UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

INGENIERIA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA ANÁLOGA I
TRANSISTOR BJT MODELO PEQUEÑA SEÑAL

JUAN ESTEBAN ACOSTA GAMBOA

20182174317
LIBARDO ANDRÉS GUTIERREZ QUIMBAYA
20182172473

B 150
r π= = =0,26 Ω
gm 558 mA
1) mV

−Vcc+ RB∗I B−Q +V BE=0

2)
Vcc−V BE 10 V −0,7 V RB∗RB2
I B−Q = = =93 µA −Vcc+ ∗I +V =0
RB 100 kΩ RB+ RB 2 B−Q BE

I C−Q=B∗I B−Q=150∗93 µA=13,95 mA 33 kΩ∗10 kΩ

−15 V + ∗I +0,7 V =0
33 kΩ+10 kΩ B −Q

−Vcc+ RC∗I C−Q +V CE−Q=0

330 kΩ
∗I =15 V −0,7 V
43 kΩ B−Q
V CE−Q=Vcc−RC∗I C−Q

7,7 Ω∗I B−Q=14,3 V

V CE−Q=10 V −( 560Ω∗13,95 mA )

14,3 V
I B−Q = =1,85 A
7,7 Ω
V CE−Q=10 V −7,8V =2,2 V

I C−Q=B∗I B−Q=150∗1,85 A=277,5 A

I C−Q 13,95 mA
gm = = =558 mA
VT 25 mV mV

−Vcc+ RC∗I C−Q +V CE−Q=0

V CE−Q=Vcc−RC∗I C−Q

V CE−Q=15 V −( 3 kΩ∗277,5 A )

V CE−Q=15 V −832500V =−832485 V

I C−Q 277,5 A
gm = = =9100 A
VT 25 mV V

B 150 −3
r π= = =16,5 x 10 Ω
gm 9100 A
V