DCDC转换器设计

DC/DC转换器设计研讨会
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「DC/DC转换器设计研讨会」
一. 开关稳压器基本原理
二. 元器件设计与实际评估
三. 电源设计流程及ROHM电源IC选型

P. 1
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一. 开关稳压器基本原理
1. 概述：开关稳压器分类及控制模式
1-1. 开关稳压器的种类
1-2. 降压型开关稳压器的工作原理
1-3. PWM模式和PFM模式
2. 降压型开关稳压器的工作原理
3. 电源IC的功能介绍
3-1. 过热保护/低电压误动作保护功能
3-2. 过电流保护/短路保护机能
3-3. 过电压保护功能
3-4. 预偏置工作
3-5. 时序功能
P. 2
1-1. 开关稳压器的种类严禁转载
DC/DC转换器开关控制输出电压
稳压器工作模式
非隔离型
降压
非同步整流式 PWM
升压
同步整流式输出更稳定
PFM
升降压反馈控制方式
隔离型
反相
反激式电流模式
正激式电压模式
推挽式磁滞
半桥/全桥
AC/DC转换器
• 用途：消费电子、工业、日本国内、海外．．
非隔离型
• 输入输出条件：AC、DC、电池．．
隔离型 • 性能目标：功率、效率、精度．．
• 限制事项：噪音、成本、规范．．

P. 3
1-2. 降压型开关稳压器的工作原理严禁转载
非同步整流型和同步整流型的区别
非同步（二极管）整流同步整流
VIN VIN
S1 S1
L1 L1
VO VO
D1 C1 S2 C1
• 当S1为ON时，电流不流经D1（OFF） • 当S1为ON时，将S2设为OFF
• 当S1为OFF时，正向电流流经D1（ON） • 当S1为OFF时，将S2设为ON
• 在实际电路中，S1使用晶体管， • 电流路径与非同步型相同，但S的ON/OFF由
D1使用肖特基势垒二极管控制电路来控制
• 效率比同步型要差 • 在实际电路中S为晶体管
• 电路比较简单 • 效率高，但需要考虑低负载时的效率
• 电路比非同步型复杂
P. 4
1-3. PWM模式和PFM模式严禁转载
PWM（脉冲宽度调制）是频率恒定，通过
占空比调整 PWM和PFM的效率特性示意图
 频率恒定，因此轻负载时效率
开关损耗导致的效率恶化显著 PFM
 频率恒定，因此噪音容易滤除 PWM
PFM（脉冲频率调制）是使ON（或OFF）时间
恒定，来调整OFF（或ON）时间
 轻负载时降低频率运行，因此开关损耗降低，可
保持效率
 频率不定，因此噪音滤除困难，噪音有可能进入
人耳可听到的频率范围
负载电流
PWM PFM
周期恒定，ON/OFF时间比变动 ON时间恒定，OFF时间变动＝周期也变动
P. 5
2. 降压型开关稳压器的工作原理严禁转载
① 根据基准电压判断输出电压是否为设
定电压
②开关ON
开关 ② 比设定电压低时，开关ON并从输入向
控制电路输出提供电力。
输入电压
输出电压 ③ 此时电感器蓄积磁能。
③ ④ 输出电压比设定电压高时开关OFF。
比较电路
负载
⑤ 存储于电感器的磁能变成电流提供给
① 输出负载，再返回到电感器。
基准电压
⑥ 电感器的磁能用完且输出电压下降，
则开关再次ON。
开关
④开关OFF
控制电路
输入电压输出电压开关开关
⑤ ON OFF ON OFF
比较电路
开关电流
负载
基准电压
二极管电流
电感电流
从输入侧只提取必要的功率，实现高效率。
P. 6
3-1. 过热保护/低电压误动作保护功能严禁转载
热关断 ( Thermal Shut Down )

IC的结点温度Tj在最大额定Tjmax± α停止工作
输出
- 自动复位型
- 锁存型
0
Tjmax 结点温度 Tj (℃)
防止低电压误动作 ( Under Voltage Lock Out )

输入电压下降到规定以下时停止工作
输入电压范围
输出
检测解除输入电压 VIN (V)

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3-2. 过电流保护/短路保护功能严禁转载
过电流保护 ( Over Current Protection ) 短路保护 ( Short Circuit Protection )

当输出电流超过限制值时，限制电流当输出电压低于规定值时，停止工作
- 自动复位型
VO VO
- 锁存型
FB
FB SCP阈值
SCPスレッショルド
t
上侧
上側上侧
上側
MOSFET栅极
MOSFETゲート MOSFET栅极
MOSFETゲート
下侧
下側下侧
下側
MOSFET栅极
MOSFETゲート MOSFET栅极
MOSFETゲート
OCP阈值
OCPスレッショルド
线圈电流
コイル電流线圈电流
コイル電流
IC内部 IC内部
OCP信号 SCP信号
输出负载电流 Over 输出负载电流 Over

出力負荷電流 Normal Normal 出力負荷電流 Normal Current
Normal
Current

P. 8
3-3.过电压保护功能严禁转载
过电压保护 ( Over Voltage Protection )

当输出电压超过设定值时，停止工作
VO
OVP阈值
控制电路
OVPスレッショルド VO
FB VIN
上侧比较电路
MOSFET栅极负载
上側
MOSFETゲート基准电压 OVP
下侧
MOSFET栅极 FB
下側
MOSFETゲート
IC内部
OVP信号

P. 9
(补充)UVLO电压 (输入电压)＜输出电压时的注意点严禁转载
通常的输入电压变动输入电压 < 输出设定电压输入电压 < UVLO
无法输出设定的Vout，在比原本的Error out水平还高

正常的工作 Error out处于High状态的电压状态下，Vin升高。
即使输入电压变动，对输出电压也几乎没有只要检测UVLO，即可全部
影响在Error out持续High状态下工作，复位，因此出现通常的启
输出可能大幅升高动波形。

P. 10
3-4. 预偏置工作严禁转载
在输出中有残余电荷或输出中泄漏偏置的状态下启动时
直到软启动电压超过输出电压均在不导通Low-sideFET的状态下工作
支持预偏置不支持预偏置
Vout Vout
0V 0V
在Low-sideFET导通时，流过输出的电荷量，
因此FET可能损坏
SW1
IN L OUT
SW2
Vin C
FET导通时可能因电流过大而损坏

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3-5. 时序功能严禁转载
关断：对IC控制单元的工作进行ON/OFF。Enable引脚等。
软启动：为防止启动时的浪涌电流，进行缓慢启动。
无软启动有软启动
电压电压
电流电流
时间时间
POWER GOOD输出：在输出电压达到规定值的时间点输出FLAG。
通知其他单元输出电压已准备完毕。
通过与Enable引脚组合可控制启动时序。
VO1 VO2 VO3

电压 VO3
VO2
EN PG EN PG EN PG
微控制器电源1 电源2 电源3 VO1
时间
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3-5. 时序功能严禁转载
跟踪：多个电源的启动时序。
电源的跟踪方式有三种。
同时跟踪比例跟踪偏移跟踪

( COINCIDENT ) ( RATIOMETRIC ) ( OFFSET )
电压电压电压
主
时间时间时间
从低电源电压开始各电源按不同的压摆率启动使电源间的偏移电压
逐步施加电源电压固定
EN VO1
电源1 Trac VO2
EN VO2 EN VO1 电源2
时序器电源2 电源1
VO3 Trac VO3
EN 电源3
电源3
P. 13
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二. 元器件设计与实际评估
1. 输出电压设定电阻 (R7,R8)
2. 输入电容 (C2,C4)
3. 电感 (L1)
4. 输出电容 (C9,C10)
5. 软启动时间设定电容 (C7)
6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6)
7. 自举电容 (CBOOT)
8. 损耗及热设计

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1. 输出电压设定电阻 (R7,R8) 严禁转载 R5
VIN BD9A300MUV P
PVIN PGD
通过FB电阻进行输出电压设定
AVIN
 根据IC 规格书的电气特性确认FB引脚电压 BOOT
 确认IC的保证电压精度 C8
C2 C4 MODE
<基准电压单元、误差放大器单元> Enable EN SW
<FB引脚电压> L1
SS
输出电压设定为(=1.8V) ITH C9
选择 R7=30kΩ, R8=24kΩ R7
R7 + R8 PGND
VOUT ＝ × V FB REF = 0.8V
R8 R3 FB
AGND
30k + 24k
1.8C7＝ C6 × 0.8 R8
24k
设计注意事项
 估算包括使用电阻的公差在内的输出电压精度
 使用高阻值时注意噪音
 使用低阻值时注意轻负载时的效率下降
P. 15
1. 输出电压设定电阻 (R7,R8) 严禁转载
<基准电压单元、误差放大器单元>
<FB引脚电压>
规格值并非＝电源特性(性能）的示例
输出精度是？
FB电压的误差：± 1%
电阻的公差：精度＋系列近似值的选择
（电阻值并不一定和计算值一样）
如果R1=30kΩ、R2=24kΩ、VFB=0.8V，则VOUT=1.8V
但是，使用精度1%的电阻时，1.8VOUT的最大值为：
当R1为+1%、R2为-1%、VFB=0.808V时：VOUT_MAX=1.838V(+2.1%)
同样最小值为：VOUT_MIN=1.762V(-2.1%)
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2. 输入电容 (C2,C4) 严禁转载
输入电容 CIN(C2)的作用
 降低输入波纹电压用（10uF）
是High side FET 导通时的输出电流 VIN BD9A300
PVIN
供给源，通过使用大容量的电容，可
降低输入波纹电压。 AVIN
输入电容 CBYPASS(C4)的作用 C2 C4 MODE

 降低尖峰噪音用（0.1uF） Enable EN
支持开关时产生的高频
电流变化，降低VIN噪音。 SS
VIN ITH
设计注意事项 PGND
 输入电容配置于IC最近处 R3
（C4噪音也很小，因此容易接近） AGND
C7 C6
 不要求一次电源的容量
 陶瓷电容的DC偏置特性 GND

P. 17
输入电容的计算（纹波电压的计算）
• 通过电容的波纹电流发热特性图和波纹电流的绝对最大额定值，判断能否作为输入电容使用
• 使用陶瓷电容时，需要注意温度及施加于电容的DC偏置
• 温度导致的电容值变化，通过使用具有X5R 及 X7R 特性的高介电常数型陶瓷电容，可获得稳定
的温度特性
• 如果陶瓷电容两端的DC偏置増加，则电容的容量下降
• 输入的电容值决定转换器的输入纹波电压
• 输入纹波电压 ΔV IN 可按下述公式计算
I O(MAX) ：最大负载电流 (A)

IO(MAX)×VV O
C IN ：输入电容 (F)
△VIN= IN
+(IO(MAX)× ESRMAX)(VP-P) f SW ：开关频率 (Hz)
CIN×fSW
ESR MAX ：输入电容的最大等效串联电阻 (Ω)

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(补充)陶瓷电容 DC偏置特性严禁转载
Multilayer Ceramic Chip

Capacitors
Capacitance : 10μF
Capacitance Tolerance : ± 20%
Maximum Voltage : 6.3V
DC Bias Characteristic ( n=3 ) Measurement condition 120Hz-
0.5Vrms

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(补充)陶瓷电容 DC偏置特性严禁转载
DC偏置特性
• 电容具有DC偏置特性，选择大小时需要考虑实际容量。
10uF、25V耐压比较
即使容量相同、耐压相同，大小
不同实际容量也有很大不同
例）用于12V输入时
3225 3225 → 7.5uF
3216 → 4.2uF
3216 2012 → 2.0uF
1608 → 1.5uF
2012
1608

P. 20
• 用于CIN 的大容量电容一般在高频段的阻抗特性较差，因此需要配置高频用去耦电容 CBYPASS 。

• 输入电容在电流能力较小的电源（IO≤1A）条件下所需的电容值也变小，因此有时用1个陶瓷电容
可兼作CIN 和 CBYPASS 。
SW端子
電圧 HG ON
LG ON
t
缓和的电流变化=纹波电压
22μF 0.1μF
IHG IO
1000
t 100
在输入线中电流的急剧的电流变化＝噪音 10
变化段有两种
IO
Z[ohm]
ILG 1
0.1
t
0.01
缓和的电流变化=纹波电压 IO 0.001
在输出线中电流的 IL
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
变化段仅一种
frequency[MHz]
t
影响纹波的范围影响开关噪音的范围

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3. 电感 (L1) 严禁转载
降压转换的基本工作
• Fig. 1 表示开关元件 Q1 处于ON的状态
• 当Q1为ON时，电流从输入 V IN 经线圈 L充电到输出滤波电容CO ，供给输出电流 IO
• 此时线圈 L 中的电流产生磁场，电能转换为磁能被积蓄起来
• Fig. 2 表示开关元件 Q1 处于OFF的状态
• 当Q1为OFF 时，二极管D1为ON，L中积蓄的能量释放到输出端
• 同步整流时，将D1更换为开关元件（晶体管）
Fig.1 降压型转换器的基本电路 Fig.2 降压型转换器的基本电路

开关元件ON时开关元件OFF时

P. 22
电感的选型步骤
• 计算所需的电感量L
• 计算流经电感的最大电流（输出电流＋1/2纹波电流）
• 通过计算的L值（或近似），选择电感饱和电流计算的最大电流以上的电感
• 在短路和瞬态状态下，可能流过高于计算最大值的电流，因此，也有以最大开关电流为标准
进行选型的方法
电感量的计算
※ r 为输出电流纹波比：（适当的初始值：0.3～
0.4）
※ ΔIL 为电感纹波：
电感的最大电流计算
ILPEAK →
-VOUT
VIN-VOUT 倾斜度:
倾斜度: L
L
※ 通过公式可知，ILPEAK 为ΔIL 的
1/2加上IOUT的值

P. 23
电感的选型例
 输入电压：VIN = 5V
 输出电压：VOUT = 1.8V
 输出电流：IOUT = 3A (VIN − VO ) × VO
L=
 输出电流波纹比：r = 0.3 VIN × fSW × L
 开关频率：f SW = 1MHz
(5 – 1.8) x 1.8
・・・・・根据公式： = 1.280 [μH]
5 x 1000000 x 0.3 x 3
0.3 x 3
・・・・・根据公式： 3 + = 3.45 [A]
2
=IOUT+
(VIN−VOUT)×VOUT
〔A〕・・・根据公式： 1.8 x (5 – 1.8)
3+ = 3.45 [A]
2×VIN×fSW×L 2 x 5 x 1000000 x (1.28x 10-6)
根据结果：从饱和电流3.45A以上的1.5μH的电感开始选型

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使电感量变化时的电感电流
• 如果使L值变小，则可获得直流叠加电流
• 如果L值较小，波峰电流将增加，因此需要更多的直流叠加容许电流
• 如果L值过大，则相位补偿可能恶化
使用铁氧体电感时的直流叠加特性
L值
1.5
1
0.47uH
0.5
1uH
⊿IL/A
‡™IL / A
0
-0.5 2.2uH
-1
-1.5
7.9995 8 8.0005 8.001 8.0015 8.002 8.0025
电流(A) Time/mSecs 500nSecs/div
负载电流 • Vin=5V、Vo=2.5V、Iout=0A
开关频率(fsw)＝1MHz

P. 25
电感的磁饱和电流波形例
额定范围使用例磁饱和电流波形例

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(补充)电感带来的效率变化严禁转载
■DC/DC损耗(W) ■电感损耗(W) ■电容损耗(W)
BD9A300MUV(Vin=3.3V,Vout=1.0V)
100
内置FETOn电阻损耗
90
DC/DC控制损耗
Efficiency[%]
80
内置FET驱动损耗
70 Iload 2A时的损耗贡献率
噪音[mm]
60 A社 7.6×7.6×3.0
C社 7.3×6.8×3.2
D社 7.4×6.5×3.0
50 A社 7.0×6.6×3.0
B社 6.0×6.0×2.8
40
0.001 0.01 0.1 1 10
Iload[A]

P. 27
R5
4. 输出电容 (C9,C10)
D9A300MUV PGD 严禁转载
PGD
BOOT
C8
VOUT
SW
L1
C9 C10
R7
FB
R8

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4. 输出电容 (C9,C10) 严禁转载
输出电容的计算
• 输出电容选型的重要元素是额定电压、额定纹波电流及ESR（等效串联电阻）
• 施加于电容的电压及纹波电流需要在最大额定值以下
• ESR和电感电流一样是决定输出纹波电压的重要元素
• 输出电容中的纹波电流为Fig. 2 的 I CO 所示的三角波，其有效值按下述公式计算
V IN(MAX) ：最大输入电压 (V)

VOUT ：输出电压 (V)
L：电感值 (H)
fSW ：开关频率 (Hz)
• 输出波纹电压为电感电流的波纹电流流入输出电容，通过静电容量、ESR、ESL产生的合成
波形，按下述公式计算
V IN(MAX) ：最大输入电压 (V)
ΔI L ：电感纹波电流 (A)
CO ：输出电容 (F)
L：电感值 (H)
f SW ：开关频率 (Hz)
ESR：输出电容的等效串联电阻 (Ω)
ESL：输出电容的等效串联电感值 (H)
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额定电压
SW
AC电压特性(n=3) 测量条件120Hz
Vout
开关DC/DC的输出电压纹波为几mV～几十mV
陶瓷电容的容量值依存于DC电压特性、温度特性、以及前项的尺寸，
在开关DC/DC中，还需要注意AC电压特性。
P. 30
＜电感的计算＞＜输出波纹电压的计算＞
（VIN − VO） × VO 1
×fSW）
⊿IL = △ VPRL =△ IL × （RESR＋ 8×C
VIN × fSW × L OUT
＜关于△IL ＞＜关于△VPRL ＞
※以黑线为基准进行说明 ※以黑线为基准进行说明
使L值减半则VPRL加倍
使L值减半则⊿IL加倍
使fsw加倍则⊿IL减半使COUT加倍则VRPL减半
使fsw加倍则VRPL减半
△IL
△VRPL

P. 31
＜电感的计算＞
例：当选择r = 1时
※使输出电流设定为2A。
＜连续模式＞＜轻负载模式＞
ILmax=2A
ILmax=2A
Io=0A
Io=0A
ILmin=-2A
如果⊿IL较大则输出波纹电压增大，开关周期延长，开关损耗降低。
0A以下产生损耗，因此需要探讨效率是否适当。针对输出设定电压，需要探讨波纹量是否适当。
ILMIN=4A
ILMIN=3.8A
Io=2A
Io=1.9A Io=2A以下为轻负载模式
ILMIN=0A IO=0A
Io=2A时上述损耗消失。⊿IL为4A，因此需要确认OCP设定是否
Io=2A时将切换到连续模式，因此需要探讨负载响应是否适当。
为4A以下。

P. 32
＜电感的计算＞
例：当选择r=0.1时
※使输出电流设定为2A。
＜连续模式＞＜轻负载模式＞
Ilmax=0.2A
ILmax=0.2A
Io=0A
Io=0A
ILmin=-0.2A
⊿IL较小，因此需要探讨输出波纹电压是否适当。如果⊿IL较小则输出电压波纹变小，开关周期变短，开关
损耗増加。需要探讨输出波纹电压是否适当。
ILMIN=0.4A
ILMIN=0.38A
Io=0.2A
Io=0.19A 0.2A以下为轻负载模式
ILMIN=0A
IO=0A
Io=0.2A时上述损耗消失。⊿IL较小，因此需要探讨输出波纹电 Io=0.2A时将以快速输出电流切换到连续模式，因此需要探讨
压是否适当（确认2次跳动等是否没问题）。效率是否适当。

P. 33
Iin
使用大容量输出电容的失败案例
Vin
CO Vo
<通常的启动>
启动时通过给输出电容充电使输出电压上升，
Iin
因此会流过比通常工作时还大的Iin。
启动时间分固定式和可变式，
但启动时间越短所产生的电流越大。
Vo
<使用大容量Co时>
过电流检测
過電流検出
使用大容量Co时，会流过更多的Iin，因此可
Iin
能检测出过电流。
此时的运行因IC的控制方式而不同，
Vo 左图是启动时间变慢的情况。
可能引起输出停止等启动不良问题。
当数据表中未记载输出电容的最大值、给Co设定了推荐电容以上的容量时，最好仔
细咨询一下

P. 34
5. 软启动时间设定电容 (C7) VIN 严禁转载 BD9A3
PVIN
AVIN
软启动时间的设计 (设计值=3msec)
C2 C4 MODE
Enable EN
CSS = TSS × ISS / VFB SS
ITH
TSS ：软启动时间
CSS ：软启动时间引脚连接电容
VFB ：FB引脚电压0.8V(Typ) PGND
ISS ：软启动引脚电流源1.8μA(Typ) R3
AGND
C7 C6
CSS = 3m × 1.8μ / 0.8 = 6.75nF = 6.8nF
设计注意事项
 由于是高阻抗线，请注意噪音
 对于时序要求严格的整机，设计时需要考虑IC的波动、电容公差的最差条件

P. 35
AVIN
6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) C2 严禁转载

C4 MODE
Enable EN
SS
■ ITH引脚
ITH
ITH引脚与误差放大器的输出端相连接，
为了同时实现开关稳压器的反馈环路的
稳定性和响应性能，通过电阻和电容 PGND
进行调整。 R3
AGND
C7 C6
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div]
负载响应特性频率特性
⊿Vout=+20.0mV 相位余量 53.9deg
-21.6mV 过零 83.18kHz
P. 36
6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) 严禁转载
■ R3(RITH) 选型
2π×𝑉𝑂𝑈𝑇 ×𝐹𝐶𝑅𝑆 ×𝐶𝑂𝑈𝑇 2πx 1.8 x 50k x 44μ

R3 = [Ω]
・・・・・：
0.8 x 13 x 260μ
= 9.2k [Ω]
𝑉𝐹𝐵 ×𝐺𝑀𝑃×𝐺𝑀𝐴
VOUT : 输出电压, FCRS : 交叉频率,
COUT : 输出电容, VFB : 反馈基准电压(0.8V(typ.)),
GMP : 电流检测增益(13A/V(typ.)),
GMA : 误差放大器跨导 (260μA/V(typ.)) 数据表的记载
C6(CITH) 选型
𝐶𝑂𝑈𝑇 ×𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐶𝐼𝑇𝐻 = [𝐹]
𝑅𝐼𝑇𝐻×𝐼𝑂𝑈𝑇
44μ x 1.8
＝ = 2870p [F]
9.2k x 3
IOUT : 最大输出电流(3A)

P. 37
负载变动的急剧程度和输出电压的响应特性
在负载电流的上升/下降时间（tr/tf）较短（急剧）条件下，输出电
压的变动较大
需要根据实际使用的负载变动速度进行探讨。
负载响应不满足要求时，应该探讨其他控制方式、频率、外部参数。
Iout的tr/tf：1μsec Iout的tr/tf：10μsec Iout的tr/tf：100μsec
波形上：Vout
波形下： Iout
P. 38
fp1
R小⇒零点向高频段转移
R3 大 ⇒增益持续下降直到更高频段
fz2
R3 typ ⇒过零在低频段发生
根据R3的值，
R3の値により
零点的频段移动
ゼロの帯域が ⇒相位余量増加，但响应变慢
移動する R3 小
R3=9.1kΩ ： fz2=6.5kHz R3=3kΩ ： fz2=19kHz
Phase(deg)
Gain(dB)
零点：6.5kHz
零点：19kHz

P. 39
fp1
R大⇒零点向低频段转移
R3 大 ⇒增益在低频段产生衰退
fz2
R3 typ ⇒过零在高频段发生
根据R3的值，
R3の値により
零点的频段移动
ゼロの帯域が ⇒相位余量下降，但响应变快
移動する R3 小
R3=9.1kΩ ： fz2=6.5kHz R3=27kΩ ： fz2=2.1kHz
Phase(deg)
Gain(dB)
零点：6.5kHz 零点：2.1kHz

P. 40
负载响应和频率特性
BD9A300MUV 推荐参数
ITH引脚 R3=9.1kΩ、C6＝2700pF
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div]
相位余量 53.9deg
⊿Vout=21.6mV
过零 83.18kHz
P. 41
负载响应和频率特性降低R3电阻使频段变窄，负载响应恶化
BD9A300MUV → 运行本身没问题，
ITH引脚 R3=3kΩ、C6＝2700pF 但相位余量过大
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div
]
⊿Vout=36.0mV 相位余量 63.92deg
过零 33.11kHz
P. 42
增加R3电阻使频段变宽，负载响应变好，
负载响应和频率特性但电压变动时产生振铃现象。
BD9A300MUV
→ 相位余量小。因产品波动可能会发生异
ITH引脚 R3=27kΩ、C6＝2700pF 常振荡。
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div]
相位余量 17.81deg
⊿Vout=15.2mV
过零 158.49kHz
P. 43
负载响应和频率特性
如果进一步增加R3电阻．．．
BD9A300MUV
→ 变为异常振荡状态
ITH引脚 R3=43kΩ、C6＝2700pF
Vout(ac)
[10mV/div]
Iout
[100mA/div]

P. 44
7. 自举电容 (CBOOT) 严禁转载 R5
VIN BD9A300MUV PG
PVIN PGD
■ 自举电容 CBOOT的作用 AVIN BOOT

驱动 High Side FET（Nch）需要 BOOT引脚
C2 C4 MODE C8
- SW Low时 : 使“内部电源－ 1Vf”给BOOT-SW间电容充电

Enable EN SW
L1
SS
- SW Hi时 : 通过充电的SW-BOOT引脚间电压使High Side
ITH FET导通 C9
R7
VREG PGND
R3 FB
AGND
BOOT C7 C6 R8
内 Vin
部
电 N Vin
源
SW
VREG VREG
N BOOT
SW

P. 45
7. 自举电容 (CBOOT) 严禁转载
■ 元器件的选型条件
-只要 CBOOT的容量比High side NMOS的Cin(Cgd+Cgs) 对于Cgd-Cgs，CBOOT适当时
小，就会因电荷不足导致施加于Vgs的电压不足，
无法完全ON。
- 当CBOOT的容量过大时，因内部电源的能力
BOOT电压的提升变慢，暂时电压不足，
无法充分驱动High side NMOS。
VREG
对于Cgd-Cgs，CBOOT过小时
BOOT
Vin
内 Cgd CBOOT
部
电 N
源
对于Cgd-Cgs，CBOOT过大时
Cgs
VREG SW

P. 46
8. 损耗及热设计严禁转载
●θJA ：从结温Tj到环境温度Ta的热阻(通过多个热路散热)
●ψJT ：从结温Tj到封装顶部中心温度TT的热特性参数(封装顶部以外也有热传导、散热) 严禁转载
封装顶部中心温度：TT 周围环境温度：
Ta
θJA 热传导
热阻（低）
ΨJT 热阻（高）
封装（MOLD）
空气的热传导、辐射
封装（LEAD）结温：Tj
芯片
铜箔
PCB
(FR4)
封装（ISLAND） ※该图为HTSOP-J8示意图
●θJC-TOP ：从结温Tj到封装顶部温度TC-TOP的热阻 ●θJC-BOT ：从结温Tj到封装底部温度TC-BOT的热阻

（散热仅限封装顶部。其他隔热。）
（散热仅限封装底部。其他隔热。）
冷却板结温：Tj
θJC-BOT
封装顶部温度：TC-TOP
θJC-TOP
结温：Tj 封装底部温度：TC-BOT 冷却板
※ ΨJT是表示结温Tj和封装顶部中心温度TT的温度差的热特性参数，
与以往ROHM的θJC同义。
P. 47
一、损耗計算
 PIC = VIN × ICC ， IC静态损耗
 2
PRON = R ON × IO × DON ，H-MOS导通损耗
 PDi = VF × IO × (1 − DON ) ,or PRONL = R ONL × IO

2
× (1 − DON )
VIN ×IO
 PSW = × tr + tf × fSW ，开关损耗
2
 2
PL = R L × IO ，电感损耗

P. 48
二、热设计
在热设计中遵循的大前提是：芯片结温Tj不超过最大允许Tjmax（150℃等）
芯片结温Tj通常可通过以下2点进行预估。
① 由周围温度Ta求得使用以下公式。
Tj = Ta + θJA x P θJA : Tj – Ta间热阻

P : 功耗（总热流量）
② 在实际使用状态下由IC封装上面中心温度TT求得。
Tj = TT + ΨJT x P ΨJT : Tj – TT间热阻
140
通常θJA和ΨJT一般在规格书中都有给出，
120
100
根据不同板材、板层数、板的面积、以及芯片 θJA (℃/W) θJA
封装，其热阻值θJA和ΨJT不同，两种方式
80
60
计算出的TJ较为接近，注意测试温度方法的准
40
确。相比较而言，实际测试芯片封装表面的温
度估算结温较为准确 20 ΨJT
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
表層銅箔面積 (mm2)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. 1层板，FR4材质 P. 49

(补充)负载瞬态响应的测量方法严禁转载
负载瞬态响应评估电路的示例
Iout Ihigh
Vo
Ilow
Co
GND Vo
Vo
Ihigh+Ilow
Iout Ilow

P. 50
(补充)输出电压的测量方法严禁转载
通过示波器进行的输出电压观察
NG例使用电路板连接器的示例
Ch1:SW(20V/div)
Ch3:Vo(200mV/div)(AC
)

P. 51
(补充)输出电压的测量方法严禁转载
正确测量波纹需要使用使用引线电阻的测量插头制作方法
专用插头
缠在裸露的探头上，
去掉不要的地方
可用引线电阻和镀锌铁丝制作插头
以替代专用插头。
用镊子的头部将其弯曲，
去掉不要的地方

P. 52
(补充)电感电流的测量(额定电感电流) 严禁转载
波形上：开关波形
波形下：电感电流波形
L:1.5uH、Vin=5V、Vout=1.8V、Iout=500mA
P. 53
目录严禁转载
三. 电源设计流程及ROHM电源IC选型
1. 电源设计的流程
2. ROHM电源IC选型

P. 54
1. 电源设计的流程严禁转载
DC/DC设计步骤
① 确定要求的规格
→1)输入电压 2)输出电压 3)负载电流 4)效率(有无轻负载模式) 5)瞬态响应・・・
② IC选型
→选定满足要求规格的控制方式和功能
③ 外围元器件选型
→线圈、输入输出电容、设定电压电阻、相位补偿・・・
④ 创建布局
→创建PCB板信息
⑤ 试制、评估
→PCB板制作、安装、性能评估
⑥ 量产设计、评估、出货检验

P. 55
2. ROHM电源IC选型- BD9X系列命名严禁转载
IC产品阵容表
BD9x Family Lineup
○ - Current Mode Control ◎ - On-time Control ▼ - Light Load Mode △ - Nonsynchronous Maximum Rating ROHM’s single output buck DC/DC converters
provide a power supply solution that satisfies your
8.0 ◎ BD9F800MUX 30V
specification requirements based on a matrix of input
voltage and output current. In the product name of
○ BD9C601EFJ 20V
6.0
BD9x Family, the numeric value “9” following “BD”
◎ BD9B600MUV ▼
represents the “buck” topology, the subsequent
○ BD9A600MUV ▼
alphabet represents the maximum rated input voltage
○ BD9C501EFJ 20V and the subsequent numeric value represents the
5.0
◎ BD9B500MUV ▼ output current.
○ BD9C401EFJ 20V
4.0 ◎ BD9B400MUV ▼ Part No. Description

○ BD9A400MUV ▼
B D 9 A 3 0 0
Output Current (A)
◎ BD9D321EFJ ▼ 20V
◎ BD9D320EFJ 20V ○ BD9G341AEFJ △ 80V
3.0 ○ BD9C301FJ / BD9C301FJ-LB 20V
Topology
SW=570kHz
9 : Buck Serial No.
◎ BD9B300MUV / BD9B301MUV-LB ▼ ○ BD9E302EFJ ▼ 30V
SW=300kHz 8 : Boost, Buck-Boost, 00, 01, 02, ･･･
○ BD9A300MUV / BD9A301MUV-LB ▼ ○ BD9E303EFJ-LB 40V Inverting
SW=570kHz
○ BD9E301EFJ-LB 40V Output Current
2.5 SW=1MHz Maximum Rated Input
○ BD9E300EFJ-LB 40V
Voltage and Control Mode 1 : ≤ 1A
2.0 ◎ BD9B200MUV ▼
2 : ≤ 2A
A : ≤ 7V Current Mode 3 : ≤ 3A
1.2 ○ BD9E151NUX △ 30V B : ≤ 7V On-time 4 : ≤ 4A
SW=570kHz C : ≤ 20V Current Mode ・
○ BD9E102FJ ▼ 30V D : ≤ 20V On-time ・
SW=570kHz
1.0 ◎ BD9B100MUV ▼ ○ BD9E101FJ-LB 40V
E : ≤ 40V Current Mode A：≤ 10A
SW=1MHz F : ≤ 40V On-time ・
○ BD9A100MUV / BD9A101MUV-LB ▼ ○ BD9E100FJ-LB 40V G : ≤ 80V Current Mode Z : Controller
0.5 ○ BD9G101G △ 45V
3.3 5.0 12 24 48 Note: There are some part numbers that do not conform with this rule
Input Power Rail Voltage (V)

P. 56
3.1 Lineup of Buck Converters (Integrated Switch FET) 严禁转载
- PWM mode ○ - On-time control - Maximum rating PGD – Power good
- Light-load efficiency ◎ - H3RegTM control ▲ - Non-synchronous Adj.SS – Adjustable soft start SW Freq.
rectification (MHz) VOUT (V) Package
3.3V 5V 12V 24V
0.765 to (VIN× 0.7)

8.0 ○ BD9F800MUX 30V PGD 0.3 / 0.6 (VIN× 0.7) ≤ 13.5V VQFN11X3535M
◎ BD95500MUV 20V PGD, Adj.SS 0.2 to 1.0 0.7 to 5.0 VQFN040V6060

(VIN× 0.075) to
BD9C601EFJ 20V 0.5 IN× 0.7)
(VIN×(V0.075) ≥ 0.8V HTSOP-J8
0.8 to (VIN× 0.5)
6.0 ◎ BD95861MUV 20V PGD 0.35 to 0.8 (VIN× 0.5) ≤ 5.5V VQFN024V4040
BD9A600MUV PGD, Adj.SS 1.0 0.8 to (VIN× 0.7) VQFN016V3030
○ 2.9VBD9B600MUV PGD, Adj.SS 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN016V3030

Output current (A)
(VIN× 0.075) to
BD9C501EFJ 20V 0.5 IN× 0.7)
(VIN×(V0.075) ≥ 0.8V HTSOP-J8
5.0 ○ 2.9V BD91364BMUU PGD, Adj.SS, Remote sense 1.7 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN20U4040M
○ BD9B500MUV PGD, Adj.SS 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) T.B.D. (QFN)
◎ BD95514MUV 30V PGD, Adj.SS 0.2 to 1.0 0.7 to 5.0 VQFN032V5050

(VIN× 0.125) to
BD9C401EFJ 20V 0.5 IN× 0.7)
(VIN×(V0.125) ≥ 0.8V HTSOP-J8
▲ 4.75V BD9327EFJ / -LB 20V Adj.SS 0.38 0.9 to (VIN× 0.9) HTSOP-J8
0.8 to (VIN× 0.5)
4.0 ◎ BD95841MUV PGD 0.5 to 0.8 (VIN× 0.5) ≤ 5.5V VQFN016V3030
○ BD9B400MUV PGD, Adj.SS 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN016V3030
BD91361MUV 2bit VID 1.0 0.8 to 3.3 *1 VQFN020V4040
BD9137MUV 1.0 0.8 to 3.3 *1 VQFN020V4040
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. *1 Limitations apply according to input/output voltage
P. 57
3.3V 5V 12V 24V
▲ BD9G341AEFJ / -LB 80V 0.05 to 0.75 1.0 to (VIN× 0.7) HTSOP-J8

(VIN× 0.06) to
BD9E303EFJ-LB 36V 40V 0.3 IN× 0.8)
(VIN×(V0.06) ≥ 1.0V HTSOP-J8
(VIN× 0.143) to (VIN× 0.7)
BD9E302EFJ 30V 0.55 (VIN× 0.143) ≥ 1.0V
HTSOP-J8
0.765 to 7.0
○ BD9D320EFJ 20V Adj.SS 0.7 (VIN× 0.07) to (VIN× 0.65)
HTSOP-J8
0.765 to 7.0
○ BD9D321EFJ 20V Adj.SS 0.7 (VIN× 0.07) to (VIN× 0.65) HTSOP-J8
0.8 to (VIN× 0.5)
◎ BD95831MUV PGOOD 0.5 to 0.8 (VIN× 0.5) ≤ 5.5V VQFN016V3030
◎ BD95513MUV 30V PGD, ASS 0.2 to 1.0 0.7 to 5.0 VQFN032V5050

(VIN× 0.125) to (VIN× 0.7)
Output current (A)
BD9C301FJ / -LB 20V 0.5 (VIN× 0.125) ≥ 0.8V

SOP-J8
▲ 4.75V BD9326EFJ / -LB 20V Adj.SS 0.38 0.9 to (VIN× 0.9) HTSOP-J8
3.0 ▲ BD9859EFJ 0.75 1.0 to (VIN× 0.7) HTSOP-J8
BD9134MUV 1.0 3.3 VQFN020V4040
○ BD9B301MUV-LB PGD, Adj.SS 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN016V3030
○ BD9B300MUV PGD, Adj.SS 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN016V3030
BD9A301MUV-LB PGD, Adj.SS 1.0 0.8 to (VIN× 0.7) VQFN016V3030
BD9139MUV 1.0 0.8 to 3.3 *1 VQFN016V3030
BD8963EFJ 1.0 1.0 to 2.5 *1 HTSOP-J8
BD8962MUV 1.0 0.8 to 2.5 *1 VQFN020V4040
BD9132MUV 1.0 0.8 to 3.3 *1 VQFN020V4040
(VIN× 0.0855) to
BD9E301EFJ-LB 36V 40V 0.57 (VIN× (VIN× 0.7)
0.0855) ≥ 1.0V HTSOP-J8
2.5
(VIN× 0.15) to (VIN× 0.7)
BD9E300EFJ-LB 36V 40V 1.0
(VIN× 0.15) ≥ 1.0V
HTSOP-J8
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
P. 58
3.3V 5V 12V 24V
▲ 4.75V BD9325FJ / -LB 20V 0.38 0.9 to (VIN× 0.9) SOP-J8

2.5 to 6.0
BD9141MUV 13.2V 0.5 (Vccmin=VOUT+1.3V) VQFN020V4040
0.8 to (VIN× 0.5)
◎ BD95821MUV PGD 0.5 to 0.8 (VIN× 0.5) ≤ 5.5V VQFN016V3030
BD8961NV 1.0 3.3 SON008V5060
BD9111NV 1.0 3.3 SON008V5060

2.0
BD9110NV 1.0 1.0 to 2.5 SON008V5060
○ BD9B200MUV PGD 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN016V3030
BD89630EFJ 1.0 1.0 to 2.5 *1 HTSOP-J8
BD8960NV 1.0 1.0 to 2.5 *1 SON008V5060

Output current (A)
HTSOP-J8
BD9130EFJ/NV 1.0 1.0 to 2.5 *1
SON008V5060
○ BU90023NUX 1.0 1.23 VSON008X2030

1.5
○ BU90028NUX 1.0 1.175 VSON008X2030
(VIN× 0.06) to (VIN× 0.7)

▲ BD9E151NUX 30V Adj.SS 0.6 (VIN× 0.06) ≥ 1.0V VSON008X2030
BD8964FVM 1.0 1.0 to 1.8 MSOP8

1.2
BD9107FVM 1.0 1.0 to 1.8 MSON8
BD9123MUV 3bitVID 1.0 0.85 to 1.2 VQFN016V3030
(VIN× 0.15) to (VIN× 0.7)

BD9E100FJ-LB 36V 40V 1.0 (VIN× 0.15) ≥ 1.0V SOP-J8
(VIN× 0.0855) to (VIN× 0.7)
BD9E101FJ-LB 36V 40V 0.57 (VIN× 0.0855) ≥ 1.0V SOP-J8
(VIN× 0.143) to (VIN× 0.7)
BD9E102FJ 26V 30V 0.57 (VIN× 0.143) ≥ 1.0V
SOP-J8
(VIN× 0.252) to VIN
▲ BD9227F 20V 100%Duty 1.0 (VIN× 0.252) ≥ 1.0V
SOP8
1.0 BD8313HFN 100%Duty 1.0 1.2 to 12 HSON8
BD9B100MUV PGD 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN016V3030
BD9A101MUV-LB PGD, Adj.SS 1.0 0.8 to (VIN× 0.7) VQFN016V3030
2.3 2.5
2.3 2.52.7
2.73.03.03.53.54.04.0 4.5 4.55.5 5.56.0 6.0 7.0 7.5 14 1514 1815
7.0 7.5 18
28 3228 32
42 5642 76 56 76 Input voltage (V)
P. 59
3.4 Lineup of Buck Controllers (Integrated Switch FET) 严禁转载
3.3V 5V 12V 24V
○ BU90008GWZ 3.6 1.0 UCSP35L1
○ BU90003GWZ 4.0 1.2 UCSP35L1
○ BU90007GWZ 4.0 1.25 UCSP35L1
○ BU90009GWZ 4.2 1.3 UCSP35L1
○ BU90004GWZ / BU90054GWZ Maximum output capacity 10μF 5.4 1.8 UCSP35L1/UCSP30L1

1.0
○ BU90104GWZ Maximum output capacity 100μF 5.4 1.8 UCSP35L1
○ BU90090GWZ 5.4 1.83 UCSP35L1
○ BU90005GWZ 100%Duty 6.0 2.5 UCSP35L1
○ BU90006GWZ 100%Duty 6.0 3.0 UCSP35L1

Output current(A)
○ BU90002GWZ 6.0 3.3 UCSP35L1
BD8967FVM 1.0 3.3 MSOP8
BD9104FVM 1.0 3.3 MSOP8
BD8312HFN 100%Duty 1.5 1.2 to 12 HSON8
BD9109FVM / -LB 1.0 3.3 MSOP8
0.8 BD9102FVM 1.0 1.24 MSOP8
BD8966FVM 1.0 1.0 to 2.5 MSON8
BD9106FVM / -LB 1.0 1.0 to 2.5 MSON8
BD9103FVM 1.0 1.2 MSOP8
BD9120HFN 1.0 1.0 to 1.5 HSON8
0.6 BD9161FVM / -LB 100%Duty 1.0 1.0 to 3.3 MSON8
(VIN× 0.15) to (VIN× 0.7)

0.5 ▲ BD9G101G 45V 1.5 (VIN× 0.15) ≥ 1.0V SSOP6
0.3 BD9122GUL 1.0 1.0 to 2.0 VCSP50L2
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)

P. 60
- PWM mode ◎ - H3RegTM control PGD – Power good
- Light-load efficiency - Maximum rating SW Freq.
(MHz) VOUT (V) Package
3.3V 5V 12V 24V
30V Ch1: 3.0A Ch1: 5.0

◎ 8V BD93291EFJ 26V
Ch2: 2.0A
0.3 to 0.6
Ch2: 0.8 to 4.0
HTSOP-J8
3.0
Output current (A)
Ch1: 3.0A Ch1: 0.8 to 5.5

◎ BD95830MUV Ch2: 3.0A 0.4 to 0.8
Ch2: 0.8 to 5.5
VQFN032V5050
Ch1: 1.5A Ch1: 3.3

BD9150MUV Ch2: 1.5A 1.5 Ch2: 0.8 to 2.5
VQFN020V4040
1.5 4.75V
Ch1: 1.5A Ch1: 3.3
BD9152MUV Ch2: 1.5A 1.0 Ch2: 0.8 to 2.5
VQFN020V4040
Ch1: 0.4A Ch1: 1.8

0.8 2.8V BD9151MUV PGD, Voltage detector, High-side controller Ch2: 0.8A 1.0 Ch2: 1.2
VQFN020V4040
0.4 Ch1: 0.4A Ch1: 2.55

2.55V BD91501MUV 100% duty Ch2: 0.3A 1.65 Ch2: 1.8
VQFN016V3030
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
3.6 Lineup of Buck Controllers (External Switch FET)

Unless otherwise specified: - Current mode control - Soft start - Synchronous rectification - Enable
- PWM mode ◎ - H3RegTM control - Maximum rating PGD – Power good

- Light-load efficiency ▲ - Non-synchronous ■ - External synchronization Adj.SS – Adjustable soft start SW Freq.
3.3V 5V 12V 24V
Controller (External Switch)
■(0.05-0.5MHz) 10V BD9611MUV 60V Adj.SS 0.05 to 0.5 1.0 to (VIN× 0.8) VQFN020V4040
Dual ▲ 3.6V BD9848FV 35V 36V Adj.SS 0.1 to 1.5 Ch1: 1.0 to VIN *1 SSOP-B20
Ch2: 1.0 to VIN *1
▲ 3.6V BD9845FV 35V 36V Adj.SS 0.1 to 1.5 1.0 to V IN *1 SSOP-B14
▲ BD63536FJ 30V 32V No Enable 0.01 to 0.3 1.25 to V IN *1 SOP-J8
▲ 4.2V BD9305AFVM 20V 0.1 to 0.8 1.25 to V IN *1 MSOP8

Ch1: 1.0 to 5.5
Dual ◎ BD9528AMUV 30V PGD, Adj.SS 0.2 to 0.5 Ch2: 1.0. to 5.5
VQFN032V5050
Ch1: 1.0 to 5.5
Dual ◎ BD95602MUV-LB 30V PGD, Adj.SS 0.15 to 0.5 Ch2: 1.0. to 5.5
VQFN032V5050
◎ BD95601MUV-LB 25V 28V PGD, Adj.SS 0.2 to 0.5 0.75 to 2.0 VQFN020V4040
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. *1 Limitations apply according to input/output voltage P. 61
3.7 Lineup of Boost/Buck-boost/SEPIC and
Inverting Converters and Controllers 严禁转载
- PWM mode ▲ - Non-synchronous rectificationPGD – Power good
Buck-boost
- Light-load efficiency - Maximum rating Adj.SS – Adjustable soft start
Inversing
1cell Li-Ion 2cell Li-Ion
SEPIC
Boost
Control SW Freq.
VOUT (V) Package
Controller (External Switch)
2.7V 4.4V 5.4V 8.8V mode (kHz)
Dual ▲ 3.6V 36V Adj.SS SOP16

BA9741F / BA9741FS 35V ✔ - - ✔ Voltage 10 to 800 2.5 to *1
SSOP-A16
Dual ▲ BA9744FV 35V 36V Adj.SS ✔ - - ✔ Voltage 10 to 800 1.222 to *1 SSOP-B16
Dual ▲ 3.6V BA9743AFV 35V 36V Adj.SS ✔ - - ✔ Voltage 10 to 800 2.505 to *1 SSOP-B16
Dual ▲ BD9851EFV 20V Adj.SS ✔ - - ✔ Voltage 10 to 3000 1.0 to *1 HTSSOP-B20
▲ 4.2V BD9306AFVM 20V Soft Start ✔ - - - Voltage 100 to 800 VIN to (VIN/0.3) MSOP8
BD8303MUV 15V Soft Start - ✔ - - Voltage 200 to 1000 1.8 to 12 VQFN016V3030
▲ BD8314NUV Soft Start ✔ - - - Voltage 1200 4.0 to 12 VSON010V3030

2500
▲ BD8311NUV Soft Start ✔ - - - Voltage 1200 4.0 to 11 VSON010V3030
Switch allowable current (mA)
2000 BD8306MUV Soft Start ✔ ✔ - - Voltage 300 to 2000 1.8 to 5.2 VQFN016V3030
▲ BD8152FVM Adj.SS ✔ ✔ ✔ - Current 600/1200 VIN to 14 MSOP8

1400
▲ BD8158FVM Adj.SS ✔ ✔ ✔ - Current 600/1200 VIN to 14 MSOP8
Dual ▲ Soft Start Ch1: -9.0 to -1.0

BD8316GWL ✔ - - ✔ Current 1600
Ch2: Vin to +18
UCSP50L1
1000
Dual ▲ Soft Start Ch1: -9.0 to -1.0
BD8317GWL ✔ - - ✔ Current 800
Ch2: Vin to +18
UCSP50L1
BU33DV7NUX Soft Start, Input pass through ✔ - - - Current 600 3.3 VSON010V3030
300
BU34DV7NUX Soft Start, Input pass through ✔ - - - Current 600 3.4 VSON010V3030
10 BU33DV5G ✔ - - - Current 100 3.3 SSOP5
1.75 1.8 2.1 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 11 12 14 18 28 36 42 Input voltage (V)

*1 Limitations apply according to input/output voltage
P. 62
DC/DC转换器设计研讨会
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E-mail :

P. 63
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DC/DC转换器设计研讨会

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热关断 ( Thermal Shut Down )

Tjmax 结点温度 Tj (℃)

防止低电压误动作 ( Under Voltage Lock Out )

检测 解除 输入电压 VIN (V)

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过电流保护 ( Over Current Protection ) 短路保护 ( Short Circuit Protection )

输出负载电流 Over 输出负载电流 Over

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过电压保护 ( Over Voltage Protection )

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通常的输入电压变动 输入电压 < 输出设定电压 输入电压 < UVLO

无法输出设定的Vout， 在比原本的Error out水平还高

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VO1 VO2 VO3

同时跟踪 比例跟踪 偏移跟踪

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输入电容 CBYPASS(C4)的作用 C2 C4 MODE

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I O(MAX) ：最大负载电流 (A)

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Multilayer Ceramic Chip

DC Bias Characteristic ( n=3 ) Measurement condition 120Hz-

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• 用于CIN 的大容量电容一般在高频段的阻抗特性较差，因此需要配置高频用去耦电容 CBYPASS 。

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Fig.1 降压型转换器的基本电路 Fig.2 降压型转换器的基本电路

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7.9995 8 8.0005 8.001 8.0015 8.002 8.0025

电流(A) Time/mSecs 500nSecs/div

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■DC/DC损耗(W) ■电感损耗(W) ■电容损耗(W)

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V IN(MAX) ：最大输入电压 (V)

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6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) C2 严禁转载

2π×𝑉𝑂𝑈𝑇 ×𝐹𝐶𝑅𝑆 ×𝐶𝑂𝑈𝑇 2πx 1.8 x 50k x 44μ

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Iout的tr/tf：1μsec Iout的tr/tf：10μsec Iout的tr/tf：100μsec

R3=9.1kΩ ： fz2=6.5kHz R3=3kΩ ： fz2=19kHz

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R3=9.1kΩ ： fz2=6.5kHz R3=27kΩ ： fz2=2.1kHz

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■ 自举电容 CBOOT的作用 AVIN BOOT

- SW Low时 : 使“内部电源 － 1Vf”给BOOT-SW间电容充电

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●θJC-TOP ： 从结温Tj到封装顶部温度TC-TOP的热阻 ●θJC-BOT ： 从结温Tj到封装底部温度TC-BOT的热阻

 PDi = VF × IO × (1 − DON ) ,or PRONL = R ONL × IO

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检测解除输入电压 VIN (V)

通常的输入电压变动输入电压 < 输出设定电压输入电压 < UVLO

无法输出设定的Vout，在比原本的Error out水平还高

同时跟踪比例跟踪偏移跟踪

- SW Low时 : 使“内部电源－ 1Vf”给BOOT-SW间电容充电

●θJC-TOP ：从结温Tj到封装顶部温度TC-TOP的热阻 ●θJC-BOT ：从结温Tj到封装底部温度TC-BOT的热阻