Përshkruani me fjalët tuaja karakteristikat e diodës ideale dhe si

përcaktohet që ajo është në gjendje përcjellëse apo jo.
3. Cili është ndryshimi mes një çelësi të thjeshtë dhe të një diode ideale.
1.3. MATERIALET GJYSMËPËRCJELLËSE
Përcjellës është një material që lejon një lëvizje të madhe të ngarkesave (pra
ka nivel të lartë përcjellshmërie) kur në të zbatohet një burim tensioni me
amplitudë të caktuar.
Izolues është një material që ka nivel të ulët përcjellshmërie kur në të
zbatohet një burim tensioni.
Një gjysmëpërcjellës, si rrjedhim, është një material që ka një nivel
përcjellshmërie diku midis ekstremeve të një izolatori dhe një përcjellësi.
Rezistenca e një materiali është në përpjesëtim të zhdrejtë me
përcjellshmërinë tij. Sa më i lartë është niveli i përcjellshmërisë, aq më i
ulët është niveli i rezistencës. Rezistenca specifike (ρ) përdoret shpesh për
krahasimin e nivelit të rezistencave të materialeve. Rezistenca specifike e
një materiali matet me Ω x cm ose Ω x m.
Kujtojmë që:
x cm (1.1)
A - sipërfaqja e seksionit tërthor të përcjellësit

l - gjatësia e përcjellësit
Në fakt, nëse sipërfaqja e faqes së një kubi (fig. 1.4) është 1 cm2 dhe lartësia
1 cm, vlera e rezistencës së tij është e barabartë me vlerën e rezistencës
specifike të një materiali.
10
(1cm)
Pra |R| = ρ l = ρ 2 =|ρ| Ω
A (1cm )
Figura 1.4. Përcaktimi i rezistencës
Kjo tabelë na ndihmon për të krahasuar nivelin e rezistencave specifike të

materialeve të mëposhtme.
Tabela 1.1
Në tabelën 1.1 janë dhënë vlerat e tre kategorive të gjera materialesh. Duket
qartë që silici e germaniumi janë materiale gjysmëpërcjellëse. Ato janë
dy materiale që kanë marrë përdorim të gjerë në zhvillimin e elementeve
gjysmëpërcjellëse. Një fakt i rëndësishëm është niveli shumë i lartë i
pastërtisë me të cilin ato mund të prodhohen.
Nëse në një pjesë shumë të vogël materialesh prej silici futet një numër
i caktuar atomesh të tjera (tipat e tyre do t’i përmendim më poshtë),
karakteristikat e materialit mund të ndryshojnë. Këto veti i gëzon Ge dhe Si,
prandaj ato kanë marrë përdorim të gjerë. Karakteristikat e tyre ndryshojnë
veçanërisht nën ndikimin e dritës ose nxehtësisë, kështu që elementet
gjysmëpërcjellëse përdoren edhe në ndërtimin e elementeve të ndjeshme
ndaj dritës ose nxehtësisë.
Atomet e të dy materialeve (Ge ose Si) formojnë një model shumë të
përcaktuar me natyrë periodike (pra që përsëritin vetveten). Një model i
kompletuar është quajtur kristal.
Kristali është një strukturë tredimensionale si në figurën 1.5.
11
Figura 1.5. Struktura e një kristali Ge ose Si
Modeli i Bohrit për dy gjysmëpërcjellësit më të përdorshëm është treguar

në figurën 1.6
(b)
Figura 1.6. Modeli i Bohrit për a) Ge dhe b) Si
Atomi i Ge ka 32 elektrone të shpërndara nëpër orbita, ndërsa atomi i Si ka

14 elektrone të shpërndara nëpër orbita. Siç shihet Ge dhe Si janë atome
katërvalente, sepse kanë secili nga katër elektrone valence. Në kristalin e
pastër të Ge apo Si, 4 elektronet e valencës së çdo atomi lidhen me elektronet
e valencës së 4 atomeve të tjera, duke formuar një lidhje kovalente si në
figurën 1.7.
Në kushte normale një kristal i tillë nuk përcjell rrymë, sepse elektronet
janë të lidhura në çifte dhe nuk mund të lëvizin.
Elektronet e valencës me energji kinetike të mjaftueshme, për arsye të
ndryshme, mund të thyejnë lidhjen kovalente dhe të dalin në gjendje “të
lirë”. P.sh., nëse futen atomet e elementeve kimike me 3 ose 5 elektrone
valence (si papastërti), prishet lidhja kovalente dhe krijohet mundësia e
përcjelljes së rrymës. Lidhja kovalente mund të ndikohet edhe nga efekti
i energjisë diellore në formën e fotoneve ose energjisë termike të mjedisit
rrethues.
12
Figura 1.7. Lidhja kovalente e atomeve të silicit
Në temperaturën e dhomës ndodhen afërsisht 1,5x1010 mbartës të lirë në

një cm3 brenda materialit të Si, ndërsa te Ge, brenda të njëjtës sipërfaqe
ndodhen 2,5x1013 mbartës të lirë në një cm3. Raporti i numrit të elektroneve
të lira të Ge ndaj atij të Si është rreth 103 më i madh e kjo tregon se Ge është
përcjellës më i mirë në temperaturën e dhomës.
Rritja e temperaturës së një gjysmëpërcjellësi mund të sjellë një rritje reale
të numrit të elektroneve të lira në material.
Me rritjen e numrit të elektroneve të lira, do të rritet niveli i përcjellshmërisë
e për pasojë, do të ulet vlera e rezistencës.
Materialet gjysmëpërcjellëse, si Ge e Si, në të cilat zvogëlohet rezistenca me
rritjen e temperaturës, thuhet se kanë koeficient negativ temperature.
Rezistenca e shumicës së përcjellësve rritet me rritjen e temperaturës; ata
kanë koeficient pozitiv temperature.
USHTRIME
1. a) Duke përdorur tabelën 1.1, përcaktoni rezistencën e Si me sipërfaqe

1 cm2 dhe me gjatësi 3 cm.
b) Përsëritni pikën a) për sipërfaqe 4 cm2 dhe me gjatësi 1 cm.
c) Përsëritni pikën a) për bakrin dhe krahasoni rezultatin.
2. Shpjegoni me fjalët tuaja vetitë e një materiali me koeficient negativ

temperature.
3. Vizatoni strukturën atomike të bakrit. Pse është ai një përcjellës i mirë?
13
1.4. NIVELET ENERGJETIKE
Në strukturën e atomit të veçuar ndodhen nivelet energjetike të shoqëruara

me elektronet e çdo orbite, siç tregohet në figurën 1.8 a).
Çdo material do të ketë nivelet energjetike të lejuara për elektronet në
strukturën atomike të tij.
Sa më e madhe të jetë largësia e elektronit nga bërthama, aq më e lartë
është gjendja energjetike e tij, dhe çdo elektron që ka lënë atomin mëmë
të tij ka një gjendje energjetike më të lartë se çdo elektron në strukturën
atomike.
Energjia
(etj.)
(etj.)
a)
BandatBandat
mbulojnë
mbulojnë
pjesërisht
pjesërisht
njëra-tjetrën
njëra-tjetrën
Elektronet
Elektronet
e valencës
e valencës
brenda brenda
strukturës
strukturës
atomikeatomike
Izolatori Gjysmëpërcjellësi Përcjellësi
b)
Figura 1.8. Nivelet energjetike:
a) nivelet e ndara në strukturat atomike;
b) banda e përcjellshmërisë dhe banda e valencës së një izolatori,
gjysmëpërcjellësi dhe përcjellësi
14
Energjia që shoqëron çdo elektron matet me elektron-volt (eV). Madhësia e

saj është afërsisht:
W = QV (eV) (1.2)
ku Q është ngarkesa e një elektroni.

Duke zëvendësuar ngarkesën e një elektroni dhe diferencën e potencialit
prej një volt në ekuacionin (1.2), do të rezultojë një nivel energjetik prej 1
elektron-volt.
Duke kujtuar që ngarkesa e një elektroni është 1.6 x 10-19 C,
W = QV = (1.6 x 10-19)(1V)
1eV = 1.6 x 10-19 J (1.3)
Në zeron absolute (-273.15°C) të gjitha elektronet e valencës së materialeve

gjysmëpërcjellëse kanë nivel energjetik të bandës së valencës si në figurën
1.8 b). Në temperaturën e dhomës (25°C), një numër i madh elektronesh
valence fitojnë energji kinetike të mjaftueshme për të lënë bandën e
valencës. Ato përshkojnë boshllëkun (hapësirën energjetike) e përcaktuar
nga Eg në figurën 1.8b) dhe hyjnë në zonën e përcjellshmërisë. Për silicin Eg
është 1.1 eV, për germaniumin Eg është 0.67 eV.
Për izolatorët energjia e hapësirës është 5 eV ose më shumë. Përcjellësi
ka elektrone në zonën e përcjellshmërisë edhe në 0OK (-273.150C). Në
temperaturën e dhomës ndodhen më shumë mbartës të lirë, që mund të
lindin një rrymë.
Nëse brenda materialeve gjysmëpërcjellëse futen papastërti, pra atome të
tjera, rritet numri i mbartësve në zonën e përcjellshmërisë.
USHTRIME
1. Sa është energjia në J që duhet për të lëvizur një ngarkesë prej 6 C nga

një diferencë potenciali 2 V.
2. Nëse për të lëvizur një ngarkesë duhen 36 eV dhe një diferencë potenciali
12 V, sa është ngarkesa?
1.5. GJYSMËPËRCJELLËSIT E TIPIT p DHE n

Karakteristikat e materialeve gjysmëpërcjellëse mund të ndryshojnë duke
shtuar atome të jashtme (papastërti) brenda materialit relativisht të pastër.
Këto papastërti, megjithëse janë në raportin 1 me 10 milionë, ndryshojnë
vetitë e materialit gjysmëpërcjellës.
Ekzistojnë dy tipa materialesh me rëndësi të jashtëzakonshme në prodhimin
e pajisjeve gjysmëpërcjellëse: tip n dhe tip p. Secili prej tyre do të përshkruhet
me imtësi.
15
Gjysmëpërcjellësi tip n
Të dy tipat e materialeve janë formuar nga shtimi i një numri të paracaktuar
të atomeve të papastra brenda një materiali bazë Si apo Ge. Tipi n është
krijuar nga futja e atomeve pesëvalente (me pesë elektrone valence), të tilla si
antimoni, arseniku dhe fosfori, në një kristal të pastër silici apo germaniumi.
Në figurën 1.9, në një element bazë Si është përdorur antimoni si papastërti.
Siç shihet, ndodhet një elektron i pestë i atomit të papastërt, i cili është i
pashoqëruar me lidhje kovalente të posaçme. Ky elektron i mbetur, i liruar
nga atomi mëmë, është relativisht i lirë për të lëvizuar brenda materialit të
ri tip-n.
Figura 1.9. Materiali tip n
Atomi i futur si papastërti ka dhuruar një elektron të lirë në strukturë.

Atomet me pesë elektrone valence të futura si papastërti janë quajtur atome
dhuruese.
Materiali i tipit n është elektrikisht neutral, sepse numri i protoneve me
ngarkesë pozitive në bërthamë është i barabartë me numrin e elektroneve
në strukturë.
Figura 1.10. Efekti i atomeve dhuruese

në strukturën e bandave energjetike
16
Gjysëmpërcjellësi tip p
Materiali tip p është formuar nga vendosja e atomeve 3-valente brenda një
kristali të pastër të Si ose të Ge. Elementet më të përdorura për këtë qëllim
janë bori, galiumi, indiumi. Efekti i njërit prej këtyre elementeve, borit, në
elementin bazë Si, është treguar në figurën 1.11:
(B)
Figura 1.11. Atome bori si papastërti në materialin tip p
Siç shihet, ndodhet një numër i pamjaftueshëm elektronesh për të plotësuar

lidhjen kovalente të strukturës së re. Vendi bosh është quajtur vrimë. Në
vendin bosh mund të futet pa vështirësi një elektron i lirë.
Atomi me tre elektrone valence i vendosur brenda kristalit të pastër është
quajtur atom marrës.
Materiali i tipit p është elektrikisht neutral, për të njëjtën arsye siç u tha më
lart.
“Lëvizja” e vrimave kundrejt elektroneve
Në figurën 1.12 tregohet mënyra e lëvizjes relative të vrimave. Nëse një

elektron valence ka energji kinetike të mjaftueshme për t’u shkëputur nga
lidhja kovalente, ai mund të shkojë të plotësojë vendin bosh (vrimën) në
atomin fqinj. Elektroni që u largua nga lidhja kovalente krijoi një vend bosh
në të, pra një vrimë të re. Kështu elektroni u zhvendos djathtas, ndërsa vrima
majtas. Drejtimi konvencional i rrymës përputhet me drejtimin e lëvizjes së
vrimave.
17
Figura 1.12. Lëvizja e elektroneve dhe e vrimave
Mbartës me shumicë e pakicë
Në një material tip n (fig.1.13 a) elektroni është quajtur mbartës me shumicë,

ndërsa vrima është mbartëse me pakicë.
Në një material tip p (fig.1.13 b) vrima është mbartëse me shumicë dhe
elektroni është mbartës me pakicë.
Kur elektroni i pestë i një atomi dhurues lë atomin mëmë, atomi i mbetur
ka ngarkesë pozitive dhe shenja pozitive brenda rrethit përfaqëson jonin
dhurues. Për arsye të ngjashme, shenja negative brenda rrethit përfaqëson
jonin marrës.
a) b)
+ jon pozitiv
+ vrima
- elektron
Figura 1.13 a) Material tip n - jon negativ
b) Material tip p
18
USHTRIME
1. Përshkruani ndryshimin midis materialeve gjysmëpërcjellëse tip n dhe p.
2. Përshkruani ndryshimin midis atomeve marrëse dhe dhuruese.
1.6. DIODAT GJYSMËPËRCJELLËSE

Diodat gjysmëpërcjellëse janë formuar nga bashkimi i dy shtresave
gjysmëpërcjellëse të tipave të ndryshëm (por me të njëjtën bazë Si ose Ge)
si në figurën 1.14.
Sapo dy shtresat gjysmëpërcjellëse bashkohen, elektronet dhe vrimat në
zonën e bashkimit fillojnë të kombinohen.
Zona ku shfaqen jonet pozitive e negative quhet barrierë potenciale ose
shtresë e kundërt, në përshtatje me shenjën e kundërt të mbartësve me
shumicë me ato të joneve në këtë zonë.
Dioda është një element me dy dalje: anoda dhe katoda. Një diodë mund
të ndodhet në këto gjendje (në varësi të tensionit të zbatuar): e papolarizuar
(VD = 0), e polarizuar në të drejtë (VD> 0) dhe e polarizuar në të kundërt
(VD< 0).
(e papolarizuar)
Figura 1.14. Bashkimi i dy shtresave p dhe n
19
Dioda e papolarizuar nga jashtë (VD = 0V)
Dioda quhet e papolarizuar kur në të nuk zbatohet tension, pra VD = 0V

(fig. 1.14).
Elektronet e lira në shtresën gjysmëpërcjellëse tip n me energji kinetike
të mjaftueshme, mund të kalojnë bashkimin e dy shtresave duke krijuar
një jon pozitiv atje ku largohen, pra në shtresën n. Kur ky elektron hyn në
shtresën p dhe bie në një vrimë atomi bëhet jon negativ. Sa herë që një
elektron kalon bashkimin krijohet një çift jonesh (fig. 1.14).
Numri i mbartësve të shumicës është shumë i madh në shtresën tip n,
por një numër i vogël me energji kinetike të mjaftueshme kalojnë përmes
shtresës së kundërt brenda materialit tip p.
Në një diodë gjysmëpërcjellëse, kur nuk zbatohet tension në të, rryma në
çdo kah është zero.
Simboli i një diode, vlera e VD-së dhe ID-së janë treguar në figurën 1.15.
Figura 1.15. Dioda gjysmëpërcjellëse e papolarizuar
Dioda në kushtet e polarizimit të kundërt (VD< 0)
Nëse një burim tensioni i jashtëm është lidhur me diodën, në mënyrë të

tillë që poli pozitiv i burimit të lidhet me shtresën tip n dhe poli negativ i
burimit të lidhet me shtresën tip p, siç tregohet në figurën 1.16, themi që
dioda është polarizuar në të kundët. Numri i joneve pozitive që marrin pjesë
në shtresën e kundërt të materialit tip n do të rritet për shkak të numrit të
madh të elektroneve të lira të tërhequra nga poli pozitiv i burimit të tensionit
të zbatuar. Për të njëjtën arsye, numri i joneve negative që marrin pjesë
në shtresën e kundërt të materialit tip p do të rritet. Për pasojë, shtresa e
kundërt është zgjeruar krahasuar me rastin e mëparshëm. Shtresa e kundërt
do të kthehet në një pengesë më të madhe për mbartësit e shumicës dhe
zvogëlon lëvizjen e tyre deri në zero.
Numri i mbartësve të pakicës (minoritarë) në shtresën e kundërt nuk do të
ndryshojë dhe vektori i lëvizjes së tyre do të jetë si në figurën 1.16.
20
Figura 1.16. Polarizimi i kundërt i diodës
Rryma që lind në kushtet e polarizimit të kundërt është quajtur rryma e

kundërt e ngopjes dhe shënohet me Is.
Rryma e polarizimit të kundërt është e vogël, nuk i kalon disa mikroamper,
përveç rasteve të elementeve me fuqi të lartë.
Termi “ngopje” vjen nga fakti që vlera e saj arrin shumë shpejt në nivelin
maksimal dhe nuk ndryshon edhe pse tensioni i kundërt në diodë mund
të rritet, siç tregohet edhe në karakteristikën e diodës në figurën 1.19 për
(VD< 0).
Në figurën 1.17 është treguar një diodë gjysmëpërcjellëse në kushtet e
polarizimit të kundërt.
Vini re që drejtimi i kalimit të rrymës Is është i kundërt me atë të shigjetës
në simbol.
Figura 1.17. Një diodë gjysmëpërcjellëse në kushtet e polarizimit të kundërt
21
Dioda në kushtet e polarizimit të drejtë (VD > 0)
Në kushtet e polarizimit të drejtë poli pozitiv i burimit është lidhur me

shtresën tip p dhe poli negativ i burimit është lidhur me shtresën tip n, siç
tregohet në figurën 1.18.
ID = Imb.kryesor - IS
Figura 1.18. Dioda në kushtet e polarizimit të drejtë
Nëse dioda polarizohet në të drejtë, tensioni i burimit VD do të detyrojë

elektronet në shtresën tip n dhe vrimat në shtresën tip p të rikombinohen
me jonet afër kufirit dhe do të zvogëlojë gjerësinë e barrierës potenciale
(shtresës së kundërt) si në figurën 1.18.
Numri i mbartësve të pakicës, pra i elektroneve nga shtresa tip p drejt
shtresës tip n (ose e vrimave nga shtresa tip n drejt shtreses tip p) nuk ka
ndryshuar në vlerë, por zvogëlimi i gjerësisë së shtresës së kundërt ka rritur
numrin e mbartësve të shumicës që kalojnë bashkimin. Një elektron i
shtresës tip n tani duhet të kalojë një pengesë më të vogël drejt shtresës tip
p (te bashkimi) dhe tërhiqet fort nga poli pozitiv i burimit. Sa më e madhe
të jetë vlera e tensionit të drejtë të zbatuar në diodë, aq më e vogël është
gjerësia e barrierës potenciale (shtresës së kundërt), pra aq më i madh është
numri i elektroneve që mund të kalojnë bashkimin. Për pasojë rritet në
mënyrë eksponenciale rryma për regjimin e polarizimit në të drejtë, si në
figurën 1.20.
Vini re që boshti vertikal është shkallëzuar në miliamper (ose në amper),
ndërsa boshti horizontal është shkallëzuar rreth 1 V. Tensioni i polarizimit
në të drejtë të diodës është më i vogël se 1 V.
Në figurën 1.19 është treguar kushti i polarizimit në të drejtë të një diode
gjysmëpërcjellëse. Kahu i kalimit të rrymës në diodë është i njëjtë me atë të
shigjetës në simbol.
22
Figura 1.19. Polarizimi në të drejtë i një diode gjysmëpërcjellëse
Karakteristika kryesore e një diode gjysmëpërcjellëse ID = f (VD) përcaktohet

nga ekuacioni i mëposhtëm:
(1.4)
ku Is= rryma e kundërt e ngopjes, k = 11,600/η ku η = 1 për Ge dhe η = 2 për
Si për rryma në diodë poshtë gjurit të lakores dhe η = 1 për Ge dhe Si për
nivele më të larta të rrymës në diodë.
TK =TC+273°
TC - është temperatura në °C.
Karakteristika e plotë e diodës është ndërtuar në figurën 1.20.
Figura 1.20. Karakteristikat e diodës gjysmëpërcjellëse të silicit
23
Për vlera pozitive të VD, ID do të ndryshojë sipas ligjit y = ex dhe karakteristika

që shpreh këtë varësi është në kuadrantin e parë.
Për diodën e papolarizuar VD= 0 V dhe rryma ID= 0 mA.
Për vlera negative të VD, ID= -IS. Karakteristika që shpreh varësinë midis
tyre është në kuadrantin e tretë. Shihet që pjesa negative e boshtit vertikal
është shkallëzuar në μA, ndërsa pjesa negative e boshtit horizontal është
shkallëzuar në dhjetëra V.
Regjimi zener
Në figurën 1.21 është treguar karakteristika e diodës për vlera shumë të

mëdha të tensionit të kundërt. Nëse tensioni i kundërt në diodë rritet sa
Vshpimit, do të rritet ndjeshëm rryma e kundërt e ngopjes. Ky është një proces
jonizimi dhe elektronet e valencës kanë energji kinetike të mjaftueshme për
të lënë atomin mëmë dhe për pasojë rryma rritet si “ortek”. Dioda hyn në
zonën e shpimit dhe ajo del jashtë përdorimit.
Figura 1.21. Karakteristika e diodës për vlera të mëdha

të tensionit të kundërt
Vlera maksimale e tensionit të kundërt (PIV ose VShpimit ) që mund të zbatohet

në diodë është një madhësi e rëndësishme në zgjedhjen e diodës dhe duhet
që Vkundërt i zbatuar në diodë të jetë më i vogël se VShpimit .
Nëse vlera maksimale e tensionit të kundërt në pajisje është më e madhe se
PIV i një diode, atëherë mund të lidhen disa dioda në seri me karakteristika
të njëjta për të mbajtur këtë tension. Diodat mund të lidhen në paralel, për të
rritur mundësinë e mbajtjes së rrymave më të mëdha se rryma maksimale
e lejuar në një diodë.
24
Përparësitë e diodave prej Si ndaj atyre të Ge

Diodat e Si e kanë, në përgjithësi, tensionin e kundërt maksimal dhe kufijtë
e rrymës më të mëdha se ato të diodave prej Ge (fig.1.22). Gjithashtu kufijtë
e temperaturës janë më të gjerë. Kufijtë e tensionit të kundërt maksimal për
diodat e Si shkojnë deri në 1000 V, ndërsa për diodat e Ge deri në 400 V.
Diodat e Si mund të përdoren deri në 200°C, ndërsa ato të Ge deri në 100°C.
E metë e diodave prej Si është tensioni i hapjes së tyre (0.7 V) më i madh se
në diodat e Ge (0.3 V).
Figura 1.22. Karakteristika volt-ampere e diodave të Si dhe të Ge
V i hapjes së diodës (ose tensioni threshold) VT është

VT = 0.7 V (Si)
VT = 0.3 V (Ge)
Efekti i temperaturës
Rryma e kundërt e ngopjes IS do të dyfishohet nëse temperatura rritet me
10°C. Nëse IS është 1 μA në 25°C, në 100°C IS është afërsisht 100 μA ose
0.1 mA.
IS për diodat e Si janë shumë më të vogla se në diodat e Ge. Rritja e
temperaturës shkakton zvogëlimin e tensionit të hapjes të diodës së
polarizuar në të drejtë (fig. 1.23). Duhet pasur parasysh që të mos kalohen
kufijtë e fuqisë maksimale dhe kufijtë e rrymës maksimale të dhëna nga
katalogu, pasi, në rast të kundërt, dioda del jashtë përdorimi.
25
Figura 1.23. Ndryshimet e karakteristikës me ndryshimin e temperaturës
Kur dioda polarizohet në të kundërt, tensioni i shpimit rritet me rritjen

e temperaturës, por njëkohësisht vihet re edhe një rritje e padëshiruar e
rrymës së kundërt të ngopjes.
USHTRIME
1. Përshkruani me fjalët tuaja kushtet e polarizimit në të drejtë dhe në të

kundërt të një diode si dhe çfarë mund të thoni për rrymën në çdo rast.
2. Vizatoni karakteristikën volt-ampere të një diode silici me tension hapje
(gjuri) 0.7 V dhe me PIV = 50 V. Shpjegoni me fjalët tuaja çdo pjesë të
karakteristikës.
3. Duke përdorur ekuacionin 1.4, përcaktoni vlerën e rrymës në diodë në
20°C për një diodë silici me IS = 60 nA dhe për një tension polarizimi të
drejtë 0.7 V.
4. a) Duke përdorur ekuacionin 1.4, përcaktoni vlerën e rrymës në diodë
në 20°C për një diodë silici me Is = 0.2 µA dhe një tension polarizimi të
kundërt prej -10 V.
b) A është rezultati i pritshëm? Pse?
5. Përcaktoni vlerën e tensionit të drejtë në diodë, karakteristikat e së cilës
janë në figurën 1.24 në temperaturat -75°C, 25°C, 100°C dhe në 200°C
26
për rrymën 8 mA. Për çdo temperaturë përcaktoni vlerën e rrymës së

saturimit.
Komentoni raportin e dy prej rezultateve të përcaktuara më sipër.
6. Në një skemë, dioda e polarizuar në të drejtë ka rrymë 50 mA. Kur
polarizohet në të kundërt rryma bie në 20 nA. Sa është raporti i rrymës
së drejtë me atë të kundërt?
7. Një diodë silici e ka rrymën e saturimit 2 nA në 25°C. Sa është IS në 75°C?
Po në 125°C?
1.7. REZISTENCA STATIKE DHE DINAMIKE E DIODËS

Dioda mund të punojë në pika të ndryshme të karakteristikës së saj, ndaj ajo
shfaq rezistenca në vlera të ndryshme, sepse karakteristika është jolineare.
Rezistenca statike ose rezistenca për rrymën e vazhduar

Nëse zbatojmë një tension të vazhduar në qarkun ku lidhet një diodë
gjysmëpërcjellëse, dioda punon në një pikë të caktuar të karakteristikës, e
cila nuk ndryshon me kalimin e kohës.
Rezistenca e diodës në pikën e punës mund të gjendet thjeshtë nga
vlerat korresponduese të VD dhe ID, siç tregohet në figurën 1.24 dhe quhet
rezistencë statike.
(1.5)
Figura 1.24. Përcaktimi i rezistencës statike të diodës
Rezistenca e rrymës së vazhduar ose rezistenca statike e diodës te gjuri ose

poshtë tij është me madhe se rezistenca e marrë në pjesën sipër gjurit të
27
karakteristikës. Rezistenca e diodës në kushtet e polarizimit të kundërt është

mjaft e madhe.
Sa më e vogël të jetë vlera e rrymës në diodë, aq më e madhe është
vlera e rezistencës në të.
SHEMBULL 1.1
Përcaktoni vlerat e rezistencës së diodës në figurën 1.25 për:
a) ID = 2 mA
b) ID = 20 mA
c) VD = - 10 V
Zgjidhje
a) Për ID = 2 mA, VD = 0.5 V (nga karakteristika),
b) Për ID = 20 mA, VD = 0.8 V (nga karakteristika)
c) Për VD = - 10 V, ID = -IS= -1μA
Figura 1.25. Shembulli 1.1
28
Kështu vërtetohen të gjitha ato që u thanë më sipër në lidhje me vlerat e

rezistencës statike të diodës në pika të ndryshme pune.
Rezistenca dinamike ose rezistenca për rrymën alternative

Nëse në një qark me diodë zbatohet një tension i vazhduar (i pandryshuar),
ajo punon në një pikë pune që quhet pika e qetësisë Q.
Le të mendojmë se qarku me diodë është lidhur me një burim sinjali
sinusoidal. Në këtë rast pika e punës lëviz poshtë e lart përgjatë karakteristikës
si në figurën 1.26 në varësi të amplitudës së tensionit sinusoidal.
Figura 1.26. Ndryshimi i tensionit dhe rrymës rreth pikës Q
Në vijën e drejtë të vizatuar tangjent me karakteristikën në pikën Q,

përcaktojmë ndryshimin e tensionit e të rrymës, dhe këto vlera mund
të përdoren për të përcaktuar rezistencën dinamike për këtë zonë të
karakteristikës, si në figurën 1.27.
(1.6)
ku Δ është një ndryshim sasior i fundmë.
Figura 1.27. Përcaktimi i rezistencës dinamike në një pikë Q
29
Për pjerrësi të ndryshme, sa më e vogël të jetë vlera e ΔVD për ΔID të njëjta, aq
më e vogël është rezistenca. Sa më poshtë të ndodhet pika Q, aq më e madhe
është rezisteca e diodës për rrymën alternative ose rezistenca dinamike.
Shembulli 1.2
Për karakteristikat e figurës 1.28:

a) Përcaktoni rezistencën dinamike në ID = 2 mA.
b) Përcaktoni rezistencën dinamike në ID = 25 mA.
c) Krahasoni rezultatet e pikës (a) dhe pikës (b) me rezistencën statike
për çdo vlerë të rrymës.
Q2
Q1
Figura 1.28. Shembulli 1.2
Zgjidhje
a) Për ID = 2 mA është hequr tangjentja në pikën Q1 dhe janë përcaktuar

ndryshimet në tension e në rrymë:
Δ ID = 4 mA - 0 mA = 4 mA
Δ VD=0.76 V - 0.65V = 0.11V
30
dhe rezistenca dinamike
b) Për ID = 25 mA është hequr tangjentja në pikën Q2 dhe janë përcaktuar

ndryshimet në tension e në rrymë:
ID = 30 mA - 20 mA = 10 mA
Δ VD = 0.8 V - 0.78V = 0.02V
dhe rezistenca dinamike
c) Për ID = 2 mA, VD = 0.7 V për pikën e punës Q2, rezistenca statike RD do

të jetë:
e cila është shumë larg rd =27.5 Ω

Për ID = 25 mA, VD = 0.79 V për pikën e punës Q2, rezistenca statike RD do të
jetë:
e cila është shumë larg rd = 2 Ω.

Ne kemi gjetur rezistencën dinamike grafikisht e tani do ta përcaktojmë atë
matematikisht.
Derivati i një funksioni në një pikë është i barabartë me koeficientin këndor

të tangjentes së hequr te kjo pikë.
Kujtojmë që koeficienti këndor është i barabartë me tgα ku α përcakton

pjerrësinë e vijës
Pas disa veprimesh matematikore do të arrijmë në një përfundim të tillë:
Nëse marrim parasysh rezistencën midis materialit gjysmëpërcjellës dhe

përcjellësit metalik të jashtëm, rB , atëherë rezistenca dinamike do të jetë:
31
ku rB varion nga 0.1 Ω (për diodat me fuqi të madhe) deri në 2 Ω (për diodat
me fuqi të vogël, pra diodat e zakonshme). Përmirësimet teknologjike të
viteve të fundit kanë bërë zvogëlimin e vazhdueshëm të rB dhe në këtë tekst
ajo do të injorohet. Pra, afërsisht, formula e rezistencës dinamike do të jetë
Vini re që vlera e rezistencës dinamike përcaktohet nëpërmjet vlerës së

rrymës në pikën e qetësisë ID, kështu që nuk është e nevojshme heqja e
tangjentes. Ky ekuacion mund të përdoret në pjesën e karakteristikës ku
rryma rritet pothuajse vertikalisht, ndërsa për vlera më të vogla të ID, vlera e
rd duhet shumëzuar me 2 për diodat e silicit.
Rezistenca mesatare e rrymës alternative

Nëse sinjali në hyrje ka vlera të mëdha, rezistenca e elementit për këtë zonë
është quajtur rezistenca mesatare e rrymës alternative. Ajo përcaktohet
duke hequr një vijë të drejtë midis dy pikave që i korrespondojnë vlerave
maksimale e minimale të tensionit në hyrje.
Figura 1.29. Përcaktimi i rezistencës mesatare të rrymës alternative

midis kufijve të treguar
32
Në tabelën e mëposhtme është bërë përmbledhja e konkluzioneve të

rëndësishme që përcaktojnë nivele të ndryshme rezistence.
Tabela 1.2. Mënyra e përcaktimit të rezistencës statike, dinamike dhe

mesatare të diodës.
USHTRIME
1. Përcaktoni vlerën e rezistencës statike së diodës në figurën 1.19 për një

tension të kundërt (- 20) V. Krahasoni vlerën e saj me vlerën e rezistencës
statike në tensionin e kundërt (- 40) V.
2. Përcaktoni vlerën e rezistencës statike ose dc të rezistencës së diodës në

figurën 1.19 për një rrymë të drejtë 3 mA.
3. a) Përcaktoni rezistencën dinamike të diodës në figurën 1.29 për një

vlerë rryme të drejtë prej 15 mA duke përdorur ekuacionin (1.6).
b) Përcaktoni rezistencën dinamike (ac) të diodës në figurën 1.29 për një
vlerë rryme të drejtë prej 15 mA duke përdorur ekuacionin (1.7).
c) Krahasoni rezultatin e pikës (a) me atë të pikës (b).
4. Përcaktoni rezistencën mesatare ac të diodës në figurën1.19 për zonën

0.65 V deri në 0.75 V.
33
1.8. QARQET EKUIVALENTE TË DIODËS

Në analizën e sistemeve elektronike shpesh është e nevojshme të studiohet
modeli (qarku) ekuivalent i diodës, prandaj ato janë përmbledhur në një
tabelë, si më poshtë:
Tabela 1.3. Qarqet ekuivalente të diodës
1.9. TË DHËNAT SPECIFIKE TË DIODËS

Të dhënat e diodave, që mund të duhen gjatë përdorimeve të ndryshme të
saj, janë përfshirë më poshtë:
1. Tensioni i drejtë (për një rrymë dhe temperaturë të caktuar).
2. Rryma maksimale e drejtë (në një temperaturë të caktuar).
3. Rryma e kundërt e ngopjes (në një tension dhe temperaturë të caktuar).
4. Tensioni i kundërt maksimal i lejuar (në një temperaturë të caktuar).
5. Fuqia maksimale e harxhuar (në një temperaturë të caktuar).
6. Kufiri i temperaturës së punës etj.
Në varësi të tipit të diodës, mund të jepen edhe të dhëna të tjera, si: frekuenca
kufi, niveli i zhurmave, vlera e rezistencës termike etj. Fuqia e konsumuar
në diodë është
PD = VDID (1.8)
ku ID dhe VD janë rryma e tensionit në diodë në pikën e punës.

Nëse marrim parasysh njërin nga modelet ekuivalente të diodës, ku
VD= VT= 0.7 V për një diodë Si, në ekuacionin (1.8) përcaktojmë fuqinë e
konsumuar, më pas e krahasojmë me fuqinë maksimale të lejuar.
34
PD=(0.7) ID
Fuqia e konsumuar në diodë duhet të jetë më e vogël se fuqia maksimale

e lejuar në të.
PD < Pmax.lej.
1.10. KONTROLLI I DIODËS

Ju mund të kontrolloni gjendjen e një diodë me ohmmetër. Matni rezistencën
e rrymës së vazhduar së një diodë në të dy krahët. Vini re se sa i lartë është
raporti i rezistencës së kalimit të kundërt me atë të kalimit të drejtë. Për një
diodë Si ky raport mund të jetë më i lartë se 1000 : 1.
Figura 1.30. Kontrolli i diodës me ohmmetër
Një diodë konsiderohet e rregullt nëse vlerat e rezistencës së kalimit p-n të

diodës të matur në të dy krahët janë të ndryshme. Pra rezistenca e kalimit
të drejtë del relativisht e vogël si në figurën 1.30 a) (ku fisha e kuqe është e
lidhur me anodën e diodës dhe fisha e zezë me katodën), ndërsa rezistenca
e kalimit të kundërt del relativisht e madhe si në figurën 1.30 b) (ku fisha e
kuqe është lidhur me katodën dhe ajo e zezë me anodën).
Një diodë konsiderohet e parregullt nëse rezistenca është shumë e vogël
në të dy drejtimet e vendosjes së fishave (dioda ka rënë në të shkurtër) ose
kur rezistenca është shumë e madhe në të dy krahët e vendosjes së fishave
(dioda është qark i hapur).
35
Kontrolli bëhet në përgjithësi kur diodat janë jashtë skemës. Kur diodat
janë në qark, më parë duhet shkyçur qarku (pra, të ndërpritet ushqimi me
tension). Në këtë rast ohmetri duhet të tregojë rezistencë më të vogël në
njërën anë se në tjetrën.
Kontrolli i diodës mund të bëhet me multimetër në pozicionin si ohmmetër
ku çelësi me shumë pozicione vendoset në shkallën Ω x 10 ose Ω x 100.
Kontrolli i diodës mund të bëhet edhe me multimetër me ekran dixhital në
pozicionin e kontrollit të diodës.
1.11. DIODAT ZENER
Regjimi zener në figurën 1.31 tregon që karakteristika në kuadrantin e tretë

zbret në mënyrë vertikale për tensionin e kundërt të shënuar Vshp ose VZ.
Rryma që kalon në diodë në këtë rast është në drejtim të kundërt me atë
të diodës së polarizuar në të drejtë. Diodat që shfrytëzojnë këtë pjesë të
karakteristikës janë dioda zener dhe e kanë simbolin si në figurën 1.32 b).
Figura 1.31. Regjimi zener Figura 1.32 Drejtimi i rrymës për diodën
a) gjysmëpërcjellëse, b) zener
Në diodën gjysmëpërcjellëse të treguar në figurën 1.32 a) kalon rrymë në

drejtim të njëjtë me atë të shigjetës në simbol. Për diodën zener (fig. 1.32 b)
drejtimi i kalimit të rrymës është i kundërt me atë të shigjetës së simbolit,
sepse gjatë punës dioda zener polarizohet në të kundërt, pra (+) i burimit të
tensionit lidhet me katodën dhe (-) me anodën.
Që dioda të punojë në regjimin zener, duhet të ndryshohet niveli i
papastërtive në shtresat e saj. Sa më i madh të jetë niveli i papastërtive, aq
më i vogël është tensioni zener. Diodat zener mund të kenë tension zener
nga 1.8 V deri në 200 V me fuqi maksimale nga 0.25 W deri në 50 W. Për
shkak të tensioneve e rrymave më të larta, silici është më i preferuar për
prodhimin diodës zener.
36
Qarku ekuivalent i diodës zener përfshin një rezistencë të vogël dinamike

dhe një bateri me tension të barabartë me VZ, siç është treguar më poshtë
në figurën 1.33. Në përgjithësi rezistencat e jashtme janë shumë më të
mëdha se rezistenca e diodës zener dhe qarku ekuivalent është ai i treguar
në figurën 1.33 b).
Figura 1.33. Qarku ekuivalent i diodës zener

a) i plotë, b) i përafërt
Në tabelën e mëposhtme jepen të dhënat e një tip diode zener, ku Vz

nominale është vlera mesatare tipike e tensionit të diodës. IZ-T është vlera
e rrymës së përcaktuar për ¼ e fuqisë dhe ZZT është vlera e rezistencës
dinamike për këtë nivel (në fig. 1.35).
Koeficienti i temperaturës shpreh ndryshimet në përqindje të Vz në lidhje
me temperaturën. Ky përcaktohet nga ekuacioni 1.9
ku ΔVz është ndryshimi i tensionit në diodën zener me ndryshimin

e temperaturës, T0 është temperatura e dhomës (25oC), T1- vlera e re e
temperaturës.
Figura 1.34. Karakteristika

e diodës zener
37
Në figurën 1.35 vihet re që koeficienti i temperaturës mund të jetë pozitiv,

negativ ose zero. Koeficienti ka vlerë pozitive kur me rritjen e temperaturës
rritet Vz, ndërsa koeficienti ka vlerë negative kur me rritjen e temperaturës
zvogëlohet Vz.
Figura 1.35. Karakteristikat elektrike për diodën zener 10 V, 500 mW
Më poshtë tregohen: përcaktimi i daljeve të diodës zener dhe pamja e

jashtme e disa prej tyre.
Figura 1.36. Përcaktimi i daljeve të diodës zener dhe

pamja e jashtme e disa prej tyre
38
SHEMBULL
Përcaktoni tensionin nominal të diodës zener nga tabela 1.4 në temperaturën

100OC.
Zgjidhje
Nga ekuacioni 1.9
Duke zëvendësuar vlerat nga tabela 1.14
Dhe për arsye të koeficientit pozitiv të temperaturës, tensioni i ri i zenerit

është:
USHTRIME
1. Për diodën zener me këto karakteristika: VZ= 30 V, VR = 17 V, IZT = 10 mA,

IR = 20 µA dhe IZM = 30 mA. Vizatoni lakoren e karakteristikës së diodës
të ngjashme me atë të figurës 1.34.
2. Përcaktoni koeficientin e temperaturës së një diode zener me Vz = 5 V

(në 25°C), nëse tensioni nominal bie në 4.6 V në temperaturën 100°C.
3. Duke përdorur karakteristikën e figurës 1.35, sa është koeficienti i

temperaturës së diodës në VZ = 20 V? Po për 5 V? Mendojeni shkallën
lineare dhe vlerën e rrymës 0.1 mA.
1.12. DIODAT DRITËDHËNËSE (LED)
LED janë dioda speciale që emetojnë dritë kur lidhen në një qark. Ato janë
përdorur shpesh si një llambë pilot në zbatimet elektronike për të treguar
kur qarku është në punë ose jo.
Në një diodë të polarizuar në të drejtë, elektronet e lira kalojnë bashkimin e
bien brenda vrimave. Nëse këto elektrone bien nga një nivel energjetik më
i lartë në një nivel energjetik më të ulët, ato rrezatojnë energji. Në diodat e
zakonshme Si ose Ge, pjesa më e madhe e kësaj energjie shkon në formën
e ngrohtësisë.
39
Në materiale të tjera si galium arsenik fosfor (GaAsP) ose galium fosfor (GaP),
numri i fotoneve të dritës është i mjaftueshëm për të krijuar një burim drite
të dukshëm. Në diodat emetuese të dritës, kjo energji rrezatohet si dritë.
Pjesa më e rëndësishmë e një LED-i është një çip gjysmëpërcjellës që
vendoset në qendër të llambës. Çipi ka dy shtresa: shtresa p ka kryesisht
ngarkesa elektrike pozitive, ndërsa shtresa n ka kryesisht ngarkesa elektrike
negative. Kur një tension i mjaftueshëm është zbatuar në diodë, elektronet
mund të lëvizin lehtë vetëm në një drejtim në bashkimin e shtresave p dhe
n, pra fillon të kalojë rrymë, sepse elektronet e shtresës n kanë energjinë e
mjaftueshme për të lëvizur drejt shtresës p.
Kur një elektron lëviz e bie mbi një ngarkesë pozitive, të dy ngarkesat
rikombinohen, pra kur një elektron takon një vrimë, ajo bie në një nivel më
të ulët energjie dhe lëshon energji në formën e fotonit.
Sa herë një elektron rikombinohet me një ngarkesë pozitive, energjia
potenciale elektrike shndërrohet në energji elektromagnetike. Duke përdorur
kombinimin e elementeve kimike galium, arsenik dhe fosfor, mund të
ndërtojmë LED-e, që rrezatojnë në ngjyrë të kuqe, jeshile, të verdhë, blu,
portokalli ose infra të kuqe (të padukshme).
Le të shohim se si duhet lidhur LED në një qark (fig. 1.37). Dalja e katodës
(ku lidhet minusi) e një LED-i është treguar në dy mënyra:
1. ana e rrafshët e diodës (fig. 1.37 a),
2. më e shkurtra nga dy daljet e zgjatura poshtë diodës (fig. 1.37 b).
Në figurën 1.37 janë treguar pamje të ndryshme të LED, ndërsa në figurën
1.38 simboli i LED.
a) b)
Figura 1.37. Pamje të ndryshme të LED Figura 1.38. Simboli i LED
Dalja e katodës së LED-it duhet a

lidhur gjithnjë me terminalin negativ
të një baterie. Tensioni i punës së f b
një diode emetuese të dritës (LED) g
është rreth vlerave 1.5 V deri në
3 V, ndërsa rryma që rrjedh nga e c
10 deri në 50 miliamper. Tensionet
dhe rrymat mbi këto vlera mund të
d
shkrijnë çipin e LED.
a) b)
Një skemë e thjeshtë me LED Figura 1.39. a) Skemë e thjeshtë me LED
tregohet në figurën 1.39: b) Display me 7 segmente me LED
40
Një display me shtatë segmente përmban shtatë LED-e. Çdo LED është
quajtur një segment. Në figurën 1.39 a) është treguar një segment i një
display me 7 segmente ku dioda është lidhur në seri me një rezistencë që
përdoret për të kufizuar vlerën e rrymës.
Disa nga përdorimet e LED në jetën e përditshme janë:
• ndriçimet arkitekturore,
• indikatorët (tregues gjendjeje) në mjaft pajisje,
• sinjalet e trafikut dhe ato rrugore,
• ndriçuesit e dorës,
• telekomandat (komandimi në largësi) në saje të LED me infra të kuqe,
• fibrat optike për komunikacion,
• për dritat e pemës së Krishtlindjes,
• fototerapia me LED kundër akneve ka rezultuar efektive në zhdukjen
e akneve për një periudhë 3-mujore etj.
Disavantazhet e përdorimit të LED-it

Shpesh LED-ët janë më të shtrenjtë se teknologjitë e tjera ndriçuese.
Përgjithësisht, performanca e LED-it varet nga temperatura e mjedisit në
të cilin punon. Duke e vënë në punë LED–in në temperatura të larta të
ambientit, kjo mund të rezultojë mbinxehëse për diodën dhe e çon atë në
dëmtim e deri në mosfunksionim të saj. Për ta mbajtur në punë sa më gjatë
diodën, kërkohen ftohës. Kjo merret parasysh në pajisjet ushtarake të cilat
mund t’i ushtrohen temperaturave të larta të mjedisit.
Për të punuar me sa më shumë rendiment, LED-i kërkon një burim fuqie të
studiuar. Sigurisht ajo kërkon një rezistencë, që, gjithsesi, harxhon një sasi
të konsiderueshme të energjisë.
Pamja e jashtme e disa diodave emetuese të dritës jepet në figurën 1.40:
Figura 1.40. Pamja e jashtme e disa diodave emetuese të dritës
USHTRIME
1. Në figurën 1.39 a) tensioni i burimit është 10 V, ndërsa tensioni i hapjes

së diodës është 2 V. Sa është rryma që kalon në LED, nëse R = 680 Ω?
2. Nëse LED-i, me tension hapjeje 1.8 V, ushqehet nga një burim me

V = 20 V, sa është vlera e rezistencës kur në LED kalon rryma 20 mA?
41
1.13. FOTODIODA
Me kalimin e viteve, është rritur së tepërmi interesi për pajisjet elektronike të
ndjeshme ndaj dritës. Dega përkatëse që studion këto pajisje dhe mundohet
të rrisë rendimentin e tyre quhet optoelektronika. Burimet e dritës janë një
burim i veçantë energjie. Kjo energji transferohet nëpërmjet grimcave të
quajtura fotone, të cilat kanë një nivel të lidhur drejtpërdrejt me frekuencën
valës shëtitëse të dritës ( f ) dhe përcaktohet me formulën e mëposhtme:
W = h*f.
Energjia shprehet në xhaul, (h) është konstantja e Plankut që është e
barabartë me 6.624 x 10-34 xhaul/sekondë, f është frekuenca e valës së
dritës që matet me hertz. Nga ana tjetër, frekuenca është gjithashtu e lidhur
me gjatësinë e valës (largesa e dy kreshtave të një vale).
Λ=
Lambda (Λ) është gjatësia e valës e matur në metra, v është shpejtësia e

dritës (v = 3 x 108 m/s) dhe f është frekuenca e valës shëtitëse e matur në Hz.
R
Gjatësia e valës normalisht matet në Angstrom (Å) ose në mikrometër, ku
1Å = 10-10 m dhe 1 mikrometër = 10-6 m.

V
Gjatësia e valës së dritës rënëse varet nga lloji i materialit që përdoret për
ndërtimin e elementeve optoelektronike.
Fotodioda është një element gjysmëpërcjellës me bashkim p-n. Simboli dhe
një skemë e thjeshtë me fotodiodë (figura (a)
1.41) tregohet më poshtë:
p n
- +
Vλ
Ikundërt
+ -
Iλ
- +
V
R
(b)e thjeshtë me fotodiodë
Figura 1.41. Simboli dhe një skemë
Pra, siç duket dhe nga skema, fotodioda lidhet në të kundërt me baterinë.
Plusi i baterisë lidhet me katodën e fotodiodës dhe minusi me anodën e
saj. Kur nuk aplikojmë dritë, rryma që do të ekzistojë është rrymë shumë e
vogël dhe quhet rryma e errët.
Kujtojmë nga mësimet e para se rryma e kundërt e saturimit ka vlerë disa
mikroamper dhe ajo krijohet nga lëvizja e mbartësve minoritarë në shtresën
n dhe p.
42
Kur rrezet e dritës, me një gjatësi vale të caktuar (frekuencë të caktuar), bien
mbi kalimin p-n të fotodiodës, atëherë energjinë e tyre e transferojnë në
strukturën atomike. Për rrjedhojë rriten shumë mbartësit minoritarë, që
krijojnë rrymën e punës në fotodiodë. Numri i elektroneve të lira është në
përpjesëtim të drejtë me intensitetin e dritës që bie. Intensiteti i dritës është
i lidhur me fluksin e ndriçimit që bie mbi një sipërfaqe. Fluksi i ndriçimit
matet me lumens (lm) ose vat:
1 lm = 1.496 x 10-10 W.
Intensiteti i ndriçimit matet në përgjithësi me fotokandela (fc ) ose W/m2:
1 fc = 1.609 x 10-9 W/m2

Meqenëse koha e ndryshimit të gjendjes së këtij elementi është shumë e
vogël, deri në nanosekonda, këtë element mund ta përdorim në numërues
me shpejtësi të lartë, sistemet e alarmit etj. Rryma e kundërt do të jetë me
vlerë të konsiderueshme aq kohë sa të vazhdojë të bjerë rrezja e dritës.
Në qoftë se rrezja ndërpritet, rryma e kundërt bie në nivelin e rrymës së
errët dhe vë në punë sinjalizuesin e alarmit. Një tjetër përdorim është ai
i numërimit të objekteve mbi një rrip lëvizës. Me lëvizjen përpara të çdo
objekti, sa herë pritet rrezja e dritës mbi fotodiodë, rryma bie në nivelin e
rrymës së errët dhe numëruesi rrit me një numrin. Zbatime të tjera mund të
jenë: në aparatin fotografik me autofokusim, në pajisje sigurie si detektorët e
tymit, rrezet X në aeroporte dhe në alarmet e automjeteve dhe të banesave,
në industri në skanerat e bar kodeve, në enkodera, në sensorë pozicioni si
dhe në fotokopjues etj.
Më poshtë tregohen skema të ndryshme praktike me fotodioda (fig. 1.42).
Figura 1.42. Skema të ndryshme praktike me fotodioda
43
1.14. QARQET ME LIDHJE OPTIKE
Qarqet me lidhje optike (optoçiftuesit) kanë në brendësi 2 elemente:

1. Elementi që emeton dritë (LED etj.).
2. Elementi i ndjeshëm ndaj dritës (fotodiodë, fototransistor etj.).
Këto dy elemente janë të vendosura në një paketë të vetme (chip) dhe midis
tyre nuk ekziston lidhje elektrike, por vetëm lidhje optike. Skema elektrike
tregohet më poshtë:
Figura 1.43. Skema elektrike e një qarku me lidhje optike
USHTRIME
1. Në figurën 1.43 Vo = 20V dhe Ro = 47 KΩ. Nëse Io ndryshon nga 2 -10 µA,
sa është ndryshimi i tensionit në fotodiodë?
1.15. DIODAT SHOTKI (SCHOTTKY)
Një diodë e zakonshme në frekuencat e ulëta mund të ndryshojë lehtë

gjendjen nga e polarizuar në të drejtë në të polarizuar në të kundërt. Nëse
frekuenca rritet, dioda arrin një gjendje ku nuk mund të kalojë shpejt në
gjysmëciklin ku ajo polarizohet në të kundërt. Koha që i duhet diodës së
polarizuar në të drejtë për t’u shkyçur (kur polarizohet në të kundërt gjatë
gjysmëvalës negative) është quajtur koha e kthimit të kundërt (reverse
recovery time) trr.
Koha e kthimit të kundërt është shumë e shkurtër në diodat e sinjaleve të
vogla dhe nuk vihet re në frekuencat poshtë 10 MHz. Në frekuenca më të
mëdha ajo duhet marrë në konsideratë, sepse bëhet e krahasueshme në
periodën e sinjalit (T=1/f). Në një skemë drejtuese me një gjysmëvalë, sinjali
në dalje është pulsant në frekuencat e ulëta, ndërsa në frekuencat e larta
sinjali në dalje është i deformuar.
Kur frekuenca bëhet e rendit MHz, sinjali në dalje është i deformuar, sepse
koha e kthimit të kundërt bëhet pjesë e periodës. Për të zgjidhur këtë
problem, në vend të diodës së zakonshme përdorim diodën Shotki, e cila
nga njëra anë e bashkimit është ndërtuar nga një pjesë metali, si: ar, argjend,
platin etj., ndërsa nga ana tjetër nga një shtesë tjetër gjysmëpërcjellëse silici
(kryesisht tipi n), figura 1.44 a).
44
a) b)
Dioda Schottky
Dioda e zakonshme
c)
Figura 1.44. a). Skema strukturore, b) simboli, c) karakteristika e diodës Shotki

dhe një diodë e zakonshme
Kur dioda është polarizuar në të drejtë, elektronet e lira në shtresën n kanë

energjinë e mjaftueshme për të kaluar në orbita (nivele energjie) më të larta.
Elektronet e lira mund të kalojnë bashkimin p-n dhe të hyjnë në metal
duke prodhuar një rrymë mjaft të madhe. Metali nuk ka vrima dhe koha e
kthimit të kundërt është e papërfillshme.
Më poshtë tregohet një skemë drejtuese me diodë Shotki si dhe forma e
sinjalit në dalje në frekuencën 100 MHz.
Vi -- tensioni në hyrje,
Vo -- tensioni në dalje.
Figura 1.45. Skemë drejtuese me diodë Shotki si dhe forma e sinjalit

në hyrje dhe në dalje
45
Dioda Shotki kyçet e shkyçet më shpejt se diodat e zakonshme. Ato përdoren

në qarqet dixhitale kompjuterike. Shpejtësia e kompjuterave varet nga
shpejtësia e diodave dhe transistorëvë me të cilët ata kyçen e shkyçen.
Dioda Shotki e ka tensionin e hapjes rreth 0.25 V, pra më të vogël se një diodë
e zakonshme. Për këtë arsye dioda Shotki mund të përdoret në burimet e
fuqisë me tensione të vogla në hyrje.
USHTRIME
1. Përshkruani me fjalët tuaja ndërtimin e një diodë Shotki dhe thoni

ndryshimin nga një diodë e zakonshme. Përshkruani mënyrën e punës.
2. Gjeni materiale shtesë në lidhje me funksionimin dhe përdorimin e

diodave Shotki.
1.16. DIODA VARIKAP (DIODA ME KAPACITET VARIABËL)
Dioda varikap përdoret gjerësisht në qarqet televizive, në marrësit FM dhe

pajisje të tjera komunikacioni. Simboli i saj jepet në figurën 1.46 a).
Kur një diodë e sinjaleve të vogla polarizohet në të kundërt, ka një
rezistencë të kundërt të rendit MΩ, pra në frekuencat e ulëta dioda sillet si
një qark i hapur, ndërsa në frekuencat e larta kjo rezistencë duhet marrë në
konsideratë.
Kur dioda polarizohet në të kundërt, dy shtresat “p” dhe “n” shihen si pllakat
e një kondensatori, ndërsa zona e kundërt si një dielektrik midis pllakave të
një kondensatori. Ky kapacitet që shfaq dioda quhet kapacitet kalimtar (CT).
Sa më i madh është tensioni i kundërt i zbatuar në diodë, aq më e gjerë
është shtresa e kundërt dhe aq më i vogël është kapaciteti kalimtar. Pra,
kapaciteti është funksion i tensionit të kundërt që zbatohet në të.
Në figurën 1.46 b) është treguar skema ekuivalente e një diode varikap
të polarizuar në të kundërt. Një rezistencë e kundërt e madhe, RR, është
në paralel me kapacitetin kalimtar (CT). Në frekuencat e ulëta kapaciteti
kalimtar (CT) është shumë i vogël dhe dioda sillet si qark i hapur (RR është e
madhe). Në frekuencat e larta kapaciteti i kontrolluar nga tensioni ka efekt
mbizotërues.
Në figurën 1.46 c) shihet si ndryshon kapaciteti kalimtar (CT) në varësi të
tensionit të kundërt të zbatuar në të.
46
a) b) CT
Figura 1.46
a) Simboli i diodës varikap
b) Skema ekuivalente e diodës varikap
c) Karakteristika e kapacitetit kalimtar
në varësi të tensionit të kundërt c)
Diodat e silicit shfaqin kapacitet të kontrolluar nga tensioni, prandaj ato

kanë zëvendësuar kondesatorët akordues mekanikë në mjaft zbatime, si:
në marrësit televiziv, në radiot e automobilave etj. Në katalog, për një vlerë
referimi kapaciteti të diodës varikap, ne gjejmë një kufi akordimi për një kufi
vlerash tensioni. P.sh., për diodën 1N5142, për një vlerë referimi kapaciteti
15 pF, tregohet një kufi akordimi 3:1 për një kufi vlerash tensioni nga (–4) V
deri në (– 60) V. Kjo do të thotë që kapaciteti zvogëlohet nga 15 pF në 5 pF,
kur tensioni ndryshon nga (–4) V deri në (–60) V.
Kufiri i akordimit varet nga niveli i papastërtive në shtresat gjysmëpërcjellëse.
Për të rritur kufirin e akordimit, rritet densiteti i ngarkesave në afërsi të
kalimit p-n. Nëse një diodë varikap lidhet në paralel me një bobinë, ne
mund të kemi një kontur rezonues me frekuencën e akordimit:
fr =
USHTRIME
1. Një bobinë ka induktivitetin 20µH. Një diodë varikap ka një kapacitet

referimi prej 30 pF dhe një kufi akordimi 3:1. Nëse bobina dhe dioda
varikap janë në paralel, sa është frekuenca minimale e rezonancës?
Po frekuenca maksimale?
2. Gjeni materiale shtesë në lidhje me funksionimin dhe përdorimin e

diodave varikap.
47
1.17. DIODA TUNNEL
Dioda tunel (tunnel) ka këtë veçori: nëse polarizohet në të drejtë, menjëherë

në të kalon rrymë që arrin vlerën maksimale I , kur tensioni në diodë është
P
VP. Më pas, me rritjen e tensionit, rryma zvogëlohet në vlerën minimale

Iv për tensionin VV. Zona midis këtyre vlerave quhet zona me rezistencë
negative (sepse rritja e tensionit në diodë zvogëlon rrymën në diodë).
a) b)
E a
R c
+ +
E - Linja e ngarkesës
b
-
c) d)
Figura 1.47
a) Karakteristika e diodës tunnel dhe krahasimi i karakteristikës së saj me atë
të një diode të zakonshme, b) simboli i saj, c) një skemë e thjeshtë me diodë tunel,
d) përcaktimi i pikës së punës së diodës
Zona me rezistencë negative është zona më e përdorshme në punën e

këtyre diodave sidomos në qarqet oshiluese me frekuencë të lartë.
Për skemën e figurës 1.47 c), ndërtojmë linjën e ngarkeses në figurën 1.47 d)
dhe vëmë re që pikat a) e b) janë pika pune të qëndrueshme (ndodhen në
zonat me rezistencë pozitive).
48
Pika e punës c) është pikë pune jo e qëndrueshme. Një ndryshim i lehtë i

vlerës së tensionit në diodë shkakton lëvizjen e pikës së punës Q drejt pikës
a) ose b).
USHTRIME
1. Cili është ndryshimi midis diodës së zakonshme gjysmëpërcjellëse dhe

diodës tunel.
2. Përcaktoni vlerën e rezistencës negative të diodës tunel midis VT = 0.1 V
dhe VT = 0.3V.
3. Përcaktoni pikat e qëndrueshme të punës për skemën e figurës 1.47 c) të
diodës tunel me karakteristikën e figurës 1.47 a), nëse E = 2 V, R = 0.4 KΩ.
1.18. DIODA ME RRYMË KONSTANTE
Këto dioda bëjnë të kundërtën e asaj që bëjnë diodat zener. Në vend që

të mbajnë tensionin konstant, ato mbajnë rrymën konstante kur tensioni
ndryshon. P.sh., dioda 1N5350 është një diodë me rrymë konstante me
rrymë tipike 2 mA, kur tensioni ndryshon nga 2 deri në 100 V, pra me
kompliancë (kufijtë e tensionit me të cilin punon) prej 98 V.
1.19. DIODA E KUNDËRT (BACK DIODA)
Dioda zener ka një tension zener më të madh se 2 V. Me rritjen e nivelit të

papastërtive, ne mund të gjejmë efektin zener më pranë vlerës zero. Kur
kjo diodë polarizohet në të drejtë, ajo fillon të përcjellë (të kalojë rrymë) në
(+ 0.7) V, ndërsa kur polarizohet në të kundërt, ajo fillon të përcjellë në (-0.1)
V. Një diodë e tillë quhet diodë e kundërt (back), meqë përcjell më mirë në
të kundërt se në të drejtë. Nëse një skemë ushqehet me tension maksimal
0.5 V, një diodë e zakonshme e polarizuar në të drejtë nuk do të përcillte
rrymë, por kjo mjafton për një diodë të kundërt të polarizuar në të kundërt.
Sinjali në dalje do të ketë amplitudën 0.4 V. Dioda e kundërt përdoret për të
drejtuar sinjale me vlera maksimale nga 0.1 V deri në 0.7 V.
Vini re që simboli i diodës zener në figurën 1.48 përdoret edhe për diodën
e kundërt.
Figura 1.48. Skema drejtuese me diodë të kundërt
49
USHTRIME
1. Përpiquni të skiconi karakteristikën volt-ampere të një diode të kundërt

me tension hapjeje të drejtë 0.7 V dhe me tension të kundërt maksimal
(-0.1) V.
1.20. VARISTORI
Ndonjëherë gjatë punës në rrjet shfaqen disa mbitensione që shfaqen disa

mikrosekonda ose më pak. Në mjaft pajisje vendosen filtra midis linjave të
fuqisë ose në primarët e transformatorëve për të eliminuar problemet që
shfaqen në linjat e transmetimit.
Një prej elementeve të përdorura në këto raste janë varistorët. Ato janë
elemente gjysmëpërcjellëse si dy dioda zener të lidhura shpinë më shpinë
me një tension të kundërt maksimal të lartë në çdo drejtim.
P.sh., V 130LA2 ka tension të kundërt maksimal 184 V dhe një rrymë
maksimale të lejuar 400 A. Lidhja e tij në paralel me mbështjellën primare
do të mbrojë pajisjen nga tensione që i kalojnë vlerat 184 V.
Simboli i saj paraqitet në figurën 1.49
Figura 1.49. Simboli i varistorit
1.21. EKRANET ME KRISTAL TË LËNGSHËM

LCD (LIQUID CRYSTAL DISPLAYS)
LCD-ja është një pajisje e hollë, e sheshtë, e lehtë dhe harxhon shumë më
pak fuqi sesa CRT-t (cathode ray tubes) si dhe LED. Ato janë të përbëra
nga një numër i caktuar pikselash të rreshtuara përpara një burimi drite
ose reflektori me kufinj temperature zakonisht nga 0-60°C. Përdoren në
përgjithësi në pajisjet elektronike me bateri për faktin se përdorin sasi
shumë të vogla energjie elektrike.
Kristali i lëngshëm është një lëndë ose substancë që sillet edhe si e lëngët,
edhe si e ngurtë. Në këtë kristal molekulat mund të lëvizin relativisht lehtë
kundrejt njëra-tjetres, pothuajse si molekulat në lëngje. Megjithatë, të gjitha
molekulat në kristalin e lëngët tentojnë të jenë të orientuara në të njëjtën
mënyrë si rregullimi i molekulave në kristalin e ngurtë.
50
Kristalet e lëngëta e ruajnë natyrën e tyre të dyfishtë, të lëngët dhe të ngurtë

vetëm në një diapazon të caktuar temperaturash dhe presionesh. Në
temperatura të larta ose presione të vogla lehtësohen rrotullimet e çastit të
molekulave, duke bërë që kristali i lëngshëm të sillet si lëng i zakonshëm.
Në temperatura të ulëta ose në presion të lartë molekulat në kristalin e
lëngët e humbin mundësinë e lëvizjes kundrejt njëra-tjetrës dhe kristali i
lëngët ngurtësohet duke bërë që ai të sillet si një trup i ngurtë i zakonshëm.
Çdo pixel i një LCD-së përbëhet nga një shtresë molekulash të radhitura
midis dy elektrodash transparente, dy filtrave të polarizuar, akset e përhapjes
së të cilëve, në shumicën e rasteve, janë pingulë me njëri-tjetrin.
Sipërfaqja e elektrodave që janë në kontakt me materialin e lëngshëm
kristalor, është vendosur në mënyrë të tillë që radhitja (sistemimi) e
molekulave të kristalit të lëngshëm ka një drejtim të caktuar. Elektrodat
janë të përbëra nga sipërfaqe përcjellëse transparente prej Indium Tin Oxide
(ITO).
Kur midis elektrodave nuk zbatohet tension, orientimi i molekulave të kristalit
të lëngshëm është përcaktuar nga drejtimi i sipërfaqes së elektrodave. Në
një element nematik të përdredhur (siç është shumica e elementeve me
kristal të lëngshëm) drejtimi i radhitjes së molekulave te të dy elektrodat
është pingul me njëra-tjetrën dhe ato rregullojnë vetveten në mënyrë të
përdredhur ose spirale. Gjatë kësaj kohe pajisja duket e hirtë.
Nëse një tension (zakonisht 6-20 V) është zbatuar midis elektrodave
përcjellëse, renditja molekulare çrregullohet.
Kur zbatohet një tension midis elektrodave, ndodh një rrotullim dhe
molekulat e kristalit të lëngshëm radhiten paralel me fushën elektrike, duke
shtrembëruar strukturën në formë spirale.
Në rastin kur voltazhi është relativisht i lartë, molekulat e kristalit të lëngshëm
në qendër të shtresës janë pothuajse të papërdredhura. Drita, kur kalon
përmes shtresës së kristalit të lëngët, do të jetë polarizuar në drejtim pingul
me filtrin e dytë dhe pikseli do të duket i zi. Duke kontrolluar tensionin e
zbatuar përmes shtresave të kristalit të lëngshëm në çdo piksel, drita do
të lejohet të kalojë në sasi të ndryshme dhe në këtë mënyrë do të krijohen
nivele të ndryshme të nuancës së hirtë.
Në figurën 1.50 a), b) është treguar mënyra e vendosjes së shtresave në një
LCD.
Në LCD-të me ngjyra çdo piksel ndahet në tri qeliza ose subpiksela, të cilat
kanë respektivisht ngjyrë të kuqe, jeshile dhe blu. Çdo subpiksel mund
të kontrollohet në mënyrë të pavarur, në mënyrë që të gjenerojë mijëra
e miliona ngjyra dhe nuanca të mundshme për çdo pixel. Monitorët
CRT zbatojnë një strukturë të ngjashme subpikselash me anë të lëndëve
fosforeshente, pavarësisht se tufa e elektroneve e rënë në CRT nuk godet me
saktësi subpikselat.
51
me elektroda
a)
b)
1. filtri polarizues vertikal

2. shtresa prej xhami me elektroda
3. kristali i lëngshëm nematik
4. shtresa prej xhami me elektroda
5. filtri polarizues horizontal
6. sipërfaqja reflektuese që dërgon
pamjen te shikuesi
Figura 1.50
Karakteristikat kryesore të një LCD-je janë:

• Rezolucioni: Madhësia horizontale dhe vertikale e matur në pixel
(p.sh., 1024 x 768). Ndryshe nga monitorët CRT, monitorët LCD kanë një
rezolucion të vetin për të shfaqur më mirë pamjen.
• Distanca midis qendrave të dy pikselave të njëpasnjëshëm (Dotpitch):
Sa më e vogël të jetë distanca, aq më e qartë është figura. Ajo mund të
jetë e njëjtë si horizontalisht, ashtu edhe vertikalisht ose e ndryshme.
• Madhësia e dukshme: Madhësia e një paneli LCD e matur diagonalisht.
• Koha e përgjigjes: Koha minimale për të ndryshuar ngjyrën ose dritën e
një pixeli. Koha e përgjigjes ndahet gjithashtu në kohë rritjeje dhe rënieje.
• Shpejtësia e rifreskimit (Refresh - numri i herëve për sekondë për të cilat
monitori paraqet të dhënat që i jepen): Kur shpejtësia (refresh rate) është
shumë e ulët, mund të shkaktojë ngecje dhe dallohet më shumë në
monitorët e mëdhenj. Shumë televizore LCD të mëdhenj tani përdorin
refresh rate prej 120 Hz .
• Tipi i matrix (aktiv ose pasiv)
• Këndi i shikimit (njihet ndryshe si drejtimi i shikimit).
• Ngjyrat
• Drita (sasia e dritës së emetuar nga display).
• Raporti i kontrastit (raporti i intensitetit së dritës më të zbehtë me atë të
ngjyrës më të errët).
• Raporti i gjerësisë me gjatësinë (p.sh., 4:3, 16:9, 16:10).
52
1.22. QELIZAT DIELLORE

Një qelizë diellore, e thënë ndryshe qelize voltaike, është ajo pajisje që kthen
energjinë diellore në elektricitet me anë të efektit fotovoltaik.
Pak histori
Termi fotovoltaik vjen nga greqishtja foto - dritë dhe voltaik - elektrike. Efekti
fotovoltaik u zbulua për herë të parë në vitin 1839 nga fizikani francez
Aleksander-Edmond Becquerel. Megjithatë, duhej pritur viti 1883 kur u
ndërtua qeliza e parë diellore nga Çarls Frits (Charles Fritts). Ai mbështolli
materialin gjysmëpërçues selen me një shtresë mjaft të hollë ari duke
formuar pika bashkimi midis tyre. Fatkeqësisht pajisja kishte rendiment
mjaft të vogël, rreth 1%.
Epoka moderne e teknologjisë së fuqisë diellore filloi në vitin 1954 në
laboratorët Bell, duke eksperimentuar me gjysmëpërçuesit. Rastësisht
u zbulua se silici i difuzuar me disa papastërti të caktuara ishte mjaft i
ndjeshëm ndaj dritës. Si rezultat u prodhuan qeliza diellore me një
rendiment të kthimit të energjisë diellore rreth 6%.
Anija e parë kozmike që përdorte panele diellore ishte sateliti i SHBA-së
“Explorer 1” i lëshuar në orbitë në janar të vitit 1958. Me kalimin e viteve
rendimenti i qelizave diellore erdhi në rritje, për të arritur aty ku jemi sot. Në
vitin 2007, dy kompani amerikane prodhuan rreth 95% të qelizave diellore
me rendiment 28%.
Ndërtimi dhe parimi i punës

Qelizat diellore moderne janë bazuar në fizikën gjysmëpërcjellëse. Ato janë
thjesht fotodioda me një bashkim p-n me një sipërfaqe mjaft të ndjeshme
ndaj dritës. Bëhen përpjekje për të siguruar sipërfaqe sa më pingule me
diellin. Efekti fotovoltaik, që bën qelizën të shndërrojë dritën drejt e në
energji elektrike, ndodh në 3 shtresat e shndërrimit të energjisë.
Shtresa e parë e nevojshme për konvertimin e energjise në një qelizë diellore
është shtresa e sipërme e përbërë nga një gjysmëpërçues i tipit n. Shtresa
e dytë është bashkimi p-n. Shtresa e fundit e shndërrimit të energjisë është
shtresa e pasme e përbërë nga gjysmëpërçuesi i tipit p. Gjithashtu mbi to
duhen vendosur edhe dy shtresa të tilla që të lejojnë rrymën elektrike të
rrjedhë jashtë nëpër qelizë. Shtresat e kontaktit elektrik janë të përbëra nga
përcjellës të mirë metali. Ato vendosen në mënyrë të tillë që një numër
sa më i madh i fotoneve të energjisë së dritës të arrijnë bashkimin. Një
foton i energjisë së dritës godet panelin dhe mund të përplaset me një
elektron valence duke bërë që ai të largohet nga atomi mëmë në saje të
energjisë së tepërt që krijohet. Në shtresën tip p elektronet e krijuara janë
mbartës pakice (minoritarë) dhe do të lëvizin lirshëm përmes bashkimit
p-n edhe pse tensioni i zbatuar është 0. Njëlloj mund të arsyetojmë edhe
për vrimat që krijohen në shtresën gjysëmpërcjellëse n. Si rezultat krijohet
një rritje e lëvizjes së mbartësve të pakicës që është e kundërt me lëvizjen
konvencionale të rrymës në kalimin p-n.
53
Në këtë mënyrë, ky konstrukt funksionon si diodë, duke mos e lënë këtë

fluks elektronesh të kthehet mbrapsht dhe e detyron të lëvizë vetëm në një
drejtim, duke krijuar në këtë mënyrë rrymë si në figurën 1.51:
Drita e diellit VOC është tensioni në daljet e baterisë
kur qarku është i hapur.
Xham
+
p
VOC
n
bashkim
- Figura 1.51. Paraqitja më e thjeshtë
tensioni kontakt metali e ndërtimit të një qelize diellore
fotovoltaik
Qarku ekuivalent dhe simboli skematik i një qelize diellore është treguar
më poshtë:
Figura 1.52. Qarku ekuivalent dhe simboli skematik i një qelize diellore
Një qelizë diellore ideale mund të ekuivalentohet nga një burim rryme në
paralel me një diodë. Në praktikë asnjë qelizë diellore nuk është ideale,
kështu që një rezistencë në paralel dhe një në seri i janë shtuar modelit.
Qelizat diellore zakonisht lidhen me njëra-tjetrën për të formuar module.
Modulet fotovoltaike në shumicën e rasteve kanë një fletë xhami në faqen
ballore, duke lejuar kalimin e dritës, por duke mbrojtur gjysmëpërçuesin
nga gërvishtjet e pluhurit apo faktorët e shumtë atmosferikë.
Qelizat diellore lidhen si module në seri, në mënyrë që tensionet e tyre të
mblidhen si në figurën 1.53.
Figura 1.53. Qeliza diellore në seri
54
Duke i lidhur qelizat si module në paralel, do të përfitojmë një rrymë më të

madhe (fig. 1.54).
Figura 1.54. Qeliza diellore në paralel
Pra, qelizat, për të arritur një rrymë ose tension të dëshiruar maksimal,
lidhen në module në seri ose paralel.
Fuqia në dalje e strukturave që përbëhen nga qeliza diellore matet me vat
(W) ose kilovat (kW). Rendimenti i punës së një qelize diellore përcaktohet:
Po (elektrike) P maksimale e pajisjes

η= X100% = x100%
Pi (energjia e dritës) (sipërfaqe në cm 2 )(100mW/cm 2 )
Rruga që ndiqet gjatë transformimit të energjisë përmbledhtazi është kjo:

• Një panel diellor e kthen ernergjinë diellore në një sasi energjie të rrymës
së vazhduar.
• Më pas rryma e vazhduar mund të futet në një inverter (konvertues DC-AC).
• Inverteri e kthen tensionin e vazhduar në 120 V ose 240 V AC, që nevojitet
për të vënë në punë pajisjet elektroshtëpiake.
• Elektriciteti më pas shpërndahet në të gjithë shtëpinë.
• Pjesa që nuk përdoret do të ruhet për përdorim të mëvonshëm.
Përdorimet e qelizave diellore

Qelizat fotovoltaike janë të pazëvendësueshme në rastet kur pajisja që duhet
ushqyer ndodhet mjaft larg, si: satelitët që përshkojnë orbitën e Tokës,
sondat hapësinore, në pajisjet për pompimin e ujit, teleskopët, makinat me
energji diellore etj. Makinat e energjisë diellore janë makina të cilat e marrin
fuqinë nga një grup qelizash diellore. Elektriciteti i prodhuar shkon si fuqi
për motorin e këtyre makinave ose shkon në një bateri duke u ruajtur aty.
55
Përdorimet më të gjera të qelizave diellore janë te makinat llogaritëse (ku

ekzistojnë makina llogaritëse pa buton off) dhe te satelitët e ndryshëm. Këto
qeliza diellore kanë gjetur përdorim shumë të efektshëm pothuajse në çdo
fushë të jetës.
USHTRIME
1. Përshkruani me fjalët tuaja parimin e punës së një LCD-je.
2. Diskutoni mes ndryshimeve në parimin e punës së një ekrani LCD dhe

një ekrani me LED.
3. Cilat janë avantazhet dhe disavantazhet e një ekrani LCD krahasuar me

një ekran LED?
4. Një qelizë diellore me përmasa 1 cm me 2 cm e ka rendimentin 9%. Sa

është fuqia maksimale e mundshme e pajisjes?
56
KAPITULLI
PËRDORIMET E DIODAVE
2.1. HYRJE
Konceptet e mësuara në këtë kapitull do të jenë të nevojshme për kapitujt

në vijim. Për shembull, diodat përdoren shpesh në përshkrimin e ndërtimit
të transistorëve, në analizat për rrymë alternative dhe për rrymë të vazhduar
të transistorit.
Analiza e skemave elektronike bëhet përmes procesit të përafrimit. Rezultatet
e fituara nga karakteristikat e vërteta mund të jenë disi të ndryshme nga ato
të fituara nga një seri përafrimesh. (Kini parasysh se edhe vetë karakteristikat
e marra nga katalogu me ato të vetë elementit mund të ndryshojnë pak.)
Gjithashtu elementet e ndryshme të qarkut mund të mos kenë vlerë të
barabartë me atë që shënojnë. Jo gjithnjë një rezistencë që shënon 100 Ω ka
vlerë 100 Ω dhe tensioni 10 V mund të jetë 10 V.
Në këtë libër synimi është në zhvillimin e njohurive rreth punës së një
pajisjeje përmes përafrimeve të duhura, duke shmangur një nivel të lartë
veprimesh matematike.
2.2. ANALIZA E LINJËS SË NGARKESËS
Rezistenca e ngarkesës e lidhur në skemë ka një rol të rëndësishëm në

pikën ose zonën e punës së elementit. Lind pyetja: Si mund të gjejmë me
saktësi vlerën e tensionit e rrymës në diodë? Nëse e analizojmë problemin
në mënyrë grafike, për skemën ku është lidhur dioda, duhet të ndërtojmë
një vijë të drejtë të quajtur linja e ngarkesës. Pikëprerja e linjës së ngarkesës
me karakteristikën volt-ampere të diodës do të përcaktojë pikën e punës së
diodës, Q. Një analizë e tillë quhet analiza e linjës së ngarkesës.
Le të ndërtojmë linjën e ngarkesës së rrymës së vazhduar për qarkun e
figurës 2.1 a).
57
Në figurën 2.1 a) skema ushqehet nga tensioni i zbatuar (E) dhe në qark kalon
rrymë në drejtimin orar. Fakti që drejtimi i rrymës dhe drejtimi i shigjetës
në simbolin e diodës përputhen, do të thotë se dioda është polarizuar në të
drejtë dhe shërben si “çelës i kyçur”. Për këtë polaritet të tensionit në diodë,
karakteristika ndodhet në kuadrantin e parë të figurës 2.1 b).
a) b)
Figura 2.1. a) Skema, b) karakteristika volt-ampere e diodës
Duke aplikuar ligjin e Kirkofit për tensionet për qarkun në seri te figura 2.1 a),
do të kemi:
E - VD – VR = 0
E = VD + ID R (2.1)
Ky është ekuacioni i një vije të drejtë. Për ndërtimin e saj mjafton të gjejmë
koordinatat e dy pikave të saj, 1 dhe 2, respektivisht në boshtin vertikal pika
(1) dhe në atë horizontal pika (2) si në figurën 2.2. Për gjetjen e koordinatave
të pikës (1) mendojmë VD=0V në ekuacionin (2.1) dhe e zgjidhim barazimin
për gjetjen e ID.. Vlera e ID ndodhet në boshtin vertikal. Me VD= 0 V, ekuacioni
(2.1) shndërrohet:
E = 0 V + ID R
dhe
ID = për VD=0
Për gjetjen e koordinatave të pikës (2) konsiderojmë ID = 0 dhe nga barazimi

(2.1) do të gjejmë
VD = E për ID = 0.
58
Vija e drejtë që bashkon këto dy pika është linja (vija) e ngarkesës, siç
tregohet në figurën 2.2. Ndryshimi i vlerës së rezistencës së ngarkesës do
të ndryshojë pikëprerjen në boshtin vertikal. Rezultati është ndryshimi i
pjerrësisë së linjës së ngarkesës dhe i pikëprerjes midis linjës së ngarkesës
dhe karakteristikës së diodës.
Siç e thamë më lart, pikëprerja e linjës së ngarkesës me karakteristikën e
diodës përcakton koordinatat e pikës së punës. Nga pika Q, duke u ulur me
një vijë vertikale pingul mbi boshtin horizontal, ne përcaktojmë tensionin
e diodës VDQ, kurse duke hequr një vijë horizontale, pingul mbi boshtin
vertikal, përcaktojmë vlerën e rrymës IDQ. Rryma IDQ është në fakt rryma që
kalon në të gjithë skemën e figurës 2.1 a). Pika e punës quhet zakonisht pika
e qetësisë (shkurt “Q”).
Zgjidhja e përftuar nga pikëprerja e dy kurbave është e njëjtë me atë të
përftuar nga zgjidhja matematikore e barazimit (2.1) dhe (1.4)
Figura 2.2. Vizatimi i linjës së ngarkesës dhe gjetja e pikës së punës
USHTRIME
1. Duke përdorur karakteristikën e figurës 1.19 për diodën e skemës së

mëposhtme:
a) përcaktoni ID e VD,
b) përsëritni kërkesën a) për R = 0.4 KΩ
c) krahasoni rezultatet e pikës a) e b).
Si
si
6V 1kΩ
59
2. Përcaktoni vlerën e R-së për skemën e mësipërme, nëse I = 8 mA dhe

E = 5 V. Përdorni karakteristikën e figurës 1.19.
3. Përcaktoni rrymën në rezistencë për çdo rast (VT = 0.7 V).

50Ω 10Ω
si si si
10V 0.5V 5V 20Ω
si
(a) (b) (c)
2.3. TRANSFORMATORI
Në pajisje të ndryshme elektronike shpesh përfshihen transformatorët, të

cilët rritin ose ulin vlerën e tensionit ose të rrymës sa vlera e duhur nëpër
përdorime të ndryshme. Simboli tregohet më poshtë.
Le të kujtojmë diçka nga elektroteknika. Transformatori është i ndërtuar
nga dy mbështjella: primari (parësori) dhe sekondari (dytësori) me numër
spirash respektivisht N1 dhe N2, si dhe nga bërthama Lidhja e numrit të
spirave me tensionet në mbështjella
V2 është:
N2
=
V21 N2
= 1
V12 N2
= 1
ku V1 V1efektive
- tensioni në primar (vlerë N1ose maksimale)
V2 - tensioni në sekondar (vlerë efektive ose maksimale.
Raporti i numrit të spirave është një parametër i rëndësishëm në punën e

tyre. Nëse raporti është 9:1 (pra, transformatori është ulës) për V1 = 220 V,
atëherë: V 1 220V
=
2
V2 = =24.5 V rms
V2 1 VV
220V 1N92 220V
==24.5 V rmsV2 =
220V
=
22 9
V2 = =24.5 V rms
220V 9 V
220V
9V21 9N11 220V
=
9
V2 = =24.5 V rms
220V 9 9
Transformatorët izolojnë ngarkesën nga tensioni i linjës. Kjo nënkupton që
lidhja midis mbështjellave është thjesht lidhje magnetike, pra ato nuk kanë
lidhje elektrike.
Në një transformator ideal mes rrymave
I1 krijohet
N1 ky raport:
=
I1 N
II121 N
N1
= = 2
I2 I212 N
IN N1
= 2
Transformatorët që I2 janëN2idealë,
përdorim nuk por gjatë studimit ne i
konsiderojmë të tillë.
60
2.4. SINJALI SINUSOIDAL
Sinjali sinusoidal është vala bazë e sinjaleve elektrike. Shpesh ai përdoret

për të testuar pajisjet elektronike. Sinjale të komplikuara mund të paraqiten
si mbivendosje e sinjaleve sinusoidale. Në këtë mësim do të përshkruajmë
disa vlera të nevojshme parametrash elektrikë gjatë diskutimit të qarqeve
me dioda.
Vlera maksimale (peak)
Vëreni sinjalin sinusoidal të treguar në figurën 2.3.
v = Vp sinθ (2.2)
ku v = vlera e çastit,
Vp = vlera maksimale (pik),
θ = këndi në gradë ose radian.
v
Figura 2.3. Forma e një sinjali sinusoidal
Vëreni se si tensioni rritet nga zero në një vlerë pozitive maksimale për
këndin 900, zbret në zero në 1800, arrin një vlerë negative maksimale në
2700 dhe rikthehet në zero në 3600. Duke vendosur në ekuacionin (2) vlerat
e këndit 300, 450, 600 dhe 900, ndërtojmë tabelën 2-1.
Tabela 2-1
61
Tabela 2-1 liston disa nga vlerat e çastit, të cilat duhet t’i dini. Për shkak
të simetrisë të sinjalit sinusoidal, ju mund të gjeni shumë lehtë vlerat në
këndet 1200, 1500, 1800, 2100 etj. Në qoftë se dini disa nga vlerat, ju mund
të gjeni vlerat e çastit për kënde të tjera. Siç u përmend, Vp është vlera pik,
vlera maksimale. Sinjali sinusoidal ka vlerën pik pozitive në 900 dhe vlerën
pik negative në 2700.
Vlera pik-pik
Vlera pik-pik e çdo sinjali është diferenca ndërmjet vlerave algjebrike

maksimale dhe minimale:
Vpp = Vmax - Vmin (2.3)
Për valën sinusoidale vlera pik-pik (peak-peak) është:
Vpp = Vp - (-Vp) = 2 Vp (2.4)
Vlera efektive (Vlera RMS)
Nëse një tension sinusoidal bie në një rezistencë aktive R, ai krijon një rrymë
sinusoidale në fazë me të.
Produkti i vlerave të çastit të tensionit dhe të rrymës jep vlerën e çastit
të fuqisë, e cila mesatarisht për një interval kohe është fuqia mesatare e
harxhuar në rezistencë.
Vlera rms e një vale sinusoidale, e quajtur vlera efektive, është e përcaktuar
si tension dc (i vazhduar) që prodhon vlerë të njëjtë të nxehtësisë si vala
sinusoidale.
V rms = = 0.707 Vp (2.5)
Pra, vlerë rms e një sinjali sinusoidal ose vlerë efektive do të quhet ajo vlerë
ekuivalente me tensionin dc, e cila, duke u zbatuar në të njëjtën rezistencë
si tension dc, krijon të njëjtën sasi nxehtësie Q.
Ne mund ta provojmë këtë lidhje në mënyrë eksperimentale duke ndërtuar
2 qarqe: një qark të rrymës së vazhduar me një rezistencë dhe një tjetër me
një sinjal sinusoidal në hyrje me të njëjtën vlerë rezistence në të.
Në qoftë se burimi i rrymës së vazhduar rregullohet për të prodhuar të
njëjtën vlerë nxehtësie në rezistencë si vala sinusoidale, ne do të matim një
tension dc të barabartë me 0.707 herë vlerën maksimale të valës sinusoidale.
62
Tensioni i linjave
Në Shqipëri tensioni njëfazor është me vlerë efektive (rms) 220 V me

frekuencë 50 Hz.
Kompanitë energjetike në SHBA zakonisht i furnizojnë linjat me 115 V (rms)
me një tolerance prej ± 10% dhe frekuencë prej 60 Hz. Nga ekuacioni (2.5),
ne mund të llogarisim vlerën pik si më poshtë:
220V = 0.707 Vp
nga ku
Vp = = 312 V
ose
115 V = 0.707 Vp
nga ku
Vp = = 163 V.
Në rastin e fundit, një vlerë pik prej 163 V do të thotë një vlerë pik-pik prej
326 V, që është pa dyshim një vlerë e rrezikshme tensioni.
Vlera mesatare
Vlera mesatare e sinjalit të parë më lart llogaritet për një gjysmë periode të një
sinjali sinusoidal. Për një cikël të plotë, ajo është zero, sepse vala sinusoidale
është simetrike. Çdo vlerë pozitive në gjysmëciklin e parë asnjanësohet nga
një vlerë negative gjatë gjysmëciklit të dytë. Në këtë mënyrë, nëse mbledhim
të gjitha vlerat midis 00 dhe 3600, do të kemi vlerën mesatare zero.
USHTRIME
1. Tensioni i linjës është 220V ± 10%. Llogaritni vlerën maksimale më të

lartë e më të ulët të saj.
2. Nëse tensioni në primarin e një transformatori është 220 V alternativ,

sa është tensioni maksimal në sekondarin e tij, nëse koeficienti i
transformimit të transformatorit është 10:1?
63
2.5. DREJTUESIT ME NJË DIODË

Në figurën 2.4 është treguar skema e drejtuesit me një gjysmëvalë dhe forma
e sinjalit në hyrje. Në hyrje të skemës zbatohet tensioni sinusoidal
vi = Vm sinwt,
ku v është vlera e çastit e tensionit,

i
Vm është vlera maksimale (pik) ose amplituda e tensionit,

w është frekuenca këndore, w = 2 p f.
Figura 2.4. a) Sinjali në hyrje të skemës drejtuese

b) Skema e drejtuesit me një gjysmëvalë
Në gjysmëvalën pozitive të tensionit, dioda është polarizuar në të drejtë për

vlera çasti më të mëdha se tensioni i hapjes së diodës (afërsisht 0.7 V për
diodat e Si dhe 0.3 V për diodat e Ge) si në figurën 2.5 a). Gjatë kësaj kohe
në rezistencën e ngarkesës kalon rrymë dhe tensioni në dalje ka formën
e treguar në figurën 2.5 b). Për thjeshtësi studimi, ne do të konsiderojmë
diodën ideale, sepse vlera maksimale e tensionit në sekondar është shumë
më e madhe se tensioni i hapjes së diodës.
(a) (b)
Figura 2.5. Dioda në gjendje përcjellëse (0 - T/2)
Në figurën 2.6 tregohet rasti kur në hyrje të skemës është zbatuar gjysmëvala
negative e tensionit e cila e polarizon në të kundërt diodën dhe ajo nuk
përcjell rrymë. Për rrjedhojë, tensioni në dalje në rezistencën R do të jetë
zero gjatë gjysmës së dytë të periodës.
64
Figura 2.6. Dioda në gjendje jopërcjellëse (T/2 - T)
Vini re se si tensioni në dalje ndryshoi nga alternativ në pulsant. Rryma në

ngarkesë është gjithnjë në të njëjtin drejtim dhe ky proces është quajtur
drejtim.
Vlera mesatare e tensionit
Vlera mesatare e drejtuar e sinjalit në dalje (Vdc) është:
Vdc = Vmes = = 0.318 Vmax. (2.6)
Nëse merret në konsideratë rënia e tensionit në diodë:
Vdc = 0.318 (Vmax – VD) (2.7)
ku VT është tensioni i hapjes së diodës.
Vdc=0
Figura 2.7. Sinjali në hyrje e në

dalje të skemës me një gjysmëvalë Vm
Për shembull, vlera e tensionit në hyrje të skemës është 12.6 V alternativ.

Vlera maksimale e tensionit është
Vmax = .
ndërsa vlera mesatare është
Vdc = Vmes = 0.318 Vmax = 0.318 (17.8 V) = 5.66 V.
Vlera mesatare është tensioni që mat voltmetri i rrymës së vazhduar në

rezistencën e ngarkesës, pra voltmetri i rrymës së vazhduar mat 5.66 V.
65
Vlera maksimale e rrymës në diodë
Nëse vlera e rezistencës së ngarkesës dihet, mund të gjendet vlera

mesatare e rrymës që kalon në të, pra dhe vlera mesatare e drejtuar
e rrymës në diodë. Kjo vlerë duhet të jetë gjithnjë më e vogël se vlera
kufi e rrymës që jepet në katalog për një diodë të caktuar. P.sh., dioda
1N4001 e ka vlerën kufi të rrymës Io = 1A. Nëse R është 10 Ω për rastin e
mësipërm, rryma që kalon në rezistencën e ngarkesës është 0.566 A. Pra
dioda 1N4001 mund të përdoret, pasi ka vlerën maksimale të rrymës,
Io=1 A, më të madhe se vlera mesatare e rrymës së drejtuar (0.566 A).
Vlera maksimale e tensionit të kundërt në diodë
Kur dioda është polarizuar në të kundërt, tensioni në ngarkesë është 0 dhe

tensioni i zbatuar bie në diodën e polarizuar në të kundërt. Ky tension duhet
të jetë më i vogël se tensioni maksimal i kundërt (PIV–Peak Inverse Voltage)
që jepet në katalog.
PIV ≥ Vmax. (2.8)
P.sh., nëse tensioni i kundërt makimal është 75 V, dioda duhet të këtë një
kufi tensioni të kundërt (në katalog), PIV, më të madh se 75 V.
SHEMBULL
a) Vizatoni formën e sinjalit në dalje dhe përcaktoni Vdc e sinjalit në dalje

për skemën e figurës 2.8, ku Vm = 20 V (dioda të konsiderohet ideale).
b) Përsëritni pikën (a) nëse dioda ideale është zëvendësuar me një diodë
reale silici.
c) Përsëritni pikën (a) e (b) nëse Vmax është rritur në 200 V.
Figura 2.8. Skema e shembullit

Zgjidhje
a) Siç duket edhe nga skema, dioda do të përcjellë gjatë gjysmëperiudhës

negative të sinjalit në hyrje. Nga ekuacioni (2.6):
Vdc = -0.318Vm = -0.318(20 V) = -6.36 V.

Shenja negative tregon polaritetin e tensionit në dalje.
66
20V
20V
Figura 2.9 a) Sinjali në dalje për pikën (a) të shembullit
b) Duke përdorur një diodë silici, dalja ka pamjen e figurës 2.9 b).
20 - 0.7 = 19.3V
Figura 2.9 b) Sinjali në dalje për pikën (b) të shembullit
Vdc = -0.318 (Vm – VT )
Vdc = -0.318 (20 – 0.7 ) = -0.318 (19.3 V) = -6.14V
Zvogëlimi i tensionit Vdc është 0.22 V.
c) Nga ekuacioni (2.6)
Vdc = -0.318Vm = -0.318 (200 V) = -63.6 V
Nga ekuacioni (2.7):
Vdc = -0.318 (Vm – VT) = -0.318 (200 V -0.7 V)
= -(0.318) (199.3 V) = -63.38V.
Ky ndryshim është i vogël dhe mund të injorohet gjatë zbatimeve të

ndryshme.
67
USHTRIME
1. Skiconi vi, vd, id për skemën e drejtuesit me një gjysmëvalë, nëse R = 2 KΩ

dhe Vdc = 2V. Sinjali në hyrje është sinusoidal me frekuencë 50 Hz.
Diodat të mendohen si ideale.
2. Përsërite problemin, nëse diodat janë prej silici (VT = 0.7V).
2.6. DREJTUESIT ME DY GJYSMËVALË (ME DY DIODA)
Në figurën 2.10 a) është treguar drejtuesi me dy gjysmëvalë, i cili ka në

ndërtimin e tij një transformator, sekondari i të cilit është me pikë mesi.
Figura 2.10 a) Drejtuesi me dy gjysmëvalë
Gjatë gjysmëvalës pozitive të tensionit në sekondar, si në figurën 2.10 b),

dioda e sipërme D1 është polarizuar në të drejtë, ndërsa dioda e poshtme D2
është polarizuar në të kundërt. Rryma kalon nëpër diodën D1, rezistencën e
ngarkesës dhe gjysmëmbështjellën e sipërme.
Figura 2.10 b) Rruga e kalimit të rrymës në kohën (0-T/2)
Gjatë gjysmëvalës negative, si në figurën 2.10 c), rryma kalon nëpër diodën
D2, rezistencën e ngarkesës dhe gjysmëmbështjellën e poshtme. Vini re
që tensioni në ngarkesë ka të njëjtin polaritet si në figurën 2.10 b), sepse
rryma kalon nëpër rezistencën e ngarkesës në të njëjtin kah, pavarësisht se
cila diodë përcjell. Kjo është arsyeja që tensioni në ngarkesë është sinjal i
drejtuar me dy gjysmëvalë.
68
Figura 2.10 c) Rruga e kalimit të rrymës në kohën (T/2-T)
Meqenëse sekondari i transformatorit ka pikë mesi, çdo diodë punon

vetëm për një gjysmëvalë. Duke menduar diodat ideale, vlera maksimale e
tensionit të drejtuar në dajle është
VDmax = 0.5 V2max = Vmax
ku V2max është vlera maksimale e tensionit në sekondarin e transformatorit.

Vlera mesatare e sinjalit në dalje është sa dyfishi i sinjalit në dalje të
drejtuesit me një gjysmëvalë.
Vdc = 0.636 VDmax (2.9)
Nëse tensioni në sekondar është 12.6 V alternativ. Vlera maksimale (pik)

e tensionit në sekondar është 17.8 V, ndërsa vlera maksimale e sinjalit në
dalje është 8.9 V (për arsye që sekondari ka pikë mesi) dhe vlera mesatare:
Vdc = 0.636 VDmax = 0.636 (8.9 V) = 5.66 V.
Vlera maksimale e rrymës në diodë

Për një rezistencë ngarkese 10 Ω, rryma në ngarkesë është 0.566 A. Nuk duhet
të harrojmë që çdo diodë përcjell vetëm për një gjysmë periode, prandaj
vlera maksimale e rrymës në diodë (e dhënë nga katalogu) duhet të jetë më
e madhe se gjysma e rrymës së drejtuar në ngarkesë. Nëse lidhim në seri
me çdo diodë një ampermetër, do të lexonim 0.283 A, ndërsa ampermetri i
lidhur në seri me ngarkesen do të tregonte 0.566 A.
Frekuenca
Në skemën drejtuese me një gjysmëvalë, frekuenca e sinjalit në dalje është
e njëjtë me frekuencën e sinjalit në hyrje. Në drejtuesin me dy gjysmëvalë
frekuenca e sinjalit në dalje është sa dyfishi i frekuencës së sinjalit në hyrje,
sepse gjatë një periode të sinjalit në hyrje kemi dy gjysmëvalë të tensionit
në dalje, pra tensioni pulson 2 herë më shumë se në skemën e drejtuesit
me një gjysmëvalë.
69
Tensioni i kundërt maksimal
Çdo diodë në drejtuesin me dy gjysmëvalë (ose me valë të plotë) duhet të

ketë një vlerë maksimale tensioni më të madhe se 2Vmax. Kjo vërtetohet nëse
zbatojmë ligjin e Kirkofit për tensionet në një kontur të mbyllur.
PIV 2Vmax (2.10)
2.7. DREJTUESIT URË

Këta drejtues janë më të përdorshëm nga skemat e studiuara deri tani, sepse
vlera mesatare e tensionit në dalje është më e madhe se ajo e drejtuesit me
dy dioda për të njëjtën vlerë tensioni në sekondar. Në figurën 2.11 a) është
treguar skema e drejtuesit urë.
Figura 2.11 a) Drejtuesi urë
Gjatë gjysmëvalës pozitive të tensionit në sekondar, figura 2.11 b), diodat D2

e D3 janë polarizuar në të drejtë dhe tensioni në rezistencën e ngarkesës ka
polaritetin e treguar në figurën 2.11 b).
Figura 2.11 b) Rruga e kalimit të rrymës në kohën (0-T/2)
Gjatë gjysmëvalës negative të tensionit në sekondar, figura 2.11 c), diodat D1

e D4 janë polarizuar në të drejtë dhe tensioni në ngarkesë ka polaritetin e
treguar në figurën 2.11 c).
Figura 2.11 c) Rruga e kalimit të rrymës në kohën (T/2 deri T)
70
Në çdo gjysmëvalë tensioni në ngarkesë ka të njëjtin polaritet, sepse rryma

në ngarkesë kalon në të njëjtin kah, pavarësisht se cila diodë është duke
përcjellë. Ja pse tensioni në dalje është sinjal i drejtuar me valë të plotë, si
në figurën 2.11 d). Pra, në rezistencë kalon rrymë gjatë gjithë periodës.
Vm
Figura 2.11 d)
T0 2T0

Tensioni maksimal në dalje është:
VDmax = Vmax.
Vini re që në skemën urë të drejtuesit vlera maksimale e tensionit në

rezistencën e ngarkesës është sa vlera maksimale e tensionit në hyrje,
ndërsa në drejtuesin me dy dioda vlera maksimale e tensionit në rezistencën
e ngarkesës është e barabarte me gjysmën e vlerës maksimale të tensionit
në sekondar dhe kjo e bën më të vështirë e të kushtueshme prodhimin e
skemës:
Vdc = 0.636 VDmax. (2.11)
Nëse vlera efektive (rms) e tensionit në hyrje është 12.6 V, vlera maksimale
e tensionit në hyrje është 17.8 V, si dhe vlera maksimale e sinjalit në dalje
është 17.8 V (VDmax = 2 Vrms ). Vlera mesatare:
Vdc = 0.636 VDmax = 0.636 (17.8 V) = 11.3 V
Vlerat maksimale të rrymës dhe tensionit në diodë

Për një vlerë mesatare tensioni në dalje 11.3 V dhe një rezistencë ngarkese
10 Ω, rryma mesatare në ngarkesë është 1.13 A. Duke qenë se çdo diodë
përcjell për një gjysmëperiode (gjysmëvalë), vlera kufi e rrymës së dhënë në
katalog (Io) duhet të jetë më e madhe se gjysma e rrymës në ngarkesë, pra
0.565 A.
Në figurën 2.11 b), D2 është idealisht e lidhur në të shkurtër, ndërsa D4 është
idealisht e hapur. Duke mbledhur tensionet në qarkun e jashtëm:
Vmax – PIV + 0 = 0,
Vmax - tensioni maksimal në hyrje
PIV - tensioni i kundërt i ushtruar në D4
ku 0 e anës së majtë është tensioni ideal në D2.
71
Tensioni i kundërt maksimal në D4 është:
PIV ≥ Vmax (2.12)
Pra, kufiri PIV i çdo diode duhet të jetë më i madh se Vmax.
Frekuenca
Meqë në rezistencën e ngarkesës kalon rrymë gjatë gjithë periodës së sinjalit
në hyrje, To është sa gjysma e Ti. Për këtë arsye frekuenca e sinjalit në dalje
është sa dyfishi i frekuencës së sinjalit në hyrje.
USHTRIME
Një drejtues urë me valë të plotë me tension sinusoidal në hyrje 220 V rms
ka një rezistencë ngarkese 1 KΩ.
1. Sa është vlera mesatare e drejtuar e tensionit në ngarkesë?
2. Përcaktoni PIV për çdo diodë.
3. Gjeni vlerën maksimale të rrymës që kalon në çdo diodë.
4. Sa është fuqia e harxhuar nga çdo diodë?
2.8. SHUMËFISHUESIT E TENSIONIT

Skemat e shumëfishimit të tensionit janë përdorur për të kthyer një tension
maksimal relativisht të ulët në sekondarin e transformatorit në një tension
maksimal dy, tre, katër ose shumë herë më të madh në dalje.
Dyfishuesit e tensionit
Në figurën 2.12 është treguar një dyfishues tensioni me një gjysmëvalë.
Gjatë gjysmëvalës (gjysmëperiodës) pozitive të tensionit në transformator
(sekondar), figura 2.13 a), dioda D1 përcjell, ndërsa D2 nuk përcjell;
kondensatori C1 ngarkohet me tension deri në vlerën e tensionit maksimal
(Vm ) dhe me polaritetin e treguar në figurë. Dioda D1 është idealisht si një
qark i lidhur në të shkurtër në këtë gjysmëperiodë. Gjatë gjysmëperiodës
negative të tensionit në sekondar, figura 2.13 b), dioda D1 nuk përcjell,
ndërsa dioda D2 përcjell duke ngarkuar kondensatorin C2. Dioda D2 vepron
si një qark i shkurtër gjatë gjysmëperiodës negative dhe D1 si qark i hapur.
Shuma e tensioneve në qarkun e jashtëm është:
-Vm – VK1 + VC2 = 0

-Vm – Vm + VC2 = 0
VC2 = 2 Vm
72
Figura 2.12. Dyfishuesi i tensionit me një gjysmëvalë
Figura 2.13. Puna e dyfishuesit: a) për gjysmëperiodën pozitive,

b) për gjysmëperiodën negative
Në dalje të dyfishuesit mund të lidhet një rezistencë ngarkese. Tensioni

në C2 bie gjatë gjysmëvalës pozitive (kondensatori C2 shkarkohet nëpër
rezistencën e ngarkesës), por kondensatori C2 ngarkohet deri në 2 Vm gjatë
gysmëvalës negative. Sa më e madhe të jetë vlera e rezistencës së ngarkesës,
aq më tepër tensioni në dalje i afrohet 2 Vm.
PIV (tensioni i kundërt maksimal) për çdo diodë duhet të jetë më i madh
se 2Vm.
Një tjetër skemë dyfishuesi është dyfishuesi me valë të plotë i figurës 2.14a).
Gjatë gjysmëvalës pozitive të tensionit në sekondarin e transformatorit,
figura 2.14 b), kondensatori C1 ngarkohet nëpërmjet diodës D1 me vlerën
pik Vm. Dioda D2 nuk përcjell rrymë në këtë kohë.
Figura 2.14 a) Dyfishuesi i tensionit me

valë të plotë
(a)
73
(b) (c)
Figura 2.14 b) për gjysmëvalën pozitive

c) për gjysmëvalën negative
Gjatë gjysmëvalës negative të tensionit në sekondar (fig. 2.14 c), dioda D2

përcjell rrymë nëpërmjet kondensatorit C2, ndërsa dioda D1 nuk përcjell
rrymë.
Meqë C1 dhe C2 janë lidhur në seri, vlera e kapacitetit total është më e
vogël se ajo e secilit prej kapaciteteve të kondensatorëve. Pra, dyfishuesit e
tensionit me gjysmë vale ose me valë të plotë bëjnë dyfishimin e tensionit
maksimal të sekondarit të transformatorit dhe nuk kërkojnë transformatorë
me pikë mesi. PIV (tensioni i kundërt maksimal) për çdo diodë duhet të jetë
më i madh se 2Vm.
Trefishuesi dhe katërfishuesi i tensionit

Në figurën 2.15 tregohet një shumëfishues tensioni të cilit i janë shtuar dy
kondensatorë dhe dy dioda për të marrë tre- dhe katërfishin e tensionit
maksimal në sekondar.
Figura 2.15. Trefishuesi dhe katërfishuesi i tensionit
74
Po kështu mund të veprohet nëse duhet të merret në dalje një tension që

është 5, 6 etj. herë tensionin maksimal të sekondarit të transformatorit.
Gjatë gjysmëvalës pozitive të tensionit në sekondarin e transformatorit,
kondesatori C1 ngarkohet nëpërmjet D1 me tensionin maksimal Vm.
Kondesatori C2 ngarkohet me dyfishin e vlerës maximale, 2 Vm, që merret nga
shuma e tensioneve në kondesatorin C1 dhe në sekondarin e transformatorit
gjatë gjysmëvalës negative të tensionit.
Gjatë gjysmëvalës pozitive dioda D3 përcjell dhe kondesatori C3 ngarkohet
me të njëjtën vlerë tensioni maksimal 2 Vm. Në gjysmëvalën negative diodat
D2 dhe D4 përcjellin dhe C4 ngarkohet me 2 Vm.
Tensioni në C2 është 2 Vm, në C1 dhe C3 është 3 Vm, kurse në C2 dhe C4 është
4 Vm. Në nyjat shtesë me dioda dhe kondesatorë, çdo kondesator ngarkohet
me 2 Vm. Çdo diodë në qark duhet të ketë PIV (tensionin e kundërt maksimal):
PIV 2V2max.
USHTRIME
1. Përcaktoni tensionin e arritur nga dyfishuesi i tensionit në figurën 2.12,

nëse tensioni në sekondarin e transformatorit është 220 V rms.
2. Përcaktoni PIV e çdo diode për skemën e figurës 1.12, nëse vlera maksimale
e tensionit në sekondar është Vm.
2.9. PRERËSIT (CLIPPERS)

Ekziston një numër shumë i madh qarqesh të cilat quhen prerëse. Këto
qarqe kanë vetinë që të presin një pjesë të sinjalit në hyrje, pa e shtrembëruar
pjesën e mbetur të sinjalit. Qarqet prerëse më të thjeshta janë të ndërtuara
vetëm nga një rezistencë e një diodë. Këto skema janë skemat e drejtimit.
Duke vënë re drejtimin e diodës në qark kundrejt ndryshimit të sinjalit në
hyrje, mund të përcaktojmë thjesht cila gjysmëvalë do të pritet, ajo negative
apo ajo pozitive.
Prerësit ndahen në dy grupe themelore: në prerës në seri dhe prerës në
paralel. Mënyra e vendosjes së diodës kundrejt rezistencës së ngarkesës do
të përcaktojë edhe llojin e prerësit.
Prerësit në seri
Një skemë prerësi mjaft e thjeshtë në seri është treguar në figurën 2.16 a).
Prerësit në seri dhe në paralel nuk kanë kufizime për sa i përket sinjalit në
hyrje. Ai mund të jetë i formave të ndryshme alternative siç tregohet edhe
në figurën 2.16 b).
75
Prerësit do t’i studiojmë me kushtin që diodat janë ideale. Shtimi i një

burimi dc në qarkun e një prerësi, si në figurën 2.17, do të bëjë të mundur
zhvendosjen e sinjalit kundrejt boshtit të ordinatave. Nuk ka një procedurë
fikse për analizimin e këtyre qarqeve. Ato duhen studiuar duke marrë veç
gjysmëvalën pozitive dhe veç gjysmëvalën negative. Hapat që ndiqen në
përgjithësi janë:
1. Arsyetojmë në lidhje me pozicionin dhe gjendjen e diodës, pra kur ajo
është në gjendje pune e kur nuk është në gjendje pune. Për qarkun e
mëposhtëm (fig. 2.17) drejtimi i diodës na sugjeron që sinjali vi duhet të
jetë pozitiv për të bërë diodën përcjellëse (në gjendjen ON). Nga ana tjetër,
kërkohet që sinjali Vi duhet të jetë më i madh në amplitudë se tensioni V,
që të kalojë diodën në gjendjen ON. Gjatë gjysmëvalës negative dioda është
në gjendje jopërcjellëse (në gjendje OFF)
a)
b)
Figura 2.16 a) Skema e një prerësi seri

b) Forma të ndryshme sinjalesh alternative
Figura 2.17. Prerës seri me një burim tensioni të vazhduar (dc)
2. Përcaktojmë tensionin i cili do të shkaktojë ndryshimin e gjendjes së

diodës. Për një diodë ideale, ndryshimi midis gjendjeve do të ndodhë në
pikën me koordinata VD= 0V dhe ID= 0A të karakteristikës (në origjinë).
76
Në qoftë se zbatojmë ligjin e dytë të Kirkofit (fig. 2.18), do të arrijmë në

përfundimin se tensioni i ndryshimit të gjendjes së diodës ka lidhje me
tensionin e burimit të rrymës së vazhduar. Dioda është e polarizuar në të
kundërt (- V në anodë) dhe vi< V, kështu që ajo sillet si qark i hapur (fig. 2.18)
ku iD= 0.
Figura 2.18. Përcaktimi

i vo për rastin kur dioda
nuk përcjell
Për tensione Vi më të mëdha se V, dioda do të jetë polarizuar në të drejtë

(+V në anodë) dhe ajo sillet si qark i shkurtër (në gjendjen ON) si në figurën
2.19.
3. Duhet të kemi kujdes në përcaktimin e polaritetit të tensionit në dalje Vo.

Kur dioda është në gjendjen ON, duke zbatuar Ligjin e Kirkofit në lidhje me
tensionet (fig. 2.19), do të gjejmë:
vi - V - vO = 0
pra,
vO = vi - V.
Figura 2.19. Përcaktimi i vo për

rastin kur dioda përcjell
Duhet të skicojmë tensionin në hyrje dhe

në dalje (fig. 2.20), duke gjetur tensionin
në dalje për çaste të ndryshme kohe të
sinjalit në hyrje.
Siç e thamë më lart, për vi < V, id = 0 dhe
vo = 0.
Për vI = V, dioda ndryshon gjendje.
Për vi > V, dioda sillet si qark i shkurtër dhe
vo = vi - V e tregohet në figurën 2.21.
Figura 2.20. Përcaktimi i Vo maks.
77
Gjatë gjysmëvalës negative, dioda është në gjendje OFF (si qark i hapur)
dhe vo = 0.
Përfundimisht, forma e sinjalit në hyrje e në dalje të skemës në figurën 2.17
tregohet në figurën 2.21. Në këtë rast tensioni vo është i ndryshëm nga zero
për më pak se 1/2T.
Figura 2.21. Format e sinjalit në hyrje e në dalje
SHEMBULL
Përcaktoni formën e sinjalit në dalje për skemën e mëposhtme (fig. 2.22):
Figura 2.22. Prerës në seri
Zgjidhje
Dioda është në gjendje përcjellëse (si qark i shkurtër) gjatë gjysmëvalës

pozitive të sinjalit në hyrje, aq më tepër për shkak të V = 5 V. Skema në këtë
rast është si në figurën 2.23 dhe vo = vi +5 V.
Dioda ndryshon gjendjen për vi = -5 V, siç tregohet në figurën 2.24.
78
Figura 2.23. vo për diodën në gjendje

pune
Figura 2.24. Çasti kur dioda ndryshon

gjendjen e saj
Për vi më negative se (-5) V, dioda do të sillet si qark i hapur, ndërsa

për tensione më pozitive se (– 5) V dioda do të sillet si qark i shkurtër.
Përfundimisht, tensioni në hyrje e në dalje do të jetë si në figurën 2.25. Në
dalje do të ketë tension për më shumë se 1/2 T.
Figura 2.25. Forma e sinjalit në hyrje dhe në dalje
79
Prerësit në paralel
Skema e figurës 2.26 është skema më e thjeshtë e një prerësi në paralel, ku

dioda ndodhet në paralel me bornat e daljes. Analiza e skemave në paralel
është e ngjashme me ato të skemave në seri.
a)
Figura 2.26
a) Prerës paralel
b) Format e sinjaleve në dalje të
prerësit në paralel të figurës 2.26 a)
për sinjale të ndryshme në hyrje
b)
Më poshtë paraqiten skema të ndryshme prerësish.
Prerës seri të thjeshtë
80
Prerës paralelë të thjeshtë
Prerës të tjerë paralelë
USHTRIME
1. Përcaktoni vo për skemat e mëposhtme, nëse vi=20V, V=5V. Dioda të

konsiderohen prej silici.
2. Përcaktoni vo për sinjalin e mëposhtëm në hyrje, vi = 10V, V1= 5V, V2 = 7V.
81
2.10. QARQET QË I MBIVENDOSIN SINJALIT TË HYRJES

NJË MADHËSI KONSTANTE (CLAMPER)
Në këto skema sinjalit do t’i mbivendoset një tension i vazhduar (dc) me

vlerë të caktuar. Skema duhet të ketë një kondensator, një diodë dhe një
rezistencë, por mund të përfshijë edhe një burim tensioni të vazhduar. Vlerat
e R-së dhe C-së duhen zgjedhur të tilla që konstantja e kohës τ = RC të jetë
mjaft e madhe, për të siguruar që tensioni në kondensator nuk do të bjerë
ndjeshëm gjatë kohës që dioda nuk përcjell. Për qëllime praktike, ne do të
pranojmë që koha e plotë e ngarkimit ose e shkarkimit të kondensatorit
është rreth 5 konstante kohe 5τ = 5 RC.
Në figurën 2.27 a) jepet forma e sinjalit të hyrjes për skemën e figurës 2.27 b).
Rezistenca R mund të jetë rezistenca e ngarkesës ose një qark i kombinuar
në paralel.
Figura 2.27. Clamper a) jepet forma e sinjalit të hyrjes, b) skema
Gjatë intervalit 0-T/2 figura 2.27a) skema do ketë pamjen e figurës 2.28.
Tensioni në hyrje gjatë kësaj kohe ka vlerë konstante, vi = V. Dioda përcjell,
në R nuk kalon rrymë. Kondensatori do të ngarkohet shumë shpejt me
tensionin V. Gjatë kësaj kohe vO = 0 V.
Figura 2.28. Dioda në gjendje përcjellëse
Gjatë intervalit të kohës T/2-T skema do ketë pamjen e figurës 2.29, pra, duke
e zëvendësuar diodën me një qark të hapur. Konstantja e kohës (produkti
RC) është shumë e madhe, aq më tepër 5 τ do jetë shumë më e madhe se
koha T/2-T.
Figura 2.29. Dioda në gjendje jopërcjellëse
82
Kjo nënkupton që kondensatori vazhdon të jetë i ngarkuar. Duke zbatuar

ligjin e Kirkofit në konturin e hyrjes, kemi që:
-V – V- vO = 0
dhe
vO = -2 V
Shenja negative vjen nga fakti që polariteti i 2 V është i kundërt me polaritetin
e caktuar të vO. Forma e sinjalit në hyrje e në dalje tregohet në figurën 2.30.
Figura 2.30. Sinjali në dalje të figurës 2.27 b)
Dalja është 0 V për intervalin 0-T/2, ndërsa në intervalin T/2-T valëzimi total
do jetë i njëjtë me atë të hyrjes, pra vlera pik-pik e valës në dalje është e
njëjtë me vlerën pik-pik të valës në hyrje.
Si rrjedhim, sinjali në dalje fitohet nga mbledhja ose zbritja e tensionit në
hyrje me vlerën e tensionit të ngarkimit të kondensatorit.
Hapat që na ndihmojnë në analizën e skemave klemper (clamper) mund të
përmblidhen në këtë mënyrë:
1. Fillojmë analizën duke konsideruar që fillimisht sinjali në hyrje do të
polarizojë në të drejtë diodën.
2. Gjatë kohës që dioda është në gjendje përcjellëse kondesatori do të
ngarkohet menjëherë me tension që përcaktohet nga skema.
3. Mendojmë se gjatë kohës që dioda është në gjendje jopërcjellëse,
kondesatori ruan vlerën e tensionit me të cilin u ngarkua.
4. Arsyetoni mbi polaritetin e vO.
5. Mos harroni rregullën e përgjithshme që valëzimi total i tensionit në dalje
duhet të përkojë me valëzimin e sinjalit në hyrje.
83
SHEMBULL
Përcaktoni Vout për skemën 2.31 për sinjalin e treguar në hyrje, nëse dioda
konsiderohet ideale.
Figura 2 31
Zgjidhje
Nëse frekuenca e sinjalit në hyrje është 1000 Hz, pra me periodë 1 ms, vlera
e sinjalit të hyrjes ndryshon çdo 0.5 ms. Gjatë kohës t1 – t2 dioda shihet si
qark i shkurtër (si në figurën 2.32).
Figura 2.32. Dioda në gjendje përcjellëse
Tensioni në dalje është sa tensioni i baterisë, pra 5 V. Nga ligji i dytë i Kirkofit
për konturin e hyrjes do të dalë
–20 V + VC – 5 V = 0
dhe
VC = 25 V.
Gjatë kësaj kohe kondensatori ngarkohet me tension 25 V, siç u tha në pikën

2 të përmbledhjes.
84
Për kohën t2 – t3 skema do të shihet si në figurën 2.33.
Figura 2.33 a) Dioda në gjendje jopërcjellëse
Dioda do të ekuivalentohet me qark të hapur dhe, duke zbatuar ligjin e dytë

të Kirkofit në qarkun e daljes vO, do të dalë në:
+10V + 25V – vO = 0
dhe
vO =35V
Figura 2.33 b) Forma e sinjalit në dalje për skemën e figurës 2.31
Konstantja e kohës së shkarkimit të figurës 2.33 a) është dhënë nga produkti

i RC-së dhe ka madhësinë
τ = RC = (100 kΩ) (0.1 µF)=(100 x 103 Ω )(0.1 x 10-6 F) = 0.01 s = 10 ms.
Koha totale e shkarkimit është
5 τ = 5 (10 ms) = 50 ms
Përderisa intervali t2 – t3 do të zgjasë vetëm 0.5 ms, kondesatori do të mbajë

pothuajse të pandryshuar tensionin gjatë kohës së shkarkimit. Sinjali në
hyrje dhe në dalje tregohet në figurën 2.33 b). Vëmë re që dalja 30 V përkon
me tensionin në hyrje si në hapin e 5-të.
85
SHEMBULL
Përsëritni shembullin e mëparshëm duke përdorur një diodë silici me

VT = 0.7V
Zgjidhje
Nëse e zëvendësojmë diodën me burimin 0,7 V, skema ka paraqitjen e

figurës 2.34 dhe vo mund të llogaritet me ligjin e Kirkofit për tensionet në
qarkun e daljes.
+5V-0.7V- vO=0
dhe
vO = 5V-0.7V = 4.3V
Gjatë intervalit të kohës t1 – t2 për qarkun e hyrjes shkruajmë ligjin e Kirkofit:
-20V+VC+0.7V-5V = 0
dhe
VC = 25V-07V = 24.3V
Figura 2.34. Përcaktimi i vo dhe VC me diodën në gjendjen përcjellëse
Gjatë intervalit të kohës t2 – t3 dioda sillet si qark i hapur dhe skema do të

jetë si në figurën 2.35, me ndryshim e vlerës së tensionit në kondensator.
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit kemi:
+10 V + 24.3 V - vO = 0
dhe
vO = 34.3 V
10V
Figura 2.35. Përcaktimi i vo me diodën në gjendjen e hapur
86
Rezultati në dalje është si në figurën 2.36, duke verifikuar se valëzimi total i

sinjalit të hyrjes dhe valëzimi total i sinjalit të daljes janë të njëjtë.
Figura 2.36. Tensioni në dalje të klemperit të figurës 2.31 me diodë silici
Disa skema klemperi dhe format e sinjaleve janë treguar në figurën 2.37.
Për të gjitha rastet sinjali në hyrje është ai i formës së treguar më poshtë:
Këto skema mund të punojnë po aq mirë edhe me sinjale sinusoidale në

hyrje. Një shembull është dhënë në figurën 2.38.
87
Figura 2.37. Qarqe klemper me dioda ideale (5 τ = 5 RC >> T/2)
Figura 2.38. Skema klemper me tension sinusoidal në hyrje
USHTRIME
1. Vizatoni formën e vo, nëse sinjali në hyrje vi = 20 V.
88
2. Vizatoni formën e vo, nëse sinjali në hyrje vi = 15 V, V1 = 5 V.
2.11. STABILIZIMI I TENSIONIT ME DIODË ZENER

Për të analizuar punën e skemave me diodë zener më parë duhet të njihemi
me qarkun ekuivalent të diodës zener, siç jepet në figurën 2.39
| |
Figura 2.39 a) Dioda si stabilizuese e tensionit në gjendje pune,

b) dioda jashtë pune
Qarku më i thjeshtë me diodë zener jepet në figurën 2.40.
Figura 2.40. Një rregullator zener
89
Fillimisht, le të konsiderojmë se tensioni i zbatuar në hyrje është i

pandryshueshëm, po ashtu edhe vlera e rezistencës. Analiza bëhet e bazuar
në dy hapa:
1. Përcaktohet gjendja e diodës zener duke llogaritur tensionin në bornat e
saj përmes një qarku të hapur (fig. 2.41).
Vi
V = VL = RL (2.13)
(R + R L )
IR = IL IZ = 0
Nëse V ≥ VZ, dioda zener është në gjendjen “on” dhe qarku ekuivalent është
ai i figurës 2.39 a).
Nëse V < VZ, dioda zener është në gjendjen “off” dhe qarku ekuivalent është
ai i figurës 2.39 b).
Duke zbatuar hapin e parë në figurën 2.40, skema do të dalë si në figurën
2.41.
Figura 2.41. Përcaktimi i gjendjes së diodës zener
2. Zëvendësojmë diodën me skemën ekuivalente të figurës 2.39 a).

Në figurën 2.42 dioda zener punon si element stabilizues i tensionit.
Figura 2.42. Zëvendesimi i diodës zener me skemën ekuivalente

në regjimin stabilizues
90
Tensioni në elementet e lidhura në paralel është i njëjtë, pra:
VL = VZ (2.14)
Për të përcaktuar rrymën në diodën zener, zbatojmë ligjin e parë të Kirkofit:
IR= IZ + IL
nga ku
IZ= IR - IL. (2.15)
Fuqia e harxhuar nga dioda zener është përcaktuar nga ekuacioni (2.16):
PZ = VZ IZ (2.16)
Kjo vlerë e fuqisë duhet të jetë më e vogël se PZM e caktuar në katalog për
elementin e dhënë.
Diodat zener përdoren më shpesh në rregullatorë tensioni ose për të dhënë
një tension referimi.
Në figurën 2.40 është treguar një rregullator i thjeshtë, i projektuar për të
mbajtur një vlerë fikse tensioni në RL edhe nëse vlera e tensionit në hyrje
ose rezistenca e ngarkesës ndryshojnë vlerë (luhaten brenda një diapazoni
të caktuar vlerash).
Rasti më i keq ndodh për tension minimal në hyrje ose për rrymë ngarkese
maksimale, sepse rryma në zener shkon drejt zeros.
Në këtë rast:
Vi(min) - VZ
IR(min) =
R(mak)
ose
Vi(min) - VZ
R(mak) =
IR(min)
Siç është thënë
IZ = IR - IL
Në rastin më të keq barazimi më sipër shkruhet:
IZ(min)= IR(min) - IL(mak)
91
Pika kritike ndodh kur:
IR(min) = IL(mak)
Në këtë pikë rryma në zener bie në zero dhe rregullimi i tensionit ka humbur.
Duke zëvendësuar
Vi(min) - VZ
R(mak) =
IL(mak)
ku
R (mak) - vlera kritike e rezistencës seri
Vi(min) - tensioni mininmal i burimit
VZ - tensioni zener
IL(mak) - rryma maksimale në ngarkesë
R(mak) është vlera kritike, pra vlera maksimale e lejuar e rezistencës seri. R
duhet të jetë gjithmonë më e vogël se vlera kritike.
Në rast të kundërt, dioda zener nuk është duke punuar në regjimin zener
dhe rregullatori humbet funksionin e tij.
SHEMBULL
a) Për skemën me diodë zener (fig. 2.43) përcaktoni VL, VR, IZ, PZ.
b) Përsërite pikën (a) me RL= 3 KΩ.
Figura 2.43
92
Zgjidhje
a) Sipas hapit të parë të procedurës së përshkruar më sipër, përcaktojmë

tensionin mes pikave ku është lidhur dioda zener ashtu siç tregohet në
figurën 2.44.
Figura 2.44
Duke zbatuar barazimin (2.13), llogaritim:
nga ku VAB = 8.73 V është më e vogël se VZ = 10 V dhe dioda është në

gjendjen “off’’’, siç shihet nga karakteristika e figurës 2.45. Duke pasur
parasysh skemën e figurës 2.44, gjejmë:
VL = VAB = 8.73V
VR = Vi - VL = 16V - 8.73V = 7.27V
IZ = 0A
dhe PZ = VZ IZ = VZ(0A) = 0W
Figura 2.45. Karakteristika e diodës
b) Duke zbatuar ekuacionin (2.13), përcaktojmë:
93
Pra, VAB = 12 V është më e madhe se VZ = 10 V, dioda është në gjendjen “on”

dhe skema do të jetë si në figurën 2.46.
Figura 2.46
VL = VZ = 10 V
dhe
VR = VI – VL = 16 V – 10 V = 6 V
dhe
Kështu, nga ekuacioni (2.15) përcaktojmë:
IZ = IR – IL
= 6 mA – 3.33 mA
= 2.67 mA
Fuqia e harxhuar nga dioda zener:
Pz = Vz Iz = (10 V) (2.67 mA) = 26.7 mW.
Kjo fuqi është më e vogël se Pzmax = 30 mW.
94
USHTRIME
1. a) Përcaktoni VL, IL, IZ, dhe IR për skemën e figurës 2.40, nëse RL = 180 Ω,
Vi = 20 V, R = 220 Ω , VZ = 10 V, PZmaks = 400 mW.
b) Përsëritni pikën (a) për RL = 470 Ω.
c) Përcaktoni vlerën e RL kur dioda zener ka PZmaks.
2. a) Projektoni një skemë me diodë zener, të ngjashme me atë më sipër, që

të ketë në dalje 12 V për rrymë që ndryshon nga 0-200 mA. Përcaktoni
R e VZ.
b) Përcaktoni PZmaks.
2.12. DIODAT E LIDHURA NË SERI OSE NË PARALEL

Skemat e marra në shqyrtim janë ushqyer me burim tensioni të vazhduar.
Dioda është në gjendje përcjellëse kur
rryma që kalon në skemë përputhet Si
me drejtimin e shigjetës në simbolin
saj dhe tensioni i hapjes VT është
afërsisht 0.7 V për diodat e silicit
dhe 0.3 V për diodat e germaniumit
(fig. 2.47). E
Kur dioda është e polarizuar në 12V R
të kundërt, kahu i rrymës është i 1kΩ
kundërt me drejtimin e shigjetës në
simbolin e diodës dhe rryma ka vlerë
të papërfillshme si në figurën 2.48.
Pra, në vend të diodës kemi qark të
hapur.
Figura 2.47. Një skemë e thjeshtë
me diodë
R
1kΩ
E E R
12V 12V 1 kΩ
Figura 2.48
95
Në skemën e figurës 2.49 të dyja diodat janë gjendje përcjellëse, pasi:
E = 12 V > (0.7 V + 0.3 V ) = 1 V,
Vo = E - VT1-VT2 = 12V - 0.7 V - 0.3 V = 11 V,
ID=IR=VR/R = Vo/R = 11V/5.6 kΩ =1.96 mA.
E Si EGe
Si Ge 0.7 V 0.3 V
E
E R 12 V R
12 V 5.6 kΩ 5.6 kΩ
Figura 2.49. Dy dioda të lidhura në seri
Në skemën e figurës 2.50 kemi dy dioda të lidhura në seri ku dioda e parë

duket si qark i shkurtër dhe dioda e dytë duket si qark i hapur, rryma
ID = 0A, VD1 = 0V.
Si Si VD1 I=DAVD2
VD1 ID = 0 Vo
DSI DSI
E
R R
12 V
5.6 kΩ
E 5.6 kΩ
12 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
Figura 2.50
Vo = IR*R = ID*R = 0A*R = 0V.
VD2 = E = 12 V.
Në zbatim të ligjit të Kirkofit:
E - VD 1 - VD2 - Vo = 0,
VD2 = E - VD1 - Vo = 12 V - 0 V = 12 V.
Në praktikë arsyja kryesore që diodat lidhen në seri është për të përballuar

vlerën e tensionit te kundërt maksimal të zbatuar në qark, vlerë e cila nuk
mund të përballohet nga një diodë e vetme.
96
Diodat e lidhura në paralel
Dy ose më shumë dioda duhet të lidhen në paralel, nëse rryma që kalon

në qark është më e madhe se vlera e rymës së lejuar të secilës prej diodave.
Kur diodat lidhen në paralel, rryma e përgjithshme në qark degëzohet dhe
në çdo degë kalon rrymë më e vogël se vlera maksimale e lejuar e rrymës
që do të nxirrte jashtë përdorimi një diodë.
SHEMBULLI 1
Të gjendet Vo, I1, ID1, ID2 në skemën 2.51.

Në këtë rast tensioni i burimit është më i madh se 0.7 V dhe kahu i kalimit
të rrymës përputhet me drejtimin e shigjetës në simbol, pra, diodat janë në
gjendje përcjellëse. Tensioni në diodat e lidhura në paralel është 0.7 V.
R
Vo = 0.7 V
0.33 kΩ Vo
IR = VR / R = E - VD / R = 28.18 mA
E
10 V Si Si
ID1 = ID2 = I1 / 2 = 14.09 mA
Figura 2.51
Nëse vlera maksimale e lejuar e rrymës së një diode është 20 mA, rryma prej
28.18 mA do të shkatërronte diodën. Duke vendosur dy dioda në paralel, në
çdo diodë kalon 14.09 mA, pra brenda vlerës së lejuar të rrymës në diodë.
SHEMBULLI 2
Të gjendet tensioni në rezistencë (Vo).

Dimë që në degët paralele tensioni është i njëjtë, por në këtë rast vetëm
njëra nga diodat do të kalojë në gjendje pune dhe konkretisht dioda e
germaniumit, meqë ajo e ka tensionin e hapjes më të vogël se dioda e silicit.
Dioda e silicit do të sillet si qark i hapur.
Vo =12 V – 0.3 V= 11.7 V
Figura 2.52
97
USHTRIME
1. Përcaktoni vlerën e VO në dalje të çdo skeme.
Si Ge 2kΩ
VO
2kΩ
20V
a)
1.2kΩ Si
VO
4.7kΩ 15V
10V
2V
Si Si
b)
VO
2.2kΩ
5V
Si c)
20V
VO
4.7kΩ
Si
d)
98
VO1
1kΩ 0.47kΩ
VO2
20V Si Ge
e)
2.13. PORTAT LOGJIKE EDHE/OSE (AND/OR) ME DIODA
Portat logjike mund të realizohen edhe me dioda.

Në figurën 2.53 është treguar si mund të realizojmë portë OSE me dioda.
Vlera 10 V nënkupton gjendjen “1”, ndërsa vlera 0 V nënkupton gjendjen
“0” (nga algjebra e Bulit). Një portë OSE ka në dalje gjendjen “1” kur ose
njëra nga hyrjet, ose të dyja kanë gjendjen “1”. Dalja ka gjendjen “0” kur të
dyja hyrjet janë në gjendjen “0”.
Me këto tensione të zbatuara në hyrje në D1 kalon rrymë, ndërsa në D2 nuk
kalon rrymë, pra ajo sillet si qark i hapur. Tensioni në dalje do të jetë:
D1
E = 10 V 0 VO = 10V - 0.7V = 9.3 V.
E1
10V D2 vo
0V0
Vlera e marrë në dalje është e
mjaftueshme për t’u konsideruar si
E2 R gjendje “1”. Kjo është edhe vlera e
0V 1kΩ tensionit në R, ndërsa rryma do të
ishte:
I = VR/R = 9.3V/1 KΩ = 9.3 mA.
Figura 2.53. Porta logjike OSE
Në figurën 2.54 është treguar si mund të realizojmë portë EDHE me dioda.

Një portë EDHE ka në dalje gjendjen “1” kur si njëra hyrje, ashtu edhe tjetra
kanë gjendjen “1”. Dalja ka gjendjen “0” kur qoftë edhe njëra nga hyrjet
është në gjendjen “0”.
Me këto tensione të zbatuara në hyrje në D1 nuk kalon rrymë, pra sillet
si qark i hapur, ndërsa në D2 kalon rrymë. Tensioni në dalje do të jetë i
barabartë me 0.7 V, vlerë e cila konsiderohet si gjendje “0”.
99
I = VR/R = 9.3V/1KΩ = 9.3 mA

D1
E1 = 10 V 0
E1
10V D2 vo
E2 = 0 V 0
E2 R
0V 1kΩ
E
10V
Figura 2.54. Porta logjike EDHE
100
KAPITULLI
TRANSISTORËT DYPOLARË
3.1. HYRJE
Dioda në formën e tubit me vakuum ishte vënë në zbatim nga J.A.Fleming
në vitin 1904. Pak kohë më vonë, në vitin 1906, Lee De Fortest shtoi edhe
një dalje të tretë në diodën me vakuum, të quajtur grila e kontrollit. Në këtë
mënyrë ishte ndërtuar amplifikuesi i parë, trioda. Në vitet e mëvonshme
radio dhe televizori paraprinë zhvillimin dhe, rreth vitit 1930, u përdorën
edhe elementet me katër dalje ose pesë dalje, që e çuan akoma më tej
industrinë e tubave elektronikë. Më pas, me ritmet e shpejta të zhvillimit,
inxhinierët i kushtuan shumë rëndësi projektimit, teknikave të prodhimit,
zbatimit në fuqi të mëdha e në frekuenca të larta, si dhe minimizimit të
këtyre elementeve.
Në 23 dhjetor 1947, industria e elektronikës kaloi në një drejtim krejt të ri
të zhvillimit të saj. Walter H.Brattain dhe John Bardenn eksperimentuan
transistorin e parë si element amplifikues. Të mirat e këtij elementi me
tri dalje ishin: më i vogël e më i lehtë në peshë, nuk kishte humbje fuqie
që kthehej në nxehtësi, pra kishte rendiment më të lartë në punë (meqë
fuqia e konsumuar në vetë transistorin ishte e vogël). Transistori mund të
punonte me tensione më të vogla. Të gjithë amplifikuesit (elementet që
rritin tensionin, rrymën dhe fuqinë) kanë të paktën tri dalje.
Transistorët i ndajmë në transistorë dypolarë (BJT-Bipolar Junction Transistor)
dhe transistorë njëpolarë (FET-Field-Effect Transistor).
Në këtë kapitull do të studiojmë transistorët dypolarë. Quhen të tillë, sepse
rryma që kalon në ta krijohet nga bashkëveprimi i dy lloj bartësish: bartësit
e shumicës (kryesorë, maxhoritarë) dhe bartësit e pakicës (jokryesorë,
minoritarë). Në fillim u ndërtua transistori prej germaniumi që kishte një
temperaturë pune relativisht të ulët (75-900C). Më vonë u ndërtua transistori
prej silici me temperaturë pune që shkon deri në 2000C.
101
3.2. NDËRTIMI I TRANSISTORIT
Transistori dypolar ndërtohet nga 3 shtresa (zona) gjysmëpërcjellëse me

përcjellshmëri të ndryshme (të tipit p dhe të tipit n) të vendosura në mënyrë
të alternuar. Në figurën 3.1 a) dhe b) tregohet ndërtimi strukturor dhe
simbolet përkatëse të dy tipave të tranzistorëve.
Në figurën 3.1 a) tregohet ndërtimi transistorit tip p-n-p dhe simboli i tij dhe
në figurën 3.1 b) tregohet ndërtimi i transistorit tip n-p-n dhe simboli i tij.
a) b)
p n p n p n
c) d)
Figura 3.1 a) dhe b) ndërtimi i transistorëve dhe simbolet e tyre,
c) dhe d) ushqimi i kalimeve p - n të transistorëve
Secila zonë lidhet me një dalje që emërtohen E (emiter), B (bazë), K (kolektor).

Emiteri është zona që jep (emeton) mbartës të ngarkesave dhe ka
përqendrimin më të madh të mbartësve.
Baza është zona e mesit, shumë e ngushtë (disa mikron) dhe luan rol
komunikues.
Kolektori është zona që mbledh mbartësit.
Baza gjithmonë ka përcjellshmëri të ndryshme nga E dhe K.
Tipi i transistorit në simbol përcaktohet nga kahu i shigjetës së vendosur në
emiter.
102
Kur shigjeta drejtohet drejt bazës, transistori është i tipit “p-n-p” dhe kur
shigjeta del jashtë, transistori është i tipit “n-p-n”. Kahu i shigjetës tregon
dhe kahun e rrymës në emiter IE. Në figurën 3.1 c), d) është treguar ushqimi
me tension të vazhduar i dy tipave të tranzistorëve. Ushqimi me tension të
vazhduar i transistorëve është i nevojshëm për të vendosur regjimin e saktë
të punës së një amplifikatori të rrymës alternative. Transistori dypolar ka dy
kalime p-n:
1. kalimi emiter bazë (E-B),
2. kalimi bazë kolektor (B-K).
Pra, transistori, në mënyrë të thjeshtuar, mund të studiohet i përbërë nga dy
dioda të lidhura në kahe të kundërta si në figurën 3.2 më poshtë.
Figura 3.2. Skema ekuivalente e transistorit tip p-n-p dhe tip n-p-n
3.3. PARIMI I PUNËS SË TRANSISTORIT
Do të shqyrtojmë punën e transistorit tip p-n-p (parimi i punës është i njëjtë

dhe për atë të tipit n-p-n ).
Në figurën 3.3 a), b), c) është treguar një transistor tip p-n-p në tri gjendje të
ndryshme. Në figurën 3.3 a) tregohet transistori i papolarizuar (i palidhur
me burimin e ushqimit).
a)
c)
b) Figura 3.3 a), b), c)
103
φ1 dhe φ2 janë vektorët e barrierave potenciale të të dy kalimeve p-n kur ato

janë të paushqyer (të papolarizuar).
Në figurën 3.3 b) tregohet transistori ku kalimi E-B është i paushqyer, kurse
kalimi B-K është ushqyer në të kundërt. Pra, barriera potenciale e kalimit
B-K është rritur (B2 > φ2) për shkak të lidhjes në të kundërt të burimit Vkk.
Kjo barrierë pengon lëvizjen e mbartësve të shumicës (kryesorë, maxhoritarë)
që në këtë rast janë vrimat, prandaj rryma e kolektorit do të krijohet nga
lëvizja e bartësve jokryesorë, që janë elektronet, dhe ka vlerë të vogël IKB që
quhet rryma e kundërt e kolektorit (rryma termike).
Në figurën 3.3 c) tregohet rasti kur janë polarizuar të dy kalimet p-n. Kalimi
E-B është i polarizuar (ushqyer) në të drejtë dhe kalimi B-K është polarizuar
(ushqyer) në të kundërt. Në këtë rast barriera potenciale në kalimin E-B
është zvogëluar më shumë, B1 < φ1, kurse barriera potenciale e kalimit B-K
është rritur, B2 > φ2, si në figurën 3.3 b).
Gjatë shpjegimit bëhet fjalë për lëvizjen e vrimave, por në fakt lëvizin
elektronet në drejtim të kundërt me atë të lëvizjes së vrimave.
Në këtë rast vrimat e emiterit (që janë mbartës shumice) do të kalojnë me
lehtësi barrierën B1 dhe futen në bazë. Këtu vrimat janë mbartës pakice.
Një pjesë e vogël e vrimave futen në bazë dhe vazhdojnë rrugën e tyre në
drejtim të minusit të burimit VEE duke krijuar rrymën e bazës IB. Pjesa më e
madhe e vrimave futen në kolektor. Lëvizja e këtyre vrimave krijon rrymën
e kolektorit Ik. Për pikën T të figurës 3.3(c) shkruajmë ligjin e parë të Kirkofit:
IE = IB + IK
IB << IE dhe IB << IK .
Pra, IE është afërsisht sa IK, por asnjëherë IE= IK , sepse pa rrymë bazë nuk ka
rrymë kolektori.
IE dhe IK janë rryma të rendit mA, kurse IB është e rendit μA, siç është
paraqitur në figurën 3.4.
Figura 3.4. Krahasimi i rrymave
Kur transistori punon në regjim përforcimi (si amplifikator), kalimi E-B polarizohet në
të drejtë dhe kalimi B-K në të kundërt.
Tensioni në diodën e kolektorit duhet të jetë më i vogël se tensioni i shpimit të
transistorit.
104
USHTRIME
1. Si emërtohen dy tipat e transistorëve BJT? Vizatoni ndërtimin e secilit

dhe vendosni emrat e mbartësve minoritarë dhe maxhoritarë. Vizatoni
simbolin grafik të secilit.
2. Cila është diferenca ndërmjet një transistori bipolar dhe atij njëpolar?
3. Si duhet të ushqehet transistori që të sillet si amplifikator rryme?
4. Nëse rryma e emiterit është 8 mA dhe rryma e bazës është 1/100 e IK,
përcaktoni rrymën e kolektorit dhe atë të bazës.
3.4. MËNYRAT E LIDHJES SË TRANSISTORIT NË SKEMË

NË REGJIM AKTIV
Në skema të ndryshme përforcimi transistori lidhet në mënyrë të tillë që

një prej daljeve të tij (elektrodave të tij), emiteri, baza apo kolektori të jetë e
përbashkët për përbërësen alternative si në qarkun e hyrjes dhe në atë të
daljes.
Pra, do të kemi tri mënyra të lidhjes së transistorit në skemë dhe ato quhen:
1. Skema me emiter të përbashkët ose skema me emiter të tokëzuar.
2. Skema me bazë të përbashkët ose me bazë të tokëzuar.
3. Skema me kolektor të përbashkët ose me kolektor të tokëzuar.
Secila nga këto skema ka veçantitë e veta, prandaj ato studiohen në veçanti.
Skema me bazë të përbashkët
Në figurën 3.5 tregohet mënyra e lidhjes së një skeme me bazë të përbashkët

me transistor tip ‘p’. Në këtë skemë:
Hyrja është midis emiterit dhe K

bazës.
Rryma e hyrjes = IE K
Tensioni i hyrjes = VBE E
Dalja e skemës merret midis

bazës dhe kolektorit, pra: + - + -
Rryma e daljes = IK
Tensioni i daljes = VBK V VKK
Figura 3.5. Mënyra e lidhjes së transistorit në
skemën me bazë të përbashkët
105
Për të përshkruar sjelljen e këtij elementi me tre terminale (dalje) dhe me dy

kalime p-n në skemat e amplifikatorëve me bazë të përbashkët, nevojiten
dy karakteristika: njëra për madhësitë e hyrjes, ndërsa tjetra për madhësitë
e daljes.
Karakteristikat e hyrjes tregojnë varësinë e rrymës së hyrjes lE nga tensioni
i hyrjes VBE për vlera të ndryshme të tensionit në dalje VKB (brenda një
karakteristike vlera e VKB mbahet konstante).
Karakteristikat e daljes do të jenë varësia e rrymës së daljes lC nga tensioni
në dalje VKB për vlera të ndryshme të rrymës në hyrje lK (brenda një
karakteristike vlera e lE mbahet konstante (fig.3.6 c).
Në çdo karakteristikë të hyrjes, për një vlerë fikse të VKB, me rritjen e tensionit
bazë-emiter vëmë re rritjen e rrymës së emiterit dhe karakteristika i ngjan
shumë asaj të diodës (fig. 3.6 a). Në fakt, ndryshimi i vlerës së VKB ka ndikim
të vogël (fig. 3.6 b). Nga kjo karakteristikë mund të arrijmë në përfundimin
se që një transistor të jetë në gjendjen “on”, duhet VBE = 0.7 V për transistorët
e silicit.
Karakteristika e daljes ose e kolektorit ka tri zona kryesore: atë aktive, të
prerjes (shkyçjes) dhe të ngopjes (fig. 3.6 c).
a) b)
c)
Figura 3.6. Karakteristikat e a) diodës; b) e hyrjes; (c) e daljes për transistorin
në skemën me bazë të përbashkët
106
Në karakteristikat e daljes te figura 3.6 c) pjesa horizontale i përket zonës

aktive ku transistori punon në regjim përforcimi. Në zonën aktive kalimi
bazë-emiter polarizohet në të drejtë, ndërsa ai kolektor-bazë në të kundërt.
Në pjesën e poshtme të zonës aktive, ku rryma e emiterit është zero, kemi
zonën e shkyçjes ku IK = IKBO. Rryma IKBO është aq e vogël (në mikroamper)
në vlerë numerike, krahasuar me vlerat nën shkallën vertikale të IK, saqë
duket sikur vlera e saj është zero. Si pasojë e përmirësimit të teknikave të
ndërtimit, niveli IKBO për transistorët në përdorim masiv (veçanërisht me
material gjysmëpërcjellës silici) për fuqitë e vogla dhe të mesme është aq i
ulët, sa mund të mos e marrim në konsideratë. Për transistorët me fuqi të
mëdha, IKBO do të jetë përsëri në rendin mikroamper. Por IKBO, ashtu si IS për
diodën, është një madhësi e ndjeshme ndaj temperaturës. Në temperatura
të larta IKBO mund të bëhet një faktor i rëndësishëm për vetë faktin se në
këto kushte rryma ndryshon me vlera të mëdha (në formë orteku).
Me rritjen e IE rritet IK dhe rritja e vlerës së tyre është pak a shumë e njëjtë.
Dhe vetë karakteristika e daljes na e krijon këtë ide, që IK ~ IE.
Në zonën e shkyçjes (cutoff) kalimi bazë-emiter dhe kalimi kolektor-bazë
polarizohen në të kundërt.
Zona e ngopjes (saturation) është pjesa në të majtë të karakteristikës. Vihet
re një ndryshim i menjëhershëm i karakteristikës kur vlera e VKB i afrohet
zeros.
Në këtë zonë kalimi bazë-emiter dhe kalimi kolektor-bazë polarizohen në
të drejtë. Transistori gjendet në zonën e ngopjes dhe të shkyçjes kur punon
në regjim çelës.
Koeficienti α
Raporti i rrymave të vazhduara IK me IE jepet me një madhësi që quhet α, ku

IK dhe IE janë vlerat e rrymave në pikën e punës.
Vlerat e madhësisë α ndodhen midis 0.9 - 0.998. Shpesh α e konsiderojmë

α =1. Pra, IE=IK.
Kur skema punon me sinjal alternativ, pika e punës lëviz në karakteristikë
dhe do të kemi αac që përcaktohet:
Në shumicën e rasteve, vlerat e αac me αdc janë të përafërta dhe shpesh

përdorim vlerën e njërës edhe për tjetrën.
107
USHTRIME
1. a) Duke përdorur karakteristikat e figurës 3.6.c, përcaktoni rrymën e

kolektorit nëse IE = 5 mA dhe VKB= 5 V.
b) Përsëritni pikën (a) për IE = 5 mA dhe VKB= 18 V.
c) Si do të ndikojnë ndryshimet e VKB në nivelin e IK?
d) Duke u bazuar në rezultatet e mësipërme, ç’lidhje ka mes IE dhe IK?
2. a) Është dhënë αdc = 0.998, përcaktoni IK nëse IE = 4 mA.

b) Përcaktoni αdc, nëse IE = 3 mA dhe IB= 20 µA.
c) Gjeni IE nëse IB= 30 µA dhe αdc = 0.98.
3.5. PUNA AMPLIFIKUESE E TRANSISTORIT
Për të studiuar punën amplifikuese të transistorit, le t’i referohemi skemës

së figurës 3.7.
=5KΩ
Figura 3.7
Për skemën me bazë të përbashkët, rezistenca në hyrje për rrymën

alternative (ac) mund të përcaktohet nga karakteristikat e figurës 3.6 b). Kjo
rezistencë del mjaft e vogël dhe varion nga 10 Ω deri 100 Ω. Rezistenca e
daljes është mjaft e madhe (50 KΩ deri në 1 MΩ) dhe mund të përcaktohet
nga karakteristika e daljes (fig. 3.6 c). Ky ndyshim në vlerat e rezistencave ka
lidhje me faktin si janë polarizuar kalimet p-n të transistorit.
Për skemën e dhënë të përforcuesit të tensionit me bazë të përbashkët në
figurën 3.7, le të përcaktojmë koeficientin e përforcimit të tensionit Av.
Koeficienti i përforcimit të tensionit tregon sa herë më e madhe është vlera
e tensionit në dalje kundrejt asaj në hyrje.
Në këtë skemë tensioni i burimit të sinjalit në hyrje është Vi = 200 mV dhe
rezistenca e lidhur në qarkun e daljes është R = 5 KΩ.
Le të marrim rezistencën e hyrjes së transistorit Ri = 20 Ω dhe rezistencën
e daljes 100 KΩ. Meqenëse kjo rezistencë është shumë më e madhe se
rezistenca R (me të cilën lidhet në paralel), atëherë rezistenca e daljes së
skemës RL do të jetë afërsisht e barabartë me rezistencën R, pra RL ~ R.
108
Koeficienti i amplifikimit të tensionit për rastin e mësipërm llogaritet:
Llogaritim vlerën e VL:
Vlerat tipike të koeficientit të amplifikimit të tensionit për skemën me bazë

të përbashkët variojnë nga 50 deri në 300. Amplifikimi i rrymës është
gjithnjë më i vogël se 1.
Amplifikimi i tensionit në transistor ndodh nga transferimi i rrymave nga
qarku me rezistencë më të vogël në qarkun me rezistencë më të madhe, nga
ku merr edhe emrin transistor (transfer + resistor).
USHTRIME
1. Cili është kuptimi fizik i koeficientit të amplifikimit të tensionit.
2. Llogaritni koeficientin e amplifikimit të tensionit (Av = VL/VI) për qarkun

e figurës 3.8, nëse Vi = 500 mV dhe R = 1 kΩ (vlerat e tjera të qarkut janë
të njëjta).
3.6. SKEMA ME EMITER TË PËRBASHKËT
Skemat me tranzistor tip p-n-p dhe n-p-n janë treguar në figurën 3.9. Këto
lidhje janë quajtur skema me emiter të përbashkët, sepse emiteri bën pjesë
edhe në qarkun e hyrjes, edhe në qarkun e daljes.
Në këto skema: hyrja është midis bazës dhe emiterit; rryma e hyrjes është
IB dhe tensioni i hyrjes është VBE. Dalja e skemës është midis emiterit dhe
kolektorit. Rryma e daljes është IK . Tensioni i daljes është VKE.
109
a) b)
Figura 3.9. Mënyra e polarizimit të transistorëve a) n-p-n, b) p-n-p

në skemat me emiter të përbashkët
Në figurën e mëposhtme 3.10 janë treguar karakteristikat e qarkut të hyrjes

dhe karakteristikat e qarkut të daljes.
BE
a) b)
Figura 3.10. Karakteristikat e një transistori silici në skemën me emiter të përbashkët:

a) karakteristika e bazës, b) karakteristika e kolektorit
110
Rrymat e bazës, emiterit dhe kolektorit janë treguar në drejtimin konvencional

të rrymave. Skema e lidhjes së transistorit ka ndryshuar, por marrëdhëniet
midis rrymave nuk ndryshojnë. Pra
IE = IK + IB dhe IK = α IE
Për skemën me emiter të përbashkët karakteristikat e hyrjes shprehin

varësinë e (IB) = f (VBE) për vlera të ndryshme të tensionit në dalje (VKE).
Karakteristikat e daljes shprehin varësinë e rrymës së daljes (IK) = f (VKE) për
një diapazon vlerash të rrymës të hyrjes ( IB ).
Regjimi aktiv në skemën me emiter të përbashkët është pjesa e sipërme
djathtas e karakteristikës së daljes, që ka linearitet më të lartë dhe
karakteristikat për IB të ndryshme janë afërsisht të drejta dhe me hapësira të
njëjta.
Në amplifikatorin me emiter të përbashkët, kur transistori punon në regjim
aktiv, kalimi bazë-emiter është polarizuar në të drejtë, ndërsa kalimi
bazë-kolektor është i polarizuar në të kundërt.
Në regjimin e shkyçjes së tranzistorit (cutoff) IK nuk është zero kur IB është
zero, por ka vlerën e IKEO. Të dy kalimet polarizohen në të kundërt.
Në regjim ngopjeje (saturimi) të dy kalimet polarizohen në të drejtë.
Kur tranzistori punon si çelës në qarqet logjike të një kompjuteri, pikat e
punës së tij janë njëra në regjimin e shkyçjes ose në regjimin e ngopjes.
SHEMBULL
a) Duke përdorur karakteristikat e figurës 3.10, përcaktoni IK për IB = 30 μA

dhe VKE =10 V.
b) Duke përdorur karakteristikat e figurës 3.10, përcaktoni IK te VBE = 0.7 V
dhe VKE = 15 V.
Zgjidhje
a) Në ndërprerjen e IB = 30 μA dhe VKE = 10 V, IK = 3.4 mA.
b) Për VBE = 0.7 V kemi që IB = 20 μA. Në ndërprerjen e IB = 20 μA, VKE = 15 V,
ne gjejmë që IK = 2.5 mA. Për IB = 20 μA dhe VKE = 15 V në karakteristikën
e daljes, përcaktojmë IK = 2.5 mA.
Beta (β)
Koeficienti β për rrymat e vazhduara jepet nga ekuacioni i mëposhtëm:
ku IB dhe IK janë vlerat e rrymave në një pikë të caktuar të karakteristikave.
111
Zakonisht β ndryshon nga 50 deri në 400. P.sh., në një transistor me β = 200,

IK është 200 herë më e madhe se IB.
Në të dhënat specifike të transistorit, βdc është shënuar zakonisht me hFE (që
nënkupton koeficientin e amplifikimit të rrymave të vazhduara në skemat
me emiter të përbashkët).
Për rrymat alternative βac është përcaktuar si më poshtë:
Në skemën me emiter të përbashkët IK është rryma e daljes, ndërsa IB është

rryma e hyrjes.
Në të dhënat specifike të transistorit βac është zakonisht shënuar me hfe.
Le të përcaktojmë βac në karakteristikat e figurës 3.11 për një pikë pune me
IB = 25 μA dhe VKE = 7.5 V.
Figura 3.11. Përcaktimi i βac dhe i βdc nga karakteristika e kolektorit
Për VKE = 7.5 V heqim një vijë vertikale që kalon nga pika e punës dhe vëmë
re ndryshimin e IB (Δ IB) në dy karakteristikat më të afërta me pikën e punës
së tranzistorit. Në këtë rast, IB = 20 μA dhe IB = 30 μA. Për të përcaktuar
nivelet e IK, mund të vizatojmë vijat horizontale duke u nisur nga pikat mbi
karakteristikat me IB të përcaktuara më lart deri te boshti i ordinatave.
112
βac përcaktohet:
Pra, për një sinjal të rrymës alternative në hyrje, rryma e kolektorit do të jetë
rreth 100 herë më e lartë se ajo e bazës.
Nëse do të përcaktojmë βdc në pikën Q:
Megjithëse nuk janë saktësisht të barabarta, βdc dhe βac janë përdorur shpesh
në vend të njëra-tjetrës. Nëse njihet βdc, mendohet që vlerë të njëjtë ka edhe
β ac dhe anasjellas. βac do të variojnë nga një transistor te tjetri pavarësisht se
numrat e tyre janë të njëjtë. Sa më e vogël të jetë IKEO, aq më të afërta janë
vlerat e β. Nëse karakteristikat kanë pamjen e figurës 3.12, βac dhe βdc do të
jenë të njëjta për çdo karakteristikë. Duke llogaritur βac në pikën e punës Q,
rezulton që:
Për të përcaktuar βdc në pikën Q:
200
4
Pra, për këtë pamje të karakteristikës, βac dhe βdc do të rezultojnë të njëjta
në çdo pikë të karakteristikave. Në këtë rast është konsideruar IKEO = 0 μA.
Karakteristikat e transistorit realisht nuk janë si në figurën 3.12.
Figura 3.12. Karakteristikat në të cilat βac është e njëjtë kudo dhe βac = βdc
113
Për analizat e mëposhtme mund të gjeni β pa asnjë nga indekset ac ose dc,
por ju mund ta përdorni për të dy situatat ac dhe dc.
Marrëdhënia që ekziston ndërmjet β dhe α tregohet më poshtë. Duke
përdorur ekuacionin e rrymave në transistor dhe njohuritë e marra për
koeficientet β dhe α kemi:
ose
.
Duke pjesëtuar të dyja anët me IK:
Kujto që
Matematikisht
Si rrjedhim, nxjerrim që
ose
.
β është një parametër shumë i rëndësishëm, pasi lidh rrymën në qarkun

hyrjes me atë në qarkun e daljes. Kështu që:
IC = β IB
IE= IC+IB = β IB + IB
IE = (β+1) IB.
114
Polarizimi i transistorit
Le të hamendësojmë që duhet të polarizojmë një skemë amplifikimi me

emiter të përbashkët, të ndërtuar me transistor n-p-n. Shigjeta në simbolin
e transistorit tregon kahun e kalimit të rrymës IE.
KK
Figura 3.13. Përcaktimi i vendosjes së polarizimit të duhur për një skemë

të transistorit n-p-n me emiter të përbashkët
Duke sjellë ndërmend ligjin e Kirkofit mbi rrymat, ku IE = IK + IB, mund të

shënojmë kahun e kalimit të rrymave si në figurën 3.13 b) dhe më pas
polaizimin e tranzistorit si në figurën 3.13 c). Nëse transistori do të jetë i
tipit p-n-p, të gjitha rrymat dhe polaritetet do të jenë të kundërta me ato në
figurën 3.13 c).
USHTRIME
1. Duke përdorur karakteristikat e figurës 3.10:

a) Gjeni vlerën e IK për VBE = 750 mV dhe VKE = 5 V.
b) Gjeni vlerën e VKE dhe VBE për IK = 3 mA dhe IB = 30 µA.
2. Duke përdorur karakteristikat e figurës 3.10 a), përcaktoni βdc për IB = 25 µA

dhe VKE = 10 V. Më pas llogaritsni IE. dhe αdc.
3. a) Duke ditur që αdc, gjeni vlerën e βdc (matematikisht, pa vlera).

b) Gjeni vlerën e α për βdc = 120.
c) Gjeni IE dhe IB kur βdc = 180 dhe IK = 2 mA.
3.7. SKEMA ME KOLEKTOR TË PËRBASHKËT
Kjo është mënyra e tretë dhe e fundit e lidhjes së transistorit. Në figurën

3.14 është treguar mënyra e polarizimit dhe kahu i kalimit të rrymave në
skemën me kolektor të përbashkët për transistorin tip p-n-p dhe n-p-n.
Këto skema përdoren kryesisht për përshtatje rezistencash, për shkak të
rezistencës në hyrje të lartë dhe rezistencës në dalje të ulët, një veti që u
mungon skemave me bazë të përbashkët e atyre me emiter të përbashkët.
115
Në skemat me kolektor të përbashkët, rryma e hyrjes është IB dhe ajo e

daljes është IE.Tensioni i hyrjes është VBK dhe ai i daljes është VKE.
K K K
K
+ +
K
K
K K
- + - + + - + -
VBB VEE VBB VEE
a) b)
Figura 3.14. Mënyra e polarizimit dhe kahu i kalimit të rrymave në skemën me

kolektor të përbashkët për transistorin a) tip p-n-p ; b) tip n-p-n
Në skemën me kolektor të përbashkët, rezistenca e ngarkerkesës lidhet

ndërmjet emiterit dhe tokës që lidhet me kolektorin (fig. 3.15).
Figura 3.15. Skema me kolektor të përbashkët e përdorur

për përshtatje rezistencash
Për qëllime praktike, karakteristikat e daljes të skemës me kolektor të

përbashkët janë të njëjta me ato të skemës me emiter të përbashkët.
Për skemën me kolektor të përbashkët karakteristikat e daljes janë varësia e
IE kundrejt VKE për vlera të ndryshme të IB (përveç faktit që ndryshon shenja
e VKE). Rryma në qarkun e hyrjes është e njëjtë si për karakteristikat e skemës
me kolektor të përbashkët dhe me emiter të përbashkët (IB).
Le të shohim lidhjen midis rrymës së hyrjes IB dhe asaj të daljes IE për
skemën me kolektor të përbashkët.
Dimë që:
I E = IK + IB
IE IE IK
= β +1 = +1
IB IB IB
IE
pra,
IE = (β +1) IB ose IB =
(β +1)
116
USHTRIME
1. Duke pasur parasysh karakteristikën e figurës 3.10, vizatoni karakteristikën

e hyrjes dhe të daljes për skemën me kolektor të përbashkët.
3.8. PËRMBLEDHJE
Konkluzione dhe koncepte të rëndësishme
1. Elementet gjysmëpërcjellëse kanë epërsi ndaj atyre me llamba. Ato janë:

a) më të vogla,
b) më të lehta,
c) më të forta,
d) me rendiment më të lartë.
Përveç këtyre, ato nuk kërkojnë kohë për t’u nxehur, nuk kërkojnë
ngrohës dhe përdorin tensione të ulëta pune.
2. Transistorët janë elemente me tri dalje (terminale) të përbërë me tri

shtresa gjysmëpërcjellëse dhe kanë bazë ose shtresë qendrore shumë
më të hollë se dy të tjerat. Dy shtresat e jashtme janë materiale të tipit
n ose p. Ndërkohë që shtresa në mes është gjithmonë e kundërt me dy
të jashtmet.
3. Rryma e emiterit është gjithmonë rryma më e madhe në një transistor,

ndërsa rryma e bazës është gjithnjë rryma më e vogël. Rryma e emiterit
është gjithmonë sa shuma e dy të tjerave IE=IK + IB.
4. Shigjeta e simbolit të transistorit përcakton drejtimin konvencional të

rrymës së emiterit, si dhe nënkupton drejtimin për rrymat e tjera në
transistor.
5. Një element me tri dalje ka nevojë për dy karakteristika volt - ampere në

mënyrë që të jepen më të plota veçoritë e punës së tij.
6. Në regjimin aktiv të një transistori kalimi bazë-emiter është i polarizuar

në të drejtë, ndërsa kalimi bazë-kolektor është polarizuar në të kundërt.
Në regjimin çelës tranzistori ndodhet në dy gjendje: i kyçur dhe i shkyçur.
7. Në regjimin i shkyçur kalimi bazë-emiter dhe kalimi bazë-kolektor janë

në kushtet e polarizimit të kundërt.
8. Në regjimin e kyçjes ose të ngopjes kalimi bazë-emiter dhe bazë-kolektor

janë në kushtet e polarizimit të drejtë.
117
9. Tensioni bazë-emiter gjatë punës së transistorit mund të merret afërsisht

0.7 V.
10. Koeficienti α jep marrëdhënien e rrymës së kolektorit me atë të emiterit

dhe është gjithmonë afërsisht 1.
11. Rezistenca midis këmbëzave të kalimit të polarizuar në të drejtë është

relativisht e vogël, ndërsa rezistenca midis këmbëzave të kalimit të
polarizuar në të kundërt është mjaft e madhe.
12. Koeficienti β është një marrëdhënie e rëndësishme midis rrymës së

bazës dhe rrymës së kolektorit dhe është zakonisht midis 50-400.
13. Beta për rrymën e vazhduar përcakton raportin e rrymave të vazhduara

në një pikë pune, ndërsa β për rrymën alternative është raporti i vlerave
në një interval të caktuar kohor të rrymave të vazhduara. Në shumicën
e zbatimeve, të dyja konsiderohen të përafërta.
14. Për t’u siguruar që një transistor është duke punuar brenda kufijve
maksimalë të lejuar të fuqisë, duhet të përcaktohet produkti i tensionit
kolektor-emiter me rrymën e kolektorit dhe të krahasohet me vlerat kufi
të fuqisë të gjetura në katalog.
Përmbledhje ekuacionesh
IE = IK + IB IK = IK shumicë + IKO pakicë VBE = 0.7 V αdc =

K
K KBO K
KEO
KB konstante
K
K K KE K
KE konstante
118
KAPITULLI
MËNYRAT E POLARIZIMIT
TË TRANSISTORËVE DYPOLARË (BJT)
4.1. NJOHURI TË PËRGJITHSHME

Projektimi dhe analizat e punës së një amplifikatori përfshijnë dy komponentë:
analiza për rrymën e vazhduar dhe analiza për rrymën alternative. Sipas
teoremës së superpozimit, analiza për rrymën e vazhduar zhvillohet e
ndarë nga ajo e rrymave alternative.
Hapat e zbatimit të teoremës së superpozimit janë:
ªª Burimet e rrymës alternative mendohen (thjeshtohen) në zero. Të gjithë
kondensatorët shihen si qark i hapur. Skema e rivizatuar është skema
ekuivalente për rrymat e vazhduara. Kështu, ne mund të llogaritim vlerat
e tensioneve të vazhduara dhe të rrymave të vazhduara që na interesojnë.
ªª Burimet e rrymës së vazhduar mendohen (thjeshtohen) në zero. Të gjithë
kondensatorët shihen si qark i shkurtër. Skema e rivizatuar është skema
ekuivalente për rrymat alternative. Kështu, ne mund të llogaritim vlerat e
tensioneve alternative dhe të rrymave alternative që na interesojnë.
ªª Rryma totale në çdo degë të skemës është sa shuma e rrymave të
vazhduara e alternative që kalojnë në këtë degë. Tensioni total në çdo
degë të skemës është sa shuma e tensioneve të vazhduara e alternative
përgjatë kësaj dege.
Gjatë këtij kapitulli, për mënyra të ndryshme polarizimi, do të përcaktojmë
vlerat e tensioneve të vazhduara dhe të rrymave të vazhduara që na
interesojnë. Për këtë duhet të gjejmë pikën e punës Q të transistorit (e cila
duhet të ndodhet brenda zonës së lejuar të punës së tranzistorit) dhe të
studiojmë stabilitetin e punës së skemës (sa e ndjeshme është skema nga
ndryshimet e temperaturës). Duhet të kujtojmë që:
VBE = 0.7 V
IE = (β + 1) IB
IC = β IB
119
Në përgjithësi, madhësia e parë që përcaktohet është IB.. Pra, gjatë këtij

kapitulli, do të përcaktojmë vlerat e rrymave e tensioneve të vazhduara në
skemat me BJT, që të mund të studiojmë më pas punën e amplifikatorëve
me BJT.
4.2. ZONA E LEJUAR E PUNËS SË TRANSISTORIT
Për çdo transistor ka një zonë pune në karakteristikat e tij që siguron se

kufijtë maksimalë të punës së transistorit nuk kalohen (shkelen) dhe
deformimet janë minimale. Të gjithë kufijtë e punës jepen në të dhënat
specifike të transistorit në katalog. Për transistorin me karakteristika në
figurën e mëposhtme, IKmaks = 50 mA dhe VKEmaks = 20 V.
IK (mA)
70μA
60μA
IKmax 50
50μA
40
40μA
Zona
PKmax
=VKE IK =300mW
e ngopjes
30 30μA
B 20μA
20
D
10μA
10
C
IB = 0μA
5 10 15 20 VKE (V)
A 0.3V
Zona IKEO VKEmax
VKE Sat
e çkyçjes
Figura 4.1
Vlera maksimale e fuqisë së harxhuar përcaktohet:
PKmaks = VKE IK.
Duke zëvendësuar, PKmaks = VKE IK = 300 mW.
Nëse marrim IK = 50 mA, VKE do të jetë:
VKE = 300 mW / 50 mA = 6 V
Nëse marrim VKE = 20 V, IK do të jetë:
IK = 300 mW / 20V = 15 mA
120
Për vlera të tjera të IK gjejmë vlerat korresponduese të VKE. Sa më shumë pika

të gjejmë, aq më e saktë është forma e lakores. Puna e transistorit brenda
zonës së treguar në figurën e mësipërme siguron deformime minimale
të sinjalit në dalje dhe vlerat e tensionit e rrymës nuk do të shkatërrojnë
elementin.
Pra, duhet të sigurojmë në çdo çast që VKE IK është më i vogël se vlera kufi
e fuqisë.
IKEO ≤ IK ≤ IKmaks
VKEng ≤ VKE ≤ VKEmaks
VKE IK ≤ PKmaks.
Për transistorin me bazë të përbashkët:
PKmaks = VKB IK
Për transistorët që përdoren në regjim amplifikimi, vlera e tensionit dhe e

rrymës së vazhduar përcaktohen nga pika e punës në karakteristikë, e cila
ndodhet në atë zonë pune ku bëhet amplifikimi i sinjalit në hyrje të skemës.
Ajo është një pikë e pandryshuar në karakteristikë dhe quhet pika e qetësisë
Q. Pika e qetësisë duhet të ndodhet brenda zonës së vijëzuar.
Kur BJT punon jashtë kufijve maksimalë, shkurtohet jetëgjatësia e tij ose ai
del jashtë përdorimi.
Lind pyetja: Ku është më mirë të ndodhet pika e punës?
Vini re katër pikat e punës në karakteristikat e transistorit. Pika A tregon që
rryma dhe tensioni në transistor janë zero, pra ai është i papolarizuar. Në
pikën B tensioni e rryma mund të ndryshojnë vlerat në pjesën pozitive e
negative të sinjalit të hyrjes pa e futur transistorin në zonën e ngopjes ose
të shkyçjes. Pika C do të lejonte disa vlera pozitive e negative të sinjalit, por
nuk mund të fitonim vlerën pik-pik. Pika D bën që elementi të punojë me
fuqi afër vlerës kufi. Vala e tensionit në dalje do të ishte e kufizuar.
Nga të gjitha pikat e punës, duket që pika B është pika më e mirë, sepse
vala e tensionit dhe e rrymës mendohet që janë të plota dhe koeficienti i
amplifikimit të tensionit është linear (pothuajse konstant). Ky është kushti i
dëshiruar për amplifikatorët e sinjaleve të vogla, por jo për amplifikatorët e
fuqisë që do të studiohen më vonë. Rritja e temperaturës do të ndryshonte
disa madhësi në punën e transistorit, pra do të ndryshonte kushtin e
dëshiruar të përmendur më lart.
Një BJT që punon në zonën lineare ose aktive duhet polarizuar në këtë
mënyrë:
- kalimi bazë-emiter duhet polarizuar në të drejtë me tension 0.6 V - 0.7 V;
- kalimi bazë-kolektor duhet polarizuar në të kundërt.
Një BJT që punon në zonën e shkyçjes duhet polarizuar në këtë mënyrë:
- kalimi bazë-emiter duhet polarizuar në të kundërt,
- kalimi bazë-kolektor duhet polarizuar në të kundërt.
121
Një BJT që punon në zonën e ngopjes duhet polarizuar në këtë mënyrë:

- kalimi bazë-emiter duhet polarizuar në të drejtë,
- kalimi bazë-kolektor duhet polarizuar në të drejtë.
4.3. SKEMA ME POLARIZIM FIKS
Në skemën e figurës 4.2 përdoret një transistor n-p-n, por ekuacionet dhe
llogaritjet janë njëlloj edhe për transistorët p-n-p vetëm duke i ndryshuar
drejtimet e rrymave dhe polaritetet e tensionit. Në analizën e skemës për
rrymën e vazhduar, kondensatorët ekuivalentohen me qark të hapur.
Tensioni VKK ushqen me tension të vazhduar qarkun e hyrjes dhe të daljes.
VKK është e lidhur drejtpërdrejt me RB dhe RK (fig. 4.2).
VKK
VKK VKK
RK IK I K RK
I B RB RB
IB K
VKK
VKE
B
VKE
Figura 4.2. Skema me polarizim fiks VBE VBE E
Skema ekuivalente dc ndërtohet duke konsideruar kondensatorët si qark i

hapur dhe tregohet në figurën 4.3.
VKK
VKK VKK
RK IK I K RK
I B RB RB
IB K
VKK
VKE
B
E VKE
VBE VBE
Figura 4.3. Skema ekuivalente për
rrymë të vazhduar
Polarizimi në të drejtë i kalimit bazë - emiter
Duke pasur parasysh qarkun bazë-emiter në figurën 4.4, shkruajmë

ekuacionin nga ligji i dytë i Kirkofit në drejtim orar për skemën.
+VKK - IB RB -VBE =0
ose
VKK = IB R B +VBE
IB RB =VKK - VBE
122
RB IB RB
B
VKK
IB VBE
Figura 4.4. Qarku bazë-emiter
Vini re polaritetin e rënies së tensionit në RB, i cili përcaktohet nga drejtimi

i dhënë i IB. Duke zgjidhur ekuacionin për rrymën IB, dolëm në rezultatin e
mëposhtëm:
KK
IB = (4.1)
Rryma që kalon përmes RB nga ligji i Ohmit është sa rënia e tensionit

përmes RB pjesëtuar me rezistencën RB. Tensioni VKK dhe tensioni në kalimin
bazë-emiter (VBE) janë konstantë, kështu që zgjedhja e rezistencës së bazës,
RB, përcakton nivelin e rrymës së bazës për pikën e punës.
Qarku kolektor - emiter
Duke mbyllur lakun kolektor-emiter, skema shfaqet në figurën 4.5 me

drejtimin e përcaktuar të rrymës IK dhe polaritetin e treguar përmes RK.
Figura 4.5. Qarku kolektor-emiter
Madhësia e rrymës së kolektorit varet drejtpërdrejt nga IB.

K (4.2)
123
dhe
VKE + IKRK - VKK = 0
VKE = VKK - IKRK (4.3)
Kjo do të thotë se tensioni kolektor-emiter në një transistor në skemën me

polarizim fiks është sa tensioni i burimit minus rënien e tensionit përmes RK.
Nga ana tjetër,
VKE = VK - VE, (4.4)
ku VKE është tensioni kolektor-emiter dhe VK dhe VE janë tensione nga

kolektori dhe emiteri respektivisht me tokën. Por meqenëse VE = 0, kemi:
VKE = VK (4.5)
VBE = VB-VE (4.6)
VBE = VB. (4.7)
Ngopja (saturimi) e transistorit
Për një transistor që punon në zonën e saturimit, rryma ka vlerën maksimale.

Në figurën 4.6 a) pika e punës ndodhet në zonën e saturimit. Siç shihet
ajo është në një regjim ku vijat e karakteristikës bashkohen dhe tensioni
kolektor-emiter është VKE(SAT). Rryma e kolektorit është e madhe. Në figurën
4.6 b) është treguar ku merret me përafërsi pika e punës.
IK IK
IKsat IKsat
VKE sat VKE VKE sat
Figura 4.6. Regjimi i saturimit: a) real, b) i përafërt
Për VKE = 0 (kalimi kolektor–emiter shihet si i lidhur në të shkurtër). Në

skemën me polarizim fiks kemi që:
VKK = IKRK + VKE
124
Për VKE = 0, kemi
VKK = IKRK,
pra, tensioni përmes RK të jetë sa tensioni i burimit VKK. Rryma e ngopjes

(saturimit) për skemën me polarizim fiks është
KK
IKng = . (4.8)
K
Analiza e vijës (linjës) së ngarkesës
Lind pyetja: Si ta përcaktojmë pikën e punës?

Për këtë përdorim ekuacionin:
VKE = VKK - IKRK
që quhet ekuacioni i linjës së ngarkesës, i cili lidh ndryshoret IK dhe VKE në

këtë mënyrë:
VKE = VKK - IKRK. (4.9)
Karakteristika e daljes (e kolektorit) lidh të njëjtat ndryshore IK dhe VKE si në

figurën 4.7. IKEO është rryma në qarkun kolektor-emiter kur qarku i bazës
është i hapur, pra për IB = 0.
IK
VKK
IK
RK
VKE IB
VKE
IKEO
Figura 4.7. Karakteristikat e daljes së transistorit
125
Le të ndërtojmë vijën e drejtë të dhënë nga barazimi (4.9) mbi karakteristikën.

Vija e drejtë kalon nga dy pika. Në qoftë se IK = 0 mA në barazimin (4.9),
kemi:
VKE = VKK - 0RK
VKE = VKK për IK= 0 mA (4.10)
Në qoftë se tani zgjedhim VKE = 0 V, kemi:
0 V = VKK - IKRK
KK
IK = për VKE = 0 V (4.11)
K
Duke bashkuar dy pikat e përcaktuara nga ekuacioni (4.10) dhe (4.11),
ndërtojmë një vijë të drejtë. Kjo vijë quhet vija e ngarkesës (mbasi
përcaktohet në funksion të vlerës së rezistencës së ngarkesës RK). Duke ditur
IB, përcaktohet Q-point si në figurën 4.8.
IK
VKK
IK
pika Q IBQ
VKE = 0V
Linja e ngarkesës
VKK VKE
IrK= 0mA
Figura 4.8. Vija (linja) e ngarkesës në skemën me polarizim fiks
Nëse vlera e IB ndryshon për shkak të ndryshimit të RB, pika e punës do të

lëvizë poshtë e lart përgjatë linjës së ngarkesës, si në figurën e paraqitur më
poshtë 4.9 a).
Nëse vlera e VKK mbahet konstante dhe vlera e RK ndryshon, linja e ngarkesës
do të zhvendoset si në figurën 4.9 b).
Nëse vlera e VKK ndryshon, linja e ngarkesës do të zhvendoset si në figurën
4.9 c).
126
IK
VKK
RK
Pika Q
IB3
Pika Q
IB2
Pika Q
IB1
VKK VKE
(a)
IK
VKK
R1
R3 > R3> R3
VKK
R2
VKK Pika Q
Pika Q
Pika Q IBQ
R3
VKK VKE
IK (b)
VKK1 VKK1 > VKK2 > VKK3
RK
VKK2
RK
VKK3 Pika Q IBQ
Pika Q Pika Q
RK
VKK1 VKK2 VKK3 VKE
(c)
Figura 4.9. Lëvizja e pikës Q kur:
a) rritet vlera e IB,
b) rritet vlera e RK,
c) zvogëlohet vlera e VKK
127
SHEMBULLI 4.1
Përcaktoni për skemën e figurës 4.2 me RB = 240 KΩ, RK = 2.2 KΩ, VKK = 12 V,
β = 50:
a) IBQ
b) IKQ
c) VKEQ
d) VK
e) VB
f) VBK
Zgjidhje
a) Nga ekuacioni (4.1)
KK
IB = .
Pas zëvendësimit
IBQ = 47.08 μA.
b) Nga ekuacioni (4.2)
K = (50) (47.08μA) = 2.35 mA.
c) Nga ekuacioni (4.3)
VKEQ = VKK - IKRK = 12V - (2.35 mA)(2.2 KΩ)
= 6.83 V
d) Nga ekuacioni (4.5)
VK = VKEQ = 6.83 V.
e) Nga ekuacioni (4.7)
VB = VBE = 0.7 V.
f) VBK përcaktohet:
VBK = VB - VK = 0.7V - 6.83V = - 6.13V.
128
USHTRIME
1. Për skemën e treguar më poshtë (β = 100), gjeni:

a) IBQ
b) IKQ
c) VKEQ
K
d) VK
e) VB
f) VE
KE
2. Për IB = 40 μA, β = 80 në skemën e mëposhtme, gjeni:

a) IK
b) RK
c) RB
d) VKE
K
3. Për skemën e mëposhtme me IB = 25 μA, IE = 4 mA, VKE = 7 V, gjeni:

a) IK
KK
b) VKK
c) β
d) RB
129
4. Gjeni rrymën e saturimit (IKsat) për konfiguracionin në figurën e dhënë

më poshtë.
KE
5. Projektoni një skemë me polarizim fiks dhe përcaktoni RK e RB , nëse

VKK = 16 V, β = 100, IKQ = 3 mA dhe VKEQ = 6 V.
6. Për skemën me polarizim fiks me karakteristikat e transistorit BJT në

figurën e mëposhtme:
a) Vizatoni linjën e ngarkesës me karakteristika të gjetura VKK = 16 V dhe
RK = 3 KΩ për skemën me polarizim fiks.
b) zgjidh një pikë pune midis shkyçjes dhe saturimit. Gjeni vlerën e RB.
c) Cilat janë vlerat që dalin për IKO dhe VKE ?
d) Cila është vlera e β për pikën e punës?
e) Sa është vlera e α që gjendet nga pika e punës?
f) Sa është rryma e saturimit (IKsat) për figurën e vizatuar?
g) Skiconi skemën e plotë me polarizim fiks.
h) Sa është fuqia që shpërndahet nga pajisja në pikën e punës?
i) Sa është fuqia e ushtruar nga VKK?
j) Gjeni fuqinë e harxhuar nga rezistencat duke bërë diferencën e
rezultateve të pikës (h) dhe (i).
130
KE
Figura e ushtrimit 6
4.4. SKEMA E POLARIZIMIT ME REZISTENCË NË EMITER
Polarizimi i transistorit në skemën e mëposhtme përmban një rezistencë në

emiter për të përmiresuar nivelin e stabilitetit kundrejt skemës me polarizim
fiks (fig. 4.10).
+ VKK
IK
RK
RB IB RB
vO
IB C2
vi
C1 VBE
IE
IE RE RE
Figura 4.10. Skema e polarizimit me
rezistencë në emiter
131
Qarku bazë-emiter
Qarku bazë-emiter në figurën 4.10 mund të rivizatohet si në figurën 4.11.
RB IB IB RB
B
VKK
VBE E
VB
RE IE VE
Figura 4.11. Qarku bazë-emiter
Duke shkruar ligjin e dytë të Kirkofit për qarkun bazë-emiter në drejtimin e

rrotullimit të akrepave të orës, në ekuacionin e mëposhtëm do të rezultojë:
+VKK - IBRB - VBE - IERE = 0.
Duke kujtuar që
IE = (β + 1) IB
dhe, duke zëvendësuar IE në ekuacion, do të rezultojë
+VKK - IBRB - VBE - (β+1) IBRE = 0

nga ku
KK
IB = (4.12)
Duke krahasuar barazimin (4.12) me atë (4.1) për skemën me polarizim fiks,
vëmë re se ndryshimi qëndron në futjen e faktorit (β + 1)RE.
Tensioni në bazë në lidhje me tokën (fig. 4.11) është:
VB = VKK - IBRB (4.13)
ose
VB = VBE+ VE. (4.14)
132
Qarku kolektor-emiter
Qarku kolektor-emiter është rivizatuar në figurën 4.12.
Figura 4.12. Qarku kolektor-emiter
Duke shkruar ligjin e dytë të Kirkofit për qarkun kolektor-emiter, në drejtim

e rrotullimit të akrepave të orës do të dilte
+ IERE + VKE + IKRK - VKK = 0.
Duke zëvendësuar IE ≈ IK, rrjedh që
VKE = VKK - IK(RK + RE). (4.15)
Tensioni në emiter kundrejt tokës është:
VE = IERE. (4.16)
Tensioni nga kolektori në tokë, VK, përcaktohet:
VKE = VK - VE
ose
VK = VKE + VE , (4.17)
VK = VKK - IKRK . (4.18)
133
SHEMBULLI 4.2
Për qarkun e figurës 4.13 përcaktoni:
a) IB
b) IK
c) VKE
d) VK
e) VE
f) VB
g) VBC
β = 50
Figura 4.13
Zgjidhje
Nga sa u tha më sipër
VKK = IBRB + VBE + IERE
VKK - VBE = IB (RB+(1+β)RE)
a) Nga barazimi (4.12)
KK
IB =
IB = .
b) Nga barazimi (4.2)
IK = IBβ = 50*40.1 μA = 2.01 mA.
134
c) Nga barazimi (4.15)
VKE = VKK- IK(RK+RE)
= 20V - 2.01 mA*(2kΩ + 1kΩ) = 13.97 V.
d) Nga barazimi (4.18)
VK = VKK - IKRK
= 20V - 2.01 mA * 2kΩ = 15.68 V.
e) Nga barazimi (4.16 )
VE = IERE = IKRE
= 2.01 mA *1 kΩ = 2.01 V.
f) Nga barazimi (4.14)
VB = VBE + VE
= 0.7 V + 2.01 V = 2.71 V.
g) Si rrjedhim:
VBC = VB - VK
= 2.71 V - 15.98 V = -13.27 V.
Përmirësimi i stabilitetit në punën e transistorit
Shtimi i rezistencës në emiter për polarizimin e një transistori BJT sjell

stabilitet më të lartë, që do të thotë rrymat dhe tensionet e polarizimit
mbeten afërsisht sa vlerat e caktuara nga qarku edhe pse kushtet e jashtme
si temperatura dhe koeficienti β mund të ndryshojnë.
SHEMBULLI 4.3
Përgatitni një tabelë dhe krahasoni tensionin dhe rrymat e qarkut në

shembullin 4.1 dhe në shembullin 4.2 (të figurës 4.12) për vlerat e dhëna të
β = 50 dhe për një vlerë të re të β = 100. Krahasoni ndryshimet në IK dhe VKE
për të njëjtën rritje të β.
135
Zgjidhje
Duke përdorur rezultatet e llogaritura në shembullin 4.1 dhe duke përsëritur

zgjidhjen e tij për β = 100, arrijmë në përfundimin e mëposhtëm:
K KE
Shihet se rryma në kolektorin e transistorit ndryshon 100% për shkak të

ndryshimit 100% të vlerës së β. IB është e njëjtë dhe VKE zbret me 76%.
Duke përdorur të dhënat e llogaritura në shembullin 4.2 dhe duke përsëritur
për vlerën e β = 100, do të kemi si më poshtë:
K KE
Tani rryma e kolektorit rritet me 81% për rritjen 100% të β. Vëreni që IB zbret,
duke ndihmuar të ruhet vlera e IK ose të paktën të ulë ndryshimin total
për ndryshimin e β. VKE është zvogëluar me 35%. Kështu që qarku i figurës
4.10 është në regjim pune më të qëndrueshëm se qarku i figurës 4.2 për të
njëjtin ndryshim të β.
Kjo vjen për shkak të shtimit të rezistencës në emiter, në të cilën krijohet një
lidhje e kundërt negative.
Regjimi i ngopjes
Rryma maksimale e kolektorit për skemën me emiter të stabilizuar mund të

përcaktohet duke përdorur të njëjtën metodë si te skema me polarizim fiks.
Lidhni në të shkurtër emiterin me kolektorin siç është treguar në figurën
4.14 dhe llogaritni rrymën që kalon në kolektor.
(4.19)
Futja e rezistencës në emiter zvogëlon vlerën e rrymës së kolektorit ndaj asaj

të marrë nga skema me polarizim fiks duke përdorur të njëjtën rezistencë të
kolektorit. Pra, ulet pika e punës në zonën e ngopjes (saturimit) te figura 4.8.
Krahaso barazimin (4.8) për skemën me polarizim fiks me barazimin (4.19)
136
KK
KE 0V
Figura 4.14. Regjimi i ngopjes
SHEMBULLI 4.4
Përcaktoni rrymën e ngopjes për qarkun e figurës 4.13.
Zgjidhje
Rryma e ngopjes do të jetë:
= ,
e cila është rreth 3 herë më e madhe se niveli i IKQ në shembullin 4.2.
Analiza e linjës së ngarkesës
Analiza e linjes së ngarkesës së qarkut me emiter të polarizuar është pak e

ndryshme nga ajo e skemës me polarizim fiks. Vlera e IB është përcaktuar
nga barazimi (4.12) në qarkun bazë-emiter.
Ekuacioni i linjës së ngarkesës i përcaktuar nga qarku kolektor-emiter në
figurën 4.12 është:
VKK = IKRK + VKE + IERE
VKE = VKK - IK(RK + RE). (4.20)
Për të përcaktuar koordinatat e pikës së parë të linjës së ngarkesës marrim

IK = 0 mA në ekuacionin (4.20). Si rrjedhim:
VKE = VKK
137
Për të përcaktuar koordinatat e pikës së dytë të linjës së ngarkesës, marrim

VKE = 0V në ekuacionin (4.20). Si rrjedhim:
Duke ditur ku ndodhen këto dy pika, i bashkojmë me një vijë të drejtë (linja
e ngarkesës është gjithnjë një vijë e drejtë) dhe pikëprerja me karakteristikën
që i korrespondon vlerës së IB jep pikën e punës Q.
Vlera të ndryshme të IB sigurisht do të lëvizin pikën Q të punës përgjatë vijës
së linjës së ngarkesës.
KK
K
KK KE
Figura 4.15. Ndërtimi i linjës së ngarkesës dhe përcaktimi i pikës së punës
USHTRIME
1. Për qarkun me emiter të polarizuar të figurës së mëposhtme, gjeni:

a) IBQ
b) IKQ
c) VKEQ
d) VK
e) VB
f) VE
138
2. Për informacionin e dhënë në figurën e ushtrimit 2, gjeni:

a) RK
b) RE
c) RB
d) VKE
e) VB
3. Për informacionin e dhënë në figurën e mëposhtme, gjeni:

a) β
b) VKK
c) RB
4. Gjeni rrymën e ngopjes (IKng) për qarkun e figurës së mëposhtme.
139
5. Duke përdorur karakteristikat e figurës së mëposhtme për transistorin

në skemën e polarizimit me rezistencë shtesë dhe duke konsideruar që
IKQ = 4 mA dhe VKEQ = 10 V, përcaktoni:
a) RK, në qoftë se VKK = 24 V dhe RE = 1.2 KΩ;

b) β në pikën e punës;
c) RB;
d) fuqinë e harxhuar nga transistori;
e) fuqinë e harxhuar nga rezistori RK.
KE
6. Projektoni një skemë me rezistencë në emiter, ku IKQ = ½ IKng dhe

VKEQ = ½ VKK. Merrni VKK = 20 V, IK(sat) = 10 mA, β = 120 dhe RK = 4 RE
(rrumbullakosni vlerat).
4.5. SKEMAT ME PJESËTUES TENSIONI
Në skemat që kemi studiuar deri tani, rryma IKQ dhe tensioni V KEQ ishin
funksione të koeficientit të amplifikimit të rrymës (β) të transistorit.
Meqenëse (β) është e ndjeshme nga ndryshimi i temperaturave, veçanërisht
në transistorët prej silici, është mirë të përdorim një skemë që është pak
e varur ose e pavarur nga (β) e transistorit. Mënyra më e përdorshme e
polarizimit të transistorit në qarqet lineare është ajo me pjesëtues tensioni.
Emri “pjesëtues tensioni” vjen nga pjesëtuesi i tensionit R1 dhe R2 që lidhet
nga ana e bazës së transistorit. Tensioni në R2 polarizon në të drejtë kalimin
bazë-emiter. Në figurën 4.16 tregohet një skemë e tillë.
140
KK
Figura 4.16. Skema e polarizimit me pjesëtues tensioni
Në qoftë se analizojmë saktësisht skemën, ndjeshmëria ndaj ndryshimeve

të (β) është shumë e vogël. Pra, nëse parametrat e qarkut zgjidhen saktë,
vlera e IKQ dhe VKEQ janë plotësisht të pavarura nga β. Këtë e siguron vendosja
e rezistencës RE që krijon një lidhje të kundërt. Pika e punës Q është treguar
qartë në figurën 4.17.
IK
pika Q
I KQ
KE
Figura 4.17. Përcaktimi i pikës Q në skemën me pjesëtues tensioni
Vlera e IBQ do të ndryshonte me ndryshimin e β, por pika e punës Q, me

koordinata IKQ dhe VKEQ, do të mbetet fikse nëse parametrat e qarkut janë
zgjedhur saktë.
Analizën e skemave me pjesëtues tensioni mund ta bëjmë me dy metoda:
1. Metoda ekzakte mund të zbatohet në çdo skemë me pjesëtues tensioni.
2. Metoda e përafrimit zbatohet vetëm në qoftë se kënaqen disa kushte
specifike.
141
Analiza ekzakte
Skema nga ana e hyrjes për skemën me pjesëtues tensioni për analizën dc
është si në figurën 4.18.
KK
Figura 4.18. Qarku i hyrjes për skemën

me pjesëtues tensioni.
Bëjmë analizën e qarkut të hyrjes duke

u bazuar në teoremën e Teveninit.
Burimi i tensionit është zëvendësuar
me një qark të shkurtër si në figurën
4.19.
Figura 4.19
RTH = R1 // R2 = . (4.21)
Burimi i tensionit VKK kthehet përsëri në qark dhe tensioni i Teveninit, për
qarkun e hapur (fig. 4.20 a), është:
ETH = I R2 = KK
. (4.22)
Në figurën 4.20 b) është treguar skema ekuivalente e Teveninit.
KK
Figura 4.20 a) Përcaktimi i ETH; b) Skema ekuivalente e Teveninit
142
IBQ mund të llogaritet duke përdorur ligjin e Kirkofit:
ETH - IBRTH - VBE - IERE = 0
IE = (β+1)IB
dhe gjejmë IB:
ETH - VBE
IB = . (4.23)
RTH+( β+1)RE
Duke ditur që IE ≈ IK, atëherë ekuacioni për VKE do të jetë i njëjtë me ekuacionin
me skemë me emiter të stabilizuar:
VKE = VKK-IK (RK+RE) (4.24)
SHEMBULLI 4.5
Gjeni VKE dhe IK për skemën 4.21 për β = 140.

22V
Figura 4.21
Zgjidhje
Nga barazimi 4.21 përcaktojmë:
RTH=R1 // R2
Zëvendësojmë:
RTH = = 3.55 KΩ.
143
Nga barazimi 4.22 përcaktojmë:
ETH = VR2 = KK
Zëvendësojmë
Nga barazimi 4.23 përcaktojmë rrymën e bazës:
ETH-VBE
IB =
RTH+( β+1)RE
Si përfundim llogaritim IK dhe VKE:
IK = β IB = (140)(6.05 µA) = 0.85 mA.
Nga barazimi 4.24 përcaktojmë VKE :
VKE = VKK-IK (RK+RE)
= 22V (0.85 mA)(10 KΩ +1.5 KΩ)= 12.22 V.
Analiza e përafërt
Gjatë analizës së përafërt duhet të plotësohet kushti që:
β RE 10 R2 (4.25)
Nëse mendojmë që rryma e bazës, IB, është afërsisht zero krahasuar me
vlerën e I1 dhe I2, atëherë R1 dhe R2 mund të konsiderohen si elemente në
seri. Tensioni në R2 është tensioni i bazës kundrejt tokës dhe përcaktohet:
VB = KK
Vlera e VE mund të llogaritet:
VE = VB – V BE.
144
Rryma e emiterit mund të përcaktohet:
IE = dhe IKQ është afërsisht sa IE .
Tensioni kolektor–emiter është përcaktuar:
VKE = VKK – IK RK – IE RE
ose
VKEQ = VKK – IK(RK + RE).
Pra, duket qartë që IKQ dhe VKEQ janë të pavarura nga vlera e β.
SHEMBULLI 4.6
Për shembullin e mëparshëm të përcaktohen IKQ dhe VKEQ me metodën e

përafërt dhe të vihen re ndryshimet shumë të vogla të tyre në vlerë.
β RE 10 R2
(140)(1.5 KΩ) 10(3.9 KΩ)
210 KΩ 39 KΩ (Kushti u plotësua)
VB = = = 2 V.
Pra, VB = ETH. Përcaktojmë VE:
VE = VB – VBE = 2 V - 0.7 V = 1.3 V
IKQ ≈ IE = = = 0.867 mA
(në krahasim me 0.85 mA në analizën e saktë).
VKEQ = VKK - IK (RK + RE) = 22 V - (0.867 mA)(10 KΩ +1.5 KΩ) = 12.3 V
(krahasuar me 12.22 V në analizën e saktë).
145
USHTRIME
1. Për skemën me pjesëtues tensioni në figurën e mëposhtme, gjeni:

a) IBQ
b) IKQ
c) VKEQ
d) VK KQ
VK
e) VE VB
f) VB VKEQ
BQ
VE

a) IK
b) VE
c) VB K
VK
d) R1
VB
(Koeficienti i amplifikimit të rrymës është β = 120.)
IBQ
VE

a) IK
b) VE
c) VK
d) VB
e) R1
f) VKE
146
4. Gjeni rrymën e ngopjes (IKsat) për qarkun e figurës së mëposhtme.
KQ
VK
VB
VKEQ
BQ
VE
5. Për skemën e dhënë, përcaktoni:

a) IB
b) IK
c) VKE
d) VE
K
e) VB.
VKE
VB
VE
6. Për figurën e mëposhtme, përcaktoni vlerën e rezistencës R2 dhe IKsat .
VKE
VB
VE
147
7. Projektoni një skemë me pjesëtues tensioni, duke përdorur një burim

ushqimi prej 20 V, një transistor me β = 100 dhe një IKQ = 4 mA me
VKEQ = 8V. Zgjidhni VE = 1/8 VKK.
4.6. SKEMA E POLARIZIMIT ME LIDHJE TË KUNDËRT

NË KOLEKTOR
Një skemë me cilësi të mira është edhe skema ku përfshihet një lidhje e
kundërt nga kolektori në bazë, siç tregohet në figurën 4.22.
Megjithatë pika e punës Q nuk është plotësisht e pavarur nga beta ose
ndryshimi i temperaturës, por është me e pavarur se në skemën me
polarizim fiks apo atë të polarizimit me rezistencë në emiter.
Qarku bazë - emiter
Duke zbatuar ligjin e tensioneve të Kirkofit në drejtimin e rrotullimit të

akrepave të orës, kemi:
VKK – I’KRK –I B RB –VBE – I E RE = 0
KK
KK KK
K
K
K K
IK RKIK RK K K K
K
K K
KK KK K K
K
K
KK K K
K K
IB RBIB RB KK KK
KE
KE KE
BE BE
IE REIE RE
Figura 4.22. a) Skema e polarizimit me lidhje të kundërt tensioni;

b) Qarku bazë-emiter
Vini re që rryma në RK nuk është IK, por I’K (ku I’K = I K + I B ). Meqë I B ka vlera
shumë të vogla, I’K është afërsisht sa IK. Duke zëvendësuar I’K = IK = βIB dhe
IE afërsisht I C do kemi:
VKK – β I B R K – I B R B – VBE – β I B R E = 0
VKK – VBE – β I B ( RK + R E) – I B R B = 0
VKK – VBE = IB ( RB+ β(RK+RE) ).

Nga ku:
KK
IB = . (4.26)
K
148
Sa më i madh të jetë produkti β (R K + R E ) nga RB, aq më pak e ndjeshme

është IKQ ndaj ndryshimeve të β.
Qarku kolektor – emiter është treguar në figurën e mëposhtme (4.23):
K
K K K
K
KK
KE
Figura 4.23. Qarku kolektor – emiter
Duke zbatuar ligjin e dytë të Kirkofit në drejtimin e rrotullimit të akrepave

të orës, rezulton që:
IE RE + VKE + I’K RK – VKK = 0.
Meqë I’K ~ I K dhe I E ~ I K , kemi:
IK (RK+RE) + VKE – VKK = 0

dhe
VKE = VKK - IK (RK + RE).
e cila është e njëjtë me përcaktimin e VKE në skemat e tjera.
Regjimi i ngopjes (saturation) dhe i shkyçjes (cutoff)
Qarku i daljes kolektor–emiter në skemën me pjesëtues tensioni është i

njëjtë në pamje me atë në skemën me polarizim në emiter. Rryma e ngopjes
ose e saturimit (për VKE të barabartë me zero) është:
KK
IKng = Imax =
K E
Meqë në pamje qarku i daljes është i njëjtë me atë të skemës me polarizim

në emiter, edhe linja e ngarkesës do të ndërpritet në të njëjtën mënyrë me
karakteristikat. Linja e ngarkesës do të ketë këto pika ekstreme:
KK
IKng = Imax = për VKE = 0
K E
VKE = VKK për IK = 0 mA.
149
USHTRIME
1. Për skemën e figurës 4.22 me RK = 3.6 KΩ, RB = 250 KΩ, RE = 500 Ω përcaktoni:
a) IB
b) IK
c) VK.
2. Për skemën e figurës 4.22 me RK = 4.7 KΩ, RB = 470 KΩ, RE = 1.2 KΩ, përcaktoni:
a) IK
b) VE
c) VK
d) VKE.
4.7. TRANSISTORI P-N-P
Në të gjitha analizat e bëra deri tani për skema të ndryshme është përdorur
transistori n-p-n, duke lënë të kuptohet që analiza është e njëjtë edhe për
skemat me transistor p-n-p.
Në skemat me transistor p-n-p (figura 4.24), drejtimet e rrymave janë të
kundërta si dhe polariteti i tensioneve në pika të ndyshme të skemave është
i kundërt, pra VBE dhe VKE janë madhësi negative.
Skema e figurës 4.24 është skemë e polarizuar me rezistencë shtesë, pra
tensioni VKE është:
KE KK K K
VKE pritet të ketë vlera negative.
Lexuesi të përpiqet të bëjë analizën e

kësaj skemë, pra, të përcaktojë vlerat
e të gjitha rrymave e tensioneve në
skemë.
Figura 4.24. Skema e polarizimit të transistorit

p-n-p me rezistencë në emiter
150
USHTRIME
1. Përcaktoni VK, VKE, IK për skemën 4.24 me VKK = -15 V, RK = 3 KΩ, RE = 1.2 KΩ,
RB = 470 KΩ, β = 100.
2. Përcaktoni VK, VKE, IB për skemën e figurës së mëposhtme:
-18V
2.4kΩ
10μF
47kΩ vo
10μF
vi
β=120
10kΩ 1.1kΩ
4.8. TRANSISTORI NË ROLIN E ÇELËSIT
Transistori përdoret jo vetëm për të amplifikuar sinjalet, por edhe në rolin

e çelësit në skemat e kompjuterave apo të kontrollit; në qarqet logjike luan
rolin e një invertuesi. Në figurën 4.25 është treguar transistori në rolin e
V =V
çelësit. Vini re! Tensioni KKnë dalje VK është i kundërt me tensionin e zbatuar
në
V
bazë apo në terminalet e hyrjes.
RK 0.82kΩ VK
V V VKK = V
VK
RB RK VK
V 0.82kΩ
h FE 125
V
V 68kΩ V V
VK
RB
h FE 125
V
V 68kΩ
I K (mA) a)
I K (mA)
I Ksat =6.1 mA
I Ksat =6.1 mA
VKE Figura 4.25

I KEO ~ VKK = 5V
= 0mA a) Transistori si çelës
VKE sat ~
= 0V
b) b) Linja e ngarkesës
VKE
I KEO ~
= 0mA VKK = 5V
151
VKE sat ~
= 0V
Për Vi = 5 V, transistori është në gjendjen e çelësit të kyçur dhe në të kalon

rryma e ngopjes IKng:
Në regjimin e ngopjes duhet të sigurohet kushti që:
Në rastin tonë, kur Vi = 5V,
dhe
B
B
Duke arsyetuar si më lart,
K ng
.
Pra, ky kusht është kënaqur.
Për Vi = 0 V, IB = 0 µA, Ik = 0 mA dhe rënia e tensionit në Rk është
VRK = IkRk = 0 V.
Si rrjedhim Vk = 5 V. Transistori është si një çelës i shkyçur.
Pika e punës së transistorit si çelës ndodhet në pikat ekstreme të linjës së

ngarkesës.
Për Vi = 5 V, transistori luan rolin e çelësit të kyçur dhe rezistenca e brendshme

e tij është shumë e vogël dhe konsiderohet afërsisht 0 Ω; pika e punës
ndodhet në regjimin e ngopjes.
Për Vi = 0 V, transistori luan rolin e çelësit të shkyçur dhe rezitenca e tij

e brendshme është shumë e madhe dhe konsiderohet afërsisht ∞; pika e
punës ndodhet në regjimin e shkyçjes.
152
USHTRIME
1. Për një skemë invertuese me transistor (karakteristikat e të cilit

ndodhen në figurën 4.26) ku RK = 1.2 KΩ, RB = 100 KΩ, β = 100, VKK = 10 V,
Vi = 10 V, vizatoni formën e sinjalit në dalje . Ndërtoni linjën e ngarkesës
dhe tregoni pikat e punës së transistorit si çelës. Përcaktoni IB, IBmax
dhe IKng.
KE
Figura 4.26
2. Projektoni një skemë invertuese me transistor me Vi = 10 V për të punuar

me një rrymë IKng (saturimi) 5 mA me β = 110, VKK=10 V. Përdorni një IB sa
110% e IBmax.
153
KAPITULLI
TRANSISTORËT ME EFEKT FUSHE
5.1. NJOHURI TË PËRGJITHSHME
Transistori me efekt fushe (FET) është një element me tre terminale (dalje):
burimin, portën, derdhjen.
Disa nga veçoritë kryesore të FET dhe transistorëve dypolarë (BJT) të studiuar
deri tani janë treguar më poshtë:
ªª FET kanë rezistencë shumë më të madhe në hyrje (e rendit MΩ) se BJT.
ªª Te BJT rryma në kolektor kontrollohet nga rryma në bazë, ndërsa te FET
rryma në kalimin derdhje-burim (drain-source) kontrollohet nga VGS
(portë-burim). Për këtë arsye BJT quhen elemente të kontrolluara nga
rryma, ndërsa FET quhen elemente të kontrolluara nga tensioni.
K
IK ID
IB
Figura 5.1 a) BJT i komanduar nga rryma, IE VGS

b) FET i komanduar nga tensioni
a) b)
ªª BJT janë transistorë dypolarë me 2 kalime p-n (transistori që studiuam në
kapitujt e mëparshëm), ndërsa FET janë njëpolarë. Në parimin e punës
së FET merr pjesë vetëm një tip ngarkese (ose vrimat, ose elektronet),
ndërsa në parimin e punës së BJT marrin pjesë dhe bashkëveprojnë
vrimat dhe elektronet.
ªª Te FET fusha elektrike do të kontrollojë gjerësinë e kanalit ku do të
kalojnë ngarkesat.
ªª FET janë më pak të ndjeshëm ndaj ndryshimeve të temperaturës
krahasuar me BJT.
ªª FET janë më të vegjël, gjë që i bën të marrin pjesë më mirë në qarqet e
integruara (IC).
154
Ato kanë një disavantazh: koeficienti i amplifikimit të tensionit është shumë

më i vogël në skemat amplifikuese me FET se me BJT.
FET mund të ndërtohen me kanal “n” ose me kanal “p”.
Në to kalon vetëm një rrymë, rryma derdhje-burim, ID. Në portë nuk
kalon rrymë, pra IG = 0.
Ata ndahen në dy tipa: JFET (junction field-effect transistor) dhe MOSFET
(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
Fillimisht do të studiojmë JFET.
Në figurën e mëposhtme janë treguar simbolet e JFET me kanal “n” dhe “p”.
Daljet e JFET janë D-derdhje (drain), S-burim (source), G-porta (gate).
Figura 5.2. Simboli i JFET (a) me kanal n; (b) me kanal p
5.2. NDËRTIMI DHE KARAKTERISTIKAT E JFET
Siç shihet në figurën 5.3, kanali ndodhet midis dy shtresave gjysmëpërcjellëse

të tipit “p”. Në krye të kanalit tip “n” është lidhur një kontakt ohmik me
terminalin derdhje (D), ndërsa në fundin e poshtëm të së njëjtës shtresë
është lidhur një kontakt ohmik me terminalin burim (source), S. Të dyja
shtresat tip “p” janë lidhur së bashku me terminalin e portës (gate), G. Nëse
kalimi p-n është i papolarizuar, ai sillet si një diodë e papolarizuar.
Shtresa e kundërt
Figura 5.3. Ndërtimi i JFET
155
Nëse VGS = 0 (d.m.th. porta dhe burimi kanë të njëjtin potencial) dhe VDS ka
vlera pozitive, karakteristika do të ketë pamje si në figurën 5.4 dhe quhet
karakteristika e daljes (derdhjes): ID = f(VDS) për VGS = 0.
Figura 5.4. Karakteristika e FET me VGS = 0 dhe VDS > 0
Elektronet e nisura nga S (burimi) kalojnë përgjatë kanalit dhe e mbyllin

rrugën në konturin derdhje - burim, pra ID = IS. Shtresa e kundërt është më
e gjerë nga kreu i shtresës tip “p”, sepse dhe tensioni i kundërt është më
i madh nga kjo anë (te dioda është parë që sa më i madh është tensioni i
kundërt i polarizimit, aq më e gjerë është shtresa e kundërt).
Me rritjen e tensionit VDS nga 0 në disa volt do të rritet rryma ID (pjesa e
parë e karakteristikës). Nëse VDS i afrohet vlerës VP aty ku mbaron zona
1 e karakteristikës, shtresa e kundërt do të zgjerohet deri në “mbylljen” e
kanalit, si në figurën (5.5), por realisht ekziston një kanal mjaft i ngushtë e
rryma ka dendësi shumë të lartë. Rryma në këtë rast ka vlerën e rrymës së
ngopjes IDSS (fig. 5.5). Pra, për VDS = VP, kemi ID = IDSS.
Zona e kundërt
ID Kanali n
e 2
e
p p 1
e n e
IS
Figura 5.5. JFET dhe karakteristika ID = f (VDS) për VGS = 0 dhe VDS = Vp
Me rritjen e mëtejshme të VDS, vlera e rrymës nuk ndryshon (zona 2 e

karakteristikës). IDSS është rryma maksimale e derdhjes për një JFET, kur
VGS = 0 dhe VDS > | VP| .
156
Nëse VGS < 0 për VDS > 0, porta (G) ka potencial më të vogël se burimi (S), pra
kalimi G-S është polarizuar në të kundërt. Sa më negative bëhet VGS, aq më
e vogël do të bëhet ID, sepse rritet gjerësia e shtresës së kundërt.
Kur VGS = - Vp (kanali është ngushtuar aq shumë, saqë elektronet e nisura nga
burimi nuk arrijnë në derdhje), rryma e ngopjes (saturimit) është pothuajse
0 dhe në çdo zbatim praktik JFET konsiderohet i shkyçur.
Te JFET kalimi G-S polarizohet gjithnjë në të kundërt.
VDS >0
Figura 5.6. JFET me VGS = VP
Figura 5.7. Karakteristika e daljes (derdhjes) së JFET me kanal n

me IDSS = 8 mA dhe Vp = - 4 V
Karakteristika në figurën 5.7 tregon që për zonën 1 në të majtë të Vp, JFET

punon në regjim linear (regjimi ohmik).
Vlera e VGS, që i korrespondon ID = 0, shënohet Vp dhe ka vlera negative për
JFET me kanal n dhe vlera pozitive për JFET me kanal p.
Vp dhe IDSS janë të specifikuara në katalog për çdo JFET.
157
5.3. KARAKTERISTIKA E TRANSFERIMIT
Karakteristika e transferimit jep lidhjen që ekziston mes një madhësie në

qarkun e hyrjes, tensionit në kalimin portë-burim (tensioni gate-source, VGS)
dhe një madhësie në qarkun e daljes, rrymës së derdhjes (rrymës në drain,
ID). Marrëdhënia midis tyre jepet nëpërmjet ekuacionit Shoklei (Shockley):
(5.1)
Vp dhe IDSS janë dy madhësi që jepen në katalog dhe për një JFET të
caktuar janë konstante, ndërsa VGS është madhësia elektrike që kontrollon
vlerën e rrymës ID në transistor.
Karakteristika e transferimit ndërtohet duke u nisur nga ekuacioni Shoklei
dhe nuk varet nga skema në të cilën është lidhur elementi. Për të ndërtuar
karakteristikën e transferimit, gjejmë fillimisht dy pikat ekstreme.
Kur VGS = 0 => ID = IDSS;
Kur VGS = Vp => ID = 0.
Për vlera të ndryshme të VGS zëvendësojmë në ekuacion dhe gjejmë
vlerat korresponduese të ID e kështu ndërtojmë disa pika midis dy pikave
ekstreme (Vp dhe IDSS). Duke i bashkuar ato, ne kemi ndërtuar karakteristikën
e transferimit (fig. 5.8). Gjithashtu karakteristika e transferimit mund të
ndërtohet edhe nga karakteristikat e daljes së transistorit. Duke përdorur
karakteristikat e daljes së transistorit, ne mund të transferojmë vlerat e
rrymës së saturimit për VGS korresponduese dhe të ndërtojmë karakteristikën
e transferimit, siç tregohet në figurën 5.8 a) e b).
a) b)
Figura 5.8. Ndërtimi i karakteristikës së transferimit nga karakteristikat e daljes
158
Mënyra praktike e ndërtimit të karakteristikës së transferimit
Për të vizatuar karakteristikën e transferimit, duhen të paktën katër pika.

Sipas ekuacionit Shoklei:
Kur VGS = 0 => ID = IDSS;
Kur VGS = VP => ID = 0;
Kur VGS = VP/2 => ID = IDSS /4;
Kur ID = IDSS /2 => VGS = 0.3VP.
Sipas kësaj metode është ndërtuar karakteristika e transferimit e JFET me

IDSS = 12 mA dhe VP = -6V (fig. 5.9).
Figura 5.9. Karakteristika e transferimit

e JFET me kanal n me IDSS = 12 mA dhe
VP = - 6V
JFET me kanal p
Karakteristika e transferimit për JFET me kanal p do të jetë e njëjtë me

karakteristiken e JFET me kanal n. I vetmi ndryshim do të jetë që vlera e VP
dhe VGS do të jenë pozitive, si në figurën 5.10 për një JFET me kanal p.
Figura 5.10. Karakteristika e transferimit

e JFET me kanal p me IDSS = 12 mA dhe
Vp = -6V
159
USHTRIME
1. a) Cili është ndryshimi midis karakteristikave të kolektorit të një BJT dhe

karakteristikave të derdhjes të një JFET.
b) Pse IG është realisht 0 mA?
c) Pse rezistenca në hyrje e një JFET është shumë e madhe?
2. Vizatoni skemën strukturore të një JFET me kanal p.
3. Për karakteristikat e figurës 5.7:

a) Vizatoni karakteristikën e transferimit nga karakteristikat e derdhjes.
b) Duke parë karakteristikat e figurës 5.7, lexoni IDSS dhe VP , si dhe
ndërtoni karakteristikën e transferimit në bazë të ekuacionit Shoklei.
c) Krahasoni karakteristikat e ndërtuara në pikën a) e b). A ka ndonjë
ndryshim të madh?
4. Është dhënë IDSS = 12 mA dhe Vp = -4V.

a) Vizatoni karakteristikën e transferimit për transistorin JFET.
b) Vizatoni karakteristikat e derdhjes për këtë element.
5. Një JFET me kanal - p ka IDSS = 8 mA dhe Vp = 4V. Vizatoni karakteristikën

e transferimit për transistorin JFET.
6. Është dhënë pika Q me IDQ = 3 mA dhe VGSQ = - 3 V. Përcaktoni IDSS,, nëse

VP = -6 V.
5.4. ÇFARË PËRMBAN NJË KATALOG?
Në katalog shënohen të gjitha karakteristikat e një elementi (në rastin tonë

një transistor) që ne dëshirojmë. Këto të dhëna jepen nga prodhues të
ndryshëm. Në katalog mund të gjejmë:
• fushën e përdorimit të tyre, si: amplifikator, oshilator etj.;

• vlerat e madhësive elektrike, si: tensionin maksimal të drejtë, tensionin
maksimal të kundërt, rrymën maksimale, fuqinë si edhe temperaturat
minimale dhe maksimale të përdorimit të transistorëve (nëse këto vlera
nuk kihen parasysh elementi del jashtë përdorimi) etj.;
• përbërjen e një transistori si, p.sh., silici ose germaniumi;
• të dhënat mekanike që kanë të bëjnë me përmasat e një transistori.
Fuqia e një transistori në temperaturën 25°C (në temperaturën e dhomës)

mund të llogaritet me formulën:
160
PD = VDS ID (5.2)
Siç u tha më lart, VP = VGS(off), vlerat e së cilës luhaten nga -0.5 V në -6.0 V për
një JFET me kanal n.
IDSS
Figura 5.11. Zona normale e punës në regjimin linear
Nga karakteristikat dhe të dhënat në katalog për një element përcaktohet

regjimi i punës në karakteristikat e daljes për projektimin e amplifikatorëve
linearë si në figurën 5.11. Regjimi ohmik përcakton vlerat minimale të VDS
për vlera të ndryshme të VGS. VDSMAX tregon vlerat maksimale të tensionit
derdhje-burim. Rryma e saturimit IDSS është rryma maksimale e derdhjes,
ndërsa fuqia maksimale tregohet nëpërmjet një vije të lakuar si në figurë.
USHTRIME
1. Përcaktoni zonën e punës së një JFET, nëse VDS = 25 V dhe PDS = 120 mW
MAX MAX
me karakteristika të ngjashme me ato në figurën 5.7, por me IDSS = 10 mA

dhe Vp = -6V.
2. A mund të punojë JFET, zona normale e punë së të cilit jepet në figurën

5.11 në pikën me koordinata (IDSS,VDSmax) ?
3. Për karakteristikat në figurën 5.7, të përcaktohet zona e punës nëse

PDS = 120 mW dhe VDS = 25 V.
MAX MAX
161
5.5. D-MOSFET
Si u tha në fillim të kapitullit, FET janë transistorë të kontrolluar nga tensioni.

FET-et i kemi 2 llojesh: JFET dhe MOSFET.
MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect), sipas karakteristikave të
tyre, ndahen në 2 lloje: MOSFET me pasurim (enhancement-me shtim) dhe
MOSFET me varfërim (depletion-me pakësim). Të parët shënohen shpesh
E-MOSFET, ndërsa të dytët D-MOSFET. Secilin nga këto 2 tranzistorë MOSFET
i kemi me kanal p dhe n.
MOSFET të tipit me varfërim kanë karakteristika të ngjashme me të JFET,
por ato mund të punojnë edhe për VGS me polaritet të kundërt me të parët.
Ndërtimi
Le të shohim ndërtimin e MOSFET me varfërim (me pakicë) me kanal n

(D-MOSFET).
Një shtresë materiali tip p me bazë silici është shtresa mbi të cilën do të
vendoset konstrukti i transistorit dhe është bazamenti i tij (substrate).
Transistori MOSFET me varfërim ka në përgjithësi tri elektroda (dalje): derdhja
(drain, D), (source, S), portë (gate, G). Ka raste kur nga shtresa p del një këmbë
e veçantë (e katërta) e MOSFET-it, e cila shënohet SS. Bazamenti (SS) lidhet
me burimin (S) e MOSFET-it, në përgjithësi.
Shohim që derdhja dhe burimi me anë të kontakteve metalike lidhen me
shtresat e tipit n, midis të cilave ndodhet kanali tip n. Gate nuk lidhet me
kontakt metalik me kanalin n, por me anë të një shtrese dioksidi-silici, SiO2,
e cila luan rolin e një dielektriku. Kjo bën që midis këmbës G dhe kanalit
tip n të mos ketë lidhje elektrike.
Për këtë arsye transistorët MOSFET kanë rezistencë të madhe në hyrje. Rryma
që kalon në portë është 0. Ndonjëherë ky element gjendet në literaturë me
emrin FET me portë të izoluar ose IGFET.
Figura 5.12. MOSFET me varfërim

(D-MOSFET) me kanal n
162
Karakteristikat dhe parimi i punës
Në këtë figurë kemi ushqyer transistorin me tension VDD. Në këtë rast VGS
është 0 V, si në figurën 5.13. Për shkak të potencialit pozitiv në derdhje
ndodh një tërheqje e elektroneve nëpërmjet kanalit n. Kjo bën që rryma të
jetë IDSS në analogji me parimin e punës së JFET (kjo rrymë jepet në katalog).
Rryma që kalon në këtë transistor kontrollohet nga potenciali në portë.
Diferenca potenciale portë-burim kontrollon gjerësinë e kanalit.
+
VDD
-
Figura 5.13. MOSFET me varfërim (DMOSFET) me kanal n me VGS = 0
Kur VGS është më i vogël se 0 V, p.sh., -1 V, -2 V, -3 V etj., tensioni negativ

në portë shtyn elektronet drejt shtresës p dhe ndodh rikombinimi mes
elektroneve e vrimave, duke bërë të mundur zvogëlimin e elektroneve të
lira në kanal (fig. 5.14).
e
e
- e
e
e
e
e
e
Figura 5.14. Zvogëlimi i elektroneve të lira në kanal kur VGS < 0
Sa më i madh të jetë tensioni i kundërt në portë, aq më i madh është niveli

i rikombinimit dhe aq më i vogël do të jetë numri i elektroneve të lira në
kanalin n. Kjo bën që rryma të zvogëlohet kur VGS = VP (ky tension jepet në
katalog), ID = 0. VP është tensioni i kundërt më i madh.
163
Kur VGS është më i madh se

0 V, pra tensioni portë-burim të D
polarizojë në të drejtë kalimin
portë-burim, porta është ngarkuar
pozitivisht dhe tërheq elektrone
nga shtresa p duke u bashkuar me G
elektronet e lira të cilat së bashku
bëjnë rritjen e rrymës në vlera më
të mëdha se IDSS si në figurën 5.15. GS
Për këtë arsye zona me VGS pozitive,

në karakteristikën e transferimit,
është quajtur zona me pasurim,
ndërsa zona për VGS negative është S
quajtur zona me varfërim.

Figura 5.15. VGS më i madh se 0 V
Ekuacioni Shoklei shërben për të gjetur ID për vlera të ndryshme të VGS

(pozitive, negative e zero).
Në figurën e mëposhtme 5.16 jepet karakteristika e transferimit që tregon ID
në funksion të VGS si dhe varësinë e ID në funksion të VDS
(mA)
10.9
8 I DSS
= -1V
4
I DSS
2 = -2V
I DSS
2 = -3V
2
4 -4V
-5V
V 0
= -6V
Figura 5.16. Karakteristika e transferimit ID në funksion të VGS dhe

grafiku ID në funksion të VDS
D-MOSFET me kanal p
Ndërtimi i transistorit D-MOSFET me kanal p është i kundërt me pamjen

e atij me kanal n. Emërtimet e këmbëve janë po njësoj, por ndryshojnë
polaritetet dhe drejtimi i rrymës. VGS do të marrë vlera pozitive dhe negative,
ndërsa VDS negative si në figurën e mëposhtme.
164
Figura 5.17. a) Ndërtimi i transistorit D-MOSFET me kanal-p

b) Karakteristikat e D-MOSFET me kanal-p me IDSS = 6 mA dhe VP = +6V
Në figurat e mëposhtme janë paraqitur simbolet e D-MOSFET.
Figura 5.18. a) D-MOSFET me kanal – n,

b) D-MOSFET me kanal – p
USHTRIME
1. Ku qëndron ndryshimi midis D-MOSFET e JFET? Po ngjashmëria midis

tyre?
2. Jepet një D-MOSFET me IDSS = 6 mA dhe VP = -3 V. Përcaktoni ID në

VGS = - 1, 0, 1, 2 V. Marrëdhënia midis ID dhe VGS është lineare apo
jolineare? Pse?
3. Vizatoni karakteristikën e transferimit (kalimtare) dhe karakteristikën e

derdhjes për D-MOSFET me kanal -n me IDSS = 12 mA dhe VP = -8 V, në
kufijtë nga VGS = - VP deri në VGS = 1 V.
4. Jepet ID = 4 mA për VGS = -2 V. Përcaktoni IDSS nëse VP = -5 V.
165
5.6. MOSFET ME PASURIM (E-MOSFET)
Megjithëse ka disa ngjashmëri në ndërtim dhe mënyrën e punës midis

MOSFET me varfërim dhe atij me pasurim, karakteristika e MOSFET me
pasurim është e ndryshme nga ato të para deri tani. Linja e transferimit nuk
përcaktohet nga ekuacioni Shoklei dhe rryma në derdhje është zero derisa
tensioni portë-burim të arrijë një vlerë të caktuar. Në veçanti, kontrolli i
rrymës në një MOSFET me pasurim me kanal-n ndikohet nga tensioni pozitiv
portë-burim, ndyshe nga MOSFET dhe JFET kanal-n që komandoheshin
nga tensioni portë-burim negativ.
Ndërtimi bazë
Ndërtimi i një MOSFET me pasurim kanal-n shihet në figurën 5.19. Një

shtresë materiali gjysmëpërcjellës tip p me bazë silici, si te MOSFET me
varfërim, shërben si bazament për transistorin.
Derdhja (D) dhe burimi (S) me anë të kontakteve metalike lidhen me shtresat
e tipit n, midis të cilave nuk ndodhet kanal. Ky është dallimi kryesor midis
MOSFET me pasurim dhe atij me varfërim.
Shtresa SiO2 është përsëri e pranishme, për të siguruar izolimin e kontaktit
metalik të portës (G) me shtresën midis derdhjes (D) dhe burimit (S).
Si përfundim, ndërtimi i një MOSFET me pasurim është i ngjashëm me atë
me varfërim, përveç mungesës së një kanali midis derdhjes (D) dhe burimit
(S) kur nuk ka tension nga jashtë.
do të krijohet
Figura 5.19. MOSFET me pasurim me kanal n
166
Karakteristikat dhe parimi i punës
Kur VGS = 0, mungesa e kanalit n, në të cilin kalojnë elektronet, bën që të

mos kalojë asnjë elektron nga S në D, pra rryma ID = 0, ndryshe nga JFET
dhe D-MOSFET ku ID = IDSS.
Në figurën 5.20 kemi marrë vlera të VGS > 0 dhe VDS > 0, pra derdhja dhe
porta (G) kanë potencial pozitiv në lidhje me burimin (S). Ky potencial
pozitiv në portën (G) do të shtyjë ngarkesat pozitive (vrimat) të shkojnë më
në brendësi të bazamentit (substrate) tip p. Si rezultat krijohet një shtresë
e kundërt pranë shtresës së SiO2, e cila pengon kalimin e elektroneve në
daljen portë (G). Sa më shumë rritet VGS, aq më shumë rritet përqendrimi i
elektroneve pranë shtresës SiO2. Kur vlera e VGS bëhet sa një tension “gjuri”
(tensioni threshold, VGS(Th)), fillon rrjedhja e elektroneve nga (S) drejt (D), pra
në transistor kalon rrymë. Vlera e VGS(Th) jepet në katalog.
Në qoftë se rritim tensionin pozitiv në portën (G) përtej vlerave të VTH, do
të rritet rryma që kalon nga derdhja në burim, pra vlera e rrymës në këtë
transistor kontrollohet nga tensioni portë-burim.
Ekziston një vlerë tensioni e zbatuar në portë që nuk duhet kaluar, siç mund
të themi se ekziston një vlerë e rrymës së kalimit derdhje-burim që nuk
mund të kapërcehet. Këto vlera jepen në katalog.
Meqenëse kanali nuk ekziston për VGS = 0, por krijohet për VGS > 0, ky
transistor merr emrin MOSFET me pasurim.
Figura 5.20. Krijimi i kanalit në MOSFET me pasurim
167
Në karakteristikën e derdhjes (fig. 5.21) vëmë re që për VGS më të vogla se

VGS(Th), rryma e derdhjes (daljes) është 0 mA. VGS(Th) mund ta shkruajmë thjesht
VT.
DS
V
Figura 5.21. Karakteristika e derdhjes të MOSFET me pasurim me kanal tip n
Për VGS më të mëdha se VGS(Th), rryma e derdhjes rritet jolinearisht kundrejt

tensionit portë-burim, nëpërmjet ekuacionit
ID = k (VGS - V T)2,
ku k është një konstante që është funksion i ndërtimit të elementit. Në

katalog jepen vlerat e ID(on) dhe VGS(on) që tregojnë vlerat e rrymës dhe
tensionit në një pikë të karakteristikës së elementit.
Që këtu mund të përcaktojmë vlerën e k-së.
I D(on )
k = (5.3)
((V
VGS −V ) 2
on)) - VTT)
IGSD((on
(VGS(on ) − VT )
Pasi gjejmë vlerën e k-së, për vlera të ndryshme të VGS, përcaktojmë vlerat
e ID dhe këto pika i hedhim në grafikun e karakteristikës së transferimit, si
në figurën 5.22 a). Në figurën 5.22 b) tregohet edhe mënyra e ndërtimit të
karakteristikës së transferimit nëpërmjet karakteristikës së derdhjes.
Vëmë re që për VDS më të vogla se vlera e VGS(Th), vlera e rrymës rritet pothuajse
linearisht. Kur VDS > VGS(Th), rryma derdhjes arrin nivelin e saturimit (ngopjes)
për vlera të ndryshme të VGS.
168
GS
DS
V
a) b)
Figura 5.22 a) Karakteristika e transferimit

b) Karakteristika e transferimit e ndërtuar nga karakteristika e derdhjes
(daljes) së MOSFET me pasurim me kanal tip n
E-MOSFET me kanal p
Ndërtimi i E-MOSFET me kanal p, siç shihet në figurën 5.23, është i kundërt

me E-MOSFET me kanal n. Në këtë tip MOSFET, bazamenti është shtresë
e tipit n, ndërsa shtresat që lidhen me derdhjen (drain, D) dhe burimin
(source, S) janë të tipit p. Terminalet (këmbët) kanë të njëjtin emërtim, por
polaritetet e tensionit dhe drejtimi i rrymës janë të kundërta.
Karakteristika e transferimit do të jetë pasqyrimi rreth boshtit të ID të
karakteristikës së transferimit për E-MOSFET me kanal n (fig. 5.24 a).
Në figurën 5.24 b) janë treguar karakteristikat e derdhjes, nga ku shihet
qartë që me rritjen e vlerave negative të VGS rritet vlera e ID.
Figura 5.23. Ndërtimi i E-MOSFET me kanal p
169
DS
a) b)
Figura 5.24 a) Karakteristika e transferimit për E-MOSFET me kanal p
b) Karakteristika e derdhjes (daljes)
Në figurën 5.25 janë treguar simbolet e E-MOSFET me kanal n dhe me kanal p
Figura 5.25
a) Simbolet e E-MOSFET me kanal n
a) b) b) Simbolet e E-MOSFET me kanal p
USHTRIME
1. Cili është ndryshimi midis një E-MOSFET e një D-MOSFET?
2. Vizatoni një E-MOSFET me kanal p si dhe tensionet e polarizimit të tij.

Tregoni drejtimin e rrjedhjes së elektroneve.
3. Vizatoni karakteristikën e transferimit dhe karakteristikat e derdhjes së

një E-MOSFET me VT = 3.5 V dhe k = 0.4 X 10 -3 A/V2.
4. Jepet VT = 4 V, ID(on) = 4 mA dhe VGS(On) = 6 V.

a) Përcaktoni konstanten k.
b) Vizatoni karakteristikën e transferimit.
c) Përcaktoni ID, nëse VGS = 2.5 V. Po për VGS = 10 V, sa është ID?
5. Vizatoni karakteristikën e transferimit dhe karakteristikat e derdhjes së

një E-MOSFET me kanal p me VT = -5 V dhe k = 0.45 X 10-3 A/V2.
170
5.7. QARQET CMOS
Qarqet CMOS janë qarqe dixhitale logjike mjaft të përdorshme në praktikë.

Ato janë të ndërtuara me transistorë MOSFET të të njëjtit lloj, por të tipave
të kundërt (E-MOSFET me kanal n dhe E-MOSFET me kanal p të vendosura
mbi të njëjtin bazament).
Vi VGS1 VGS2 VO
0 0 -5 V 5V
5V 5V 0 0
b)
Figura 5.26
a) Invertuesi CMOS
a) b) Tabela përmbledhëse e punës së CMOS
Ky qark me MOSFET quhet CMOS (Complementary MOSFET). Hyrja e qarkut

ndodhet në portat e dy transistorëve të lidhura në një pikë, ndërsa dalja
merret nga derdhjet e lidhura në një pikë.
Përpara se të studiojmë efektin e qarkut CMOS, kujtoni edhe njëherë
karakteristikat e transferimit të transistorëve MOSFET me pasurim me kanal
p e n.
Nëse në hyrje do të kemi një tension prej 0 V, atëherë VGS1 = 0 V dhe Q1 është
në gjendjen “off”, pra rezistenca derdhje - burim është shumë e madhe.
VGS2 = -5 V dhe transistori i Q2 është në gjendjen “on”. Midis derdhjes dhe
burimit të Q2 rezistenca është shumë e vogël. Pra, po ta shihnim si pjesëtues
tensioni, do të arrinim në përfundimin se VO është afërsisht 5 V. Dalja
inverton gjendjen e hyrjes. Pra, për Vi = 0 V, Vo = 5 V.
Nëse në hyrje do të kemi një tension prej 5 V, atëherë VGS1 = Vi = 5 V dhe Q1
është në gjendjen “on”. Rezistenca derdhje - burim është shumë e vogël.
Pra, VGS2 = 0 dhe transistori i Q2 është në gjendjen “off”. VO është afërsisht
0 V. Dalja inverton gjendjen e hyrjes. Pra, për Vi = 5 V, Vo = 0 V. Tabela
përmbledhëse e punës së CMOS tregohet në figurën 5.26.
Si përfundim, CMOS është qark invertues.
Fuqia që harxhon CMOS është shumë e vogël, sepse transistorët janë në
rolin e çelësave. Ata kanë rezistencë të madhe në hyrje dhe shpejtësinë e
komutimit (kyçje-shkyçje) shumë të lartë.
171
KAPITULLI
MËNYRAT E POLARIZIMIT TË FET
6.1. HYRJE
Për transistorët me efekt fushe, marrëdhëniet midis madhësive të hyrjes e të

daljes janë jolineare dhe kjo vihet re edhe në karakteristikën e transferimit
të një FET. Lidhja grafike që ekziston mes ID e VGS është më e përdorur dhe,
në këtë kapitull, studimi bëhet mbi këtë lidhje e jo mbi atë matematikore.
Si në skemat me BJT edhe në ato me FET madhësia e rrymës në dalje ndikon
në madhësinë e tensionit në dalje.
Gjatë analizës DC për të gjithë përforcuesit me FET duhet të kihen parasysh
këto marrëdhënie:
IG = 0 A (6.1)
ID = IS. (6.2)
Kujtojmë që për JFET dhe MOSFET me varfërim (D-MOSFET), marrëdhënia

mes qarkut të hyrjes e të daljes jepet me ekuacionin Shoklei:
ID = IDSS (1- )2. (6.3)
Për MOSFET me pasurim (E-MOSFET), marrëdhënia mes qarkut të hyrjes e

të daljes jepet me ekuacionin
ID = k (VGS -VT )2. (6.4)
Është e rëndësishme të theksohet që këto ekuacione shprehin lidhjen

mes madhësive elektrike vetëm për elementin, pavarësisht se në cilën lloj
skemë është lidhur ai. Nga skema ku lidhet elementi përcaktohet sa është
konkretisht vlera e rrymës dhe e tensionit, duke u bazuar në gjetjen e pikës
së punës.
172
6.2. SKEMA ME POLARIZIM FIKS
Skema me polarizim fiks është skema më e thjeshtë e polarizimit të JFET

me kanal n (fig. 6.1). Në këtë skemë tensioni i polarizimit të transistorit
është fiks sa vlera e tensionit të burimit të vendosur në qarkun e hyrjes
VGG. Ajo është një nga skemat e pakta me FET që mund të zgjidhet në
mënyrë të drejtpërdrejtë duke përdorur mënyrën matematike ose grafike.
Në këtë mësim përfshihen të dyja metodat, për të vërtetuar faktin se i njëjti
përfundim mund të arrihet me të dyja mënyrat.
Skema në figurën 6.1 përfshin vi dhe vo dhe kondesatorët lidhës C1 dhe
C2. Mos harroni që kondesatorët sillen si qark i hapur gjatë analizës për
rrymat e vazhduara dhe qark i shkurtër gjatë analizës për rrymat alternative.
Rezistenca RG bën pjesë në skemë për të treguar se vi shfaqet në hyrjen
e përforcuesit me FET gjatë analizës për rrymën alternative. Kujtojmë që
rezistenca e hyrjes së FET është shumë e madhe. Le të bëjmë analizën e
skemës për rrymën e vazhduar:
IG = 0 A
dhe
VRG = IGRG = (0 A)RG = 0 V.
Vlera e tensionit në RG lejon zëvendësimin e RG me një qark të shkurtër

ekuivalent (fig. 6.2) i rivizatuar pikërisht për analizën DC.
Figura 6.1. Skema me polarizim fiks
Figura 6.2. Qarku për analizën DC
173
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit për tensionet në drejtimin e rrotullimit të

akrepave të orës, në qarkun e dhënë në figurën 6.2 kemi:
-VGG – VGS = 0
dhe
VGS = -VGG. (6.5)
Meqenëse VGG ka një vlerë të caktuar, mund të zëvendësohen në ekuacionin

Shoklei për të gjetur matematikisht vlerën e ID.
Analiza grafike kërkon ndërtimin e karakteristikës së transferimit nëpërmjet
ekuacionit Shoklei si në figurën 6.3. Për të vizatuar karakteristikën e
transferimit, duhen të paktën katër pika:
- kur VGS = 0 => ID = IDSS;
- kur VGS = VP => ID = 0;
- kur VGS = VP/2 => ID = IDSS /4 ;
- kur ID = IDSS /2 => VGS = 0.3VP.
IDSS
2
4
Figura 6.3. Ndërtimi grafik i karakteristikës
së transferimit sipas ekuacionit Shoklei
0.5 0.3VP
Linja e ngarkesës do të jetë një vijë e drejtë vertikale në pikën VGS = -VGG.
Nga pikëprerja e këtyre dy vijave, mund të përcaktojmë vendndodhjen e
pikës së punës ose të qetësisë, pra, IDQ dhe VGSQ.
Karakteristika
e transferimit e
tranzistorit
Karakteristika
e skemës ku
lidhet elementi
Pika Q
Figura 6.4. Përcaktimi i pikës së punës
174
Këto vlera, IDQ dhe VGSQ, do jenë ato që matin aparatet matëse (fig. 6.5).
Miliampermetër
Fisha e kuqe
Fisha e zezë
Figura 6.5. Matja me voltmetër dhe ampermetër e IDQ dhe VGSQ
Të dyja mënyrat e zgjidhjes (grafike e matematike) duhet të arrijnë në vlera

pothuajse të njëjta të IDQ dhe VGSQ.
Tensioni drain-source (dalje-burim) mund të përcaktohet duke zbatuar
ligjin e dytë të Krikofit në qarkun e daljes së figurës 6.2 dhe del si më poshtë:
+VDS + IDRD – VDD = 0
VDS = VDD – IDRD (6.6)
VS = 0 V
VDS = VD – VS
ose
VD = VDS + VS = VDS + 0 V
nga ku, për skemën me polarizim fiks,
VD = VDS. (6.7)
Gjithashtu
VGS = VG – VS
ose
VG = VGS + VS = VGS + 0
nga ku, për skemën me polarizim fiks,
VG = VGS (6.8)
175
SHEMBULL
Për skemën e mëposhtme me këto të dhëna: VDD = 16 V, VGG = 2V, RG = 1KΩ,

RD = 2KΩ, IDSS = 10 mA, VP = -8V, përcaktoni:
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VD
e) VG
f) VS
Zgjidhje
(a) e (b) Grafikisht ushtrimi mund të zgjidhet duke ndërtuar karakteristikën e

transferimit dhe linjën e ngarkesës me VGS = -2V, si në figurën e mëposhtme.
Vihet re që VGSQ = -VGG = - 2 V, ndërsa IDQ = 5.6 mA.
10 mA
9
8
7
6 I
Pika Q DQ = 5.6mA
5
4
3 IDS = 2.5mA
2 4
1
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
VP = -8V VP = -4V IGS = -VGG = -2V
Q
2
c) VDS = VDD – IDRD = 16V - (5.6 mA)(2 K Ω) = 4.8 V
d) VD = VDS = 4.8 V
e) VG = VGS = - 2 V
f) VS = 0 V
176
Matematikisht ushtrimi mund të zgjidhet:
a) VGSQ = - VGG = - 2V
-8 V 2
b) ID = IDSS (1- )2 = 10 mA (1 - ) = 5.625 mA
-2 V
c) VDS = VDD – IDRD = 16V - (5.625 mA)(2 K Ω) = 4.75 V
d) VD = VDS = 4.75V
e) VG = VGS = - 2 V
f) VS = 0 V
USHTRIME
1. Për skemën me polarizim fiks:

a) Vizatoni karakteristikën e transferimit të transistorit.
b) Vizatoni linjën e ngarkesës në të njëjtin sistem boshtesh.
c) Përcaktoni IDQ dhe VGSQ.
d) Duke përdorur ekuacionin Shoklei, përcaktoni IDQ e më pas gjeni VDSQ.
Krahasoni rezultatin me atë të pikës c).
IDSS = 10 mA
VP = -4V
177
2. Me vlerën e VD së dhënë, përcaktoni madhësitë e mëposhtme:

a) ID
b) VDS
c) VGG
IDSS = 8 mA
VP = -4V
6.3. SKEMA ME VETËPOLARIZIM
Skema me vetëpolarizim nuk ka nevojë për dy burime ushqimi të vazhduar.

Tensioni i kontrollit portë-burim tani përcaktohet nga tensioni në rezistencën
Rs që lidhet me burimin (source) si në figurën 6.6.
Figura 6.6. Skema me vetëpolarizim
Për analizën dc të qarkut, kondensatorët mund të zëvendësohen me qark

të hapur dhe rezistenca RG mund të zëvendësohet nga një qark i shkurtër,
përderisa IG = 0A. Rezultati është qarku në figurën 6.7 në analizën e rrymave
të vazhduara (dc). Rryma që kalon në rezistencën RS është rryma që kalon
në burim, por IS = ID dhe
VRS = ID RS (6.9)
178
Për konturin e mbyllur në figurën 6.7, gjejmë që
-VGS-VRS=0
ose
VGS= -IDRS. (6.10)
Nga ekuacioni (6.10) shohim që VGS është në funksion të rrymës së derdhjes

ID dhe jo me vlerë fikse siç ndodhte në rastin e skemës me polarizim fiks.
Figura 6.7. Analiza dc e skemës

me vetëpolarizim
Ekuacioni (6.10) është përcaktuar nga skema e mësipërme. Nga ana tjetër,
ekuacioni Shoklei (6.3) lidh madhësitë e qarkut të hyrjes me ato të qarkut të
daljes së skemës. Të dy ekuacionet lidhin të njëjtat madhësi, ID dhe VGS, duke
na dhënë mundësinë për ta zgjidhur në mënyrë grafike ose matematikore
problemin.
Zgjidhja matematikore e duhur mund të përftohet thjesht duke zëvendësuar
ekuacionin (6.10) në ekuacionin e Shokleit si më poshtë:
ID = IDSS (1- )2
= IDSS (1- )2
ose
ID = IDSS (1+ )2.
Duke vazhduar me veprimin e ngritjes në katror, përftojmë ekuacionin si

më poshtë:
ID2 + K1ID + K2 = 0.
Ekuacioni i gradës së dytë zgjidhet për vlerat e përshtatshme të ID. Kjo

përcakton zgjidhjen matematikore.
179
Zgjidhja grafike kërkon që, në fillim, të vizatojmë karakteristikën e transferimit

për transistorin si në figurën 6.8. Me ekuacionin (6.10) mund të ndërtohet
linja e ngarkesës (një vijë e drejtë) në të njëjtin grafik.
Le të përcaktojmë koordinatat e dy pikave të linjës së ngarkesës nga ekuacioni
(6.10) dhe t’i bashkojmë ato.
Në fillim konsiderojmë ID = 0 dhe marrim që VGS = -IDRS = (0)RS = 0 V.
Pika e dytë përcaktohet duke marrë një vlerë të caktuar të VGS ose ID dhe vlera
korresponduese e madhësisë tjetër të zgjidhet duke përdorur ekuacionin
(6.10) me një vlerë të dhënë të RS. Kështu, me anë të dy pikave, mund të
ndërtojmë vijën e ngarkesës. P.sh., marrim
ID= ,
atëherë
VGS= - IDRS = * RS.
Ndërtojmë linjën e ngarkesës. Pikëprerja e karakteristikës së transferimit

me linjën e ngarkesës na përcakton pikën e punës Q si në figurën 6.8.
Figura 6.8. Vizatimi i linjës së ngarkesës
Pasi përcaktojmë IDQ dhe VGSQ, mund të gjejmë madhësitë e tjera.

Për gjetjen e VDS mund të zbatojmë ligjin e Kirkofit në qarkun e daljes:
VRs+ VDS + VRD – VDD = 0
nga ku VDS = VDD – VRS – VRD = VDD – ISRS– IDRD.
Por ID = IS
dhe VDS = VDD – ID(RS + RD). (6.11)
180
Në vazhdim:
VS = IDRS (6.12)
VG = 0 V (6.13)
dhe VD = VDS + VS = VDD -VRD. (6.14)
SHEMBULL
Gjeni pikën e qetësisë për skemën e figurës (6.6) me këto të dhëna:

VDD = 20 V, RD = 3.3 KΩ, RG= 1 MΩ, IDSS = 8mA, VP = -6V
a) RS = 100 Ω
b) RS =10 KΩ.
RS=100 Ω
Zgjidhje IDQ=6.4mA, VGSQ=-0.5V
Ndërtojmë linjën e ngarkesës për

secilën nga vlerat e rezistencës sipas
mënyrës së përshkruar më sipër. RS=10KΩ
IDQ=0.4mA,VGSQ=-4.6V
Siç vihet re, sa më e vogël të jetë RS,
aq më pranë boshtit të ID ndodhet
linja e ngarkesës, ndërsa sa më
tepër të rritet RS, aq më afër boshtit
të VGS ndodhet linja e ngarkesës.
Figura 6.9
USHTRIME
1. Për skemën me vetëpolarizim të figurës së

mëposhtme (fig. e ushtrimit 1) duhet të:
a) Vizatoni karakteristikën e transferimit të
transistorit nëse IDSS = 10 mA dhe VP = - 4 V.
b) Vizatoni linjën e ngarkesës në të njëjtin
sistem boshtesh.
c) Përcaktoni IDQ, VGSQ
d) Llogaritni VDS, VD, VG, VS.
2. Për skemën me vetëpolarizim të figurës së

mëposhtme (fig. e ushtrimit 2), nëse IDSS = 6 mA
dhe VP = - 4 V, të përcaktohen:
a) IDQ , VGSQ
b) VDS, VD, VG, VS. Skema e ushtrimit 1
181
3. Përcaktoni:
a) IDQ, VGSQ.
b) VDS, VD, IDSS nëse VP = - 4 V.
12 V 18 V
Skema e ushtrimit 2 Skema e ushtrimit 3
6.4. SKEMA ME PJESËTUES TENSIONI
Skema e polarizimit me pjesëtues tensioni, e studiuar në amplifikatorët

me transistorë dypolarë, përdoret edhe në amplifikatorët me transistorë
njëpolarë siç është treguar në figurën 6.10.
Figura 6.10. Skema me pjesëtues tensioni
Më poshtë po tregojmë skemën ekuivalente për rrymat e vazhduara.
182
Figura 6.11. Skema ekuivalente për

rrymat e vazhduara
Vini re që të gjithë kondensatorët janë zëvendësuar në skemë me qark të

hapur. Në vazhdim, burimi VDD është ndarë në dy burime ekuivalente: një në
qarkun e hyrjes dhe një në qarkun e daljes. Përderisa IG = 0, nga ligji i Kirkofit
për rrymat kemi që IR1 = IR2, dhe mund të përdorim qarkun ekuivalent seri
në të majtë të figurës 6.11 për të gjetur vlerën e VG. Tensioni VG, i barabartë
me tensionin në rezistencën R2, mund të gjendet duke përdorur barazimin
e mëposhtëm:
VG = . (6.15)
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit për tensionet në drejtimin e rrotullimit të

akrepave të orës për qarkun e hyrjes:
VG – VGS – VRS = 0
dhe VGS = VG – VRS.
Duke zëvendësuar VRS = ISRS = IDRS, kemi:
VGS = VG - IDRS. (6.16)
Rezultati është një ekuacion që lidh dy madhësi të njëjta me atë të ekuacionit

Shoklei: VGS dhe ID. Vlerat e VG dhe RS janë fikse. Ekuacioni (6.16) është
ekuacion i një vije që nuk kalon nga origjina.
Zgjedhim ID = 0 mA dhe përcaktojmë VGS nga ekuacioni (6.16) si më poshtë:
VGS = VG – (0 mA) RS.
183
Pra:
VGS = VG, për ID = 0 mA. (6.17)
Për të përcaktuar pikën tjetër, konsiderojmë VGS = 0V dhe nga ekuacioni

(6.16) gjejmë ID:
VGS = VG – IDRS
0V = VG – IDRS
VG
dhe ID = , për VGS = 0 V. (6.18)
RS
Dy pikat e përcaktuara më sipër bëjnë të mundur ndërtimin e linjës së

ngarkesës. Pikëprerja e linjës së ngarkesës me karakteristikën e transferimit
përcakton pikën e punës dhe vlerat e IDQ dhe VGSQ përkatëse (fig. 6.12).
VG
RS
Figura 6.12. Karakteristika e transferimit dhe pika e punës
Pikëprerja e boshtit vertikal me linjën e ngarkesës ndodh për ID = VG/RS .

VG është fikse në qarkun e hyrjes, prandaj, nëse rritet vlera e RS, do të
zvogëlohet vlera e ID (fig. 6.13).
Q
Rritja e vlerës
së RS
Figura 6.13. Efekti i RS në përcaktimin e pikës së punës.
184
Duke rritur vlerat e RS, dalin vlera më të vogla të ID dhe vlera më negative të
VGS. Për qarkun e daljes:
VS = IDRS (6.19)
VD = VDD – IDRD (6.20)
VDS = VDD – ID (RD + RS). (6.21)

Për qarkun e hyrjes:
IR1 = IR2 dhe VG = .
20V
USHTRIME
1. Për skemën e ushtrimit 1, të përcaktohen:

a) VG
b) IDQ dhe VGSQ
c) VD dhe VS
d) VDSQ,
nëse IDSS = 10 mA dhe VP = -3.5 V.
2. Të përsëritet ushtrimi i mësipërm nëse

RS = 0.51 kΩ. Cili është efekti i vlerës më të
vogël të RS në IDQ dhe VGSQ?
18V
Skema e ushtrimit 1 dhe 2
2 kΩ
750
3. Në skemën e ushtrimit 3, nëse IDSS = 8 mA,
të përcaktohet :
VD = 9 V
a) ID
b) VS dhe VDS
c) VG dhe VGS
d) VP
91 0.68
Skema e ushtrimit 3
185
6.5. MOSFET I TIPIT ME VARFËRIM (D-MOSFET)
Siç e kemi parë në kapitullin e shkuar, karakteristika e transferimit e JFET

dhe e D-MOSFET është e ngjashme.
Ndryshimi kryesor midis skemave me JFET dhe atyre me MOSFET të tipit
me varfërim (depletion type) qëndron në faktin që në karakteristikën e
transferimit të D-MOSFET, pika e punës mund të gjendet edhe për vlera
pozitive të VGS. Në këtë rast vlera e ID kuptohet që do të jetë më e madhe se
vlera e IDSS.
SHEMBULL
Për MOSFET me varfërim kanal-n, të lidhur si në figurën e mëposhtme

(fig. 6.14), përcaktoni:
a) IDQ dhe VGSQ.
b) VDS.
a) b)
Figura 6.14 a) Skema e D-MOSFET me kanal-n me pjesëtues tensioni
b) Përcaktimi i pikës së punës
Zgjidhje
a) Për karakteristikën e transferimit, një pikë e grafikut përcaktohet nga

ID = IDSS/4 = 6mA/4 = 1.5 mA dhe VGS = VP / 2 = -3/2 = -1.5 V. Ekuacioni Shoklei
përcakton një vijë të lakuar që ngrihet më shpejt kur VGS bëhet pozitive.
Kështu, një pikë tjetër mund të ndërtohet në VGS = +1V. Duke zëvendësuar
në ekuacionin Shoklei:
2
ID = IDSS (1- )
2
= 6 mA (1- )
= 6 mA (1+1/3)2 = 6 mA (1.778) = 10.67 mA.

186
Për të ndërtuar karakteristikën e transferimit, duhen të paktën edhe dy pika

të tjera. Njëra është pika ku VGS = 0 dhe ID = IDSS, ndërsa tjetra mund të jetë
pika ID = 0 mA dhe VGS = VP.
I bashkojmë këto pika dhe kjo është karakteristika e transferimit e figurës
6.14 (b). Duke ndjekur të njëjtën rrugë si në skemat me JFET, kemi:
ndërsa VGS e gjejmë:
VGS = VG – IDRS = 1.5 V - ID (750 Ω).
Ky është ekuacioni i linjës së ngarkesës.

Duke zgjedhur ID = 0 mA, rezulton që:
VGS = VG = 1.5V;
Duke zgjedhur VGS = 0 V, gjejmë:
ID = VG/RS = 1.5 v/750 Ω = 2 mA.
Vendosim madhësitë e përcaktuara më lart në boshte dhe i bashkojmë

me një vijë të drejtë. Pikëprerja e karakteristikës së transferimit me linjën e
ngarkesës përcakton pikën e punës Q, si në figurën 6.14 (b). Pika e punës ka
këto koordinata:
IDQ = 3.1 mA; VGSQ = -0.8V.
b) VDS = VDD - ID (RD+RS)
VDS = 18V - 3.1mA (1.8 kΩ + 750 Ω) = 10.1 V
USHTRIME
1. Për skemën e ushtrimit 1 të përcaktohen:

a) VG
b) IDQ dhe VGSQ
c) VD dhe VS
d) VDSQ
nëse IDSS = 6 mA dhe VP = -4 V.
2. Për skemën e ushtrimit 1 të përcaktohen

IDQ dhe VGSQ, nëse RS = 1.1 K Ω. Skema e ushtrimit 1 dhe 2
187
6.6. MOSFET I TIPIT ME PASURIM (E-MOSFET)
Karakteristika e transferimit e MOSFET me pasurim është shumë e ndryshme

nga ajo e JFET e D-MOSFET dhe kjo çon në një zgjidhje grafike shumë të
ndryshme nga ajo e parë deri tani.
(on)
ID = 0 mA (on)
Figura 6.15. Karakteristika e transferimit e MOSFET me pasurim me kanal n
Kujtojmë që karakteristika e transferimit e MOSFET me pasurim ndërtohet

duke u bazuar në ekuacionin
ID = k (VGS - VGS(TH) )2.
Nëse nuk dimë vlerën e k-së, duhet t’u referohemi të dhënave të treguara
në katalog, si: VGS(TH), ID(on) dhe VGS(on). Duke zëvendësuar në ekuacionin
e mësipërm madhësitë e gjetura në katalog, gjejmë k-në siç tregohet më
poshtë:
ID(on) = k (VGS(on) - VGS(TH))2
nga ku
k = . (6.22)
2
Pasi gjendet vlera e k-së, duke i dhënë vlera VGS, gjenden vlerat e ID. Kuptohet
që vlerat e VGS do jenë më të mëdha se vlera e VGS(TH).
Mënyra e polarizimit me lidhje të kundërt
Një nga mënyrat më të përdorshme për polarizimin e këtyre transistorëve

është ajo me lidhje të kundërt. Skema e polarizimit me lidhje të kundërt
dhe skema ekuivalente DC e saj tregohen në figurën 6.16.
188
Transistori polarizohet (ushqehet) me tension në vlerë të konsiderueshme

që vjen nga derdhja (drain, dalja) e transistorit. Meqë I(G) = 0 dhe VRG = 0,
atëherë:
VD = VG
dhe
VDS = VGS. (6.23)
Por
VDS = VDD – ID RD
nga ku
VGS = VDD – ID RD. (6.24)
Ky është njëkohësisht edhe ekuacioni i një vije të drejtë ose i linjës së

ngarkesës.
a) b)
Figura 6.16 a) Skema e polarizimit me lidhje të kundërt,

b) Skema ekuivalente për rrymat e vazhduara
Duke marrë ID = 0 mA, kemi:
VGS = VDD. (6.25)
Duke zëvendësuar VGS = 0 V, kemi:
. (6.26)
-Vendosim madhësitë e përcaktuara më lart në boshte dhe i bashkojmë me
një vijë të drejtë, që është linja e ngarkesës. Pikëprerja e karakteristikës së
transferimit me linjën e ngarkesës përcakton pikën e punës Q (fig. 6.17 më
poshtë).
189
Figura 6.17. Përcaktimi i pikës së punës për skemën me lidhje të kundërt
Mënyra e polarizimit me pjesëtues tensioni
Një mënyrë tjetër e polarizimit të E-MOSFET është ajo e polarizimit me

pjesëtues tensioni. Duke kujtuar që IG = 0 mA, mund të arsyetohet si në
rastet e tjera me këtë mënyrë polarizimi.
Figura 6.18. Skema me pjesëtues tensioni
Siç e kemi parë më sipër,
VG = = VR2. (6.27)
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit për tensionet në drejtim të rrotullimit të

akrepave të orës për qarkun e hyrjes në figurën 6.18, do të dalë që:
VG – VGS – VRS = 0
dhe
VGS = VG – VRS.
190
Duke zëvendësuar VRS = ISRS = IDRS, kemi
VGS = VG - IDRS (6.28)
Për qarkun e daljes:
VS = IDRS
VD = VDD – IDRD
VDS = VDD – ID (RD + RS) (6.29)
USHTRIME
1. Për skemën e ushtrimit 1

të përcaktohen:
a) VG
b) IDQ dhe VGSQ VGS(Th) = 4V
c) VD dhe VS VGS (on) = 7V
ID (on) = 5 mA
d) VDSQ
2. Për skemën e ushtrimit 2

të përcaktohen:
a) VG
b) IDQ dhe VGSQ
c) VD dhe VS
VGS(Th) = 3V
VGS (on) = 6V
ID (on) = 5 mA
191
6.7. LIDHJA E KOMBINUAR MIDIS TRANSISTORËVE BJT E FET
Të gjitha ekuacionet dhe marrëdhëniet midis madhësive elektrike të

përcaktuara deri tani janë të njëjta dhe për të bërë analizën e punës së
skemave të kombinuara me BJT e FET.
SHEMBULL
Të përcaktohet VD e VK për skemën e mëposhtme:
Zgjidhje
Nëse në skemën me pjesëtues tensioni plotësohet kushti βRE > 10R2,

përcaktimi i VB mund të bëhet me metodën e përafërt (duke përdorur
rregullën e pjesëtuesit të tensionit në qarkun e hyrjes). Vëmë re që:
βRE = (180 x 1.6 kΩ) = 288 kΩ > 10R2 = 240 kΩ.
Meqë kushti plotësohet, llogaritim VB:
VB .
Duke ditur që IG = 0 dhe IGRG= 0, kemi:
192
VB = VG
Duke përdorur faktin që VBE = 0.7 V, gjejmë:
VE = VB - VBE = 3.62 V - 0.7 V
= 2.92 V
dhe
Në këtë skemë
IDQ = IE = IK
VD = 16 V - ID (2.7 KΩ)
= 16 V – (1.825 mA) (2.7 KΩ)
= 11.07 V
Po të shohim skemën me vëmendje, VK është e njëjtë me vlerën e VS:
Më lart gjetëm IDQ dhe matematikisht ose grafikisht mund të përcaktojmë

VGSQ. Për këtë, ndërtojmë karakteristikën e transferimit dhe për vlerën e
njohur të IDQ përcaktojmë vlerën e VGSQ.
Grafikisht, nga figura 6.19, shihet që
VGSQ = -3.7 V.
Vlera e VK:
VK = VB – VGSQ = 3.62 V – (-3.7 V)
= 7.32 V.
193
Figura 6.19. Përcaktimi i pikës së punës
USHTRIM
1. Për qarkun në figurën e mëposhtme përcaktoni:

a) VG
b) VGSQ dhe IDQ
c) IE
d) IB
e) VD
f) VK
β=160
IDSS= 6 mA
VP=-6V
194

Elektronika 1 L.toti

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronika 1 L.toti

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

 Luçiana TOTI – ELEKTRONIKA 1

LUÇIANA TOTI (KINI)

SHTËPIA BOTUESE E LIBRIT UNIVERSITAR

Botues: SHTËPIA BOTUESE E LIBRIT UNIVERSITAR

Këshilli botues i ShBLU-së

© Shtëpia Botuese e Librit Universitar, 2012.

Redaktore përgjegjëse: Klara Shoshi

Redaktore shkencore: Ing. Garentina Bezhani

Redaktore letrare: Klara Shoshi

Arti grafik dhe kopertina: Klara Shoshi

Recensues: Ing. Garentina Bezhani

Shtypur në shtypshkronjën KLEAN

Tirazhi: 1000 kopje

• Malvino, “Electronics Principles”

Kapitulli DIODAT GJYSMËPËRCJELLËSE 7

Kapitulli PËRDORIMET E DIODAVE 57

Kapitulli TRANSISTORËT DYPOLARË 101

3.1. Hyrje 101

Kapitulli MËNYRAT E POLARIZIMIT

4.1. Njohuri të përgjithshme 119

Kapitulli TRANSISTORËT ME EFKT FUSHE 154

Kapitulli MËNYRAT E POLARIZIMIT TË FET 172

Në këtë kapitull do të studiohet teoria e gjysmëpërcjellësve, më pas bashkimi

1.2. DIODAT IDEALE

Elementi i parë që do të përshkruajmë është dioda. Ky është elementi

Figura 1.1. Karakteristika dhe simboli i diodës

ku VF është tensioni i drejtë në diodë dhe IF është rryma e drejtë që kalon

ku VR është tensioni i kundërt në diodë dhe IR është rryma e kundërt në

Figura 1.2 a) Gjendja e përcjellshmërisë dhe b) e jopërcjellshmërisë e diodës

Figura 1.3. a) Gjendja e përcjellshmërisë, b) gjendja e jopërcjellshmërisë së diodës ideale

2. Përshkruani me fjalët tuaja karakteristikat e diodës ideale dhe si

1.3. MATERIALET GJYSMËPËRCJELLËSE

A - sipërfaqja e seksionit tërthor të përcjellësit

Figura 1.4. Përcaktimi i rezistencës

Kjo tabelë na ndihmon për të krahasuar nivelin e rezistencave specifike të

Figura 1.5. Struktura e një kristali Ge ose Si

Modeli i Bohrit për dy gjysmëpërcjellësit më të përdorshëm është treguar

Figura 1.6. Modeli i Bohrit për a) Ge dhe b) Si

Atomi i Ge ka 32 elektrone të shpërndara nëpër orbita, ndërsa atomi i Si ka

Figura 1.7. Lidhja kovalente e atomeve të silicit

Në temperaturën e dhomës ndodhen afërsisht 1,5x1010 mbartës të lirë në

1. a) Duke përdorur tabelën 1.1, përcaktoni rezistencën e Si me sipërfaqe

2. Shpjegoni me fjalët tuaja vetitë e një materiali me koeficient negativ

3. Vizatoni strukturën atomike të bakrit. Pse është ai një përcjellës i mirë?

1.4. NIVELET ENERGJETIKE

Në strukturën e atomit të veçuar ndodhen nivelet energjetike të shoqëruara

Izolatori Gjysmëpërcjellësi Përcjellësi

Energjia që shoqëron çdo elektron matet me elektron-volt (eV). Madhësia e

ku Q është ngarkesa e një elektroni.

1eV = 1.6 x 10-19 J (1.3)

Në zeron absolute (-273.15°C) të gjitha elektronet e valencës së materialeve

1. Sa është energjia në J që duhet për të lëvizur një ngarkesë prej 6 C nga

1.5. GJYSMËPËRCJELLËSIT E TIPIT p DHE n

Figura 1.9. Materiali tip n

Atomi i futur si papastërti ka dhuruar një elektron të lirë në strukturë.

Figura 1.10. Efekti i atomeve dhuruese

Figura 1.11. Atome bori si papastërti në materialin tip p

Siç shihet, ndodhet një numër i pamjaftueshëm elektronesh për të plotësuar

“Lëvizja” e vrimave kundrejt elektroneve

Në figurën 1.12 tregohet mënyra e lëvizjes relative të vrimave. Nëse një

Figura 1.12. Lëvizja e elektroneve dhe e vrimave

Mbartës me shumicë e pakicë

Në një material tip n (fig.1.13 a) elektroni është quajtur mbartës me shumicë,